JP2014514767A - 電子制御ユニットアセンブリ、及び、電子制御ユニットアセンブリを備える車両 - Google Patents

Abstract

被覆部と、１つ以上の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）（１）と、基板と、ＥＣＵ本体と、を備えた電子制御ユニット（ＥＣＵ）アセンブリが提供される。被覆部は、ラッチ部（６）を有する蓋要素（３）を含み、蓋要素（３）はラッチ部（６）を介してＥＣＵ本体に固定され、ＭＯＳＦＥＴ（１）は、蓋要素（３）と基板（９）との間に配置される。被覆部は、ＭＯＳＦＥＴ（１）が基板と緊密に接触するように当該ＭＯＳＦＥＴ（１）と緊密に接触し当該ＭＯＳＦＥＴ（１）に対して弾性的に押圧される中間要素をさらに含む。これにより、ＭＯＳＦＥＴは、ＥＣＵアセンブリ内で確実に固定される。ＥＣＵアセンブリを備える車両も提供される。
【選択図】図６

Description

本発明は、１つ以上の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを備える電子制御ユニットアセンブリに関し、及び、このような電子制御ユニットアセンブリを備えた車両に関する。

公知の制御ユニットとしての電子制御ユニット（ＥＣＵ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌ ｕｎｉｔ）は、様々な車両内で広く使用されており、車両の各構成要素のために正確で複雑な制御を行うことが可能である。ＥＣＵは、様々なセンサから信号を受信し、あるストラテジに基づいて、例えば、車両内のエンジンシステム、ステアリングシステム、ブレーキシステム等へと、当該システムを制御するために制御命令を出力することが可能である。現在のＥＣＵアセンブリでは、電源のオン・オフの切り替えを制御するため、及び、電力を増幅させるために、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：ｍｅｔａｌｌｉｃ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が通常提供される。

公知のＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの一の端部では、当該ＭＯＳＦＥＴから外部へと伸びるピンが、プリント基板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）へと溶接され、ＭＯＳＦＥＴの他の端部では、当該ＭＯＳＦＥＴから外部へと伸びるプレートに、ボルトがその中に挿入される貫通孔が設けられ、これにより、ＭＯＳＦＥＴがＥＣＵ基板に確実に固定される。

例えば、国際公開第ＷＯ２００５／０１３６５８号明細書では、電力素子ＭＯＳＦＥＴは、圧力調整ねじ、放熱シート、及びＬ字型取り付け具を介して熱シンクへと固定される。他の例、即ち、日本国出願公開第８−２０４３５９号明細書は、ＭＯＳＦＥＴの異なる取り付け方を開示しており、ここでは、隣り合う２つのＭＯＳＦＥＴの取り付け端部に、組み立て固定板が設けられ、ＭＯＳＦＥＴを締め付け固定するために、１個のボルトが当該組み立て固定板を貫通する。さらに、日本国出願公開第２００４−３３５９５９号明細書を参照すると、当該明細書の開示によれば、ＭＯＳＦＥＴの組み立て底面が、関連する回路基板に対してある角度で配置され、ＭＯＳＦＥＴの取り受け端部をねじが貫通するという取り付け方で、ＭＯＳＦＥＴが固定されている。

先に挙げたＭＯＳＦＥＴの取り付け方には、多くの不都合がある。

まず、ボルトの固定点が全て、ＭＯＳＦＥＴの一方の側の取り付け端部に位置しており、即ち、ＭＯＳＦＥＴの耐力点（ｆｏｒｃｅ−ｂｅａｒｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）が、ＭＯＳＦＥＴの中央に存在しない。従って、ボルトが捻じ込まれた状態において、ＭＯＳＦＥＴとＥＣＵ基板との間の接触面上で作用力が均等に分散されえない。従って、接触面の間に必然的に空隙が、当該接触面の幾つかの部分で発生することになる。換言すると、上記２つの表面は互いに均等に接合されず、ＭＯＳＦＥＴと基板との間の熱伝導に、好ましくない影響を与えることになる。

