JP2015085249A - 多孔質ニッケル合金化合物、その製造方法及び触媒 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、特許文献1に開示されているNi単体の微細孔ニッケル多孔質体、及び、特許文献2に開示されている微細孔ニッケル−銅合金多孔質体は、Ni又はNi-Cu合金の触媒機能が限定的であるため、広汎な用途の触媒、例えば、COの酸化やNOの還元に用いられる触媒としての性能は不十分である。
〔1〕下記式(1):
NiaMnbCucVdOe (1)
(式(1)中、
a、b、c、d及びeは、a+b+c+d+e=100であり、
0<a≦60、0<b≦30、0≦c≦50、0≦d、30≦e、0.1≦b/aであり、
少なくとも、Niの酸化物及びMnの酸化物を含み、Cu及び/又はVを含む場合はCuの酸化物及び/又はVの酸化物を含む)で表される多孔質ニッケル合金化合物を提供するものである。
また本発明は、
〔2〕下記式(2):
NipMnqCurVs (2)
(式(2)中、
p、q、r及びsは、p+q+r+s=100であり、
0<p≦30、50≦q≦90、0≦r≦30、0≦sである)
で示されるニッケル合金を、酸化させつつ脱合金化する工程を含む前項〔1〕記載の多孔質ニッケル合金化合物の製造方法を提供する。
さらに、本発明は、〔3〕前項〔1〕又は〔2〕記載の多孔質ニッケル合金化合物を含む触媒、に関する。
下記式(1):
NiaMnbCucVdOe (1)
(式(1)中、
a、b、c、d及びeは、a+b+c+d+e=100であり、
0<a≦60、0<b≦30、0≦c≦50、0≦d、30≦e、0.1≦b/aであり、
少なくとも、Niの酸化物及びMnの酸化物を含み、Cu及び/又はVを含む場合はCuの酸化物及び/又はVの酸化物を含む)で表される化合物である。
XPSの測定条件として、アルゴンイオンビームで最表面から5ナノメートルの深さまでスパッタリングで削り、X線源として単色化AlKa線を使用し、出力を15kV10mA、分析箇所の面積を700×300μmとすることが好ましい。
上記のXPSの測定条件の下で、式(1)の組成が、本発明の多孔質ニッケル合金化合物の分析箇所の表面から深さ5nmまで特定されることが好ましい。
Niは、触媒の耐熱性を向上するためにも必要である。
Mnは、Niと複合酸化物を生成でき、Mnの酸化物による触媒機能を付与できることから、Niに対する原子%比(b/a)が、0.1以上である。なお、後述する式(3)及び(4)では、y/x及びu/tが、b/aに相当する。
NixMnyOz (3)
(式(3)中、
x、y及びzは、x+y+z=100であり、
0<x≦60、0<y≦20、0<z、0.1≦y/xであり、
好ましくは、20≦x≦40、5≦y≦15、0.13≦y/x≦0.75であり、
より好ましくは、20≦x≦30、5≦y≦10、0.17≦y/x≦0.50であり、
少なくとも、Ni及びMnの酸化物を含む)で表される多孔質ニッケル合金化合物を含む触媒であることが好ましい。
NitMnuCuvOw (4)
(式(4)中、
t、u、v及びwは、t+u+v+w=100であり、
0<t≦60、0<u≦30、0≦v≦50、30≦w、0.1≦u/tであり、
好ましくは、10≦t≦40、5≦u≦30、5≦v≦40、0.13≦u/t≦3.0であり、
より好ましくは、10≦t≦35、10≦u≦25、10≦v≦30、0.29≦u/t≦2.5であり、
少なくとも、Ni、Mn及びCuの酸化物を含む)で表される多孔質ニッケル合金化合物を含む触媒であることが好ましい。
多孔質ニッケル合金化合物は、例えば、下記式(2):
NipMnqCurVs (2)
(式(2)中、
p、q、r及びsは、p+q+r+s=100であり、
0<p≦30、50≦q≦90、0≦r≦30、0≦sである)
で示されるニッケル合金を、酸化させつつ脱合金化する工程を含む多孔質ニッケル合金化合物の製造方法で得ることができる。
好ましくは、5≦p≦20、60≦q≦80、5≦r≦20、0≦s≦10であり、
