JP2015126154A - Wiring board - Google Patents

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孝一 大隅
Koichi Osumi
孝一 大隅
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which has a thick insulation layer in order to transmit a high-frequency radio signal with high efficiency and which can stably form a via conductor.SOLUTION: A wiring board A comprises: an insulation layer 1; a lower surface side conductor 2 which is arranged on a lower surface of the insulation layer 1 and includes a via land 2a and a lower surface side wiring conductor 2b connected to the via land 2a; a via hole 4 which is formed in the insulation layer 1 and makes a top face of the via land 2a be a bottom face; a via conductor 5 which is deposited in the via hole 4 so as to be connected with the via land 2a; and an upper surface side wiring conductor 2 which is deposited on a top face of the insulation layer 1 so as to be connected with the via conductor 5. The via land 2a has a thickness larger than a thickness of the lower surface side wiring conductor 2b and the via land 2a is buried in the insulation layer 1 so as to make a thickness from the top face of the via land 2a to the top face of the insulation layer 1 be smaller than a thickness from a top face of the lower surface side wiring conductor 2b to the top face of the insulation layer 1.

Description

本発明は、高密度配線を有する配線基板に関するものである。   The present invention relates to a wiring board having high-density wiring.

図5に高密度配線を有する従来の配線基板Bの一例を示す。図5に示すように、配線基板Bは、例えば4層の絶縁層11が積層されるとともに各絶縁層11の表面に導体層12が形成されている。さらに最表層の絶縁層11および導体層12の表面にはソルダーレジスト層13が形成されている。
それぞれの絶縁層11には、各絶縁層11の下面側の導体層12(以下、下面側導体12と称する)の上面を底面とするビアホール14が複数形成されており、ビアホール14の内部には、下面側導体12に接続されたビア導体15が形成されている。また、各絶縁層11の上面側の導体層12(以下、上面側導体12と称する)は、ビア導体15と一体的に形成されており、それにより各絶縁層11の上面側導体12と下面側導体12とがビア導体15を介して互いに電気的に接続されている。なお、下面側導体12におけるビアホール14の底面を形成する部位は、ビアホール14より若干大きな直径の略円形のビアランド12aを形成している。また、上面側導体12および下面側導体12は、それぞれ上面側配線導体12cと下面側配線導体12bとを有している。これらの上面側配線導体12cおよび下面側配線導体12bは、それぞれビアランド12aまたはビア導体15の少なくとも一方に一体的に接続されている。このような導体層12は、例えば電解めっき法により形成される。
最上層の上面側導体12の一部は、ソルダーレジスト層13に設けられた開口部13aから露出して半導体素子接続パッド16を形成している。また、最下層の下面側導体12の一部は、ソルダーレジスト層13に設けられた開口部13bから露出して回路基板接続パッド17を形成している。
半導体素子接続パッド16には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が半田を介して接続される。また、回路基板接続パッド17には、この配線基板Bが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。これにより、半導体素子と回路基板とが電気的に接続され、半導体素子と回路基板との間で信号を伝送することにより半導体素子が作動する。
FIG. 5 shows an example of a conventional wiring board B having high density wiring. As shown in FIG. 5, for example, four insulating layers 11 are laminated on the wiring board B, and a conductor layer 12 is formed on the surface of each insulating layer 11. Furthermore, a solder resist layer 13 is formed on the surfaces of the outermost insulating layer 11 and the conductor layer 12.
Each insulating layer 11 is formed with a plurality of via holes 14 whose bottom surface is the upper surface of a conductor layer 12 on the lower surface side of each insulating layer 11 (hereinafter referred to as a lower surface side conductor 12). A via conductor 15 connected to the lower conductor 12 is formed. The conductor layer 12 on the upper surface side of each insulating layer 11 (hereinafter referred to as the upper surface conductor 12) is formed integrally with the via conductor 15, whereby the upper surface conductor 12 and the lower surface of each insulating layer 11 are formed. The side conductors 12 are electrically connected to each other through via conductors 15. In addition, the part which forms the bottom face of the via hole 14 in the lower surface side conductor 12 forms a substantially circular via land 12 a having a slightly larger diameter than the via hole 14. The upper surface side conductor 12 and the lower surface side conductor 12 have an upper surface side wiring conductor 12c and a lower surface side wiring conductor 12b, respectively. The upper surface side wiring conductor 12c and the lower surface side wiring conductor 12b are integrally connected to at least one of the via land 12a and the via conductor 15, respectively. Such a conductor layer 12 is formed by, for example, an electrolytic plating method.
A part of the uppermost conductor 12 on the uppermost layer is exposed from an opening 13 a provided in the solder resist layer 13 to form a semiconductor element connection pad 16. Further, a part of the lowermost conductor 12 on the lowermost layer is exposed from an opening 13 b provided in the solder resist layer 13 to form a circuit board connection pad 17.
An electrode of a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element is connected to the semiconductor element connection pad 16 via solder. The circuit board connection pads 17 are connected to the electrodes of the circuit board on which the wiring board B is mounted via solder. Thereby, the semiconductor element and the circuit board are electrically connected, and the semiconductor element is operated by transmitting a signal between the semiconductor element and the circuit board.

