JP2015118748A - MgB2超伝導体の製造方法およびMgB2超伝導体 - Google Patents
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Abstract
Description
i)一つの結晶粒から隣の結晶粒へ大きな超伝導電流を流すのに際して、高温酸化物超伝導体のような結晶粒の向きを揃えること(配向化)が不必要と考えられること、
ii)資源的にも豊富で原料が比較的安価であること、
iii)機械的にタフであること、
iv)軽量であること。
このため、MgB2超伝導体は実用材料として有望と考えられており、現在研究開発が進行している。
また、前記多環芳香族炭化水素における、炭素原子の数と水素原子の数の比は、C:Hが1:0.5から1:0.8であるとよい。この場合、多環芳香族炭化水素においては、水素に比べて炭素の量が多い方が良い。これは炭素はボロンサイトと置換をするのに対して、水素は不純物となるためであり、水素はなるべく少ない方が良い。
本発明のMgB2超伝導体の製造方法において、好ましくは、多環芳香族炭化水素の添加量が、MgB2の理論もしくは実験生成量に対して1〜40mol%であるとよい。
B粉末に添加する多環芳香族炭化水素の量を変化させると、得られるJc特性も変化するが、いずれの場合も無添加の場合よりも高いため、B粉末量と添加する多環芳香族炭化水素の量の比は、任意であって良い。好ましくは、ボロン粉末表面を炭化水素の液体で覆うことができると良い。
本発明のMgB2超伝導体の製造方法において、好ましくは、混合物を金属管に充填し、加圧成形して熱処理するとよい。
本発明のMgB2超伝導体の製造方法において、好ましくは、前記多環芳香族炭化水素で覆われたB粉末とMg棒とを金属管に充填し、加圧成形して熱処理するとよい。
本発明のMgB2超伝導体の製造方法において、好ましくは、MgB2コアが複数本ある多芯MgB2線材であるとよい。
『Mg内部拡散法』は金属管の内部にMg棒を配置し、金属管とMg棒との隙間にB粉末を充填してこの複合体を線材に加工後、熱処理をする線材作製法である。
『パウダー・イン・チューブ法』は、金属管に超伝導体の原料粉末を充填し、線材に加工後、熱処理をする線材作製法である。
『臨界電流密度Jc』は超伝導線材の単位断面積あたりに流すことのできる最大の超伝導電流密度をいう。通常は、線材中の超伝導体コアの単位断面積あたりの値を言う。
また、使用する金属管や熱処理温度、熱処理時間は、BサイトのC置換において本質的ではなく、従って種々の金属管や熱処理温度、熱処理時間を選択することができる。
B粉末と、C原子として5mol%の固体粉末のC24H12を十分混合して、石英管に真空封入した。これをC24H12の融点以上の温度である440℃で5分間熱処理し、その後室温に冷却した。熱処理中にC24H12は融解し、B粉末に浸透して行きB粉末の表面を覆った(コートした)。このC24H12をコートした粉末を用いてMg内部拡散法でMgB2線材を作製した(図1)。内径4mm、外径6mmの鉄管の中心に径2mmのMg棒を配置し、Mg棒と鉄管の隙間にこのC24H12をコートしたB粉末を充填した。その後、溝ロールと線引きにより径0.6mmのワイヤーに加工した。このワイヤーをアルゴン雰囲気中において670℃で6時間の熱処理をしてMgB2超伝導線材とした。熱処理中にMgがB層に拡散して行き、MgとBが反応してMgB2が生成された。その際にC24H12が分解し、カーボンの一部がMgB2のBと置換した。また、比較のためにBに10mol%のSiCナノ粒子を添加した混合粉末、さらに無添加のB粉末を用いて同様の条件でMg内部拡散法によるMgB2ワイヤーを作製した。
実施例1と同様にしてC24H12コートしたB粉末を作製し、パウダー・イン・チューブ(PIT)法でMgB2線材を作製した(図2)。C24H12コートしたB粉末とMg粉末をモル比で2:1になるように十分に混合し、これを内径4mm、外径6mmの鉄管に充填した。この粉末充填した鉄管を、溝ロールと線引きにより径1mmのワイヤーに加工した。このワイヤーをアルゴン雰囲気中において700℃で1時間の熱処理を行い、MgB2超伝導線材を作製した。熱処理によって充填したMgとB粉末が反応し、MgB2が生成された。その際にC24H12が分解し、カーボンの一部がMgB2のBと置換をした。また実施例1と同様に、比較のためにBとMgの混合粉末に10mol%のSiCナノ粒子を添加した混合粉末、さらに無添加のB粉末を用いて同様の条件でPIT法によるMgB2ワイヤーを作製した。
