JP2015009348A - 表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】転写対象面が平坦面のみならず粗度100nm程度までの非平坦面においても容易に適用可能な、表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板表面に親油性ポリマーセグメントと疎油性ポリマーセグメントとを有するブロック共重合体自己組織化薄膜を形成し、低沸点極性有機溶媒の存在下で、該薄膜上にナノ構造を有するスタンプに蒸着されたナノ金属体を転写することを特徴とする表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。【選択図】図１
Description
本発明は、表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法に関する。
最先端の電気・光学素子等の開発においては、金属や半導体など各種材料からなるナノ構造の作製が必須である。そのための手法として、電子ビームやイオンビームを利用したリソグラフィー技術が広く用いられている。
これらのリソグラフィー技術は、数百nm〜数nmまでの微細構造の作製を可能にするが、直描型であるためスループットが低く、量産化には不向きである。したがって、これらのリソグラフィー技術で作製した構造をテンプレートとして用い、それらを転写や型押しなどの手法で大規模に複製する技術が注目を集めている。
例えば、電子線リソグラフィーを用いて作製したナノ構造テンプレートから、対となるスタンプを作製し、そのスタンプ上に蒸着させたナノ金属体を他基板上に転写することによりナノ金属体が形成された構造体を作製する手法が知られている。このような転写手法においては、転写される金属材料と転写対象となる基板表面との間に働く相互作用が重要となる。
従来、転写による金属ナノ構造の作製手法においては、例えば特許文献１および非特許文献１、２に記載されているように、チオール基などを有する自己組織化単分子膜を形成する有機分子で平坦な基板表面を処理し、金属とチオール基の相互作用（化学結合）により転写を促進させている。
しかしながら、上記の手法では任意の平坦・非平坦面へのナノ構造転写が困難である。例えば、公知のようなチオール基を有する有機分子での基板表面処理は、用いることができる有機分子と基板材料との組み合わせが限られる。また、太陽電池で広く用いられているテクスチャ（凹凸）表面においては、公知のような表面処理を施しても良好な転写構造は得られず、金属はスタンプ側に残存する。非平坦面においても転写が起こるためには、金属と充分に接触かつ相互作用するような工夫が必要となる。
一方、任意の平坦・非平坦面における金属ナノ構造作製の必要性については、金属ナノ構造のプラズモン効果を利用した光電変換素子の高性能化があげられる（例えば特許文献２、非特許文献３）。したがって、これらの素子構造中に容易に金属ナノ構造を導入する手法の開発は、更なる高性能素子の開発に有用である。
Loo et al., Journal of the American Chemical Society, 124 (2002), 7654.
Loo et al., Journal of Vacuum Science and Technology B, 20 (2002), 2853.
Atwater et al., Nature Materials, 9 (2010), 205.
