JP2015050402A - Cutting device including cleaning means - Google Patents

Cutting device including cleaning means Download PDF

Info

Publication number
JP2015050402A
JP2015050402A JP2013182769A JP2013182769A JP2015050402A JP 2015050402 A JP2015050402 A JP 2015050402A JP 2013182769 A JP2013182769 A JP 2013182769A JP 2013182769 A JP2013182769 A JP 2013182769A JP 2015050402 A JP2015050402 A JP 2015050402A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
cutting
workpiece
axis
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013182769A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
秀明 大谷
Hideaki Otani
秀明 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2013182769A priority Critical patent/JP2015050402A/en
Publication of JP2015050402A publication Critical patent/JP2015050402A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting device including cleaning means which may properly remove foreign objects adhering to a workpiece.SOLUTION: A cutting device (2) includes: a chuck table (14) which holds a workpiece (11); cutting means (18) including a cutting blade (40) which cuts the workpiece held by the chuck table; and cleaning means (42) which cleans a surface of the workpiece cut by the cutting means. The cleaning means includes: a cleaning table (44) which holds the workpiece; and a cleaning nozzle (50) which jets powder type dry ice (62) to the workpiece held by the cleaning table.

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を切削する切削装置に関し、特に、切削後の被加工物を洗浄する洗浄手段を備えた切削装置に関する。   The present invention relates to a cutting apparatus that cuts a workpiece such as a semiconductor wafer, and more particularly to a cutting apparatus that includes a cleaning unit that cleans a workpiece after cutting.

半導体ウェーハ等の被加工物は、例えば、回転可能な切削ブレードを備える切削装置で切削され、複数のチップへと分割される。被加工物を切削すると、切削屑や粘着材等の異物(コンタミネーション)が表面に付着するので、切削装置内には、異物を除去するための洗浄機構(洗浄手段)が設けられている。   A workpiece such as a semiconductor wafer is cut by, for example, a cutting device including a rotatable cutting blade and divided into a plurality of chips. When a workpiece is cut, foreign matter (contamination) such as cutting dust and adhesive material adheres to the surface, and therefore a cleaning mechanism (cleaning means) for removing the foreign matter is provided in the cutting apparatus.

この洗浄機構は、例えば、被加工物を保持した状態で回転するスピンナテーブルと、スピンナテーブルの上方に配置され、洗浄用の流体を下方に向けて噴射するノズルとを備える(例えば、特許文献1参照)。被加工物を保持した状態のスピンナテーブルを回転させると共に、ノズルをスピンナテーブルの径方向に搖動させながら洗浄用の流体を噴射させることで、被加工物は洗浄される。   This cleaning mechanism includes, for example, a spinner table that rotates while holding a workpiece, and a nozzle that is disposed above the spinner table and jets a cleaning fluid downward (for example, Patent Document 1). reference). The work piece is cleaned by rotating the spinner table holding the work piece and spraying a cleaning fluid while the nozzle is swung in the radial direction of the spinner table.

特開2008−80180号公報JP 2008-80180 A

上述した洗浄機構では、水(洗浄水)、又は水とエアー(圧縮されたエアー)とを混合した2流体を吹き付けることによって被加工物を洗浄している。しかしながら、このような洗浄機構を用いても、被加工物に付着した異物を完全に除去することはできない。そのため、例えば、異物の付着が不良の要因となるCCDやCMOS等の撮像素子を含むデバイスにおいては、必ずしも十分に不良を低減できないという問題が発生していた。   In the cleaning mechanism described above, the workpiece is cleaned by spraying water (cleaning water) or two fluids in which water and air (compressed air) are mixed. However, even if such a cleaning mechanism is used, the foreign matter adhering to the workpiece cannot be completely removed. Therefore, for example, in a device including an image sensor such as a CCD or a CMOS in which the adhesion of foreign matters causes a failure, there has been a problem that the failure cannot always be sufficiently reduced.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物に付着した異物を適切に除去可能な洗浄手段を備えた切削装置を提供することである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus including a cleaning unit that can appropriately remove foreign matters attached to a workpiece.

