JP2014524983A - Hipims電源を用いて真空チャンバ内の物品を前処理及び/又はコーティングする装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図9
Description
基板キャリア及び基板のバイアス電圧が例えば、多少−700V以下から−1200Vまでの実質的に高い値にあるエッチング処理中に更に望ましくない電圧降下が発生する可能性があることが指摘されるべきである。
1)HIPIMSエッチングは1000W/cm2を越えた出力密度で行われる。この場合に、常にこの値以下で作業することができる。例えば、本出願人が作り出すフレキシコート(Flexicoat)850のカソードでは、磁石装置における750cm2の表面にて、密度の高いプラズマが150cm2の領域(すなわち、カソードの全領域のほぼ1/5の各々の部分)に生成される(なお、この領域のサイズは異なって選択することが可能である)。カソードの表面上の平均電力密度は、時間平均で見たときに、約200W/cm2(100W/cm2 /5)である。
2)絶対的に低いピーク電力及びピーク電流を本発明によって達成することができ、それはより高い密度での放電に有利である。例えば、より高い濃度の全領域のプラズマのために、750cm2及び750kWのピーク電力に対して1000Aの放電電流が必要とされる。新たな実施例では、150kWのピーク電力及び200Aの放電電流が必要とされる。
3)電源装置に対する要求は低い。例えば、エッチング中の750cm2放電が300〜400Aのピークバイアス電流を要求することができる。これは240〜320kWの800Vバイアス電圧でバイアス装置のピーク電力に対応する。新しい設計では60〜80Aのピークバイアス電流を達成することができる。これは800Vで48〜64kWのピーク電力に対応する。これは、おそらくアークで小さい有効エネルギーの結果として、望ましくないアーク放電の取り扱いを実質的に容易にし、アーク放電に起因する損傷の危険性を実質的に減少させる。
4)対象、すなわちカソードの全領域の腐食(エロージョン)を達成することができる。
5)また、おそらくその構成は絶縁材料、例えば、Al2O3,AIN,SiNの反応性蒸着のために使用することができる。
Claims (24)
- 真空チャンバ(14)内における物品の前処理及び/又はコーティングのための装置(10)であって、
前記真空チャンバは内部に配置された少なくとも1つのカソード(16)と、少なくとも1つのHIPIMS電源(18)と、前記カソードの表面の前方にトンネル状の磁界を生成する磁界生成装置と、を有し、
前記磁界生成装置(101;201)は、前記カソード(16)の表面の部分(106、108、110、112)の前方に前記トンネル状の磁界を生成するように設計され、
前記磁界生成装置は、前記カソード(16)に対して移動可能、又は前記カソード(16)の表面の少なくとも1つの更なる部分(106、108、110、112)の前方に作用するように前記磁界を生成するために活性化可能であることを特徴とする装置(10)。 - 前記磁界生成装置(101)は前記カソード(16)の後側の後方に配置されている複数の永久磁石(102、104)からなり、
前記磁界生成装置(101)は前記トンネル状の磁界を異なる前記部分(106、108、110、112)で前記カソードの前方に作用させるためにカソードに関して移動可能であること特徴とする請求項1記載の装置(10)。 - 前記カソード(16)は中心長手軸(117)を有する長方形であり、前記中止長手軸は前記長方形の長手辺(118、120)に平行であり、前記磁界生成装置(101)は前記中心長手軸に対して平行にしてリニアに移動可能であり、前記部分の各々の前記磁界の生成のために少なくとも2つの位置でアクティブであることを特徴とする請求項1又は2記載の装置(10)。
- 前記磁界生成装置(101)は、前記カソード(16)の後側に隣接してN極又はS極が配置された永久磁石(102)のリング状の配列からなり、追加の永久磁石(104)又は複数の永久磁石(104)が前記リング状の配列より内側に配置され、前記カソード(16)の後側に隣接した前記追加の磁石(104)又は前記複数の追加の永久磁石(104)の極性は前記リング状の配列の永久磁石(102)の極性とは反対であり、すなわち各々S極又はN極で行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1記載の装置(10)。
- 前記リング状の配列は円形又は楕円形であり、前記リング状の配列より内側に配置された前記永久磁石は中心部に配置され、又は前記リング状の配列より内側に配置された前記追加の永久磁石(104)は1以上の同心円又は楕円のリングにて配置されていること特徴とする請求項4記載の装置(10)。
- 前記リング状の配列は少なくとも長方形又は正方形であり、前記追加の永久磁石はリニアに又は前記リング状の配列より内側に複数の列で備えられていること特徴とする請求項4記載の装置(10)。
- 前記磁界を生成する前記磁界生成装置(201)は、複数の電磁石又はコイル(202、204)からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1記載の装置(10)。
- 前記磁界を生成する前記磁界生成装置(201)は、励磁電流の方向に従って、前記カソード(16)の後側に隣接してN極で又はS極でリング状の配列で各々が配置された複数のコイル(202)からなり、追加のコイル(204)又は複数の追加のコイル(204)が前記リング状の配列より内側に配置され、前記追加のコイル(204)又は前記複数の追加のコイル(204)の励磁電流の方向は、前記カソード(16)の後側に隣接して前記追加のコイル(204)又は前記複数の追加のコイルの極性が前記コイル(202)の前記リング状の配列の極性とは反対であり、すなわち、各々S極又はN極で行われるように選択され、又は選択可能にされていることを特徴とする請求項7記載の装置(10)。
