JP2015119047A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置が実装される配線基板の配線を効率的に行うことができるようになる半導体装置を提供する。【解決手段】パワーモジュール３の上面には、第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１、出力端子ＯＵＴ１、第１のゲート端子Ｇ１および第２のゲート端子Ｇ２が形成されている。第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１および出力端子ＯＵＴ１は、パワーモジュール３上面に、Ｘ方向に並べて配置されている。第２の電源端子Ｎ１は、パワーモジュール３上面のｘ方向中央部に配置されている。第１の電源端子Ｐ１は、パワーモジュール３上面における−ｘ方向側の辺と第２の電源端子Ｎ１との間の領域に配置されている。出力端子ＯＵＴ１は、パワーモジュール３上面における＋ｘ方向側の辺と第２の電源端子Ｎ１との間の領域に配置されている。【選択図】図２

Description

この発明は、パワーモジュール等の半導体装置に関する。

パワーモジュールは、電源と接地（ＧＮＤ）との間に一対のスイッチング素子を直列に接続し、その一対のスイッチング素子の間から出力を得る装置である。このようなパワーモジュールは、たとえば、電動モータを駆動するための駆動回路を構成するインバータ回路に用いられる。

特開平５−８２５５６号公報

本出願人等は、パワーモジュールを製造する新しい製造方法を開発した。具体的には、所定の加工が予め施された複数のシート状部材を用意する。各シート状部材は、熱可塑性樹脂フィルムを含んでいる。所定の加工には、回路を形成するためのエッチング加工、孔を形成するための孔加工、ビア等の接続導電部材を形成するための導電ペースト充填等がある。なお、所定のシート状部材には、電子部品を収納するための部品孔が形成されている。

これらの複数のシート状部材を積み重ねる。この過程において、直列接続される２つのスイッチング素子をそれぞれ所定の部品孔に収納する。これらの２つのスイッチング素子は、積層方向に間隔をおいて対向配置される。そして、全てのシート状部材が重ね合わされた状態で、熱プレスする。これにより、直列接続された２つのスイッチング素子が内蔵され、その表面（上面または下面）に、第１の電源端子、第２の電源端子、出力端子、第１のゲート端子および第２のゲート端子が設けられたパワーモジュールが得られる。

このようなパワーモジュールをインバータ回路等の電子回路として機能させるために、予め配線が形成されたプリント配線板等の配線基板に複数のパワーモジュールを実装する。配線基板へのパワーモジュールの実装は、パワーモジュールの各端子を、熱圧着によって配線基板に接合することによって行われる。配線基板に形成される配線には、複数のパワーモジュールの第１の電源端子を互いに接続して外部に引き出すための第１の電源用配線、複数のパワーモジュールの第２の電源端子を互いに接続して外部に引き出すための第２の電源用配線、複数のパワーモジュールの各出力端子をそれぞれ外部に引き出すための複数の出力用配線等がある。

この発明の目的は、半導体装置が実装される配線基板の配線を効率的に行うことができるようになる半導体装置を提供することである。

請求項１記載の発明は、第１のスイッチング素子（Ｔｒ１）と前記第１のスイッチング素子に直列接続された第２のスイッチング素子（Ｔｒ２）とが内蔵され、第１の電源端子（Ｐ１）、第２の電源端子（Ｎ１）および出力端子（ＯＵＴ１）が一方の表面に形成されており、これらの端子が配線基板（６０，１６０）に接合されるようになっている半導体装置（３）であって、前記第１の電源端子、前記第２の電源端子および前記出力端子が一方向に並んで配置されており、前記第１の電源端子および前記第２の電源端子のうちの一方の前記電源端子が、他方の前記電源端子と前記出力端子との間に配置されている、半導体装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、むろん、この発明の範囲は当該実施形態に限定されない。以下、この項において同じ。

この発明では、複数の半導体装置を配線基板上に実装した場合、複数の半導体装置の第１の電源端子を互いに接続して外部に引き出すための第１の電源用配線と、複数の半導体装置の第２の電源端子を互いに接続して外部に引き出すための第２の電源用配線と、複数の半導体装置の各出力端子をそれぞれ外部に引き出すための複数の出力用配線とを、交差させることなく配置することができる。これにより、配線基板における配線を効率的に行うことができるようになる。たとえば、配線基板として単層配線基板を用いることができる。

この発明の半導体装置を採用したインバータユニット等の装置では、単層配線基板を使用することができるため、低コストにインバータユニット等の装置を構成することができる。また、この発明の半導体装置を採用したインバータユニット等の装置では、配線基板の配線が交差しないため、配線の途中にビア等を用いる必要がなくなる。配線の途中にビア等を用いるとビアの部分で配線が細くなってしまうが、この発明の半導体装置を採用したインバータユニット等の装置では、配線の途中にビア等を用いる必要がないため、配線を全長に渡り太く形成することができる。これにより、配線のインピーダンス、特に高周波信号に対するインピーダンスを低く抑えることが可能となる。例えば、インバータユニットでは、電流を高速で急峻にオンオフするため、電流が流れる配線のインピータダンスを低く抑えることにより、不要なノイズの発生が抑えられるという効果がある。

請求項２記載の発明は、前記半導体装置の前記一方の表面に、第１のゲート端子（Ｇ１）と第２ゲート端子（Ｇ２）が形成されている、請求項１に記載の半導体装置である。
請求項３記載の発明は、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴである、請求項１または２に記載の半導体装置である。

図１は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュールが適用されたＨブリッジインバータ回路を示す電気回路図である。 図２は、第１のパワーモジュールを示す平面図である。 図３は、図２のIII-III線に沿う断面図である。 図４は、第１のパワーモジュールの製造方法を説明するための説明図である。 図５は、図１のインバータユニットの構成を示す図解的な側面図である。 図６は、図１のインバータユニットの構成を示す図解的な平面図である。 図７は、図６に示すインバータユニットに対する比較例を示す平面図である。している。 図８は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュールが適用された三相ブリッジインバータ回路を示す電気回路図である。 図９は、図８のインバータユニットの構成を示す図解的な側面図である。 図１０は、図８のインバータユニットの構成を示す図解的な平面図である。 図１１は、図１０に示すインバータユニットに対する比較例を示す平面図である。

以下、図面を参照して、この発明をパワーモジュールに適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュールが適用されたＨブリッジインバータ回路を示す電気回路図である。
Ｈブリッジインバータ回路１は、インバータユニット２を含む。インバータユニット２は、第１のパワーモジュール３と第２のパワーモジュール４とを含む。第１のパワーモジュール３は、第１の電源端子（正極側電源端子）Ｐ１と、第２の電源端子（負極側電源端子）Ｎ１と、第１のゲート端子Ｇ１と、第２のゲート端子Ｇ２と、出力端子ＯＵＴ１とを備えている。第２のパワーモジュール４は、第１の電源端子Ｐ２と、第２の電源端子Ｎ２と、第３のゲート端子Ｇ３と、第４のゲート端子Ｇ４と、出力端子ＯＵＴ２とを備えている。各パワーモジュール３，４の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２は、電源６の正極端子に接続されている。各パワーモジュール３，４の出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２の間には、電動モータ７が接続されている。各パワーモジュール３，４の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２は、電源６の負極端子に接続されている。各パワーモジュール３，４のゲート端子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、制御ユニット８（図６参照）に接続される。

第１のパワーモジュール３は、第１のスイッチング素子Ｔｒ１と、それに直列に接続された第２のスイッチング素子Ｔｒ２とを含む。各スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成されている。各スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は、ドレイン（ドレイン電極）Ｄとソース（ソース電極）Ｓとゲート（ゲート電極）Ｇを有している。第１のスイッチング素子Ｔｒ１および第２のスイッチング素子Ｔｒ２には、それぞれ第１のダイオードＤｉ１および第２のダイオードＤｉ２が内蔵されている。これらのダイオードＤｉ１，Ｄｉ２は、寄生ダイオードまたはボディダイオードと呼ばれている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１と第１のダイオードＤｉ１とは、ハイサイド回路５１を形成している。第２のスイッチング素子Ｔｒ２と第２のダイオードＤｉ２とは、ローサイド回路５２を形成している。ハイサイド回路５１とローサイド回路５２とは、第１の電源端子Ｐ１と第２の電源端子Ｎ１との間に直列に接続されており、ハイサイド回路５１とローサイド回路５２との接続点５３に出力端子ＯＵＴ１が接続されている。

