JP2015100159A - DC-DC converter - Google Patents

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博之 大西
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晋宏 木下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a DC-DC converter capable of detecting a short circuit fault occurred in a diode for bypass and a diode for rectification.SOLUTION: A DC-DC converter 100 comprises: a booster circuit 1 for boosting and supplying voltage of a direct power supply 10 to a load 20; a bypass circuit 2 provided in parallel to the booster circuit 1; a voltage detection part 3 for detecting voltage corresponding to electric potential at an input edge of the boosting circuit 1; a voltage detection part 4 for detecting voltage corresponding to electric potential at an output edge of the boosting circuit 1; and a control part 5 for controlling operations of the booster circuit 1 and the bypass circuit 2. The control part 5 calculates a difference between the voltage detected by the voltage detection part 3 and the voltage detected by the voltage detection part 4 in a state that a switching element SW of the bypass circuit 2 is in an off state and the booster circuit 1 does not operate, and detects a short circuit fault occurred in at least one of a diode D1 for bypass and a diode D2 for rectification on the basis of the difference of voltage.

Description

本発明は、直流電源の電圧を昇圧または降圧して負荷に供給するDC−DCコンバータ(直流−直流変換装置)に関し、特に、非昇圧時または非降圧時に負荷への電力供給経路となるバイパス回路を備えたDC−DCコンバータに関する。   The present invention relates to a DC-DC converter (DC-DC converter) that boosts or steps down a voltage of a DC power supply and supplies the load to a load, and more particularly, a bypass circuit serving as a power supply path to a load at the time of non-boosting or non-boosting. It is related with the DC-DC converter provided with.

例えば自動車には、各種の車載機器や回路に直流電圧を供給するための電源装置として、DC−DCコンバータが搭載されている。一般に、DC−DCコンバータは、スイッチング素子、インダクタ、および整流用のダイオードなどから構成される電圧変換回路(昇圧回路または降圧回路)を備えている。電圧変換回路は、スイッチング素子のオン・オフにより直流電源の電圧をスイッチングすることによって、昇圧または降圧された直流電圧を出力する。   For example, an automobile is equipped with a DC-DC converter as a power supply device for supplying a DC voltage to various in-vehicle devices and circuits. In general, a DC-DC converter includes a voltage conversion circuit (a boost circuit or a step-down circuit) including a switching element, an inductor, a rectifying diode, and the like. The voltage conversion circuit outputs a boosted or stepped down DC voltage by switching the voltage of the DC power supply by turning on and off the switching element.

このようなDC−DCコンバータには、昇圧または降圧が必要な場合だけ電圧変換回路を作動させ、昇圧または降圧が必要ない場合は、電圧変換回路を経由せずに、バイパス回路を経由して負荷へ電力を供給するものがある。バイパス回路には、FETやリレーなどのバイパス用のスイッチング素子が設けられる。非昇圧時または非降圧時には、バイパス回路のスイッチング素子がオン状態となり、直流電源の電圧がこのスイッチング素子を介して負荷へ供給される。後掲の特許文献1〜3には、このようなバイパス回路を備えた電源装置が示されている。   In such a DC-DC converter, the voltage conversion circuit is operated only when boosting or stepping down is necessary, and when boosting or stepping down is not necessary, the load is not passed through the voltage conversion circuit but via the bypass circuit. There is something to supply power to. The bypass circuit is provided with a switching element for bypass such as an FET or a relay. At the time of non-boosting or non-boosting, the switching element of the bypass circuit is turned on, and the voltage of the DC power supply is supplied to the load via this switching element. Patent Documents 1 to 3 described later show a power supply device including such a bypass circuit.

特許文献1には、電圧変換回路を経由して電力を出力する第1状態と、バイパス回路を経由して電力を出力する第2状態とを切り替える際に、電圧変換回路とバイパス回路とが共に動作状態となるように制御を行う電源装置が記載されている。   In Patent Document 1, when switching between a first state in which power is output via a voltage conversion circuit and a second state in which power is output via a bypass circuit, both the voltage conversion circuit and the bypass circuit are used. A power supply device that controls to be in an operating state is described.

特許文献2には、バイパス回路の出力端子の電圧を監視する動作監視部と、昇圧回路を駆動してバイパス回路の出力端子の電圧を所定レベルに維持する制御部とを備えた始動制御装置が記載されている。   Patent Document 2 discloses a start control device that includes an operation monitoring unit that monitors the voltage at the output terminal of the bypass circuit, and a control unit that drives the booster circuit and maintains the voltage at the output terminal of the bypass circuit at a predetermined level. Have been described.

特許文献3には、整流用ダイオードの代わりに整流用スイッチング素子を設け、エンジン再始動時に、バイパスリレーをオフ状態に維持するとともに、整流用スイッチング素子を駆動して負荷への電圧供給を行う電源回路が示されている。   In Patent Document 3, a rectifying switching element is provided instead of a rectifying diode, and the bypass relay is maintained in an off state when the engine is restarted, and the rectifying switching element is driven to supply voltage to the load. A circuit is shown.

また、特許文献3では、整流用スイッチング素子の近傍にサーミスタが配置され、整流用スイッチング素子の温度上昇により、サーミスタの電圧が閾値以上になった場合に、整流用スイッチング素子の異常が検出されるようになっている。このように、素子の近傍にサーミスタなどの温度センサを設けて、当該素子の異常を検出することは、特許文献4、5にも記載されている。特許文献4、5では、温度センサによりダイオードの故障を検出している。   Further, in Patent Document 3, a thermistor is disposed in the vicinity of the rectifying switching element, and an abnormality of the rectifying switching element is detected when the temperature of the thermistor exceeds a threshold due to a temperature rise of the rectifying switching element. It is like that. Patent Documents 4 and 5 also describe that a temperature sensor such as a thermistor is provided in the vicinity of an element to detect an abnormality of the element. In Patent Documents 4 and 5, a diode failure is detected by a temperature sensor.

