JP2015105942A - 光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】コヒーレント長と反射光量を両立させることが可能となる光源装置を提供する。
【解決手段】一方のミラー155と、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る対向して設けられた他方のミラー143により構成された共振器を備え、共振器内の光増幅媒体153からの光を分散素子151により波長分散させた分散光を、集光光学系150により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引する光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置であって、前記円盤のスリット鏡におけるスリット幅は、前記円盤上に集光される単色スポット径で決定される。
【選択図】図1
【解決手段】一方のミラー155と、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る対向して設けられた他方のミラー143により構成された共振器を備え、共振器内の光増幅媒体153からの光を分散素子151により波長分散させた分散光を、集光光学系150により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引する光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置であって、前記円盤のスリット鏡におけるスリット幅は、前記円盤上に集光される単色スポット径で決定される。
【選択図】図1
Description
本発明は、光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置に関し、特に発振波長(発振周波数)を変化し得る光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置に関するものである。
光干渉トモグラフィー(Optical Coherence Tomography:以下、OCTともいう)は、低コヒーレンス光干渉を用いて検体の断層像を撮像するものである。ミクロンオーダーの空間分解能が得られることや無侵襲性等の理由から医用分野における研究が近年、盛んになってきている撮像技術である。
現在、OCTは、深さ方向の解像度を数ミクロンとし、且つ数mmの深さまで断層像を得ることができ、眼科撮影、皮膚科撮影、歯科撮影等への適用が検討されてきている。
現在、OCTは、深さ方向の解像度を数ミクロンとし、且つ数mmの深さまで断層像を得ることができ、眼科撮影、皮膚科撮影、歯科撮影等への適用が検討されてきている。
波長掃引型(Swept Source Optical Coherence Tomography:SS−OCT)装置は、光源の発振波長(周波数)を時間的に掃引するもので、フーリエ領域(FD)OCTの範疇に入る。
しかし、同じくFDOCTの範疇に入るスペクトル領域(スペクトルドメイン:SD)OCTが干渉光を分光する分光器を必用とするのに対し、分光器を用いないことから光量のロスが少なく高SN比の像取得も期待されている。
上記SS−OCT技術を適用した医用画像撮像装置を構成する場合には、掃引速度が速いほど画像取得時間を短縮でき、また、波長掃引幅が広いほど断層像の深さ空間解像度を高めることが可能なためこれらのパラメータは重要である。
具体的には波長掃引幅Δλ、発振波長λ0、検体の屈折率をnとするとき、深さ分解能δLは、次式(1)で表される。
したがって、深さ分解能を高めるためには波長掃引幅の拡大が必要であり、広帯域な波長掃引光源が求められている。
しかし、同じくFDOCTの範疇に入るスペクトル領域(スペクトルドメイン:SD)OCTが干渉光を分光する分光器を必用とするのに対し、分光器を用いないことから光量のロスが少なく高SN比の像取得も期待されている。
上記SS−OCT技術を適用した医用画像撮像装置を構成する場合には、掃引速度が速いほど画像取得時間を短縮でき、また、波長掃引幅が広いほど断層像の深さ空間解像度を高めることが可能なためこれらのパラメータは重要である。
具体的には波長掃引幅Δλ、発振波長λ0、検体の屈折率をnとするとき、深さ分解能δLは、次式(1)で表される。
一方、SS−OCT装置においては深達長つまり検体の奥深い構造まで検出できること、すなわち長い可干渉距離を実現できることが望まれる。このため、SS−OCT装置の光源の性能としては、発振スペクトル線幅がより狭いほうが望ましい。
具体的には、発振スペクトル線幅をδλ、発振波長λ0、検体の屈折率をnとするとき、可干渉距離(コヒーレント長)Lは、次式(2)で表される。
ちなみに、深達長は可干渉距離Lの1/2倍である。
したがって検体の奥行き方向の測定範囲を広げるためには発振スペクトル線幅の狭小化が必要であり、狭い線幅の波長掃引光源が求められている。
こうした中、早い波長掃引速度と長い可干渉距離と広い波長掃引幅を高い次元で並立可能な波長掃引光源装置として、多面体ミラーを用いて波長掃引するポリゴンミラー方式が特許文献1に示されている。
また、回転円盤に設けたスリット鏡を用いて波長掃引する回転円盤方式の波長掃引光源が特許文献2に開示されている。
具体的には、発振スペクトル線幅をδλ、発振波長λ0、検体の屈折率をnとするとき、可干渉距離(コヒーレント長)Lは、次式(2)で表される。
したがって検体の奥行き方向の測定範囲を広げるためには発振スペクトル線幅の狭小化が必要であり、狭い線幅の波長掃引光源が求められている。
こうした中、早い波長掃引速度と長い可干渉距離と広い波長掃引幅を高い次元で並立可能な波長掃引光源装置として、多面体ミラーを用いて波長掃引するポリゴンミラー方式が特許文献1に示されている。
また、回転円盤に設けたスリット鏡を用いて波長掃引する回転円盤方式の波長掃引光源が特許文献2に開示されている。
図9にポリゴンミラー方式の光源、図10に回転円盤方式の公知の波長掃引光源を示す。ここでは特許文献2に記載した図10で説明する。図10において、332は光線を生成する光増幅媒体でその一方の端面にはエンドリフレクタ331が形成されている。333はコリメートビームを形成する光学系、334は分散素子、335は分散素子で分散した光線をスリット鏡面に集光するための光学系、336はスリット鏡を形成した円板、337は前記円板を回転するためのモータである。
光増幅媒体332で生成された光線は光学系333でコリメートビームに変換されて分散素子334に入射する。分散素子334に入射したコリメートビームは、波長により異なる回折角で回折され、それらの回折光線は集光光学系335で集光され、スリット鏡を形成した円板336上の波長に応じて異なる位置に集光される。これは、波長が連続した単色スポット光が帯状に集光されたもので、ここでは波長分散帯とよぶことにする。この波長分散帯の一部分を、円板上に形成されたスリット鏡が反射することで、分散素子334、集光光学系335、スリット鏡を形成した円板336の組み合わせが、波長選択機構として機能する。スリット鏡を形成した円板336をモータ337で高速に回転する事により、高速な波長掃引が可能となる。