第１のダイオードＤｉ１は、第１のスイッチング素子Ｔｒ１に並列に接続されている。具体的には、第１のダイオードＤｉ１のアノードが第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソースＳに接続され、第１のダイオードＤｉ１のカソードが第１のスイッチング素子Ｔｒ１のドレインＤに接続されている。第２のダイオードＤｉ２は、第２のスイッチング素子Ｔｒ２に並列に接続されている。具体的には、第２のダイオードＤｉ２のアノードが第２のスイッチング素子Ｔｒ２のソースＳに接続され、第２のダイオードＤｉ２のカソードが第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレインＤに接続されている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１のドレインＤは、第１の電源端子Ｐ１に接続されている。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソースＳは、第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレインＤに接続されている。第２のスイッチング素子Ｔｒ２のソースＳは、第２の電源端子Ｎ１に接続されている。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソースＳと、第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレインＤとの接続点５３は、出力端子ＯＵＴ１に接続されている。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のゲートＧは、第１のゲート端子Ｇ１に接続されている。第２のスイッチング素子Ｔｒ２のゲートＧは、第２のゲート端子Ｇ２に接続されている。

第２のパワーモジュール４は、ハイサイドの第３のスイッチング素子Ｔｒ３と、それに直列に接続されたローサイドの第４のスイッチング素子Ｔｒ４とを含む。各スイッチング素子Ｔｒ３，Ｔｒ４は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴで構成されている。各スイッチング素子Ｔｒ３，Ｔｒ４は、ドレイン（ドレイン電極）Ｄとソース（ソース電極）Ｓとゲート（ゲート電極）Ｇを有している。第３のスイッチング素子Ｔｒ３および第４のスイッチング素子Ｔｒ３には、それぞれ第３のダイオードＤｉ３および第４のダイオードＤｉ４が内蔵されている。これらのダイオードＤｉ３，Ｄｉ４は、寄生ダイオードまたはボディダイオードと呼ばれている。

第３のスイッチング素子Ｔｒ３と第３のダイオードＤｉ３とは、ハイサイド回路５４を形成している。第４のスイッチング素子Ｔｒ４と第４のダイオードＤｉ４とは、ローサイド回路５５を形成している。ハイサイド回路５４とローサイド回路５５とは、第１の電源端子Ｐ２と第２の電源端子Ｎ２との間に直列に接続されており、ハイサイド回路５４とローサイド回路５５との接続点５６に出力端子ＯＵＴ２が接続されている。

第３のダイオードＤｉ３は、第３のスイッチング素子Ｔｒ３に並列に接続されている。具体的には、第３のダイオードＤｉ３のアノードが第３のスイッチング素子Ｔｒ３のソースＳに接続され、第３のダイオードＤｉ３のカソードが第３のスイッチング素子Ｔｒ３のドレインＤに接続されている。第４のダイオードＤｉ４は、第４のスイッチング素子Ｔｒ４に並列に接続されている。具体的には、第４のダイオードＤｉ４のアノードが第４のスイッチング素子Ｔｒ４のソースＳに接続され、第４のダイオードＤｉ４のカソードが第４のスイッチング素子Ｔｒ４のドレインＤに接続されている。

第３のスイッチング素子Ｔｒ３のドレインＤは、第１の電源端子Ｐ２に接続されている。第３のスイッチング素子Ｔｒ３のソースＳは、第４のスイッチング素子Ｔｒ４のドレインＤに接続されている。第４のスイッチング素子Ｔｒ４のソースＳは、第２の電源端子Ｎ２に接続されている。第３のスイッチング素子Ｔｒ３のソースＳと、第４のスイッチング素子Ｔｒ４のドレインＤとの接続点５６は、出力端子ＯＵＴ２に接続されている。第３のスイッチング素子Ｔｒ３のゲートＧは、第３のゲート端子Ｇ３に接続されている。第４のスイッチング素子Ｔｒ４のゲートＧは、第４のゲート端子Ｇ４に接続されている。

このようなＨブリッジインバータ回路１では、第１〜第４のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ４のうち、第１のスイッチング素子Ｔｒ１と第４のスイッチング素子Ｔｒ４とがオンされると、電動モータ７が所定の第１方向に回転駆動される。また、第１〜第４のスイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ４のうち、第２のスイッチング素子Ｔｒ２と第３のスイッチング素子Ｔｒ３とがオンされると、電動モータ７が第１方向とは反対の第２方向に回転駆動される。

図２は、第１のパワーモジュール３を示す平面図である。図３は、図２のIII-III線に沿う断面図である。
パワーモジュール３は、平面視において略長方形に形成されている。説明の便宜上、以下において、図２または図３に示した＋ｘ方向、−ｘ方向、＋ｙ方向、−ｙ方向、＋ｚ方向および−ｚ方向を用いることがある。＋ｘ方向および−ｘ方向は、平面視において、パワーモジュール３の長辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「ｘ方向」という。＋ｙ方向および−ｙ方向は、平面視において、パワーモジュール３の短辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「ｙ方向」という。＋ｚ方向および−ｚ方向は、パワーモジュール３の表面に垂直な２つの方向であり、これらを総称するときには単に「ｚ方向」という。

図２および図３に示すように、パワーモジュール３は、上下方向（ｚ方向）に間隔をおいて対向配置された第１のスイッチング素子Ｔｒ１および第２のスイッチング素子Ｔｒ２を内蔵している。平面視において、各スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は四角形状である。両スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は、平面視において、その４辺がパワーモジュール３の４辺と平行となる姿勢で、かつ互いに重なり合うように配置されている。各スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は、下側の表面（−ｚ方向側表面）にドレイン電極Ｄを有している。各スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２は、上側の表面（＋ｚ方向側表面）にソース電極Ｓおよびゲート電極Ｇを有している。

図２に示すように、パワーモジュール３の＋ｚ側表面（上面）には、第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１、出力端子ＯＵＴ１、第１のゲート端子Ｇ１および第２のゲート端子Ｇ２が形成されている。第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１および出力端子ＯＵＴ１は、平面視において、ｙ方向に長い略長方形である。第１のゲート端子Ｇ１および第２のゲート端子Ｇ２は、平面視において、略正方形である。第２の電源端子Ｎ１は、第１の電源端子Ｐ１とほぼ同形同大である。出力端子ＯＵＴ１のｙ方向の長さは第１の電源端子Ｐ１のｙ方向の長さより短く、出力端子ＯＵＴ１のｘ方向の幅は第１の電源端子Ｐ１のｘ方向の幅より大きい。

第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１および出力端子ＯＵＴ１は、パワーモジュール３上面に、Ｘ方向に並べて配置されている。第２の電源端子Ｎ１は、パワーモジュール３上面のｘ方向中央部に配置されている。第１の電源端子Ｐ１は、パワーモジュール３上面における第２の電源端子Ｎ１と、第２の電源端子Ｎ１から−ｘ方向側に位置する辺との間の領域に配置されている。出力端子ＯＵＴ１は、パワーモジュール３上面における第２の電源端子Ｎ１と、第２の電源端子Ｎ１から＋ｘ方向側に位置するの辺との間の領域に配置されている。第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１および出力端子ＯＵＴ１は、その長辺がパワーモジュール３上面の短辺と平行となり、その短辺がパワーモジュール３上面の長辺と平行となり、かつそれらの＋ｙ方向側の短辺が一直線上に並ぶような姿勢で、パワーモジュール３上面に配置されている。

第１のゲート端子Ｇ１および第２のゲート端子Ｇ２は、パワーモジュール３上面における出力端子ＯＵＴ１と、出力端子ＯＵＴ１から−ｙ方向側に位置する辺との間の領域に、ｘ方向に並んで配置されている。第２のゲート端子Ｇ２は、パワーモジュール３上面の＋ｘ方向側の辺寄りの位置に配置されている。第１のゲート端子Ｇ１は、第２のゲート端子Ｇ２の−ｘ方向側に配置されている。なお、第１の電源端子Ｐ１および第２の電源端子Ｎ１の配置は、入れ替わっていてもよい。つまり、第１の電源端子Ｐ１および第２の電源端子Ｎ１のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ１との間に配置されていればよい。

図３に示すように、下部絶縁膜１１上に第１配線１２Ａを有する第１配線層１２が形成されている。第１配線層１２上には、第１層間膜１３が形成されている。第１層間膜１３上には、第２配線１４Ａを有する第２配線層１４が形成されている。第２配線１４Ａ間の間隙には、絶縁性樹脂１４Ｂが充填されている。第２配線層１４上には、第２層間膜１５が形成されている。第２層間膜１５上には、第３配線１６Ａを有する第３配線層１６が形成されている。第３配線１６Ａ間の間隙には、絶縁性樹脂１６Ｂが充填されている。第３配線層１６上には、上部絶縁膜１７が形成されている。

