JP2015029085A - 面発光型レーザ、および前記面発光型レーザを用いた光干渉断層計 - Google Patents

面発光型レーザ、および前記面発光型レーザを用いた光干渉断層計 Download PDF

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Abstract

【課題】 上部反射鏡や下部反射鏡の構成を変えることなく、波長可変幅を広くすることと波長可変速度を高くすることを両立できる新規な面発光型レーザを提供すること。
【解決手段】 下部反射鏡と、活性層と、空隙部と、上部反射鏡と、をこの順に有し、出射する光の波長を変化可能な面発光型レーザであって、前記空隙部の光路上に、前記空隙部の屈折率と異なる屈折率を有する可動部が設けられており、前記空隙部の光路上における前記可動部の光軸方向の位置を変化させることで、出射する光の波長を変化させることを特徴とする面発光型レーザ。
【選択図】 図1

Description

本発明は、波長可変の面発光型レーザ、および前記面発光型レーザを用いた光干渉断層計に関する。
出射する光の波長を変化可能な、いわゆる波長可変レーザは、通信やセンシング、イメージングなどの様々な分野への応用が期待できることから、近年盛んに研究開発が行われている。
波長可変レーザの一種として、カンチレバー構造をなすミラーを用いることにより垂直共振器型面発光型レーザのレーザ発振波長を制御する、いわゆる波長可変面発光半導体レーザ素子が知られている(特許文献1)。垂直共振器型面発光型レーザ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を以下ではVCSELと略すことがある。
ここで、VCSELは一般的に、一対の分布ブラッグ反射鏡の間に活性層を設けた構成を有し、一対の分布ブラッグ反射鏡間の距離によって定まる共振器長に応じた波長でレーザ発振する。以下では分布ブラッグ反射鏡(Distributed Bragg Reflector)をDBRと略すことがある。
特許文献1に開示のレーザ素子では、カンチレバー構造をなすミラーの位置を機械的に動かすことで共振器長を変化させ、レーザ発振波長を変化させることができる。以下、出射させる光の波長を変えることができるVCSELを波長可変VCSELと呼ぶことがある。
また、波長可変VCSELは光干渉断層計(Optical Coherence Tomography、以下OCTと略すことがある)用の光源として好適であることが知られている(特許文献2)。
特開平9−270556号公報 米国特許出願公開第2007/0183643号明細書
波長可変VCSELをOCT用の光源に利用する場合、OCTの深さ分解能向上のために、波長可変幅が広いことが好ましい。また、OCTの測定時間短縮のために波長可変速度が高いことが好ましい。
ここで、本発明の発明者は、波長可変VCSELにおいて課題を見出した。
波長可変VCSELの波長可変幅を広げるためには、上部反射鏡または下部反射鏡を機械的に動かす際の変位量を大きくする必要がある。その際、反射鏡のばね定数が大きすぎると、大きな変位量を得るためには大きな力を加えなければならないので、ばね定数はより大きくしないことが望ましい。
また、波長可変VCSELの波長可変速度を高くするためには、反射鏡を速く振動させる必要がある。そのためには振動させる反射鏡の共振周波数を大きくすることが有効である。
つまり、波長可変VCSELの波長可変幅を広くすることと、波長可変速度を高くすることを両立するためには、反射鏡のばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくする必要がある。
ここで、ばね定数と共振周波数の関係について説明する。
短冊形のカンチレバーのばね定数kと共振周波数fは、それぞれ以下の式(1)(2)であらわせる。
ただし、上記式(1)(2)における各パラメータは以下のことを表わす。
w:カンチレバーの幅
d:カンチレバーの厚さ
l:カンチレバーの長さ
E:カンチレバーを形成する材質のヤング率
ρ:カンチレバーを形成する材質の密度
上記式(1)(2)から、薄く短いカンチレバーを形成すれば、ばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくできることがわかる。具体的な数値を挙げると、カンチレバーの厚さと長さを半分にすれば、ばね定数を変化させずに共振周波数を2倍にできる。
しかしながら、一般的な波長可変VCSELにおいて実際にこのような構成をとることは困難である。
図13に、一般的な波長可変VCSELの断面模式図を示す。上部反射鏡1300と下部反射鏡1310との間に活性層1320、空隙部1330が設けられた構成となっている。また、1360、1370はそれぞれ第1のスペーサ層、第2のスペーサ層を表わす。
上部反射鏡1300を紙面の上下方向に動かすことで空隙部1330の長さ(上部反射鏡1300と第2のスペーサ層1370との距離)を変え、共振器長を変えることができるので、レーザ発振波長を変えることができる。
反射鏡としては、レーザ発振に必要な高反射率を得るために、誘電体または半導体の多層膜で構成されたDBRを使用する事が一般的である。
一般的なDBRは、屈折率の異なる2種類の層を光学厚さ1/4波長で交互に積層することで形成される。DBRの反射率は2種類の層の屈折率差と積層数で決まり、必要な反射率が高くなるほど多くの積層数が必要となる。
特に、誘電体に比べて屈折率差を大きくとれない半導体でDBRを形成する場合、VCSELの反射鏡として求められる高反射率を得るためには多くの積層数を必要とする。材料の屈折率にもよるが、厚さにすると数ミクロン以上になる場合もある。