光増幅媒体332で生成された光線は光学系333でコリメートビームに変換されて分散素子334に入射する。分散素子334に入射したコリメートビームは、波長により異なる回折角で回折され、それらの回折光線は集光光学系335で集光され、スリット鏡を形成した円板336上の波長に応じて異なる位置に集光される。これは、波長が連続した単色スポット光が帯状に集光されたもので、ここでは波長分散帯とよぶことにする。この波長分散帯の一部分を、円板上に形成されたスリット鏡が反射することで、分散素子334、集光光学系335、スリット鏡を形成した円板336の組み合わせが、波長選択機構として機能する。スリット鏡を形成した円板336をモータ337で高速に回転する事により、高速な波長掃引が可能となる。
特許文献2に開示された回転円盤方式の波長掃引光源は、速い波長掃引速度と長い可干渉距離(深達長)と高い深さ分解能を高い次元で並立可能である。しかし、この波長掃引光源を実際に医用画像撮像装置に用いる波長掃引光源として利用しようとすると、つぎのような課題を有していることを本発明者らは発見した。
回転円盤方式の回転円盤上のスリット鏡の幅はコヒーレント長を決める重要な要素である。スリット鏡の幅が広いと、反射光エネルギーは大きくなり、光源の強度は強くなるが、スリット鏡で選択する波長幅δλが大きくなるため、式(2)示すように可干渉距離Lは短くなり、深達長が浅くなることがわかった。
一方、スリット鏡の幅が狭いと、コヒーレント長は分散素子で決まる値に限りなく近づくが、スリット鏡からの反射光量が少なくなり、レーザー発振しないのでOCT信号がでないという課題があった。
図5は、横軸にスリット幅、縦軸は左側に深達長(コヒーレント長の1/2)を実線で、右側にスリットミラーで光増幅媒体に返す反射光量を点線で示している。
このようにコヒーレント長と反射光量がバランスしたスリット幅はトレードオフ関係にあることがわかる。したがって、この両者のトレードオフのバランスよいスリット幅を採用することが必要となる。
本発明は、上記課題に鑑み、コヒーレント長と反射光量を両立させることが可能となる光源装置および該光源装置を備えた高画質で高速な断層画像を取得することが可能となる光干渉断層撮像装置の提供を目的とする。
回転円盤方式の回転円盤上のスリット鏡の幅はコヒーレント長を決める重要な要素である。スリット鏡の幅が広いと、反射光エネルギーは大きくなり、光源の強度は強くなるが、スリット鏡で選択する波長幅δλが大きくなるため、式(2)示すように可干渉距離Lは短くなり、深達長が浅くなることがわかった。
一方、スリット鏡の幅が狭いと、コヒーレント長は分散素子で決まる値に限りなく近づくが、スリット鏡からの反射光量が少なくなり、レーザー発振しないのでOCT信号がでないという課題があった。
図5は、横軸にスリット幅、縦軸は左側に深達長(コヒーレント長の1/2)を実線で、右側にスリットミラーで光増幅媒体に返す反射光量を点線で示している。
このようにコヒーレント長と反射光量がバランスしたスリット幅はトレードオフ関係にあることがわかる。したがって、この両者のトレードオフのバランスよいスリット幅を採用することが必要となる。
本発明は、上記課題に鑑み、コヒーレント長と反射光量を両立させることが可能となる光源装置および該光源装置を備えた高画質で高速な断層画像を取得することが可能となる光干渉断層撮像装置の提供を目的とする。
本発明の光源装置は、一方のミラーと、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る前記一方のミラーと対向して設けられた他方のミラーと、により構成された共振器を備え、
前記共振器内の光増幅媒体からの光を分散素子により波長分散させた分散光を、集光光学系により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、
前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引する光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置であって、
前記円盤のスリット鏡におけるスリット幅であるwslitが、前記円盤上に集光される単色スポット径であるωo(FWHM)(半値全幅巾)に対し、次式の関係を満たすことを特徴とする。
また、本発明の光干渉断層撮像装置は、上記した光源装置により構成された光源と、
前記光源からの光を被検査物に照射し、前記被検査物からの反射光を伝達させる測定手段と、
前記光源からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照手段と、
前記測定手段からの反射光と前記参照手段からの反射光とを干渉させる干渉手段と、
前記干渉手段からの干渉光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段で検出された光に基づいて、前記被検査物の断層像を得る画像処理手段と、
を有することを特徴とする。
前記共振器内の光増幅媒体からの光を分散素子により波長分散させた分散光を、集光光学系により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、
前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引する光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置であって、
前記円盤のスリット鏡におけるスリット幅であるwslitが、前記円盤上に集光される単色スポット径であるωo(FWHM)(半値全幅巾)に対し、次式の関係を満たすことを特徴とする。
また、本発明の光干渉断層撮像装置は、上記した光源装置により構成された光源と、
前記光源からの光を被検査物に照射し、前記被検査物からの反射光を伝達させる測定手段と、
前記光源からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照手段と、
前記測定手段からの反射光と前記参照手段からの反射光とを干渉させる干渉手段と、
前記干渉手段からの干渉光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段で検出された光に基づいて、前記被検査物の断層像を得る画像処理手段と、
を有することを特徴とする。
本発明によれば、コヒーレント長と反射光量を両立させることが可能となる光源装置および該光源装置を備えた高画質で高速な断層画像を取得することが可能となる光干渉断層撮像装置を実現することができる。
まず、コヒーレント長と反射光量を両立させるようにした本発明の光干渉断層撮像装置の基本原理について図を用いて説明する。
はじめに、図2を用いて、回折格子151の波長分散機能による波長分散とその波長選択について説明する。
本実施例では図1におけるスリットホイール140が回転することにより、その上にパターニングされているスリットホイール140内に作り込まれた光共振器の一方のミラーであるスリットミラー143が、該回折格子151により分散した波長分散光束158の中からスリットミラー143の位置に対応する特定の波長を選択する。
はじめに、図2を用いて、回折格子151の波長分散機能による波長分散とその波長選択について説明する。
本実施例では図1におけるスリットホイール140が回転することにより、その上にパターニングされているスリットホイール140内に作り込まれた光共振器の一方のミラーであるスリットミラー143が、該回折格子151により分散した波長分散光束158の中からスリットミラー143の位置に対応する特定の波長を選択する。
