JP2014513913A5 - - Google Patents

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図1は、一対の磁気素子の間の磁場の相互作用を描いた概略図である。 図2は、一対の磁気素子の間の磁場の相互作用と、導電素子の位置を描いた概略図である。 図3は、図1及び2の磁気素子により形成される磁場内での導体の位置を描いた概略図である。 図4は、本発明の1つの実施形態による、ドラムアセンブリの配置を描いた概略図である。 図5は、図4のドラムアセンブリの導体の配置を描いた概略図である。 図6は、電流伝達アセンブリをその場で取り付けたドラムセンブリの概略図である。 図7は、図6のドラムアセンブリ内の電流伝達経路を描いた概略図である。 図8は、本発明のさらなる実施形態によるドラムアセンブリの概略図である。 図9は、図8のドラムアセンブリの詳細な図である。 図10は、本発明の1つの実施形態によるタービンの概略図である。 図11は、図10のタービンの詳細な図である。 図12は、本発明のさらなる実施形態によるタービンの概略図である。 図13は、本発明の一実施形態による一連のタービンの1つの配置を描いた概略図である。 図14は、異なる平行磁場に晒されるHTSテープに対し、異なる温度でプロットした異なる換算比である。 図15は、異なる垂直磁場に晒されるHTSテープに対し、異なる温度でプロットした異なる換算比である。 図16は、逆回転する2つのドラムの実施形態での、本発明の別の形状の等角図である。 図17は、図16に示される実施形態のA−A線に沿った断面図であり、ドラムを通る電流経路を示す。 図18は、図16の実施形態の第2の又は外側ドラムの等角図である。 図19は、図16の実施形態の第1の又は内側ドラムの等角図である。 図20は、固定ブラシ取り付け具を備えた、逆回転する2つのドラムの実施形態における、本発明の別の形状の等角図である。 図21は、図20に示す実施形態のB−B線に沿った断面図である。 図22は、図20に示した実施形態のB−B線に沿った断面図であり、ドラムを通る電流経路を示す。 図23は、別の構成での、固定ブラシ取り付け具を備えた、逆回転する2つのドラムの実施形態における、本発明の別の形状の等角図である。 図24は、図23に示した実施形態のC−C線に沿った断面図である。 図25は、図16に示した実施形態の展開図である。 図26は、素子間の磁場を最適化するための、タービンの磁気素子の1つの配置の断面図である。 図27は、図26の磁気素子配置に対する磁場プロファイルのモデルである。 図28Aは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図28Bは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図28Cは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図28Dは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図28Eは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図28Fは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Aは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Bは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Cは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Dは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Eは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図29Fは、一連のタービンパラメータに対し、磁場強度に及ぼす影響を描いたプロットである。 図30は、図26のタービンの補償コイルを含めた磁気素子に対する磁場プロファイルのモデルである。 図31Aは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度への影響を描いたプロットである。 図31Bは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度への影響を描いたプロットである。 図31Cは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度への影響を描いたプロットである。 図31Dは、タービンの各種パラメータに対し、磁場強度への影響を描いたプロットである。 図32は、本発明の一実施形態によるタービンの磁気素子の1つの配置の断面図である。 