JP2014511132A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

照明装置は、複数のダイオードと、電気信号を受信し、この電気信号を複数のダイオードに送信するよう構成される電気インターフェースと、を含む。

Description

本発明は概して、発光及び光起電技術に関し、具体的には発光又は光起電ダイオードを有する発光装置及びこの製造方法に関する。
発光ダイオード（「ＬＥＤ」）を有する照明装置は一般的に、集積回路のプロセス工程を使用して、半導体ウェハー上でＬＥＤを作製することを必要としてきた。得られるＬＥＤは実質的に平坦であり、比較的大きく、ほぼ２００μｍ以上の直径である。そのようなＬＥＤはそれぞれ２つの端子のデバイスであり、一般的に２つの金属端子を有し、ＬＥＤのｐ型及びｎ型部分のオーミック接触をもたらす。ＬＥＤは次いで、研削などの機械プロセスを通じて、一般的に個々のＬＥＤに分割される。個々のＬＥＤは次いで、反射性ケーシング内に配置され、ボンディングワイヤが個々に、ＬＥＤの２つの金属端子のそれぞれに取り付けられる。このプロセスは時間がかかり、労働集約型であり、高価であり、多くの民生用途に関して、ＬＥＤ系の照明装置は高価過ぎるという結果になる。
同様に、エネルギー生成デバイス、例えば光起電パネルもまた、半導体ウェハー又は他の基板上で、集積回路プロセスの工程を使用して光起電ダイオードを作製することを必要としている。得られるウェハー又は他の基板は次いでパッケージ化され、組み立てられて光起電パネルを作製する。このプロセスもまた時間がかかり、労働集約型であり、高価であり、第三者機関による助成金がなくては、あるいは政府の他の奨励がなくては広範に使用されるには高価過ぎる光起電装置を生じる。
光放射又はエネルギー生成の目的に関して、新しいタイプのダイオード又は他の半導体デバイスを作ろうという試みを念頭に、様々な技法がもたらされてきた。例えば、量子ドット（これは官能化又は有機樹脂及び溶媒に相溶性であるよう有機分子で末端保護されている）が印刷されて、次いで、第２の光で励起されたときに、光を放射することができる図形を形成できるということが提案されている。デバイス形成のための様々なアプローチは、半導体ナノ粒子、例えば約１．０ｎｍ〜約１００ｎｍ（１ミクロンの１／１０）の範囲の粒子などを使用して取り組まれている。他のアプローチは、溶媒結合剤担体内に分散した、より大きなスケールのシリコン粉末を使用し、シリコン粉末の得られるコロイド懸濁液は、印刷されたトランジスタにおいて活性層を形成するのに使用される。更に他の異なるアプローチは、非常に平坦なＡｌＩｎＧａＰ ＬＥＤを使用しており、これはＧａＡｓウェハー上に形成され、各ＬＥＤは、ウェハー上に２つの隣接するＬＥＤのそれぞれに対して、分離したフォトレジストアンカーを有し、各ＬＥＤは次いで、ピックアップされ、配置されて、最終的にデバイスを形成する。
これらのアプローチのいずれも、完成し、機能することができ、印刷プロセス使用して、不活性な大気環境で装置若しくはシステム内に形成することができる半導体デバイスを含むインク又は懸濁液を有さない。
ダイオード系技術のこれらの最近の開発は、ＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスの商業実用化を達成するにはあまりに複雑で、高価である。結果として、組み込まれた構成要素という観点から、及び製造の容易さという観点から、より費用のかからないよう設計されている発光及び／又は光起電装置に対する需要が残っている。より安価で、堅牢なプロセスを使用して、そのような発光又は光起電デバイスの製造し、これによって、消費者及び商業により広く使用され、かつ適用されるのに利用可能であり得るＬＥＤ系発光デバイス及び光起電パネルを製造する需要もまた残っている。したがって、印刷されてＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスを作製するために印刷され得る、完成した、機能しているダイオードの液体懸濁液と、かかるＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスを作製するための印刷方法と、結果として得られるＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスとに対する様々な需要が残っている。
代表的な実施形態は、例えばスクリーン印刷又はフレキソ印刷などを通じて印刷することができる「ダイオードインク」、すなわちダイオードの液体懸濁液を呈する。以下により詳細に説明されるように、ダイオード自体は、ダイオードインク組成物内に含まれる前に、完全に形成されている半導体デバイスであり、これは、通電されて光を放射するときに機能することができるか（ＬＥＤとして具体化されているとき）、又は光源に暴露されたとき、電力を供給できる（光起電ダイオードとして具体化されたとき）。代表的な方法はまた、以下で詳細に説明されるようにダイオードインクを製造する方法を含み、このダイオードインクは、溶媒及び粘性のある樹脂、又は高分子混合物中に複数のダイオードを懸濁し、これは印刷されてＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスを製造することができる。かかるダイオードインクを印刷することによって形成される代表的な装置及びシステムもまた説明される。説明がダイオードに集中している一方で、当業者は、より広範に「半導体デバイスインク」と称されているものを形成するために、他のタイプの半導体デバイスが同等に置換され得、全てのそのような変形例は同等物と考えられ、かつ本開示の範囲内であるということを理解するであろう。
代表的な実施形態は、複数のダイオードと、第１溶媒と、粘度調整剤とを含む組成物である。代表的な実施形態では、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）を含む）、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノール（イソブタノール）を含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含んでもよい。
代表的な実施形態では、第１溶媒はＮ−プロパノールを含む。第１溶媒は、約５重量％〜５０重量％の量で存在してもよい。代表的な実施形態では、粘度調整剤はメトキシルセルロース樹脂又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む。粘度調整剤は、約０．７５重量％〜５重量％の量で存在することができる。
粘度調整剤は、代表的な実施形態において、ヘクトライト粘土類、ガラマイト粘土類、有機変性粘土類などの粘土類；グアーガム、キサンタンガムなどの糖類及び多糖類；ヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、メトキシルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース及びヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、セルロースエチルエーテル、キトサンなどのセルロース類及び変性セルロース類；アクリレート及び（メタ）アクリレートのポリマー類及びコポリマー類などのポリマー類、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヒュームドシリカ、シリカ粉末類、変性尿素類；並びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの粘度調整剤を含む。
代表的な実施形態では、この組成物は第１溶媒とは異なる第２溶媒を更に含む。第２溶媒は、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロパノール）を含む）、イソブタノール、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノールを含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチル、アジピン酸ジメチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、グルタル酸ジメチル、コハク酸ジメチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；並びにこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒であってもよい。
第２溶媒は、少なくとも１種の二塩基酸エステルであってもよい。第２溶媒が、溶媒和剤又は湿潤溶媒を含んでもよい。代表的な実施形態では、第２溶媒は、グルタル酸ジメチル及びコハク酸ジメチルを含み、グルタル酸ジメチルとコハク酸ジメチルの比は約２対１（２：１）である。他の代表的な実施形態では、第２溶媒は、約０．１重量％〜１０重量％の量で存在してもよい。他の代表的な実施形態では、第２溶媒は、約０．５重量％〜６重量％の量で存在してもよい。
代表的な実施形態では、第１溶媒は、Ｎ−プロパノール、テルピネオール又はジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロヘキサノール、又はこれらの混合物を含み、かつ約５重量％〜５０重量％の量で存在し、粘度調整剤は、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、かつ約０．７５重量％〜５．０重量％の量で存在し、第２溶媒は、約０．５重量％〜１０重量％の量で存在する非極性樹脂溶媒を含み、組成物の残部は水を更に含む。
組成物を作製する方法もまた開示され、代表的な方法の実施形態は、複数のダイオードをＮ−プロパノールと混合することと、このＮ−プロパノール及び複数のダイオードの混合物をメチルセルロース樹脂に添加することと、グルタル酸ジメチル及びコハク酸ジメチルを添加することと、複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、メチルセルロース樹脂、グルタル酸ジメチル、及びコハク酸ジメチルを空気雰囲気下で約２５〜３０分混合することと、を含む。
代表的な方法は、複数のダイオードをウェハーから外すことを更に含んでもよい。代表的な実施形態では、複数のダイオードをウェハーから外すことは、ウェハーの裏面を研削すること及び研磨することを更に含んでもよい。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードをウェハーから外すことは、ウェハーの裏面からのレーザーリフトオフを更に含んでもよい。
他の代表的な実施形態では、第１溶媒は、約１５重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、粘度調整剤は、約１．２５重量％〜２．５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、第２溶媒は、約０．５重量％〜１０重量％の非極性樹脂溶媒を含み、組成物の残部は水をさらに含む。
他の代表的な実施形態では、第１溶媒は、約１７．５重量％〜２２．５重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、粘度調整剤は、約１．５重量％〜２．２５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、第２溶媒は、約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、組成物の残部は水を更に含み、組成物の粘度は２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓである。
更に他の代表的な実施形態では、第１溶媒は、約２０重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノールを含み、粘度調整剤は、約１．２５重量％〜１．７５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、第２溶媒は、約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、組成物の残部は水を更に含み、組成物の粘度は２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約５，０００ｃｐｓである。
様々な実施形態では、組成物は、約２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓの粘度を有してもよく、又は約２５℃において約１０，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。
代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードはＧａＮ及びシリコン基板を含む。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードはＧａＮヘテロ構造体及びＧａＮ基板を含む。様々な代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードのＧａＮ部分は、実質的に分葉化しているか、星状であるか、又は円環状である。
様々な代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、ダイオードの第１面上の第１金属端子、及びダイオードの裏面である第２面上に第２金属端子を有する。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、１つの金属端子又は電極のみを有する。
他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、ダイオードの第１面上の少なくとも１つのｐ＋ＧａＮ層又はｎ＋ＧａＮ層から、ダイオードの裏面である第２面まで延びる少なくとも１つの金属ビア構造体を有する。様々な代表的な実施形態では、金属ビア構造体は、中央ビア、周辺ビア、又は外周ビアを含む。
様々な代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、全寸法において約４５０マイクロメートル未満である。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、全寸法において約２００マイクロメートル未満である。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、全寸法において約１００マイクロメートル未満である。更に他の代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、全寸法において約５０マイクロメートル未満である。
代表的な実施形態では、複数のダイオードの各ダイオードは、実質的に六角形であり、直径が約２０〜３０マイクロメートルであってもよく、並びに高さは約１０〜１５マイクロメートルである。
代表的な実施形態では、複数のダイオードは、シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＮＡｓ、及びＡｌＩｎＧＡＳｂからなる群から選択される少なくとも１つの無機半導体を含む。他の代表的な実施形態では、複数のダイオードは、π共役高分子類、ポリ（アセチレン）類、ポリ（ピロール）類、ポリ（チオフェン）類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）類（ＰＰＶ）及びＰＰＶ誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン類）、ポリインドール、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリアズレン、ポリアゼピン、ポリ（フルオレン）類、ポリナフタレン、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピロール誘導体、ポリチアナフテン、ポリチアナフテン誘導体、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン、ポリジアセチレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリナフタレン、ポリナフタレン誘導体、ポリイソチアナフテン（ＰＩＴＮ）、ヘテロアリーレン基がチオフェン、フラン又はピロールであるポリヘテロアリ―レンビニレン（ＰａｒＶ）、ポリフェニレン−スルフィド（ＰＰＳ）、ポリペリナフタレン（ＰＰＮ）、ポリフタロシアニン（ＰＰｈｃ）、及びそれらの誘導体、それらのコポリマー、並びにそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの有機半導体を含む。
様々な代表的な実施形態では、粘度調整剤は、接着性粘度調整剤を更に含む。代表的な実施形態において、粘度調整剤は、乾燥又は硬化したとき、複数のダイオードの各ダイオードの実質的に周辺部の付近に高分子又は樹脂の格子を形成してもよい。
代表的な実施形態では、組成物は濡れているときは視覚的に不透明であり、乾燥又は硬化したときは実質的に光学的に透明である。
代表的な実施形態では、第１溶媒は、実質的に電気的に非絶縁性である。
他の代表的な実施形態では、組成物は、約２５度超、又は約４０度超の接触角を有する。
他の代表的な実施形態では、組成物は、１未満の相対蒸発速度を有し、蒸発速度は、１の速度を有する酢酸ブチルに対するものである。
組成物を使用する代表的な方法もまた開示され、組成物を、ベースに結合された第１半導体上に印刷することを含む。
他の代表的な実施形態が開示され、組成物は、複数のダイオードと、メトキシルセルロース樹脂又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂などの粘度調整剤とを含む。粘度調整剤は、約０．７５重量％〜５重量％の量で存在してもよい。代表的な実施形態は、第１溶媒を更に含んでもよく、また第１溶媒とは異なる第２溶媒を更に含んでもよい。
他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオードと、第１溶媒と、第２溶媒と、約２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約１５，０００ｃｐｓの粘度を組成物にもたらすための粘度調整剤とを含む。
他の代表的な実施形態では、組成物は複数のダイオードと、第１の湿潤溶媒とを含む。他の代表的な実施形態では、組成物は複数のダイオードと、粘度調整剤とを含む。
他の代表的な組成物は、複数のダイオードと、約２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓの粘度を組成物にもたらすための粘度調整剤とを含む。
他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオードと、Ｎ−プロパノール、テルピネオール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、第２の非極性樹脂溶媒とを含む。
更に他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオードと、約１５重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、約１．２５重量％〜２．５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤又はこれらの混合物と、約０．５重量％〜１０重量％の二塩基酸エステルとを含む。
更に他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオード、約１７．５重量％〜２２．５重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／若しくはシクロヘキサノール、又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、約１．５重量％〜２．２５重量％の、メトキシルセルロース若しくはヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルとを含み、組成物の粘度は２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓである。
他の代表的な組成物は、複数のダイオードと、約２０重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、テルピノール若しくはジエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール若しくはシクロヘキサノール、又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、約１．２５重量％〜１．７５重量％の、メトキシルセルロース若しくはヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルとを含み、組成物の粘度は２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約５，０００ｃｐｓである。
他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、メトキシルセルロース樹脂、及びグルタル酸ジメチルを含む。更に他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、ヒドロキシプロピルセルロース樹脂、及びグルタル酸ジメチルを含む。更に他の代表的な実施形態では、組成物は、複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、メトキシルセルロース若しくはヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物と、グルタル酸ジメチルと、コハク酸ジメチルとを含む。
代表的な照明装置はまた、第１面上に接着剤を有する可撓性ベースと、このベースに結合された複数の第１導体と、複数の第１導体の第１導体上に、実質的に不規則に、かつ平行に分散された複数の発光ダイオードであって、複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第１の順バイアス配向を有し、複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第２の逆バイアス配向を有する、発光ダイオードと、複数のダイオードに結合され、かつ複数の第１導体の第２導体に結合された少なくとも１つの第２導体と、少なくとも１つの第２導体又介在する安定化層に結合された発光層と、この発光層に結合された保護コーティングと、複数の第１導体に結合された電気的インターフェースと、を備える代表的な照明装置と共に開示される。
代表的な装置は更に、複数の発光ダイオードに結合されたポリマー又は樹脂の格子を更に含んでもよい。代表的な装置は少なくとも約１０ｌｍ／Ｗの量で光を放射することができる。複数の発光ダイオードは、直径が約２０マイクロメートル〜約３０マイクロメートルの平均粒径を含んでもよい。代表的なベースは、可撓性材料、多孔質材料、透過性材料、透明材料、半透明材料、不透明材料、及びこれらの混合物からなる群から選択されてもよい。代表的なベースは、プラスチック、高分子材料、天然ゴム、合成ゴム、天然織物、合成織物、ガラス、セラミックス、シリコン由来の材料、シリカ由来の材料、コンクリート、石、押出ポリフォレフィンフィルム、高分子不織布、セルロース系紙、及びこれらの混合物からなる群から選択されてもよい。代表的なベースは電気絶縁を提供するのに十分であってもよく、保護コーティングは耐候性密閉部を形成する。
他の代表的な実施形態では、この装置は、１平方センチメートル当たり約５〜１０，０００のダイオードの、複数の発光ダイオードの平均表面積密度を有する。
他の代表的な実施形態では、電気的インターフェースは、ＥＳ、Ｅ２７、ＳＥＳ、Ｅ１４、Ｌ１、ＰＬ−２ピン、ＰＬ−４ピン、Ｇ９ハロゲンカプセル、Ｇ４ハロゲンカプセル、ＧＵ１０、ＧＵ５．３、差し込み、及び小型差し込みからなる群から選択される、少なくとも１つのインターフェースを含む。
他の代表的な実施形態では、照明装置は、半透明若しくは透明なハウジングと、ハウジングに結合され、かつ電源に結合可能な電気的インターフェースと、ベースと、ベースに結合され、かつ電気的インターフェースに結合された複数の第１導体と、複数の第１導体の第１導体上に、実質的に不規則に、かつ平行に分散された複数の発光ダイオードであって、この複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第１の順バイアス配向を有し、複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第２の逆バイアス配向を有する、発光ダイオードと、複数のダイオードに結合され、かつ複数の第１導体の第２導体に結合される少なくとも１つの第２導体と、少なくとも１つの第２導体又介在する安定化層に結合された発光層と、発光層に結合された保護コーティングと、を備える。代表的な実施形態では、ハウジングは、ユーザーの手にフィットするように適合された寸法を有する。
本発明の多数の他の利点及び機構が、本発明の以下の詳細な説明、及びその実施形態、請求項、並びに添付図面から容易に明らかになる。
本発明の目的、特徴、及び利点は、添付の図面と合わせて考慮するときに、以下の開示を参照することにより、更に容易に理解され、ここで同様の参照数字は、同様の図における同一の要素を示すのに使用され、アルファベット文字を伴う参照数字は、様々な図面において選択された構成要素の実施形態の追加的な種類、具体例、又は変形例を示すのに使用される。
代表的な第１ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第１ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第１ダイオードの実施形態を示す断面図。 代表的な第２ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第２ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第３ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第３ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第４ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第４ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第２、第３、及び／又は第４ダイオードの実施形態を示す断面図。 代表的な第５及び第６ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第５及び第６ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第５ダイオードの実施形態を示す断面図。 代表的な第６ダイオードの実施形態を示す断面図。 代表的な第７ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第７ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第７ダイオードの実施形態を示す断面図。 代表的な第８ダイオードの実施形態を示す斜視図。 代表的な第８ダイオードの実施形態を示す平面図。 代表的な第８ダイオードの実施形態を示す断面図。 二酸化ケイ素などの酸化物層を有するウェハーの断面図。 格子パターンでエッチングされた酸化物層を有するウェハーの断面図。 格子パターンでエッチングされた酸化物層を有するウェハーの平面図。 バッファ層（例えば窒化アルミニウム又は窒化ケイ素）を格子パターンの二酸化ケイ素、及び窒化ガリウム（ＧａＮ）層を有するウェハーの断面図。 バッファ層及び複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層、量子井戸領域、及びｐ＋ＧａＮ層）を有する基板の断面図。 バッファ層及び第１のメサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体を有する基板の断面図。 バッファ層及び第２のメサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体を有する基板の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、及びビア接合のためにエッチングされた基板を有する基板の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、及びビアを形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、ビアを形成するメタライゼーション、及び側部にエッチングされたトレンチを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、ビアを形成するメタライゼーション、側部にエッチングされたトレンチ、及び保護層（例えば、窒化けい素）を有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、ビアを形成するメタライゼーション、側部にエッチングされたトレンチ、保護層、及び突出している若しくはバンブ構造体を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層、量子井戸領域、及びｐ＋ＧａＮ層）を有する基板の断面図。 第３のメサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体を有する基板の断面図。 メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ビア接合のためにエッチングされた基板、及び側部にエッチングされたトレンチを有する、基板の断面図。 メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成し、かつビアを通じて形成するメタライゼーション、及び側部にエッチングされたトレンチを有する基材の断面図。 メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成し、かつビアを通じて形成するメタライゼーション、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、及び側部にエッチングされたトレンチを有する基材の断面図。 メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成し、かつビアを通じて形成するメタライゼーション、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、外側のエッチングされたトレンチ、及び保護層（例えば窒化ケイ素）を有する基材の断面図。 メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成し、かつビアを通じて形成するメタライゼーション、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、外側のエッチングされたトレンチ、保護層（窒化ケイ素など）、及び突出、すなわち突起部構造体を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 バッファ層、複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層、量子井戸領域、及びｐ＋ＧａＮ層）、並びにｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 バッファ層、第４のメサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、及びｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、及びｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、及び側部にエッチングされたトレンチを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成を形成するメタライゼーション、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成を形成するメタライゼーション、周辺ビアを通じて形成するメタライゼーションを有する側部にエッチングされたトレンチを有する基材の断面図。 バッファ層、メサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体、ｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、ｎ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション、及び周辺ビアを通じて形成するメタライゼーションを有する外側のエッチングされたトレンチ、保護層（窒化ケイ素など）、並びに突出、すなわち突起部構造体を形成するメタライゼーションを有する基材の断面図。 保持器具に貼りつけた代表的なダイオードウェハーの実施形態を示す断面図。 保持器具に貼りつけた代表的なダイオードウェハーの実施形態を示す断面図。 保持器具に貼りつけた代表的なダイオードの実施形態を示す断面図。 ダイオード製造の代表的な第１方法の実施形態を示すフローチャート。 ダイオード製造の代表的な第２方法の実施形態を示すフローチャート。 ダイオード製造の代表的な第２方法の実施形態を示すフローチャート。 ダイオード製造の代表的な第３方法の実施形態を示すフローチャート。 ダイオード製造の代表的な第３方法の実施形態を示すフローチャート。 保持器具に貼り付けられ、接着性溶媒と共に皿の中で懸濁した代表的な研削及び研磨されたダイオードウェハーの実施形態を示す断面図。 ダイオード懸濁液製造の代表的な方法の実施形態を示すフローチャート。 代表的な装置の実施形態の斜視図。 代表的な装置の実施形態に関して、第１導電性層の代表的な電極構造体を示す平面図。 代表的な装置の実施形態の第１断面図。 代表的な装置の実施形態の第２断面図。 第１導体に結合された代表的なダイオードの第２断面図。 第１の代表的なシステムの実施形態のブロック図。 第２の代表的なシステムの実施形態のブロック図。 装置の製造の代表的な方法の実施形態を示すフローチャート。 励起した代表的な装置の実施形態が光を放射している写真。 代表的な第２ダイオードの実施形態の走査電子顕微鏡写真。 複数の代表的な第２ダイオードの実施形態の走査電子顕微鏡写真。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の断面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の断面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の断面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 図７８Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の断面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 図８７Ａの実施形態の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 図８９Ａの実施形態の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の側面図。 線９０Ｂ−９０Ｂの断面でとった、図９０Ａの実施形態の断面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の平面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の部分斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の部分斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の部分斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 シートのロールの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 ２つの照明面を有する代表的な電球アセンブリの斜視図。 図９５の電球アセンブリを形成するための代表的な装置の断面図。 本発明で記載されている実施形態による代表的な装置の図。 線Ａ−Ａに沿ってとった図９７の代表的な装置の断面図。 他の代表的な連結機構と共に使用されるように適合された装置の斜視図。 図９９の代表的な連結機構を介して電源に接続された２つの装置の側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１０１Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１０２Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１０３Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１０４Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１０５Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明ストリップアセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 ベースアセンブリの実施形態のスロット内に配置された図１０７の照明ストリップアセンブリの側面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１１Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１２Ａの実施形態の斜視図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１３Ａの実施形態の平面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１４Ａの実施形態の平面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１５Ａの実施形態の平面図。 照明アセンブリの代表的な実施形態の斜視図。 図１１６Ａの実施形態の平面図。
本発明は、多くの様々な形態における実施形態が可能であるが、本開示は、本発明の原理の例示として見なされるべきであり、示されている具体的な実施形態に対して本発明を限定することを意図したものではないということを理解した上で、図面に示され、その詳細な具体的実施形態において本明細書で説明される。この点において、本発明と一致する少なくとも１つの実施形態を説明する前に、本発明は、その用途において、図面において示されている、又は実施例において説明されている構造体の詳細に、並びに上記及び下記の配置に限定されないということを理解されたい。本発明と一致する方法及び装置は、他の実施形態、及び様々な方法で実践又は実施されてよい。また、本明細書、並びに以下に含まれる要約書で使用される表現及び用語は、説明を目的とするものであって、限定として見なされるべきではないことも理解されたい。
本発明の代表的な実施形態は、印刷することができるダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ（まとめて本明細書及び図中におい「ダイオード１００〜１００Ｊ」と呼ばれる）の液体及び／又はゲル懸濁液を提供し、これは「ダイオードインク」として同等に本明細書で呼ばれる場合があり、代表的なダイオード１００〜１００Ｊなど、ダイオードの液体及び／又はゲル懸濁液を指す。以下により詳細に説明されるように、ダイオード１００〜１００Ｊ自体は、ダイオードインク組成物内に含まれる前に、完全に形成されている半導体デバイスであり、これは、通電されて発光するとき機能することができるか（ＬＥＤとして具体化されているとき）、又は光源に暴露されたとき、電力を供給できる（光起電ダイオードとして具体化されたとき）。本発明の代表的な方法はまた、以下で詳細に説明されるようにダイオードインクを製造する方法を含み、溶媒及び粘性のある樹脂、又は高分子混合物中に複数のダイオード１００〜１００Ｊを懸濁し、これは印刷されてＬＥＤ系デバイス及び光起電デバイスを製造することができる。説明がダイオード１００〜１００Ｊに集中している一方で、当業者は、他のタイプの半導体デバイスが置換えられて、「半導体デバイスインク」、例えば任意のタイプのトランジスタ（電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）等）、ダイアック、トライアック、シリコン制御整流素子等として、より広範に呼ばれているものを同等に形成することができるということを理解するであろう。
ダイオードインク（すなわち半導体デバイスインク）は、任意の商品又は物品と関連するパッケージに印刷されてもよく、又は適用されてもよい。「商品」は本明細書で使用されるとき、任意の種類、例えば消費者製品、個人用品、企業製品、工業製品等を意味し、エンドユーザーの使用のために店頭で販売され得る製品を含む。例えば、商品は工業又は企業製品であってもよく、エンドユーザーの企業又は工業的使用のために、店頭（例えば販売者又インターネットを通じて）で販売され得る。「消費者商品」は本明細書で使用されるとき、エンドユーザーの個人的使用のために店頭で販売されるいずれかの消費者製品を意味する。例えば、消費者商品は、エンドユーザーの個人的使用のために、店頭（例えば店又インターネットを通じて）で販売される消費者製品であってもよい。ダイオードインク（すなわち半導体デバイスインク）は、物品、そのパッケージ上に、物品、パッケージ、又は両方の機能的若しくは装飾的要素のいずれかとして印刷されてもよい。一つの実施形態では、ダイオードインクは、しるしの形態で印刷される。物品又はパッケージは、任意の、消費者が許容可能な材料から形成されてもよい。
図１は、代表的な第１ダイオード１００の実施形態を示す斜視図。図２は、代表的な第１ダイオード１００の実施形態を示す平面図。図３は、代表的な第１ダイオード１００の実施形態を示す断面図（図２の１０−１０’の面を通じて）。図４は、代表的な第２ダイオード１００Ａの実施形態を示す斜視図。図５は、代表的な第２ダイオード１００Ａの実施形態を示す平面図。図６は、代表的な第３ダイオード１００Ｂの実施形態を示す斜視図。図７は、代表的な第３ダイオード１００Ｂの実施形態を示す平面図。図８は、代表的な第４ダイオード１００Ｃの実施形態を示す斜視図。図９は、代表的な第４ダイオード１００Ｃの実施形態を示す平面図。図１０は、代表的な第２ダイオード１００Ａ、第３ダイオード１００Ｂ及び／又は第４ダイオード１００Ｃの実施形態を示す断面図（図５、７、９の２０−２０’面を通じて）。図１１は、代表的な第５ダイオード１００Ｄ及び第６ダイオード１００Ｅの実施形態を示す斜視図。図１２は、代表的な第５ダイオード１００Ｄ及び第６ダイオード１００Ｅの実施形態を示す平面図。図１３は、代表的な第５ダイオード１００Ｄの実施形態を示す断面図（図１２の４０−４０’の面を通じて）。図１４は、代表的な第６ダイオード１００Ｅの実施形態を示す断面図（図１２の４０−４０’の面を通じて）。図１５は、代表的な第７ダイオード１００Ｆの実施形態を示す斜視図。図１６は、代表的な第７ダイオード１００Ｆの実施形態を示す平面図。図１７は、代表的な第７ダイオード１００Ｆの実施形態を示す断面図（図１６の４２−４２’の面を通じて）。図１８は、代表的な第８ダイオード１００Ｇの実施形態を示す斜視図。図１９は、代表的な第８ダイオード１００Ｇの実施形態を示す平面図。図２０は、代表的な第８ダイオード１００Ｇの実施形態を示す断面図（図１９の４３−４３’の面を通じて）。第９ダイオード１００Ｈ、第１０ダイオード１００Ｉ、及び第１１ダイオード１００Ｊの実施形態の断面図は、代表的な製造プロセスの図の一部として、図３９、４５、及び４８にそれぞれ示されている。図６３は、代表的な第２ダイオード１００Ａの実施形態の走査電子顕微鏡写真。図６４は、複数の代表的な第２ダイオード１００Ａの実施形態の走査電子顕微鏡写真。
斜視図及び平面図である図１、２、４〜９、１１、１２、１５、１６、１８及び１９において、他の下層及び構造体を呈するために保護層１３５は省略されており、これらはさもなければかかる保護層１３５によって被覆される（したがって視認できなくなる）。保護層１３５は、図３、１０、１３、１４、１７、２０、３９、４５、及び４８の断面図において示されており、製造されたダイオード１００〜１００Ｊは一般的に少なくとも１つのかかる保護層１３５を含むということを、当業者は理解するであろう。更に、図１〜４８、５２、及び５４〜５８を参照して、様々な図は記載及び説明目的のためであり、縮尺通りで描かれてはいないということを当業者は理解するであろう。
