JP2015012203A - Light-emitting device and process of manufacturing the same - Google Patents

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正毅 小橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of improving a contrast ratio of entire field of view when the light-emitting device is viewed from the front direction and to provide a process of manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting device 1 includes: an LED chip 14; a first light absorption layer 17 provided on a component side of the LED chip 14; and a second light absorption layer 18 provided on the LED chip 14.

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

従来、酸化や硫化などによってＬＥＤチップの実装面に黒色の光吸収層を設ける発光装置が提案された（特許文献１参照）。これによると、太陽光や室内光などの反射を抑止して、発光装置における点灯時と消灯時とのコントラスト比を向上させることができるとされる。   Conventionally, a light emitting device has been proposed in which a black light absorption layer is provided on a mounting surface of an LED chip by oxidation or sulfuration (see Patent Document 1). According to this, it is said that reflection of sunlight, room light, etc. can be suppressed and the contrast ratio between when the light emitting device is turned on and when it is turned off can be improved.

特開２００３−４６１３８号公報JP 2003-46138 A

しかしながら、上記の発光装置では、ＬＥＤチップの上面が光吸収層により覆われずに露出するため（特許文献１の図３（ｂ）及び図４参照。）、発光装置を正面視した場合における視界の周辺部分のコントラスト比は改善されるものの、視界の中央部分におけるコントラスト比が改善されないという問題があった。   However, in the above light emitting device, the upper surface of the LED chip is exposed without being covered by the light absorption layer (see FIGS. 3B and 4 of Patent Document 1), and therefore the field of view when the light emitting device is viewed from the front. Although the contrast ratio in the peripheral portion of the image is improved, there is a problem that the contrast ratio in the central portion of the field of view is not improved.

そこで、本発明は、発光装置を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を改善することができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a light emitting device and a method for manufacturing the same that can improve the contrast ratio of the entire field of view when the light emitting device is viewed from the front.

本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。   According to the present invention, the above problem is solved by the following means.

本発明は、ＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップの実装面上に設けられた第１光吸収層と、を備えた発光装置であって、前記ＬＥＤチップ上に設けられた第２光吸収層を備えることを特徴とする発光装置である。   The present invention is a light emitting device including an LED chip and a first light absorption layer provided on a mounting surface of the LED chip, and includes a second light absorption layer provided on the LED chip. This is a light-emitting device.

また、本発明は、ＬＥＤチップを実装面上に実装する工程と、前記ＬＥＤチップの実装面上と前記ＬＥＤチップ上とに光吸収性部材を含む揮発性の溶液を設ける工程と、前記溶液を揮発させ、前記光吸収性部材を含む第１光吸収層と第２光吸収層とを前記ＬＥＤチップの実装面上と前記ＬＥＤチップ上とにそれぞれ設ける工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。   The present invention also includes a step of mounting an LED chip on a mounting surface, a step of providing a volatile solution containing a light absorbing member on the mounting surface of the LED chip and the LED chip, and the solution. Volatilizing and providing a first light absorption layer and a second light absorption layer including the light absorbing member on the LED chip mounting surface and the LED chip, respectively. It is a manufacturing method of an apparatus.

本発明の第１実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。   EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated, referring attached drawing.

［本発明の第１実施形態に係る発光装置：砲弾型ＬＥＤパッケージ］
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 [Light Emitting Device According to First Embodiment of the Present Invention: Cannonball LED Package]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る発光装置１は、凹部１１を有する第１リード電極１２と、第２リード電極１３と、第１リード電極１２の凹部１１内面上に実装されたＬＥＤチップ１４と、ＬＥＤチップ１４と第２リード電極１３とに接続された導電ワイヤ１５と、第１リード電極１２の一部、第２リード電極１３の一部、ＬＥＤチップ１４、及び導電ワイヤ１５を封止する封止部材１６と、第１リード電極１２の凹部１１内面上に設けられた第１光吸収層１７と、を備えた発光装置であって、ＬＥＤチップ１４上に設けられた第２光吸収層１８を備えた発光装置である。   As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention includes a first lead electrode 12 having a recess 11, a second lead electrode 13, and an inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12. The mounted LED chip 14, the conductive wire 15 connected to the LED chip 14 and the second lead electrode 13, a part of the first lead electrode 12, a part of the second lead electrode 13, the LED chip 14, and A light emitting device including a sealing member 16 for sealing a conductive wire 15 and a first light absorption layer 17 provided on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12, provided on the LED chip 14. The light-emitting device includes the second light absorption layer 18 formed.

以下、各部材について説明する。   Hereinafter, each member will be described.

（第１リード電極、第２リード電極）
第１リード電極１２及び第２リード電極１３には、リードフレームのリード電極を用いることができる。リードフレームは、例えば、金属板を打ち抜いて形成することができる。第１リード電極１２は凹部１１を有しているが、凹部１１は、例えば第１リード電極１２の先端に形成される。 (First lead electrode, second lead electrode)
As the first lead electrode 12 and the second lead electrode 13, a lead electrode of a lead frame can be used. The lead frame can be formed, for example, by punching a metal plate. The first lead electrode 12 has a recess 11, and the recess 11 is formed at the tip of the first lead electrode 12, for example.

（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ１４は、第１リード電極１２の凹部１１内面上に実装される。ＬＥＤチップ１４には、例えばＩｎＧａＡｌＮなどからなるＧａＮ系の半導体発光素子を用いることができる。 (LED chip)
The LED chip 14 is mounted on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12. For the LED chip 14, for example, a GaN-based semiconductor light emitting element made of InGaAlN or the like can be used.

第１リード電極１２の凹部１１内面は、ＬＥＤチップの実装面の一例である。   The inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12 is an example of a mounting surface of the LED chip.

（導電ワイヤ）
導電ワイヤ１５は、ＬＥＤチップ１４と第２リード電極１３とに接続される。導電ワイヤ１５には、例えばＡｕやＡｇなどを用いることができる。 (Conductive wire)
The conductive wire 15 is connected to the LED chip 14 and the second lead electrode 13. For the conductive wire 15, for example, Au or Ag can be used.

