JP2015070267A - Scribe line-forming method of wafer laminate for image sensor, and scribe line-forming device of wafer laminate for image sensor - Google Patents

Scribe line-forming method of wafer laminate for image sensor, and scribe line-forming device of wafer laminate for image sensor Download PDF

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scribe line-forming method of a wafer laminate for an image sensor and a scribe line-forming device of the wafer laminate for the image sensor, by and with which the wafer laminate for the image sensor can be parted effectively and finely according to a dry-system simple technique without using a dicing saw.SOLUTION: A wafer laminate W for an image sensor is structured by bonding a glass wafer 1 and a silicon wafer 2 by a resin layer 4 which is disposed so as to surround photodiode formation regions 3. A scribe line-forming method of the wafer laminate W for the image sensor and a scribe line-forming device are disclosed. The scribe line-forming method includes: forming a scribe line S1 by pressing/rolling a scribing wheel 10 along a predetermined parting line on a top face of the glass wafer 1; and next forming a scribe line S2 by pressing/rolling a diamond point cutter 25 including a protrusive blade point 25b on a tip of a blade body 25a along a predetermined parting line on an outer surface of the silicon wafer 2.

Description

本発明は、CMOSイメージセンサのウエハレベルパッケージがパターン形成されたウエハ積層体を個片化するためのスクライブライン形成方法並びにスクライブライン形成装置に関する。 The present invention relates to a scribe line forming method and a scribe line forming apparatus for separating a wafer laminate in which a wafer level package of a CMOS image sensor is patterned.

近年、低電力、高機能、高集積化が重要視されるモバイルフォン、デジタルカメラ、光マウス等の各種小型電子機器分野において、CMOSイメージセンサの使用が急増している。   In recent years, the use of CMOS image sensors has been rapidly increasing in various small electronic devices such as mobile phones, digital cameras, and optical mice where low power, high functionality, and high integration are important.

図8は、CMOSイメージセンサのウエハレベルパッケージ(チップサイズの単位製品)W1の構成例を概略的に示す断面図である。ウエハレベルパッケージW1は、(個片化された)ガラスウエハ1と(個片化された)シリコンウエハ2とが樹脂隔壁4を挟んで接合された積層構造を有している。
シリコンウエハ2の上面(接合面側)にはフォトダイオード領域(センシング領域)3が形成され、その周囲を樹脂隔壁4が格子状に取り囲むように配置することで、フォトダイオード領域3が設けられた内側空間が気密状態になるようにしてある。さらに、(フォトダイオード領域3の外側の)シリコンウエハ2の上面には金属パッド5が形成され、この金属パッド5が形成された部分の直下にはシリコンウエハ2を上下に貫通するビア(貫通孔)6が形成されている。ビア6には電気的導電性に優れた導電材7が充填され、ビア6下端にははんだバンプ8が形成されている。このように、ビア6を形成するとともに導電材7を充填して電気的接続を行う構成をTSV(Through Silicon Via)という。
なお、上記したはんだバンプ8の下面に、所定の電気回路がパターニングされたPCB基板など(図示略)が接合される。
FIG. 8 is a sectional view schematically showing a configuration example of a wafer level package (chip size unit product) W1 of the CMOS image sensor. The wafer level package W1 has a laminated structure in which a (separated) glass wafer 1 and a (separated) silicon wafer 2 are bonded with a resin partition 4 interposed therebetween.
A photodiode region (sensing region) 3 is formed on the upper surface (joint surface side) of the silicon wafer 2, and the photodiode region 3 is provided by arranging the periphery so that the resin partition 4 surrounds in a lattice shape. The inner space is made airtight. Further, a metal pad 5 is formed on the upper surface of the silicon wafer 2 (outside the photodiode region 3), and a via (through hole) penetrating the silicon wafer 2 vertically below the portion where the metal pad 5 is formed. ) 6 is formed. The via 6 is filled with a conductive material 7 having excellent electrical conductivity, and a solder bump 8 is formed at the lower end of the via 6. The structure in which the via 6 is formed and the conductive material 7 is filled to make electrical connection is referred to as TSV (Through Silicon Via).
A PCB substrate or the like (not shown) on which a predetermined electric circuit is patterned is bonded to the lower surface of the solder bump 8 described above.

チップサイズの単位製品であるウエハレベルパッケージW1は、図8〜図10に示すように、母体となる大面積のガラスウエハ1と大面積のシリコンウエハ2とが樹脂隔壁4を介して接合されたウエハ積層体Wの上に、X−Y方向に延びる分断予定ラインLで格子状に区分けされて多数個がパターン形成されており、このウエハ積層体Wが当該分断予定ラインLに沿って分断されることにより、(個片化された)チップサイズのウエハレベルパッケージW1となる。   As shown in FIGS. 8 to 10, the wafer level package W <b> 1, which is a chip-sized unit product, has a large-area glass wafer 1 and a large-area silicon wafer 2 bonded together via a resin partition 4. On the wafer stack W, a large number of patterns are formed by being divided into a lattice pattern by dividing lines L extending in the XY direction, and the wafer stack W is divided along the scheduled cutting lines L. Thus, the wafer level package W1 having a chip size (separated) is obtained.

