JP2014506735A - 薄膜太陽電池モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、薄膜太陽電池モジュールに関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは、基板と、基板上に配置される複数のセルと、複数のセルのうち最外郭セルの上部に配置されるリボン電極と、最外郭セルとリボン電極の間に形成されて最外郭セルとリボン電極を接続させる複数の導電性接着部と、複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックス、及び複数のセル上部を横切って配置され集電ボックスとリボン電極を互いに接続するバスバー電極と、を含み、複数の導電性接着部内でバスバー電極に隣接し互いに隣接する第1導電性接着部と第2導電性接着部の間隔は、バスバー電極から第1導電性接着部と第2導電性接着部より相対的に遠く離隔され、互いに隣接する第3導電性接着部と第4導電性接着部の間の間隔より狭く形成される。
【選択図】図1

Description

本発明は、薄膜太陽電池モジュールに関する。
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の減少が予測され、これらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり、これによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
一般的な太陽電池はp型とn型のように互いに異なる導電型(conductive type)によりp−n接合を形成する半導体部と互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
このような太陽電池に光が入射すると半導体で複数の電子-正孔対が生成され、生成された電子-正孔対は、光起電力効果(photovoltaic effect)によって電荷の電子と正孔にそれぞれ分離して、電子はn型の半導体部方向に移動し、正孔はp型半導体部方向に移動する。移動した電子と正孔は、それぞれp型の半導体部とn型の半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、基板に配置される複数のセル、複数のセルのうち最外郭セルの上部に配置されるリボン電極と、最外郭セルとリボン電極の間に形成されて最外郭セルとリボン電極を接続させる複数の導電性接着部と、複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックス、および複数のセル上部を横切って配置され集電ボックスとリボン電極を互いに接続するバスバー電極とを含み、複数の導電性接着部内でバスバー電極に隣接する第1導電性接着部と第2導電性接着部の間の間隔は、バスバー電極から第1導電性接着部と第2導電性接着部より相対的に遠く離隔された第3導電性接着部と第4導電性接着部の間の間隔より狭く形成される。このとき、複数の導電性接着部のそれぞれの長さは互いに等しくことができる。
また、導電性接着部がバスバー電極に近接するほど、導電性接着部の間の間隔は徐々に狭くなるようにすることができる。
また、導電性接着部の長さは、バスバー電極に近接するほど長くなるようにすることもできる。
また、導電性接着部は、電気伝導性の金属物質を含むことができる。
また、複数のセルのそれぞれは、基板の上部に配置される前面電極、前面電極上部に配置された背面電極、および前面電極と背面電極との間に配置され、光の入射を受けて電気に変換する光電変換部を含むことができる。
ここで、リボン電極の幅は、最外郭セルの背面電極幅より狭くすることができる。
また、複数の導電性接着部の幅は、最外郭セルの背面電極幅より狭くすることができる。
また、複数の導電性接着部の幅はリボン電極の幅より狭くすることができる。
また、薄膜太陽電池モジュールは、複数のセルのバスバー電極との間に非伝導性物質の絶縁部と、をさらに含むこともできる。ここで、絶縁部の幅は、バスバー電極の幅より大きくなることがある。
また、本発明の薄膜太陽電池モジュールの他の一例は、基板と、基板に配置された複数のセルと、複数のセルのうち最外郭セルの上部に配置されるリボン電極と、最外郭セルとリボン電極の間に形成されて最外郭セルとリボン電極を接続させる複数の導電性接着部と、複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、および複数のセル上部を横切って配置され集電ボックスとリボン電極を互いに接続するバスバー電極とを含み、複数の導電性接着部内でバスバー電極に隣接する第1導電性接着部の長さは、複数の導電性接着部内で第1導電性接着部より相対的に遠くバスバー電極と離隔された第2導電性接着部の長さより大きく形成される。
