JP2015030089A - Wear inspection method for cutting blade - Google Patents
Wear inspection method for cutting blade Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015030089A JP2015030089A JP2013164113A JP2013164113A JP2015030089A JP 2015030089 A JP2015030089 A JP 2015030089A JP 2013164113 A JP2013164113 A JP 2013164113A JP 2013164113 A JP2013164113 A JP 2013164113A JP 2015030089 A JP2015030089 A JP 2015030089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting blade
- cutting
- cutting groove
- wafer
- wear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、切削ブレードの偏摩耗を検査する切削ブレードの摩耗検査方法に関し、特にエッジトリミング加工で行われる切削ブレードの摩耗検査方法に関する。 The present invention relates to a cutting blade wear inspection method for inspecting uneven wear of a cutting blade, and more particularly to a cutting blade wear inspection method performed in edge trimming.
半導体製造工程において、外周部分が面取りされているウェーハの一面が研削されると、面取りされたウェーハの外周部分がナイフエッジ状になり、外周側から欠けが生じてウェーハが破損するという問題があった。この問題を解決するために、ウェーハの薄化後にナイフエッジになりうる面取り部を、研削加工に先だってウェーハの外周部から除去(トリミング)する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。エッジトリミング加工は、ウェーハの外周部分を切削ブレードで切り込み、ウェーハを1回転させることで、ウェーハの外周部分が切削ブレードにより除去される。 In the semiconductor manufacturing process, if one side of a wafer with a chamfered outer periphery is ground, the outer peripheral portion of the chamfered wafer becomes a knife edge, and there is a problem that the wafer is damaged due to chipping from the outer peripheral side. It was. In order to solve this problem, a method of removing (trimming) a chamfered portion that can become a knife edge after thinning of the wafer from the outer peripheral portion of the wafer prior to grinding is proposed (for example, see Patent Document 1). . In edge trimming, the outer peripheral portion of the wafer is cut with a cutting blade, and the wafer is rotated once, so that the outer peripheral portion of the wafer is removed with the cutting blade.
しかし、エッジトリミング加工においては、切削ブレードの片面側だけが切削に寄与するため、切削ブレードの両面の摩耗量に差が生じて偏摩耗するという問題がある。このため、定期的に切削ブレードの摩耗状態を確認する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2に記載の方法では、新規の切削ブレードで検査用試料を切り込んだ切削溝を基準画像として撮像し、加工後の切削ブレードで検査用試料を切り込んだ切削溝の画像を基準画像と比較する。そして、画像処理によって両画像の類似点を算出することで、切削ブレードの摩耗を検査している。
However, in edge trimming, since only one side of the cutting blade contributes to cutting, there is a problem that uneven wear occurs due to a difference in the amount of wear on both sides of the cutting blade. For this reason, a method for periodically checking the wear state of the cutting blade has been proposed (see, for example, Patent Document 2). In the method described in
しかしながら、特許文献2に記載の方法では、新規の切削ブレードによる切削溝と加工後の切削ブレードによる切削溝に対して複雑な画像処理を施して類似点を算出するため、処理が複雑になって検査時間が長くなるという問題があった。また、特許文献2に記載の方法では、検査用試料を同じ深さだけ切り込んで検査用試料表面の切削溝の外縁を比較するものであるため、切削溝の深い部分でRが付いている場合、すなわち、切削ブレードの先端に近い位置が摩耗している場合には摩耗を精度よく検査することができなかった。
However, in the method described in
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、検査を簡略化することができ、さらに切削ブレードの摩耗を高精度に検査することができる切削ブレードの摩耗検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and provides a cutting blade wear inspection method that can simplify the inspection and can inspect the cutting blade wear with high accuracy. Objective.