ところで、シリコンウエハを分断してウエハレベルパッケージの製品にする加工では、CMOSイメージセンサ用を含め、従来から、特許文献1〜特許文献4に示すようなダイシングソーが用いられている。ダイシングソーは、高速回転する回転ブレードを備え、回転ブレードの冷却と切削時に発生する切削屑を洗浄する切削液を回転ブレードに噴射しながら切削するように構成されている。   By the way, dicing saws as shown in Patent Documents 1 to 4 have been used in the past, including those for CMOS image sensors, in the process of dividing a silicon wafer into a product of a wafer level package. The dicing saw includes a rotating blade that rotates at a high speed, and is configured to perform cutting while spraying a cutting fluid that cools the rotating blade and cleans cutting waste generated during cutting onto the rotating blade.

特開平5−090403号公報JP-A-5-090403 特開平6−244279号公報JP-A-6-244279 特開2002−224929号公報JP 2002-224929 A 特開2003−051464号公報JP 2003-051464 A

上記したダイシングソーは、回転ブレードを用いた切削による分断であるため、切削屑が多量に発生し、たとえ切削液で洗浄したとしても、切削液の一部が残留したり、或いは切削時の飛散により切削屑がパッケージ表面に付着することがあって、品質や歩留まりの低下の大きな原因となる。また、切削液の供給や廃液回収のための機構や配管を必要とするため装置が大掛かりとなる。加えて、切削によってガラスウエハを分断するものであるから、切削面に小さなチッピング(欠け)が発生することが多く、きれいな分断面を得ることができない。また、高速回転する回転ブレードの刃先はノコ歯状もしくは連続した凹凸状で形成されているため、刃先の摩耗や破損が生じやすく使用寿命が短い。さらに、回転ブレードの厚みは強度の面からあまり薄くすることができず、小径のものであっても60μm以上の厚みで形成されているので、切削幅がそれだけ必要となって材料の有効利用が制限される要因の一つにもなるなどの問題点があった。   Since the above-mentioned dicing saw is divided by cutting using a rotating blade, a large amount of cutting waste is generated, and even if the cutting fluid is cleaned with cutting fluid, a part of the cutting fluid remains or is scattered during cutting. As a result, cutting scraps may adhere to the package surface, which is a major cause of deterioration in quality and yield. Further, since a mechanism and piping for supplying the cutting fluid and collecting the waste fluid are required, the apparatus becomes large. In addition, since the glass wafer is cut by cutting, small chipping (chips) often occurs on the cut surface, and a clean cut section cannot be obtained. In addition, since the cutting edge of the rotating blade rotating at high speed is formed in a sawtooth shape or a continuous uneven shape, the cutting edge tends to be worn or damaged, and the service life is short. Furthermore, the thickness of the rotating blade cannot be made very thin from the viewpoint of strength, and even if it has a small diameter, it is formed with a thickness of 60 μm or more. There were problems such as being one of the limiting factors.

そこで本発明は、上記した従来課題の解決を図り、ダイシングソーを用いることなく、ドライ方式の簡単な手法で効果的に、かつ、きれいに分断することができるイメージセンサウエハ・パッケージのスクライブライン形成方法並びにその装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a method for forming a scribe line for an image sensor wafer package that can solve the above-described conventional problems, and can be effectively and cleanly divided by a simple dry method without using a dicing saw. An object of the present invention is to provide an apparatus for the same.