図33は、図32の配置に対する磁場プロファイルのモデルである。 図34は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図35は、図34の配置に対する磁場プロファイルのモデルである。 図36は、より詳しい、ヌル(null)磁場領域を示す図35の磁場プロファイルのモデルである。 図37Aは、タービンの各種パラメータに対し、ヌル磁場領域への影響を描いたプロットである。 図37Bは、タービンの各種パラメータに対し、ヌル磁場領域への影響を描いたプロットである。 図38は、ブラシの配置を表す、図34のタービンの断面図である。 図39は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図40は、流体電流伝達メカニズムの構成を描いた、図39のタービンの断面図である。 図41は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図42は、逆回転用に構成された、図41のタービンの断面図である。 図43は、ユニタリ回転用に構成された、図41のタービンの断面図である。 図44は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図45は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図46は、図44及び45の配置に対する磁場プロファイルのモデルである。 図47は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図48は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図49は、図47及び48の配置に対する磁場プロファイルのモデルである。 図50は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図51は、本発明の一実施形態によるタービンの1つの配置の断面図である。 図52は、図44及び45の配置に対する磁場プロファイルのモデルである。
図35に、磁気アセンブリによって生じる磁場のプロットを示す。この図から分かるように、超伝導コイルのこのような配置は、内側と外側のソレノイドの間の空間に、磁場ヌル(null)、又は磁場が打ち消される領域を生み出す。ヌル領域のより詳しい図を図36に示す。この図は、さらに詳しく、コイル1803,1803の配置を表す。
図38は、ラジアルタービンのドラム内の電流フローに照らして、ブラシの位置決めを表す。電流経路に垂直な駆動B場を、青の矢印で示す。上記コンセプトのさらなる改良点には、内側コイルの内半径の磁場強度と動作半径での磁場強度の比を高めるために、キャンセリングコイルの付加が含まれる。ヌルゾーンにおける磁場を低減又は打ち消すことにより、液体ブラシの使用も可能となる。液体ブラシに用いられる導電性流体が、流体を通る電流経路とブラシが浸される磁場との相互作用に起因する流体の動きに対する固有抵抗を持たないように、非常に低い磁場環境で液体ブラシが確実に作動することが重要である。
このデュアルコイルラジアル電磁タービン構造の利点はたくさんあり、内側と外側のコイルの間にブラシの稼働のための低い又はヌルの磁場領域があることが挙げられる。さらに、内側と外側のソレノイドの間にブラシを位置付けることにより、パンケーキ構造に比べて、全ソレノイド磁束のより多くをタービンの駆動に用いることができる。パンケーキ構造のクライオスタットは、動作棒がコイルにより生み出される磁束の多くを用いることを妨げた。今や、クライオスタットがコイルの間のブラシ用の空間からなくなることにより、磁束のほとんど全てを、動作棒により捕獲することができる。最適化されたコイルの形状は、動作棒上に大きな放射状の磁場を生み出すことができる。最終的に、ヌル磁場領域は、液体ブラシに理想的であった。
上の実施例から分かるように、ヌル磁場の領域を作ることにより、金属繊維ストランド上への逆負荷による、ブラシ材料の過度の変形を被ることなく、金属繊維ブラシの操作が可能となる。また、液体金属ブラシの使用を可能とする。金属繊維ブラシと同じく、液体金属ブラシは同様の負荷を有する。高磁場環境で稼働する液体金属ブラシの電流経路上に存在するローレンツ力は、液体金属に渦形成をもたらす。これらの渦の形成は、高磁場環境で稼働するプロトタイプのブラシに見られる電流運搬能力の減少と一致する。
それゆえに、ヌル磁場の生成及び最適化は、液体金属ブラシを正確に機能させるようにするために重要である。出願人は、ブラシが稼働できる、又は非常に小さな磁場の領域を生み出すため、及び、ドラムトルク要素の動作長さに沿う磁場の強度を高めるために、超伝導コイルの様々な配置を数多く考案した。
図44及び45のタービンの磁気アセンブリによって生み出される磁場のプロットを図46に示す。図から分かるように、超伝導コイルのこの配置は、内側ソレノイドと外側ソレノイドの間の空間に、磁場ヌル又は磁場を打ち消す領域を生み出す。