第１層間膜１３は、第１配線層１２の側から順に、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜２３が積層された構造を有している。第２層間膜１５は、第２配線層１４の側から順に、第４絶縁膜２４、第５絶縁膜２５および第６絶縁膜２６が積層された構造を有している。
この実施形態では、下部絶縁膜１１、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２、第３絶縁膜２３、第４絶縁膜２４、第５絶縁膜２５、第６絶縁膜２６および上部絶縁膜１７は、絶縁性を有する熱可塑性樹脂から構成されている。第１配線１２Ａ、第２配線１４Ａおよび第３配線１６Ａは、銅によって構成されている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１は、第１層間膜１３内に内蔵されている。具体的には、第１層間膜１３内の第２絶縁膜２２には、それを貫通する部品孔２２ａが形成されており、この部品孔２２ａに第１のスイッチング素子Ｔｒ１が配置されている。
第２のスイッチング素子Ｔｒ２は、第１のスイッチング素子Ｔｒ１の真上位置に配置されている。具体的には、第２のスイッチング素子Ｔｒ２は、第２層間膜１５内に内蔵されている。より具体的には、第２層間膜１５内の第５絶縁膜２５には、それを貫通する部品孔２５ａが形成されており、この部品孔２５ａに第２のスイッチング素子Ｔｒ２が配置されている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１のドレイン電極Ｄと第１配線１２Ａとの間は、第１絶縁膜２１を貫通する第１ビア３１によって電気的に接続されている。第１ビア３１は、平面視で略長方形である。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓと第２配線１４Ａとの間は、第３絶縁膜２３を貫通する第２ビア３２によって電気的に接続されている。第２ビア３２は、平面視で略長方形である。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のゲート電極Ｇと第２配線１４Ａとの間は、第３絶縁膜２３を貫通する第３ビア３３によって電気的に接続されている。第３ビア３３は、平面視が円形の円錐台形である。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓが接続されている第２配線１４Ａと第２スイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極Ｄとの間は、第４絶縁膜２４を貫通する第４ビア３４によって電気的に接続されている。これにより、第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓと第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極Ｄとが電気的に接続されている。第４ビア３４は、平面視で略長方形である。

第２のスイッチング素子Ｔｒ２のソース電極Ｓと第３配線１６Ａとの間は、第６絶縁膜２６を貫通する第５ビア３５によって電気的に接続されている。第５ビア３５は、平面視で略長方形である。第２のスイッチング素子Ｔｒ２のゲート電極Ｇと第３配線１６Ａとの間は、第６絶縁膜２６を貫通する第６ビア３６によって電気的に接続されている。第６ビア３６は、平面視が円形の円錐台形である。

第１配線１２Ａと第２配線１４Ａとの間は、第１層間膜１３を貫通する第７ビア３７によって電気的に接続されている。第７ビア３７は、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜２３をそれぞれ貫通する３つの部分から構成されている。第７ビア３７を構成する３つの部分は、それぞれ平面視が円形の円錐台形である。
第７ビア３７が接続された第２配線１４Ａと第３配線１６Ａとの間は、第２層間膜１５を貫通する第８ビア３８によって電気的に接続されている。第８ビア３８は、第４絶縁膜２４、第５絶縁膜２５および第６絶縁膜２６をそれぞれ貫通する３つの部分から構成されている。第８ビア３８を構成する３つの部分は、それぞれ平面視が円形の円錐台形である。

第３ビア３３および第４ビア３４が接続された第２配線１４Ａと第３配線１６Ａとの間は、第２層間膜１５を貫通する第９ビア３９によって電気的に接続されている。第９ビア３９は、第４絶縁膜２４、第５絶縁膜２５および第６絶縁膜２６をそれぞれ貫通する３つの部分から構成されている。第９ビア３９を構成する３つの部分は、それぞれ平面視が円形の円錐台形である。各ビア３１〜３９は、たとえば、Ｓｎ／Ａｇから構成されている。

上部絶縁膜１７には、第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１、出力端子ＯＵＴ１、第１のゲート端子Ｇ１、第２のゲート端子Ｇ２が設けられている。これらの端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２は、上部絶縁膜１７を貫通している。これらの端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２は、たとえば、Ｓｎ／Ａｇから構成されている。
第１のスイッチング素子Ｔｒ１のドレイン電極Ｄは、第１ビア３１、第１配線１２Ａ、第７ビア３７、第２配線１４Ａ、第８ビア３８および第３配線１６Ａを介して、第１電源端子Ｐ１に接続されている。第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓは、第２ビア３２、第２配線１４Ａおよび第４ビア３４を介して、第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極Ｄに接続されている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓおよび第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極Ｄが接続されている第２配線１４Ａは、第９ビア３９および第３配線１６Ａを介して出力端子ＯＵＴ１に接続されている。つまり、第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓと、第２のスイッチング素子Ｔｒ２のドレイン電極Ｄとは、出力端子ＯＵＴ１に接続されている。

第１のスイッチング素子Ｔｒ１のゲート電極Ｇは、第３ビア３３、第２配線１４Ａおよび第２層間膜１５を貫通する図示されていないビアおよび図示されていない第３配線１６Ａを介して、第１ゲート端子Ｇ１に接続されている。
第２のスイッチング素子Ｔｒ２のソース電極Ｓは、第５ビア３５および第３配線１６Ａを介して、第２の電源端子Ｎ１に接続されている。第２のスイッチング素子Ｔｒ２のゲート電極Ｇは、第６ビア３６および第３配線１６Ａを介して、第２ゲート端子Ｇ２に接続されている。以下の説明において、第１のパワーモジュール３の表面のうち、端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２が形成されている側の表面を「端子形成側表面」という場合がある。

図４は、第１のパワーモジュール３の製造方法を説明するための説明図である。
まず、図４に示されるように、所定の加工が施された複数のシート状部材Ｓ１〜Ｓ８（第１のシート状部材Ｓ１〜第８のシート状部材Ｓ８）を予め用意する。各シート状部材Ｓ１〜Ｓ８は、次のようにして作成される。
第１のシート状部材Ｓ１は、下部絶縁膜１１および第１配線１２Ａを形成するためのものである。第１のシート状部材Ｓ１は、片面に銅箔が接合された熱可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材の銅箔をエッチング加工することにより、下部絶縁膜１１としての可塑性樹脂フィルム上に第１配線１２Ａを形成する。これにより、第１のシート状部材Ｓ１が作成される。

第２のシート状部材Ｓ２は、第１絶縁膜２１を形成するためのものである。第２のシート状部材Ｓ２は、可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材に、第１ビア３１および第７ビア３７の一部分をそれぞれ形成するためのビア孔を含む複数のビア孔を形成する。そして、各ビア孔にＳｎ／Ａｇの導電ペースト４０を充填する。これにより、第２のシート状部材Ｓ２が作成される。

第３のシート状部材Ｓ３は、第２絶縁膜２２を形成するためのものである。第３のシート状部材Ｓ３は、可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材に、第１のスイッチング素子Ｔｒ１を収納するための部品孔２２ａを形成する。また、この基材に、第７ビア３７の一部分を形成するためのビア孔を含む少なくとも１つのビア孔を形成する。そして、各ビア孔に導電ペースト４０を充填する。これにより、第３のシート状部材Ｓ３が作成される。

第４のシート状部材Ｓ４は、第３絶縁膜２３および第２配線１４Ａを形成するためのものである。第４のシート状部材Ｓ４は、片面に銅箔が接合された熱可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材の銅箔をエッチング加工することにより、第３絶縁膜２３としての可塑性樹脂フィルム上に第２配線１４Ａを形成する。また、第３絶縁膜２３としての可塑性樹脂フィルムに、第１のスイッチング素子Ｔｒ１のソース電極Ｓおよびゲート電極Ｇをそれぞれ収納するための孔を形成する。さらに、第３絶縁膜２３としての可塑性樹脂フィルムに、第２ビア３２、第３ビア３３および第７ビア３７の一部分をそれぞれ形成するためのビア孔を含む複数のビア孔を形成する。そして、各ビア孔に導電ペースト４０を充填する。これにより、第４のシート状部材Ｓ４が作成される。

第５のシート状部材Ｓ５は、第４絶縁膜２４を形成するためのものである。第５のシート状部材Ｓ５は、可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材に、第４ビア３４、第８ビア３８の一部分および第９ビア３９の一部分をそれぞれ形成するためのビア孔を含む複数のビア孔を形成する。そして、各ビアに導電ペースト４０を充填する。これにより、第５のシート状部材Ｓ５が作成される。

第６のシート状部材Ｓ６は、第５絶縁膜２５を形成するためのものである。第６のシート状部材Ｓ６は、可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材に、第２のスイッチング素子Ｔｒ２を収納するための部品孔２５ａを形成する。また、この基材に、第８ビア３８の一部分および第９ビア３９の一部分をそれぞれ形成するためのビア孔を含む複数のビア孔を形成する。そして、各ビア孔に導電ペースト４０を充填する。これにより、第６のシート状部材Ｓ６が作成される。

第７のシート状部材Ｓ７は、第６絶縁膜２６および第３配線１６Ａを形成するためのものである。第７のシート状部材Ｓ７は、片面に銅箔が接合された熱可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材の銅箔をエッチング加工することにより、第６絶縁膜２６としての可塑性樹脂フィルム上に第３配線１６Ａを形成する。また、第６絶縁膜２６としての可塑性樹脂フィルムに、第２のスイッチング素子Ｔｒ２のソース電極Ｓおよびゲート電極Ｇをそれぞれ収納するための孔を形成する。さらに、第６絶縁膜２６としての可塑性樹脂フィルムに、第５ビア３５、第６ビア３６、第８ビア３８の一部分および第９ビア３９の一部分をそれぞれ形成するためのビア孔を含む複数のビア孔を形成する。そして、各ビア孔に導電ペースト４０を充填する。これにより、第７のシート状部材Ｓ７が作成される。

