JP2015068856A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置の電源オフ時に各絵素の電荷を除去するための技術に関するものである。 The present invention relates to a technique for removing charges of each picture element when a liquid crystal display device is turned off.
従来、液晶表示装置において絵素(あるいは画素)に対して同一極性の電界を印加し続けると、液晶分子の分極が生じて絵素の階調表示特性の変化や画像の焼き付き等の不具合が生じることが知られている。 Conventionally, when an electric field having the same polarity is continuously applied to a picture element (or pixel) in a liquid crystal display device, polarization of liquid crystal molecules occurs, causing problems such as changes in gradation display characteristics of the picture element and image burn-in. It is known.
また、画像を表示させたまま液晶表示装置の電源をオフにした場合、各絵素には電源がオフされる直前の印加電圧が印加されたままになり、同じ画像を描画させ続けることになるので、この場合にも焼付き現象が生じることが知られている。 Further, when the power of the liquid crystal display device is turned off while displaying an image, the applied voltage immediately before the power is turned off remains applied to each picture element, and the same image is continuously drawn. Therefore, it is known that a seizure phenomenon occurs also in this case.
このため、従来の液晶表示装置では、電源をオフにする際、液晶表示パネルの各絵素に印加された電荷を放出させるための所定のオフシーケンスを実行するようになっている。 For this reason, in the conventional liquid crystal display device, when the power is turned off, a predetermined off sequence for discharging the charge applied to each pixel of the liquid crystal display panel is executed.
例えば、特許文献1には、電源回路に電解コンデンサを備えておき、液晶表示装置の電源がオフされたときに、この電解コンデンサに蓄えられた電荷を用いて液晶表示パネルの全画面に所定の固定パターンを描画する処理を行うことで絵素に蓄積される電荷を低減する技術が記載されている。
For example, in
ところで、近年、酸化物半導体(例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物半導体)などからなるオフリーク電流の少ないTFT(薄膜トランジスタ)を絵素のスイッチング素子として用いることにより、縦シャドーの低減、および間欠駆動による消費電力の低減を図った液晶表示装置が開発されている。 By the way, in recent years, TFTs (thin film transistors) with low off-leakage current made of an oxide semiconductor (for example, indium gallium zinc oxide semiconductor) or the like are used as pixel switching elements, thereby reducing vertical shadows and reducing power consumption due to intermittent driving. Liquid crystal display devices that have been reduced have been developed.
しかしながら、この種の液晶表示装置は、従来のアモルファスシリコンや低温ポリシリコンなどからなるTFTを用いた液晶表示装置に比べてオフリーク電流が非常に少ないため、電源オフ時に絵素に蓄積された電荷が抜けにくいという特性を有している。 However, this type of liquid crystal display device has much less off-leakage current than a liquid crystal display device using TFTs made of amorphous silicon, low-temperature polysilicon, etc., so that the charge accumulated in the picture element when the power is turned off is small. It has the characteristic that it is hard to come off.
図17は、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFT、低温ポリシリコン(LTPS)からなるTFT、およびアモルファスシリコン(a−Si)からなるTFTのオフリーク電流特性を比較したグラフである。図17の横軸はTFTのゲート−ソース間の電位差(Vg−Vs)、縦軸はソース−ドレイン間を流れる電流を示している。 FIG. 17 is a graph comparing off-leakage current characteristics of a TFT made of an indium gallium zinc oxide semiconductor, a TFT made of low-temperature polysilicon (LTPS), and a TFT made of amorphous silicon (a-Si). The horizontal axis in FIG. 17 indicates the potential difference (Vg−Vs) between the gate and source of the TFT, and the vertical axis indicates the current flowing between the source and drain.
図17に示したように、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFTは、オフリーク電流がアモルファスシリコンからなるTFTの1/1000以下、低温ポリシリコンからなるTFTの1/10000以下であるという特性を有している。 As shown in FIG. 17, a TFT made of an indium gallium zinc oxide semiconductor has a characteristic that an off-leakage current is 1/1000 or less of a TFT made of amorphous silicon and 1 / 10,000 or less of a TFT made of low-temperature polysilicon. doing.
酸化物半導体からなるTFTが有する上記のオフリーク電流が少ないという特性は、駆動時の特性の向上(低消費電力の低減等)をもたらすが、その一方で、液晶表示装置の電源がオフされた時に絵素電極にチャージされた電荷が抜けにくいという問題を招来する。絵素電極に電荷が残っていると、絵素電極と対向電極との間の電位差によって液晶層に一定方向の電界がかかり、有極性分子からなる液晶分子に分極が生じて特性ずれや画像の焼き付き等の不具合が生じる場合がある。 The above-described characteristics of TFTs made of an oxide semiconductor with low off-leakage current result in improved driving characteristics (low power consumption, etc.), but on the other hand, when the power of the liquid crystal display device is turned off. This causes a problem that the charges charged in the pixel electrodes are difficult to escape. If charges remain in the pixel electrode, an electric field in a certain direction is applied to the liquid crystal layer due to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and polarization occurs in the liquid crystal molecules composed of polar molecules, resulting in characteristic deviation and image Problems such as burn-in may occur.
このため、酸化物半導体等からなるオフリーク電流の少ないTFTを用いる場合、上記特許文献1に開示されている処理により電源オフ時に絵素に蓄積される電荷を低減しても、当該処理では除去しきれずに絵素に残留した電荷により、焼き付き等の不具合が生じる場合がある。また、特許文献1の技術には、オフシーケンスを実行する回路やオフシーケンスを実行するための電力を充電しておく電界コンデンサ等の充電手段を設ける必要があるので、製造コストの増大を招くという問題もある。
For this reason, when a TFT made of an oxide semiconductor or the like with a small off-leakage current is used, even if the charge accumulated in the picture element is reduced when the power is turned off by the process disclosed in
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電源オフ時に絵素に電荷が蓄積されにくい液晶表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which charges are not easily accumulated in picture elements when the power is turned off.
本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、複数のゲートバスラインと、上記ゲートバスラインと交差する複数のソースバスラインと、上記ゲートバスラインと上記ソースバスラインとの交差部毎に設けられた画素とを備え、上記画素が、液晶層を介して対向配置された絵素電極および対向電極と、ゲート端子が上記ゲートバスラインに接続され、ソース端子が上記ソースバスラインに接続され、ドレイン端子が上記絵素電極に接続されたスイッチング素子と、上記絵素電極に対向配置されて上記絵素電極との間で液晶補助容量を形成する補助容量配線とを備えている液晶表示装置であって、電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間に、上記補助容量配線の電位である補助容量電位の降下速度が、上記対向電極の電位である対向電位の降下速度よりも速くなることを特徴としている。 The liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention is provided for each of a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines intersecting with the gate bus lines, and an intersection of the gate bus lines and the source bus lines. A pixel terminal and a counter electrode arranged opposite to each other via a liquid crystal layer, a gate terminal connected to the gate bus line, a source terminal connected to the source bus line, and a drain. A liquid crystal display device comprising: a switching element having a terminal connected to the pixel electrode; and an auxiliary capacitance wiring that is disposed opposite to the pixel electrode and forms a liquid crystal auxiliary capacitance with the pixel electrode. Thus, during at least a part of the period from the start of the power-off operation to the completion of the power-off operation, the decreasing speed of the auxiliary capacitance potential, which is the potential of the auxiliary capacitance wiring, is Is characterized by faster than lowering speed of the opposing electric potential is the potential.
