JP2015086431A - 金属基板およびリードフレーム - Google Patents
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Abstract
【課題】表面に凹凸がある対象物に対しても、良好な熱伝導性を発揮することができる金属基板およびそれからなるリードフレームを提供すること。
【解決手段】金属基板1は、金属層2と、金属層2の一方面に積層される金属酸化物層3と、金属酸化物層3の一方面に積層される樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】金属基板1は、金属層2と、金属層2の一方面に積層される金属酸化物層3と、金属酸化物層3の一方面に積層される樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、金属基板およびリードフレームに関する。
半導体素子がリードフレームに実装された半導体パッケージでは、半導体素子から生じる熱を効率よく外部に放熱する必要がある。
そのため、ヒートシンクの一面上に、リードフレームを平面的に配置して搭載するとともに、ヒートシンクとリードフレームとの間に電気的に絶縁性を有する絶縁層を介在させる半導体パッケージが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載の半導体パッケージにおいて、熱を外部に放熱するためには、ヒートシンクと絶縁層との界面で熱が効率よく伝導することが必要である。
しかし、ヒートシンク表面に凹凸があると、ヒートシンクと絶縁層との界面に隙間が生じ、ヒートシンクと絶縁層との接触面積が減少する。その結果、絶縁層からヒートシンクへの熱伝導効率が低減する不具合が生じる。
本発明の目的は、表面に凹凸がある対象物に対しても、良好な熱伝導性を発揮することができる金属基板およびそれからなるリードフレームを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の金属基板は、金属層と、前記金属層の一方面に積層される金属酸化物層と、前記金属酸化物層の一方面に積層される樹脂層または樹脂含有金属酸化物層とを備えることを特徴としている。
また、本発明の金属基板では、前記金属酸化物層と、前記樹脂層または前記樹脂含有金属酸化物層とは、エアロゾルデポジション法により形成されていることが好適である。
また、本発明の金属基板では、前記樹脂層または前記樹脂含有金属酸化物層の厚みが、1μm以上300μm以下であることが好適である。
また、本発明のリードフレームは、上記の金属基板からなることを特徴としている。
本発明の金属基板およびリードフレームでは、表面に凹凸がある対象物に対しても、良好な熱伝導性を発揮することができる。
図1に示すように、本発明の一実施形態としての金属基板1は、金属層2と、金属層2の一方面に積層される金属酸化物層3と、金属酸化物層3の一方面に積層される樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5とを備える。すなわち、金属基板1は、金属層2と金属酸化物層3と樹脂層4とを備えるか、金属層2と金属酸化物層3と樹脂含有金属酸化物層5とを備える。
金属層2は、略平板状に形成されている金属箔、金属シートまたは金属板である。金属層2を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、アルミニウムなどが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。また、金属層2は、例えば、銅にニッケルめっきなどのめっき処理がなされためっき被覆金属層とすることもできる。
金属層2の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、100μm以上であり、例えば、5000μm以下、好ましくは、500μm以下である。
金属酸化物層3は、金属酸化物粉末から形成されている。
金属酸化物粉末を構成する金属としては、例えば、アルミナ(酸化アルミニウム)、イットリア、ジルコニアなどが挙げられる。好ましくは、アルミナが挙げられる。
これら金属酸化物粉末は、公知または市販のものを使用することができる。具体的には、アルミナ粉末としては、例えば、商品名「AL−160SG−3」、商品名「AS−160SG−4」、商品名「AL−45−A」(いずれも昭和電工社製)などが挙げられる。イットリア粉末としては、例えば、DTS−Y35(フジミインコーポレーテッド社製)などが挙げられる。ジルコニア粉末としては、例えば、TZ−3Y−E(東ソー社製)などが挙げられる。
これらの金属酸化物粉末は、単独使用または2種類以上併用することができる。
金属酸化物粉末の平均粒子径(メジアン径)は、例えば、0.3μm以上、好ましくは、0.4μm以上であり、また、例えば、2.0μm以下、好ましくは、1.0μm以下である。
平均粒子径(メジアン径)は、例えば、動的光散乱法による粒度分布測定装置によって測定される。