（封止部材）
封止部材１６は、第１リード電極１２の一部、第２リード電極１３の一部、ＬＥＤチップ１４、及び導電ワイヤ１５を封止する。封止部材１６には、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。 (Sealing member)
The sealing member 16 seals a part of the first lead electrode 12, a part of the second lead electrode 13, the LED chip 14, and the conductive wire 15. For the sealing member 16, for example, an epoxy resin can be used.

封止部材１６は、凸状となるレンズ形状にすることができる。凸状であるため、本発明の第１実施形態は、封止部材１６がレンズ形状を有する場合に特に効果的である。   The sealing member 16 can have a convex lens shape. Since it is convex, the first embodiment of the present invention is particularly effective when the sealing member 16 has a lens shape.

（第１光吸収層、第２光吸収層）
第１光吸収層１７は、第１リード電極１２の凹部１１内面上に設けられ、第２光吸収層１８は、ＬＥＤチップ１４上に設けられる。第１光吸収層１７や第２光吸収層１８は、例えば黒色フィラーが堆積した層などの黒色フィラーを含む層を用いることができる。黒色フィラーには、従来知られている黒色顔料などを用いることができ、具体的には、カーボンフィラーを用いることができる。 (First light absorption layer, second light absorption layer)
The first light absorption layer 17 is provided on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12, and the second light absorption layer 18 is provided on the LED chip 14. As the first light absorption layer 17 and the second light absorption layer 18, a layer containing a black filler such as a layer in which a black filler is deposited can be used. As the black filler, a conventionally known black pigment or the like can be used, and specifically, a carbon filler can be used.

黒色フィラーの含有量は、第１光吸収層１７と第２光吸収層１８との間で同じであってもよいが、第１光吸収層１７のほうが少ないことが好ましい。第１光吸収層１７の黒色フィラーの含有量が少ないことで、光反射層１９を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ１４上の第２光吸収層１８により高いコントラスト比を得ることができる。   The black filler content may be the same between the first light absorption layer 17 and the second light absorption layer 18, but the first light absorption layer 17 is preferably less. Since the content of the black filler in the first light absorption layer 17 is small, the second light absorption layer 18 on the LED chip 14 has a higher contrast ratio while effectively utilizing the light reflection when the light reflection layer 19 is provided. Can be obtained.

また、第１光吸収層１７の厚みと第２光吸収層１８の厚みとは同じであってもよいが、第１光吸収層１７の厚みのほうが小さいことが好ましい。第１光吸収層１７の厚みが小さいことで、光反射層１９を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ１４上の第２光吸収層１８により高いコントラスト比を得ることができる。   The thickness of the first light absorption layer 17 and the thickness of the second light absorption layer 18 may be the same, but the thickness of the first light absorption layer 17 is preferably smaller. Since the thickness of the first light absorption layer 17 is small, a high contrast ratio can be obtained by the second light absorption layer 18 on the LED chip 14 while effectively using light reflection when the light reflection layer 19 is provided. it can.

また、第１光吸収層１７は、ＬＥＤチップ１４の実装面のうちＬＥＤチップ１４の直下にはあってもなくてもよい。図１に示した形態は、ＬＥＤチップ１４の直下に第１光吸収層１７を設けていない形態であるが、この形態によれば、ＬＥＤチップ１４の内部を伝播する光がＬＥＤチップ１４の直下で効率よく反射されてＬＥＤチップ１４から外部に取り出されるので好ましい。   The first light absorption layer 17 may or may not be directly below the LED chip 14 on the mounting surface of the LED chip 14. The form shown in FIG. 1 is a form in which the first light absorption layer 17 is not provided directly under the LED chip 14. According to this form, the light propagating inside the LED chip 14 is directly under the LED chip 14. It is preferable because it is efficiently reflected and taken out from the LED chip 14.

（光反射層）
光反射層１９は、第１リード電極１２の凹部１１内面上であって、第１リード電極１２の凹部内面と第１光吸収層１７との間に設けられる。光反射層１９は、例えば銀がメッキされてできた層である。第１光吸収層１７や第２光吸収層１８に加えて光反射層１９を設ければ、第１光吸収層１７及び第２光吸収層１８と光反射層１９とにおける光吸収率と光反射率とを適宜調整することにより、発光装置１における点灯時と消灯時とにおけるコントラスト比をコントロールすることが可能になる。 (Light reflecting layer)
The light reflecting layer 19 is provided on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12 and between the inner surface of the recess of the first lead electrode 12 and the first light absorption layer 17. The light reflecting layer 19 is a layer made of, for example, silver. If the light reflection layer 19 is provided in addition to the first light absorption layer 17 and the second light absorption layer 18, the light absorptance and light in the first light absorption layer 17, the second light absorption layer 18, and the light reflection layer 19 are obtained. By appropriately adjusting the reflectance, the contrast ratio between when the light emitting device 1 is turned on and when it is turned off can be controlled.

以上説明した本発明の第１実施形態に係る発光装置１によれば、第１リード電極１２の凹部１１内面上に設けられた第１光吸収層１７に加えて、ＬＥＤチップ１４上に第２光吸収層１８が設けられる。したがって、発光装置１を正面視した場合において、視界の周辺部分のコントラスト比と同様に、視界の中央部分のコントラスト比が改善される。よって、本発明の第１実施形態に係る発光装置１によれば、発光装置１を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を改善することができる。   According to the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention described above, in addition to the first light absorption layer 17 provided on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12, the second light is applied on the LED chip 14. A light absorption layer 18 is provided. Therefore, when the light emitting device 1 is viewed from the front, the contrast ratio of the central portion of the field of view is improved in the same manner as the contrast ratio of the peripheral portion of the field of view. Therefore, according to the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention, it is possible to improve the contrast ratio of the entire field of view when the light emitting device 1 is viewed from the front.