ところで、近年、車載用の衝突防止センサーや屋内無線LAN等の用途を目的として、30〜300GHzという高周波数の電波信号が利用されることが多くなってきている。このため、このような用途を目的とする電子機器に搭載される配線基板にも、高周波数の電波信号を効率的に伝送することが求められている。さらに、電子機器の小型化に伴い配線の高密度化も要求されている。   By the way, in recent years, radio signals with a high frequency of 30 to 300 GHz are often used for purposes such as in-vehicle collision prevention sensors and indoor wireless LANs. For this reason, it is required to efficiently transmit a high-frequency radio signal also to a wiring board mounted on an electronic device intended for such an application. Furthermore, with the miniaturization of electronic devices, higher density of wiring is also required.

上述のような高周波数の電波信号を効率的に伝送するという要求に対応するためには、配線基板において配線を被覆している絶縁層の厚みを厚くすることが有効であることが知られている。
ところが、従来の配線基板Bにおいて絶縁層11の厚みを厚くすると、ビアホール14の深さも大きくなってしまう。また、配線が高密度に形成されているため、ビアホール14の径を大きくすることができない。このため、上述のように電解めっき法によりビアホール14内にビア導体15を形成する場合に、径が小さく深さの大きいビアホール14の内部にめっき液が供給されにくくなってしまいビア導体15を安定的に形成することができない場合がある。
It is known that it is effective to increase the thickness of the insulating layer covering the wiring in the wiring board in order to meet the demand for efficiently transmitting the high frequency radio signal as described above. Yes.
However, when the thickness of the insulating layer 11 is increased in the conventional wiring board B, the depth of the via hole 14 also increases. Moreover, since the wiring is formed with high density, the diameter of the via hole 14 cannot be increased. Therefore, when the via conductor 15 is formed in the via hole 14 by the electrolytic plating method as described above, it is difficult to supply the plating solution into the via hole 14 having a small diameter and a large depth, thereby stabilizing the via conductor 15. In some cases.

特許第5203108号公報Japanese Patent No. 5203108

本発明は、高周波数の電波信号を効率よく伝送するために厚みの大きな絶縁層を有しているとともに、ビア導体を安定的に形成することが可能な配線基板を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a wiring board that has a thick insulating layer for efficiently transmitting a high-frequency radio signal and that can stably form a via conductor. .

本発明の配線基板は、絶縁層と、絶縁層の下面に配設されており、ビアランドおよびビアランドに接続された下面側配線導体を含む下面側導体と、ビアランドの上面を底面として絶縁層に形成されたビアホールと、ビアホール内にビアランドと接続するように被着されたビア導体と、絶縁層の上面にビア導体と接続されるように被着された上面側配線導体とを具備して成る配線基板であって、ビアランドは、下面側配線導体の厚みよりも厚いとともに、ビアランドの上面から絶縁層上面までの厚みが下面側配線導体の上面から絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層中に埋入されていることを特徴とするものである。   The wiring board of the present invention is formed on the insulating layer, the lower surface side conductor including the lower surface side wiring conductor connected to the via land and the via land, and the upper surface of the via land as the bottom surface. And a via conductor deposited in the via hole so as to be connected to the via land, and a top-side wiring conductor deposited on the upper surface of the insulating layer so as to be connected to the via conductor. The via land is thicker than the thickness of the lower surface side wiring conductor, and the thickness from the upper surface of the via land to the upper surface of the insulating layer is smaller than the thickness from the upper surface of the lower surface side wiring conductor to the upper surface of the insulating layer. It is characterized by being embedded in an insulating layer.