本発明の切削ブレードの摩耗検査方法は、基準厚みを有する円環状の切削ブレードをウェーハの外周部分に表面側から所定切り込み量切り込ませるとともにウェーハを回転させてウェーハの外周部分を円形に切削加工した後に、ウェーハの裏面側から研削をして所定仕上げ厚みに薄化するウェーハの加工方法において使用する該切削ブレードの摩耗を検査する切削ブレードの摩耗検査方法であって、該切削ブレードを検査用試料に対して該所定切り込み量から該所定仕上げ厚みに相当する量を差し引いた切り込み量で切り込み、該検査用試料の表面に該切削ブレードの外形形状を転写した切削溝を形成して、該切削溝を含む領域を撮像手段で撮像し切削溝画像を取得する切削溝画像取得工程と、該切削溝画像取得工程の後に、該切削溝画像から画像処理により切削溝幅を測定する切削溝幅測定工程と、該切削溝幅測定工程において測定した該切削溝幅が切削ブレードの該基準厚みと同等であるか否かを判定する判定工程と、該判定工程において該切削溝幅が該切削ブレードの該基準厚みを下回った場合に同等でないと判定し、報知する報知工程と、を備えることを特徴とする。 In the cutting blade wear inspection method of the present invention, an annular cutting blade having a reference thickness is cut into the outer peripheral portion of the wafer by a predetermined cut amount from the surface side, and the wafer is rotated to cut the outer peripheral portion of the wafer into a circle. A cutting blade wear inspection method for inspecting the wear of the cutting blade used in a wafer processing method in which the wafer is ground from the back side and thinned to a predetermined finish thickness. The sample is cut with a cut amount obtained by subtracting an amount corresponding to the predetermined finish thickness from the predetermined cut amount, and a cutting groove is formed on the surface of the inspection sample to transfer the outer shape of the cutting blade. A cutting groove image acquisition step of capturing an area including a groove with an imaging unit to acquire a cutting groove image, and after the cutting groove image acquisition step, A cutting groove width measuring step for measuring a cutting groove width by image processing, and a determination step for determining whether or not the cutting groove width measured in the cutting groove width measuring step is equal to the reference thickness of a cutting blade; And a notification step of determining that the cutting groove width is not equivalent when the width of the cutting groove is less than the reference thickness of the cutting blade in the determination step, and notifying.
この構成によれば、切削ブレードの外形形状が検査用試料の表面に切削溝として転写され、切削溝が撮像されて画像処理されることで切削溝画像の切削溝幅が測定される。そして、切削溝画像の切削溝幅と切削ブレードとの基準厚みとが比較されることで、切削ブレードの摩耗が検査される。この場合、切削溝画像から切削溝幅が測定されるだけなので、画像処理が複雑になることがなく検査時間を短くできる。また、ウェーハに対する切り込み量から最終的な仕上げ厚みを差し引いた切り込み量で検査用試料が切り込まれて切削溝が形成される。このため、検査用試料の表面の切削溝幅を測定することで、ウェーハの仕上げ厚みの裏面側での切削溝幅が測定される。切削ブレードの先端に近い位置で摩耗が検査されるため、摩耗が進行する前に切削ブレードを整形できる。よって、切削ブレードでウェーハの外周部分を円形に切削した場合に、ウェーハの外周部分にRが付き難くなり、仕上げ厚みまで薄化されたウェーハの外周面の傾きが抑えられる。 According to this configuration, the outer shape of the cutting blade is transferred as a cutting groove on the surface of the inspection sample, and the cutting groove width of the cutting groove image is measured by imaging the cutting groove and performing image processing. Then, the wear of the cutting blade is inspected by comparing the cutting groove width of the cutting groove image with the reference thickness of the cutting blade. In this case, since the cutting groove width is only measured from the cutting groove image, the image processing is not complicated and the inspection time can be shortened. Further, the inspection sample is cut with a cutting amount obtained by subtracting the final finish thickness from the cutting amount with respect to the wafer to form a cutting groove. For this reason, the cutting groove width on the back surface side of the finished thickness of the wafer is measured by measuring the cutting groove width on the surface of the inspection sample. Since the wear is inspected at a position close to the tip of the cutting blade, the cutting blade can be shaped before the wear proceeds. Therefore, when the outer peripheral portion of the wafer is cut into a circular shape with the cutting blade, the outer peripheral portion of the wafer is hardly attached with R, and the inclination of the outer peripheral surface of the wafer thinned to the finished thickness is suppressed.
