JP2014505900A - マスク上の構造を特徴付ける方法及び方法を実施するためのデバイス - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6
Description
Claims (23)
- 構造を有するマスクを特徴付ける方法であって、
隣接する回折次数の少なくとも2つの最大値を含む前記構造の回折パターンを生成するように、単色照明放射線を用いて少なくとも1つの照明角度の下で前記マスクを照明する段階と、
前記回折パターンを取り込む段階と、
前記隣接する回折次数の前記最大値の強度を決定する段階と、
前記強度の強度比率を決定する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記回折パターンは、取り込まれるように単一の検出器上に全体が投影されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記回折パターンは、前記マスクと前記検出器の間の連続的な相対移動中に取り込まれていることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記構造の線幅を構造の少なくとも1つの決定された強度比率と該構造の既知の線幅との間の少なくとも1つの相関性から決定する段階、
を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記照明放射線は、主領域と該主領域を取り囲む縁部領域とを有する照明視野を前記マスク上に生成し、
前記照明放射線の強度が、前記主領域で一定であるが、前記縁部領域では連続的に低下する、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記縁部領域での前記強度の低下は、ガウス関数に対応することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスク上の前記照明視野は、視野絞りを用いて定められ、該照明視野の強度分布が、該視野絞りをデフォーカスすることによって調節されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの照明角度は、前記構造の格子間隔に対して調節されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの照明角度は、前記マスク上の前記構造の格子間隔の向きに対して調節されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスク上の前記構造は、少なくとも2つの照明角度の下で同時に照明され、該照明角度の各々が、該マスク上の異なる構造の格子間隔の向きに対して調節されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの照明角度は、マスク検査顕微鏡の照明ビーム経路の瞳平面に絞りを配置することによって予め定められることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記絞りは、前記マスク上の異なる構造の格子間隔に対して調節される環として構成されることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記絞りは、単極として構成され、該極の位置が、前記マスク上の構造の格子間隔の向きに対して適応されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記絞りは、非対称双極として構成され、該2つの極の位置が、前記マスク上の異なる構造の格子間隔の向きに対して適応されることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記隣接する回折次数の前記強度は、構造を持たないマスクの前記特徴付け中に測定された基準値に対して、特に該強度に対して正規化されることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造の更に別の特徴付けが、回折次数最大値の位置、該回折次数最大値間の間隔、該回折次数最大値の強度、該回折次数最大値の広がりという基準のうちの少なくとも1つを適用することによって実施されることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造の更に別の特徴付けが、前記取り込まれた回折パターンを模擬された回折パターンと比較することによって実施されることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の方法。
- 構造が特徴付けられることになる前記マスク上の複数の位置を指定する段階を含むことを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスクの面にわたって均等に配分された位置が指定されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 同等の構造が、前記回折次数最大値の位置、該回折次数最大値の間隔、該回折次数最大値の強度、該回折次数最大値の広がりという基準のうちの少なくとも1つを適用することによって前記回折パターン内で識別されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 同等の構造が前記マスク上に形成される位置が指定されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 全ての同等の構造の強度比率の平均値と該平均値からの個々の強度比率の百分率偏差とが計算されることを特徴とする請求項17から請求項20のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の方法による段階を実施するデータ処理システム、
を含むことを特徴とするマスク検査顕微鏡。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017167297A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | リソグラフィマスクの生産方法およびその生産システム |
JP6371022B1 (ja) * | 2018-02-08 | 2018-08-08 | レーザーテック株式会社 | 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9213003B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method |
DE102012011315B4 (de) | 2012-06-04 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Ag | Mikroskop und Verfahren zur Charakterisierung von Strukturen auf einem Objekt |
CN107430352B (zh) | 2015-03-25 | 2020-01-21 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法、量测设备和器件制造方法 |
US10997706B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle backside inspection method |
KR102547422B1 (ko) | 2018-02-01 | 2023-06-22 | 삼성전자주식회사 | 이미징 장치, 이를 포함하는 이미징 시스템, 이미징 장치 및 시스템을 이용한 이미징 방법, 이미징 장치 및 시스템을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
DE102018107112B9 (de) | 2018-03-26 | 2020-02-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Inspektion einer Maske |
US11367783B2 (en) | 2018-08-17 | 2022-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
DE102021205328B3 (de) * | 2021-05-26 | 2022-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bestimmung einer Abbildungsqualität eines optischen Systems bei Beleuchtung mit Beleuchtungslicht innerhalb einer zu vermessenden Pupille und Metrologiesystem dafür |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5492286A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-21 | Rca Corp | Method of optically checking horizontal dimension of pattern |
US4408884A (en) * | 1981-06-29 | 1983-10-11 | Rca Corporation | Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes |
JPH08146592A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nec Corp | 位相シフトマスクの検査装置及び検査方法 |
JP2001159810A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-06-12 | Applied Materials Inc | フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム |
JP2002116011A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | パターン評価装置及びパターン評価方法 |
JP2005049284A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの障壁測定方法 |
JP2005091182A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 |
US20050195414A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Jenspeter Rau | Method and apparatus for determining local variation of the reflection or transmission behavior over a mask surface |