Claims (8)
- Mg粉末またはMgH2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB2超伝導体の製造方法において、
前記B粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記B粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、
前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、前記Mg粉末またはMgH2粉末と混合する工程と、
を有することを特徴とするMgB2超伝導体の製造方法。 - 前記多環芳香族炭化水素は、コロネン(coronene)、アンタントレン(anthanthrene)、ベンゾペリレン(Benzo(ghi)perylene)、サーキュレン(circulenes)、コランニュレン(corannulene)、ディコロニレン(Dicoronylene)、ディインデノペリレン(Diindenoperylene)、ヘリセン(helicene)、ヘプタセン(heptacene)、ヘキサセン(hexacene)、ケクレン(kekulene)、オバレン(ovalene)、ゼスレン(Zethrene)、ベンゾ[a]ピレン(Benzo[a]pyrene)、ベンゾ[e]ピレン(Benzo[e]pyrene)、ベンゾ[a]フルオランテン(Benzo[a]fluoranthene)、ベンゾ[b]フルオランテン(Benzo[b]fluoranthene)、ベンゾ[j]フルオランテン(Benzo[j]fluoranthene)、ベンゾ[k]フルオランテン(Benzo[k]fluoranthene)、ディベンゾ[a,h]アントラセン(Dibenz(a,h)anthracene)、ディベンゾ[a,j]アントラセン(Dibenz(a,j)anthracene)、オリンピセン(Olympicene)、ペンタセン(pentacene)、ペリレン(perylene)、ピセン(Picene)、テトラフェニレン(Tetraphenylene)、ベンゾ[a]アントラセン(Benz(a)anthracene)、ベンゾ[a]フルオレン(Benzo(a)fluorene)、ベンゾ[c]フェナントレン(Benzo(c)phenanthrene)、クリセン(Chrysene)、フルオランテン(Fluoranthene)、ピレン(pyrene)、テトラセン(Tetracene)、トリフェニレン(Triphenylene)、アントラセン(Anthracene)、フルオレン(Fluorene)、フェナレン(Phenalene)、フェナントレン(phenanthrene)から選ばれることを特徴とする請求項1記載のMgB2超伝導体の製造方法。
- 前記多環芳香族炭化水素は、常温常圧で固体であり、かつ融点が分解温度よりも低いと共に、前記多環芳香族炭化水素における、炭素原子の数と水素原子の数の比は、C:Hが1:0.5から1:0.8であることを特徴とする請求項1に記載のMgB2超伝導体の製造方法。
- 前記多環芳香族炭化水素の添加量が、MgB2の理論もしくは実験生成量に対して1〜40mol%であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のMgB2超伝導体の製造方法。
- 前記混合物を金属管に充填し、加圧成形して熱処理することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のMgB2超伝導体の製造方法。
- 前記多環芳香族炭化水素で覆われたB粉末とMg棒とを金属管に充填し、加圧成形して熱処理することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のMgB2超伝導体の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載のMgB2超伝導体の製造方法により得られたMgB2超伝導体であって、MgB2コアが1本または複数本あるMgB2線材であることを特徴とするMgB2超伝導体。
- 請求項7に記載のMgB2超伝導体であって、MgB2コアが複数本ある多芯MgB2線材であることを特徴とするMgB2超伝導体。
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