本発明の配線基板は、絶縁層の下側に配設されたビアランドの厚みが、絶縁層の下側に配設された下面側配線の厚みよりも厚いとともに、ビアランドの上面から絶縁層上面までの厚みが下面側配線の上面から絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層中に埋入されている。このため、下面側配線を被覆する絶縁層の厚みを厚くして高周波数の電波信号を効率的に伝送することができるとともに、ビアランド上面の絶縁層厚みを薄くしてビアホールの深さを小さくすることで、例えば電解めっき法におけるめっき液をビアホール内に供給しやすくなるためビア導体を安定的に形成することが可能な配線基板を提供することができる。   In the wiring board of the present invention, the via land disposed below the insulating layer is thicker than the lower surface wiring disposed below the insulating layer, and from the upper surface of the via land to the upper surface of the insulating layer. Is embedded in the insulating layer so as to be thinner than the thickness from the upper surface of the lower surface side wiring to the upper surface of the insulating layer. For this reason, the thickness of the insulating layer covering the lower surface side wiring can be increased to efficiently transmit high-frequency radio signals, and the thickness of the insulating layer on the upper surface of the via land can be decreased to reduce the depth of the via hole. Thus, for example, since it becomes easy to supply the plating solution in the electrolytic plating method into the via hole, it is possible to provide a wiring board capable of stably forming the via conductor.

図1は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention. 図2は、図1に示す配線基板の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the wiring board shown in FIG. 図3(a)〜(f)は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの実施の形態の一例を示す概略断面図である。3A to 3F are schematic cross-sectional views showing an example of an embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図4(g)〜(j)は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの実施の形態の一例を示す概略断面図である。4G to 4J are schematic cross-sectional views showing an example of the embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図5は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a conventional wiring board.

次に、本発明の実施形態の一例を図1および図2を基に説明する。図1に示すように本例の配線基板Aは、例えば4層の絶縁層1が積層されるとともに各絶縁層1の表面に導体層2が形成されている。さらに最表層の絶縁層1および導体層2の表面にはソルダーレジスト層3が形成されている。   Next, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, in the wiring board A of this example, for example, four insulating layers 1 are laminated and a conductor layer 2 is formed on the surface of each insulating layer 1. Further, a solder resist layer 3 is formed on the surfaces of the outermost insulating layer 1 and the conductor layer 2.

それぞれの絶縁層1には、各絶縁層1の下面側の導体層2(以下、下面側導体2と称する)の上面を底面とするビアホール4が複数形成されており、ビアホール4の内部には、ビア導体5が形成されている。また、各絶縁層1の上面側の導体層2(以下、上面側導体2と称する)は、ヒア導体5と一体的に形成されており、それにより、各絶縁層1の上面側導体2と下面側導体2とがビア導体5を介して互いに電気的に接続されている。なお、下面側導体2におけるビアホール4の底面を形成する部位は、ビアホール4より若干大きな直径の略円形のビアランド2aを形成している。また、上面側導体2および下面側導体2は、それぞれ上面側配線導体2cと下面側配線導体2bとを有している。これらの上面側配線導体2cおよび下面側配線導体2bは、それぞれビアランド2aまたはビア導体5の少なくとも一方に一体的に接続されている。
最上層の上面側導体2の一部は、ソルダーレジスト層3に設けられた開口部3a内に露出して半導体素子接続パッド6を形成している。また、最下層の下面側導体2の一部は、ソルダーレジスト層3に設けられた開口部3b内に露出して回路基板接続パッド7を形成している。
半導体素子接続パッド6には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が半田を介して接続される。また、回路基板接続パッド7には、この配線基板Aが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。これにより、半導体素子と回路基板とが電気的に接続され、半導体素子と回路基板との間で信号を伝送することにより半導体素子が作動する。
Each insulating layer 1 is formed with a plurality of via holes 4 whose bottom surface is the upper surface of a conductor layer 2 on the lower surface side of each insulating layer 1 (hereinafter referred to as a lower surface side conductor 2). Via conductors 5 are formed. Further, the conductor layer 2 on the upper surface side of each insulating layer 1 (hereinafter referred to as the upper surface side conductor 2) is formed integrally with the here conductor 5, so that the upper surface side conductor 2 of each insulating layer 1 and The lower surface side conductor 2 is electrically connected to each other through the via conductor 5. In addition, the part which forms the bottom face of the via hole 4 in the lower surface side conductor 2 forms a substantially circular via land 2 a having a slightly larger diameter than the via hole 4. The upper surface side conductor 2 and the lower surface side conductor 2 have an upper surface side wiring conductor 2c and a lower surface side wiring conductor 2b, respectively. The upper surface side wiring conductor 2c and the lower surface side wiring conductor 2b are integrally connected to at least one of the via land 2a and the via conductor 5, respectively.
A part of the uppermost conductor 2 on the uppermost layer is exposed in an opening 3 a provided in the solder resist layer 3 to form a semiconductor element connection pad 6. Further, a part of the lowermost lower surface side conductor 2 is exposed in an opening 3 b provided in the solder resist layer 3 to form a circuit board connection pad 7.
An electrode of a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element is connected to the semiconductor element connection pad 6 via solder. The circuit board connection pads 7 are connected to the electrodes of the circuit board on which the wiring board A is mounted via solder. Thereby, the semiconductor element and the circuit board are electrically connected, and the semiconductor element is operated by transmitting a signal between the semiconductor element and the circuit board.