スリットミラーで選択された波長光束は反射して、集光レンズ150、回折格子151、コリメータレンズ1(152)を経てもどり、光利得媒体153により増幅される。
その光束は、さらに進んで、コリメータレンズ2(154)を経てとおりミラー共振器2(155)に到達する。ここで光束は反射してこれまでと逆に進み、光利得媒体153側に再びもどる。
以上を繰り返すことにより、共振器1(スリットミラー143)とハーフミラー155で構成される光共振器2の間を光束が往復してレーザーは発振する。
その光束は、さらに進んで、コリメータレンズ2(154)を経てとおりミラー共振器2(155)に到達する。ここで光束は反射してこれまでと逆に進み、光利得媒体153側に再びもどる。
以上を繰り返すことにより、共振器1(スリットミラー143)とハーフミラー155で構成される光共振器2の間を光束が往復してレーザーは発振する。
つぎに、スリットミラー143(スピンドル軸142を介してスピンドルモーター141に接続)の位置が動くと、動いた位置での波長が選択され、その波長で同様にレーザー発振する。
このように、ホイール上のスリットミラー143が回転し、スリットが移動することにより、波長掃引したレーザー発振となる。
図3は、図2で示した3波長の光束の内、基準となる単波長の光束の集光状態を表す。集光レンズ150、この集光レンズ150に入射する光束163、集光されたスポット173が示されている。入射光束径をω(FWHM)、集光レンズの焦点距離をfとし、スポット径172をωo(FWHM)とすると、次式(3)で表される。
ここで、スポット形状はガウス分布すると仮定しスポット径ω(FWHM)、ωo(FWHM)はピーク強度の1/2レベルにおける直径とする。OCTで表現しているスペクトルδλやΔλは半値全幅巾(FWHM)である。
このように、ホイール上のスリットミラー143が回転し、スリットが移動することにより、波長掃引したレーザー発振となる。
図3は、図2で示した3波長の光束の内、基準となる単波長の光束の集光状態を表す。集光レンズ150、この集光レンズ150に入射する光束163、集光されたスポット173が示されている。入射光束径をω(FWHM)、集光レンズの焦点距離をfとし、スポット径172をωo(FWHM)とすると、次式(3)で表される。
図4の左側の拡大図は、回転円盤方式の今回の発明の重要な要素を実施例図1から抜き出した図である。光増幅媒体153、光束を可干渉距離に対応した幅に広げるコリメータレンズ152、波長を分散させる回折格子151、回転円盤140とその上のスリット鏡143、波長分散帯158の関係を図示している。図2の右側は、その集光部分の拡大図である。スリット鏡143と波長分散帯158およびその波長分散帯158を構成する単色スポット173の関係を示している。
図6は、回転円盤上のスポット径とスリット幅によるスペクトルとそれらのコヒーレント関数の関係を表したものである。
図6の上段(I)は、スペクトル関数を示したもので、横軸は波数で、波長との関係は
、次式(4)で示される。
(a)は回折格子フィルター関数、(b)はスリットフィルター関数、(c)は総合フィルター関数として前記2項(a)、(b)をコンボリューションしたものである。
図6は、回転円盤上のスポット径とスリット幅によるスペクトルとそれらのコヒーレント関数の関係を表したものである。
図6の上段(I)は、スペクトル関数を示したもので、横軸は波数で、波長との関係は
、次式(4)で示される。
図6の下段(II)は、コヒーレント関数を示したもので、横軸は実座標xである。上段の(a)、(b)、(c)のそれぞれのフーリエ変換に対応する。この場合(c)は(a)、(b)の積として表される。
具体的に式で示すと、つぎのとおりである。
格子フィルター関数Fgf(k)は半値幅δkgfのガウシアン形状であるとすると、次式(5)で表される。
ここで、δkgfは回折格子フィルターのフィルター幅であり、波長分解能にあたる。
具体的に式で示すと、つぎのとおりである。
格子フィルター関数Fgf(k)は半値幅δkgfのガウシアン形状であるとすると、次式(5)で表される。
この回折格子フィルターのフーリエ変換は、回折格子フィルターのコヒーレント関数Cgf(x)である。
これは、次式(6)で表される。
このCgf(x)が1/2の値になるxを、回折格子フィルターのコヒレント長CLgfと呼ぶ。式(6)から、次式(7)が導かれる。
これは、次式(6)で表される。
一方、スリットフィルター関数は、次式(8)で表される。
ここでδkslitは、スリットフィルター幅を波数空間で表したものである。
このフーリエ変換は、スリットのコヒーレント関数Cslitと呼び次式(9)で表される。
ここで注目することは、スリットコヒーレント関数Cslit(x)はsinc関数であるので、値が0になるxがある。このxをゼロクロス点ZLslitと呼ぶ。
このフーリエ変換は、スリットのコヒーレント関数Cslitと呼び次式(9)で表される。
この最初のゼロクロス点ZLslitはsinc関数の( )内がπの時であるから、式(9)より次式(10)のように示される。
この(10)式からわかるように、スリット幅に対応するスリットフィルター関数幅
δkslitが大きいとゼロクロス長ZLslitが短くなる。
δkslitが大きいとゼロクロス長ZLslitが短くなる。
ここで、回折格子フィルター関数とスリットフィルター関数が合成された総合フィルタ関数は上段(c)に表されるように、この二つのコンボリューションとして
、次式(11)で表される。
これは、実空間xの総合コヒーレント関数は、以下のように、回折格子とスリットのコヒーレント関数の積として、次式(12)で表される。
、次式(11)で表される。
(12)式は、本回転円盤方式の総合コヒーレント関数である。
この(12)式から、総合コヒーレント関数は、スリットコヒーレント関数Cslitがゼロになるゼロクロス点ZLslitで一緒に0になることがわかる。つまり本回転円盤方式の深達長は、スリットコヒーレント関数のゼロクロス点までとなる。もちろん、この場合コントラスト回復やSN低減などの画像処理をする必要があることはいうまでもない。
このように、回転円盤方式波長掃引光源では、スリット幅がコヒーレント長(深達長)を短く(浅く)していることが課題であった。
この(12)式から、総合コヒーレント関数は、スリットコヒーレント関数Cslitがゼロになるゼロクロス点ZLslitで一緒に0になることがわかる。つまり本回転円盤方式の深達長は、スリットコヒーレント関数のゼロクロス点までとなる。もちろん、この場合コントラスト回復やSN低減などの画像処理をする必要があることはいうまでもない。
このように、回転円盤方式波長掃引光源では、スリット幅がコヒーレント長(深達長)を短く(浅く)していることが課題であった。
一方スリット幅ゼロの時のコヒーレント長は、(7)式で示すように回折格子のコヒーレント関数の1/2の値になる長さであるCLgfを性能の基準とすることがこのOCT
業界では通用している。
そこで図7に示すように、このCLgfを実現するためには、スリットコヒーレント関数Cslitのゼロクロス長ZLslitは、次式(13)の関係が必要であることがわかった。
これは、(7)式、(10)式から、次式(14)のようになることがわかった。
