JP2015099451A - Logical circuit with power saving function - Google Patents
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、省電力機能を備える論理回路に関する。 The present invention relates to a logic circuit having a power saving function.
半導体集積回路では、微細加工技術の進展により、絶縁層も原子数個レベルと本来流れるはずがない場所に電流が漏洩するリーク電流と呼ばれる現象が定常的に発生する。リーク電流が多発すると無駄な消費電力も増える。このため、回路の高集積化及び低消費電力化を実現するためにはリーク電流を抑制する必要がある。 In a semiconductor integrated circuit, a phenomenon called leakage current in which a current leaks to a place where an insulating layer should not flow by a few atoms is steadily generated due to progress of microfabrication technology. When leak current occurs frequently, wasteful power consumption increases. For this reason, it is necessary to suppress the leakage current in order to realize high integration of the circuit and low power consumption.
リーク電流を抑制する技術として、回路への給電を停止するパワーゲーティングが知られている。例えば特許文献1には半導体集積回路の各回路モジュールに設けられた電源スイッチを制御する電源管理ユニットが開示されている。この電源管理ユニットは、各回路モジュールが使用されているか否を判別し、使用されていないと判別した回路モジュールの電源スイッチをオフして給電を停止する。この電源管理ユニットによれば、使用されていると判別された回路モジュールにのみ電源が供給されるので、リーク電流の発生が抑制され、低消費電力化を図ることができる。 As a technique for suppressing leakage current, power gating that stops power supply to a circuit is known. For example, Patent Document 1 discloses a power management unit that controls a power switch provided in each circuit module of a semiconductor integrated circuit. This power management unit determines whether or not each circuit module is used, and turns off the power switch of the circuit module that is determined not to be used to stop power feeding. According to this power management unit, power is supplied only to the circuit module that is determined to be in use, so that the occurrence of leakage current is suppressed and low power consumption can be achieved.
一方、論理動作の充放電による動的電力を抑える技術として、使用されていない回路モジュールへの動作クロックの供給を停止するゲーテッドクロック技術も実用化されている。これは、動作クロックをゲーティングするイネーブル信号により、動作しなくてよい回路モジュールへのクロック供給を停止させ、無駄な充放電電流を抑制する技術である(非特許文献1、図2等参照)。 On the other hand, as a technique for suppressing dynamic power due to charge / discharge of logic operation, a gated clock technique for stopping supply of an operation clock to an unused circuit module has been put into practical use. This is a technique for stopping useless charge / discharge current by stopping clock supply to a circuit module that does not need to operate by an enable signal for gating an operation clock (see Non-Patent Document 1, FIG. 2 and the like). .
非特許文献1の技術では、フリップフロップに電源が常に供給されている。これは、フリップフロップへの電源の供給を停止してしまうと、電源再供給時にフロップフロップの記憶状態が不定状態となってしまい、電源供給停止時の記憶内容を再現できなくなってしまうからである。 In the technique of Non-Patent Document 1, power is always supplied to the flip-flop. This is because if the supply of power to the flip-flop is stopped, the storage state of the flop-flop becomes indefinite when the power is supplied again, and the stored contents when the power supply is stopped cannot be reproduced. .
特許文献1に開示された省電力技術では、上記電源の切り替え手法は回路モジュールが実質的な動作を行わない(機能しない)ときでも、その回路モジュールに電源が供給されることがある。このような場合、実質的な動作が行われていない回路モジュールのリーク電流によって無駄な電力を消費してしまう。 In the power saving technique disclosed in Patent Document 1, the above power supply switching method may supply power to a circuit module even when the circuit module does not perform a substantial operation (does not function). In such a case, useless power is consumed by the leakage current of the circuit module in which no substantial operation is performed.
また、非特許文献1に開示されているゲーテッドクロックによる省電力の手法では、フリップフロップ(記憶素子)に電源が常時供給されているため、フリップフロップの電力の消費を抑えることができない。 Further, in the power saving method using the gated clock disclosed in Non-Patent Document 1, since power is always supplied to the flip-flop (memory element), power consumption of the flip-flop cannot be suppressed.