前述のように、ばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくするために、DBRの厚さを薄くすることが望まれている。DBRの厚さを薄くするには、DBRを構成する各層の厚さを薄くするか積層数を減らす必要がある。
DBRを構成する各層の厚さは、光学厚さが光波長の1/4となるように設計される。つまり、各層の厚さは反射させる光の波長と使用する材料の屈折率とで決まるので、それを大幅に変更することはできない。
また、DBRの積層数を減らすと反射率が下がりレーザ発振閾値の増大につながるので、DBRの積層数も大幅に減らすことはできない。
そのため、現実的にはDBRの厚さを薄くすることは難しく、ばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくするのには限界がある。それにより、従来の波長可変VCSELでは、波長可変幅を広くすることと波長可変速度を高くすることを両立することは難しかった。
本発明は、上記課題に鑑み、上部反射鏡、および下部反射鏡を駆動することなく、出射される光の波長を変化させることができる新規な面発光型レーザを提供することを目的とする。
本発明に係る面発光型レーザは、下部反射鏡と、活性層と、空隙部と、上部反射鏡と、をこの順に有し、出射する光の波長を変化可能な面発光型レーザであって、前記空隙部の光路上に、前記空隙部の屈折率と異なる屈折率を有する可動部が設けられており、前記空隙部の光路上における前記可動部の光軸方向の位置を変化させることで、出射する光の波長を変化させることを特徴とする。
本発明に係る面発光型レーザによれば、上部反射鏡、および下部反射鏡を駆動することなく、出射される光の波長を変化させることができる新規な面発光型レーザを提供できる。新規な面発光型レーザは、上部反射鏡、および下部反射鏡を駆動させないため、その構成を変えることなく、波長可変幅を広くすることと波長可変速度を高くすることを両立できる。
本発明の実施形態1に係る面発光型レーザの構成を示す断面模式図である。 本発明の実施形態1に係る面発光型レーザの波長可変の原理を説明するためのグラフである。 本発明の実施形態2に係る面発光型レーザの構成を示す断面模式図である。 本発明の実施形態3に係る面発光型レーザの構成を示す断面模式図である。 本発明の実施形態に係る面発光型レーザを用いたOCTを説明するための図である。 本発明の実施例1における面発光型レーザの発振波長を計算した結果を示すグラフである。 本発明の実施例3における面発光型レーザの発振波長を計算した結果を示すグラフである。 本発明の実施例4に係る面発光型レーザの発振波長を計算した結果を示すグラフである。 本発明の実施例5における面発光型レーザにおいて、可動部の屈折率を変えたときの波長可変幅の変化を示すグラフである。 本発明の実施例6における面発光型レーザで、共振器長を変えたときの波長可変幅の変化を示すグラフである。 本発明の実施例7における面発光型レーザで、可動部の位置とレーザ発振波長および閾値利得の関係を示すグラフである。 本発明の実施例8における面発光型レーザで、可動部の厚さと波長可変幅の変化を示すグラフである。 従来の波長可変VCSELの構造を示す断面模式図である。
(実施形態1)
(面発光型レーザ)
以下に、本発明の実施形態における、出射する光の波長を変化可能な、いわゆる波長可変の面発光型レーザについて図1を用いて説明する。なお、本明細書中ではレーザ素子の基板側を下側、基板と反対側を上側と定義する。また、本明細書において波長可変レーザとは、波長を連続的に時間変化させる波長掃引レーザだけでなく、波長を不連続に時間変化させるレーザや、発振波長を時間変化させずに、単に切り替えることが可能なレーザも含む。本発明は、波長可変速度が速いため、波長掃引レーザとして好適である。
本明細書中では、中心波長とは、面発光型レーザから出射可能なレーザ光の波長範囲の中心の波長という意味で使用する。つまり、レーザ発振可能な最短波長と最長波長の中心の波長を意味する。レーザ発振可能な波長は共振器長の変動幅、反射鏡の反射帯域、活性層の利得帯域などによって決まる。設計時は、基本的には中心波長を設定して、それに合わせて各要素の構成を決める。
本明細書中では、共振器中で共振している光が進む方向、すなわち基板や活性層の面に垂直な方向を光軸方向と定義する。本実施形態に係る面発光型レーザは、DBRで構成された下部反射鏡110と、活性層120と、空隙部130と、DBRで構成された上部反射鏡100とをこの順に有する。また、下部反射鏡110と活性層120との間に第1のスペーサ層160、活性層120と空隙部130との間に第2のスペーサ層170が設けられている。
本実施形態に係る面発光型レーザは空隙部130の光路上に、空隙部130の屈折率と異なる屈折率を有する可動部140を有することに特徴がある。本実施形態に係る面発光型レーザにおいて、共振器は上部反射鏡100と下部反射鏡110とで形成される。図1の場合上部反射鏡100と空隙部130との光軸上の界面と、下部反射鏡110と第一のスペーサ層160との光軸上の界面との間に形成される。この共振器の光路長を共振器長と呼ぶ。
空隙部130の光路上における可動部140の光軸方向の位置を変化させる、具体的には上部反射鏡100と第2のスペーサ層170との間を往復させる。従来技術とは異なり、上部反射鏡100、および下部反射鏡110は不動なので見た目の共振器長は変化しないが、空隙部130の光路上に、空隙部130と異なる屈折率を有する可動部140を設けることで、実効的な共振器長が変化する。可動部140の位置に応じて実効的な共振器長が変わることを利用してレーザ発振波長を変えることができる。なお、可動部140は不図示の駆動部によって位置を変化させる。