本発明によれば、ウェーハに対する切り込み量から最終的な仕上げ厚みを差し引いた切り込み量で検査用試料を切り込んで切削溝を形成し、切削溝の切削溝画像から画像処理によって切削溝幅を測定することで、検査を簡略化することができ、さらに切削ブレードの摩耗を高精度に検査することができる。 According to the present invention, a cutting groove is formed by cutting an inspection sample with a cutting amount obtained by subtracting a final finish thickness from a cutting amount for a wafer, and a cutting groove width is measured by image processing from a cutting groove image of the cutting groove. Thus, the inspection can be simplified and the wear of the cutting blade can be inspected with high accuracy.
以下、本実施の形態に係る切削ブレードの摩耗検査方法について説明する。本実施の形態に係る切削ブレードの摩耗検査方法は、円環状の切削ブレードでウェーハの外周部分を表面側から切り込んでエッジトリミングした後にウェーハを裏面側から研削して所定の仕上げ厚みまで薄化する加工において実施される。まず、図1を参照してエッジトリミング加工について簡単に説明する。図1は、本実施の形態に係るエッジトリミング加工の一例を示す図である。 Hereinafter, a wear inspection method for a cutting blade according to the present embodiment will be described. In the cutting blade wear inspection method according to the present embodiment, the outer peripheral portion of the wafer is cut from the front surface side with an annular cutting blade and edge trimmed, and then the wafer is ground from the back surface side to reduce to a predetermined finished thickness. Implemented in processing. First, edge trimming will be briefly described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing an example of edge trimming according to the present embodiment.
図1に示すように、エッジトリミング加工では、切削装置(不図示)のチャックテーブル1上にウェーハWが保持される。ウェーハWは、表面31を上に向けてウェーハWの中心がチャックテーブル1の回転軸(Z軸)に一致するように保持されている。切削ブレード2は、ウェーハWの面取り部33を除去するように、ウェーハWの外周部分に位置付けられている。このとき、切削ブレード2の回転軸(Y軸)がウェーハWの中心線と一致するように位置合わせされている。そして、噴射ノズル(不図示)から切削水が噴射されると共に切削ブレード2が高速回転され、切削ブレード2によってウェーハWの面取り部33が切り込まれる。
As shown in FIG. 1, in edge trimming, a wafer W is held on a chuck table 1 of a cutting device (not shown). The wafer W is held such that the center of the wafer W coincides with the rotation axis (Z axis) of the chuck table 1 with the
続いて、チャックテーブル1が回転することで、ウェーハWの表面31側の面取り部33が円形に切削加工されて、ウェーハWの外周に沿った段状溝34が形成される。この場合、切削ブレード2によって、後工程である研削加工での仕上げ厚みt1(図2B参照)よりも深く切り込まれている。このため、ウェーハWの外周部分には、研削後のウェーハWの外周部分がナイフエッジ状に残ることがなく、ウェーハWの外周部分におけるクラックの発生が防止されている。なお、本実施の形態では、ウェーハWとして、シリコンウェーハを使用するが、ガリウム砒素等の半導体ウェーハを使用してもよいし、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板等を使用してもよい。
Subsequently, as the chuck table 1 rotates, the chamfered
ところでエッジトリミングでは、切削ブレード2の片面側だけが切削に寄与するため、切削ブレード2が偏摩耗する。このため、偏摩耗が進行しない所定のタイミングで、切削ブレード2の摩耗が検査される。本実施の形態に係る切削ブレード2の摩耗検査方法では、切削溝画像取得工程、切削溝幅測定工程、判定工程、報知工程を経て切削ブレード2の摩耗が検査される。切削溝画像取得工程では、エッジトリミング時におけるウェーハWに対する切り込み量d1から最終的な仕上げ厚みt1を差し引いた切り込み量d2で検査用試料Sが切り込まれ、撮像手段3によって切削溝12が撮像される(図2参照)。
By the way, in edge trimming, since only one side of the
切削溝幅測定工程では、画像処理によって切削溝画像16から切削溝幅L1が測定される(図3参照)。判定工程では、切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2と同等か否かが判定される(図4参照)。報知工程では、切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2を下回った場合に、切削ブレード2が摩耗していることが報知される(図4参照)。このような一連の工程により、切削ブレード2の摩耗が高精度に検査され、切削ブレード2に対するフラットドレスのタイミングが適切に報知される。これにより、切削ブレード2に対するフラットドレスが必要最小限に抑えられて生産性が低下することがない。
In the cutting groove width measuring step, the cutting groove width L1 is measured from the
以下、図2から図4を参照して、本実施の形態に係る切削ブレードの摩耗検査方法について詳細に説明する。図2は切削溝画像取得工程、図3は切削溝幅測定工程、図4は判定工程及び報知工程のそれぞれ一例を示す図である。 Hereinafter, with reference to FIGS. 2 to 4, the wear inspection method for the cutting blade according to the present embodiment will be described in detail. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a cutting groove image acquisition process, FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a cutting groove width measurement process, and FIG.