本発明は、このような問題を解決するためのものであり、より効率良く、低消費電力化を図ることができる論理回路を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a logic circuit that can achieve more efficient and low power consumption.
本発明に係る論理回路は、
クロック信号を有効または無効に設定するクロック制御信号に基づいて、クロック信号を出力するクロック信号出力手段と、前記クロック信号出力手段の出力するクロック信号に応答して動作する不揮発性の記憶素子と、を備える回路モジュールと、
電源線と前記回路モジュールとの間に設けられ、前記電源線から前記回路モジュールに電源が供給される第1の状態と前記電源線から前記回路モジュールへの電源の供給を遮断する第2の状態を、前記クロック制御信号に基づいて、設定するスイッチ手段と、を備える、
ことを特徴とする。
The logic circuit according to the present invention includes:
Based on a clock control signal for setting the clock signal to be valid or invalid, a clock signal output means for outputting the clock signal, a nonvolatile memory element that operates in response to the clock signal output from the clock signal output means, A circuit module comprising:
A first state that is provided between the power supply line and the circuit module, and that supplies power to the circuit module from the power supply line, and a second state that blocks supply of power from the power supply line to the circuit module. Switch means for setting based on the clock control signal,
It is characterized by that.
前記スイッチ手段は、例えば、前記回路モジュールのクロック信号を有効に設定するクロック制御信号が入力されている場合は前記第1の状態を維持し、前記回路モジュールのクロック信号を無効にするクロック制御信号が入力されている場合は前記第2の状態を維持する。 For example, when the clock control signal for validly setting the clock signal of the circuit module is input, the switch means maintains the first state and invalidates the clock signal of the circuit module. When is input, the second state is maintained.
さらに、前記回路モジュールへの電源の供給と停止を指示する電源制御信号と、前記クロック制御信号との論理演算を行う論理演算回路を備え、前記論理演算回路は、前記電源制御信号が電源の供給を指示し且つ前記クロック制御信号が前記回路モジュールのクロック信号を有効に設定する場合に前記スイッチ手段を前記第1の状態に設定させる、ように構成してもよい。 And a logic operation circuit that performs a logic operation on the power control signal for instructing the supply and stop of power to the circuit module and the clock control signal, and the logic operation circuit is configured to supply power to the power control signal. And when the clock control signal effectively sets the clock signal of the circuit module, the switch means may be set to the first state.
前記回路モジュールは、例えば、前記クロック信号に応答して、入力信号を取り込んで出力する入力用不揮発性記憶回路と、前記入力用不揮発性記憶回路に記憶されているデータに基づいて論理演算を行う組み合わせ回路と、前記クロック信号に応答して、前記組み合わせ回路の出力を記憶して出力する出力用不揮発性記憶回路と、を備える。 The circuit module performs a logical operation based on, for example, an input nonvolatile memory circuit that captures and outputs an input signal in response to the clock signal, and data stored in the input nonvolatile memory circuit A combinational circuit; and an output nonvolatile memory circuit that stores and outputs an output of the combinational circuit in response to the clock signal.
本発明によれば、より効率良く、低消費電力化を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to achieve low power consumption more efficiently.
