JP2014507749A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、発光素子(10)及びその製造方法を開示する。前記発光素子(10)は、発光基板(13)と、発光基板の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層(14)とを含む。発光基板の素材は、YAl12:Tbの透明セラミックスである。発光基板に一層の金属微細構造を有する金属層を設けることにより、陰極線(16)で、前記金属層が発光基板との界面に表面プラズモンを生成する。表面プラズモン効果により、透明セラミックスの自発輻射を強化させ、発光基板の発光効率を大幅に向上させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光材料分野に関し、特に発光素子に関する。本発明は、更に、発光素子の製造方法に関する。
従来、発光基板の材料として、蛍光粉末、ナノ結晶、発光ガラス及び透明セラミックスなどが含まれる。透明セラミックスは、他の発光材料に比べて独特な利点を有している。発光ガラスに比べて、透明セラミックスはより高い発光効率を有し、蛍光粉末、ナノ結晶に比べて、透明セラミックスは、透明で、機械強度が高く、化学的安定性が良いなどの利点を有し、且つ、様々な寸法及び形状の製品に加工し易い。例えば、様々な寸法及び形状の表示装置や照明光源に加工し易い。
例えば、真空マイクロエレクトロニクスの分野では、電界放出デバイスは、通常、発光体として発光セラミックスを利用する。これは、照明及び表示の分野で、広範な応用の見通しを示し、海内外の研究機関で広範に注目された。電界放出デバイスの作動原理は、以下の通りである。即ち、真空環境で、陽極より電界放出陰極アレイ(Field emissive arrays、FEAs)に対して順電圧を印加することにより加速電界を生成し、陰極から放出された電子が陽極板上の発光材料に加速して衝突することにより発光する。電界放出デバイスの作動温度範囲が広く(−40℃〜80℃)、応答時間が短く(1ms未満)、構造が簡単で、電力の消費が低く、環境保護の要求を満たす。
しかしながら、電界放出デバイスの発光材料として透明セラミックスを使用する場合、発光効率が低いと言う問題がある。
上記課題を解決するために、本発明は、化学組成がYAl12:Tbである透明セラミックスを発光基板とする発光素子を提供する。
本発明に係る発光素子は、発光基板と、発光基板の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層とを含み、前記発光基板の素材は、化学組成がYAl12:Tbである透明セラミックスである。
本発明に係る発光素子において、前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であり、前記金属層の厚さが0.5nm〜200nmであっても良い。
本発明の他の目的は、前記発光素子の製造方法を提供する。本発明に係る発光素子の製造方法は、
工程S1:化学組成がYAl12:Tbである透明セラミックスの発光基板を洗浄し、乾燥する工程と、
工程S2:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
工程S3:真空状態で、金属層が製造された発光基板に対して、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
を備える。
前記製造方法の工程S2において、前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であり、前記金属層の厚さが0.5nm〜200nmであっても良い。
前記製造方法の工程S3において、前記アニール処理は、50℃〜650℃温度で、0.5時間〜5時間の真空アニール処理を行い、室温まで自然冷却することを含む。
従来技術に比べて、本発明は以下の利点を有する。
1.本発明に係る発光素子は、発光基板に一層の金属微細構造を有する金属層を設けることにより、陰極線で、前記金属層が発光基板との界面に表面プラズモンを生成することができ、表面プラズモン効果により、発光基板の内部量子効率を大幅に向上させ、即ち、透明セラミックスの自発輻射を強化させ、発光基板の発光効率を大幅に向上した。
2.本発明に係る発光素子の製造方法において、発光基板に一層の金属層を形成して、アニール処理して金属微細構造を製造し得ることのみで、目的とする発光素子が得られる。従って、製造方法が簡単であり、且つコストが低い。
本発明に係る発光素子の構造を示す概要図である。 本発明に係る発光素子の製造工程のフローチャートである。 本発明に係る発光素子の発光方法のフローチャートである。 実施例1の発光素子と金属層が形成されていない透明セラミックスとの発光スペクトルの対比図であり、ここで、陰極線の発光スペクトルの測定条件として、電子ビーム励起の加速電圧が10KVである。
本発明は、発光素子10を提供する。図1に示すように、発光素子10は、発光基板13と、発光基板13の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層14とを含む。前記金属微細構造は非周期的であり、即ち、不規則に配列した金属ナノ粒子からなる。前記発光基板13は、Tbをドーピングしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系である発光性能を持つ透明セラミックスであり、即ち、発光セラミックスであり、通常、Tbをドーピングしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系透明セラミックスであり、その化学組成をYAl12:Tbのセラミックスと示す。