より好ましくは、10≦p≦20、60≦q≦70、10≦r≦20、0≦s≦10である。
NitMnuCuvOwの組成の多孔質ニッケル合金化合物を製造する場合は、Nit2Mnu2Cuv2(t2+u2+v2=100、好ましくは0<t2≦40、60≦u2≦80、0<v2≦40)の組成のニッケル合金を使用することが好ましい。
過度にMnを溶出させず、適度に合金を酸化させるという観点から、電位印加はしない方が好ましい。
多孔質ニッケル合金化合物は、安価な金属であるNiと特定の遷移金属を使用して、例えばCOの酸化やNOの還元を行うことができる触媒を構成するのに好適である。触媒としては、塊状、薄膜状、粉末状が好ましいが、生産性、ハンドリング性及び触媒効率の観点から、薄膜状がより好ましい。触媒は、例えば、ハニカムセラミックス等に付着させて実用に供することができる。
高純度化学研究所で製造された、下記組成のニッケル合金塊を準備した。
組成(1)Ni30Mn70
組成(2)Ni10Mn70Cu20
組成(3)Ni10Mn70Cu10V10
組成(4)Cu30Mn70
組成(1)のニッケル合金薄膜、
組成(2)のニッケル合金薄膜、
組成(3)のニッケル合金薄膜、及び、
組成(4)の比較合金薄膜、を製造した。
組成(2)及び(3)のニッケル合金薄膜も、組成(1)のニッケル合金薄膜と同じ条件で脱合金化した。
組成(4)の比較合金薄膜を、温度50℃の0.025MのHCl水溶液中で、エッチングを施して脱合金化した。
以下、組成(4)の比較合金薄膜を脱合金化して得た比較合金化合物を、ナノ多孔質MnCuともいう。
化学組成が、Ni53Mn10O37(at.%)(b/a=y/x=0.19)、平均孔径が、10nmだった。
化学組成が、Ni11Mn21Cu13O55(at.%)(b/a=q/p=1.91)、平均孔径が、10nmだった。
化学組成が、Ni14Mn7Cu13V1O65(at.%)(b/a=0.5)であった。平均孔径は、10nmだった。
最表面の吸着物質を取り除くため、アルゴンイオンビームで最表面から5ナノメートルの深さまでスパッタリングで削り、そして組成分析した。XPSの測定には、島津Kratos製、Axis−ultra DLDを使用した。X線源は単色化AlKa線、出力は15kV10mAとし、分析箇所の面積は700×300μmであり、分析は5nmの深さまで行った。
a.ナノ多孔質NiMn、ナノ多孔質NiMnCu及びナノ多孔質NiMnCuVでは、Ni金属、Ni酸化物及びMn酸化物が検出された。
b.ナノ多孔質NiMnCu及びナノ多孔質NiMnCuVでは、さらに、Cu金属とCu酸化物が検出され、ナノ多孔質NiMnCuVでは、さらに、Cu金属、Cu酸化物及びV酸化物が検出された。
c.ナノ多孔質NiMnは、Ni金属、Ni酸化物及びMn酸化物が混ざった構造であり、ナノ多孔質NiMnCuは、Ni金属、Ni酸化物、Mn酸化物、Cu金属及びCu酸化物が混ざった構造であり、そして、ナノ多孔質NiMnCuVは、Ni金属、Ni酸化物、Mn酸化物、Cu金属、Cu酸化物及びV酸化物が混ざった構造であった。
図27に示す気流循環式触媒活性評価装置を用いて、触媒活物質NO清浄化触媒活性を評価した。
組成(1)〜(4)のニッケル合金化合物の薄膜を100μm程度から3mm程度の薄片になるように粉砕して、触媒の試料とした。
まず、反応管(Reaction tube)に10mgの石英綿を装填し、その上から試料10mgを装填した。さらに、試料の上から10mgの石英綿を装填し、試料を石英綿が挟み込む形とした。
反応管とサーキュレーションライン(Circulation line)をつなぐストップコック(Stop cock)を閉じた後、不純物濃度1ppm以下に調整した純粋COガスおよび純粋NOガスを、高圧ボンベからレギュレータを介し、全圧がそれぞれ8×104Paに達するまで、総量3リットルのガスリザーバー(Gas reservoir)に充填した。
図1に、組成(1)の合金薄膜の外観を示す光学像を示す。
倍率は、約120万倍である。