業界では通用している。
そこで図7に示すように、このCLgfを実現するためには、スリットコヒーレント関数Cslitのゼロクロス長ZLslitは、次式(13)の関係が必要であることがわかった。
ここで、波数幅δkと波長幅δλの関係(4)式より、次式(15)のようになる。
また、回転円盤上の回折格子フィルターのスペクトルδλgf、スリット鏡で反射される波長帯域δλslitは、次式(16)、(17)のように表される。
ここに、ωo(FWHM)は回転円盤上のスポット径(FWHM)、Wslitは回転円盤上のスリットミラーの幅、Nは回折格子の溝本数密度、ffは集光レンズの焦点距離、βは光束の回折格子からの出射角である。
また、スリット幅の最少幅は、スポット径ωo(FWHM)の1/2が反射光量から好ましいことがガウシアン分布した光束の解析により解っている。
以上より、(14)式は、(15)、(16)、(17)式を用いて、次式(18)のようになる。
このように(18)式の範囲のスリット幅のスリット鏡を用いて、反射光量と深達長が両立できることがわかる。
その際、スリット幅wslitを、以下の範囲とするのが望ましい。
0.3μm<=wslit<=5μm
以上より、(14)式は、(15)、(16)、(17)式を用いて、次式(18)のようになる。
その際、スリット幅wslitを、以下の範囲とするのが望ましい。
0.3μm<=wslit<=5μm
以下、図を参照しながら本実施形態における光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置について説明する。
図1は、本実施形態における光干渉断層撮像装置(OCT装置)の一例を示す模式図である。
本実施形態の光源装置は、一方のミラーと、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る前記一方のミラーと対向して設けられた他方のミラーと、により構成された共振器を備える。
そして、前記共振器内の光増幅媒体からの光を分散素子により波長分散させた分散光を、集光光学系により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引するように構成されている。
具体的には、図1に示すように、光源部101は、周期的に光の発振波長が変化する波長掃引光源を備えて構成されている。
図1の光源部101を構成する波長掃引光源は、光共振器を構成するハーフミラー155と、スリット鏡143と、の内側に光利得媒体153と、光利得媒体153より放出される光に波長に応じて角度分散を与える分散素子としての回折格子151と、を挟持して構成されている。
スリット鏡143は、回転可能な円盤140の回転中心から等距離の円周上に、複数配置され、回転する機構を有する波長選択素子を構成している。
光源部101は、光ファイバー110を介して光源部101より射出された光を検体114への照射光と、参照光に分岐すると共に、検体114からの反射光と、参照光と、の干渉光を発生させる干渉光学系115に接続されている。
干渉光学系115は、光カップラー103を介して、光ファイバー105、光走査用ミラー107、集光レンズ106等で構成された測定部116と、光ファイバ105’、反射ミラー104等で構成され参照用に光を照射する参照部117と、が接続されている。光カップラー103内で検体114からの反射光と、参照光と、の干渉光が発生する。
図1は、本実施形態における光干渉断層撮像装置(OCT装置)の一例を示す模式図である。
本実施形態の光源装置は、一方のミラーと、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る前記一方のミラーと対向して設けられた他方のミラーと、により構成された共振器を備える。
そして、前記共振器内の光増幅媒体からの光を分散素子により波長分散させた分散光を、集光光学系により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引するように構成されている。
具体的には、図1に示すように、光源部101は、周期的に光の発振波長が変化する波長掃引光源を備えて構成されている。
図1の光源部101を構成する波長掃引光源は、光共振器を構成するハーフミラー155と、スリット鏡143と、の内側に光利得媒体153と、光利得媒体153より放出される光に波長に応じて角度分散を与える分散素子としての回折格子151と、を挟持して構成されている。
スリット鏡143は、回転可能な円盤140の回転中心から等距離の円周上に、複数配置され、回転する機構を有する波長選択素子を構成している。
光源部101は、光ファイバー110を介して光源部101より射出された光を検体114への照射光と、参照光に分岐すると共に、検体114からの反射光と、参照光と、の干渉光を発生させる干渉光学系115に接続されている。
干渉光学系115は、光カップラー103を介して、光ファイバー105、光走査用ミラー107、集光レンズ106等で構成された測定部116と、光ファイバ105’、反射ミラー104等で構成され参照用に光を照射する参照部117と、が接続されている。光カップラー103内で検体114からの反射光と、参照光と、の干渉光が発生する。
図1において118は、光ファイバー119、光検出器109等で構成される光検出部であり、干渉部を構成する光カップラ103に接続され、測定部116と参照部117により生成される光断層画像となる干渉信号を検出する。
102は、光検出部118で検出される干渉信号を、フーリエ変換して測定物114の断層画像を得るための信号処理を行なう信号処理部である。つまり、光検出部で検出された干渉信号の強度に基づいて、検体の断層像を得る演算処理部である。
信号処理部は一般的にはパーソナルコンピュータ(PC)等のコンピュータで構成される。113は、信号処理部で構成された断層画像を表示するための表示装置であり、PC用のディスプレイ等で構成される。
102は、光検出部118で検出される干渉信号を、フーリエ変換して測定物114の断層画像を得るための信号処理を行なう信号処理部である。つまり、光検出部で検出された干渉信号の強度に基づいて、検体の断層像を得る演算処理部である。
信号処理部は一般的にはパーソナルコンピュータ(PC)等のコンピュータで構成される。113は、信号処理部で構成された断層画像を表示するための表示装置であり、PC用のディスプレイ等で構成される。
光断層画像の元となる干渉信号は、等速度な回転機構141による波長掃引により時間的に等間隔なサンプリングで取得される。
この一連の波長掃引干渉信号の波長を特定するために、トリガー信号が用いられる。
159はトリガー信号を作り出す光源、160は光束を集光して回転円盤上のパターンに照射する集光レンズ、162は光ディテクターであり、反射部材である143の通過によりON/OFF信号が検出されトリガー信号となる。
このトリガー信号は、1波長掃引毎に1回出力し、そのタイミングを、光断層画像干渉信号のサンプリングと共に記憶機能部位132により記憶される。
そして、回転機構141による予め設定されている回転速度と、該トリガーのタイミングにより、スリット鏡の回転角φをもとめ、このφによりサンプリングされた光周波数に換算する。
なお、トリガーパターン位置は、本例では、回転円盤上のパターンをスリット鏡列143のトラックを共用している。