平均粒子径を上記下限値以上とすると、金属層2に対する密着性に優れる。一方、平均粒子径が上記上限値以下とすると、金属酸化物層3の内部応力を緩和し、金属層2のクラックを抑制することができる。
金属酸化物粉末の比表面積(BET法)は、例えば、2m2/g以上、好ましくは、3m2/g以上であり、また、例えば、40m2/g以下、好ましくは、30m2/g以下である。
金属酸化物粉末には、金属酸化物粉末以外の公知の添加物を含有することができる。
樹脂層4は、樹脂を含有する樹脂組成物から形成されている。好ましくは、樹脂のみから形成されている。
樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体(ETFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFE)などのフッ素系樹脂、例えば、ポリイミド系樹脂、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。
耐熱性、耐電圧性の観点から、好ましくは、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂が挙げられる。フッ素系樹脂の中では、特に好ましくは、PTFEが挙げられる。
これらの樹脂は、単独使用または2種類以上併用することができる。
樹脂の形状は、液状、固形状のいずれでもよいが、AD法(後述)にて樹脂層4を形成する場合は、好ましくは、固形状(25℃)が挙げられる。
また、固形状樹脂の場合、樹脂は、粒状(粉末)、ペレット状、塊状のいずれの形態でもよいが、好ましくは、粒状(樹脂粉末)である。
樹脂粉末の平均粒子径(メジアン径)は、例えば、0.01μm以上、好ましくは、0.05μm以上、より好ましくは、0.1μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、10μm以下、より好ましくは、5μm以下である。
樹脂粉末の平均粒子径が上記下限を下回ると、樹脂層4の接着強度が不足する場合が生じる。一方、樹脂粉末の平均粒子径が上記上限を上回ると、金属酸化物層3、さらには、金属層2がエッチングされ、樹脂層4の成膜が困難となる場合が生じる。
樹脂層4は、樹脂以外の公知の添加物を含有することもできる。
樹脂含有金属酸化物層5は、樹脂および金属酸化物粉末を含有する金属酸化物組成物から形成されている。好ましくは、樹脂および金属酸化物粉末のみを含有する金属酸化物組成物から形成されている。
金属酸化物粉末は、金属酸化物層3において例示した金属酸化物粉末が挙げられる。
樹脂は、樹脂層4において例示した樹脂が挙げられる。
金属酸化物組成物中における金属酸化物粉末の含有割合は、例えば、80質量%以上、好ましくは、90質量%以上であり、また、例えば、99.95質量%以下、好ましくは、99.90質量%以下である。
金属酸化物組成物中における樹脂の含有割合は、例えば、0.05質量%以上、好ましくは、0.10質量%以上であり、また、例えば、20質量%以下、好ましくは、10質量%以下である。
次いで、このような金属基板1の製造方法の一実施形態を詳述する。
この製造方法では、金属層2にエアロゾルデポジション法(AD法)によって金属酸化物層3を形成し、次いで、その金属酸化物層3に、AD法によって樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5を形成する。
この方法では、まず、金属層2を用意する。
次いで、この方法では、金属層2の一方面(表面)にAD法によって金属酸化物層3を形成する。
エアロゾルデポジション法(AD法・ガスデポジション法(気体堆積法))によって金属酸化物層3を形成するには、図2に示すエアロゾルデポジション装置10が用いられる。
エアロゾルデポジション装置10は、成膜チャンバー11、エアロゾルチャンバー12およびキャリアガス輸送装置13を備えている。
成膜チャンバー11は、金属層2の表面に、金属酸化物層3(または、後述するように、金属酸化物層3の表面に樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5)を形成するための成膜室であって、基板ホルダー14、成膜チャンバー11内の温度を測定するための温度計(図示せず)、および、成膜チャンバー11内の圧力を測定するための圧力計(図示せず)を備えている。
基板ホルダー14は、支柱15、台座16およびステージ17を備えている。
支柱15は、台座16およびステージ17を連結させるために、成膜チャンバー11の天井壁を貫通して下方(鉛直方向下方)に突出するように設けられている。
台座16は、金属層2を成膜チャンバー11内に保持および固定するために、支柱15の長手方向一端部(下端部)に設けられている。
ステージ17は、金属酸化物層3の形成時において、金属層2を任意の方向(x方向(前後方向)、y方向(左右方向)、z方向(上下方向)およびθ方向(回転方向))に移動可能とするために、成膜チャンバー11の天井壁の上面に設けられ、支柱15の長手方向他端部(上端部)に接続されている。
これにより、ステージ17は、支柱15を介して台座16に接続され、ステージ17により、台座16を移動可能としている。
