JP2015089552A - アーク溶接装置及びアーク溶接方法 - Google Patents
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Abstract
Description
アーク溶接では、母材にアース極を接続してこのアース極に溶接電源から溶接電流を流し、2つの母材を近接させた溶接対象個所と、溶接対象個所から所定距離だけ離れた位置に配置した溶接トーチと、の間でアーク放電を発生させ、アークを熱源として母材(または母材と溶加棒)を溶融させて、溶接対象個所を接合する。ここで、アーク放電を発生させるには大電流が必要であり、この電流によって発生する磁界からの力によって、溶接トーチの先端からのアークの方向が揺らぐ場合がある。このアークの揺らぎが発生すると、母材における溶接対象個所から離れた位置にアークが発生する場合があり、溶接対象個所から離れた位置で溶融が発生する場合があるので好ましくない。
また特許文献2には、第1の母材と第2の母材のそれぞれを、それぞれ別々の能動素子(トランジスタ等)を介したそれぞれの配線にて溶接電源に接続し、アークが常に溶接電極(溶接トーチ)の中心軸の方向へ発生するように、それぞれの能動素子を制御して、第1の母材と第2の母材のそれぞれに流す溶接電流の比率を変化させる、アーク溶接方法が記載されている。
特許文献1に記載のアーク溶接装置では、溶接トーチに一対の磁性体脚を取り付けなければならず、アーク溶接装置の部品点数が増加してアーク溶接装置の構造が複雑化するとともに溶接トーチの先端部が大型化してしまうので、母材が比較的微小な場合ではあまり好ましくない。
また特許文献2に記載のアーク溶接方法では、大電流を制御するためのそれぞれの能動素子が必要であり、部品点数が増加するとともにアーク溶接装置が複雑化する。また、アークが常に溶接電極の中心軸の方向に発生するように前記能動素子を制御するのは困難である。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、アース極を接続したチャックで母材を挟持するアーク溶接装置において、よりシンプルな構造でアークの揺らぎを適切に防止することができるアーク溶接装置及びアーク溶接方法を提供することを課題とする。
まず、本発明の第1の発明は、溶接対象の2つの母材を挟持する一対のチャックと、前記母材との間でアークを発生させるトーチ電極と、を有するアーク溶接装置において、前記チャックと前記母材と前記トーチ電極との間に電流が流されて前記アークが発生され、一方のチャックに流される電流が、他方のチャックに流される電流よりも多くなるように、一対の前記チャックが構成されている。
これにより、一方のチャックに流される大電流による(大)磁界を、他方のチャックに流される小電流による(小)磁界よりも安定的に大きくすることができる。
アークは、主に大電流が流されるチャックによる(大)磁界からの力によって方向が曲げられるが、(大)磁界によって方向が曲げられたアークは、その方向が比較的安定しているので、アークの「揺らぎ」を適切に防止することができる(アークの方向は曲げられるが、アークの揺らぎは防止されている)。
なお、一方のチャックに流される電流が、他方のチャックに流される電流よりも多くなるようにするには、例えば一対のチャックのそれぞれの電気抵抗値を異なる値にするだけでよいので、よりシンプルな構造で、アークの揺らぎを適切に防止することができる。
これにより、揺らぎが防止されて安定的に方向が曲げられたアークを、溶接対象個所に適切に発生させ、確実に溶接対象個所の母材を溶融させて接合することができる。
これにより、よりシンプルな構造にて、部品点数を増加させることもなく、一方のチャックに流す電流が、他方のチャックに流す電流よりも多くなるように、それぞれのチャックを構成することができる。
これにより、それぞれのチャックの電気抵抗値の違いを表面改質処理で実現する場合、過不足なく有効な深さまで、表面改質処理を適切に施すことができる。
本願の第5の発明では、この低温で行われる表面改質処理を行うことで、より耐久性の高い表面改質処理にて、それぞれのチャックの電気抵抗値の違いを表面改質処理で実現できることが確認できた。
また、既存のアーク溶接装置の一方のチャックに低温黒色クロム処理を施すだけでよいので、既存のアーク溶接装置への適用も容易である。