スリット鏡列は、等角度間隔でホイール上を配置してあるので、波長掃引中のスリットでトリガーを出す必要は必ずしもなく、図1のように、機械的に干渉しない位置に波長分散光束158に位置とは離してトリガー光学系を配置してもよい。
また別途トラックを変えたところにトリガー用のパターンが配置してあってもよい。さらには、この場合は、回転円盤140が等速回転しているので、円盤が1回転するごとに1回トリガー信号を出すようにしてもよい。
この一連の波長掃引干渉信号の波長を特定するために、トリガー信号が用いられる。
159はトリガー信号を作り出す光源、160は光束を集光して回転円盤上のパターンに照射する集光レンズ、162は光ディテクターであり、反射部材である143の通過によりON/OFF信号が検出されトリガー信号となる。
このトリガー信号は、1波長掃引毎に1回出力し、そのタイミングを、光断層画像干渉信号のサンプリングと共に記憶機能部位132により記憶される。
そして、回転機構141による予め設定されている回転速度と、該トリガーのタイミングにより、スリット鏡の回転角φをもとめ、このφによりサンプリングされた光周波数に換算する。
なお、トリガーパターン位置は、本例では、回転円盤上のパターンをスリット鏡列143のトラックを共用している。
スリット鏡列は、等角度間隔でホイール上を配置してあるので、波長掃引中のスリットでトリガーを出す必要は必ずしもなく、図1のように、機械的に干渉しない位置に波長分散光束158に位置とは離してトリガー光学系を配置してもよい。
また別途トラックを変えたところにトリガー用のパターンが配置してあってもよい。さらには、この場合は、回転円盤140が等速回転しているので、円盤が1回転するごとに1回トリガー信号を出すようにしてもよい。
図1に示した光源部101の他の構成要素について以下、簡単に説明する。
半導体光増幅素子等で構成される光利得媒体153の両側にはコリメータレンズ152と154とが夫々配され、コリメータレンズ152を経た光束は、回折格子151及び集光レンズ150を経て回転円盤140上に入射し、波長分散光束158を構成する。
一方、コリメータレンズ154を経た光束は、ハーフミラー155よりレーザー光として射出され、カップリングレンズ156を介してファイバー端子157より光ファイバー内に導波される。
図1に示した光干渉断層撮像装置において、112は信号処理部102に接続された制御装置であり、この制御装置によりモーター141に接続されたドライバーや測定部116内の2次元走査用ミラー107を駆動するためのドライバーが制御される。本願発明において、演算処理部は、パーソナルコンピュータ等の演算処理部で構成できる。
半導体光増幅素子等で構成される光利得媒体153の両側にはコリメータレンズ152と154とが夫々配され、コリメータレンズ152を経た光束は、回折格子151及び集光レンズ150を経て回転円盤140上に入射し、波長分散光束158を構成する。
一方、コリメータレンズ154を経た光束は、ハーフミラー155よりレーザー光として射出され、カップリングレンズ156を介してファイバー端子157より光ファイバー内に導波される。
図1に示した光干渉断層撮像装置において、112は信号処理部102に接続された制御装置であり、この制御装置によりモーター141に接続されたドライバーや測定部116内の2次元走査用ミラー107を駆動するためのドライバーが制御される。本願発明において、演算処理部は、パーソナルコンピュータ等の演算処理部で構成できる。
より具体的には、半導体素子を集積化した集積回路を用いて構成することができ、IC、LSI、システムLSI、マイクロ処理ユニット(MPU)、中央演算装置(CPU)等で構成することができる。
本発明において、光を放出する光増幅媒体としては、例えば、半導体レーザを構成する活性層や、半導体光増幅器(SOA(Semiconductor Optical Amplifier))を構成する活性層、エルビウムやネオジウム等を含有する希土類添加(イオンドープ)光ファイバー、光ファイバー中に色素を添加して色素により増幅を行うもの等を用いることができる。
半導体レーザーや半導体光増幅器を構成する活性層は、一般的な半導体レーザを構成する化合物半導体等を用いることができ、具体的にはInGaAs系、InAsP系、GaAlSb系、GaAsP系、AlGaAs系、GaN系等の化合物半導体を挙げることができる。これらの活性層は、利得の中心波長が、例えば、840nm、1060nm、1150nm、1300nm、1550nm等の中から光源の用途等に応じて適宜、選択して採用することができる。
本発明において、光増幅媒体より放出される光に波長に応じて角度分散を与える分散素子は、回折格子(透過型,反射型)、プリズム、さらには回折格子とプリズムを合体させたもの等を採用することができる。
本発明において、光を放出する光増幅媒体としては、例えば、半導体レーザを構成する活性層や、半導体光増幅器(SOA(Semiconductor Optical Amplifier))を構成する活性層、エルビウムやネオジウム等を含有する希土類添加(イオンドープ)光ファイバー、光ファイバー中に色素を添加して色素により増幅を行うもの等を用いることができる。
半導体レーザーや半導体光増幅器を構成する活性層は、一般的な半導体レーザを構成する化合物半導体等を用いることができ、具体的にはInGaAs系、InAsP系、GaAlSb系、GaAsP系、AlGaAs系、GaN系等の化合物半導体を挙げることができる。これらの活性層は、利得の中心波長が、例えば、840nm、1060nm、1150nm、1300nm、1550nm等の中から光源の用途等に応じて適宜、選択して採用することができる。
本発明において、光増幅媒体より放出される光に波長に応じて角度分散を与える分散素子は、回折格子(透過型,反射型)、プリズム、さらには回折格子とプリズムを合体させたもの等を採用することができる。
回転円盤上のスリット幅Wslitは、(18)式に示すように、スポット径をωo(FWHM)の関係は、次式(19)の範囲とすることにより、回折格子で決まるコヒーレント以上の深達長でSNよい光干渉断層撮像を取得することができる。
また、モータの軸ブレによる回転円盤の面ブレ振幅が大きくて7μm程度ある。そこで深達長の一様性を抑えるためには、スポット径ωo(FWHM)は、2.1μm程度が最適であることがわかっている。また、下限は、やはり面ブレ振幅の最小値が、機械的精度から1μmあり、このことから、スポット径の下限は0.6μmとなることもわかっている。
このことから、回転円盤上のスリット幅Wslitは、次式(20)の条件を満たすことが重要である。
このことから、回転円盤上のスリット幅Wslitは、次式(20)の条件を満たすことが重要である。
以下、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
実施例1として、本発明の光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置の構成例について説明する。
まず、図1に於ける、光源部101を構成する周波数掃引光源の原理について説明する。はじめに、回折格子151の波長分散機能による波長分散とその波長選択を説明する。