第８のシート状部材Ｓ８は、上部絶縁膜１７を形成するためのものである。第８のシート状部材Ｓ８は、可塑性樹脂フィルムを基材としている。この基材に、第１の電源端子Ｐ１、第２の電源端子Ｎ１、出力端子ＯＵＴ１、第１のゲート端子Ｇ１および第２のゲート端子Ｇ２をそれぞれ形成するための端子形成用孔を含む複数の端子形成用孔を形成する。そして、各端子形成用孔に導電ペースト４０を充填する。これにより、第８のシート状部材Ｓ８が作成される。

次に、第１〜第３のシート状部材Ｓ１〜Ｓ３を積み重ねる。そして、第３のシート状部材Ｓ３の部品孔２２ａに第１のスイッチング素子Ｔｒ１を収納する。この後、その上に、第４〜第６のシート状部材Ｓ４〜Ｓ６を積み重ねる。そして、第６のシート状部材Ｓ６の部品孔２５ａに第２のスイッチング素子Ｔｒ２を収納する。この後、その上に、第７および第８のシート状部材Ｓ７，Ｓ８を積み重ねる。最後に、これらの積層体に対して熱プレスを行う。

これにより、導電ペースト４０が焼結する。これにより、各ビア３１〜３９等および各端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２が形成され、シート状部材間の電気的接合と、スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２の電極とビアとの電気的接合とが行われる。また、熱可塑性樹脂の流動により、熱可塑性樹脂（絶縁性樹脂）が間隙に充填されるとともに、スイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２が樹脂封止される。これにより、第２配線１４Ａ間の間隙に絶縁性樹脂１４Ｂが充填されるとともに、第３配線１６Ａ間の間隙に絶縁性樹脂１６Ｂが充填される。このようにして、図２および図３に示すような第１のパワーモジュール３が得られる。

第２のパワーモジュール４の構造および製造方法は、第１のパワーモジュール３の構造および製造方法と同様であるので、その説明を省略する。
図５は、図１のインバータユニット２の構成を示す図解的な側面図である。図６は、図１のインバータユニット２の構成を示す図解的な平面図である。図６においては、説明の便宜上、各パワーモジュール３，４における端子以外の部分は省略している。

インバータユニット２は、配線基板６０と、配線基板６０上に固定された第１のパワーモジュール３および第２のパワーモジュール４とを含む。この実施形態では、配線基板６０は、プリント配線板である。配線基板６０は、平面視において略長方形に形成されている。配線基板６０の表面には、導体パターンが形成されている。導体パターンは銅、アルミニウム等の導電体で構成されている。第１のパワーモジュール３と第２のパワーモジュール４は、配線基板６０の表面（上面）に、端子形成側表面が下方を向いた姿勢で、配線基板６０の長手方向に沿って並べて配置されている。

説明の便宜上、以下において、図５または図６に示した＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向、＋Ｚ方向および−Ｚ方向を用いることがある。＋Ｘ方向および−Ｘ方向は、配線基板６０の長辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｘ方向」という。＋Ｙ方向および−Ｙ方向は、配線基板６０の短辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｙ方向」という。＋Ｚ方向および−Ｚ方向は、配線基板６０の法線に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｚ方向」という。配線基板６０を水平面においたとき、Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交する２つの水平な直線（Ｘ軸およびＹ軸）に沿う２つの水平方向となり、Ｚ方向は鉛直な直線（Ｚ軸）に沿う鉛直方向（高さ方向）となる。

配線基板６０の上面（＋Ｚ方向側表面）には、第１のパワーモジュール３と第２のパワーモジュール４とが、その順番で＋Ｘ方向に並べて配置されている。各パワーモジュール３，４は、平面視において、その長辺が配線基板６０の長辺と平行となり、その短辺が配線基板６０の短辺と平行となり、第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２に対して出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２が＋Ｘ方向側に配置されるような姿勢で、配線基板６０上に固定されている。

配線基板６０の上面（＋Ｚ方向側表面）に形成された導体パターンは、複数の端子接合用ランド６１〜７０と、複数の端子形成用ランド７１〜７８と、ランド間を接続するための複数の配線８１〜９０とを含んでいる。以下において、各端子接合用ランド６１〜７０を、それぞれ第１〜第１０の端子接合用ランド６１〜７０という場合がある。以下において、各端子形成用ランド７１〜７８、それぞれ第１〜第８の端子形成用ランド７１〜７８という場合がある。

第１〜第５の端子接合用ランド６１〜６５は、配線基板６０上面において、第１のパワーモジュール３の端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２が固定されるべき位置にそれぞれ形成されている。第１〜第５の端子接合用ランド６１〜６５には、それぞれ端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２の表面（−Ｚ方向側表面）が接合される。端子接合用ランド６１〜６５への端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２の接合は、たとえば、熱圧着により行われる。

第６〜第１０の端子接合用ランド６６〜７０は、配線基板６０上面において、第２のパワーモジュール４の端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４が固定されるべき位置にそれぞれ形成されている。第６〜第１０の端子接合用ランド６６〜７０には、それぞれ端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４の表面（−Ｚ方向側表面）が接合される。端子接合用ランド６６〜７０への端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４の接合は、たとえば、熱圧着により行われる。

第１の端子形成用ランド７１は、両パワーモジュール３，４の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２を、外部配線を介して電源６の正極端子に接続させるための接続端子である。第１の端子形成用ランド７１は、配線基板６０上面の−Ｙ方向側縁部における第１の電源端子Ｐ１（第１の端子接合用ランド６１）に近い位置に形成されている。第１の端子形成用ランド７１は、第１の電源用配線８１によって、第１および第６の端子接合用ランド６１，６６に接続されている。

第１の電源用配線８１は、第１および第２のパワーモジュール３，４の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２を互いに接続して外部に引き出すための配線である。第１の電源用配線８１は、第１の端子接合用ランド６１と第１の端子形成用ランド７１とを接続するＹ方向にのびた第１部分８１ａと、第１部分８１ａの中間部と第６の端子接合用ランド６６とを接続する第２部分８１ｂとから構成されている。

第１部分８１ａの一端は第１の端子接合用ランド６１の−Ｙ方向側端部に接続され、他端は第１の端子形成用ランド７１に接続されている。第２部分８１ｂは、第１部分８１ａの中間部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第６の端子接合用ランド６６の−Ｙ方向側端部に接続された第２直線部分とから構成されている。

第２の端子形成用ランド７２は、両パワーモジュール３，４の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２を、外部配線を介して電源６の負極端子に接続させるための接続端子である。第２の端子形成用ランド７２は、配線基板６０上面の−Ｙ方向側縁部における第２の電源端子Ｎ１（第２の端子接合用ランド６２）に近い位置に形成されている。第２の端子形成用ランド７２は、第２の電源用配線８２によって、第７および第２の端子接合用ランド６７，６２に接続されている。

第２の電源用配線８２は、第１および第２のパワーモジュール３，４の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２を互いに接続して外部に引き出すための配線である。第２の電源用配線８２は、第２の端子接合用ランド６２と第７の端子接合用ランド６７とを接続する第１部分８２ａと、第７の端子接合用ランド６７と第２の端子形成用ランド７２とを接続する第２部分８２ｂとを含んでいる。

第１部分８２ａは、第２の端子接合用ランド６２の−Ｙ方向側端から−Ｙ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第２直線部分と、第２直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびた第３直線部分とを含んでいる。第１部分８２ａは、さらに、第３直線部分の＋Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第４直線部分と、第４直線部分の＋Ｘ方向側端から−Ｙ方向にのびて先端部が第７の端子接合用ランド６７の＋Ｙ方向側端に接続された第５直線部分とを含んでいる。第２部分８２ｂは、第７の端子接合用ランド６７の−Ｙ方向側端から−Ｙ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｙ方向側端から−Ｘ方向にのびた第２直線部分と、第２直線部分の−Ｘ方向側端から−Ｙ方向にのびて先端部が第２の端子形成用ランド７２に接続された第３直線部分とを含んでいる。

第３の端子形成用ランド７３は、第１のパワーモジュール３の出力端子ＯＵＴ１を、外部配線を介して電動モータ７の一方の端子に接続させるための接続端子である。第３の端子形成用ランド７３は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における、出力端子ＯＵＴ１（第３の端子接合用ランド６３）と第１の電源端子Ｐ２（第６の端子接合用ランド６６）との間に対応する位置に形成されている。

第３の端子形成用ランド７３は、第１のパワーモジュール３の出力端子ＯＵＴ１を外部に引き出すための第１の出力用配線８３によって、第３の端子接合用ランド６３に接続されている。第１の出力用配線８３は、第３の端子接合用ランド６３の＋Ｘ方向側縁部の長さ中央部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第３の端子形成用ランド７３に接続された第２直線部分とから構成されている。

