JP2014521066A5 - - Google Patents
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Description
本出願の要約書は、請求項の範囲又はその意味を解釈し若しくは限定するために使用されるものではないことを考慮して提出される。加えて、上述の「発明を実施するための形態」において、開示内容を簡素化するために、種々の特性をまとめて、又は単一の実施形態において説明した。この開示は、請求項に係る実施形態が、各請求項に明示的に記載されたよりも多くの特性を必要とするという意図を反映するものと解されるべきではない。そうではなく、続く請求項に反映されているように、請求項に係る主題は、いかなる開示された実施形態の特性すべてを満たさないものに対しても向けられることがある。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
光センサアセンブリであって、
基板(102、202、302、402)、
基板(102、202、302、402)に接続され、第一の反射スペクトルに対応する入射光の第一の部分を反射するように構成された第一のフォトニック結晶センサ(106)であって、第一の反射スペクトルの第一の波長範囲は第一の検知パラメータの変化に応じて変化する、第一のフォトニック結晶センサ(106)、及び
基板(102、202、302、402)に接続され、第二の反射スペクトルに対応する入射光の第二の部分を反射するように構成された第二のフォトニック結晶センサ(107)であって、第二の反射スペクトルの第二の波長範囲は第二の検知パラメータの変化に応じて変化する、第二のフォトニック結晶センサ(107)を備え、
第一の反射スペクトル及び第二の反射スペクトルは異なる、光センサアセンブリ。
(態様2)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は、第一の屈折率を有する第一の材料及び第二の屈折率を有する第二の材料から形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の材料及び第二の材料から形成された第二の構造を有し、第一の構造は第二の構造と異なる、態様1に記載の光センサアセンブリ。
(態様3)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は、二以上の異なる屈折率を有する二以上の材料で形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の構造の二以上の材料とは異なる少なくとも一つの材料で形成された第二の構造を有する、態様1に記載の光センサアセンブリ。
(態様4)
第一の検知パラメータは、温度、圧力、加速度、及び振動のうちの一つを含む、態様1〜3のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様5)
第一の検知パラメータは、第二の検知パラメータとは異なる、態様1〜3のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様6)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は基板(102、202、302、402)の第一の領域(104)に接続され、かつ第二のフォトニック結晶センサ(107)は基板(102、202、302、402)の第二の領域(105)に接続され、第一の領域(104)は第二の領域(105)とは異なる、態様1〜5のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様7)
基板(102、202、302、402)が光ファイバ(110、210、310、410、506)の端部に接続されるときに、入射光は、光ファイバ(110、210、310、410、506)を介して第一のフォトニック結晶センサ(106)及び第二のフォトニック結晶センサ(107)に略同時に適合される、態様1〜6のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様8)
光を光ファイバの第一端部に適合すること、
光ファイバの第二の端部に接続された第一のフォトニック結晶センサ(106)及び光ファイバの第二の端部に接続された第二のフォトニック結晶センサ(107)のうちの少なくとも一つにより反射された光を検出することであって、第一のフォトニック結晶センサ(106)は第一の検知パラメータに応じて変化する第一の反射スペクトルを表示し、第二のフォトニック結晶センサ(107)は第二の検知パラメータに応じて変化する第二の反射スペクトルを表示する、検出すること、及び
検出された光に基づき第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータのうちの少なくとも一つのパラメータ値を決定することを含む方法。
(態様9)
光ファイバ(110、210、310、410、506)に適合された光は、第一の反射スペクトルに対応する第一の波長範囲及び第二の反射スペクトルに対応する第二の波長範囲を含む波長範囲を有する、態様8に記載の方法。
(態様10)
第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータは同一のパラメータであり、パラメータ値は第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づきかつ第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光に基づき決定される、態様8又は9に記載の方法。
(態様11)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて著しくは変化しない、態様8又は9に記載の方法。
(態様12)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつパラメータ値を決定することは、第一の検知パラメータに対応する値を決定するために、第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光及び第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光を使用することを含む、態様8に記載の方法。