図47は、本発明の一実施例によるタービン2100の他の可能な配置を表す。この特定の実施形態では、磁気アセンブリ2101,2101は、並んで配置させた2つの超伝導コイル2102,2102から構成され、コイルの間に磁場ヌルを生み出す。この場合のコイル2102,2102は、極低温体2108により包み込まれる。図より分かるように、この場合の回転子アセンブリ2103は、磁気アセンブリ2101,2101の最も内側のコイル2102の間に、シャフト2104上に配置される。回転子アセンブリ2103は、コイル2102,2102の間の隙間内部に配置される導電性リング2107内の溝2109に係合する突起部2106を含む外側導電層2105を含む。
図47及び48のタービンの磁気アセンブリにより生み出された磁場のプロットを、図49に示す。図より分かるように、超伝導コイルのこの配置は、コイル2102,2102の間の空間に、磁場ヌル又は磁場を打ち消す領域を生み出す。
図50及び51のタービンの磁気アセンブリにより生み出される磁場のプロットを、図52に示す。図より分かるように、超伝導コイルのこの配置は、内側2204と外側2204のコイルペアの間の領域に、一対のヌル領域を生み出す。この配置により、ブラシの数を倍にでき、従って、回転子アセンブリ2202に運ばれる電流を倍にできる。しかしながら、コイルの複雑な配置を考えると、求められる極低温システムの複雑さもまた大幅に増大する。

Claims (39)

  1. 間に少なくとも1つの磁場を生み出すために、反発させて配置した一対の磁気素子と、
    前記磁気素子間に配置されるドラムアセンブリと、を含むタービンであって、前記ドラムアセンブリは、ドラムの周りに配置される複数の導電素子を含み、前記導電素子が接続されて前記ドラムを通る電気回路を形成し、
    前記電気回路を通って電流が流されると、回転軸の周りの前記ドラムの回転が引き起こされ、
    前記ドラムアセンブリの導電素子はそれぞれ、前記磁気素子の少なくとも1つから間隔を開けて配置される少なくとも1つの第1の部分を持ち、この第1の部分は前記回転軸にほぼ平行な前記磁場の一部分に配置され、及び、前記磁気素子の少なくとも1つから間隔を開けて配置される少なくとも1つの第2の部分を持ち、この第2の部分は前記回転軸にほぼ垂直な前記磁場の一部分に配置される、タービン。
  2. 隣り合う導電素子が互いから電気的に隔離及び絶縁される、請求項1に記載のタービン。
  3. 隣り合う導電素子が、複数の非導電スペース素子により分離される、請求項2に記載のタービン。
  4. 前記回転子を通る電気回路が、隣り合う導電素子を、前記ドラム周りに配置される複数の電流伝達素子を介して接続することにより形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のタービン。
  5. 前記電流伝達素子が互いと直列に接続される、請求項4に記載のタービン。
  6. 前記通電素子のそれぞれが、ブラシアセンブリとギアアセンブリを含む、請求項4又は5に記載のタービン。
  7. 各ブラシアセンブリが、導電性ローラーに連結される連続金属繊維ブラシを含む、請求項6に記載のタービン。
  8. 前記ギアアセンブリが、ギアとシャフトを含む、請求項6又は7に記載のタービン。
  9. 前記ローラーは、前記ギアアセンブリのギアが前記ドラム上に配置される対応するギアと係合することにより、前記回転子と同じ速度で回転する、請求項8に記載のタービン。
  10. 前記ドラム上に配置されるギアが、前記導電素子から電気的に隔離される、請求項9に記載のタービン。
  11. 各電流伝達素子のローラーが、前記ドラムの一回転中に一度、各導電素子と接触する、請求項9又は10に記載のタービン。
  12. 前記磁気素子が永久磁石である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のタービン。
  13. 前記永久磁石がN35の軸方向に磁化された磁石である、請求項12に記載のタービン。
  14. 前記磁気素子が電磁石である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のタービン。
  15. 前記電磁石が高温度超伝導テープのコイルから形成される、請求項14に記載のタービン。
  16. 間に少なくとも1つの磁場を生み出すために、反発させて配置した一対の磁気素子と、
    前記磁気素子間に配置される複数のドラムアセンブリと、を含むタービンであって、前記各ドラムアセンブリは、ドラムの周りに配置される複数の導電素子を含み、前記導電素子が接続されて各ドラムを通る電気回路を形成し、前記ドラムは共に電気的に連結されて前記タービンを通る電流経路を形成し、
    前記電気経路を通って電流が流されると、回転軸の周りに前記ドラムアセンブリを一致して回転させ、