上記のようなバイパス回路を備えたDC−DCコンバータにおいて、非昇圧時または非降圧時に、何らかの故障によりバイパス回路のスイッチング素子がオンしない場合は、負荷への電力供給ができなくなる。そこで、バイパス回路のスイッチング素子に、直流電源に対して順方向となるように、バイパス用のダイオードを並列接続して、バイパス回路を二重化することが考えられる。これにより、バイパス回路のスイッチング素子がオンしない場合でも、バイパス回路のダイオードを介して、直流電源から負荷へ電力を供給することが可能となる。   In the DC-DC converter including the bypass circuit as described above, when the switching element of the bypass circuit is not turned on due to some failure at the time of non-boosting or non-boosting, power cannot be supplied to the load. Therefore, it is conceivable to double the bypass circuit by connecting a bypass diode in parallel to the switching element of the bypass circuit so as to be in the forward direction with respect to the DC power supply. Thereby, even when the switching element of the bypass circuit is not turned on, power can be supplied from the DC power source to the load via the diode of the bypass circuit.

特開2010−183755号公報JP 2010-183755 A 特開2010−174721号公報JP 2010-174721 A 特開2013−74741号公報JP 2013-74741 A 特開平9−327120号公報JP-A-9-327120 特開2003−107123号公報JP 2003-107123 A

本発明は、上記のような二重化されたバイパス回路を備えたDC−DCコンバータにおいて、バイパス用のダイオードや整流用のダイオードに発生した短絡故障(アノード・カソード間が短絡状態となる故障)を検出することを課題とする。   The present invention detects a short-circuit fault (a fault in which the anode and the cathode are short-circuited) generated in the bypass diode and the rectifier diode in the DC-DC converter having the double bypass circuit as described above. The task is to do.

本発明に係るDC−DCコンバータは、直流電源が接続される入力端子と、負荷が接続される出力端子と、入力端子と出力端子との間に設けられ、直流電源の電圧を昇圧または降圧して負荷へ供給する電圧変換回路と、電圧変換回路と並列に設けられたスイッチング素子を含み、当該スイッチング素子がオン状態のときに、直流電源の電圧を、電圧変換回路を経由せずに、スイッチング素子を経由して負荷へ供給するバイパス回路と、電圧変換回路およびバイパス回路の動作を制御する制御部とを備えている。バイパス回路は、直流電源に対して順方向となるように、スイッチング素子に並列接続されたバイパス用の第1ダイオードを有している。電圧変換回路は、直流電源に対して順方向となるように、入力端子と出力端子との間に設けられた整流用の第2ダイオードを有している。本発明では、上記構成に加えて、電圧変換回路の入力端の電位に応じた電圧を検出する第1電圧検出部と、電圧変換回路の出力端の電位に応じた電圧を検出する第2電圧検出部とがさらに設けられる。そして、制御部は、バイパス回路のスイッチング素子がオフ状態で、かつ電圧変換回路が動作していない状態で、第1電圧検出部が検出した電圧と、第2電圧検出部が検出した電圧との差を演算し、当該電圧の差に基づいて、第1ダイオードと第2ダイオードの少なくとも一方に発生した短絡故障を検出する。   A DC-DC converter according to the present invention is provided between an input terminal to which a DC power supply is connected, an output terminal to which a load is connected, and an input terminal and an output terminal, and steps up or down the voltage of the DC power supply. A voltage conversion circuit for supplying power to the load and a switching element provided in parallel with the voltage conversion circuit, and when the switching element is in an ON state, the voltage of the DC power supply is switched without going through the voltage conversion circuit. A bypass circuit that supplies the load to the load via the element, and a control unit that controls the operation of the voltage conversion circuit and the bypass circuit are provided. The bypass circuit includes a first diode for bypass connected in parallel to the switching element so as to be in a forward direction with respect to the DC power supply. The voltage conversion circuit has a rectifying second diode provided between the input terminal and the output terminal so as to be in the forward direction with respect to the DC power supply. In the present invention, in addition to the above configuration, a first voltage detection unit that detects a voltage corresponding to the potential of the input terminal of the voltage conversion circuit, and a second voltage that detects a voltage corresponding to the potential of the output terminal of the voltage conversion circuit. And a detector. Then, the control unit outputs the voltage detected by the first voltage detection unit and the voltage detected by the second voltage detection unit when the switching element of the bypass circuit is in an off state and the voltage conversion circuit is not operating. The difference is calculated, and a short-circuit fault occurring in at least one of the first diode and the second diode is detected based on the voltage difference.

上記構成によると、第1ダイオードと第2ダイオードのいずれにも短絡故障が発生していない場合は、ダイオードの順方向電圧降下により、電圧変換回路の出力端の電位は、入力端の電位よりも低下する。これに対して、第1ダイオードと第2ダイオードの少なくとも一方に短絡故障が発生している場合は、電圧変換回路の出力端の電位は、入力端の電位とほぼ等しくなる。したがって、電圧変換回路の入力端に設けた第1電圧検出部で検出された電圧と、電圧変換回路の出力端に設けた第2電圧検出部で検出された電圧との差を演算することにより、当該電圧差に基づいて、第1ダイオードと第2ダイオードの一方または両方が短絡故障したことを検出することができる。   According to the above configuration, when a short circuit failure has not occurred in either the first diode or the second diode, the potential at the output terminal of the voltage conversion circuit is higher than the potential at the input terminal due to the forward voltage drop of the diode. descend. On the other hand, when a short circuit fault has occurred in at least one of the first diode and the second diode, the potential at the output terminal of the voltage conversion circuit is substantially equal to the potential at the input terminal. Therefore, by calculating the difference between the voltage detected by the first voltage detector provided at the input terminal of the voltage converter circuit and the voltage detected by the second voltage detector provided at the output terminal of the voltage converter circuit. Based on the voltage difference, it is possible to detect that one or both of the first diode and the second diode are short-circuited.

本発明において、制御部は、ダイオードの短絡故障を検出した場合に、電圧変換回路の動作を禁止するとともに、スイッチング素子をオン状態にするように制御を行ってもよい。   In the present invention, when detecting a short circuit failure of the diode, the control unit may prohibit the operation of the voltage conversion circuit and perform control so that the switching element is turned on.

本発明において、第1ダイオードの温度を検出する第1温度検出素子と、第2ダイオードの温度を検出する第2温度検出素子とをさらに設けてもよい。そして、 制御部は、短絡故障の検出に先立って、第1温度検出素子および第2温度検出素子で検出された各温度を基準温度と比較し、各温度が基準温度を超えている場合は、短絡故障の検出を行わないようにしてもよい。   In the present invention, a first temperature detecting element for detecting the temperature of the first diode and a second temperature detecting element for detecting the temperature of the second diode may be further provided. Then, the control unit compares each temperature detected by the first temperature detection element and the second temperature detection element with the reference temperature prior to the detection of the short circuit failure, and when each temperature exceeds the reference temperature, The short circuit failure may not be detected.