また、成膜チャンバー11には、メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19が接続されている。
メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19は、成膜チャンバー11内を減圧するとともに、成膜チャンバー11に連結管20(後述)を介して連通されるエアロゾルチャンバー12内を減圧するため、成膜チャンバー11に、順次接続されている。
エアロゾルチャンバー12は、金属酸化物層3の材料(すなわち、金属酸化物粉末)(または、後述するように、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5の材料(すなわち、樹脂、または、金属酸化物組成物))を貯留する貯留槽であって、振動装置21、および、エアロゾルチャンバー12内の圧力を測定するための圧力計(図示せず)を備えている。
振動装置21は、エアロゾルチャンバー12、および、エアロゾルチャンバー12内の材料を振動させるための装置であって、公知の振盪器が用いられる。
また、エアロゾルチャンバー12には、連結管20が接続されている。
連結管20は、エアロゾル化された材料(以下、エアロゾル)を、エアロゾルチャンバー12から成膜チャンバー11に輸送するための配管であって、その一方側端部(上流側端部)がエアロゾルチャンバー12に接続されるとともに、他方側が成膜チャンバー11の底壁を貫通して台座16に向かって延びるように配置されている。また、成膜チャンバー11内において、連結管20の他方側端部(下流側端部)には、成膜ノズル22が接続されている。
成膜ノズル22は、エアロゾルを金属層2(または金属酸化物層3)の表面に噴き付けるための噴射装置であって、成膜チャンバー11内において、噴射口が鉛直方向上側の台座16に向かうように、配置されている。具体的には、成膜ノズル22は、その噴射口が台座16と所定間隔(例えば、1mm以上、好ましくは、3mm以上であり、また、例えば、100mm以下、好ましくは、50mm以下)を隔てるように上下方向において対向配置されており、これにより、エアロゾルチャンバー12から供給されるエアロゾルを、金属層2(または金属酸化物層3)の表面に噴き付け可能としている。
なお、成膜ノズル22の噴射口形状としては、特に制限されず、エアロゾルの噴射量、噴射範囲などに応じて、適宜設定される。
また、連結管20の流れ方向途中には、連結管開閉弁23が介在されている。連結管開閉弁23としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
キャリアガス輸送装置13は、キャリアガスボンベ25を備えている。
キャリアガスボンベ25は、例えば、酸素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、空気などのキャリアガスを貯留するボンベであって、ガス管26を介して、エアロゾルチャンバー12に接続されている。
ガス管26は、キャリアガスをキャリアガスボンベ25からエアロゾルチャンバー12に輸送するための配管であって、その上流側端部がキャリアガスボンベ25に接続されるとともに、下流側端部がエアロゾルチャンバー12に接続されている。
また、ガス管26の流れ方向途中には、ガス流量計27が介在されている。ガス流量計27は、ガス管26内のガスの流量を調整するとともに、その流量を検知するための装置であって、特に制限されず、公知の流量計が用いられる。
さらに、ガス管26の流れ方向途中には、ガス流量計27よりも下流側において、ガス管開閉弁28が介在されている。ガス管開閉弁28としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
このようなエアロゾルデポジション装置10により金属酸化物層3を形成するためには、まず、成膜ノズル22と、金属層2とを間隔を隔てて対向配置する(配置工程)。具体的には、台座16に、金属層2を、金属酸化物層3を形成させる表面が成膜ノズル22側(下側)に向かうように配置する。
一方、エアロゾルチャンバー12には、上記した金属酸化物層3の材料の粉末を投入する。
なお、投入の前に、金属酸化物層3の材料を予め乾燥させることもできる。
乾燥温度としては、例えば、50〜150℃であり、乾燥時間としては、例えば、1〜24時間である。
次いで、この方法では、ガス管開閉弁28を閉とし、また、連結管開閉弁23を開とするとともに、メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19を駆動させることにより、成膜チャンバー11内およびエアロゾルチャンバー12内を減圧する。
成膜チャンバー11内の圧力は、例えば、5〜80Paであり、エアロゾルチャンバー12内の圧力は、例えば、5〜80Paである。
