JP2014519067A - タッチセンサシステム、及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

タッチセンサシステム（１０１）は、ドライブライン（ＤＬ１〜ＤＬＭ）とセンスライン（ＳＬ１）の間の第１静電容量列（Ｃｉ１）とドライブラインと他の１本のセンスライン（ＳＬ２）の間の第２静電容量列（Ｃｉ２）に対して、±１によって構成される長さＮの直交する符号系列（ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ））に基づいて、±Ｖボルトを印加するように並列に駆動して、第１の静電容量列（Ｃｉ１）からの出力（ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ））、及び、第２の静電容量列（Ｃｉ２）からの出力（ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ））を出力するドライバ（１０５）と、出力（ｓＦｉｒｓｔ）と符号系列（ｄｉ）との内積演算に基づいて第１の静電容量列（Ｃｉ１）の容量値を推定し、出力（ｓＳｅｃｏｎｄ）と符号系列（ｄｉ）との内積演算に基づいて第２の静電容量列（Ｃｉ２）の容量値を推定する復号部（１０８）と、１個以上のお手付き領域（１１３）と、お手付き領域（１１３）以外の領域である残余領域（１１４）とからなる二次元領域（１１２）を有するタッチパネル（１０２）と、お手付き領域（１１３）へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行するお手付き領域処理部１０３と、残余領域（１１４）へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、第１処理とは別種類の第２処理を実行する描画入力処理部１０４とを備え、お手付き領域（１１３）は、タッチパネル（１０２）への入力のために手を着く領域を囲む領域であり、残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含む。

Description

本発明は、マトリックス状に構成された線形系の係数、素子値、または静電容量を推定または検出する方法に従って動作し、タッチパネルへのタッチに基づくタッチ信号を検出するタッチセンサシステム、及び電子機器に関する。
マトリックス状に分布した線形素子値を検出する装置、例えば、Ｍ本のドライブラインとＬ本のセンスラインとの間に形成される静電容量行列Ｃｉｊ（ｉ＝１、…、Ｍ、ｊ＝１、…、Ｌ）の静電容量値の分布を検出するタッチセンサ装置（接触検出装置）が、特許文献１に開示されている。このタッチセンサ装置は、ドライブラインを順番に選択し、その選択したドライブラインにつながる線形素子の値を検出する走査検出方式により動作する。
また、複数のドライブラインを時系列的な符号系列に基づいて第１のドライブライン群と第２のドライブライン群とに振り分けて駆動し、センスラインに接続され、駆動されたドライブラインとの複数の交差部の容量に生じる電流の総和を電気信号に変換した測定電圧を出力し、センスラインごとに、測定電圧と符号系列とにより積和演算を行い、各交差部の容量に対応する電圧値を求める容量検出回路が特許文献２に記載されている。
従来の静電容量値の分布を検出するタッチセンサシステムにおいては、特許文献６に示すように、信号処理により、タッチパネルにタッチしている指及び手の部分の認識を試みていた。例えば、ペンを持った手がタッチパネルにタッチしている状況を考えると、ペンを動かす操作等に応じて、タッチパネルへのタッチの状態に基づく信号は時間の経過に応じて大きく変化する。
図２０の（ａ）〜（ｄ）はタッチパネル上に手を着いた状態におけるタッチ信号を説明するための図である。図２０の（ａ）を参照すると、手がタッチパネルに着いた領域は、最初は領域１１６ａで小さい。そして、図２０の（ｂ）を参照すると、タッチパネルに着いた手の領域は、時間の経過とともに拡大して領域１１６ｂとなる。次に図２０の（ｃ）を参照すると、タッチパネルに着いた手の領域は、時間の経過とともにさらに拡大し、手が把持するペンの先端がタッチパネルにタッチしてペン入力領域１１８が現れる。その後、図２０の（ｄ）に示すように、手がタッチしている領域が、領域１１６ｃから領域１１６ｄに変化し、指がタッチパネルにタッチした領域１１７が現れる。
日本国公開特許公報「特開２０１０−９２２７５号公報（２０１０年４月２２日公開）」 日本国公開特許公報「特許第４３６４６０９号明細書（２００５年６月１６日公開）」 日本国公開特許公報「特許第４３８７７７３号明細書（２００５年６月１６日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００５−１１４３６２号公報（２００５年４月２８日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００５−１３４２４０号公報（２００５年５月２６日公開）」 米国特許第7,812,828号明細書（2010年10月12日）
しかしながら、特許文献１に記載の走査検出方式により動作するタッチセンサ装置においては、二次元に分布する静電容量値を取得するために与えられた時間をＴとし、走査の回数をｍとすると、複数ラインを同時に選択し、それをスキャンして静電容量行列Ｃｉｊの静電容量を検出する処理は時間（Ｔ／ｍ）の間に終わらなければならない。
一般に、検出処理の精度は、例えば平均化等により処理時間が長いほど高めることができるが、タッチセンサ装置が高速な動作に追従できるためには、静電容量値を取得するために与えられる時間Ｔは小さくする必要があり、解像度を上げるためには、走査回数ｍを大きくする必要があり、いずれの場合も処理時間（Ｔ／ｍ）は小さくなり検出精度の劣化を招くという問題がある。
また、特許文献２に記載の容量検出回路では、測定電圧のオフセット誤差をキャンセルするために、符号系列に基づいて第１のドライブラインと第２のドライブラインとに振り分けて駆動し、第１のドライブラインの駆動に基づく測定電圧から、第２のドライブラインの駆動に基づく測定電圧を減算している（特許文献２：明細書段落［００５８］〜［００６１］）。しかしながら、このような構成は、演算過程が２相に渡るため、消費電力を抑えた高速化に不利であるという問題がある。
図２０の（ａ）〜（ｄ）に示すように変化しながら現れる領域からの信号に基づいて、ペン入力に基づく信号と、タッチパネルに手が着いたことによる信号と、タッチパネルに指が接触したことによる信号とを正確に識別することは困難であり、ペン入力に基づく信号、タッチパネルに手が着いたことによる信号、及びタッチパネルに指が接触したことによる信号を誤認識するおそれが生じるという問題がある。
本発明の目的は、検出精度が良好になり、且つ解像度も良好で高速動作が可能なタッチセンサシステム、及び電子機器を提供することにある。
本発明の他の目的は、ペン入力に基づく信号を誤認識するおそれがないタッチセンサシステム、及び電子機器を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明に係るタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部と、前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とを備え、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
この特徴により、部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理が実行され、残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、第１処理とは別種類の第２処理が実行される。このため、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号と、残余領域に入力される意図されたタッチ入力に基づく信号とを別扱いする処理を実施することができる。その結果、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号を、残余領域に入力される意図されたペン入力に基づく信号と誤認識するおそれがないタッチセンサシステムを提供することができる。
本発明に係る他のタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、上記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、上記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有し、前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明に係る電子機器は、本発明に係るタッチセンサシステムと、前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする。
本発明に係るさらに他のタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明に係るさらに他のタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明に係るさらに他のタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明に係るさらに他のタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明に係る他の電子機器は、本発明に係るタッチセンサシステムと、前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする。
本発明に係るタッチセンサシステムでは、部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理が実行され、残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、第１処理とは別種類の第２処理が実行される。このため、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号と、残余領域に入力される意図されたタッチ入力に基づく信号とを別扱いする処理を実施することができる。その結果、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号を、残余領域に入力される意図されたペン入力に基づく信号と誤認識するおそれがないタッチセンサシステムを提供することができる。
実施の形態に係るタッチセンサシステムの構成を示す回路図である。 上記タッチセンサシステムに設けられた集積回路の推定部の構成を示すブロック図である。 上記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルの駆動方法を説明するための図である。 上記センサパネルの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 上記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに入力される直交する符号系列の具体例を説明するための図である。 上記直交する符号系列の他の具体例を説明するための図である。 上記直交する符号系列のさらに他の具体例を説明するための図である。 実施の形態２に係るタッチセンサシステムに設けられたセンサパネルの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 実施の形態２に係るタッチセンサシステムに設けられたセンサパネルの駆動方法を説明するための他のタイミングチャートである。 実施の形態３に係るセンサパネルの駆動方法を説明するための図である。 （ａ）及び（ｂ）は実施の形態４に係るセンサパネルを駆動するための符号系列を説明するための図である。 実施の形態５に係るセンサパネルを駆動するための符号系列を説明するための図である。 上記センサパネルを駆動する方法を示すグラフである。 （ａ）は実施の形態に係るＭ系列に基づく符号系列を説明するための図であり、（ｂ）はＭ系列に基づく符号系列の具体例を示す図である。 上記タッチセンサシステムを搭載した携帯電話機の構成を示す機能ブロック図である。 実施の形態７に係るタッチセンサシステムの構成を示す模式図である。 上記タッチセンサシステムのタッチパネルに設定されたお手付き領域を示す図である。 図１８の（ａ）（ｂ）は上記お手付き領域のユーザ設定方法の例を示す図である。 図１９の（ａ）（ｂ）は上記お手付き領域のユーザ設定方法の例を示す図である。 図２０の（ａ）〜（ｄ）はタッチパネル上に手を着いた状態におけるタッチ信号を説明するための図である。
本発明のタッチセンサシステムに関する実施の一形態について図１〜図１９に基づいて説明すれば以下のとおりである。
（実施の形態１）
（実施の形態に係るタッチセンサシステムの構成）
図１は、実施の形態に係るタッチセンサシステム１の構成を示す回路図である。タッチセンサシステム１は、センサパネル２と、このセンサパネル２を制御する集積回路３とを備えている。センサパネル２は、水平方向に沿って互いに平行に所定の間隔を空けて配置されたＭ本のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭと、このドライブラインに交差する方向に沿って互いに平行に所定の間隔を空けて配置されたＬ本のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬと、これらＭ本のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭのそれぞれとＬ本のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬのそれぞれとの間にＭ行×Ｌ列のマトリックス状に配置された静電容量Ｃｉｊ（ｉ＝１〜Ｍ、ｊ＝１〜Ｌ）とを備えている。