このように、他方のチャックと一方の母材との当接部を、トーチ電極の先端に対して一方の母材で適切に覆い、当該当接部にアークが達することを防止して、当該当接部が高温になることを防止することができる。
挟持する方向を示している。
●[アーク溶接装置1の全体構成(図1)]
図1のブロック図を用いてアーク溶接装置1の全体構成について説明する。なお本実施の形態の説明では、またアーク溶接装置の1つであるTIG(Tungsten Inert Gas)溶接装置を例として説明する。
アーク溶接装置1は、溶接電源10、高周波発生装置11、溶接コントローラ20、溶接制御装置21、チャック30、40、溶接トーチ60、シールドガス供給装置71等にて構成されている。なお、チャック30、40、溶接トーチ60、母材50(第1母材50A、第2母材50B)は、概略形状を斜視図で示している。
高周波発生装置11は、アーク溶接に必要な高周波電圧を発生させる装置である。
溶接コントローラ20は、アークのオン、オフ等のアークの出力制御を行うためのパワースイッチング素子を有している。そして溶接コントローラ20の+端子20P(アース極)は、接地されているとともにチャック30、40に接続されている。また溶接コントローラ20の−端子20Mは、溶接電源10を経由して溶接トーチ60のトーチ電極61に接続されている。
溶接制御装置21は、例えばパーソナルコンピュータであり、溶接コントローラ20及びチャック30、40を含むアーク溶接装置の各構成要素の動作を制御する。
チャック30、40は一対で構成され、溶接対象の母材の挟持と開放を行うように動作する。
そしてケース63には、シールドガス供給装置71からアルゴンやヘリウム等の不活性ガスが供給され、供給されたシールドガスは、ケース下端の吐出口62から吐出されてトーチ電極61及び溶接対象個所Pをシールドし、トーチ電極61の酸化や窒化を防止し、溶接対象個所P(溶融個所)に酸素や窒素が混入することを防止する。
図2(A)は、第1母材50Aと第2母材50Bを、一対のチャック30、40で挟持する前の状態を示している。
そして図2(A)の状態からチャック30、40を動作させて第1母材50Aと第2母材50Bをチャック30、40にて挟持した状態を図2(B)に示す。図2(B)に示した状態において溶接対象個所Pとトーチ電極61の先端との間にアークを発生させて、溶接対象個所Pを溶融させて第1母材50Aと第2母材50Bとを接合する。
例えば図3(A)は、一方のチャック130から母材50に流れ込む電流IRの大きさと、他方のチャック140から母材50に流れ込む電流をILの大きさと、がほぼ同等である場合の例を示している。
この場合、アークAKには、一方のチャック130に流れる電流IRによって発生する磁界BRから図3(A)中において左方向に向かう力FRが働く。またアークAKには、他方のチャック140に流れる電流ILによって発生する磁界BLから図3(A)中において右方向に向かう力FLが働く。そして電流IRと電流ILとがほぼ同等であるので、力FRと力FLの大きさもほぼ同等であり釣り合っている。
従って、この場合アークAKの方向を曲げる力FR、FLが釣り合っているので、アークAKの方向は曲げられず、母材50からまっすぐ(この場合、Z軸方向に平行に)トーチ電極161の先端に向けてアークAKが発生する。
例えば図3(B)は、一方のチャック130から母材50に流れ込む電流IRのほうが、他方のチャック140から母材50に流れ込む電流ILよりも大きい場合の例を示している(電流IR>電流ILの例を示している)。
この場合、アークAKには、電流IRによって発生する磁界BRから左方向に向かう力FRと、電流ILによって発生する磁界BLから右方向に向かう力FLと、が働くが、力FRのほうが力FLよりも大きいので、アークAKの方向は力FRの方向に曲げられる。
また、例えば図3(C)は、一方のチャック130から母材50に流れ込む電流IRのほうが、他方のチャック140から母材50に流れ込む電流ILよりも小さい場合の例を示している(電流IR<電流ILの例を示している)。
この場合、アークAKには、電流IRによって発生する磁界BRから左方向に向かう力FRと、電流ILによって発生する磁界BLから右方向に向かう力FLと、が働くが、力FLのほうが力FRよりも大きいので、アークAKの方向は力FLの方向に曲げられる。
そこで、本実施の形態では、このアークAKの方向の揺らぎを防止するために、図3(A)に示す状態(電流IRと電流ILとがほぼ同等の状態)は不安定であるので維持することが困難であるため、あえて図3(B)に示す状態を安定的に維持する。これによってアークAKの方向は曲げられてしまうが、アークAKの揺らぎを適切に防止することができる。