本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該切削手段で切削された被加工物の表面を洗浄する洗浄手段と、を備えた切削装置であって、該洗浄手段は、被加工物を保持する洗浄テーブルと、該洗浄テーブルに保持された被加工物に粉末状のドライアイスを噴射する洗浄ノズルと、を有することを特徴とする洗浄手段を備えた切削装置が提供される。   According to the present invention, a chuck table for holding a workpiece, a cutting means including a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a surface of the workpiece cut by the cutting means. And a cleaning device for cleaning the workpiece, wherein the cleaning device sprays powdery dry ice onto the workpiece held on the workpiece and the workpiece held on the washing table. There is provided a cutting device provided with a cleaning means comprising a cleaning nozzle.

本発明において、前記洗浄手段は、前記洗浄ノズルから噴射する粉末状のドライアイスの帯電を防止する帯電防止手段を備えることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the said washing | cleaning means is equipped with the antistatic means which prevents electrification of the powdery dry ice injected from the said washing nozzle.

本発明の洗浄手段を備えた切削装置は、被加工物に粉末状のドライアイスを噴射する洗浄ノズルを有する洗浄手段を備えるので、粉末状のドライアイスを被加工物に噴射することで、水等の流体では除去しきれない異物を除去できる。すなわち、本発明によれば、被加工物に付着した異物を適切に除去可能な洗浄手段を備えた切削装置を提供できる。   Since the cutting device provided with the cleaning means of the present invention includes a cleaning means having a cleaning nozzle for injecting powdery dry ice onto the work piece, water can be obtained by injecting powdery dry ice onto the work piece. It is possible to remove foreign substances that cannot be removed by fluid such as. In other words, according to the present invention, it is possible to provide a cutting device including a cleaning unit that can appropriately remove foreign matter adhering to a workpiece.

本実施の形態に係る洗浄機構を備える切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically an example of composition of a cutting device provided with a washing mechanism concerning this embodiment. 本実施の形態に係る洗浄機構の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the washing | cleaning mechanism which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る切削装置で実施される洗浄ステップを模式的に示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows typically the washing | cleaning step implemented with the cutting device which concerns on this Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態に係る洗浄機構(洗浄手段)を備える切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a configuration example of a cutting apparatus including a cleaning mechanism (cleaning unit) according to the present embodiment.

図1に示すように、切削装置2は、各構成を支持する基台4を備えている。基台4において、前端の一方側の角部には矩形状の開口4aが設けられており、この開口4a内には、カセット載置台6が昇降可能に設置されている。カセット載置台6の上面には、複数のウェーハ(被加工物)11を収容する直方体状のカセット8が載置される。なお、図1では、説明の便宜上、カセット8の輪郭のみを示している。   As shown in FIG. 1, the cutting device 2 includes a base 4 that supports each component. In the base 4, a rectangular opening 4a is provided at a corner portion on one side of the front end, and a cassette mounting table 6 is installed in the opening 4a so as to be movable up and down. On the upper surface of the cassette mounting table 6, a rectangular parallelepiped cassette 8 that houses a plurality of wafers (workpieces) 11 is placed. In FIG. 1, only the outline of the cassette 8 is shown for convenience of explanation.

ウェーハ11は、例えば、円盤状の半導体ウェーハであり、その表面側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列されたストリート(分割予定ライン)でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはIC等のデバイス13が形成されている。   The wafer 11 is, for example, a disk-shaped semiconductor wafer, and the surface side is divided into a central device region and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. The device region is further divided into a plurality of regions by streets (scheduled division lines) arranged in a lattice pattern, and a device 13 such as an IC is formed in each region.

ウェーハ11の裏面側には、ウェーハ11より大径のダイシングテープ15が貼着されている。ダイシングテープ15の外周部分は、環状のフレーム17に固定されている。すなわち、ウェーハ11はダイシングテープ15を介してフレーム17に支持されている。   On the back side of the wafer 11, a dicing tape 15 having a diameter larger than that of the wafer 11 is attached. An outer peripheral portion of the dicing tape 15 is fixed to an annular frame 17. That is, the wafer 11 is supported by the frame 17 via the dicing tape 15.

カセット載置台6と近接する位置には、前後方向(X軸方向)に長い矩形状の開口4bが形成されている。この開口4b内には、X軸移動テーブル10、X軸移動テーブル10をX軸方向(前後方向、加工送り方向)に移動させるX軸移動機構(不図示)、及びX軸移動機構を覆う防水カバー12が設けられている。   A rectangular opening 4b that is long in the front-rear direction (X-axis direction) is formed at a position close to the cassette mounting table 6. Within this opening 4b, an X-axis moving table 10, an X-axis moving mechanism (not shown) for moving the X-axis moving table 10 in the X-axis direction (front-rear direction, machining feed direction), and a waterproof covering the X-axis moving mechanism. A cover 12 is provided.