前記発光素子10の金属層14の素材として、化学的安定性の良い金属で形成することができ、例えば、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種の金属で形成することができる。好ましくは、金、銀、アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の金属で形成する。金属層14における金属種として、前記金属の単一金属、または複合金属であることができる。複合金属として、前記金属の二種又は二種以上の合金であることができる。例えば、金属層14が銀アルミニウム合金層又は金アルミニウム合金層であり、銀又は金の重量分率が好ましくは70%以上であることができる。金属層14の厚さとして、0.5nm〜200nmであり、好ましくは1nm〜100nmである。
本発明は、前記発光素子の製造方法を更に提供する。図2に示すように、本発明に係る発光素子の製造方法は、
工程S01:発光基板をアセトン、脱イオン水、無水エタノールで順序に清浄して、ベーキング乾燥又は風乾乾燥を行う工程と、
工程S02:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
工程S03:金属層が製造された発光基板に対して、真空状態で、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
を備える。
前記製造方法の工程S01において、発光基板は、その化学組成がYAl12:TbであるTbをドーピングしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系の透明発光セラミックスを採用する。使用過程において、透明セラミックスを機械加工、研磨等を通じて様々な応用に必要する所望の形状に製造する、即ち発光基板に製造する。
ここで、金属層は、化学的安定性の良い金属素材原料を堆積して生成されることができる。例えば、酸化腐食し難い金属であっても良く、その他常用の金属であっても良く、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。更に、金、銀、アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の金属であることがより好ましい。
前記製造方法の工程S02において、前記金属層は、前記の少なくとも一種の金属を物理的又は化学的気相堆積法により発光基板の表面に堆積することにより形成し、例えば、スパッタリング法又は蒸着法(ただし、これらの2つの方法のみに限られるものではない)で発光基板の表面に形成することができる。金属層の厚さとして、0.5nm〜200nmであり、好ましくは1nm〜100nmである。
前記製造方法の工程S03は、具体的に以下の通りである。
発光基板の表面に金属層を形成した後、50℃〜650℃温度で、1時間〜5時間真空アニール処理を行ってから、室温まで自然冷却する。ここで、アニール温度として、好ましくは100℃〜500℃である。アニール時間として、好ましくは1時間〜3時間である。
図1に示すように、前記発光素子10は、超高輝度と高速作動の発光素子、例えば、電界放出ディスプレイ、電界放出光源や大型広告看板などの製品に広く用いられることができる。電界放出ディスプレイを例として説明すると、電界放出陰極アレイに対して陽極が順電圧を印加して加速電界を生成して、陰極から電子を放射し、即ち金属層14に対して陰極線16を放射し、微細構造を有する金属層14と発光基板13との間に、表面プラズモンを生成して、表面プラズモン効果により、発光基板13の内部量子効率を大きく向上させ、即ち、透明セラミックスの自発輻射を強化させ、更に、発光基板の発光効率を大きく向上させる。従って、発光材料の発光効率が低いと言う問題を解決する。なお、発光基板13の表面に一層の金属層が形成されているため、金属層整体と発光基板13との間に均一な界面を形成して、発光の均一性を高めることができる。
本発明に係る発光素子は、実際の使用過程において、図3に示すように、その発光方法として、以下の工程を含む。
工程S11:発光素子の金属層が形成されている表面を、陰極線放射の前方に取り付ける。
工程S12:金属層に対して陰極線を放射し、陰極線の励起で、金属層と発光基板との間に表面プラズモンを生成して、発光基板の発光を強化させる。
実際の使用過程において、工程S12を実現することにあたって、電界放出ディスプレイや照明光源を採用することができ、真空環境で、電界放出陰極アレイに対して陽極が順電圧を印加して加速電界を生成し、陰極から陰極線を放射して、陰極線の励起で、電子ビームが、まず金属層を突き通して、更に、発光基板を励起して発光させる。この工程に、金属層と発光基板との界面に、表面プラズモン効果を生成して、この効果により、発光基板の内部量子効率を大きく向上させ、即ち、透明セラミックスの自発輻射を強化させ、更に、発光基板の発光効率を大幅に向上させる。
上述したように、電子ビームが金属層を突き通して、発光基板を励起して発光して、発光基板と金属層との間に、表面プラズモンを生成して、YAl12:Tbセラミックスの発光を促進する。
表面プラズモン(Surface Plasmon、SP)は、金属と媒体との界面に沿って広がる波であり、その振幅は、界面から離れる距離に従って、指数関数的に減衰する。金属表面の構造を変更する場合、表面プラズモンポラリトン(Surface Plasmon polaritons、SPPs)の性質、分散関係、励起モード、カップリング効果などは、何れも大きく変化する。SPPsより誘発した電磁界は、光波をサブ波長構造に広がることを制限するだけでなく、光周波数からマイクロ波帯域までの電磁輻射を生成し、制御することができ、光の伝播を主動制御することを実現できる。そこで、本実施形態では、SPPsの励起性能を利用して、発光基板の光学密度を向上させ、その自発輻射速度を増加させる。なお、表面プラズモンのカップリング効果を利用して、発光基板が発光する際に、それとカップリング共振効果を生じることができ、発光基板の内部量子効率を大幅に向上させ、発光基板の発光効率を向上させる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例をさらに詳細に説明する。