従って、本実施の形態のアーク溶接装置1では、一方のチャック30(大電流側チャック)に流れる電流のほうが、他方のチャック40(小電流側チャック)に流れる電流よりも(安定的に)多くなるように、チャック30、40が構成されている。
このため、アークAKの方向が他方のチャック40の側に曲げられるので、図2(B)に示すように、トーチ電極61の先端の位置は、第1母材50Aと第2母材50Bが近接している溶接対象個所P(接触位置PC)に対して、当該接触位置PC上よりも一方のチャック30(より多くの電流が流れる側のチャック)の側に距離ΔOFだけオフセットされている。
以下では、一方のチャック30と他方のチャック40の双方に+端子20Pを接続し、一方のチャック30と他方のチャック40のそれぞれの電気抵抗値を異なる値とする場合について説明する。
例えば、一方のチャック30を、より小さな電気抵抗値の材質の金属で構成し、他方のチャック40を、より大きな電気抵抗値の材質の金属で構成する。
あるいは、少なくとも一方のチャックの表面及び表面から所定深さまでの内部に表面改質層を有する表面改質処理を施すことで、他方のチャック40の電気抵抗値を、一方のチャック30の電気抵抗値よりも大きくする。
電気的絶縁性能を得るために実用化されている母材(この場合、チャック)の表面改質処理の1つとして、先行文献(特開2011−201285)に代表されるレイデント処理(登録商標)がある。この表面改質処理は、0[℃]以下の冷間電気鍍金によって母材(この場合、チャック)内の拡散層に元素の析出を伴う鍍金層を生成することを特徴としている。前記拡散層は合金化可能なアモルファス化された組織構造のため、各種元素や化合物などを前記拡散層に含浸させることが可能であり、合金化された拡散層を持つ鍍金層を生成することができる。そして前記鍍金層は、全体として1[μm]〜数十[μm]オーダーの表面改質層として生成される。特に、クロムを用いた場合では、クロムにより表面が黒ずんだ色に見える合金化層が生成されるので、低温黒色クロム処理と称されることもある。
例えば、他方のチャック40に低温黒色クロム処理(例えばレイデント処理(登録商標))の表面改質処理を施すことで、他方のチャック40の電気抵抗値を大きくする。なお、表面改質処理を施す際、表面改質処理の膜厚(表面からの深さ)が薄過ぎると所望する電気抵抗値が得られないので、表面に電流が集中する表皮効果が現れる深さ(厚さ)である表皮深さよりも厚い所定深さまで表面改質処理を施す。なお、この表皮深さは、材質(アルミ、銅等)と、高周波電圧の周波数に応じて異なる値となることが判っており、他方のチャック40の材質と、アーク溶接の際の高周波電圧の周波数に応じて、適切な表皮深さが選定される。
例えばチャック40に表皮効果が現れる表皮深さよりも厚い(深い)低温黒色クロム処理を施した場合、チャック30の電気抵抗値<<チャック40の電気抵抗値となるので、溶接コントローラ20の+端子20Pから流れ出した電流のほとんどが一方のチャック30へと流れ込み、わずかな電流が他方のチャック40へと流れ込む。そしてアークAKには、一方のチャック30に流れる電流IRによって発生する磁界BRからの力FRと、他方のチャック40に流れる電流ILによって発生する磁界BLからの力FLが働くが、力FR>>力FLであるので、アークAKの方向は他方のチャック40の側へと曲げられる。
なお、アークAKは、トーチ電極61の先端と母材50との間で発生し、アークAKの一方端はトーチ電極61の先端をとおり、アークAKの他方端は、トーチ電極61と対向する母材50の表面のいずれかの位置をとおる。この場合、アークAKの方向は他方のチャック40の側へと曲げられるので、図4に示すように、アークAKの方向は傾斜角度θにて他方のチャック40の側へと曲げられる。そしてアークAKと母材50の接点が、第1母材50Aと第2母材50Bの接触位置PCの近傍となるように、トーチ電極61の先端の位置がオフセットされている(位置が調整されている)。
従って、図4中においてアークAKの方向は傾斜角度θで他方のチャック40の側に曲げられるが、この傾斜角度θは安定的に維持され、アークAKの揺らぎは適切に防止される。
次に図5を用いて、溶接対象の2つの母材のうちの一方の母材において、チャックとの当接部に高熱が印加されることを所望しない場合におけるアーク溶接方法について説明する。