上記目的を達成するために本発明では次のような技術的手段を講じた。すなわち本発明のスクライブライン形成方法は、ガラスウエハと、複数のフォトダイオード形成領域が縦横にパターン形成されたシリコンウエハとが、前記各フォトダイオード形成領域を囲むように配置された樹脂層を介して貼り合わされた構造を有するイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成方法であって、円周稜線に沿って所定の刃先角度を有する刃先が形成されたガラス用スクライビングホイールを、前記ガラスウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動させることによって、ガラスウエハの外表面にスクライブラインを形成するガラススクライブ工程、及び、先端にダイヤモンドによる突状の刃先を有するダイヤモンドポイントカッタ、又は、前記ガラス用スクライビングホイールよりも円周稜線に沿った刃先角度が小さい刃先が形成されたシリコン用スクラビングホイールを、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら移動又は転動させることによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するシリコンスクライブ工程を有するようにた。前記ガラススクライブ工程及びシリコンスクライブ工程に次いで、前記シリコンウエハの外表面側、又は、ガラスウエハの外表面側から前記スクライブラインに沿って押圧部材を押しつけることにより、前記ウエハ積層体を撓ませてガラスウエハ並びにシリコンウエハを、それぞれのスクライブラインに沿って分断する分断工程を有するようにしてもよい
ここで、押圧部材は、シリコンウエハの外表面側から押しつけてもよく、ガラスウエハの外表面側から押しつけてもよいが、一般にガラスウエハの方が分断されにくい傾向があるため、シリコンウエハの外表面側から押しつけることが好ましい。
また、ガラススクライブ工程とシリコンスクライブ工程とはどちらを先に実行してもよく、ガラスウエハの外表面とシリコンウエハの外表面とを同時にスクライブしてもよいが、特に分断工程においてシリコンウエハの外表面に押圧部材を押しつける場合には、ウエハ積層体の反転等の点より、ガラススクライブ工程を先に実行することが好ましい。
In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means. That is, in the scribe line forming method of the present invention, a glass wafer and a silicon wafer in which a plurality of photodiode formation regions are vertically and horizontally patterned are disposed through a resin layer arranged so as to surround each photodiode formation region. A method for forming a scribe line for a wafer laminate for an image sensor having a bonded structure, wherein a glass scribing wheel having a cutting edge having a predetermined cutting edge angle along a circumferential ridgeline is formed on the outside of the glass wafer. A glass scribing step for forming a scribe line on the outer surface of the glass wafer by rolling it while pressing along a planned cutting line on the surface, and a diamond point cutter having a protruding blade tip made of diamond at the tip, or Circumferential ridgeline than the glass scribing wheel A scribing line is formed on the outer surface of the silicon wafer by moving or rolling a silicon scrubbing wheel having a cutting edge with a small cutting edge angle along the planned cutting line on the outer surface of the silicon wafer. silicon scribing step of forming was set to be closed. Next to the glass scribe step and the silicon scribe step, the wafer laminated body is bent and pressed by pressing a pressing member along the scribe line from the outer surface side of the silicon wafer or the outer surface side of the glass wafer. You may make it have a cutting process which cuts a wafer and a silicon wafer along each scribe line.
Here, the pressing member may be pressed from the outer surface side of the silicon wafer or may be pressed from the outer surface side of the glass wafer. However, since the glass wafer generally tends to be less likely to be divided, It is preferable to press from the surface side.
In addition, either the glass scribe process or the silicon scribe process may be executed first, and the outer surface of the glass wafer and the outer surface of the silicon wafer may be scribed simultaneously. When the pressing member is pressed against the surface, it is preferable to perform the glass scribing step first from the viewpoint of inversion of the wafer stack.

また、別の観点からなされた本発明のスクライブライン形成装置は、ガラスウエハと、複数のフォトダイオード形成領域が縦横にパターン形成されたシリコンウエハとが、前記各フォトダイオード形成領域を囲むように配置された樹脂層を介して貼り合わされた構造を有するイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成装置であって、リング体からなり円周稜線に沿って所定の刃先角度を有し、前記ガラスウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動することによって、前記ガラスウエハの外表面にスクライブラインを形成するガラス用スクライビングホイールと、先端部にダイヤモンドによる突状の刃先が形成され、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら移動することによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するダイヤモンドポイントカッタ、又は、前記ガラス用スクライビングホイールよりも円周稜線に沿った刃先角度が小さく、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動することによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するシリコン用スクラビングホイールとのいずれかと、を備えるようにしている。前記シリコンウエハの外表面側又は前記ガラスウエハの外表面側から前記スクライブラインに沿って押圧することにより、前記ウエハ積層体を撓ませて、前記ガラスウエハ並びにシリコンウエハを前記それぞれのスクライブラインに沿って分断する押圧部材を備えるようにしてもよい
本発明において、前記ガラス用スクライビングホイールは、円周稜線に沿って溝又は切欠きが形成され、残存した稜線(突起)が刃先となるスクライビングホイールであって、ガラスウエハへのカカリ及び/又はスクライブラインに沿って形成される垂直クラックのガラスウエハの厚み方向への伸展(浸透性)が良好なスクライビングホイールとしてもよく、また、円周稜線に沿って溝及び切欠きが形成されていない通常のスクライビングホイールであってもよい。前記ガラス用スクライビングホイールは、円周稜線に対して垂直方向の断面における刃先先端の角度(刃先角度)が、例えば、95度〜155度であることが好ましい。
一方、前記シリコン用スクライビングホイールは、円周稜線に沿って溝及び切欠きが形成されていない通常のスクライビングホイールであり、刃先角度が、ガラス用スクライビングホイールの刃先角度よりも小さいスクライビングホイール(例えば、刃先角度:85度〜135度)であることが好ましい。
なお、上述したガラス用スクライビングホイールとシリコン用スクライビングホイールの好ましい範囲は一部重複しているが(95度〜135度)、たとえ、この数値範囲のホイールを使用する場合であっても、シリコン用スクライビングホイールの刃先角度が、ガラス用スクライビングホイールの刃先角度よりも相対的に小さくなるように組み合わせたホイールの対を使用することが必要である。
Further, the scribe line forming apparatus of the present invention made from another point of view is arranged so that a glass wafer and a silicon wafer in which a plurality of photodiode forming regions are patterned vertically and horizontally surround each of the photodiode forming regions. A scribe line forming apparatus for a wafer laminated body for an image sensor having a structure bonded through a resin layer, the glass wafer comprising a ring body and having a predetermined edge angle along a circumferential ridgeline By rolling while pressing along the planned cutting line of the outer surface of the glass, a glass scribing wheel that forms a scribe line on the outer surface of the glass wafer, and a protruding blade edge made of diamond is formed at the tip, By moving while pressing along the dividing line on the outer surface of the silicon wafer, The diamond point cutter that forms a scribe line on the outer surface of the recon wafer, or the edge angle along the circumferential ridge line is smaller than the scribing wheel for glass, while pressing along the planned cutting line on the outer surface of the silicon wafer And a silicon scrubbing wheel that forms a scribe line on the outer surface of the silicon wafer by rolling . The wafer laminate is bent by pressing along the scribe line from the outer surface side of the silicon wafer or the outer surface side of the glass wafer, and the glass wafer and the silicon wafer are moved along the respective scribe lines. it may be provided with a pressing member for dividing Te.
In the present invention, the glass scribing wheel is a scribing wheel in which grooves or notches are formed along a circumferential ridge line, and the remaining ridge line (protrusion) serves as a cutting edge. The scribing wheel may have a good extension (penetration) in the thickness direction of the glass wafer along the vertical crack formed along the line, and the groove and notch are not formed along the circumferential ridge line. A scribing wheel may be used. The glass scribing wheel preferably has a blade tip angle (blade edge angle) in a cross section perpendicular to the circumferential ridgeline, for example, from 95 degrees to 155 degrees.
On the other hand, the silicon scribing wheel is a normal scribing wheel in which grooves and notches are not formed along the circumferential ridgeline, and the cutting edge angle is smaller than the cutting edge angle of the glass scribing wheel (for example, The blade edge angle is preferably 85 to 135 degrees.
In addition, although the preferable range of the scribing wheel for glass and the scribing wheel for silicon described above partially overlaps (95 degrees to 135 degrees), even if a wheel in this numerical range is used, it is for silicon. It is necessary to use a pair of wheels combined such that the cutting edge angle of the scribing wheel is relatively smaller than the cutting edge angle of the glass scribing wheel.