以下、本発明を実施するための形態に係る省電力機能を備える論理回路について図面を参照して説明する。 Hereinafter, a logic circuit having a power saving function according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1に示すように、論理回路1は、電源切り替え回路10A,10B...と、回路モジュール20A,20B...と、電源制御回路30と、演算処理回路40と、クロック生成回路50とを備える。なお、電源切り替え回路10A,10B...を区別しない場合は、電源切り替え回路10と総称する。また、回路モジュール20A,20B...を区別しない場合は、回路モジュール20と総称する。
As shown in FIG. 1, the logic circuit 1 includes power
回路モジュール20は、電源電圧VDDが印加される電源線VDDLと接地電源線VSSLとから、電源供給を受けて、動作する。回路モジュール20A,20Bとは、それぞれ、固有の機能を有し、クロック信号CLKに同期して動作する回路モジュールであり、協働して全体回路の機能を実現する。
The
回路モジュール20は、パワーゲーティングの観点とクロックゲーティングとの観点の2つの観点から切り分けられた回路構成である。即ち、回路モジュール20A,20B...は、機能的に、同時に動作する必要が無く、パワーゲーティングの考えに基づいて、分割された回路の一部を構成する。
The
さらに、回路モジュール20A,20B...は、異なるクロック信号により動作するように切り分けられた回路モジュールである。回路モジュール20A,20B...は、それぞれ、単一のクロック信号により動作し、クロック信号の供給・停止も一体で行われる。
Furthermore, the
電源切り替え回路10は、外部から供給される制御信号に基づいて回路モジュール20への電源の供給及び遮断を切り替える回路である。電源切り替え回路10A,10B...は、電源線VDDLから回路モジュール20A,20B...に電源を供給する状態(スイッチオン)と、回路モジュール20A,20B...への電源の供給を遮断する状態(スイッチオフ)とを切り替える。
The power
電源切り替え回路10A,10B...は、それぞれ、ORゲート11A,11B...と、電源スイッチ12A,12B...とを備える。なお、以下の説明においてORゲート11A,11B...を区別しない場合、ORゲート11と総称する。同様に、電源スイッチ12A,12B...を区別しない場合、電源スイッチ12と総称する。
Power
ORゲート11は、非反転入力端子と反転入力端子と反転出力端子を備える。
The
ORゲート11の非反転入力端子には、電源制御回路30から、電源制御信号PG(パワーゲーティング信号)が入力される。この電源制御信号PGは、回路モジュール20への電源供給を停止する際はHレベル(ハイレベル)となり、電源を供給する際はLレベル(ローレベル)となる。
A power control signal PG (power gating signal) is input from the
ORゲート11の反転入力端子には、演算処理回路40から、クロック制御信号CEN(クロックイネーブル信号)が入力される。クロック制御信号CENは、回路モジュール20に供給するクロック信号CLKを有効にするときにHレベルとなり、クロック信号CLKを無効とする(供給しない)ときにLレベルとなる信号である。
A clock control signal CEN (clock enable signal) is input from the
ORゲート11は、電源制御信号PGがHレベル又はクロック制御信号CENがLレベルときにHレベルの信号を出力し、電源制御信号PGがLレベルで且つクロック制御信号CENがHレベルのときにLレベルの信号を出力する。
The
電源スイッチ12は、PチャネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)から構成され、電流路の一端(ソース)が電源線VDDLに接続され、電流路の他端(ドレイン)が回路モジュール20(図3に示す回路モジュール20のバーチャル電源線VVDDL)の電源端子に接続され、制御端(ゲート)が、ORゲート11の反転出力端子に接続されている。従って、図2に示すように、電源スイッチ12は、ORゲート11の出力がLレベルのとき(即ち、電源制御信号PGが電源の供給を指示し且つクロック制御信号CENがクロック信号の供給を指示する際)に、オンして、電源線VDDLから電源を回路モジュール20に供給する。また、電源スイッチ12は、ORゲート11の出力がHレベルのとき(即ち、電源制御信号PGが電源の非供給を指示する際又はクロック制御信号CENがクロック信号の非供給を指示する際)に、オフして、電源の供給を停止する。