本発明は、上述のような転写による金属ナノ構造作製手法の弱点を補うために開発された手法であり、その目的は、転写対象面が平坦面のみならず非平坦面においても容易に適用可能な、表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するための各種試験研究の過程において、本発明者は、所定のブロック共重合体自己組織化薄膜を転写対象基板上に導入した場合、平坦・非平坦を問わず任意の表面上において金属ナノ構造（ナノ金属体）の転写が進行することを見出した。すなわち、課題を解決させる手段は次の通りである。
（１）基板表面に親油性ポリマーセグメントと疎油性ポリマーセグメントとを有するブロック共重合体自己組織化薄膜を形成し、低沸点極性有機溶媒の存在下で、該薄膜上にナノ構造を有するスタンプに蒸着されたナノ金属体を転写することを特徴とする表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（２）上記基板表面は、その粗度が100nm以下であることを特徴とする上記（１）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（３）親油性ポリマーセグメントが、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリビニルナフタレン、ポリシロキサン、または、これらの組み合わせからなり、疎油性ポリマーセグメントが、ポリ−4−ビニルピリジン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルピロリドン、ポリチオフェン、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミド、ポリラクトン、ポリラクチド、または、これらの組み合わせからなることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（４）上記ナノ構造を有するスタンプは、ナノ構造のサイズが10nm〜500nmの範囲にあることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（５）上記ナノ金属体は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、白金、または、これらの合金からなることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（６）上記基板は、太陽電池またはその構成層であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１）基板表面に親油性ポリマーセグメントと疎油性ポリマーセグメントとを有するブロック共重合体自己組織化薄膜を形成し、低沸点極性有機溶媒の存在下で、該薄膜上にナノ構造を有するスタンプに蒸着されたナノ金属体を転写することを特徴とする表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（２）上記基板表面は、その粗度が100nm以下であることを特徴とする上記（１）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（３）親油性ポリマーセグメントが、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリビニルナフタレン、ポリシロキサン、または、これらの組み合わせからなり、疎油性ポリマーセグメントが、ポリ−4−ビニルピリジン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルピロリドン、ポリチオフェン、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミド、ポリラクトン、ポリラクチド、または、これらの組み合わせからなることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（４）上記ナノ構造を有するスタンプは、ナノ構造のサイズが10nm〜500nmの範囲にあることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（５）上記ナノ金属体は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、白金、または、これらの合金からなることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（６）上記基板は、太陽電池またはその構成層であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
本発明は、次のような態様とすることもできる。
（７）ブロック共重合体の重量に占める疎油性セグメントの重量の割合が20％以上80％以下であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（８）ブロック共重合体の重量に占める疎油性セグメントの重量の割合が40％以上60％以下であることを特徴とする上記（７）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（９）疎油性ポリマーセグメントが配位性官能基を有するものであることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１０）配位性官能基がピリジル基であることを特徴とする上記（９）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１１）上記スタンプは柔軟性樹脂からなることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１２）上記柔軟性樹脂がシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂である上記（１１）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１３）上記基板表面は、その粗度が5nm以上である上記（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