集積回路３は、Ｍ本のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭに接続された駆動部４を有している。集積回路３には、推定部５が設けられている。図２は、集積回路３の推定部５の構成を示すブロック図である。
推定部５は、Ｌ本のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬにそれぞれ接続されたＬ個のアナログ積分器６と、Ｌ個のアナログ積分器６に接続されたスイッチ７と、スイッチ７に接続されたＡＤ変換器８と、ＡＤ変換器８に接続された内積演算部９と、内積演算部９に接続されたＲＡＭ１０とを有している。アナログ積分器６は、一方の入力が接地されたオペアンプと、このオペアンプの出力と他方の入力との間に配置された容量Ｃｉｎｔの積分容量と、オペアンプの他方の入力に結合されたトランジスタと、このトランジスタと並列に接続された他のトランジスタとを有している。
集積回路３には、内積演算部９に接続されて２４０Ｈｚでジェスチャ認識処理（ＡＲＭ等）を実行するアプリケーション処理部１１が設けられている。このように、集積回路３には、アナログ回路とデジタル回路とが混載されている。
（従来のタッチセンサシステムの動作）
本実施の形態の動作を具体的に説明する前に、前述した特許文献１に記載の従来の構成における動作を確認する。Ｍ本のドライブラインとＬ本のセンスラインとの間に形成される静電容量のマトリックスＣｉｊ（ｉ＝１、…、ｍ、ｊ＝１、…、Ｌ）の検出を考える。まず、ドライブラインを一本づつ選択する走査検出を考える。
選択したドライブラインにつながる容量Ｃｉｊ（ｊ＝１，…ｌ）をＶボルトに充電しＣｉｊ×Ｖの信号を蓄える。この信号をセンスライン経由で読み出す際のゲインをＧとすると、検出信号は、
Ｇ×Ｃｉｊ×Ｖ （式１）
となる。
（本実施の形態のタッチセンサシステムの動作）
図３は、タッチセンサシステム１に設けられたセンサパネル２の駆動方法を説明するための図である。図１及び図２で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は繰り返さない。
本発明の実施の形態として、まず、＋１と−１とから構成される互いに直交する符号長Ｎの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）を準備する。ここで、符号長Ｎの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）が「直交する」とは、符号系列ｄｉが下記に示す条件を満足することをいう。
Figure 2014519067
そして、この符号系列ｄｉに基づいて、＋１の場合は＋Ｖボルトが印加され、−１の場合は−Ｖボルトが印加されるように、駆動部４は、Ｍ本のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを並列に駆動する。すると、各静電容量Ｃｉｊ（ｉ＝１〜Ｍ、ｊ＝１〜Ｌ）に、符号系列の各要素（＋１または−１）に応じて、±Ｃｉｊ・Ｖの電荷を有する信号が蓄えられる。
次に、同じセンスラインにつながる各静電容量に蓄積された電荷により表される信号について、センスラインの結線に沿って電荷加算を行い、センスライン毎にアナログ積分器６で読み出し、出力系列ベクトルｓｊ＝（ｓｊ１、ｓｊ２、…、ｓｊＮ）（ｊ＝１、…、Ｌ）を得る。
図４は、センサパネル２の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。まず、
リセット信号により、アナログ積分器６の積分容量Ｃｉｎｔがリセットされるとともに、センサパネル２にマトリックス状に配置された各静電容量もリセットされる。ここで、リセットとは、容量に蓄積されている電荷を放電するという意味である。そして、ドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを、符号系列ｄ１１、ｄ２１、ｄ３１、…、ｄＭ１の値である＋１または−１に応じて、Ｖｒｅｆ＋Ｖ、またはＶｒｅｆ−Ｖで並列に駆動すると、各静電容量に、符号系列の要素±１に応じた±ＣＶの電荷が蓄えられる。次に、同じセンスラインにつながる各静電容量に蓄積された電荷により表される信号について、センスラインの結線に沿って電荷加算を行い、センスライン毎にアナログ積分器６で読み出す。アナログ積分器６からの出力には、
Figure 2014519067
（この回路の場合、Ｇ＝−１／Ｃｉｎｔ）
が表れるので、このアナログ積分器６からの出力をサンプリング信号に基づいてＡＤ変換器８によりＡＤ変換する。
出力系列ベクトルｓｊｉは、
Figure 2014519067
となり、
Figure 2014519067
符号系列ｄｉと出力系列ベクトルｓｊとの内積演算ｄｉ・ｓｊを行うと、
Figure 2014519067
上記（式１）及び上記（式２）を比較すると、本実施の形態の方式により、従来の走査読み出し方式よりもＮ倍大きい検出信号が得られることがわかる。
センスラインの読み出し方式としては、図１及び図２に示されるアナログ積分器６（積分容量Ｃｉｎｔを用いたオペアンプによる電荷積分器）を使用すると、上記ゲインＧは、（１／Ｃｉｎｔ）となる。
このように、集積回路３の駆動部４は、第１の静電容量列Ｃｉｐ（ｐは１以上（Ｌ−１）以下、ｉ＝１、…、Ｍ）、及び第２の静電容量列Ｃｉｑ（ｐ＜ｑ、ｑは２以上Ｌ以下、ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、−１の場合は−Ｖボルトを印加するようにＭ本のドライブラインを並列に駆動する。そして、第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓｐ１、ｓｐ２、…、ｓｐＮ）、及び、第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓｑ１、ｓｑ２、…、ｓｑＮ）を出力させる。
そして、上記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓｐ１、ｓｐ２、…、ｓｐＮ）は、対応して設けられたアナログ積分器６によって積分され、第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓｑ１、ｓｑ２、…、ｓｑＮ）は、対応して設けられたアナログ積分器６によって積分される。スイッチ７は、各センスラインＳＬ１〜ＳＬＬに対応するアナログ積分器６を順次切り換えて、各アナログ積分器６により積分された静電容量列からの出力をＡＤ変換器８に供給する。
具体的には、まず、第１の静電容量列から出力ｓｐ１がアナログ積分器６に読み出されて積分されると同時に第２の静電容量列から出力ｓｑ１が他のアナログ積分器６に読み出されて積分される。そして、スイッチ７は、アナログ積分器６に接続し、読み出されて積分された出力ｓｐ１をＡＤＣ８に供給する。次に、スイッチ７は、アナログ積分器６との接続を解除して他のアナログ積分器６に接続し、読み出されて積分された出力ｓｑ１をＡＤＣ８に供給する。その後、第１の静電容量列から出力ｓｐ２がアナログ積分器６に読み出されて積分されると同時に第２の静電容量列から出力ｓｑ２が他のアナログ積分器６に読み出されて積分される。そして、スイッチ７は、アナログ積分器６に接続し、読み出されて積分された出力ｓｐ２をＡＤＣ８に供給する。次に、スイッチ７は、アナログ積分器６との接続を解除して他のアナログ積分器６に接続し、読み出されて積分された出力ｓｑ２をＡＤＣ８に供給する。このようにして、出力ｓｐＮ、出力ｓｑＮまでがアナログ積分器６及びスイッチ７により順番にＡＤＣ８に供給される。また、ドライブラインの駆動に合わせて全センスラインのアナログ積分器６が並列に動作する。
ＡＤ変換器８は、アナログ積分器６により積分された静電容量列からの出力をＡＤ変換して内積演算部９に供給する。
内積演算部９は、出力ｓＦｉｒｓｔと符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ＲＡＭ１０に格納されたデータを参照しながら、ｋ１番目（１≦ｋ１＜Ｍ）のドライブラインに対応する第１の静電容量列の容量値を推定し、出力ｓＳｅｃｏｎｄと符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目（ｋ１＜ｋ２、１＜ｋ１≦Ｍ）のドライブラインに対応する第２の静電容量列の容量値を推定する。
アプリケーション処理部１１は、内積演算部９により推定された静電容量の容量値に基づいて、ジェスチャー認識処理を実行し、ジェスチャーコマンドを生成する。
（符号系列の具体例）
図５は、センサパネルに入力される直交する符号系列の具体例を説明するための図である。長さＮの直交する符号系列ｄｉの具体例としては、例えば、下記に示す符号系列を挙げることができる。
代表的な直交する符号系列であるアダマール（Hadamard）行列は、図５に示されるシルベスター（sylvester）法によって生成される。基本的な構造として、２行×２列の基本単位を作る。この基本単位の右上、左上、及び左下のビットは同一であり、右下はこれらのビット反転となっている。
次に、前述した２×２の基本要素を、右上、左上、右下、及び左下にブロックとして４つ合成して、４行×４列のビット配列の符号を作る。ここで、２×２の基本単位の作成と同様に、右下のブロックはビット反転となる。同様な手順で、８行×８列、１６行×１６列のビット配列の符号を生成する。これらの行列は、前述した本発明の「直交する」の定義を満足する。
本実施の形態において、例えば、センサパネル２のドライブラインが１６本で構成されていれば、図５に示す１６行×１６列のビット配列の符号を直交する符号系列として使用することができる。ここで、アダマール（Hadamard）行列とは、要素が１または−１のいずれかであり、かつ各行が互いに直交であるような正方行列をいう。すなわち、アダマール行列の任意の２つの行は、互いに垂直なベクトルを表す。
本実施の形態に係る直交する符号系列は、Ｎ次のアダマール行列から任意にＭ行取り出した行列を使用することができる（ここで、Ｍ≦Ｎである）。以下に述べるように、シルベスター法以外の方法によるアダマール行列も本発明に適用することができる。
図６は直交する符号系列の他の具体例を説明するための図であり、図７は直交する符号系列のさらに他の具体例を説明するための図である。シルベスター法によるＮ次のアダマール行列は、Ｎ＝２のべき乗になるが、Ｎが４の倍数であれば、アダマール行列は存在するという予想が存在し、例えば、図６には、Ｎ＝１２のときのアダマール行列が示されており、図７には、Ｎ＝２０のときのアダマール行列が示されている。これらのシルベスター法以外の方法によるアダマール行列も、本実施の形態に係る直交する符号系列として使用することができる。
（内積演算の実際）
内積マトリックスＣ’ｉｊ＝ｄｉ・ｓｊの計算は次の手順で行う。
（１）まず、推定部５のＲＡＭ１０（図２）に格納された内積マトリックスをＣ’ｉｊ＝０にリセットする。
（２）時刻ｔｋ（ｋ＝１、…、Ｎのいずれか）のタイミングでｉ番目（ｉ＝１、…、Ｍ）のドライブラインＤＬｉを電圧Ｖ×ｄｉｋで並列に駆動し、各静電容量に電荷Ｃｉｊ×Ｖ×ｄｉｋを充電する。
（３）各センスラインｊ（ｊ＝１、…、Ｌ）を対応するアナログ積分器６に接続し、時刻ｔｋで充電した静電容量からの出力電圧ｓｊｋを読み出し、各Ｌ本のセンスラインに対応して配置されたＬ個アナログ積分器６にそれぞれ読み出された時刻ｔｋにおけるＬ個の出力電圧ｓｊｋを、スイッチ７により順番にＡＤ変換器８に供給してＡＤ変換し、ＡＤ変換器８によりＡＤ変換された時刻ｔｋにおける出力電圧ｓｊｋを内積演算部９に供給する。内積演算部９に供給された時刻ｔｋにおける出力電圧ｓｊｋは、
Figure 2014519067
となる。
（４）内積演算部９は、ＡＤ変換器８から出力されたＬ個の出力電圧ｓｊｋのそれぞれと、ＲＡＭ１０に格納された符号系列ｄｉｋに応じて加減算を行い（符号系列ｄｉｋ＝１のときは加算し、ｄｉｋ＝−１のときは減算する）、その結果に基づいてＣ’ｉｊの値を更新する。
Figure 2014519067
（５）符号系列の長さに相当するＮ回の処理が回るまでは、時刻をインクリメント（ｔｋ＋１）し、（１）に戻る。
以上の処理が終わると、Ｃ’ｉｊの値は、内積の計算結果となる。
本実施の形態に係るセンサパネル２のドライブラインの本数Ｍ、センスラインの本数Ｌ、及び符号系列の長さＮは、例えば、４インチクラスの携帯情報端末等に適用する場合は、Ｍ＝１６、Ｌ＝３２とすれば、３ｍｍピッチ程度になる。また、例えば、２０インチクラスの画面を有する電子機器に適用する場合は、Ｍ＝４８、Ｌ＝８０により、６ｍｍピッチ程度になる。符号系列の長さＮの自由度は、非常に高いが、例えば、Ｎ＝６４〜５１２である。
（駆動概念の先行技術との差異）
前述した特許文献２に記載の容量検出装置も、符号系列に基づいてドライブラインを駆動し、センスラインに接続され、駆動されたドライブラインとの複数の交差部の容量に生じる電流の総和を電気信号に変換した測定電圧を出力し、センスラインごとに、測定電圧と符号系列とにより積和演算を行い、各交差部の容量に対応する電圧値を求めている。しかしながら、ドライブラインの駆動概念が、下記のように、本実施の形態とは異なる。
例えば、説明の簡単化のために、１本のセンスラインと４本のドライブラインとの間に、容量（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４）が形成されている例を考える。４本のドライブラインの駆動信号（符号系列）が、（１、１、−１、−１）であるとすると（特許文献２の表記では（１、１、０、０））、本実施の形態では、常に全ドライブラインが駆動され、
