JP2015001563A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストを抑制しつつ、ノイズ及びクロストークを低減することである。
【解決手段】光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４とＩ字金具１２とＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄとを有する。ＴＯＳＡ１３は、送信モジュール側の光ファイバを保持する。ＲＯＳＡ１４は、受信モジュール側の光ファイバを保持する。Ｉ字金具１２は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間に、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４の側面と平行する様に設けられる。ＥＭＩ吸収パテ１１ａは、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４の上面の一部に設けられ、ＥＭＩ吸収パテ１１ｂは、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間の一部に設けられる。ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄは、ＴＯＳＡ１３の上下面の一部にそれぞれ設けられる。Ｉ字金具１２の一部は、光モジュール１０の筺体に接地されたＴＯＳＡ１３またはＲＯＳＡ１４の一部と電気的に接続されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュールに関する。

従来、光通信技術の発達に伴い、１０Ｇｂｐｓ以上の光信号を送受信可能な光モジュールが提供されている。光モジュールは、例えば、ＭＳＡ（Multi-Source Agreement）等の規格に準拠し、ＴＯＳＡ（Transmitting Optical Sub-Assembly）とＲＯＳＡ（Receiving Optical Sub-Assembly）とを搭載する。一般的に、ＴＯＳＡは、端子部分以外は、金属の筐体を有し、デバイスの発する熱は、放熱シートを介して、筐体に放熱される。一方、ＲＯＳＡは、ＲＯＳＡに内蔵されたＰＤ（Photo Diode）及びＴＩＡ（Trans Impedance Amplifier）と、接地面（グランドパターン）とを、２本のＧＮＤ接続用ボンディングワイヤを使用して、接続している。また、ＴＯＳＡからのＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）、あるいは、ＴＯＳＡとＲＯＳＡ間のクロストークへの対策として、シールド材や金具の追加が行われている。

特開２００９−０４９３３３号公報 特開２００７−１９９１３７号公報 特開２００１−２６８１９０号公報

しかしながら、近年では、コスト削減のため、光モジュールの製造に際し、安価なＴＯＳＡ、ＲＯＳＡが使用されることがある。安価なＴＯＳＡは、通常、筐体が、端子部分と一体化され、セラミック素材により構成される。セラミックは、金属と比較して、ＥＭＩ等の電磁放射ノイズの透過性が高いことから、セラミック筐体を用いた光モジュールでは、ＴＯＳＡからＲＯＳＡへのノイズの影響が増大する。また、安価なＲＯＳＡでは、通常、ＧＮＤ接続用ボンディングワイヤが２本から１本に削減されるため、接地が弱くなり、微小信号を受信するＲＯＳＡにおいては、ＴＯＳＡからの放射光の流入によるクロストーク劣化が懸念される。上述した電磁放射ノイズ（例えば、ＥＭＩ）やクロストークの発生は、光信号の正常な送受信を阻害する要因となる。

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、製造コストを抑制しつつ、ノイズ及びクロストークを低減することのできる光モジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本願の開示する光モジュールは、一つの態様において、第１コネクタと第２コネクタと板状の金属部材と粘性部材とを有する。前記第１コネクタは、送信モジュール側の光ファイバを保持する。前記第２コネクタは、受信モジュール側の光ファイバを保持する。前記板状の金属部材は、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの間に、前記第１コネクタ及び前記第２コネクタの側面と平行する様に設けられる。前記粘性部材は、前記第１コネクタ及び前記第２コネクタの上面の一部と、前記第１コネクタと第２コネクタとの間の一部と、前記第１コネクタの上下面の一部とに設けられる。前記金属部材の一部は、光モジュールの筺体に接地された前記第１コネクタまたは前記第２コネクタの一部と電気的に接続されている。