以下により詳細に記載されているように、例示の１から１１のダイオードの実施形態１００〜１００Ｊは主に形状、使用され得る基板１０５及びウェハー１５０、１５０Ａのドーピング及び他の組成物、ダイオードの発光領域の製造された形状、ビア（１３０、１３１、１３２、１３３、１３４）の深さ及び位置（例えば浅い、すなわち「非貫通」、深い、すなわち「貫通」、中央、周辺、及び外辺部）、第２端子１２７裏面（第２面）のメタライゼーションの使用（１２２）、他の金属接点の範囲及び位置において主に異なり、並びに、以下に更に詳細に記載されるように他の機構の形状又は位置においても異なる場合がある。例示のダイオード１００〜１００Ｊを作製するための例示の方法及び方法の変形例もまた以下に記載される。１つ以上の例示のダイオードの１００〜１００Ｊはまた、ＮｔｈＤｅｇｒｅｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ，Ｉｎｃ．（Ｔｅｍｐｅ，Ａｒｉｚｏｎａ，ＵＳＡ）から入手可能であり、この会社を通じて得ることができる。
図１〜２０を参照して、例示のダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは基板１０５、例えば、多量にドーピングされたｎ＋（ｎプラス）若しくはｐ＋（ｐプラス）基板１０５を使用してドーピングされ、これは例えばシリコンウェハーであってもよく、又は複合基板又はウェハーであってもよい。例えば絶縁体上のシリコン基板（「ＳＯＩ」）（１０５）、又はサファイア（１０６）ウェハー１５０Ａ上の窒化ガリウム（ＧａＮ）基板（１０５）（図１１〜２０に示されている）であってもよく、これに限定されない。以下に詳細に記載されるように、例えばＧａ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、サファイア、有機半導体など（しかしこれらに限定されない）を含む、他のタイプの基板（及び／又は基板を形成する、若しくは基板を有するウェハー）１０５もまた使用されてもよい。したがって、基板１０５は、シリコンウェハー１５０、又はサファイアウェハー１０５Ａ上に製造されたｎ＋ＧａＮ若しくはｐ＋ＧａＮを使用して形成された任意のタイプの基板、例えばｎ＋シリコン若しくはｐ＋シリコン、ｎ＋ＧａＮ若しくはｐ＋ＧａＮ、例えばｎ＋シリコン基板若しくはｐ＋シリコン基板を含むということ広く理解される必要がある（図１１〜２０及び３３〜４５を参照して以下に記載される）。シリコンを使用して具体化するとき、基板１０５は典型的に、＜１１１＞又は＜１１０＞結晶構造体又は配向を有するが、他の結晶構造体もまた同様に使用されてもよい。任意のバッファ層１４５は典型的にシリコン基板１０５、例えば窒化アルミニウム若しくは窒化ケイ素上に製造されて、異なる格子定数を有するＧａＮ層の、後続の製造を促進する。ＧａＮ層はバッファ層１４５上に、例えばエピタキシャル成長を通じて作られ、複合ＧａＮヘテロ構造体一般的にｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５として示されている。他の実施形態において、バッファ層１４５は使用されず、又は使用されなくてもよく、例えば複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５）は、より具体的な選択肢として、図１５〜１７として示されているように、ＧａＮ基板１０５上で作られる。複数のｐ＋ＧａＮ層及びｎ＋ＧａＮ層内に、及び潜在的に多くの量子井戸が存在し、発光（又は光吸収）領域１４０を形成することができ、ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５は単に例示であり、１つ以上の放射（又は光吸収）領域１４０を形成する複合ＧａＮヘテロ構造体の一般的又は簡略的な説明を提供しているということを電子技術の当業者は理解するであろう。例えばｐ＋シリコン基板１０５の使用に関して、ｎ＋ＧａＮ層１１０及びｐ＋ＧａＮ層１１５の位置は同じであってもよく、又は同様に逆であってもよく、他の組成物及び材料は１つ以上の発光（又は光吸収）領域１４０（これらの多くは以下に記載されている）、及びそのような変形例の全ては本開示の範囲内であるといいうことを電子技術の当業者は理解するであろう。
ｎ＋基板又はｐ＋基板１０５は、電流を伝搬し、これはｎ＋ＧａＮ層１１０に流れる。電流経路はまた、１つ以上のビア１３０（これはまた、ｎ＋基板若しくはｐ＋基板１０５とｎ＋ＧａＮ層１１０との間に非常に薄い（約２５オングストローム）バッファ層１４５の電気的バイパスを提供するのに使用され得る）を形成する金属層を通る。ビア１３１〜１３４の追加のタイプが以下に記載される。２つ（又はそれより多くの）別個に堆積した金属層１２０Ａ及び１２０Ｂ（これはまたビア１３０を形成するのに使用されてもよい）として示されている１つ以上の金属層１２０は、ｐ＋ＧａＮ層１１５とのオーミック接触をもたらし、第２の追加の金属層１２０Ｂは、ダイオード１００〜１００Ｊのための第１電気端子（すなわちコンタクト）１２５を形成する金属層１２０Ａ、１２０Ｂと共に使用されて「突起部」すなわち突出構造体を形成する。例示の代表的なダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの実施形態に関して、電気端子１２５は、後に続く電力（電圧）供給（ＬＥＤ用途のための）又は受容（光起電用途のための）のために、製造中に、ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ上に形成される抵抗の金属端子のみであってもよく、ｎ＋基板若しくはｐ＋基板１０５は使用されて、電力供給又は受容のためのダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのための第２電気端子を提供する。電気端子１２５及びｎ＋基板若しくはｐ＋基板１０５は、対抗する面、上部（第１面）及び底部（すなわち裏の第２面）上にそれぞれあり、ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの同じ面上にないということを注意する必要がある。これらのダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの実施形態に関する選択肢として、及び他の代表的なダイオード実施形態に関して示されたものとして、任意選択の第２の抵抗金属端子１２７は、ダイオード（例えばダイオード１００Ｄ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｊ）の第２の裏面上で金属層１２２を使用して形成される。電気絶縁及び環境的安定性のために、とりわけ窒化ケイ素保護１３５（又は任意の他の同等の保護）が使用される。別個に示されているのではなく、複数のトレンチ１５５は以下に記載されるようにダイオード１００〜１００Ｊの側面に沿って製造中に形成され、これはウェハー１５０、１５０Ａ上でダイオード１００〜１００Ｊを互いに分離し、ウェハー１５０、１５０Ａの残りからダイオード１００〜１００Ｊを分離する両方のために使用される。
図１〜２０はまた、ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５）として示される１つ以上の発光（又は光吸収）領域１４０の様々な形状及び形状因子、並びに基板１０５の様々な形状及び形状因子のいくつかを例示する。また図示されているように、例示のダイオード１００〜１００Ｊが実質的にｘ−ｙ面（以下に詳細に記載されるように、湾曲した又は弧状の側面１２１）で六角形である一方で、シリコンウェハー当たり、より大きなデバイス密度を提供するための、他のダイオード形状及び形態が同等に検討され、本発明の範囲内である（例えば四角形、三角形、八角形、円形等）。また、代表的な実施形態で示されているように、六角形の側面１２１は、僅かに湾曲しているか弧状であり、凸状（図１、２、４、５、１１、１２、１５、１６、１８、１９）、凹状（図６〜９）であってもよく、ウェハーから取り外され、液体中に懸濁するとき、個々のダイオード１００〜１００Ｊが互いに接着又は張り付くのを回避し、また装置３００、３００Ａ、３００Ｂの製造に関して、個別のダイオード１００〜１００Ｊがそれらの側面若しくは縁部（１２１）上で立つのを防ぐことができる。また例示の実施形態で示されているように、六角形の側面１２１はまた、各面１２１の中央の付近で凸状であり、かつ幾分尖った頂角を形成するために周辺で／横方向に湾曲しているか、わずかに弧状であってもよく（図１１〜２０）、これによってウェハーから取り外され、液体中に懸濁したときに、ダイオード１００〜１００Ｊはまた、互いに接着し、すなわち貼り付くのを避けることができ、並びに別のダイオードに対して回転又は移動するときに互いに押しのけることができ、更に、また装置３００、３００Ａ、３００Ｂの製造に関して、個々のダイ（個々のダイオード１００〜１００Ｊ）がそれらの側面若しくは縁部（１２１）上に立つのを避ける。
発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）の様々な形状及び形状因子もまた示され、図１〜３は、実質的に円形又はディスク形状の発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）を示し、かつ図４及び５は、実質的に環状体形状の（すなわちトロイダル形状の）発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）を示し、第２の金属層１２０Ｂがトロイダル形状の中央に延びている（そして潜在的に反射面を提供している）。図６及び７において、発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）は実質的に環状内側（側）面及び実質的に分葉状外側（側）面を有し、一方、図８及び９では、発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）はまた実質的に環状内（側）面を有し、その一方で外（側）面は実質的に星形、又は星形状。図１１〜２０において、１つ以上の発光、１つ以上の発光（又は光吸収）領域１４０は、実質的に六角形（側）面（これはダイの外周部に延びても、又は延びなくてもよい）を有し、（少なくとも部分的に）実質的に環状の内（側）面を有してもよい。他の代表的な実施形態は別個に示されていないが、複数の発光（又は光吸収）領域１４０があってもよく、これは連続的であってもよく、又はダイ上で離間していてもよい。環状の内面を有する、１つ以上の発光（又は光吸収）領域１４０（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）のこれらの様々な構成は、光出力（ＬＥＤ用途のための）及び光吸収（光起電用途のための）のための潜在力を増加させるために実施されてもよい。
代表的な実施形態では、１つ以上の金属層１２０Ａ、１２０Ｂから構成される端子１２５は、バンブ、すなわち突出構造体を有し、ダイオード１００〜１００Ｊの有意な部分が、１つ以上の絶縁層によって被覆されるのを可能にし（第１導体３１０Ａによる、ｎ＋若しくはｐ＋シリコン基板１０５への（又は金属層１２２によって形成される第２端子への）電気接触の形成に続いて）、その一方で、１つ以上の他の導電層、例えば以下に記載される透明導体３２０によって電気端子１２５との接触のための十分な構造を同時に提供する。更に、端子１２５のバンブ若しくは突出構造体は潜在的に、側面１２１の湾曲に加えて、ダイオードインク内のダイオード１００〜１００Ｊの回転、及び製造された装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおけるその後の向き（上部が上向き（前方付勢））又は底部が上向き（逆の付勢）に影響する因子となり得る。
図１１〜２０を参照して、例示のダイオード１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇは、様々な組み合わせにおいて、いくつかの追加及び任意の特徴を示す。図示されているように、突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂは、周辺において実質的に環状というよりはむしろ、その周辺おいて実質的に楕円形（すなわち長円形）であるが、端子１２５の他の形状及び形状因子もまた本開示の範囲内。更に、突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂは２つ以上の細長い延長部１２４を有し、これは装置３００、３００Ａ、３００Ｂの製造において、いくつかの追加の目的（例えば第２の透明導体３２０と電気接触形成の促進及び端子１２５（金属層１２０Ｂ）から誘電層間絶縁３１５を外す流れを促進するなど）を果たす。この楕円の形状因子はまた、突起部、すなわち突出構造体を形成する楕円形の金属層１２０Ｂの主軸側に沿って、主要発光（又は光吸収）領域１４０から、又はこれへの追加の発光（又は吸収）を可能にする場合がある。金属層１２０Ａは、複数の工程において多層として堆積される場合もある、ｐ＋ＧａＮ層１１５とのオーミック接触を形成し、これはまた、湾曲した金属接触部延長部１２６として例示される、ｐ＋ＧａＮ層１１５上の細長い延長部を有し、ｐ＋ＧａＮ層１１５への電流電動を促進しながら、同時に、発光（又は光吸収）領域１４０による発光又は光吸収のための電位を可能にする（及び過剰に遮蔽しない）。金属接触部延長部１２６の無数の他の形状、例えば格子パターン、他の曲線状の形状などが同様に使用されてもよい。
周辺部（すなわち中心から外れて）加えて、追加のタイプのビア構造体（１３１、１３２、１３３、１３４）もまた図１１〜２０に例示されており、既に記載された比較的浅い、すなわち「非貫通」ビア１３０はバッファ層１４５を完全に貫通し、基板１０５内に入るが、製造したダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおいて基板１０５内に比較的深く、又はこれを貫通しない。図１３（及び図３９、４８）に示されているように、中央（すなわち中心に配置されている）の比較的深い「貫通」ビア１３１は、基板１０５を貫通し、ｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成し、第２（裏）面の金属層１２２とｎ＋ＧａＮ層１１０との間に電流を伝搬する（ないしは別の方法で電気接触部を作る）ために使用される。図１４に示されているように、中央（すなわち中心に配置されている）の比較的浅い、すなわち非貫通ビア１３２はまた「ブラインド」ビア１３２と呼ばれ、バッファ層１４５を通り基板１０５内に入り、これはｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成し、ｎ＋ＧａＮ層１１０と基板１０５との間に電流を導く（ないしは別の方法で電気接触部を作る）ために使用される。図１５〜１７及び４４〜４５に示されるように、周辺部の比較的深い、又は貫通ビア１３３は、ｎ＋ＧａＮ層１１０から、及びダイオード１００Ｆの第２の、裏面まで側面１２１に沿って延び（バッファ層１３５によって被覆されるが）、これは、この実施形態では、基板１０５の側面の完全に周囲で第２（裏）面金属層１２２を含み、これはｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成し、第２（裏）面金属層１２２とｎ＋ＧａＮ層１１０との間に電流を導く（ないしは別の方法で電気接触を作る）ために使用される。図１８〜２０に示されているように、周辺部は比較的深い「貫通」ビア１３４は、基板１０５を貫通し、ｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成し、第２（裏）面の金属層１２２とｎ＋ＧａＮ層１１０との間に電流を導く（ないしは別の方法で電気接触部を作る）ために使用される。第２（裏）面金属層１２２を採用しない実施形態では、貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）を使用して、導体３１０Ａ（装置３００、３００Ａ、３００Ｂ）との電気接触部作り、導体３１０Ａとｎ＋ＧａＮ層１１０との間に電流を流す（ないしは別の方法で電気接触部を作る）。これらの貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）は、面研削若しくは研磨、又はレーザーリフトオフ（図４６及び４７を参照して以下に記載される）のいずれかを通じてダイオードの単一化に続いて、ダイオード１１０Ｄ、１００Ｆ、１００Ｇの第２の、裏面上に堆積され、露出したままにされるか、あるいは第２（裏）面の金属層１２２（図４８で示されるように）によって被覆されてもよい（及びこれと電気接触を形成する）。
貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）は当該技術部分野において知られている典型的ビアよりも比較的狭い。貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）はおよそ、深さ約７〜９マイクロメートル（基板１０５を通じて延びる高さ）、従来のビアの約３０マイクロメートル以上の幅と比較して、幅約３〜５マイクロメートル。
任意の第２（裏）面の金属層１２２は、第２端子すなわち接触部１２７を形成し、これはまた図１１〜１３、１７、１８、２０及び４８に示されている。例えば、かかる第２端子、すなわち接触部１２７は例えば、様々な貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）を通じてｎ＋ＧａＮ層１１０への電流伝搬を促進するため、及び／又は導体３１０Ａとの電気接触部を形成するのを促進するために使用されてもよく、これらに限定されない。
ダイオード１００〜１００Ｊは概して、全ての寸法で約４５０マイクロメートル未満であり、より具体的には全ての寸法において約２００マイクロメートル未満であり、より具体的には全ての寸法において約１００マイクロメートル未満であり、より具体的には全ての寸法で５０マイクロメートル未満。例示されている代表的な実施形態では、ダイオード１００〜１００Ｊは一般的におよそ、幅において約１５〜４０マイクロメートルであり、又はより具体的に、幅において約２０〜３０マイクロメートルであり、高さにおいて約１０〜１５マイクロメートルであり、又は直径（頂点から頂点よりはむしろ側面と面で測定された）において約２５〜２８マイクロメートルであり、高さにおいて１０〜１５マイクロメートル。代表的な実施形態において、突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂを除く、ダイオード１００〜１００Ｊの高さ（すなわちＧａＮヘテロ構造体を含む側面１２１の高さ）はおよそ、約５〜１５マイクロメートル、又はより具体的には７〜１２マイクロメートル、又はより具体的には８〜１１マイクロメートル、又はより具体的には９〜１０マイクロメートル、又はより具体的には１０〜３０マイクロメートルであり、一方突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂの高さは概しておよそ、約３〜７マイクロメートル。ダイオードの寸法がデバイス製造の選択された許容誤差内で設計されるので、ダイオードの寸法は例えば、光顕微鏡（これはまた測定ソフトを含んでもよい）を使用して測定されてもよい。更なる実施例として、ダイオードの寸法は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は堀場製作所のＬＡ−９２０を使用して測定することができる。堀場製作所のＬＡ−９２０機器は、小角のフラウンホーファー回折（Fraunhofer Diffraction）及び光散乱（Light Scattering）の原理を用いて、ダイオードインク内で具体化されているときなど、粒子の希釈溶液中での粒径及び分布を測定する。全ての粒径は、それらの数平均粒径に関して測定される。
ダイオード１００〜１００Ｊは、現在既知である、又は詳細開発される任意の半導体製造技法を用いて作製されてもよい。図２１〜４８は、例示のダイオード１００〜１００Ｊの複数の代表的な製造方法を示し、並びにいくつかの追加の代表的なダイオード１００Ｈ、１００Ｉ及び１００Ｊ（断面図で）を示す。ダイオード１００〜１００Ｊの製造の多くは、様々な順序で発生する場合があり、省略される場合があり、又は他のシーケンス含まれる場合があり、並びにこれらの例示されているものに加えて、無数のダイオード構造体となり得るということを様々な当業者は理解するであろう。例えば、図３３〜３９は、ダイオード１００Ｈの作製を示し、これは中央及び周辺の貫通（又は深い）ビア１３１及び１３４をそれぞれ含み、任意の第２（裏）面の金属素１２２を備えて、又はこれを有さず、ダイオード１００Ｄ及び１００Ｇの機構を組み合わせ、その一方で図４０〜４５は、ダイオード１００Ｉの作製を示し、これは周辺ビア１３３を含み、任意の第２（裏）面の金属層１２２を有し、又はこれを有さずに、並びに他の例示の製造工程と組み合わされて、中央又は周辺の貫通ビア１３１及び１３４を例えばダイオード１００Ｆを形成するために含んでもよい。
図２１、２２及び２４〜３２は、本発明の教示によるダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの製造の代表的な方法を示す断面図であり、図２１〜２４はウェハー１５０において、図２５〜３２はダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃレベルにおける製造を示す。図２１及び２２は、二酸化ケイ素（すなわち「酸化物」）層１９０を有するウェハー１５０（例えばシリコンウェハー）の断面図。図２３は、格子パターンでエッチングされた二酸化ケイ素層１９０を有するシリコンウェハー１５０の平面図。酸化物層１９０（一般的に厚さ約０．１マイクロメートル）は、図２１に示されるようにウェハー１５０の上に堆積されるか、又はこの上で成長する。図２２に示されるように、当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、酸化物層１９０の部分は取り除かれ、図２３に示されるように格子パターン（また「ストリート」とも呼ばれる）で酸化物１９０を残す。
図２４は、バッファ層１４５、二酸化ケイ素（すなわち「酸化物」）層１９０、及び酸化物１９０の上にＧａＮ １９５として示されるＧａＮ層（典型的には、代表的な実施形態において約１．２５〜２．５０マイクロメートルの厚さにエピタキシャル成長させた、又は堆積させているが、より小さな又はより大きな厚さもまた本開示の範囲内である）、並びに、上記のように複合ＧａＮヘテロ構造体を形成するｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５を有するウェハー１５０（例えばシリコンウェハー）の断面図。上記のとおり、バッファ層１４５（例えば窒化アルミニウム又は窒化ケイ素、及び概して厚さは約２５オングストローム）は、シリコンウェハー１５０上に堆積されて、後に続くＧａＮの堆積を促進する。酸化物１９０上に成長させた、又は堆積させた多結晶ＧａＮ １９５は、一般的に単結晶構造を有する複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）における応力及び／又は歪み（例えばＧａＮ及びシリコンウェハーの熱不整合による）を低減するために使用される。そのような応力及び／又は歪み低減をもたらす、本発明の範囲内の他の同様な方法には、例えば、選択された領域におけるシリコンウェハー１５０及びバッファ層１４５の表面の粗面化が挙げられるがこれに限定されず、これによって対応するＧａＮ領域は単一結晶体ではなく、又はシリコンウェハー１５０においてトレンチをエッチングせず、これによってウェハー１５０全体にわたる連続的なＧａＮ結晶体はない。かかるストリート形成及び応力低減の製造工程は他の例示の製造方法において、例えばサファイアウェハー１５０Ａ上で他の基材、例えばＧａＮ（基板１０５）が使用されたときなど省略されてもよい。複合ＧａＮヘテロ構造体を形成するためのＧａＮ堆積又は成長は、当該技術分において既知の、若しくは既知になる、及び／又はデバイスメーカーの独占所有権であり得る任意の選択されたプロセスを通じて提供されてもよい。代表的な実施形態では、ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５から構成される複合ＧａＮヘテロ構造体は、Ｂｌｕｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ．（Ｗａｌｎｕｔ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳＡ）によって製造されている。
図２５は、本発明の教示によるバッファ層１４５及び複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）を有する基材１０５の断面図であり、単一ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの製造を示すために、ウェハー１５０のはるかに小さな部分（例えば図２４の領域１９１など）を示す。当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）は、図２６及び２７に示されているように、エッチングされてＧａＮのメサ状の構造体１８７を形成し、図２７では、比較的、より角度のついた側面を有するＧａＮのメサ状構造体１８７Ａを示し、これは潜在的に光の生成及び／又は吸収を促進することができる。他のＧａＮ状のメサ状の構造体１８７、例えば部分的に又は実質的にトロイダル状のＧａＮのメサ状構造体１８７など、図１０、１３、１４、１７、２０、３４〜３９、及び４８に示されているように実施されてもよい。ＧａＮのメサ状のエッチングに続いて、当該技術分野において既知の、又は既知となっている適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層並びにエッチングを通じて、（浅い、すなわち非貫通）ビアのエッチングが、図２８に示されるように実施され、ＧａＮ層及びバッファ層１４５を通じてシリコン基板１０５に入る比較的浅いトレンチ１８６を作る。
また、当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、メタライゼーション層が次いで堆積され、図２９に示されるように、ｐ＋ＧａＮ層１１５に対して金属接触部１２０Ａを形成し、ビア１３０を形成する。代表的な実施形態では、いくつかの層の金属が堆積され、第１、すなわち最初の層はｐ＋ＧａＮ層１１５に対してオーミック接触を形成し、これは約５０〜２００オングストロームの、それぞれニッケル、その後に金属による２つの金属層から構成され、続いて約２０％の酸素及び８０％の窒素の酸化雰囲気において約４５０〜５００℃においてアニーリングすることによって形成し、結果としてニッケルが、酸化ニッケルの層と共に上部に上昇し、ｐ＋ＧａＮ層１１５と比較的良好なオーミック接触を有する金属層（１２０Ａの一部として）を形成する。例えば、より厚い相互接続金属を形成して、金属層１２０Ａを完全に形成する（例えば電流分配のために）ために、並びにビア１３０を形成するために他の金属層もまた堆積されてもよい。他の例示の実施形態では（図４０〜４５に示されている）、ｐ＋ＧａＮ層１１５にオーミック接触を形成する金属接触部１２０Ａは、ＧａＮのメサ状のエッチングの前に形成されてもよく、ＧａＮのメサ状のエッチング、ビアのエッチング等が続いてもよい。金属層１２０Ａ及び１２０Ｂを含む無数の他のメタライゼーションプロセス、及び対応する材料もまた、しばしば異なるプロセス及び材料の選択を採用する異なる製造設備により、本開示の範囲内。例えば、そしてこれに限定することなく、金属層１２０Ａ及び１２０Ｂのいずれか、又は両方は、チタンの堆積によって接着又はシード層（典型的に厚さ５０〜２００オングストローム）を形成し、２〜４マクロメートルのニッケル及び薄層、すなわち金の「フラッシュ」（厚さ約５０〜５００オングストロームの層である金の「フラッシュ」）の堆積が続き、ニッケル（約０．５マイクロメートル、物理気相成長法又はメッキ）及び金の「フラッシュ」又はチタンの堆積が続き、それに続いて金、それに続いてニッケル（１２０Ｂに関して、典型的に３〜５マイクロメートル厚）、それに続いて金又はアルミニウムの堆積、それに続いてニッケル、それに金が続くなど。更に、突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂの高さは様々であってもよく、得られるダイオード１００〜１００Ｊが実質的に均一な高さ及び形状因子を有するための基板１０５の厚さ（例えば、約７〜８マイクロメートルのＧａＮ対１０マイクロメートルのシリコン約）によって、代表的な実施形態において典型的には約３．５〜５．５マイクロメートルであってもよい。
後に続くダイオード１００〜１００Ｊを互いから、及びウェハー１５０から分離するために、当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層を通じて、図３０並びに他の図３５及び４３で示されているように、各ダイオード１００〜１００Ｊの周辺部の周りにトレンチ１５５が形成される（例えば図２、５、７及び９として示されているように）。トレンチ１５５は一般的に幅約３〜５マイクロメートル及び深さ１０〜１２マイクロメートル。当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、図３１に示されるように窒化物保護層１３５を次いで、一般的に約０．３５〜１．０マイクロメートルの厚さまで、例えば（及びこれに限定されない）窒化ケイ素のプラズマ加速化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって成長させるか、又は堆積させ、続いてフォトレジスト及びエッチング工程によって窒化ケイ素の不要な領域を除去する。当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、突起部、すなわち突出構造体を有する金属層１２０Ｂが次いで形成され、これは図３２に示されるように、典型的に高さ３〜５マイクロメートルを有する。代表的な実施形態では、金属層１２０Ｂの形成が、金属シード層を使用し、続いて電気めっき又はリフトオフプロセスを使用して更に金属を堆積し、レジストの除去及びシード層のフィールドの浄化することによって、いくつかの工程において実施される。以下に記載されるように、ウェハー１５０からのダイオード（この場合、ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ）の後に続く分離以外に、ダイオードは１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃはさもなければ完成し、ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、各ダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ（第１端子１２５）の上面上の１つの金属接触部又は端子のみを有する。選択肢として、以下に記載されているように、及び上記で他の代表的なダイオードを参照して言及されたように、第２（裏）面の金属層１２２が、例えば第２端子１２７を形成するために製造されてもよい。
図３３〜３９は、ダイオード１００〜１００Ｊの製造の他の代表的な方法を示し、図３３は、ウェハー１５０Ａレベルでの製造を示し、図３４〜３９は、ダイオード１００〜１００Ｊレベルでの製造を示す。図３３は、基板１０５及び複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５）を有するウェハー１５０Ａの断面図。この代表的な実施形態では、比較的厚い層のＧａＮが（サファイアウェハー１５０Ａの）サファイア（１０６）上に成長しているか、又は堆積されており（基板１０５を形成するために）、続いてＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５）が堆積又は成長されている。
図３４は、第３のメサ状にエッチングされた複合ＧａＮヘテロ構造体を有する基板１０５の断面図であり、単一ダイオード（例えばダイオード１００Ｈ）の製造を示すために、ウェハー１５０Ａ（例えば図３３の領域１９２など）ウェハー１５０Ａのはるかに小さな部分を示している。当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）は、エッチングされてＧａＮのメサ状の構造体１８７Ｂを形成する。ＧａＮのメサ状のエッチングに続いて、また当該技術分野において既知の適切な若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、（貫通、すなわち深い）ビアトレンチ及びトレンチエッチングの分離が、図３５に示されるように実施され、ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０）の非メサ状部分を通じて、及びウェハー１５０Ａのサアファイヤ（１０６）へのＧａＮ基板１０５を通じて１つ以上の比較的深いビアトレンチ１８８を生じ、上記のように分離トレンチ１５５を作る。図示されているように、中央のビアトレンチ１８８及び複数の周辺部のビアトレンチ１８８が形成されている。
また、当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、メタライゼーション層が次いで堆積され、ビア１３１を通じて中央部を、ビア１３４を通じて複数の周辺部を形成し、これは図３６に示されるようにｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成する。代表的な実施形態では、金属のいくつかの層が堆積されて貫通ビア１３１、１３４を形成する。例えば、チタン及びタングステンがスパッタリングされて、トレンチ１８８の側部及び底部をコーティングし、シード層を形成し、それに続いてニッケルでメッキし、固体の金属ビア１３１、１３４を形成する。
また、当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、メタライゼーション層が次いで堆積され、図３７に示されるように、ｐ＋ＧａＮ層１１５に対して金属接点をもたらす金属層１２０Ａを形成する。代表的な実施形態では、金属のいくつかの層は、これまで説明されたように、堆積されて金属層１２０Ａ、及びｐ＋ＧａＮ層１１５に対するオーミック接触を形成してもよい。当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、図３８に示されるように窒化物バッファ層１３５を次いで、一般的に約０．３５〜１．０マイクロメートルの厚さまで、例えば（及びこれに限定されない）窒化ケイ素又はオキシ窒化ケイ素のプラズマ加速化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって成長させるか、又は堆積させ、続いてフォトレジスト及びエッチング工程によって窒化ケイ素の不要な領域を除去する。当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、図３９に示されるように、突起部、すなわち突出構造体を有する金属層１２０Ｂが次いで形成される。代表的な実施形態では、金属層１２０Ｂの形成が、金属シード層を使用し、続いて電気めっき又はリフトオフプロセスを使用して更に金属を堆積し、上記のようにレジストの除去及びシード層のフィールドの浄化によって、いくつかの工程において実施される。以下に記載されるように、ウェハー１５０Ａからのダイオード（この場合、ダイオード１００Ｈ）の後に続く分離以外に、ダイオードは１００Ｈはさもなければ完成し、ダイオード１００Ｈはまた、各ダイオード１００Ｈ（また第１端子１２５）の上面上の１つの金属接触部又は端子のみを有する。また、選択肢として、以下に記載されているように、及び上記で他の代表的なダイオードに関して言及されたように、第２（裏）面の金属層１２２が、例えば第２端子１２７を形成するために製造されてもよい。
図４０〜４５は、ダイオード１００〜１００Ｊの製造の他の代表的な方法を示し、図４０は、ウェハー１５０又は１５０Ａｌレベルでの製造を示し、図４１〜４５は、ダイオード１００〜１００Ｊレベルでの製造を示す。図４０は、バッファ層１４５、複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びＧａＮ層１１５）、並びにｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション（金属層１２０Ａ）を有する基材１０５の断面図。上記のように、バッファ層１４５は典型的に、基板１０５がシリコン（例えばシリコンウェハー１５０を使用する）であるときに作製され、他の基板に関して、例えばＧａＮ基板１０５に関しては省略されてもよい。更に、サファイア１０６は、サファイアウェハー１５０Ａ上に成長させた、又は堆積された厚いＧａＮ基板１０５に関して一例として例示される。上記のとおり、金属層１１９（金属層１２０Ａの後に続く堆積ためのシード層として）がダイオードの製造の後の工程ではなく、ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５、及びｐ＋ＧａＮ層１１５）の堆積の後の、より早い工程において堆積される。例えば、金属層１１９は、約数百オングストロームの合計厚さを有する金のフラッシュを備えるニッケルであってもよい。
図４１は、バッファ層、第４のメサ状にエッチングされたヘテロ構造体、及びｐ＋ＧａＮ層とのオーミック接触を形成するメタライゼーション（金属層１１９）基板の断面図であり、単一のダイオード（例えばダイオード１００Ｉ）の製造を示すために、ウェハー１５０又は１５０Ａ（例えば図４０の領域１９３など）のはるかに小さな部分を示している。当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、複合ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０、量子井戸領域１８５及びｐ＋ＧａＮ層１１５）（金属層１１９を備える）は、エッチングされてＧａＮのメサ状の構造体１８７Ｃ（金属層１１９を備える）を形成する。ＧａＮのメサ状のエッチングに続いて、また当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又は、フォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、メタライゼーションが堆積され（これまで記載されたプロセス及び金属、例えばチタン及びアルミニウムのいずれかを使用して、その後アニーリングを続けて）、図４２に示されるように、金属層１２０Ａを形成し、またｎ＋ＧａＮ層１１０とオーミック接触を有する金属層１２９を形成する。
メタライゼーションに続いて、また当該技術分野において既知の適切な若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、分離トレンチエッチングが、図４３に示されるように、ＧａＮヘテロ構造体（ｎ＋ＧａＮ層１１０）の非メサ状部分を通じて、又は基板１０５内への比較的深く（例えば、ウェハー１５０Ａのサファイア（１０６）へのＧａＮ基板１０５を通じて、又はこれまで記載したようにシリコン基板１０５の一部を通じて）、及び上記のように分離トレンチ１５５を作製することによって実施される。
また当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、金属層は次いでトレンチ１５５内に堆積され、貫通、すなわち深い周辺ビア１３３を形成し（ダイオード（１００Ｉ）の外側全体又は側面の周辺部の周囲の伝導をもたらす）、これは図４４に示されるようにｎ＋ＧａＮ層１１０とのオーミック接触を形成する。代表的な実施形態では、金属のいくつかの層が堆積されて貫通周辺ビア１３３を形成してもよい。例えば、チタン及びタングステンがスパッタリングされて、トレンチ１５５の側部及び底部をコーティングし、シード層を形成し、それに続いてニッケルでメッキし、固体の金属周辺ビア１３３を形成する。
再び、また当該技術分野において既知の適切若しくは標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、図４５に示されるように窒化物バッファ層１３５を次いで、一般的に約０．３５〜１．０マイクロメートルの厚さまで、例えば（及びこれに限定されない）窒化ケイ素のプラズマ加速化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって成長させるか、又は堆積させ、続いてフォトレジスト及びエッチング工程によって窒化ケイ素の不要な領域を除去する。当該技術分野において既知の適切又は標準的なマスク及び／又はフォトレジスト層、並びにエッチングを通じて、これまで説明したように、図４５に示されるように、突起部、すなわち突出構造体を有する金属層１２０Ｂが次いで形成される。以下に記載されるように、ウェハー１５０又は１５０Ａからのダイオード（この場合、ダイオード１００Ｉ）の後に続く分離以外に、ダイオードは１００Ｉはさもなければ完成し、ダイオード１００Ｉはまた、各ダイオード１００Ｉ（また第１端子１２５）の上面上の１つの金属接触部又は端子のみを有する。また、選択肢として、以下に記載されているように、及び上記で他の代表的なダイオードを参照して言及されたように、第２（裏）面の金属層１２２が、例えば第２端子１２７を形成するなど製造されてもよい。
ダイオード１００〜１００Ｊの製造方法の多数の変形例は、本開示の教示を考慮すれば容易に明らかであり、これらの全ては本開示の範囲と同等であり、この範囲内であると考えられる。他の代表的な実施形態では、例えばトレンチ１５５の形成及び（窒化物）バッファ層の形成は、デバイス製造プロセスにおいて初期に、又は後で実施されてもよい。例えば、トレンチ１５５は製造において後、金属層１２０Ｂの形成の後に形成されてもよく、基板１０５を露出させたままであってもよく、あるいは第２の表面安定化処理が続いてもよい。また、例えばトレンチ１５５が製造の早い段階、例えばＧａＮのメサ状のエッチングの後によって形成され、（窒化物）の保護層１３５の堆積が後に続いてもよい。後者の実施例では、デバイス製造プロセス中に平坦化のバランスを維持するために、表面安定処理されたトレンチ１５５は、酸化物、フォトレジスト、又は他の材料で充填されもよく（層の堆積、その後にフォトレジストマスク及びエッチング、又はマスクを使用しないエッチングプロセスを使用して不要な領域の除去が続く）、あるいはレジストを用いて充填されてもよい（及び金属接触部１２０Ａの形成に続いて潜在的に再充填される）。他の実施例では、窒化ケイ素１３５の堆積（マスク及びエッチング工程が後に続く）は、ＧａＮのメサ状のエッチングの後に、かつ金属接触部１２０Ａの堆積の前に実施されてもよい。
様々なダイオード（ダイオード１００〜１００Ｊ）の多くが説明されており、ここではシリコン及びＧａＮが選択された半導体であり得る、又は選択された半導体であるが、他の無機若しくは有機半導体が同様に使用されてもよく、本開示の範囲内であるということを留意する必要がある。無機半導体の例にはシリコン、ゲルマニウム、及びこれらの混合物；二酸化チタン、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ、及びこれらの混合物；ＩＩ−ＶＩ族半導体、これらは少なくとも１つの二価の金属（亜鉛、カドミウム、スズ、及び鉛）及び少なくとも１つの二価の非金属（酸素、イオウ、セレン及びテルル）の化合物、例えば酸化亜鉛、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、セレン化水銀、及びこれらの混合物；ＩＩＩ−Ｖ族半導体、これらは少なくとも１つの三価の金属（アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びタリウム）と少なくとも１つの三価の非金属（窒素、リン、ヒ素、及びアンチモン）、例えばヒ化ガリウム、リン化インジウム、及びこれらの混合物；並びに水素終端シリコン、炭素、ゲルマニウム、α−スズなどのＩＶ族半導体、及びこれらの混合物が挙げられる。
ＧａＮ発光／吸収領域１４０（例えば、基板１０５の上に堆積されたＧａＮヘテロ構造体、例えばサファイア（１０６）ウェハー１５０Ａ上のＧａＮ（１０５）の上に堆積されたｎ＋若しくはｐ＋シリコン）に加えて、複数のダイオード１００〜１００Ｊは、任意のタイプの半導体要素、材料、又は化合物、例えばシリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、又は任意の無機若しくは有機半導体材料から、並びにＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＮＡｓ、ＡｌＩｎＧＡＳｂなど任意の形態で構成されてもよく、またこれらは例であり限定するものではない。