１４）上記基板表面は、その粗度が10nm以上である上記（１３）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（７）ブロック共重合体の重量に占める疎油性セグメントの重量の割合が20％以上80％以下であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（８）ブロック共重合体の重量に占める疎油性セグメントの重量の割合が40％以上60％以下であることを特徴とする上記（７）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（９）疎油性ポリマーセグメントが配位性官能基を有するものであることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１０）配位性官能基がピリジル基であることを特徴とする上記（９）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１１）上記スタンプは柔軟性樹脂からなることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１２）上記柔軟性樹脂がシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂である上記（１１）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１３）上記基板表面は、その粗度が5nm以上である上記（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
（１４）上記基板表面は、その粗度が10nm以上である上記（１３）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
本発明の構造体の製造方法によれば、転写対象面の平坦・非平坦を問わず任意の材料表面において多数のナノ金属体を転写した構造体の作製が可能である。特に、太陽電池に用いられる平坦・非平坦表面に適用した場合、太陽光の吸収が向上し、光電変換効率を向上させることができる。
以下、本発明の詳細について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施例としての、ナノ金属体を転写した構造体の作製手法プロセスを示したものである。まず、ナノ構造を有するスタンプ１０１の表面に、金属薄膜１０２を形成する（図１ａ）。つまり、電子ビーム蒸着や熱蒸着、またはスパッタリングなどを用いて金、銀、銅などの金属薄膜を蒸着させる。これと並行して、転写対象となる基板１０３の表面にブロック共重合体自己組織化薄膜１０４を形成する（図１ｂ）。つまり、トルエンやオルトキシレンなどの炭化水素系有機溶媒に溶解させた親油性部分であるポリスチレンなどと疎油性部分であるポリ−2−ビニルピリジンなどからなるブロック共重合体をスピンコート法やディップコーティング法などの薄膜塗布手法により形成する。その際、ブロック共重合体の相分離により、親油性部分と疎油性部分とが周期的乃至規則的に２次元配列した自己組織化薄膜が形成される。この基板表面上に、エタノールなどの低沸点極性有機溶媒を滴下した後、上述の金属薄膜付スタンプを静置させる（図１ｃ）。このとき、低沸点極性有機溶媒の蒸発に伴い発生する表面張力により、スタンプ凸部上の金属と基板上のブロック共重合体自己組織化薄膜が密着する。同時に、低沸点極性有機溶媒がポリ−2−ビニルピリジン部位を選択的に溶解させるため、ピリジル基が金属と動的に相互作用する。その結果として、金属の転写が促進される（図１ｄ）。一方、ポリスチレン部位は低沸点極性有機溶媒には不溶なことから、膜自体は固定されているため、これも転写に有利に働く。
図１は、本発明の実施例としての、ナノ金属体を転写した構造体の作製手法プロセスを示したものである。まず、ナノ構造を有するスタンプ１０１の表面に、金属薄膜１０２を形成する（図１ａ）。つまり、電子ビーム蒸着や熱蒸着、またはスパッタリングなどを用いて金、銀、銅などの金属薄膜を蒸着させる。これと並行して、転写対象となる基板１０３の表面にブロック共重合体自己組織化薄膜１０４を形成する（図１ｂ）。つまり、トルエンやオルトキシレンなどの炭化水素系有機溶媒に溶解させた親油性部分であるポリスチレンなどと疎油性部分であるポリ−2−ビニルピリジンなどからなるブロック共重合体をスピンコート法やディップコーティング法などの薄膜塗布手法により形成する。その際、ブロック共重合体の相分離により、親油性部分と疎油性部分とが周期的乃至規則的に２次元配列した自己組織化薄膜が形成される。この基板表面上に、エタノールなどの低沸点極性有機溶媒を滴下した後、上述の金属薄膜付スタンプを静置させる（図１ｃ）。このとき、低沸点極性有機溶媒の蒸発に伴い発生する表面張力により、スタンプ凸部上の金属と基板上のブロック共重合体自己組織化薄膜が密着する。同時に、低沸点極性有機溶媒がポリ−2−ビニルピリジン部位を選択的に溶解させるため、ピリジル基が金属と動的に相互作用する。その結果として、金属の転写が促進される（図１ｄ）。一方、ポリスチレン部位は低沸点極性有機溶媒には不溶なことから、膜自体は固定されているため、これも転写に有利に働く。
上述のスタンプ１０１については、材質は幅広い表面粗度に対応するという観点から、柔軟なポリジメチルシロキサンなどのシリコーン系樹脂、ポリウレタンなどの柔軟性樹脂が好ましい。例えば、ヤング率が1〜20MPa（好ましくは3〜10MPa）のものを採用することができる。しかしながら、特に基板が平坦な場合（表面粗度が10nm以下の場合）は、ポリイミドや石英・シリコンなど剛直なものであっても良い。
スタンプ１０１は、頂面に金属薄膜を保持し得る柱状（例えば、円柱状、長円または楕円柱状、三角、四角、または五角以上の角柱状、星形等の断面異形柱状など）の凸部を複数乃至多数具備している。該凸部の柱状は、裁頭円錐状、裁頭角錐状等の裁頭錐状であっても良い。このような柱状の凸部は、幅（乃至直径、錐状凸部の場合、凸部頂面の幅乃至直径）、高さ、凸部の中心間距離（スペーシング）の少なくとも１つ以上がナノサイズ（好ましくは10〜500nm）に形成される。好ましくは、柱状凸部の少なくとも幅と高さをナノサイズとすることができる。複数乃至多数の凸部は、スタンプ１０１表面において、六角形状（正六角形状、擬正六角形状）、正方形状（または擬正方形状）等の任意の配列形態とすることができる。該凸部のサイズや配列形態は、得られる効果（例えば、プラズモン光散乱効果）の程度や用途を考慮して決定される。例えば、プラズモン光散乱効果を得ようとする場合、幅（乃至直径）が100〜500nm（好ましくは150〜300nm、より好ましくは180〜250nm）、凸部の中心間距離（スペーシング）が200〜2000nm（好ましくは300〜1000nm、より好ましくは400〜700nm）の六角形状配列とすることができる。