第４の端子形成用ランド７４は、第２のパワーモジュール４の出力端子ＯＵＴ２を、外部配線を介して電動モータ７の他方の端子に接続させるための接続端子である。第４の端子形成用ランド７４は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における、第２の電源端子Ｎ２（第７の端子接合用ランド６７）と出力端子ＯＵＴ２（第８の端子接合用ランド６８）との間に対応する位置に形成されている。

第４の端子形成用ランド７４は、第２のパワーモジュール４の出力端子ＯＵＴ２を外部に引き出すための第２の出力用配線８４によって、第８の端子接合用ランド６８に接続されている。第２の出力用配線８４は、第８の端子接合用ランド６８の−Ｘ方向側縁部の長さ中央部から−Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第４の端子形成用ランド７４に接続された第２直線部分とから構成されている。

第５の端子形成用ランド７５は、第１のパワーモジュール３の第１のゲート端子Ｇ１を、外部配線を介して制御ユニット８に接続させるための接続端子である。第５の端子形成用ランド７５は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第１のゲート端子Ｇ１（第４の端子接合用ランド６４）に近い位置に形成されている。第５の端子形成用ランド７５は、第１のゲート端子Ｇ１を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第１のゲート用配線８５によって、第４の端子接合用ランド６４に接続されている。

第６の端子形成用ランド７６は、第１のパワーモジュール３の第２のゲート端子Ｇ２を、外部配線を介して制御ユニット８に接続させるための接続端子である。第６の端子形成用ランド７６は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第２のゲート端子Ｇ２（第５の端子接合用ランド６５）に近い位置に形成されている。第６の端子形成用ランド７６は、第２のゲート端子Ｇ２を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第２のゲート用配線８６によって、第５の端子接合用ランド６５に接続されている。

第７の端子形成用ランド７７は、第２のパワーモジュール４の第３のゲート端子Ｇ３を、外部配線を介して制御ユニット８に接続させるための接続端子である。第７の端子形成用ランド７７は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第３のゲート端子Ｇ３（第９の端子接合用ランド６９）に近い位置に形成されている。第７の端子形成用ランド７７は、第３のゲート端子Ｇ３を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第３のゲート用配線８７によって、第９の端子接合用ランド６９に接続されている。

第８の端子形成用ランド７８は、第２のパワーモジュール４の第４のゲート端子Ｇ４を、外部配線を介して制御ユニット８に接続させるための接続端子である。第８の端子形成用ランド７８は、配線基板６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第４のゲート端子Ｇ４（第１０の端子接合用ランド７０）に近い位置に形成されている。第８の端子形成用ランド７８は、第４のゲート端子Ｇ４を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第４のゲート用配線８８によって、第１０の端子接合用ランド７０に接続されている。

前述した第１のパワーモジュール３では、第１の電源端子Ｐ１および第２の電源端子Ｎ１のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ１との間に配置されている。また、前述した第２のパワーモジュール４においても、第１の電源端子Ｐ２および第２の電源端子Ｎ２のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ２との間に配置されている。このため、これらのパワーモジュール３，４が実装された前述のインバータユニット２では、配線基板６０に形成される各配線８１〜８８を交差させることなく配置することができる。これにより、配線基板６０における配線を効率的に行うことができる。たとえば、配線基板６０として単層配線基板を用いることができる。

図７は、図６に示すインバータユニット２に対する比較例を示す平面図である。図７において、図６の各部に対応する部分には図６と同じ符号を付して示す。図７においても、説明の便宜上、各パワーモジュール３Ａ，４Ａにおける端子以外の部分は省略している。
図７に示すインバータユニット（比較例）２Ａでは、各パワーモジュール３Ａ,４Ａにおける端子の配置が、図６の対応するパワーモジュール３，４における端子の配置と異なっている。比較例における第１のパワーモジュール３Ａでは、第１の電源端子Ｐ１と第２の電源端子Ｎ１との間に出力端子ＯＵＴ１が配置されている。同様に、比較例における第２のパワーモジュール４Ａでは、第１の電源端子Ｐ２と第２の電源端子Ｎ２との間に出力端子ＯＵＴ２が配置されている。

配線基板６０Ａの上面（＋Ｚ方向側表面）には、複数の端子接合用ランド６１〜７０と、複数の端子形成用ランド７１，７２，７３Ａ，７４Ａ，７５〜７８と、ランド間を接続するための複数の配線８１，８２Ａ，８３Ａ，８４Ａ，８５〜８８とが形成されている。第１〜第５の端子接合用ランド６１〜６５には、それぞれ端子Ｐ１，ＯＵＴ１，Ｎ１，Ｇ１，Ｇ２が接続されている。図６のインバータユニット２と比較すると、比較例２Ａでは、第２の端子接合用ランド６２に出力端子ＯＵＴ１が接続され、第３の端子接合用ランド６３に第２の電源端子Ｎ１が接続されていることが異なっている。

第６〜第１０の端子接合用ランド６６〜７０には、それぞれ端子Ｐ２，ＯＵＴ２，Ｎ２，Ｇ３，Ｇ４が接続されている。図６のインバータユニット２と比較すると、比較例２Ａでは、第７の端子接合用ランド６７に出力端子ＯＵＴ２が接続され、第８の端子接合用ランド６８に第２の電源端子Ｎ２が接続されていることが異なっている。
また、比較例２Ａでは、第３の端子形成用ランド７３Ａおよび第４の端子形成用ランド７４Ａの配置位置が、図６のインバータユニット２と異なっている。具体的には、第３の端子形成用ランド７３Ａは、配線基板６０Ａ上面の＋Ｙ方向側縁部における出力端子ＯＵＴ１（第２の端子接合用ランド６２）に近い位置に形成されている。第４の端子形成用ランド７４Ａは、配線基板６０Ａ上面の＋Ｙ方向側縁部における出力端子ＯＵＴ２（第７の端子接合用ランド６７）に近い位置に形成されている。

第１の端子形成用ランド７１は、第１の電源用配線８１によって、第１および第６の端子接合用ランド６１，６６に接続されている。第２の端子形成用ランド７２は、第２の電源用配線８２Ａによって、第３および第８の端子接合用ランド６３，６８に接続されている。第３の端子形成用ランド７３Ａは、第１の出力用配線８３Ａによって、第２の端子接合用ランド６２に接続されている。第４の端子形成用ランド７４Ａは、第２の出力用配線８４Ａによって、第７の端子接合用ランド６７に接続されている。

第５の端子形成用ランド７５は、第１のゲート用配線８５によって、第４の端子接合用ランド６４に接続されている。第６の端子形成用ランド７６は、第２のゲート用配線８６によって、第５の端子接合用ランド６５に接続されている。第７の端子形成用ランド７７は、第３のゲート用配線８７によって、第９の端子接合用ランド６９に接続されている。第８の端子形成用ランド７８は、第４のゲート用配線８８によって、第１０の端子接合用ランド７０に接続されている。

第１の電源用配線８１は、第１の端子接合用ランド６１と第１の端子形成用ランド７１とを接続するＹ方向にのびた第１部分８１ａと、第１部分８１ａの中間部と第６の端子接合用ランド６６とを接続する第２部分８１ｂとから構成されている。第２の電源用配線８２Ａは、第３の端子接合用ランド６３と第８の端子接合用ランド６８とを接続する第１部分８２Ａａと、第８の端子接合用ランド６８と第２の端子形成用ランド７２とを接続する第２部分８２Ａｂとから構成されている。

この比較例２Ａに用いられている各パワーモジュール３Ａ，４Ａにおいては、第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２と第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２との間に、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２が配置されている。このため、これらのパワーモジュール３Ａ，４Ａが実装されたインバータユニット２Ａでは、第２の電源用配線８２Ａの第１部分８２Ａａが、第２の出力用配線８４Ａと交差するので、配線基板における配線を効率的に行うことができない。たとえば、配線基板６０Ａとして多層配線基板を用いる必要がある。

なお、第２の電源用配線８２Ａの第１部分８２Ａａの代わりに、図７に破線８２Ｂａで示すように、第３の端子接合用ランド６３を第２の電源用配線８２Ａの第２部分８２Ａｂに接続するための配線８２Ｂａを用いることも可能である。しかし、その場合には、この配線８２Ｂａ（第２の電源用配線）は第１の電源用配線８１の第２部分８１ｂと交差する。したがって、この場合にも、配線基板における配線を効率的に行うことができない。

図８は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュールが適用された三相ブリッジインバータ回路を示す電気回路図である。
三相ブリッジインバータ回路１０１は、インバータユニット１０２を含む。インバータユニット１０２は、第１のパワーモジュール３と、第２のパワーモジュール４と、第３のパワーモジュール５を含む。第１のパワーモジュール３は、第１の電源端子Ｐ１と、第２の電源端子Ｎ１と、第１ゲート端子Ｇ１と、第２ゲート端子Ｇ２と、出力端子ＯＵＴ１とを備えている。第２のパワーモジュール４は、第１の電源端子Ｐ２と、第２の電源端子Ｎ２と、第３ゲート端子Ｇ３と、第４ゲート端子Ｇ４と、出力端子ＯＵＴ２とを備えている。第３のパワーモジュール５は、第１の電源端子Ｐ３と、第２の電源端子Ｎ３と、第５ゲート端子Ｇ５と、第６ゲート端子Ｇ６と、出力端子ＯＵＴ３とを備えている。