図４６は、保持器具１６０（例えば保持、ハンドル又はホルダーウェハー）に貼りつけた複数のダイオード１００〜１００Ｊを有する、代表的なシリコンウェハー１５０を示す断面図。図４７は、保持器具１６０に貼りつけた代表的なダイオードサファイアウェハー１５０Ａの実施形態を示す断面図。図４６及び４７に示されるように、複数の、取り外されていないダイオード１００〜１００Ｊ（一般的に解説目的のために示され、いずれかの有意な機構の詳細はない）を含むダイオードウェハー１５０、１５０Ａが、任意の既知の、市販されているウェハー接着又はウェハー結合１６５を使用して、製造したダイオード１００〜１００Ｊを有するダイオードウェハー１５０、１５０Ａの第１面上で保持器具１６０（ウエファーホルダーなど）に付着されている。例示され、上記で説明するとおり、各ダイオード１００〜１００Ｊ間の窒化物の不動態化された分離すなわち個々のトレンチ１５５は、エッチングを介してなどウェハープロセス中に形成され、次いで、切断などの機械的プロセスを使用させずに隣接するダイオード１００〜１００Ｊから各ダイオード１００〜１００Ｊを分離するのに利用される。図４６に示されるように、ダイオードウェハー１５０は保持器具１６０に更に付着され、ダイオードウェハー１５０の第２の裏面１８０は次いで、あるレベルまで（点線として示されている）機械的に研削され、研磨され、窒化物が不動態化したトレンチ１５５を露出させる。十分に研削され研磨されたとき、それぞれ個々のダイオード１００〜１００Ｊは互いから、及びいずれか残っているダイオードウェハー１５０から取り外される一方で、接着剤１６５で保持器具１６０に依然として付着している。図４７に示されるように、ダイオードウェハー１５０Ａが保持器具１６０に依然として付着している一方で、ダイオードウェハー１５０Ａの第２の、裏面１８０は次いでレーザー光１６２（１つ以上のレーザービーム１６２として例示される）暴露され、これは、ウェハー１５０Ａのサファイア１０６からＧａＮ基板１０５を劈開し（点線として示されている）（またレーザーリフトオフとも呼ばれる）、これによって個々のダイオード１００〜１００Ｊを互いから、及びウェハー１５０Ａから取り外し、その一方で保持器具１６０に接着剤１６５によって依然として接着したまま。この代表的な実施形態では、ウェハー１５０Ａは次いで研削され、及び／又は研磨され再使用される。
エポキシビード（単独で例示されていない）もまた、ウェハー１５０の周辺部の付近に適用され、非ダイオード片がウェハーの縁部から取り外されてダイオード（１００〜１００Ｊ）流体へ、以下に示されるダイオード取り外しプロセス中に放出されるのを防ぐ。
図４８は、保持器具に貼りつけた代表的なダイオード１００Ｊの実施形態を示す断面図。ダイオード１００〜１００Ｊ（図４６及び４７を参照して上記のとおり）の分離に続いて、及びダイオード１００〜１００Ｊが保持器具１６０に接着剤１６５によって依然として付着したままである間に、ダイオード１００〜１００Ｊの第２の、裏面が露出される。図４８に示されるように、メタライゼーションが次いで、例えば蒸着（トレンチ１５５を充填するのを避けるために角度が付けられている）を介して第２の裏面に堆積され、第２の裏面金属層１２２及びダイオード１００Ｊの実施形態を形成する。図示されているように、ダイオード１００Ｊは、ｎ＋ＧａＮ層１１０とオーミック接触を有し、ｎ＋ＧａＮ層１１０と第２の裏面の金属層１２２との間の電流電導のための、第２の裏面の金属層１２２との接触子を有する、１つの中央の貫通ビア１３１を有する。代表的なダイオード１００Ｄは非常に似ており、ダイオード１００Ｊは、第２の端子１２７を形成するための第２の裏面の金属層１２２を有する。これまで言及したように、第２の裏面の金属層１２２（又は基板１０５、若しくは様々な貫通ビア１３１、１３３、１３４のいずれか）が使用されて、ダイオード１００〜１００Ｊを通電するために、装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおける第１導体３１０との電気接続を作るために使用されてもよい。
図４９、５０及び５１は、ダイオード１００〜１００Ｊの製造それぞれの代表的な第１、第２、及び第３の方法の実施形態を例示するフローチャートであり、有用な概略を提示する。これらの多くの工程は任意の様々な順序で実施されてもよく、代表的な方法の工程はまた、他の代表的な方法で採用されてもよいということに留意する必要がある。したがって、この方法のそれぞれは、具体的なダイオード１００〜１００Ｊの実施形態の製造ではなく、ダイオード１００〜１００Ｊの製造を一般的に参照しており、いずれか選択したダイオード１００〜１００Ｊ実施形態を作るために、どの工程を「組み合わせ、適合させる」ことができるかということを当業者は理解するであろう。
図４９を参照して、開始工程２４０から開始して、酸化物は、半導体ウェハー（例えばシリコンウェハー）上に成長又は堆積される（工程２４５）。格子又は他のパターンを形成するためなど、酸化物層はエッチングされる（工程２５０）。バッファ層及び発光若しくは吸収領域（例えばＧａＮヘテロ構造体）は成長され、又は堆積され（工程２５５）、次いで、エッチングされてダイオード１００〜１００Ｊのためのメサ状構造体を形成する（工程２６０）。ウェハー１５０は次いでエッチングされ、各ダイオード１００〜１００Ｊのためのビアトレンチを基板１０５内に形成する（工程２６５）。１つ以上のメタライゼーション層が次いで堆積されて、各ダイオード１００〜１００Ｊのための金属接触部及びビアを形成する（工程２７０）。分離トレンチは次いでダイオード１００〜１００Ｊの間でエッチングされる（工程２７５）。保護層が次いで成長されるか、又は堆積される（工程２８０）。突起部又は突出している金属構造体が次いで、金属接触部上に堆積され、又は成長され（工程２８５）、本方法は終了して、工程２９０に戻ってもよい。これらの製造工程の多くは異なる事業体及び仲介者によって実施されてもよく、並びに、本方法は、上記の工程の他の変形例及び順序を含んでもよいということに留意する必要がある。
図５０を参照して、開始工程５００から開始して、比較的厚いＧａＮ層（例えば７〜８マイクロメートル）は、ウェハー（例えばサファイアウェハー１５０Ａ）上に成長又は堆積される（工程５０５）。発光若しくは吸収領域（例えばＧａＮヘテロ構造体）は成長され、若しくは堆積され（工程５１０）、次いで、エッチングされて、各ダイオード１００〜１００Ｊのためのメサ状構造体（各ダイオード１００〜１００Ｊの第１面上で）を形成する（工程５１５）。ウェハー１５０は次いでエッチングされ、各ダイオード１００〜１００Ｊのための１つ以上の貫通、すなわち深いビアトレンチ及び分離トレンチを基板１０５内に形成する（工程５２０）。１つ以上のメタライゼーション層が次いで堆積され、典型的にシード層を堆積することによって（工程５２５）、これに続いて上記の任意の方法を使用することによって更に金属堆積によって、各ダイオード１００〜１００Ｊのための貫通ビアを形成し、これは中央の、周辺、すなわち外周の貫通ビア（それぞれ１３１、１３４、１３３）であってもよい。１つ以上の金属接触部をＧａＮヘテロ構造体に形成し（例えばｐ＋ＧａＮ層１１５に、又はｎ＋ＧａＮ層１１０に）（工程５３５）、並びに任意の追加の電流分布金属を形成するために（例えば１２０Ａ、１２６）（工程５４０）、金属も堆積される。保護層は次いで、上記及び例示されているように、エッチング又は取り外された領域と共に成長されるか、又は堆積される（工程５４５）。突起部又は突出している金属構造体（１２０Ｂ）が次いで、金属接触部上に堆積されるか、又は成長される（工程５５０）。ウェハー１５０Ａは次いで、保持ウェハーに取り付けられ（工程５５５）、サファイア又は他のウェハーは取り外されて（例えばレーザー劈開を通じて）個々のダイオード１００〜１００Ｊを分離する（工程５６０）。金属は次いで、ダイオード１００〜１００Ｊの第２の裏面上に堆積されて、第２の裏面の金属層１２２を形成し（工程５６５）、本方法は終了し、工程５７０に戻ってもよい。また、これらの製造工程の多くは異なる事業体及び仲介者によって実施されてもよく、並びに、本方法は、上記の工程の他の変形例及び順序を含んでもよいということに留意する必要がある。
図５１を参照して、開始工程６００から開始して、比較的厚いＧａＮ層（例えば７〜８マイクロメートル）は、ウェハー１５０（例えばサファイアウェハー１５０Ａ）上に成長又は堆積される（工程６０５）。発光若しくは吸収領域（例えばＧａＮヘテロ構造体）は成長され、又は堆積される（工程６１０）。１つ以上の金属接触部をＧａＮヘテロ構造体に形成する（例えば、図４０に示されるようにｐ＋ＧａＮ層１１５）ために金属が堆積される（工程６１５）。金属接触部層（１１９）と共に、発光若しくは吸収領域（例えばＧａＮヘテロ構造体）は次いでエッチングされ、各ダイオード１００〜１００Ｊのためのメサ状構造体（各ダイオード１００〜１００Ｊの第１面上で）を形成する（工程６２０）。１つ以上の金属接触部をＧａＮヘテロ構造体に形成する（例えば、図４２に示されるようにｐ＋ＧａＮ層１１０へのｎ＋金属接触部層１２９）ために金属が堆積される（工程６２５）。ウェハー１５０Ａは次いでエッチングされ、各ダイオード１００〜１００Ｊのための１つ以上の貫通、すなわち深いビアトレンチ及び／又は分離トレンチを基板１０５内に形成する（工程６３０）。上記の任意の金属堆積方法を使用して、１つ以上のメタライゼーション層が次いで堆積され、各ダイオード１００〜１００Ｊのための貫通ビアを形成し（工程６３５）、これは中央の、周辺、すなわち外周の貫通ビア（１３１、１３４、１３３それぞれ）であってもよい。１つ以上の金属接触部をＧａＮヘテロ構造体に形成し（例えばｐ＋ＧａＮ層１１５に、又はｎ＋ＧａＮ層１１０に）、並びに任意の追加の電流分布金属を形成するために（例えば１２０Ａ、１２６）（工程５４０）、金属も堆積される（工程６４０）。分離トレンチが事前に作られていない場合（工程６３０において）、分離トレンチはエッチングされる（工程６４５）。保護層は次いで、上記及び例示されているように、エッチング又は取り外された領域と共に成長されるか、又は堆積される（工程６５０）。突起部又は突出している金属構造体（１２０Ｂ）が次いで、金属接触部上に堆積されるか、又は成長される（工程６５５）。ウェハー１５０、１５０Ａは次いで、保持ウェハーに取り付けられ（工程６６０）、サファイア又は他のウェハーは取り外されて（例えばレーザー劈開、又は裏面研削及び研磨を通じて）個々のダイオード１００〜１００Ｊを分離する（工程６６５）。金属は次いで、ダイオード１００〜１００Ｊの第２の裏面上に堆積されて、第２の裏面の導電（例えば金属）層１２２を形成し（工程６７０）、本方法は終了し、工程６７５に戻ってもよい。また、これらの製造工程の多くは異なる事業体及び仲介者によって実施されてもよく、並びに、本方法は、上記の工程の他の変形例及び順序を含んでもよいということに留意する必要がある。
図５２は、個々のダイオード１００〜１００Ｊを示す断面図であり（また、一般的に説明目的であり、いずれか有意な機能の詳細はない）、これは、もはやダイオードウェハー１５０、１５０Ａ上で一緒に結合されておらず（ダイオードウェハー１５０、１５０Ａの第２面がここでは、研削されているか、又は研磨されているか、又は劈開されて（レーザーリフトオフ）、分離（個体化）トレンチ１５５を十分に露出させている）、しかしこれは保持器具１６０にウェハー接着剤１６５で接着され、ウェハー接着剤溶媒１７０で、皿１７５内で懸濁しているか、又は浸されている。例えばペトリ皿など、いずれか好適な皿１７５が使用されてもよく、代表的な方法では、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ又はテフロン）の皿１７５を使用している。ウェハー接着剤溶媒１７０は、例えばＢｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．（Ｒｏｌｌａ，Ｍｉｓｓｏｕｒｉ ＵＳＡ）から入手可能な２−ドデセンウェハーボンドリムーバー、又は任意の他の比較的長鎖アルカン若しくはアルケン、又は短鎖ヘプタン若しくはヘプテンを含むが、これに限定されない接着剤溶媒又はウェハーボンドリムーバーであってもよい。保持器具１６０に接着されたダイオード１００〜１００Ｊは、約５から約１５分間、典型的に室温（例えば約１８．３℃〜２３．９℃（６５°Ｆ〜７５°Ｆ））以上の温度にて、ウェハー接着剤溶媒１７０中に浸され、例示の実施形態において超音波分解されてもよい。ウェハー接着剤溶媒１７０が接着剤１６５を溶解すると、ダイオード１００〜１００Ｊは接着剤１６５及び保持器具１６０から分離し、大部分は、又は一般的に皿１７５の底部に個々に、又は群若しくは集団で沈む。全ての又は大半のダイオード１００〜１００Ｊが保持器具１６０から取り外され、皿１７５の底部に沈むとき、保持器具１６０及び現在使用されているウェハー接着剤溶媒１７０の一部は皿１７５からから取り除かれる。更なるウェハー接着剤溶媒１７０が次いで添加され（約１２０〜１４０ｍＬ）、ウェハー接着剤溶媒１７０及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物が、約５〜１５分間、典型的に室温以上において、攪拌され（例えば超音波処理器又は攪拌器を使用して）、続いて再びダイオード１００〜１００Ｊを皿１７５の底部に沈ませる。このプロセスは一般的に少なくとも、もう一度繰り返され、全ての、又は大半のダイオード１００〜１００Ｊが皿１７５の底部に沈むとき、現在使用されているウェハー接着剤溶媒１７０が皿１７５から取り除かれ、より多くの（約１２０〜１４０ｍＬ）のウェハー接着剤溶媒１７０が次いで添加され、続いてウェハー接着剤溶媒１７０とダイオード１００〜１００Ｊの混合物を約５〜１５分間、室温以上で攪拌し、続いて再びダイオード１００〜１００Ｊを皿１７５の底部に沈ませ、ウェハー接着剤溶媒１７０の一部を取り除く。この段階において、もはやダイオード１００〜１００Ｊの印刷又は機能を潜在的に干渉しないくらいまで、十分な量のいずれかの残留物のウェハー接着剤１６５が、ダイオード１００〜１００Ｊから一般的に取り除かれて、又はウェハー接着剤溶媒１７０プロセスが繰り返される。
ウェハー接着剤溶媒１７０の除去（溶解したウェハー接着剤１６５を有する）、又は任意の他の溶媒、溶液、若しくは以下に記載される他の液体の除去は、任意の様々な方法で達成されてもよい。例えば、ウェハー接着剤溶媒１７０又は他の液体は、例えばピペットを通じて吸引（vacuum）、吸引（aspiration）、吸引（suction）、汲み上げ等で取り除かれてもよい。また、例えばウェハー接着剤溶媒１７０又は他の液体は、例えば適切な開口部若しくは孔径を有するスクリーン又は多孔質シリコン膜を使用することによって、ダイオード１００〜１００Ｊ及びウェハー接着剤溶媒１７０の混合物を濾過することによって取り除かれてもよい。ダイオードインク（及び以下に説明されている絶縁体インク）に使用される全ての様々な流体は濾過されて、約１０マイクロメートル超の粒子は取り除かれるということを言及する必要がある。
ダイオードインク実施例１：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒とを含む。
実質的に全て又はほとんどのウェハー接着剤溶媒１７０が次いで取り除かれる。溶媒、より具体的には極性溶媒、例えば、代表的な実施例においてイソプロピルアルコール（「ＩＰＡ」）は、ウェハー接着剤溶媒１７０及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物に添加され、続いてＩＰＡ、ウェハー接着剤溶媒１７０、及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物を約５〜１５分間、一般的に室温で（更に高い温度も同様に採用されてもよい）攪拌され、再びダイオード１００〜１００Ｊを皿１７５の底部に沈ませ、ＩＰＡ及びウェハー接着剤溶媒１７０の部分を取り除く。より多くのＩＰＡが添加され（１２０〜１４０ｍＬ）、このプロセスは２回以上繰り返され、すなわちＩＰＡ、ウェハー接着剤溶媒１７０、及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物を約５〜１５分、一般的に室温で攪拌し、続いて、再びダイオード１００〜１００Ｊに皿１７５の底部に沈ませ、ＩＰＡ及びウェハー接着剤溶媒１７０の混合物の部分を取り除き、更に多くのＩＰＡを添加する。例示の実施形態では、得られる混合物は、１０ｃｍ（４インチ）のウェハーからの約９００万〜１０００万のダイオード１００〜１００Ｊ（１０ｃｍ（４インチ）のウェハー１５０当たり約９７０万のダイオード１００〜１００Ｊ）を有する約１００〜１１０ｍＬのＩＰＡであり、次いで、他のより大きな容器、例えばＰＴＦＥ瓶に移され、これは例えば追加のＩＰＡで瓶内のダイオードの更なる洗浄を含む場合がある。水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）を含む）、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノール（イソブタノール）を含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含むがこれらに限定されない１つ以上の溶媒が同等に使用されてもよい。得られるダイオード１００〜１００Ｊ及び溶媒（例えばＩＰＡ）の混合物は、上記の実施例１としてダイオードインクの第１実施例であり、例えば後に続く変性のために、又は例えばまた印刷における使用のための独立した組成物として提供されてもよい。以下に記載される他の代表的な実施形態では、得られるダイオード１００〜１００Ｊ及び溶媒（例えばＩＰＡ）は、中間の混合物であり、これは更に変性されて、以下に記載されるように印刷に使用するためのダイオードインクを形成する。
様々な代表的な実施形態では、第１（又は第２）溶媒の選択は、少なくとも２つの特性、すなわち特徴に基づく。溶媒の第１の特徴は、粘度調整剤、例えばメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロースに可溶性であるか、又は可溶化するその能力。第２の特徴、すなわち特性は、その蒸発速度であり、これはダイオードインクの十分なスクリーン滞留（スクリーン印刷のための）を可能にするのに十分緩慢である必要がある。様々な実施形態では、代表的な蒸発速度は１未満（＜１、酢酸ブチルと比較相対速度として）、又はより具体的には０．０００１〜０．９９９９。
ダイオードインク実施例２：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
粘度調整剤とを含む。
ダイオードインク実施例３：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒和剤とを含む。
ダイオードインク実施例４：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
湿潤溶剤とを含む。
ダイオードインク実施例５：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒と、
粘度調整剤とを含む。
ダイオードインク実施例６：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒と、
接着性粘度調整剤とを含む。
ダイオードインク実施例７：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒と、
粘度調整剤とを含み、
組成物は濡れているときに不透明であり、乾燥したときに実質的に透明。
ダイオードインク実施例８：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
第１極性溶媒と、
粘度調整剤と、
第２極性溶媒（又は湿潤剤）とを含む。
ダイオードインク実施例９：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊであって、この複数のダイオード１００〜１００Ｊの各ダイオードは、いずれかの次元において４５０マイクロメートル未満の寸法を有する、ダイオードと、
溶媒とを含む。
ダイオードインク実施例１０：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
少なくとも１つの実質的に非絶縁担体又は溶媒とを含む。
ダイオードインク実施例１１：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
溶媒と、
粘度調整剤とを含み、
この組成物は、脱湿潤するか、２５度超、又は４０度未満の接触角を有する。
ダイオードインクの実施例１〜１０を参照して、本発明の範囲内の、多種多様なダイオードインク組成物が存在する。一般的に、実施例１として、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体懸濁液は、複数のダイオード（１００〜１００Ｊ）及び第１溶媒（例えば上記のＩＰＡ又は、以下に記載されるＮ−プロパノール、テルピネオール又はジエチレングリコール）を含み；実施例２におけるものとして、ダイオードの液体懸濁液（１００〜１００Ｊ）は複数のダイオード（１００〜１００Ｊ）及び粘度調整剤（以下に記載されるようなもの、これは実施例６におけるもののように、接着性粘度調整剤であってもよい）を含み；並びに実施例３及び４におけるものとして、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体懸濁液は、複数のダイオード（１００〜１００Ｊ）、及び溶媒和剤又は湿潤溶媒（例えば以下の第２溶剤のうちの１つ、例えば二塩基エステル）を含む。より具体的には、実施例２、５、６、７及び８において、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体懸濁液は、複数のダイオード（１００〜１００Ｊ）（及び／又は複数のダイオード（１００〜１００Ｊ）、及び第１溶媒（例えばＮ−プロパノール、テルピネオール又はジエチレングリコール））並びに粘度調整剤（若しくは同等に粘稠な化合物、粘稠剤、粘稠なポリマー、粘稠な樹脂、粘稠な結合剤、増粘剤、及び／又はレオロジー変性剤）又は接着性粘度調整剤（以下に詳細に記載されている）、例えば以下のＥ−１０粘度調整剤を含むがこれに限定されない粘度調整剤を含み、室温（約２５℃）で約１，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２０，０００ｃｐｓ（又は冷房した温度（例えば５〜１０℃）で約２０，０００ｃｐｓ〜６０，０００ｃｐｓ）を有するダイオードインクを提供する。粘性により、得られる組成物はダイオードの液体、又はゲル懸濁液と同等に呼ばれる場合があり、本明細書おける液体若しくはゲルへの言及は、もう一方をも意味し、これを含むものと理解される。
更に、ダイオードインクの得られる粘度は、一般的に、採用される印刷プロセスのタイプにより変化し、並びに、ダイオード組成物、例えばシリコン基板１０５又はＧａＮ基板１０５などによって変化する場合がある。例えば、ダイオード１００〜１００Ｊがシリコン基板１０５を有する、スクリーン印刷のためのダイオードインクは、室温で約５，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２０，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約６，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜１５，０００ｃｐｓ、又はより具体的に、室温で約８，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜１２，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約９，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜１１，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。他の例では、ダイオード１００〜１００ＪがＧａＮ基板１０５を有する、スクリーン印刷のためのダイオードインクは、室温で約１０，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２５，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約１５，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２２，０００ｃｐｓ、又はより具体的に、室温で約１７，５００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２０，５００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約１８，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２０，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。また例えば、ダイオード１００〜１００Ｊがシリコン基板１０５を有する、フレキソ印刷のためのダイオードインクは、室温で約１，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜１０，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約１，５００センチポアズ（ｃｐｓ）〜４，０００ｃｐｓ、又はより具体的に、室温で約１，７００センチポアズ（ｃｐｓ）〜３，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約１，８００センチポアズ（ｃｐｓ）〜２，２００ｃｐｓの粘度を有してもよい。また例えば、ダイオード１００〜１００ＪがＧａＮ基板１０５を有する、フレキソ印刷のためのダイオードインクは、室温で約１，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜１０，０００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で２，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜６，０００ｃｐｓ、又はより具体的に、室温で約２，５００センチポアズ（ｃｐｓ）〜４，５００ｃｐｓ、又はより具体的に室温で約２，０００センチポアズ（ｃｐｓ）〜４，０００ｃｐｓの粘度を有してもよい。
粘度は多種多様な方法で測定することができる。比較目的のために、本明細書の様々な具体的及び／又は請求されている範囲が、約２００パスカル（より一般的には１９０〜２１０パスカル）の剪断応力において、Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ粘度計（Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ（Ｍｉｄｄｌｅｂｏｒｏ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ，ＵＳＡ）から入手可能である）を使用して、約２５℃において冷却ジャケット内で、約１０ｒｐｍ（これは例であり限定するものではなく、より具体的には１〜３０ｒｐｍ、特に冷却した流体に関して）の速度において、スピンドルＳＣ４−２７を使用して測定される。
例えばヘクトライト粘土類、ガラマイト粘土類、有機変性粘土類などの粘土類；糖類及びグアーガム、キサンタンガムなどの多糖類；セルロース類、及びヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、メトキシルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース及びヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、セルロースエチルエーテル、キトサンなどの変性セルロース類；アクリレート及び（メタ）アクリレートのポリマー類及びコポリマー類などのポリマー類、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヒュームドシリカ（例えばＣａｂｏｓｉｌ）、シリカ粉末類、変性尿素類、例えばＢＹＫ（登録商標）４２０（ＢＹＫ Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨから入手可能）、並びにこれらの混合物など、及びこれらに限定されない１つ以上の増粘剤（粘度調整剤として）が使用されてもよい。他の粘度調整剤、並びに米国特許出願公開第２００３／００９１６４７号（Ｌｅｗｉｓら）に記載されるように、粘度調整剤への粒子の追加が使用されてもよい。誘電体インクを参照して以下に記載される他の粘度調整剤もまた使用されてもよいが、好ましくはない。
ダイオードインクの実施例６を参照して、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体懸濁液は、接着性粘度調整剤、すなわち更なる接着特性を有する、上記の粘度調整剤のいずれかを更に含んでもよい。そのような接着性粘度調整剤は、装置（３００、３００Ａ、３００Ｂ）の製造（例えば印刷）中に、ダイオード（１００〜１００Ｊ）を第１導体（例えば３１０Ａ）への接着、次いで装置（３００、３００Ａ、３００Ｂ）において定位置にダイオード（１００〜１００Ｊ）を保持するためのインフラストラクチャー（例えば高分子の）（乾燥時又は硬化時）の両方を提供する。そのような接着剤を提供する一方で、かかる粘度調整剤はまた、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の接触子、例えば端子１２５及び／又は１２７からの脱湿する一部の能力を有する必要がある。そのような接着剤、粘度、及び脱湿特性は、様々な例示の実施形態においてメチルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂が採用される理由。他の好適な粘度調整剤もまた実験的に選択されてもよい。
粘度調整剤又は接着性粘度調整剤の追加特性もまた有用であり、本開示の範囲内。第１に、粘度調整剤は懸濁したダイオード（１００〜１００Ｊ）が選択した温度外に落ち着くのを防ぐ必要がある。第２に、粘度調整剤は、ダイオード（１００〜１００Ｊ）を配向し、装置（３００、３００Ａ、３００Ｂ）の製造中に均一な方式でダイオード（１００〜１００Ｊ）を印刷するのに役立つべき。第３に、粘度調整剤はまた、クッション、ないしは別の方法で印刷プロセス中にダイオード（１００〜１００Ｊ）を保護する働きをする必要がある。
ダイオードインクの実施例３、４及び８を参照して、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体懸濁液は第２溶媒（実施例８）又は溶媒化剤（実施例３）又は湿潤溶媒（実施例４）を更に含んでもよく、以下に多くの実施例がより詳細に説明される。かかる（第１又は第２）溶剤は、印刷、及び後に続くデバイス製造中に、ダイオードインク（例えば、１つ以上の二塩基性エステルを含むがこれに限定されない、非極性樹脂溶剤など）の乾燥に続いて、第１導体（例えば３１０Ａ、これは導電性ポリマー、例えば銀インク、カーボンインク、又は銀インク及びカーボンインクの混合物）とダイオード１００〜１００Ｊとの間のオーミック接触（基板１０５、貫通ビア構造体（１３１、１３３、１３４）、並びに／又は図５８に例示されているように、第２の裏面金属層１２２を通じて）との間のオーミック接触を促進するための湿潤（同等に、溶媒化）又は再湿潤剤として選択される。例えば、ダイオードインクが第１導体３１０の上に印刷されるとき、湿潤又は溶媒化剤は部分的に第１導体３１０を溶解し、湿潤剤又は溶媒化剤がその後、消散するとき、第１導体３１０は、再硬化し、ダイオード（１００〜１００Ｊ）との接触子を形成する。
ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体又はゲル懸濁液の残部は概して他の第３溶媒、例えば脱イオン水であり、本明細書の百分率の説明は、ダイオード（１００〜１００Ｊ）の液体若しくはゲル懸濁液の残部が、第３の溶媒、例えば水である、全ての記載された百分率は、容積又は他の測定値よりはむしろ重量に基づいている。様々なダイオードインク懸濁液は、いずれか具体的な空気の組成物又は他の含有された若しくは濾過された環境を必要とすることなく、典型的な大気の設定で全て混合されてもよい。
溶媒の選択は溶媒の極性に基づいてもよい。代表的な実施形態において、第１溶媒、例えばアルコールが極性若しくは親水性溶媒として選択され、装置３００、３００Ａ、３００Ｂの製造中に、ダイオード（１００〜１００Ｊ）及び他の導体（例えば３１０）脱湿潤を促進する一方で、粘度調整剤内で可溶性又はこれに可溶化することができる。
例示のダイオードインクの他の有用な特性は実施例７に示されている。この代表的な実施形態に関して、ダイオードインクは、位置決めなど様々な印刷プロセスに役立つために、印刷中は不透明。乾燥又は硬化したとき、しかしながら、乾燥若しくは硬化したダイオードインクは実質的に、選択された波長において実質的に透明（例えばダイオード（１００〜１００Ｊ）によって生成される可視光の放射を実質的に可能にする、又はこれを干渉しない）。
例示のダイオードインクを特徴付ける他の方法は、実施例７に示されるようにダイオード（１００〜１００Ｊ）の寸法に基づき、ここではダイオード１００〜１００Ｊは一般的に、全寸法において約４５０マイクロメートル未満であり、より具体的には、全寸法において約２００マイクロメートル未満であり、より具体的には全寸法において約１００マイクロメートル未満であり、より具体的には全寸法において５０マイクロメートル未満。例示されている代表的な実施形態では、ダイオード１００〜１００Ｊは一般的におよそ、幅において約１５〜４０マイクロメートルであり、又はより具体的に、幅において約２０〜３０マイクロメートルであり、高さにおいて約１０〜１５マイクロメートルであり、又は直径（頂点から頂点よりはむしろ側面と面で測定された）において約２５〜２８マイクロメートルであり、高さにおいて１０〜１５マイクロメートル。代表的な実施形態において、突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂを除く、ダイオード１００〜１００Ｊの高さ（すなわちＧａＮヘテロ構造体を含む側面１２１の高さ）はおよそ、約５〜１５マイクロメートル、又はより具体的には７〜１２マイクロメートル、又はより具体的には８〜１１マイクロメートル、又はより具体的には９〜１０マイクロメートル、又はより具体的には１０〜３０マイクロメートルであり、一方突起部、すなわち突出構造体を形成する金属層１２０Ｂの高さは概しておよそ、約３〜７マイクロメートル。
ダイオードインクは、実施例１０に示されているように、その電気的特性によって特徴付けられてもよい。この代表的な実施形態において、ダイオード（１００〜１００Ｊ）は、例えば絶縁結合剤と対称的に、少なくとも１つの実質的に非絶縁担体又は溶媒中に懸濁する。
ダイオードインクは、実施例１０に示されているように、表面特性によって特徴付けられてもよい。この代表的な実施形態では、測定のために採用された基板の表面エネルギー（例えば３４〜３８ダインなど）によって、ダイオードインクは、脱湿潤又は２５℃超又は４０℃超の接触角を有する。
ダイオードインク実施例１２：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
約５％〜５０％のＮ−プロパノール、テルピネオール若しくはエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノール又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、
約０．７５％〜５．０％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、
約０．５％〜１０％の非極性樹脂溶媒、例えば二塩基酸エステルを含む第２溶媒（又は再湿潤剤）と、 第３溶媒、例えば水を含む残部と、を含む。
ダイオードインク実施例１３：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
約１５％〜４０％のＮ−プロパノール、テルピネオール若しくはエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノール又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、
約１．２５％〜２．５％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、
約０．５％〜１０％の非極性樹脂溶媒、例えば二塩基酸エステルを含む第２溶媒（又は再湿潤剤）と、
第３溶媒、例えば水を含む残部と、を含む。
ダイオードインク実施例１４：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
約１７．５％〜２２．５％のＮ−プロパノール、テルピネオール若しくはエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノール又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、
約１．５％〜２．２５％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、
約０．０％〜６．０％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含む第２溶媒（又は再濡れ剤）と、
第３溶媒（例えば水）を含む残部と、を含み、この組成物の粘度は２５℃で実質的に５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００。
ダイオードインク実施例１５：
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
約２０％〜４０％のＮ−プロパノール、テルピネオール若しくはエチレングリコール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノール又はこれらの混合物を含む第１溶媒と、
約１．２５％〜１．７５％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂、又はこれらの混合物を含む粘度調整剤と、
約０％〜６．０％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含む第２溶媒（又は再濡れ剤）と、
第３溶媒（例えば水）を含む残部と、を含み、この組成物の粘度は２５℃で実質的に１，０００ｃｐｓ〜約５，０００。
代表的な実施形態におけるダイオードインクの実施例１２、１３、１４及び１５を参照して、第１溶媒としての他のアルコール、Ｎ−プロパノール（「ＮＰＡ」）（及び／又はテルピネオール、エチレングリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノール）は、ＩＰＡの実質的に全て若しくは大半に置換えられる。ダイオード１００〜１００Ｊが、容器の底部に概ね若しくは大半が沈んだ状態で、ＩＰＡが取り除かれ、ＮＰＡが添加され、ＩＰＡ、ＮＰＡ及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物は室温において攪拌されるか、すなわち混合され、続いて、再び、ダイオード１００〜１００Ｊを容器の底部に沈ませ、ＩＰＡ及びＮＰＡの混合物の一部を取り除き、更にＮＰＡ（約１２０〜１４０ｍＬ）を添加する。ＮＰＡを添加し、ＩＰＡ及びＮＰＡの混合物を取り除くこのプロセスは一般的に２回繰り返され、主にＮＰＡ、ダイオード１００〜１００Ｊ、微量ないしは少量のＩＰＡ、並びに微量の、ないしは少量の潜在的に残留物のウェハー接着剤及びウェハー接着溶媒１７０の混合物が結果として得られる。代表的な実施形態では、残っている残留物若しくは少量のＩＰＡは約１％未満、より一般的には０．４％。また、代表的な実施形態では、代表的なダイオードインク中のＮＰＡの最終的な百分率は、採用される印刷のタイプによって、約５％〜５０％、又はより具体的には約１５％〜４０％、又はより具体的には約１７．５％〜２２．５％、又はより具体的には約２５％〜約３５％。ＮＰＡと共に、又はＮＰＡの代わりに、テルピネオール及び／又はエチレングリコールが採用されるとき、テルピノールの典型的な濃度は、約０．５％〜２．０％であり、並びにエチレングリコールの典型的な濃度は約１５％〜２５％。ＩＰＡ、ＮＰＡ、再湿潤剤、脱イオン水（及び例示のダイオードインクを形成するために採用された他の化合物又は混合物）は、約２５マイクロメートル以下まで濾過されて、ダイオード１００〜１００Ｊより大きい、又はこれと同じスケールの粒子汚染物質を取り除くために濾過されてもよい。
実質的にＮＰＡ及びダイオード１００〜１００Ｊの混合物は次いで添加され、粘度調整剤、例えばメトキシルセルロース樹脂又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂と混合され、すなわち簡単に攪拌される。代表的な実施形態では、Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（ｗｗｗ．ｄｏｗ．ｃｏｍ）及びＨｅｒｃｕｌｅｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（ｗｗｗ．ｈｅｒｃｈｅｍ．ｃｏｍ）から入手可能なＥ−３及びＥ−１０メトキシルセルロース樹脂が採用され、結果として例示のダイオードインクにおいて、約０．７５％〜５．０％、より具体的には約１．２５％〜２．５％、より具体的には１．５％〜２．０％、更により具体的には１．７５％の最終百分率が得られた。例示の実施形態では、完成した組成物において最終的な百分率を得るために、約３．０％のＥ−１０配合物が採用され、脱イオン水で希釈され、濾過される。絶縁体インクを参照して上記及び以下のものなど、他の粘度調整剤が同様に使用されてもよい。粘度調整剤は、ダイオード１００〜１００Ｊの十分な粘度をもたらし、これらは懸濁液中に実質的に維持され、液体若しくはゲル懸濁液から、特に冷却で沈まない。
上記のとおり、第２溶媒（又は実施例３及び４に関しては第１溶媒）、概して１つ以上の二塩基性エステルなどの非極性樹脂溶媒が次いで添加される。代表的な実施形態では、Ｉｎｖｉｓｔａ ＵＳＡ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，Ｄｅｌａｗａｒｅ，ＵＳＡ）から入手可能なＤＢＥ−５又はＤＢＥ−９を使用して、最終百分率約０．０％〜約１０％、又はより具体的には約０．５％〜約６．０％、又はより具体的には約１．０％〜約５．０％、又はより具体的には約２．０％〜約４．０％、又はより具体的には約２．５％〜約３．５％の最終百分率に達するために、２つの二塩基性エステルの混合物（例えばグルタル酸ジメチルなど、又は最終百分率で約３．７３％の例えば三分の二（２／３）のグルタル酸ジメチル及び三分の一（１／３）のコハク酸ジメチルの混合物などそれぞれ採用され、これは微量の、すなわち少量の不純物、例えば約０．２％のアジピン酸ジメチル及び０．０４％の水を有する）。脱イオン水などの第３溶媒もまた、相対的割合を調整し、粘度を減少させるために必要である場合、又は望ましい場合に添加される。二塩基性エステルに加えて、同様に採用され得る第２溶媒には水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロパノール）を含む）、イソブタノール、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノールを含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチル、アジピン酸ジメチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート（並びに上記のようなグルタル酸ジメチル及びコハク酸ジメチル）などのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。代表的な実施形態では、第１溶媒の量の、第２溶媒の量に対するモル比は、少なくとも約２：１の範囲であり、より具体的には少なくとも５：１の範囲であり、より具体的には少なくとも約１２：１以上の範囲であり、他の例では、２つの溶媒の機能性は、例示の実施形態に採用される１つの極性又は非極性溶媒と共に、単一の剤に組み合わされてもよい。また、上記の二塩基性エステルに加えて、以下に記載とおり、代表的な溶解、湿潤若しくは溶媒剤はまた、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（Ｃ6Ｈ12Ｏ3）（「ＰＭアセタート」の商品名でＥａｓｔｍａｎから販売されている）を含み、１−プロパノール（すなわちイソプロパノール）と共に約１：８のモル比で使用され（又は重量で２２：７８）、懸濁媒体を形成し、並びに様々な二塩基性エステル、及びこれらの混合物、例えばコハク酸ジメチル、アジピン酸ジメチル及びグルタル酸ジメチル、例えば製品名ＤＢＥ、ＤＢＥ−２、ＤＢＥ−３、ＤＢＥ−４、ＤＢＥ−５、ＤＢＥ−６、ＤＢＥ−９及びＤＢＥ−ＩＢでＩｎｖｉｓｔａから入手可能な様々な混合物が挙げられるがこれらに限定されない。代表的な実施形態では、ＤＢＥ−９が採用されている。溶媒のモル比は１：８、及び典型的な比率である１：１２で選択された溶媒に基づいて様々。
概ね、様々なダイオードインクは、上記の順序で混合されるが、様々な第１溶媒、粘度調整剤、第２溶媒、及び第３溶媒（例えば水）が他の順序で、添加されてもよく、又は一緒に混合されてもよくそれらの全ては本開示の範囲内。例えば、脱イオン錐（第３溶媒として）がまず添加され、続いて１−プロパノール及びＤＢＥ−９が、続いて粘度調整剤、次いで追加の水（必要な場合は）が添加されて、例えば相対割合及び粘度を調整してもよい。