また、可動部140の光軸方向の厚さを、上部反射鏡100、および下部反射鏡110の光軸方向の厚さに比べて薄くすることで、前述のようにばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくすることができる。すなわち、上部反射鏡、および下部反射鏡の構成を変えることなく、波長可変幅を広くすることと波長可変速度を高くすることを両立できる。
また、可動部140の重量を上部反射鏡100、および下部反射鏡110よりも小さくすることで、上部反射鏡100や下部反射鏡110の位置を変化させるよりも早く、可動部の位置を変化させることができる。その結果、波長可変速度を速くすることができる。例えば、可動部140を、上部反射鏡100、および下部反射鏡110よりも密度が小さい材料とすれば、かつ、上部反射鏡100、および下部反射鏡110より厚さが厚くても、可動部の位置をより早く変化させることができる。
なお、上部反射鏡100と下部反射鏡110とで形成される共振器長は、面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長を1波長としたときに、10波長以下であることが好ましく、3波長以下であることがさらに好ましい。
(波長可変の原理)
図2で示すグラフを用いて、本実施形態に係る面発光型レーザの波長可変の原理について定性的な説明を行う。
グラフの下半分は、DBRで構成された上部反射鏡100と同じくDBRで構成された下部反射鏡110の間に空隙部130を挟んだVCSEL構造の屈折率分布の一例を表わす。グラフの上半分は、そのVCSEL構造の共振波長における光強度分布を計算した結果の一例を示している。この構造の空隙部130部分に可動部を挿入する場合を考える。
光分布の節の位置200に可動部を挿入した場合は、光と可動部の相互作用は弱いので、光が可動部からあまり影響を受けず、可動部を挿入したことによる実効的な共振器長の変化は少ない。
一方、光分布の腹210の位置に可動部を挿入した場合は、光と可動部の相互作用が強いので、光が可動部から大きく影響を受け、実効的な共振器長が大きく変化する。
つまり、空隙部130中に配置する可動部の位置によって実効的な共振器長を変えることができ、可動部の位置を適切に制御することでレーザ発振波長を制御することが可能となる。
なお、空隙部130中に配置する可動部の屈折率が空隙部中のバックグラウンドの屈折率と同じである場合はこのような効果は生じない。したがって、可動部とバックグラウンドである空隙部130は異なる屈折率を有している必要がある。また、空隙部130中で光が通過する領域、すなわち光路上に可動部を配置する必要がある。
(可動部)
本実施形態に係る面発光型レーザにおいて、空隙部中に設ける可動部は空隙部と異なる屈折率を有していれば特に限定されない。また、空隙部の構造に特に制限は無く、製造方法によって作りやすい構造を使用することができる。例えばエピタキシャル成長と選択ウエットエッチングにより空隙部を形成する場合は、その中に配置する可動部はスラブ形状であることが好ましい。なお、本明細書中でスラブ形状とは薄板状の形状を指す。
本実施形態における可動部の屈折率の好適な範囲は可動部の厚さによって異なるが、屈折率が大きいほど波長可変幅が大きいため好ましい。
可動部の形状は、必要な変位量や共振周波数に合わせて設計することができる。
材料の密度やヤング率から上記式(1)(2)に当てはめて計算し、カンチレバーの厚さや長さを決めることができる。
なお、後述する実施例で示されるように、可動部の光学厚さは面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長の1/4±20%の範囲であることが好ましく、中心波長の1/4±10%の範囲であることがより好ましい。
本実施形態における可動部を構成する材料としては、AlGa(1−x)As(xは0以上1以下の数)を用いることができる。
AlGa(1−x)Asの選択ウエットエッチング時のエッチャントとしてクエン酸水溶液と過酸化水素水の混合液を使用する場合は、Al組成が低いものほどよく溶ける。それを利用して、例えばエッチング後に空隙部となる犠牲層をGaAsで、可動部となる層をxが0.5以上のAlGa(1−x)Asで構成することができる。
また、エッチャントとしてバッファードフッ酸を使用する場合は、Al組成が高いものほどよく溶ける。この場合は例えば空隙部となる犠牲層をxが0.8以上のAlGa(1−x)Asで、可動部となる層をxが0.5以下のAlGa(1−x)Asで構成することができる。
(上部反射鏡、下部反射鏡)
本実施形態に係る面発光型レーザにおいて、上部反射鏡および下部反射鏡は、レーザ発振に足る反射率を得られるものであれば特に制限はない。上部反射鏡、および下部反射鏡の少なくともいずれか一方として分布ブラッグ反射鏡(DBR)、とりわけ積層数を多くしたDBRを用いると、反射率が高く、レーザ発振閾値を低くできるため好ましい。
なお、積層数の多いDBRのように厚い反射鏡を使用する場合には、従来のように反射鏡を駆動させる方式でばね定数を大きくせずに共振周波数を大きくすることが困難であるので、それに比べて本実施形態に係る面発光型レーザは効果が顕著である。
また、上部反射鏡、および下部反射鏡として、HCG(High Contrast Grating)ミラーを用いることができる。HCGミラーは、高屈折率の材料と低屈折率の材料とが面内方向に交互に周期的に並んだ構成である。HCGミラーとして、例えば低屈折率の層の上に、高屈折率の材料を周期的に設けた構成が挙げられる。
なお、本実施形態に係る上部反射鏡と下部反射鏡の構造は各々独立に選ぶことができる。