ここで、導電性接着部がバスバー電極に近接するほど、導電性接着部の長さは徐々に大きくなるようにすることができる。
本発明の薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。 本発明の薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。 本発明の一例に基づいて、図1に示された太陽電池で、各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。 本発明の一例に基づいて、図1に示された太陽電池で、各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。 本発明の一例に基づいて、図1に示された太陽電池で、各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。 本発明に係る本発明の実施形態に係る導電性接着部の他の一例を説明するための図である。 本発明に係る本発明の実施形態に係る導電性接着部のまた異なる一例を説明するための図である。 本発明に係る本発明の実施形態に係る導電性接着部のまた異なる一例を説明するための図である。
以下では添付した図面を参照して本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ多様な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。
そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を介して類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
図1及び図2は、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
ここで、図1は、薄膜太陽電池10モジュールの平面図を図示したものであり、図2は図1のII-IIのラインに沿って薄膜太陽電池10モジュールの段面を概略的に示したものである。このような図2は、図1に図示された集電ボックス(JB)は省略されて図示されている。
図1及び図2に示すように、本発明に係る薄膜太陽電池10モジュールは、基板100、複数のセル(UC)、リボン電極200、複数の導電性接着部210、集電ボックス(JB)及びバスバー電極300を含み、絶縁部400をさらに含むことができる。
基板100は、他の機能性層が配置することができる空間を用意することができる。また、基板100は、入射する光(Light)が光電変換部(PV)に、より効果的に到達するために、実質的に透明な物質、例えばガラスまたはプラスチック材質からなることができる。
複数のセル(UC)は、基板100の上部に配置され、図2に示すように、複数のセル(UC)のそれぞれは、前面電極110、背面電極140、光電変換部(PV)を含む。
ここで、前面電極110は、基板100の上部に配置され、背面電極140は、前面電極110の上部に配置されるが、前面電極110と背面電極140との間に光の入射を受けて電気に変換する光電変換部(PV)が配置される。このような各セルのさまざまな一例は、図3〜図5で、より具体的に説明する。
このような複数のセル(UC)は、図1及び図2に示すように、薄膜太陽電池の上下方向に図示されたスクライビングライン(P3)によって区分される。
リボン電極200は、図1及び図2に示すように、複数のセル(UC)のうち最外郭セルの上部に配置される。より具体的にはリボン電極200は、最外郭セルの上部に配置された背面電極140の上部に配置されて最外郭セルの背面電極140と電気的に接続される。
このようなリボン電極200は、複数のセル(UC)のうち最外郭セルから光電変換された電気の入力を受け集電ボックス(JB)に電気を集電するためのバスバー電極300に電気を伝達する機能を有する。
ここで、リボン電極200の幅(WL)は、最外郭セルの背面電極140の幅(WE)より狭くなることがある。
このようにすることで、リボン電極200が最外郭セルと直ぐ隣接するセルの背面電極140と電気的に短絡されることを防止することができる。
複数の導電性接着部210は、最外郭セルとリボン電極200との間に形成されて最外郭セルとリボン電極200を接続させる機能を有する。より具体的には、複数の導電性接着部210は、図2に示すように、最外郭セルに含まれる背面電極140とリボン電極200との間に形成されて背面電極140とリボン電極200を交互に接続して背面電極140とリボン電極200との間の接触抵抗を最小化させる機能を有する。