［本発明の第２実施形態に係る発光装置：表面実装型ＬＥＤパッケージ）］
図２は、本発明の第２実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 [Light Emitting Device According to Second Embodiment of the Present Invention: Surface-Mounted LED Package]]
FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

図２に示すように、本発明の第２実施形態に係る発光装置２は、凹部２１を有するパッケージ２２と、パッケージ２２の凹部２１内面上に実装されたＬＥＤチップ２３と、パッケージ２２の凹部２１内に充填された封止部材２４と、パッケージ２２の凹部２１内面上に設けられた第１光吸収層２５と、を備えた発光装置であって、ＬＥＤチップ２３上に設けられた第２光吸収層２６を備えた発光装置である。   As shown in FIG. 2, the light emitting device 2 according to the second embodiment of the present invention includes a package 22 having a recess 21, an LED chip 23 mounted on the inner surface of the recess 21 of the package 22, and a recess 21 of the package 22. A light emitting device including a sealing member 24 filled therein and a first light absorption layer 25 provided on the inner surface of the recess 21 of the package 22, and a second light provided on the LED chip 23. The light emitting device includes the absorption layer.

以下、各部材について説明する。   Hereinafter, each member will be described.

（凹部を有するパッケージ）
凹部２１を有するパッケージ２２には、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。凹部２１の形状は特に限定されない。 (Package with recess)
For the package 22 having the recess 21, for example, a silicone resin can be used. The shape of the recess 21 is not particularly limited.

（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ２３は、パッケージ２２の凹部２１内面上に実装される。ＬＥＤチップ２３には、例えばＩｎＧａＡｌＮなどからなるＧａＮ系の半導体発光素子を用いることができる。また、この実装は、例えば、ワイヤボンディングや、ダイボンディングや、フリップチップ実装などにより行う。なお、本実施形態では、例えばＡｕやＡｇなどの導電ワイヤ２８を用いてワイヤボンディングする形態を一例として採り上げる。 (LED chip)
The LED chip 23 is mounted on the inner surface of the recess 21 of the package 22. For the LED chip 23, for example, a GaN-based semiconductor light emitting element made of InGaAlN or the like can be used. Further, this mounting is performed by, for example, wire bonding, die bonding, flip chip mounting, or the like. In the present embodiment, for example, a form of wire bonding using a conductive wire 28 such as Au or Ag is taken as an example.

パッケージ２２の凹部２１内面は、ＬＥＤチップの実装面の一例である。   The inner surface of the recess 21 of the package 22 is an example of a mounting surface of the LED chip.

（封止部材）
封止部材２４は、パッケージ２２の凹部２１内に充填される。封止部材２４には、例えばシリコーン樹脂などを用いることができる。 (Sealing member)
The sealing member 24 is filled in the recess 21 of the package 22. For example, a silicone resin can be used for the sealing member 24.

（第１光吸収層、第２光吸収層）
第１光吸収層２５は、パッケージ２２の凹部２１内面上に設けられ、第２光吸収層２６は、ＬＥＤチップ２３上に設けられる。第１光吸収層２５や第２光吸収層２６は、例えば黒色フィラーが堆積した層などの黒色フィラーを含む層を用いることができる。黒色フィラーには、従来知られている黒色顔料などを用いることができ、具体的には、カーボンフィラーを用いることができる。 (First light absorption layer, second light absorption layer)
The first light absorption layer 25 is provided on the inner surface of the recess 21 of the package 22, and the second light absorption layer 26 is provided on the LED chip 23. As the first light absorption layer 25 and the second light absorption layer 26, for example, a layer containing a black filler such as a layer in which a black filler is deposited can be used. As the black filler, a conventionally known black pigment or the like can be used, and specifically, a carbon filler can be used.

黒色フィラーの含有量は、第１光吸収層２５と第２光吸収層２６との間で同じであってもよいが、第１光吸収層２５のほうが少ないことが好ましい。第１光吸収層２５の黒色フィラーの含有量が少ないことで、光反射層２７を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ２３上の第２光吸収層２６により高いコントラスト比を得ることができる。   The content of the black filler may be the same between the first light absorption layer 25 and the second light absorption layer 26, but the first light absorption layer 25 is preferably less. Since the content of the black filler in the first light absorption layer 25 is small, the second light absorption layer 26 on the LED chip 23 has a higher contrast ratio while effectively utilizing the light reflection when the light reflection layer 27 is provided. Can be obtained.

また、第１光吸収層２５の厚みと第２光吸収層２６の厚みとは同じであってもよいが、第１光吸収層２５の厚みのほうが小さいことが好ましい。第１光吸収層２５の厚みが小さいことで、光反射層２７を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ２３上の第２光吸収層２６により高いコントラスト比を得ることができる。   The thickness of the first light absorption layer 25 and the thickness of the second light absorption layer 26 may be the same, but the thickness of the first light absorption layer 25 is preferably smaller. Since the thickness of the first light absorption layer 25 is small, a high contrast ratio can be obtained by the second light absorption layer 26 on the LED chip 23 while effectively using light reflection when the light reflection layer 27 is provided. it can.

また、第２光吸収層２６は、ＬＥＤチップ２３の実装面のうちＬＥＤチップ２３の直下にはあってもなくてもよい。図２に示した形態は、ＬＥＤチップ２３の直下に第１光吸収層２６を設けていない形態であるが、この形態によればＬＥＤチップ２３の内部を伝播する光がＬＥＤチップ２３の直下で効率よく反射されてＬＥＤチップ２３から外部に取り出されるので好ましい。   Further, the second light absorption layer 26 may or may not be directly below the LED chip 23 on the mounting surface of the LED chip 23. The form shown in FIG. 2 is a form in which the first light absorption layer 26 is not provided directly under the LED chip 23, but according to this form, light propagating inside the LED chip 23 is directly under the LED chip 23. It is preferable because it is efficiently reflected and taken out from the LED chip 23.

（光反射層）
光反射層２７は、パッケージ２２の凹部２１内面上であって、パッケージ２２の凹部内面と第１光吸収層２５との間に設けられる。光反射層２７は、例えば銀がメッキされてできた層である。第１光吸収層２５や第２光吸収層２６とともに光反射層２７を設ければ、第１光吸収層２５及び第２光吸収層２６と光反射層２７とにおける光吸収率と光反射率とを適宜調整することにより、発光装置２における点灯時と消灯時とにおけるコントラスト比をコントロールすることが可能になる。 (Light reflecting layer)
The light reflecting layer 27 is provided on the inner surface of the concave portion 21 of the package 22 and between the inner surface of the concave portion of the package 22 and the first light absorbing layer 25. The light reflecting layer 27 is a layer made of, for example, silver. If the light reflection layer 27 is provided together with the first light absorption layer 25 and the second light absorption layer 26, the light absorption rate and the light reflection rate in the first light absorption layer 25, the second light absorption layer 26, and the light reflection layer 27. By appropriately adjusting the above, it is possible to control the contrast ratio between when the light emitting device 2 is turned on and when it is turned off.