本願の開示する光モジュールの一つの態様によれば、製造コストを抑制しつつ、ノイズ及びクロストークを低減することができる。

図１は、本実施例に係る光モジュールの外観斜視図である。 図２Ａは、金属筺体ＴＯＳＡとセラミック筺体ＴＯＳＡとのＥＭＩ特性を示す図である。 図２Ｂは、本実施例に係る光モジュールのＥＭＩ特性の改善効果を示す図である。 図３は、本実施例に係る光モジュールのクロストーク特性の改善効果を示す図である。 図４Ａは、本実施例に係る光モジュールのサブプリント基板折曲げ前における筺体内部を示す上面図である。 図４Ｂは、本実施例に係る光モジュールの筺体内部を示す分解斜視図である。 図５Ａは、本実施例に係る光モジュールのプリント基板及びＩ字金具を示す斜視図である。 図５Ｂは、本実施例に係る光モジュールのサブプリント基板折曲げ後における筺体内部を示す上面図である。 図６は、変形例１に係る光モジュールの外観斜視図である。 図７は、変形例２に係る光モジュールの部分断面図である。 図８は、変形例３に係る光モジュールの断面図である。 図９Ａは、Ｉ字金具の外観斜視図である。 図９Ｂは、変形例４に係るＩ字金具を有する光モジュールの断面図である。 図１０Ａは、Ｌ字金具の外観斜視図である。 図１０Ｂは、変形例４に係るＬ字金具を有する光モジュールの断面図である。 図１１は、変形例４に係る光モジュールのＴＯＳＡにおける上昇温度を示す図である。 図１２Ａは、変形例５に係る光モジュールの部分拡大図である。 図１２Ｂは、プリント基板表面に形成されたＲＯＳＡグランド面の上面図である。 図１２Ｃは、プリント基板裏面に形成されたＲＯＳＡ信号面の上面図である。 図１３Ａは、非安価版フレキ部を採用した場合のプリント基板及びサブプリント基板の上面展開図である。 図１３Ｂは、変形例６に係る安価版フレキ部を採用した場合のプリント基板及びサブプリント基板の上面展開図である。

以下に、本願の開示する光モジュールの実施例を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施例により本願の開示する光モジュールが限定されるものではない。

まず、本願の開示する一実施例に係る光モジュールの構成を説明する。図１は、本実施例に係る光モジュール１０の外観斜視図である。図１に示す様に、光モジュール１０は、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄとＩ字金具１２とＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４とを有する。ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄは、電気絶縁体である。ＥＭＩ吸収パテ１１ａは、ＴＯＳＡ１３のレセプタクル部及びＲＯＳＡ１４のレセプタクル部の上側を充填する様に、棒状に設けられる。同様に、ＥＭＩ吸収パテ１１ｂは、ＴＯＳＡ１３のレセプタクル部とＲＯＳＡ１４のレセプタクル部との間を充填する様に、棒状に設けられる。更に、ＴＯＳＡ１３の上下にも、シート状のＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄが設けられている。なお、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄの圧縮前の厚さは、１ｍｍ程度である。Ｉ字金具１２の厚さは、０．１５ｍｍ程度である。

また、図１に示す様に、光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間に、Ｉ字金具１２を挟み込む構造を採る。Ｉ字金具１２は、位置決め用のツメ部１２ａを介して、ＴＯＳＡ１３の少なくとも一部と電気的に接続されている。なお、Ｉ字金具１２は、ＲＯＳＡ１４の少なくとも一部と電気的に接続されるものとしてもよい。

すなわち、光モジュール１０では、パッケージがセラミックで形成されＥＭＩの大きい安価版のＴＯＳＡ１３のレセプタクル部、及び接地が弱くクロストーク劣化の大きい安価版のＲＯＳＡ１４のレセプタクル部と筺体との間が、ＥＭＩ吸収パテ１１ａにより充填される。また、ＴＯＳＡ１３のレセプタクル部のＲＯＳＡ１４側の側面とＲＯＳＡ１４との間が、ＥＭＩ吸収パテ１１ｂにより充填される。ＴＯＳＡ１３のレセプタクル部を除く上下面と筺体との間が、シート状のＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄにより充填される。

なお、ＥＭＩ吸収パテ１１ｂに加えて、ＴＯＳＡ１３のレセプタクル部のＲＯＳＡ１４と反対側（筺体側）の側面と筺体（カバー）との間も、ＥＭＩ吸収パテにより充填されるものとしてもよい。

Ｉ字金具１２は、ＴＯＳＡ１３の側面及びレセプタクル部に接触する様に、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間に差し込まれる。ＴＯＳＡ１３は、ＬＤ（Laser Diode）等の発光素子を有し、ＲＯＳＡ１４は、ＡＰＤ（Avalanche Photo Diode）等の受光素子を有する。