Ｃ１＋Ｃ２−Ｃ３−Ｃ４ …（式３）
に相当する積分出力を得るが、特許文献２に開示された構成では、「１」に対応するドライブラインのみが駆動され、
Ｃ１＋Ｃ２ …（式４）
に相当する積分出力を得る。本実施の形態の（式３）と特許文献２の（式４）とを比較すると、本実施の形態の積分出力の方が含まれる情報量が多いといえる。
また、
Ｃｉ＝Ｃ＋ΔＣｉ
ΔＣｉ：容量の変化（ΔＣｉは通常、Ｃの１割程度である）
と表すと、
（式３）＝Ｃ１＋Ｃ２−Ｃ３−Ｃ４
＝ΔＣ１＋ΔＣ２−ΔＣ３−ΔＣ４
≒０．２×Ｃ …（式５）
（式４）＝２×Ｃ＋ΔＣ１＋ΔＣ２
≒２×Ｃ …（式６）
となる。
タッチセンサーパネル等では、ΔＣｉはＣの一割程度であるので、（式６）の値は、（式５）の値の１０倍程度になる。即ち、特許文献２の（式６）を実現する積分回路は、（式５）を実現する本実施の形態の積分回路に比べてゲインを１／１０程度に設定せざるを得ず、信号のＳＮ比が劣る。このＳＮ比の違いは、ドライブラインの数Ｍが増加すると、さらに大きくなる。
常に全ドライブラインを並列に駆動している本実施の形態は、測定電圧のオフセット誤差をキャンセルするために、符号系列に基づいて第１のドライブライン（Ｃ１、Ｃ２）と第２のドライブライン（Ｃ３、Ｃ４）とに振り分けて駆動している特許文献２に記載の容量検出回路と異なっている。本実施の形態では、リセットスイッチのフィールドスルーによるオフセットは、ドライブラインに信号を入力しない状態（電圧Ｖｒｅｆで駆動している状態）におけるＡＤ変換器の出力によって計測することができるので、この計測値をデジタル回路において減算すれば、オフセット誤差をキャンセルすることができる。
（正負演算の先行技術との差異）
本実施の形態では、符号系列の値に応じて、＋１の場合は＋Ｖボルト、−１の場合は−ＶボルトになるようにＭ本のドライブラインを並列に駆動し、（式３）に相当する値を一挙に演算する。これに対して特許文献２に記載の構成では、（式４）のＣ１＋Ｃ２を演算し、その後、Ｃ３＋Ｃ４に相当する演算を行う。このように特許文献２に記載の構成では、演算が２相になるため、消費電力を抑えた高速化に不利である。
また、本実施の形態は、符号系列の値が−１の場合は−Ｖボルトになるようにドライブラインを駆動するが、特許文献２に記載の構成は、ドライブラインを＋Ｖボルトに駆動するのみであり、−Ｖボルトに駆動する概念が無い点で相異する。
（推定部５の他の構成）
本実施の形態においては、Ｌ本のセンスラインにそれぞれ対応するアナログ積分器６を配置し、スイッチ７によりこれらのアナログ積分器６を切り換え、ＡＤ変換器８及び内積演算部９を一個ずつ配置した構成の例を示したが、本発明はこれに限定されない。アナログ積分器６を１個設け、このアナログ積分器６の入力切り換えによってセンスライン毎の読み出しを行うように構成してもよい。
また、ＡＤ変換器８を、センスライン及びアナログ積分器毎に設け、スイッチ７をＡＤ変換器８と及び内積演算部９との間に設けるように構成してもよい。
（他の実施形態の構成）
本実施の形態においては、ドライブラインとセンスラインとの間に形成される静電容量の容量値を検出する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ドライブラインとセンスラインとの間に形成される線形素子の値を推定する構成に対しても本発明を適用することができるし、また、Ｍ個の入力ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を有して入出力が線形な系のｋ番目の入力ｘｋに対応する係数Ｃｋを推定する構成に対しても本発明を適用することができる。
また、本実施の形態に記載したタッチセンサシステム１と、タッチセンサシステム１に設けられたセンサパネル２に重ねて配置された表示パネルとを備えた電子機器を構成してもよいし、また、タッチセンサシステム１と、センサパネル２を内蔵してセンサパネル２の機能を有する表示パネルとを備えた電子機器を構成してもよい。
（実施の形態２）
（２種類電圧によるセンサパネルの駆動方法）
図８は、実施の形態２に係るタッチセンサシステムに設けられたセンサパネルの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
図４を参照して前述した実施の形態１に係るセンサパネルの駆動方法では、Ｖｒｅｆ、（Ｖｒｅｆ＋Ｖ）、及び（Ｖｒｅｆ−Ｖ）の３種類の電圧によりセンサパネルを駆動したが、実施の形態２の駆動方法では２種類の電圧Ｖ１・Ｖ２により駆動する。
即ち、符号系列が＋１の場合は、アナログ積分器６（図１）のリセット時に電圧Ｖ１により、各静電容量が結合されたセンスラインからの出力のサンプリング時に電圧Ｖ２によりドライブラインを駆動する。そして、符号系列が−１の場合は、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ２により、各静電容量が結合されたセンスラインからの出力のサンプリング時に電圧Ｖ１によりドライブラインを駆動する。
具体的には、図８に示す例では、ドライブラインＤＬ１は、符号系列の対応する要素ｄ１１＝＋１、ｄ１２＝＋１であるので、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ１により駆動された後、サンプリング時に電圧Ｖ２により駆動され、次のリセット時に電圧Ｖ１により駆動された後、次のサンプリング時に電圧Ｖ２により駆動される。ドライブラインＤＬ２は、符号系列の対応する要素ｄ２１＝＋１、ｄ２２＝−１であるので、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ１により駆動された後、サンプリング時に電圧Ｖ２により駆動され、次のリセット時に電圧Ｖ２により駆動された後、次のサンプリング時に電圧Ｖ１により駆動される。
ドライブラインＤＬ３は、符号系列の対応する要素ｄ３１＝−１、ｄ３２＝−１であるので、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ２により駆動された後、サンプリング時に電圧Ｖ１により駆動され、次のリセット時に電圧Ｖ２により駆動された後、次のサンプリング時に電圧Ｖ１により駆動される。ドライブラインＤＬ４は、符号系列の対応する要素ｄ４１＝−１、ｄ４２＝＋１であるので、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ２により駆動された後、サンプリング時に電圧Ｖ１により駆動され、次のリセット時に電圧Ｖ１により駆動された後、次のサンプリング時に電圧Ｖ２により駆動される。ドライブラインＤＬＭは、符号系列の対応する要素ｄＭ１＝−１、ｄＭ２＝＋１であるので、アナログ積分器６のリセット時に電圧Ｖ２により駆動された後、サンプリング時に電圧Ｖ１により駆動され、次のリセット時に電圧Ｖ１により駆動された後、次のサンプリング時に電圧Ｖ２により駆動される。
ここで、Ｖ１＝Ｖｄｄ、Ｖ２＝Ｖｓｓ
とすると、出力は、
（Ｃｆ／Ｃｉｎｔ）×（Ｖ１−Ｖ２）＝（Ｃｆ／Ｃｉｎｔ）×（Ｖｄｄ−Ｖｓｓ）
となり、
図４を参照して前述した実施の形態１に係るセンサパネルの駆動方法において、
Ｖｒｅｆ＝（Ｖｄｄ−Ｖｓｓ）／２、
とおいた場合、
Ｖｄｄ＝Ｖｒｅｆ＋Ｖ、
Ｖｓｓ＝Ｖｒｅｆ−Ｖ、
であるから、
Ｖ＝（Ｖｄｄ−Ｖｓｓ）／２
となり、図８に示す例の半分の出力になる。従って、図８に示す実施の形態２の駆動方法によれば、図４の実施の形態１の駆動方法の２倍の信号強度を得ることができ、静電容量に蓄積される電荷を２倍にすることができる。
（オフセット読み出し）
図９は、実施の形態２に係るタッチセンサシステムに設けられたセンサパネルの駆動方法を説明するための他のタイミングチャートである。
図４または図８に示した態様によりドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを並列駆動する前に、図９に示すように、リセット時もサンプリング時も一定電圧ＶｒｅｆによりドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを駆動して、ドライブラインに信号を入れない状態にし、アナログ積分器６（図１及び図２）からオフセット出力値を読み出す。そして、アナログ積分器６から読み出したオフセット出力値をＡＤＣ８によりＡＤ変換する。次に、ＡＤＣ８によりＡＤ変換されたオフセット出力値を内積演算部９により計測し、このオフセット出力値をセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬごとにＲＡＭ１０に格納する。
（オフセット補償方法）
その後、図４または図８に示した態様によりドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを並列駆動して、静電容量列からの出力をアナログ積分器６に出力する。そして、ＡＤＣ８は、アナログ積分器６に出力された静電容量列からの出力をＡＤ変換して内積演算部９に供給する。次に、内積演算部９は、ＡＤＣ８により供給された静電容量列からの出力から、ＲＡＭ１０に格納されたオフセット出力値をセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬごとに減算して、アナログ積分器６に設けられたリセットスイッチのフィードスルーによるオフセットをキャンセルする。
なお、リセット時もサンプリング時も一定電圧ＶｒｅｆによりドライブラインＤＬ１〜ＤＬＭを駆動して、アナログ積分器６からオフセット出力値を読み出し、ＡＤＣ８によりＡＤ変換したオフセット出力値を内積演算部９により計測する動作を複数回繰り返して複数個のオフセット出力値を計測し、この複数個のオフセット出力値を平均化することによりオフセットに含まれるノイズ成分を削減した平均オフセット出力値をＲＡＭ１０に格納するように構成してもよい。複数回の繰り返し回数は、例えば、６０Ｈｚの場合、１６回であり、２４０Ｈｚの場合、１００回に設定され得る。
（実施の形態３）
（アナログ積分器のゲイン切り替え）
図１０は、実施の形態３に係るセンサパネルの駆動方法を説明するための図である。実施の形態１で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
センサパネル２が４本のドライブラインＤｌ１〜ＤＬ４と４本のセンスラインＳＬ１〜ＳＬ４とを有しており、符号系列が、シルベスター法によって生成される４次のアダマール行列により構成される例を説明する。
アナログ積分器６Ａは、一方の入力が基準電圧Ｖｒｅｆに結合されたオペアンプと、このオペアンプの出力と他方の入力との間に配置された容量Ｃｉｎｔの積分容量と、この積分容量に対してそれぞれ並列に接続された３個の他の積分容量と、３個の他の積分容量のそれぞれとオペアンプの出力との間にそれぞれ設けられた３個のスイッチとを有している。
シルベスター法によって生成される４次のアダマール行列からなる符号系列の各要素の列方向に沿った総和は、１列目が「４」であり、２列目〜４列目が「０」である。従って、この符号系列の１列目の各要素によりドライブラインを駆動するときに、静電容量列からの出力の値は、２列目〜４列目により駆動する場合に比べて著しく大きくなってアナログ積分器６Ａの容量を超え、アナログ積分器６Ａが飽和するおそれがある。
そこで、符号系列の各要素の列方向に沿った総和がアナログ積分器６Ａが飽和する程度に大きい列により、ドライブラインを駆動するときは、アナログ積分器６Ａの飽和を防止するように、アナログ積分器６Ａに設けられたスイッチをオフからオンに切り替える。
シルベスター法によって生成されるアダマール行列は、１列目の要素が必ずすべて＋１となり、列の要素の総和が他の列の総和よりも著しく大きくなり、アナログ積分器６Ａが飽和するおそれが生じるが、上記のようにアナログ積分器６Ａに設けられたスイッチをオフからオンに切り替えて、アナログ積分器６Ａのゲインを切り替えることにより、アナログ積分器の飽和を防止することができる。
以上のように実施の形態３によれば、符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値に応じて、アナログ積分器のゲインを切り替えるので、アナログ積分器の飽和を防止することができる。
（アナログ積分器ゲイン切り替えの内積演算部ゲイン切り替えによる補償）
内積演算部９は、ゲインを切り替え可能なアナログ積分器６Ａに出力された静電容量列からの出力をＡＤＣ８によりＡＤ変換したデジタル値と符号系列との内積演算に基づいて、各ドライブラインに対応する静電容量列の容量値を推定する。ここで、内積演算部９は、符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値に応じて、デジタル値の重み付けを切り替えて、アナログ積分器６Ａのゲインとデジタル値の重み付けによるゲインとの積が、符号系列の各列ごとに一定にする。
（実施の形態４）
（内積計算の複数駆動による分割）
図１１（ａ）及び（ｂ）は実施の形態４に係るセンサパネルを駆動するための符号系列を説明するための図である。
図１１（ａ）には、シルベスター法によって生成される４次のアダマール行列により構成される符号系列が示されている。この符号系列は、図１０に示される符号系列と同様に、各要素の列方向に沿った総和は、１列目が「４」であり、２列目〜４列目が「０」である。従って、この符号系列の１列目の各要素によりドライブラインを駆動するときに、静電容量列からの出力の値は、２列目〜４列目により駆動する場合に比べて著しく大きくなってアナログ積分器６Ａの容量を超え、アナログ積分器６Ａが飽和するおそれがある。