X軸移動機構は、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)を備えており、X軸ガイドレールには、X軸移動テーブル10がスライド可能に設置されている。X軸移動テーブル10の下面側には、ナット(不図示)が固定されており、このナットには、X軸ガイドレールと平行なX軸ボールネジ(不図示)が螺合されている。   The X-axis movement mechanism includes a pair of X-axis guide rails (not shown) parallel to the X-axis direction, and the X-axis movement table 10 is slidably installed on the X-axis guide rails. A nut (not shown) is fixed to the lower surface side of the X-axis moving table 10, and an X-axis ball screw (not shown) parallel to the X-axis guide rail is screwed to the nut.

X軸ボールネジの一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールネジを回転させることで、X軸移動テーブル10はX軸ガイドレールに沿ってX軸方向に移動する。   An X-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the X-axis ball screw. By rotating the X-axis ball screw with the X-axis pulse motor, the X-axis moving table 10 moves in the X-axis direction along the X-axis guide rail.

X軸移動テーブル10上には、ウェーハ11を吸引保持するチャックテーブル14が設けられている。チャックテーブル14の周囲には、ウェーハ11を支持する環状のフレーム17を四方から挟持固定する4個のクランプ16が設置されている。   A chuck table 14 that sucks and holds the wafer 11 is provided on the X-axis moving table 10. Around the chuck table 14, four clamps 16 for holding and fixing an annular frame 17 that supports the wafer 11 from four directions are installed.

チャックテーブル14は、モータ等の回転機構(不図示)と連結されており、鉛直方向(Z軸方向)に延びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル14は、上述のX軸移動機構によりX軸方向に移動する。   The chuck table 14 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis extending in the vertical direction (Z-axis direction). Further, the chuck table 14 is moved in the X-axis direction by the above-described X-axis moving mechanism.

チャックテーブル14の上面は、ウェーハ11を吸引保持する保持面14aとなっている。この保持面14aは、チャックテーブル14の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。   The upper surface of the chuck table 14 is a holding surface 14 a that holds the wafer 11 by suction. The holding surface 14 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 14.

開口4bと近接する位置には、ウェーハ11を搬送する搬送機構(不図示)が設けられている。搬送機構によってチャックテーブル14に搬入されたウェーハ11は、保持面14aに作用する吸引源の負圧でチャックテーブル14に吸引保持される。   A transfer mechanism (not shown) for transferring the wafer 11 is provided at a position close to the opening 4b. The wafer 11 carried into the chuck table 14 by the transport mechanism is sucked and held on the chuck table 14 by the negative pressure of the suction source acting on the holding surface 14a.

基台4の上方には、2組の切削ユニット(切削手段)18を支持する門型の支持部20が、開口4bを跨ぐように配置されている。支持部20の前面上部には、各切削ユニット18をY軸方向(割り出し送り方向)及びZ軸方向(鉛直方向)に移動させる2組の切削ユニット移動機構22が設けられている。   Above the base 4, a gate-shaped support portion 20 that supports two sets of cutting units (cutting means) 18 is disposed so as to straddle the opening 4b. Two sets of cutting unit moving mechanisms 22 for moving each cutting unit 18 in the Y-axis direction (index feed direction) and the Z-axis direction (vertical direction) are provided on the upper front surface of the support portion 20.

切削ユニット移動機構22は、支持部20の前面に配置されY軸方向に平行な一対のY軸ガイドレール24を備えている。Y軸ガイドレール24には、各切削ユニット移動機構22を構成するY軸移動テーブル26がスライド可能に設置されている。   The cutting unit moving mechanism 22 includes a pair of Y-axis guide rails 24 arranged in front of the support portion 20 and parallel to the Y-axis direction. On the Y-axis guide rail 24, a Y-axis moving table 26 constituting each cutting unit moving mechanism 22 is slidably installed.