各パワーモジュール３，４，５の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、電源１０６の正極端子に接続されている。各パワーモジュール３，４，５の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３は、電源１０６の負極端子に接続されている。第１のパワーモジュール３の出力端子ＯＵＴ１は、三相ブラシレスモータ（以下、「電動モータ１０７」という）のＵ相界磁コイル１０７Ｕに接続されている。第２のパワーモジュール４の出力端子ＯＵＴ１２は、電動モータ１０７のＶ相界磁コイル１０７Ｖに接続されている。第３のパワーモジュール５の出力端子ＯＵＴ３は、電動モータ１０７のＷ相界磁コイル１０７Ｗに接続されている。各パワーモジュール３，４，５のゲート端子Ｇ１〜Ｇ６は、制御ユニット１０８（図１０参照）に接続される。

第１のパワーモジュール３および第２のパワーモジュール４は、それぞれ図１の第１のモジュール３および第２のパワーモジュール４と同様であるのでその説明を省略する。第３のモジュール５は、ハイサイドの第５のスイッチング素子Ｔｒ５と、それに直列に接続されたローサイドの第６のスイッチング素子Ｔｒ６とを含む。各スイッチング素子Ｔｒ５，Ｔｒ６は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴで構成されている。各スイッチング素子Ｔｒ５，Ｔｒ６は、ドレイン（ドレイン電極）Ｄとソース（ソース電極）Ｓとゲート（ゲート電極）Ｇを有している。第５のスイッチング素子Ｔｒ５および第６のスイッチング素子Ｔｒ６には、それぞれ第５のダイオードＤｉ５および第６のダイオードＤｉ６が内蔵されている。

第５のスイッチング素子Ｔｒ５と第５のダイオードＤｉ５とは、ハイサイド回路５７を形成している。第６のスイッチング素子Ｔｒ６と第６のダイオードＤｉ６とは、ローサイド回路５８を形成している。ハイサイド回路５７とローサイド回路５８とは、第１の電源端子Ｐ３と第２の電源端子Ｎ３との間に直列に接続されており、ハイサイド回路５７とローサイド回路５８との接続点５９に出力端子ＯＵＴ３が接続されている。

第５のダイオードＤｉ５は、第５のスイッチング素子Ｔｒ５に並列に接続されている。具体的には、第５のダイオードＤｉ５のアノードが第５のスイッチング素子Ｔｒ５のソースＳに接続され、第５のダイオードＤｉ５のカソードが第５のスイッチング素子Ｔｒ５のドレインＤに接続されている。第６のダイオードＤｉ６は、第６のスイッチング素子Ｔｒ６に並列に接続されている。具体的には、第６のダイオードＤｉ６のアノードが第６のスイッチング素子Ｔｒ６のソースＳに接続され、第６のダイオードＤｉ６のカソードが第６のスイッチング素子Ｔｒ６のドレインＤに接続されている。

第５のスイッチング素子Ｔｒ５のドレインＤは、第１の電源端子Ｐ３に接続されている。第５のスイッチング素子Ｔｒ５のソースＳは、第６のスイッチング素子Ｔｒ６のドレインＤに接続されている。第６のスイッチング素子Ｔｒ６のソースＳは、第２の電源端子Ｎ３に接続されている。第５のスイッチング素子Ｔｒ５のソースＳと、第６のスイッチング素子Ｔｒ６のドレインＤとの接続点５９は、出力端子ＯＵＴ３に接続されている。第５のスイッチング素子Ｔｒ５のゲートＧは、第５のゲート端子Ｇ５に接続されている。第６のスイッチング素子Ｔｒ６のゲートＧは、第６のゲート端子Ｇ６に接続されている。

図９は、図８のインバータユニット１０２の構成を示す図解的な側面図である。図１０は、図８のインバータユニット１０２の構成を示す図解的な平面図である。図１０においては、説明の便宜上、各パワーモジュール３，４，５における端子以外の部分は省略している。
インバータユニット１０２は、配線基板１６０と、配線基板１６０上に固定された、第１のパワーモジュール３、第２のパワーモジュール４および第３のパワーモジュール５とを含む。この実施形態では、配線基板１６０とは、プリント配線版である。配線基板１６０は、平面視において矩形に形成されている。配線基板１６０の表面には、導体パターンが形成されている。導体パターンは銅、アルミニウム等の導電体で構成されている。第１のパワーモジュール３と第２のパワーモジュール４と第３のパワーモジュール５は、配線基板１６０の表面（上面）に、端子形成側表面が下方を向いた姿勢で、配線基板１６０の長手方向に沿って並べて配置されている。

説明の便宜上、以下において、図１０に示した＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向、図９に示した＋Ｚ方向および−Ｚ方向を用いることがある。＋Ｘ方向および−Ｘ方向は、配線基板１６０の長辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｘ方向」という。＋Ｙ方向および−Ｙ方向は、配線基板１６０の短辺に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｙ方向」という。＋Ｚ方向および−Ｚ方向は、配線基板１６０の法線に沿う２つの方向であり、これらを総称するときには単に「Ｚ方向」という。配線基板１６０を水平面においたとき、Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交する２つの水平な直線（Ｘ軸およびＹ軸）に沿う２つの水平方向となり、Ｚ方向は鉛直な直線（Ｚ軸）に沿う鉛直方向（高さ方向）となる。

配線基板１６０の上面（＋Ｚ方向側表面）には、第１のパワーモジュール３と第２のパワーモジュール４と第３のパワーモジュール５とが、その順番で＋Ｘ方向に並べて配置されている。各パワーモジュール３，４，５は、平面視において、その長辺が配線基板１６０の長辺と平行となり、その短辺が配線基板１６０の短辺と平行となり、第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３に対して出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２，ＯＵＴ３が＋Ｘ方向側に配置されるような姿勢で、配線基板１６０上に固定されている。

配線基板１６０の上面（＋Ｚ方向側表面）に形成された導体パターンは、複数の端子接合用ランド２０１〜２１５と、複数の端子形成用ランド２２１〜２３１と、ランド間を接続するための複数の配線２４１〜２５１とを含んでいる。以下において、各端子接合用ランド２０１〜２１５を、それぞれ第１〜第１５の端子接合用ランド２０１〜２１５という場合がある。以下において、各端子形成用ランド２２１〜２３１を、それぞれ第１〜第１１の端子形成用ランド２２１〜２３１という場合がある。

第１〜第５の端子接合用ランド２０１〜２０５は、配線基板１６０上面において、第１のパワーモジュール３の端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２が固定されるべき位置にそれぞれ形成されている。第１〜第５の端子接合用ランド２０１〜２０５には、それぞれ端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２の表面（−Ｚ方向側表面）が接合されている。端子接合用ランド２０１〜２０５への端子Ｐ１，Ｎ１，ＯＵＴ１，Ｇ１，Ｇ２の接合は、たとえば、熱圧着により行われる。

第６〜第１０の端子接合用ランド２０６〜２１０は、配線基板１６０上面において、第２のパワーモジュール４の端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４が固定されるべき位置にそれぞれ形成されている。第６〜第１０の端子接合用ランド２０６〜２１０には、それぞれ端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４の表面（−Ｚ方向側表面）が接合されている。端子接合用ランド２０６〜２１０への端子Ｐ２，Ｎ２，ＯＵＴ２，Ｇ３，Ｇ４の接合は、たとえば、熱圧着により行われる。

第１１〜第１５の端子接合用ランド２１１〜２１５は、配線基板１６０上面において、第３のパワーモジュール５の端子Ｐ３，Ｎ３，ＯＵＴ３，Ｇ５，Ｇ６が固定されるべき位置にそれぞれ形成されている。第６〜第１０の端子接合用ランド２１１〜２１５は、それぞれ端子Ｐ３，Ｎ３，ＯＵＴ３，Ｇ５，Ｇ６の表面（−Ｚ方向側表面）が接合されている。端子接合用ランド２１１〜２１５への端子Ｐ３，Ｎ３，ＯＵＴ３，Ｇ５，Ｇ６の接合は、たとえば、熱圧着により行われる。

第１の端子形成用ランド２２１は、各パワーモジュール３，４，５の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を、外部配線を介して電源１０６の正極端子に接続させるための接続端子である。第１の端子形成用ランド２２１は、配線基板１６０上面の−Ｙ方向側縁部における第１の電源端子Ｐ１（第１の端子接合用ランド２０１）に近い位置に形成されている。第１の端子形成用ランド２２１は、第１の電源用配線２４１によって、第１、第６および第１１の端子接合用ランド２０１，２０６，２１１に接続されている。