上記の構成によれば、液晶補助容量の両電極(絵素電極および補助容量配線)の電位が当該両電極間の電位差を保つように変化するため、補助容量電位を迅速に低下させることにより絵素電極の電位を迅速に低下させることができる。その結果、スイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくできるので、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。これにより、電源オフ時に絵素に電荷が蓄積されにくい、簡易な構成の液晶表示装置を実現できる。 According to the above configuration, since the potential of both electrodes (the pixel electrode and the auxiliary capacitance wiring) of the liquid crystal auxiliary capacitance changes so as to maintain the potential difference between the two electrodes, the picture can be obtained by rapidly reducing the auxiliary capacitance potential. The potential of the elementary electrode can be quickly reduced. As a result, since the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element can be increased, the leakage current of the switching element can be increased and the charge of the pixel electrode can be effectively released by the source bus line. This makes it possible to realize a liquid crystal display device with a simple configuration in which charges are not easily accumulated in the picture element when the power is turned off.
〔実施形態1〕
本発明の一実施形態について説明する。
An embodiment of the present invention will be described.
図1は本実施形態にかかる液晶表示装置1の概略構成を示す説明図であり、図2は液晶表示装置1に備えられる液晶パネル20の構成を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a liquid
図2に示したように、液晶パネル20は、スペーサ23を介して互いに対向配置されたTFT基板21および対向基板22と、TFT基板21と対向基板22との間に封入された液晶材料からなる液晶層24と、TFT基板21の裏面側(対向基板22との対向面とは反対側の面側)に配置された第1偏光板25と、対向基板22の表面側(TFT基板21との対向面とは反対側の面側)に配置された第2偏光板26とを備えている。また、液晶パネル20の裏面側には、バックライト30が配置されている。バックライト30の構成は特に限定されるものではなく、例えば、光源と、反射板と、1または複数の光学シートとを備えた、従来から公知のバックライトを用いることができる。
As shown in FIG. 2, the
第1偏光板25は、バックライト30から照射された光のうち、当該第1偏光板25の偏光軸方向に応じた偏光を有する光のみを透過させる。また、各絵素の液晶層24には画像データに応じた電圧が印加されるようになっており、これによって各絵素における液晶の複屈折が画像データに応じて変化し、各絵素を通過する光の偏光方向は画像データに応じて変化する。また、第2偏光板26は、液晶層24を通過した光のうち、当該第2偏光板26の偏光軸方向に応じた偏光を有する光のみを透過させる。これにより、液晶パネル20を透過する光の光量を画像データに応じて絵素毎に制御して画像表示を行うようになっている。
The first polarizing
また、対向基板22における各絵素(サブピクセル)に対応する領域には、R(赤),G(緑),B(青)のいずれかのカラーフィルタが形成されており、R,G,Bの3つの絵素の組み合わせによって1つの画素(ピクセル)が形成されている。これにより、各画素のR,G,Bの透過光量が画像データに応じて画素毎に制御され、画像データに応じた画像が表示される。
In the region corresponding to each picture element (subpixel) in the
図3はTFT基板21の概略構成を示す説明図である。この図に示すように、TFT基板21上には、多数のゲートバスライン31と、各ゲートバスライン31と交差するように配置された多数のソースバスライン32と、ゲートバスライン31とソースバスライン32との交差部毎に設けられた絵素33とが設けられている。また、基板面法線方向から見て各絵素33と重畳する領域には、ゲートバスライン31と略平行なCS配線(補助容量配線)38が配置されている。なお、各CS配線38はCS幹配線38tを介して図1に示したCS電源回路11に接続されている。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the
図4は液晶パネル20に備えられる絵素33の絵素構造を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing the picture element structure of the
各絵素33は、図4に示すように、スイッチング素子としてのTFT(Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ)34と、絵素電極35と、対向電極36とを備えている。また、TFT34のゲート端子はゲートバスライン31に接続されており、ソース端子はソースバスライン32に接続されており、ドレイン端子は絵素電極35に接続されている。また、絶縁膜(図示せず)を介して絵素電極35に対向するようにCS配線38が設けられている。すなわち、本実施形態では、各絵素電極35と対向するように配置されたCS配線38を有する、CSオンコモン(CS on Common)方式の液晶パネル20を用いている。
As shown in FIG. 4, each
なお、本実施形態では、TFT34として、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体(酸化物半導体)からなるチャネル層を有するTFTを用いている。ただし、TFT34の構成はこれに限るものではなく、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体以外の酸化物半導体からなるチャネル層を有するものを用いてもよく、酸化物半導体以外の材質(例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコンなど)からなるチャネル層を有するものを用いてもよい。
In the present embodiment, a TFT having a channel layer made of an indium gallium zinc oxide semiconductor (oxide semiconductor) is used as the
また、各ゲートバスライン31はゲートドライバ4に接続されており、各ソースバスライン32はソースドライバ5に接続されており、各CS配線38はCS幹配線38tを介してCS電源回路11に接続されている。また、対向電極36は対向基板22上に配置された対向配線(図示せず)を介して後述する対向電源回路12に接続されている。
Each
画像表示時には、ゲートドライバ4が書込対象のゲートバスライン31を周期的に切り替え、ソースドライバ5がゲートドライバ4と同期して、書込対象として選択されているゲートバスライン31に接続されている各絵素33に対応するソースバスライン32に画像データの階調値に応じた印加電圧を印加する。これにより、各絵素33の液晶層24に画像データに応じた電圧を印加して液晶分子の配向方向を制御し、表示を行う。
At the time of image display, the
図5は、絵素33の等価回路図である。TFT34のゲート端子の電位が当該TFT34のソース端子の電位よりも所定値以上高くなるとTFT34がオンになり、ソース端子とドレイン端子との間を電流が流れ、ソースバスライン32の電位が液晶容量(液晶層24)に印加される。なお、図5に示した等価回路図では、絵素電極35、対向電極36、および液晶層24はコンデンサ(液晶容量)として表されている。また、上述したように、絵素電極35に対して絶縁層(図示せず)を介して対向する位置にはCS配線38が設けられており、これによって絵素電極35とCS配線38との間に液晶補助容量(結合容量)39が形成されている。液晶補助容量39は、図5に示すように、液晶容量(絵素電極35、液晶層24、および対向電極36)に対して並列に配置され、各絵素33に印加された画像データに応じた電位を次回の電圧印加(次フレーム)まで保持するための容量として機能する。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the
なお、本実施形態では、R,G,Bの絵素を備えているものとしているが、これに限るものではなく、他の色の絵素を備えていてもよい。 In the present embodiment, R, G, and B picture elements are provided. However, the present invention is not limited to this, and other color picture elements may be provided.