各Y軸移動テーブル26の裏面側(後面側)には、ナット(不図示)が固定されており、このナットには、Y軸ガイドレール24と平行なY軸ボールネジ28がそれぞれ螺合されている。各Y軸ボールネジ28の一端部には、Y軸パルスモータ30が連結されている。Y軸パルスモータ30でY軸ボールネジ28を回転させれば、Y軸移動テーブル26は、Y軸ガイドレール24に沿ってY軸方向に移動する。   A nut (not shown) is fixed to the back side (rear side) of each Y-axis moving table 26, and a Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 is screwed to the nut. Yes. A Y-axis pulse motor 30 is connected to one end of each Y-axis ball screw 28. If the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor 30, the Y-axis moving table 26 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 24.

各Y軸移動テーブル26の表面(前面)には、Z軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール32が設けられている。Z軸ガイドレール32には、Z軸移動テーブル34がスライド可能に設置されている。   A pair of Z-axis guide rails 32 parallel to the Z-axis direction are provided on the front surface (front surface) of each Y-axis moving table 26. A Z-axis moving table 34 is slidably installed on the Z-axis guide rail 32.

各Z軸移動テーブル34の裏面側(後面側)には、ナット(不図示)が固定されており、このナットには、Z軸ガイドレール32と平行なZ軸ボールネジ36がそれぞれ螺合されている。各Z軸ボールネジ36の一端部には、Z軸パルスモータ38が連結されている。Z軸パルスモータ38でZ軸ボールネジ36を回転させれば、Z軸移動テーブル34は、Z軸ガイドレール32に沿ってZ軸方向に移動する。   A nut (not shown) is fixed to the back side (rear side) of each Z-axis moving table 34, and a Z-axis ball screw 36 parallel to the Z-axis guide rail 32 is screwed to the nut. Yes. A Z-axis pulse motor 38 is connected to one end of each Z-axis ball screw 36. When the Z-axis ball screw 36 is rotated by the Z-axis pulse motor 38, the Z-axis moving table 34 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 32.

各Z軸移動テーブル34の下部には、ウェーハ11を切削加工する切削ユニット18が設けられている。また、各切削ユニット18と隣接する位置には、ウェーハ11を撮像するカメラ(不図示)が設置されている。上述のようにY軸移動テーブル26及びZ軸移動テーブル34を移動させることで、各切削ユニット18及び各カメラは、Y軸方向及びZ軸方向に移動する。   A cutting unit 18 for cutting the wafer 11 is provided below each Z-axis moving table 34. Further, a camera (not shown) for imaging the wafer 11 is installed at a position adjacent to each cutting unit 18. By moving the Y-axis movement table 26 and the Z-axis movement table 34 as described above, each cutting unit 18 and each camera move in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

各切削ユニット18は、Y軸の周りに回転するスピンドル(不図示)の一端側に装着された円環状の切削ブレード40を備えている。各スピンドルの他端側にはモータ(不図示)が連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード40を回転させる。この切削ブレード40を回転させてウェーハ11に切り込ませることで、ウェーハ11は切削される。   Each cutting unit 18 includes an annular cutting blade 40 attached to one end of a spindle (not shown) that rotates about the Y axis. A motor (not shown) is connected to the other end side of each spindle, and rotates the cutting blade 40 mounted on the spindle. The wafer 11 is cut by rotating the cutting blade 40 into the wafer 11.

開口4bに対して開口4aと反対側の位置には、円形状の開口4cが形成されている。開口4c内には、切削後のウェーハ11の表面を洗浄する洗浄機構(洗浄手段)42が設けられている。   A circular opening 4c is formed at a position opposite to the opening 4a with respect to the opening 4b. A cleaning mechanism (cleaning means) 42 for cleaning the surface of the wafer 11 after cutting is provided in the opening 4c.

図2は、本実施の形態に係る洗浄機構42の構成例を模式的に示す図である。図2に示すように、洗浄機構42は、開口4c内においてウェーハ11を吸引保持するスピンナテーブル(洗浄テーブル)44を備えている。スピンナテーブル44の周囲には、ウェーハ11を支持する環状のフレーム17を四方から挟持固定する4個のクランプ46が設置されている。   FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration example of the cleaning mechanism 42 according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the cleaning mechanism 42 includes a spinner table (cleaning table) 44 that sucks and holds the wafer 11 in the opening 4c. Around the spinner table 44, four clamps 46 for holding and fixing the annular frame 17 supporting the wafer 11 from four directions are installed.