以上説明した本発明の第２実施形態に係る発光装置２によっても、本発明の第１実施形態に係る発光装置１と同様に、発光装置２を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を改善することができる。   The light emitting device 2 according to the second embodiment of the present invention described above also improves the contrast ratio of the entire field of view when the light emitting device 2 is viewed from the front, similarly to the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention. can do.

［本発明の第３実施形態に係る発光装置：表面実装型ＬＥＤパッケージ］
図３は、本発明の第３実施形態に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 [Light Emitting Device According to Third Embodiment of the Present Invention: Surface-Mounted LED Package]
FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the light emitting device according to the third embodiment of the present invention.

図３に示すように、本発明の第３実施形態に係る発光装置３は、平坦な基板３１と、基板３１上に実装されたＬＥＤチップ３２と、ＬＥＤチップ３２を封止する封止部材３３と、基板３１上に設けられた第１光吸収層３４と、を備えた発光装置であって、ＬＥＤチップ３２上に設けられた第２光吸収層３５を備えた発光装置である。   As shown in FIG. 3, the light emitting device 3 according to the third embodiment of the present invention includes a flat substrate 31, an LED chip 32 mounted on the substrate 31, and a sealing member 33 that seals the LED chip 32. And a first light absorption layer 34 provided on the substrate 31, and a light emission device provided with a second light absorption layer 35 provided on the LED chip 32.

以下、各部材について説明する。   Hereinafter, each member will be described.

（平坦な基板）
基板３１は、平坦である。ただし、若干の反りや凹凸などが存在してもよい。基板３１には、例えばセラミックスを用いることができる。 (Flat substrate)
The substrate 31 is flat. However, some warpage or unevenness may exist. For the substrate 31, for example, ceramics can be used.

（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ３２は、基板３１上に実装される。ＬＥＤチップ３２には、例えばＩｎＧａＡｌＮなどからなるＧａＮ系の半導体発光素子を用いることができる。また、この実装は、例えば、ワイヤボンディングや、ダイボンディングや、フリップチップ実装などにより行う。なお、本実施形態では、例えばＡｕやＡｇなどの導電ワイヤ３７を用いてワイヤボンディングする形態を一例として採り上げる。 (LED chip)
The LED chip 32 is mounted on the substrate 31. For the LED chip 32, for example, a GaN-based semiconductor light emitting element made of InGaAlN or the like can be used. Further, this mounting is performed by, for example, wire bonding, die bonding, flip chip mounting, or the like. In the present embodiment, for example, a form of wire bonding using a conductive wire 37 such as Au or Ag is taken as an example.

基板３１は、ＬＥＤチップの実装面の一例である。   The substrate 31 is an example of an LED chip mounting surface.

（封止部材）
封止部材３３は、ＬＥＤチップ３２を封止する。封止部材３３には、例えばシリコーン樹脂などを用いることができる。 (Sealing member)
The sealing member 33 seals the LED chip 32. For the sealing member 33, for example, a silicone resin or the like can be used.

封止部材３３は、凸状となるレンズ形状にすることができる。凸形状であるため、本発明の第３実施形態は、封止部材３３がレンズ形状を有する場合に特に効果的である。   The sealing member 33 can be formed into a convex lens shape. Because of the convex shape, the third embodiment of the present invention is particularly effective when the sealing member 33 has a lens shape.

（第１光吸収層、第２光吸収層）
第１光吸収層３４は、基板３１上に設けられ、第２光吸収層３５は、ＬＥＤチップ３２上に設けられる。第１光吸収層３４や第２光吸収層３５は、例えば黒色フィラーが堆積した層などの黒色フィラーを含む層を用いることができる。黒色フィラーには、従来知られている黒色顔料などを用いることができ、具体的には、カーボンフィラーを用いることができる。 (First light absorption layer, second light absorption layer)
The first light absorption layer 34 is provided on the substrate 31, and the second light absorption layer 35 is provided on the LED chip 32. As the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35, for example, a layer containing a black filler such as a layer in which a black filler is deposited can be used. As the black filler, a conventionally known black pigment or the like can be used, and specifically, a carbon filler can be used.

黒色フィラーの含有量は、第１光吸収層３４と第２光吸収層３５との間で同じであってもよいが、第１光吸収層３４のほうが少ないことが好ましい。第１光吸収層３４の黒色フィラーの含有量が少ないことで、光反射層３６を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ３２上の第２光吸収層３５により高いコントラスト比を得ることができる。   The black filler content may be the same between the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35, but the first light absorption layer 34 is preferably less. Since the content of the black filler in the first light absorption layer 34 is small, the second light absorption layer 35 on the LED chip 32 has a higher contrast ratio while effectively utilizing the light reflection when the light reflection layer 36 is provided. Can be obtained.

また、第１光吸収層３４の厚みと第２光吸収層３５の厚みとは同じであってもよいが、第１光吸収層３４の厚みのほうが小さいことが好ましい。第１光吸収層３４の厚みが小さいことで、光反射層３６を設けた際の光反射を有効に利用しつつ、ＬＥＤチップ３２上の第２光吸収層３５により高いコントラスト比を得ることができる。   In addition, the thickness of the first light absorption layer 34 may be the same as the thickness of the second light absorption layer 35, but the thickness of the first light absorption layer 34 is preferably smaller. Since the thickness of the first light absorption layer 34 is small, a high contrast ratio can be obtained by the second light absorption layer 35 on the LED chip 32 while effectively using light reflection when the light reflection layer 36 is provided. it can.