図1に示したように、液晶表示装置1は、液晶パネル20およびバックライト30に加えて、タイミングコントローラ2、階調用DAC(階調用デジタルアナログコンバータ)3、ゲートドライバ4、ソースドライバ5、ゲート電源回路8、ソース電源回路9、ロジック電源回路10、CS電源回路(補助容量電源回路)11、および対向電源回路12を備えている。
As shown in FIG. 1, in addition to the
ロジック電源回路10は、外部から供給される入力電位Vinをタイミングコントローラ2、階調用DAC3、ゲートドライバ4、およびソースドライバ5に備えられるロジック回路(図示せず)の駆動電圧に応じた電位に変換して各ロジック回路に出力する。
The logic
ゲート電源回路8は、ゲートドライバ4に駆動電力を供給するものであり、外部から供給される入力電位Vinをゲートドライバ4のハイレベル側電位VGHに変換してゲートドライバ4に供給するハイレベル側電源回路8aと、ローレベル側電位VGLに変換してゲートドライバ4に供給するローレベル側電源回路8bとを備えている。なお、ハイレベル側電源回路8aおよびローレベル側電源回路8bの構成は特に限定されるものではなく、従来から公知の電源回路を用いることができる。
The gate power supply circuit 8 supplies driving power to the
ソース電源回路9は、ソースドライバ5に駆動電力を供給するものであり、外部から供給される入力電位Vinをソースドライバ5のハイレベル側電位VLSに変換してソースドライバ5に供給するハイレベル側電源回路9aと、ローレベル側電位(本実施形態ではグランド(GND)電位)に変換してソースドライバ5に供給するローレベル側電源回路9bとを備えている。なお、ハイレベル側電源回路9aは、階調用DAC3にもアナログ電源電力を供給する。また、ローレベル側電源回路9bは、階調用DAC3のグランド(GND)端子にも電力を供給する。なお、本実施形態では、ローレベル側電源回路9bからソースドライバ5への出力電位をグランド電位としているが、これに限るものではなく、例えばグランド電位よりも低い電位としてもよい。
The source power supply circuit 9 supplies driving power to the
CS電源回路11は、外部から供給される入力電位Vinを所定のCS電位(補助容量電位)VCSに変換し、CS幹配線38tを介して各CS配線38に供給する。なお、本実施形態では、電源オン期間(電源オフ動作開始前)のCS電位を9Vに設定している。
The CS
対向電源回路12は、外部から供給される入力電位Vinを所定の対向電位VCOM(本実施形態では6V)に変換して各対向電極36に供給する。
The counter
タイミングコントローラ2は、外部(例えば液晶表示装置1の制御部)から入力される画像データに基づいてゲートドライバ4およびソースドライバ5の動作を制御するための制御信号を生成し、ゲートドライバ4およびソースドライバ5に出力する。
The
ゲートドライバ4は、タイミングコントローラ2から入力される制御信号に基づいて、液晶パネル20のTFT基板21に備えられる各ゲートバスライン31に印加する電圧を制御することにより、書込対象のゲートバスライン31を周期的に切り替える。
The
図6は、ゲートドライバ4から各ゲートバスライン31への出力信号OG(OG(0),OG(2),・・・)の信号波形を示したグラフである。この図に示すように、ゲートドライバ4は、タイミングコントローラ2からゲートスタートパルスGSPが入力された後、タイミングコントローラ2からゲートクロック信号GCKのパルスが入力される毎に、ゲートバスライン31に1本ずつ順次ハイレベル電圧を印加する。ただし、ゲートドライバ4の駆動波形はこれに限るものではなく、従来から公知の駆動方法を用いることができる。
FIG. 6 is a graph showing signal waveforms of the output signals OG (OG (0), OG (2),...) From the
階調用DAC3は、外部(例えば液晶表示装置1の制御部)から入力される階調基準データ(出力電圧値データ)に基づいて、ソースドライバ5において階調値に応じた電圧を生成する際に用いられる階調基準電圧を生成し、ソースドライバ5に出力する。なお、上記の階調基準データは、液晶パネル毎に異なる絵素の浮遊容量に起因する最適な階調電圧のばらつきを調整するように、例えば液晶表示装置1の生産時などに設定される。
The
ソースドライバ5は、タイミングコントローラ2から入力される制御信号と、階調用DAC3から入力される階調基準電圧とに基づいて、液晶パネル20のTFT基板21に備えられる各ソースバスライン32に印加する電圧を制御する。具体的には、ソースドライバ5は、各ソースバスライン32に印加するための電位(各ソースバスライン32に接続された絵素33のうち書き込み対象の絵素33に印加するための電位)を生成し、生成した電位をゲートドライバ4による書込対象のゲートバスライン31の切替動作と同期したタイミングで各ソースバスライン32に印加する。
The
図7は、ソースバスライン32およびゲートバスライン31に対する電圧印加のタイミングを示す説明図である。この図に示すように、ソースドライバ5は、画像データに応じた1ゲートバスライン分の電位をタイミングコントローラ2から入力されるラッチパルスLSに応じたタイミングで各ソースバスライン32に出力する。また、ゲートドライバ4は、ソースドライバ5の出力タイミングと同期したタイミングでソースドライバ5の出力に対応するゲートバスライン31への供給電圧をハイレベルに切り替える。すなわち、nライン目のゲートバスライン31の電圧がハイレベルである期間中にソースドライバ5から各ソースバスライン32にnライン目のデータが出力される。この処理を全てのゲートバスライン31について順次行うことで、各絵素33に画像データに応じた電荷をチャージして一画面分の表示を行う。なお、ソースドライバ5は、タイミングコントローラ2から入力される極性反転信号REVに基づいて、1ゲートバスライン毎に各ソースバスライン32への出力電圧の極性を反転させる。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing the timing of voltage application to the
図8は、本実施形態にかかる液晶表示装置1における各絵素33に印加される電圧波形の一例を示す説明図である。ゲート波形(VG)はTFT34のゲート端子に印加される電圧、ソース波形(VS)はTFT34のソース端子に印加される電圧、対向電位は対向電極36に印加される電圧、CS電位はCS配線38に印加される電圧を示している。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating an example of a voltage waveform applied to each
この図に示すように、本実施形態では、ゲート端子に印加される電圧はハイレベル側が33V、ローレベル側が−9Vに設定されている。また、ソース端子に印加される電圧は、+極性の場合の最大値(VH1023)が15.6V、−極性の場合の最小値(VL1023)が0V(GND電位)に設定されている。また、対向電位は6Vに設定されており、CS電位は対向電位より高い9Vに設定されている。 As shown in this figure, in this embodiment, the voltage applied to the gate terminal is set to 33V on the high level side and -9V on the low level side. As for the voltage applied to the source terminal, the maximum value (VH1023) in the case of + polarity is set to 15.6V, and the minimum value (VL1023) in the case of -polarity is set to 0V (GND potential). The counter potential is set to 6V, and the CS potential is set to 9V higher than the counter potential.