本実施例では図1における回転円盤140が回転することにより、回転円盤140内に作り込まれた光共振器の一方のミラーであるスリット鏡143が、回折格子151により分散した波長分散光束158の中からスリット鏡143の位置に対応する特定の波長を選択する。
[実施例1]
実施例1として、本発明の光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置の構成例について説明する。
まず、図1に於ける、光源部101を構成する周波数掃引光源の原理について説明する。はじめに、回折格子151の波長分散機能による波長分散とその波長選択を説明する。
本実施例では図1における回転円盤140が回転することにより、回転円盤140内に作り込まれた光共振器の一方のミラーであるスリット鏡143が、回折格子151により分散した波長分散光束158の中からスリット鏡143の位置に対応する特定の波長を選択する。
スリット鏡で選択された波長光束は反射して、集光レンズ150、回折格子151、コリメータレンズ152を経てもどり、光利得媒体153により増幅される。
その光束は、さらに進んで、コリメータレンズ154を経てミラー共振器155に到達する。ここで光束は反射してこれまでと逆に進み、光利得媒体153側に再びもどる。
以上を繰り返すことにより、スリット鏡143とハーフミラー155で構成される光共振器の間を光束が往復してレーザーは発振する。
つぎにスリット鏡143(スピンドル軸142を介してスピンドルモーター141に接続)の位置が動くと、動いた位置での波長が選択され、その波長で同様にレーザー発振する。
その光束は、さらに進んで、コリメータレンズ154を経てミラー共振器155に到達する。ここで光束は反射してこれまでと逆に進み、光利得媒体153側に再びもどる。
以上を繰り返すことにより、スリット鏡143とハーフミラー155で構成される光共振器の間を光束が往復してレーザーは発振する。
つぎにスリット鏡143(スピンドル軸142を介してスピンドルモーター141に接続)の位置が動くと、動いた位置での波長が選択され、その波長で同様にレーザー発振する。
このように、ホイール上のスリット鏡143が回転し、スリット鏡が移動することにより、波長掃引したレーザー発振となる。
次に、波長分散光束158の波長分布について述べる。
一方、波長分散光束158は、回折の原理により、次式(21)の関係が知られている。
ここで、αは回折格子への入射角、βは出射角である。
角度は、回折格子の法線から反時計回りが正、時計回りが負である。Nは回折格子の溝本数密度で格子ピッチの逆数である。mは回折次数で、±1、±2・・・となる。ここではm=+1とする。
次に、波長分散光束158の波長分布について述べる。
一方、波長分散光束158は、回折の原理により、次式(21)の関係が知られている。
角度は、回折格子の法線から反時計回りが正、時計回りが負である。Nは回折格子の溝本数密度で格子ピッチの逆数である。mは回折次数で、±1、±2・・・となる。ここではm=+1とする。
基準波長λoの時の入射角αを、ブラッグ回折角(α=−β)として固定すると、波長λoの時の入射角αは、次式(22)で示される。
。
また、波長λの時の出射角βは、以下の次式(23)で表される。
。
基準波長λoに対する波長λの出射角の差をΔβとすると、次式(24)となることが理解される。
いま集光レンズ150の焦点距離をf fとすると、回転円盤上の波長分散光束の波長λと位置Dλとの関係は、基準とする所定の波長λoが入射(落射)する位置を原点とすると、次式(25)で表される。
つぎに回転円盤上に入射(落射)した波長分散光束は、スリット鏡143が等速で移動するので、波長分散光束158を等間隔で波長選択をしていくことになる。
一方、回転円盤上のスリット鏡143の、回転角φと波長分散光束の関係は、次式(26)となる。
ここで、基準波長の入射(落射)位置を回転角φの原点にしている。
ところで、波長掃引は短波長から長波長に掃引する方が逆に掃引する場合に比して光出力が強いことが知られている。そこで、回転角の符号は基準波長に対し短波長は負、長波長側は正とすると、
式(25)と式(26)を用いて、次式(27)となる。
式(25)と式(26)を用いて、次式(27)となる。
この式(27)から光周波数は、次式(28)が導かれる。
しかし、前述したように、光干渉信号からフーリエ変換して、光断層像(断層画像)を得るためには、等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号が必要になる。
したがって、等回転間隔、つまり等時間間隔でサンプリングした光干渉信号を、等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号にする必要がある。
そのために、等回転間隔(等時間間隔)によるサンプリングされた光干渉信号を一旦、記憶装置132に記憶する。そして、この等回転間隔から決定される回転角φを、(13)式により光周波数に変換する。これにより、不等間隔ではあるが光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号を得る。次に、上記の不等間隔な光周波数でサンプリングした光干渉信号から、等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号データ列を生成する。
これはデータ補間によって求める。サンプリングしたい光周波数の光干渉信号データ列は、その光周波数を挟む、上述した不等間隔な光周波数でサンプリングした光干渉信号データに基づき、補間により求められる。
この処理機能部位により等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号データ列が得られる。このようにして得られた光干渉信号データ列をフーリエ変換して、光断層像(断層画像)を得ることができる。
したがって、等回転間隔、つまり等時間間隔でサンプリングした光干渉信号を、等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号にする必要がある。
そのために、等回転間隔(等時間間隔)によるサンプリングされた光干渉信号を一旦、記憶装置132に記憶する。そして、この等回転間隔から決定される回転角φを、(13)式により光周波数に変換する。これにより、不等間隔ではあるが光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号を得る。次に、上記の不等間隔な光周波数でサンプリングした光干渉信号から、等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号データ列を生成する。
これはデータ補間によって求める。サンプリングしたい光周波数の光干渉信号データ列は、その光周波数を挟む、上述した不等間隔な光周波数でサンプリングした光干渉信号データに基づき、補間により求められる。
この処理機能部位により等光周波数間隔でサンプリングした光干渉信号データ列が得られる。このようにして得られた光干渉信号データ列をフーリエ変換して、光断層像(断層画像)を得ることができる。
以上の実施形態に於いて、本発明のポイントは、回転円盤上のスリット幅を定めることにある。これを具体例で示す。
掃引の中心波長を1.32μm、必要なコヒーレント長をL=4mm、必要深さ分解能をδL=10μmとし、回折格子の格子密度N=900本/mm、β=36.4°、集光レンズの焦点距離ff =9mm、とすると、