(態様13)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつ方法は第三のセンサから情報を受信することをさらに含み、パラメータ値は第三のセンサからの情報に基づきかつ第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づき決定される、態様8又は9に記載の方法。
(態様14)
態様1〜7のいずれか一項及び方法の態様8〜13のいずれか一項に記載の装置。
(態様15)
態様8〜13のいずれか一項及び装置の態様1〜7のいずれか一項に記載の方法。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
光センサアセンブリであって、
基板(102、202、302、402)、
基板(102、202、302、402)に接続され、第一の反射スペクトルに対応する入射光の第一の部分を反射するように構成された第一のフォトニック結晶センサ(106)であって、第一の反射スペクトルの第一の波長範囲は第一の検知パラメータの変化に応じて変化する、第一のフォトニック結晶センサ(106)、及び
基板(102、202、302、402)に接続され、第二の反射スペクトルに対応する入射光の第二の部分を反射するように構成された第二のフォトニック結晶センサ(107)であって、第二の反射スペクトルの第二の波長範囲は第二の検知パラメータの変化に応じて変化する、第二のフォトニック結晶センサ(107)を備え、
第一の反射スペクトル及び第二の反射スペクトルは異なる、光センサアセンブリ。
(態様2)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は、第一の屈折率を有する第一の材料及び第二の屈折率を有する第二の材料から形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の材料及び第二の材料から形成された第二の構造を有し、第一の構造は第二の構造と異なる、態様1に記載の光センサアセンブリ。
(態様3)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は、二以上の異なる屈折率を有する二以上の材料で形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の構造の二以上の材料とは異なる少なくとも一つの材料で形成された第二の構造を有する、態様1に記載の光センサアセンブリ。
(態様4)
第一の検知パラメータは、温度、圧力、加速度、及び振動のうちの一つを含む、態様1〜3のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様5)
第一の検知パラメータは、第二の検知パラメータとは異なる、態様1〜3のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様6)
第一のフォトニック結晶センサ(106)は基板(102、202、302、402)の第一の領域(104)に接続され、かつ第二のフォトニック結晶センサ(107)は基板(102、202、302、402)の第二の領域(105)に接続され、第一の領域(104)は第二の領域(105)とは異なる、態様1〜5のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様7)
基板(102、202、302、402)が光ファイバ(110、210、310、410、506)の端部に接続されるときに、入射光は、光ファイバ(110、210、310、410、506)を介して第一のフォトニック結晶センサ(106)及び第二のフォトニック結晶センサ(107)に略同時に適合される、態様1〜6のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
(態様8)
光を光ファイバの第一端部に適合すること、
光ファイバの第二の端部に接続された第一のフォトニック結晶センサ(106)及び光ファイバの第二の端部に接続された第二のフォトニック結晶センサ(107)のうちの少なくとも一つにより反射された光を検出することであって、第一のフォトニック結晶センサ(106)は第一の検知パラメータに応じて変化する第一の反射スペクトルを表示し、第二のフォトニック結晶センサ(107)は第二の検知パラメータに応じて変化する第二の反射スペクトルを表示する、検出すること、及び
検出された光に基づき第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータのうちの少なくとも一つのパラメータ値を決定することを含む方法。
(態様9)
光ファイバ(110、210、310、410、506)に適合された光は、第一の反射スペクトルに対応する第一の波長範囲及び第二の反射スペクトルに対応する第二の波長範囲を含む波長範囲を有する、態様8に記載の方法。
(態様10)
第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータは同一のパラメータであり、パラメータ値は第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づきかつ第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光に基づき決定される、態様8又は9に記載の方法。
(態様11)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて著しくは変化しない、態様8又は9に記載の方法。
(態様12)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつパラメータ値を決定することは、第一の検知パラメータに対応する値を決定するために、第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光及び第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光を使用することを含む、態様8に記載の方法。
(態様13)