このように、ゲート端子に印加されるハイレベル側の電圧は、ソース端子の印加電圧にかかわらずTFT34をオンさせることができるように、ソース端子に印加される電圧の最大値よりも十分高く設定されている。また、ゲート端子に印加されるローレベル側の電圧は、ソース端子の印加電圧にかかわらずTFT34をオフさせることができるように、ソース端子に印加される電圧の最小値よりも十分低く設定されている。これにより、ゲート端子に印加される電圧がハイレベルである場合にTFT34がオンしてソース端子とドレイン端子との間を電流が流れ、絵素電極35の電位がソースバスライン32の電位と等しくなって絵素33への書き込みが行われる。
As described above, the high-level voltage applied to the gate terminal is set sufficiently higher than the maximum value of the voltage applied to the source terminal so that the
図9は、電源オフ時の各部の電圧波形を概略的に示したグラフである。この図に示すように、液晶表示装置1の電源がオフされると、電源オフ直後の短い期間は液晶表示装置1に内蔵されているコンデンサ等により各部の電圧は維持されるが、その後はグランド電位まで変化していく。
FIG. 9 is a graph schematically showing the voltage waveform of each part when the power is off. As shown in this figure, when the power of the liquid
この際、本実施形態では、通常時(液晶表示装置1の電源がオンされている期間中)のCS電位VCSを対向電位VCOMよりも高く設定しているので、電源オフ時のCS電位VCSの単位時間当たりの降下量は対向電位VCOMの単位時間あたりの降下量よりも大きくなる。すなわち、CS電位VCSの降下速度が対向電位VCOMの降下速度よりも速くなる。そして、CS電位VCSの降下速度が速いことにより、液晶補助容量39は極板間の電位差を保つように作用するので液晶補助容量39における絵素電極35側の電位が下がり、それによって絵素電極35の電位が低下する。
At this time, in the present embodiment, the CS potential VCS at the normal time (during the period when the power of the liquid
これにより、TFT34におけるゲート−ソース間の電位差が大きくなり、TFT34のリーク電流が増大して絵素電極35に蓄積された電荷がソースバスライン32に抜けやすくなる。
As a result, the potential difference between the gate and the source in the
すなわち、上述した図17に示したように、TFTは、ゲート−ソース間の電位差が大きいほどリーク電流が大きくなるという特性を有している。このため、絵素電極35の電位を低下させてTFT34のゲート−ソース間の電位差を増加させることにより、TFT34のリーク電流を増加させて絵素電極35の電荷をソースバスライン32に逃がすことができる。
That is, as shown in FIG. 17 described above, the TFT has a characteristic that the leak current increases as the potential difference between the gate and the source increases. For this reason, by decreasing the potential of the
以上のように、本実施形態にかかる液晶表示装置1では、CS電源回路11が、通常時(液晶表示装置1の電源がオンされている期間中)におけるCS電位VCSを、対向電位VCOMよりも高く設定(グランド電位との電位差が大きくなるように設定)する。
As described above, in the liquid
これにより、電源オフ時に絵素電極35の電位を低下させてTFT34のゲート−ソース間の電位差を大きくすることができるので、TFT34のリーク電流を増加させて絵素電極35に蓄積された電荷をソースバスライン32に逃がすことができる。したがって、電源オフ後に絵素電極35に電荷が蓄積され続けることにより焼き付き等の不具合が生じることを防止できる。
Thereby, when the power is turned off, the potential of the
特に、本実施形態では、TFT34として、オフリーク電流が非常に少ないという特性を有するインジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFTを用いているため、電源オフ時に絵素電極35に電荷が蓄積されやすい傾向があるが、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFTを用いた場合であっても電源オフ時に絵素電極35に蓄積される電荷を低減できる。
In particular, in the present embodiment, since a TFT made of an indium gallium zinc oxide semiconductor having a characteristic that the off-leakage current is very small is used as the
なお、本実施形態では、通常時(電源オン時)のCS電位VCSを9V、対向電位VCOMを6Vに設定しているが、これら両電位の値はこれに限るものではなく、少なくともCS電位VCSの方が対向電位VCOMよりも高くなるように、液晶パネル20の特性等に応じて適宜設定すればよい。
In the present embodiment, the CS potential VCS at the normal time (when the power is turned on) is set to 9 V, and the counter potential VCOM is set to 6 V. However, the values of both these potentials are not limited to this, and at least the CS potential VCS is set. What is necessary is just to set suitably according to the characteristic etc. of the
また、従来の液晶表示装置では、例えば上述した特許文献1のように、電源オフ時に絵素電極から電荷を抜くための処理を行う回路と、当該回路を電源供給が遮断された状態でも駆動できるようにするためのコンデンサ等の充電手段とを設ける必要があった。これに対して、本実施形態によれば、CS電位VCSを対向電位VCOMよりも高く設定するためのCS電源回路11を設けるだけで上記回路および上記充電手段を設けなくても電源オフ時に各絵素の電荷を抜くことができる。したがって、液晶表示装置1の製造コストを低減することができる。
In addition, in the conventional liquid crystal display device, for example, as in
ただし、本実施形態にかかる液晶表示装置1において、駆動時の印加電圧を上述したように設定するとともに、電源オフ時に絵素電極から電荷を抜くための処理を行う回路と、当該回路を電源供給が遮断された状態でも駆動できるようにするためのコンデンサ等の充電手段とを設け、電源オフ時に各絵素に蓄積される電荷を低減するための電位(グランド電位またはそれに近い電位)を各絵素に書き込む処理を行うようにしてもよい。
However, in the liquid
また、本実施形態では、液晶表示装置1がバックライト30から出射される光を用いて表示を行う透過型の液晶表示装置である場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、外部からの入射光を反射させて表示光として用いる反射型の液晶表示装置であってもよく、透過型の液晶表示装置の機能と反射型の液晶表示装置の機能とを併せ持った半透過型の液晶表示装置であってもよい。
In the present embodiment, the case where the liquid
また、本実施形態では、絵素電極がTFT基板21に備えられ、対向電極が対向基板22に備えられた液晶表示装置について説明したが、これに限らず、絵素電極および対向電極の両方が同一基板に備えられた構成であってもよい。
In the present embodiment, the liquid crystal display device in which the pixel electrode is provided on the
〔実施形態2〕
本発明の他の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1と共通の機能を有する部材については実施形態1と同じ符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
Another embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and description thereof is omitted.
