JP2014236624A - Power conversion device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power conversion device capable of surely and quickly detecting electric leak while preventing short-circuit between main electrode terminals due to coolant leakage.SOLUTION: A power conversion device 1 comprises: a semiconductor unit 10; a conductive case 4 which houses the semiconductor unit 10; a base plate 42 arranged below the semiconductor unit 10 so as to face the semiconductor unit 10; and electric conduction detecting means for detecting electric conduction between the base plate 42 and a semiconductor module 2. The semiconductor unit 10 includes a semiconductor module 2 with a built-in switching element and a cooling device 3 including a cooling tube 31 for internally circulating a cooling medium and cooling the semiconductor module 2. Of three main electrode terminals 23 in the semiconductor module 2, a positive electrode terminal 24 includes a protrusion 241 protruding further than other main electrode terminals 23 toward the base plate 42.

Description

本発明は、電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device.

電気自動車やハイブリッド自動車等には、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールを備えた半導体ユニットと、半導体ユニットを収容するケースとを備えた電力変換装置が用いられている。半導体ユニットは、半導体モジュールと、半導体モジュールを冷却するための冷却装置とを有している。この冷却装置は、内部に冷媒を流通する冷却水路を備えており、冷却水路を流通する冷媒と半導体モジュールとの間において熱交換を行うことで、半導体モジュールを冷却するよう構成されている。   An electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like uses a power conversion device that includes a semiconductor unit that includes a semiconductor module that incorporates a switching element and a case that houses the semiconductor unit. The semiconductor unit includes a semiconductor module and a cooling device for cooling the semiconductor module. The cooling device includes a cooling water channel that circulates a refrigerant therein, and is configured to cool the semiconductor module by exchanging heat between the refrigerant that circulates the cooling water channel and the semiconductor module.

このような電力変換装置において、万が一、冷媒が冷却水路から漏れ出ると、冷媒によって半導体モジュールの主電極端子における短絡が生じるおそれがある。そのため、電力変換装置と、電力変換装置が接続された電気回路との間には、定格以上の電流が流れることを防止するヒューズが設けられている。   In such a power converter, if the refrigerant leaks from the cooling water channel, a short circuit may occur in the main electrode terminal of the semiconductor module due to the refrigerant. Therefore, a fuse is provided between the power conversion device and the electric circuit to which the power conversion device is connected to prevent a current exceeding the rating from flowing.

また、冷媒による主電極端子の短絡を防止する構造としては、例えば、特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に示された電力変換装置は、複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを収容するケースと、該ケース内に形成された冷却水路とを備えている。
ケースは、複数の半導体モジュールをそれぞれ収容する上段収容部、中段部及び下段収容部を有しており、上段収容部と中段部との間には、隔壁が形成されている。
Moreover, as a structure which prevents the short circuit of the main electrode terminal by a refrigerant | coolant, there exists a thing disclosed by patent document 1, for example. The power conversion device disclosed in Patent Document 1 includes a plurality of semiconductor modules, a case for housing the semiconductor modules, and a cooling water channel formed in the case.
The case has an upper stage accommodating part, a middle stage part, and a lower stage accommodating part for accommodating a plurality of semiconductor modules, respectively, and a partition is formed between the upper stage accommodating part and the middle stage part.

この隔壁は、上段収容部と中段部及び下段収容部との間を繋ぐように貫通形成されると共に電気線を挿通する連通孔と、冷媒を流通する冷却水路と、連通孔と冷却水路との間に形成された溝とを有している。つまり、隔壁は、複数の半導体モジュールを冷却する冷却装置を兼ねるものである。また、溝を設けることにより、隔壁内部において、冷却水路から連通孔側に向かって冷媒が漏れ出した際に、冷媒を溝内に流通させることでケース外部へと排出しようとしている。これにより、連通孔を介して冷媒がケース内へと漏れ出ることを防ぎ、電力変換装置における漏電の防止を図っている。   The partition wall is formed so as to penetrate between the upper stage accommodating part, the middle stage part, and the lower stage accommodating part, and includes a communication hole through which an electric wire is inserted, a cooling water channel through which a refrigerant flows, and a communication hole and a cooling water channel. And a groove formed therebetween. That is, the partition also serves as a cooling device for cooling the plurality of semiconductor modules. Further, by providing the groove, when the refrigerant leaks from the cooling water channel toward the communication hole inside the partition wall, the refrigerant is circulated in the groove to discharge to the outside of the case. Thus, the refrigerant is prevented from leaking into the case through the communication hole, and leakage in the power conversion device is prevented.

特開2011−19339号公報JP 2011-19339 A

しかしながら、上記の電力変換装置には以下の課題がある。
上記の電力変換装置においては、冷却水路から漏れ出た冷媒が全て溝から外部へ排出されればよいが、ケース内の他の箇所へ冷媒が漏出すると、主電極端子同士が短絡することも考えられる。この場合、電力変換装置から、接続された電気回路へと定格以上の電流が流れようとするため、両者の間に配されたヒューズが溶断する。そのため、電力変換装置の修理、交換に加えて、ヒューズの交換を行う必要が生じる。
However, the above power converter has the following problems.
In the above power conversion device, all the refrigerant leaking from the cooling water channel may be discharged to the outside from the groove, but if the refrigerant leaks to other places in the case, the main electrode terminals may be short-circuited. It is done. In this case, since a current exceeding the rating tends to flow from the power conversion device to the connected electric circuit, the fuse disposed between the two fuses. Therefore, it is necessary to replace the fuse in addition to repair and replacement of the power converter.

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、冷媒の漏出による主電極端子同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができ、電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such a background, and can prevent a short circuit between main electrode terminals due to leakage of a refrigerant, and can detect a leakage reliably and at an early stage, thereby providing a power converter. Is.