スタンプ１０１は、頂面に金属薄膜を保持し得る柱状（例えば、円柱状、長円または楕円柱状、三角、四角、または五角以上の角柱状、星形等の断面異形柱状など）の凸部を複数乃至多数具備している。該凸部の柱状は、裁頭円錐状、裁頭角錐状等の裁頭錐状であっても良い。このような柱状の凸部は、幅（乃至直径、錐状凸部の場合、凸部頂面の幅乃至直径）、高さ、凸部の中心間距離（スペーシング）の少なくとも１つ以上がナノサイズ（好ましくは10〜500nm）に形成される。好ましくは、柱状凸部の少なくとも幅と高さをナノサイズとすることができる。複数乃至多数の凸部は、スタンプ１０１表面において、六角形状（正六角形状、擬正六角形状）、正方形状（または擬正方形状）等の任意の配列形態とすることができる。該凸部のサイズや配列形態は、得られる効果（例えば、プラズモン光散乱効果）の程度や用途を考慮して決定される。例えば、プラズモン光散乱効果を得ようとする場合、幅（乃至直径）が100〜500nm（好ましくは150〜300nm、より好ましくは180〜250nm）、凸部の中心間距離（スペーシング）が200〜2000nm（好ましくは300〜1000nm、より好ましくは400〜700nm）の六角形状配列とすることができる。
金属薄膜１０２については、ピリジル基等の配位性官能基と相互作用しうるあらゆる金属が適応可能であるが、プラズモン効果を狙う場合は、金、銀、銅、アルミニウムであることが好ましい。厚みは300nm以下であることが好ましく、より好ましくは200nm以下、さらに好ましくは100nm以下である。
基板１０３については、材質はブロック共重合体の自己組織化薄膜形成条件（炭化水素系有機溶媒）に耐えうる任意のものが可能であり、導電性、絶縁性、半導体、透過性（例えば、可視光の80％以上の透過性、赤外線、紫外線等の電磁波に対する透過性）などのもの、具体的には、シリコン（単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン）、フッ素ドープ酸化スズ、ガラス、樹脂、セラミックス等や、そのような材質の表面層を有する積層体を採用することができる。狭義の基板だけではなく、転写された多数のナノ金属体を表面に保持しうる構造体であれば良く、例えば、太陽電池、電気・電子素子、光・電気素子等の製造途中物、半製品、それらの一部の層をなす構成層であっても良い。また、基板の転写対象面の粗度は100nm以下であることが好ましい。本発明では、基板の転写対象面の粗度を、例えば10〜100nm、20〜100nm、30〜100nm、50〜100nmのように設定することができ、このような非平坦面に対しても良好な転写を行うことができる。
なお、本発明において、基板の転写対象面の粗度は、二乗平均平方根粗さ（RMS）（JIS B601-1994）を意味する（以下、本発明における「粗度」を「RMS」と記載することがある）。
なお、本発明において、基板の転写対象面の粗度は、二乗平均平方根粗さ（RMS）（JIS B601-1994）を意味する（以下、本発明における「粗度」を「RMS」と記載することがある）。
ブロック共重合体自己組織化薄膜１０４については、ポリスチレンとポリ−2−ビニルピリジンからなるものに特に制限されることなく、公知のものを使用することができる。例えば、親油性部位にはポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリビニルナフタレン、ポリシロキサン等、疎油性部位にはポリ−4−ビニルピリジン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルピロリドン、ポリチオフェン、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミド、ポリラクトン、ポリラクチド等の組み合わせからなるブロック共重合体が挙げられる。なお、ブロック共重合体の重量に占める疎油性部位の重量の割合（数平均分子量ベース）は、良好な転写を得る上で20％以上80％以下であることが好ましく、より好ましくは40％以上60％以下である。また、疎油性部位は、より良好な転写性を得るためにピリジル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、カルボニル基、チオフェニル基、アミド基等の配位性官能基を有するものとすることができる。
スタンプを用いた転写の際に存在させる低沸点極性有機溶媒としては、例えば１〜３の炭素原子を有し、沸点が100℃以下のものが使用できる。具体的には、エタノール、メタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等のアルコール系極性有機溶媒、アセトン、アセトニトリル等のアルコール系以外の極性有機溶媒が挙げられ、ブロック共重合体における疎油性セグメントを選択的に溶解させることができる。
該低沸点極性有機溶媒は、滴下、塗布等の適宜の手段により、ブロック共重合体自己組織化薄膜上とスタンプのナノ金属体表面上の少なくとも一方（好適には該薄膜上）に適用され、転写の際に該薄膜とナノ金属体との間に存在せしめることができる。
該低沸点極性有機溶媒は、滴下、塗布等の適宜の手段により、ブロック共重合体自己組織化薄膜上とスタンプのナノ金属体表面上の少なくとも一方（好適には該薄膜上）に適用され、転写の際に該薄膜とナノ金属体との間に存在せしめることができる。
金属の転写については、スタンプ上の転写されうる金属ナノ構造のうち80％以上（個数ベース）の転写が所定の観察範囲（無作為で選ばれた、例えば一辺が2〜5μm程度の正方形の観察範囲）内において行われることを本発明における「良好な転写構造」とする。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例によって何ら制限されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、各種の材料変更、設計変更、条件調整等が可能である。