本発明において、スイッチング素子がオフ状態で、かつ電圧変換回路が動作している状態で、第1温度検出素子で検出された第1ダイオードの温度が一定温度以上である場合は、電圧変換回路の動作を停止させるようにしてもよい。   In the present invention, when the temperature of the first diode detected by the first temperature detection element is equal to or higher than a certain temperature with the switching element turned off and the voltage conversion circuit operating, the voltage conversion circuit The operation may be stopped.

本発明によれば、バイパス用のダイオードや整流用のダイオードに発生した短絡故障を検出することが可能なDC−DCコンバータを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the DC-DC converter which can detect the short circuit fault which generate | occur | produced in the diode for bypass and the diode for rectification can be provided.

本発明の実施形態に係るDC−DCコンバータの回路図である。1 is a circuit diagram of a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention. 電圧検出部の一例を示した回路図である。It is the circuit diagram which showed an example of the voltage detection part. 正常状態における非昇圧時の電流経路を示した回路図である。It is a circuit diagram showing a current path at the time of non-boosting in a normal state. 正常状態における昇圧時の電流経路を示した回路図である。It is the circuit diagram which showed the electric current path | route at the time of pressure | voltage rise in a normal state. 異常状態における非昇圧時の電流経路を示した回路図である。It is a circuit diagram showing a current path at the time of non-boosting in an abnormal state. 故障診断時の電流経路を示した回路図である。It is the circuit diagram which showed the electric current path | route at the time of a failure diagnosis. 負荷に流れる電流と電圧検出部で検出される電圧を示した図である。It is the figure which showed the electric current which flows into load, and the voltage detected by the voltage detection part. 本発明の他の実施形態に係るDC−DCコンバータの回路図である。It is a circuit diagram of the DC-DC converter which concerns on other embodiment of this invention. サーミスタを用いた温度検出回路の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the temperature detection circuit using a thermistor. ダイオードの特性の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the characteristic of a diode.

本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明する。各図において、同一の部分または対応する部分には同一符号を付してある。以下では、車両に搭載されるDC−DCコンバータを例に挙げる。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same part or a corresponding part. Below, the DC-DC converter mounted in a vehicle is mentioned as an example.

最初に、DC−DCコンバータの構成を、図1を参照しながら説明する。DC−DCコンバータ100は、直流電源10と負荷20との間に設けられており、昇圧回路1、バイパス回路2、電圧検出部3、電圧検出部4、制御部5、および端子T1〜T5を備えている。直流電源10は、車両用のバッテリである。負荷20は、直流電源10から電力供給を受ける車載機器である。   First, the configuration of the DC-DC converter will be described with reference to FIG. The DC-DC converter 100 is provided between the DC power supply 10 and the load 20, and includes a booster circuit 1, a bypass circuit 2, a voltage detection unit 3, a voltage detection unit 4, a control unit 5, and terminals T1 to T5. I have. The DC power supply 10 is a vehicle battery. The load 20 is an in-vehicle device that receives power supply from the DC power supply 10.

入力端子T1には直流電源10の正極が接続され、接地端子T2には直流電源10の負極が接続される。接地端子T2はグランドGに接続されている。出力端子T3には負荷20の一端が接続される。負荷20の他端はグランドGに接続されている。端子T4は、図示しないECU(電子制御ユニット)などの上位装置と接続される。端子T5は、図示しないイグニッションスイッチと接続される。   The positive terminal of the DC power supply 10 is connected to the input terminal T1, and the negative electrode of the DC power supply 10 is connected to the ground terminal T2. The ground terminal T2 is connected to the ground G. One end of the load 20 is connected to the output terminal T3. The other end of the load 20 is connected to the ground G. The terminal T4 is connected to a host device such as an ECU (electronic control unit) (not shown). Terminal T5 is connected to an ignition switch (not shown).

昇圧回路1は、入力端子T1と出力端子T3との間に設けられており、直流電源10の電圧を昇圧して負荷20へ供給する。昇圧回路1には、昇圧用のスイッチング素子Qと、インダクタLと、整流用のダイオードD2とが備わっている。スイッチング素子Qは、nチャンネル型のFET(電界効果トランジスタ)であって、インダクタLとダイオードD2との接続点と、グランドGとの間に設けられている。このスイッチング素子Qのオン・オフは、制御部5によって制御される。スイッチング素子Qには、直流電源10に対して逆方向となるように、ダイオードD3が並列に接続されている。このダイオードD3は、ドレインdとソースs間の寄生ダイオードである。   The booster circuit 1 is provided between the input terminal T1 and the output terminal T3, boosts the voltage of the DC power supply 10 and supplies it to the load 20. The step-up circuit 1 includes a step-up switching element Q, an inductor L, and a rectifier diode D2. The switching element Q is an n-channel FET (field effect transistor), and is provided between a connection point between the inductor L and the diode D2 and the ground G. On / off of the switching element Q is controlled by the control unit 5. A diode D <b> 3 is connected in parallel to the switching element Q so as to be in the opposite direction to the DC power supply 10. The diode D3 is a parasitic diode between the drain d and the source s.

バイパス回路2は、非昇圧時に、直流電源10の電圧を、昇圧回路1を経由せずに、負荷20へ供給するための回路であって、昇圧回路1と並列に設けられている。バイパス回路2には、バイパス用のスイッチング素子SWと、バイパス用のダイオードD1とが備わっている。スイッチング素子SWは、FETまたはリレーからなり、昇圧回路1のインダクタLとダイオードD2との直列回路と並列に接続されている。このスイッチング素子SWのオン・オフは、制御部5によって制御される。ダイオードD1は、直流電源10に対して順方向となるように、スイッチング素子SWと並列に接続されている。   The bypass circuit 2 is a circuit for supplying the voltage of the DC power supply 10 to the load 20 without going through the booster circuit 1 at the time of non-boosting, and is provided in parallel with the booster circuit 1. The bypass circuit 2 includes a bypass switching element SW and a bypass diode D1. The switching element SW is composed of an FET or a relay, and is connected in parallel with the series circuit of the inductor L and the diode D2 of the booster circuit 1. On / off of the switching element SW is controlled by the control unit 5. The diode D1 is connected in parallel with the switching element SW so as to be in the forward direction with respect to the DC power supply 10.