本発明の一態様は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールと、内部に冷媒を流通させる冷却チューブを備え上記半導体モジュールを冷却する冷却装置とを有する半導体ユニットと、
該半導体ユニットを収容する導電性を備えるケースと、
上記半導体ユニットと対向するように、上記半導体ユニットの下方に配されたベースプレートと、
該ベースプレートと上記半導体モジュールとの間における通電を検出する通電検出手段とを有しており、
上記半導体モジュールにおける複数の主電極端子のうち、正極端子、負極端子、又は出力端子のいずれか1つが、他の主電極端子よりも、上記ベースプレートに向かって突出した突出部を備えていることを特徴とする電力変換装置にある。
One aspect of the present invention is a semiconductor unit having a semiconductor module including a switching element, and a cooling device that includes a cooling tube that circulates a refrigerant therein and cools the semiconductor module.
A conductive case for housing the semiconductor unit;
A base plate disposed below the semiconductor unit so as to face the semiconductor unit;
Having energization detection means for detecting energization between the base plate and the semiconductor module;
Among the plurality of main electrode terminals in the semiconductor module, any one of the positive electrode terminal, the negative electrode terminal, and the output terminal includes a protruding portion that protrudes toward the base plate from the other main electrode terminals. The power converter is a feature.

上記電力変換装置においては、上記ベースプレートと上記突出部を備えた主電極端子とを備えている。そのため、上記主電極端子同士の短絡が生じる前に、上記通電検出手段によって、上記半導体モジュールと上記ケースとの間における漏電を早期に検出することができる。
すなわち、上記電力変換装置の上記冷却装置において、冷媒の漏出が発生した際に、漏出した冷媒は下方に落下する。そして、落下した冷媒は、上記半導体ユニットの下方に対向して配された、上記ベースプレート上に滞留する。
The power converter includes the base plate and a main electrode terminal provided with the protruding portion. Therefore, before the main electrode terminals are short-circuited, the electric current detection means can detect the electric leakage between the semiconductor module and the case at an early stage.
That is, when the refrigerant leaks in the cooling device of the power converter, the leaked refrigerant falls downward. Then, the dropped refrigerant stays on the base plate arranged to face the lower side of the semiconductor unit.

上記ベースプレート上に滞留した冷媒は、上記ベースプレートと上記突出部との間に位置すると、該ベースプレートと該突出部とを電気的に接続する。このとき、上記突出部を有する上記主電極端子は、正極端子、負極端子、出力端子のいずれか一つであるため、その一つの主電極端子が上記ベースプレートとの間において通電する一方で、各主電極端子間における短絡は生じない。   When the refrigerant staying on the base plate is positioned between the base plate and the protrusion, the base plate and the protrusion are electrically connected. At this time, since the main electrode terminal having the protruding portion is any one of a positive electrode terminal, a negative electrode terminal, and an output terminal, the one main electrode terminal is energized between the base plate, There is no short circuit between the main electrode terminals.

上記ベースプレートと上記主電極端子との間における通電を、上記通電検出手段によって検出することにより、上記電力変換装置における冷媒の漏出を、上記主電極端子同士に短絡を生じさせることなく、確実かつ早期に検知することができる。   By detecting the energization between the base plate and the main electrode terminal by the energization detecting means, the leakage of the refrigerant in the power converter can be reliably and early without causing a short circuit between the main electrode terminals. Can be detected.

以上のごとく、上記電力変換装置によれば、冷媒の漏出による主電極端子同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができる。   As described above, according to the above-described power conversion device, it is possible to reliably and quickly detect a leakage while preventing a short circuit between the main electrode terminals due to the leakage of the refrigerant.

実施例1における、電力変換装置の断面図。Sectional drawing of the power converter device in Example 1. FIG. 図1における、II−II矢視断面図。II-II arrow sectional drawing in FIG. 図2における、III−III矢視断面図。III-III arrow sectional drawing in FIG. 実施例1における、ケースの断面図(図1における、II−II矢視断面相当)。Sectional drawing of the case in Example 1 (equivalent to the II-II arrow cross section in FIG. 1). 実施例2における、電力変換装置の部分断面図。The fragmentary sectional view of the power converter in Example 2. FIG.

上記電力変換装置において、上記ベースプレートにおける上記半導体ユニットとの対向面には、上記半導体ユニットに向かって、板状のリブが少なくとも1つ立設していてもよい。この場合には、上記ベースプレート上に滞留した冷媒が、該ベースプレートから流れ落ちることを防止することができる。これにより、上記突出部と上記冷媒とを接触させやすくし、冷媒漏出時の検出精度を向上することができる。   In the power conversion device, at least one plate-like rib may be erected on the surface of the base plate facing the semiconductor unit toward the semiconductor unit. In this case, the refrigerant staying on the base plate can be prevented from flowing down from the base plate. Thereby, the said protrusion part and the said refrigerant | coolant can be made easy to contact, and the detection accuracy at the time of refrigerant | coolant leakage can be improved.

また、上記ベースプレートの上記対向面に直交する方向から見たとき、上記リブは、上記突出部を有する主電極端子を囲うように周状に形成されていることが好ましい。この場合には、周状に形成された上記リブの内周に冷媒を貯留することができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、さらに向上することができる。   Moreover, it is preferable that the rib is formed in a circumferential shape so as to surround the main electrode terminal having the protruding portion when viewed from a direction orthogonal to the facing surface of the base plate. In this case, the refrigerant can be stored in the inner periphery of the rib formed in a circumferential shape. Thereby, the detection accuracy at the time of refrigerant leakage can be further improved.