NO+xCO=yN2+zN2O+xCO2 (5)
のように、NOをCOによって還元をすることができる触媒が有望であり、N2への転換率を上げ、温暖化ガスとして知られるN2Oへの転換率を下げることが触媒にとって重要である。
また、上記の反応によれば、本発明の触媒は、COの酸化触媒としても機能することがわかる。
図5から明らかなように、ナノ多孔質NiMnでは、温度225℃で中程度の活性を示すが、275℃になるといったん下がり、300℃、400℃と、温度が上昇すると共に、NOからN2への転換率が増大することがわかる。再度300℃(○印の箇所)で行うと、N2への転換率は減少する。
このように、本発明の触媒は、例えば、200〜500℃の範囲の中で、触媒活性の高い温度領域で使用することが好ましい(以下も、同様である)。
図6から明らかなように、ナノ多孔質NiMnでは、温度225℃では変換率が低いが、275℃、300℃では、NOからN2Oへの転換率が上昇する傾向にあり、400℃では、N2Oの転換率が低下することが分かる。
図9(a)及び(b)に、ナノ多孔質NiMnCuの触媒試験前の倍率を変えたTEM像を示す。
図11に、図10の選択領域のX線分析(EDS)のマップ図を示す。マップ図から、Ni、Mn,Cuが均一に混在した金属化合物となっていることがわかる。
300℃で2回測定をおこなっており、N2heatingおよびN2Oheatingは昇温時での300℃のデータで、その後400℃に一度上げてテストを行い(N2とN2Oとだけ表記)、次に300℃に下げたときにもう一度測定したデータである(N2coolingおよびN2Ocoolingと表記)。2度目の300℃のテストでも、触媒活性があり、触媒が熱劣化していないのがわかる。
図18に、ナノ多孔質NiMnCuVのNO清浄化触媒反応活性を示す。図18の横軸は反応時間(分)であり、縦軸はNOからN2への転換率(%)である。図18から明らかなように、ナノ多孔質NiMnCuVでは、温度が225℃、275℃、300℃、400℃と上昇すると共に、NOからN2への転換率が増大する傾向にあることが分かる。
図24に、ナノ多孔質MnCuのSEM像を示す。(a)は倍率が1万2千倍、(b)は倍率が5万5千倍である。電子の加速電圧は15kVである。
Claims (6)
- 下記式(1):
NiaMnbCucVdOe (1)
(式(1)中、
a、b、c、d及びeは、a+b+c+d+e=100であり、
0<a≦60、0<b≦30、0≦c≦50、0≦d、30≦e、0.1≦b/aであり、
少なくとも、Niの酸化物及びMnの酸化物を含み、Cu及び/又はVを含む場合はCuの酸化物及び/又はVの酸化物を含む)
で表される多孔質ニッケル合金化合物。 - 下記式(2):
NipMnqCurVs (2)
(式(2)中、
p、q、r及びsは、p+q+r+s=100であり、
0<p≦30、50≦q≦90、0≦r≦30、0≦sである)
で示されるニッケル合金を、酸化させつつ脱合金化する工程を含む、請求項1記載の多孔質ニッケル合金化合物の製造方法。 - 前記工程において、硫酸、塩酸、クエン酸及び酢酸からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物の水溶液の中で前記ニッケル合金を酸化させつつ脱合金化する、請求項2記載の多孔質ニッケル合金化合物の製造方法。
- 前記工程において、アンモニア硫酸塩、NaCl及びKClからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物の水溶液の中で前記ニッケル合金を酸化させつつ脱合金化する、請求項2記載の多孔質ニッケル合金化合物の製造方法。
- 請求項1〜4の何れか1項記載の多孔質ニッケル合金化合物を含む触媒。
- CO酸化用及びNO還元用触媒である請求項5記載の触媒(但し、CO酸化用の場合、c及びdは同時に0にならない)。
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