このような導電性接着部210は、導電性の金属物質を含むことができ、一例で、銀(Ag)を含むことができる。このような銀(Ag)金属物質は、電気伝導性が良く、最外郭セルの上部に接着する際にセルの損傷を最小限に抑えることができる。
このような導電性接着部210を形成する方法は、まず、最外郭セルの背面電極140の上部中に導電性接着部210を形成しようとする位置にペースト形態の銀(Ag)金属物質を一定の間隔に離隔させて塗布する。
以降、リボン電極200をペースト形態の銀(Ag)金属物質が塗布された最外郭セルの上部に配置した後、適切な熱と圧力を加えてペースト形態の銀(Ag)金属物質が硬化され、最郊外セルの背面電極140とリボン電極200が互いに電気的に接続するようにして導電性接着部210を形成する。
集電ボックス(JB)は、複数のセルで生成された電力を回収する機能を有し、複数のセル(UC)上部を横切って配置されるバスバー電極300により集電ボックス(JB)は、リボン電極200と互いに接続される。
バスバー電極300は、複数のセル(UC)上部を横切って配置され集電ボックス(JB)とリボン電極200を互に接続する機能を有する。
絶縁部400は、非導電性物質として、複数のセル(UC)の背面電極140とバスバー電極300との間に配置され、複数のセル(UC)上部を横切って配置されるバスバー電極300と複数のセル(UC)のそれぞれの上部に配置される背面電極140との間を絶縁する機能を有する。
このような絶縁部400は、合成樹脂材質から構成することができる。例えば、絶縁部400は、エチレンビニルアセテート(EVA、ethylene vinyl acetate)、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル部分酸化物、ケイ素樹脂、エステル系樹脂、オレフィン系樹脂などからなることができる。このような絶縁部400の幅は、バスバー電極300の幅よりも大きくすることができる。
また、絶縁部400の厚さは、リボン電極200の厚さとほぼ等しくすることができる。
一方、本発明に係る太陽電池モジュールは、複数の導電性接着部210からバスバー電極300に隣接し互いに隣接した第1導電性接着部210a1と、第2導電性接着部210b1の間隔(D1)は、バスバー電極300から第1導電性接着部210a1と、第2導電性接着部210b1より相対的に遠く離隔され、互いに隣接する第3導電性接着部210c1と第4導電性接着部210d1の間隔{D2}より狭く形成される。
すなわち、図1に示すように、バスバー電極300に隣接する2つの導電性接着部(210a1、210b1)との間隔(D1)は、バスバー電極300から相対的に遠く離隔した2つの導電性接着部(210c1、210d1)の間隔(D2)より狭く形成される。このとき、バスバー電極300に隣接する導電性接着部(210a1、210b1)との間隔は、比較的狭い間隔D1程度であり、バスバー電極300から相対的に遠く離間された導電性接着部(210c1、210d1)の間隔は、D1より広い比較的広い間隔D2程度にすることができる。
ここで、前述したように、導電性接着部210との間のギャップを形成することは、バスバー電極300により、電流が集中するところの接触抵抗を最小限にするためである。
より具体的に説明すると、複数のセル(UC)から光電変換された電気は、すべて集電ボックス(JB)で回収されるので、電流の経路は、最外郭セル導電性接着部210、リボン電極200、バスバー電極300、集電ボックス(JB)となる。このような場合には、結局複数のセル(UC)から発生する電流は、バスバー電極300と接続されるリボン電極200の部分に集中し、最終的にバスバー電極300に相対的に近く、隣接する導電性接着部210に電流がさらに集中される。
このような場合には、バスバー電極300に相対的に近く、隣接する導電性接着部210の接触抵抗は、相対的に増えることになり、結局薄膜太陽電池モジュールの効率が低下する現象が発生することになる。
しかし、本発明のように、バスバー電極300に近接するほど、導電性接着部210との間隔が狭くなるように形成すると、バスバー電極300に相対的に近く隣接する部分で最外郭セルとリボン電極200との間の電気的接続通路をさらに拡張することができ、薄膜太陽電池モジュールの効率低下を防止することができる。
また、複数の導電性接着部210のそれぞれの長さ(L1)は、図1に示すように、互いに一定にすることもできるが、これとは異なりバスバー電極300に近接するほど、導電性接着部210の長さが長くなるようすることもできる。これに対するより具体的な説明は、図7及び図8でする。