実施形態1では、通常時(電源オン時)のCS電位VCSを対向電位VCOMよりも高く設定しておくことにより、電源オフ時におけるCS電位VCSの降下速度を対向電位VCOMの降下速度よりも速くする構成について説明した。これに対して、本実施形態では、通常時(電源オン時)にはCS電位VCSと対向電位VCOMとを同値に設定しておき、電源オフ時(電源オフ動作期間中)にCS電位VCSを対向電位VCOMよりも低い電位に切り替えることにより、電源オフ動作の開始から終了までの少なくとも一部の期間におけるCS電位VCSの降下速度を対向電位VCOMの降下速度よりも速くする。 In the first embodiment, the CS potential VCS during normal time (when the power is turned on) is set higher than the counter potential VCOM, so that the rate of decrease of the CS potential VCS when the power is off is faster than the rate of decrease of the counter potential VCOM. The configuration to be described has been described. On the other hand, in the present embodiment, the CS potential VCS and the counter potential VCOM are set to the same value during normal times (when the power is turned on), and the CS potential VCS is set when the power is turned off (during the power-off operation period). By switching to a potential lower than the counter potential VCOM, the rate of decrease of the CS potential VCS is made higher than the rate of decrease of the counter potential VCOM in at least a part of the period from the start to the end of the power-off operation.
具体的には、本実施形態にかかる液晶表示装置1は、CS電源回路11の出力段に、図10に示す電源切替回路110aを備えている。
Specifically, the liquid
図10に示すように、電源切替回路110aは、電圧検知部111、MOSFET112、抵抗113、およびオペアンプ114を備えている。
As shown in FIG. 10, the power
電圧検知部111は、入力電源とMOSFET112のゲート端子Gとの間に接続されており、入力電位Vin(入力電源電圧)に応じてMOSFET112の動作を制御する。具体的には、電圧検知部111は、入力電位Vinが所定値以上である場合にはMOSFET112のソース−ドレイン間を導通させ、入力電位Vinが所定値未満である場合にはMOSFET112のソース−ドレイン間を遮断させるようにゲート端子Gに対する出力電圧を制御する。
The
MOSFET112のソース端子SにはCS電源回路11で生成されたCS基準電位VCS_ref(本実施形態ではVCS_ref=VCOM)が供給されており、ドレイン端子Dはオペアンプ114の入力端子に接続されている。したがって、入力電位Vinが所定値以上である場合にはCS基準電位VCS_refがオペアンプ114に入力される。また、入力電位Vinが所定値未満である場合にはMOSFET112のソース−ドレイン間は遮断される。
A CS reference potential VCS_ref (in this embodiment, VCS_ref = VCOM) generated by the CS
抵抗113は、一端側がMOSFET112とオペアンプ114との間に接続され、他端側がゲートドライバ4のローレベル側電源回路8b(低電位供給源)の出力側に接続されている。
One end of the
オペアンプ114は、ボルテージフォロワ回路になっており、当該オペアンプ114に対する入力電位と同じ電位をCS幹配線38tに出力するようになっている。したがって、オペアンプ114の出力電位は、液晶表示装置1の入力電位Vinが所定値以上の場合にはVCS_refとなり、所定値未満の場合にはVGLとなる。
The
図11は、CS基準電位VCS_refを対向電位VCOMと同電位に設定した場合の、電源オフ時の各部の電位の変化を概略的に示したグラフである。 FIG. 11 is a graph schematically showing a change in potential of each part when the power is turned off when the CS reference potential VCS_ref is set to the same potential as the counter potential VCOM.
この図に示すように、液晶表示装置1の電源がオン状態である期間中にはCS電位VCSは対向電位VCOMと同値(VCS_ref=VCOM)に設定されているが、電源がオフされてMOSFET112が遮断されると、CS電位VCSはゲートドライバ4のローレベル側電位VGLに引き下げられる。
As shown in this figure, the CS potential VCS is set to the same value as the counter potential VCOM (VCS_ref = VCOM) during the period in which the power source of the liquid
この際、CS電位VCSの降下速度は少なくともMOSFET112が遮断されてVGLまで引き下げられる期間中には対向電位VCOMの降下速度よりも速くなる。
At this time, the descending speed of the CS potential VCS becomes faster than the descending speed of the counter potential VCOM at least during the period when the
このため、CS電位VCSの降下速度が速いことにより、液晶補助容量39は極板間の電位差を保つように作用して液晶補助容量39における絵素電極35側の電位が下がり、絵素電極35の電位が低下する。これにより、TFT34におけるゲート−ソース間の電位差が大きくなり、TFT34のリーク電流が増大して絵素電極35に蓄積された電荷がソースバスライン32に抜けやすくなる。
For this reason, since the descending speed of the CS potential VCS is fast, the liquid crystal
以上のように、本実施形態では、電源オフ時にCS幹配線38tに対する出力電位を対向電位VCOMよりも低い電位に切り替えることにより、電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間におけるCS電位VCSの降下速度を対向電位VCOMの降下速度よりも速くする。
As described above, in this embodiment, by switching the output potential for the
これにより、実施形態1と同様、TFT34のゲート−ソース間の電位差を大きくして絵素電極35の電荷がソースバスライン32に逃げやすくすることができる。
As a result, as in the first embodiment, the potential difference between the gate and the source of the
なお、本実施形態では、電源オフ時にオペアンプ114にゲートドライバ4のローレベル側電位VGLが入力される構成としているが、これに限るものではなく、少なくとも対向電位VCOMよりも低い電位が入力される構成であればよい。例えば、電源オフ時にオペアンプ114の入力側をグランド(低電位供給源)に接続してもよく、出力電位が対向電位VCOMよりも低い各種ロジック電源回路等(低電位供給源)に接続してもよい。
In the present embodiment, the low level side potential VGL of the
また、本実施形態では、通常時(電源がオンされている期間中)におけるCS電位VCSの値(VCS_ref)を対向電位VCOMと同値に設定しているが、これに限るものではなく、対向電位VCOMと異なる値であってもよい。通常時におけるCS電位VCSの値(VCS_ref)を対向電位VCOMと異なる値に設定する場合、電源オフ時にMOSFET112が遮断されたときにオペアンプ114に入力される電位が、CS電位VCSの降下速度の方が対向電位VCOMの降下速度よりも速くなる電位になるように、抵抗113の他端側の接続先(オペアンプ114に対する電位供給源)を選定すればよい。
In the present embodiment, the value of the CS potential VCS (VCS_ref) at the normal time (while the power is on) is set to the same value as the counter potential VCOM. However, the present invention is not limited to this. A value different from VCOM may be used. When the value of the CS potential VCS (VCS_ref) at the normal time is set to a value different from the counter potential VCOM, the potential input to the
〔実施形態3〕
本発明のさらに他の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、上述した実施形態と共通の機能を有する部材については当該実施形態と同じ符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 3]
Still another embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the embodiment, and description thereof is omitted.