第２に、ＥＣＵ基板へとボルトを固定する処理の間に、余分な力が、ＭＯＳＦＥＴピンの溶接箇所に加えられることになる。さらに、ＭＯＳＦＥＴの溶接箇所と取り付け端部とは、通常では、反対の側に位置しており、溶接箇所が受け止める作用力がさらに拡大することになり、このことが、溶接点に損傷を与える可能性がある。

最後に、ボルトを締める処理の間に、内側のねじ山と外側のねじ山との間の摩擦接触により、ボルトの外側のねじ山又は基板の内側のねじ山から小さな金属片が発生する可能性がある。この金属片がＥＣＵ内に落ちると、ＰＣＢの短絡が引き起こされる可能性があり、その場合には、ＥＣＵが深刻な損傷を受けることになる。

本発明の目的は、有利な熱放散能力を有し、電子制御ユニットアセンブリ内での金属酸化物半導体電界効果トランジスタの安定した設置を達成することが可能であり、従って高い信頼性と長い耐用年数を有する電子制御ユニットアセンブリを提供することである。本発明の電子制御ユニットアセンブリによれば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、ボルトや座金に頼らずに設置されるが、電子制御ユニットの蓋要素及びガスケットを用いて、電子制御ユニットの基板へと固定される。これにより、上記の不都合を解消することが可能である。

本発明の１の観点によれば、被覆部と、１つ以上の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、基板と、電子制御ユニット本体と、を備え、被覆部は、ラッチ部を有する蓋要素を含み、蓋要素はラッチ部を介して電子制御ユニット本体に固定され、金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、蓋要素と基板との間に配置され、被覆部は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタが基板と緊密に接触するように、当該金属酸化物半導体電界効果トランジスタと緊密に接触し当該金属酸化物半導体電界効果トランジスタに対して弾性的に押圧される中間要素をさらに含む電子制御ユニット（ＥＣＵ）アセンブリが提供される。

明らかに、中間要素は、蓋要素内に形成される一部分であってもよく、又は、被覆部の別の構成要素であってもよい。さらに、１個の中間要素が、複数の酸化金属半導体電界効果トランジスタと、又は、１個の金属酸化物半導体電界効果トランジスタと緊密に接触してもよい。

本発明の好適な一実施形態によれば、中間要素は、エラストマ（ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）により形成される１つ以上のガスケットである。このようなガスケットは、確実な固定を保証するために、金属酸化物半導体電界効果トランジスタに対して、弾性的な反力を継続的に加えることが可能である。

本発明の好適な他の実施形態によれば、被覆部は、ガスケットと一体に形成された密封パッドをさらに含む。これにより、本発明において定義される技術的な解決策が、既存の蓋要素及び密封パッドに対して小さな変更を行うことによって達成されうる。

本発明の好適な他の実施形態によれば、蓋要素には、その内側に突出部が備えられ、突出部はガスケットが弾性的に変形するように当該ガスケットに緊密に接触する。好適に、突出部の形状、大きさ、及び位置は、ガスケットが弾性的に変形する場合に、金属酸化物半導体電界効果トランジスタと電子制御ユニット基板との間の合力の作用点が金属酸化物半導体電界効果トランジスタの下面の中央の位置に存在するように、設定される。

本発明の好適な他の実施形態によれば、突出部は、中空円筒、円柱、十文字、又は星の形状をしている。この突出部は、電子制御ユニット基板（又は、熱シンク）に緊密に接合されるように金属酸化物半導体電界効果トランジスタに対して均等の圧力が掛かることを保証することが可能であり、これにより、より良好な熱伝導が達成される。

本発明の好適な他の実施形態によれば、ラッチ部は蓋要素の周囲に配置され、電子制御ユニット本体の突起とパチンと係合される（ｓｎａｐ−ｅｎｇａｇｅｄ）。当然のことながら、他の種類のロック結合（ｌｏｃｋｉｎｇ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）形態を、蓋要素と電子制御ユニット本体との間で利用してもよいと解される。