スピンナテーブル44の上面44aには、吸引溝44bが形成されており、この吸引溝44bはスピンナテーブル44の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。スピンナテーブル44は、下部に設けられた回転軸48を介してモータ等の回転機構(不図示)と連結されており、この回転機構から伝達される回転力で回転する。   A suction groove 44 b is formed on the upper surface 44 a of the spinner table 44, and the suction groove 44 b is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed in the spinner table 44. . The spinner table 44 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor via a rotation shaft 48 provided at the lower portion, and rotates by a rotational force transmitted from the rotation mechanism.

スピンナテーブル44の上方には、粉末状のドライアイス(固体の二酸化酸素)を噴射するノズル(洗浄ノズル)50が配置されている。このノズル50は、L字状の支持アーム52を介して駆動機構(不図示)に連結されており、スピンナテーブル44の径方向に搖動される。   Above the spinner table 44, a nozzle (cleaning nozzle) 50 for injecting powdered dry ice (solid oxygen dioxide) is disposed. The nozzle 50 is connected to a drive mechanism (not shown) via an L-shaped support arm 52 and is oscillated in the radial direction of the spinner table 44.

ノズル50は、配管54a及び配管54bを介して、液体の二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給源56に接続されている。また、ノズル50は、配管54a及び配管54cを介して、圧縮されたエアー(圧縮エアー)を供給するエアー供給源58と接続されている。配管54aには、エアー供給源58から供給されたエアーをイオン化するイオナイザー(帯電防止手段)60が設けられている。   The nozzle 50 is connected to a carbon dioxide supply source 56 that supplies liquid carbon dioxide via a pipe 54a and a pipe 54b. The nozzle 50 is connected to an air supply source 58 that supplies compressed air (compressed air) via a pipe 54a and a pipe 54c. The pipe 54 a is provided with an ionizer (antistatic means) 60 that ionizes the air supplied from the air supply source 58.

切削後のウェーハ11を搬送機構で搬送してスピンナテーブル44に吸引保持させた後に、このスピンナテーブル44を回転させ、ノズル50をスピンナテーブル44の径方向に搖動させながら粉末状のドライアイスを噴射する。これにより、ウェーハ11が洗浄される。本実施の形態の洗浄機構42を備えた切削装置2では、粉末状のドライアイスをウェーハ11に噴射することで、水等の流体では除去しきれない異物を除去できる。   After the cut wafer 11 is transported by the transport mechanism and sucked and held on the spinner table 44, the spinner table 44 is rotated, and powdery dry ice is sprayed while the nozzle 50 is swung in the radial direction of the spinner table 44. To do. Thereby, the wafer 11 is cleaned. In the cutting apparatus 2 provided with the cleaning mechanism 42 according to the present embodiment, foreign matter that cannot be removed by a fluid such as water can be removed by spraying powdery dry ice onto the wafer 11.

次に、上述した切削装置2において実施されるウェーハ11の洗浄ステップについて説明する。図3は、本実施の形態に係る切削装置2で実施される洗浄ステップを模式的に示す一部断面側面図である。洗浄ステップにおいては、まず、上述した二酸化炭素供給源56から液体の二酸化炭素を供給すると共に、エアー供給源58からエアーを供給する。   Next, the cleaning step of the wafer 11 performed in the cutting device 2 described above will be described. FIG. 3 is a partial cross-sectional side view schematically showing a cleaning step performed by the cutting apparatus 2 according to the present embodiment. In the cleaning step, first, liquid carbon dioxide is supplied from the carbon dioxide supply source 56 and air is supplied from the air supply source 58.

二酸化炭素供給源56から供給された液体の二酸化炭素と、エアー供給源58から供給されたエアーとが混合されると、液体の二酸化炭素の一部が気化して熱を奪う(気化熱)。その結果、液体の二酸化炭素の温度が凝固点を下回り、ドライアイス(固体の二酸化炭素)62が発生する。このように、液体の二酸化炭素を大気に放出することで得られるドライアイス62は、きわめて微細な粉末状となる。   When the liquid carbon dioxide supplied from the carbon dioxide supply source 56 and the air supplied from the air supply source 58 are mixed, a part of the liquid carbon dioxide vaporizes and takes heat (vaporization heat). As a result, the temperature of liquid carbon dioxide falls below the freezing point, and dry ice (solid carbon dioxide) 62 is generated. Thus, the dry ice 62 obtained by releasing liquid carbon dioxide into the atmosphere becomes a very fine powder.