実施例1
Tbをドーピングしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系透明セラミックスシート、即ち、化学組成がYAl12:Tbである発光セラミックスを発光基板として、マグネトロンスパッタリング装置を利用して、透明セラミックスの表面に厚さが10nmである銀の金属層を堆積して、その後、それに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、300℃温度で、0.5時間アニール処理を行ってから、室温まで冷却して、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
上記のように製造された発光素子に対して、スペクトル検査を行う。電子銃から放出された陰極線を前記発光素子に衝突して、電子ビームが、まず金属層を突き通して、更に、YAl12:Tbの透明セラミックスを励起して発光して、図4に示すような発光スペクトルを生成する。図示しているスペクトルは、前記発光材料が緑色発光材料であることを示す。図面において、曲線11は、銀の金属層が形成されていないセラミックスの発光スペクトルである。曲線12は、本実施例で製造された金属構造が形成されている発光素子の発光スペクトルである。図面から分かるように、金属層と透明セラミックスとの間に、表面プラズモン効果が生成するため、金属層が形成されていない透明セラミックスに比べて、本実施例に係る金属構造が形成された透明セラミックスの400nm〜650nmの発光積分強度は、金属層が形成されていない透明セラミックスの発光積分強度の2.5倍であり、その発光性能を大幅に向上した。
実施例2
実施例2は、実施例1と基本的に同様であり、以下の点で異なる。発光基板の表面に厚さが0.5nmである金の金属層を堆積し、その後、これに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、650℃温度で、1時間アニール処理を行ってから、室温までに冷却し、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
実施例3
実施例3は、実施例1と基本的に同様であり、以下の点で異なる。発光基板の表面に厚さが200nmであるアルミニウムの金属層を堆積し、その後、これに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、50℃温度で、5時間アニール処理を行ってから、室温までに冷却し、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
以上は、本発明の好ましい実施例に対する詳細な記載であるものの、本発明はこれらの実施形態のみにより限定されるものではなく、本発明の保護範囲は、本発明の特許請求の範囲に基づくものであると理解すべきである。

Claims (10)

  1. 発光基板と、発光基板の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層とを含み、
    前記発光基板の素材は、化学組成がYAl12:Tbである透明セラミックスであることを特徴とする発光素子。
  2. 前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム、又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記金属層の厚さは0.5nm〜200nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  4. 工程S1:発光基板を洗浄し、乾燥する工程と、
    工程S2:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
    工程S3:金属層が製造された発光基板に対して、真空状態で、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
    を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
  5. 前記工程S1において、前記洗浄処理は、発光基板をアセトン、脱イオン水、無水エタノールで順序に清浄することを含むことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
  6. 前記乾燥処理は、ベーキング乾燥又は風乾乾燥を採用することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
  7. 前記工程S1において、前記発光基板の素材は、化学組成がYAl12:Tbである透明セラミックスであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
  8. 前記工程S2において、前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム、又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
  9. 前記工程S2において、前記金属層の厚さは0.5nm〜200nmであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
  10. 前記工程S3において、前記アニール処理は、50℃〜650℃温度で、0.5〜5時間真空アニール処理を行い、室温まで自然冷却することを含むことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
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