実質的に第１黄梅（例えばＮＰＡ）、ダイオード１００〜１００Ｊ、粘度調整剤、第２溶媒、及び第３溶媒（例えば水）の混合物は次いで混合され、空気を混合物に取り込むのを避けるために比較的低速で、例えばインペラー攪拌器を使用して約２５〜３０分、空気雰囲気で室温にて攪拌される。代表的な実施形態では、ダイオードインクの得られる容積は典型的に、９００万〜１０００万のダイオード１００〜１００Ｊを含むほぼ約１／２〜１リットル（ウェハー当たり）であり、ダイオード１００〜１００Ｊの濃度は、例えば、以下に記載される選択される印刷ＬＥＤ若しくは光起電デバイスにとって望ましい濃度により、異なるタイプの印刷及び異なるタイプのダイオード１００〜１００Ｊにおける上記の代表的な粘度の範囲で、所望により上方又は下方に調整されてもよい。第１溶媒、例えばＮＰＡもまた防腐剤として機能する傾向があり、得られるダイオードインクの保管のために、細菌及び真菌の成長を抑制する。他の第１溶媒が採用されるとき、別個の保存剤、抑制剤又は殺菌剤もまた添加されてもよい。代表的な実施例に関して、印刷用の追加の界面活性剤又は非発泡剤が任意で使用されてもよいが、正しい機能及び例示の印刷に関しては必要とされない。
図５３は、ダイオードインク製造の代表的な方法の実施形態を示すフローチャートであり、有用な要旨を呈する。この方法は開始工程２００で始まり、ダイオード１００〜１００Ｊをウェハー１５０、１５０Ａから取り外す（工程２０５）。上述のように、この工程は第１のダイオード面上のウェハーをウェハー結合接着剤でウェハーホルダーに貼り付け、ウェハーの第２の裏面のレーザーリフトオフ又は研削及び／若しくは研磨を使用して、分離トレンチを露出させ、ウェハー結合接着剤を溶解して、ダイオード１００〜１００Ｊを、ＩＰＡなどの溶媒内に又はＮＰＡなど他の溶媒内に放出することを含む。ＩＰＡが使用されるとき、本方法は、ダイオード１００〜１００Ｊを（第１）の溶媒、例えばＮＰＡに移す、任意の工程２１０を含む。本方法は次いで、第１溶媒内のダイオード１００〜１００Ｊを粘度調整剤、例えばメチルセルロースに添加し（工程２１５）、１つ以上の第２溶媒、例えば１つ又は２つの二塩基性エステル、例えばグルタル酸ジメチル及び／又はコハク酸ジメチルを添加する（工程２２０）。第３溶媒、例えば脱イオン水を使用して、いずれかの重量％が調整されてもよい（工程２２５）。工程２３０において、本方法は次いで、複数のダイオード１００〜１００Ｊ、第１溶媒、粘度調整剤、第２溶媒、及び任意の追加の脱イオン水を、約２５〜３０分室温（約２５℃）で空気雰囲気において混合し、得られる粘度は約１，０００ｃｐｓ〜約２５，０００ｃｐｓ。本方法は次いで終了し、工程２３５に戻る。上記のとおり工程２１５、２２０、及び２２５は他の順序で生じてもよく、留意する必要があり、必要に応じて繰り返されてもよく、並びに任意の追加の混合工程もまた使用されてもよいということにも留意する必要がある。
図５４は、代表的な装置３００の実施形態の斜視図。図５５は、代表的な装置の実施形態に関して、第１導電性層の代表的な電極構造体を示す平面図。図５６は、代表的な装置３００の実施形態の（図５４の３０−３０’面を通じた）第１の断面図。図５７は、代表的な装置の実施形態の（図５４の３１−３１’面を通じた）第２の断面図。図５８は、第１導体３１０Ａに結合された代表的なダイオード１００Ｊ、１００Ｉ、及び１００Ｅの第２断面図。図６２は、発光する、励起した代表的な装置３００Ａの実施形態の写真。上記のとおり、装置３００は、複数の層をベース３０５に堆積することによって（例えば印刷する）、すなわち、１層又は複数の導体３１０のいずれかとして１つ以上の第１導体３１０をベース３０５上に堆積させることによって、それに続いて、液体若しくはゲル懸濁液中にある間に、ダイオード１００〜１００Ｊを堆積させることによって（約１８マイクロメートル以上の湿潤フィルム厚さに）、並びにダイオード１００〜１００Ｊを１つ以上の第１導体３１０Ａに、第１の方向（上向き）で又は第２の方向（下向き）のいずれかで物理的にかつ電気的に連結させたまま、懸濁液の液体／ゲル部分を蒸発させるか、ないしは別の方法で分散させることによって形成される。図５８に示すように、第１の、上向きの方向若しくは方向では、突起部若しくは突出構造体を形成する金属層１２０Ｂが上向きに向けられ、ダイオード１００〜１００Ｊは、ダイオード１００Ｊに関して示されているように第２端子１２７（裏面の金属層１２２）を通じて、又はダイオード１００Ｉに関して示されているように周辺ビア１３３を通じて、又はダイオード１００Ｄに関して示されているように中央ビア１３１を通じて（ダイオード１００Ｊの任意の裏面の金属層１２２は有さずに具体化されている）、又は周囲ビア１３４を通じて（別途図示されていない）、又はダイオード１００Ｅに関して示されているように基板１０５を通じて１つ以上の第１導体３１０Ａに結合される。第２の、下向きの方向若しくは方向では、突起部若しくは突出構造体を形成する金属層１２０Ｂは下向きに方向付けられ、ダイオード１００〜１００Ｊは、第１端子１２５（例えば突起部若しくは突出構造体を形成する金属層１２０Ｂ）を通じて１つ以上の第１導体３１０Ａに結合されるか、又は結合することができる。
ダイオード１００〜１００Ｊは、効果的に無作為の向きに堆積され、第１の方向では上向きであってもよく（第１端子１２５は上向き、基板１０５は下向き）、これは典型的に、前向きバイアス電圧の方向であり（印加される電圧の極性により）、又は第２の方向では下向き（第１端子１２５は下向き、基板１０５は上向き）であり、これは典型的に反対のバイアス電圧の方向であり（また、印加される電圧の極性により）、又は第３の方向付けでは横向き（ダイオードの側面１２１が下向きで、他のダイオードの側面１２１は上向き）であってもよい。流体力学、ダイオードのインクの粘度、網目数、印刷速度、第１導体３１０の互いに噛み合う若しくは櫛型構造体の歯の向き（ベース３０５の動きの方向に垂直な歯）、及びダイオードの側面１２１の寸法は、他の方向に対して１つの方向の優越性に影響を与えると見られる。例えば、高さにおいて約１０マイクロメートル未満であるダイオードの側面１２１は、第３の方向を有するダイオード１００〜１００Ｊの割合を有意に減少させる。同様に、液体力学、より高い粘度、及びより少ない網目数は第１の方向の割合を増加させ、８０％以上もの多くのダイオード１００〜１００Ｊが第１の方向となる。有意な高い割合のダイオード１００〜１００Ｊが第１導体３１０Ａに第１の上向き若しくは上方向で結合されたとしても、統計的に少なくとも１つ以上のダイオード１００〜１００Ｊは、第２の下向き若しくは下方向を有し、第１若しくは第２の方向のダイオード１００〜１００Ｊはまた、第１導体３１０Ａの上に無作為に分散されるであろうということに留意する必要がある。言い換えれば、印加される電圧の極性により、有意に高い割合のダイオード１００〜１００Ｊが第１の前方バイアス方向若しくは方向で第１導体３１０Ａに結合され、又は結合される予定である一方で、統計的に少なくとも１つ以上のダイオード１００〜１００Ｊは第２の反対のバイアス方向若しくは方向を有する。発光若しくは吸収領域１４０が異なって方向付けられた場合には、印加される電圧の極性により、第１の方向は反対のバイアス方向となり、第２の方向は前方のバイアス方向となるということを当業者は理解するであろう。（これは既存の装置構造体とは異なったスタートであり、ここでは全てのかかるダイオード（例えばＬＥＤ）は、レール電圧に対して単一方向を有し、すなわち、全ては、より高い電圧に結合されたそれらの対応するアノード、及びより低い電圧に結合されたそれらのカソードを有する。）ランダム方向の結果として、及び様々なダイオード特性、例えば逆バイアスに対する耐性によって、ダイオード１００〜１００Ｊは、ＡＣ若しくはＤＣ電圧若しくは電流を使用して電圧が印加されてもよい。
また、とりわけ、製造された装置における個々のダイオード（１００〜１００Ｊ）の全ては電気的に互いに平行。これはまた、既存の装置とは有意に異なっており、ここでは、少なくとも一部のダイオードは、互いに直列であり、複数のダイオードのそのような直列接続は次いで互いに平行であってもよい）。
図５５を参照して、複数の第１導体３１０が使用され、第１（第１）導体３１０Ａ及び第２（第１）導体３１０Ｂの互いに噛み合う、すなわち櫛型電極構造体として示されているように、少なくとも２つの別個の電極構造体を形成する。図５５に示されるように、導体３１０Ａ及び３１０Ｂは同じ幅を有し、異なる幅を有するように図５４及び５６において示され、そのような変形例は全て本開示の範囲内。この代表的な実施形態では、ダイオードインク、すなわち懸濁液（ダイオード１００〜１００Ｊを有する）は、導体３１０Ａにわたって堆積される。第２透明導体３２０（以下に記載）は実質的に堆積されて（以下に記載されるように誘電体層の上に）、図５６に示されるように導体３１０Ｂと、分離した電気接触部を作る。
第１導体３１０が、図５５に示される互いに噛み合う、すなわち櫛型構造体を有するとき、第２導体３２０は第１導体３１０Ｂを使用して通電されてもよい。第１導体の互いに噛み合う、すなわち櫛型構造体は、第１導体３１０Ａ、ダイオード１００〜１００Ｊ、第２導体３２０、及び第１導体３１０Ｂを通じて各電流路が実質的に所定の範囲にあるように、電流平衡をもたらす。これは、第２透明導体を通って電流が移動しなければならない距離を最小化するよう機能し、これによって抵抗及び熱の生成を減少させ、一般的に、所定の範囲内の電流レベルの電流をダイオード１００〜１００Ｊの全て又はほとんどにもたらす。更に、第１導体３１０のための複数の互いに噛み合う、すなわち櫛型構造体が、所望の複数のダイオード１００〜１００Ｊ順電圧、例えば典型的な家庭電圧まで（例であり、これに限定されない）有する全体のデバイス電圧を生成するように、直列で配線されてもよい。
１つ以上の誘電体層３１５が次いで、第１端子１２５を第１の方向で、又は第２の方向ではダイオード１００〜１００Ｊの第２の裏面のいずれか又は両方で露出されたままにする方法で、１つ以上の第１導体３１０（ダイオード１００〜１００Ｊに結合されている）と、１つ以上の誘電体層３１５の上に堆積され、方向によって、第１端子１２５、又はダイオード１００〜１００Ｊの第２の裏面と対応する物理的及び電気接触子を作る第２の透明導体３２０との間で電気絶縁をもたらすのに十分な量で、ダイオード１００〜１００Ｊの上に堆積される。任意の発光（放射）層３２５が次いで堆積され、任意のレンズ硬化、分散、又は封止層３３０が続く。例えば、任意の発光（すなわち放射）層３２５は、所望の色又は他の選択された波長範囲若しくはスペクトルを放射する証明器具又は他の装置を作るために、ストローク移動蛍光体層を含み得る。これらの様々な層、導体、及び他の堆積した化合物は以下において、より詳細に記載される。
ベース３０５は、例えばプラスチック、紙、厚紙、コーティングされた紙若しくは厚紙などを含むがこれらに限定されない任意の好適な材料から形成されてもよく、又はこれを含んでもよい。ベース３０５は、意図された使用条件に耐える力を有する任意の可撓性材料を含んでもよい。代表的な実施形態では、ベース３０５はポリエステル又はプラスチックシート、例えば、ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．のＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ａｕｔｏｔｙｐｅ，Ｉｎｃ．（Ｄｅｎｖｅｒ，Ｃｏｌｏｒａｄｏ，ＵＳＡ）から市販されている、印刷受容のために処理されたＣＴ−７ ０．１８ｍｍ（７ミル）ポリエステルシートを含む。他の代表的な実施形態では、ベース３０５は、ポリイミドフィルム、例えばＤｕＰｏｎｔ，Ｉｎｃ．（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅ，ＵＳＡ）から市販されているＫａｐｔｏｎを含む。また代表的な実施形態では、ベース３０５は、選択され得る励起電圧のための十分な電気絶縁をもたらすことが可能な若しくはもたらすのに好適な誘電率を有する材料を含む。ベース３０５は、例えば、いずれか１つ以上の以下のものを含み得る：紙、コーティングされた紙、プラスチックのコーティングされた紙、繊維紙、厚紙、ポスター用紙、ポスターボード、本、雑誌、新聞、木製ボード、合板、及び任意の選択された形態の他の紙若しくは木質製品、任意の選択された形態のプラスチック又はポリマー（シート、フィルム、ボード等）；任意の選択された形態の天然及び合成ゴム材料及び製品、任意の選択された形態の天然及び合成織物：ガラス、セラミック、任意の選択された形態の他のシリコン若しくはシリカ誘導材料及び製品；コンクリート（硬化した）、石、及び他の建設材料及び製品；又は現在既存の若しくは将来作られる任意の他の材料。第１の代表的な実施形態では、ベース３０５が選択されてもよく、これは、ある程度のベースの電気絶縁を、互いから、又は他の装置若しくはシステム構成要素からのいずれかの電気絶縁をもたらす（すなわち、ベース３０５の第１面（前面）上に堆積された、もしくは適用された１つ以上の第１導体３１０の電気絶縁をもたらすのに十分な誘電率又は絶縁特性を有する）。例えば、比較的高価な選択、ガラスシート若しくはシリコンウェハーもまたベース３０５として採用されてもよい。他の代表的な実施形態では、しかしながら、ベース３０５、例えば上記の、又は特許に記載のポリエステル、及びＳａｐｐｉ．Ｌｔｄから入手可能な４５．４ｋｇ（１００ｌｂ）のカバーストック、又は他の紙メーカー、例えばＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｐａｐｅｒ Ｍｉｌｌｓ，Ｍｅａｄによる同様のコーティングされた紙、並びに他の紙製品を形成するために、プラスチックシート若しくはプラスチックコーティングされた製品が使用される。他の代表的な実施形態では、エンボス加工されたプラスチックシート又は複数の溝を有するプラスチックがコーティングされた紙製品もまたＳａｐｐｉ，Ｌｔｄ．から入手可能であり、溝部は導体３１０を形成するのに利用される。更なる代表的な実施形態では、任意のタイプのベース３０５が採用されてもよく、ベース３０５の１つ以上の表面に堆積された追加の密封、すなわち封入層（例えばプラスチック、ラッカー及びビニル）を備えるものが含まれるが、これらに限定されない。好適なベース３０５にはまた、ＬＤＰＥを含む押出されたポリオレフィンフィルム、カード、メルトブローン及びスパンボンド不織布を含むポリマー不織布、ティッシュ等級の紙を含むセルロース紙が挙げられる。ベース３０５はまた、任意の前述の材料の積層体を含んでもよい。２つ又はそれ以上の積層体は接着剤で結合されても、熱結合されても、溶加材を用いずに一緒に結合して、基板を含む積層体を形成してもよい。必要に応じて、積層体はエンボス加工されてもよい。
一実施形態において、本発明のダイオードによって放射される低い熱を前提として、広範囲の材料がベースとして入手可能であり比較的低い引火温度を有する材料が挙げられる。これらの温度は、５０℃、又は５０℃よりも上、あるいは７５℃又は７５℃よりも上、あるいは１００℃、又は１２５℃、１５０℃、又は２００℃、又は３００℃を含む。ＩＳＯ ８７１：２００６は、温風炉を使用したプラスチックの引火温度及び自然発火を測定する実験方法を特定する。
様々な図に例示されるように、代表的なベース３０５は、選択された材料（例えば紙又はプラスチック）のシートを含むなど、全体的に実質的に平坦な形状因子を有し、これは印刷機（例えば、そしてこれに限定されることなく）を通じて供給されてもよく、これは第１面（又は側面）上に、表面粗さ、空洞、チャネル若しくは溝部を含むトポロジーを有してもよく、又は所定の許容量内の実質的に平坦である第１面を有する（及び溝部、チャネル又は溝部を含まない）。無数の追加の形状及び表面トポロジーが入手可能であり、同等であり本開示の範囲内であると見なされるということを当業者は理解するであろう。
１つ以上の第１導体３１０は次いで、印刷プロセスを通じて、導電性インク若しくはポリマーによって、ある厚さまで、例えば０．１〜６マイクロメートル（例え典型的な銀インクに関しては約３マイクロメートル、及びナノ銀インクに関しては１マイクロメートル未満まで）適用されるか、又は堆積される（ベース３０５の第１面又は表面上に）。他の代表適な実施形態では、適用された厚さによって、第１導体３１０もまた平表面を平坦するために埋められてもよく、並びに銀などの導電性粒子を圧縮するようにカレンダー加工されてもよい。例示の装置３００の代表的な製造方法では、導電性インク、ポリマー、又は他の導電性液体若しくはゲル（例えば銀（Ａｇ））インク若しくはポリマー、ナノ銀インク組成物、カーボンナノチューブインク若しくはポリマー、又は銀／カーボン混合物、例えばアモルファスナノカーボン（銀インク内に分散された約７５〜１００ｎｍの粒径を有する）は、印刷又は他の堆積プロセスを通じて、ベース３０５上に堆積され、その後、硬化されて、又は部分的に硬化されて（例えば紫外線（ｕｖ）硬化プロセス）１つ以上の第１導体３１０を形成する。他の代表的な実施形態では、１つ以上の第１導体３１０は、金属などの（例えばアルミニウム、動、銀、金、ニッケル）導電性化合物又は要素のスパッタリング、スピンキャスティング（すなわちスピンコーティング）、蒸着、又は電気メッキによって形成されてもよい。導電性及び／又は導電性化合物若しくは材料（例えばインク、ポリマー、元素金属等）が採用されて１つ以上の複合第１導体３１０を生成してもよい。金属若しくは他の導電性材料の多層及び／又はタイプが組み合わされて１つ以上の第１導体３１０、例えばニッケルの上の金メッキを含む第１導体３１０など（例えばこれを含むがこれに限定されない）を形成してもよい。例えば、蒸着されたアルミニウム若しくは銀、又は混合カーボン銀インクが使用されてもよい。様々な代表的な実施形態では、複数の第１導体３１０が堆積され、他の実施形態では、第１導体３１０は単一の導電性シートとして堆積されてもよく、ないしは別の方法で貼り付けられてもよい（例えばベース３０５に結合したアルミニウムのシート）（別途図示されていない）。また、様々な実施形態では、１つ以上の第１導体３１０を形成するよう使用され得る導電性インク若しくはポリマーは、複数のダイオード１００〜１００Ｊの堆積前に硬化されなくてもよく、あるいは部分的に硬化され、後に、例えば、複数のダイオード１００〜１００Ｊとのオーミック接触の生成のため、複数のダイオード１００〜１００Ｊと接触している間に完全に硬化されてもよい。代表的な実施形態では、１つ以上の第１導体３１０は、複数のダイオード１００〜１００Ｊの堆積前に十分に硬化され、ダイオードインクの他の化合物は、１つ以上の第１導体３１０の一部の溶解をもたらし、これは後で、複数のダイオード１００〜１００Ｊと接触しながら再硬化する。
他の導電性インク若しくは材料もまた使用されて１つ以上の第１導体３１０、第２導体３２０、第３導体（別途例示されていない）、及び以下に説明されているいずれか他の導体、例えば銅、スズ、アルミニウム、金、貴金属、カーボン、カーボンブラック、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）、単層若しくは二層又は多層ＣＮＴ、グラフェン、グラフェン小板、ナノグラフェン小板、ナノカーボン、並びにナノカーボン及び銀組成物、良好又は許容可能な任意の透過を備えるナノ銀組成物、又は他の有機若しくは無機導電性ポリマー、インク、ゲル、又は他の液体若しくは半固体材料を形成してもよい。代表的な実施形態では、約０．０２５％〜０．１％の範囲の濃度のカーボン濃度が最終的に得られ、ダイオード１００〜１００Ｊと第１導体３１０との間のオーミック接触及び接着を強化するように、カーボンブラック（約１００ｎｍの粒径を有する）が銀インクに添加される。更に、いずれか他の印刷可能な、若しくはコーティング可能な導電性物質が同様に使用されて第１導体３１０、第２導体３２０を形成してもよく、並びに代表的な導電性化合物には、カーボンブラック添加剤、例えばカーボン及び銀インクの混合物を形成するための銀インクなどとして使用するには（１）導電性化合物（Ｌｏｎｄｏｎｂｅｒｒｙ（ＮＨ，ＵＳＡ））ＡＧ−５００，ＡＧ−８００及びＡＧ−５１０銀導電性インクからのものであり、これは追加のコーティングＵＶ−１００６Ｓ紫外線硬化性誘電体（例えば第１誘電体層１２５の一部として）、（２）ＤｕＰｏｎｔ、７１０２カーボン導体（重ね刷りの場合は５０００Ａｇ）、７１０５カーボン導体、５０００銀導体、７１４４カーボン導体（紫外線カプセル材料と共に）、７１５２カーボン導体（７１６５カプセル材料と共に）、及び９１４５銀導体、（３）ＳｕｎＰｏｌｙ，Ｉｎｃ．からの１２８Ａ銀導電性インク、１２９Ａ銀及びカーボン導電性インク、１４０Ａ導電性インク、及び１５０Ａ銀導電性インク、（４）Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｉｎｃ．からのＰＩ−２０００シリーズの高導電性銀インク（５）Ｈｅｎｋｅｌ／Ｅｍｅｒｓｏｎ ＆ ＣｕｍｉｎｇｓからのＥｌｅｃｔｒｏｄａｇ ７２５Ａ、並びに（６）Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｂｏｓｔｏｎ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ，ＵＳＡ）から入手可能なＭｏｎａｒｃｈ Ｍ１２０が挙げられる。以下で説明せれるように、これらの化合物は、第２導体３２０などの他の導体、並びに任意の他の導電性配線又は接続部を形成するのに使用されてもよい。更に、導電性インク及び化合物は多種多様の他の源から入手可能。
実質的に光学的に透過性である導電性ポリマーは、１つ以上の第１導体３１０及びまた第２導体（３２０）、並びに／又は第３導体を形成するのに使用されてもよい。以下に記載の任意の他の透過性導体及びそれらの同等物に加えて、例えばＡＧＦＡ Ｃｏｒｐ．（Ｒｉｄｇｅｆｉｅｌｄ Ｐａｒｋ，Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ，ＵＳＡ）から商品名「Ｏｒｇａｃｏｎ」で入手可能なポリエチレン−ジオキシチオフェンなどのポリエチレン−ジオキシチオフェンが使用されてもよい。同様に使用することができる他の導電性ポリマーには、例えばポリアニリン及びポリピロールポリマー（これらに限定されない）が挙げられる。他の代表的な実施形態では、重合性イオン液体又は他の流体内に懸濁している若しくは分散しているカーボンナノチューブは、実質的に光学的に透過性若しくは透明である様々な導体、例えば１つ以上の第２導体３２０を形成するために使用される。
有機半導体は様々に呼ばれるπ−共役ポリマー、導電性高分子、又は合成金属は本来、重合体主鎖に沿って炭素原子間でπ−共役であるために半導性。それらの構造体は、一次元の有機主鎖を含み、これはｎ−又はｐ＋タイプのトーピングに続いで、電気電導を可能にする。有機導電性ポリマーのよく研究された種類には、ポリ（アセチレン）類、ポリ（ピロール）類、ポリ（チオフェン）類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）類（ＰＰＶ）及びＰＰＶ誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン類）、ポリインドール、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリアズレン、ポリアゼピン、ポリ（フルオレン）類、並びにポリナフタレンが挙げられる。他の実施例には、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピロール誘導体、ポリチアナフテン、ポリチアナフテン誘導体、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン、ポリジアセチレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリナフタレン及びポリナフタレン誘導体、ポリイソチアナフテン（ＰＩＴＮ）、ヘテロアリーレン基が例えばチオフェンであり得るポリヘテロアリーレンビニレン（ＰａｒＶ）、フラン又はピロール、ポリフェニレン−スルフィド（ＰＰＳ）、ポリペリナフタレン（ＰＰＮ）、ポリフタロシアニン（ＰＰｈｃ）等及びそれらの誘導体、それらのコポリマー及びそれらの混合物が挙げられる。本明細書で使用するとき、用語「誘導体」は、側鎖又は基で置換されたモノマーから作られるポリマーを意味する。
導電性ポリマーを重合する方法は具体的に限定されておらず、有用な方法には、例えばｕｖ又は他の電磁重合、熱重合、電解酸化重合、化学酸化重合、及び触媒重合が挙げられるがこれらに限定されない。重合方法によって得られたポリマーはしばしば中性であり、ドーピングされるまで導電性でない。したがって、ポリマーはｐ型ドーピング又はｎ型ドーピングに供され、導電性ポリマーに変換される。半導体ポリマーは化学的又は電気化学的にドーピングされてもよい。ドーピングに使用される物質は特に限定されておらず、一般的に、電子対を許容することができる物質、例えばルイス酸が使用される。実施例には、塩酸、硫酸、有機スルホン酸誘導体、例えばパラスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸カンファースルホン酸、アルキルスルホン酸、スルホサリチル酸等、塩化第二鉄、塩化銅、及び硫酸鉄が挙げられる。
装置３００の「反対の」製作に関して、ベース３０５及び１つ以上の第１導体３１０は、光がベース３０５の第２面に入り、及び／又はここを通じて出るために、光学的に透過性であるよう選択される、ということに留意する必要がある。更に、第２の導体３２０が透明であるときにも、怒りは装置３００の両面から放射し、又は要面内に吸収されてもよい。
他の層の接着（例えば絶縁体層３１５など）を潜在的に改善するために、及び／又はダイオード１００〜１００Ｊとの後に続くオーミック接触の形成を促進するために、比較的平滑な表面、又は反対に粗い若しくは尖った表面を有する、あるいは設計されたマイクロエンボス加工された構造体（例えばＳａｐｐｉ，Ｌｔｄ．から入手可能）など、様々な質感が、１つ以上の第１導体３１０に提供されてもよい。１つ以上の第１導体３１０はまた、ダイオード１００〜１００Ｊの堆積前にコロナ処理がされもよく、これは形成される場合があるいずれかの酸化物を取り除き、また、複数のダイオード１００〜１００Ｊとのオーミック接触の形成を促進する傾向を有し得る。電気又は印刷技術の当業者は、１つ以上の第１導体３１０が形成され得る無数の変形例が形成され得、そのような変形例の全ては本開示と同等であり、その範囲内であることを理解するであろう。例えば、１つ以上の第１導体３１０はまた、スパッタリング又は蒸着を通じて堆積されてもよいが、これに限定されない。更に、他の様々な実施形態で関して１つ以上の第１導体３１０は、コーティング、印刷、スパッタリング、又は蒸着を通じてなど、単層若しくは連続層として堆積されてもよい。
結果として、本明細書で使用されるとき、インパクト式又は非インパクト式における「堆積」は、当該技術分野において既知の任意の及び全ての印刷、コーティング、圧延、噴霧、層化、スパッタリング、めっき、スピンキャスティング（すなわちスピンコーティング）、積層、貼り付け、及び／又は他の堆積プロセスが挙げられる。「印刷」には、インパクト式又は非インパクト式における、当該技術分野において既知の任意の及び全ての印刷、コーティング、圧延、噴霧、層化、スピンコーティング、積層及び／又は貼り付けプロセスが挙げられ、具体的に、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷、電気光学印刷、電気インク印刷、フォトレジスト及び他のレジスト印刷、熱印刷、レーザージェット印刷、磁気の印刷、パッド印刷、フレキソ印刷、ハイブリッドオフセットリソグラフィ、グラビア及び他の凹版印刷を例えば含んでもよく、これに限定されない。全てのかかるプロセスは本明細書に記載の堆積プロセスと考えられ、使用されてもよい。代表的な堆積若しくは印刷プロセスは、有意な製造制御又は制限を必要としない。具体的な温度又は圧力は必要とされない。一部のクリーンルーム又は濾過された空気は有用であるが、潜在的に既知の印刷又は他の堆積プロセスの仕様と一致するレベル。一貫性のために、しかしながら、様々な実施形態を形成する様々な後に続く堆積層の正しい位置合わせ（位置決め）のために、比較的一定温度（以下に記載のとおり、可能な例外もある）及び湿度が望ましい場合がある。更に、使用される様々な化合物は、様々なポリマー、結合剤、又は他の分散剤内に含まれてもよく、これは熱硬化若しくは乾燥、周囲条件における風乾、又はＩＲ若しくは紫外線硬化であってもよい。
一般的に、本明細書に記載の様々な化合物のいずれかの適用のために（例えば印刷又は他の堆積を通じて）、レジストコーティングの使用を通じて、ないしは、例えばかかる表面の「濡れ性」を修正することによって、例えば表面（ベース３０５の表面、様々な第１若しくは第２導体（それぞれ３１０、３２０）の表面、及び／又はダイオード１００〜１００Ｊの表面など）の表面親水性、疎水性、又は電気特性表面を修正することによって、特性又は表面エネルギーもまた制御される場合があるということに留意する必要がある。化合物、懸濁液、堆積されるポリマー又はインクの特性、例えば表面張力と共に、堆積された化合物は所望の若しくは選択された位置に接着されて、効果的に他の区域若しくは領域から剥離される。
例えば、複数のダイオード１００〜１００Ｊは液体、半液体又はゲル担体中に、任意の蒸発性若しくは揮発性、又は無機化合物（例えば水、アルコール、エタノール等）を使用して懸濁され、これには樹脂、及び／又は界面活性剤又は他の流れ剤などの接着剤成分が挙げられるがこれらに限定されない。代表的な実施形態、例えば実施例で上記のように、複数のダイオード１００〜１００Ｊが懸濁されるがこれらに限定されない。界面活性剤又は流れ剤、例えばオクタノール、メタノール、イソプロパノール、又は脱イオン水もまた使用されてもよく、並びに結合剤、例えば、実質的に若しくは比較的に小さなニッケルビーズ（例えば１マイクロメートル）を含む異方性導電性結合剤（これは圧縮及び硬化の後に道通をもたらし、例えばオーミック接触の形成を改善するか、又はこれを強化するように機能することができる）、又は任意の他の紫外線、熱、又は空気硬化性結合剤若しくはポリマー（以下により詳細に記載されているもの）（及び誘電体化合物、レンズ等と共に使用することができるもの）を使用してもよい。
更に、様々なダイオード１００〜１００Ｊが、任意の様々な色（たとえ赤、緑、青、黄色、琥珀色）を有する例えば発光ダイオードとして構成されてもよい。異なる色を有する発光ダイオード１００〜１００Ｊは、次いで、装置３００、３００Ａ内で電圧が印加され、選択された色温度が生成されるように、代表的なダイオードインク内で混合されてもよい。
乾燥した、若しくは硬化したダイオードインクの実施例１
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
硬化した、又は重合した樹脂若しくはポリマーとを含む。
乾燥した、若しくは硬化したダイオードインクの実施例２
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
硬化した、又は重合した樹脂若しくはポリマーと、
少なくとも少量の溶媒とを含む。
乾燥した、若しくは硬化したダイオードインクの実施例３
組成物は、
複数のダイオード１００〜１００Ｊと、
硬化した、又は重合した樹脂若しくはポリマーと、
少なくとも少量の溶媒と、
少なくとも少量の界面活性剤とを含む。
ダイオードインク（懸濁したダイオード１００〜１００Ｊ）は次いで、１つ以上の第１導体３１０の上に、２８０メッシュポリマー若しくはＰＴＦＥコーティングされたスクリーンを使用して、印刷などによって堆積され、揮発性若しくは蒸発性化合物は、例えば熱、紫外線硬化、又は任意の乾燥プロセスなどを通じて消散し、ダイオード１００〜１００Ｊを、１つ以上の第１導体３１０実質的に、又はと少なくとも部分的に接触させ、これに付着させる。代表的な実施形態では、堆積したダイオードインクは約１１０℃において典型的に５分以下で硬化される。残存している乾燥若しくは硬化ダイオードインク（乾燥若しくは硬化したダイオードインクの実施例１など）は一般的に、複数のダイオード１００〜１００Ｊ、及び硬化又は重合樹脂若しくはポリマー（これは、上記のとおり一般的にダイオード１００〜１００Ｊを固定するか、又は保持する）を含む。一方で、揮発性若しくは蒸発構成要素（例えば第１及び／又は第２溶媒及び／又は界面活性剤）は実質的に消散し、少量の、又はより多くが、乾燥若しくは硬化ダイオードインクの実施例２及び３に例示されたように残る場合がある。本明細書で使用されるとき、「少量」の成分は、第１導体３１０及び／又はベース３０５の上に最初に堆積されたときに、最初にダイオードインク中に存在する、ゼロ超〜５％以下の量の成分の量であると理解されるべき。
ダイオード１００〜１００Ｊの得られる密度又は濃度は、完成した装置３００、３００Ａ、３００Ｂ中の１ｃｍ2当たりのダイオード１００〜１００Ｊの数として例えば、ダイオードインク中のダイオード１００〜１００Ｊの濃度によって変化する。ダイオード１００〜１００Ｊが寸法において２０〜３０マイクロメートルの範囲であるとき、非常に高い密度が利用可能であり、これは表面積の小さな割合のみを被覆する（ヒートシンクを別個必要とすることなく、より大きな熱分散を可能にする利点のうちの１つ）。例えば、２０〜３０マイクロメートルの寸法の範囲であるダイオード１００〜１００Ｊが使用されるとき、６．４５ｃｍ2（平方インチ）の１０，０００のダイオードが、表面積の約１％のみを被覆する。また例えば、代表的な実施形態では、以下を含むがこれに限定されない多種多様のダイオード密度が利用可能であり、本開示の範囲内である：装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり２〜１０，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり５〜１０，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり５〜１，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり５〜１００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり５〜５０のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又は具体的に装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり５〜２５のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又はより具体的には装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり１０〜８，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又はより具体的には装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり１５〜５，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又はより具体的には装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり２０〜１，０００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又はより具体的には装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり２５〜１００のダイオード１００〜１００Ｊが使用され、又はより具体的には装置３００、３００Ａ、３００Ｂにおいて、１平方センチメートル当たり２５〜５０のダイオード１００〜１００Ｊが使用される。
更なる工程又はいくつかの工程プロセスは、１つ以上の第１導体３１０上へのダイオード１００〜１００Ｊの堆積のために使用されてもよい。また、例えば、メトキシル化グリコールエーテルアクリレートモノマー（これはＴＰＯ（トリホスフェン酸化物））又は異方性導電性結合剤がまず堆積され、上記のように液体若しくはゲル中に懸濁されているダイオード１００〜１００Ｊの堆積が続く。
代表的な実施形態では、ダイオード１００〜１００Ｊの懸濁溶媒もまた、溶解溶媒若しくは他の反応剤、例えば１つ以上の二塩基酸エステル類を含み、これは最初に１つ以上の第１導体３１０の一部を溶解するか、又は再湿潤する。複数のダイオード１００〜１００Ｊの懸濁液が、１つ以上の導体３１０の表面に堆積され、次いで部分的に溶解した、若しくは未硬化となったとき、複数のダイオード１００〜１００Ｊは、１つ以上の第１導体３１０内にわずかに埋め込まれ、またオーミック接触を形成するのを助け、複数のダイオード１００〜１００Ｊと、１つ以上の第１導体３１０との間の接着剤接合若しくは接着剤結合を作る。蒸発を介してなど、溶解若しくは反応剤が消散するとき、１つ以上の第１導体３１０は、複数のダイオード１００〜１００Ｊとの実質的な接触で再硬化（re-harden）（すなわち再硬化する（re-cure））。上記の二塩基性エステルに加えて、以下に記載とおり、代表的な溶解、湿潤若しくは溶媒剤はまた、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（Ｃ6Ｈ12Ｏ3）（「ＰＭアセタート」の商品名でＥａｓｔｍａｎから販売されている）を含み、１−プロパノール（すなわちイソプロパノール）と共に約１：８のモル比で使用され（又は重量で２２：７８）、懸濁媒体を形成し、並びに様々な二塩基性エステル、及びこれらの混合物、例えばコハク酸ジメチル、アジピン酸ジメチル及びグルタル酸ジメチル、例えば製品名ＤＢＥ、ＤＢＥ−２、ＤＢＥ−３、ＤＢＥ−４、ＤＢＥ−５、ＤＢＥ−６、ＤＢＥ−９及びＤＢＥ−ＩＢでＩｎｖｉｓｔａから入手可能な様々な混合物が挙げられるがこれらに限定されない。代表的な実施形態では、ＤＢＥ−９が採用されている。溶媒のモル比は１：８、及び典型的な比率である１：１２で選択された溶媒に基づいて様々。様々な化合物又は他の剤もまた使用されてこの反応を制御してもよい：例えば、１−プロパノール及び水の組み合わせ又は混合物は、ダイオードインクの様々な化合物が蒸発したとき、ないしは別の方法で消散し、ダイオードインクの厚さが、ダイオード１００〜１００Ｊの高さ未満であるとき、硬化プロセスにおいて、ＤＢＥ−９による１つ以上の第１導体３１０の溶解若しくは再浸潤を明らかに抑制し、これによって、第１導体３１０の任意の溶解材料（例えば銀インク樹脂及び銀インク粒子）は、ダイオード１００〜１００Ｊの情報表面上に堆積されない（これは次いで、第２導体３２０と電気接触子を形成することができる）。
絶縁体インクの実施例１：
組成物は、
約０．５％〜約３０％のメチルセルロース樹脂を含む誘電体樹脂と、
アルコールを含む第１溶媒と、
界面活性剤とを含む。
絶縁体インクの実施例２：
組成物は、
約４％〜約６％のメチルセルロース樹脂を含む誘電体樹脂と、
約０．５％〜約１．５％のオクタノールを含む第１溶媒と、
約３％〜約５％のＩＰＡを含む第２溶媒と、
界面活性剤とを含む。
絶縁体インクの実施例３：
組成物は、
約１０％〜約３０％の誘電体樹脂と、
グリコールエーテルアセテートを含む第１溶媒と、
グリコールエーテルを含む第２溶媒と、
第３溶媒とを含む。
絶縁体インクの実施例４：
組成物は、
約１０％〜約３０％の誘電体樹脂と、
約３５％〜５０％のエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを含む第１溶媒と、
約２０％〜３５％ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含む第２溶媒と、
約０．０１％〜０．５％のトルエンを含む第３溶媒とを含む。
絶縁体インクの実施例５：
組成物は、
約１５％〜約２０％の誘電体樹脂と、
約３５％〜５０％のエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを含む第１溶媒と、
約２０％〜３５％ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含む第２溶媒と、
約０．０１％〜０．５％のトルエンを含む第３溶媒とを含む。
絶縁体インクの実施例６：
組成物は、
約１０％〜約３０％の誘電体樹脂と、
約５０％〜８５％ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含む第１溶媒と、
約０．０１％〜０．５％のトルエンを含む第２溶媒とを含む。
絶縁体インクの実施例７：
組成物は、
約１５％〜約２０％の誘電体樹脂と、
約５０％〜９０％のエチレングリコールモノブチル絵テールアセテートを含む第１溶媒と、
約０．０１％〜０．５％のトルエンを含む第２溶媒とを含む。
絶縁材料（絶縁体インクの実施例１〜７として記載されるものなど、絶縁体インクと呼ばれる）は、次いでダイオード１００〜１００Ｊの上、又はダイオード１００〜１００Ｊの周辺部分若しくは側面部分に、第２導体３２０の堆積前に例えば印刷若しくはコーティングプロセスを通じて堆積され、絶縁、誘電体層３１５を形成する。絶縁、すなわち誘電体層３１５は、上記及び以下に説明されているような様々な媒体の任意中に懸濁している任意の絶縁、すなわち誘電体化合物から構成されてもよい。代表的な実施形態では、絶縁、すなわち絶縁体層３１５は例えばＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能な例えばＥ−３「ｍｅｔｈｏｃｅｌ」など、約０．５％〜１５％、又はより具体的には約１．０％〜約８．０％、又はより具体的には約３．０％〜約６．０％、又はより具体的には約４．５％〜約５．５％の範囲の量のメチルセルロース樹脂と、約０．１％〜１．５％、又はより具体的には約０．２％〜約１．０％、又はより具体的には約０．４％〜約０．６％の界面活性剤と、例えばＢＹＫ Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨからの０．５％ ＢＹＫ ３８１と共に、約０．０１％〜０．５％、又はより具体的には約０．０５％〜約０．２５％、又はより具体的には約０．０８％〜約０．１２％の量の第１溶媒（例えば約０．１％オクタノール）と、約０．０％〜８％、又はより具体的には約１．０％〜約７．０％、又はより具体的には約２．０％〜約６．０％、又はより具体的には約３．０％〜約５．０％の範囲の量の第２溶媒（例えば約４％のＩＰＡ）中に、第３溶媒、例えば脱イオン水である残部と共に含む。Ｅ−３配合物と共に、４〜５のコーティングが堆積され、合計厚さ約６〜１０マイクロメートルを有する絶縁、すなわち誘電体層３１５を作り、各コーティングは約１１０℃で、約５５分で硬化する。他の代表的な実施形態では、誘電体３１５は、ＩＲ（赤外線）硬化であっても、紫外線硬化であっても、又はこの両方であってもよい。また、他の代表的な実施形態では、異なる誘電体配合物は、異なる層として適用されて、絶縁、すなわち誘電体層３１５を形成してもよく、例えば、誘電体層３１５を形成するために、Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｄｕｓｓｅｌｄｏｒｆ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能な溶媒系透明誘電体、例えばＨｅｎｋｅｌ ＢＩＫ−２０１８１−４０Ａ、Ｈｅｎｋｅｌ ＢＩＫ−２０１８１−４０Ｂ、及び／又はＨｅｎｋｅｌ ＢＩＫ−２０１８１−２４Ｂの第１層、続いて上記の水系Ｅ−３配合物が挙げられるがこれらに限定されない。誘電体層３１５は透明であってもよいが、比較的低い濃度の光拡散（diffusing）、拡散（scattering）、すなわち反射性粒子、並びに熱伝導性粒子、例えば酸化アルミニウム（例えばこれを含むがこれに限定されない）を含んでもよい。様々な実施形態において、誘電体インクはまた、（方向によって）ダイオード１００〜１００Ｊの第１端子１２５又は第２の裏面の少なくとも一部を、第２導体３２０と後で接触するために露出させたまま、ダイオード１００〜１００Ｊの上面から再浸潤する。
水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロパノール）を含む）、イソブタノール、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノールを含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチル、二塩基酸エステル（例えばＩｎｖｉｓｔａ ＤＢＥ−９）；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類、ＰＭアセテート（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物を含むがこれらに限定されない例示の１つ以上の溶媒が例示の絶縁体インクで使用されてもよい。水溶性樹脂に加えて、他の溶媒系樹脂もまた使用されてもよい。例えばヘクトライト粘土類、ガラマイト粘土類、有機変性粘土類などの粘土類；糖類及びグアーガム、キサンタンガムなどの多糖類；セルロース類、及びヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、メトキシルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース及びヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、セルロースエチルエーテル、キトサンなどの変性セルロース類；アクリレート及び（メタ）アクリレートのポリマー類及びコポリマー類などのポリマー類、ポリビリニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリビニルアセタート（ＰＶＡ）、ポリビニルアルコール類、ポリアクリル酸類、ポリエチレンオキシド類、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ジエチレングリコール、２−エチルオキサゾリン、ヒュームドシリカ（例えばＣａｂｏｓｉｌ）、シリカ粉末類、変性尿素類、例えばＢＹＫ（登録商標）４２０（ＢＹＫ Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨから入手可能）、並びにこれらの混合物など１つ以上の増粘剤が使用されてもよい。他の粘度調整剤、並びに米国特許出願公開第２００３／００９１６４７号（Ｌｅｗｉｓら）に記載されるように、粘度調整剤への粒子の追加が使用されてもよい。流体酸類及び界面活性剤類、例えばオクタノール、及び例えばＥｍｅｒａｌｄ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＭａｔｅｒｉａｌｓのＦｏａｍｂｌａｓｔ ３３９などが使用されてもよい。他の代表的な実施形態では、１つ以上の絶縁体１３５は脱イオン水中に、典型的に１２％未満の高分子（例えば、ＰＶＡ若しくはＰＶＢを含む）であってもよい。