また、図2に示すように、複数の導電性接着部210の幅(WA)は、最外郭セルの背面電極140の幅(WE)より狭くなることがある。このようにすることで、最外郭セルの背面電極140に電気的に接続される導電性接着部210が最外郭セルと隣接するセルの背面電極140と電気的に短絡することを防止することができる。
より好ましくは、複数の導電性接着部210の幅(WA)は、リボン電極200の幅(WL)よも狭く形成することもできる。本発明の実施の形態では、複数の導電性接着部210の長さ(L1)は、リボン電極の長さ方向に伸びている。そして、複数の導電性接着部210の幅(WA)は、長さ(L1)に垂直である。また、リボン電極200は、背面電極140と共に、各導電性接着部210を囲む。ここで、リボン電極200の一部は、背面電極と直接接触し、残りの部分は接触しないことができる。
次の図3〜図5は本発明に係る図1に示された太陽電池で、各単位セルをより具体的に説明するための図である。
図3に示すように、薄膜太陽電池10は、単層p−i−n構造に形成することができる。
図3では、光電変換部(PV)の構造が入射面からp−i−n構造になることを一例として説明しているが、光電変換部(PV)の構造が入射面からn−i−p構造になることも可能である。しかし、以下では説明の便宜上、光電変換部(PV)の構造が入射面からp−i−n構造になることを一例として説明する。
図3を参照すると、薄膜太陽電池10は、基板100、基板100に配置される前面電極110、背面電極140及び単層p−i−n構造の光電変換部(PV)を含むことができる。
前面電極110は、基板100に配置され、入射する光の透過率を高めるために、実質的に透明かつ電気伝導性を有する材質を含むことが可能である。例えば、前面電極110は、ほとんどの光が通過し、電気が流れるようにする高い光透過度と高い電気伝導度を備えるために、インジウムスズ酸化物(indium tin oxide:ITO)、スズ系酸化物(SnO2など)、AgO、ZnO-(Ga23またはAl23)、フッ素スズ酸化物(fluorine tin oxide:FTO)およびこれらの混合物からなる群から選択されるもので形成することができる。また、前面電極110の比抵抗の範囲は、約10-2Ω・cm〜10-11Ω・cmで有り得る。
このような前面電極110は、光電変換部(PV)と電気的に接続することができる。これにより、前面電極110は、入射される光によって生成されたキャリアのいずれか、例えば、正孔を収集して出力することができる。
また、前面電極110の上部表面には、ランダム(random)のピラミッド構造を有する複数の凹凸が形成されることができる。つまり、前面電極110は、光電変換部(PV)方向にテクスチャリング表面(texturing surface)を備えているのである。このように、前面電極110の表面をテクスチャリングすると、入射する光の反射を低減させ、光の吸収率を向上させることができ、太陽電池10の効率を向上させることが可能である。
一方、図3では、前面電極110にのみ凹凸を形成した場合のみを図示しているが、光電変換部(PV)にも凹凸を形成することが可能である。以下では説明の便宜のために前面電極110にのみ凹凸を形成する場合を例に挙げて説明する。
背面電極140は、光電変換部(PV)が発生させた電力の回収効率を高めるために、電気伝導性に優れた金属物質を含むことができる。また、背面電極140は、光電変換部(PV)と電気的に接続され入射する光によって生成されたキャリアのいずれか、例えば、電子を収集して出力することができる。
ここで、光電変換部(PV)は、前面電極110と背面電極140の間に配置され、外部から入射する光で電力を生産する機能を有する。
このような光電変換部(PV)は、基板100の入射面からp−i−n構造、すなわち、p型半導体層(410p)、真性(i型)半導体層(410i)、n型半導体層(410n)を含むことができる。
ここで、p型半導体層(410p)は、シリコン(Si)を含む原料ガスにホウ素、ガリウム、インジウムなどのような3価元素の不純物を含むガスを用いて形成することができる。
真性(i)半導体層(410i)は、キャリアの再結合率を減らし、光を吸収することができる。このような真性半導体層(410i)は、入射される光を吸収し、電子と正孔のようなキャリアを生成することができる。
このような真性半導体層(410i)は、微結晶シリコン(mc-Si)材質、例えば、水素化された微結晶シリコン(mc-Si:H)を含むこともでき、または非晶質シリコン(Amorphous Silicon)材質、例えば、水素化された非晶質シリコン(Hydrogenated Amorphous Silicon、a-Si:H)を含むことができる。