本実施形態において、上方向から見た際の上部および下部反射鏡と可動部の形状に関しては特に制限は無い。また、上部反射鏡または下部反射鏡と、可動部の形状が同一であっても良い。上部反射鏡または下部反射鏡が可動部より大きい構成であってもよい。逆に、可動部が上部反射鏡または下部反射鏡より大きい構成であっても良い。
また、上部反射鏡および下部反射鏡と可動部がそれぞれの一部分で重なるような配置であってもよい。
(活性層)
本実施形態において、活性層は一般的な面発光型レーザに使用されているものを使用することができる。活性層の組成は、出射させたい光の波長によって適宜選ぶことができる。活性層として例えば、AlGa(1−x)As(xは0以上1以下の数)やInGa(1−y)As(yは0以上1以下の数)からなる材料などを用いることができる。
また、光分布に合わせて活性層を複数配置した、いわゆる周期利得構造としてもよい。
活性層には、不図示の電極から電流を注入することができる。活性層に電流が注入されれば、電極を設ける位置は特に限定されないが、第1のスペーサ層と空隙部との界面、および基板の下側に設けることができる。
本実施形態における活性層として、量子井戸層を有していてもよく、量子井戸層を複数有していてもよい。
(空隙部)
本実施形態において空隙部は通常空気からなるが、本実施形態に係る面発光型レーザが所望の波長の光を発振するのであれば、その他の気体、液体が存在していてもよく、真空であってもよい。
本実施形態において、空隙部中に設けた可動部が薄い場合、振動中にうける空気抵抗が無視できなくなり、高速振動が難しくなる場合が考えられる。その場合は、可動部の周囲を真空状態に、好ましくは空隙部を真空状態とすることで空気抵抗を減らし、より高速な振動を可能とすることができる。なお、ここで言う真空とは、気圧が標準大気圧より低い負圧の状態を指す。
または、空気の平均分子量より小さい分子量を持つ気体、例えばヘリウムガスを充填することで空気抵抗を低減してもよい。
(第1のスペーサ層、第2のスペーサ層)
本実施形態における第1のスペーサ層としては、AlGa(1−x)As(xは0以上1以下の数)等を用いることができ、下部反射鏡と活性層との間の光路長を調整する役割がある。光路長の調整は層の厚みや、上記xの値によって決まる屈折率を変えることで行う。本実施形態における第2のスペーサ層としては、AlGa(1−x)As(xは0以上1以下の数)等を用いることができ、上部反射鏡と活性層との間の光路長を調整する役割がある。
なお、スペーサ層はクラッド層ということもある。
本実施形態において、第1または第2のスペーサ層に、酸化領域、および非酸化領域を有する電流狭窄構造を有する層を設けてもよい。電流狭窄構造を有することにより、電極から注入された電流は、酸化されて絶縁化した酸化領域を流れることが出来ないので、導電性の非酸化領域に集中する。この電流狭窄構造によって注入電流を中央の狭い領域に集中させることにより、面発光型レーザのレーザ発振を低い注入電流で生じさせ、かつ、単一横モード発振を実現することができる。非酸化領域は、例えばAl組成が0.95以上のAlGaAs層を用いることができる。
(駆動部)
本実施形態において、空隙部中に配置した可動部を上下方向に駆動させる駆動部は、MEMS分野で一般的に使用されている技術を使用することができる。例えば静電、圧電、熱、電磁、流体圧などを利用して可動部を駆動させる駆動部を用いることができる。
(実施形態2)
実施形態2に係る面発光型レーザについて、図3を用いて説明する。ここでは、実施形態1と異なる事項について述べ、共通する事項については説明を省略する。
本実施形態では、空隙部130中の可動部140の光軸方向の両面に反射防止膜300が形成されている。反射防止膜300は、可動部140より屈折率が小さい。
可動部140の表面での光反射が強すぎる場合、可動部も1つの反射鏡として働いて複合共振器を形成してしまい、面発光型レーザが複雑な光学特性を示す場合がある。本実施形態では可動部140の表面に反射防止膜300を形成することにより、可動部140の表面での光反射を低減して複合共振器の形成を抑制することができる。なお、図3では反射防止膜300を可動部140における光軸方向の両面に設けた構成を示しているが、いずれか一方の面に設けた構成であってもよい。
(実施形態3)
実施形態3に係る面発光型レーザについて、図4を用いて説明する。ここでは、実施形態1、2と異なる事項について述べ、共通する事項については説明を省略する。
本実施形態では、空隙部130中に可動部440を2つ設けている。それ以外の構成は実施形態1と同様である。空隙部130中に可動部440を2つ設けることで、1つだけ設けた場合よりも波長可変幅を広げることが可能となる。その理由を簡単に述べる。図2を用いて説明したように、可動部を共振器中の光分布の腹や節に置くことで実効的な共振器長を変えられるが、可動部が1つの場合は同時に1つの腹や節の位置にしか置くことができない。ここで、可動部を複数設けると複数の腹や節の位置に同時に置くことができる。その結果、複数の可動部による影響が足し合わされ、可動部が1つの場合よりも波長可変幅を広げることができる。
なお、空隙部中に配置する可動部は2個に限らず、3個以上設けてもよい。
可動部を複数枚配置する場合、各可動部は独立に駆動してもよいし、一定の間隔を保ったまま同時に駆動してもよい。独立に駆動する場合の利点は、各可動部を最適な位置に配置することが可能になることである。例えばレーザ発振波長が変わると共振器中の光分布の腹の間隔が変わるので、それに合わせた間隔で各可動部を配置することができる。一方、一定の間隔を保ったまま同時に駆動する場合は上記のような最適配置をとる事はできないが、駆動部を共通化することで構成を簡単にすることができるため、実用上優れている。
また、複数の可動部の構成は同じであってもよいし、異なっていてもよい。3個以上の可動部を用いる場合、3個以上の可動部のうちの一部が同じであってもよい。