また、第１光吸収層３４は、ＬＥＤチップ３２の実装面のうちＬＥＤチップ３２の直下にはあってもなくてもよい。図３に示した形態は、ＬＥＤチップ３２の直下に第１光吸収層３４を設けていない形態であるが、この形態によればＬＥＤチップ３２の内部を伝播する光がＬＥＤチップ３２の直下で効率よく反射されてＬＥＤチップ３２から外部に取り出されるので好ましい。   Further, the first light absorption layer 34 may or may not be directly below the LED chip 32 on the mounting surface of the LED chip 32. The form shown in FIG. 3 is a form in which the first light absorption layer 34 is not provided directly under the LED chip 32, but according to this form, light propagating inside the LED chip 32 is directly under the LED chip 32. This is preferable because it is efficiently reflected and taken out from the LED chip 32.

（光反射層）
光反射層３６は、基板３１上であって、基板３１と第１光吸収層３４との間に設けられる。光反射層３６は、例えば銀がメッキされてできた層である。第１光吸収層３４や第２光吸収層３５とともに光反射層３６を設ければ、第１光吸収層３４及び第２光吸収層３５と光反射層３６とにおける光吸収率と光反射率とを適宜調整することにより、発光装置３における点灯時と消灯時とにおけるコントラスト比をコントロールすることが可能になる。 (Light reflecting layer)
The light reflection layer 36 is provided on the substrate 31 and between the substrate 31 and the first light absorption layer 34. The light reflecting layer 36 is a layer formed by plating silver, for example. If the light reflection layer 36 is provided together with the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35, the light absorption rate and the light reflection rate in the first light absorption layer 34, the second light absorption layer 35, and the light reflection layer 36. By appropriately adjusting the above, it is possible to control the contrast ratio between when the light emitting device 3 is turned on and when it is turned off.

以上説明した本発明の第３実施形態に係る発光装置３によっても、本発明の第１実施形態に係る発光装置１や第２実施形態に係る発光装置２と同様に、発光装置３を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を改善することができる。   Similarly to the light emitting device 1 according to the first embodiment and the light emitting device 2 according to the second embodiment of the present invention described above, the light emitting device 3 according to the third embodiment of the present invention is viewed from the front. In this case, the contrast ratio of the entire field of view can be improved.

以上、本発明の第１から第３実施形態に係る発光装置について説明したが、これらの発光装置は、例えば、次のようにして製造することができる。以下、順に説明する。   Although the light emitting devices according to the first to third embodiments of the present invention have been described above, these light emitting devices can be manufactured as follows, for example. Hereinafter, it demonstrates in order.

［本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法］
図４は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。 [Method for Manufacturing Light-Emitting Device According to First Embodiment of the Present Invention]
FIG. 4 is a view for explaining the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

（第１工程）
まず、図４（ａ）に示すように、凹部１１を有する第１リード電極１２と、第２リード電極１３と、を設ける。これにより、ＬＥＤチップ１４の実装面が準備される。 (First step)
First, as shown in FIG. 4A, a first lead electrode 12 having a recess 11 and a second lead electrode 13 are provided. Thereby, the mounting surface of the LED chip 14 is prepared.

（第２工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、第１リード電極１２の凹部１１内面上にＬＥＤチップ１４をダイボンディングで実装する。これにより、第１リード電極１２とＬＥＤチップ１４とが電気的に接続される。 (Second step)
Next, as shown in FIG. 4B, the LED chip 14 is mounted on the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12 by die bonding. Thereby, the first lead electrode 12 and the LED chip 14 are electrically connected.

（第３工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ１４と第２リード電極１３とを導電ワイヤ１５により接続する。これにより、ＬＥＤチップ１４と第２リード電極１３とが電気的に接続される。なお、ＬＥＤチップ１４と導電ワイヤ１５との接続や、第２リード電極１３と導電ワイヤ１５との接続には、例えば半田を用いる。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 4C, the LED chip 14 and the second lead electrode 13 are connected by the conductive wire 15. Thereby, the LED chip 14 and the second lead electrode 13 are electrically connected. For example, solder is used for the connection between the LED chip 14 and the conductive wire 15 and the connection between the second lead electrode 13 and the conductive wire 15.

（第４工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、第１リード電極１２の凹部１１内面上に光反射層１９を形成する。光反射層１９は、例えば、第１リード電極１２の凹部１１内面を銀でメッキすることにより形成することができる。また、光反射層１９は、形成しなくてもよい。また、光反射層１９は、プリコートにより形成することもできる。 (4th process)
Next, as shown in FIG. 4D, the light reflecting layer 19 is formed on the inner surface of the concave portion 11 of the first lead electrode 12. The light reflecting layer 19 can be formed by, for example, plating the inner surface of the recess 11 of the first lead electrode 12 with silver. Further, the light reflecting layer 19 may not be formed. The light reflecting layer 19 can also be formed by precoating.

（第５工程）
次に、図４（ｅ）に示すように、第１リード電極１２の凹部１１内に光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液１００を充填する。これにより、ＬＥＤチップ１４の実装面上とＬＥＤチップ１４上とに光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液が設けられる。 (5th process)
Next, as shown in FIG. 4E, a volatile solution 100 containing a light absorbing member (eg, black filler) is filled in the recess 11 of the first lead electrode 12. Thereby, a volatile solution containing a light-absorbing member (eg, black filler) is provided on the mounting surface of the LED chip 14 and the LED chip 14.

溶液１００は、少なくともＬＥＤチップ１４の上面が溶液１００によりほぼ覆われるまで充填する。例えば、ＬＥＤチップ１４の上面における導電ワイヤ１５の根元が溶液１００により覆われるまで充填する。これにより、溶液１００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）が、溶液１００を揮発させた後、ＬＥＤチップ１４の上面に付着し、第２光吸収層１８となる。   The solution 100 is filled until at least the upper surface of the LED chip 14 is almost covered with the solution 100. For example, filling is performed until the root of the conductive wire 15 on the upper surface of the LED chip 14 is covered with the solution 100. Thereby, after the light absorptive member (example: black filler) contained in the solution 100 volatilizes the solution 100, it adheres to the upper surface of the LED chip 14 and becomes the second light absorption layer 18.