そこで、図１１（ｂ）に示すように、符号系列の１列目の（１、１、１、１）を、（１、１、０、０）によって表される列と、（０、０、１、１）によって表される列との２列に分割することにより、４本のドライブラインの駆動を４回から５回にし、各要素の列方向に沿った総和「４」を「２」と「２」とに分割して、列方向に沿った総和の最大値を「４」がら「２」に低減して、アナログ積分器の飽和を防止する。
実施の形態４では、シルベスター法によって生成される４次のアダマール行列により構成される符号系列の例を示したが、本発明はこれに限定されない。４次以外の２ｎ次のアダマール行列により構成される符号系列に対して本発明を適用できるし、シルベスター法以外の方法により生成される任意の次数のアダマール行列により構成される符号系列に対しても本発明を適用することができる。
（実施の形態５）
（三角山型駆動方法）
図１２は、実施の形態５に係るセンサパネルを駆動するための符号系列を説明するための図である。
実施の形態５に係るセンサパネルは、Ｍ本のドライブラインとＬ本のセンスラインとの間に形成される静電容量列のそれぞれに対して、シルベスター法によって生成される２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列の各行に相当する＋１または−１によって構成されて互いに直交する符号長Ｎ＞Ｍの符号系列に基づいて、Ｍ本のドライブラインを並列に駆動する。図１２には、１６次のアダマール行列に基づくＭ（＝１３）本のドライブラインに対応した１３行×１６列の符号系列の例を示している。
図１３は、センサパネルを駆動する方法を示すグラフである。横軸は、図１２に示すＮ＝１６のアダマール行列の列方向に沿った位置を示している。縦軸は、このＮ＝１６のアダマール行列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値を示している。
Ｎ＝１６のアダマール行列の第１列目は、要素がすべて１であるので、列方向に沿った位置（横軸）と列方向に沿った各要素の総和の絶対値（縦軸）との関係は、線形的に単調増加する線Ｌ１により表される。
Ｎ＝１６のアダマール行列の第９列目（（２（４−１）＋１）列目）は、第１行から第８行までがすべて１であり、第９行から第１６行までがすべて−１であるので、列方向に沿った位置（横軸）と列方向に沿った各要素の総和の絶対値（縦軸）との関係は、線形的に単調増加した後、線形的に単調減少して底辺長さ１６、高さ８の三角山型形状を形成する線Ｌ２によって表される。
Ｎ＝１６のアダマール行列の第５列目（（２４−１−２４−２＋１）列目）は、第１行から第４行までがすべて１であり、第５行から第８行までがすべて−１であり、第９行から第１２行までがすべて１であり、第１３行から第１６行までがすべて−１である。従って、列方向に沿った位置（横軸）と列方向に沿った各要素の総和の絶対値（縦軸）との関係は、底辺長さ８、高さ４の三角山型形状を２個形成する線Ｌ３によって表される。第１３列目（（２４−１＋２４−２＋１）列目）も、第１行から第４行までがすべて１であり、第５行から第８行までがすべて−１であり、第９行から第１２行までがすべて−１であり、第１３行から第１６行までがすべて１であるので、同様に、三角山型形状を２個形成する線Ｌ３によって表される。
第３列、第７列、第１１列、及び第１５列は、底辺長さ４、高さ２の三角山型形状を４個形成する線Ｌ４によって表される。第２列、第４列、第６列、第８列、第１０列、第１２列、第１４列、及び第１６列は、底辺の長さ２、高さ１の三角山型形状を８個形成する線Ｌ５により表される。
ここで、閾値Ｎｕｍを、符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値がこれを超えると、アナログ積分器６（図１）が飽和する値であるとする。図１２及び図１３に示す例では、Ｎｕｍ＝３であるとする。そして、ドライブライン数Ｍ＝１３であるとする。
線Ｌ５に対応する第２列、第４列、第６列、第８列、第１０列、第１２列、第１４列、及び第１６列、並びに、線Ｌ４に対応する第３列、第７列、第１１列、及び第１５列は、図１３に示すように、いずれも、閾値Ｎｕｍ＝３を超えないので、Ｍ＝１３本のドライブラインを同時駆動しても、アナログ積分器６は飽和しない。
線Ｌ１に対応する第１列は、閾値Ｎｕｍ＝３を超えるので、閾値Ｎｕｍ＝３に基づいて、ドライブラインの１番目から順番に３本のドライブラインずつ４回駆動した後、ドライブラインＤＬ１３を駆動するように第１列を分割して駆動すると、アナログ積分器６は飽和しない。
一般的には、ドライブラインの１番目からＮｕｍ×［Ｍ／Ｎｕｍ］番目までをＮｕｍ個ずつ駆動することを［Ｍ／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（Ｍ／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動する。ここで、［ｘ］：ｘの整数部であり、後述する説明においても同様である。
線Ｌ２に対応する第９列は、閾値Ｎｕｍ＝３を超える。線Ｌ２に対応する第９列は、まず、ドライブラインの第２行目から第１３行目までを符号系列の対応箇所により並列に駆動した後、ドライブラインの１行目を駆動する。
一般的には、ドライブラインの（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目＝（２ｎ−Ｍ）行目に基づく行からＭ行目までを並列に駆動した後、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目＝（２ｎ−Ｍ）行目までを、Ｎｕｍ個ずつ駆動することを［（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１）−１）行目に基づく行／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１）−１）行目に基づく行／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動する。
実施の形態５で示す例では、ｎ＝４、Ｍ＝１３であるから、（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目＝３行目であるが、３行目から１３行目までを並列駆動しても、符号系列の列方向の総和は＋１であり、閾値Ｎｕｍ＝３よりも２小さい。従って、２行目から１３行目までを並列駆動しても、符号系列の列方向の総和は＋２であり、閾値Ｎｕｍ＝３よりも、まだ小さい。このため、（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目は３行目であるが、閾値Ｎｕｍの値を考慮し、（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目＝３行目に基づく行として２行目を選択し、２行目から１３行目までを並列駆動する。
線Ｌ３に対応する第５列及び第１３列は、閾値Ｎｕｍ＝３を超える。線Ｌ３に対応する第５列及び第１３列は、まず、ドライブラインの１行目から８行目までを同時に並列駆動する。そして、ドライブラインの１０行目から１３行目までを駆動する。次に、ドライブラインの９本目を駆動する。
一般的には、まず、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１）行目までを同時並列に駆動する。そして、ドライブラインの（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目に基づく行からＭ行目までを並列に駆動する。次に、ドライブラインの（２ｎ−１＋１）行目から（（（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））に基づく行）−１）行目までを、Ｎｕｍ個ずつ駆動することを［（（（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））に基づく行））−（２ｎ−１＋１）／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（（（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））に基づく行））−（２ｎ−１＋１）／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動する。
実施の形態５で示す例では、ｎ＝４、Ｍ＝１３であるから、（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目＝１１行目であるが、１１行目から１３行目までを並列駆動しても、符号系列の列方向の総和は＋１であり、閾値Ｎｕｍ＝３よりも２小さい。従って、１０行目から１３行目までを並列駆動しても、符号系列の列方向の総和は＋２であり、閾値Ｎｕｍ＝３よりも、まだ小さい。このため、（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目＝１１行目であるが、閾値Ｎｕｍの値を考慮し、（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目＝１１行目に基づく行として１０行目を選択し、１０行目から１３行目までを並列駆動する。
次に、ドライブライン数Ｍが１２以下の場合のセンサパネル駆動方法を説明する。まず、８＜Ｍ≦１２の場合を説明する。線Ｌ１及び線Ｌ２の駆動方法は、前述した駆動方法と同じである。線Ｌ３の場合は、まず、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１）行目までを同時並列に駆動する。そして、ドライブラインの（２ｎ−１）＋１行目から（２ｎ−１）＋Ｎｕｍ×［（Ｍ−（２ｎ−１））／Ｎｕｍ］番目までをＮｕｍ個ずつ駆動することを［（Ｍ−（２ｎ−１））／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（Ｍ−（２ｎ−１））／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動する。
次に、４＜Ｍ≦８の場合を説明する。線Ｌ１の駆動方法は、前述した線Ｌ１の駆動方法と同じである。線Ｌ２の駆動方法は、前述した線Ｌ１の駆動方法と同じである。線Ｌ３の駆動方法は、前述したドライブライン数Ｍ＝１３の場合の線Ｌ２の駆動方法と同じである。
Ｍ≦４の場合は、線Ｌ１の駆動方法は前述した線Ｌ１の駆動方法と同じであり、線Ｌ２及び線Ｌ３の駆動方法も、前述した線Ｌ１の駆動方法と同じである。
ここで、閾値Ｎｕｍ＝１となった場合のセンサパネル駆動方法を説明する。ドライブライン数Ｍ＝１３とする。線Ｌ１、線Ｌ２、及び線Ｌ３の駆動方法は、前述した閾値Ｎｕｍ＝３の場合の駆動方法と同じである。線Ｌ４の場合は、まず、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１＋２ｎ−２）行目までを同時並列に駆動する。そして、ドライブラインの（２ｎ−１＋２ｎ−２）＋１番目から（２ｎ−１＋２ｎ−２）＋Ｎｕｍ×［（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２））／Ｎｕｍ］番目までをＮｕｍ個ずつ駆動することを［（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２））／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２））／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動する。
２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列の次数が増大して、ｎ＞４となったときも前述した駆動方法と同様の方法により駆動すればよい。
なお、符号系列の列方向に沿った位置と、列方向に沿った各要素の総和の絶対値との関係が図１３に示す関係になっていない場合でも、符号系列の行の順番を入れ替えることにより、符号系列の列方向に沿った位置と、列方向に沿った各要素の総和の絶対値とが図１３に示す関係を有するシルベスター法によって生成される２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列とすることができるときは、当該符号系列の行の順番を入れ替えて、上記駆動方法を実施するように構成してもよい。
なお、前述した実施の形態１〜５では、直交符号系列によりドライブラインを並列に駆動する例を示したが、本発明はこれに限定されない。Ｍ系列に基づく符号系列によりドライブラインを駆動してもよい。
図１４の（ａ）は、実施の形態に係るＭ系列に基づく符号系列を説明するための図である。Ｍ系列に基づく符号系列ｄ１＝（ｄ１１、ｄ１２、…、ｄ１Ｎ）、ｄ２＝（ｄ２１、ｄ２２、…、ｄ２Ｎ）、…、ｄＭ＝（ｄＭ１、ｄＭ２、…、ｄＭＮ）は、１番目からＭ番目までのドライブラインを並列駆動し、それぞれ、１または−１の要素を有しているものとし、Ｍ系列に基づく符号系列ｄ１、ｄ２、…、ｄＭは、長さＮ（＝２ｎ−１）のＭ系列を巡回シフトした系列とすると、図１４の（式８）に示す条件を満足する。
「Ｍ系列」は、二進擬似乱数列の一種であり、１と−１（または１と０）の２値のみから構成される。Ｍ系列の１周期の長さは、２ｎ−１である。長さ＝２３−１＝７のＭ系列の例としては、「１、−１、−１、１、１、１、−１」が挙げられる。長さ＝２４−１＝１５のＭ系列の例としては、「１、−１、−１、−１、１、１、１、１、−１、１、−１、１、１、−１、−１」が挙げられる。
図１４の（ｂ）は、Ｍ系列に基づく符号系列の具体例を示す図である。Ｍ系列に基づく符号系列ＭＣＳは、１３行×１５列の符号系列である。符号系列ＭＣＳの１行目は、長さ＝１５のＭ系列「１、−１、−１、−１、１、１、１、１、−１、１、−１、１、１、−１、−１」である。符号系列ＭＣＳの２行目は、１行目のＭ系列を左に１桁巡回シフトしたＭ系列であり、符号系列ＭＣＳの３行目は、２行目のＭ系列を左に１桁巡回シフトしたＭ系列である。以下同様に、符号系列ＭＣＳのｋ行目は、ｋ−１行目のＭ系列を左に１桁巡回シフトしたＭ系列である（２≦ｋ≦１３）。