また、上記リブの先端部は、上記突出部における上記ベースプレート側に配された先端部よりも、上記半導体ユニット側の位置に配されていることが好ましい。この場合には、上記ベースプレート上に滞留した冷媒と、上記突出部とを、より確実に接触させることができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、向上することができる。   Moreover, it is preferable that the front-end | tip part of the said rib is distribute | arranged to the position on the said semiconductor unit side rather than the front-end | tip part distribute | arranged to the said baseplate side in the said protrusion part. In this case, the refrigerant staying on the base plate can be more reliably brought into contact with the protruding portion. Thereby, the detection precision at the time of refrigerant | coolant leakage can be improved.

(実施例1)
上記電力変換装置にかかる実施例について、図1〜図4を参照して説明する。
図1〜図3に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体ユニット10と、半導体ユニット10を収容する導電性を備えるケース4と、半導体ユニット10と対向するように、半導体ユニット10の下方に配されたベースプレート42と、ベースプレート42と半導体モジュール2との間における通電を検出する通電検出手段(図示略)とを有している。
半導体ユニット10は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール2と、内部に冷媒を流通させる冷却チューブ31を備え半導体モジュール2を冷却する冷却装置3とを有している。
半導体モジュール2における3つの主電極端子23のうち、正極端子24は、他の主電極端子23よりも、ベースプレート42に向かって突出した突出部241を備えている。
Example 1
The Example concerning the said power converter device is described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 to 3, the power conversion device 1 of the present example includes a semiconductor unit 10, a case 4 having conductivity that accommodates the semiconductor unit 10, and the semiconductor unit 10 so as to face the semiconductor unit 10. It has a base plate 42 arranged below, and energization detecting means (not shown) for detecting energization between the base plate 42 and the semiconductor module 2.
The semiconductor unit 10 includes a semiconductor module 2 with a built-in switching element, and a cooling device 3 that includes a cooling tube 31 that circulates a refrigerant therein and cools the semiconductor module 2.
Of the three main electrode terminals 23 in the semiconductor module 2, the positive electrode terminal 24 includes a protruding portion 241 that protrudes toward the base plate 42 than the other main electrode terminals 23.

以下、さらに詳細に説明する。
本例においては、図1及び図2に示すごとく、半導体モジュール2と冷却装置3の冷却チューブ31とが積層された方向を積層方向X、冷却チューブ31の長手方向を横方向Y、また、積層方向X及び横方向Yの両方に対して直交する方向を高さ方向Zとして、以下説明する。
また、積層方向Xにおいて、冷媒導入管341及び冷媒排出管342がケース4から突出した先端部側を前方とし、反対側を後方とする。また、高さ方向Zにおいて、後述するDC−DCコンバータが配される側を下方とし、反対側を上方とする。
This will be described in more detail below.
In this example, as shown in FIGS. 1 and 2, the direction in which the semiconductor module 2 and the cooling tube 31 of the cooling device 3 are stacked is the stacking direction X, the longitudinal direction of the cooling tube 31 is the horizontal direction Y, and the stacking The direction orthogonal to both the direction X and the lateral direction Y will be described below as the height direction Z.
In the stacking direction X, the front end side of the refrigerant introduction pipe 341 and the refrigerant discharge pipe 342 protruding from the case 4 is defined as the front side, and the opposite side is defined as the rear side. Further, in the height direction Z, a side on which a DC-DC converter, which will be described later, is disposed is defined as a lower side, and the opposite side is defined as an upper side.

本例の電力変換装置1は、例えば、ハイブリッド自動車等において、直流電源から、三相交流モータ(図示略)に通電する駆動電流(U相、V相、W相)を生成するための装置である。
図1〜図3に示すごとく、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を備えた半導体ユニット10と、半導体ユニット10と共に電力変換回路を構成する電子部品6と、直流電圧を変圧するための補助電源装置51と、補助電源装置51を冷却する補助冷却装置52と、これらを内包するケース4とを有している。
The power conversion apparatus 1 of this example is an apparatus for generating a drive current (U phase, V phase, W phase) for energizing a three-phase AC motor (not shown) from a DC power source in, for example, a hybrid vehicle. is there.
As shown in FIGS. 1 to 3, the power conversion device 1 includes a semiconductor unit 10 including a plurality of semiconductor modules 2, an electronic component 6 that forms a power conversion circuit together with the semiconductor unit 10, and a DC voltage for transforming The auxiliary power supply device 51, the auxiliary cooling device 52 that cools the auxiliary power supply device 51, and the case 4 that includes these are included.

図1〜図3に示すごとく、ケース4は、アルミニウム合金によって形成されており、周状に配された4つの壁部41と、壁部41に囲まれた空間を上下に分割するベースプレート42と、壁部41における上端及び下端の開口部を覆う上方蓋体471及び下方蓋体472とを有している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the case 4 is made of an aluminum alloy, and includes four wall portions 41 arranged circumferentially, and a base plate 42 that vertically divides a space surrounded by the wall portions 41. The upper lid body 471 and the lower lid body 472 that cover the upper and lower openings of the wall portion 41 are provided.

図1〜図3に示すごとく、4つの壁部41は、高さ方向Zに沿って延びる略角筒状をなしており、上端及び下端が開口している。壁部41の内側の空間は、高さ方向Zにおける略中央に配されたベースプレート42によって、上下に2分割されており、上方に配された上段収容部401と、下方に配された下段収容部402とを形成している。尚、本例において、上段収容部401には、半導体ユニット10と、半導体ユニット10共に電力変換回路を構成する電子部品6であるコンデンサ61の上方側及びリアクトル62が収容されている。また、下段収容部402には、補助電源装置51であるDC−DCコンバータと、コンデンサ61の下方側が配されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the four wall portions 41 have a substantially rectangular tube shape extending along the height direction Z, and an upper end and a lower end are opened. The space inside the wall portion 41 is divided into two vertically by a base plate 42 disposed substantially in the center in the height direction Z, and an upper stage accommodating portion 401 disposed above and a lower stage accommodating disposed below. Part 402 is formed. In the present example, the upper housing portion 401 accommodates the semiconductor unit 10 and the upper side of the capacitor 61 and the reactor 62 which are the electronic components 6 that together constitute the power conversion circuit. The lower housing portion 402 is provided with a DC-DC converter that is the auxiliary power supply device 51 and a lower side of the capacitor 61.