電圧検出部3は、昇圧回路1の入力端(a点)の電位に応じた電圧を検出する。図2に示すように、電圧検出部3は、2個の抵抗R1およびR2が直列に接続された分圧回路から構成されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点xには、a点の電位に応じた電圧が現われる。この電圧が、電圧検出部3における検出電圧として、制御部5へ与えられる。   The voltage detection unit 3 detects a voltage corresponding to the potential at the input terminal (point a) of the booster circuit 1. As shown in FIG. 2, the voltage detection unit 3 includes a voltage dividing circuit in which two resistors R1 and R2 are connected in series. A voltage corresponding to the potential at point a appears at a connection point x between the resistors R1 and R2. This voltage is supplied to the control unit 5 as a detection voltage in the voltage detection unit 3.

電圧検出部4は、昇圧回路1の出力端(b点)の電位に応じた電圧を検出する。この電圧検出部4も、電圧検出部3と同様に、2個の抵抗が直列に接続された分圧回路から構成されている(図示省略)。各抵抗の接続点には、b点の電位に応じた電圧が現われる。この電圧が、電圧検出部4における検出電圧として、制御部5へ与えられる。   The voltage detection unit 4 detects a voltage corresponding to the potential at the output terminal (point b) of the booster circuit 1. Similarly to the voltage detection unit 3, the voltage detection unit 4 includes a voltage dividing circuit in which two resistors are connected in series (not shown). A voltage corresponding to the potential at point b appears at the connection point of each resistor. This voltage is given to the control unit 5 as a detection voltage in the voltage detection unit 4.

制御部5は、CPUやメモリなどから構成されており、昇圧回路1とバイパス回路2の動作を制御する。詳しくは、制御部5は、昇圧時に、昇圧回路1のスイッチング素子Qのゲートgに、PWM(Pulse Width Modulation)信号を与えることによって、当該スイッチング素子Qを高速でオン・オフさせる。また、制御部5は、非昇圧時に、バイパス回路2のスイッチング素子SWに、H(High)レベルのオン信号を与えることによって、当該スイッチング素子SWをオン状態にする。また、制御部5は、端子T4を介して、図示しない上位装置との間で通信を行う。制御部5には、電圧検出部3、4で検出された電圧が入力される。また、制御部5には、昇圧時に、端子T4を介して上位装置から昇圧指令が入力される。さらに、制御部5には、イグニッションスイッチのオン時に、端子T5を介してイグニッション信号が入力される。   The control unit 5 includes a CPU, a memory, and the like, and controls operations of the booster circuit 1 and the bypass circuit 2. Specifically, the control unit 5 applies a PWM (Pulse Width Modulation) signal to the gate g of the switching element Q of the booster circuit 1 at the time of boosting, thereby turning the switching element Q on and off at high speed. Further, the control unit 5 turns on the switching element SW by giving an ON signal of H (High) level to the switching element SW of the bypass circuit 2 at the time of non-boosting. Further, the control unit 5 communicates with a host device (not shown) via the terminal T4. The voltage detected by the voltage detection units 3 and 4 is input to the control unit 5. Further, a boost command is input to the control unit 5 from the host device via the terminal T4 at the time of boosting. Further, an ignition signal is input to the control unit 5 via the terminal T5 when the ignition switch is turned on.

以上の構成において、昇圧回路1は、本発明における「電圧変換回路」の一例である。ダイオードD1は、本発明における「第1ダイオード」に相当し、ダイオードD2は、本発明における「第2ダイオード」に相当する。電圧検出部3は、本発明における「第1電圧検出部」に相当し、電圧検出部4は、本発明における「第2電圧検出部」に相当する。   In the above configuration, the booster circuit 1 is an example of the “voltage conversion circuit” in the present invention. The diode D1 corresponds to the “first diode” in the present invention, and the diode D2 corresponds to the “second diode” in the present invention. The voltage detection unit 3 corresponds to a “first voltage detection unit” in the present invention, and the voltage detection unit 4 corresponds to a “second voltage detection unit” in the present invention.

次に、上述した構成からなるDC−DCコンバータ100の動作について説明する。まず、正常時の動作について、図3および図4を参照しながら説明する。   Next, the operation of the DC-DC converter 100 having the above-described configuration will be described. First, normal operation will be described with reference to FIGS.

図3は、非昇圧時の電流経路を示している。非昇圧時は、端子T4に上位装置からの昇圧指令が与えられない。一方、端子T5には、イグニッションスイッチ(図示省略)のオンに基づくイグニッション信号が入力されている。この状況下では、制御部5は、昇圧回路1のスイッチング素子Qを駆動するためのPWM信号を出力しない。したがって、昇圧回路1では、スイッチング素子Qがオフ状態となって、昇圧動作は行われない。また、制御部5は、バイパス回路2のスイッチング素子SWをオンさせるためのオン信号を出力し、このオン信号によって、スイッチング素子SWはオン状態となっている。ダイオードD1、D2の順方向の抵抗値は、スイッチング素子SWの抵抗値に比べて大きいため、ダイオードD1、D2には殆ど電流が流れない。その結果、図3に太矢印で示した電流経路が形成され、直流電源10から、入力端子T1、スイッチング素子SW、および出力端子T3を経由して、負荷20に昇圧されない直流電圧が供給される。   FIG. 3 shows a current path during non-boosting. At the time of non-boosting, the boost command from the host device is not given to the terminal T4. On the other hand, an ignition signal based on turning on an ignition switch (not shown) is input to the terminal T5. Under this situation, the control unit 5 does not output a PWM signal for driving the switching element Q of the booster circuit 1. Therefore, in the booster circuit 1, the switching element Q is turned off and the boosting operation is not performed. Further, the control unit 5 outputs an on signal for turning on the switching element SW of the bypass circuit 2, and the switching element SW is in an on state by the on signal. Since the forward resistance values of the diodes D1 and D2 are larger than the resistance value of the switching element SW, almost no current flows through the diodes D1 and D2. As a result, a current path indicated by a thick arrow in FIG. 3 is formed, and a DC voltage that is not boosted is supplied from the DC power supply 10 to the load 20 via the input terminal T1, the switching element SW, and the output terminal T3. .