n型半導体層(410n)は、シリコンを含む原料ガスにリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)などのように5価元素の不純物を含むガスを用いて形成することができる。
このような光電変換部(PV)は、プラズマ化学気相蒸着法(plasma enhanced chemical vapor deposition、PECVD)のような化学気相蒸着法(chemical vapor deposition、CVD)によって形成することができる。
光電変換部(PV)のp型半導体層(410p)とn型半導体層(410n)のようなドーピング層は、真性半導体層(410i)を挟んでp-n接合を形成することができる。つまり、光電変換部(PV)は、n型不純物ドーピング層、すなわち、n型半導体層(410n)とp型不純物ドーピング層、すなわち、p型半導体層(410p)の間に配置することができる。
このような構造では、p型半導体層(410p)方向に光が入射すると真性半導体層(410i)の内部では、相対的に高いドーピング濃度を有するp型半導体層(410p)とn型半導体層(410n)によって空乏層(depletion layer)が形成され、これにより電界が形成されることができる。このような光起電力効果(photovoltatic effect)によって光吸収層の真性半導体層(410i)で生成された電子と正孔は、接触電位差により分離されて交互に異なる方向に移動する。例えば、正孔はp型半導体層(410p)を介して、前面電極110方向に移動し、電子はn型半導体層(410n)を介して背面電極140方向に移動することができる。このような方式で電力が生産されるのである。
また、図4に示すように、薄膜太陽電池10は、2重結合(Double Junction)太陽電池またはp−i−n−p−i−n構造で形成することができる。
以下では、以上で詳細に説明した部分については説明を省略する。
図4を参照すると、薄膜太陽電池10の光電変換部(PV)は、第1光電変換部510と第2光電変換部520を含むことができる。
図4のように、薄膜太陽電池10は、光入射面から第1p型半導体層(510p)、第1i型半導体層(510i)、第1n型半導体層(510n)、第2p型半導体層(520p)、第2i型半導体層(520i)と、第2n型半導体層(520n)が順に積層することができる。
第1i型半導体層(510i)は、短波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができる。
また、第2i型半導体層(520i)は、長波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができる。
このように、2重接合構造の太陽電池10は、短波長帯域と長波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するため、高効率を有することが可能である。
また、第2i型半導体層(520i)の厚さ(t1)は、長波長帯域の光を十分に吸収するために、第1i型半導体層(510i)の厚さ(t2)より厚いことがある。
また、図4に示すような薄膜太陽電池10は、第1光電変換部510の第1i型半導体層(510i)と第2光電変換部520の第2i型半導体層(520i)の全てが非晶質シリコン材質を含むこともでき、または第1光電変換部510の第1i型半導体層(510i)は、 非晶質シリコン材質を含むが、第2光電変換部520の第2i型半導体層(520i)は、微結晶シリコン材質を含むこともできる。
また、図4のような2重接合構造を有する太陽電池10で第2i型半導体層(520i)には、ゲルマニウム(Ge)を不純物としてドーピングすることができる。ゲルマニウム(Ge)は、第2i型半導体層(520i)のバンドギャップを下げることができ、これにより、第2i型半導体層(520i)の長波長帯域光の吸収率が向上することで太陽電池10の効率が向上させることができる。
つまり、2重接合構造を有する太陽電池10は、第1i型半導体層(510i)から短波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮し、第2i型半導体層(520i)から長波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮するようになるが、第2i型半導体層(520i)にゲルマニウム(Ge)が不純物としてドープされた太陽電池は、第2i型半導体層(520i)のバンドギャップをさらに下げることで、より多くの量の長波長帯域の光を吸収することができ、太陽電池の効率を向上させることができる。