(用途)
上記実施形態1乃至3に係る面発光型レーザは、OCTなど測定装置の光源として利用することができる。
また、実施形態1乃至3に係る面発光型レーザを同一平面上に複数配列してアレイ光源として使用してもよい。
実施形態1乃至3に係る面発光型レーザにおいて、可動部の位置の変化がレーザ発振波長に反映される。逆に考えると、レーザ発振波長の変化から可動部の位置の変化を検出することも可能である。そのため、実施形態1乃至3に係る面発光型レーザは共振器中の可動部の位置の変化を検出する位置センサとして使用することも可能である。
(光干渉断層計(OCT))
上記実施形態1乃至3に係る面発光型レーザをOCTに用いた例について図5を用いて説明する。
本実施形態に係るOCT装置は、光源部501、干渉光学系502、光検出部503、情報取得部504、を少なくとも有する構成であり、光源部501は上記で説明した本実施形態に係る面発光型レーザである。また、図示していないが、情報取得部504はフーリエ変換器を有する。ここで、情報取得部504がフーリエ変換器を有するとは、情報取得部が入力されたデータに対してフーリエ変換する機能を有していれば形態は特に限定されない。一例には、情報取得部504が演算部を有し、該演算部がフーリエ変換する機能を有する場合である。具体的には、該演算部がCPUを有するコンピュータであり、このコンピュータが、フーリエ変換機能を有するアプリケーションを内蔵する場合である。他の例は、情報取得部504がフーリエ変換機能を有するフーリエ変換回路を有する場合である。光源部501から出た光は干渉光学系502を経て測定対象の物体512の情報を有する干渉光となって出力される。干渉光は光検出部503において受光される。なお光検出部503は差動検出型でも良いし単純な強度モニタ型でも良い。受光された干渉光の強度の時間波形の情報は光検出部503から情報取得部504に送られる。情報取得部504では、受光された干渉光の強度の時間波形のピーク値を取得してフーリエ変換をし、物体512の情報(例えば断層像の情報)を取得する。なお、ここで挙げた光源部501、干渉光学系502、光検出部503、情報取得部504以外の部位を任意に設けることができる。
以下、光源部501から光が発振されてから、測定対象の物体の断層像の情報を得るまでについて詳細に説明する。
光の波長を変化させる光源部501から出た光は、ファイバ505を通って、カップラ506に入り、照射光用のファイバ507を通る照射光と、参照光用のファイバ508を通る参照光とに分岐される。カップラ506は、光源の波長帯域でシングルモードのもので構成し、各種ファイバカップラは3dBカップラで構成することができる。照射光はコリメーター509を通って平行光になり、ミラー510で反射される。ミラー510で反射された光はレンズ511を通って物体512に照射され、物体512の奥行き方向の各層から反射される。一方、参照光はコリメーター513を通ってミラー514で反射される。カップラ506では、物体512からの反射光とミラー514からの反射光による干渉光が発生する。干渉した光はファイバ515を通り、コリメーター516を通って集光され、光検出部503で受光される。光検出部503で受光された干渉光の強度の情報は電圧などの電気的な情報に変換されて、情報取得部504に送られる。情報取得部504では、干渉光の強度のデータをフーリエ変換し断層像の情報を得る。この、フーリエ変換する干渉光の強度のデータは通常、波数クロックを用いて等波数間隔サンプリングされたデータであるが、等波長間隔にサンプリングされたデータを用いることも可能である。
得られた断層像の情報は、情報取得部504から画像表示部517に送って画像として表示させてもよい。なお、ミラー511を照射光の入射する方向と垂直な平面内で走査することで、測定対象の物体512の3次元の断層像を得ることができる。また、光源部501の制御は情報取得部504が電気回路518を介して行ってもよい。また図示しないが、光源部501から出る光の強度を逐次モニタリングし、そのデータを干渉光の強度の信号の振幅補正に用いてもよい。
本実施形態に係るOCTは、光源501として、上記実施形態1乃至3に係る面発光型レーザを用いるため、波長可変幅が広く、波長可変速度を高くすることができる。そのため、奥行き分解能が高く、かつ、断層画像を高速に取得することが可能なOCTを提供できる。
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に説明する実施例の構成に限定されるものではない。例えば、材料の種類や組成、形状や大きさは本発明の範囲内で適宜変更できる。
以下の実施例では、レーザ発振波長として850nm付近のもの、および1060nm付近のものを示したが、適切な材料・構造の選択により、任意の波長での動作も可能である。以下の実施例における計算結果は、マクスウェル方程式の境界条件を考慮し、転送行列法を用いて共振器内の電磁場の分布を計算することで得た。
[実施例1]
実施例1に係る面発光型レーザについて説明する。本実施例に係る面発光型レーザは図1で示される実施形態1の構成である。
本実施例における面発光型レーザは、中心波長850nm付近で波長を変えることができるように設計したものである。具体的には、GaAs基板150上に、下部反射鏡としての下部DBR110、活性層120、空隙部130、可動部140、上部反射鏡としての上部DBR100が配置されている。
共振器長は、中心波長850nmを1波長としたときに2波長分に相当するように構成されている。
上部DBR100はAl0.15Ga0.85Asと酸化AlAsを交互に5ペア積層して構成された厚さ905nmの積層体である。