（実施例１）
図２に、本実施形態の一つとして結晶シリコン表面上に転写した金ナノ構造の例を示す。本実施例における、結晶シリコン表面のRMSは0.1nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。この結晶シリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：183500g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：125000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：58500g/mol）の0.5重量%トルエン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
図２に、本実施形態の一つとして結晶シリコン表面上に転写した金ナノ構造の例を示す。本実施例における、結晶シリコン表面のRMSは0.1nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。この結晶シリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：183500g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：125000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：58500g/mol）の0.5重量%トルエン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
（実施例２）
図３に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりガラス基板上に作製した微結晶シリコン表面上に転写した銀ナノ構造の例を示す。本実施例における、微結晶シリコン表面のRMSは6.8nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。この微結晶シリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−4−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：199000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：102000g/mol、ポリ−4−ビニルピリジン分：97000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銀薄膜（厚さ80nm）を電子ビーム蒸着させた直径230nm、高さ500nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
図３に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりガラス基板上に作製した微結晶シリコン表面上に転写した銀ナノ構造の例を示す。本実施例における、微結晶シリコン表面のRMSは6.8nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。この微結晶シリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−4−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：199000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：102000g/mol、ポリ−4−ビニルピリジン分：97000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銀薄膜（厚さ80nm）を電子ビーム蒸着させた直径230nm、高さ500nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
つぎに、本実施例２に引き続き作製した銀ナノ構造を含んだ微結晶シリコン太陽電池動作について説明する。図４には、銀ナノ構造を含んだ微結晶シリコン太陽電池の断面概略図、図５にはIV特性を示す。図５中（ａ）は、図４に示した太陽電池の特性、（ｂ）には図４のうち銀ナノ構造をのぞいた太陽電池での特性を示している。これより、（ａ）、（ｂ）ともに同様の開放電圧（0.53V）と曲線因子（0.77）が得られているが、短絡電流密度に関しては（ａ）が12.3mA/cm2と（ｂ）の11.3mA/cm2という値を上回っている。太陽電池変換効率は（ａ）が5.0%、（ｂ）が4.6%であった。すなわち、転写した銀ナノ構造の導入により、短絡電流密度が増加し、太陽電池変換効率の向上につながっている。
（実施例３）
図６に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりテクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板上に作製したアモルファスシリコン表面上に転写した銀ナノ構造の例を示す。本実施例における、アモルファスシリコン表面のRMSは27.7nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。このアモルファスシリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：265000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：133000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：132000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銀薄膜（厚さ60nm）を電子ビームで蒸着させた直径230nm、高さ200nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