JP2008009339A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | パターンの検査装置、パターンの検査方法および半導体装置の製造方法 |
JP2008216685A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | マスクパターンのローカルばらつき検査方法、ローカルばらつき保証方法、及びローカルばらつき検査プログラム |
JP2009163185A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスク |
JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Duv透過マッピングのための方法と装置 |
JP2011517127A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-05-26 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | フォトリソグラフィのためのマスクを分析する方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3879131A (en) | 1974-02-06 | 1975-04-22 | Bell Telephone Labor Inc | Photomask inspection by real time diffraction pattern analysis |
US4303341A (en) * | 1977-12-19 | 1981-12-01 | Rca Corporation | Optically testing the lateral dimensions of a pattern |
US6690469B1 (en) * | 1998-09-18 | 2004-02-10 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for observing and inspecting defects |
JP3302965B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2002-07-15 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
JP4938219B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2012-05-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング |
DE60333688D1 (de) | 2003-12-19 | 2010-09-16 | Ibm | Differentielle metrologie für kritische abmessung und überlagerung |
DE102008049365A1 (de) | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung |
DE102009041405B4 (de) | 2009-09-14 | 2020-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung |
DE102010047050B4 (de) * | 2010-09-29 | 2021-09-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Charakterisierung einer Struktur auf einer Maske und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9213003B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method |
DE102012011315B4 (de) * | 2012-06-04 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Ag | Mikroskop und Verfahren zur Charakterisierung von Strukturen auf einem Objekt |
-
2011
- 2011-12-13 US US13/995,250 patent/US9213003B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-13 JP JP2013545082A patent/JP5816297B2/ja active Active
- 2011-12-13 WO PCT/EP2011/006278 patent/WO2012084142A1/en active Application Filing
- 2011-12-13 DE DE102011121532A patent/DE102011121532A1/de not_active Ceased
-
2015
- 2015-11-09 US US14/935,591 patent/US9605946B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5492286A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-21 | Rca Corp | Method of optically checking horizontal dimension of pattern |
US4200396A (en) * | 1977-12-19 | 1980-04-29 | Rca Corporation | Optically testing the lateral dimensions of a pattern |
US4408884A (en) * | 1981-06-29 | 1983-10-11 | Rca Corporation | Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes |
JPH08146592A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nec Corp | 位相シフトマスクの検査装置及び検査方法 |
US6466315B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for reticle inspection by photolithography simulation |
JP2001159810A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-06-12 | Applied Materials Inc | フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム |
JP2002116011A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | パターン評価装置及びパターン評価方法 |
JP2005049284A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの障壁測定方法 |
JP2005091182A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 |
US20050195414A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Jenspeter Rau | Method and apparatus for determining local variation of the reflection or transmission behavior over a mask surface |
JP2008009339A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | パターンの検査装置、パターンの検査方法および半導体装置の製造方法 |
JP2008216685A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | マスクパターンのローカルばらつき検査方法、ローカルばらつき保証方法、及びローカルばらつき検査プログラム |
JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Duv透過マッピングのための方法と装置 |
JP2009163185A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスク |
JP2011517127A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-05-26 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | フォトリソグラフィのためのマスクを分析する方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017167297A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | リソグラフィマスクの生産方法およびその生産システム |
JP6371022B1 (ja) * | 2018-02-08 | 2018-08-08 | レーザーテック株式会社 | 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 |
JP2019138714A (ja) * | 2018-02-08 | 2019-08-22 | レーザーテック株式会社 | 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160091300A1 (en) | 2016-03-31 |
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US9605946B2 (en) | 2017-03-28 |
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US20130308125A1 (en) | 2013-11-21 |
DE102011121532A1 (de) | 2012-06-28 |
US9213003B2 (en) | 2015-12-15 |
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