下部DBR110はAl0.15Ga0.85Asと酸化AlAsを交互に7ペア積層して構成された厚さは1267nmの積層体である。上部および下部DBRの各層の膜厚は、光学膜厚が中心波長の4分の1になるように設計されている。
活性層120は厚さ8nmのIn0.08Ga0.92Asで構成されている。
空隙部130中にはAl0.30Ga0.70Asで形成された厚さ60nmのスラブ状の可動部140が設けられており、電圧印加による静電力で上下方向の位置を変えることができるようになっている。可動部の厚さは中心波長の1/4程度としている。また、可動部の屈折率は3.43として設計を行った。
空隙部130には空気が存在し、空隙部130の光軸方向の厚さは、可動部140を除いた空気部分の厚さが600nmとなるように構成されている。
本実施例の構成は、エピタキシャル成長と選択ウエットエッチングを用いて形成することができる。エピタキシャル成長を行う際、空隙部に相当する部分はGaAsの犠牲層として成膜しておく。
水とクエン酸と過酸化水素水の混合液をエッチャントとして用いることで、AlGaAsのAl組成に応じた選択エッチングが可能である。
本実施例では、水とクエン酸(重量比1:1)を混ぜ合わせたクエン酸水溶液と、濃度30%の過酸化水素水を2:1の割合で混ぜたものをエッチャントとして用いる。この濃度であれば、GaAs層とAl0.30Ga0.70As層のエッチングレートの選択比を大きくとる事ができ、可動部140を残したままGaAs犠牲層を除去することで空隙部130と可動部140を形成することができる。
図6に、本実施例に係る面発光型レーザの発振波長を計算した結果を示す。なお、本計算では共振器特性のみを比較するために、活性層では波長によらず均一な利得が得られるものと想定して計算した。
図6のグラフの横軸は可動部位置、縦軸はレーザ発振波長を示している。なお、空隙部130中の最も下の位置を原点として、そこから上方向を正の向きとして可動部位置を定義した。
本構成において、可動部140を空隙部130の最も下の位置から見て100nmの位置から300nmの位置まで移動させると、レーザ発振波長を802nmから888nmまで変えることができる。
このように、可動部140の位置に応じてレーザ発振波長が連続的に変わっており、本発明を適用した面発光型レーザが波長可変レーザとして動作することを確認できた。また、上記の通り可動部140は上部反射鏡や下部反射鏡に比べて非常に薄く、また軽いため、高速に駆動させることができる。したがって、本発明を適用した面発光型レーザは広帯域かつ、高速に波長を変えることができる。
[実施例2 可動部の両面に反射防止膜を有する構成]
実施例2に係る面発光型レーザについて説明する。本実施例に係る面発光型レーザは図3で示される実施形態2と同様の構成である。
本実施例では、空隙部130中の可動部140の光軸方向の両面に反射防止膜300が形成されている。2つの反射防止膜300はともに、可動部140よりAl組成の高いAl0.80Ga0.20As層とした。それ以外の構成は実施例1と同様である。
本実施例では可動部140の表面に反射防止膜300を形成することにより、可動部140の表面での光反射を低減して複合共振器の形成を抑制することができる。
[実施例3 可動部を複数設けられている構成]
実施例3に係る面発光型レーザについて説明する。本実施例に係る面発光型レーザは実施形態3で説明した図4で示されるように可動部を複数有する構成である。ただし、共振器長を4波長とした。
本実施例では、空隙部130の厚さを実施例1に比べて1波長(850nm)分だけ増やし、空隙部130中に実施例1で用いた可動部140と同じ可動部440を、光軸方向に350nmの距離をおいて2〜4個設け、可動部間の距離は350nmに固定した。それ以外の構成は実施例1と同様である。
図7に、共振器長を4波長として可動部を1〜4個設けた場合の発振波長の変化の計算結果を示した。可動部が複数個ある場合は可動部1個のときに比べて波長可変幅が広くなることがわかる。グラフの横軸である可動部位置は、複数の可動部のうち最も基板に近い位置に設けられた可動部の下側の面の位置を示している。
図7のグラフから読み取ると、可動部が1個の場合は、波長可変幅は約50.3nm、可動部が2個の場合は68.4nm、可動部が3個の場合は72.4nm、可動部が4個の場合は68.2nmであった。
この結果により、空隙部中に可動部を複数設けることで、可動部が1個の場合より波長可変幅が広がることが確認できた。
[実施例4 中心波長1060nm付近で波長可変である構成]
実施例4に係る面発光型レーザについて説明する。
本実施例におけるVCSELは、中心波長1060nm付近で波長可変であるように設計した。
本実施例に係る面発光型レーザは、図1に示した実施例1の構成と概ね同じである。
異なる点は、活性層120がIn0.30Ga0.70Asで構成されている点、スラブ状の可動部140の光軸方向の厚さが80nmである点、可動部140を除いた空隙部130の空気部分の厚さが950nmである点、上部DBR100および下部DBR110を構成する各層の光学厚さが中心波長1060nmの4分の1となっている点の4点である。
図8に、本実施例の構成において可動部140の位置を移動させた場合のレーザ発振波長の変化を示す。可動部位置の定義は実施例1と同様である。
本構成において、可動部140を空隙部130の最も下の位置から見て300nmの位置から550nmの位置まで移動させると、レーザ発振波長を1012nmから1118nmまで変えることができる。
[実施例5 可動部の屈折率を変えた構成]
実施例5に係る面発光型レーザについて説明する。本実施例に係る面発光型レーザは、実施例1で説明した面発光型レーザの構成と概ね同じであるが、可動部140の屈折率を3.0、3.5、4.0と変えた点、および可動部の厚さを変えた点が異なる。