The
電源制御回路30は、例えばPMU(Power Management Unit)等から構成される。電源制御回路30は、各回路モジュール20の使用状況を監視し、使用されている(電源供給必要)と判別された回路モジュール20にLレベルの電源制御信号PGを生成し、使用されていないと判別された回路モジュール20にHレベルの電源制御信号PGを生成し、対応するORゲート11の非反転入力端子に供給する。なお、電源制御信号PGは、数μs(マイクロ秒)〜数ms(ミリ秒)オーダの信号であり、クロック制御信号CENと比べると粒度が粗い。
The power
演算処理回路40は、例えばCPU(Central Processing Unit)等から構成される。演算処理回路40は、動作プログラムを解析する等して、クロック信号CLKを有効にするか無効にするかを回路モジュール20毎に判別し、その判別結果に基づいて、クロック信号CLKを有効にする(クロック信号CLKを供給する)と判別した回路モジュール20にHレベルのクロック制御信号CENを供給し、クロック信号CLKを無効にする(供給しない)と判別した回路モジュール20にLレベルのクロック制御信号CENを供給する。演算処理回路40は、回路モジュール20毎に生成したクロック制御信号CENを、回路モジュール20毎に対応するORゲート11の反転入力端子にも供給する。
The
回路モジュール20は、図3に示すように、ANDゲート21と、不揮発性記憶回路22,23と、組み合わせ回路24とを備える。ANDゲート21、不揮発性記憶回路22,23、組み合わせ回路24は、バーチャル電源線VVDDLと接地電源線VSSLとに接続される。電源スイッチ12がスイッチオンの状態の場合、ANDゲート21、不揮発性記憶回路22,23、組み合わせ回路24には、バーチャル電源線VVDDLからバーチャル電源VVDDが供給される。なお、回路モジュール20は、電源スイッチ12がスイッチオフの状態となって電源が遮断された場合でも内部メモリ情報を記憶しておく必要がある。SRAM(Static Random Access Memory)またはDRAM(Dynamic Random Access Memory)のような揮発性記憶回路は、電源が遮断されると内部メモリ情報が失われてしまう。そのため回路モジュール20は、揮発性記憶回路を備えない。
As shown in FIG. 3, the
ANDゲート21は、クロックゲーティング回路として機能する。ANDゲート21の一方の非反転入力端子は、信号線を介してクロック生成回路50と接続され、クロック生成回路50から供給されるクロック信号CLKが入力される。クロック生成回路50は、例えばPLL(Phase Locked Loop)回路等から構成される。クロック信号CLKは、回路モジュール20全体を動作させるための信号であり、クロック生成回路50によって生成される。
The AND gate 21 functions as a clock gating circuit. One non-inverting input terminal of the AND gate 21 is connected to the
クロック生成回路50は、例えばデューティー比が50%の矩形波で、一定周波数のクロック信号CLKを生成し、ANDゲート21の一方の入力端子に供給する。また、ANDゲート21の他方の入力端子には、演算処理回路40によって生成されたクロック制御信号CENが入力される。
The
ANDゲート21は、クロック信号CLKとクロック制御信号CENとの論理積を求め、その結果を表す論理信号を出力する。即ち、ANDゲート21は、クロック信号CLKを有効にするクロック制御信号CEN(Hレベルのクロック制御信号CEN)が入力されている期間だけ、クロック信号CLKを不揮発性記憶回路22,23に供給する。
The AND gate 21 obtains a logical product of the clock signal CLK and the clock control signal CEN, and outputs a logical signal representing the result. That is, the AND gate 21 supplies the clock signal CLK to the
不揮発性記憶回路22は、入力用であり、不揮発性のフリップフロップから構成され、回路モジュール20の入力信号を、ANDゲート21が出力するクロック信号の立ち上がりエッジに応答してラッチし、後段の組み合わせ回路24に供給する。
The