（実施の形態６）
（タッチセンサシステムを搭載した電子機器）
図１５は、タッチセンサシステム１を搭載した携帯電話機１２の構成を示す機能ブロック図である。携帯電話機（電子機器）１２は、ＣＰＵ１５と、ＲＡＭ１７と、ＲＯＭ１６と、カメラ２１と、マイクロフォン１８と、スピーカ１９と、操作キー２０と、表示パネル１３と、表示制御回路１４と、タッチセンサシステム１とを備えている。各構成要素は、相互にデータバスによって接続されている。
ＣＰＵ１５は、携帯電話機１２の動作を制御する。ＣＰＵ１５は、たとえばＲＯＭ１６に格納されたプログラムを実行する。操作キー２０は、携帯電話機１２のユーザによる指示の入力を受ける。ＲＡＭ１７は、ＣＰＵ１５によるプログラムの実行により生成されたデータ、または操作キー２０を介して入力されたデータを揮発的に格納する。ＲＯＭ１６は、データを不揮発的に格納する。
また、ＲＯＭ１６は、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュメモリなどの書込みおよび消去が可能なＲＯＭである。なお、図１４には示していないが、携帯電話機１２が、他の電子機器に有線により接続するためのインターフェイス（ＩＦ）を備える構成としてもよい。
カメラ２１は、ユーザの操作キー２０の操作に応じて、被写体を撮影する。なお、撮影された被写体の画像データは、ＲＡＭ１７や外部メモリ（たとえば、メモリカード）に格納される。マイクロフォン１８は、ユーザの音声の入力を受付ける。携帯電話機１２は、当該入力された音声（アナログデータ）をデジタル化する。そして、携帯電話機１２は、通信相手（たとえば、他の携帯電話機）にデジタル化した音声を送る。スピーカ１９は、たとえば、ＲＡＭ１７に記憶された音楽データなどに基づく音を出力する。
タッチセンサシステム１は、センサパネル２と集積回路３とを有している。ＣＰＵ１５は、タッチセンサシステム１の動作を制御する。ＣＰＵ１５は、例えばＲＯＭ１６に記憶されたプログラムを実行する。ＲＡＭ１７は、ＣＰＵ１５によるプログラムの実行により生成されたデータを揮発的に格納する。ＲＯＭ１６は、データを不揮発的に格納する。
表示パネル１３は、表示制御回路１４により、ＲＯＭ１６、ＲＡＭ１７に格納されている画像を表示する。表示パネル１３は、センサパネル２に重ねられているか、センサパネル２を内蔵している。
（実施の形態７）
（タッチセンサシステムの構成）
図１６は、実施の形態７に係るタッチセンサシステム１０１の構成を示す模式図である。タッチセンサシステム１０１は、タッチパネル１０２を備えている。タッチパネル１０２は、表示パネル１０９に重ねて配置されている。タッチパネル１０２は、例えば、約８０インチサイズの大きさを有しており、電子黒板システムのボードの表面に配置することができる大型のタッチパネルである。タッチパネル１０２は、表示パネル１０９に内蔵されていてもよい。
タッチパネル１０２の表面には、長方形状をしたお手付き領域（部分領域）（お手付きパッドともいう）１１３と、お手付き領域１１３以外の領域である残余領域１１４とからなる二次元領域１１２が配置されている。
図１７は、タッチパネル１０２に設定されたお手付き領域１１３を示す図である。お手付き領域１１３は、長方形状をしており、タッチパネル１０２に着いた手の領域１１６ｄと指がタッチパネル１０２にタッチした領域１１７を囲み、かつ、手が把持するペンの先端がタッチパネル１０２にタッチしたペン入力領域１１８がお手付き領域１１３の外側に配置されるように設定されている。このように、お手付き領域１１３は、入力用ペンを把持する手を着く領域１１６ｄを囲むように形成されている。
タッチパネル１０２には、水平方向に互いに平行に配置された複数の図示しないドライブラインと、垂直方向に互いに平行に配置された複数の図示しないセンスラインと、複数のドライブラインと複数のセンスラインとが交差する箇所にそれぞれ形成された複数の図示しない静電容量とが設けられている。
タッチセンサシステム１０１には、制御回路１１５が設けられている。制御回路１１５は、ドライバ１０５及びセンスアンプ１０６を有している。ドライバ１０５は、複数のドライブラインに電圧を印加して駆動し、静電容量に電荷を供給する。センスアンプ１０６は、静電容量に蓄積された電荷の線形和をセンスラインごとに読み出して、ＡＤ変換器１０７に供給する。
ＡＤ変換器１０７は、静電容量に蓄積された電荷の線形和をＡＤ変換して復号部１０８に供給する。復号部１０８は、ＡＤ変換器１０７から供給された電荷の線形和を復号して、静電容量分布を求め、タッチパネル１０２の二次元領域１１２のお手付き領域１１３へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号（部分領域タッチ信号）を生成してお手付き領域処理部１０３（第１処理手段）に供給し、残余領域１１４へのタッチに対応する描画信号（残余領域タッチ信号）を生成して描画入力処理部１０４（第２処理手段）に供給する。描画信号は、典型的には、文字を描画して入力するための信号である。
描画入力処理部１０４は、復号部１０８から供給された描画信号に基づいて、二次元領域１１２の残余領域１１４への描画入力に基づく処理を実行する。
お手付き領域処理部１０３は、復号部１０８から供給されたお手付き領域タッチ信号に基づいて、お手付き領域１１３の移動、または、お手付き領域１１３の大きさの変更に関連する処理を実行する。
このように、タッチパネル１０２に手が触れてもペン入力信号（描画信号）として取り扱われないお手付き領域１１３を定め、お手付き領域１１３以外の残余領域１１４にタッチされた信号のみがペン入力信号として扱われるように構成すると、残余領域１１４に入力される意図されたペン入力に基づく信号を、お手付き領域１１３に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号と誤認識するおそれを防止することができる。
（お手付き領域の設定方法）
図１８の（ａ）（ｂ）及び図１９の（ａ）（ｂ）は、お手付き領域１１３のユーザ設定方法の例を示す図である。制御回路１１５には、お手付き領域設定部１１０がもうけられている。
図１８の（ａ）を参照すると、表示パネル１０９に表示されたアプリケーションソフトの画面のお手付きパッドメニュー１１９をタッチして、タッチした指を画面中央に移動させると、お手付き領域設定部１１０は、お手付き領域１１３の表示位置を画面中央に移動させる。そして、図１８の（ｂ）に示すように、画面中央に移動されたお手付き領域１１３の四隅をタッチすると、お手付き領域設定部１１０は、タッチの態様に応じてお手付き領域１１３の大きさを変更する。また、図１９の（ａ）に示すように、表示パネル１０９に表示されたお手付き領域１１３の中心をタッチし、タッチしたまま指を動かすと、お手付き領域設定部１１０は、指の動きに応じて、お手付き領域１１３の表示位置を変更する。
このように、表示パネル１０９に表示されたアプリケーションソフトのメニューからタッチ操作によりお手付き領域１１３を設定可能にし、お手付き領域１１３の位置と大きさもタッチ操作により変更可能にすることができる。
図１９の（ｂ）に示すように、お手付き領域設定部１１０は、ペンによる手書き入力が行いやすくなるように、ペン入力軌跡１２０に対応する入力用ペンを把持してタッチパネルに着いた手の移動に追従するようにお手付き領域１１３を移動させてもよい。このためには、例えば、お手付き領域１１３内のタッチ信号が発生する領域１１６ｄ（図１７）の重心を求め、当該重心の移動に追従するようにお手付き領域１１３を移動させればよい。
また、お手付き領域タッチ信号及び描画信号に基づいて、お手付き領域１１３の位置と大きさを自動的に設定する自動設定部（自動設定手段）１１１を制御回路１１５に設けてもよい。
なお、お手付き領域１１３は、複数個定めるように構成してもよい。大画面のタッチセンサシステムでは、複数ユーザによるペン入力が行われるからである。
また、本実施の形態では、静電容量型のタッチセンサシステムの例を示したが、本発明はこれに限定されない。静電容量型以外のタッチセンサシステムに対しても本発明を適用することができる。例えば、電磁誘導型のタッチセンサシステムに対しても本発明を適用することができる。
また、長方形状のお手付き領域１１３の例を示したが、本発明はこれに限定されない。お手付き領域１１３は、円、楕円、三角形等の長方形状以外の形状であってもよい。
さらに、描画入力処理部１０４の他に、残余領域１１４に表示されるメニューを選択するためのタッチ信号を処理するメニュー選択処理部、残余領域１１４に表示されるアイコンを移動させるためのタッチ信号を処理するアイコン移動処理部を、請求項に規定する第２処理手段として設けてもよい。また、お手付き領域１１３の代わりに、またはお手付き領域１１３に加えて、黒板消し（または消しゴム）として機能する黒板消し領域を、請求項に規定する部分領域としてタッチパネル１０２の二次元領域１１２に設け、この黒板消し領域からの信号に基づいて、黒板消し領域の黒板消しとしての機能を実行する黒板消し処理部を請求項に規定する第１処理手段として設けてもよい。
残余領域１１４へのタッチに対応する信号（残余領域タッチ信号）は、ペンにより発生する描画信号と、指により発生するタッチ信号との少なくとも一方を含む。ペンにより発生する描画信号は、残余領域１１４にペンにより文字を描画する操作に基づいて発生する信号と、残余領域１１４に表示されるメニューをペンにより選択する操作に基づいて発生する信号と、残余領域１１４に表示されるアイコンをペンにより選択する操作、又は移動させる操作に基づいて発生する信号とを含む。指により発生するタッチ信号は、残余領域１１４に指により文字を描画する操作に基づいて発生する信号と、残余領域１１４に表示されるメニューを指により選択する操作に基づいて発生する信号と、残余領域１１４に表示されるアイコンを指により選択する操作、又は移動させる操作に基づいて発生する信号とを含む。
本発明に係る線形系係数推定方法は、Ｍ個の入力Ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を有して入出力が線形な系
Figure 2014519067
に対して、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて前記Ｍ個の入力Ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を入力して、Ｎ個の出力ｓ＝（ｓ１、ｓ２、…、ｓＮ）＝（Ｆ（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））を出力する出力工程と、
前記出力ｓと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ番目の入力Ｘｋに対応する係数Ｃｋを推定する推定工程とを包含することを特徴とする。
この特徴により、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて前記Ｍ個の入力Ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を入力して、Ｎ個の出力ｓ＝（ｓ１、ｓ２、…、ｓＮ）＝（Ｆ（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））を出力するので、Ｍ個の入力にすべて同時に入力して線形系の係数Ｃｋを推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ個の入力を１個ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、入力数Ｍが増大しても、線形系の係数値を取得するための処理時間は短くならず、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な線形系係数推定方法を得ることができる。
本発明に係る他の線形系係数推定方法は、Ｍ個の入力Ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を有して入出力が線形な第１の系及び第２の系
Figure 2014519067
のそれぞれに対して、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて前記Ｍ個の入力Ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を入力して、前記第１の系からのＮ個の出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）＝（Ｆ１（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ１（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ１（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））、及び、前記第２の系からのＮ個の出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）＝（Ｆ２（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ２（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ２（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））を出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目の入力Ｘｋに対応する前記第１の系の係数Ｃ１ｋを推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目の入力Ｘｋに対応する前記第２の系の係数Ｃ２ｋを推定する推定工程とを包含することを特徴とする。