絶縁、すなわち絶縁体層３１５の堆積に続き、１つ以上の第２導体３２０が堆積され（例えば、導電性インク、ポリマー、又は金属など他の導体の印刷を介して）、これは、ダイオード１００〜１００Ｊの露出された又は非絶縁部分を備えて、オーミック接触を形成するために、任意のタイプの導体、上記の導電性インク若しくはポリマー、又は光学的に透過性（すなわち透明）導体であってもよい。例えば、光学的に透過性の第２の導体は、例えば照明又は光起電用途のための単一の連続層（単一電極を形成する）として堆積されてもよい。上記の裏面の形成に関して、第２導体３２０は、光が装置３００、３００Ａ、３００Ｂの上面から入射し、底面から出射するのを可能にする光学的に透過性である必要はない（光学的に透過性であってもよいが）。光学的に透過性の第２導体３２０は、任意の化合物から構成されてもよく、これは（１）装置３００の第１、すなわち上方部分からのエネルギーを通電する、又はこれを受容するのに十分な伝導率を有し（並びに、必要である場合は、又は望ましい場合は電力損失及び熱生成を低減する、又は最小限にするために十分な低抵抗すなわちインピーダンスを備える）、並びに、（２）例えば可視スペクトルの部分に関してなど、電磁放射線の選択波長に関して少なくとも所定の、又は選択されたレベルの透明性、伝導性を有する。光学的に透過性又は非透過性の第２導体３２０を形成する材料の選択は、装置３００の選択された用途によって、及び任意の１つ以上の第３導体の使用によって異なっていてもよい。１つ以上の第２導体３２０は、ダイオード１００〜１００Ｊの露出された、若しくは非絶縁部分の上に、及び／又は絶縁、すなわち絶縁体層３１５のいずれかの上に、例えば既知又は印刷若しくはコーティング技術において、既知となり得る印刷若しくはコーティングプロセスによって、必要に応じて又は望ましい場合は任意の選択された位置合わせ、すなわち位置決めのために正確な制御が備えられた状態で堆積される。
代表的な実施形態では、上記野同電池あに加えて、カーボンナノチューブ（ＣＮＴｓ）、ナノ銀、ポリエチレン−ジオキシチオフェン（例えばＡＧＦＡ Ｏｒｇａｃｏｎ）、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン及びリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐとして市販されており、Ｂａｙｅｒ ＡＧ（Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能）の組み合わせ、ポリアニリン又はポリピロールポリマー、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）及び／又はアンチモン酸化スズ（ＡＴＯ）（上記の様々な結合剤、ポリマー、又は担体のいずれかの中に粒子として典型適に懸濁しているＩＴＯ又はＡＴＯを備える）は、光学的に透過性の第２導体３２０を形成するために使用されてもよい。代表的な実施形態では、カーボンナノチューブは界面活性剤を備える揮発性液体に懸濁している（例えばＳｏｕｔｈＷｅｓｔ ＮａｎｏＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（Ｎｏｒｍａｎ，Ｏｋｌａｈｏｍａ，ＵＳＡ）から入手可能なカーボンナノチューブ組成物中など）。更に、比較的低いインピーダンス、すなわち抵抗を有する１つ以上の第３導体（別途図示せず）は、対応の第２導体３２０に組み込まれるか、又は組み込まれてもよい。例えば、１つ以上の第３導体、１つ以上の微細な配線は、透過性第２導体３２０の対応する区分若しくは層上に印刷された導電性インク若しくはポリマー（例えば、シルバーインク、ＣＮＴ、又はポリエチレン−ジオキシチオフェン）を使用して形成することができ、あるいは１つ以上の微細な配線（例えば格子若しくは、梯子のパターンを有する）は、より大きなディスプレイにおける、より大きな、単一の透明な第２導体３２０上で印刷された導電性インク若しくはポリマーを使用することによって形成することができる。
実質的に光学的に透過性の第２導体３２０を形成するために、同等に使用され得る他の化合物には上記の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、上記の導電性ポリマー、例えばポリエチレン−ジオキシチオフェン（商品名「Ｏｒａｇｃｏｎ」として入手可能）など現在既知である、又は当該技術分野において既知となり得る他の透過性導体、並びにカーボンナノチューブ及び／又はカーボンナノチューブ系透明導体が挙げられる。代表的な透過性導電性材料は、例えばＤｕＰｏｎｔから、７１６２及び７１６４ ＡＴＯ半透明導体が利用可能。透過性第２導体３２０はまた、これまで説明されてきたもの、例えば様々な条件下（例えば紫外線への暴露など（ｕｖ硬化性））で硬化性である結合剤など、様々な結合剤、ポリマー、又は担体と組合されてもよい。
任意の安定化層３３５は、必要である場合若しくは望ましい場合は、第２導体３２０の上に堆積されてもよく、並びに第２導体３２０を保護するために使用され、これによって発光（すなわち放射）層３２５、又はいずれかの介在するコンフォーマルコーティングが、第２導体３２０の伝導率を低下させるのを防ぐ。インク化合物の任意のもの又は以下に記載（保護コーティング３３０を参照して）のコーティングの１つ以上の比較的薄いコーティング、例えばＮａｚｄａｒ ９７２７透明ベースが使用されてもよい。更に、熱放散及び／又は光散乱粒子もまた任意で安定化層３３５内に含まれてもよい。
１つ以上の発光（すなわち放射）層３２５（例えば１つ以上の蛍光体層を含む）が、安定化層３３５の上に（又は安定化層３３５が使用されないときは第２導体３２０の上に）堆積されてもよい。代表的な実施形態、例えばＬＥＤ実施形態では、１つ以上の放射層３２５が、例えば上記の印刷又はコーティングプロセスを介して、安定化層３３５の表面全体の上に（又は、安定化層３３５が使用されないときは第２導体３２０の上に）堆積されてもよい。１つ以上の放射層３２５は、ダイオード１００〜１００Ｊから放射された光に反応して（又は他の電磁放射線で）可視スペクトルで光（又は任意の選択された周波数において他の電磁放射線）を放射することができる、又は放射するように適合された任意の物質又は化合物で形成されてもよい。例えば、黄色の蛍光体系放射層３２５は、青い光を放射するダイオード１００〜１００Ｊと共に使用されて実質的に白い光を作ることができる。そのような発光化合物は、様々な蛍光体を含み、これは任意の様々な形態で、並びに任意の様々なドーパントと共に提供されてもよい。１つ以上の発光層３２５を形成する発光化合物若しくは粒子は、様々な結合を剤を有する重合体の形態で使用されてもよく、又は懸濁してもよく、また様々な結合剤（例えばＤｕＰｏｎｔから入手可能な蛍光体結合剤又は導電性化合物）と共に別々に組み合わされて、下層の及び後に続く、覆っている層への蛍光体の接着を提供することができる。１つ以上の発光層３２５もまた、ｕｖ硬化性又は熱硬化性の形態のいずれかで提供されてもよい。
多種多様な同等の発光、なしは別の方法で光放射化合物が入手可能であり、並びに本開示の範囲内であり、それは以下を含むがこれに限定されない：（１）Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ（Ｆｒｅｍｏｎｔ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ ＵＳＡ）から入手可能なＧ１７５８、Ｇ２０６０、Ｇ２２６２、Ｇ３１６１、ＥＧ２７６２、ＥＧ ３２６１、ＥＧ３５６０、ＥＧ３７５９、Ｙ３９５７、ＥＹ４１５６、ＥＹ４２５４、ＥＹ４４５３、ＥＹ４６５１、ＥＹ４７５０、Ｏ５４４６、Ｏ５５４４、Ｏ５７４２、Ｏ６０４０、Ｒ６３０、Ｒ６５０、Ｒ６７３３、Ｒ６６０、Ｒ６７０、ＮＹＡＧ−１、ＮＹＡＧ−４、ＮＹＡＧ−２、ＮＹＡＧ−５、ＮＹＡＧ−３、ＮＹＡＧ−６、ＴＡＧ−１、ＴＡＧ−２、ＳＹ４５０−Ａ、ＳＹ４５０−Ｂ、ＳＹ４６０−Ａ、ＳＹ４６０−Ｂ、ＯＧ４５０−７５、ＯＧ４５０−２７、ＯＧ４６０−７５、ＯＧ４６０−２７、ＲＧ４５０−７５、ＲＧ４５０−６５、ＲＧ４５０−５５、ＲＧ４５０−５０、ＲＧ４５０−４５、ＲＧ４５０−４０、ＲＧ４５０−３５、ＲＧ４５０−３０、ＲＧ４５０−２７、ＲＧ４６０−７５、ＲＧ４６０−６５、ＲＧ４６０−５５、ＲＧ４６０−５０、ＲＧ４６０−４５、ＲＧ４６０−４０、ＲＧ４６０−３５、ＲＧ４６０−３０、ａｎｄ ＲＧ４６０−２７、（２）Ｇｌｏｂａｌ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ ＆ Ｐｏｗｄｅｒｓ Ｃｏｒｐ．（Ｔｏｗａｎｄａ，Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ，ＵＳＡ）から入手可能な１３Ｃ１３８０、１３Ｄ１３８０、１４Ｃ１２２０及びＧＧ−８４（３）Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．（Ｈｅｒｔｓ、Ｅｎｇｌａｎｄ）から入手可能なＦＬ６３／Ｓ−Ｄ１、ＨＰＬ６３／Ｆ−Ｆ１、ＨＬ６３／Ｓ−Ｄ１、ＱＭＫ５８／Ｆ−Ｕ１、ＱＵＭＫ５８／Ｆ−Ｄ１、ＫＥＭＫ６３／Ｆ−Ｐ１、ＣＰＫ６３／Ｎ−Ｕ１、ＺＭＫ５８／Ｎ−Ｄ１、ａｎｄ ＵＫＬ６３／Ｆ−Ｕ１、（４）Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｔｅｃｈ Ｃｏｒｐ．（Ｌｉｔｈｉａ Ｓｐｒｉｎｇｓ，Ｇｅｏｒｇｉａ，ＵＳＡ）からＢＹＷ０１Ａ／ＰＴＣＷ０１ＡＮ、ＢＹＷ０１Ｂ／ＰＴＣＷ０１ＢＮ、ＢＵＶＯＲ０２、ＢＵＶＧ０１、ＢＵＶＲ０２、ＢＵＶＹ０２、ＢＵＶＧ０２、ＢＵＶＲ０３／ＰＴＣＲ０３、及びＢＵＶＹ０３、並びに（５）Ｌｉｇｈｔｓｃａｐｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｉｎｃ．（Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ ＵＳＡ）から入手可能なＨａｗａｉｉ６５５、Ｍａｕｉ５３５、Ｂｅｒｍｕｄａ４６５、及びＢａｈａｍａ５６０。更に、選択された実施形態によって、顔料、染料及び／又はドーパントは、任意のそのような発光（すなわち放射）層３２５内に含まれてもよい。代表的な実施形態では、Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．及びＧｌｏｂａｌ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ ＆ Ｐｏｗｄｅｒｓ Ｃｏｒｐ．から入手可能なイットリウム・アルミニウム・ガーネット（「ＹＡＧ」）蛍光体が使用される。更に、発光層３２５を形成するのに使用される蛍光体及び他の化合物は、特定のスペクトル（例えば緑又は青）を放射するドーパントを含んでもよい。これらの場合において、発光層は、カラーディスプレイを提供するために、任意の所与の若しくは選択された色、例えばＲＧＢ若しくはＣＭＹＫなどのピクセルを画定するように印刷されてもよい。任意の装置３００の実施形態はまた、安定化層３３５又は第２導体３２０に結合された、又はこの上にて堆積された１つ以上の発光層３２５を含み得るということを、当業者は理解するであろう。
装置３００は、任意の保護若しくは密閉コーティング３３０を含んでもよく、これはまた、任意のタイプのレンズ効果又は光拡散若しくは分散構造体又はフィルタ（様々な要素（例えば天候、空中の腐食性物質等）からの保護のために）、例えば実質的に透明なプラスチック又は他の高分子を含んでもよく、あるいは密閉及び／又は保護機能は、放射層３２５と共に使用されるポリマー（樹脂又は他の結合剤）によって提供されてもよい。説明の容易性のために、図５４、５６及び５７は、点線を使用して実質的な透明性を示しながら、保護若しくは密閉コーティング３３０を形成する、かかるポリマー（樹脂又は他の結合剤）を示している。代表的な実施形態では、保護すなわち密閉コーティング３３０は、ウレタン系材料（例えばＮＡＺＤＡＲ ９７２７（ｗｗｗ．ｎａｚｄａｒ．ｃｏｍ）として入手可能な独占所有権のある樹脂）、又はｕｖ硬化性ウレタンアクリレート（Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｄｕｓｓｅｉｄｏｒｉ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能なＰＦ ４５５ ＢＣ）を使用して、約１０〜４０マイクロメートルの厚さまで、１つ以上のコンフォーマルコーティングとして堆積される。他の代表的な実施形態では、保護すなわち密閉コーティング３３０は、装置３００を積層することによって実施される。別途例示されていないが、関連する米国特許出願に記載されているように（本明細書でその全体が説明されるように、同様に完全及び効果を有して、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第１２／５６０，３３４号、同第１２／５６０，３４０号、同第１２／５６０，３５５号、同第１２／５６０，３６４号、及び同第１２／５６０，３７１号）、複数のレンズ（ポリマー（樹脂又は他の結合剤）中に懸濁している）はまた、１つ以上の放射層３２５及び他の機構の上に直接堆積されて、様々な光放射装置３００の実施形態のいずれかを作ることができる。
使用される任意の数の第１導体３１０、絶縁体３１５、第２導体３４０等が、ここで請求されている発明の範囲内であるということを当業者は理解するであろう。更に、任意の装置３００に関して、複数の第１導体３１０、１つ以上の絶縁体（すなわち誘電体層）３１５、及び複数の第２導体３２０（任意の組み込まれた対応の、及び任意の１つ以上の第３導体を有する）の多種多様な無機及び構成、例えば示されている向きに加えて、実質的に平行な向きが存在し得る。例えば、複数の第１導体３１０は、互いに実質的に平行であってもよく、並びに、複数の第２導体３２０もまた全て互いに実質的に平行であってもよい。同様に、複数の第１導体３１０及び複数の第２導体３２０は、互いに垂直であってもよく（列及びカラムを画定する）、これによって重複のそれらの領域は、画素（「ピクセル」）を画定するために使用されてもよく、並びに別々に及び個々にアドレス可能であり得る。複数の第１導体３１０及び複数の第２導体３２０のいずれか若しくは両方は、所定の幅を有する実質的に平行な線（両方とも列を画定するか、両方ともカラムを画定する）を有する、離間した及び実質的に平行な線として実施されてもよく、それらはまた、列及び／又はカラムによってアドレス可能であってもよい（例えば１つの列の後に続く連続アドレスを含むがこれに限定されない）。更に、複数の第１導体３１０及び複数の第２導体３２０のいずれか、又は両方は、上記のような層又はシートとして実施されてもよい。
本開示から明らかなように、代表的な装置３００、３００Ａ、３００Ｂは、ベース３０５など複合材料の選択によって、合成であるよりはむしろ、高度に可撓性かつ変形可能であり、潜在的に更に折り畳み可能であり、伸縮性であり、潜在的に着用可能であるように設計され、製造されてもよい。例えば、代表的な装置３００、３００Ａ、３００Ｂは可撓性で、折り畳み可能で、着用可能な衣類、又は可撓性照明器具、壁紙照明器具を含んでもよく、これに限定されない。そのような可撓性を有して、代表的な装置３００、３００Ａ、３００Ｂはポスターのように巻回することができ、１枚の紙のように折り畳まれてもよく、再び開封されたときに完全に機能的であり得る。また例えば、かかる可撓性を備えて、代表的な装置３００、３００Ａ、３００Ｂは、多くの形状及び寸法を有してもよく、並びに、多種多少なスタイル及び他の審美的目的のいずれかのために構成されてもよい。そのような代表的な装置３００、３００Ａ、３００Ｂはまた、先行技術の装置よりも大幅に、より弾力的であり、例えば典型的な大型スクリーンテレビよりもはるかに壊れにくく、脆弱でない。
上記のとおり、複数のダイオード１００〜１００Ｊは、（材料の選択及び対応するドーピングを介して）光起電（ＰＶ）ダイオード又はＬＥＤであるように構成されてもよい（例えばこれらを含むがこれに限定されない）。図５９は、第１の例示のシステム３５０の実施形態のブロック図であり、ここでは複数のダイオード１００〜１００Ｊは任意のタイプ又は色のＬＥＤとして実施される。システム３５０は、装置３００Ａ（これはさもないと、装置３００と一般的に同じであるが、ＬＥＤとして実施された複数のダイオード１００〜１００Ｊを有する）、電源３４０を含み、また任意のコントローラ（制御論理回路）３４５を含み得る。例えば、対応する電圧の適用を介して（例えば電源３４０から）、１つ以上の第１導体３１０及び１つ以上の第２導体３２０に電圧が印加されたとき、導体及び絶縁体が単一層としてそれぞれ実施されているときには、装置３００Ａを全体的に、又は電圧が印加された第１導体３１０及び第２導体３２０の対応する交差（重複している領域）（これはそれらの向き及び構成により、例えばピクセル、シート、又は列／カラムを画定する）で、のいずれかにおいて、エネルギーが１つ以上の複数のＬＥＤ（ダイオード１００〜１００Ｊ）に供給される。したがって、第１導体３１０及び第２導体３２０を選択的に電圧を印加することによって、装置３００Ａ（及び／又はシステム３５０）は、ピクセルアドレス可能な動的ディスプレイ、又は照明装置若しくは標識等を提供する。例えば、複数の第１導体３１０は対応する複数の列を含む場合があり、複数の透過性の第２導体３２０は、対応する複数のカラムを含み、各ピクセルは、対応する列及び対応するカラムの交差若しくは重複によって画定される。複数の第１導体３１０及び複数の第２導体３２０のいずれか又は両方が、図５４〜５７で例示されているように実施されるときもまた、例えば導体３１０、３２０の通電は、複数のＬＥＤ（ダイオード１００〜１００Ｊ）の実質的に全てに電力を供給する（例えば照明装置又は静的ディスプレイ（例えば標識）のための発光をもたらすために）。かかるピクセルカウントは非常に高くてもよく、典型的な高精細レベルよりも上であってもよい。
図５９を参照し続け、装置３００Ａは線若しくはコネクタを通じて電源３４０に結合され（これは２つ以上の対応するコネクタであってもよく、又は例えばバスの形態であってもよい）、この電源はＤＣ電源（例えば電池又は光起電セル）又はＡＣ電源（例えば家庭又は建物の電力など）であってもよく、並びに任意のコントローラに結合するためのものであってもよい（又は同様に制御ロジックブロック）３４５。電源３４０は、例えば、ＡＣ線に結合するための切り替え電源など多種多様の方法で具体化されもよく、並びにダイオード１００〜１００Ｊの通電を制御するための多種多様な構成要素（別途例示されていない）を含んでもよく、これらに限定さない。例えば、アドレス可能な発光ディスプレイシステム３５０の実施形態及び／又は動的発光ディスプレイシステム３５０の実施形態のために、コントローラ３４５が実施されるとき、コントローラ３４５は、電子技術で既知の又は既知となるように（様々な複数の第１導体３１０及び複数の透過性第２導体３２０を介して）、ダイオード１００〜１００Ｊの通電を制御するために使用されてもよく、並びにプロセッサ３６０、メモリ３６５、及び入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース３５５を含む。例えば、様々な両名システム３５０の実施形態において（これは典型的に非アドレス可能であり、及び／又は非動的発光ディスプレイシステム３５０の実施形態である）、コントローラ３４５が実施されないとき、システム３５０は典型的に電気若しくは電子スイッチに結合され（別途例示されていない）、これは任意の好適なタイプのスイッチ構成（例えば点灯、消灯、及び／又は減光など）を備えてもよい。
「プロセッサ」３６０は任意のタイプのコントローラ、プロセッサ、又は制御論理回路であってもよく、並びに、本明細書に記載の機能性を実行するために、１つ以上のプロセッサ３６０として具体化されてもよい。本明細書で使用されるとき、プロセッサ３６０は、単一の集積回路（「ＩＣ」）の使用を含む場合があり、又は複数の集積回路若しくは接続されている、配置されている、又は一緒に接地されている他の構成要素、例えばコントローラ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（「ＤＳＰ」）、並列プロセッサ、マルチコアプロセッサ、カスタムＩＣ、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（「ＦＰＧＡ」）、適応的計算ＩＣ、関連メモリ（例えばＲＡＭ、ＤＲＡＭ及びＲＯＭ）、並びにＩＣ及び構成要素の使用を含んでもよい。結果として、本明細書で使用されるとき、用語「プロセッサ」は、以下に記載の機能を実行し、関連メモリ、例えばマイクロプロセサメモリ及び追加のＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ、ＥＰＲＯＭ又はＥ2ＰＲＯＭを備える単一ＩＣ、又はカスタムＩＣ、ＡＳＩＣ、プロエッサ、マイクロプロセッサ、コントローラ、ＦＰＧＡ、適用的計算ＩＣ、又は集積回路のいくつかの他の群の構成と同等に意味し、これを含むということを理解されるべき。プロセッサ（例えばプロセッサ３６０）は、その関連メモリを備えて、適用されるか又は構成されて（プログラミング、ＦＰＧＡ相互接続、又は配線を介して）、本開示の手法（例えば動的ディスプレイの実施形態のための選択的ピクセルのアドレス、又は標識の実施形態のためなどの列／カラムアドレス）を実行する。例えば、本手法はその関連メモリ（及び／又はメモリ３６５）及び他の同等な構成要素と共に、プロセッサが作動しているときに（すなわち通電しており機能している）、後に続く実施のために、プログラム指示又は他のコア（又は同等の構成又は他のプログラム）のセットとして、プロセッサ３６０内でプログラミングされ、かつ保存されてもよい。同様に、プロセッサ３６０が、ＦＰＧＡの一部として、カスタムＩＣ及び／又はＡＳＩＣに実施され得る場合、ＦＰＧＡ、カスタム又はＡＳＩＣもまた、本開示の手法を実施するように設計され、構成され、及び／又は配線されてもよい。例えば、プロセッサ３６０は、プロセッサ、コントローラ、マイクロプロセッサ、ＤＳＰ、及び／又はＡＳＩＣ（総じて「コントローラ」又は「プロセッサ」と呼ばれる）として実施されてもよく、これらはメモリ３６５と共にそれぞれ、本開示の手法を実施するようにプログラムされ、設計され、適用され、又は構成される。
プロセッサ（例えばプロセッサ３６０）は、その関連メモリと共に、どの情報が表示されるかということに対して対応スル制御のために、（プログラミング、ＦＰＧＡ、相互接続、又は配線を介して）様々な複数の第１導体３１０及び複数の第２導体３２０（及び任意の１つ以上の第３導体１４５）の通電（これらに適用される電圧）を制御するように構成されてもよい。例えば、静的又は時間的に変化する情報はその関連メモリ（及び／又はメモリ３６５）及び他の同等な構成要素と共に、プロセッサ３６０が作動しているときに、後に続く実施のために、プログラム指示又は他のコア（又は同等の構成又は他のプログラム）のセットとして、プロセッサ３６０内でプログラミングされ、かつ保存され、構成され、及び／又は配線されてもよい。
データ収納（又はデータベース）を含み得るメモリ３６５が、揮発性出るか又は非揮発性であるかにかかわらず、取り外し可能であるか、又は取り外し可能でないかに関わらず、任意の数の形態（メモリ集積回路（「ＩＣ」）又は集積回路のメモリ部分（例えばプロセッサ３６０内の常駐メモリ）を含むがこれらに限定されない、現在既知であるか、又は将来入手可能である任意のコンピュータ又は他の機械読み取り可能なデータ保管媒体、メモリデバイス、又は情報の保管若しくは通信のためのメモリデバイス又は他の保管若しくは通信デバイス）、ＲＡＭ、ＦＬＡＳＨ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ若しくはＥ2ＰＲＯＭ、又は任意の形態のメモリデバイス、例えば磁気ハードドライブ、光学ドライブ、磁気ディスク又はデータドライブ、ハードディスクドライブ、又は機械読み取り可能な外レージ若しくはメモリ媒体、例えばフロッピーディスク、ＣＤＲＯＭ、ＣＤ−ＲＷ、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）、又は他の光学メモリ、又は他のタイプのメモリ、記憶媒体、又は既知の、若しくは既知となるデータストレージ装置若しくは回路を含むがこれらに限定されない任意の数形態で具体化されてもよい。更に、そのようなコンピュータ読み取り可能な媒体は任意の形態の通信媒体を含み、これはコンピュータ読み取り可能な指示、データ構造、プログラムモジュール、又データ信号若しくは変調信号内のほかのデータ、例えば電磁若しくは光学は搬送波若しくは他の移送機構などを具体化する通信媒体の任意の形態であってもよく、これには電磁、光学、音響、ＲＦ、又は赤外線信号等が挙げられる。メモリ３６５は様々なルックアップテーブル、パラメータ、係数、他の情報及びデータ、（本発明のソフトウェアの）プログラム若しくは指示、及びデータベーステーブルなどの他のタイプのテーブルを保管するように適合されてもよい。
上記のとおり、プロセッサ３６０は、例えば本発明の手法を実施するために、ソフトウェア及びデータ構造を使用してプログラミングされる。結果として、本発明のシステム及び方法は、かかるプログラミング又は他の指示、例えば、上記のコンピュータ読み取り可能媒体内に具体化された一連の指示及び／又はメタデータなどを提供するソフトウェアとして具体化されてもよい。更に、メタデータもまた、ルックアップテーブル又はデータベースの様々な構造を画定するために使用されてもよい。このようなソフトウェアは、実施例の形態をとったソース、オブジェクトコードの形態であってもよく、これに限定されない。ソースコードは更に、指示も若しくはオブジェクトコード（アセンブリ言語指示及び設定情報を含む）の一部の形態にコンパイルされてもよい。本発明のソフトウェア、ソースコード又はメタデータは、任意のタイプのコードとして、例えばＣ、Ｃ＋＋、ＳｙｓｔｅｍＣ、ＬＩＳＡ、ＸＭＬ、Ｊａｖａ、Ｂｒｅｗ、ＳＱＬ及びその変形例、又は本明細書に記載の機能性を実施する任意の他のタイプのプログラミング言語（様々なハード着用者は定義若しくはハードウェアモデリング言語（例えばＶｅｒｉｌｏｇ、ＶＨＤＬ、ＲＴＬ）、並びに得られるデータベースファイル（例えばＧＤＳＩＩ）を含む）として具体化されてもよい。結果として、「構築」、「プログラム構築」、「ソフトウェア構築」、又は「ソフトウェア」は、本明細書において同等に使用され、任意のシンタックス若しくは署名を備えて、任意の種類の任意のプログラミング言語を意味し、これを参照し、これは特定される関連機能性又は手法を提供するか、又は提供するように解釈することができる（インスタンスを作成されたとき、プロセッサ又はコンピュータ（例えばプロセッサ３６０を含む）にローディングされたとき、及び実施されたとき）。
本開示のソフトウェア、メタデータ、又は他のソースコード、及び任意の得られるビットファイル（オブジェクトコード、データベース、又はルックアップテーブル）は、任意の有形の記憶媒体内、例えば任意のコンピュータ若しくは他の機械読み取り可能な記憶媒体、プロログラムモジュール若しくは他のデータ、例えばメモリ３６５に関して上記のものなど（例えば上記のようなフロッピーディスク、ＣＤＲＯＭ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、電磁ハードドライブ、光学ドライブ、任意のタイプのデータ記憶装置若しくは媒体）内で具体化される。
Ｉ／Ｏインターフェース３５５は、当該技術分野において既知のように、又は既知であり得るように実施されてもよく、インピーダンス整合性能、例えばより高い電圧制御バスを備えるインターフェースに対する低電圧プロセッサの電圧移動（voltage translation）、プロセッサ３６０からの信号に応答して様々な配線若しくはコネクタのオン・オフを切り替えるための様々なスイッチ機構（例えばトランジスタ）、及び／又は物理的連結機構を含み得る。更に、Ｉ／Ｏインターフェース３５５は、リアルタイムで情報を受信し、例えば動的ディスプレイを制御するために、信号を受容し、及び／又はシステム３５０の外部に、例えば配線又はＲＦ信号を通じて送信するように適合されてもよい。
例えば、例示の第１システムの実施形態３５０は、装置３００Ａを含み、ここでは複数のダイオード１００〜１００Ｊは、発光ダイオードであり、Ｉ／Ｏインターフェース３５５は、電球のための任意の様々な標準的なエジソンソケットに適合する。この実施例と共に続けて、かつこれに限定されることなく、Ｉ／Ｏインターフェース３５５は、１つ以上の標準化されたスクリュー構成に適合するような寸法及び形状であってもよい（例えばＥ１２、Ｅ１４、Ｅ２６、及び／又はＥ２７スクリューベース規格、例えば中間スクリューベース（Ｅ２６）、又は枝付き照明スクリューベース（Ｅ１２）、及び／又はＡｍｅｒｉｃａｎ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ（「ＡＮＳＩ」）及び／又は例えばＩｌｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｏｃｉｅｔｙによって推奨されている他の様々な規格）。他の代表的な実施形態では、Ｉ／Ｏインターフェース３５５は、例えば標準的な蛍光電球ソケット、又は２つのプラグベース（例えばＧＵ−１０ベース）に適合するような（しかしこれに限定されない）寸法及び形状であってもよい。かかる代表的な第１システム実施形態３５０はまた、特に、例えばエジソン又は蛍光ソケットへ（しかしこれに限定されない）の挿入に適合性のある形状因子有するときに、同様に他のタイプの装置と同様に見なされてもよい。
例えば、ＬＥＤ系電球は、Ｉ／Ｏ ３５５の一部としてネジタイプの接続部（例えばＥＳ、Ｅ２７、ＳＥＳ、又はＥ１４）を有して、従来の白熱電球に似ているデザインを有して形成される場合があり、これは、Ｌ１専用低エネルギー、ＰＬ−２ピン専用低エネルギー、ＰＬ−４ピン専用低エネルギー、Ｇ９ハロゲンカプセル、Ｇ４ハロゲンカプセル、ＧＵ１０、ＧＵ５．３差し込み、小型差し込み、又は当該技術分野において既知の任意の他の接続部から選択される接続タイプを含む任意の電力ソケットタイプとの接続に適合することができる。
図４１に示されるコンピュータ３４５に加えて、当該技術分野において既知の制御回路の無数の同等の構成、レイアウト、種類、タイプがあり、これらは本開示の範囲内であるということを当業者は理解するであろう。
装置３００及び第１システム３５０は多種多様の物品に適用されてもよく、並びになしは多くの目的のために適用されてもよい。かかる物品の非限定例及び使用には、照明装置、例えば電球、照明チューブ、ランプ、ランプシェード、作業照明、装飾照明、居曲可能な照明、天井照明、安全照明、「ムード照明」（これは調光可能な照明を含んでもよく、又は含まなくてもよい）、有色照明、及び／又は色変更可能な照明、製図照明、アクセント照明、ディスプレイ照明（例えば壁画を照明するための）が挙げられる。第１システム３５０は一般的に、装置３００の照明要素を指示するための十分な機械的構造を含み、電球、又は交換するよう設計されている他の照明の一般的な形状のタイプをとることができる。
装置３００を有する第１システム３５０は、様々なレベルの光出力を提供することができる。装置の出力電位を管理する１つの方法は、装置３００の１つ以上の導体３１０上に存在するダイオード１００〜１００Ｊの集団を増加する、又は減少させること。一般的に、装置は少なくとも約２５〜１３００ルーメンの光出力を提供することができる。
本明細書で提供されるＬＥＤとして具体化されている、小さな寸法のダイオード１００〜１００Ｊは非常に高速の放熱を可能にする。したがって、第１システム３５０及び装置３００は、熱生成を最小限にすることによって、非常に有効な光出力を提供する。したがって、本明細書の装置３００は、放熱目的のヒートシンクを有さずに容易することができる。更に、装置３００は約１５０℃未満、又は約１２５℃未満、又は約１００℃未満、又は約７５℃未満、又は約５０℃未満の平均動作温度を有する。
用語「平均動作温度」は本明細書で使用されるとき、以下の工程に従って記録された温度である：
１．発光デバイス、すなわち装置は点灯され、これによってそれは少なくとも１０分の間その最大ルーメン出力を提供する。したがって、最大ルーメン出力を達成するために必要される「ウォームアップ」時間は無視されるべき。
２．赤外線温度計（例えばＲａｙｔｅｋ ＳＴ２０ＸＢ（登録商標）携帯型赤外線温度計）を使用して、１０分増加で記録される。記録された温度の平均値が計算され、計算された平均は「平均動作温度」。
温度測定は以下の条件で行われるべきである：
１．周囲温度は約２０℃であるべき。
２．温度測定は、デバイス又は装置の発光面の最外上で直接測定される。
３．最外の発光面及び光放射源（すなわちＬＥＤ）は、介在するヒートシンク、絶縁層、又は他の放熱材料によって分離されない。
上記のとおり、複数のダイオード１００〜１００Ｊは、（材料の選択及び対応するドーピングを介して）光起電（ＰＶ）ダイオードであるように構成されてもよい。図６０は、第２の例示のシステム３７５の実施形態のブロック図であり、ここでは複数のダイオード１００〜１００Ｊは光起電（ＰＶ）ダイオードとして実施される。システム３７５は、装置３００Ｂ（これはないしは、一般的に装置３００とおなじであるが、光起電（ＰＶ）ダイオードとして実施される複数のダイオード１００〜１００Ｊを有する）、並びにエネルギー保管装置３８０（例えば電池）又は装置若しくはシステムを使用して電力をエネルギーに送達するインターフェース回路３８５、又はエネルギー送達装置若しくはシステム（例えば、電導装置又は電力など）のいずれか又は両方を含む。（インターフェース回路３８５を含まない他の例示の実施形態では、他の回路構成が使用されて、エネルギー若しくは電力を、装置若しくはシステム、又はエネルギー送達装置若しくはシステムを使用して、かかるエネルギーに直接提供してもよい。）システム３７５内で、装置３００Ｂの１つ以上の導体３１０が結合されて、第１端子（例えば負極若しくは正極）を形成し、装置３００Ｂの１つ以上の第２導体３２０が結合されて第２端子（正極又は負極に対応するように）を形成し、これは次いでエネルギー保管装置３８０又はインターフェース回路３８５のいずれか又は両方への接続のために結合可能。光（例えば太陽光）が装置３００Ｂに入射すると、光は光起電（ＰＶ）ダイオード１００〜１００Ｊの上に集中し、これは同様に、入射する光子を電子−正孔の対に変換し、第１及び第２端子にわたって生成される出力電圧となり、エネルギー保管装置３８０又はインターフェース回路３８５のいずれか、又はこの両方に出力される。
第１導体３１０が、図５５に示される互いに噛み合う、すなわち櫛型構造体を有するとき、第２導体３２０は第１導体３１０Ｂを使用して通電されてもよく、又は同様に生成された電圧は、第１導体３１０Ａ及び３１０Ｂにわたって受容されてもよい。
図６１は、装置３００、３００Ａ、３００Ｂの製造の代表的な方法の実施形態を示すフローチャートであり、有用な要旨を呈する。開始工程４００で始まり、ベース（３０５）の上に１つ以上の第１導体（３１０）を堆積する（例えば導電性インク又はポリマーの印刷、又はベース（３０５）を１つ以上の金属で蒸着、スパッタリング、コーティングすることによって、その後に導電性インク若しくはポリマーを硬化する又は部分的に硬化することによって、又は実施方法によって望ましくない位置から堆積した金属を潜在的に除去することによって（工程４０５））。複数のダイオード１００〜１００Ｊは、典型的にゲル又は他の化合物若しくは混合物中に懸濁され（例えばダイオードインク中に懸濁され）、次いで１つ以上の第１導体の上に堆積され（工程４１０）、典型的に、印刷又はコーティングを介して、複数のダイオード１００〜１００Ｊと１つ以上の第１導体との間にオーミック接触を形成する（これは例えば様々な化学的反応、圧縮、及び／又は加熱を含むがこれに限定されない）。
誘電、すなわち絶縁材料、１つ以上の絶縁体、すなわち誘電体層３１５を形成するために、例えば誘電体インクは次いで複数のダイオード１００〜１００Ｊ上に、又はこれの周囲に（例えばダイオード１００〜１００Ｊの周囲に）堆積され（並びに、硬化されるか、又は加熱される）（工程４１５）。次に１つ以上の第２導体３２０（これは任意に透過性であっても、又は透過性でなくてもよい）が次いで、複数のダイオード１００〜１００Ｊの上に堆積され、これと接触し（例えば誘電体層３１５の上及びダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの上面の周囲に）、硬化し（又は加熱され）（工程４２０）、また１つ以上の第２導体（３２０）と複数のダイオード１００〜１００Ｊとの間のオーミック接触を形成する。代表的な実施形態では、アドレス可能なディスプレイ、複数の（透過性の）第２導体３２０などが複数の第１導体３１０と実質的に垂直に方向付けられる。（任意に、対応する１つ以上の（透過性）第２導体の上で、１つ以上の第３導体内は堆積される（及び硬化されるか、又は加熱される））。
他の選択肢として、工程４２０の前又はその間に、機能していない状態で、ないしは別の方法で欠陥のあるダイオード１００〜１００Ｊは取り外されているか、無効にされている状態で試験が実施されてもよい。例えば、ＰＶダイオードに関して、部分的に完成している装置の表面（第１面）は、レーザー若しくは他の光源を用いて走査されてもよく、領域（又は個々のダイオード１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ）が予期される電気的応答を提供しないとき、は、強力なレーザー又は他の除去技法を使用してそれは取り除かれてもよい。また例えば、電源が入っている発光ダイオードに関して、表面（第１面）は、光検出器を用いて走査されてもよく、領域（又は個々のダイオード１００〜１００Ｊ）が予期される光出力を提供しないとき、及び／又は過剰な電流が流れているときは（すなわち所定量を超える電流）、それはまた強力なレーザー又は他の除去技法を使用してそれは取り除かれてもよい。実施によって、例えばどのように機能していない、又は故障しているダイオード１００〜１００Ｊが取り除かれるかによって、かかるテスト工程は、以下の工程４２５、４３０又は４３５の後の代わりに実施されてもよい。安定化層３３５は次いで、１つ以上の第２導体３２０の上に堆積され（工程４２５）、続いて放射層３２５が安定化層の上に堆積される（工程４３０）。複数のレンズ（別途図示されていない）もまた一般的に、ポリマー、結合剤、又は他の化合物若しくは混合物中に懸濁されて、レンズ効果又はレンズ粒子インク若しくは懸濁液を形成し、次いで放射層の上に、一般的に印刷を介して配置されるか、又は印刷され、ポリマー中に懸濁した複数のレンズを含む事前に形成したレンズパネルは、部分的に完成した装置の第１面に取り付けられ（積層プロセスを介してなど）、保護コーティング（及び／又は選択された色の）のいずれかの任意の堆積が続き（工程３５５）、本方法は終了してもよく、工程４４０に戻る。
本開示のＬＥＤが低温出力であるとすると、一実施形態では、装置はヒートシンク及び／又は冷却フィン等を使用しない。
本発明のＬＥＤが様々な材料の上に印刷することができるとすると、デバイスの「電球」部分の形状及び寸法はほとんど無制限。一実施形態では、発光電力消費構成要素は、錐体の形状に形成された基板を含み、ここではＬＥＤは錐体の内側及び錐体の外側上に印刷される。１回の反復で、錐体の内側上のＬＥＤは起動し、「スポットライト」照明効果をもたらす。２回目の反復で、錐体の外側上のＬＥＤが起動し、「日除け」又は「拡散」効果を作る。３回目の反復で、錐体の内側及び外側の両方上のＬＥＤは、起動されて、最大光量を提供する。
電力供給構成要素及び電力消費構成要素の様々な構成が企図される。電力供給構成要素はトラックシステムを含んでもよく、電力消費構成要素はＬＥＤ光ストリップを含んでもよい。ＬＥＤ光ストリップは、電力及び／又はデータを受容するためのトラックシステムに取り外し可能に接続されてもよい。あるいは、電力供給構成要素は、壁のソケットに差し込むのに適したプラグを含んでもよく、光を放射する電力消費構成要素はＬＥＤシート、好ましくは可撓性シート。
これまで説明したように、デバイスの「電球」部分の形状及び寸法（すなわち、光を放射している電力消費構成要素、又は電球アセンブリ７０２）はほぼ無制限。例えば、図６５で示されるように照明装置７００は、電球アセンブリ７０２を有してもよく、これは照明要素、例えば側壁７０３を含んでもよく、この照明要素は、以下においてより詳細に記載される方法で電球基部７１０に結合される。側壁７０３は、これまで説明したＬＥＤ組成物を含む。本明細書で使用するとき、表面が照明されているとして、又は照明することができるとして記載されているとき、示されている表面はＬＥＤ組成物を含む。以下において更に詳細に説明されているように、側壁７０３を含む材料の前面、後面、又は両面（並びに、絶面及び／又は後面の部分）は照明することができる。電球アセンブリ７０２の側壁７０３は、材料の単一シートから形成されてもよく、又は個々のシートのそれぞれが、材料の単一シートとして集合的に機能することができる方法で電気的に連結されている２つ以上のシート材料によって形成されてもよい。材料の２つ以上のシートは、当該技術分野において既知の任意の方法（例えば超音波溶接、接着剤、又は機械的結合を含む）によって、集合的に側壁７０３を形成するよう固定されてもよい。側壁７０３、又は以下に記載される実施形態における照明シート若しくは要素の任意のものは、非平滑化表面（図示せず）を有してもよい。非平滑化プロセスは、照明したシートの製造中に実施されてもよく、又は製造したシート上に第２の操作として実施されてもよい。表面の質感は、任意の適切な表面粗さ又は波形を有してもよい。例えば、表面の質感の粗さは、シートが照明されていないときに艶消しガラスの外観を与えることができる。更に、透明層が照明シートの表面上に配置されてもよく、透明層の厚さは、表面の質感をもたらすために様々であってもよい。
更に図６５を参照して、側壁７０３が円筒を形成するように、電球アセンブリ７０２の側壁７０３は、底部の縁部７０６の寸法と実質的に等しい直径を有する、上部の縁部７０４を含んでもよい。上部の縁部７０４は、ある面に収容されてもよく、この面は実質的に水平であってもよい。そのように構成されて、電球アセンブリ７０２は、従来の電球と同様の外形を有して、電球アセンブリ７０２が、従来の電球を使用するように設計されている照明装置内に挿入できるようにしてもよい。例えば、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の側壁７０３は高さＨ及び外形Ｄを有してもよく、これらはそれぞれ従来の電球の電球の高さ（ネジ基部は除く）及び最大外形と実質的に等しい。より具体的には、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の側壁７０３は高さＨ及び外形Ｄを有してもよく、これらはそれぞれＡ１９白熱電球の高さ（ネジ基部は除く）及び最大外形（すなわち約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）並びに約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ）それぞれ）と実質的に等しい。しかしながら、高さＨ及び外形Ｄはそれぞれ、従来の電球の高さＨ及び／又は外形Ｄ（又は最大外形）と一致しない値など任意の好適な値を有してもよい。
上記の電球アセンブリ７０２の側壁７０３の形状及び寸法の任意の数の変形例が企図される。例えば、側壁７０３の上方の縁部７０４の面は、図６６に示されているように、水平の基準面に対してある角度で配置されてもよい。更に、図６７に示されているように、上方の縁部７０４は、２つ以上の縁部の区分７１２から構成されてもよく、２つ以上の縁部の区分７１２のそれぞれは、隣接する縁部の区分７１２とは異なる角度で配置されて、例えば鋸刃のパターンを形成してもよい。しかしながら、２つ以上の縁部の区分７１２のそれぞれは、そのようなパターンが繰り返れるように同一であってもよい。例えば、２つ以上の縁部の区分７１２のそれぞれは、半円形状を有してもよく、又は図６８に示されるように正弦波形状を有してもよい。更なる実施形態は、繰り返し又は非繰り返しの縁部の区分７１２を有し得る上方の縁部区分７０４を有してもよく、これは任意の形状又は形状の組み合わせを形成してもよい。図６６、６７、６８、又は以下に説明される実施形態のいずれかにおいて示される実施形態の任意の側壁７０３の最大高さ及び外形は、例えば従来の電球、例えばＡ１９電球の電球高さ（ネジ基部は除く）及び最大外形に実質的に等しくてもよい。しかしながら、最大高さＨ及び最大外形Ｄはそれぞれ、従来の電球の高さＨ及び／又は外形Ｄ（又は最大外形）と一致しない値など任意の好適な値を有してもよい。電球アセンブリ７０２はまた、カバー要素（図示せず）を含んでもよく、これは少なくとも側壁７０３の上に部分的に配置され、このカバー要素は、電球基部７１０に堅く固定され、側壁７０３に対する保護をもたらすことができる。このカバー要素は例えば透明なプラスチック材料から作られてもよい。あるいは、カバー要素は、特定の用途に適した任意の材料から作られてもよく、又は任意の形状を有してもよい。