本発明の好適な他の実施形態によれば、密封パッドは、蓋要素と基板との間に緊密に固定されたフレーム部を含む。

本発明の好適な他の実施形態によれば、ガスケットはゴム製である。

本発明の好適な他の実施形態によれば、ガスケットは密封パッドから分離している。本実施形態では、１つ以上の密封パッドを簡単なやり方で、低コストで提供することが可能である。

本発明の他の観点によれば、上記の電子制御ユニットアセンブリを備える車両が提供される。

本発明に係る電子制御ユニットアセンブリは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタと基板との間の均等な接触をもたらすことが可能であり、これにより、より良好な熱放散が達成される。ボルトを締めるという操作が省略されるため、金属酸化物半導体電界効果トランジスタのピンの溶接箇所は、もはや、余分な作用力に悩まされることがない。さらに、金属片が発生する可能性が解消され、このことによって、金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性が遥かに向上し、これにより、電子制御ユニットアセンブリは高い信頼性と長い耐用年数を有することになる。

以下では、本発明の好適な実施形態が、図面を参照して記載される。
公知の典型的なＭＯＳＦＥＴを概略的に示す斜視図である。 本発明のＥＣＵアセンブリの蓋要素を外側から概略的に示す斜視図である。 図２の蓋要素を内側から概略的に示す斜視図であり、図３は、図２に対して水平方向に１８０°回転している。 図３の蓋要素を内側から概略的に示す平面図である。 図４の線Ｅ−Ｅに沿って切断された、図２の蓋要素の１つの横断面を示す断面図である。 設置された本発明のＥＣＵアセンブリを組み立てた状態で示す、部分的に拡大された断面図である。 本発明の密封パッドを概略的に示す斜視図である。 図７に対して水平方向に１８０°回転した、図７の密封パッドを概略的に示す斜視図である。

図１は、参照符号「１」が指定された、１つの公知の典型的なＭＯＳＦＥＴを概略的に示している。ＭＯＳＦＥＴの１の端部には、ＰＣＢへと溶接される３個のピンが設けられており、他の端部には、貫通孔２が設けられている。公知のＥＣＵアセンブリでは、ＭＯＳＦＥＴ１は、ＥＣＵ基板とのねじ接合によって、ボルトが座金と貫通孔２とを貫通することによって、ＥＣＵアセンブリ内に取り付けられる。

本発明の一実施形態によれば、ＥＣＵアセンブリは、蓋要素３（図２〜４参照）と密封パッド（図７〜８参照）とを含む被覆部を有する。

図２〜４は、本体４と、側部５と、を含む蓋要素３一式を示している。本体４は、（図５の断面図で示すように）外に向かって僅かにアーチ状に湾曲している。図２を参照すると、複数の接続部及びソケット部が、本体４の外側に、様々なケーブルの接続端子をそこに挿入するために設けられており、これにより、データ通信、及び／又は、電源の供給が達成される。

図５を参照すると、側部５は、本体４の周縁部から順々に伸びている第１の側部５ａとステップ部５ｂと第２の側部５ｃとを含み、第１の側部５ａとステップ部５ｂと第２の側部５ｃとは、本体４の外縁を取り囲んでいる。第１の側部５ａは、一般に矩形の本体４の周縁部からぶら下がる形で（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ ｍａｎｎｅｒ）伸びている。ステップ部５ｂは、第１の側部５ａに対して直角を成し第１の側部５ａの縁端から外側へと伸びている。第２の側部５ｃは、ステップ部５ｂに対して直角を成しステップ部５ｂの縁端から伸びており、その伸長方向は、第１の側部５ａの伸長方向と同じであり、当該第１の側部５ａの伸長方向と平行している。本体４の４つの側面それぞれには、凹孔又は貫通孔を有する２つのラッチ部６が、第２の側部５ｃに接して配置され（図２参照）、ラッチ部６は、外向きの作用力を受けた場合には、外に向かって僅かに傾斜し、ＥＣＵ本体の外側の周縁壁の対応する場所にある突起と係合するよう調整され、これにより、蓋要素３がＥＣＵ本体にしっかりと固定される。