本実施形態では、通常時(液晶表示装置1の電源がオンされている期間中)にはCS電位VCSと対向電位VCOMとを同値に設定しておき、電源オフ時にCS電位VCSの降下を対向電位VCOMの降下よりも早いタイミングで開始させ、それによって電源オフ動作の開始から終了までの少なくとも一部の期間におけるCS電位VCSの降下速度を対向電位VCOMの降下速度よりも速くする。
In the present embodiment, the CS potential VCS and the counter potential VCOM are set to the same value during normal times (during the period when the power of the liquid
具体的には、本実施形態にかかる液晶表示装置1は、CS電源回路11の出力段に、図12に示す電源切替回路110bを備えている。
Specifically, the liquid
図10に示すように、電源切替回路110bは、電圧検知部115、MOSFET116、抵抗117、およびオペアンプ118を備えている。
As shown in FIG. 10, the power
オペアンプ118は、ボルテージフォロワ回路になっており、当該オペアンプ118に対する入力電位と同じ電位を出力するようになっている。また、オペアンプ118の入力側には、CS電源回路11で生成されたCS基準電位VCS_ref(本実施形態ではVCS_ref=VCOM)が入力されるようになっている。したがって、オペアンプ118の出力電位はVCS_refである。
The
電圧検知部115は、入力電源とMOSFET112のゲート端子Gとの間に接続されており、入力電位Vin(入力電源電圧)に応じてMOSFET112の動作を制御する。具体的には、電圧検知部111は、入力電位Vinが所定値以上である場合にはMOSFET112のソース−ドレイン間を遮断させ、入力電位Vinが所定値未満である場合にはMOSFET112のソース−ドレイン間を導通させるようにゲート端子Gに対する出力電圧を制御する。
The
MOSFET112のソース端子Sはグランドに接続されており、ドレイン端子Dは抵抗117を介してオペアンプ114の出力側とCS幹配線38tとの間に接続されている。したがって、入力電位Vinが所定値以上である場合にはCS幹配線38tの電位はオペアンプ114から出力されるCS基準電位VCS_refとなり、入力電位Vinが所定値未満である場合にはグランド電位になる。
The source terminal S of the
図13は、CS基準電位VCS_refを対向電位VCOMと同電位に設定した場合の、電源オフ時の各部の電位の変化を概略的に示したグラフである。 FIG. 13 is a graph schematically showing a change in potential of each part when the power is turned off when the CS reference potential VCS_ref is set to the same potential as the counter potential VCOM.
この図に示すように、液晶表示装置1の電源がオン状態である期間中にはCS電位VCSは対向電位VCOMと同値のVCS_refに設定されているが、電圧検知部115によって入力電位の低下(液晶表示装置1の電源オフ)が検出されてMOSFET116が導通すると、CS電位VCSはグランド電位に向けて降下し始める。
As shown in this figure, while the power supply of the liquid
この際、対向電位VCOMは、電源オフ直後の所定期間は液晶表示装置1に内蔵されているコンデンサ等により電源オン時の電位に維持され、その後にグランド電位に向けて降下し始める。
At this time, the counter potential VCOM is maintained at the power-on potential by a capacitor or the like built in the liquid
したがって、CS電位VCSの降下の方が対向電位VCOMの降下よりも早いタイミングで開始され、少なくとも入力電位Vinの低下が検知された直後にはCS電位VCSの降下速度の方が対向電位VCOMの降下速度よりも速くなる。 Therefore, the decrease in the CS potential VCS starts at a timing earlier than the decrease in the counter potential VCOM, and at least immediately after the decrease in the input potential Vin is detected, the decrease rate of the CS potential VCS decreases. Be faster than speed.
このため、CS電位VCSの降下速度が速いことにより、液晶補助容量39は極板間の電位差を保つように作用して液晶補助容量39における絵素電極35側の電位が下がり、絵素電極35の電位が低下する。これにより、TFT34におけるゲート−ソース間の電位差が大きくなり、TFT34のリーク電流が増大して絵素電極35に蓄積された電荷がソースバスライン32に抜けやすくなる。
For this reason, since the descending speed of the CS potential VCS is fast, the liquid crystal
以上のように、本実施形態では、電源オフ時にCS電位VCSの降下開始タイミングを対向電位VCOMの降下開始タイミングよりも早く生じさせることにより、電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間におけるCS電位VCSの降下速度を対向電位VCOMの降下速度よりも速くする。 As described above, in the present embodiment, at least the time from the start of the power-off operation to the completion of the power-off operation is generated by causing the fall start timing of the CS potential VCS to occur earlier than the start-up timing of the counter potential VCOM when the power is turned off. The falling speed of the CS potential VCS in a certain period is made faster than the falling speed of the counter potential VCOM.
これにより、実施形態1,2と同様、TFT34のゲート−ソース間の電位差を大きくして絵素電極35の電荷がソースバスライン32に逃げやすくすることができる。
As a result, as in the first and second embodiments, the potential difference between the gate and the source of the
なお、本実施形態では、通常時(電源がオンされている期間中)におけるCS電位VCSの値(VCS_ref)を対向電位VCOMと同値に設定しているが、これに限るものではなく、対向電位VCOMと異なる値であってもよい。 In the present embodiment, the CS potential VCS value (VCS_ref) at the normal time (during the period when the power is turned on) is set to the same value as the counter potential VCOM. However, the present invention is not limited to this. A value different from VCOM may be used.
また、本実施形態では、電源オフ時にCS幹配線38tをグランドに接続する構成としているが、これに限るものではなく、少なくとも対向電位VCOMよりも低い電位源に接続する構成であればよい。例えば、電源オフ時にCS幹配線38tを出力電位が対向電位VCOMよりも低い各種ロジック電源回路に接続してもよい。
In the present embodiment, the
〔実施形態4〕
本発明のさらに他の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、上述した実施形態と共通の機能を有する部材については当該実施形態と同じ符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 4]
Still another embodiment of the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the embodiment, and description thereof is omitted.