本発明によれば、押圧部材の押しつけによって、ガラスウエハ並びにシリコンウエハのそれぞれに形成したスクライブラインに沿って分断されるものであるから、従来のダイシングソーの切削による場合のような大きな切削幅を必要とせず、材料を有効利用することができる。また、切削による場合のようなチッピングや切屑などの発生を抑制することができ、きれいな切断面で歩留まりよく分断することができる。特に、シリコンウエハのスクライブにダイヤモンドポイントカッタを使用する場合には、ダイヤモンドポイントカッタが固定刃であることとあいまって、シリコンウエハに低荷重でスクライブラインを形成することができるので、シリコンウエハの切断端面にチッピング等の不要な疵が形成されにくいという利点もある。また、シリコンウエハのスクライブにシリコン用スクライビングホイールを使用する場合には、刃先角度がガラス用スクライビングホイールの刃先角度よりも小さいシリコン用スクライビングホイールを使用することによって、相対的に低荷重でスクライブラインを形成することができるので、シリコンウエハの切断端面におけるチッピング等の不要な疵の発生を抑制することができる。   According to the present invention, the pressing member is divided along the scribe line formed on each of the glass wafer and the silicon wafer, so that a large cutting width as in the case of cutting a conventional dicing saw is obtained. The material can be used effectively without the need. Moreover, generation | occurrence | production of chipping, a chip | tip, etc. like the case by cutting can be suppressed, and it can divide with a yield with a clean cut surface. In particular, when a diamond point cutter is used for scribing a silicon wafer, a scribe line can be formed on the silicon wafer with a low load coupled with the diamond point cutter being a fixed blade. There is also an advantage that unnecessary wrinkles such as chipping are hardly formed on the end face. In addition, when using a silicon scribing wheel for silicon wafer scribing, a silicon scribing wheel having a cutting edge angle smaller than that of the glass scribing wheel can be used to create a scribe line at a relatively low load. Since it can be formed, generation of unnecessary wrinkles such as chipping on the cut end surface of the silicon wafer can be suppressed.

特に本発明では、従来のダイシングソーのような切削液を使用せず、ドライ環境下で分断するものであるから、切削液の供給や廃液回収のための機構や配管を省略でき、かつ、切断後の洗浄や乾燥工程も省略できて装置をコンパクトに構成することができる。また、円周稜線に沿って刃先を有するリング体で形成されたスクライビングホイールや、刃体の先端部にダイヤモンドによる刃先を備えたダイヤモンドポイントカッタは、歯こぼれ等が生じやすい従来の回転ブレードに比べて使用寿命が長いので、ランニングコストを抑えることができるといった効果がある。   In particular, in the present invention, the cutting fluid such as a conventional dicing saw is not used, and the cutting is performed in a dry environment. Therefore, the mechanism and piping for supplying the cutting fluid and collecting the waste fluid can be omitted, and the cutting is performed. Subsequent washing and drying steps can be omitted, and the apparatus can be made compact. In addition, the scribing wheel formed with a ring body having a cutting edge along the circumferential ridgeline and the diamond point cutter with a blade edge made of diamond at the tip of the blade body are more difficult than conventional rotating blades that are prone to tooth spilling. Since the service life is long, the running cost can be reduced.