本実施形態において、本体４は、外に向かって僅かにアーチ状に湾曲しており、図４で示す上面図で見られるように、本体４は概して矩形である。しかしながら、本体４は、他の適切な形状と構造を有してもよいと解される。例えば、本体４は平坦な形状を有してもよく、本体４の周縁部は、円形、四方形、さらに多角形等であってもよい。

図３及び図４を参照すると、蓋要素３の内部の構造が示されている。本体４の内側には、本体４の内壁から内側に向かって伸びる複数の突起部７と複数の突出鋲８とが設けられており、本体４の内壁から突起部７が伸びている長さは、本体４の内壁から突出鋲８が伸びている長さよりも短い。同実施形態において、蓋要素３は、一般に円筒形の７個の突起部７を有し、さらに、７個のＭＯＳＦＥＴ１がＥＣＵアセンブリ内に設置されうる。蓋要素３とＥＣＵが上手く設置され接合された後には、各突起部７は、対応する１個のＭＯＳＦＥＴ１の頂面Ｓのほぼ中央の位置の上に配置され、従ってＭＯＳＦＥＴ１が押圧される。このようにして、ＭＯＳＦＥＴ１は固定され、先行技術で必要なボルトが省略される。さらに、この設置状態において、ＥＣＵアセンブリ内の適所でＰＣＢが保持されるように、突出鋲８がＰＣＢに対して押圧される。

図６を参照すると、部分的な断面図が、組み立てられた状態の本発明のＥＣＵアセンブリを示している。図６では、ＭＯＳＦＥＴ１の１の端部のピンがＰＣＢ１４に溶接され、ＭＯＳＦＥＴの他の端部にはボルトが設けられていない。ＭＯＳＦＥＴ１の頂面Ｓは、ガスケット１０で覆われている。図６に示される組立状態において、蓋要素３の側部５のラッチ部６は、ＥＣＵ本体の外側にある突起と係合しており、さらに、突起部７が、ガスケット１０及びＭＯＳＦＥＴ１に対して緊密に押圧され、さらに突出鋲８が、ＰＣＢ１４に対して押圧される（図６参照）。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１は、蓋要素３とＥＣＵ基板９との間でしっかりと固定される。

ガスケット１０は、エラストマのような、押圧された際に弾性的に変形する材料で製造され、突起部７に接触した場合に、ガスケット１０の上面１０ａの範囲は、突起部７との接触範囲よりも大きい。これにより、組み立て状態において、蓋要素３の突起部７は、部分的にガスケット１０の上面１０ａ内へと突き出て、ガスケット１０を弾性的に変形するように緊密に押圧する。ガスケット１０の反対側では、ガスケット１０の下面１０ｂが、ＭＯＳＦＥＴ１の頂面Ｓと接触している。ガスケット１０の大きさは、その上面１０ａの範囲と、当該ガスケット１０に突出部７が接触する接触面の範囲と、が少なくとも等しく、その下面１０ｂの範囲と、ＭＯＳＦＥＴ１の頂面Ｓの範囲と、が少なくとも等しいように設定される。ガスケット１０の厚さ、及び、蓋要素３の側部５の大きさは、ラッチ部６がＥＣＵ本体の外側にある突起と係合した場合に、ガスケット１０が突起部７により押圧され、弾性的な変形を起こすように選択される。

組み立て状態において、先に挙げたガスケット１０によって、ＭＯＳＦＥＴ１の頂面Ｓ上で負荷が均等に分散され、同時に、蓋要素３により伝達される外部の振動が、ガスケット１０の変形を介して吸収され、ＭＯＳＦＥＴ１が効果的に保護される。さらに、ガスケット１０が弾性的に変形する場合に必然的に発生する弾性的な反力が常に存在し、蓋要素３、ガスケット１０、ＭＯＳＦＥＴ１、及び、基板９は常に、互いに緊密に接合される。即ち、ＭＯＳＦＥＴ１の確実で安定した設置が保証される。