上述した各実施形態では、CS電源回路11からCS配線38にCS電位VCSを供給していた。これに対して、本実施形態では、CS配線38がゲートバスライン31に接続された、CSオンゲート(CS on Gate)方式の液晶パネル20を用いる。
In each of the embodiments described above, the CS potential VCS is supplied from the CS
図14は本実施形態にかかる液晶表示装置1に備えられる液晶パネル20の絵素33の構成を示す説明図であり、図15はその等価回路図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing the configuration of the
図14および図15に示したように、CS配線38は、当該CS配線38に対向配置された絵素33を駆動するゲートバスライン31に隣接するゲートバスライン31に接続されている。なお、本実施形態では、CS配線38の電位はゲートドライバ4によって制御されるので、CS電源回路11は備えられていない。
As shown in FIGS. 14 and 15, the
図16は、本実施形態にかかる液晶表示装置1における電源オフ時の各部の電位の変化を概略的に示したグラフである。
FIG. 16 is a graph schematically showing a change in potential of each part when the power is turned off in the liquid
図16に示すように、液晶表示装置1の電源がオフされると、電源オフ直後の短い期間は液晶表示装置1に内蔵されているコンデンサ等により各部の電圧は維持されるが、その後はグランド電位まで変化していく。また、本実施形態では、CS配線38がゲートバスライン31に接続されており、各ゲートバスライン31には電源オフ時にはハイレベル側電位VGHが供給されるようになっている。
As shown in FIG. 16, when the power of the liquid
このため、CS電位VCHは、電源オフ時には対向電位VCOMよりも高い電位からグランド電位に向かって低下していくので、電源オフ時のCS電位VCSの降下速度は、実施形態1と同様、対向電位VCOMの降下速度よりも速くなる。そして、CS電位VCSの降下が速いことにより、液晶補助容量39は極板間の電位差を保つように作用して液晶補助容量39における絵素電極35側の電位が下がり、絵素電極35の電位が低下する。
For this reason, since the CS potential VCH decreases from a potential higher than the counter potential VCOM toward the ground potential when the power is off, the rate of decrease of the CS potential VCS when the power is off is the counter potential as in the first embodiment. It becomes faster than the descending speed of VCOM. Since the drop in the CS potential VCS is fast, the liquid
これにより、TFT34におけるゲート−ソース間の電位差が大きくなり、TFT34のリーク電流が増大して絵素電極35に蓄積された電荷がソースバスライン32に抜けやすくなる。
As a result, the potential difference between the gate and the source in the
〔まとめ〕
本発明の態様1にかかる液晶表示装置は、複数のゲートバスラインと、上記ゲートバスラインと交差する複数のソースバスラインと、上記ゲートバスラインと上記ソースバスラインとの交差部毎に設けられた絵素とを備え、上記絵素が、液晶層を介して対向配置された絵素電極および対向電極と、ゲート端子が上記ゲートバスラインに接続され、ソース端子が上記ソースバスラインに接続され、ドレイン端子が上記絵素電極に接続されたスイッチング素子と、上記絵素電極に対向配置されて上記絵素電極との間で液晶補助容量を形成する補助容量配線とを備えている液晶表示装置であって、電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間に、上記補助容量配線の電位である補助容量電位の降下速度が、上記対向電極の電位である対向電位の降下速度よりも速くなることを特徴としている。
[Summary]
The liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention is provided for each of a plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines intersecting with the gate bus lines, and an intersection of the gate bus lines and the source bus lines. A pixel terminal, a gate terminal connected to the gate bus line, and a source terminal connected to the source bus line. A liquid crystal display device comprising: a switching element having a drain terminal connected to the picture element electrode; and an auxiliary capacity wiring that is arranged opposite to the picture element electrode and forms a liquid crystal auxiliary capacity with the picture element electrode And, during at least a part of the period from the start of the power-off operation to the completion of the power-off operation, the decreasing speed of the auxiliary capacitance potential, which is the potential of the auxiliary capacitance wiring, is Is characterized by faster than lowering speed of the opposing electric potential is the potential.
上記の構成によれば、液晶補助容量の両電極(絵素電極および補助容量配線)の電位が当該両電極間の電位差を保つように変化するため、補助容量電位を迅速に低下させることにより絵素電極の電位を迅速に低下させることができる。その結果、スイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくできるので、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。これにより、電源オフ時に絵素に電荷が蓄積されにくい、簡易な構成の液晶表示装置を実現できる。 According to the above configuration, since the potential of both electrodes (the pixel electrode and the auxiliary capacitance wiring) of the liquid crystal auxiliary capacitance changes so as to maintain the potential difference between the two electrodes, the picture can be obtained by rapidly reducing the auxiliary capacitance potential. The potential of the elementary electrode can be quickly reduced. As a result, since the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element can be increased, the leakage current of the switching element can be increased and the charge of the pixel electrode can be effectively released by the source bus line. This makes it possible to realize a liquid crystal display device with a simple configuration in which charges are not easily accumulated in the picture element when the power is turned off.
本発明の態様2にかかる液晶表示装置は、上記態様1において、電源オフ動作開始前の上記補助容量電位が、上記対向電位よりも高い電位に設定されている構成である。
The liquid crystal display device according to
上記の構成によれば、電源オフ動作開始前の補助容量電位が対向電位よりも高い電位に設定されているので、電源オフ動作開始後の補助容量電位の降下速度は対向電位の降下速度よりも速くなる。これにより、絵素電極の電位を迅速に低下させてスイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくし、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。 According to the above configuration, since the auxiliary capacitance potential before the start of the power-off operation is set to a potential higher than the counter potential, the lowering speed of the auxiliary capacitance potential after the start of the power-off operation is higher than the lowering speed of the counter potential. Get faster. As a result, the potential of the pixel electrode is quickly lowered to increase the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element, and the leakage current of the switching element is increased to effectively charge the pixel electrode to the source bus line. Can escape.
本発明の態様3にかかる液晶表示装置は、上記態様1において、電源オフ動作開始前の上記補助容量電位が上記対向電位と同電位または上記対向電位よりも高い電位に設定されており、電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間に、上記補助容量配線を、対向電位よりも低い電位を供給する低電位供給源に接続する電源切替回路を備えている構成である。
The liquid crystal display device according to
上記の構成によれば、電源オフ動作期間中に補助容量配線を対向電位よりも低い電位を供給する低電位供給源に接続することにより、補助容量電位の降下速度を対向電位の降下速度よりも速くできる。これにより、絵素電極の電位を迅速に低下させてスイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくし、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。 According to the above configuration, by connecting the auxiliary capacitance line to a low potential supply source that supplies a potential lower than the opposing potential during the power-off operation period, the auxiliary capacitance potential lowering speed is made higher than the opposing potential lowering speed. Can be fast. As a result, the potential of the pixel electrode is quickly lowered to increase the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element, and the leakage current of the switching element is increased to effectively charge the pixel electrode to the source bus line. Can escape.