この粉末状のドライアイス62がノズル50から噴射されてウェーハ11に衝突すると、ドライアイス62は変形、破砕して、昇華する。ドライアイス62の昇華で発生する膨張のエネルギーによって、ウェーハ11の表面等に付着した異物が除去される。なお、液体の二酸化炭素及びエアーの供給量は、ウェーハ11の洗浄に適した分量のドライアイス62がノズル50から噴射されるように調整される。   When the powdery dry ice 62 is sprayed from the nozzle 50 and collides with the wafer 11, the dry ice 62 is deformed, crushed and sublimated. Foreign matter adhering to the surface of the wafer 11 and the like is removed by the energy of expansion generated by sublimation of the dry ice 62. Note that the supply amounts of liquid carbon dioxide and air are adjusted such that an amount of dry ice 62 suitable for cleaning the wafer 11 is ejected from the nozzle 50.

上述したドライアイス62は、硬度が低く微細であるため、この洗浄ステップでウェーハ11が傷付くことはない。また、本実施の形態の洗浄機構42は、エアー供給源58から供給された圧縮エアーを適切にイオン化するイオナイザー60を配管54a内に備えているので、粉末状のドライアイス62の帯電を防止して、デバイス13の破損を防ぐことができる。   Since the dry ice 62 described above has a low hardness and is fine, the wafer 11 is not damaged in this cleaning step. Further, since the cleaning mechanism 42 of the present embodiment includes an ionizer 60 in the pipe 54a that appropriately ionizes the compressed air supplied from the air supply source 58, the powdery dry ice 62 is prevented from being charged. Thus, damage to the device 13 can be prevented.

以上のように、本実施の形態に係る切削装置2は、ウェーハ(被加工物)11に粉末状のドライアイス62を噴射するノズル(洗浄ノズル)50を有する洗浄機構(洗浄手段)42を備えるので、粉末状のドライアイス62をウェーハ11に噴射することで、水等の流体では除去しきれない異物を除去できる。すなわち、本実施の形態に係る切削装置2によれば、ウェーハ11に付着した異物を適切に除去可能な洗浄機構42を備えた切削装置2を提供できる。   As described above, the cutting apparatus 2 according to the present embodiment includes the cleaning mechanism (cleaning means) 42 having the nozzle (cleaning nozzle) 50 that sprays the powdery dry ice 62 onto the wafer (workpiece) 11. Therefore, by spraying the powdery dry ice 62 onto the wafer 11, foreign substances that cannot be removed by a fluid such as water can be removed. That is, according to the cutting device 2 according to the present embodiment, it is possible to provide the cutting device 2 including the cleaning mechanism 42 that can appropriately remove the foreign matter adhering to the wafer 11.

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、被加工物としてウェーハ11を用いているが、樹脂基板やガラス基板等を被加工物としても良い。樹脂基板を被加工物とする場合には、本実施の形態の洗浄機構でバリ等を除去することもできる。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the wafer 11 is used as the workpiece, but a resin substrate, a glass substrate, or the like may be used as the workpiece. When the resin substrate is a workpiece, burrs and the like can be removed by the cleaning mechanism of the present embodiment.

また、上記実施の形態では、イオナイザー60を配管54aに設けているが、イオナイザー60の配置位置はこれに限定されない。例えば、スピンナテーブル44の周辺にイオナイザー60を設けてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the ionizer 60 is provided in the piping 54a, the arrangement position of the ionizer 60 is not limited to this. For example, the ionizer 60 may be provided around the spinner table 44.

また、イオナイザー60以外の帯電防止機構(帯電防止手段)を設けてもよい。もちろん、帯電によるデバイス13の破損が問題とならない場合には、イオナイザー等の帯電防止機構を省略することもできる。   Further, an antistatic mechanism (antistatic means) other than the ionizer 60 may be provided. Of course, when damage to the device 13 due to charging is not a problem, an antistatic mechanism such as an ionizer can be omitted.

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be changed as appropriate without departing from the scope of the object of the present invention.