図4は、昇圧時の電流経路を示している。昇圧時には、端子T4を介して制御部5に、上位装置から昇圧指令が与えられる。制御部5は、この昇圧指令を受けて、昇圧回路1のスイッチング素子Qを駆動するためのPWM信号を出力する。このPWM信号がスイッチング素子Qのゲートgに与えられることによって、スイッチング素子Qは高速でオン・オフのスイッチング動作を行う。このスイッチング動作によりインダクタLに発生した高電圧は、ダイオードD2で整流され、昇圧された直流電圧となる。その結果、昇圧時には、図4に太矢印で示した電流経路が形成され、直流電源10から、入力端子T1、昇圧回路1、および出力端子T3を経由して、負荷20に昇圧された直流電圧が供給される。   FIG. 4 shows a current path during boosting. At the time of boosting, a boosting command is given from the host device to the control unit 5 via the terminal T4. The control unit 5 receives this step-up command and outputs a PWM signal for driving the switching element Q of the step-up circuit 1. By applying this PWM signal to the gate g of the switching element Q, the switching element Q performs a high-speed on / off switching operation. The high voltage generated in the inductor L by this switching operation is rectified by the diode D2 and becomes a boosted DC voltage. As a result, during boosting, a current path indicated by a thick arrow in FIG. 4 is formed, and the DC voltage boosted from the DC power source 10 to the load 20 via the input terminal T1, the booster circuit 1, and the output terminal T3. Is supplied.

また一方で、制御部5は、昇圧時には、バイパス回路2のスイッチング素子SWをオンさせるためのオン信号を出力しない。したがって、スイッチング素子SWはオフ状態となっている。その結果、直流電源10から、スイッチング素子SWを経由して、負荷20へ至る電流経路は形成されない。なお、バイパス回路2のダイオードD1は、直流電源10に対して順方向であるため、スイッチング素子SWがオフの状態では、ダイオードD1を経由する電流経路が形成される。   On the other hand, the control unit 5 does not output an on signal for turning on the switching element SW of the bypass circuit 2 at the time of boosting. Therefore, the switching element SW is in an off state. As a result, a current path from the DC power supply 10 to the load 20 via the switching element SW is not formed. Since the diode D1 of the bypass circuit 2 is in the forward direction with respect to the DC power supply 10, a current path passing through the diode D1 is formed when the switching element SW is off.

図5は、非昇圧時に制御部5に異常が発生した場合の電流経路を示している。たとえば、制御部5とグランドGとの間で、図の×で示すように断線が発生すると、制御部5は正常に動作せず、非昇圧時に、スイッチング素子SWに対してオン信号を出力しなくなる。このため、スイッチング素子SWはオフ状態であり、スイッチング素子SWを経由するバイパス経路は形成されない。しかるに、ダイオードD1が直流電源10に対して順方向であるため、ダイオードD1を経由する電流経路が形成される。したがって、スイッチング素子SWがオンしなくても、直流電源10からダイオードD1を介して、負荷20へ電力が供給される。なお、昇圧回路1にも破線で示す経路で電流が流れるが、インダクタLとダイオードD2の合成抵抗値は、ダイオードD1の抵抗値より大きいため、昇圧回路1に流れる電流は、バイパス経路2に流れる電流よりも小さい。   FIG. 5 shows a current path when an abnormality occurs in the control unit 5 at the time of non-boosting. For example, if a disconnection occurs between the control unit 5 and the ground G as shown by x in the figure, the control unit 5 does not operate normally and outputs an ON signal to the switching element SW at the time of non-boosting. Disappear. For this reason, the switching element SW is in an OFF state, and a bypass path via the switching element SW is not formed. However, since the diode D1 is forward with respect to the DC power supply 10, a current path passing through the diode D1 is formed. Therefore, even if the switching element SW is not turned on, power is supplied from the DC power supply 10 to the load 20 via the diode D1. A current also flows in the booster circuit 1 through a path indicated by a broken line. However, since the combined resistance value of the inductor L and the diode D2 is larger than the resistance value of the diode D1, the current flowing in the booster circuit 1 flows in the bypass path 2. Less than current.

次に、ダイオードD1、D2の短絡故障を検出する方法について、図6および図7を参照しながら説明する。短絡故障は、ダイオードD1、D2のアノード・カソード間が短絡状態となる故障である。この故障検出は、DC−DCコンバータ100が通常の動作を開始する前の、初期診断において実施される。   Next, a method for detecting a short-circuit fault in the diodes D1 and D2 will be described with reference to FIGS. The short circuit failure is a failure in which the anode and cathode of the diodes D1 and D2 are short-circuited. This failure detection is performed in the initial diagnosis before the DC-DC converter 100 starts normal operation.

図6において、初期診断時には、昇圧回路1のスイッチング素子Qはオフ状態にあり、昇圧回路1は動作していない。また、バイパス回路2のスイッチング素子SWもオフ状態にある。この状態では、図5の場合と同様の電流経路が形成され、バイパス経路2と昇圧回路1にそれぞれ電流I、Iが流れる。負荷20に流れる電流Iは、I=I+Iとなる。 In FIG. 6, at the time of initial diagnosis, the switching element Q of the booster circuit 1 is in an off state, and the booster circuit 1 is not operating. Further, the switching element SW of the bypass circuit 2 is also in the off state. In this state, current paths similar to those in FIG. 5 are formed, and currents I 1 and I 2 flow through the bypass path 2 and the booster circuit 1, respectively. The current I flowing through the load 20 is I = I 1 + I 2 .