図２Ａは、金属筺体ＴＯＳＡとセラミック筺体ＴＯＳＡとのＥＭＩ特性を示す図である。図２Ａでは、横軸にＥＭＩレベル（単位はｄＢ）が、縦軸に、該ＥＭＩレベルとなる確率（単位は％）が、それぞれ規定されている。図２Ａは、何れのＴＯＳＡに関しても、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄとＩ字金具１２とを有さない状態（初期状態）でのＥＭＩ特性を示す。図２Ａに示す様に、破線で示す金属筺体ＴＯＳＡの場合のＥＭＩ特性ｄ１は、規格値ｓ１に対するマージンＭ１が大きいため、ＥＭＩの低減効果が高い。これに対し、実線で示すセラミック筺体ＴＯＳＡの場合のＥＭＩ特性ｄ２は、低コスト化が可能な分、規格値ｓ１に対するマージンが少なく、ＥＭＩが増大する。

そこで、光モジュール１０は、セラミック筺体ＴＯＳＡ１３の周囲に、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄを配置することで、ＥＭＩ特性の改善を図った。図２Ｂは、本実施例に係る光モジュール１０のＥＭＩ特性の改善効果を示す図である。図２Ｂでは、横軸にＥＭＩレベル（単位はｄＢ）が、縦軸に、該ＥＭＩレベルとなる確率（単位は％）が、それぞれ規定されている。図２Ｂにおいて、実線ｄ２は、上記初期状態でのＥＭＩ特性を示す。また、二点鎖線ｄ３は、Ｉ字金具１２に加えて、ＥＭＩ吸収パテ１１ａのみを有する光モジュール１０のＥＭＩ特性を示す。更に、一点鎖線ｄ４は、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ、１１ｂを有する光モジュール１０のＥＭＩ特性を示し、実線ｄ５は、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄを有する光モジュール１０のＥＭＩ特性を示す。そして、破線ｄ６は、Ｉ字金具１２を削除した場合の光モジュール１０のＥＭＩ特性を示す。

図２Ｂに示す様に、ＥＭＩ吸収パテの充填量がパラメータとなり、ＥＭＩ特性の改善効果は、充填量の増加に伴って向上する。換言すれば、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄが追加されるに連れて、規格値ｓ１に対するマージンが増大し（例えば、実線ｄ５では１０ｄＢ程度）、ＥＭＩが減少する。また、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄが追加されるに連れて、傾きが増大し、ＥＭＩ特性のバラつきが抑制される。

図３は、本実施例に係る光モジュール１０のクロストーク特性の改善効果を示す図である。図３では、横軸にＶ_ｍｏｄ（単位はＶ）が、縦軸に劣化レベル（単位はｄＢ）が、それぞれ規定されている。図３に示す様に、上記初期状態と比較して、クロストーク劣化は、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄの追加により改善するが、Ｉ字金具１２の実装により、更なる改善効果が得られる。例えば、Ｖ_ｍｏｄ＝２．５Ｖ近傍では、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄとＩ字金具１２とを有する光モジュール１０のクロストーク劣化は、上記初期状態と比較して、０．７ｄＢ以上減少している。また、Ｉ字金具１２は、ＴＯＳＡ１３に対して多少の位置変動があっても、安定した改善効果を得ることができる。

上述した様に、光モジュール１０によれば、セラミック筺体の安価なＴＯＳＡ１３、及びＧＮＤ接続用ボンディングワイヤが１本の安価なＲＯＳＡ１４を使用しても、良好なＥＭＩ特性及び良好なクロストーク特性を発揮することができる。

図４Ａは、本実施例に係る光モジュール１０のサブプリント基板１９折曲げ前における筺体内部を示す上面図である。図４Ａに示す様に、ＥＭＩ吸収パテ１１ｄは、ＴＯＳＡ１３の下側に敷かれる様に設けられている。また、光モジュール１０の後方（ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４と反対側）のサブプリント基板１９上部には、厚さ０．５ｍｍ程度の放熱シート２２が設けられている。図４Ｂは、本実施例に係る光モジュール１０の筺体内部を示す分解斜視図である。図４Ｂに示す様に、ＥＭＩ吸収パテ１１ｄは、ＴＯＳＡ１３の下側に敷かれる様に設けられている。また、プリント基板１６及びサブプリント基板１９は、ネジ１６ａ、１６ｂにより、フレーム２０と嵌合されている。