図１０１Ａに示されているように、側壁７０３の実施形態は複数の長手方向のスロット８７０を有してもよく、これは上方の縁部７０４に隣接する点まで、及び底部の縁部７０６に隣接する点まで延びてもよい。このため、側壁７０３の上方の縁部７０４が、長手方向において、底部の縁部７０６のほうに配置されたとき、スロット８７０の間に配置された側壁７０３の部分は、図１０１Ｂに示されるように半径方向において外側に広がる。側壁７０３は、側壁７０３の外側に広がった部分が所望の位置に留まるのを可能にする記憶材料を含んでもよい。あるいは、支持構造体、例えば中央軸部の周囲に摺動可能に配置されているハブ（図示せず）が使用されて、所望の位置で側壁７０３を維持してもよい。
図１０２Ａ及び１０２Ｂに示されている更なる実施形態では、側壁７０３は、複数の交互の折り畳み部８７２によって扇状の形状に形成されてもよく、側壁７０３の第１端部は電球基部７１０（又は基部アセンブリ７３５）に固定されてもよい。したがって、図１０２Ａに示されている第１位置では、側壁７０３は、電球基部７１０の長手方向軸に沿って、又はこれと平行な比較的平坦な構成で延びてもよい。図１０２Ｂに示されている第２位置では、側壁７０３の第２部分は、第１端部に対して外側に配置されてもよく、これによって側壁７０３を扇樣の形状にする。側壁７０３は、側壁７０３が所望の位置に留まるのを可能にする記憶材料を含んでもよい。あるいは、側壁７０３の最外部分は重りが付けられて、側壁７０３が扇樣の形状を維持するのを引力が可能にするようにしてもよい。側壁７０３の第１面及び／又は第２面の任意の部分は照明することができてもよい。
更なる実施形態では、側壁７０３の上方の縁部７０４は、開口部７０８を画定してもよく、これは例えば、側壁７０３の内面７１４上で作られた照明が上方に投影されるのを可能にする。しかしながら、図６９に示されているように、実質的に水平な上面７１６は、電球アセンブリ７０２が開口部７０８を有さないように、側壁７０３の上方の縁部７０４を交差してもよい。あるいは、リップ部（図示せず）が上面７１６を超えて軸方向に延びるように、上面７１６は上方の縁部７０４から内側にオフセットされてもよい。電球アセンブリ７０２の他の実施形態では、上面７１６は水平でない場合があるが、その代わりに、水平の基準面に対する、ある角度で配置される場合がある。或いは、上面７１６は曲線を付けて成形されてもよく、あるいは任意の他の非平坦な形状、又は例えば平坦な形状及び／又は非平坦な形状の組み合わせを有してもよい。より具体的には、上面は例えば、円錐形状又は半球状を有してもよい。上面７１６は、接着剤によって、又は機械的結合によって（例えばタブ／スロット構成）、あるいは１つ以上の側壁７０３又は上面７１６に付着するカラーの使用によって側壁７０３に結合されてもよい。あるいは、側壁７０３及び上面７１６は、材料の単一片から形成されてもよく、これによって、材料の単一片は側壁７０３及び上面７１６の両方から折り畳むことができる。
図７０で示されているように、電球アセンブリ７０２は、周方向壁部７１８を含んでもよく、これは側壁７０３の上方の縁部７０４を超えて軸方向に延び、上面７１６と交差する。周方向壁部７１８は任意の好適な形状、例えば円錐台形の形状又は円形などを有してもよい。更に、上面７１６と交差する代わりに、周方向壁部７１８の上方縁部は、開口部７０８を画定してもよく、又は周方向壁部７１８は、開口部７０８を画定する内側に延びているリップ部を含んでもよい。周方向壁部７１８は、複数の壁区分（図示せず）を含んでもよく、これは集合的に周方向壁部７１８を構成し、壁区分は平坦であっても、及び／又は凹凸があってもよい。
以下により詳細に記載されるように、電球アセンブリ７０２の側壁７０３の任意の部分は照明することができる。例えば、図６５に示される実施形態では、側壁７０３の外面７２０は、第１の色で照明することができ、側壁７０３の内面７１４は第２の色で照明することができる。あるいは、外面７２０及び内面７１４の両方は同じ色で照明することができる。他の実施形態では、内面７１４のみが照明する。図７１に示されているこの構成では、反射面７２２は、電球基部７１０に隣接する側壁７０３によって形成される円筒の内部に配置されてもよく、反射面７２２は実質的に略放物線状の形状を有して、側壁７０３の内面７１４から内側に向けられた光を、開口部７０８の外に反射することができる。上記の略放物線状の形状の代わりに、反射面４２２は任意の好適な形状、又は形状の組み合わせ、例えば平坦、楕円、双曲線、又はファセットなどを有してもよい。反射面７２２の代わりに、電球アセンブリ７０２は、図７２に示されているように、開口部７０８を通じて向けられた光を投影するよう照明することができる内側挿入部７２４を含む場合がある。内側挿入部７２４は平坦であってもよく、側壁７０３の底部の縁部７０６に隣接して、又はこれに接触して配置されてもよい。しかしながら、内側挿入部７２４は、側壁７０３の内部に任意の軸方向の一で配置されてもよく、並びに、内側挿入部７２４は、開口部７０８を通じて光を方向付けるのに適した任意の形状又は形状の組み合わせを有してもよい。内側挿入部７２４、又は反射面７２２は、側壁７０３の内面７１４の直径よりもわずかに小さい外形を有してもよい。例えば、側壁７０３の概形Ｄは、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））に相当し、内側挿入部７２４又は反射面７２２の外形は約５７．２ｍｍ（２ １／４インチ）である場合がある。しかしながら、内側挿入部７２４又は反射面７２２は任意の直径を有してもよい。電球アセンブリ７０２の更なる実施形態では、２つ以上の家ち側挿入部７２４は、側壁７０３内に配置されもよく、内側挿入部７２４は、特定の用途に適した任意の形状又は寸法を有してもよい。同様に、２つ以上の反射面７２２が側壁７０３内に配置されてもよく、反射面７２２は、特定の用途に適した任意の形状及び寸法を有してもよい。更に、反射面７２２及び内側挿入部７２４は、側壁７０３の内側に配置されてもよい。
図７３に示されているように、１つ以上の窓部７２６は、側壁７０３及び上面７１６のいずれか又はこの両方上に配置されてもよい。１つ以上の窓部７２６のそれぞれは、任意の形状又は形状の組み合わせ、例えば星型、楕円形、円形、又は多角形などを有してもよい。更に、１つ以上の窓部７２６は文字、シンボル、ロゴ、単語、又は数の形状をとってもよい。電球アセンブリ７０２の実施形態では、１つ以上の窓部７２６は側壁７０３上に配置されてもよく、側壁７０３は内面７１４上のみで照明されてもよい。１つ以上の窓部７２６の合計表面積は、側壁７０３の全体の利用可能な表面積の割合を構成する場合があり（すなわち、窓部７２６が存在しない場合は、側壁７０３の合計表面積）、この割合は任意の好適な値であり得る。例えば、図７３に示される窓部７２６の合計表面積は、側壁７０３の全体の利用可能な表面積の２５％を構成する場合がある。
上記で簡単に説明したように、側壁７０３の底部の縁部７０６は、当該技術分野において既知の任意の手法によって（例えば接着剤又は機械的結合などによって）、電球基部７１０に結合されてもよく、これは以下により詳細に説明される。より具体的には、図７４に示されているように、底部の縁部７０６に隣接する側壁７０３の部分は、電球基部７１０の上方に突出している周方向隆起部７３０に接着剤で固定されてもよい。示されているように、隆起部７３０の内面は、側壁７０３の外面７２０に接着剤で結合されてもいが、隆起部７３０の外面は、側壁７０３の内面７１４に接着剤で結合されてもよい。あるいは、側壁７０３の底部の縁部７０６から延びるタブ（図示せず）は、電球基部７１０の表面上に形成された細長いスロット（図示せず）内に受容されてもよい。更に、１つ以上の内側に向けられた機構、例えばポスト又はスタブは、電球基部７１０の内面から突出してもよく、それぞれ電球基部７１０の内側に向けられている機構は、側壁７０３の底部の縁部７０６に隣接して配置された開口部内に受容されてもよい。代替の実施形態では、１つ以上のプラスチックのタブ（図示せず）は、当該技術分野において既知のいずれかによって（例えば接着剤によって、又は機械的締結によって）底部の縁部７０６に隣接する側壁７０３に固定されてもよく、プラスチックタブは、電球基部７１０に形成されたタブスロット（図示せず）内に受容されてもよい。電球アセンブリ７０２の更なる実施形態では、カラー（図示せず）は、側壁７０３の一部（例えば側壁７０３の底部の縁部７０６に隣接して配置される外側に延びるタブ）を固定する方法で電球基部７１０に固定されてもよい。カラーは、タブ／スロット接続によって、又は例えばネジ式接続によって電球基部７１０に結合されてもよい。
以下でより詳細に記載されるように、側壁７０３（並びに上面７１６及び周方向壁部７１８）は、当該技術分野において既知の任意の手法によって電球基部７１０に電気的に連結されてもよい。例えば、１つ以上の雄ピン又はブレードは側壁７０３の底部の縁部７０６から下方に突出してもよく、雄ピン又はブレードは、電球基部に形成された容器又はスロット内に受容されてもよい。
図８４に示されている実施形態では、側壁７０３は、電球基部７１０上に取り外し可能に定置されてもよく、これは、ベースアセンブリ７３５と一体形成される。以下により詳細に記載されるように、ベースアセンブリ７３５は、側壁７０３が照明できるようにする任意の電源に結合するよう適合される。例えば、図８４に示されているように、ベースアセンブリ７３５は電源に結合するためにエジソンネジを有する下方部分を含む。電球アセンブリ７０２の側壁７０３は、切頭集光円錐台形の形状を有する場合があり、周方向の伝導性ストリップ７３８は、側壁７０３の底部の縁部７０６に隣接して配置されてもよい。底部の縁部７０６、及び側壁７０３の上方の縁部７０４の直径は任意の値を有してもよく、底部の縁部７０６の直径は、上方の縁部７０４の直径よりも大きい。例えば、底部の縁部７０６の直径はＡ１９白熱電球の最外外形−約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ）とほぼ等しくてもよく、上方の縁部７０４の直径は約４４．５ｍｍ（１ ３／４インチ）であってもよい。電球基部７１０は、切頭集光円錐台形の形状を有してもよく、これは、底部の縁部７０６に隣接する側壁７０３の内面７１４が、周方向外面７４０の上にぴったりと合い、これによって電球基部７１０に側壁７０３が結合するように、側壁７０３の形状に概ね一致する。電球基部７１０は、任意の好適な値である最大外形を有してもよい。例えば、最大外形は底部の縁部７０６に外形とほぼ等しいか、又はわずかに大きくてもよい。更に、１つ以上の磁石が電球基部７１０及び側壁７０３上に配置されて、側壁７０３を電球基部７１０に互いに固定してもよい。あるいは、１つ以上の隆起部（すなわち戻り止め）が側壁７０３のうちの１つの上に形成されてもよく、並びに１つ以上の隆起部が、電球基部７１０上に形成された、対応する隆起部（すなわち戻り止め）と係合することができる。そのように組み立てることで、電球基部７１０の外周の周囲に配置された伝導性ストリップ７４２は、側壁７０３が電球基部７１０に電気的に連結されるように、側壁７０３上に配置される伝導性ストリップ７３８と接触してもよい。
図７５に示される更なる実施形態において、電球アセンブリ７０２の側壁７０３が、図６５に示される円筒形状の代わりに、実質的に枝分かれしている円錐台形の形状を有してもよい。より具体的に、側壁７０３は、底部の縁部７０６の直径よりも大きい直径を有する上方の縁部７０４を含んでもよい。例えば、上方の縁部７０４の直径は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ同じであってもよく、底部の縁部７０６の直径は約４４．５ｍｍ（１ ３／４インチ）であってもよい。しかしながら、側壁７０３の形状における差以外で、図７５の電球アセンブリ７０２は、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよく、図７５の電球アセンブリ７０２は、上記の図６５の実施形態の機構のいずれか、又は全てを含んでもよい。例えば、図７５に示されているように、切頭円錐形状の側壁７０３の上方の縁部７０４は、ある平面に限定されてもよく、その平面は実質的に水平であってもよい。あるいは、平面は、図６６に示される実施形態と同様に、水平基準面に対してある角度で配置されてもよい。更に、切頭円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態はまた、例えば上方の縁部７０４に沿って縁部区分７１２、外周壁部７１８、反射面７２２、及び内側挿入部７２４、並びに／又は１つ以上の窓部７２６を含んでもよい。更に、切頭円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性は、上記の図６５に示される電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性と同一であってもよい。例えば、側壁の内面７１４又は外面７２０のいずれか又は両方は上記の方法で照明することができる。
図７６に示される更なる実施形態において、電球アセンブリ７０２の側壁７０３が、図６５に示される円筒形状の代わりに、実質的に収束している円錐台形の形状を有してもよい。より具体的に、側壁７０３は、底部の縁部７０６の直径未満の直径を有する上方の縁部７０４を含んでもよい。例えば、底部の縁部７０６の直径は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ同じであってもよく、上方の縁部７０４の直径は約４４．５ｍｍ（１ ３／４インチ）であってもよい。しかしながら、側壁７０３の形状における差以外で、図７６の電球アセンブリ７０２は、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよく、図７６の電球アセンブリ７０２は、上記の図６５の実施形態の機構のいずれか、又は全てを含んでもよい。例えば、図７６に示されているように、切頭円錐形状の側壁７０３の上方の縁部７０４は、ある平面に限定されてもよく、その平面は実質的に水平であってもよい。あるいは、平面は、図６６に示される実施形態と同様に、水平基準面に対してある角度で配置されてもよい。更に、切頭円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態はまた、例えば上方の縁部７０４に沿って縁部区分７１２、外周壁部７１８、反射面７２２、及び内側挿入部７２４、並びに／又は１つ以上の窓部７２６を含んでもよい。更に、切頭円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性は、上記の図６５に示される電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性と同一であってもよい。例えば、側壁の内面７１４又は外面７２０のいずれか又は両方は上記の方法で照明することができる。
図７７に示される更なる実施形態において、電球アセンブリ７０２の側壁７０３は、上記の収束している切頭円錐形状の代わりに、実質的に円錐形状を有してもよい。より具体的には、側壁７０３の断面直径は、底縁部７０６から、側壁７０３の最上部分に配置されている先端部７３２まで、軸方向において絶えず減少してもよい。円錐の高さ及び直径は任意の好適な値を有してもよい。例えば、底部の縁部７０６の直径は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ等しくてもよく、円錐の高さは、Ａ１９白熱電球の高さ−約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）とほぼ等しくてもよい。側壁７０３の形状における差以外で、図７７の電球アセンブリ７０２は、図６５及び図７６に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよい。例えば、円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態はまた、１つ以上の窓部７２６を含んでもよい。更に、円錐形状の側壁７０３を有する電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性は、上記の図６５に示される電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性と同一であってもよい。例えば、側壁の内面７１４又は外面７２０のいずれか又は両方は上記の方法で照明することができる。
図７８Ａ及び７８Ｂに示される更なる実施形態では、電球アセンブリ７０２の側壁７０３は、複数の切子面７３４から構成されてもよい。側壁７０３は、任意の数の切子面７３４を含んでもよく、側壁７０３は任意の全体的な形状をとってもよい。例えば、図７８Ａ及び７８Ｂで示されるように、側壁７０３の上部は、切頭収束のピラミッドの形状をとってもよく、側壁７０３の中間部分は立方対の形状をとってもよく、側壁７０３の下部は、切頭の分岐しているピラミッドの形状をとってもよい。しかしながら、側壁７０３の形状における差以外で、図７８Ａ及び７８Ｂの電球アセンブリ７０２は、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよく、図７８Ａ及び７８Ｂの電球アセンブリ７０２は、上記の図６５の実施形態の機構のいずれか、又は全てを含んでもよい。例えば、図７８Ａ及び７８Ｂに示されているように、切頭円錐形状の側壁７０３の上方の縁部７０４は、ある平面に限定されてもよく、その平面は実質的に水平であってもよい。更に、図７８Ａ及び７８Ｂの実施形態はまた、例えば上方の縁部７０４に沿って縁部区分７１２、外周壁部７１８、反射面７２２、及び内側挿入部７２４、並びに／又は１つ以上の窓部７２６を含んでもよい。更に、図７８Ａ及び７８Ｂの電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性は、上記の図６５に示される電球アセンブリ７０２の実施形態の機能性と同一であってもよい。例えば、側壁の内面７１４又は外面７２０のいずれか又は両方は上記の方法で照明することができる。
切子面７３４を有するバルブアセンブリ７０２の更なる実施形態では、側壁７０３の図７９に示される切子面７３４は、収束している切頭の円錐形状を形成してもよく、これは、分岐している切頭円錐形状の側壁７０３を有する、図７５の実施形態と実質的に同一であってもよい。あるいは、図７９に示される切子面は、側壁７０３の断面形状が、側壁７０３の長手方向軸に沿って一定であるように、実質的に水平であってもよい。更に、図８０に示されているように、側壁７０３は、長手方向に配置された切子面７３４を含んでもよく、これは隣接する切子面７３４に対してある角度で配置され、長手方向に配置された切子面７３４は垂直であってもよく、又は、側壁７０３が電球基部７１０から軸方向に外に延びるときにつれて収束するように、又は分岐するように、垂直の基準軸に対してある角度で配置されてもよい。上記の切子面は実質的に平坦であるが、１つ以上の切子面７３４は、凹凸があっても、湾曲しても、ないしは別の方法で非平坦であってもよい。上記の実施形態のいずれかにおいて、側壁７０３の最大外形及び全体の高さは任意の値を有してもよい。例えば、側壁７０３の最大外形は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ等しくてもよく、側壁７０３の全体高さは、Ａ１９白熱電球の高さ−約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）の最大高さとほぼ等しくてもよい。
電球アセンブリ７０２の更なる実施形態では、側壁７０３は、図８１に示されるような楕円の形状、又はいずれか他の非円形の形状を有してもよい。かかる非円形形状は実質的に円筒形であってもよく、又は電球基部７１０に向かって収束してもよく、若しくは電球基部７１０から外に分岐してもよい。更に、側壁７０３は、平坦面及び湾曲面の両方を含み得る断面形状を有してもよい。更に、側壁７０３は、断面形状が長手方向に沿って、及び既知であり側壁７０３の軸がないように、非均一の断面形状を有してもよい。例えば、図８３に示されているように、側壁は実質的に螺旋状の形状を有してもよく、側壁７０３の内面７１４は、第１の色で照明されてもよく、外面７２０は第２の色で照明されてもよい。代替の実施形態では、螺旋形状の側壁７０３は、図１１０に示されるように、円形の卵型の、又は他の曲線的な形状を有するシートから形成されてもよい。側壁７０３の形状における差以外で、図８１及び８３の電球アセンブリ７０２は、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよく、図８１及び８３の電球アセンブリ７０２は、上記の実施形態の機構のいずれか、又は全てを含んでもよい。上記の実施形態のいずれかにおいて、側壁７０３の最大外形及び全体の高さは任意の値を有してもよい。例えば、側壁７０３の最大外形は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ等しくてもよく、側壁７０３の全体高さは、Ａ１９白熱電球の高さ−約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）の最大高さとほぼ等しくてもよい。
図８２に示される更なる実施形態では、１つ以上の側壁７０３は電球アセンブリ７０２に含まれてもよい。例えば、第１の直径を有する円筒形の第１側壁７０３ａは、上記の手法で電球基部７１０に固定されてもよい。第１の直径よりも小さい第２の直径を有する円筒形の第２側壁７０３ｂは、第１側壁７０３の軸及び第２側壁７０３の軸が同軸上であるように、既知の手法で電球基部７１０に結合されてもよい。しかしながら、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂはそれぞれ、任意の適した断面形状を有してもよく、並びに軸方向にオフセットされてもよい。更に、図８２に示されているように、第２側壁７０３ｂは、軸方において第１側壁７０３ａを超えて延びてもよい。あるいは、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂは任意の適した高さを有してもよい。例えば、第１側壁７０３ａの最大外形は、Ａ１９白熱電球の最大外形（約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ））とほぼ等しくてもよく、第２側壁７０３ｂの全体高さは、Ａ１９白熱電球の高さ−約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）の最大高さとほぼ等しくてもよい。更に、１つ以上の追加の側壁（図示せず）は、バルブ７１０に固定されてもよく、１つ以上の追加の側壁は、任意の適した寸法、形状、又は相対配向を有してもよい。
側壁７０３の形状における差以外で、図８２の電球アセンブリ７０２は、図６５に示されている電球アセンブリ７０２の実施形態と実質的に同一であってもよく、図８２の電球アセンブリ７０２は、上記の実施形態の好適な機構のいずれか、又は全てを含んでもよい。例えば、第１側壁７０３ａの外面７２０ａは、第１の色で照明することができ、第２側壁７０３ｂの外面７２０ｂは第２の色で照明することができる。更に、側壁７０３ａ、７０３ｂのいずれか又は全ては、任意の好適な形状を有する１つ以上の窓部７２６を有してもよい。更なる実施例として、反射面７２０は、第２側壁７０３ｂの内部の中に配置されてもよく、第２側壁７０３ｂの内面７１４ｂは、デバイス７００の上の位置で焦点照明を提供するよう照明してもよい。第２側壁７０３ｂの内面７１４ｂが照明している間、第１側壁７０３ａの外面７２０ａは照明され、調光されてもよい。
図８５に示される更なる実施形態では、軸部７４４は電球基部７１０から上方に延びてもよく、軸部７４４は、電球基部７１０の少なくとも一部と共に一体型部分として形成されてもよく、又は電球基部７１０に固定されてもよい。複数のロッド７４６は、円筒形の側壁５０３を支持するように軸部７４４から変形方向に延びてもよく、電球の軸部７１０を側壁７０３に結合する電気接続子は、軸部７４４の内部内、及び少なくとも１つのロッド内に延びてもよい。単一の円筒形の側壁７０３の代わりに、側壁５０３は、任意の形状、及び図８２に示されているように使用され得る２つ以上の側壁５０３を有してもよい。上記の機能性及び形状はまた、図８５に示されている電球アセンブリ７０２内に組み込まれてもよい。更に、図８６に示されるように、ヒンジ７４８は、電球基部７１０に隣接して軸部７４４の長さに沿って配置されてもよく、これによって軸部７４４の下部は、軸部７４４の上部に対して旋回してもよい。
更なる実施形態では、側壁７０３は、実質的に円筒形状から実質的に切頭円錐形状に変形してもよく、又は逆もまた同様。例えば、図８７Ａ及び８７Ｂに示されている実施形態では、半円筒形の第１側壁７０３ａは、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂは実質的に円筒形状を有するように、一対の逆方向に配置されたヒンジ７５０の周囲で半円筒形の第２側壁７０３ｂに結合される。ヒンジ７５０は、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂを円筒形の側壁部分７０３ｃに固定し、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂの内径は、円筒形の側壁部分７０３ｃの外形よりもわずかに大きくてもよい。そのように構成されて、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂのそれぞれは、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂが実質的に切頭台形の形状を有するように、ヒンジ７５０を中心として旋回する。ヒンジ７５０は、所望の位置で摩擦が第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂを維持するように、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂ、並びに円筒形部分７０３ｃ周囲で密接に固定される。このヒンジは、第１側壁７０３ａと第２側壁７０３ｂとの間の１つ以上の電気接続を形成してもよい。
更に図８７Ａ及び８７Ｂを参照して、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂは当該技術分野において既知の任意の手法で、所望のいちに旋回されてもよい。例えば、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂは所望の位置まで手動で旋回されてもよい。あるいは、電球基部７１０と第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂとの間の機械的結合は、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂを所望の位置に枢動させ得る。例えば、回転するカラー（図示せず）は、電球基部７１０に対するカラーの回転が、カラーの軸方向の変位となるように、電球基部７１０にねじ方式で結合されてもよい。とりわけ、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂのそれぞれは、ヒンジ７５０の間のある位置でカラーに固定されてもよく、電球基部７１０に対するカラーの回転は、カラーに固定された第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂの点を、上方に又は下方に変位させ、これによって第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂを所望の位置まで枢動させる。カラーは互いに回転されてもよく、又は電球基部７１０内で、又はこの外に配置されたモーターによって回転されもよい。モーターは、スイッチ、タイマー、光センサ、音声コマンド、又は当該技術分野において既知のいずれかの方法により始動されてもよい。
第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂが上記で説明されているが、任意の数又は形状の側壁が使用されてもよい。例えば、図に８８に示されている実施形態では、第１側壁７０３ａ、第２側壁７０３ｂ、及び第３側壁７０３ｃが使用されてもよい。更に、第１側壁７０３ａ及び第２側壁７０３ｂ（又は任意の追加の側壁）を実質的に円筒形状から、実質的に切頭台形の形状まで移動するための任意の手段が、デバイス５００に組み込まれてもよい。例えば、細長いハンドル（図示せず）は、側壁７０３の内部を通じて延びてもよく、剛性ロッド（図示せず）は、ハンドルが軸方向に変位したとき（手動により又は他の手段により）、ロッドが側壁を所望の位置まで押す、又は引くように、ハンドル及び各側壁に枢動可能に固定されてもよい。中央の軸方向軸部から半径方向に延びて側壁７０３を摺動する、入れ子のアクチュエータもまた、例えば電球基部７１０に対して側壁７０３を枢動するレバーとして企図される。
図８９Ａ及び８９Ｂに示される実施形態では、照明要素７５２は、細長い軸部７５４の遠位端に配置される。照明要素７５２は実質的に平坦であってもよく、並びにディスクの全体的な形状を有してもよい。例えば、ディスクは、従来のくぼみとして形成される照明キャニスターの標準的な直径よりも大きい直径を有してもよい。すなわち、くぼみとして形成される照明キャニスターが１２７ｍｍ（５インチ）の直径を有する場合、照明要素７５２は１７７．８ｍｍ（７インチ）の直径を有してもよい。いくつかの実施形態では、照明要素は約３ｃｍ〜約５０ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約４０ｃｍの、あるいは約１０ｃｍ〜約３０ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜約３０ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜５０ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜２５ｃｍの、あるいは約２０ｃｍ〜４０ｃｍの、あるいは約２０ｃｍ〜５０ｃｍの、あるいは約２５ｃｍ〜５０ｃｍの直径（すなわち最大寸法）を有してもよい。照明要素２つの照明表面を有してもよい。照明表面は概ね平坦であってもよく、凸状、凹状、又は平坦、凸状、及び凹状のいくつかの組み合わせであってもよい。照明表面のそれぞれは、他方と同様な又は同じ表面積を有してもよい。ぐあ定期には、各照明表面は、約７ｃｍ2〜約２０００ｃｍ2の、あるいは約２０ｃｍ2〜約１３００ｃｍ2の、あるいは約７５ｃｍ2〜約７００ｃｍ2の、あるいは約１７５ｃｍ2〜約７００ｃｍ2の、あるいは約１７５ｃｍ2〜約２０００ｃｍ2の、あるいは約１７５ｃｍ2〜約５００ｃｍ2の、あるいは約３００ｃｍ2〜約１３００ｃｍ2の、あるいは約３００ｃｍ2〜約２０００ｃｍ2の、あるいは約５００ｃｍ2〜２０００ｃｍ2の表面積を有してもよい。しかしながら、照明要素７５２は、寸法、形状、又は所望の用途に好適な形状の組み合わせを有してもよい。例えば、ディスクの代わりに照明要素７５２は、正方形の形状を有してもよい。照明要素７５２は、上部７５６、底部７５８、及び周方向の側部７６０を有してもよく、これらの表面のいずれかは照明することができる。
更に図８９Ａ及び８９Ｂを参照して、軸部７５４は、電球基部７１０から延びてもよく、電球基部７１０はベースアセンブリ７３５と一体形成されている。軸部７５４は、電球基部７１０から延びる第１軸部分７６２ａを含み、第２軸部分７６２ｂは第１軸部分７６２ａから延びる。より具体的に、第２軸部分７６２ｂは、軸部７５４の全体的な軸方向長さが調整可能であるように、第１軸部分７６２ａから入れ子状態で延びることができる。例えば、軸部７５４の最大の全体的な軸方向長さは、従来のくぼみとして形成される照明キャニスターの深さよりも大きくてもよい。例えば、くぼみとして形成される照明キャニスターは、約７ｃｍ〜約８ｃｍの深さを有してもよく、軸部は、約７ｃｍ〜約３０ｃｍの軸方向長さを有してもよく、あるいは、くぼみとして形成される照明キャニスターは約１０ｃｍの深さを有してもよく、軸部は約１０ｃｍ〜約３５ｃｍの軸方向長さを有してもよく、あるいは、くぼみとして形成される照明キャニスターは、約１２ｃｍ〜約１３ｃｍの深さを有してもよく、軸部は約１２ｃｍ〜約４０ｃｍ、あるいはくぼみとして形成される照明キャニスターは約１５ｃｍの軸方向長さを有してもよく、軸部は約１５ｃｍ〜約４５ｃｍの軸方向長さを有してもよい。いずれにせよ、軸部は固定式又は伸縮式であろうとなかろうと、約５ｃｍ〜約１００ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約５０ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約４０ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約７５ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜約１００ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜約７５ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜約５０ｃｍの、あるいは約１５ｃｍ〜約３５ｃｍの、あるいは約２５ｃｍ〜約１００ｃｍの、あるいは約２５ｃｍ〜５０ｃｍの、あるいは約２５ｃｍ〜約４０ｃｍの全体長さを有してもよい。更に、第２軸部分７６２ｂは第１軸部分７６２ａに対して回転してもよい。この相対回転（又は長さ調整）は、照明要素７５２の上部７５６、底部７５８、又は側部７６０の照明を調光若しくは増光し、並びに部分７５６、７５８、７６０のいずれかを照明する又は消灯するようにデバイスの機能を起動させる、又は調整することができる。一実施形態では、第１軸部分は第２軸部分に対して３６０度と同程度に、あるいは３３０度と同程度に、あるいは３００度と同程度に、あるいは２７０度と同程度に、あるいは２４０度と同程度に、あるいは２１０度と同程度に、あるいは１８０度と同程度に、あるいは１５０度と同程度に、あるいは１２０度と同程度に、あるいは９０度と同程度に、あるいは６０度と同程度に、あるいは３０度と同程度に回転することができる。しかしながら、軸部７５４はいずれの機能を有さずに剛性であってもよい。ヒンジ７６４は、照明要素７５２を第２軸部分７６２ｂに結合してもよく、これによって照明要素７５２が軸部７５４に対して枢動できるようにする。しかしながら、照明要素７５２は、第２軸部分７６２ｂに堅く固定されてもよく、ヒンジは軸部７５４に沿って、任意の望ましい位置で配置されてもよい。あるいは、いずれのヒンジも含まれなくてもよく、照明要素７５２は軸部７５４に対して非枢動可能であってもよい。操作において、ベースアセンブリ７３５はくぼみとして形成される照明キャビティ内のソケットに挿入されてもよく、照明要素７５２は、照明された底部７５８が、例えば所望の領域に方向付けられた照明を提供するように回転されてもよい。
図１０３Ａ及び１０３Ｂに示されている実施形態では、照明要素７５２は、照明要素７５２の上部７５６から底部７５８まで延びる複数のスロット８７４を含んでもよい。スロット８７４は任意の所望の位置で配置されてもよい。例えば、図１０３Ａ及び１０３Ｂに示されているように、スロットは、ディスク形状の照明要素７５２の中心付近に同心円状であってもよい。同心スロットの端部は、ディスクの中央の横断部分８７６まで延びてもよく、ディスクの横断部分８７６はディスクの中心を通過する軸８７８に沿って延びてもよい。複数の同心スロット８７６は、複数の円弧形状の置換可能部分８８０を画定し、置換可能部分８８０は、置換可能部分８８０と横断部分８７６の接点で枢動されてもよい。このため、図１０３Ａに示されている第１構成では、置換可能部分８８０は実質的に同一平面上であってもよい。しかしながら、１つ以上の置換可能部分８０は、横断部分８７６に対して枢動されてもよい。より具体的に、図１４５Ｂで示されているように、横断部分８７６を通過する面に対して、第１の置換可能部分８８０の上面を通過する面が、第１の角度（例えば０度から９０度の間）で配置されてもよく、第２置換部分８８０の上面を通過する面は、横断部分８７６を通過する面に対して第２角度（例えば０度から９０度の間）で配置されてもよい。照明要素７５２は、中央の横断部分に対して配置されると、置換可能部分が所望の位置に留まるのを可能にする記憶材料を含んでもよい。
図１０４Ａ及び１０４Ｂに示されている代替の実施形態では、ディスク形状の証明要素７５２は、照明要素７５２の中心付近でらせん状のパターンを形成する単一スロット８７４を有してもよい。そのように構成されると、電球組立体７０２は、図１０４Ｂに示されているように軸部７５４が上方に延びるように配向され、照明要素７５２を含む材料の重量は、照明要素７５２が軸部７５４に巻き付くように、照明要素７５２を軸部７５４を中心に下方に変位させる。あるいは、電球組立体７０２は、図１０４Ａに示されているように軸部７５４が下方に延びるように（ベースアセンブリ７３５が凹状にされた電源コンセントに配置されるよう）配向され、照明要素７５２を含む材料の重量は、照明要素７５２を軸部７５４から下方に変位させる。
図１０５Ａ及び１０５Ｂに示されている更なる代替の実施形態では、水平ロッド８８２は、電球アセンブリ７０２の軸部７５４の遠位端に結合されてもよい。複数の円弧状の照明要素７５２は、ロッド８８２に回転可能に結合されてもよい。より具体的に、各照明要素７５２の第１端部は、ロッド８８２の第１端部に回転可能に接続されてもよく、照明要素７５２の第２端部は、ロッド８８２の第２端部に回転可能に接続されてもよい。そのように構成されると、円弧状の照明要素７５２のいずれか又は全ては、ロッド８８２を中心として所望の位置まで回転されてもよい。更に、円弧状の照明要素７５２のそれぞれは、図１０５Ｂに示されるように、入れ子になった位置で照明要素７５２が維持されるのを可能するように配置され、そのような寸法にされてもよい。
更なる実施形態では、電球アセンブリの照明要素は１つ以上の可撓性の照明ストリップアセンブリ８８４であってもよい。例えば、図１０６に示される電球アセンブリの実施形態では、電球アセンブリ７０２は、第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａ及び第２の照明ストリップセンブリ８８４ｂを含んでもよい。各照明ストリップアセンブリ８８４ａ、８８４ｂは、これまで説明した可撓性照明材料を含む照明ストリップ８８６を含んでもよい。
それぞれの照明ストリップアセンブリ８８４ａ、８８４ｂの照明スチリップ８８６は、望まれる用途に好適な任意の形状を有することができる例えば、図１４８及び１４９で示されているように、第１照明ストリップ８８６ａ及び第２照明ストリップ８８６ｂはそれぞれ細長いリボン樣形状を有してもよいより具体的には、第１照明ストリップ８８６ａ及び第２照明ストリップ８８６ｂは、線状の第１の長手方向縁部８８８、及び第１の長手方向縁部８８８に平行であり、これからオフセットされている線状の第２の長手方向縁部８９０によって部分的に画定されてもよい。横断距離（すなわち、各照明ストリップ８８６の長手方向軸に垂直な距離、すなわち幅）は適切な値を有することができる。例えば、横断距離はおよそ約５０ｍｍ〜約５ｍｍ、あるいは４０ｍｍ〜約１０ｍｍ、あるいは３０ｍｍ〜約１０ｍｍ、あるいは２５ｍｍ〜約５ｍｍ、あるいは約２０ｍｍ〜約１０ｍｍの第１幅の範囲内、あるいはこれらの組み合わせのであってもよい。より具体的には、この距離は約２０ｍｍであってもよい。あるいは、横断距離は、約１０ｍｍ〜約３ｍｍの第２幅の範囲内であってもよい。追加の代替として、横断距離は約５０ｍｍ〜約２５ｍｍの第２幅の範囲内で範囲内であってもよい。更なる実施形態では、第１長手方向縁部８８８及び第２長手方向縁部８９０は非線状（又は線状であるが、非平行）であってもよく、縁部８８８、８９０は収束してもよく、又は分岐してもよく、部分的に湾曲してもよく、縁部の１つ以上の部分に対して角度が付けられてもよい。湾曲した縁部、又は例えば鋸歯状縁部を有する実施形態の横断距離は、その湾曲した又は鋸歯状縁部８８８、８９０を二等分（又は実質的に二等分）する基準線の間の距離であるということを当業者は理解するであろう。更なる実施形態では、各照明ストリップ８８４の横断距離は事前に確立されてもよく、又はユーザーによって決定されてもよい。より具体的には、個々の照明ストリップ８８４は、マスターシートから取り除かれてもよく、マスターシートは長手方向に穿孔されて、各照明ストリップ８８４の所望の幅をユーザーが選択できるようにしてもよい。
照明ストリップアセンブリ８８４の細長い照明ストリップ８８６は、第１端部８９２、及びこの第１端部８９２と反対側の第２端部８９４を有してもよい。いくつかの実施形態では、照明ストリップアセンブリは、第１端部８９２及び第２端部８９４のそれぞれで露出した導電性層を有してもよい。他の実施形態において、照明ストリップアセンブリ８８４は、第１端部８９２及び第２端部８９４の一方又は両方で配置され得る、又はこれらに隣接されて配置され得るコネクタアセンブリ８９６を更に含んでもよい。第１長手方向縁部８８８及び第２長手方向縁部８９０はそれぞれ、照明ストリップ８８４の第１端部８９２から第２端部８９４まで延びてもよい。コネクタアセンブリ８９６はベース分８９８を含んでもよく、ベース分８９８は、細長くてもよく、並びに照明ストリップの長手方向軸に実質的に垂直に配置されてもよい。ベース分８９８は、当該技術分野において既知の任意の方法によって、例えば、例えば照明ストリップ８８６の第１部分８９２及び／又は第２部分８９４の周囲での複数部のベース分の機械的結合によって、締まり嵌めによって、超音波溶接によって、又はスナップ嵌めによって、照明ストリップ８８６の第１端部８９２及び／又は第２端部８９４に固定されてもよい。コネクタアセンブリ８９６は、製造時において、照明ストリップ８８４に接続されてもよく、又は各照明ストリップ８８４の幅がユーザーによって決定され得る場合には、ユーザーによって端部８９２、８９４に固定されてもよい。
コネクタアセンブリ８９６は、照明ストリップ８８６を電源に電気的に連結するよう適合された１つ以上のコンタクト要素９００も含んでもよく、コンタクト要素９００は、照明ストリップ８８６を電源に電気的に連結することができる任意の部品又は部品の任意のアセンブリを含んでもよい各コンタクト要素９００は、ベース分８９８によって照明ストリップ８８６に連結されてもよい。例えば、ベース分８９８は、照明ストリップ８８６の第１端部８９２及び／又第２端部８９４に固定されてもよく、１つ以上のコンタクト要素９００は、１つ以上のコンタクト要素９００が照明ストリップ８８６に電気的に連結されるように、ベース分８９８に連結されてもよい（又はこれによって保持されてもよい）。代替の実施形態では、１つ以上のコンタクト要素９００は、照明ストリップ８８６の第１端部８９２及び／又は第２端部８９４に直接連結されてもよい。図１４９及び１５０に示されるように、コネクタアセンブリ８９６は、単一のコンタクト要素９００を含み、コンタクト要素９００は、細長いプレート９０１の形状をとってもよい。代替の実施形態では、各コンタクト要素９００は１つ以上の円筒形プラグを含んでもよい。細長いプレート９０１（又はコンタクト要素９００の任意の実施形態）は、ベースアセンブリ７３５の対応するスロット９０２内（ベースアセンブリ７３５の上部７３５）に受容されるような寸法であってもよい。１つ以上のコンタクト要素９００は、ベースアセンブリ７３５の上部７３５ａに取り外し可能に連結されてもよい。例えば、１つ以上のスロット９０２は、ベースアセンブリ７３５の上部７３５ａに形成されてもよく、より具体的には、１つ以上のスロット９０２はベースアセンブリ７３５の上部７３５ａの上面９０５内に、又はこの上に形成されてもよい。しかしながら、１つ以上のスロットは、ベースアセンブリ７３５の任意の望ましい位置の上に、例えば、ベースアセンブリ７３５の上部７３５ａの外側円筒形表面上に形成されてもよい。１つ以上のコンタクト要素９００は、１つ以上のスロット９０２内に取り外し可能に受容されるように適合されてもよい１つ以上のコンタクト９０４、例えば、バネ接点は、スロット９０２内に配置されてもよく、１つ以上のコンタクト９０４は、細長いプレート９０１がスロット９０２内に配置されたとき、細長いプレート９０１と物理的接触を維持するよう適合されてもよい。スロット９０２内に配置された１つ以上のコンタクト９０４は、電源と電気的に連結されて、照明ストリップ８８６に電力を供給する。細長いプレート９０１は凹状機構（図示せず）を有してもよく、これは、コネクタおアセンブリ８９６がスロット９０２内に正しく挿入されたときに、スロット９０２内のコンタクト９０４が、凹状機構と係合するように、細長いプレート上に配置されてもよい。コネクタアセンブリ８９６及び／又はベースアセンブリ７３５は、１つ以上のコンタクト要素が、スロット９０２内のコンタクト９０４に対して正しい向きでスロット９０２内に確実に挿入される（例えば、スロット及び細長いプレート内のコンタクト間で正しい極性を維持するために）ようにする１つ以上の機構（図示せず）を含んでもよい。更に、コネクタアセンブリ８９６及び／又はベースアセンブリ７３５は、ベースアセンブリ７３５のスロット９０２から意図せずして外されるのを防ぐ、１つ以上の機構を提供する１つ以上の機構（図示せず）を含んでもよい。