この特徴により、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて前記Ｍ個の入力ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を入力して、前記第１の系からのＮ個の出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）＝（Ｆ１（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ１（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ１（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））、及び、前記第２の系からのＮ個の出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）＝（Ｆ２（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ２（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ２（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））を出力するので、Ｍ個の入力にすべて同時に入力して第１の系の係数Ｃ１ｋ及び第２の系の係数Ｃ２ｋを推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ個の入力を１個ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、入力数Ｍが増大しても、第１及び第２の系の係数値を取得するための処理時間は短くならず、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な線形系係数推定方法を得ることができる。
本発明に係る線形素子列値推定方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の線形素子列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の線形素子列Ｃ２ｉ（ｉ＝１，…，Ｍ）のそれぞれに対して、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の線形素子列からのＮ個の出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の線形素子列からのＮ個の出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の線形素子列の線形素子の値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の線形素子列の線形素子の値を推定する推定工程とを包含することを特徴とする。
この特徴により、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の線形素子列からのＮ個の出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の線形素子列からのＮ個の出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力するので、Ｍ本のドライブラインにすべて同時に入力して第１の線形素子列の線形素子の値及び第２の線形素子列の線形素子の値を推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ本のドライブラインを１本ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、第１の線形素子列の線形素子の値及び第２の線形素子列の線形素子の値を取得するための処理時間が長くなり、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な線形系係数推定方法を得ることができる。
本願発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１，…，Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含することを特徴とする。
この特徴により、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力するので、Ｍ本のドライブラインにすべて同時に入力して、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ本のドライブラインを１本ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を取得するための処理時間が長くなり、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な静電容量検出方法を得ることができる。
また、Ｍ本の全ドライブラインを、符号系列に応じて＋Ｖボルト又は−Ｖボルトで並列に駆動するので、符号系列に応じてドライブラインを分割して駆動する特許文献２に記載の構成に比べて、静電容量列からの出力信号に含まれる情報量が多くなり、ＳＮ比も良好になる。さらに、２相演算する特許文献２に記載の構成に比べて、演算が一層で済むため、高速化に有利である。
本発明に係る集積回路は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１，…，Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１，…，Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたことを特徴とする。
この特徴により、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させるので、Ｍ本のドライブラインにすべて同時に入力して、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ本のドライブラインを１本ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定するための処理時間が長くなり、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な静電容量検出方法に用いる集積回路を得ることができる。
また、Ｍ本の全ドライブラインを、符号系列に応じて＋Ｖボルト又は−Ｖボルトで並列に駆動するので、符号系列に応じてドライブラインを分割して駆動する特許文献２に記載の構成に比べて、静電容量列からの出力信号に含まれる情報量が多くなり、ＳＮ比も良好になる。さらに、２相演算する特許文献２に記載の構成に比べて、演算が一層で済むため、高速化に有利である。
本発明に係るタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１，…，Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、上記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、上記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有することを特徴とする。
この特徴により、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させるので、Ｍ本のドライブラインにすべて同時に入力して、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ本のドライブラインを１本ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定するための処理時間が長くなり、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能なタッチセンサシステムを得ることができる。
また、Ｍ本の全ドライブラインを、符号系列に応じて＋Ｖボルト又は−Ｖボルトで並列に駆動するので、符号系列に応じてドライブラインを分割して駆動する特許文献２に記載の構成に比べて、静電容量列からの出力信号に含まれる情報量が多くなり、ＳＮ比も良好になる。さらに、２相演算する特許文献２に記載の構成に比べて、演算が一層で済むため、高速化に有利である。
本発明に係る電子機器は、本発明に係るタッチセンサシステムと、前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする。
この特徴により、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させるので、Ｍ本のドライブラインにすべて同時に入力して、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ本のドライブラインを１本ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値、及びｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定するための処理時間が長くなり、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能なタッチセンサシステムを備えた電子機器を得ることができる。
また、Ｍ本の全ドライブラインを、符号系列に応じて＋Ｖボルト又は−Ｖボルトで並列に駆動するので、符号系列に応じてドライブラインを分割して駆動する特許文献２に記載の構成に比べて、静電容量列からの出力信号に含まれる情報量が多くなり、ＳＮ比も良好になる。さらに、２相演算する特許文献２に記載の構成に比べて、演算が一層で済むため、高速化に有利である。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記アナログ積分器のリセット時にはＶｒｅｆボルトで表される第１電圧により前記Ｍ本のドライブラインを駆動し、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時には、前記符号系列が前記＋１の場合は（Ｖｒｅｆ＋Ｖ）ボルトで表される第２電圧により、前記符号系列が前記−１の場合は（Ｖｒｅｆ−Ｖ）ボルトで表される第３電圧により前記Ｍ本のドライブラインを駆動することを特徴とする。
上記特徴により、符号系列に基づいて、簡単な構成により、ドライブラインを並列に駆動することができる。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動することを特徴とする。
上記特徴により、より高い信号強度を得ることができ、静電容量に蓄積される電荷を増大させることができる。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程の前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納することを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器により生じるオフセットをキャンセルすることができる。
本発明に係る集積回路は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えた集積回路であって、前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動することを特徴とする。
上記特徴により、より高い信号強度を得ることができ、静電容量に蓄積される電荷を増大させることができる。
本発明に係る集積回路は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えた集積回路であって、前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納することを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器により生じるオフセットをキャンセルすることができる。
本発明に係るタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動することを特徴とする。
上記特徴により、より高い信号強度を得ることができ、静電容量に蓄積される電荷を増大させることができる。
本発明に係るタッチセンサシステムは、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納することを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器により生じるオフセットをキャンセルすることができる。