図５Ａは、本実施例に係る光モジュール１０のプリント基板１６及びＩ字金具１２を示す斜視図である。図５Ａに示す様に、プリント基板１６上では、ＴＯＳＡ、ＲＯＳＡ用一体化ＩＣ（Integrated Circuit）１７とレセホルダ１８との間に、Ｉ字金具１２が配置される。Ｉ字金具１２は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４とを遮蔽し、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間におけるクロストークの発生を抑制する。図５Ｂは、本実施例に係る光モジュール１０のサブプリント基板１９折曲げ後における筺体内部を示す上面図である。図５Ｂに示す様に、ＥＭＩ吸収パテ１１ａは、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４のレセプタクル部の上側に設けられ、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃは、ＴＯＳＡ１３の上側を覆う様に設けられている。また、光モジュール１０の後方（ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４と反対側）のプリント基板１６上部には、厚さ０．５ｍｍ程度の放熱シート１５が設けられている。サブプリント基板１９は、フレキ部２１（図５Ａ参照）により折り曲げられ、プリント基板１６と共に２層構造を形成する。

以上説明した様に、光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４とＩ字金具１２とＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄとを有する。ＴＯＳＡ１３は、送信モジュール側の光ファイバを保持する。ＲＯＳＡ１４は、受信モジュール側の光ファイバを保持する。Ｉ字金具１２は、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間に、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４の側面と平行する様に設けられる。ＥＭＩ吸収パテ１１ａは、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４の上面の一部に設けられ、ＥＭＩ吸収パテ１１ｂは、ＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４との間の一部に設けられる。ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄは、ＴＯＳＡ１３の上下面の一部にそれぞれ設けられる。Ｉ字金具１２の一部は、光モジュール１０の筺体に接地されたＴＯＳＡ１３またはＲＯＳＡ１４の一部と電気的に接続されている。従って、光モジュール１０は、製造コストを抑制しつつ、ＥＭＩ等のノイズ及びクロストークを低減することができる。

以下、図６〜図１３Ｂを参照し、上記実施例の変形例について説明する。

（変形例１）
図６は、変形例１に係る光モジュール１０の外観斜視図である。図６に示す様に、ＳＦＰ（Small Form-factor Pluggable）＋タイプの光通信装置では、例えば、２×４の多連ケージで光モジュール１０が使用され、装置の回路基板２３上に、１０ＧＨｚのＥＭＩノイズ源ＩＣ２３ａが搭載される場合がある。この場合、装置内後方からＥＭＩが放射されることとなるが、上記実施例に係る光モジュール１０の構成を採ることで、バラつき７０％においても９ｄＢ程度のマージンをとることが可能である。しかしながら、光通信装置は、ＥＭＩ吸収パテを、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４と反対側（カードエッジ側）に設けることで、光モジュール１０を装置に搭載した時に装置後方で発生するＥＭＩノイズを更に抑制することができる。具体的には、光モジュール１０を実装する光通信装置は、サブプリント基板１９（図５Ｂ参照）の表面を覆う様に、シート状のＥＭＩ吸収パテを追加的に設置する。これにより、光通信装置は、自装置内後方（例えば、ノイズ源ＩＣ２３ａ）から放射されるＥＭＩがＲＯＳＡ１４やＴＯＳＡ１３に与える影響を、より確実に低減することができる。その結果、光通信装置は、より高いＥＭＩ特性を確保することが可能となる。

（変形例２）
図７は、変形例２に係る光モジュール１０の部分断面図である。変形例２に係る光モジュール１０では、プリント基板１６は信号接地（ＳＧ：Signal Ground）であるが、Ｉ字金具１２及びＴＯＳＡ１３は、図７に示す様に、筺体（フレーム２０とカバー２４）に接地されている。なお、図示しないが、ＲＯＳＡ１４が、ＴＯＳＡ１３と同様に筺体接地（ＦＧ：Frame Ground）されていてもよい。光モジュール１０は、かかる構成を採ることで、Ｉ字金具１２とＴＯＳＡ１３とＲＯＳＡ１４とを、回路グランドと分離する。これにより、光モジュール１０は、ＥＳＤ（Electro Static Discharge）の影響を抑制する。なお、光ファイバの挿入される、ＴＯＳＡ１３及びＲＯＳＡ１４のレセプタクル部に対する静電耐圧試験においても、ＥＳＤの十分な低減が確認された。