第１の電源用配線２４１は、第１、第２および第３のパワーモジュール３，４，５の第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を互いに接続して外部に引き出すための配線である。第１の電源用配線２４１は、第１の端子接合用ランド２０１と第１の端子形成用ランド２２１とを接続するＹ方向にのびた第１部分２４１ａと、第６および第１１の端子接合用ランド２０６，２１１を第１部分２４１ａの中間部に接続する第２部分２４１ｂとから構成されている。

第１部分２４１ａの一端は第１の端子接合用ランド２０１の−Ｙ方向側端部に接続され、他端は第１の端子形成用ランド２２１に接続されている。第２部分２４１ｂは、第１部分２４ａの中間部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の中間部から＋Ｙ方向にのびて先端部が第６の端子接合用ランド２０６の−Ｙ方向側端部に接続された第２直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第１１の端子接合用ランド２１１の−Ｙ方向側端部に接続された第３直線部分とから構成されている。

第２の端子形成用ランド２２２は、各パワーモジュール３，４，５の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を、外部配線を介して電源１０６の負極端子に接続させるための接続端子である。第２の端子形成用ランド２２２は、配線基板１６０上面の−Ｙ方向側縁部における第２の電源端子Ｎ１（第２の端子接合用ランド２０２）に近い位置に形成されている。第２の端子形成用ランド２２２は、第２の電源用配線２４２によって、第１２、第７および第２の端子接合用ランド２１２，２０７，２０２に接続されている。

第２の電源用配線２４２は、第１、第２および第３のパワーモジュール３，４，５の第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３を互いに接続して外部に引き出すための配線である。第２の電源用配線２４２は、第２の端子接合用ランド２０２と第７の端子接合用ランド２０７とを接続する第１部分２４２ａと、第７の端子接合用ランド２０７と第１２の端子接合用ランド２１２とを接続する第２部分２４２ｂと、第１２の端子接合用ランド２１２と第２の端子形成用ランド２２２とを接続する第３部分２４２ｃとを含んでいる。

第１部分２４２ａは、第２の端子接合用ランド２０２の−Ｙ方向側端から−Ｙ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第２直線部分と、第２直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびた第３直線部分とを含んでいる。第１部分２４２ａは、さらに、第３直線部分の＋Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第４直線部分と、第４直線部分の＋Ｘ方向側端から−Ｙ方向にのびて先端部が第７の端子接合用ランド２０７の＋Ｙ方向側端に接続された第５直線部分とを含んでいる。

第２部分２４２ｂは、第７の端子接合用ランド２０７の−Ｙ方向側端から−Ｙ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第２直線部分と、第２直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびた第３直線部分とを含んでいる。第２部分２４２ｂは、さらに、第３直線部分の＋Ｙ方向側端から＋Ｘ方向にのびた第４直線部分と、第４直線部分の＋Ｘ方向側端から−Ｙ方向にのびて先端部が第１２の端子接合用ランド２１２の＋Ｙ方向側端に接続された第５直線部分とを含んでいる。

第３部分２４２ｃは、第１２の端子接合用ランド２１２の−Ｙ方向側端から−Ｙ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の−Ｙ方向側端から−Ｘ方向にのびた第２直線部分と、第２直線部分の−Ｘ方向側端から−Ｙ方向にのびて先端部が第２の端子形成用ランド２２２に接続された第３直線部分とを含んでいる。
第３の端子形成用ランド２２３は、第１のパワーモジュール３の出力端子ＯＵＴ１を、外部配線を介して電動モータ１０７のＵ相界磁コイル１０７Ｕに接続させるための接続端子である。第３の端子形成用ランド２２３は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における、出力端子ＯＵＴ１（第３の端子接合用ランド２０３）と第１の電源端子Ｐ２（第６の端子接合用ランド２０６）との間に対応する位置に形成されている。

第３の端子形成用ランド２２３は、第１のパワーモジュール３の出力端子ＯＵＴ１を外部に引き出すための第１の出力用配線２４３によって、第３の端子接合用ランド２０３に接続されている。第１の出力用配線２４３は、第３の端子接合用ランド２０３の＋Ｘ方向側縁部の長さ中央部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第３の端子形成用ランド２２３に接続された第２直線部分とから構成されている。

第４の端子形成用ランド２２４は、第２のパワーモジュール４の出力端子ＯＵＴ２を、外部配線を介して電動モータ１０７のＶ相界磁コイル１０７Ｖに接続させるための接続端子である。第４の端子形成用ランド２２４は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における、出力端子ＯＵＴ２（第８の端子接合用ランド２０８）と第１の電源端子Ｐ３（第１１の端子接合用ランド２１１）との間に対応する位置に形成されている。

第４の端子形成用ランド２２４は、第２のパワーモジュール４の出力端子ＯＵＴ２を外部に引き出すための第２の出力用配線２４４によって、第８の端子接合用ランド２０８に接続されている。第２の出力用配線２４４は、第８の端子接合用ランド２０８の＋Ｘ方向側縁部の長さ中央部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第４の端子形成用ランド２２４に接続された第２直線部分とから構成されている。

第５の端子形成用ランド２２５は、第３のパワーモジュール５の出力端子ＯＵＴ３を、外部配線を介して電動モータ１０７のＷ相界磁コイル１０７Ｗに接続させるための接続端子である。第５の端子形成用ランド２２５は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における、出力端子ＯＵＴ３（第１３の端子接合用ランド２１３）と配線基板１６０の＋Ｘ方向側の辺との間に対応する位置に形成されている。

第５の端子形成用ランド２２５は、第３のパワーモジュール５の出力端子ＯＵＴ３を外部に引き出すための第３の出力用配線２４５によって、第１３の端子接合用ランド２１３に接続されている。第３の出力用配線２４５は、第１３の端子接合用ランド２１３の＋Ｘ方向側縁部の長さ中央部から＋Ｘ方向にのびた第１直線部分と、第１直線部分の＋Ｘ方向側端から＋Ｙ方向にのびて先端部が第５の端子形成用ランド２２５に接続された第２直線部分とから構成されている。

第６の端子形成用ランド２２６は、第１のパワーモジュール３の第１のゲート端子Ｇ１を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第６の端子形成用ランド２２６は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第１のゲート端子Ｇ１（第４の端子接合用ランド２０４）に近い位置に形成されている。第６の端子形成用ランド２２６は、第１のゲート端子Ｇ１を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第１のゲート用配線２４６によって第４の端子接合用ランド２０４に接続されている。

第７の端子形成用ランド２２７は、第１のパワーモジュール３の第２のゲート端子Ｇ２を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第７の端子形成用ランド２２７は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第２のゲート端子Ｇ２（第５の端子接合用ランド２０５）に近い位置に形成されている。第７の端子形成用ランド２２７は、第２のゲート端子Ｇ２を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第２のゲート用配線２４７によって、第５の端子接合用ランド２０５に接続されている。

第８の端子形成用ランド２２８は、第２のパワーモジュール４の第３のゲート端子Ｇ３を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第８の端子形成用ランド２２８は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第３のゲート端子Ｇ３（第９の端子接合用ランド２０９）に近い位置に形成されている。第８の端子形成用ランド２２８は、第３のゲート端子Ｇ３を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第３のゲート用配線２４８によって、第９の端子接合用ランド２０９に接続されている。

第９の端子形成用ランド２２９は、第２のパワーモジュール４の第４のゲート端子Ｇ４を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第９の端子形成用ランド２２９は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第４のゲート端子Ｇ４（第１０の端子接合用ランド２１０）に近い位置に形成されている。第９の端子形成用ランド２２９は、第４のゲート端子Ｇ４を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第４のゲート用配線２４９によって、第１０の端子接合用ランド２１０に接続されている。

第１０の端子形成用ランド２３０は、第３のパワーモジュール５の第５のゲート端子Ｇ５を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第１０の端子形成用ランド２３０は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第５のゲート端子Ｇ５（第１４の端子接合用ランド２１４）に近い位置に形成されている。第１０の端子形成用ランド２３０は、第５のゲート端子Ｇ５を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第５のゲート用配線２５０によって、第１４の端子接合用ランド２１４に接続されている。

第１１の端子形成用ランド２３１は、第３のパワーモジュール５の第６のゲート端子Ｇ６を、外部配線を介して制御ユニット１０８に接続させるための接続端子である。第１１の端子形成用ランド２３１は、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における第６のゲート端子Ｇ６（第１５の端子接合用ランド２１５）に近い位置に形成されている。第１１の端子形成用ランド２３１は、第６のゲート端子Ｇ６を外部に引き出すためのＹ方向にのびた第６のゲート用配線２５１によって、第１５の端子接合用ランド２１５に接続されている。

前述した第１のパワーモジュール３では、第１の電源端子Ｐ１および第２の電源端子Ｎ１のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ１との間に配置されている。また、前述した第２のパワーモジュール４においても、第１の電源端子Ｐ２および第２の電源端子Ｎ２のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ２との間に配置されている。また、前述した第３のパワーモジュール５においても、第１の電源端子Ｐ３および第２の電源端子Ｎ３のうちの一方の電源端子が、他方の電源端子と出力端子ＯＵＴ３との間に配置されている。