本発明のスクライブライン形成方法の第一段階(ガラスウエハのスクライブライン形成段階)を示す図。The figure which shows the 1st step (the scribe line formation step of a glass wafer) of the scribe line formation method of this invention. 本発明のスクライブライン形成方法の第二段階(シリコンウエハのスクライブライン形成段階)を示す図。The figure which shows the 2nd stage (scribe line formation stage of a silicon wafer) of the scribe line formation method of this invention. 本発明のスクライブライン形成方法によるスクライブラインに沿った分断段階を示す図。The figure which shows the division | segmentation step along the scribe line by the scribe line formation method of this invention. 図3の別実施例を示す図。The figure which shows another Example of FIG. 本発明に用いるスクライビングホイールとそのホルダ部分を示す図。The figure which shows the scribing wheel used for this invention, and its holder part. 本発明に用いるダイヤモンドポイントカッタとそのホルダ部分を示す図。The figure which shows the diamond point cutter and its holder part used for this invention. 本発明に用いられるスクライブ機構の概略的な正面図。The schematic front view of the scribe mechanism used for this invention. CMOSイメージセンサ用のウエハレベルパッケージの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the wafer level package for CMOS image sensors. 母材となるCMOSイメージセンサ用ウエハ積層体の一部を示す断面図。Sectional drawing which shows a part of wafer laminated body for CMOS image sensors used as a base material. 図8のCMOSイメージセンサ用ウエハ積層体を示す概略的な平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the CMOS image sensor wafer laminate of FIG. 8.

以下、本発明に係るイメージセンサ用のウエハ積層体の分断方法の詳細を、図面に基づいて説明する。
図1は本発明の分断方法の第一段階である、加工対象となるCMOSイメージセンサ用のウエハ積層体Wの一部断面を示すものである。ウエハ積層体Wの構造は、上述した図8〜図10に示したものと基本的に同じ構造である。
すなわち、母体となる大面積(例えば直径8インチ)のガラスウエハ1と、その下面側に配置されるシリコンウエハ2とが格子状の樹脂隔壁4を介して接合される。
シリコンウエハ2の上面(接合面側)にはフォトダイオード形成領域(センシング領域)3が設けられている。フォトダイオード領域3にはフォトダイオードアレイが形成されており、イメージセンサの受光面として機能する。そして、フォトダイオード領域3近傍には、金属パッド5が形成され、この金属パッド5が形成された部分の直下にはシリコンウエハ2を上下に貫通するビア(貫通孔)6が形成されている。ビア6には電気的導電性に優れた導電材7が充填され(TSV)、ビア6下端にははんだバンプ8が形成されている。なお、上記したはんだバンプ8の下面に、所定の電気回路がパターニングされたPCB基板など(図示略)が接合される。
このCMOSイメージセンサ用ウエハ積層体Wは、図10に示したようにX−Y方向に延びる格子状の分断予定ラインLに沿って分断されることにより個片化され、チップサイズの単位製品であるウエハレベルパッケージW1が取り出されることになる。
Hereinafter, details of the method for dividing a wafer laminate for an image sensor according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a partial cross section of a wafer laminate W for a CMOS image sensor to be processed, which is the first stage of the cutting method of the present invention. The structure of the wafer stack W is basically the same as that shown in FIGS.
That is, a glass wafer 1 having a large area (for example, 8 inches in diameter) serving as a base and a silicon wafer 2 disposed on the lower surface side of the glass wafer 1 are bonded via a lattice-shaped resin partition 4.
A photodiode formation region (sensing region) 3 is provided on the upper surface (bonding surface side) of the silicon wafer 2. A photodiode array is formed in the photodiode region 3 and functions as a light receiving surface of the image sensor. In the vicinity of the photodiode region 3, a metal pad 5 is formed, and a via (through hole) 6 penetrating the silicon wafer 2 in the vertical direction is formed immediately below the portion where the metal pad 5 is formed. The via 6 is filled with a conductive material 7 having excellent electrical conductivity (TSV), and a solder bump 8 is formed at the lower end of the via 6. A PCB substrate or the like (not shown) on which a predetermined electric circuit is patterned is bonded to the lower surface of the solder bump 8 described above.
As shown in FIG. 10, the CMOS image sensor wafer stack W is divided into pieces by being cut along a grid-like cutting planned line L extending in the XY direction, and is a chip-sized unit product. A certain wafer level package W1 is taken out.