次いで、この方法では、金属酸化物層3の材料を、エアロゾルチャンバー12内において、振動装置21により振動させるとともに、ガス管開閉弁28を開として、キャリアガスボンベ25からキャリアガスをエアロゾルチャンバー12に供給する。これにより、金属酸化物層3の材料をエアロゾル化させるとともに、発生したエアロゾルを、連結管20を介して成膜ノズル22に輸送することができる。このとき、エアロゾルは、成膜ノズル22の内壁に衝突して破砕され、より粒径の小さな粒子となる。
また、ガス流量計27により調整されるキャリアガスの流量は、例えば、0.1L/分以上、好ましくは、1L/分以上であり、また、20L/分以下、好ましくは、18L/分以下である。
次いで、この方法では、破砕された材料の粒子を、成膜ノズル22の噴射口から金属層2の表面に向けて噴射する(噴射工程)。
エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー12内の圧力は、例えば、50Pa以上、好ましくは、1000Pa以上であり、また、例えば、80000Pa以下、好ましくは、50000Pa以下である。また、成膜チャンバー11内の圧力は、例えば、10Pa以上、好ましくは、30Pa以上であり、また、例えば、1000Pa以下、好ましくは、800Pa以下である。
また、エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー12内の温度は、例えば、0〜50℃℃である。
また、エアロゾル噴射中、好ましくは、ステージ17を適宜移動させることにより、金属層2の表面に均等にエアロゾルを噴き付ける。
このような場合において、ステージ17の移動速度(すなわち、成膜ノズル22の移動速度)は、例えば、0.1mm/秒以上、好ましくは、0.2mm/秒以上であり、また例えば、30mm/秒以下、好ましくは、28mm/秒以下である。
なお、上記では、噴射工程において、ステージ17を移動させていたが、エアロゾルデポジション装置10に応じて、成膜ノズル22を移動させて、金属層2と成膜ノズル22との相対速度を0.1〜30mm/秒とさせることもできる。また、相対速度や金属酸化物層3の厚みに応じて、上記噴射工程を複数回繰り返して実施してもよい。
これにより、金属層2の表面(鉛直方向下側)に、金属酸化物層3を形成することができる。すなわち、金属層2および金属酸化物層3を備える積層体を得ることができる。
金属酸化物層3の厚みは、熱伝導性、絶縁性、耐電圧性の観点から、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上、より好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、200μm以下、より好ましくは、100μm以下である。
次いで、積層体の金属酸化物層3の一方面に、AD法により、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5を積層させる。これにより、金属層2と、金属酸化物層3と、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5とを備える金属基板1を得ることができる。
樹脂層4を積層させる場合は、樹脂層4の材料として樹脂粉末を、エアロゾルチャンバー12に貯留する。一方、樹脂含有金属酸化物層5を積層させる場合は、樹脂含有金属酸化物層5の材料として金属酸化物組成物を、エアロゾルチャンバー12に貯留する。
AD法の操作および条件は、上述の金属酸化物層3を金属層2に積層する場合と同様である。
樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5の厚さは、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上、より好ましくは、10μm以上、さらに好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、300μm以下、より好ましくは、150μm以下、さらに好ましくは、80μm以下である。この範囲にすることにより、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5が、対象物(被着物)の凹凸に追従し、対象物に対して隙間なく積層することができ、金属基板1の熱伝導性が良好となる。
熱伝導性の観点から、より好ましくは、金属層2と金属酸化物層3と樹脂含有金属酸化物層5とを備える金属基板1が挙げられる。
樹脂含有金属酸化物層5を積層する場合、AD法によって形成された樹脂含有金属酸化物層5における樹脂の含有割合は、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、70質量%以下、好ましくは、40質量%以下、より好ましくは、30質量%以下である。また、金属酸化物の含有割合は、例えば、30質量%以上、好ましくは、60質量%以上、より好ましくは、70質量%以上であり、また、例えば、99質量%以下、好ましくは、95質量%以下、より好ましくは、90質量%以下である。
樹脂の含有割合は、例えば、イオンクロマトグラフィー(IC)、または、エネルギー分散型x線分光法(EDX)により測定することができる。