ダイオードD1、D2のいずれにも短絡故障が発生していない場合は、電流I、Iにより、ダイオードD1、D2に順方向電圧降下が発生するので、昇圧回路1の出力端(b点)の電位は、入力端(a点)の電位よりも低下する。これに対して、ダイオードD1、D2の少なくとも一方に短絡故障が発生している場合は、昇圧回路1の出力端の電位は、入力端の電位とほぼ等しくなる(インダクタLにおける電圧降下は僅かである)。したがって、電圧検出部3で検出された電圧V1と、電圧検出部4で検出された電圧V2との差(以下「電圧差」という。)に基づいて、ダイオードの短絡故障の有無を診断することができる。 When no short-circuit fault has occurred in either of the diodes D1 and D2, the forward voltage drop occurs in the diodes D1 and D2 due to the currents I 1 and I 2 , so that the output terminal (point b) of the booster circuit 1 Is lower than the potential at the input end (point a). On the other hand, when a short-circuit failure has occurred in at least one of the diodes D1 and D2, the potential at the output terminal of the booster circuit 1 becomes substantially equal to the potential at the input terminal (the voltage drop across the inductor L is slight). is there). Therefore, based on the difference between the voltage V1 detected by the voltage detector 3 and the voltage V2 detected by the voltage detector 4 (hereinafter referred to as “voltage difference”), the presence or absence of a short circuit failure of the diode is diagnosed. Can do.

詳しくは、制御部5は、電圧検出部3から入力される電圧V1と、電圧検出部4から入力される電圧V2をそれぞれA/D変換して、電圧差ΔV=V1−V2を演算する。ダイオードD1、D2のいずれにも短絡故障が発生していない場合は、図7(b)に示すように、電圧差ΔVは一定以上の値となる。また、ダイオードD1、D2の少なくとも一方に短絡故障が発生している場合は、電圧差ΔVはゼロか、もしくは図7(c)に示すように微小な値となる。そこで、制御部5は、電圧差ΔVが所定値以上であれば、ダイオードD1、D2はいずれも短絡故障しておらず、電圧差ΔVが所定値未満であれば、ダイオードD1、D2の少なくとも一方に短絡故障が発生したと診断する。なお、図7の(a)は、負荷20に流れる電流Iを示している。   Specifically, the control unit 5 performs A / D conversion on the voltage V1 input from the voltage detection unit 3 and the voltage V2 input from the voltage detection unit 4 to calculate a voltage difference ΔV = V1−V2. When no short-circuit failure has occurred in either of the diodes D1 and D2, the voltage difference ΔV becomes a certain value or more as shown in FIG. 7B. Further, when a short circuit failure has occurred in at least one of the diodes D1 and D2, the voltage difference ΔV is zero or a minute value as shown in FIG. Therefore, if the voltage difference ΔV is equal to or greater than a predetermined value, the control unit 5 does not cause any short-circuit failure in the diodes D1 and D2, and if the voltage difference ΔV is less than the predetermined value, at least one of the diodes D1 and D2. Diagnose that a short circuit has occurred. FIG. 7A shows the current I flowing through the load 20.

制御部5は、初期診断においてダイオードの短絡故障を検出した場合、昇圧回路1のスイッチング素子Qをオフ状態に維持して、昇圧回路1の昇圧動作を禁止するとともに、バイパス回路2のスイッチング素子SWをオン状態にする。これにより、図3の電流経路が形成され、直流電源10からスイッチング素子SWを介して、負荷20に電力が供給される。また、制御部5は、端子T4を介して上位装置へ、ダイオードの短絡故障が発生したことを通知する。上位装置は、この通知を受けて、警報ランプを点灯させるなどの異常処理を行う。   When detecting a short circuit failure of the diode in the initial diagnosis, the control unit 5 maintains the switching element Q of the booster circuit 1 in the OFF state, prohibits the boosting operation of the booster circuit 1 and switches the switching element SW of the bypass circuit 2. Turn on the. As a result, the current path of FIG. 3 is formed, and power is supplied from the DC power supply 10 to the load 20 via the switching element SW. Further, the control unit 5 notifies the host device via the terminal T4 that a diode short-circuit failure has occurred. Upon receiving this notification, the host device performs an abnormality process such as turning on an alarm lamp.

このようにして、上記実施形態によれば、初期診断時に、電圧検出部3、4で検出された電圧V1、V2の電圧差ΔVを演算し、この電圧差ΔVを所定値と比較することにより、ダイオードD1、D2の一方または両方が短絡故障したことを検出することができる。   Thus, according to the above embodiment, the voltage difference ΔV between the voltages V1 and V2 detected by the voltage detectors 3 and 4 is calculated during the initial diagnosis, and the voltage difference ΔV is compared with a predetermined value. It is possible to detect that one or both of the diodes D1 and D2 have a short circuit failure.

図8は、本発明の他の実施形態を示している。図8においては、図1の構成に加えて、サーミスタTH1、TH2が設けられている。サーミスタTH1は、バイパス回路2のダイオードD1の近傍に配置されていて、当該ダイオードD1の温度を検出する。サーミスタTH2は、昇圧回路1のダイオードD2の近傍に配置されていて、当該ダイオードD2の温度を検出する。サーミスタTH1は、本発明における「第1温度検出素子」の一例であり、サーミスタTH2は、本発明における「第2温度検出素子」の一例である。   FIG. 8 shows another embodiment of the present invention. In FIG. 8, in addition to the configuration of FIG. 1, thermistors TH1 and TH2 are provided. The thermistor TH1 is disposed in the vicinity of the diode D1 of the bypass circuit 2, and detects the temperature of the diode D1. The thermistor TH2 is disposed in the vicinity of the diode D2 of the booster circuit 1, and detects the temperature of the diode D2. The thermistor TH1 is an example of the “first temperature detection element” in the present invention, and the thermistor TH2 is an example of the “second temperature detection element” in the present invention.

図9は、サーミスタTH1を用いた温度検出回路の一例を示している。電源VdとグランドGとの間に、抵抗R3とサーミスタTH1とが直列に接続されている。サーミスタTH1は、温度の上昇とともに抵抗値が減少する特性を持つNTC(Negative Temperature Coefficient)サーミスタであり、図示しない回路基板上で、ダイオードD1の近傍に配置されている。   FIG. 9 shows an example of a temperature detection circuit using the thermistor TH1. A resistor R3 and the thermistor TH1 are connected in series between the power supply Vd and the ground G. The thermistor TH1 is an NTC (Negative Temperature Coefficient) thermistor whose resistance value decreases as the temperature rises, and is disposed in the vicinity of the diode D1 on a circuit board (not shown).