（第６工程）
次に、図４（ｆ）に示すように、溶液１００を揮発させる。これにより、光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む第１光吸収層１７と第２光吸収層１８とが第１リード電極１２の凹部１１内面上とＬＥＤチップ１４上とにそれぞれ設けられる。すなわち、溶液１００を揮発させると、溶液１００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）が第１リード電極１２の凹部１１内面上及びＬＥＤチップ１４上に残存してこれに付着し、第１光吸収層１７及び第２光吸収層１８となる。 (6th process)
Next, as shown in FIG. 4F, the solution 100 is volatilized. Thereby, the 1st light absorption layer 17 and the 2nd light absorption layer 18 containing a light absorptive member (example: black filler) are each provided on the recessed part 11 inner surface of the 1st lead electrode 12, and LED chip 14. . That is, when the solution 100 is volatilized, the light-absorbing member (eg, black filler) contained in the solution 100 remains on the inner surface of the concave portion 11 of the first lead electrode 12 and the LED chip 14 and adheres thereto. The first light absorption layer 17 and the second light absorption layer 18 are formed.

（第７工程）
次に、図４（ｇ）に示すように、第１リード電極１２の一部、第２リード電極１３の一部、ＬＥＤチップ１４、及び導電ワイヤ１５を封止部材１６で封止する。 (Seventh step)
Next, as shown in FIG. 4G, a part of the first lead electrode 12, a part of the second lead electrode 13, the LED chip 14, and the conductive wire 15 are sealed with a sealing member 16.

以上説明した方法によれば、ＬＥＤチップ１４上に第２光吸収層１８を形成することができる。さらに、第１光吸収層１７と第２光吸収層１８とにおいて、光吸収性部材（例：黒色フィラー）をほぼ均一に分布させることができる。したがって、第１光吸収層１７と第２光吸収層１８とにおける光吸収率を均等化することができるため、発光装置１を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を好ましく改善することができる。   According to the method described above, the second light absorption layer 18 can be formed on the LED chip 14. Furthermore, in the first light absorption layer 17 and the second light absorption layer 18, the light absorbing member (eg, black filler) can be distributed almost uniformly. Therefore, since the light absorptance in the 1st light absorption layer 17 and the 2nd light absorption layer 18 can be equalized, the contrast ratio of the whole visual field at the time of the light-emitting device 1 seen from the front can be improved preferably. .

［本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法］
図５は、本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。 [Method for Manufacturing Light-Emitting Device According to Second Embodiment of the Present Invention]
FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

（第１工程）
まず、図５（ａ）に示すように、凹部２１を有するパッケージ２２を設ける。これにより、ＬＥＤチップ２３の実装面が準備される。 (First step)
First, as shown in FIG. 5A, a package 22 having a recess 21 is provided. Thereby, the mounting surface of the LED chip 23 is prepared.

（第２工程）
次に、図５（ｂ）に示すように、パッケージ２２の凹部２１内面上にＬＥＤチップ２３を実装する。この実装は、例えば、導電ワイヤ２８を用いたワイヤボンディングにより行う。 (Second step)
Next, as shown in FIG. 5B, the LED chip 23 is mounted on the inner surface of the recess 21 of the package 22. This mounting is performed, for example, by wire bonding using the conductive wire 28.

（第３工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、パッケージ２２の凹部２１内面上に光反射層２７を形成する。光反射層２７は、種々の方法を用いてよいが、例えば、光反射性部材を含む揮発性の溶液を充填し、溶液を揮発させることにより形成することができる。なお、光反射層２７は、第１光吸収層２５と第２光吸収層２６とを形成した後に形成することもできる。また、光反射層２７は、形成しなくてもよい。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 5C, a light reflection layer 27 is formed on the inner surface of the recess 21 of the package 22. Various methods may be used for the light reflecting layer 27. For example, the light reflecting layer 27 can be formed by filling a volatile solution containing a light reflecting member and volatilizing the solution. The light reflecting layer 27 can also be formed after the first light absorbing layer 25 and the second light absorbing layer 26 are formed. Further, the light reflection layer 27 may not be formed.

（第４工程）
次に、図５（ｄ）に示すように、パッケージ２２の凹部２１内に光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液２００を充填する。これにより、ＬＥＤチップ２３の実装面上とＬＥＤチップ２３上とに光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液が設けられる。 (4th process)
Next, as shown in FIG. 5D, a volatile solution 200 containing a light-absorbing member (eg, black filler) is filled in the recess 21 of the package 22. Thereby, the volatile solution containing a light absorptive member (example: black filler) is provided on the mounting surface of the LED chip 23 and the LED chip 23.

溶液２００は、少なくともＬＥＤチップ２３の上面が溶液２００によりほぼ覆われるまで充填する。例えば、ＬＥＤチップ２３を導電ワイヤ２８でワイヤボンディングする場合は、導電ワイヤ２８の根元が溶液２００により覆われるまで充填する。これにより、溶液２００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）が、溶液２００を揮発させた後、ＬＥＤチップ２３の上面に付着し、第２光吸収層２６となる。   The solution 200 is filled until at least the upper surface of the LED chip 23 is almost covered with the solution 200. For example, when wire bonding the LED chip 23 with the conductive wire 28, the LED chip 23 is filled until the root of the conductive wire 28 is covered with the solution 200. As a result, the light absorbing member (eg, black filler) contained in the solution 200 volatilizes the solution 200 and then adheres to the upper surface of the LED chip 23 to become the second light absorbing layer 26.

（第５工程）
次に、図５（ｅ）に示すように、溶液２００を揮発させる。これにより、光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む第１光吸収層２５と第２光吸収層２６とがパッケージ２２の凹部２１内面上とＬＥＤチップ２３上とにそれぞれ設けられる。すなわち、溶液２００を揮発させると、溶液２００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）がパッケージ２２の凹部２１内面上及びＬＥＤチップ２３上に残存してこれに付着し、第１光吸収層２５及び第２光吸収層２６となる。 (5th process)
Next, as shown in FIG. 5E, the solution 200 is volatilized. Thereby, the 1st light absorption layer 25 and the 2nd light absorption layer 26 containing a light absorptive member (example: black filler) are each provided in the recessed part 21 inner surface of the package 22, and LED chip 23. That is, when the solution 200 is volatilized, the light-absorbing member (eg, black filler) contained in the solution 200 remains on the inner surface of the recess 21 of the package 22 and the LED chip 23 and adheres to the first light absorption. The layer 25 and the second light absorption layer 26 are formed.