本発明に係るガスケット１０は、非常に簡単なやり方で形成される。例えば、簡素で独立した矩形の１個のガスケット１０が、各ＭＯＳＦＥＴのために設けられてもよく、ガスケット１０は、関連するＭＯＳＦＥＴの頂面Ｓに対応する形状を有する。好適に、図７及び図８に示すように、ガスケット１０は、ＥＣＵアセンブリの既存の密封パッドと組み合されており、さらに、１個のガスケット１０が、１つ以上のＭＯＳＦＥＴと接合されてもよい。

図７及び図８を参照すると、ＥＣＵアセンブリ内の密封パッドが概略的に示されており、この密封パッドは通常では、水や埃がＥＣＵアセンブリ内へと進入することを防ぐ機能を有する。密封パッドは、フレーム部１１と、フレーム部１１から内側へと伸びる複数の支持バー１２と、支持バー１２に対して直交し当該支持バー１２の縁端から伸びる垂直連結ピース１３と、を含む。組み立て状態において、密封パッドは、蓋要素３とＥＣＵ基板９との間に配置され（図６参照）、ラッチ部６がＥＣＵ本体の外側にある突起と係合される場合には、図６に示すように、弾性的な変形が引き起こされるようにフレーム部１１がステップ部５ｂにより緊密に押圧される。

本実施形態において、図７及び図８は、フレーム部１１が位置する平面に対して平行な同一平面上に、全てのガスケット１０が存在することを明確に示している。各ガスケット１０の２つの端部は、対応する垂直連結ピース１３を介して、支持バー１２の縁端に連結している。各垂直連結ピース１３は互いに平行であり、フレーム部１１が位置する平面に対して直交している。ガスケット１０は、密封パッドの支持バー１２及び垂直連結ピース１３と一体に形成される。密封パッド全体は、エラストマ、特にゴムのような、押圧された場合に弾性的な変形を提供しうる材料で製造される。

図３及び図７を参照すると、便宜上、各突起部７及び各ガスケット１０に符号が付されている。設置時に、突起部７−１、７−２は、ガスケット１０−１に対して押圧され、突起部７−３、７−４はガスケット１０−２に対して押圧され、突起部７−５、７−６は、ガスケット１０−３に対して押圧され、突起部７−７は、ガスケット１０−４に対して押圧される。ガスケット１０−１、１０−２、１０−３はそれぞれ、隣り合う２つのＭＯＳＦＥＴを押圧し、ガスケット１０−４は、１個の単独のＭＯＳＦＥＴを押圧する。このようにして、設置の間に蓋要素３は、各突起部７が対応するガスケット１０を押圧し従ってガスケット１０がＭＯＳＦＥＴを押圧するように、ラッチ部６を介してＥＣＵ本体と緊密に連結され、これにより、ＭＯＳＦＥＴがＥＣＵ本体内で確実に固定される。

以上、図面を参照しながら、一実施形態について詳細に記載してきた。同実施形態に基づき、本発明は、様々な変更を含むことが可能である。

例えば、上記の実施形態では、蓋要素３は７個の突起部７を有し、突起部７は中空円筒の形状を有する。しかしながら、蓋要素３は他の数の突起部７を有してもよく、突起部７は他の適切な形状を有してもよい。好適に、突起部７の構造及び大きさは、ガスケット１０へと負荷を均等に分散するために好ましく設定され、通常では、突起部７によってガスケット１０（更にＭＯＳＦＥＴ）へと加えられる作用力の合力の作用点が、ＭＯＳＦＥＴの頂面Ｓの上のほぼ中央の位置に位置することが必要とされる。例えば、突起部７は、円柱、十文字、又は星の形状をしていてもよい。さらに突起部は、ほぼ円柱の形状を有する１個の本体として構成されてもよく、当該本体から外に向かって伸びる輻射状に配置された複数の伸長部を、当該本体の周りに有してもよく、その際に、各伸長部間の軸方向の空間は互いに均等であり、例えば、３個以上のこのような伸長部が設けられてもよい。このような設計の突起部は、一方ではより大きな接触範囲を有し、他方では構造強度を向上させることが可能である。代替的に、突起部７がガスケット１０に対して力をそこで加える作用点は、貫通孔を有するＭＯＳＦＥＴの端部に向かって僅かにオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）していてもよい。さらに、本発明の教示に基づいて、当業者には接触面の他の適切な形状が容易に分かる。