ダイオードD1の温度変化により、サーミスタTH1の抵抗値が変化するので、抵抗R3とサーミスタTH1との接続点yには、ダイオードD1の温度に応じた電圧が現われる。この電圧は、サーミスタTH1による検出温度として、制御部5へ与えられる。なお、サーミスタTH2を用いた温度検出回路も、図9と同様に構成されている(図示省略)。   Since the resistance value of the thermistor TH1 changes due to the temperature change of the diode D1, a voltage corresponding to the temperature of the diode D1 appears at the connection point y between the resistor R3 and the thermistor TH1. This voltage is given to the controller 5 as a temperature detected by the thermistor TH1. The temperature detection circuit using the thermistor TH2 is also configured in the same manner as in FIG. 9 (not shown).

図10に示したように、ダイオードの順方向電圧降下は、温度の上昇に伴って減少する。このため、ダイオードD1、D2が高温状態にある場合は、順方向電圧降下が小さくなって、前記の電圧差ΔVが所定値未満となる。その結果、制御部5は、ダイオードD1、D2が正常であるにもかかわらず、誤って短絡故障を検出してしまう。   As shown in FIG. 10, the forward voltage drop of the diode decreases with increasing temperature. For this reason, when the diodes D1 and D2 are in a high temperature state, the forward voltage drop becomes small and the voltage difference ΔV becomes less than a predetermined value. As a result, the control unit 5 erroneously detects a short-circuit failure even though the diodes D1 and D2 are normal.

そこで、本実施形態では、ダイオードの短絡故障の検出に先立って、サーミスタTH1、TH2でダイオードD1、D2の温度を検出する。制御部5は、検出された各温度を基準温度(たとえば80℃)と比較する。そして、サーミスタTH1、TH2の各検出温度が基準温度以下であれば、制御部5は、初期診断において、ダイオードD1、D2の短絡故障の検出を行う。一方、サーミスタTH1、TH2の各検出温度が基準温度を超えておれば、制御部5は、初期診断において、ダイオードD1、D2の短絡故障の検出を行わない。このようにすることで、高温時における短絡故障の誤検出を未然に防止することができる。   Therefore, in the present embodiment, prior to the detection of the short circuit failure of the diode, the thermistors TH1 and TH2 detect the temperatures of the diodes D1 and D2. The control unit 5 compares each detected temperature with a reference temperature (for example, 80 ° C.). And if each detection temperature of the thermistor TH1 and TH2 is below reference temperature, the control part 5 will detect the short circuit failure of the diodes D1 and D2 in an initial diagnosis. On the other hand, if the detected temperatures of the thermistors TH1 and TH2 exceed the reference temperature, the control unit 5 does not detect the short circuit failure of the diodes D1 and D2 in the initial diagnosis. By doing in this way, the misdetection of the short circuit failure at the time of high temperature can be prevented beforehand.

また、本実施形態では、通常の動作時においても、異常を検出することができる。詳しくは、バイパス回路2のスイッチング素子SWがオフで、昇圧回路1のスイッチング素子Qがオン・オフしている昇圧動作中に、サーミスタTH1によりダイオードD1の温度を検出する。そして、検出されたダイオードD1の温度が一定温度以上である場合、制御部5は、スイッチング素子Qをオフにして昇圧回路1の動作を停止させ、上位装置へ異常を通知する。これにより、負荷20の短絡などによってダイオードD1に過電流が流れた場合に、ダイオードD1の温度上昇をサーミスタTH1で検知して、昇圧回路1による昇圧動作を停止させることができる。   In the present embodiment, an abnormality can be detected even during normal operation. Specifically, the temperature of the diode D1 is detected by the thermistor TH1 during the boosting operation in which the switching element SW of the bypass circuit 2 is off and the switching element Q of the booster circuit 1 is on / off. When the detected temperature of the diode D1 is equal to or higher than a certain temperature, the control unit 5 turns off the switching element Q, stops the operation of the booster circuit 1, and notifies the host device of the abnormality. Thereby, when an overcurrent flows through the diode D1 due to a short circuit of the load 20 or the like, the temperature rise of the diode D1 can be detected by the thermistor TH1, and the boosting operation by the booster circuit 1 can be stopped.

本発明では、上述した実施形態に限らず、以下に示すような種々の実施形態を採用することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various embodiments as shown below can be adopted.

前記の実施形態では、昇圧回路1において、整流用素子としてダイオードD2を設けたが、ダイオードD2に代えて、スイッチング素子Qと同期してスイッチング動作を行う、同期整流用のFETを設けてもよい。この場合は、当該FETに備わっている寄生ダイオードが、本発明における「第2ダイオード」に相当する。   In the above-described embodiment, the diode D2 is provided as a rectifying element in the booster circuit 1. However, instead of the diode D2, a synchronous rectifying FET that performs a switching operation in synchronization with the switching element Q may be provided. . In this case, the parasitic diode provided in the FET corresponds to the “second diode” in the present invention.

前記の実施形態では、バイパス回路2のスイッチング素子SWとして、FETやリレーを例に挙げたが、これらに代えて、トランジスタやIGBTのような他のスイッチング素子を用いてもよい。同様に、昇圧回路1のスイッチング素子Qも、FETに限らず、トランジスタやIGBTのような他のスイッチング素子であってもよい。   In the above-described embodiment, the FET and the relay are exemplified as the switching element SW of the bypass circuit 2. However, instead of these, other switching elements such as a transistor and an IGBT may be used. Similarly, the switching element Q of the booster circuit 1 is not limited to the FET, and may be another switching element such as a transistor or an IGBT.

前記の実施形態では、図8におけるサーミスタTH1、TH2として、温度の上昇とともに抵抗値が減少するNTCサーミスタを用いたが、これに代えて、温度の上昇とともに抵抗値が増加するPTC(Positive Temperature Coefficient)サーミスタを用いてもよい。また、温度検出素子として、サーミスタに限らず、白金測温抵抗体などを用いることも可能である。   In the above-described embodiment, the NTC thermistors whose resistance value decreases with increasing temperature are used as the thermistors TH1 and TH2 in FIG. 8, but instead, PTC (Positive Temperature Coefficient) whose resistance value increases with increasing temperature. ) A thermistor may be used. Further, the temperature detecting element is not limited to the thermistor, and a platinum resistance thermometer or the like can also be used.

