JP2014507749A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本発明に係る発光素子は、発光基板と、発光基板の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層とを含み、前記発光基板の素材は、化学組成がY3Al5O12:Tbである透明セラミックスである。
工程S1:化学組成がY3Al5O12:Tbである透明セラミックスの発光基板を洗浄し、乾燥する工程と、
工程S2:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
工程S3:真空状態で、金属層が製造された発光基板に対して、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
を備える。
前記製造方法の工程S3において、前記アニール処理は、50℃〜650℃温度で、0.5時間〜5時間の真空アニール処理を行い、室温まで自然冷却することを含む。
1.本発明に係る発光素子は、発光基板に一層の金属微細構造を有する金属層を設けることにより、陰極線で、前記金属層が発光基板との界面に表面プラズモンを生成することができ、表面プラズモン効果により、発光基板の内部量子効率を大幅に向上させ、即ち、透明セラミックスの自発輻射を強化させ、発光基板の発光効率を大幅に向上した。
2.本発明に係る発光素子の製造方法において、発光基板に一層の金属層を形成して、アニール処理して金属微細構造を製造し得ることのみで、目的とする発光素子が得られる。従って、製造方法が簡単であり、且つコストが低い。
工程S01:発光基板をアセトン、脱イオン水、無水エタノールで順序に清浄して、ベーキング乾燥又は風乾乾燥を行う工程と、
工程S02:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
工程S03:金属層が製造された発光基板に対して、真空状態で、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
を備える。
発光基板の表面に金属層を形成した後、50℃〜650℃温度で、1時間〜5時間真空アニール処理を行ってから、室温まで自然冷却する。ここで、アニール温度として、好ましくは100℃〜500℃である。アニール時間として、好ましくは1時間〜3時間である。
工程S11:発光素子の金属層が形成されている表面を、陰極線放射の前方に取り付ける。
工程S12:金属層に対して陰極線を放射し、陰極線の励起で、金属層と発光基板との間に表面プラズモンを生成して、発光基板の発光を強化させる。
実施例1
Tbをドーピングしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系透明セラミックスシート、即ち、化学組成がY3Al5O12:Tbである発光セラミックスを発光基板として、マグネトロンスパッタリング装置を利用して、透明セラミックスの表面に厚さが10nmである銀の金属層を堆積して、その後、それに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、300℃温度で、0.5時間アニール処理を行ってから、室温まで冷却して、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
実施例2は、実施例1と基本的に同様であり、以下の点で異なる。発光基板の表面に厚さが0.5nmである金の金属層を堆積し、その後、これに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、650℃温度で、1時間アニール処理を行ってから、室温までに冷却し、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
実施例3は、実施例1と基本的に同様であり、以下の点で異なる。発光基板の表面に厚さが200nmであるアルミニウムの金属層を堆積し、その後、これに対して真空度1×10−3Pa未満の真空環境で、50℃温度で、5時間アニール処理を行ってから、室温までに冷却し、金属微細組織を有する金属層を備える発光素子を得る。
Claims (10)
- 発光基板と、発光基板の表面に製造され、且つ金属微細構造を有する金属層とを含み、
前記発光基板の素材は、化学組成がY3Al5O12:Tbである透明セラミックスであることを特徴とする発光素子。 - 前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム、又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記金属層の厚さは0.5nm〜200nmであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 工程S1:発光基板を洗浄し、乾燥する工程と、
工程S2:前記発光基板の表面に一層の金属層を製造する工程と、
工程S3:金属層が製造された発光基板に対して、真空状態で、アニール処理を行い、冷却した後、金属層に金属微細構造を有する発光素子を製造し得る工程と、
を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記工程S1において、前記洗浄処理は、発光基板をアセトン、脱イオン水、無水エタノールで順序に清浄することを含むことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記乾燥処理は、ベーキング乾燥又は風乾乾燥を採用することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 前記工程S1において、前記発光基板の素材は、化学組成がY3Al5O12:Tbである透明セラミックスであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記工程S2において、前記金属層の素材は、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、白金、パラジウム、マグネシウム、又は亜鉛から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記工程S2において、前記金属層の厚さは0.5nm〜200nmであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記工程S3において、前記アニール処理は、50℃〜650℃温度で、0.5〜5時間真空アニール処理を行い、室温まで自然冷却することを含むことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
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FR3038125B1 (fr) * | 2015-06-25 | 2017-07-28 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif cathodoluminescent a rendement ameliore |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57196447A (en) * | 1981-05-19 | 1982-12-02 | Secr Defence Brit | Screen for cathode ray tube |
JPS61285651A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光源装置 |
JPS6339983A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-02-20 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 結晶性及び粉末蛍光体を利用する表示装置 |
JP2002100311A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
JP2003109487A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Canon Inc | 電子励起発光体および画像表示装置 |
JP2006164854A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 蛍光面及び画像表示装置 |
JP2008013607A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fujifilm Corp | Tb含有発光性化合物、これを含む発光性組成物と発光体、発光素子、固体レーザ装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4713577A (en) * | 1985-12-20 | 1987-12-15 | Allied Corporation | Multi-layer faceted luminescent screens |
US20040157237A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | Americal Environmental Systems, Inc. | Optochemical sensing with multi-band fluorescence enhanced by surface plasmon resonance |
US7492458B2 (en) * | 2004-01-05 | 2009-02-17 | American Environmental Systems, Inc. | Plasmon-enhanced display technologies |
FR2910632B1 (fr) * | 2006-12-22 | 2010-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de codage optique par effet plasmon et methode d'authentification le mettant en oeuvre |
CN101339906A (zh) * | 2008-08-12 | 2009-01-07 | 贵州大学 | 新型环境半导体光电子材料β-FeSi2薄膜的制备工艺 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57196447A (en) * | 1981-05-19 | 1982-12-02 | Secr Defence Brit | Screen for cathode ray tube |
EP0067507A2 (en) * | 1981-05-19 | 1982-12-22 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Cathode ray tube screens |
JPS61285651A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光源装置 |
JPS6339983A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-02-20 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 結晶性及び粉末蛍光体を利用する表示装置 |
JP2002100311A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
JP2003109487A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Canon Inc | 電子励起発光体および画像表示装置 |
JP2006164854A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 蛍光面及び画像表示装置 |
JP2008013607A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fujifilm Corp | Tb含有発光性化合物、これを含む発光性組成物と発光体、発光素子、固体レーザ装置 |
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