図2Aに示すように、まず切削溝画像取得工程が実施される。切削溝画像取得工程では、例えば数枚のウェーハWに対してエッジトリミングが実施された後に切削ブレード2が検査用試料Sの上方に位置付けられ、切削ブレード2が下降してエッジトリミング時の同じ回転数で検査用試料Sが切り込まれる。切削ブレード2の切り込みによって、検査用試料Sの表面11に切削ブレード2の外形形状が切削溝12の外縁として転写される。この場合、切削ブレード2の先端形状は、一側面21側だけが切削に寄与しているため、一側面21側の角部だけが摩耗している。この切削ブレード2の摩耗は検査用試料Sの切削溝12の外縁に反映される。
As shown in FIG. 2A, a cutting groove image acquisition step is first performed. In the cutting groove image acquisition process, for example, after edge trimming is performed on several wafers W, the
また、図2Bに示すように、検査用試料Sに対する切削ブレード2の切り込み量は、エッジトリミング時の切削ブレード2の切り込み量d1から仕上げ厚みt2を差し引いた量d2に調整されている。このため、切削溝画像取得工程においては、ウェーハWの仕上げ厚みt1での裏面35が検査用試料Sの表面11に対応し、切削ブレード2の先端に近い位置の外形形状が検査用試料Sの表面11に切削溝12の外縁として転写される。なお、図2Bでは説明の便宜上、ウェーハWの仕上げ厚みt1での裏面35と検査用試料Sの表面11とが同一平面上になるように配置しているが、この構成に限定されない。検査用試料Sが、切削ブレード2の切り込み量d1から仕上げ厚みt2を差し引いた量d2だけ切り込まれる構成であればよい。
As shown in FIG. 2B, the cutting amount of the
そして、図2Cに示すように、撮像手段3が切削溝12の上方に位置付けられ、切削溝12を含む領域が撮像手段3によって撮像される。検査用試料S上の切削溝12の外縁が切削溝画像16(図3参照)として取得される。このように、切削溝画像取得工程では、ウェーハWの仕上げ厚みt1の裏面35側における切削溝画像16が取得される。エッジトリミング時には切削ブレード2の先端側から摩耗していくので、ウェーハWの仕上げ厚みt1の裏面35側の切削溝画像16の取得によって、切削ブレード2の先端側での摩耗を切削溝画像16に適切に反映させることができる。
Then, as shown in FIG. 2C, the
なお、検査用試料Sとして、ウェーハWの非デバイス部分と同じ材質のものが使用される。例えば、本実施の形態では、ウェーハWとしてシリコンウェーハが用いられるため、検査用試料SとしてウェーハWと同じ材質のシリコンの小片が用いられている。なお、検査用試料Sは、切削ブレード2の外形形状を転写可能な材質であれば、ウェーハWの非デバイス部分と同じ材質なものに限定されるものではない。
As the inspection sample S, the same material as that of the non-device portion of the wafer W is used. For example, in the present embodiment, since a silicon wafer is used as the wafer W, a small piece of silicon having the same material as the wafer W is used as the inspection sample S. The inspection sample S is not limited to the same material as the non-device portion of the wafer W as long as it can transfer the outer shape of the
図3に示すように、切削溝画像取得工程の後には切削溝幅測定工程が実施される。切削溝幅測定工程では、切削溝画像16に簡単な画像処理が施されて切削溝幅L1が測定される。具体的には、切削溝画像16にエッジ強調処理が施されて、切削溝12の外縁の濃度勾配が急峻にされた後に切削溝幅L1が測定される。図3図示左側に示すように、比較的摩耗が進行していない切削ブレード2で検査用試料Sを切り込んだ場合、切削溝12の外縁形状が上面視略矩形状となり、切削ブレード2の摩耗量が切削溝幅L1に反映されない。すなわち、切削溝幅L1は切削ブレード2の初期状態の基準厚みL2と略同一になる。
As shown in FIG. 3, a cutting groove width measurement step is performed after the cutting groove image acquisition step. In the cutting groove width measurement step, the cutting