上記の実施形態では、４個のガスケット１０が密封パッドと一体に形成される。しかしながら、ガスケットは、密封パッドとは分離した構造を有してもよい。さらに、いずれの適切な量のガスケットも利用してもよいことが想定されうる。例えば、７個のＭＯＳＦＥＴが設けられる上記の実施形態での条件に応じて、７個以下のガスケット、又は、他の量が使用されてもよい。例えば、７個の単独のガスケットが、１個のガスケットが１個のＭＯＳＦＥＴに対して固有であるように設けられてもよく、又は、全てのガスケットが、１個のガスケットを共有するように構成されてもよい。代替的に、ガスケットは設けられなくてもよく、この場合には、蓋要素３の突起部７が好適に、押圧された場合に弾性的な変形を引き起こす材料で製造されてもよい。

さらに、上記の実施形態では、ＭＯＳＦＥＴはＥＣＵアセンブリ内の基板上に配置される。代替的に、ＭＯＳＦＥＴは、ＥＣＵアセンブリ内の特定の熱シンク上に配置されてもよい。

さらに、側部５のラッチ部６の数は２とは異なる数であってもよく、他方では、ラッチ部６は、固定又は解放のために便利ないずれの形状をしてもよい。例えば、ラッチ部６はねじ孔であってもよく、蓋要素３及びＥＣＵ基板９は、ねじを介して結合されてもよい。

通常では、本発明は、蓋部材を有するＭＯＳＦＥＴの様々な設置環境に対して、特に、様々な車両のＥＣＵアセンブリに対して適用されるように調整される。車両は、船、自動車、オートバイ等であってもよい。

以上は、本発明の好適な実施形態についての記載であるが、上記の実施形態は、解説する目的で提供されたにすぎず、本発明は、本明細書で記載する特定の実施形態に限定されないと解される。当業者は、本発明の範囲及び思想から逸脱することなく様々な変更を行うことが可能であり、このような変更は全て、本発明により定められる保護の範囲に入る。

Claims (10)

1. 被覆部と、
   １つ以上の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１）と、
   基板と、
   電子制御ユニット本体と、
   を備え、
   前記被覆部は、ラッチ部（６）を有する蓋要素（３）を含み、
   前記蓋要素（３）は、前記ラッチ部（６）を介して前記電子制御ユニット本体に固定され、
   前記金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１）は、前記蓋要素（３）と前記基板（９）との間に配置される、
   電子制御ユニットアセンブリにおいて、
   前記被覆部は、前記金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１）が前記基板と緊密に接触するように、当該金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１）と緊密に接触し当該金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１）に対して弾性的に押圧される中間要素をさらに含むことを特徴とする、電子制御ユニットアセンブリ。
2. 前記中間要素は、エラストマにより形成される１つ以上のガスケット（１０）であることを特徴とする、請求項１に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
3. 前記被覆部は、前記ガスケット（１０）と一体に形成された密封パッドをさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
4. 前記蓋要素（３）には、その内側に突出部（７）が備えられ、前記突出部（７）は、前記ガスケット（１０）が弾性的に変形するように当該ガスケット（１０）に対して緊密に接触することを特徴とする、請求項２又は３に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
5. 前記突出部（７）は、中空円筒、円柱、十文字、又は星の形状をしていることを特徴とする、請求項４に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
6. 前記ラッチ部（６）は、前記蓋要素（３）の周囲に配置され、前記電子制御ユニット本体の突起とパチンと係合されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
7. 前記密封パッドは、前記蓋要素（３）と前記基板（９）との間に緊密に固定されたフレーム部（１１）を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
8. 前記ガスケット（１０）はゴム製であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
9. 前記ガスケット（１０）は前記密封パッドから分離していることを特徴とする、請求項２に記載の電子制御ユニットアセンブリ。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子制御ユニットアセンブリを備える車両。
    

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