前記の実施形態では、電圧変換回路として昇圧回路1を例に挙げたが、変換する電圧の仕様に応じて、昇圧回路1を降圧回路に置き換えてもよい。   In the above-described embodiment, the booster circuit 1 is exemplified as the voltage conversion circuit. However, the booster circuit 1 may be replaced with a step-down circuit according to the specification of the voltage to be converted.

前記の実施形態では、車両に搭載されるDC−DCコンバータ100を例に挙げたが、本発明は、車両用以外のDC−DCコンバータにも適用することができる。   In the above embodiment, the DC-DC converter 100 mounted on the vehicle is taken as an example. However, the present invention can also be applied to DC-DC converters other than those for vehicles.

1 昇圧回路(電圧変換回路)
2 バイパス回路
3 電圧検出部(第1電圧検出部)
4 電圧検出部(第2電圧検出部)
5 制御部
10 直流電源
20 負荷
100 DC−DCコンバータ
D1 ダイオード(第1ダイオード)
D2 ダイオード(第2ダイオード)
SW スイッチング素子
TH1 サーミスタ(第1温度検出素子)
TH2 サーミスタ(第2温度検出素子)
T1 入力端子
T3 出力端子
1 Booster circuit (voltage converter circuit)
2 Bypass circuit 3 Voltage detector (first voltage detector)
4 Voltage detector (second voltage detector)
5 Control Unit 10 DC Power Supply 20 Load 100 DC-DC Converter D1 Diode (First Diode)
D2 diode (second diode)
SW switching element TH1 thermistor (first temperature detection element)
TH2 thermistor (second temperature detection element)
T1 input terminal T3 output terminal

Claims (4)

直流電源が接続される入力端子と、
負荷が接続される出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に設けられ、前記直流電源の電圧を昇圧または降圧して前記負荷へ供給する電圧変換回路と、
前記電圧変換回路と並列に設けられたスイッチング素子を含み、前記スイッチング素子がオン状態のときに、前記直流電源の電圧を、前記電圧変換回路を経由せずに、前記スイッチング素子を経由して前記負荷へ供給するバイパス回路と、
前記電圧変換回路および前記バイパス回路の動作を制御する制御部と、を備え、
前記バイパス回路は、前記直流電源に対して順方向となるように、前記スイッチング素子に並列接続されたバイパス用の第1ダイオードを有し、
前記電圧変換回路は、前記直流電源に対して順方向となるように、前記入力端子と前記出力端子との間に設けられた整流用の第2ダイオードを有する、DC−DCコンバータにおいて、
前記電圧変換回路の入力端の電位に応じた電圧を検出する第1電圧検出部と、
前記電圧変換回路の出力端の電位に応じた電圧を検出する第2電圧検出部と、をさらに備え、
前記制御部は、
前記スイッチング素子がオフ状態で、かつ前記電圧変換回路が動作していない状態で、前記第1電圧検出部が検出した電圧と、前記第2電圧検出部が検出した電圧との差を演算し、
前記電圧の差に基づいて、前記第1ダイオードと前記第2ダイオードの少なくとも一方に発生した短絡故障を検出する、ことを特徴とするDC−DCコンバータ。
An input terminal to which a DC power supply is connected;
An output terminal to which a load is connected;
A voltage conversion circuit that is provided between the input terminal and the output terminal, and boosts or steps down the voltage of the DC power supply and supplies the voltage to the load;
Including a switching element provided in parallel with the voltage conversion circuit, and when the switching element is in an ON state, the voltage of the DC power supply is not transmitted through the voltage conversion circuit, but through the switching element. A bypass circuit for supplying a load;
A control unit for controlling the operation of the voltage conversion circuit and the bypass circuit,
The bypass circuit includes a first diode for bypass connected in parallel to the switching element so as to be in a forward direction with respect to the DC power supply,
In the DC-DC converter, the voltage conversion circuit includes a rectifying second diode provided between the input terminal and the output terminal so as to be in a forward direction with respect to the DC power supply.
A first voltage detector that detects a voltage according to the potential of the input terminal of the voltage conversion circuit;
A second voltage detector that detects a voltage corresponding to the potential of the output terminal of the voltage conversion circuit;
The controller is
Calculating the difference between the voltage detected by the first voltage detection unit and the voltage detected by the second voltage detection unit in a state where the switching element is off and the voltage conversion circuit is not operating;
A DC-DC converter, wherein a short-circuit fault occurring in at least one of the first diode and the second diode is detected based on the voltage difference.
請求項1に記載のDC−DCコンバータにおいて、
前記制御部は、前記短絡故障を検出した場合に、前記電圧変換回路の動作を禁止するとともに、前記スイッチング素子をオン状態にする、ことを特徴とするDC−DCコンバータ。
The DC-DC converter according to claim 1, wherein
The control unit, when detecting the short-circuit failure, prohibits the operation of the voltage conversion circuit and turns on the switching element.
請求項1または請求項2に記載のDC−DCコンバータにおいて、
前記第1ダイオードの温度を検出する第1温度検出素子と、
前記第2ダイオードの温度を検出する第2温度検出素子と、をさらに備え、
前記制御部は、前記短絡故障の検出に先立って、前記第1温度検出素子および前記第2温度検出素子で検出された各温度を基準温度と比較し、各温度が基準温度を超えている場合は前記短絡故障の検出を行わない、ことを特徴とするDC−DCコンバータ。
The DC-DC converter according to claim 1 or 2,
A first temperature detecting element for detecting a temperature of the first diode;
A second temperature detecting element for detecting the temperature of the second diode;
The control unit compares each temperature detected by the first temperature detection element and the second temperature detection element with a reference temperature prior to the detection of the short-circuit failure, and each temperature exceeds a reference temperature. Does not detect the short-circuit fault.
請求項3に記載のDC−DCコンバータにおいて、
前記制御部は、
前記スイッチング素子がオフ状態で、かつ前記電圧変換回路が動作している状態で、前記第1温度検出素子で検出された前記第1ダイオードの温度が一定温度以上である場合は、前記電圧変換回路の動作を停止させる、ことを特徴とするDC−DCコンバータ。
The DC-DC converter according to claim 3,
The controller is
When the temperature of the first diode detected by the first temperature detection element is equal to or higher than a certain temperature in a state where the switching element is off and the voltage conversion circuit is operating, the voltage conversion circuit A DC-DC converter characterized by stopping the operation of
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