本発明に係る電子機器は、本発明に係るタッチセンサシステムと、前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記アナログ積分器の飽和を防止するために、前記符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値に応じて、前記アナログ積分器のゲインを切り替えることを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記アナログ積分器の飽和を防止するために、前記符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値に応じて、前記符号系列の列を複数の列に分割して、前記Ｍ本のドライブラインの駆動を複数回に分割することを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本発明に係る静電容量検出方法は、（Ｍ＝２ｎ）本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記（Ｍ＝２ｎ）本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、シルベスター（sylvester）法によって生成される２ｎ次のアダマール（Hadamard）行列の各行に相当する＋１または−１によって構成されて互いに直交する符号長Ｎ＝Ｍの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記アナログ積分器の飽和を防止するために、前記符号系列の第１列目を複数の列に分割して、前記符号系列の第１列目に相当する駆動を複数回に分割することを特徴とする。
上記特徴により、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本発明に係る静電容量検出方法は、Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、シルベスター（sylvester）法によって生成される２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール（Hadamard）行列の各行に相当する＋１または−１によって構成されて互いに直交する符号長Ｎ＞Ｍの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する出力工程と、前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定工程とを包含する静電容量検出方法であって、前記出力工程は、前記符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値が前記アナログ積分器の飽和に関連する閾値Ｎｕｍを超える列を複数の列に分解して、前記符号系列の前記閾値Ｎｕｍを超える列に対応する駆動を複数回に分割することを特徴とする。
上記特徴により、２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列による駆動において、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本発明に係る線形系係数推定方法は、長さＮの直交するＭ個の符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて前記Ｍ個の入力ｘｋ（ｋ＝１、…、Ｍ）を入力して、Ｎ個の出力ｓ＝（ｓ１、ｓ２、…、ｓＮ）＝（Ｆ（ｄ１１、ｄ２１、…、ｄＭ１）、Ｆ（ｄ１２、ｄ２２、…、ｄＭ２）、…、Ｆ（ｄ１Ｎ、ｄ２Ｎ、…、ｄＭＮ））を出力するので、Ｍ個の入力にすべて同時に入力して線形系の係数Ｃｋを推定する。従って、従来の構成のように、Ｍ個の入力を１個ずつ選択して走査入力する必要が無くなり、入力数Ｍが増大しても、線形系の係数値を取得するための処理時間は短くならず、検出精度を良好に維持しながら、且つ、解像度も良好で高速動作が可能な線形系係数推定方法を得ることができるという効果を奏する。
本発明に係るタッチセンサシステムは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するタッチパネルと、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とを備えたことを特徴とする。
この特徴により、部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理が実行され、残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、第１処理とは別種類の第２処理が実行される。このため、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号と、残余領域に入力される意図されたタッチ入力に基づく信号とを別扱いする処理を実施することができる。その結果、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号を、残余領域に入力される意図されたペン入力に基づく信号と誤認識するおそれがないタッチセンサシステムを提供することができる。
本発明に係るタッチセンサシステムは、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とを備えたので、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号と、残余領域に入力される意図されたタッチ入力に基づく信号とを別扱いする処理を実施することができる。その結果、部分領域に入力される意図しないタッチ入力に基づく信号を、残余領域に入力される意図されたペン入力に基づく信号と誤認識するおそれがないタッチセンサシステムを提供することができる。
本実施の形態に係る線形素子列値推定方法では、前記符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）の各要素は、＋Ｖまたは−Ｖによって構成されることが好ましい。
上記構成により、各ドライブラインを＋Ｖボルトまたは−Ｖボルトの電圧を印加して駆動することができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、前記推定工程は、前記符号系列による１回の並列駆動ごとに、内積に必要な、符号に応じた加減算を実行することが好ましい。
上記構成により、１回の並列駆動ごとに内積演算を実行するので、符号系列の長さに対応するＮ回の並列駆動ごとに内積演算を実行する構成に比較して、パイプライン処理が可能で短時間で演算することができ、また、演算に必要なメモリが少なくて済む。
上記静電容量検出方法では、前記出力工程は、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔを第１アナログ積分器に出力し、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄを第２アナログ積分器に出力し、前記推定工程は、前記第１アナログ積分器に出力された出力ｓＦｉｒｓｔをＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行し、前記第２アナログ積分器に出力された出力ｓＳｅｃｏｎｄを前記ＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行することが好ましい。
上記構成により、アナログ積分器が各センスラインに対応して並列に配置されるので、マトリックス状に配置された静電容量の全体を検出する検出速度を向上させることができる。
上記静電容量検出方法では、前記出力工程は、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔをアナログ積分器に出力した後、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄを前記アナログ積分器に出力し、前記推定工程は、前記アナログ積分器に出力された出力ｓＦｉｒｓｔをＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行し、前記アナログ積分器に出力された出力ｓＳｅｃｏｎｄを前記ＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行することが好ましい。
上記構成により、単一のアナログ積分器により推定工程を構成することができるので、より簡単な構成により静電容量を検出することができる。
上記静電容量検出方法では、前記出力工程は、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔを第１アナログ積分器に出力し、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄを第２アナログ積分器に出力し、前記推定工程は、前記第１アナログ積分器に出力された出力ｓＦｉｒｓｔを第１ＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行し、前記第２アナログ積分器に出力された出力ｓＳｅｃｏｎｄを第２ＡＤ変換器によりＡＤ変換して前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算を実行することが好ましい。
上記構成により、アナログ積分器及びＡＤ変換器が各センスラインに対応して並列に配置されるので、マトリックス状に配置された静電容量の全体を検出する検出速度をより一層向上させることができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、前記推定工程は、前記メモリに格納された第１の静電容量列からのオフセット出力を前記出力ｓＦｉｒｓｔから減算した結果と、前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記メモリに格納された第２の静電容量列からのオフセット出力を前記出力ｓＳｅｃｏｎｄから減算した結果と、前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定することが好ましい。
上記構成により、アナログ積分器により生じるオフセットをキャンセルすることができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、前記出力工程の前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出す動作を複数回繰り返して得られた複数個のオフセット出力を平均化してメモリに格納することが好ましい。
上記構成により、アナログ積分器により生じるオフセットに含まれるノイズ成分を削減した後、メモリに格納することができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、前記推定工程は、前記出力ｓＦｉｒｓｔをＡＤ変換した第１デジタル値と前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄをＡＤ変換した第２デジタル値と前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定し、前記推定工程は、前記符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値に応じて、前記第１及び第２デジタル値の重み付けを切り替えることが好ましい。
上記構成により、アナログ積分器から内積演算部までのゲインを符号系列による駆動ごとに一定にすることができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、前記符号系列の列方向に沿った各要素の総和の絶対値が前記アナログ積分器の飽和に関連する閾値Ｎｕｍを超える列は、前記２ｎ次のアダマール行列の１列目、（２ｎ−１＋１）列目、（２ｎ−１＋２ｎ−２＋１）列目、及び（２ｎ−１−２ｎ−２＋１）列目のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
上記構成により、２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列による駆動において、簡単なアルゴリズムにより、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、［ｘ］をｘの整数部とし、前記２ｎ次のアダマール行列の１列目が前記閾値Ｎｕｍを超える場合、ドライブラインの１番目からＮｕｍ×［Ｍ／Ｎｕｍ］番目までをＮｕｍ個ずつ駆動することを［Ｍ／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（Ｍ／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動し、前記アダマール行列の（２ｎ−１＋１）列目が前記閾値Ｎｕｍを超える場合、ドライブラインの（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１））行目に基づく行からＭ行目までを並列に駆動した後、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１）−１）行目に基づく行までを、Ｎｕｍ個ずつ駆動することを［（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１）−１）行目に基づく行／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（２ｎ−１−（Ｍ−２ｎ−１）−１）行目に基づく行／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動し、前記アダマール行列の（２ｎ−１＋２ｎ−２＋１）列目が前記閾値Ｎｕｍを超える場合、まず、ドライブラインの１行目から（２ｎ−１）行目までを同時並列に駆動し、そして、ドライブラインの（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目に基づく行からＭ行目までを並列に駆動し、次に、ドライブラインの（２ｎ−１＋１）行目から（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））行目に基づく行までを、Ｎｕｍ個ずつ駆動することを［（（（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））に基づく行））−（２ｎ−１＋１）／Ｎｕｍ］回繰り返した後、残りの（（（（（２ｎ−１＋２ｎ−２）−（Ｍ−（２ｎ−１＋２ｎ−２）））に基づく行））−（２ｎ−１＋１）／Ｎｕｍ）の余りの個数を並列駆動することが好ましい。