このような第2i型半導体層(520i)にゲルマニウム(Ge)をドープする方法としては、ゲルマニウム(Ge)ガスが満たされたチャンバー内でVHF、HFまたはRFの波長を用いたPECVD工法を一例として挙げることができる。
このような第2i型半導体層(520i)に含まれるゲルマニウムの含有量を一例として3〜20atom%で有り得る。このように、ゲルマニウムの含有量が適切に含まれる場合、第2i型半導体層(520i)のバンドギャップが十分に低くなることができ、これにより、第2i型半導体層(520i)の長波長帯域光の吸収率が向上することができる。
このような場合にも、第1i型半導体層(510i)は、短波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができ、第2i型半導体層(520i)は、長波長帯の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができる。また、第2i型半導体層(520i)の厚さ(t1)は、長波長帯域の光を十分に吸収するために、第1i型半導体層(510i)の厚さ(t2)より厚くできる。
また、図5に示すように、薄膜太陽電池10は、3重結合(Triple Junction)太陽電またはp−i−n−p−i−n−p−i−n構造で形成することができる。以下では、以上で詳細に説明した部分については説明を省略する。
図5を参照すると、薄膜太陽電池10の光電変換部(PV)は、基板100の入射面から第1光電変換部610と第2光電変換部620及び、第3光電変換部630が順に配置することができる。
ここで、第1光電変換部610と第2光電変換部620及び、第3光電変換部630は、それぞれp−i−n構造を形成することができ、基板100から第1p型半導体層(610p)、第1真性半導体層(610i)、第1n型半導体層(610n)、第2p型半導体層(620p)、第2真性半導体層620i、第2n型半導体層(620n)、第3p型半導体層(630p)、第3真性半導体層(630i)と、第3n型半導体層(630p)が順に配置することができる。
ここで、第1真性半導体層(610i)と第2真性半導体層620i及び第3真性半導体層(630i)を様々に実現することができる。
第1例として、第1真性半導体層(610i)と第2真性半導体層620iは、非晶質シリコン(a-Si)材質を含むことができ、第3真性半導体層(630i)は、微結晶シリコン(mc-Si)材質を含むことができる。ここで、第2真性半導体層620iには、ゲルマニウム(Ge)が不純物としてドーピングされるようにして、第2i型半導体層(620i)のバンドギャップを下げることもできる。
また、これとは異なり、第2例として、第1真性半導体層(610i)は、非晶質シリコン(a-Si)を含むことができ、第2真性半導体層620iと第3真性半導体層(630i )は、微結晶シリコン(mc-Si)を含むことができる。ここで、第3真性半導体層(630i)には、ゲルマニウム(Ge)が不純物としてドーピングされるようにして、第3i型半導体層のバンドギャップを低くすることもできる。
ここで、第1光電変換部610は、短波長帯域の光を吸収して電力を生産することができ、第2光電変換部620は、短波長帯域と長波長帯域の中間帯域の光を吸収して電力を生成することができ、長波長帯の光を吸収して電力を生産することができる。
ここで、第3真性半導体層(630i)の厚さ(t30)は、第2真性半導体層620iの厚さ(t20)より厚く、第2真性半導体層620iの厚さ(t20)は、第1真性半導体層(610i)の厚さ(t10)より厚いことができる。
このように、図5のような3重接合太陽電池の場合には、より広い帯域の光を吸収することができるため、電力の生産効率が高いことである。
図6は、本発明に係る導電性接着部の他の一例を説明するための図である。
前の、図1では、導電性接着部(210a1、210b1)の間隔がバスバー電極300と相対的に近接した部分では、相対的に狭い間隔(D1)で規則的であり、導電性接着部(210c1、210d1)の間隔がバスバー電極300と相対的に遠く離隔して配置される部分では、相対的に広い間隔(D2)で一定の場合を例として説明した。
しかし、これとは異なり、本発明は、導電性接着部210が、バスバー電極300に近接して(または近い)位置するほど、導電性接着部210との間の間隔が徐々に狭くなることも可能である。すなわち、導電性接着部210との間の間隔は、バスバー電極300からの距離に比例して徐々に狭く、又は、広くなるようにすることができる。