図4に示すごとく、ベースプレート42は、リアクトル62が配置されるリアクトル配置部43と、コンデンサ61が挿通配置されるコンデンサ配置孔44と、半導体ユニット10と対向する対向面45とを有している。また、ベースプレート42の内部には、冷媒を流通可能な補助冷媒流路53が形成されている。   As shown in FIG. 4, the base plate 42 has a reactor placement portion 43 in which the reactor 62 is placed, a capacitor placement hole 44 in which the capacitor 61 is inserted, and a facing surface 45 that faces the semiconductor unit 10. . In addition, an auxiliary refrigerant channel 53 through which the refrigerant can flow is formed inside the base plate 42.

図2及び図4に示すごとく、ベースプレート42の上面側に形成されたリアクトル配置部43は、円柱状をなすリアクトル62の外径よりも若干大きい内径を有する円筒状をなしており、内側にリアクトル62を配置可能に形成されている。
コンデンサ配置孔44は、積層方向Xに並んで配されたリアクトル配置部43及びコンデンサ配置孔44の横方向Yに形成されている。コンデンサ配置孔44は、長手方向が積層方向Xとなる略長方形状をなしている。コンデンサ配置孔44に挿通配置されたコンデンサ61は、上方側が上段収容部401に配され、下方側が下段収容部402に配される。
As shown in FIGS. 2 and 4, the reactor arrangement portion 43 formed on the upper surface side of the base plate 42 has a cylindrical shape having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the columnar reactor 62, and the reactor is disposed on the inner side. 62 can be arranged.
The capacitor arrangement hole 44 is formed in the lateral direction Y of the reactor arrangement portion 43 and the capacitor arrangement hole 44 arranged side by side in the stacking direction X. The capacitor arrangement hole 44 has a substantially rectangular shape whose longitudinal direction is the stacking direction X. The capacitor 61 inserted and disposed in the capacitor placement hole 44 is disposed on the upper housing portion 401 on the upper side and disposed on the lower housing portion 402 on the lower side.

図1、図3及び図4に示すごとく、半導体ユニット10と高さ方向Zにおいて対向する対向面45は、上方から見たとき、リアクトル配置部43の前方側に形成されている。対向面45は、半導体ユニット10における積層部11の外形よりも大きく形成されており、対向面45上には、半導体ユニット10側に向かってリブ46が立設している。   As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the facing surface 45 facing the semiconductor unit 10 in the height direction Z is formed on the front side of the reactor arrangement portion 43 when viewed from above. The facing surface 45 is formed larger than the outer shape of the stacked portion 11 in the semiconductor unit 10, and a rib 46 is erected on the facing surface 45 toward the semiconductor unit 10 side.

図1〜図4に示すごとく、リブ46は、コンデンサ配置孔44との境界及び、リアクトル配置部43との境界にそれぞれ形成された外側リブ461、後方リブ462と、対向面45の横方向Yにおける略中央位置において積層方向Xに沿って形成された内側リブ463とを有している。また、本例において、前方側に配された前方壁部411は、リブ46を兼ねるものである。   As shown in FIGS. 1 to 4, the rib 46 includes an outer rib 461, a rear rib 462, and a lateral direction Y of the facing surface 45 formed at the boundary with the capacitor arrangement hole 44 and the boundary with the reactor arrangement portion 43, respectively. And an inner rib 463 formed along the stacking direction X at a substantially central position. In this example, the front wall portion 411 arranged on the front side also serves as the rib 46.

図1〜図3に示すごとく、外側リブ461は、対向面45におけるコンデンサ配置孔44側の外周縁に、前方に配された壁部41と後方リブ462とをつなぐように形成されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the outer rib 461 is formed so as to connect the wall portion 41 disposed on the front side and the rear rib 462 to the outer peripheral edge of the facing surface 45 on the capacitor arrangement hole 44 side.

図1〜図3に示すごとく、後方リブ462は、リアクトル配置部43との境界において、外側リブ461と直交して形成されている。後方リブ462の高さ方向Zにおける高さ寸法は、外側リブ461及び内側リブ463よりも大きく設定してある。また、外側リブ461の一端は、後方リブ462の内周面につながるように形成されており、外側リブ461の他端は、前方壁部411の内周面と当接している。また、後方リブ462の他端は、横方向Yにおけるコンデンサ配置孔44と反対側に配された壁部41の内周面から離れた位置に配されている。つまり、壁部41との間には空隙が形成されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the rear rib 462 is formed orthogonal to the outer rib 461 at the boundary with the reactor arrangement portion 43. The height dimension of the rear rib 462 in the height direction Z is set to be larger than that of the outer rib 461 and the inner rib 463. One end of the outer rib 461 is formed so as to be connected to the inner peripheral surface of the rear rib 462, and the other end of the outer rib 461 is in contact with the inner peripheral surface of the front wall portion 411. The other end of the rear rib 462 is disposed at a position away from the inner peripheral surface of the wall portion 41 disposed on the opposite side of the capacitor arrangement hole 44 in the lateral direction Y. That is, a gap is formed between the wall portion 41 and the wall portion 41.