上記構成により、２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列による駆動において、簡単なアルゴリズムにより、アナログ積分器の飽和を回避することができる。
本実施の形態に係る静電容量検出方法では、行の順番を入れ替えることにより、シルベスター法によって生成される２ｎ次（Ｍ＜２ｎ）のアダマール行列からなる符号系列を生成し、当該符号系列に基づいて前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動することが好ましい。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記部分領域は、前記タッチパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含み、前記第１処理手段は、前記お手付き領域タッチ信号に基づいて、前記お手付き領域の移動、または前記お手付き領域の大きさの変更に関連する処理を実行し、前記第２処理手段は、前記残余領域タッチ信号に基づいて、前記二次元領域への描画入力とタッチ入力との少なくとも一方に基づく処理を実行することが好ましい。
上記構成により、入力用ペンを把持する手をタッチパネルに着いたことによる意図しないタッチ信号と、タッチパネルへの描画に基づく意図されたタッチ信号とを別扱いする処理を実施することができる。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記タッチパネルは、二次元の静電容量分布を有しており、前記お手付き領域が複数個あることが好ましい。
上記構成により、大画面状のタッチパネルを備えたタッチセンサシステムに対応することができる。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記お手付き領域は、前記手の移動に応じて、前記二次元領域上を移動することが好ましい。
上記構成により、二次元領域上の任意の位置で入力用ペンを把持する手をタッチパネルに着けたことによる意図しないタッチ信号と、タッチパネルへの描画に基づく意図されたタッチ信号とを別扱いする処理を実施することができる。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記お手付き領域は、長方形状をしていることが好ましい。
上記構成により、お手付き領域を簡単に構成することができる。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記タッチパネルに重ねて配置されているか、前記タッチパネルを内蔵した表示パネルと、前記お手付き領域を前記表示パネルに表示された画面上で設定するためのお手付き領域設定手段とをさらに備えることが好ましい。
上記構成により、お手付き領域を容易に設定することができる。
本実施の形態に係るタッチセンサシステムは、前記二次元領域へのタッチに基づいて、前記お手付き領域を自動的に設定する自動設定手段をさらに備えることが好ましい。
上記構成により、より一層容易にお手付き領域を設定することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、マトリックス状に構成された線形系の係数、素子値、または静電容量を推定または検出する方法、及びこの方法に従って動作する集積回路、タッチセンサシステム、及び電子機器に適用することができる。また本発明は、指紋検出システムに適用することもできる。
本発明は、タッチパネルへのタッチに基づくタッチ信号を検出するタッチセンサシステムに利用することができる。また、本発明は、電子黒板システムに適用することができる。
１ タッチセンサシステム
２ センサパネル
３ 集積回路
４ 駆動部
５ 推定部
６、６Ａ アナログ積分器
７ スイッチ
８ ＡＤ変換器
９ 内積演算部
１０ ＲＡＭ
１１ アプリケーション処理部
１２ 携帯電話機
１３ 表示パネル
１４ 表示制御回路
１５ ＣＰＵ
１６ ＲＯＭ
１７ ＲＡＭ
１８ マイクロフォン
１９ スピーカ
２０ 操作キー
２１ カメラ
１０１ タッチセンサシステム
１０２ タッチパネル
１０３ お手付き領域処理部（第１処理手段）
１０４ 描画入力処理部（第２処理手段）
１０５ ドライバ
１０６ センスアンプ
１０７ ＡＤ変換器
１０８ 復号部
１０９ 表示パネル
１１０ お手付き領域設定部（お手付き領域設定手段）
１１１ 自動設定部（自動設定手段）
１１２ 二次元領域
１１３ お手付き領域（部分領域）
１１４ 残余領域
１１５ 制御回路
１１６ａ〜１１６ｄ 領域
１１７ 領域
１１８ ペン入力領域
１１９ パッドメニュー
１２０ ペン入力軌跡

Claims (16)

  1. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部と、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とを備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  2. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    上記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    上記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  3. 請求項２記載のタッチセンサシステムと、
    前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする電子機器。
  4. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  5. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  6. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、
    前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  7. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの直交する符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、
    前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  8. 請求項６または７記載のタッチセンサシステムと、
    前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする電子機器。
  9. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部と、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とを備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  10. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    上記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    上記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃ１ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃ２ｉ（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記符号系列が前記＋１の場合は＋Ｖボルト、前記−１の場合は−Ｖボルトを印加するように前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）を出力させる駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  11. 請求項１０記載のタッチセンサシステムと、
    前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする電子機器。
  12. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  13. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、
    前記ドライブラインと前記センスラインと前記第１の静電容量列と前記第２の静電容量列とに対応し、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有するセンサパネルと、
    前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに備え、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  14. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、
    前記駆動部は、前記符号系列が前記＋１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に第１電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第２電圧により前記ドライブラインを駆動し、前記符号系列が前記−１の場合は、前記アナログ積分器のリセット時に前記第２電圧により、前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に前記第１電圧により前記ドライブラインを駆動し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  15. Ｍ本のドライブラインと１本のセンスラインの間に形成される第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び、上記Ｍ本のドライブラインと他の１本のセンスラインの間に形成される第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）とを備えるセンサパネルと、
    前記センサパネルを制御する集積回路とを備えたタッチセンサシステムであって、
    前記集積回路は、前記第１の静電容量列Ｃｉ１（ｉ＝１、…、Ｍ）、及び前記第２の静電容量列Ｃｉ２（ｉ＝１、…、Ｍ）のそれぞれに対して、各要素が＋１または−１によって構成される長さＮの符号系列ｄｉ＝（ｄｉ１、ｄｉ２、…、ｄｉＮ）（ｉ＝１、…、Ｍ）に基づいて、前記Ｍ本のドライブラインを並列に駆動して、前記第１の静電容量列からの出力ｓＦｉｒｓｔ＝（ｓ１１、ｓ１２、…、ｓ１Ｎ）、及び、前記第２の静電容量列からの出力ｓＳｅｃｏｎｄ＝（ｓ２１、ｓ２２、…、ｓ２Ｎ）をアナログ積分器に出力する駆動部と、
    前記出力ｓＦｉｒｓｔと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ１番目のドライブラインに対応する前記第１の静電容量列の容量値を推定し、前記出力ｓＳｅｃｏｎｄと前記符号系列ｄｉとの内積演算に基づいて、ｋ２番目のドライブラインに対応する前記第２の静電容量列の容量値を推定する推定部とを有しており、
    前記駆動部は、前記第１及び第２静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力する前において、前記アナログ積分器のリセット時、及び前記第１及び第２静電容量列からの出力のサンプリング時に第１電圧により前記ドライブラインを駆動して、前記第１及び第２の静電容量列からの出力を前記アナログ積分器に出力し、前記第１及び第２の静電容量列からの出力をオフセット出力として前記アナログ積分器から読み出してメモリに格納し、
    前記センサパネルは、１個以上の部分領域と、前記部分領域以外の領域である残余領域とからなる二次元領域を有し、
    前記集積回路は、前記部分領域へのタッチに対応する部分領域タッチ信号に基づいて、第１処理を実行する第１処理手段と、
    前記残余領域へのタッチに対応する残余領域タッチ信号に基づいて、前記第１処理とは別種類の第２処理を実行する第２処理手段とをさらに有し、
    前記部分領域は、前記センサパネルへの入力のために手を着く領域を囲むお手付き領域であり、
    前記部分領域タッチ信号は、前記お手付き領域へのタッチに対応するお手付き領域タッチ信号であり、
    前記残余領域タッチ信号は、ペンによる描画信号と指によるタッチ信号との少なくとも一方を含むことを特徴とするタッチセンサシステム。
  16. 請求項１４または１５記載のタッチセンサシステムと、
    前記タッチセンサシステムに設けられたセンサパネルに重ねて配置されているか、または、前記センサパネルを内蔵した表示パネルとを備えたことを特徴とする電子機器。
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