これまで説明してきたように、１つ以上の照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６のそれぞれは可撓性であってもよく、照明ストリップアセンブリ８８４のそれぞれの一方若しくは両方の端部に配置されたコネクタアセンブリ８９６は、ベースアセンブリ７３５に取り外し可能に連結されてもよい。結果として、電球アセンブリ７０２の構成をカスタマイズすることができる。例えば、複数のスロット９０２はベースアセンブリ７３５に提供されてもよく、ユーザーは、第１照明ストリップアセンブリ８８４ａの第１コンタクト要素９００を、所望の第１スロット９０２内へ、及び第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａの第２コンタクト要素９００を所望の第２スロット９０２内へ挿入することができる。ユーザーは、第２照明ストリップアセンブリ８８４ｂの第１コンタクト要素９００を、第３の所望のスロット９０２内へ、及び第２の照明ストリップアセンブリ８８４ｂの第２コンタクト要素９００を第４の所望のスロット９０２内へ挿入することができる。必要に応じて、ユーザーは次いで、第１照明ストリップアセンブリ８８４ａの第１コンタクト要素９００を、第１スロット９０２から取り外し、第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａの第１コンタクト要素９００を、例えば第５スロット９０２内へ挿入することができる。複数のスロット９０２が設けられていることによって、ユーザーは、ベースアセンブリ７３５に対して１つ以上の照明ストリップアセンブリ８８４の構成又は位置を構成することができ、これによってユーザーは審美的に心地良く、個別の照明構成を作ることを可能にする。照明ストリップアセンブリ８８４は、任意の数の形状（例えば曲線的な形状若しくは１つ以上の鋭利な縁部など）に形成されてもよい。
照明ストリップ又はストリップ８８６は任意の好適な長さを有してもよい。例えば、図１４８で示されているように、第１照明ストリップ８８６ａは第１長さを有してもよく、第２照明ストリップ８８６ｂは、第１長さ未満の第２長さを有してもよい。いくつかの実施形態では、照明ストリップ又はストリップ８８６は、約２０ｃｍの、あるいは約１５ｃｍの、あるいは約１０ｃｍの、あるいは約２５ｃｍの、あるいは約３０ｃｍの長さを有してもよい。同様に、２つ以上の照明ストリップ８８６を使用する実施形態では、照明ストリップ８８６は、約１ｃｍ単位で、あるいは約２ｃｍ単位で、あるいは約３ｃｍ単位で、あるいは約４ｃｍ単位で、あるいは約５ｃｍ単位で、あるいは約６ｃｍ単位で、あるいは約７ｃｍ単位で長さが変更してもよい。いくつかの実施形態では、任意の２つのストリップの長さの比は、約１：１〜約１：２、あるいは約１：１〜１：１．５、あるいは約１：１〜１：３、あるいは約１：１〜１：４、あるいは約１：１及び１：５であろう。図示されていないが、変動する寸法の３つ、４つ、５つ、又はそれ以上のストリップが存在してもよい。第２の照明ストリップアセンブリ８８４ｂの第１及び第２コンタクト要素９００は、正面から見たときに照明ストリップ８８６ｂが曲線的なアーチの形状を有するように、ベースアセンブリ７３５内に形成された第１対のスロット９０２に挿入されてもよい。より具体的には、照明ストリップ８８６ｂは、従来の電球の断面の一般的な形状を有してもよい（例えばＡ１９白熱電球など）。更に、第１の照明ストリップアセンブリ８８６ａの第１及び第２コンタクト要素９００は、第１対のスロット９０２に直交して配置された第２対のスロット９０２内に挿入されてもよく、第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａの照明ストリップ８８６ａは、照明から見たときに、曲線的なアーチ（又はループ）の形状をとってもよい。第２照明ストリップ８８６ｂと同様に、第１照明ストリップ８８６ａは、従来の電球の断面の一般的な形状を有してもよい（例えばＡ１９白熱電球など）。第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａは、第２の照明ストリップアセンブリ８８４ｂよりも大きな長さを有しているため、第２照明ストリップ８８６ｂの上部の曲線的な部分は、第１照明ストリップ８８６ｂの上部の曲線的な部分の下に配置される。第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａは、第２の照明ストリップアセンブリ８８４ｂに直交して配置されるため、第１の照明ストリップアセンブリ８８４ａ及び第２の照明ストリップアセンブリ８８４ｂの全体的な形状は、定型化した従来の電球の形状に似ている。
第１長さを有する第１照明ストリップ８８６ａ及び第２長さを有する第２照明ストリップ８８６ｂの代わりに、単一の照明ストリップアセンブリ８８４が、図１５４Ａ及び１５４Ｂに示されているように、ベースアセンブリ７３５に結合されてもよい。単一の照明ストリップアセンブリ８８４は、照明ストリップ８８６の第１端部８９２及び第２端部８９４に隣接して配置配置されたコネクタアセンブリ８９６を有してもよく、コネクタアセンブリ８９６は、上記の方法でベースアセンブリ７３５内に形成された適切なスロット９０２内に受容されてもよい。照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６は、正面から見たときに、曲線的なアーチ（又はループ）の形状をとってもよく、照明ストリップ８８６は、従来の電球の断面の一般的な形状を有してもよい（例えばＡ１９白熱電球など）。このため、照明ストリップアセンブリ８８４の寸法は、従来の電球（Ａ１９白熱電球など）の断面寸法に一致してもよい。具体的な実施例として、曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、Ａ１９白熱電球の高さに一致してもよく、係る高さは約８８．９ｍｍ（３ １／２インチ）であり得る。高さは例えば、アーチ（又はループ）とベースアセンブリ７３５の水平又は実質的に水平の上面との間の垂直距離として定義されてもよい。しかしながら、高さは、アーチ（又はループ）の最上部分と、ベースアセンブリ７３５の上面の任意の好適な部分（例えば、ベースアセンブリ７３５の上面に形成された１つ以上のスロット９０２を部分的に画定する縁部）との間の距離。更なる実施例として、曲線的なアーチ（又はループ）の最大外形は、Ａ１９白熱電球の最大外形に一致してもよく、かかる外形は約６０．３ｍｍ（２ ３／８インチ）であってもよい。
従来の電球（Ａ１９白熱電球など）のものと一致する高さ及び最大外形の代わりに、曲線的なアーチ（又はループ）の高さ及び最外外形値は任意の好適な値を有してもよい。例えば、曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、図１５５Ａ及び１５５Ｂに示されるように、Ａ１９白熱電球の高さ未満（又はこれを大きく下回る）であってもよい。より具体的に、高さは、約１ｃｍ〜約２０ｃｍ、あるいは、約１ｃｍ〜約１５ｃｍの、あるいは約１ｃｍ〜約１０ｃｍの、あるいは約３ｃｍ〜約２０ｃｍの、あるいは約３ｃｍ〜約１５ｃｍの、あるいは約３ｃｍ〜約１０ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約２０ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約１５ｃｍの、あるいは約５ｃｍ〜約１０ｃｍであってもよい。同様に、また図１５５Ａ及び１５５Ｂに示されるように、曲線的なアーチ（又はループ）の最大幅は、Ａ１９白熱電球の最大幅未満であってもよく、最外幅は、例えばＡ１９白熱電球の全体的な部分を維持してもよく、又は維持しなくてもよい。とりわけ、いくつかの実施形態では、曲線状のアーチの最大幅（例えば照明ストリップ８８６によって形成されるループにおいて）は約２ｃｍ〜約２０ｃｍ、あるいは約２ｃｍ〜約１５ｃｍ、あるいは約２ｃｍ〜１０ｃｍ、あるいは約２ｃｍ〜５ｃｍ、あるいは約４ｃｍ〜約２０ｃｍ、あるいは約４ｃｍ〜約１５ｃｍ、あるいは約４ｃｍ〜約１０ｃｍであってもよい。このため、曲線的なアーチ（又はループ）の高さが３８．１ｍｍ（１．５”）である場合、最大幅は約２５．４ｍｍ（１”）となる。すなわち、ループ及び／又はアーチに形成されたときに、照明ストリップ８８６の幅と高さの比率は、約１：１〜約１：３、あるいは約１：１〜約１：２、あるいは約１：１〜約３：４であってもよい。
更なる実施形態では、曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、図１５６Ａ及び１５６Ｂに示されるように、Ａ１９白熱電球の高さ超（又は有意にこれよりも高い）であってもよい。より具体的には、高さは例えば約１２７ｍｍ（５インチ）、１５２．４ｍｍ（６”）、又は１７７．８ｍｍ（７”）であってもよい。同様に、図１５６Ａ及び１５６Ｂに示されているように、曲線的なアーチ（又はループ）の最大幅は、Ａ１９白熱電球の最大幅よりも著しく大きくてもよく、最外幅は、例えば白熱電球Ａ１９の全体的な部分を維持してもよい。このため、曲線的なアーチ（又はループ）の高さは１７７．８ｍｍ（７”）、最大幅は約１２０．６ｍｍ（４．７５”）。
更なる実施形態では、第１照明ストリップ８８６ａは第１長さを有してもよく、第２照明ストリップ８８６ｂは、図１４８を参照して説明したように、第１長さ未満の第２長さを有してもよい。しかしながら、図１５７Ａ及び１５７Ｂに示されるように、第１照明ストリップ８８６ａの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、Ａ１９白熱電球の高さ超（又は有意にこれよりも大きい）であってもよく、第２照明ストリップ８８６ｂの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは第１照明ストリップ８８６ａの曲線的なアーチ（又はループ）の高さよりも有意に小さくてもよい。例えば、第２照明ストリップ８８６ｂの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、Ａ１９白熱電球の曲線的なアーチ（又はループ）の高さと等しいか、又はこれよりも有意に小さくてもよい。例えば、第１照明ストリップ８８６ａの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、例えば約１７７．８ｍｍ（７”）であってもよく、第２照明ストリップ８８６ｂの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは約２５．４ｍｍ（１”）であってもよい。あるいは、第２照明ストリップ８８６ｂの曲線的なアーチ（又はループ）の高さは、第１照明ストリップ８８６ａの曲線的なアーチ（又はループ）の高さよりもわずかに小さくてもよい。更なる実施形態では、第１照明ストリップ８８６ａの曲線的なアーチ（又はループ）の高さ及び第２照明ストリップ８８６ｂの曲線的なアーチ（又はループ）の高さの両方は、Ａ１９白熱電球の高さよりもわずかに小さくてもよい。様々な寸法及び様々な相互の向きを有する任意の数の追加の照明ストリップアセンブリ８８４は、従来の電球（例えばＡ１９白熱電球）の形状に匹敵するように、ベースアセンブリ７３５に結合されてもよいということを当業者は理解するであろう。
これまで説明された（又は以下に説明される）実施形態のいずれかにおいて、照明ストリップ８８６のそれぞれの幅は様々であってもよい。例えば、図１５７Ａ及び１５７Ｂに示される実施形態では、第１照明ストリップ８８６ａ及び第２照明ストリップ８８６ｂは、横断距離の第１幅内の横断幅（すなわち、各照明ストリップ８８６の長手方向軸に垂直な距離、すなわち幅）を有してもよく、両方の横断幅は等しくてもよい。しかしながら、第１照明ストリップ８８６ａ及び第２照明ストリップ８８６ｂは、異なる横断幅を有してもよく、横断幅のそれぞれは、上記のように第１範囲、第２範囲、及び第３範囲から選択されてもよい。更に、２つを超える照明ストリップ８８６が使用される場合、照明ストリップ８８６のいずれかの横断幅は、第１範囲、第２範囲、及び第３範囲から選択されてもよい。例えば、１０の照明ストリップ８８６は、ベースアセンブリ７３５に結合され（又はベースアセンブリ７３５に結合することができる）に結合され、全ての１０の照明ストリップ８８６は、等しい横断距離を有してもよく、横断距離は第２範囲内であってもよい。照明ストリップの全ての長さが等しくてもよく、照明ストリップのいずれか又は全ての流さは変化してもよいということを当業者は理解するであろう。
上述のように、照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６は可撓性であってもよい。より具体的には、照明ストリップ８８６は、材料を製造するために使用される材料に従う任意の好適な曲げ弾性率を有してもよい。更に、材料の曲げ弾性率に関わらず、材料は、構造体の電気的及び／又は物理的一体性を損なうことなく（例えば、材料の層を剪断させる、電気構成要素を短絡させることなく、等）、それが曲げられ得る最小半径を有してもよい。本明細書で使用するとき、この最小半径は、「最小曲げ半径」と呼ばれる。最小曲げ半径及び曲げ弾性率は、使用される基板材料及び材料の望ましい可撓性によって、特定の用途に従って変化してもよい。例えば、第１基板材料を使用する照明ストリップ８８６は、４〜２５の曲げ半径を有してもよく、一方で、第２基板材料を使用するディスクの形態の照明要素７８２は、著しく大きい約１００ｍｍ〜２００ｍｍ又はそれ以上の最小曲げを有してもよい。したがって、いくつかの実施形態では、照明ストリップ８８６は、約１０ｍｍ〜約２０ｃｍ、あるいは約１０ｍｍ〜約１０ｃｍ、あるいは約１０ｍｍ〜約５ｃｍ、あるいは約３ｃｍ〜約５ｃｍ、あるいは約３ｃｍ〜約１０ｃｍ、あるいは約３ｃｍ〜約２０ｃｍの最小曲げ半径を有する。あるいは、シート７８８は、例えば約１５ｃｍの、より大きな曲げ半径を有して、比較的剛性であってもよい。２つ以上の照明ストリップアセンブリ８８４がある用途に使用される場合、当業者は、照明ストリップ８８６の全ての最小曲げ半径は等しくてもよく、又は照明ストリップ８８６の任意若しくは全ての最小曲げ半径は変化してもよいということを理解するであろう。
照明ストリップ８８６の可撓性によると、第１コネクタアセンブリ８９６は、第２コネクタアセンブリ８９６に対して回転されて照明ストリップを巻きつけることができる。例えば、図１５１に示されているように、単一照明ストリップアセンブリの第１及び第２コンタクト要素９００は、１４５度〜４５度の角度で配置されてもよく、あるいは１００度〜４５度、あるいは１００度〜１４５度、あるいは８０度〜１００度、あるいは約９０度の角度で配置されるスロット９０２内に挿入されて、ベースアセンブリ７３５から延びる細長いアーチを作ることができる。あるいは、図１５２Ａ、１５２Ｂに示されているように、単一の照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６は巻き付けられて複数のループを形成することができる。更に、図１５３Ａ、１５３Ｂに示されるように、２つ以上の照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６は巻き付けられて所望の構成を形成することができる。
照明ストリップアセンブリ８８４の照明ストリップ８８６のそれぞれは、任意の所望の方法で照明することができる。例えば、照明ストリップ８８６のいずれか又は全ての全体の前側表面は、照明することができる。あるいは、全面の一部は照明することができる。他の実施形態において、前側表面の部分は、選択的な照明をすることができ、これによって、照明ストリップ８８６の前側表面全体が、照明されてもよい、又は照明ストリップの前側表面の一部のみが照明されてもよい。同様に、任意の又は全ての照明ストリップ８８６の後側表面全体は、照明することができる。あるいは、後側表面の一部のみが、照明することができ、後側表面の部分は選択的な照明をすることができる。選択的な照明は、これまで説明されたものなど、任意の方法によって制御されてもよい。いくつかの実施形態では、選択的な照明は、照明ストリップによるものであってもよい（すなわち第１照明ストリップは照明されてもよく、その一方で第２照明ストリップは照明されないままであってもよい、等）。
図９０Ａ及び９０Ｂに示される照明装置７００の更なる実施形態では、可撓性コード７６６は、電球基部７１０から延びてもよく、電球基部７１０はベースアセンブリ７３５と一体形成される。ハブ７６８は、コード７６６の遠位端に配置され、複数の支持ロッド７７０はハブ７６８から半径方向の延びてもよい。照明要素７７２は、複数の支持ロッド７７０によって支持されてもよく、支持ロット７７０、ハブ７６８、及びコード７６６は、照明要素７７２を備えるベースアセンブリ７３５を電気的に接続する手段を提供してもよい。照明要素７７２は任意の形状を有してもよく、照明要素７７２の任意の内面及び／又は外面は照明することができる。例えば、図９０Ａ及び９０Ｂに示されるように、照明要素７７２は、概ね円筒形状を形成する、複数の切子面の表面７７４を含んでもよく、切子面の表面７７４の全て（又は一部）は照明することができる。他の実施例は図９０Ｃに示されており、ここでは照明要素７７２は、複数の円筒７７６から構成される。ハブ７６８は、ユーザーが機能設定を選択できるか、又は調整することができる（照明を調光する、又は内部の切子面表面７７４のみの照明に切り替えるなど）ようにするインターフェースを有することができる。
図９３Ａ、９３Ｂ、９３Ｃ、及び９３Ｄに示される他の実施形態では、シートアセンブリ７８７は、シート７８８を含んでもよく、シート７８８の両面は照明することができる。シート７８８は可撓性であってもよく、シートは所与の用途に好適な曲げ半径を有してもよい。例えば、シート７８８は、２５．４ｍｍ（１”）〜１５２．４ｍｍ（６”）の最小曲げ半径を有してもよい。あるいは、シート７８８は、約６０．９６ｃｍ（２４”）のより大きな曲げ半径を有して、例えば実質的に剛性であってもよい。あるいは、シート７８８は、任意の最小曲げ半径、又はこれまで説明した最小曲げ半径の範囲を有してもよい。シート７８８はダイヤモンド形状を有してもよく、図９３Ａ、９３Ｂ、９３Ｃに示されるように実質的に平面状であってもよい。しかしながら、シート７８８は、図９３Ｄに示される凹凸のある形状など、任意の形状又は形状の組み合わせを有してもよい。必要に応じて、シート７８８は、印刷されたパターン若しくは画像、又は他のタイプ若しくは装飾を含んでもよい。電力コード７９０は、シート７８８に電気的に連結されてもよく、電力コード７９０はまた、例えば標準的な壁コンセントなどの電源に連結され得る電力インターフェース７９２に電気的に連結されて、シート７８８を照明するための電力を供給することができる。しかしながら、電力インターフェース７９２は、任意の電源、例えば標準的な照明のソケット又は車のライター差込口とインターフェース接続することができる場合がある。電力コード７９０はシート７８８に恒久的に連結されてもよく、又はそれは取り外し可能に連結されてもよい。機能インターフェース７９４は、シート７８８及び電力インターフェース７９２に電気的に連結してもよく、機能インターフェース７９４は、シート７８８の機能（電源スイッチ、調光器、又は任意の他の好適な機能など）を制御するためのインターフェースを含んでもよい。シートアセンブリ７８７は、シート７８８の第１部分がシートの第２部分に取り付けられるために、少なくとも２つの連結要素７９６を含み得る。例えば、第１連結要素はシートの第１部分に連結されてもよく、第２連結要素はシートの第２部分に連結されてもよく、第１連結要素は第２連結要素を係合するよう適合されて、シートの第１部分をシートの第２部分に取り外し可能に固定してもよい。
図９３Ａ、９３Ｂ、９３Ｃ、及び９３Ｄに示される実施形態の連結要素７９６は、例えばフック・ループ式ファスナー又はフック及び磁気ファスナーなど、シート７８８の少なくとも２つの部分を取り外し可能に連結することができる、当該技術分野において既知の任意の機構であってもよい。更なる実施例として、連結要素７９６は、図９３Ａで示されているように、ダイヤモンド形状のシートの４つの角部のそれぞれに配置されてもよい。連結要素７９６は、図９３Ｃに示されているように、シートを所望の形状で固定するために、メス口８００内に取り外し可能に固定することができるオス凸部７９８を含んでもよい。２つ以上のタイプの連結要素７９６、例えば複数の内側に向けられたスリット８０２が含まれてもよく、シートの縁部は、スリット８０２のうちの１つに挿入されて、図９３Ｂに示されるように所望の位置でシートを固定することができる。シートアセンブリ７８７は、壁から吊り下げられてもよく、天井照明の電源から吊るされてもよく、天井から吊るされてもよく、又は平坦な表面上に配置されてもよい。
図９４Ａから９４Ｅに示される更なる実施形態では、デバイス７００は概して細長い形状を有してもよい。具体的に、ベース８０４は、ほぼ長手方向に延びてよい。ベース８０４は特定の用途のための任意の好適な長さを有してもよく、ベースは、装置７００の全体的な長さが従来的な蛍光照明の付属品とほぼ等しいような寸法にされてもよい。例えば、ベース８０４は、デバイス７００の全体的な長さが３０４．８ｍｍ（１２インチ）、６０９．６ｍｍ（２４インチ）、９１４．４ｍｍ（３６インチ）又は１２１９．２ｍｍ（４８インチ）の長さであるような寸法にされてもよい。ベース８０４は、具体的な用途に関して任意の好適な形状を有してもよい。例えば、図９４Ａで示されているように、ベース８０４は、第１壁部８０６及び第２壁部８０８から構成されてもよく、第１壁部８０６及び第２壁部８０８は、ベース８０４が楔樣の形状を有するように、中央に配置されたスロット壁部８１０を中心として対称的形成されてもよい。ベース８０４は、一体成型された形状として製造されてもよく、又は２つ又はそれ以上の構成要素から組み立てられてもよい。照明要素８１２はベース８０４に連結されてもよく、並びに照明要素８１２は、特定の用途に好適な任意の形状又は寸法を有してもよい。例えば、照明要素８１２は、図９４Ａ及び９４Ｂに示されているように実質的に平坦であってもよく、照明要素８１２は、スロット壁部８１０に沿ってベース８０４の全体長さに沿って延びてもよいしかしながら、照明要素８１２は、例えばベース８０４の長さに沿って離間されるセグメントから構成され得る。全体の照明要素８１２など、照明要素８１２の任意の部分は、以下により詳細に示されるように、照明することができる。
図９４Ａから９４Ｅまでを参照して、カバー８１４は、恒久的な連結又は取り外し可能な連結など、当該技術分野において既知のものによってベース８０４に連結されてもよい。例えば、カバー部８１４の上縁部及び底縁部はそれぞれ、第１壁部８０６及び第２壁部８０８の末端部にそれぞれ形成されたスロット内に摺動してもよい。ベース８０４に固定されたとき、カバー８１４は、例えば凸状、凹状、又は平坦など、任意の断面形状を有してもよい。更に、カバー８１４は、単一の一体型部分から構成されてもよく、又は集合的にカバー８１４を形成するいくつかのセグメントから構成されてもよく、カバー８１４の１つのセグメントは例えば凸状であってもよい。カバー８１４は実質的に艶消されてもよく、又は透明であってもよく、並びにカバー８１４は表面のテクスチャーを有してもよく、又はテクスチャーを有していなくてもよい。更に、カバー８１４は任意の好適な色を有してもよい。代替の実施形態では、カバー８１４は、照明要素８１２の代わりに照明してもよい。
図９４Ａから９４Ｅを参照して、エンドキャップ８１６はベース８０４の各端部に固定されてもよい。各エンドキャップ８１６は任意の形状を有してもよく、エンドキャップ８１６は、カバー８１４／ベース８０４アセンブリの断面と実質的に同一である断面を有してもよい。各エンドキャップ８１６は当該技術分野において既知の任意の方法によって（例えばタブ／スロットアセンブリ、又は締まりばめによってなど）、ベース８０４の各端部に固定されてもよい。エンドキャップ８１６のうちの少なくとも電力インターフェース７９２に連結されてもよい。例えば、エンドキャップ８１６がベース８０４に固定されるとき、照明要素８１２（又はカバー８１４が照明することができる場合はカバー８１４）が電力インターフェース７９２に固定されるように、可撓性コード８１８は、エンドキャップ８１６から電力インターフェース７９２まで延びることができる。機能インターフェース７９４は、照明要素８１２（又はカバー８１４が照明することができる場合はカバー８１４）及び電力インターフェース７９２に電気的に連結されてもよく、機能インターフェース７９４は、照明要素８１２（又はカバー８１４が照明することができる場合はカバー８１４）の機能（例えば電力スイッチ、調光器、又は任意の他の好適な機能）を制御するためのインターフェースを含んでもよい。機能インターフェース７９４は、電力コード８１８に連結されたモジュールなどを含め、デバイス７００の任意の好適な位置では配置されてもよい。あるいは、機能インターフェース７９４は、エンドキャップ８１６又は電力インターフェース７９２と一体形成されてもよい。
図９４Ａから９４Ｅまで更に参照して、２つ以上のカバー８１４／ベース８０４アセンブリは一緒に固定されて、マルチユニットアセンブリ８２２を形成してもよい。個々のカバー８１４及びベース８０４の形状は変化し得るため、マルチユニットアセンブリ８２２は、任意の断面形状又は形状の組み合わせを有してもよい。例えば、図９４Ｃ及び９４Ｅで示されているように、マルチユニットアセンブリ８２２は実質的に円筒形状を有してもよい。あるいは、マルチユニットアセンブリ８２２は、図９４Ｄに示されているように、半円筒形状を有してもよい。カバー８１４／ベース８０４は、タブ／スロット構成の使用によって、又は磁気結合など、当該技術分野において既知である任意の手段により相互に固定することができる。例えば、細長いタブ８２０の一部は、２つの隣接するカバー８１４／ベース８０４アセンブリのそれぞれのベース８０４のスロット壁部８１０によって形成されるスロット内に挿入されて半円筒を形成してもよく、又は細長いタブ８２０の一部は、４つのカバー８１４／ベース８０４アセンブリのそれぞれのベース８０４のスロット８１０によって形成されるスロット内に挿入されて円筒を形成してもよい。マルチユニットアセンブリ８２２が電力コード８１８から吊るされる場合、電力コード８１８は、エンドキャップ８１６のうちの１つ又は全てに連結されてマルチユニットアセンブリ８２２を支持することができるハブに連結されてもよい。
図９５に示される更なる細長い実施形態では、蛍光の交換アセンブリ８２３は、従来の管型の蛍光バルブの形状を有してもよく、これによって蛍光交換アセンブリ８２３は、従来の管タイプの蛍光ソケットに挿入されて、従来の管タイプの蛍光バルブと交換することができる。具体的には、蛍光交換アセンブリ８２３の照明要素８１２は、照明することができてもよく、照明要素８１２は実質的に円筒形であってもよい。照明要素８１２は、剛性の外側シリンダー８２４内に配置されてもよく、外側シリンダー８２４は、例えばプラスチック又はガラスなど、任意の好適な材料から作製されてもよい。照明要素８１２及び外側シリンダー８２４は、示されているように、円筒形状であってもよく、又は任意の断面形状又は形状の組み合わせを有してもよい。更に、照明要素８１２は、設置時に適用されるトルクに耐えるような十分に剛性である場合、外側シリンダー８２４はいずれも使用されなくてもよい。エンドキャップ８２６は、照明要素８１２の両端に配置されてもよい。エンドキャップ８２６は、任意の好適な形状であってもよく、並びに円筒形であってもよく、外側シリンダー８２４のものと実質的に等しい外形を有してもよい。エンドキャップ８２６は、ねじ結合又はタブ／スロット締めなど、当該技術分野において既知の任意の手法によって、外側シリンダー８２４に（いずれの外側シリンダー８２４も使用されていない場合は照明要素８１２に）に堅く固定されてもよい。１つ以上のピン８２８は、エンドキャップ８２６のそれぞれから延びてもよく、ピン８２８は集合的に、従来の蛍光電球をソケットと連結するのに使用される、いくつかの従来の構成のいずれかを形成してもよい。ピン８２８は、電力インターフェース７９２に電気的に連結されてもよく、電力インターフェース７９２は、電力インターフェース７９２が従来のソケットからの電圧を、照明要素８１２を照明するのに好適な電圧に変換することができるように、照明要素８１２に電気的に連結されてもよい。エンドキャップ８２６のうちの一方又は両方は、電力インターフェース７９２を含んでもよく、電力インターフェース７９２はピン８２８及び照明要素８１２に電気的に連結されてもよい。機能インターフェース７９４は、照明要素８１２及び電力インターフェース７９２に電気的に連結されてもよく、機能インターフェース７９４は、照明要素８１２の機能を制御するインターフェース（電源スイッチ、調光器、又は任意の他の好適な機能など）を含んでもよい。機能インターフェース７９４及び電力インターフェース７９２は、１つ又は両方のエンドキャップ７２６に一体形成されてもよい。外側シリンダー８２４の外形（いずれの外側シリンダー８２４も使用されていない場合は照明要素８１２）は、従来の蛍光電球の外形に実質的に等しくてもよい。例えば、外側シリンダー８２４の外形は３８．１ｍｍ（１ １／２インチ）であってもよい。蛍光交換アセンブリ８２３の全体的な長さ（ピン８２８の長さは除く）は、従来の蛍光電球の長さに実質的に等しくてもよい。例えば、蛍光交換アセンブリ８２３の長さは、３０４．８ｍｍ（１２インチ）、６０９．６ｍｍ（２４インチ）、９１４．４ｍｍ（３６インチ）又は１２１９．２ｍｍ（４８インチ）であってもよい。しかしながら、外側シリンダー８２４の外形及び蛍光交換アセンブリ８２３の長さは任意の好適な値を有してもよい。
図９４Ａ及び９４Ｂに示される更なる実施形態では、デバイス７００は、照明することができる前面又は後面を有する照明要素８３０を含んでもよい。照明要素８３０は可撓性又は剛性であってもよく、かつ任意の好適な寸法を有してもよい。正極端子８３２は、第１縁部８３３に沿って照明要素８３０の第１角部上に配置されてもよい。正極端子８３２ａは、照明要素８３０と一体形成されてもよく、又は照明要素８３０に固定されてもよい。負極端子８３４ａは、第１縁部８３３に沿って照明要素８３０の第２角部上に配置されてもよく、並びに負極端子８３４ａは照明要素８３０と一体形成されてもよく、又は照明要素８３０に固定されてもよい。同一の正極端子８３２ｂ及び負極端子８３４ｂは、第２縁部８３５の反対側の角部に連結されてもよい。正極端子８３２ａ、８３２ｂのうちの１つ、及び負極端子８３４ａ、８３４ｂのうちの１つは、要素インターフェース８３６に連結されてもよく、要素インターフェース８３６は、電力インターフェース７９２に電気的に連結されている電力コード８３８を含んでもよい。要素インターフェース８３６は、正極端子８３２ａ、８３２ｂ及び負極端子８３４ａ、８３２ｂの両方を受容することができる任意の形状又は構成であってもよい。例えば、要素インターフェース８３６は、要素インターフェース８３６の長さの全て又は一部に沿って延びる受入スロット８４０を有する、概ね細長い形状を有してもよい。受入スロット８４０は、照明要素８３０の正極端子８３２ａが、要素インターフェース８３６の対応する正極端子に電気的に連結され、並びに照明要素８３０の負極端子８３４ａが、要素インターフェース８３６の対応する負極端子に電気的に連結されるように、照明要素８３０の第１縁部８３３を受容するように適合されてもよい。そのように組み立てられて、壁コンセントなど従来の電源からの電力は、電力インターフェース７９２から照明要素８３０に供給されて、照明要素８３０全体（又は照明要素８３０の一部）を照明させることができる。機能インターフェース７９４は、要素インターフェース８３６及び電力インターフェース７９２に電気的に連結されてもよく、機能インターフェース７９４は、照明要素８３０の機能を制御するインターフェース（電源スイッチ、調光器、又は任意の他の好適な機能など）を含んでもよい。機能インターフェース７９４及び電力インターフェース７９２は一体形成されてもよく、又は機能インターフェース７９４は、図９４Ａに示されているように要素インターフェース８３６上に配置されてもよい。
図９４Ｂを参照すると、照明要素８３０は、組み立て前に、適切な数の照明要素８３０が選択されて、所望の全体長さとなり得るように、照明要素８３０のロール８４２にパッケージ化されてもよい。例えば、各照明要素８３０が長さ３０４．８ｍｍ（１２インチ）であり、かつ長さ６０９．６ｍｍ（２４インチ）が望ましい場合、２つの照明要素８３０がロール８４２から取り除かれてもよい。個々の照明要素８３０は、穿孔部分８４４によって分離されてもよく、隣接する正極端子８３２ａ及び負極端子８３４ｂ（並びに隣接する負極端子８３４ａ及び正極端子８３２ｂ）は、各穿孔部分８４４に沿って分離可能であってもよい。しかしながら、端子８３２ａ、８３２ｂ、８３４ａ、８３４ｂが穿孔部分８４４に沿って分離されないとき、電気接続は、隣接する照明要素８３０間で維持される。
上記の事前に接続された端子の代わりに、端子８３２ａ、８３２ｂ、８３４ａ、８３４ｂは、照明要素８３０の任意の縁部に沿って、任意の位置で相互に挿入されてもよい。例えば、図９４Ｃに示されているように、複数の導電性部材８６４を備える実質的にＣ型本体８６２は、照明要素８３０の所望の縁部の周囲に配置されてもよく、導電性部材８６４が以下により詳細に記載される方法で照明要素８３０の内部に挿入されるように、本体８６２は圧縮されてもよい。第１本体８６２は正極端子であってもよく（例えば、図９４Ｃの左側上の本体８６２）、第２本体８６２（例えば、図９４Ｃの右側上の本体８６２）は、第１本体８６２のものと反対の向きで照明要素８３０上に配置されてもよい。照明要素８３０の適切な角部のそれぞれに適用された適切な正極端子及び負極端子を備えて、照明要素８３０は、要素インターフェース８３６内に挿入され、上記の方法で照明されてもよい。端子は所望の位置に適用することができるため、照明要素８３０は、図９４Ｂに示されるロール８４２に同様のロールから、望ましい寸法に手動で切断されてもよい。
上述のように、照明されたシート、例えば側壁７０３は現像可能な表面として形成されてもよい。より具体的には、現像可能な表面は、歪みのない面上に平坦化され得る表面である（すなわち「延伸」又は「圧縮」）。反対に、現像可能な表面は、面を変形させることによって作ることができる表面である（すなわち、「折り畳み」、「曲げ」、「圧延」、「切断」、及び／又は「接着」）。三次元において、全ての現像可能な表面は、罫線が引かれた表面。表面の各点がそこで、表面上にある直線である場合、表面は罫線が引かれる。最もよく知られた実施例は、円筒又は円錐の面及び湾曲した表面。他の実施例は、空間における平滑な曲線の現像可能な楕円形の準線を備える円錐型の表面、正擬円錐、螺旋形、及び接線。罫線が引かれた表面は常に、移動する直線によって走査される点のセットとして記載される（少なくとも局所的に）。例えば、円錐は、円に沿って他の点を移動しながら、固定された線の１つの点を維持することによって形成される。
図１１２は、光起電回路を含む電球１２１８の１つの例示的な実施形態を示す。電球１２１８は、図５７を参照して説明されるように、複数の別個の発光デバイスの多層材料の層上に配置された多層材料から形成される、切頭直角円錐の形態をとってもよい。本明細書を通して説明されているように実質的に形成される、多層材料及び／又は別個のダイオードデバイスは、多層ダイオード装置を形成する。特に、電球１２１８は、図５７に示されるダイオード装置に類似の連続した装置から形成される装置１２２８であってもよい。図１１３は、装置１２２８の断面図を示す。装置１２２８は、２つの部分から形成された場合、これらはそれぞれ、図５７に示される単一の装置と実質的に同じであり、かつそれぞれのベースが反射性若しくは不透明材料１２２４の反対側の面に結合されるように、結合されてもよい。或いは、装置１２２６Ａ及び１２２６Ｂは単一ベース３０５の反対側上に形成されて装置１２２８を形成してもよい。任意の事象において、そのように配置されて、装置１２２６Ａ及び１２２６Ｂのそれぞれの上のダイオードは、反対側の方向に露出される。
図１１２を再び参照して、電球１２１８は、図１１３の装置１２２８から形成され、装置１２２８の層３３０Ａ及び３３０Ｂにそれぞれ対応し得る内面１２２０及び外面１２２２を有する。したがって、外面１２２２に沿って配置されるダイオード１００Ｂは、図１１３に示されるダイオードに一致してもよく、内面１２２０に沿って配置されるダイオードは、ダイオード１００Ａに一致してもよい。いくつかの実施形態を通じて、ダイオード１００Ａ及びダイオード１００Ｂは発光ダイオードであってもよく、他の実施形態では、ダイオード１００Ａは発光ダイオードであってもよく、ダイオード１００Ｂは光起電ダイオードであってもよい。このように、内面１２２０は光を収集し、その収集した光を保管のために（例えば第２電源１２１４）変換するよう適合されてもよく、その一方で、外面１２２２は、主電源１２０８／第２電源１２１４からのエネルギーを光に変換するよう適合されてもよい。
主電源１２０８又は第２電源１２１４のいずれかが電源ラインである必要はないということが理解される必要がある。実際に、いくつかの実施形態は、第２電源１２１４を省略してもよく、かつ主電源１２０８としてエネルギー保管デバイスを実装してもよく、いくつかの実施形態では、主要電源１２０８及び二次電源１２１４はネルギー保管デバイスであってもよい。例えば図１１２に示される電球１２１８など、発光及び光起電デバイスの両方を有する電球に結合されたとき、照明装置は自己充電であってもよい。例えば、１つの面上の光起電ダイオード（例えば外面１２２２）は、日中、光をエネルギーに変換し、エネルギー保管装置に充電し、同じ面又は異なる面（例えば内面１２２０）上の発光ダイオードは、保管されたエネルギーを夜に光に変換することができる。
電球内の複数の照明回路の使用もまた、それ自体を他の用途に役立てる。いくつかの実施形態では、２つ以上の照明回路のそれぞれは、異なる色又は色温度のＬＥＤに電圧を印加する。図１１４は、発光装置１２３０の２つの層１２３５及び１２４０を示す。層１２３５は図５７のベース層３０５に一致してもよく、層１２４０は図５７の導電性層３１０に一致してもよい。発光装置１２３０の層１２４０は、第１照明回路１２４０Ａ及び第２照明回路１２４０Ｂを含む。第１の色又は色温度の第１の複数の発光ダイオード１２４２Ａは、第１照明回路１２４０Ａに電気的に連結されるように、第１照明回路１２４０Ａ上に配置されてもよい。第２の色又は色温度の第２の複数の発光ダイオード１２４２Ｂは、第２照明回路１２４０Ｂに電気的に連結されるように、第２照明回路１２４０Ｂ上に配置されてもよい。装置１２３０の断面図として取られた図１１５は線Ａ−Ａに沿って取られている。第１照明回路１２４０Ａ及び第２照明回路１２４０Ｂの一方又は両方を選択的に電圧を印加することによって、装置１２３０から放射される光の色及び／又は色温度は選択することができる。例えば、第１の複数の発光ダイオード１２４２Ａが赤の光を放射し、第２の複数の発光ダイオード１２４２Ｂが青の光を放射する場合、赤、青、又はマゼンダの照明は、第１照明回路１２４０Ａ及び第２照明回路１２４０Ｂを選択的に又は組み合わせて通電することによって選択されてもよい。第３の照明回路（図示せず）が装置１２３０に適合される場合は、発光ダイオードの追加の色又は色温度が第３照明回路上に置かれてもよい。いくつかの実施形態では、第３照明回路は、緑の光を放射する複数の発光ダイオードの上に堆積されてもよい。赤、青、及び緑の発光ダイオードを別々の照明回路上で実施することは、赤、青、緑、マゼンダ、黄、シアン、又は白の光の選択を可能にする。
本明細書に記載の照明装置（すなわち装置３００）の略平坦な形態は、装置を、任意の数の形態をとる、無数の照明用途における使用に適したものにする。上記の多くの実施形態が、電源に結合するためにエジソンネジを有するベースアセンブリに結合された円錐及び／又は円筒形の電球アセンブリに関連して説明されている。しかしながら、繰り返し示されているように、記載されている実施形態の多くはエジソンネジを有するベースを必要としない。
いくつかの実施形態では、照明要素は、その構造体内に組み込まれた接触表面を有する場合がある。図１３９は、照明要素１４３８上で定位置に固定された２つの接触表面１４６４及び１４６８を有する照明要素１４３８を示す。接触表面１４６４及び１４６８はそれぞれ、照明要素１４３８内の対応する導電性層１４７０及び１４７２に電気的に連結される。いくつかの実施形態では、接触表面１４６４は、ビア１４７４を介して導電性層１４７０に電気的に連結され、一方、接触表面１４６８はビア１４７６によって導電性層１４７２に電気的に連結される。
いくつかの実施形態では、接触表面１４６４及び１４６８は、自己接着性電極１４７８（例えば図１４０に示されるものなど）を介して電源に結合される。自己接着性電極１４７８は導電性表面１４６８及び１４６４に取り付けられてもよい。導体１４８０は、任意の既知の方法によって接着性電極１４７８に結合されてもよく、いくつかの実施形態では、スナップ機構１４８２によって接着性電極１４７８に連結されてもよい。図１４０で示されている、モジュール式スキームは、ユーザーが２つ以上の照明要素１４３８を直列で電源及び／又は制御器１４８４に結合できるようにする。
本発明では、具体的な実施形態に関して記載してきたが、これらの実施形態は単なる例証であり、本発明を制限するものではない。本明細書の記載において、本発明の実施形態の一貫した理解をもたらすために、電子的構成要素、電気及び構造的接続部、材料、構造変形例などの多くの具体的な詳細が提示されている。本発明の実施形態は、１つ以上の具体的な詳細もなく、又は他の装置、システムアセンブリ、構成要素、材料、部品等を用いて実施することができるということを当業者は理解するであろう。他の場合では、本発明の実施形態の対応を曖昧にすることを避けるために、既知の構造体、材料、又は操作は具体的に示されていない、又は詳細に記載されていない。追加又は同等の方法工程が採用されてもよく、又は他の工程と組み合わされてもよく、又は異なる順序で実施されてもよいということを当業者は更に理解し、これらのいずれか又は全ては本発明の範囲内。更に、様々な図は原寸で描かれてはおらず、限定するものとして見なされるべきではない。
「一実施形態」、「ある実施形態」、又は具体的な「実施形態」に対するこの明細書を通じた参照は、実施形態に関して記載された具体的な機構、構造体、又は特性は、少なくとも１つの実施形態に含まれ、全ての実施形態に必ずしも含まれてはおらず、更に、同じ実施形態を必ずしも参照していない。更に、いずれか具体的な実施形態の具体的な機構、構造体、又は特性は、任意の好適な方法、並びに、他の機構の対応する使用を有さずに選択された機構の使用を含め、１つ以上の他の実施形態との組み合わせに好適ないずかで組み合わされてもよい。更に、多くの修正は、特定の用途、状況、又は材料を本発明の基本的な範囲及び趣旨に適合するためになされてもよい。本明細書で説明され、示される本発明の他の変形例及び修正は、本明細書の教示を考慮すれば可能であり、本発明の趣旨及び範囲の一部として見なされる。
図に示される１つ以上の要素は、特定の用途に従って有用であり得るように、更に分離した、又は一体化した方法で、又は特定の場合では更に、取り除かれるか、操作不可能な状態で実施することができるということが理解されるであろう。構成要素の一体形成された組み合わせはまた、本発明の範囲内である（特に、別個の構成要素の分離又は組み合わせが不明瞭若しくは識別不可である実施形態に関して）。更に、本明細書において用語「結合された」（「結合」又は「結合可能な」など、その様々な形態を含む）は、直接若しくは間接的な電気的、構造的、又は磁気的結合、接続若しくは取り付け、あるいは、そのような直接若しくは間接的な電気的、構造的、若しくは磁気的結合、接続若しくは取り付けに対する適合性又は能力を意味し、かつこれらを含み、これは他の構成要素によって、又はこれを通じて連結される一体形成された構成要素を含む。
本明細書で使用するとき、用語「ＬＥＤ」及びのその複数形は「ＬＥＤｓ」は、電気信号に反応して放射線を生成することができる、エレクトロルミネセントダイオード又は他のタイプの担体注入、すなわちジャンクション系システムを含むことが理解されるべきであり、これは、電流又は電圧、光放射ポリマー、又は有機ＬＥＤ等に反応して光（可視スペクトル内、又は紫外線若しくは赤外線など、任意の帯域幅、又は任意の色若しくは色温度の、他のスペクトルを含む）を放射する様々な半導体系又は炭素系構造体を非限定的に含む。本発明の目的に関して、本明細書で使用されるとき、用語「光起電ダイオード」（すなわちＰＶ）及びその複数形の「ＰＶｓ」は、入射エネルギー（例えば光又は他の電磁波）に反応して電気信号（例えば電圧）を生成することができる、任意の光起電ダイオード又は他のタイプの担体注入、すなわちジャンクション系システムを含むということが理解されるべきであり、これは、光（可視スペクトル内、又は紫外線若しくは赤外線など、任意の帯域幅、又は任意の色若しくは色温度の、他のスペクトルを含む）に反応して電気信号を非限定的に生成又は提供する。
本明細書に開示した寸法及び値は、記載された正確な数値に厳密に限定されるものとして理解されるべきでない。むしろ、特に断らないかぎり、そのようなそれぞれの寸法は、記載された値及びその値周辺の機能的に同等の範囲の両方を意味するものとする。例えば、「４０ｍｍ」として開示された寸法は、「約４０ｍｍ」を意味することを意図する。