図６に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりテクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板上に作製したアモルファスシリコン表面上に転写した銀ナノ構造の例を示す。本実施例における、アモルファスシリコン表面のRMSは27.7nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。このアモルファスシリコン表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：265000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：133000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：132000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銀薄膜（厚さ60nm）を電子ビームで蒸着させた直径230nm、高さ200nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が100％）。
つぎに、本実施例３に引き続き作製した銀ナノ構造を含んだアモルファスシリコン太陽電池動作について説明する。図７には、銀ナノ構造を含んだアモルファスシリコン太陽電池の断面概略図、図８にはIV特性を示す。図８中（ａ）は、図７に示した太陽電池の特性、（ｂ）には図７のうち銀ナノ構造をのぞいた太陽電池での特性を示している。これより、（ａ）、（ｂ）ともに同様の開放電圧（0.93V）と曲線因子（0.72）が得られているが、短絡電流密度に関しては（ａ）が11.3mA/cm2と（ｂ）の11.0mA/cm2という値を上回っている。太陽電池変換効率は（ａ）が7.5%、（ｂ）が7.2%であった。すなわち、転写した銀ナノ構造の導入により、短絡電流密度が増加し、太陽電池変換効率の向上につながっている。
（実施例４）
図９に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりテクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板上に転写した銅ナノ構造の例を示す。本実施例における、フッ素ドープ酸化スズ基表面のRMSは28.2nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。このフッ素ドープ酸化スズ基表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：793000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：440000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：353000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銅薄膜（厚さ40nm）を電子ビームで蒸着させた直径230nm、高さ500nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が約90％）。
図９に、本実施形態の一つとしてプラズマ援用化学気相蒸着法によりテクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板上に転写した銅ナノ構造の例を示す。本実施例における、フッ素ドープ酸化スズ基表面のRMSは28.2nmであった（KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）。このフッ素ドープ酸化スズ基表面にブロック共重合体としてポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：793000g/mol、そのうちポリスチレンセグメント分：440000g/mol、ポリ−2−ビニルピリジンセグメント分：353000g/mol）の0.3重量%オルトキシレン溶液をスピンコートし、自己組織化薄膜を形成した。次に、このブロック共重合体自己組織化薄膜表面にエタノールを滴下し、銅薄膜（厚さ40nm）を電子ビームで蒸着させた直径230nm、高さ500nm、スペーシング460nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除くことにより良好な転写構造を得た（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が約90％）。
（比較例１）
ブロック共重合体を用いず、親油性ポリマーを用いた比較例として、結晶シリコン表面（RMS0.1nm、KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）にポリスチレン（数平均分子量（Mn）：400000g/mol）の0.5重量%トルエン溶液をスピンコートし、薄膜を形成した。このポリスチレン薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除いたが、転写構造は全く得られなかった（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が1％未満）。
ブロック共重合体を用いず、親油性ポリマーを用いた比較例として、結晶シリコン表面（RMS0.1nm、KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）にポリスチレン（数平均分子量（Mn）：400000g/mol）の0.5重量%トルエン溶液をスピンコートし、薄膜を形成した。このポリスチレン薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除いたが、転写構造は全く得られなかった（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が1％未満）。
（比較例２）
ブロック共重合体を用いず、疎油性ポリマーを用いた比較例として、テクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板（RMS28.2nm、KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）にポリ-2-ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：152000g/mol）の0.5重量%エタノール溶液をスピンコートし、薄膜を形成した。このポリ-2-ビニルピリジン薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除いたが、ブロック共重合体自己組織化薄膜を用いた場合（実施例４）のような良好な転写構造は得られなかった（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が約50％程度）。
ブロック共重合体を用いず、疎油性ポリマーを用いた比較例として、テクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ基板（RMS28.2nm、KEYENCEナノスケールハイブリッド顕微鏡 VN-8000を用いて測定）にポリ-2-ビニルピリジン（数平均分子量（Mn）：152000g/mol）の0.5重量%エタノール溶液をスピンコートし、薄膜を形成した。このポリ-2-ビニルピリジン薄膜表面にエタノールを滴下し、金薄膜（厚さ40nm）を電子ビーム蒸着させた直径345nm、高さ200nm、スペーシング690nmの六角形状配列円柱ナノ構造を有するポリジメチルシロキサンスタンプを静置させた。これを簡易な密封容器に移し、内部を減圧することでエタノールの蒸発を促進させた。エタノール蒸発後、常圧下においてサンプルを取り出し、スタンプを取り除いたが、ブロック共重合体自己組織化薄膜を用いた場合（実施例４）のような良好な転写構造は得られなかった（一辺が4μmの正方形観察範囲内における金属ナノ構造の転写された割合が約50％程度）。
以上の実施例１−４および比較例１、２で示したとおり、本発明手法では、特定のブロック共重合体自己組織化薄膜を転写対象基板上に導入したことにより、平坦・非平坦を問わず任意の材料表面上において金属ナノ構造の転写が進行することができる。さらに、本発明手法により作製した金属ナノ構造を太陽電池に導入することにより、太陽電池特性を向上させることができる。ただし、本発明の用途は太陽電池に限定されず、その他の半導体素子などにも幅広く適用可能である。
この発明は、ナノ構造作成手法に関するものであり、これは平坦・非平坦を問わず任意の材料表面上における金属ナノ構造作製に利用することができる。
１０１：ナノ構造を有するスタンプ
１０２：金属薄膜
１０３：転写対象基板
１０４：ブロック共重合体自己組織化薄膜
４０１：ガラス基板
４０２：フッ素ドープ酸化スズ
４０３：微結晶シリコン
４０４：転写銀ナノ構造
４０５：ガリウムドープ酸化亜鉛
４０６：銀電極
７０１：ガラス基板
７０２：テクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ
７０３：アモルファスシリコン
７０４：転写銀ナノ構造
７０５：ガリウムドープ酸化亜鉛
７０６：銀電極
１０２：金属薄膜
１０３：転写対象基板
１０４：ブロック共重合体自己組織化薄膜
４０１：ガラス基板
４０２：フッ素ドープ酸化スズ
４０３：微結晶シリコン
４０４：転写銀ナノ構造
４０５：ガリウムドープ酸化亜鉛
４０６：銀電極
７０１：ガラス基板
７０２：テクスチャ付フッ素ドープ酸化スズ
７０３：アモルファスシリコン
７０４：転写銀ナノ構造
７０５：ガリウムドープ酸化亜鉛
７０６：銀電極
Claims (6)
- 基板表面に親油性ポリマーセグメントと疎油性ポリマーセグメントとを有するブロック共重合体自己組織化薄膜を形成し、低沸点極性有機溶媒の存在下で、該薄膜上にナノ構造を有するスタンプに蒸着されたナノ金属体を転写することを特徴とする表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
- 上記基板表面は、その粗度が100nm以下であることを特徴とする上記（１）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
- 親油性ポリマーセグメントが、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリビニルナフタレン、ポリシロキサン、または、これらの組み合わせからなり、疎油性ポリマーセグメントが、ポリ−4−ビニルピリジン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルピロリドン、ポリチオフェン、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミド、ポリラクトン、ポリラクチド、または、これらの組み合わせからなることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
- 上記ナノ構造を有するスタンプは、ナノ構造のサイズが10nm〜500nmの範囲にあることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか1項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
- 上記ナノ金属体は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、白金、または、これらの合金からなることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか1項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
- 上記基板は、太陽電池またはその構成層であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか1項に記載の表面に多数のナノ金属体を転写した構造体の製造方法。
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