- 前記リング状の配列は円形又は楕円形であり、前記リング状の配列より内側に備えられた前記コイル(204)は中心部に配置され、又は前記リング状の配列より内側に配置された前記複数の追加のコイル(204)は1以上の同心円又は楕円のリングにて配置されていること特徴とする請求項8記載の装置(10)。
- 前記リング状の配列は少なくとも長方形又は正方形であり、前記複数の追加のコイル(204)はリニアに又は前記リング状の配列より内側に複数の列で備えられていること特徴とする請求項1記載の装置(10)。
- 前記磁界生成装置(201)は、マトリックス状に配置されかつ固定されている複数の電磁石又はコイル(202,204)を含むことを特徴とする請求項1記載の装置(10)。
- マトリックス状に配置された前記複数のコイル(202、204)は、前記カソード(16)の後側に隣接してN極又はS極のリング状の配列を生成するためにグループ単位で励磁可能であり、前記リング状の配列より内側の前記追加のコイル(204)又は前記複数の追加のコイル(204)は、前記カソードの後側に隣接して反対の極性を生成するために励磁可能であり、それによって、前記トンネル状の磁界が前記グループと関連付けられた前記カソード(16)の部分(106、108、110、112)の前方に生成され、
マトリックス状に配置された前記複数のコイル(202、204)の少なくとも1つの異なって選択された更なるグループが、前記カソード(16)の少なくとも1つの更なる部分(106、108、110、112)の前方に前記トンネル状の磁界を生成するために励磁可能であることを特徴とする請求項11記載の装置(10)。 - 前記複数のコイルの各々を所望のシーケンス及び所望の極性で活性化させるために複数のスイッチが備えられていることを特徴とする請求項12記載の装置(10)。
- 前記複数のスイッチは半導体スイッチであることを特徴とする請求項13記載の装置(10)。
- 前記カソード及び/又は更なるカソード(16)は、前記磁界を生成する前記磁界生成装置(101;201)又は追加の磁界生成装置(101;201)を用いて反応性コーティングのために利用可能であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1記載の装置(10)。
- 前記磁界の強度及び/又は方向の制御のために前記コイルの電流を制御する装置が備えられていることを特徴とする請求項7乃至15のいずれか1記載の装置(10)。
- コーティング装置の真空チャンバ(14)内に配置される物品の前処理又はエッチングのための方法であって、
前記真空チャンバには内部に配置された少なくとも1つのカソード(16)と、少なくともHIPIMS電源(18)とが備えられ、
前記カソード(16)には磁界を生成する磁界生成装置(101;201)が備えられ、前記磁界生成装置は前記カソード(16)の表面の少なくとも選択された部分(106、108、110、112)にだけに、前記カソード(16)の表面に垂直な成分を有する磁力線を生成し、前記磁界生成装置(101;201)は前記磁界を前記カソード(16)の表面の少なくとも1つの更なる部分(106、108、110、112)に作用させるために前記カソード(16)に対して移動され、又は選択的に活性化されることを特徴とする方法。 - 前記前処理又は前記エッチングのために用いられる同一の前記カソードが前記物品のコーティングのために用いられ、前記物品の前記コーティングは前記カソードだけの動作によって、又は任意にかつ追加的に同一の前記真空チャンバ内に更なるカソードの動作によって行われることを特徴とする請求項17記載の方法。
- 前記物品の前記前処理又はエッチングのために用いられる同一の前記カソードは蒸着コーティングの更なるエッチング又は高密度化処理のために用いられることを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記磁界生成装置(101)は、前記カソードの後側の後方に配置されている永久磁石(102、104)からなり、前記トンネル状の磁界を前記カソードの前方における異なる部分(106、108、110、112)に作用させるために前記カソード(16)について移動されることを特徴とする請求項17乃至19のいずれか1記載の方法。
- 前記カソードは中心長手軸(115)を有する長方形であり、前記中心長手軸(115)は前記長方形の長手辺(118、120)に平行であり、前記磁界を生成する前記磁界生成装置(101)は前記中心長手軸に平行にしてリニアに移動可能であり、前記カソードの個々の部分の前方における少なくとも2つの位置に作用することを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記カソード又は各カソードの前方に前記磁界を生成する前記磁界生成装置(201)は、前記カソードの選択された部分の前又は前記カソード全体の前方に磁界を生成するために異なるグループ毎に励磁される複数の電磁石又はコイル(202、204)からなることを特徴とする請求項17又は18記載の方法。
- 複数のスイッチ、特に複数の半導体スイッチが所望のグループ単位で及び/又は所望の極性で前記コイル(202,204)各々を励磁するために作動されることを特徴とする請求項22記載の方法。
- 前記カソード(16)及び/又は複数の更なるカソード(16)が前記磁界を生成する前記磁界生成装置(101;201)又は更なる磁界生成装置(101;201)を用いて反応性コーティングのために使用されることを特徴とする請求項17乃至23のいずれか1記載の方法。
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