（変形例３）
図８は、変形例３に係る光モジュール１０の断面図である。図８に示す様に、ＴＯＳＡ１３と筺体（フレーム２０、カバー２４）との間における上下の隙間量は、ＴＯＳＡ１３の上下面の一部に設けられたＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄの圧縮率が上記筺体の嵌合時に均等（例えば、５０％程度）となる様に、決定される。ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄの形状はシート状であるが、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄには、圧縮前の厚さが１．０ｍｍ以下に加工することができないという材料上の制約がある。従って、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄの厚さは共に約１．０ｍｍとなる。光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３の下側の隙間量と、ＴＯＳＡ１３の上側の隙間量とを略同一の値とすることで、筺体嵌合時に、各ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄに対し、略同一の圧縮荷重（例えば、６ｋｇ／ｃｍ^２程度）を掛けることができる。これにより、ＴＯＳＡ１３の上下に充填されたＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄは、上下均等な応力配分となる。その結果、各ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄの圧縮率は略同一の値となる。

すなわち、光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３の下面とフレーム２０との間の隙間を約０．５０ｍｍとし、ＴＯＳＡ１３の上面とカバー２４との間の隙間を約０．５５ｍｍとする。これにより、下側の隙間に充填されたＥＭＩ吸収パテ１１ｄの厚みは、約１．０ｍｍから約０．５０ｍｍに圧縮されるため、約５０％の圧縮率となる。一方、上側の隙間に充填されたＥＭＩ吸収パテ１１ｃの厚みは、約１．０ｍｍから約０．５５ｍｍに圧縮され、約４５％の圧縮率となる。この様に、光モジュール１０は、ＴＯＳＡ１３と筺体との隙間量を適切な値に決定することで、各ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄの荷重圧縮量の調整を図ることができる。

ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄは、シート厚が薄い程、熱抵抗が少なく放熱効果が高い。このため、光モジュール１０は、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃよりも面積が小さく放熱効果の低いＥＭＩ吸収パテ１１ｄの圧縮率（約５０％）を、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃの圧縮率（約４５％）よりも５％程度高くする。これにより、ＥＭＩ吸収パテ１１ｄの放熱効果が向上し、ＥＭＩ吸収パテ１１ｄは、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃと同等の放熱効果を発揮することができる。換言すれば、光モジュール１０は、上記圧縮率の変更により、ＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄ間における放熱効果の調整を図ることができる。

（変形例４）
図９Ａは、Ｉ字金具１２の外観斜視図である。図９Ｂは、変形例４に係るＩ字金具１２を有する光モジュール１０の断面図である。図９Ｂに示す様に、Ｉ字金具１２は、放熱性の高いＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｅ、１１ｆの間に設けられ、ＴＯＳＡ１３、ＲＯＳＡ１４間のクロストークを抑制する。ＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｅ、１１ｆは、筺体嵌合時の圧縮後に、所定の熱伝導率約３．４Ｗ／ｍ・Ｋを有するため、光モジュール１０の筺体の温度上昇を抑制することができる。

Ｉ字金具１２は、Ｌ字型であってもよい。図１０Ａは、Ｌ字金具２５の外観斜視図である。図１０Ｂは、変形例４に係るＬ字金具２５を有する光モジュール１０の断面図である。図１０Ｂに示す様に、Ｌ字金具２５は、放熱性の高いＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｇ、１１ｈとＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｉとの間に設けられ、ＴＯＳＡ１３、ＲＯＳＡ１４間のクロストークを抑制する。ＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｇ、１１ｈ、１１ｉは、筺体の嵌合により、それぞれ７０％、７０％、５０％の荷重圧縮率、すなわち、０．３０ｍｍ、０．３０ｍｍ、０．５０ｍｍの厚さに圧縮される。該圧縮後において、各ＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｇ〜１１ｉは、所定の熱伝導率約３．４Ｗ／ｍ・Ｋを有する。また、Ｌ字金具２５は、厚さ０．１５ｍｍ程度であり、リン青銅により形成されるため、約６５Ｗ／ｍ・Ｋの高い熱伝導率を有する。このため、ＴＯＳＡ１３の上面において、Ｌ字金具２５の一面が、シート状のＥＭＩ吸収放熱パテ１１ｇ、１１ｈ間に介在することで、ＴＯＳＡ１３上部を発信源とするクロストークを低減させるだけでなく、ＴＯＳＡ１３の発する熱を効率良く筺体外部に放出することができる。