    第1のドラムアセンブリの導電素子はそれぞれ、前記磁気素子の少なくとも1つから間隔を開けて配置される少なくとも1つの部分を持ち、この部分は前記回転軸にほぼ平行な前記磁場の一部分に配置され、及び、第2のドラムアセンブリの導電素子はそれぞれ、前記磁気素子の少なくとも1つから間隔を開けて配置される少なくとも1つの部分を持ち、この第2の部分は前記回転軸にほぼ垂直な前記磁場の一部分に配置される、タービン。
  17. 隣り合う導電素子が互いから電気的に隔離及び絶縁される、請求項16に記載のタービン。
  18. 隣り合う導電素子が、複数の非導電スペース素子により分離される、請求項17に記載のタービン。
  19. 前記回転子を通る電気回路が、隣り合う導電素子を、前記ドラム周りに配置される複数の電流伝達素子を介して接続することにより形成される、請求項16〜18のいずれか1項に記載のタービン。
  20. 前記電流伝達素子が互いと直列に接続される、請求項19に記載のタービン。
  21. 前記電流伝達素子のそれぞれが、ブラシアセンブリとギアアセンブリを含む、請求項19又は20に記載のタービン。
  22. 各ブラシアセンブリが、導電性ローラーに連結される連続金属繊維ブラシを含む、請求項21に記載のタービン。
  23. 前記ギアアセンブリが、ギアとシャフトを含む、請求項21又は22に記載のタービン。
  24. 前記ローラーは、前記ギアアセンブリのギアが前記ドラム上に配置される対応するギアと係合することにより、前記回転子と同じ速度で回転する、請求項23に記載のタービン。
  25. 前記ドラム上に配置されるギアが、前記導電素子から電気的に隔離される、請求項24に記載のタービン。
  26. 各電流伝達素子のローラーが、前記ドラムの一回転中に一度、各導電素子と接触する、請求項24又は25に記載のタービン。
  27. 前記磁気素子が永久磁石である、請求項16〜26のいずれか1項に記載のタービン。
  28. 前記永久磁石がN35の軸方向に磁化された磁石である、請求項27に記載のタービン。
  29. 前記磁気素子が電磁石である、請求項16〜17のいずれか1項に記載のタービン。
  30. 前記電磁石が高温度超伝導テープのコイルから形成される、請求項29に記載のタービン。
  31. 前記ドラムが中央シャフトの周りに同軸に配置される、請求項17〜30のいずれか1項に記載のタービン。
  32. 間に少なくとも1つの磁場を生み出すために、反発させて配置した一対の磁気素子と、
    共通軸の周りの回転のために、前記磁気素子間に配置される少なくとも一対のドラムアセンブリと、を含むタービンであって、第1のドラムアセンブリは、ドラムの周りに配置される複数の導電素子を含み、第2のドラムは、前記軸から放射状に配置される複数の導電素子を含み、前記第2のドラムの導電素子が前記第1のドラムの導電素子より、前記磁気素子に近づけて配置され、
    前記導電素子は接続されて前記ドラムを通る電気回路を形成し、前記ドラムは電気的に互いに連結されて前記タービンを通る電流経路を形成し、
    前記電流経路を通って電流が流されると、回転軸の周りに前記ドラムアセンブリが回転され、
    前記第1のドラムアセンブリの導電素子は、前記回転軸にほぼ垂直な磁場の一部分に配置され、及び前記第2のドラムアセンブリの導電素子は、前記回転軸にほぼ平行な磁場の一部分に配置されるタービン。
  33. 一対の磁気素子と、
    前記磁気素子間に配置され、少なくとも1つの導電素子を含むドラムアセンブリと、
    前記少なくとも1つの導電素子に連結される電流伝達機構と、を含むタービンであって、
    前記磁気素子は、前記電流伝達機構を介して前記導電素子を通って電流が流されると、前記ドラムの回転が起こるように、前記ドラムアセンブリに垂直な、ほぼ均一の磁場の領域を提供するように配置されるタービン。
  34. 各磁気素子は一対の超伝導コイルを含む、請求項33に記載のタービン。
  35. 各対の超伝導コイルが、ヌル(null)磁場の領域を生み出すように配置される、請求項34に記載のタービン。
  36. 前記ヌル磁場の領域は、ほぼ均一の磁場の領域の外側に配置される、請求項35に記載されるタービン。
  37. 前記電流伝達機構の対向する端部は、前記ヌル磁場の領域に配置される、請求項35又は36に記載のタービン。
  38. 前記対となる超伝導コイル又は各磁気素子が、同軸に間隔をあけて配置され、前記ヌル磁場の領域が、各磁気素子内のコイルそれぞれの間のスペース内に生み出される、請求項35〜37のいずれか1項に記載のタービン。
  39. 前記対となる超伝導コイル又は各磁気素子が、横方向に間隔をあけて配置され、前記ヌル磁場の領域が、各磁気素子内のコイルそれぞれの間のスペース内に生み出される、請求項35〜37のいずれか1項に記載のタービン。
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