図9に、可動部の屈折率と波長可変幅の関係を計算した結果を示す。
図9におけるグラフの縦軸の波長可変幅は、可動部140の位置を上下方向に移動させる際に変化するレーザ発振波長の最大値と最小値の差を中心波長で割って規格化した値を意味する。
図9に示す計算結果から2つの事が読み取れる。
1つ目は、可動部140の屈折率が大きいほど波長可変幅が大きくなるということである。これは、空隙部130中の媒質(この場合は空気)と可動部140との屈折率差が大きいほど、位置関係が変わった場合の影響が大きくなるからであると理解できる。
2つ目は、最も波長可変幅を大きくできる可動部厚さは可動部の屈折率に依存するということである。可動部140の屈折率が3.0の場合は厚さ70nm、屈折率が3.5の場合は厚さ60nm、屈折率が4.0の場合は厚さ50nmで波長可変幅が最大となっている。これは、可動部140の厚さを設計する際には、実際の厚さ(可動部の厚さ)に屈折率をかけた光学厚さが重要であることを示している。
この計算結果によれば、可動部140の光学厚さは210nm付近が最適であると考えられる。これは中心波長のおよそ1/4に相当する値である。
また、それぞれの最適厚さから±20%ほどずれると波長可変幅が急激に減少しはじめることがわかる。そのため、可動部140の光学厚さは面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長の1/4±20%の範囲であることが好ましく、中心波長の1/4±10%の範囲であることがより好ましい。言い換えると可動部140の光学厚さndは、本実施形態に係る面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長をλ0としたときに、下記式(3)で示されることが好ましく、下記式(4)で示されることがさらに好ましい。
λ/4×0.8≦nd≦λ/4×1.2 (3)
λ/4×0.9≦nd≦λ/4×1.1 (4)
[実施例6 共振器長を変えた構成]
中心波長850nm付近で波長を変えることができるように設計した、図1に示したものと同様のVCSEL構造において、共振器長(λ)を変えて波長可変幅を計算した結果を図10(a)に示す。図10におけるグラフの縦軸の波長可変幅は、可動部140の位置を上下方向に移動させる際に変化するレーザ発振波長の最大値と最小値の差を中心波長で割って規格化した値を意味する。なお、可動部140の屈折率は3.5とした。図10(a)に示す計算結果から2つの事が読み取れる。
1つ目は、共振器長によらず最も波長可変幅を広くできるのは可動部140の厚さが60nmの場合であるということである。これは、共振器長が変わっても可動部の最適厚さは変わらないことを示している。これは、可動部の最適厚さは波長との関係で決まるからであると考えられる。
2つ目は、共振器長が長くなるほど波長可変幅は狭くなるということである。このことをより分かりやすくするために、可動部の厚さ60nmでの共振器長と波長可変幅の関係をプロットした結果を図10(b)に示す。ここで、共振器長は中心波長λ=850nmを1波長としたときに何波長分に相当するかで表記している。
グラフから、共振器長が長くなるほど波長可変幅が狭くなることが読み取れる。
共振器長が100波長を超えるような長共振器構造では、本実施例を適用してもレーザ発振波長を変える効果はほとんど見られない。一方、共振器長が10波長より短くなるあたりから急激に波長可変幅が増大する。そのため、本実施例に係る面発光型レーザの共振器長は、好ましくは100波長以下であり、より好ましくは10波長以下、特に好ましくは3波長以下である。3波長以下の場合、0.08μm程度の波長可変幅を実現できる。
図10から、必要な波長可変幅によって使用できる共振器長の上限が決まることがわかる。例えば、中心波長の10%に相当する波長可変幅を得るには共振器長は2波長以下、中心波長の6%に相当する波長可変幅を得るには共振器長は4波長以下、中心波長の4%に相当する波長可変幅を得るには共振器長は6波長以下、中心波長の3%に相当する波長可変幅を得るには共振器長は10波長以下、中心波長の1%に相当する波長可変幅を得るには共振器長は30波長以下、の共振器を使用する必要があることが上記計算結果からわかる。
一方、共振器長が短すぎると空隙部が短くなりすぎて、可動部を上下に駆動させることができなくなるという課題が発生するため、例えば共振器長は2波長以上であることが好ましい。
[実施例7]
実施例7に係る面発光型レーザについて説明する。
本実施例では、図11に、空隙部の光路上における可動部の位置とレーザ発振波長と閾値利得の関係を計算した一例を示す。実施例1で説明した面発光型レーザと同様の構成について計算したものである。
なお、活性層は厚さ8nmの量子井戸層が1層配置され、量子井戸層に均一に利得が分布しているものと想定して計算を行った。閾値利得(cm−1)は、量子井戸層に単位長さあたりどれだけの利得があればレーザ発振を起こすかを示す指標である。
波長850nm付近で波長を変えようとする場合、可動部の位置は200nm付近と400nm付近の2つの選択肢がある。ここで閾値利得を比較すると、可動部位置が200nmの方が大幅に小さい。つまり、可動部位置が200nm付近の方が発振しやすく、実用上優れている。
本実施例を適用した構成では、図11のように同一波長が得られる可動部の位置が2つ以上存在する。そのうちの、より閾値利得の低い方を選んで使用することができる。
また、連続的に波長を変える時にも閾値利得が変動する場合がある。例えば、可動部の位置を200nmから250nmまで変えるとレーザ発振波長は850nmから874nmにシフトする。それに伴い、閾値利得は約2倍に増大する。