図１１は、変形例４に係る光モジュール１０のＴＯＳＡ１３における上昇温度を示す図である。図１１に示す様に、金具の挿入により、初期状態（７０．６１℃）と比較して、ＴＯＳＡ１３の温度は上昇しているが、その上昇幅は、初期状態（０．６１℃）と同様に、１℃以内に収まっている。特に、Ｌ字金具２５を有する光モジュール１０では、上昇幅は“０．７７℃”であり、Ｉ字金具１２を有する光モジュール１０の“０．８３℃”と比較しても、低い上昇幅に留まっている。従って、変形例４に係る光モジュール１０によれば、高い放熱効果を維持しつつ、クロストーク特性及びＥＭＩ特性の更なる向上が可能となる。

なお、金具の形状は、Ｉ字やＬ字に限らず、コの字やロの字等、他の形状であってもよい。

（変形例５）
図１２Ａは、変形例５に係る光モジュール１０の部分拡大図である。図１２Ａに示す様に、変形例５に係る光モジュール１０では、ＲＯＳＡ１４に接続する基板の上下面が、ＭＳＡ−ＸＭＤ（Multi Source Agreement−10gigabit Miniature Device）規格に対し、逆である。図１２Ｂは、プリント基板表面に形成されたＲＯＳＡグランド面１６ｃの上面図である。これに対し、図１２Ｃは、プリント基板裏面に形成されたＲＯＳＡ信号面１６ｄの上面図である。光モジュール１０は、ＲＯＳＡフレキの搭載面を上下反対にする構成を採ることで、ＲＯＳＡグランド面１６ｃを上面とする。これにより、ＲＯＳＡ信号面１６ｄが、ＴＯＳＡ信号面と同一面（プリント基板１６の表面）にある場合と比較して、シールド効果が強化される。その結果、クロストークが抑制され、光伝送品質が更に向上する。

（変形例６）
図１３Ａは、非安価版フレキ部２１ａを採用した場合のプリント基板１６及びサブプリント基板１９の上面展開図である。一方、図１３Ｂは、変形例６に係る安価版フレキ部２１ｂを採用した場合のプリント基板１６及びサブプリント基板１９の上面展開図である。非安価版フレキ部２１ａの材料は、例えばポリイミドであるが、安価版フレキ部２１ｂでは、例えば、樹脂性のＣｕｔｅという材料を用いることができる。すなわち、光モジュール１０では、安価版フレキ部２１ｂとして、例えば、機械的強度の弱い安価版のリジットフレキを採用するものとしてもよい。

但し、安価版フレキ部２１ｂは、非安価版フレキ部２１ａと比較して、機械的強度が劣る。このため、図１３Ｂに示す様に、安価版フレキ部２１ｂは、横幅を広くすることで、アスペクト比（縦横比）を増加させる。フレキ部２１に捻れが無い場合、アスペクト比が大きい程、荷重に強いが、非安価版フレキ部２１ａのアスペクト比は約１．０４（≒５．４ｍｍ÷５．２ｍｍ）であるのに対し、安価版フレキ部２１ｂのアスペクト比は約１．０７（≒６．１ｍｍ÷５．７ｍｍ）である。これにより、光モジュール１０は、安価版フレキ部２１ｂを採用しても、非安価版フレキ部２１ａと同等の耐荷重性を得ることができる。また、図１３Ｂに示す様に、非安価版フレキ部２１ａのくびれ部の深さが５．２ｍｍであるのに対し、安価版フレキ部２１ｂのくびれ部の深さは５．７ｍｍである。これにより、光モジュール１０は、安価版フレキ部２１ｂを採用しても、非安価版フレキ部２１ａと同等の対捻れ強度を得ることができる。