2 切削装置
4 基台
4a,4b,4c 開口
6 カセット載置台
8 カセット
10 X軸移動テーブル
12 防水カバー
14 チャックテーブル
14a 保持面
16 クランプ
18 切削ユニット(切削手段)
20 支持部
22 切削ユニット移動機構
24 Y軸ガイドレール
26 Y軸移動テーブル
28 Y軸ボールネジ
30 Y軸パルスモータ
32 Z軸ガイドレール
34 Z軸移動テーブル
36 Z軸ボールネジ
38 Z軸パルスモータ
40 切削ブレード
42 洗浄機構(洗浄手段)
44 スピンナテーブル(洗浄テーブル)
44a 上面
44b 吸引溝
46 クランプ
48 回転軸
50 ノズル(洗浄ノズル)
52 支持アーム
54a,54b,54c 配管
56 二酸化炭素供給源
58 エアー供給源
60 イオナイザー(帯電防止手段)
62 ドライアイス(固体の二酸化炭素)
11 ウェーハ(被加工物)
13 デバイス
15 ダイシングテープ
17 フレーム
2 Cutting device 4 Base 4a, 4b, 4c Opening 6 Cassette mounting table 8 Cassette 10 X axis moving table 12 Waterproof cover 14 Chuck table 14a Holding surface 16 Clamp 18 Cutting unit (cutting means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Support part 22 Cutting unit moving mechanism 24 Y-axis guide rail 26 Y-axis moving table 28 Y-axis ball screw 30 Y-axis pulse motor 32 Z-axis guide rail 34 Z-axis moving table 36 Z-axis ball screw 38 Z-axis pulse motor 40 Cutting blade 42 Cleaning mechanism (cleaning means)
44 Spinner table (washing table)
44a Upper surface 44b Suction groove 46 Clamp 48 Rotating shaft 50 Nozzle (cleaning nozzle)
52 Support arm 54a, 54b, 54c Piping 56 Carbon dioxide supply source 58 Air supply source 60 Ionizer (antistatic means)
62 Dry ice (solid carbon dioxide)
11 Wafer (Workpiece)
13 devices 15 dicing tape 17 frames

Claims (2)

被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該切削手段で切削された被加工物の表面を洗浄する洗浄手段と、を備えた切削装置であって、
該洗浄手段は、被加工物を保持する洗浄テーブルと、該洗浄テーブルに保持された被加工物に粉末状のドライアイスを噴射する洗浄ノズルと、を有することを特徴とする洗浄手段を備えた切削装置。
A chuck table for holding a workpiece, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cleaning means for cleaning the surface of the workpiece cut by the cutting means A cutting device comprising:
The cleaning means includes a cleaning means having a cleaning table for holding a workpiece, and a cleaning nozzle for injecting powdered dry ice onto the workpiece held on the cleaning table. Cutting equipment.
前記洗浄手段は、前記洗浄ノズルから噴射する粉末状のドライアイスの帯電を防止する帯電防止手段を備えることを特徴とする請求項1記載の洗浄手段を備えた切削装置。   2. The cutting apparatus provided with the cleaning means according to claim 1, wherein the cleaning means includes an antistatic means for preventing charging of the powdery dry ice sprayed from the cleaning nozzle.
JP2013182769A 2013-09-04 2013-09-04 Cutting device including cleaning means Pending JP2015050402A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013182769A JP2015050402A (en) 2013-09-04 2013-09-04 Cutting device including cleaning means

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013182769A JP2015050402A (en) 2013-09-04 2013-09-04 Cutting device including cleaning means

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015050402A true JP2015050402A (en) 2015-03-16

Family

ID=52700143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013182769A Pending JP2015050402A (en) 2013-09-04 2013-09-04 Cutting device including cleaning means

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015050402A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020105483A1 (en) * 2018-11-21 2021-09-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment and substrate processing method
CN116274177A (en) * 2023-04-06 2023-06-23 广东合晟新能源科技有限公司 Dry ice cleaning machine and cleaning method
KR102564709B1 (en) * 2022-11-01 2023-08-08 주식회사 액트로 Carbon dioxide cleaning device