本発明の態様4にかかる液晶表示装置は、上記態様1において、入力電源電圧が所定値以下に低下したことを検知する電圧検知部と、上記電圧検知部によって入力電源電圧が所定値以下に低下したことが検知された後、上記対向電位が降下開始する前に、上記補助容量配線を、上記対向電位よりも低い電位を供給する低電位供給源に接続する電源切替回路とを備えている構成である。
The liquid crystal display device according to
上記の構成によれば、少なくとも電源オフ動作の開始から対向電位の降下開始までの期間においては、補助容量電位の降下速度を対向電位の降下速度よりも速くできる。これにより、絵素電極の電位を迅速に低下させてスイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくし、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。 According to the configuration described above, at least during the period from the start of the power-off operation to the start of the decrease in the counter potential, the storage capacitor potential can be decreased at a speed lower than that of the counter potential. As a result, the potential of the pixel electrode is quickly lowered to increase the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element, and the leakage current of the switching element is increased to effectively charge the pixel electrode to the source bus line. Can escape.
本発明の態様5にかかる液晶表示装置は、上記態様1において、上記補助容量配線は、上記ゲートバスラインに接続されている構成である。すなわち、上記液晶表示装置は、各絵素がCSオンゲート構造を有している構成である。 The liquid crystal display device according to the fifth aspect of the present invention is the liquid crystal display device according to the first aspect, wherein the storage capacitor line is connected to the gate bus line. That is, the liquid crystal display device has a configuration in which each picture element has a CS on-gate structure.
上記の構成によれば、電源オフ時の補助容量電位の降下速度を対向電位の降下速度よりも速くできる。これにより、絵素電極の電位を迅速に低下させてスイッチング素子のゲート端子とソース端子との電位差を大きくし、スイッチング素子のリーク電流を増加させて絵素電極の電荷をソースバスラインにより効果的に逃がすことができる。 According to the above configuration, the rate of decrease of the auxiliary capacitance potential when the power is off can be made faster than the rate of decrease of the counter potential. As a result, the potential of the pixel electrode is quickly lowered to increase the potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element, and the leakage current of the switching element is increased to effectively charge the pixel electrode to the source bus line. Can escape.
本発明の液晶表示装置は、上記態様1から5において、上記スイッチング素子は、酸化物半導体からなるチャネル層を有する薄膜トランジスタである構成である。 In the liquid crystal display device of the present invention, the switching element according to any of the first to fifth aspects is a thin film transistor having a channel layer made of an oxide semiconductor.
酸化物半導体からなるチャネル層を備えた薄膜トランジスタは、オフリーク電流が非常に少ないという特性を有しており、液晶表示装置の電源をオフしたときに絵素電極と対向電極との間に電位差が残っていると、電源がオフされている期間中にその電位差が印加され続けることにより焼き付き等の不具合が生じやすい。 A thin film transistor including a channel layer made of an oxide semiconductor has a characteristic of extremely low off-leakage current, and a potential difference remains between a pixel electrode and a counter electrode when the power supply of the liquid crystal display device is turned off. In this case, the potential difference continues to be applied during the period when the power is turned off, so that problems such as burn-in are likely to occur.
これに対して、上記の構成によれば、電源オフ時に蓄積される絵素電極と対向電極との間の電位差を低減できるので、酸化物半導体からなるチャネル層を備えた薄膜トランジスタを用いている場合であっても絵素電極と対向電極との間に電位差によって焼き付き等の不具合が生じることを防止できる。 On the other hand, according to the above configuration, since the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode accumulated when the power is turned off can be reduced, a thin film transistor including a channel layer made of an oxide semiconductor is used. Even so, it is possible to prevent the occurrence of defects such as image sticking due to a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode.
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.
本発明は、液晶表示装置に適用でき、スイッチング素子としてオフリーク電流が少ない酸化物半導体等からなる薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に特に好適に適用できる。 The present invention can be applied to a liquid crystal display device, and can be particularly preferably applied to a liquid crystal display device using a thin film transistor made of an oxide semiconductor or the like having a small off-leakage current as a switching element.
1 液晶表示装置
4 ゲートドライバ
5 ソースドライバ
8 ゲート電源回路
8a ハイレベル側電源回路
8b ローレベル側電源回路
11 CS電源回路
12 対向電源回路
20 液晶パネル
24 液晶層
31 ゲートバスライン
32 ソースバスライン
33 絵素
34 TFT(スイッチング素子)
35 絵素電極
36 対向電極
38 CS配線
38t CS幹配線
39 液晶補助容量
110a,110b 電源切替回路
111,115 電圧検知部
112,116 MOSFET
113,117 抵抗
114,118 オペアンプ
DESCRIPTION OF
35
113,117 Resistance 114,118 Operational amplifier
Claims (6)
電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間に、上記補助容量配線の電位である補助容量電位の降下速度が、上記対向電極の電位である対向電位の降下速度よりも速くなることを特徴とする液晶表示装置。 A plurality of gate bus lines, a plurality of source bus lines intersecting with the gate bus lines, and a picture element provided at each intersection of the gate bus line and the source bus line, The pixel electrode and the counter electrode arranged opposite to each other through the liquid crystal layer, the gate terminal is connected to the gate bus line, the source terminal is connected to the source bus line, and the drain terminal is connected to the pixel electrode. A liquid crystal display device comprising: a switching element; and an auxiliary capacitance line that is disposed opposite to the pixel electrode and forms a liquid crystal auxiliary capacitance with the pixel electrode,
During at least a part of the period from the start of the power-off operation to the completion of the power-off operation, the lowering speed of the auxiliary capacity potential that is the potential of the auxiliary capacity wiring is higher than the lowering speed of the counter potential that is the potential of the counter electrode. A liquid crystal display device characterized by being faster.
電源オフ動作の開始から電源オフ動作の完了までの少なくとも一部の期間に、上記補助容量配線を、対向電位よりも低い電位を供給する低電位供給源に接続する電源切替回路を備えていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 The auxiliary capacitance potential before the start of the power-off operation is set to the same potential as the counter potential or higher than the counter potential,
Provided with a power supply switching circuit that connects the auxiliary capacitance wiring to a low potential supply source that supplies a potential lower than the opposing potential during at least a part of the period from the start of the power off operation to the completion of the power off operation. The liquid crystal display device according to claim 1.
上記電圧検知部によって入力電源電圧が所定値以下に低下したことが検知された後、上記対向電位が降下開始する前に、上記補助容量配線を、上記対向電位よりも低い電位を供給する低電位供給源に接続する電源切替回路とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 A voltage detector that detects that the input power supply voltage has dropped below a predetermined value;
After the voltage detection unit detects that the input power supply voltage has dropped below a predetermined value, the auxiliary capacitance wiring is supplied with a potential lower than the opposing potential before the opposing potential starts to drop. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a power supply switching circuit connected to a supply source.
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