このため、これらのパワーモジュール３，４，５が実装された前述のインバータユニット１０２では、配線基板１６０に形成される各配線２４１〜２５１を交差させることなく配置することができる。これにより、配線基板１６０における配線を効率的に行うことができる。たとえば、配線基板１６０として単層配線基板を用いることができる。
図１１は、図１０に示すインバータユニット１０２に対する比較例を示す平面図である。図１１において、図１０の各部に対応する部分には図１０と同じ符号を付して示す。図１１においても、説明の便宜上、各パワーモジュール３Ａ，４Ａ，５Ａにおける端子以外の部分は省略している。

図１１に示すインバータユニット（比較例）１０２Ａでは、各パワーモジュール３Ａ，４Ａ，５Ａにおける端子の配置が、図１０の対応するパワーモジュール３，４，５における端子の配置と異なっている。比較例における各パワーモジュール３Ａ，４Ａ，５Ａでは、第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３との間に、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２，ＯＵＴ３が配置されている。

配線基板１６０Ａの上面（＋Ｚ方向側表面）には、複数の端子接合用ランド２０１〜２１５と、複数の端子形成用ランド２２１，２２２，２２３Ａ，２２４Ａ，２２５Ａ，２２６〜２３１と、ランド間を接続するための複数の配線２４１，２４２Ａ，２４３Ａ，２４４Ａ，２４５Ａ，２４６〜２５１とが形成されている。第１〜第５の端子接合用ランド２０１〜２０５には、それぞれ端子Ｐ１，ＯＵＴ１，Ｎ１，Ｇ１，Ｇ２が接続されている。図１０のインバータユニット１０２と比較すると、比較例１０２Ａでは、第２の端子接合用ランド２０２に出力端子ＯＵＴ１が接続され、第３の端子接合用ランド２０３に第２の電源端子Ｎ１が接続されていることが異なっている。

第６〜第１０の端子接合用ランド２０６〜２１０には、それぞれ端子Ｐ２，ＯＵＴ２，Ｎ２，Ｇ３，Ｇ４が接続されている。図１０のインバータユニット１０２と比較すると、比較例１０２Ａでは、第７の端子接合用ランド２０７に出力端子ＯＵＴ２が接続され、第８の端子接合用ランド２０８に第２の電源端子Ｎ２が接続されていることが異なっている。

第１１〜第１５の端子接合用ランド２１１〜２１５には、それぞれ端子Ｐ３，ＯＵＴ３，Ｎ３，Ｇ５，Ｇ６が接続されている。図１０のインバータユニット１０２と比較すると、比較例１０２Ａでは、第１２の端子接合用ランド２１２に出力端子ＯＵＴ３が接続され、第１３の端子接合用ランド２１３に第２の電源端子Ｎ３が接続されていることが異なっている。

また、比較例１０２Ａでは、第３の端子形成用ランド２２３Ａ、第４の端子形成用ランド２２４Ａおよび第５の端子形成用ランド２２５Ａの配置位置が、図１０のインバータユニット１０２と異なっている。具体的には、第３の端子形成用ランド２２３Ａは、配線基板１６０上面の＋Ｙ方向側縁部における出力端子ＯＵＴ１（第２の端子接合用ランド２０２）に近い位置に形成されている。第４の端子形成用ランド２２４Ａは、配線基板１６０Ａ上面の＋Ｙ方向側縁部における出力端子ＯＵＴ２（第７の端子接合用ランド２０７）に近い位置に形成されている。第５の端子形成用ランド２２５Ａは、配線基板１６０Ａ上面の＋Ｙ方向側縁部における出力端子ＯＵＴ３（第１２の端子接合用ランド２１２）に近い位置に形成されている。

第１の端子形成用ランド２２１は、第１の電源用配線２４１によって、第１、第６および第１１の端子接合用ランド２０１，２０６，２１１に接続されている。第２の端子形成用ランド２２２は、第２の電源用配線２４２Ａによって、第３、第８および第１３の端子接合用ランド２０３，２０８，２１３に接続されている。第３の端子形成用ランド２２３Ａは、第１の出力用配線２４３Ａによって、第２の端子接合用ランド２０２に接続されている。第４の端子形成用ランド２２４Ａは、第２の出力用配線２４４Ａによって、第７の端子接合用ランド２０７に接続されている。第５の端子形成用ランド２２５Ａは、第３の出力用配線２４５Ａによって、第１２の端子接合用ランド２１２に接続されている。

第６の端子形成用ランド２２６は、第１のゲート用配線２４６によって、第４の端子接合用ランド２０４に接続されている。第７の端子形成用ランド２２７は、第２のゲート用配線２４７によって、第５の端子接合用ランド２０５に接続されている。
第８の端子形成用ランド２２８は、第３のゲート用配線２４８によって、第９の端子接合用ランド２０９に接続されている。第９の端子形成用ランド２２９は、第４のゲート用配線２４９によって、第１０の端子接合用ランド２１０に接続されている。

第１０の端子形成用ランド２３０は、第５のゲート用配線２５０によって、第１４の端子接合用ランド２１４に接続されている。第１１の端子形成用ランド２３１は、第６のゲート用配線２５１によって、第１５の端子接合用ランド２１５に接続されている。
第１の電源用配線２４１は、第１の端子接合用ランド２０１と第１の端子形成用ランド２２１とを接続するＹ方向にのびた第１部分２４１ａと、第６および第１２の端子接合用ランド２０６，２１１を第１部分２４１ａの中間部に接続する第２部分２４１ｂとから構成されている。

第２の電源用配線２４２Ａは、第３の端子接合用ランド２０３と第８の端子接合用ランド２０８とを接続する第１部分２４２Ａａと、第８の端子接合用ランド２０８と第１３の端子接合用ランド２１３とを接続する第２部分２４２Ａｂと、第１３の端子接合用ランド２１３と第２の端子形成用ランド２２２とを接続する第３部分２４２Ａｃとから構成されている。

この比較例１０２Ａに用いられている各パワーモジュール３Ａ，４Ａ，５Ａにおいては、第１の電源端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と第２の電源端子Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３との間に、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２，ＯＵＴ３が配置されている。このため、これらのパワーモジュール３Ａ，４Ａ，５Ａが実装されたインバータユニット１０２Ａでは、第２の電源用配線２４２Ａの第１部分２４２Ａａが第２の出力用配線２４４Ａと交差するとともに、第２の電源用配線２４２Ａの第２部分２４２Ａｂが第３の出力用配線２４５Ａと交差する。したがって、配線基板における配線を効率的に行うことができない。たとえば、配線基板１６０Ａとして多層配線基板を用いる必要がある。

なお、図１１に破線で示すように、第２の電源用配線２４２Ａの第１部分２４２Ａａの代わりに、第３の端子接合用ランド２０３を第２の電源用配線２４２Ａの第３部分２４２Ａｃに接続するための配線２４２Ｂａを用い、第２の電源用配線２４２Ａの第２部分２４２Ａｂの代わりに、第８の端子接合用ランド２０８を第２の電源用配線２４２Ａの第３部分２４２Ａｃに接続するための配線２４２Ｂｂを用いることも可能である。しかし、その場合には、これらの配線２４２Ｂａ，２４２Ｂｂ（第２の電源用配線）は第１の電源用配線２４１の第２部分２４１ｂと交差する。したがって、この場合にも、配線基板における配線を効率的に行うことができない。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、ＭＯＳＦＥＴから構成されているが、他の半導体素子であってもよい。たとえば、スイッチング素子Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってもよい。この場合には、ＩＧＢＴのコレクタ電極およびエミッタ電極が主電極となり、ＩＧＢＴのゲート電極が制御電極となる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１…Ｈブリッジインバータ回路、２，１０２…インバータユニット、３，４，５…パワーモジュール（半導体装置）、６０，１６０…配線基板、１０１…三相ブリッジインバータ回路、Ｔｒ１〜Ｔｒ６…スイッチング素子、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…第１の電源端子、Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３…第２の電源端子、ＯＵＴ１，ＯＵＴ２，ＯＵＴ３…出力端子、Ｇ１〜Ｇ６…ゲート端子

Claims (3)

1. 第１のスイッチング素子と前記第１のスイッチング素子に直列接続された第２のスイッチング素子とが内蔵され、第１の電源端子、第２の電源端子および出力端子が一方の表面に形成されており、これらの端子が配線基板に接合されるようになっている半導体装置であって、
   前記第１の電源端子、前記第２の電源端子および前記出力端子が一方向に並んで配置されており、前記第１の電源端子および前記第２の電源端子のうちの一方の前記電源端子が、他方の前記電源端子と前記出力端子との間に配置されている、半導体装置。
2. 前記半導体装置の前記一方の表面に、第１のゲート端子と第２のゲート端子が形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴである、請求項１または２に記載の半導体装置。

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