図2及び図3に示すごとく、内側リブ463は、対向面45における横方向Yの略中央位置において、積層方向Xに延びるように形成されており、一端が前方壁部411の内周面と繋がり、他端が後方リブ462と繋がっている。つまり、前方壁部411、外側リブ461、後方リブ462及び内側リブ463は、対向面45上に周状に形成されており、その内側に液体を貯留可能に構成されている。また、本例において、内側リブ463の高さは、後方リブ462の高さと同一に設定してある。   As shown in FIGS. 2 and 3, the inner rib 463 is formed so as to extend in the stacking direction X at a substantially central position in the lateral direction Y on the facing surface 45, and one end thereof is connected to the inner peripheral surface of the front wall portion 411. The other end is connected to the rear rib 462. That is, the front wall portion 411, the outer rib 461, the rear rib 462, and the inner rib 463 are formed on the facing surface 45 in a circumferential shape, and are configured to be able to store liquid on the inner side. In this example, the height of the inner rib 463 is set to be the same as the height of the rear rib 462.

図1〜図4に示すごとく、ベースプレート42の内部において、対向面45及びリアクトル配置部43の下方には、冷媒を流通する補助冷媒流路53が形成されている。したがって、対向面45は、補助冷媒流路53の天井面535の一部を構成している。
前方壁部411には、補助冷媒流路53と連通した補助冷媒導入口533及び補助冷媒排出口534が形成されており、補助冷媒導入口533から積層方向Xに沿って後方側に延びる往路531と、リアクトル配置部43の下方において往路531から折り返して補助冷媒導入口533へと延びる復路532とを有している。したがって、補助冷媒流路53内に冷媒を流通させることにより、ベースプレート42によって補助電源装置51を冷却することができる。つまり、ベースプレート42が、補助電源装置51を冷却する補助冷却装置52をなしている。
As shown in FIGS. 1 to 4, an auxiliary refrigerant channel 53 for circulating the refrigerant is formed in the base plate 42 below the facing surface 45 and the reactor arrangement portion 43. Therefore, the facing surface 45 constitutes a part of the ceiling surface 535 of the auxiliary refrigerant channel 53.
The front wall portion 411 is formed with an auxiliary refrigerant introduction port 533 and an auxiliary refrigerant discharge port 534 communicating with the auxiliary refrigerant flow channel 53, and an outward path 531 extending rearward from the auxiliary refrigerant introduction port 533 along the stacking direction X. And a return path 532 extending from the forward path 531 to the auxiliary refrigerant inlet 533 below the reactor arrangement portion 43. Therefore, the auxiliary power supply device 51 can be cooled by the base plate 42 by circulating the refrigerant in the auxiliary refrigerant flow path 53. That is, the base plate 42 forms an auxiliary cooling device 52 that cools the auxiliary power supply device 51.

図1及び図3に示すごとく、ケース4の下段収容部402に配された補助電源装置51は、ベースプレート42の下面に当接するように固定されている。したがって、補助電源装置51は、ベースプレート42からなる補助冷却装置52によって、効果的に冷却される。
また、本例においては、ベースプレート42によって、リアクトル配置部43に配されたリアクトル62に対しても冷却効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 1 and 3, the auxiliary power supply device 51 arranged in the lower housing portion 402 of the case 4 is fixed so as to contact the lower surface of the base plate 42. Therefore, the auxiliary power supply device 51 is effectively cooled by the auxiliary cooling device 52 including the base plate 42.
In this example, the base plate 42 can also provide a cooling effect to the reactor 62 arranged in the reactor arrangement portion 43.

図1〜図3に示すごとく、ケース4の上段収容部401に収容された半導体ユニット10は、スイッチング素子を内蔵した複数の半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する冷却装置3とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor unit 10 housed in the upper housing portion 401 of the case 4 includes a plurality of semiconductor modules 2 incorporating switching elements, and a cooling device 3 that cools the semiconductor modules 2. Yes.

図1〜図3に示すごとく、冷却装置3は、半導体モジュール2の両面に配された冷却チューブ31と、冷却チューブ31へ冷媒を循環させるための冷媒導入管341及び冷媒排出管342を有している。本例において、冷却チューブ31は、アルミニウム等の金属によって構成されており、内部に冷媒を流通する冷媒流路32を有している。複数の冷却チューブ31は、半導体モジュール2を両面から挟持するように配されており、隣り合う冷却チューブ31は、横方向Yの両端部付近において連結管33によって、互いに連結されている。そして、冷却チューブ31と半導体モジュール2とが交互に積層されることによって、積層部11が形成されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the cooling device 3 includes a cooling tube 31 disposed on both surfaces of the semiconductor module 2, a refrigerant introduction pipe 341 and a refrigerant discharge pipe 342 for circulating the refrigerant to the cooling tube 31. ing. In this example, the cooling tube 31 is made of a metal such as aluminum and has a refrigerant flow path 32 through which a refrigerant flows. The plurality of cooling tubes 31 are arranged so as to sandwich the semiconductor module 2 from both surfaces, and the adjacent cooling tubes 31 are connected to each other by connecting tubes 33 in the vicinity of both ends in the lateral direction Y. And the lamination | stacking part 11 is formed by laminating | stacking the cooling tube 31 and the semiconductor module 2 alternately.

図1〜図3に示すごとく、冷媒導入管341及び冷媒排出管342は、積層部11の前端部に配された冷却チューブ31の前面から、前方に向かって突出するよう設けてある。冷媒導入管341から導入された冷媒は、適宜連結管33を通り、各冷却チューブ31に分配されると共にその長手方向(横方向Y)に流通する。そして、各冷却チューブ31を流れる間に、冷媒は半導体モジュール2との間で熱交換を行う。熱交換により温度上昇した冷媒は、下流側の連結管33を通り、冷媒排出管342に導かれ排出される。冷媒としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。   As shown in FIGS. 1 to 3, the refrigerant introduction pipe 341 and the refrigerant discharge pipe 342 are provided so as to protrude forward from the front surface of the cooling tube 31 arranged at the front end portion of the stacked portion 11. The refrigerant introduced from the refrigerant introduction pipe 341 passes through the connection pipe 33 as appropriate, is distributed to each cooling tube 31 and flows in the longitudinal direction (lateral direction Y). Then, the refrigerant exchanges heat with the semiconductor module 2 while flowing through each cooling tube 31. The refrigerant whose temperature has increased due to the heat exchange passes through the downstream connecting pipe 33 and is led to the refrigerant discharge pipe 342 to be discharged. Examples of the refrigerant include natural refrigerants such as water and ammonia, water mixed with ethylene glycol antifreeze, fluorocarbon refrigerants such as fluorinate, chlorofluorocarbon refrigerants such as HCFC123 and HFC134a, and alcohol refrigerants such as methanol and alcohol. A refrigerant such as a ketone-based refrigerant such as acetone can be used.