なお、上記実施例及び変形例では、ＳＦＰ＋タイプの光モジュールを想定して説明した。しかしながら、上記実施例及び変形例に係る光モジュールの構成は、例えば、ＸＦＰ（10gigabit small Form-factor Pluggable）、ＣＦＰ（C Form-factor Pluggable）、ＣＦＰ２、ＣＦＰ４等の他のタイプの光モジュールにも適用することができる。

また、ＥＭＩ吸収パテ１１ａ〜１１ｄは、絶縁性を有するパテに限らず、ゴム等の他の粘性部材であってもよい。シート状のＥＭＩ吸収パテ１１ｃ、１１ｄについても、ＴＯＳＡ１３の上下面に限らず、側面や前後の面に設けられるものとしてもよい。

１０ 光モジュール
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）吸収パテ
１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ、１１ｉ ＥＭＩ吸収放熱パテ
１２ Ｉ字金具
１２ａ 位置決め用ツメ部
１３ ＴＯＳＡ（Transmitting Optical Sub-Assembly）
１４ ＲＯＳＡ（Receiving Optical Sub-Assembly）
１４ａ ＰＤ（Photo Diode）ステム
１５ プリント基板用放熱シート
１６ プリント基板
１６ａ、１６ｂ ネジ
１６ｃ ＲＯＳＡグランド面
１６ｄ ＲＯＳＡ信号面
１７ ＴＯＳＡ、ＲＯＳＡ用一体化ＩＣ（Integrated Circuit）
１８ レセホルダ
１９ サブプリント基板
２０ フレーム
２１ フレキ部
２１ａ 非安価版フレキ部
２１ｂ 安価版フレキ部
２２ サブプリント基板用放熱シート
２３ 装置回路基板
２３ａ 装置内後方ノイズ源ＩＣ
２４ カバー
２５ Ｌ字金具
２５ａ、２５ｂ 位置決め用ツメ部
ｄ１ 金属筺体ＴＯＳＡの場合のＥＭＩ特性
ｄ２ セラミック筺体ＴＯＳＡの場合のＥＭＩ特性
ｄ３〜ｄ５ Ｉ字金具を有する場合のＥＭＩ特性
ｄ６ Ｉ字金具を有さない場合のＥＭＩ特性
Ｍ１、Ｍ２ マージン
ｓ１ ＥＭＩレベルの規格値
ｔ１ ＧＮＤ端子
ｔ２ ＯＵＴＰ端子
ｔ３ Ｖ_ｃｃ端子
ｔ４ ＲＳＳＩ端子
ｔ５ ＯＵＴＮ端子
ｕ１ ＧＮＤパターン
ｕ２ ＯＵＴＰパターン
ｕ３ Ｖ_ｃｃパターン
ｕ４ ＲＳＳＩパターン
ｕ５ ＯＵＴＮパターン
ｕ６ ＧＮＤパターン
ｕ７ ＧＮＤパターン
ｕ８ ＲＳＳＩパターン

Claims (4)

1. 送信モジュール側の光ファイバを保持する第１コネクタと、
   受信モジュール側の光ファイバを保持する第２コネクタと、
   前記第１コネクタと前記第２コネクタとの間に、前記第１コネクタ及び前記第２コネクタの側面と平行する様に設けられた板状の金属部材と、
   前記第１コネクタ及び前記第２コネクタの上面の一部と、前記第１コネクタと第２コネクタとの間の一部と、前記第１コネクタの上下面の一部とに設けられた粘性部材とを有し、
   前記金属部材の一部が、光モジュールの筺体に接地された前記第１コネクタまたは前記第２コネクタの一部と電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。
2. 前記第１コネクタと前記筺体との間における上下の隙間量は、前記第１コネクタの上下面の一部に設けられた粘性部材の圧縮率が前記筺体の嵌合時に均等となる様に、決定されることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
3. 前記金属部材は、前記第１コネクタと前記筺体との間に、前記第１コネクタの上面と平行する様に設けられ、
   前記第１コネクタの上面の一部に設けられた粘性部材は、前記第１コネクタの上面と平行する様に設けられた前記金属部材の両面に、圧縮して設けられることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
4. 前記第２コネクタのグランド面が、前記第２コネクタに接続する基板の上面に形成され、前記第２コネクタの信号面が、前記基板の下面に形成されることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。

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