組み合わせ回路24は、不揮発性記憶回路22から出力されたデータに論理演算を施し、不揮発性記憶回路23に出力する。組み合わせ回路24は、順序回路を含んでも良い。ただし、順序回路を構成するフリップフロップは、全て、ANDゲート21の出力するクロック信号に応答して動作する。順序回路を構成するフリップフロップが不揮発性の場合には電源供給が止まっても電源再供給時に記憶内容を再現できる。一方、順序回路を構成するフリップフロップが揮発性の場合には電源供給が止まると電源再供給時に記憶内容を再現できない。よって、順序回路に揮発性のフリップフロップを備える場合は、当該順序回路はデータを一時的に保持する用途で使用される。
The
不揮発性記憶回路23は、出力用であり、不揮発性のフリップフロップから構成され、組み合わせ回路24の出力信号を、ANDゲート21が出力するクロック信号の立ち上がりエッジに応答して、ラッチし、回路モジュール20の出力信号として出力する。
The
不揮発性記憶回路22,23を構成する不揮発性記憶素子の構造は任意であるが、磁気トンネル接合素子(MTJ:Magnetic Tunneling Junction、以下、MTJ素子という)を用いた不揮発性記憶素子が好適である。この種の不揮発性半導体素子としては、限定されるものではないが、例えば、特開2012−242287号公報に記載されている不揮発性記憶素子等を使用できる。MTJ素子等の可変抵抗素子を含むメモリ等の可変抵抗型の不揮発性記憶素子では、駆動用のMOSFETのサブスレッショルド電流(弱反転電流)がMTJ素子を介して流れることにより、MTJ素子が機能していないときでもリーク電流が発生することがある。つまり、クロック制御信号CENによってANDゲート21を閉じただけでは(クロックを停止させただけでは)、リーク電流を抑えることができない。本実施形態では、クロック制御信号CENによって、ANDゲート21を閉じるとともに電源の供給自体を停止するので、リーク電流が避けられない不揮発性素子を有する回路の低消費電力化に寄与できる。なお、MTJ素子以外の不揮発性素子として、強誘電体(Ferro Electric)素子等が採用されてもよい。
The structure of the nonvolatile memory elements constituting the
次に、上記構成を有する論理回路の動作を説明する。
通常状態では、ORゲート11Aには、Lレベルの電源制御信号PG_AとHレベルのクロック制御信号CEN_Aが供給され、ORゲート11AはLレベルの信号を出力する。このため、電源スイッチ12Aがオンし、回路モジュール20Aに電源が供給される。また、回路モジュール20A内のANDゲート21は、クロック制御信号CEN_AがHレベルのため、クロック信号CLKを出力する。回路モジュール20Aは、供給された電源を用いて、クロック信号に応答して、演算処理を行う。回路モジュール20Bも同様である。
Next, the operation of the logic circuit having the above configuration will be described.
In a normal state, the L-level power supply control signal PG_A and the H-level clock control signal CEN_A are supplied to the
ここで、例えば、演算処理回路40が、回路モジュール20Aの処理を一時的に停止すべきことを検出したとする。この場合、演算処理回路40は、回路モジュール20Aに供給するクロック制御信号CEN_AをLレベルに切り換える。これにより、回路モジュール20A内のANDゲート21はゲートを閉じ、クロック信号CLKを出力しなくなる。このため、回路モジュール20Aは動作を一時停止する。同時に、ORゲート11Aの出力がHレベルとなり、電源スイッチ12Aがオフする。このため、回路モジュール20Aへの電源供給が停止され、消費電力が抑えられる。その後、処理が進み、演算処理回路40が、回路モジュール20Aの動作が必要であると判別すると、演算処理回路40は、クロック制御信号CEN_AをHレベルに切り換える。これにより、ORゲート11Aの出力がLレベルとなり、電源スイッチ12Aがオンし、回路モジュール20Bへの電源供給が再開される。回路モジュール20Aには不揮発性記憶回路22,23を備えているので、電源再供給時に、記憶状態が不定状態になるといった不具合は発生しない。組み合わせ回路24の内部状態も、不揮発性記憶回路22の出力から、電源遮断時の状態に復旧される。並行して、クロック制御信号CEN_AがHレベルになると、回路モジュール20A内のANDゲート21はゲートを開き、クロック信号CLKに従って、回路モジュール20Aは通常の動作を再開する。
Here, for example, it is assumed that the