図1〜図3に示すごとく、半導体モジュール2は、スイッチング素子を有する本体部21と、本体部21から上方に向かって延びる複数の制御端子22と、本体部21から下方に向かって延びる複数の主電極端子23とを有している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor module 2 includes a main body 21 having a switching element, a plurality of control terminals 22 extending upward from the main body 21, and a plurality of extending downward from the main body 21. And a main electrode terminal 23.

図1〜図3に示すごとく、半導体ユニット10を構成する半導体モジュール2としては、例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、MOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)等のスイッチング素子を内蔵してなる。本例の半導体モジュール2における本体部21は、平板状をなしており、2つのスイッチング素子を樹脂モールドして形成されている。
本体部21から上方に延びるよう形成された制御端子22は、制御回路基板7と接続されており、スイッチング素子を制御する制御電流が入力される。
As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor module 2 constituting the semiconductor unit 10 includes a switching element such as an IGBT (insulated gate bipolar transistor) or a MOSFET (MOS field effect transistor). The main body 21 in the semiconductor module 2 of this example has a flat plate shape, and is formed by resin-molding two switching elements.
The control terminal 22 formed so as to extend upward from the main body portion 21 is connected to the control circuit board 7 and receives a control current for controlling the switching element.

図3に示すごとく、本体部21から下方に延びるよう形成された主電極端子23は、正極端子24、負極端子25及び出力端子26の3つからなる。尚、各半導体モジュール2の出力端子26は、複数のスイッチング素子によって形成されたブリッジ回路において、U相、V相、W相のいずれかを出力するように設定してある。   As shown in FIG. 3, the main electrode terminal 23 formed so as to extend downward from the main body portion 21 is composed of a positive electrode terminal 24, a negative electrode terminal 25, and an output terminal 26. The output terminal 26 of each semiconductor module 2 is set so as to output any one of the U phase, the V phase, and the W phase in a bridge circuit formed by a plurality of switching elements.

図1及び図3に示すごとく、本例の正極端子24には、負極端子25及び出力端子26よりもベースプレート42側に突出した突出部241が形成されている。突出部241は、正極端子24の先端からベースプレート42側に向かって延設されており、上方から見たとき、周状に形成されたリブ46の内側に配されている。また、高さ方向Zにおいて、外側リブ461及び内側リブ463の先端部が、突出部241の先端部よりも半導体ユニット10側の位置に配されている。つまり、突出部241は、高さ方向Zにおいても、周状に形成されたリブ46の内側の位置に配されている。本例においては、半導体ユニット10を構成する半導体モジュール2の正極端子24すべてに突出部241を形成してある。
尚、負極端子25及び出力端子26の先端部は、いずれも外側リブ461及び内側リブ463の先端部よりも半導体ユニット10側の位置に配されている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the positive terminal 24 of this example is formed with a protruding portion 241 that protrudes toward the base plate 42 from the negative terminal 25 and the output terminal 26. The protruding portion 241 extends from the tip of the positive electrode terminal 24 toward the base plate 42 side, and is disposed inside a rib 46 formed in a circumferential shape when viewed from above. Further, in the height direction Z, the distal end portions of the outer rib 461 and the inner rib 463 are arranged at a position closer to the semiconductor unit 10 than the distal end portion of the protruding portion 241. That is, the projecting portion 241 is arranged at a position inside the circumferentially formed rib 46 also in the height direction Z. In this example, protrusions 241 are formed on all the positive terminals 24 of the semiconductor module 2 constituting the semiconductor unit 10.
Note that the tip portions of the negative electrode terminal 25 and the output terminal 26 are both arranged at positions closer to the semiconductor unit 10 than the tip portions of the outer rib 461 and the inner rib 463.

上述のケース4及び半導体モジュール2には、図示しない通電検出手段が接続されている。この通電検出手段は、ケース4と半導体モジュール2との間における通電を検出可能に構成されており、ベースプレート42上に冷媒が滞留し、突出部241と冷媒とが接触することにより、突出部241とベースプレート42とが電気的に接続されたことを検出することができる。尚、通電検出手段は、電力変換装置1に一体に設けてあってもよいし、別体として、例えば、車両側の電気回路に組み込まれていてもよい。   An energization detection unit (not shown) is connected to the case 4 and the semiconductor module 2 described above. This energization detecting means is configured to be able to detect energization between the case 4 and the semiconductor module 2, and the refrigerant stays on the base plate 42, and the protrusion 241 and the refrigerant come into contact with each other, so that the protrusion 241. And the base plate 42 can be detected as being electrically connected. The energization detection means may be provided integrally with the power conversion device 1, or may be incorporated as a separate body in, for example, an electric circuit on the vehicle side.