以上の結果から、出射させる光の波長を変える際に安定した光出力を得るために、閾値利得の変動に合わせて活性層への励起光強度や注入電流値を調整する制御部を設けることが好ましい。
[実施例8]
実施例8に係る面発光レーザについて説明する。
本実施例では、実施例1で説明した面発光レーザの可動部の厚さを変えたときの波長可変幅の変化を図12に示す。本実施例で可動部の厚さを除いた空隙部の厚さを1450nm、可動部の屈折率を3.5としたこと以外は、実施例1で説明した面発光レーザと同様の構成である。
図12に示すグラフにおける縦軸の波長可変幅は、可動部140の位置を上下方向に移動させる際に変化するレーザ発振波長の最大値と最小値の差を中心波長で割って規格化した値を意味する。
図12から、可動部の光学厚さが中心波長の1/4にλ/2の整数倍を足した値となるときに、波長可変幅が極大値をもつことがわかり、mの絶対値が大きいほど、波長可変幅の極大値が小さいことがわかる。したがって、可動部の光学厚さndは下記式(5)で示されることが好ましいことがわかった。
nd=λ/4+mλ/2 (5)
上記式(5)においてλは面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長であり、mは整数である。
さらに、本実施例と実施例5の結果から、可動部の光学厚さndは下記式(6)で示されることが好ましく、下記式(7)で示されることがさらに好ましいと考えられる。
λ/4×0.8+mλ/2≦nd≦λ/4×1.2+mλ/2 (6)
λ/4×0.9+mλ/2≦nd≦λ/4×1.1+mλ/2 (7)
上記式(6)(7)における各パラメータは、式(5)のときと同様である。
100 上部反射鏡
110 下部反射鏡
120 活性層
130 空隙部
140 可動部
150 基板

Claims (14)

  1. 下部反射鏡と、
    活性層と、
    空隙部と、
    上部反射鏡と、をこの順に有し、出射する光の波長を変化可能な面発光型レーザであって、
    前記空隙部の光路上に、前記空隙部の屈折率と異なる屈折率を有する可動部が設けられており、
    前記空隙部の光路上における前記可動部の光軸方向の位置を変化させることで、出射する光の波長を変化させることを特徴とする面発光型レーザ。
  2. 前記可動部の前記光軸方向の厚さが前記上部反射鏡、および下部反射鏡の光軸方向の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の面発光型レーザ。
  3. 前記可動部の重量が前記上部反射鏡、および前記下部反射鏡よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の面発光型レーザ。
  4. 前記上部反射鏡と前記下部反射鏡のうち少なくとも一方が分布ブラッグ反射鏡であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  5. 前記可動部の前記光軸方向の光学厚さndが、下記式(6)で示されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
    λ/4×0.8+mλ/2≦nd≦λ/4×1.2+mλ/2 (6)
    上記式(6)においてλは前記面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長であり、mは整数である。
  6. 前記面発光型レーザから出射可能な光の波長範囲の中心波長を1波長としたときに、前記上部反射鏡と前記下部反射鏡とで形成される共振器長が10波長以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  7. 前記共振器長が3波長以下であることを特徴とする請求項6に記載の面発光型レーザ。
  8. 前記共振器長が2波長以上であることを特徴とする請求項6または7に記載の面発光型レーザ。
  9. 前記可動部における前記光軸方向のいずれか一方の面に、前記可動部よりも小さい屈折率を有する反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  10. 前記空隙部に前記可動部が複数設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  11. 前記空隙部の光路上における前記可動部の位置に応じて、前記活性層への励起光強度または注入電流値を制御する制御部を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  12. 前記空隙部が真空状態となっていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  13. 前記空隙部に空気の平均分子量より小さい分子量を持つ気体が充填されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の面発光型レーザ。
  14. 光の波長を変化可能な光源部と、
    前記光源部からの光を物体へ照射する照射光と参照光とに分岐し、前記物体に照射された光の反射光と前記参照光による干渉光を発生させる干渉光学系と、
    前記干渉光を受光する光検出部と、
    前記干渉光の強度の時間波形に基づいて、前記物体の情報を取得する情報取得部と、
    を有する光干渉断層計であって、
    前記光源部は、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の面発光型レーザを有することを特徴とする光干渉断層計。
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