上述の実施形態では、金属層2に金属酸化物層3を積層する方法としては、AD法を採用しているが、例えば、図示しないが、AD法以外に、溶射法、焼結法、ホットプレス法、スパッタ法などが挙げられる。
緻密な金属酸化物層3を金属層2に密着性よく積層でき、より優れた熱伝導性を発揮できる観点から、好ましくは、AD法が挙げられる。
また、上述の実施形態では、金属酸化物層3に樹脂層4を積層する方法として、AD法を採用しているが、例えば、図示しないが、AD法以外に、樹脂層4からなるシートを金属酸化物層3に転写する方法、浸漬法などが挙げられる。
本発明では、樹脂層4と金属酸化物層3との接着強度を向上させることができ、また、所望の箇所への積層が容易となる観点から、好ましくは、AD法が挙げられる。
また、上述の実施形態では、金属酸化物層3に樹脂含有金属酸化物層5を積層する方法として、AD法を採用しているが、例えば、図示しないが、AD法以外に、塗布法、樹脂含有金属酸化物層5からなるシートを金属酸化物層3に転写する方法、スパッタ法、ゾルゲル法、PVD、CVDなどが挙げられる。
本発明では、樹脂含有金属酸化物層5を金属酸化物層3に密着性よく積層できる観点、また、所望の膜厚に制御でき、対象物の凹凸の隙間を確実に低減できる観点、ドライプロセスのため簡便である観点から、好ましくは、AD法が挙げられる。
このような金属基板1によれば、金属層2と、金属層2の一方面に積層される金属酸化物層3と、金属酸化物層3の一方面に積層される樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5とを備えている。そのため、表面に凹凸がある対象物に金属基板1を配置しても、凹凸表面に樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5が追従して密着でき、凹凸表面と、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5との界面の隙間を低減することができる。その結果、絶縁性を担保しながら、金属層2の熱発生源(例えば、半導体素子)の熱を効率よく対象物(例えば、後述のヒートシンクなど)に伝導させることができる。
そのため、この金属基板1は、絶縁性、熱伝導性などを必要とする種々の用途に好適に用いることができる。例えば、半導体パッケージ、ハードディスク、LED装置、EL装置、キャパシタ、バッテリー(リチウムイオンバッテリーなど)、パワーモジュールなどの用途に好適に用いることができる。好ましくは、半導体パッケージが挙げられる。この金属基板1を半導体パッケージに適用する場合、金属基板1は、半導体素子を実装するためのリードフレームとして供される。以下に、この実施形態を図3を用いて説明する。
図3は、半導体パッケージ30を図示し、半導体パッケージ30は、対象物の一例としてのヒートシンク34と、リードフレーム1aと、半導体素子35とを備えている。
ヒートシンク34は、半導体素子35から生じる熱を放熱するための部材であって、例えば、アルニミウム、銅などの熱伝導性金属から形成されている。ヒートシンク34は、平面視略矩形状の平板状に形成されており、下面には、放熱性を向上させるための複数の凸部が下方に向かって設けられている。
ヒートシンク34の上面(金属基板1を設置する面)の表面粗さRaは、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上、より好ましくは、15μm以上、さらに好ましくは、20μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下である。
リードフレーム1aは、金属基板1からなり、金属層2に相当するリードフレーム基材2aと、リードフレーム基材2aの表面に積層される、金属酸化物層3に相当するリードフレーム金属酸化物層3aと、リードフレーム金属酸化物層3aの表面に積層される、樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5に相当するリードフレーム樹脂層4aまたはリードフレーム樹脂含有金属酸化物層5aの少なくとも一層とを備えている。
なお、リードフレーム1aは、金属基板1をリードフレーム形状に打ち抜くことにより形成してもよく、また、予めリードフレーム形状に打ち抜いたリードフレーム基材2aにリードフレーム金属酸化物層3aとリードフレーム樹脂層4aまたはリードフレーム樹脂含有金属酸化物層5aとを積層することにより形成してもよい。
また、リードフレーム1aは、ダイパッド32と、リード33とを備えている。
ダイパッド32は、平面視略矩形状の平板に形成されている。ダイパッド32は、リードフレーム基材2aが上面となり、リードフレーム樹脂層4aまたはリードフレーム樹脂含有金属酸化物層5aが下面となって、ヒートシンク34と接触するように、ヒートシンク34の上面に設けられている。
リード33は、ダイパッド32を囲むように、ダイパッド32と間隔を隔てて配置されている。リード33は、リードフレーム基材2aが上面となるように配置されている。