次に分断加工手順について説明する。ウエハ積層体Wを図10の分断予定ラインLに沿って分断する際に、最初に、図5に示すようなスクライビングホイール10を用いてガラスウエハ1の表面にスクライブラインS1を加工する。
スクライビングホイール10は、超硬合金や焼結ダイヤモンドなどの工具特性に優れた材料で形成されており、円周稜線(外周面)に刃先10aが形成されている。具体的には直径が1〜6mm、好ましくは1.5〜4mmで刃先角度が85〜150度、好ましくは105〜140度のものを使用するのが好ましいが、加工されるガラスウエハ1の厚みや種類に応じて適宜選択される。
このスクライビングホイール10はガラス用であり、ホルダ11に回転可能に支持され、昇降機構12を介してスクライブ機構Aのスクライブヘッド24(図7参照)に取り付けられている。
Next, a parting procedure will be described. When the wafer stack W is cut along the line L to be cut in FIG. 10, first, the scribe line S1 is processed on the surface of the glass wafer 1 using the scribing wheel 10 as shown in FIG.
The scribing wheel 10 is formed of a material having excellent tool characteristics such as cemented carbide or sintered diamond, and a cutting edge 10a is formed on a circumferential ridgeline (outer peripheral surface). Specifically, it is preferable to use one having a diameter of 1 to 6 mm, preferably 1.5 to 4 mm, and a cutting edge angle of 85 to 150 degrees, preferably 105 to 140 degrees. It is appropriately selected according to the type.
The scribing wheel 10 is for glass, is rotatably supported by the holder 11, and is attached to the scribe head 24 (see FIG. 7) of the scribe mechanism A via the elevating mechanism 12.

スクライブ機構Aは、ウエハ積層体Wを載置して保持するテーブル15を備えている。テーブル15は、水平なレール17に沿ってY方向(図7の前後方向)に移動できるようになっており、モータ(図示略)によって回転するネジ軸18により駆動される。さらにテーブル15は、モータを内蔵する回転駆動部19により水平面内で回動できるようになっている。   The scribe mechanism A includes a table 15 on which the wafer stack W is placed and held. The table 15 can move in the Y direction (front-rear direction in FIG. 7) along the horizontal rail 17, and is driven by a screw shaft 18 that is rotated by a motor (not shown). Further, the table 15 can be rotated in a horizontal plane by a rotation drive unit 19 incorporating a motor.

テーブル15を挟んで設けてある両側の支持柱20、20と、X方向に水平に延びるビーム(横桟)21とを備えたブリッジ22が、テーブル15上を跨ぐようにして設けられている。ビーム21には、X方向に水平に延びるガイド23が設けられ、このガイド23に上記したスクライブヘッド24が、モータMによってビーム21に沿ってX方向に移動できるように取り付けられている。また、スクライブヘッド24には、スクライビングホイール10とともに後述するダイヤモンドポイントカッタ25も取り付けられている。   A bridge 22 including support columns 20 and 20 on both sides provided with the table 15 interposed therebetween and a beam (horizontal beam) 21 extending horizontally in the X direction is provided so as to straddle the table 15. The beam 21 is provided with a guide 23 extending horizontally in the X direction, and the scribe head 24 described above is attached to the guide 23 so that the motor M can move along the beam 21 in the X direction. The scribing head 24 is also attached with a scribing wheel 10 and a diamond point cutter 25 described later.

上記したスクライブ機構Aのテーブル15上に、図1に示すように、ガラスウエハ1を上向きにした状態でウエハ積層体Wを載置し、スクライビングホイール10をガラスウエハ1の外表面で分断予定ラインに沿って押圧しながら転動させることにより、ガラスウエハ1にスクライブラインS1を形成する。なお、スクライブラインS1はウエハレベルパッケージW1の樹脂隔壁4の外側に形成される。   As shown in FIG. 1, the wafer stack W is placed on the table 15 of the scribing mechanism A with the glass wafer 1 facing upward, and the scribing wheel 10 is divided on the outer surface of the glass wafer 1. A scribe line S <b> 1 is formed on the glass wafer 1 by rolling it while being pressed. The scribe line S1 is formed outside the resin partition 4 of the wafer level package W1.

次いで第二段階として、図2に示すようにウエハ積層体Wを反転し、ダイヤモンドポイントカッタ25を、シリコンウエハ2の外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら移動させることによって、シリコンウエハ2の外表面にスクライブラインS2を形成する。
ダイヤモンドポイントカッタ25は、図6に示すように、刃体25aの先端下面にダイヤモンドによる突状の刃先25bを備えており、ホルダ26に取り付けられている。ホルダ26は、スクライビングホイール10と同様に、昇降機構27を介して上記したスクライブ機構Aのスクライブヘッド24に保持され、分断予定ラインの方向に沿って移動できるように形成されている。
Next, as a second stage, as shown in FIG. 2, the wafer stack W is reversed, and the diamond point cutter 25 is moved while being pressed along the planned cutting line on the outer surface of the silicon wafer 2. A scribe line S2 is formed on the outer surface of the substrate.
As shown in FIG. 6, the diamond point cutter 25 includes a projecting blade tip 25 b made of diamond on the lower surface of the tip of the blade body 25 a and is attached to the holder 26. Similar to the scribing wheel 10, the holder 26 is held by the scribing head 24 of the scribing mechanism A via the elevating mechanism 27 and is formed so as to be movable along the direction of the planned dividing line.