一方、図3図示右側に示すように、比較的摩耗が進行した切削ブレード2で検査用試料Sを切り込んだ場合、切削溝12の外縁形状が切削ブレード2の一側面21で丸みを持った形状となると共に、切削ブレード2の摩耗量が切削溝幅L1に反映される。このように、切削ブレード2の摩耗によって切削溝12の外縁形状が変化するだけでなく、切削ブレード2の摩耗量に応じて切削溝幅L1も変化する。本件出願人はこの点に着目して、切削溝画像16から切削溝12の外縁全体の座標を取得するのではなく、切削溝12から切削溝幅L1だけを測定することで切削溝画像16に施される画像処理を簡略化している。
On the other hand, as shown in the right side of FIG. 3, when the inspection sample S is cut with the
図4に示すように、切削溝幅測定工程の後には判定工程が実施される。判定工程では、切削溝幅L1と切削ブレード2の基準厚みL2とが同等か否かが判定される。切削ブレード2の基準厚みL2は、エッジトリミングが開始される前に測定されている。具体的には、図4図示左側に示すように、検査用試料Sに対して切削ブレード2がエッジトリミング時と同じ回転数で深めに切り込まれ、切削溝画像取得工程及び切削溝幅測定工程と同様にして切削ブレード2が摩耗していない状態の切削溝幅L1が測定される。この切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2として取得され、図4図示右側に示すように、エッジトリミング後の切削ブレード2による切削溝幅L1と比較される。
As shown in FIG. 4, the determination step is performed after the cutting groove width measurement step. In the determination step, it is determined whether or not the cutting groove width L1 is equal to the reference thickness L2 of the
切削溝測定工程で測定された切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2に一致する場合には、切削ブレード2の摩耗が進行していないと判定される。切削溝幅測定工程で測定された切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2を下回った場合には、切削ブレード2の摩耗が進行していると判定される。なお、本実施の形態においては、エッジトリミングの開始前に切削ブレード2で検査用試料Sを実際に切り込むことで切削ブレード2の基準厚みL2を取得する構成としたが、この構成に限定されない。切削ブレード2が高精度に作られている場合には、切削ブレード2の基準厚みL2として設計値を用いてもよい。
When the cutting groove width L1 measured in the cutting groove measurement step matches the reference thickness L2 of the
判定工程において切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2を下回ったと判定された場合には報知工程が実施される。報知工程では、オペレータに対して切削ブレード2が摩耗していることが報知され、切削ブレード2に対するフラットドレスを促している。なお、報知工程では、オペレータに切削ブレード2のフラットドレスを促すことができればよく、例えば、音声報知、発光報知、表示報知のいずれで報知されてもよい。また、判定工程において切削溝幅L1が切削ブレード2の基準厚みL2と同等な場合には、切削ブレード2の検査が終了され、ウェーハWのエッジトリミングが再開される。
When it is determined in the determination step that the cutting groove width L1 is less than the reference thickness L2 of the
このエッジトリミング後のウェーハWについては、研削加工が施されて所定の仕上げ厚みt1まで薄化される。ここで図5を参照して、研削加工について簡単に説明する。図5は、本実施の形態に係る研削加工の一例を示す図である。 The edge-trimmed wafer W is ground and thinned to a predetermined finish thickness t1. Here, with reference to FIG. 5, a grinding process is demonstrated easily. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of grinding according to the present embodiment.