また、電源制御回路30が、回路モジュール20Aが動作していないと判別すると、電源制御回路30は、電源制御信号PG_AをHレベルに切り換える。これにより、ORゲート11Aの出力がHレベルとなり、電源スイッチ12Aがオフし、回路モジュール20Aへの電源供給が停止する。電源制御回路30は、その後、回路モジュール20Aの動作が必要であると判別すると、電源制御信号PG_AをLレベルに切り換える。これにより、ORゲート11Aの出力がLレベルとなり、電源スイッチ12Aがオンし、回路モジュール20Aへの電源供給が再開する。上述したように、回路モジュール20Aには不揮発性記憶回路22,23を備えているので、この電源再供給時に、記憶状態が不定状態になるといった不具合は発生しない。組み合わせ回路24の内部状態も、不揮発性記憶回路22の出力から、電源遮断時の状態に復旧される。以後、回路モジュール20Aは通常の動作を再開する。
When the power
以上説明したように、本実施の形態に係る電源切り替え回路10によれば、回路モジュール20毎に供給される一つのクロック制御信号CENに基づいて、回路モジュール20への電源の供給及び遮断を切り替える。電源切り替え回路10は、図4(a)に示すように、クロック制御信号CENがLレベルだった場合(回路モジュール20が実質的な動作を行わない場合)、仮に、電源制御信号PGによって電源の供給が指示されていたとしても、回路モジュール20への給電を停止する。これにより、図4(b)に示すように、電源制御回路から供給される電源制御信号PGのみに基づいて回路モジュール20への給電を停止する場合よりも、効率良く、低消費電力化を図ることができる。また、電源切り替え回路10によれば、回路モジュール20が備える回路のサイズとは関係なく、回路モジュール20(機能)単位で電源の切り替えができ、電源を制御するための回路構成を簡素化できる。
As described above, according to the power
また、電源切り替え回路10は、回路モジュール20毎に供給される一つの電源制御信号PGに基づいて回路モジュール20への電源の供給及び遮断を切り替える。これにより、回路モジュール20に供給される電源の制御を電源制御信号PGによっても行うことができ、より効率良く、低消費電力化を図ることができる。
Further, the power
なお、電源切り替え回路10が備える論理ゲートは、図5に示すように、非反転入力端子にクロック制御信号CENが入力され、反転入力端子に電源制御信号PGが入力されるANDゲート13から構成されても良い。なお、このANDゲート13の入出力論理は、ORゲート11と同一である。
As shown in FIG. 5, the logic gate included in the power
また、電源切り替え回路10は、図6に示すように、ORゲート11を備えず、クロック制御信号CENのみに基づいてスイッチオン・オフの状態を維持する電源スイッチ12のみを備えても良い。この場合、電源スイッチ12のゲートに信号レベルがLレベルであるクロック制御信号CENが入力されている場合、電源スイッチ12はスイッチオンを維持し、電源スイッチ12のゲートに信号レベルがHレベルであるクロック制御信号CENが入力されている場合、電源スイッチ12はスイッチオフを維持する。
Further, as shown in FIG. 6, the power
また、電源切り替え回路10は、図7に示すように、回路モジュール20と接地電源VSSを供給する接地電源線VSSLとの間に設けられても良い。電源切り替え回路10は、図7に示すように、NチャネルのMOSFETから構成される電源スイッチ14と、ORゲート15とを備える。この場合も、上記実施の形態と同様、ORゲート15に入力されたクロック制御信号CENがクロックの供給を指示し(クロックを有効にし)且つ電源制御信号PGが電源の供給を指示した場合に、電源スイッチ14はスイッチオンの状態を維持し、回路モジュール20に電源が供給される。その他の場合には、電源スイッチ14はスイッチオフの状態を維持し、回路モジュール20への電源が遮断される。
Further, as shown in FIG. 7, the power
その他、本発明は、上記実施の形態の説明および図面によって限定されるものではなく、上記実施の形態および図面に適宜変更等を加えることは可能である。 In addition, the present invention is not limited by the description of the above-described embodiment and the drawings, and appropriate modifications and the like can be added to the above-described embodiment and the drawings.