絶縁層1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。本例では絶縁層が多層に積層された多層構造を示しているが、単層構造であってもよい。
絶縁層1の厚みは、およそ40〜100μm程度である。
The insulating layer 1 is made of, for example, an electrically insulating material in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. In this example, a multi-layer structure in which insulating layers are stacked in multiple layers is shown, but a single-layer structure may be used.
The insulating layer 1 has a thickness of about 40 to 100 μm.

導体層2は、例えば銅等の良導電性金属から成り、周知のセミアディティブ法により形成される。   The conductor layer 2 is made of a highly conductive metal such as copper, and is formed by a known semi-additive method.

ソルダーレジスト層3は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂から成るペーストやフィルムを、絶縁層1表面に塗布あるいは貼付させて硬化させた電気絶縁材料から成る。   The solder resist layer 3 is made of an electrically insulating material obtained by applying a paste or film made of a thermosetting resin having photosensitivity such as an acrylic-modified epoxy resin to the surface of the insulating layer 1 and curing it.

ビアホール4は、例えばドリル加工やレーザー加工、あるいはブラスト加工により形成される。ビアホールの径は、およそ50〜100μm程度である。   The via hole 4 is formed by, for example, drilling, laser processing, or blasting. The diameter of the via hole is about 50 to 100 μm.

ところで、本例の配線基板Aにおいては、図2に示すように、下面側導体2は、第1の導体層2Aと、この第1の導体層2A上に積層された第2の導体層2Bとを含んでおり、その上の絶縁層1の下面に埋入されている。なお、第1の導体層2Aの厚みは、10〜20μm程度であり、第2の導体層2Bの厚みは、およそ10μm程度である。そして、ビアランド2aは、第1の導体層2Aおよび第2の導体層2Bから成り、下面側配線導体2bは、第1の導体層2Aのみから成る。そのため、ビアランド2aの厚みは、下面側配線導体2bの厚みよりもおよそ10μm程度厚いものとなっているとともに、ビアランド2aの上面からその上の絶縁層1上面までの厚みが、下面側配線導体2bからその上の絶縁層1上面までの厚みよりもおよそ10μm程度薄くなっている。   By the way, in the wiring board A of this example, as shown in FIG. 2, the lower surface side conductor 2 includes a first conductor layer 2A and a second conductor layer 2B laminated on the first conductor layer 2A. Embedded in the lower surface of the insulating layer 1 thereon. The thickness of the first conductor layer 2A is about 10 to 20 μm, and the thickness of the second conductor layer 2B is about 10 μm. The via land 2a is composed of the first conductor layer 2A and the second conductor layer 2B, and the lower surface side wiring conductor 2b is composed only of the first conductor layer 2A. Therefore, the via land 2a is approximately 10 μm thicker than the lower surface side wiring conductor 2b, and the thickness from the upper surface of the via land 2a to the upper surface of the insulating layer 1 is lower surface side wiring conductor 2b. And about 10 μm thinner than the thickness from the top to the upper surface of the insulating layer 1.