図5Aに示すように、研削加工では、裏面32を上に向けた状態でウェーハWがチャックテーブル4に保持され、ウェーハWの上方に研削手段5が位置付けられる。そして、研削手段5の研削ホイール6がZ軸回りに回転しながらチャックテーブル4に近づけられ、研削ホイール6とウェーハWの裏面32とが回転接触することでウェーハWが裏面32側から研削される。そして、ウェーハWが仕上げ厚みt1に近付くように研削手段5の送り量が制御され、ウェーハWが仕上げ厚みまで研削されると、研削手段5による研削加工が停止される。
As shown in FIG. 5A, in the grinding process, the wafer W is held on the chuck table 4 with the
このとき、ウェーハWの表面31側の面取り部33(図1参照)がエッジトリミングによって事前に除去されているため、ウェーハWの外周部分に面取り部33が残ってナイフエッジ状に形成されることがない。よって、薄化されたウェーハWの外周部分に欠けが生じ難くなっている。上記した切削ブレード2の摩耗検査方法では、ウェーハWの仕上げ厚みt1の裏面35に相当する部分で切削ブレード2の摩耗量が検査されている。よって、切削ブレード2の先端側の摩耗が進行する前に、切削ブレード2の先端形状が整形されるため、図5Bに示すようにウェーハWの外周面36に傾きが生じることがない。
At this time, since the chamfered portion 33 (see FIG. 1) on the
以上のように、本実施の形態に係る切削ブレード2の摩耗検査方法によれば、切削ブレード2の外形形状が検査用試料Sの表面31に切削溝12として転写され、切削溝12が撮像されて画像処理されることで切削溝画像16の切削溝幅L1が測定される。切削溝画像16の切削溝幅L1と切削ブレード2との基準厚みL2とが比較されることで、切削ブレード2の摩耗が検査される。この場合、切削溝画像16から切削溝幅L1が測定されるだけなので、画像処理が複雑になることがなく検査時間を短くできる。また、ウェーハWに対する切り込み量から最終的な仕上げ厚みt1を差し引いた切り込み量d2で検査用試料Sが切り込まれて切削溝12が形成される。このため、検査用試料Sの表面31の切削溝幅L1を測定することで、ウェーハWの仕上げ厚みt1での裏面32側での切削溝幅が測定される。切削ブレード2の先端に近い位置で摩耗が検査されるため、摩耗が進行する前に切削ブレード2を整形できる。よって、切削ブレード2でウェーハWの外周部分を円形に切削した場合に、ウェーハWの外周部分にRが付き難くなり、仕上げ厚みt1まで薄化されたウェーハWの外周面36の傾きが抑えられる。
As described above, according to the wear inspection method for the
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.
例えば、上記実施の形態において、切削溝画像取得工程では、検査用試料SがウェーハWの厚みから仕上げ厚みt1を差し引いた厚みを有する構成としたが、この構成に限定されない。切削溝画像取得工程では、検査用試料Sに対してウェーハWに対する切り込み量d1から仕上げ厚みt1に相当する量t1を差し引いた量d2を切り込む構成であればよく、検査用試料Sの厚みは特に限定されない。 For example, in the above embodiment, in the cutting groove image acquisition step, the inspection sample S has a thickness obtained by subtracting the finishing thickness t1 from the thickness of the wafer W. However, the present invention is not limited to this configuration. In the cutting groove image acquisition step, it is only necessary to cut the amount d2 obtained by subtracting the amount t1 corresponding to the finishing thickness t1 from the cutting amount d1 with respect to the wafer W with respect to the inspection sample S. It is not limited.