δλgfは(2)式を変形すると、次式(29)となる。
この式(29)より、次式(30)を導くことができる。
ただし、ここではn=1としている。
次に、単色スポット径ωo(FWHM)を求めるために、(16)式を変形すると、次式(31)となる。
これにより、次式(32)を求めることができる。
従ってスリット幅における、回折格子のコヒーレント長が回復可能な幅は、(18)式より、次式(33)となる。
掃引の中心波長を1.32μm、必要なコヒーレント長をL=4mm、必要深さ分解能をδL=10μmとし、回折格子の格子密度N=900本/mm、β=36.4°、集光レンズの焦点距離ff =9mm、とすると、
δλgfは(2)式を変形すると、次式(29)となる。
次に、単色スポット径ωo(FWHM)を求めるために、(16)式を変形すると、次式(31)となる。
次に、掃引速度を考察する。
ここでδL=10μmなので、深さ分解能の式(1)より、掃引波長幅Δλは、次式(34)となる。
この(34)式のΔλと(30)式のδλおよび(32)式の単色スポット径ωo(FWHM)から、図4の波長分散幅171は、次式(35)となる。
(数35)
波長分散幅=774μm・・・(35)
ここで、回転円盤140の直径を3インチとしモーター142の回転速度を60000回転/分とすると、周速は239m/sとなり、次式(36)が実現できる。
(数36)
掃引速度=309kHz・・・(36)
また、このときのコリメータレンズ152の焦点距離fcを、次式(37)からもとめる。
ここでδL=10μmなので、深さ分解能の式(1)より、掃引波長幅Δλは、次式(34)となる。
(数35)
波長分散幅=774μm・・・(35)
ここで、回転円盤140の直径を3インチとしモーター142の回転速度を60000回転/分とすると、周速は239m/sとなり、次式(36)が実現できる。
(数36)
掃引速度=309kHz・・・(36)
また、このときのコリメータレンズ152の焦点距離fcを、次式(37)からもとめる。
光増幅媒体の活性層に垂直方向の出射角は30°(FWHM)が一般的であるので、この時のNA(FWHM)=0.26となる。
さらに、光束径ω(FWHM)は(3)式より、ω(FWHM)=2.72mmとなり、このことから、fcは、次式(38)となる。
さらに、光束径ω(FWHM)は(3)式より、ω(FWHM)=2.72mmとなり、このことから、fcは、次式(38)となる。
以上に記した光学素子(コリメータレンズfc=5.25mm、回折格子N=900本/mm、集光レンズff =9mm)を用い、スリット幅Wslitを、次式(39)とすることにより、コヒーレント長L=4mmの回転円盤方式のOCT波長掃引を実現できる。
[実施例2]
実施例2として、本発明の波長挿引光源装置を備えた光干渉断層撮像装置(OCT)の構成例について説明する。
OCTは、一方のアーム(測定部)において得られる光軸方向に複数の界面を有する検体(被検査物)からの反射光と、他方のアーム(参照部)において得られる参照面からの反射光と、を干渉させる。
そして、光源の波長を挿引することにより得られる変調干渉信号をフーリエ変換して、断層像を得るように構成されている。本実施例では、この断層像のフィルター関数を、スリット幅のフィルター関数でデコンボリューションすることにより、高画質な断層画像を取得する構成を採ることができる。
図8は、本発明のOCT装置の一例を示す模式図である。
図8において1482は本発明の波長挿引光源装置を用いた光源部、1486は検体である眼を構成する眼底の網膜を示す。1490は眼底を走査するためのミラーであり、検体1486からの反射光を伝達させる光ファイバー1485と共に検体測定部を構成する。
1488は参照ミラーであり、参照ミラーからの反射光を伝達させる光ファイバー1487と共に参照部を構成する。
1484は検体測定部からの反射光(光束)と参照部からの反射光(光束)を合波して干渉部を構成するファイバーカップラーである。1495は干渉部からの干渉光(変調干渉信号)を検出する光検出部としての光電変換素子である。
1496は電気的に検出した信号をデジタル化し、フーリエ変換などのデータ処理を行い、検体の断層画像を構築する画像処理部としてのコンピュータである。つまり、光検出部で検出された光に基づいて断層像が得られる。1497はその断層像を可視化するディスプレーである。
実施例2として、本発明の波長挿引光源装置を備えた光干渉断層撮像装置(OCT)の構成例について説明する。
OCTは、一方のアーム(測定部)において得られる光軸方向に複数の界面を有する検体(被検査物)からの反射光と、他方のアーム(参照部)において得られる参照面からの反射光と、を干渉させる。
そして、光源の波長を挿引することにより得られる変調干渉信号をフーリエ変換して、断層像を得るように構成されている。本実施例では、この断層像のフィルター関数を、スリット幅のフィルター関数でデコンボリューションすることにより、高画質な断層画像を取得する構成を採ることができる。
図8は、本発明のOCT装置の一例を示す模式図である。
図8において1482は本発明の波長挿引光源装置を用いた光源部、1486は検体である眼を構成する眼底の網膜を示す。1490は眼底を走査するためのミラーであり、検体1486からの反射光を伝達させる光ファイバー1485と共に検体測定部を構成する。
1488は参照ミラーであり、参照ミラーからの反射光を伝達させる光ファイバー1487と共に参照部を構成する。
1484は検体測定部からの反射光(光束)と参照部からの反射光(光束)を合波して干渉部を構成するファイバーカップラーである。1495は干渉部からの干渉光(変調干渉信号)を検出する光検出部としての光電変換素子である。
1496は電気的に検出した信号をデジタル化し、フーリエ変換などのデータ処理を行い、検体の断層画像を構築する画像処理部としてのコンピュータである。つまり、光検出部で検出された光に基づいて断層像が得られる。1497はその断層像を可視化するディスプレーである。
光源部1482より出射された光束は、ファイバー1483を通り、カップラー1484で2方向に分岐する。
分岐した一方の光束は、ファイバー1485を通り、検体である眼の網膜を照射する。そして反射光が同様にファイバー1485を再び通りファイバーカップラ1484に戻る。
分岐した他方の光束はファイバー1487を通り参照ミラー1488を照射する。この反射光はファイバー1487を再び通りファイバーカップラー1484に戻る。
カップラー1484で被検面からの反射光と参照面からの反射光が干渉した後、ファイバー1494を通って光電変換素子1495に入る。
このとき光源部1482より出射される光の波長を示すλ1からλ2式まで変化させると、前述のように断層構造に応じた変調干渉信号が得られる。
分岐した一方の光束は、ファイバー1485を通り、検体である眼の網膜を照射する。そして反射光が同様にファイバー1485を再び通りファイバーカップラ1484に戻る。
分岐した他方の光束はファイバー1487を通り参照ミラー1488を照射する。この反射光はファイバー1487を再び通りファイバーカップラー1484に戻る。
カップラー1484で被検面からの反射光と参照面からの反射光が干渉した後、ファイバー1494を通って光電変換素子1495に入る。
このとき光源部1482より出射される光の波長を示すλ1からλ2式まで変化させると、前述のように断層構造に応じた変調干渉信号が得られる。