このように、本発明においては、ビアランド2aの厚みは、下面側配線導体2bの厚みよりも大きい。さらに、ビアランド2aの上面から絶縁層1上面までの厚みが下面側配線導体2bの上面から絶縁層1の上面までの厚みよりも薄くなるように絶縁層1中に埋入されている。このため、下面側配線導体2bを被覆する絶縁層1の厚みを厚くして高周波数の電波信号を効率的に伝送することができるとともに、ビアランド2a上面の絶縁層1厚みを薄くしてビアホール4の深さを小さくすることで、例えば電解めっき法におけるめっき液をビアホール4内に供給しやすくすることでビア導体5を安定的に形成することが可能な配線基板Aを提供することができる。   Thus, in the present invention, the via land 2a is thicker than the lower surface side wiring conductor 2b. Further, the via land 2 a is embedded in the insulating layer 1 so that the thickness from the upper surface of the via land 2 a to the upper surface of the insulating layer 1 is thinner than the thickness from the upper surface of the lower surface side wiring conductor 2 b to the upper surface of the insulating layer 1. For this reason, the thickness of the insulating layer 1 covering the lower surface side wiring conductor 2b can be increased to efficiently transmit high-frequency radio signals, and the thickness of the insulating layer 1 on the upper surface of the via land 2a can be decreased to reduce the via hole 4. By reducing the depth of the wiring board A, for example, it is possible to provide the wiring board A capable of stably forming the via conductor 5 by making it easy to supply the plating solution in the electrolytic plating method into the via hole 4.

ここで、上述した配線基板Aの製造方法について図3および図4を用いて説明する。
図3および図4は、各工程における配線基板Aの製造途中の概略断面図を示している。
なお、上述の図1および図2と同じ個所には同様の符号を付けて詳細な説明は省略する。
Here, the manufacturing method of the wiring board A will be described with reference to FIGS.
3 and 4 show schematic cross-sectional views during the production of the wiring board A in each step.
The same parts as those in FIGS. 1 and 2 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

まず、図3(a)に示すように、支持基板8の上面に第1の銅箔9aおよび第2の銅箔9bとから成る銅箔9が圧接された支持板を用意する。銅箔9は、第1の銅箔9aおよび第2の銅箔9bが間に接着層(不図示)を介して互いに分離可能に保持されたものである。第1の銅箔9aおよび第2の銅箔9bの厚みは、それぞれおよそ1〜30μm程度である。   First, as shown in FIG. 3A, a support plate is prepared in which a copper foil 9 composed of a first copper foil 9 a and a second copper foil 9 b is pressed on the upper surface of the support substrate 8. The copper foil 9 is obtained by holding a first copper foil 9a and a second copper foil 9b so as to be separable from each other via an adhesive layer (not shown). The thicknesses of the first copper foil 9a and the second copper foil 9b are about 1 to 30 μm, respectively.

次に、図3(b)に示すように、第1の導体層2Aに対応する部分を露出する所定のパターンを有する第1めっきレジストR1を、第2の銅箔9b上に形成する。   Next, as shown in FIG. 3B, a first plating resist R1 having a predetermined pattern exposing a portion corresponding to the first conductor layer 2A is formed on the second copper foil 9b.

次に、図3(c)に示すように、第1めっきレジストR1から露出する第2の銅箔9b表面に、例えば周知のセミアディティブ法にて第1の導体層2Aとなる第1めっき金属2APを析出させる。   Next, as shown in FIG. 3C, the first plated metal that becomes the first conductor layer 2A is formed on the surface of the second copper foil 9b exposed from the first plating resist R1 by, for example, a known semi-additive method. 2AP is precipitated.

次に、図3(d)に示すように、第2の導体層2Bに対応する部分を露出する所定のパターンを有する第2めっきレジストR2を、第1めっきレジストR1および第1めっき金属2AP上に形成する。   Next, as shown in FIG. 3D, a second plating resist R2 having a predetermined pattern exposing a portion corresponding to the second conductor layer 2B is formed on the first plating resist R1 and the first plating metal 2AP. To form.

次に、図3(e)に示すように、第2めっきレジストR2から露出する第1めっき金属2AP表面に、例えば周知のセミアディティブ法にて第2の導体層2Bとなる第2めっき金属2BPを析出させる。   Next, as shown in FIG. 3E, on the surface of the first plating metal 2AP exposed from the second plating resist R2, for example, a second plating metal 2BP that becomes the second conductor layer 2B by a known semi-additive method. To precipitate.

次に、図3(f)に示すように、第1および第2めっきレジストR1、R2を除去することで、第1の導体層2Aおよび第2の導体層2Bを形成する。   Next, as shown in FIG. 3F, the first conductor layer 2A and the second conductor layer 2B are formed by removing the first and second plating resists R1 and R2.