次に、本例の作用効果について説明する。
電力変換装置1においては、ベースプレート42と突出部241を備えた主電極端子23とを備えている。そのため、主電極端子23同士の短絡が生じる前に、通電検出手段によって、半導体モジュール2とケース4との間における漏電を早期に検出することができる。
すなわち、電力変換装置1の冷却装置3において、冷媒の漏出が発生した際に、漏出した冷媒は下方に落下する。そして、落下した冷媒は、半導体ユニット10の下方に対向して配された、ベースプレート42上に滞留する。
Next, the function and effect of this example will be described.
The power conversion device 1 includes a base plate 42 and a main electrode terminal 23 including a protruding portion 241. Therefore, before the main electrode terminals 23 are short-circuited, the electric leakage between the semiconductor module 2 and the case 4 can be detected at an early stage by the energization detecting means.
That is, when the refrigerant leaks in the cooling device 3 of the power conversion device 1, the leaked refrigerant falls downward. Then, the dropped refrigerant stays on the base plate 42 arranged facing the lower side of the semiconductor unit 10.

ベースプレート42上に滞留した冷媒は、ベースプレート42と突出部241との間に位置すると、ベースプレート42と突出部241とを電気的に接続する。このとき、突出部241を有する主電極端子23は、正極端子24のみであるため、正極端子23とベースプレート42との間に通電する一方で、各主電極端子23の間において短絡は生じない。   When the refrigerant staying on the base plate 42 is positioned between the base plate 42 and the protruding portion 241, the base plate 42 and the protruding portion 241 are electrically connected. At this time, since the main electrode terminal 23 having the protruding portion 241 is only the positive electrode terminal 24, current is passed between the positive electrode terminal 23 and the base plate 42, while no short circuit occurs between the main electrode terminals 23.

ベースプレート42と主電極端子23との間における通電を、通電検出手段によって検出することにより、電力変換装置1における冷媒の漏出を、主電極端子23同士に短絡を生じさせることなく、確実かつ早期に検知することができる。   By detecting the energization between the base plate 42 and the main electrode terminal 23 by the energization detection means, the leakage of the refrigerant in the power conversion device 1 can be performed reliably and early without causing a short circuit between the main electrode terminals 23. Can be detected.

電力変換装置1において、ベースプレート42における半導体ユニット10との対向面45には、半導体ユニット10に向かって、板状のリブ46が少なくとも1つ立設している。そのため、ベースプレート42上に滞留した冷媒が、ベースプレート42から流れ落ちることを防止することができる。これにより、突出部241と冷媒とを接触させやすくし、冷媒漏出時の検出精度を向上することができる。   In the power conversion device 1, at least one plate-like rib 46 stands on the surface 45 of the base plate 42 facing the semiconductor unit 10 toward the semiconductor unit 10. Therefore, the refrigerant staying on the base plate 42 can be prevented from flowing down from the base plate 42. Thereby, the protrusion part 241 and a refrigerant | coolant can be made easy to contact, and the detection accuracy at the time of refrigerant | coolant leakage can be improved.

また、ベースプレート42の対向面45に直交する方向から見たとき、リブ46は、突出部241を有する主電極端子23を囲うように周状に形成されている。そのため、周状に形成されたリブ46の内周に冷媒を貯留することができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、さらに向上することができる。   Further, when viewed from a direction orthogonal to the facing surface 45 of the base plate 42, the rib 46 is formed in a circumferential shape so as to surround the main electrode terminal 23 having the protruding portion 241. Therefore, the refrigerant can be stored in the inner periphery of the rib 46 formed in a circumferential shape. Thereby, the detection accuracy at the time of refrigerant leakage can be further improved.

また、リブ46の先端部は、突出部241におけるベースプレート42側に配された先端部よりも、半導体ユニット10側の位置に配されている。そのため、ベースプレート42上に滞留した冷媒と、突出部241とをより確実に接触させることができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、向上することができる。   The tip of the rib 46 is arranged at a position closer to the semiconductor unit 10 than the tip of the protrusion 241 arranged on the base plate 42 side. Therefore, the refrigerant staying on the base plate 42 and the protruding portion 241 can be brought into contact with each other more reliably. Thereby, the detection precision at the time of refrigerant | coolant leakage can be improved.

また、ケース4におけるベースプレート42よりも下方には、補助電源装置51と補助電源装置51を冷却するための補助冷却装置52とが配されており、補助冷却装置52は、冷媒を流通する補助冷媒流路53を備えており、補助冷媒流路53における天井面535の少なくとも一部が、ベースプレート42によって形成されている。そのため、補助冷却装置52内の冷媒が、ベースプレート42側に漏出した際にも、突出部241によって漏出を検出することができる。   An auxiliary power supply 51 and an auxiliary cooling device 52 for cooling the auxiliary power supply 51 are arranged below the base plate 42 in the case 4. The auxiliary cooling device 52 is an auxiliary refrigerant that circulates refrigerant. The flow path 53 is provided, and at least a part of the ceiling surface 535 in the auxiliary refrigerant flow path 53 is formed by the base plate 42. Therefore, even when the refrigerant in the auxiliary cooling device 52 leaks to the base plate 42 side, the leakage can be detected by the protruding portion 241.

以上のごとく、本例の電力変換装置1によれば、冷媒の漏出による主電極端子23同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができる。   As described above, according to the power conversion device 1 of the present example, it is possible to detect the leakage reliably and early while preventing a short circuit between the main electrode terminals 23 due to the leakage of the refrigerant.

また、本例においては、主電極端子23自体を延長したが、複数の主電極端子23を同一の突出量とし、別部材を接合することによって突出部241を形成してもよい。
また、本例においては、半導体ユニット10を構成するすべての半導体モジュール2の正極端子24に突出部241を形成したが、これに限るものではなく、一部の半導体モジュール2の正極端子24に突出部241を形成してもよい。また、正極端子24に突出部241を形成したが、負極端子25又は出力端子26に突出部241を形成してもよい。
In this example, the main electrode terminal 23 itself is extended, but the plurality of main electrode terminals 23 may have the same protruding amount, and the protruding portion 241 may be formed by joining different members.
Further, in this example, the protruding portions 241 are formed on the positive terminals 24 of all the semiconductor modules 2 constituting the semiconductor unit 10, but the present invention is not limited to this, and protrudes on the positive terminals 24 of some of the semiconductor modules 2. The part 241 may be formed. Further, although the protruding portion 241 is formed on the positive terminal 24, the protruding portion 241 may be formed on the negative terminal 25 or the output terminal 26.