本発明の「発明を実施するための形態」で引用した全ての文献は、関連部分において本明細書に援用するが、いずれの文献の引用もそうした文献が本発明に対する先行技術であることを容認するものとして解釈されるべきではない。本書における用語のいずれかの意味又は定義が、参考として組み込まれた文献における同一の用語のいずれかの意味又は定義と相反する限りにおいては、本書においてその用語に与えられた意味又は定義が適用されるものとする。
更に、図面／図における任意の信号矢印は、とりわけ指定がない限り、例示のみであり、限定するものではないと考えられるべき。工程の構成要素の組み合わせは、本発明の範囲内であると見なされ、特にここでは分離又は組み合わせる能力が不明瞭であるか、又は予測可能。選言的用語「又は」は本明細書で及び後に続く請求項にわたって使用されるとき、他に指示がない場合は、「及び／又は」を意味することを一般的に意図され、接続及び選言的意味の両方を有する（かつ「排他的な又は」という意味に限定されない）。本明細書において、及び特許請求範囲にわたって使用されるとき、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、その内容について別段の明確な指示がない限り、複数の指示対象を包含する。また、本明細書において、及び特許請求範囲にわたって使用されるとき、「ｉｎ」はその内容について別段の明確な指示がない限り、「内で」及び「上で」を包含する。
本発明の示された実施形態の前述の説明は、発明の概要において又は要約書において記載されているものを含め、包括的又は本明細書に開示される正確な形態を本発明に限定することを意図していない。前述のものから、多くの変形例又は修正例、及び代替が意図され、本発明の新概念の趣旨及び範囲から逸脱することなく、実施され得るということが認められるであろう。本明細書に示される具体的な方法又は装置に関する制限がないということが意図され、又は推測されるということが理解される必要がある。これは当然、このような変更及び修正の全てが特許請求の範囲内にあるものとして、添付の請求項により網羅されることを意図される。

Claims (129)

  1. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    第１溶媒と、
    粘度調整剤と
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、前記電気信号を前記複数のダイオードに送信するように構成された電気的インターフェースと、
    を備え、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである
    照明装置。
  2. 前記第１溶媒が、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）を含む）、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノール（イソブタノール）を含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項１に記載の装置。
  3. 前記第１溶媒はＮ−プロパノールを含む、請求項１に記載の装置。
  4. 前記第１溶媒が、前記組成物の約５重量％〜５０重量％の量で存在する、請求項１に記載の装置。
  5. 前記粘度調整剤がメトキシルセルロース樹脂を含む、請求項１に記載の装置。
  6. 前記粘度調整剤がヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む、請求項１に記載の装置。
  7. 前記粘度調整剤が、前記組成物の約０．７５重量％〜５重量％の量で存在する、請求項１に記載の装置。
  8. 前記粘度調整剤が、ヘクトライト粘土類、ガラマイト粘土類、有機変性粘土類などの粘土類；グアーガム、キサンタンガムなどの糖類及び多糖類；ヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、メトキシルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース及びヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、セルロースエチルエーテル、キトサンなどのセルロース類及び変性セルロース類；アクリレート及び（メタ）アクリレートのポリマー類及びコポリマー類などのポリマー類、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヒュームドシリカ、シリカ粉末類、変性尿素類；並びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの粘度調整剤を含む、請求項１に記載の装置。
  9. 前記第１溶媒とは異なる第２溶媒を更に含む、請求項１に記載の装置。
  10. 前記第２溶媒が、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロパノール）を含む）、イソブタノール、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノールを含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチル、アジピン酸ジメチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、グルタル酸ジメチル、コハク酸ジメチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；並びにこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒である、請求項９に記載の装置。
  11. 前記第２溶媒が、少なくとも１種の二塩基酸エステルである、請求項９に記載の装置。
  12. 前記第２溶媒が、溶媒和剤又は湿潤溶媒を含む、請求項９に記載の装置。
  13. 前記第２溶媒が、
    グルタル酸ジメチル、及び
    コハク酸ジメチル
    を含み、
    グルタル酸ジメチルとコハク酸ジメチルの比は約２対１（２：１）である、請求項９に記載の装置。
  14. 前記第２溶媒が、前記組成物の約０．１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項９に記載の装置。
  15. 前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜６重量％の量で存在する、請求項９に記載の装置。
  16. 第１溶媒が、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、かつ前記組成物の約５重量％〜５０重量％の量で存在し、前記粘度調整剤が、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、かつ前記組成物の約０．７５重量％〜５．０重量％の量で存在し、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜１０重量％の量で存在する非極性樹脂溶媒を含み、前記組成物の残部は水をさらに含む、請求項９に記載の装置。
  17. 請求項１６に記載の装置を作製する方法であって、前記方法は、
    前記複数のダイオードをＮ−プロパノールと混合することと、
    前記Ｎ−プロパノール及び前記複数のダイオードの混合物を前記メチルセルロース樹脂に添加することと、
    前記グルタル酸ジメチル及び前記コハク酸ジメチルを添加することと、
    前記複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、メチルセルロース樹脂、グルタル酸ジメチル、及びコハク酸ジメチルを空気雰囲気下で約２５〜３０分混合することと、
    を含む、方法。
  18. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことを更に含む、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことは、前記ウェハーの裏面を研削すること及び研磨することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことは、前記ウェハーの裏面からのレーザーリフトオフを更に含む、請求項１８に記載の方法。
  21. 前記第１溶媒が、前記組成物の約１５重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．２５重量％〜２．５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜１０重量％の非極性樹脂溶媒を含み、前記組成物の残部は水をさらに含む、請求項９に記載の装置。
  22. 前記第１溶媒が、前記組成物の約１７．５重量％〜２２．５重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．５重量％〜２．２５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、前記組成物の残部は水をさらに含み、前記組成物の粘度は２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓである、請求項９に記載の装置。
  23. 前記第１溶媒が、前記組成物の約２０重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．２５重量％〜１．７５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、前記組成物の残部は水をさらに含み、前記組成物の粘度は２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約５，０００ｃｐｓである、請求項９に記載の装置。
  24. 前記組成物が、約２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓの粘度を有する、請求項１に記載の装置。
  25. 前記組成物が、約２５℃において約１０，０００ｃｐｓの粘度を有する、請求項１に記載の装置。
  26. 前記複数のダイオードの各ダイオードがＧａＮ及びシリコン基板を含む、請求項１に記載の装置。
  27. 前記複数のダイオードの各ダイオードがＧａＮヘテロ構造体及びＧａＮ基板を含む、請求項１に記載の装置。
  28. 前記複数のダイオードの各ダイオードの前記ＧａＮ部分は、実質的に分葉化しているか、星状であるか、又は環状である、請求項２６又は２７に記載の装置。
  29. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、前記ダイオードの第１面上の第１金属端子、及び前記ダイオードの裏面である第２面上に第２金属端子を有する、請求項１に記載の装置。
  30. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、１つの金属端子又は電極のみを有する、請求項１に記載の装置。
  31. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、前記ダイオードの前記第１面上の少なくとも１つのｐ＋ＧａＮ層又はｎ＋ＧａＮ層から、前記ダイオードの裏面である第２面まで延びる少なくとも１つの金属ビア構造体を有する、請求項１に記載の装置。
  32. 前記金属ビア構造体が、中央ビア、周辺ビア、又は外周ビアを含む、請求項３１に記載の装置。
  33. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約４５０マイクロメートル未満である、請求項１に記載の装置。
  34. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約２００マイクロメートル未満である、請求項１に記載の装置。
  35. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約１００マイクロメートル未満である、請求項１に記載の装置。
  36. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約５０マイクロメートル未満である、請求項１に記載の装置。
  37. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、実質的に六角形であり、直径が約２０〜３０マイクロメートルであり、高さが約１０〜１５マイクロメートルである、請求項１に記載の装置。
  38. 前記粘度調整剤が、接着性の粘度調整剤を更に含む、請求項１に記載の装置。
  39. 前記粘度調整剤は、乾燥又は硬化したとき、前記複数のダイオードの各ダイオードの実質的に周辺部の付近に高分子又は樹脂の格子を形成する、請求項１に記載の装置。
  40. 前記組成物は濡れているときは視覚的に不透明であり、乾燥又は硬化したときは実質的に光学的に透明である、請求項１に記載の装置。
  41. 前記第１溶媒が、実質的に電気的に非絶縁性である、請求項１に記載の装置。
  42. 前記組成物が、約２５度超、又は約４０度超の接触角を有する、請求項１に記載の装置。
  43. 前記複数のダイオードが、シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＮＡｓ、及びＡｌＩｎＧＡＳｂからなる群から選択される少なくとも１つの無機半導体を含む、請求項１に記載の装置。
  44. 前記複数のダイオードが、π共役高分子類、ポリ（アセチレン）類、ポリ（ピロール）類、ポリ（チオフェン）類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）類（ＰＰＶ）及びＰＰＶ誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン類）、ポリインドール、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリアズレン、ポリアゼピン、ポリ（フルオレン）類、ポリナフタレン、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピロール誘導体、ポリチアナフテン、ポリチアナフテン誘導体、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン、ポリジアセチレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリナフタレン、ポリナフタレン誘導体、ポリイソチアナフテン（ＰＩＴＮ）、ヘテロアリーレン基がチオフェン、フラン又はピロールであるポリヘテロアリーレンビニレン（ＰａｒＶ）、ポリフェニレン−スルフィド（ＰＰＳ）、ポリペリナフタレン（ＰＰＮ）、ポリフタロシアニン（ＰＰｈｃ）、及びそれらの誘導体、それらのコポリマー、並びにそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの有機半導体を含む、請求項１に記載の装置。
  45. 前記組成物が、１未満の相対蒸発速度を有し、前記蒸発速度は、１の速度を有する酢酸ブチルに対するものである、請求項１に記載の装置。
  46. 前記組成物は、ベースに結合された第１半導体上に印刷される、請求項１に記載の照明装置。
  47. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    粘度調整剤と
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  48. 前記粘度調整剤がメトキシルセルロール樹脂を含む、請求項４７に記載の装置。
  49. 前記粘度調整剤がヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む、請求項４７に記載の装置。
  50. 前記粘度調整剤が、前記組成物の約０．７５重量％〜５重量％の量で存在する、請求項４７に記載の装置。
  51. 前記粘度調整剤が、ヘクトライト粘土類、ガラマイト粘土類、有機変性粘土類などの粘土類；グアーガム、キサンタンガムなどの糖類及び多糖類；ヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、メトキシルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース及びヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、セルロースエチルエーテル、キトサンなどのセルロース類及び変性セルロース類；アクリレート及び（メタ）アクリレートのポリマー類並びにコポリマー類などのポリマー類、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヒュームドシリカ、シリカ粉末類、変性尿素類；並びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの粘度調整剤を含む、請求項４７に記載の装置。
  52. 第１溶媒を更に含む、請求項４７に記載の装置。
  53. 前記第１溶媒が、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）を含む）、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノール（イソブタノール）を含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項５２に記載の装置。
  54. 前記第１溶媒はＮ−プロパノールを含む、請求項５２に記載の装置。
  55. 前記第１溶媒が、前記組成物の約５重量％〜５０重量％の量で存在する、請求項５２に記載の装置。
  56. 前記第１溶媒とは異なる第２溶媒を更に含む、請求項５２に記載の装置。
  57. 前記第２溶媒が、水；メタノール、エタノール、Ｎ−プロパノール（１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロパノール）を含む）、イソブタノール、ブタノール（１−ブタノール、２−ブタノールを含む）、ペンタノール（１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールを含む）、オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル及びポリエーテル類などのエーテル類；酢酸エチル、アジピン酸ジメチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、グルタル酸ジメチル、コハク酸ジメチルなどのエステル類；エチレングリコール類、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール類、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類などのグリコール類；プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；グリセリン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；並びにこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの溶媒である、請求項５６に記載の装置。
  58. 前記第２溶媒が、少なくとも１種の二塩基酸エステルである、請求項５６に記載の装置。
  59. 前記第２溶媒が、溶媒和剤又は湿潤溶媒を含む、請求項５６に記載の装置。
  60. 前記第２溶媒が、
    グルタル酸ジメチル、及び
    コハク酸ジメチル
    を含み、
    グルタル酸ジメチルとコハク酸ジメチルの比は約２対１（２：１）である、請求項５６に記載の装置。
  61. 前記第２溶媒が、前記組成物の約０．１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項５６に記載の装置。
  62. 前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜６重量％の量で存在する、請求項５６に記載の装置。
  63. 第１溶媒が、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、かつ前記組成物の約５重量％〜５０重量％の量で存在し、前記粘度調整剤が、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、かつ前記組成物の約０．７５重量％〜５．０重量％の量で存在し、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜１０重量％の量で存在する非極性樹脂溶媒を含み、前記組成物の残部は更に水を含む、請求項５６に記載の装置。
  64. 請求項６３に記載の装置を作製する方法であって、前記方法は、
    前記複数のダイオードをＮ−プロパノールと混合することと、
    前記Ｎ−プロパノール及び前記複数のダイオードの混合物を前記メチルセルロース樹脂に添加することと、
    前記グルタル酸ジメチル及び前記コハク酸ジメチルを添加することと、
    前記複数のダイオード、Ｎ−プロパノール、メチルセルロース樹脂、グルタル酸ジメチル、及びコハク酸ジメチルを空気雰囲気下で約２５〜３０分混合することと、
    を含む、方法。
  65. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことを更に含む、請求項６４に記載の方法。
  66. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことは、前記ウェハーの裏面を研削すること及び研磨することを更に含む、請求項６５に記載の方法。
  67. 前記複数のダイオードをウェハーから外すことは、前記ウェハーの裏面からのレーザーリフトオフを更に含む、請求項６５に記載の方法。
  68. 前記第１溶媒が、約１５重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．２５重量％〜２．５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．５重量％〜１０重量％の非極性樹脂溶媒を含み、前記組成物の残部は水をさらに含む、請求項５６に記載の装置。
  69. 前記第１溶媒が、前記組成物の約１７．５重量％〜２２．５重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．５重量％〜２．２５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、前記組成物の残部は水をさらに含み、前記組成物の粘度は２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓである、請求項５６に記載の装置。
  70. 前記第１溶媒が、前記組成物の約２０重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及び／又はシクロヘキサノールを含み、前記粘度調整剤が、前記組成物の約１．２５重量％〜１．７５重量％のメトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含み、前記第２溶媒が、前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルを含み、前記組成物の残部は水をさらに含み、前記組成物の粘度は２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約５，０００ｃｐｓである、請求項５６に記載の装置。
  71. 前記組成物が、約２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓの粘度を有する、請求項４７に記載の装置。
  72. 前記組成物が、約２５℃において約１０，０００ｃｐｓの粘度を有する、請求項４７に記載の装置。
  73. 前記複数のダイオードの各ダイオードがＧａＮ及びシリコン基板を含む、請求項４７に記載の装置。
  74. 前記複数のダイオードの各ダイオードがＧａＮヘテロ構造体及びＧａＮ基板を含む、請求項４７に記載の装置。
  75. 前記複数のダイオードの各ダイオードの前記ＧａＮ部分は、実質的に分葉化しているか、星状であるか、又は環状である、請求項７３又は７４に記載の装置。
  76. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、１つの金属端子又は電極のみを有する、請求項４７に記載の装置。
  77. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、前記ダイオードの第１面上の第１金属端子、及び前記ダイオードの裏面である第２面上に第２金属端子を有する、請求項４７に記載の装置。
  78. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、前記ダイオードの前記第１面上の少なくとも１つのｐ＋ＧａＮ層又はｎ＋ＧａＮ層から、前記ダイオードの裏面である第２面まで延びる少なくとも１つの金属ビア構造体を有する、請求項４７に記載の装置。
  79. 前記金属ビア構造体が、中央ビア、周辺ビア、又は外周ビアを含む、請求項３１に記載の装置。
  80. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約４５０マイクロメートル未満である、請求項４７に記載の装置。
  81. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約２００マイクロメートル未満である、請求項４７に記載の装置。
  82. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約１００マイクロメートル未満である、請求項４７に記載の装置。
  83. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、全寸法において約５０マイクロメートル未満である、請求項４７に記載の装置。
  84. 前記複数のダイオードの各ダイオードが、実質的に六角形であり、直径が約２０〜３０マイクロメートルであり、並びに高さが約１０〜１５マイクロメートルである、請求項４７に記載の装置。
  85. 前記粘度調整剤が、接着性粘度調整剤を更に含む、請求項４７に記載の装置。
  86. 前記粘度調整剤は、乾燥又は硬化したとき、前記複数のダイオードの各ダイオードの実質的に周辺部の付近に高分子又は樹脂の格子を形成する、請求項４７に記載の装置。
  87. 前記組成物は濡れているときは視覚的に不透明であり、乾燥又は硬化したときは実質的に光学的に透明である、請求項４７に記載の装置。
  88. 前記第１溶媒が、実質的に電気的に非絶縁性である、請求項４７に記載の装置。
  89. 前記組成物が、約２５度超の接触角を有する、請求項４７に記載の装置。
  90. 前記組成物が、約４０度超の接触角を有する、請求項４７に記載の装置。
  91. 前記組成物が、１未満の相対蒸発速度を有し、前記蒸発速度は、１の速度を有する酢酸ブチルに対するものである、請求項４７に記載の装置。
  92. 請求項４７に記載の装置を作製する方法であって、前記方法は、
    前記組成物を、ベースに結合された第１半導体上に印刷することを含む、方法。
  93. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    第１溶媒と、
    第２溶媒と、
    約２５℃において実質的に約５，０００ｃｐｓ〜約１５，０００ｃｐｓの粘度を前記組成物にもたらすための粘度調整剤と
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  94. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    第１の湿潤溶媒と
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  95. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオード、及び
    接着性の粘度調整剤
    を含む組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  96. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオード、及び
    約２５℃において実質的に約１，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓの粘度を前記組成物にもたらすための粘度調整剤を
    含む組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  97. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、
    メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、
    第２の非極性樹脂溶媒と
    を含む組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  98. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）組成物であって、
    複数のダイオード、
    前記組成物の約１５重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒、
    前記組成物の約１．２５重量％〜２．５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤、
    前記組成物の約０．５重量％〜１０重量％の二塩基酸エステル
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  99. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）組成物であって、
    複数のダイオードと、
    前記組成物の約１７．５重量％〜２２．５重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、
    前記組成物の約１．５重量％〜２．２５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、
    前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルとを含み、
    前記組成物の粘度は２５℃において実質的に、約５，０００ｃｐｓ〜約２０，０００ｃｐｓである、
    組成物、及び
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェース
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  100. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、
    （ａ）組成物であって、
    複数のダイオードと、
    前記組成物の約２０重量％〜４０重量％の、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、
    前記組成物の約１．２５重量％〜１．７５重量％の、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、
    前記組成物の約０．０１重量％〜６．０重量％の少なくとも１種の二塩基酸エステルとを含み、
    前記組成物の粘度は２５℃において実質的に、約１，０００ｃｐｓ〜約５，０００ｃｐｓである、
    組成物、及び
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェース
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  101. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    Ｎ−プロパノールと、
    メトキシルセルロース樹脂と、
    グルタル酸ジメチルと、
    を含む組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  102. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    Ｎ−プロパノールと、
    ヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、
    グルタル酸ジメチルと
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  103. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    （ａ）
    複数のダイオードと、
    Ｎ−プロパノールと、
    メトキシルセルロース樹脂又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、
    グルタル酸ジメチルと、
    コハク酸ジメチルと
    を含む、組成物と、
    （ｂ）電気信号を受信し、該電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成される電気的インターフェースと、
    を含み、
    （ｃ）前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  104. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための照明装置であって、電源から電気信号を受信し、前記電気信号を、発光する電力消費構成要素に送信するように構成される電力消費構成要素を備え、前記発光する電力消費構成要素は、
    ａ．複数のダイオードと、第１溶媒と、粘度調整剤とを含む、第１組成物と、
    ｂ．複数のダイオードと、粘度調整剤とを含む、第２組成物と、
    ｃ．複数のダイオードと、第１溶媒と、第２溶媒と、粘度調整剤とを含む、第３組成物と、
    ｄ．複数のダイオードと、湿潤溶媒とを含む、第４組成物と、
    ｅ．複数のダイオードと、接着性粘度調整剤とを含む、第５組成物と、
    ｆ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、第２の非極性樹脂溶媒とを含む、第６組成物と、
    ｇ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、二塩基酸エステルとを含む、第７組成物と、
    ｈ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、メトキシルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルとを含む、第８組成物と、
    ｉ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、ヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルとを含む、第９組成物と、
    ｊ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルと、コハク酸ジメチルとを含む、第１０組成物と、
    ｋ．これらの混合物と、
    からなる群から選択される組成物を含み、
    前記発光する電力消費構成要素は、前記電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成され、
    前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    照明装置。
  105. ヒートシンク及び／又は冷却フィンを有さない、請求項１〜１０４のいずれか一項に記載の装置。
  106. 個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のための発光する電力消費構成要素であって、
    ａ．複数のダイオードと、第１溶媒と、粘度調整剤とを含む、第１組成物と、
    ｂ．複数のダイオードと、粘度調整剤とを含む、第２組成物と、
    ｃ．複数のダイオードと、第１溶媒と、第２溶媒と、粘度調整剤とを含む、第３組成物と、
    ｄ．複数のダイオードと、湿潤溶媒とを含む、第４組成物と、
    ｅ．複数のダイオードと、接着性粘度調整剤とを含む、第５組成物と、
    ｆ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、第２の非極性樹脂溶媒とを含む、第６組成物と、
    ｇ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノール、エタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、又はシクロヘキサノールを含む第１溶媒と、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂を含む粘度調整剤と、二塩基酸エステルとを含む、第７組成物と、
    ｈ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、メトキシルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルとを含む、第８組成物と、
    ｉ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、ヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルとを含む、第９組成物と、
    ｊ．複数のダイオードと、Ｎ−プロパノールと、メトキシルセルロース又はヒドロキシプロピルセルロース樹脂と、グルタル酸ジメチルと、コハク酸ジメチルとを含む、第１０組成物と、
    ｋ．これらの混合物と、
    からなる群から選択される組成物を含み、
    前記発光する電力消費構成要素は、電気信号を前記複数のダイオードに送信するよう構成され、
    前記装置は、個人若しくは家庭による私的使用及び／又は消費のためのものである、
    発光する電力消費構成要素。
  107. 照明装置であって、
    第１面上に接着剤を有する可撓性ベースと、
    前記ベースに結合された複数の第１導体と、
    前記複数の第１導体の第１導体上に、実質的に不規則に、かつ平行に分散された複数の発光ダイオードであって、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第１の順バイアス配向を有し、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第２の逆バイアス配向を有する、複数の発光ダイオードと、
    前記複数のダイオードに結合され、かつ前記複数の第１導体の第２導体に結合された少なくとも１つの第２導体と、
    前記少なくとも１つの第２導体又は介在する安定化層に結合された発光層と、
    前記発光層に結合された保護コーティングと、
    前記複数の第１導体に結合された電気的インターフェースと、
    必要に応じて前記電気的インターフェースに結合可能な電源と、
    を備えた、照明装置。
  108. 前記複数の発光ダイオードに結合されたポリマー又は樹脂の格子を更に含む、請求項１０７に記載の民生用照明装置。
  109. 前記装置が少なくとも約１０ｌｍ／Ｗの光を放射する、請求項１０７の照明装置。
  110. 前記複数の発光ダイオードは、直径が約２０マイクロメートル〜約３０マイクロメートルの平均粒径を含む、請求項１０７に記載の照明装置。
  111. 前記ベースが、可撓性材料、多孔質材料、透過性材料、透明材料、半透明材料、不透明材料、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０７に記載の照明装置。
  112. 前記ベースが、プラスチック、高分子材料、天然ゴム、合成ゴム、天然織物、合成織物、ガラス、セラミックス、シリコン誘導材料、シリカ誘導材料、コンクリート、石、押出ポリフォレフィンフィルム、高分子不織布、セルロース系紙、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０７に記載に照明装置。
  113. 前記ベースが電気的絶縁を提供するのに十分であり、前記保護コーティングは耐候性密閉部を形成する、請求項１０７に記載の照明装置。
  114. 前記民生用照明装置は、リールに巻回された形状因子を有し、民生用照明テープを形成する、請求項１０７に記載の照明装置。
  115. 前記装置が、１平方センチメートル当たり約５〜１０，０００のダイオードの、前記複数の発光ダイオードの平均表面積密度を有する、請求項１に記載の照明装置。
  116. 前記装置が、使い捨て吸収性物品、使い捨てウェットワイプ、洗浄器具、及び空気フレシュニング装置からなる群から選択される、請求項１０７に記載の照明装置。
  117. 前記電気的インターフェースが、ＥＳ、Ｅ２７、ＳＥＳ、Ｅ１４、Ｌ１、ＰＬ−２ピン、ＰＬ−４ピン、Ｇ９ハロゲンカプセル、Ｇ４ハロゲンカプセル、ＧＵ１０、ＧＵ５．３、差し込み、及び小型差し込みからなる群から選択される少なくとも１つのインターフェースを含む、請求項１０７に記載の照明装置。
  118. 私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のための照明装置であって、
    半透明若しくは透明ハウジングと、
    前記ハウジングに結合され、かつ電源に結合可能な電気的インターフェースと、
    ベースと、
    前記ベースに結合され、かつ前記電気的インターフェースに結合された複数の第１導体と、
    前記複数の第１導体の第１導体上に、実質的に不規則に、かつ平行に分散された複数の発光ダイオードであって、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第１の順バイアス配向を有し、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一部は、第２の逆バイアス配向を有する、発光ダイオードと、
    前記複数のダイオードに結合され、かつ前記複数の第１導体の第２導体に結合された少なくとも１つの第２導体と、
    前記少なくとも１つの第２導体又介在する安定化層に結合された発光層と、
    前記発光層に結合された保護コーティングと、
    を備え、
    前記装置は、私的使用及び／又は個人若しくは家庭による消費のためのものである、
    照明装置。
  119. 前記複数の発光ダイオードに結合されたポリマー又は樹脂の格子を更に含む、請求項１１８に記載の民生用照明装置。
  120. 前記装置が少なくとも約１０ｌｍ／Ｗの量の光を放射する、請求項１１８の照明装置。
  121. 前記複数の発光ダイオードが、直径が約２０マイクロメートル〜約３０マイクロメートルの平均粒径を含む、請求項１１８に記載の照明装置。
  122. 前記ベースが、可撓性材料、多孔質材料、透過性材料、透明材料、半透明材料、不透明材料、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１１８に記載の照明装置。
  123. 前記ベースが、プラスチック、高分子材料、天然ゴム、合成ゴム、天然織物、合成織物、ガラス、セラミックス、シリコン誘導材料、シリカ誘導材料、コンクリート、石、押出ポリフォレフィンフィルム、高分子不織布、セルロース系紙、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１１８に記載に照明装置。
  124. 前記ベースが電気的絶縁を提供するのに十分である、請求項１１８に記載の照明装置。
  125. 前記保護コーティングが耐候性密閉部を形成する、請求項１１８に記載の照明装置。
  126. 前記装置が、１平方センチメートル当たり約５〜１０，０００のダイオードの前記複数の発光ダイオードの平均表面積密度を有する、請求項１１８に記載の照明装置。
  127. 前記装置が、使い捨て吸収性物品、使い捨てウェットワイプ、洗浄器具、及び空気フレッシュニング装置からなる群から選択される、請求項１１８に記載の照明装置。
  128. 前記電気的インターフェースが、ＥＳ、Ｅ２７、ＳＥＳ、Ｅ１４、Ｌ１、ＰＬ−２ピン、ＰＬ−４ピン、Ｇ９ハロゲンカプセル、Ｇ４ハロゲンカプセル、ＧＵ１０、ＧＵ５．３、差し込み、及び小型差し込みからなる群から選択される少なくとも１つのインターフェースを含む、請求項１１８に記載の照明装置。
  129. 前記ハウジングが、ユーザーの手にフィットするように適合された寸法を有する、請求項１１８に記載の照明装置。
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