（第６工程）
次に、図５（ｆ）に示すように、パッケージ２２の凹部２１内に封止部材２４を充填する。 (6th process)
Next, as shown in FIG. 5F, the sealing member 24 is filled into the recess 21 of the package 22.

以上説明した方法によれば、ＬＥＤチップ２３上に第２光吸収層２６を形成することができる。さらに、第１光吸収層２５と第２光吸収層２６とにおいて、光吸収性部材（例：黒色フィラー）をほぼ均一に分布させることができる。したがって、第１光吸収層２５と第２光吸収層２６とにおける光吸収率を均等化することができるため、発光装置２を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を好ましく改善することができる。   According to the method described above, the second light absorption layer 26 can be formed on the LED chip 23. Furthermore, in the first light absorption layer 25 and the second light absorption layer 26, the light absorbing member (eg, black filler) can be distributed almost uniformly. Therefore, since the light absorptance in the 1st light absorption layer 25 and the 2nd light absorption layer 26 can be equalize | homogenized, the contrast ratio of the whole visual field when the light-emitting device 2 is seen front can be improved preferably. .

［本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法］
図６は、本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。 [Method for Manufacturing Light-Emitting Device According to Third Embodiment of the Present Invention]
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to the third embodiment of the invention.

（第１工程）
まず、図６（ａ）に示すように、平坦な基板３１を設ける。これにより、ＬＥＤチップ３２の実装面が準備される。 (First step)
First, as shown in FIG. 6A, a flat substrate 31 is provided. Thereby, the mounting surface of the LED chip 32 is prepared.

（第２工程）
次に、図６（ｂ）に示すように、基板３１上にＬＥＤチップ３２を実装する。この実装は、例えば、導電ワイヤ３７を用いたワイヤボンディングにより行う。 (Second step)
Next, as shown in FIG. 6B, the LED chip 32 is mounted on the substrate 31. This mounting is performed, for example, by wire bonding using a conductive wire 37.

（第３工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、基板３１上に光反射層３６を形成する。光反射層３６は、種々の方法を用いてよいが、例えば、光反射性部材を含む揮発性の溶液を充填し、溶液を揮発させることにより形成することができる。なお、光反射層３６は、第１光吸収層３４と第２光吸収層３５とを形成した後に形成することもできる。また、光反射層３６は、形成しなくてもよい。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 6C, the light reflecting layer 36 is formed on the substrate 31. Various methods may be used for the light reflecting layer 36. For example, the light reflecting layer 36 can be formed by filling a volatile solution containing a light reflecting member and volatilizing the solution. The light reflection layer 36 can also be formed after the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35 are formed. Further, the light reflection layer 36 may not be formed.

（第４工程）
次に、図６（ｄ）に示すように、基板３１に光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液３００を塗布する。これにより、ＬＥＤチップ３２の実装面上とＬＥＤチップ２３上とに光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む揮発性の溶液が設けられる。 (4th process)
Next, as shown in FIG. 6D, a volatile solution 300 containing a light absorbing member (eg, black filler) is applied to the substrate 31. Thereby, the volatile solution containing the light absorbing member (eg, black filler) is provided on the mounting surface of the LED chip 32 and the LED chip 23.

溶液３００は、少なくともＬＥＤチップ３２の上面が溶液３００によりほぼ覆われるまで塗布する。例えば、ＬＥＤチップ３２を導電ワイヤ３７でワイヤボンディングする場合は、導電ワイヤ３７の根元が溶液３００により覆われるまで充填する。これにより、溶液３００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）が、溶液３００を揮発させた後、ＬＥＤチップ３２の上面に付着し、第２光吸収層３５となる。   The solution 300 is applied until at least the upper surface of the LED chip 32 is almost covered with the solution 300. For example, when the LED chip 32 is wire-bonded with the conductive wire 37, the LED chip 32 is filled until the root of the conductive wire 37 is covered with the solution 300. As a result, the light absorbing member (eg, black filler) contained in the solution 300 volatilizes the solution 300 and then adheres to the upper surface of the LED chip 32 to become the second light absorbing layer 35.

（第５工程）
次に、図６（ｅ）に示すように、溶液３００を揮発させる。これにより、光吸収性部材（例：黒色フィラー）を含む第１光吸収層３４と第２光吸収層３５とが基板３１上とＬＥＤチップ３２上とにそれぞれ設けられる。すなわち、溶液３００を揮発させると、溶液３００に含まれる光吸収性部材（例：黒色フィラー）が基板３１上及びＬＥＤチップ３２上に残存してこれに付着し、第１光吸収層３４及び第２光吸収層３５となる。 (5th process)
Next, as shown in FIG. 6E, the solution 300 is volatilized. Thereby, the 1st light absorption layer 34 and the 2nd light absorption layer 35 containing a light absorptive member (example: black filler) are provided on the board | substrate 31 and the LED chip 32, respectively. That is, when the solution 300 is volatilized, the light absorbing member (eg, black filler) contained in the solution 300 remains on the substrate 31 and the LED chip 32 and adheres to the first light absorbing layer 34 and the first light absorbing layer 34. A two-light absorption layer 35 is formed.

（第６工程）
次に、図６（ｆ）に示すように、ＬＥＤチップ３２を封止部材３３で封止する。 (6th process)
Next, the LED chip 32 is sealed with a sealing member 33 as shown in FIG.

以上説明した方法によれば、ＬＥＤチップ３２上に第２光吸収層３５を形成することができる。さらに、第１光吸収層３４と第２光吸収層３５とにおいて、光吸収性部材（例：黒色フィラー）をほぼ均一に分布させることができる。したがって、第１光吸収層３４と第２光吸収層３５とにおける光吸収率を均等化することができるため、発光装置３を正面視した場合における視界全体のコントラスト比を好ましく改善することができる。   According to the method described above, the second light absorption layer 35 can be formed on the LED chip 32. Furthermore, in the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35, the light absorbing member (eg, black filler) can be distributed almost uniformly. Therefore, since the light absorption rate in the first light absorption layer 34 and the second light absorption layer 35 can be equalized, the contrast ratio of the entire field of view when the light emitting device 3 is viewed from the front can be preferably improved. .

以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these description is related with an example of this invention, and this invention is not limited at all by these description.