続いて第三段階として、図3に示すように、下側になっているガラスウエハ1の外表面で、スクライブラインS1を挟むようにその両脇に沿って延びる左右一対の受台13、13を配置し、上側になっているシリコンウエハ2の外表面からスクライブラインS2に向けて押圧部材14を押しつける。本実施例では、この押圧部材14として長尺で板状のブレイクバーを用いたが、これに換えて押しつけながら転動するローラで形成することもできる。押圧部材14としてのブレイクバーは、流体シリンダなどの昇降機構(図示略)を介して上下に昇降できるように形成されている。   Subsequently, as a third stage, as shown in FIG. 3, a pair of left and right cradles 13 and 13 extending along both sides of the outer surface of the glass wafer 1 on the lower side so as to sandwich the scribe line S1. The pressing member 14 is pressed from the outer surface of the silicon wafer 2 on the upper side toward the scribe line S2. In the present embodiment, a long and plate-like break bar is used as the pressing member 14, but it can be formed by a roller that rolls while pressing instead. The break bar as the pressing member 14 is formed so that it can be moved up and down via an elevating mechanism (not shown) such as a fluid cylinder.

この押圧部材14を押しつけることにより、ガラスウエハ1並びにシリコンウエハ2が押圧方向とは反対側に撓んで、ガラスウエハ1のスクライブラインS1並びにシリコンウエハ2のスクライブラインS2に沿って亀裂が厚み方向に浸透して分断され、これにより個片化されたウエハレベルパッケージW1が分断予定ラインに沿って完全分断される。
この撓みによる分断において、ガラスウエハ1もシリコンウエハ2もそれぞれのスクライブラインS1、S2から亀裂が厚み方向に浸透して分断されるものであるから、従来のダイシングソーによる切削加工の場合のような切削幅を必要とせず、材料を有効利用することができるとともに、切削による場合のようなチッピングや切屑などの発生を抑制することができて、きれいな切断面で歩留まりよく分断することができる。
By pressing the pressing member 14, the glass wafer 1 and the silicon wafer 2 are bent in the direction opposite to the pressing direction, and cracks are formed in the thickness direction along the scribe line S 1 of the glass wafer 1 and the scribe line S 2 of the silicon wafer 2. The wafer level package W1 that has been permeated and divided and thereby separated into pieces is completely divided along the line to be divided.
In this division by bending, both the glass wafer 1 and the silicon wafer 2 are divided by cracks penetrating in the thickness direction from the scribe lines S1 and S2, respectively. Therefore, as in the case of cutting with a conventional dicing saw, The cutting width is not required, the material can be used effectively, the generation of chipping and chips as in the case of cutting can be suppressed, and the cutting can be performed with a clean cut surface with a high yield.

また、本発明では従来のダイシングソーのように切削液を使用せず、ドライ環境下で分断するものであるから、切削液の供給や廃液回収のための機構や配管を省略でき、かつ、切断後の洗浄や乾燥工程も省略できて、装置をコンパクトに構成することができる。さらに、本発明で用いた円周稜線に沿って刃先10aを有するリング体で形成されたスクライビングホイール10や、刃体25aの先端部にダイヤモンドによる刃先25bを備えたダイヤモンドポイントカッタ25は、歯こぼれなどが生じやすい従来の回転ブレードに比べて使用寿命が長いので、ランニングコストを安く抑えることができる。   Further, in the present invention, the cutting fluid is not used as in the conventional dicing saw, and it is divided in a dry environment, so that the mechanism and piping for supplying the cutting fluid and collecting the waste fluid can be omitted, and the cutting is performed. Subsequent washing and drying steps can be omitted, and the apparatus can be made compact. Further, the scribing wheel 10 formed of a ring body having the cutting edge 10a along the circumferential ridge line used in the present invention and the diamond point cutter 25 having the cutting edge 25b made of diamond at the tip of the cutting body 25a are spilled. Since the service life is longer than that of conventional rotating blades that are prone to occur, the running cost can be reduced.

本発明において、押圧部材14によるブレイク加工時に、ガラスウエハ1を受ける左右一対の受台13、13に換えて、図4に示すように、ガラスウエハ1が撓む程度に凹ませることが可能な厚みを有するクッション材16を、ガラスウエハ1のスクライブラインS1形成面に接して配置するようにしてもよい。   In the present invention, at the time of the break processing by the pressing member 14, the pair of left and right cradles 13 and 13 for receiving the glass wafer 1 can be changed to be recessed so that the glass wafer 1 is bent as shown in FIG. 4. The cushion material 16 having a thickness may be disposed in contact with the scribe line S1 formation surface of the glass wafer 1.

以上本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態に特定されるものではない。例えば上記実施例では、スクライビングホイール10とダイヤモンドポイントカッタ25とを共通のスクライブヘッド24に保持させたが、それぞれを別のスクライブヘッドに保持するように構成してもよい。
また、ダイヤモンドポイントカッタ25に換えて、ガラス用スクライビングホイール10よりも刃先角度が小さいシリコン用スクライビングホイールを使用してもよい。
その他本発明ではその目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。
While typical examples of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the scribing wheel 10 and the diamond point cutter 25 are held by the common scribe head 24, but each may be configured to be held by different scribe heads.
Further, instead of the diamond point cutter 25, a silicon scribing wheel having a cutting edge angle smaller than that of the glass scribing wheel 10 may be used.
In addition, the present invention achieves its object and can be appropriately modified and changed without departing from the scope of the claims.