この信号をデジタル化しコンピュータ116でフーリエ変換することにより断層信号が得られる。これはポイントとしての断層信号なので、ミラー110を走査して一次元方向の断層信号を測定し、ディスプレー1497により可視化することにより光断層像が得られる。
ここで光源部1482を実施例1で示した光源装置で構成したものとして、空間変調器の画素数と画素ピッチについて述べる。
OCT装置における検体の深さ方向の分解能と検出幅は光源スペクトルの波長挿引幅とスペクトル幅に依存することは前述した通りであり、(2)式のLが深さ方向の検出幅であり、(12)式が検出分解能となる。
挿引波長のサンプリング間隔ΔλとOCTによって検出可能な被検体の厚み方向(光軸方向)最大幅Lは(2)式に示した通りである。
ここで光源部1482を実施例1で示した光源装置で構成したものとして、空間変調器の画素数と画素ピッチについて述べる。
OCT装置における検体の深さ方向の分解能と検出幅は光源スペクトルの波長挿引幅とスペクトル幅に依存することは前述した通りであり、(2)式のLが深さ方向の検出幅であり、(12)式が検出分解能となる。
挿引波長のサンプリング間隔ΔλとOCTによって検出可能な被検体の厚み方向(光軸方向)最大幅Lは(2)式に示した通りである。
実施例1の光源装置は、短波長端と長波長端の幅Δは、Δ=4.6mmであり、λ1−λ2=0.12μmである。
Δ=4.6mmを光源装置を構成する空間変調器により1000分割するとΔλ=0.12nmとなり、本式に従うと、検出可能な被検体の厚み方向(光軸方向)最大幅はL=11mmとなる。
また、このときの検出可能な検体の厚み方向(光軸方向)の分解能δLは(1)式より、δL=5.5μmとなる。
画素数1000個、画素ピッチ4.6μmの空間変調器を光源装置に用いることにより、被検深さ11mm、分解能5.5μmのOCT装置が構成できる。
本発明による光源装置により挿引速度が100KHz以上のため高速に光断層像が検出できまた検出深さ幅が広く深さ方向の検出分解能が高いOCT装置を提供できる。
尚、本発明のOCT装置は、実施例で示した光源装置を光源部に用いたものは、勿論、本発明の光源装置を光源部に用いたものを包含する。
Δ=4.6mmを光源装置を構成する空間変調器により1000分割するとΔλ=0.12nmとなり、本式に従うと、検出可能な被検体の厚み方向(光軸方向)最大幅はL=11mmとなる。
また、このときの検出可能な検体の厚み方向(光軸方向)の分解能δLは(1)式より、δL=5.5μmとなる。
画素数1000個、画素ピッチ4.6μmの空間変調器を光源装置に用いることにより、被検深さ11mm、分解能5.5μmのOCT装置が構成できる。
本発明による光源装置により挿引速度が100KHz以上のため高速に光断層像が検出できまた検出深さ幅が広く深さ方向の検出分解能が高いOCT装置を提供できる。
尚、本発明のOCT装置は、実施例で示した光源装置を光源部に用いたものは、勿論、本発明の光源装置を光源部に用いたものを包含する。
101:光源部
102:演算処理部
114:検体
115:干渉光学系
118:光検出部
143:スリット鏡
151:分散素子
153:光増幅媒体
155:ハーフミラー
102:演算処理部
114:検体
115:干渉光学系
118:光検出部
143:スリット鏡
151:分散素子
153:光増幅媒体
155:ハーフミラー
Claims (6)
- 一方のミラーと、円盤の円周上に等間隔に配置したスリット鏡から成る前記一方のミラーと対向して設けられた他方のミラーと、により構成された共振器を備え、
前記共振器内の光増幅媒体からの光を分散素子により波長分散させた分散光を、集光光学系により前記円盤のスリット鏡が形成された面上に集光させて該スリット鏡により波長選択し、
前記波長選択された波長を前記円盤を回転させて波長掃引する光干渉断層撮像装置に用いられる光源装置であって、
前記円盤のスリット鏡におけるスリット幅であるwslitが、前記円盤上に集光される単色スポット径であるωo(FWHM)(半値全幅巾)に対し、次式の関係を満たすことを特徴とする光源装置。
- 前記wslitが、以下の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
0.3μm<=wslit<=5μm
- 前記光増幅媒体は、半導体レーザを構成する活性層、半導体光増幅器を構成する活性層、エルビウムやネオジウムを含有する希土類添加(イオンドープ)光ファイバー、または光ファイバー中に色素を添加して色素により増幅を行う光増幅媒体、のいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光源装置。
- 前記分散素子は、透過型または反射型の回折格子、プリズム、または回折格子とプリズムを合体させた光学素子、のいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光源装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光源装置により構成された光源と、
前記光源からの光を被検査物に照射し、前記被検査物からの反射光を伝達させる測定手段と、
前記光源からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照手段と、
前記測定手段からの反射光と前記参照手段からの反射光とを干渉させる干渉手段と、
前記干渉手段からの干渉光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段で検出された光に基づいて、前記被検査物の断層像を得る画像処理手段と、
を有することを特徴とする光干渉断層撮像装置。 - 前記断層像のフィルター関数を、前記スリット幅のフィルター関数でデコンボリューションすることを特徴とする請求項5に記載の光干渉断層撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249863A JP2015105942A (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249863A JP2015105942A (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015105942A true JP2015105942A (ja) | 2015-06-08 |
Family
ID=53436119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013249863A Pending JP2015105942A (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 光源装置および該光源装置を備える光干渉断層撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015105942A (ja) |
-
2013
- 2013-12-03 JP JP2013249863A patent/JP2015105942A/ja active Pending
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