第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつ方法は第三のセンサから情報を受信することをさらに含み、パラメータ値は第三のセンサからの情報に基づきかつ第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づき決定される、態様8又は9に記載の方法。
(態様14)
態様1〜7のいずれか一項及び方法の態様8〜13のいずれか一項に記載の装置。
(態様15)
態様8〜13のいずれか一項及び装置の態様1〜7のいずれか一項に記載の方法。
Claims (13)
- 光センサアセンブリであって、
基板(102、202、302、402)、
基板(102、202、302、402)に接続され、第一の反射スペクトルに対応する入射光の第一の部分を反射するように構成された第一のフォトニック結晶センサ(106)であって、第一の反射スペクトルの第一の波長範囲は第一の検知パラメータの変化に応じて変化する、第一のフォトニック結晶センサ(106)、及び
基板(102、202、302、402)に接続され、第二の反射スペクトルに対応する入射光の第二の部分を反射するように構成された第二のフォトニック結晶センサ(107)であって、第二の反射スペクトルの第二の波長範囲は第二の検知パラメータの変化に応じて変化する、第二のフォトニック結晶センサ(107)を備え、
第一の反射スペクトル及び第二の反射スペクトルは異なる、光センサアセンブリ。 - 第一のフォトニック結晶センサ(106)は、第一の屈折率を有する第一の材料及び第二の屈折率を有する第二の材料から形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の材料及び第二の材料から形成された第二の構造を有し、第一の構造は第二の構造と異なる、請求項1に記載の光センサアセンブリ。 - 第一のフォトニック結晶センサ(106)は、二以上の異なる屈折率を有する二以上の材料で形成された第一の構造を有し、かつ
第二のフォトニック結晶センサ(107)は、第一の構造の二以上の材料とは異なる少なくとも一つの材料で形成された第二の構造を有する、請求項1または2に記載の光センサアセンブリ。 - 第一の検知パラメータは、温度、圧力、加速度、及び振動のうちの一つを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
- 第一の検知パラメータは、第二の検知パラメータとは異なる、請求項1から4のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
- 第一のフォトニック結晶センサ(106)は基板(102、202、302、402)の第一の領域(104)に接続され、かつ第二のフォトニック結晶センサ(107)は基板(102、202、302、402)の第二の領域(105)に接続され、第一の領域(104)は第二の領域(105)とは異なる、請求項1から5のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
- 基板(102、202、302、402)が光ファイバ(110、210、310、410、506)の端部に接続されるときに、入射光は、光ファイバ(110、210、310、410、506)を介して第一のフォトニック結晶センサ(106)及び第二のフォトニック結晶センサ(107)に略同時に適合される、請求項1から6のいずれか一項に記載の光センサアセンブリ。
- 光を光ファイバの第一端部に適合すること、
光ファイバの第二の端部に接続された第一のフォトニック結晶センサ(106)及び光ファイバの第二の端部に接続された第二のフォトニック結晶センサ(107)のうちの少なくとも一つにより反射された光を検出することであって、第一のフォトニック結晶センサ(106)は第一の検知パラメータに応じて変化する第一の反射スペクトルを表示し、第二のフォトニック結晶センサ(107)は第二の検知パラメータに応じて変化する第二の反射スペクトルを表示する、検出すること、及び
検出された光に基づき第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータのうちの少なくとも一つのパラメータ値を決定することを含む方法。 - 光ファイバ(110、210、310、410、506)に適合された光は、第一の反射スペクトルに対応する第一の波長範囲及び第二の反射スペクトルに対応する第二の波長範囲を含む波長範囲を有する、請求項8に記載の方法。
- 第一の検知パラメータ及び第二の検知パラメータは同一のパラメータであり、パラメータ値は第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づきかつ第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光に基づき決定される、請求項8又は9に記載の方法。
- 第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて著しくは変化しない、請求項8、9又は10に記載の方法。
- 第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは、第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつパラメータ値を決定することは、第一の検知パラメータに対応する値を決定するために、第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光及び第二のフォトニック結晶センサ(107)により反射された光を使用することを含む、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
- 第一のフォトニック結晶センサ(106)の第一の反射スペクトルは第二の検知パラメータの変化に応じて変化し、かつ方法は第三のセンサから情報を受信することをさらに含み、パラメータ値は第三のセンサからの情報に基づきかつ第一のフォトニック結晶センサ(106)により反射された光に基づき決定される、請求項8から12のいずれか一項に記載の方法。
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