半導体素子35は、平面視略矩形状に形成され、ダイパッド32のリードフレーム基材2aの上面に設けられている。半導体素子35には、複数(2個)のボンディングワイヤ36の一端が接続され、そのボンディングワイヤ36の他端は、複数のリード33のリードフレーム基材2aのそれぞれに接続されている。
半導体素子35、ダイパッド32、リード33の内側部分およびヒートシンク34の上側部分は、封止材37(図3の仮想線)によって被覆されている。
この半導体パッケージ30では、リードフレーム金属酸化物層3aと、リードフレーム樹脂層4aまたはリードフレーム樹脂含有金属酸化物層5aとを備え、リードフレーム樹脂層4aまたはリードフレーム樹脂含有金属酸化物層5aが、ヒートシンク34の上面に隙間なく密着しているため、絶縁性を担保しながら、半導体パッケージ30から発生する熱を効率よくヒートシンク34に伝導させることができる。
なお、金属基板1をヒートシンク34に設置する際には、好ましくは、金属基板1をヒートシンク34に対して加圧する。これにより、確実に金属基板1とヒートシンク34との隙間を低減することができ、熱効率を向上させることができる。
圧力は、例えば、0.1MPa以上、好ましくは、0.5MPa以上であり、また、例えば、50MPa以下、好ましくは、30MPa以下である。
図3の実施形態において、ヒートシンク34の下面には、複数の凸部が下方に向かって設けられているが、例えば、図示しないが、ヒートシンク34の下面は、凸部を備えない平滑面とすることもできる。
また、上記対応では、対象物としてヒートシンクを例示しているが、例えば、対象物として、表面粗さRaが5〜50μm(好ましくは、10〜50μm)の、鋼板、アルミニウム、銅、ニッケルまたはそれらの合金からなる金属板などが挙げられる。
また、金属基板1を半導体パッケージ用のヒートシンクとして使用することもできる。これにより、ヒートシンクとしての金属基板1に半導体パッケージが設けられた半導体パッケージ付ヒートシンクを金属筐体に設置する場合において、その金属筐体の設置面に凹凸が存在していたとしても、半導体パッケージ付ヒートシンクのヒートシンク面(樹脂層4または樹脂含有金属酸化物層5側)は設置面の凹凸に追従して密着でき、その結果、絶縁性を担保しながら、半導体パッケージから発生する熱を効率よく金属筐体に伝導させることができる。
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではない。以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値(すなわち、上限値または下限値)に代替することができる。
実施例1
(金属酸化物層の積層)
まず、金属層としてリードフレーム基材(銅製、厚み500μm)を用意した。
(金属酸化物層の積層)
まず、金属層としてリードフレーム基材(銅製、厚み500μm)を用意した。
そして、エアロゾルデポジション装置(キャリアガス:酸素ガス)を用意し、その成膜チャンバー(22℃)内において、基板ホルダーの台座に、リードフレーム基材を設置した。
なお、このとき、成膜ノズルの噴射口とリードフレーム基材の表面との間隔が、15mmとなるように調節した。
一方、120℃において20時間乾燥させたアルミナ粉末(メジアン径0.52μm、BET法比表面積8.4m2/g、昭和電工社製、商品名AL−160SG−3)を150mL用意し、500mLのガラス製エアロゾルチャンバーに投入した。
その後、ガス管開閉弁を閉とし、また、連結管開閉弁を開とするとともに、メカニカルブースターポンプおよびロータリーポンプを駆動させることにより、成膜チャンバー内およびエアロゾルチャンバー内を、50Paまで減圧した。
次いで、酸素ガスの流量が5L/分となるようにガス流量計により調整し、また、エアロゾルチャンバーを振盪器により振動させながら、ガス管開閉弁を開とした。これによって、エアロゾルチャンバー内において、アルミナ粉末をエアロゾル化し、得られたエアロゾルを、成膜ノズルから噴射させた。
なお、このときのエアロゾルチャンバー内の圧力は、約50000Paであり、成膜チャンバー内の圧力は、約200Paであった。また、成膜チャンバー内の温度は、25℃であった。
そして、基板ホルダーのステージによって、リードフレーム基材が固定された台座を移動速度4mm/秒でx−y方向に移動させるとともに、成膜ノズルから噴射されるエアロゾルを、リードフレーム基材の表面に噴き付けた。
これにより、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。
(樹脂層の積層)
リードフレーム基材の代わりに、上記で得た積層体をリードフレーム金属酸化物層が下側となるように基板ホルダーの台座に設置し、アルミナ粉末の代わりに、PTFE粉末(Microdispers−200、ポリサイエンス社製、メジアン径0.2μm)をエアロゾルチャンバーに投入し、酸素ガス量を約1L/分とし、成膜中の成膜チャンバー内圧力を80Paとした以外は、上記の金属酸化物層の積層と同様のAD法にて、リードフレーム金属酸化物層の表面に厚み20μmのリードフレーム樹脂層を積層させた。これにより、実施例のリードフレームを製造した。