次に、図4(g)に示すように、第2の銅箔9bおよび第1および第2の導体層2A、2B上に絶縁層1を積層する。   Next, as shown in FIG. 4G, the insulating layer 1 is laminated on the second copper foil 9b and the first and second conductor layers 2A and 2B.

次に、図4(h)に示すように、絶縁層1に第2の導体層2Bの上面を露出するビアホール4を形成する。   Next, as shown in FIG. 4H, a via hole 4 is formed in the insulating layer 1 to expose the upper surface of the second conductor layer 2B.

次に、図4(i)に示すように、上面側の導体層2に対応する部分を露出する所定のパターンを有する第3めっきレジストR3を、絶縁層1の上面に形成する。   Next, as shown in FIG. 4 (i), a third plating resist R 3 having a predetermined pattern exposing a portion corresponding to the conductor layer 2 on the upper surface side is formed on the upper surface of the insulating layer 1.

次に、図4(j)に示すように、第3めっきレジストR3から露出する絶縁層1上およびビアホール4内に、例えば無電解めっき(不図示)を被着させた後、周知のセミアディティブ法にて上面側の導体層2およびビア導体5となる第3めっき金属2Pを一体的に析出させる。   Next, as shown in FIG. 4 (j), for example, electroless plating (not shown) is deposited on the insulating layer 1 and the via hole 4 exposed from the third plating resist R3, and then a well-known semi-additive. The third plating metal 2P that becomes the conductor layer 2 on the upper surface side and the via conductor 5 is integrally deposited by the method.

以降は、図3d〜図4jに示した工程を繰り返すことで所定数の絶縁層1を積層して、最表層の絶縁層1表面にソルダーレジスト層3を形成した後に、第1の銅箔9aと第2の銅箔9bとの界面を分離して最下層の絶縁層1下面に被着した第2の銅箔9bをエッチング除去してやることで、図1に示す配線基板Aが形成される。
Thereafter, by repeating the steps shown in FIGS. 3d to 4j, a predetermined number of insulating layers 1 are laminated, and the solder resist layer 3 is formed on the surface of the outermost insulating layer 1, and then the first copper foil 9a. 1 is formed by separating the interface between the first copper foil 9b and the second copper foil 9b deposited on the lower surface of the lowermost insulating layer 1 by etching.

1 絶縁層
2a ビアランド
2b 下面側配線導体
2c 上面側配線導体
4 ビアホール
5 ビア導体
A 配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation layer 2a Via land 2b Lower surface side wiring conductor 2c Upper surface side wiring conductor 4 Via hole 5 Via conductor A Wiring board

Claims (2)

絶縁層と、該絶縁層の下面に配設されており、ビアランドおよび該ビアランドに接続された下面側配線導体を含む下面側導体と、前記ビアランドの上面を底面として前記絶縁層に形成されたビアホールと、該ビアホール内に前記ビアランドと接続するように被着されたビア導体と、前記絶縁層の上面に前記ビア導体と接続されるように被着された上面側配線導体と、を具備して成る配線基板であって、前記ビアランドは、前記下面側配線導体の厚みよりも厚いとともに、該ビアランドの上面から前記絶縁層上面までの厚みが前記下面側配線導体の上面から前記絶縁層の上面までの厚みよりも薄くなるように前記絶縁層中に埋入されていることを特徴とする配線基板。   An insulating layer, a lower surface side conductor including a via land and a lower surface side wiring conductor connected to the via land, and a via hole formed in the insulating layer with the upper surface of the via land as a bottom surface And a via conductor deposited in the via hole so as to be connected to the via land, and an upper surface side wiring conductor deposited on the upper surface of the insulating layer so as to be connected to the via conductor. The via land is thicker than the thickness of the lower surface side wiring conductor, and the thickness from the upper surface of the via land to the upper surface of the insulating layer is from the upper surface of the lower surface side wiring conductor to the upper surface of the insulating layer. The wiring board is embedded in the insulating layer so as to be thinner than the thickness of the wiring board. 前記下面側導体は、第1の導体層と該第1の導体層上に積層された第2の導体層とを含み、前記ビアランドは前記第1および第2の導体層から成り、前記下面側配線は前記第1の導体層から成ることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   The lower surface-side conductor includes a first conductor layer and a second conductor layer laminated on the first conductor layer, and the via land includes the first and second conductor layers, and the lower surface side. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring is made of the first conductor layer.
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