より具体的に説明すると、図6に示すように、バスバー電極300と最も隣接する2つの導電性接着部(210a2、210b2)との間隔(D1a)は最も狭く形成し、バスバー電極300と最も遠く離れた2つの導電性接着部(210e2、210f21)との間隔(D3a)は、最も広く形成し、中間に位置する2つの導電性接着部(210c2、210d2)の間隔(D2a)はD1aより大きく、D3aより小さく形成することが可能である。
このようにすることで、バスバー電極300と最も隣接して電流が最も多く集中するところでは、導電性接着部210の数を増加させ、リボン電極200と最外郭セルの間の接触抵抗を最小限に抑えるし、これとは逆に相対的にバスバー電極300と相対的に多く離隔して集中される電流の量が少ない場合には、導電性接着部210の数を減少させ、導電性接着部210を形成する材質の使用量を削減させることにより製造コストを削減することができる効果がある。
これまではバスバー電極300から離隔した距離に応じて最外郭セルとリボン電極200との間の接触抵抗を低減させるために導電性接着部210との間隔を調節するが、導電性接着部210の長さ(L1)は、同じものだけ一例として説明したが、これとは異なりバスバー電極300から離隔した距離に応じて導電性接着部210の長さを調節することも可能だが、これに対し、図7及び図8でより具体的に説明する。
図7及び図8は、本発明に係る本発明の実施形態に係る導電性接着部のまた別の一例を説明するための図である。
図7に示すように、本発明に係る複数の導電性接着部210からバスバー電極300に隣接する第1導電性接着部(210a3)の長さ(L1a)は、複数の導電性接着部210中、第1導電性接着部(210a3)より相対的に遠くバスバー電極300と離隔された第2導電性接着部(210b3)の長さ(L2a)より長くすることができる。
より具体的に説明すると、図7に示すように、バスバー電極300と最も近接する導電性接着部(210a3)の長さ(L1a)は、相対的に遠く離間された導電性接着部(210b3、210c3)の長さ(L2a)より長い場合がある。このとき、導電性接着部210との間隔(D1)は一定になるように設定することができる。
このようにすることで、バスバー電極300と、隣接する導電性接着部(210a3)に過度に集中する電流によって発生する接触抵抗の増加を防ぐことができる効果がある。また、バスバー電極300と相対的に遠く離間された導電性接着部(210b3、210c3)の長さ(L2a)は相対的に短くすることで、導電性接着部(210b3、210c3)を形成するための物質の使用を減らし、製造コストを削減することができる。
また、図8に示すように、導電性接着部210がバスバー電極300に隣接する程度や近づく程度に基づいて、導電性接着部210の長さは大きくすることができる。
より具体的に説明すると、バスバー電極300に最も近接する導電性接着部(210a4)の長さ(L1b)は最も長く、210a4より相対的に遠く離間された導電性接着部(210b4)の長さ(L2b)は、L1bより相対的に短く形成され得、210b4より相対的にさらに遠く離間された導電性接着部(210c4)の長さ(L3b)は、L2bより相対的にさらに短く形成することができる。
また、併せて、図6で説明したのと同様に導電性接着部210がバスバー電極300に近接するほど、導電性接着部210との間の間隔は、D2bからD1bに徐々に狭くなるようにすることができる。
このようにすることで、バスバー電極300に隣接した導電性接着部210に集中される電流により接触抵抗が相対的に高くなることを防止し、バスバー電極300から相対的に遠く離隔され電流が集中しない導電性接着部210の長さを小さくして間隔を広くすることで、製造コストの増加を防ぐことができる効果がある。
図7と図8において、各導電性接着部(210a3、210a4)は、中央にリボン電極200が挿入された状態でバスバー電極300のすぐ下に配置される。
本発明の多様な実施形態で、導電性接着部210は、円形状(210a1)、楕円状(210b4)、細く長い状(210a3)のような様々な形状を有することができる。しかしながら、必ずこのような例に限定されるものではない。別の例として、導電性接着部210は、四角形、三角形及び六角形だけでなく、いくつかの様々な形状のような他の多角形の形状を有することができる。
本発明の多様な実施形態では、薄膜太陽電池モジュールの反対の方向の側での導電性接着部210の配列は、ジャンクションボックス(JB)を2分岐に分かれる薄膜太陽電池モジュールの中央部分に基づいて左右対称で有り得る。しかし、必ずしもこのようなことが要求されるわけではない。