例えば、ORゲート11の入力信号として、他の信号を供給してもよい。即ち、電源スイッチ12を制御するために、他の条件を考慮してもよい。
For example, another signal may be supplied as an input signal to the
電源スイッチ12として、MOSトランジスタを使用する例を示したが、論理回路の出力により制御できるスイッチ素子ならば、どのような構成のものでもよい。
Although an example in which a MOS transistor is used as the
回路モジュール20の典型的構成を図3に示したが、これに限定されるものではない。ただし、入力段と出力段に不揮発性記憶回路22,23を配置し、その間に組み合わせ回路24を配置した構成とすることで、パワーゲーティングによる不都合無く(例えば、電源再供給時に記憶状態が不定状態になるといった不都合は発生せず)、論理回路を動作させることができる。
A typical configuration of the
なお、電源切り替え回路10は、ANDゲート21にクロック制御信号CENが入力された後に、ORゲート11にクロック制御信号CENが入力されるように構成されても良い。例えば、ORゲート11には遅延回路を介したクロック制御信号CENが入力されても良い。これにより、不揮発性記憶回路22,23においてデータが記憶(ラッチ)される前に回路モジュール20に供給されている電源が遮断されることを防ぎ、内部メモリ情報を安全に記憶できる。
The power
上記実施の形態では、電源制御信号PGがHレベルのときに電源供給、Lレベルのときに電源非供給、クロック制御信号CENがHレベルのときにクロック信号供給、Lレベルのときにクロック非供給としたが、これらのロジックは任意に変更可能である。 In the above embodiment, power is supplied when the power control signal PG is at H level, power is not supplied when it is at L level, clock signal is supplied when the clock control signal CEN is at H level, and clock is not supplied when it is at L level. However, these logics can be arbitrarily changed.
1 論理回路
10(10A,10B) 電源切り替え回路
11(11A,11B),15 ORゲート(ゲート手段)
12(12A,12B),14 電源スイッチ(スイッチ手段)
13 ANDゲート(ゲート手段)
20,20A,20B 回路モジュール
21 ANDゲート
22,23 不揮発性記憶回路
24 組み合わせ回路
30 電源制御回路
40 演算処理回路
50 クロック生成回路
VDD 電源
VSS 接地電源
VVDD バーチャル電源
VDDL 電源線
VSSL 接地電源線
VVDDL バーチャル電源線
CLK クロック信号
CEN,CEN_A,CEN_B クロック制御信号
PG,PG_A,EN_B 電源制御信号
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Logic circuit 10 (10A, 10B) Power supply switching circuit 11 (11A, 11B), 15 OR gate (gate means)
12 (12A, 12B), 14 Power switch (switch means)
13 AND gate (gate means)
20, 20A, 20B Circuit module 21 AND
Claims (4)
電源線と前記回路モジュールとの間に設けられ、前記電源線から前記回路モジュールに電源が供給される第1の状態と前記電源線から前記回路モジュールへの電源の供給を遮断する第2の状態を、前記クロック制御信号に基づいて、設定するスイッチ手段と、を備える、
ことを特徴とする論理回路。 Based on a clock control signal for setting the clock signal to be valid or invalid, a clock signal output means for outputting the clock signal, a nonvolatile memory element that operates in response to the clock signal output from the clock signal output means, A circuit module comprising:
A first state that is provided between the power supply line and the circuit module, and that supplies power to the circuit module from the power supply line, and a second state that blocks supply of power from the power supply line to the circuit module. Switch means for setting based on the clock control signal,
A logic circuit characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載の論理回路。 The switch means maintains the first state when a clock control signal for validly setting the clock signal of the circuit module is input, and receives a clock control signal for invalidating the clock signal of the circuit module. If so, maintain the second state,
The logic circuit according to claim 1.
前記論理演算回路は、前記電源制御信号が電源の供給を指示し且つ前記クロック制御信号が前記回路モジュールのクロック信号を有効に設定する場合に前記スイッチ手段を前記第1の状態に設定させる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の論理回路。 Furthermore, a logic operation circuit that performs a logic operation of the power control signal that instructs the supply and stop of power to the circuit module and the clock control signal,
The logic operation circuit sets the switch means to the first state when the power control signal instructs supply of power and the clock control signal sets the clock signal of the circuit module to be valid;
The logic circuit according to claim 1, wherein
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の論理回路。 The circuit module includes an input nonvolatile memory circuit that captures and outputs an input signal in response to the clock signal, and a combinational circuit that performs a logical operation based on data stored in the input nonvolatile memory circuit And an output non-volatile memory circuit that stores and outputs the output of the combinational circuit in response to the clock signal,
4. The logic circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is any one of the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Country Status (1)
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