図5において、第1母材50Aが、チャックとの当接部に高熱が印加されることを所望しない一方の母材である。
この場合、第1母材50A(一方の母材に相当)を、電流がより少なく流される他方のチャック40の側に配置する。
そして、電流がより少なく流される他方のチャック40における第1母材50Aとの当接部(図5中における当接面40T)の幅であって、トーチ電極61が母材50に対向する方向(図5におけるZ軸方向)に直交する方向(図5におけるXY平面)の幅であるとともに一対のチャック30、40にて挟持する方向(図5におけるX軸方向)に直交する方向(図5におけるYZ平面)の幅である低電流側チャック幅40W(図5におけるY軸方向の幅)を、第1母材50Aにおける低電流側チャック幅40Wと同じ方向の幅である母材幅50Wよりも小さく設定する。
また、チャック40に低温黒色クロム処理等の所定の表面改質処理を施すだけでよいので、既存のアーク溶接装置への適用も容易である。
また、本実施の形態の説明では、TIGタイプのアーク溶接装置を例として説明したが、直流タイプのTIG、交流タイプのTIGのどちらにも適用可能である。また、TIGタイプに限らず、アース極を接続したチャックで母材を挟持する種々のアーク溶接装置に適用することが可能である。
また本実施の形態の説明では、他方のチャック40に所定の表面改質処理を施すことで、一方のチャック30の電気抵抗値<<他方のチャック40の電気抵抗値として、一方のチャック30に流される電流のほうが他方のチャック40に流される電流よりも多くなる構成としたが、他方のチャック40を絶縁体で構成してもよい。
10 溶接電源
11 高周波発生装置
20 溶接コントローラ
20M −端子
20P +端子(アース極)
21 溶接制御装置
30 チャック(大電流側チャック)
40 チャック(小電流側チャック)
40T 当接面
40W 低電流側チャック幅
50 母材
50A 第1母材
50B 第2母材
60 溶接トーチ
61 トーチ電極
63 ケース
71 シールドガス供給装置
AK アーク
IL、IR、IY 電流
BL、BR 磁界
P 溶接対象個所
Claims (6)
- 溶接対象の2つの母材を挟持する一対のチャックと、
前記母材との間でアークを発生させるトーチ電極と、を有するアーク溶接装置において、
前記チャックと前記母材と前記トーチ電極との間に電流が流されて前記アークが発生され、
一方のチャックに流される電流が、他方のチャックに流される電流よりも多くなるように、一対の前記チャックが構成されている、
アーク溶接装置。 - 請求項1に記載のアーク溶接装置であって、
前記トーチ電極の先端の位置が、2つの前記母材が近接している溶接対象個所に対して、より多く電流が流される一方のチャックの側にオフセットされている、
アーク溶接装置。 - 請求項1または2に記載のアーク溶接装置であって、
一対の前記チャックのそれぞれは、異なる電気抵抗値の材質で構成されている、または少なくとも一方の表面及び表面から所定深さまでの内部に表面改質層を有する表面改質処理が施されていることで異なる電気抵抗値となるように構成されている、
アーク溶接装置。 - 請求項3に記載のアーク溶接装置であって、
一対のチャックの少なくとも一方に前記表面改質処理が施されている場合、表面に電流が集中する表皮効果が現れる深さである表皮深さよりも厚い前記所定深さまでの前記表面改質処理が施されている、
アーク溶接装置。 - 請求項3または4に記載のアーク溶接装置であって、
前記表面改質処理は、低温黒色クロム処理である、
アーク溶接装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のアーク溶接装置を用いたアーク溶接方法であって、
溶接対象の2つの母材のうちの一方の母材において、チャックとの当接部に高熱が印加されることを所望しない場合、
前記一方の母材を、電流がより少なく流される他方のチャックの側に配置し、
電流がより少なく流される他方のチャックにおける前記一方の母材との当接部の幅であって、前記トーチ電極が母材に対向する方向に直交する方向の幅であるとともに一対の前記チャックにて挟持する方向に直交する方向の幅である低電流側チャック幅を、前記一方の母材における前記低電流側チャック幅と同じ方向の幅よりも小さく設定する、
アーク溶接方法。
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