また、上記実施の形態において、切削溝幅測定工程では切削溝画像に対してエッジ強調処理を施した後に切削溝幅L1を測定する構成としたが、この構成に限定されない。切削溝幅測定工程では、切削溝画像16から切削溝幅L1を測定可能な画像処理であれば、どのような画像処理であってもよい。
Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which measures the cutting groove width L1 after performing an edge emphasis process with respect to a cutting groove image in the cutting groove width measurement process, it is not limited to this structure. In the cutting groove width measurement step, any image processing may be used as long as the image processing can measure the cutting groove width L1 from the cutting
また、上記実施の形態において、判定工程では切削溝幅L1と切削ブレード2の基準厚みL2とが同等か否かが判定されたが、切削溝幅L1と切削ブレード2の基準厚みL2とが完全に一致しているか否かに限られない。切削溝幅L1と切削ブレード2の基準厚みL2とが、所定の誤差を持たせた範囲で一致しているか否かが判定されればよい。この場合、所定の誤差は、切削ブレード2の摩耗として影響がない程度に設定される。
In the above embodiment, it is determined whether or not the cutting groove width L1 is equal to the reference thickness L2 of the
以上説明したように、本発明は、検査を簡略化することができ、さらに切削ブレードの摩耗を高精度に検査することができるという効果を有し、特に、エッジトリミング加工で行われる切削ブレードの摩耗検査方法に有用である。 As described above, the present invention has an effect that inspection can be simplified and wear of the cutting blade can be inspected with high accuracy. Useful for wear inspection methods.
2 切削ブレード
3 撮像手段
11 検査用試料の表面
12 切削溝
16 切削溝画像
31 ウェーハの表面
32 ウェーハの裏面
33 面取り部
35 仕上げ厚みの裏面
36 ウェーハの外周面
d1 切り込み量
d2 差し引いた量
L1 切削溝幅
L2 基準厚み
S 検査用試料
t1 仕上げ厚み
W ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該切削ブレードを検査用試料に対して該所定切り込み量から該所定仕上げ厚みに相当する量を差し引いた切り込み量で切り込み、該検査用試料の表面に該切削ブレードの外形形状を転写した切削溝を形成して、該切削溝を含む領域を撮像手段で撮像し切削溝画像を取得する切削溝画像取得工程と、
該切削溝画像取得工程の後に、該切削溝画像から画像処理により切削溝幅を測定する切削溝幅測定工程と、
該切削溝幅測定工程において測定した該切削溝幅が切削ブレードの該基準厚みと同等であるか否かを判定する判定工程と、
該判定工程において該切削溝幅が該切削ブレードの該基準厚みを下回った場合に同等でないと判定し、報知する報知工程と、
を備えることを特徴とする切削ブレードの摩耗検査方法。 An annular cutting blade having a reference thickness is cut into the outer peripheral portion of the wafer from the front side by a predetermined cut amount, and the wafer is rotated to cut the outer peripheral portion of the wafer into a circular shape, and then ground from the back side of the wafer. A cutting blade wear inspection method for inspecting wear of the cutting blade used in a wafer processing method for thinning to a predetermined finish thickness,
The cutting blade is cut with a cutting amount obtained by subtracting an amount corresponding to the predetermined finishing thickness from the predetermined cutting amount with respect to the inspection sample, and a cutting groove in which the outer shape of the cutting blade is transferred to the surface of the inspection sample is formed. A cutting groove image acquisition step of forming and acquiring a cutting groove image by imaging an area including the cutting groove with an imaging unit;
After the cutting groove image acquisition step, a cutting groove width measurement step of measuring the cutting groove width by image processing from the cutting groove image;
A determination step of determining whether or not the cutting groove width measured in the cutting groove width measurement step is equal to the reference thickness of the cutting blade;
In the determination step, it is determined that the cutting groove width is not equal when the cutting blade width is less than the reference thickness of the cutting blade, and a notification step for notifying,
A cutting blade wear inspection method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013164113A JP6139325B2 (en) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | Cutting blade wear inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013164113A JP6139325B2 (en) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | Cutting blade wear inspection method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015030089A true JP2015030089A (en) | 2015-02-16 |
JP6139325B2 JP6139325B2 (en) | 2017-05-31 |
Family
ID=52515871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013164113A Active JP6139325B2 (en) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | Cutting blade wear inspection method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6139325B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108917642A (en) * | 2018-07-02 | 2018-11-30 | 中国水利水电第工程局有限公司 | Hob abrasion quantity measuring method and device |
JP2018201043A (en) * | 2018-09-10 | 2018-12-20 | 株式会社東京精密 | Blade diagnostic method and blade diagnostic apparatus |