以上、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形や改良形もまた本発明の権利範囲に属する。

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板に配置される複数のセルと、
    前記複数のセルのうち最外郭セルの上部に配置されるリボン電極と、
    前記最外郭セルと前記リボン電極との間に形成され、前記最外郭セルと前記リボン電極を接続させる複数の導電性接着部と、
    前記複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、
    前記複数のセル上部を横切って配置され、前記集電ボックスと前記リボン電極を互いに接続するバスバー電極と、を含み、
    前記複数の導電性接着部内で前記バスバー電極に隣接する第1導電性接着部と第2導電性接着部の間隔は、前記バスバー電極から前記第1の導電性接着部と前記第2導電性接着部より相対的に遠く離隔された第3導電性接着部と第4導電性接着部の間隔より狭いことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
  2. 前記複数の導電性接着部のそれぞれの長さは、互いに等しいことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  3. 前記複数の導電性接着部が前記バスバー電極に近接するほど、前記導電性接着部の間の間隔は徐々に狭くなることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  4. 前記複数の導電性接着部の長さは、前記バスバー電極に近接するほど長くなることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  5. 前記導電性接着部は、電気伝導性の金属物質を含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  6. 前記複数のセルのそれぞれは、
    前記基板の上部に配置される前面電極、前記前面電極上部に配置される背面電極、及び前記前面電極と前記背面電極との間に配置され、光の入射を受けて電気に変換する光電変換部を含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  7. 前記リボン電極の幅は、前記最外郭セルの背面電極の幅よりも狭いことを特徴とする、請求項6記載の薄膜太陽電池モジュール。
  8. 前記複数の導電性接着部の幅は、前記の最外郭セルの背面電極の幅より狭いことを特徴とする、請求項6記載の薄膜太陽電池モジュール。
  9. 前記複数の導電性接着部の幅は、前記リボン電極の幅より狭いことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  10. 前記薄膜太陽電池モジュールは、
    前記複数のセルと前記バスバー電極との間に非伝導性物質の絶縁部と、をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池モジュール。
  11. 前記絶縁部の幅は、前記バスバー電極の幅より大きいことを特徴とする、請求項10記載の薄膜太陽電池モジュール。
  12. 基板と、
    前記基板に配置される複数のセルと、
    前記複数のセルのうち最外郭セルの上部に配置されるリボン電極と、
    前記最外郭セルと前記リボン電極との間に形成され、前記最外郭セルと前記リボン電極を接続させる複数の導電性接着部と、
    前記複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、
    前記複数のセル上部を横切って配置され、前記集電ボックスと前記リボン電極を互いに接続するバスバー電極と、を含み、
    前記複数の導電性接着部うちで前記バスバー電極に隣接する第1導電性接着部の長さは、前記複数の導電性接着部うちで前記第1導電性接着部より相対的に遠く、前記バスバー電極と離隔された第2導電性接着部の長さより長いことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
  13. 前記複数の導電性接着部が前記バスバー電極の近くに位置するほど、前記導電性接着部の長さは徐々に長くなることを特徴とする、請求項12記載の薄膜太陽電池モジュール。
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