本発明のスクライブライン形成方法及び装置は、ガラスウエハとシリコンウエハを貼り合わせたウエハ積層体の分断に利用できる。 The scribe line forming method and apparatus of the present invention can be used for dividing a wafer laminate in which a glass wafer and a silicon wafer are bonded together.

A スクライブ機構
S1 ガラスウエハのスクライブライン
S2 シリコンウエハのスクライブライン
W ウエハ積層体
W1 ウエハレベルパッケージ
1 ガラスウエハ
2 シリコンウエハ
10 スクライビングホイール
10a 刃先
14 押圧部材
15 テーブル
25 ダイヤモンドポイントカッタ
25a 刃体
25b 刃先
A scribe mechanism S1 glass wafer scribe line S2 silicon wafer scribe line W wafer stack W1 wafer level package 1 glass wafer 2 silicon wafer 10 scribing wheel 10a blade edge 14 pressing member 15 table 25 diamond point cutter 25a blade body 25b blade edge

Claims (2)

ガラスウエハと、複数のフォトダイオード形成領域が縦横にパターン形成されたシリコンウエハとが、前記各フォトダイオード形成領域を囲むように配置された樹脂層を介して貼り合わされた構造を有するイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成方法であって、
円周稜線に沿って所定の刃先角度を有する刃先が形成されたガラス用スクライビングホイールを、前記ガラスウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動させることによって、ガラスウエハの外表面にスクライブラインを形成するガラススクライブ工程、及び、
先端にダイヤモンドによる突状の刃先を有するダイヤモンドポイントカッタ、又は、前記ガラス用スクライビングホイールよりも円周稜線に沿った刃先角度が小さい刃先が形成されたシリコン用スクラビングホイールを、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら移動又は転動させることによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するシリコンスクライブ工程を有するようにしたイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成方法。
For an image sensor having a structure in which a glass wafer and a silicon wafer in which a plurality of photodiode formation regions are patterned vertically and horizontally are bonded together via a resin layer disposed so as to surround each photodiode formation region. A method for forming a scribe line for a wafer laminate,
By rolling a glass scribing wheel on which a cutting edge having a predetermined cutting edge angle is formed along a circumferential ridge line while pressing along a planned cutting line of the outer surface of the glass wafer, the outer surface of the glass wafer A glass scribe process for forming a scribe line in
A diamond point cutter having a diamond-like cutting edge at the tip, or a silicon scrubbing wheel on which a cutting edge having a smaller cutting edge angle along a circumferential ridge line than the glass scribing wheel is formed. by moving or rolling while pressing along the cutting-scheduled line, the scribing line forming the wafer laminate for image sensor in so that the have a silicon scribing step of forming a scribe line on the outer surface of the silicon wafer Method.
ガラスウエハと、複数のフォトダイオード形成領域が縦横にパターン形成されたシリコンウエハとが、前記各フォトダイオード形成領域を囲むように配置された樹脂層を介して貼り合わされた構造を有するイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成装置であって、
リング体からなり円周稜線に沿って所定の刃先角度を有し、前記ガラスウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動することによって、前記ガラスウエハの外表面にスクライブラインを形成するガラス用スクライビングホイールと、
先端部にダイヤモンドによる突状の刃先が形成され、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら移動することによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するダイヤモンドポイントカッタ、又は、前記ガラス用スクライビングホイールよりも円周稜線に沿った刃先角度が小さく、前記シリコンウエハの外表面の分断予定ラインに沿って押圧しながら転動することによって、シリコンウエハの外表面にスクライブラインを形成するシリコン用スクラビングホイールとのいずれかと、を備えたことを特徴とするイメージセンサ用のウエハ積層体のスクライブライン形成装置。
For an image sensor having a structure in which a glass wafer and a silicon wafer in which a plurality of photodiode formation regions are patterned vertically and horizontally are bonded together via a resin layer disposed so as to surround each photodiode formation region. A scribe line forming apparatus for a wafer stack,
A scribe line is formed on the outer surface of the glass wafer by rolling while pressing along a planned cutting line on the outer surface of the glass wafer, having a predetermined cutting edge angle along a circumferential ridge line made of a ring body. A glass scribing wheel to be formed;
A diamond point cutter that forms a scribe line on the outer surface of the silicon wafer by moving while pressing along a planned cutting line on the outer surface of the silicon wafer, wherein a protruding blade edge made of diamond is formed at the tip portion, or The edge angle along the circumferential ridge line is smaller than the scribing wheel for glass, and the scribe line is formed on the outer surface of the silicon wafer by rolling while pressing along the planned dividing line on the outer surface of the silicon wafer. forming scribe line forming apparatus of the wafer laminate for an image sensor, characterized in that it comprises a one, the silicon for scrubbing wheel which.
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