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044143A (en) * 1999-07-30 2001-02-16 Sony Corp Method of cutting substrate and manufacture of semiconductor device
JP2001277116A (en) * 1999-10-13 2001-10-09 Nippon Sanso Corp Device and method for cleaning by injection of dry ice snow
JP2002066483A (en) * 2000-08-25 2002-03-05 Nippon Sanso Corp Dry ice jet cleaning method and apparatus therefor
JP2003001208A (en) * 2001-06-25 2003-01-07 Yokogawa Electric Corp Cleaning method and cleaning apparatus
JP2007253062A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Asahi Sunac Corp Dry ice snow jetting nozzle
JP2008016673A (en) * 2006-07-06 2008-01-24 Disco Abrasive Syst Ltd Spinner cleaning device
JP2008112933A (en) * 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing apparatus, and method of managing the same
JP2008522813A (en) * 2004-12-13 2008-07-03 クール クリーン テクノロジーズ, インコーポレイテッド Carbon dioxide snow equipment
JP2008264926A (en) * 2007-04-20 2008-11-06 Rix Corp Deburring washing device and deburring washing method
JP2010082712A (en) * 2008-09-29 2010-04-15 Konica Minolta Opto Inc Working device and working method
JP2010205865A (en) * 2009-03-03 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd Spinner cleaning device
JP2012203286A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Techno Quartz Kk Liquid crystal substrate hold panel and manufacturing method thereof
WO2013038485A1 (en) * 2011-09-13 2013-03-21 新日鐵住金株式会社 Method for measuring threaded element at tube end

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044143A (en) * 1999-07-30 2001-02-16 Sony Corp Method of cutting substrate and manufacture of semiconductor device
JP2001277116A (en) * 1999-10-13 2001-10-09 Nippon Sanso Corp Device and method for cleaning by injection of dry ice snow
JP2002066483A (en) * 2000-08-25 2002-03-05 Nippon Sanso Corp Dry ice jet cleaning method and apparatus therefor
JP2003001208A (en) * 2001-06-25 2003-01-07 Yokogawa Electric Corp Cleaning method and cleaning apparatus
JP2008522813A (en) * 2004-12-13 2008-07-03 クール クリーン テクノロジーズ, インコーポレイテッド Carbon dioxide snow equipment
JP2007253062A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Asahi Sunac Corp Dry ice snow jetting nozzle
JP2008016673A (en) * 2006-07-06 2008-01-24 Disco Abrasive Syst Ltd Spinner cleaning device
JP2008112933A (en) * 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing apparatus, and method of managing the same
JP2008264926A (en) * 2007-04-20 2008-11-06 Rix Corp Deburring washing device and deburring washing method
JP2010082712A (en) * 2008-09-29 2010-04-15 Konica Minolta Opto Inc Working device and working method
JP2010205865A (en) * 2009-03-03 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd Spinner cleaning device
JP2012203286A (en) * 2011-03-28 2012-10-22 Techno Quartz Kk Liquid crystal substrate hold panel and manufacturing method thereof
WO2013038485A1 (en) * 2011-09-13 2013-03-21 新日鐵住金株式会社 Method for measuring threaded element at tube end

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020105483A1 (en) * 2018-11-21 2021-09-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment and substrate processing method
JP7108710B2 (en) 2018-11-21 2022-07-28 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR102564709B1 (en) * 2022-11-01 2023-08-08 주식회사 액트로 Carbon dioxide cleaning device
CN116274177A (en) * 2023-04-06 2023-06-23 广东合晟新能源科技有限公司 Dry ice cleaning machine and cleaning method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201345621A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101733290B1 (en) Cutting device and cutting method
JP2017222003A (en) Spindle unit
JP6498020B2 (en) Cleaning method of chuck table
JP2015050402A (en) Cutting device including cleaning means
JP7139043B2 (en) cutting equipment
JP6847525B2 (en) Cutting equipment
JP2019181584A (en) Processing device
JP2015095515A (en) Cutting device and cutting method
CN109986461A (en) Cutting apparatus
JP6351374B2 (en) Cleaning device and processing device
JP7139051B2 (en) processing equipment
JP2015109348A (en) Processing method of wafer
JP5389473B2 (en) Spinner cleaning device
JP6305750B2 (en) Processing machine with static eliminator
JP2017127910A (en) Cutting device
JP2010087443A (en) Transport mechanism
JP2019104075A (en) Cutting device
JP6208587B2 (en) Cutting equipment
JP4481668B2 (en) Cutting equipment
JP6713195B2 (en) Chuck table
JP6084115B2 (en) Processing equipment
JP2019089183A (en) End face cleaning method and cutting device
JP2018134723A (en) Cutting device
JP7421405B2 (en) processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170523

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170926

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180320