リードフレーム基材の代わりに、上記で得た積層体をリードフレーム金属酸化物層が下側となるように基板ホルダーの台座に設置し、アルミナ粉末の代わりに、PTFE粉末(Microdispers−200、ポリサイエンス社製、メジアン径0.2μm)をエアロゾルチャンバーに投入し、酸素ガス量を約1L/分とし、成膜中の成膜チャンバー内圧力を80Paとした以外は、上記の金属酸化物層の積層と同様のAD法にて、リードフレーム金属酸化物層の表面に厚み20μmのリードフレーム樹脂層を積層させた。これにより、実施例のリードフレームを製造した。
実施例2〜4
リードフレーム金属酸化物層およびリードフレーム樹脂層の厚みを表1に記載の厚みとなるように調整した以外は、実施例1と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
リードフレーム金属酸化物層およびリードフレーム樹脂層の厚みを表1に記載の厚みとなるように調整した以外は、実施例1と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
実施例5
(金属酸化物層の積層)
実施例1と同様にしてAD法により、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。
(金属酸化物層の積層)
実施例1と同様にしてAD法により、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。
(樹脂含有金属酸化物層の積層)
次いで、リードフレーム基材の代わりに、上記で得た積層体をリードフレーム金属酸化物層が下側となるように基板ホルダーの台座に設置し、アルミナ粉末の代わりに、アルミナ粉末(上記と同様)99.7質量%およびPTFE粉末(上記と同様)0.3質量%の混合粉末をエアロゾルチャンバーに投入した以外は、実施例1に記載の金属酸化物層の積層と同様のAD法にて、リードフレーム金属酸化物層の表面に厚み20μmのリードフレーム樹脂含有金属酸化物層を積層させた。これにより、実施例5のリードフレームを製造した。
次いで、リードフレーム基材の代わりに、上記で得た積層体をリードフレーム金属酸化物層が下側となるように基板ホルダーの台座に設置し、アルミナ粉末の代わりに、アルミナ粉末(上記と同様)99.7質量%およびPTFE粉末(上記と同様)0.3質量%の混合粉末をエアロゾルチャンバーに投入した以外は、実施例1に記載の金属酸化物層の積層と同様のAD法にて、リードフレーム金属酸化物層の表面に厚み20μmのリードフレーム樹脂含有金属酸化物層を積層させた。これにより、実施例5のリードフレームを製造した。
製造したリードフレームのリードフレーム樹脂含有金属層をEDX(「EMAX X MAX 20mm2」、堀場製作所社製)にて測定したところ、リードフレーム樹脂含有金属層中の樹脂の含有割合は、20質量%であった。
実施例6〜8
リードフレーム金属酸化物層およびリードフレーム樹脂含有金属酸化物層の厚みを表1に記載の厚みとなるように調整した以外は、実施例5と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
リードフレーム金属酸化物層およびリードフレーム樹脂含有金属酸化物層の厚みを表1に記載の厚みとなるように調整した以外は、実施例5と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
EDX測定によるリードフレーム樹脂含有金属酸化物層中の樹脂の含有割合は、実施例6〜8で、いずれも20質量%であった。
実施例9
(金属酸化物層の積層)
実施例1と同様にしてAD法により、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。
(金属酸化物層の積層)
実施例1と同様にしてAD法により、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。
(樹脂含有金属酸化物層の積層)
次いで、アルミナ粉末(上記と同様)80質量%およびPTFE粉末(上記と同様)20質量%の混合粉末を水に分散させ、混合粉末分散液(固形分85質量%)を調製した。
次いで、アルミナ粉末(上記と同様)80質量%およびPTFE粉末(上記と同様)20質量%の混合粉末を水に分散させ、混合粉末分散液(固形分85質量%)を調製した。
この混合粉末分散液を積層体のリードフレーム金属酸化物層表面にドクターブレードにて塗布し、乾燥することにより(塗布法)、厚みが20μmのリードフレーム樹脂含有金属酸化物層を積層させた。これにより、実施例9のリードフレームを製造した。
EDX測定によるリードフレーム樹脂含有金属酸化物層中の樹脂の含有割合は、20質量%であった。
実施例10〜12
リードフレーム樹脂含有金属酸化物層の厚みを表1のように調整した以外は、実施例9と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
リードフレーム樹脂含有金属酸化物層の厚みを表1のように調整した以外は、実施例9と同様にして、各実施例のリードフレームを製造した。