CN111403315A (en) * | 2020-03-03 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Wafer trimming device and method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108099034A (en) * | 2017-12-15 | 2018-06-01 | 德淮半导体有限公司 | For the cutter and wafer cutting process of wafer cutting |
JP7456040B1 (en) | 2023-03-31 | 2024-03-26 | 株式会社牧野フライス製作所 | Machine tool table equipment and machine tools |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096091A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer processing method |
JP2007296604A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer cutting device |
JP2011249571A (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting blade outer shape inspection method |
JP2013059833A (en) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Disco Corp | Method for detecting shape of tip of cutting blade |
JP2013146831A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Disco Corp | Machining device |
-
2013
- 2013-08-07 JP JP2013164113A patent/JP6139325B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096091A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer processing method |
JP2007296604A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer cutting device |
JP2011249571A (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting blade outer shape inspection method |
JP2013059833A (en) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Disco Corp | Method for detecting shape of tip of cutting blade |
JP2013146831A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Disco Corp | Machining device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108917642A (en) * | 2018-07-02 | 2018-11-30 | 中国水利水电第工程局有限公司 | Hob abrasion quantity measuring method and device |
JP2018201043A (en) * | 2018-09-10 | 2018-12-20 | 株式会社東京精密 | Blade diagnostic method and blade diagnostic apparatus |
CN111403315A (en) * | 2020-03-03 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Wafer trimming device and method |
CN111403315B (en) * | 2020-03-03 | 2022-03-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Wafer trimming device and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6139325B2 (en) | 2017-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6139325B2 (en) | Cutting blade wear inspection method | |
JP6174980B2 (en) | Wafer detection method | |
JP6196776B2 (en) | Wafer processing method | |
CN1253934C (en) | Method for evaluating shape of wafer, wafer and method for selecting wafer | |
KR101985195B1 (en) | Evaluation method and production method for semiconductor wafers | |
CN107615455B (en) | Dimension measuring device, polishing device and polishing method | |
JP2011249571A (en) | Cutting blade outer shape inspection method | |
US20110021025A1 (en) | Method for producing laser-marked semiconductor wafer | |
JP2014072475A (en) | Wafer processing method | |
JP2017140656A (en) | Consumption amount detection method of grinding grindstone | |
WO2018193762A1 (en) | Semiconductor wafer evaluation method and method for managing semiconductor wafer manufacturing step | |
US9676114B2 (en) | Wafer edge trim blade with slots | |
CN112672848B (en) | Workpiece double-sided polishing device and double-sided polishing method | |
TWI740068B (en) | Double-sided polishing device and double-sided polishing method of workpiece | |
JP2018206890A (en) | Wafer processing method | |
TW201818066A (en) | Scratch detection method enabling to differentiate scribe lines from scratches and detect scratches appropriately | |
TWI642099B (en) | Lapping method for semiconductor wafer and the semiconductor wafer | |
US9865047B1 (en) | Systems and methods for effective pattern wafer surface measurement and analysis using interferometry tool | |
TWI736822B (en) | Semiconductor wafer evaluation method and semiconductor wafer production method | |
TWI855564B (en) | A system and method for detecting the depth of a peripheral damage layer of a silicon wafer | |
CN107144577A (en) | A kind of method that silicon section perforation judges | |
JP2018027604A (en) | Cutting device | |
JP7195706B2 (en) | Measuring method | |
JP2017034025A (en) | Processing damage evaluation method of semiconductor wafer | |
JP7327575B1 (en) | Evaluation Method of Polishing Margin During Mirror-Face Chamfering of Semiconductor Wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6139325 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |