JP2015003323A - ニードル低減はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、ニードル状の突起の発生を抑制可能なバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプを提供する。
【解決手段】バンプ用はんだ合金粉末は、Ag : 2.0〜5.0質量%、Cu : 0.1〜1.0質量%を含有し、さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有している。また、バンプ用はんだペーストは、このはんだ合金粉末と、フラックスとを混合して形成されている。さらに、はんだバンプは、このバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されている。
【選択図】なし
【解決手段】バンプ用はんだ合金粉末は、Ag : 2.0〜5.0質量%、Cu : 0.1〜1.0質量%を含有し、さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有している。また、バンプ用はんだペーストは、このはんだ合金粉末と、フラックスとを混合して形成されている。さらに、はんだバンプは、このバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されている。
【選択図】なし
Description
本発明は、バンプ形成時に生じるニードル状の突起を低減することができるはんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプに関するものである。
半導体の高密度実装技術として、はんだバンプによる接合技術が一般に用いられている。このはんだバンプに用いるはんだ合金粉末としては、Pb−Snはんだ合金粉末などが知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、近年の環境上の配慮等に対応して鉛フリーのはんだ合金の開発が進んでおり、この鉛フリーのはんだ合金としては、SnAg系やSnAgCu系の合金はんだが知られている。
従来には、例えば、SnAgCu系の高温はんだが提案されている(例えば、特許文献2を参照)。この高温はんだは、Agを3.0〜5.0質量%、Cuを0.5〜3.0質量%含有し、残部がSnから成る組成を有するはんだ合金粉末を含んでいる。
しかしながら、上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
即ち、鉛フリーはんだとして代表的なSnAgCu系はんだ合金粉末をペースト化し、そのペーストを用いて印刷・リフロー処理を行い、はんだバンプを形成すると、はんだバンプにニードル状の突起が発生してバンプ形状不良となる場合があった。このニードル状の突起は、隣接する他のはんだバンプに接触してショートを引き起こすおそれがあり、特に、近年のファインピッチのはんだバンプでは、隣接するバンプ同士が近接しており、二−ドル状の突起の発生が大きな問題となる。また、このニードル状の突起が生じると、バンプ高さの均一性が悪くなり、フリップチップ接合時のアッセンブリの際に接合ができなくなる不都合もあった。
即ち、鉛フリーはんだとして代表的なSnAgCu系はんだ合金粉末をペースト化し、そのペーストを用いて印刷・リフロー処理を行い、はんだバンプを形成すると、はんだバンプにニードル状の突起が発生してバンプ形状不良となる場合があった。このニードル状の突起は、隣接する他のはんだバンプに接触してショートを引き起こすおそれがあり、特に、近年のファインピッチのはんだバンプでは、隣接するバンプ同士が近接しており、二−ドル状の突起の発生が大きな問題となる。また、このニードル状の突起が生じると、バンプ高さの均一性が悪くなり、フリップチップ接合時のアッセンブリの際に接合ができなくなる不都合もあった。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、ニードル状の突起の発生を抑制可能なバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプを提供することを目的とする。
本発明者らは、SnAgCu系のはんだ合金材料について鋭意検討の結果、特定の元素を微量に添加することで、ニードル状の突起の発生を抑制可能であることを突き止めた。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
(1)本発明に係るバンプ用はんだ合金材料は、Ag:2.0〜5.0質量%、Cu:0.1〜1.0質量%を含有し、さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有していることを特徴とする。
(1)本発明に係るバンプ用はんだ合金材料は、Ag:2.0〜5.0質量%、Cu:0.1〜1.0質量%を含有し、さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有していることを特徴とする。
このバンプ用はんだ合金粉末は、SnAgCuの一般的な組成範囲であるAg:2.0〜5.0重量%、Cu:0.1〜1.0重量%の組成を有するはんだ合金粉末を改善したものであって、Siを60〜1000質量ppm含有しているので、リフロー処理等ではんだバンプを形成した際にニードル状の突起の発生を抑制し、良好なバンプ形状を得ることができる。
ニードル状の突起は、合金を構成するβ−Sn、Ag3Sn、Cu6Sn5のうち、Ag3Snが粗大化して板状になったものが、凝固時にバンプから出て発生したものであるが、このバンプ用はんだ合金粉末では、Siが60〜1000質量ppm含有されており、明確な機構は、現時点では分かっていないが、この含有量範囲のSi添加により、はんだ組織が微細化した、又はAg3Snの粗大化を抑制したものと考えられる。
ニードル状の突起は、合金を構成するβ−Sn、Ag3Sn、Cu6Sn5のうち、Ag3Snが粗大化して板状になったものが、凝固時にバンプから出て発生したものであるが、このバンプ用はんだ合金粉末では、Siが60〜1000質量ppm含有されており、明確な機構は、現時点では分かっていないが、この含有量範囲のSi添加により、はんだ組織が微細化した、又はAg3Snの粗大化を抑制したものと考えられる。
なお、Siを上記添加量範囲に設定した理由は、上記下限値よりも少ない、又は、上記上限値を超えると、上記ニードル状の突起の発生を抑制する効果が認められないためである。
また、Siの添加量が60質量ppm以上かつ1000質量ppm以下であると、通常、不純物が多いとボイド特性の低下などへの影響があるが、Siは、ニードル抑制も実現し、かつ、この量であれば、ボイド特性への影響も小さい。
なお、Ag及びCuの含有量を上記範囲とした理由は、当業界において、Ag含有量が多い鉛フリー合金の主成分としては、Sn3Ag0.5Cu、Sn4Ag0.5Cu合金が一般的であるためである。
なお、Ag及びCuの含有量を上記範囲とした理由は、当業界において、Ag含有量が多い鉛フリー合金の主成分としては、Sn3Ag0.5Cu、Sn4Ag0.5Cu合金が一般的であるためである。
(2)本発明に係るバンプ用はんだペーストは、前記(1)に記載されたバンプ用はんだ合金粉末と、フラックスとを混合して得たことを特徴とする。
(3)本発明に係るはんだバンプは、前記(2)のバンプ用はんだペーストを用いて形成されたことを特徴とする。
即ち、これらのバンプ用はんだペースト及びはんだバンプでは、前記(1)に記載のバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されているので、ニードル状の突起が生じず、良好なバンプ形状を有しており、ファインピッチのフリップチップであっても良好な接合が可能である。
(3)本発明に係るはんだバンプは、前記(2)のバンプ用はんだペーストを用いて形成されたことを特徴とする。
即ち、これらのバンプ用はんだペースト及びはんだバンプでは、前記(1)に記載のバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されているので、ニードル状の突起が生じず、良好なバンプ形状を有しており、ファインピッチのフリップチップであっても良好な接合が可能である。
以上に述べた本発明によれば、以下の効果を奏する。
即ち、本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプには、Siが60〜1000質量ppm含有されているので、ニードル状の突起の発生を抑制し、良好な形状を有するバンプを得ることができる。したがって、本発明によれば、ファインピッチの高密度フリップチップであっても良好な接合ができ、信頼性の高い高密度実装が可能になる。
即ち、本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプには、Siが60〜1000質量ppm含有されているので、ニードル状の突起の発生を抑制し、良好な形状を有するバンプを得ることができる。したがって、本発明によれば、ファインピッチの高密度フリップチップであっても良好な接合ができ、信頼性の高い高密度実装が可能になる。
以下、本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプの実施形態について、図を参照しながら、説明する。
本実施形態におけるバンプ用はんだ合金粉末は、Ag : 2.0〜5.0質量%、Cu:0.1〜1.0質量%を含有し、さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有している。このバンプ用はんだ合金粉末の粒径は、5〜15μmであり、平均粒径は、10μmである。この平均粒径は、レーザー回折・散乱式粒度分析計(Nikkiso社製MT3300)により測定している。また、上記元素及び不純物の含有量の分析は、高周波誘導結合プラズマ発光分析装置(日本ジャーレル・アッシュ社製ICAP−577)を用いて行った。
なお、上記の不可避不純物に関する分析結果について、表2に示した。
なお、上記の不可避不純物に関する分析結果について、表2に示した。
このバンプ用はんだ合金粉末の作製方法は、先ず、Sn、Ag、Cuの各原料に加え、所定含有量になるように秤量したSiの添加元素をルツボ内で熔解させて合金の溶湯とし、さらに、この合金を、ガスアトマイズ法などの手法を用いて造粒することにより、表1に記載の合金組成を有するはんだ合金粉末とする。なお、Siの添加には、99.9999%のSi箔材を用いた。
また、このバンプ用はんだ合金粉末を用いてはんだバンプを作製するには、先ず、上記造粒されたバンプ用はんだ合金粉末と、別途に用意したフラックスとを、例えば、フラックス比率:11質量%で混合してはんだペースト化する。このはんだペーストの粘度は、約150Pa・sである。次に、図1に示すように、例えば、バンプ形成用孔Hを設けたドライフィルムFをSiウェハWに貼り付け、該SiウェハW上のバンプ形成用孔H内に配したアンダーバンプメタルUBM上に、上記はんだペーストPを印刷する。さらに、このはんだペーストPに対して2回のリフロー処理(1stリフロー処理及び2ndリフロー処理)を行ってはんだバンプBを作製する。
上記フラックスは、一般的なフラックスを用いることができ、このフラックスには、通常、ロジン、活性剤、溶剤および増結剤等が含まれる。また、フラックスとしては、ペーストの濡れ性の観点からRAやRMAフラックス等が好ましい。
なお、1stリフロー処理の後に、バンプ形状を整えるため、ドライフィルムFを除去後、RMAポストフラックスを塗布し、再度の2ndリフロー処理を行ってはんだバンプBを得ている。
また、上記アンダーバンプメタルUBMは、Cu、又は、CuにOSP(有機膜処理)を施したもの、Au/Niメッキ処理やSnメッキ処理を施したものである。
なお、1stリフロー処理の後に、バンプ形状を整えるため、ドライフィルムFを除去後、RMAポストフラックスを塗布し、再度の2ndリフロー処理を行ってはんだバンプBを得ている。
また、上記アンダーバンプメタルUBMは、Cu、又は、CuにOSP(有機膜処理)を施したもの、Au/Niメッキ処理やSnメッキ処理を施したものである。
上記2回のリフロー処理は、例えば、図2に示すプロファイル(1stリフロープロファイル:太線、2ndリフロープロファイル:細線)により行う。また、リフロー処理は、ベルト炉を使用し、窒素雰囲気中で行う。
このように作製したはんだバンプは、例えば、直径約100μm、高さ約70μmである。また、バンプピッチは、例えば、150μmである。
このように作製したはんだバンプは、例えば、直径約100μm、高さ約70μmである。また、バンプピッチは、例えば、150μmである。
このように本実施形態のバンプ用はんだ合金粉末では、Siを60〜1000質量ppm含有しているので、リフロー処理等ではんだバンプを形成した際にニードル状の突起の発生を抑制し、良好なバンプ形状を得ることができる。
ニードル状の突起は、合金を構成するβ−Sn、Ag3Sn、Cu6Sn5のうち、Ag3Snが粗大化して板状になったものが、凝固時にバンプから出て発生したものであるが、このバンプ用はんだ合金粉末では、Siが60〜1000質量ppm含有されており、明確な機構は、現時点では分かっていないが、この含有量範囲のSi添加により、はんだ組織が微細化した、又は、Ag3Snの粗大化を抑制したものと考えられる。
ニードル状の突起は、合金を構成するβ−Sn、Ag3Sn、Cu6Sn5のうち、Ag3Snが粗大化して板状になったものが、凝固時にバンプから出て発生したものであるが、このバンプ用はんだ合金粉末では、Siが60〜1000質量ppm含有されており、明確な機構は、現時点では分かっていないが、この含有量範囲のSi添加により、はんだ組織が微細化した、又は、Ag3Snの粗大化を抑制したものと考えられる。
また、本実施形態のはんだバンプでは、このバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されているので、ニードル状の突起が生じず、良好なバンプ形状を有しており、ファインピッチのフリップチップであっても良好な接合が可能である。
次に、上記実施形態におけるバンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプに基づいて、はんだバンプを作製した実施例について、ニードル状の突起発生の有無に関して評価した結果を説明する。
まず、実施例1〜9について、表1に示す成分組成のはんだ合金粉末を作製し、表3に示すフラックス比率でフラックスを混ぜてはんだペーストとした。即ち、本実施例は、添加元素として、Siを60〜1000質量ppm含有している。本実施例の各はんだペーストを用いて、上述したリフロー処理によってはんだバンプを形成した。そして、作製したはんだバンプを、SEM及び光学顕微鏡で観察することで、ニードル状の突起について発生の有無を調べ、その発生率(以下、異形バンプ発生率と称す)を算出した。その結果が、表3の「異形バンプ発生率(%)」欄に示されている。なお、異形バンプ発生率は、(異形バンプ数)/(観察バンプ数)×100の式で算出された。
なお、本実施例と比較するための比較例として、比較例1〜4を用意し、本発明の範囲から外れる上記添加元素の含有量としたものを複数作製し、はんだバンプを作製して、同様にニードル発生率を求めた。これらの結果も併せて表1に示す。なお、比較例1、3は、Siが本発明の範囲よりも少なく含有され、即ち、その含有量は、不可避不純物程度であり、比較例2、4は、Siが本発明の範囲よりも多く含有されている。
なお、各実施例及び比較例において、測定したバンプ数はそれぞれ756個とした。
なお、各実施例及び比較例において、測定したバンプ数はそれぞれ756個とした。
この結果からわかるように、上記比較例1〜4のいずれも、ニードル発生率が1%を超えていた。これらに対し、本発明による実施例1〜9では、いずれも、ニードル発生率が1%未満であり、ニードル状の突起の発生が抑制されていることが確認された。
なお、ニードル状の突起が発生している従来技術によるバンプ形状の例について、SEM写真を図3に示した。
なお、ニードル状の突起が発生している従来技術によるバンプ形状の例について、SEM写真を図3に示した。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
B はんだバンプ
F ドライフィルム
H バンプ形成用孔
P はんだペースト
UBM アンダーバンプメタル
W Siウェハ
F ドライフィルム
H バンプ形成用孔
P はんだペースト
UBM アンダーバンプメタル
W Siウェハ
Claims (3)
- Ag : 2.0〜5.0質量%、Cu : 0.1〜1.0質量%を含有し、
さらに、Siを60〜1000質量ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有していることを特徴とするバンプ用はんだ合金粉末。 - 請求項1に記載のバンプ用はんだ合金粉末と、フラックスとを混合したことを特徴とするバンプ用はんだペースト。
- 請求項2に記載のバンプ用はんだペーストを用いて形成されたことを特徴とするはんだバンプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128110A JP2015003323A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | ニードル低減はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128110A JP2015003323A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | ニードル低減はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ |
Publications (1)
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JP2015003323A true JP2015003323A (ja) | 2015-01-08 |
Family
ID=52299665
Family Applications (1)
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JP2013128110A Pending JP2015003323A (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | ニードル低減はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ |
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2013
- 2013-06-19 JP JP2013128110A patent/JP2015003323A/ja active Pending
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