１ 発光装置
１１ 凹部
１２ 第１リード電極
１３ 第２リード電極
１４ ＬＥＤチップ
１５ 導電ワイヤ
１６ 封止部材
１７ 第１光吸収層
１８ 第２光吸収層
１９ 光反射層
１００ 溶液
２ 発光装置
２１ 凹部
２２ パッケージ
２３ ＬＥＤチップ
２４ 封止部材
２５ 第１光吸収層
２６ 第２光吸収層
２７ 光反射層
２８ 導電ワイヤ
２００ 溶液
３ 発光装置
３１ 基板
３２ ＬＥＤチップ
３３ 封止部材
３４ 第１光吸収層
３５ 第２光吸収層
３６ 光反射層
３７ 導電ワイヤ
３００ 溶液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 11 Recess 12 First lead electrode 13 Second lead electrode 14 LED chip 15 Conductive wire 16 Sealing member 17 First light absorption layer 18 Second light absorption layer 19 Light reflection layer 100 Solution 2 Light-emitting device 21 Recess 22 Package 23 LED chip 24 Sealing member 25 First light absorbing layer 26 Second light absorbing layer 27 Light reflecting layer 28 Conductive wire 200 Solution 3 Light emitting device 31 Substrate 32 LED chip 33 Sealing member 34 First light absorbing layer 35 Second light Absorbing layer 36 Light reflecting layer 37 Conductive wire 300 Solution

Claims (10)

ＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップの実装面上に設けられた第１光吸収層と、を備えた発光装置であって、
前記ＬＥＤチップ上に設けられた第２光吸収層を備えることを特徴とする発光装置。 A light-emitting device comprising an LED chip and a first light absorption layer provided on a mounting surface of the LED chip,
A light emitting device comprising a second light absorption layer provided on the LED chip. 前記ＬＥＤチップの実装面と前記第１光吸収層との間に光反射層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a light reflection layer is provided between a mounting surface of the LED chip and the first light absorption layer. 前記第１光吸収層と前記第２光吸収層とは黒色フィラーを含む層であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first light absorption layer and the second light absorption layer are layers containing a black filler. 凹部を有する第１リード電極と、第２リード電極と、前記第１リード電極の凹部内面上に実装されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップと前記第２リード電極とに接続された導電ワイヤと、前記第１リード電極の一部、前記第２リード電極の一部、前記ＬＥＤチップ、及び前記導電ワイヤを封止する封止部材と、前記第１リード電極の凹部内面上に設けられた第１光吸収層と、を備えた発光装置であって、
前記ＬＥＤチップ上に設けられた第２光吸収層を備えることを特徴とする発光装置。 A first lead electrode having a recess; a second lead electrode; an LED chip mounted on the inner surface of the recess of the first lead electrode; a conductive wire connected to the LED chip and the second lead electrode; A sealing member for sealing a part of the first lead electrode, a part of the second lead electrode, the LED chip, and the conductive wire, and a first provided on the inner surface of the recess of the first lead electrode A light-emitting device comprising a light absorption layer,
A light emitting device comprising a second light absorption layer provided on the LED chip. 前記第１リード電極の凹部内面と前記第１光吸収層との間に光反射層が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。   5. The light emitting device according to claim 4, wherein a light reflection layer is provided between an inner surface of the concave portion of the first lead electrode and the first light absorption layer. 前記第１光吸収層と前記第２光吸収層とは黒色フィラーを含む層であることを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 4, wherein the first light absorption layer and the second light absorption layer are layers containing a black filler. ＬＥＤチップを実装面上に実装する工程と、
前記ＬＥＤチップの実装面上と前記ＬＥＤチップ上とに光吸収性部材を含む揮発性の溶液を設ける工程と、
前記溶液を揮発させ、前記光吸収性部材を含む第１光吸収層と第２光吸収層とを前記ＬＥＤチップの実装面上と前記ＬＥＤチップ上とにそれぞれ設ける工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 Mounting the LED chip on the mounting surface;
Providing a volatile solution containing a light-absorbing member on the LED chip mounting surface and the LED chip;
Evaporating the solution and providing a first light absorption layer and a second light absorption layer including the light absorbing member on the LED chip mounting surface and the LED chip, respectively;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: 前記第１光吸収層と第２光吸収層とを設ける工程の前に、前記ＬＥＤチップの実装面上に光反射層を設ける工程を有することを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。   The light emitting device according to claim 7, further comprising a step of providing a light reflecting layer on a mounting surface of the LED chip before the step of providing the first light absorption layer and the second light absorption layer. Production method. 凹部を有する第１リード電極と、第２リード電極と、を設ける工程と、
前記第１リード電極の凹部内面上にＬＥＤチップを実装する工程と、
前記ＬＥＤチップと前記第２リード電極とを導電ワイヤにより接続する工程と、
前記第１リード電極の凹部内に光吸収性部材を含む揮発性の溶液を充填する工程と、
前記溶液を揮発させ、前記光吸収性部材を含む第１光吸収層と第２光吸収層とを前記第１リード電極の凹部内面上と前記ＬＥＤチップ上とにそれぞれ設ける工程と、
前記第１リード電極の一部、前記第２リード電極の一部、前記ＬＥＤチップ、及び前記導電ワイヤを封止部材で封止する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 Providing a first lead electrode having a recess and a second lead electrode;
Mounting an LED chip on the inner surface of the recess of the first lead electrode;
Connecting the LED chip and the second lead electrode by a conductive wire;
Filling a volatile solution containing a light-absorbing member into the recess of the first lead electrode;
Volatilizing the solution and providing a first light absorption layer and a second light absorption layer including the light absorbing member on the inner surface of the recess of the first lead electrode and on the LED chip, respectively.
Sealing a part of the first lead electrode, a part of the second lead electrode, the LED chip, and the conductive wire with a sealing member;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: 前記第１光吸収層と第２光吸収層とを設ける工程の前に、前記第１リード電極の凹部内面上に光反射層を設ける工程を有することを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。   10. The light emitting device according to claim 9, further comprising a step of providing a light reflection layer on the inner surface of the concave portion of the first lead electrode before the step of providing the first light absorption layer and the second light absorption layer. 10. Device manufacturing method.
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