EDX測定によるリードフレーム樹脂含有金属酸化物層中の樹脂の含有割合は、実施例10〜12で、いずれも20質量%であった。
実施例13
混合粉末のアルミナ粉末(上記と同様)とPTFE粉末(上記と同様)との混合比率を、アルミナ粉末99.925質量%およびPTFE粉末0.075質量%とした以外は、実施例5と同様にして、リードフレームを製造した。
混合粉末のアルミナ粉末(上記と同様)とPTFE粉末(上記と同様)との混合比率を、アルミナ粉末99.925質量%およびPTFE粉末0.075質量%とした以外は、実施例5と同様にして、リードフレームを製造した。
EDX測定によるリードフレーム樹脂含有金属酸化物層中の樹脂の含有割合は、5質量%であった。
実施例14
混合粉末のアルミナ粉末(上記と同様)とPTFE粉末(上記と同様)との混合比率を、アルミナ粉末99.1質量%およびPTFE粉末0.9質量%とした以外は、実施例5と同様にして、リードフレームを製造した。
混合粉末のアルミナ粉末(上記と同様)とPTFE粉末(上記と同様)との混合比率を、アルミナ粉末99.1質量%およびPTFE粉末0.9質量%とした以外は、実施例5と同様にして、リードフレームを製造した。
EDX測定によるリードフレーム樹脂含有金属酸化物層中の樹脂の含有割合は、60質量%であった。
比較例1
実施例1と同様にして、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。これを比較例のリードフレームとした。
実施例1と同様にして、リードフレーム基材の表面に、厚み30μmのリードフレーム金属酸化物層が積層された積層体を得た。これを比較例のリードフレームとした。
<熱伝導性評価>
(1)各実施例および比較例で得られたリードフレームの金属層上に半導体素子を設置した。
(1)各実施例および比較例で得られたリードフレームの金属層上に半導体素子を設置した。
次いで、ヒートシンクとして、アルミニウム製の平板(サイズ100mm×100mm×10mmt、表面粗さRa10μm)を用意した。
リードフレーム樹脂層またはリードフレーム樹脂含有金属層(比較例1では、リードフレーム金属酸化物層)がヒートシンク上面に接触するように、各実施例および各比較例のリードフレームをヒートシンク上面に配置した後、2.6MPaの圧力で圧着した。
半導体素子の発熱量が325Wとなるように、半導体素子に電流を流し、5分後における半導体素子の温度を過渡熱測定装置(Mentor Graphics社製、T3ster)にて測定した。その結果を表1に示す。
(2)ヒートシンクとして、表面粗さの異なるアルミニウム製の平板(サイズ100mm×100mm×10mmt、表面粗さRa25μm)を用意した以外は、上記と同様にして、半導体素子の温度を過渡熱測定装置にて測定した。その結果を表1に示す。
1 金属基板
2 金属層
3 金属酸化物層
4 樹脂層
5 樹脂含有金属酸化物層
2 金属層
3 金属酸化物層
4 樹脂層
5 樹脂含有金属酸化物層
Claims (4)
- 金属層と、
前記金属層の一方面に積層される金属酸化物層と、
前記金属酸化物層の一方面に積層される樹脂層または樹脂含有金属酸化物層と
を備えることを特徴とする、金属基板。 - 前記金属酸化物層と、前記樹脂層または前記樹脂含有金属酸化物層とは、エアロゾルデポジション法により形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の金属基板。
- 前記樹脂層または前記樹脂含有金属酸化物層の厚みが、1μm以上300μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属基板。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の金属基板からなることを特徴とする、リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013225637A JP2015086431A (ja) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | 金属基板およびリードフレーム |
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JP2019009164A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 日本発條株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
WO2024106198A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | 味の素株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-10-30 JP JP2013225637A patent/JP2015086431A/ja active Pending
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