(実施例2)
本例は、実施例1における電力変換装置1の構造を一部変更した例である。
図5に示すごとく、本例の突出部241は、主電極端子23から延設された突出本体部243と、突出本体部243から横方向Y両側に延設された拡大検出部242とを有している。
拡大検出部242は、ベースプレート42における対向面45に沿うように、ベースプレート42に対して一定の間隔を介して配されている。尚、本例に示す突出部241は、主電極端子23と別体で形成されたものを接合してある。
(Example 2)
This example is an example in which the structure of the power conversion device 1 in the first embodiment is partially changed.
As shown in FIG. 5, the projecting portion 241 of this example includes a projecting main body portion 243 extending from the main electrode terminal 23 and an enlargement detecting portion 242 extending from the projecting main body portion 243 on both sides in the lateral direction Y. doing.
The enlargement detection unit 242 is arranged with a constant interval with respect to the base plate 42 so as to follow the facing surface 45 of the base plate 42. The protruding portion 241 shown in this example is joined to the main electrode terminal 23 which is formed separately.

また、図5に示すごとく、対向面45上には、横方向Yにおいて、互いに対向するよう一対のリブ46が形成されている。一対のリブ46の間の距離は、冷却チューブ31における横方向Yの長さ寸法と略同一に設定してある。
尚、本例又は本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
As shown in FIG. 5, a pair of ribs 46 are formed on the facing surface 45 so as to face each other in the lateral direction Y. The distance between the pair of ribs 46 is set to be substantially the same as the length dimension of the cooling tube 31 in the lateral direction Y.
Of the reference numerals used in this example or the drawings relating to this example, the same reference numerals as those used in the first embodiment represent the same components as in the first embodiment unless otherwise specified.

本例に示す、突出部241は、ベースプレート42の対向面45に沿うように突出部241から延設された拡大検出部242を有していてもよい。この場合には、突出部241における、冷媒との接触可能な範囲を拡大することができる。これにより、冷媒の漏出を、より確実に検知することができる。   The protruding portion 241 shown in this example may have an enlargement detecting portion 242 extending from the protruding portion 241 so as to be along the facing surface 45 of the base plate 42. In this case, the range in which the protrusion 241 can come into contact with the refrigerant can be expanded. Thereby, the leakage of the refrigerant can be detected more reliably.

本例においては、横方向Y両側に延びるように拡大検出部242を形成したが、これに限るものではなく、横方向Yの一方又は積層方向Xに延びるように形成してもよい。   In this example, the enlargement detection unit 242 is formed so as to extend on both sides in the horizontal direction Y. However, the present invention is not limited to this, and may be formed so as to extend in one of the horizontal directions Y or in the stacking direction X.

1 電力変換装置
10 半導体ユニット
2 半導体モジュール
23 主電極端子
24 正極端子
241 突出部
25 負極端子
26 出力端子
3 冷却装置
31 冷却チューブ
4 ケース
42 ベースプレート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 10 Semiconductor unit 2 Semiconductor module 23 Main electrode terminal 24 Positive electrode terminal 241 Protrusion part 25 Negative electrode terminal 26 Output terminal 3 Cooling device 31 Cooling tube 4 Case 42 Base plate

Claims (6)

スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール(2)と、内部に冷媒を流通させる冷却チューブ(31)を備え上記半導体モジュール(2)を冷却する冷却装置(3)とを有する半導体ユニット(10)と、
該半導体ユニット(10)を収容する導電性を備えるケース(4)と、
該ベースプレート(42)と上記半導体モジュール(2)との間における通電を検出する通電検出手段とを有しており、
上記半導体ユニット(10)の下方には、該半導体ユニット(10)と対向するようにベースプレート(42)が配されており、
上記半導体モジュール(2)における複数の主電極端子(23)のうち、正極端子(24)、負極端子(25)、又は出力端子(26)のいずれか1つが、他の主電極端子(23)よりも、上記ベースプレート(42)に向かって突出した突出部(241)を備えていることを特徴とする電力変換装置(1)。
A semiconductor unit (10) having a semiconductor module (2) having a built-in switching element and a cooling device (3) provided with a cooling tube (31) for circulating a refrigerant therein to cool the semiconductor module (2);
A conductive case (4) for housing the semiconductor unit (10);
An energization detecting means for detecting energization between the base plate (42) and the semiconductor module (2);
A base plate (42) is disposed below the semiconductor unit (10) so as to face the semiconductor unit (10).
Among the plurality of main electrode terminals (23) in the semiconductor module (2), any one of the positive terminal (24), the negative terminal (25), and the output terminal (26) is the other main electrode terminal (23). Rather, the power converter device (1) is provided with a projecting portion (241) projecting toward the base plate (42).
上記ベースプレート(42)における上記半導体ユニット(10)との対向面(45)には、上記半導体ユニット(10)に向かって、板状のリブ(46、461、462、463)が少なくとも1つ立設していることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置(1)。   At least one plate-like rib (46, 461, 462, 463) stands on the surface (45) of the base plate (42) facing the semiconductor unit (10) toward the semiconductor unit (10). The power converter (1) according to claim 1, wherein the power converter (1) is provided. 上記ベースプレート(42)の上記対向面(45)に直交する方向から見たとき、上記リブ(46、461、462、463)は、上記突出部(241)を有する主電極端子(23)を囲うように周状に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力変換装置(1)。   When viewed from a direction orthogonal to the facing surface (45) of the base plate (42), the ribs (46, 461, 462, 463) surround the main electrode terminal (23) having the protruding portion (241). The power converter (1) according to claim 1 or 2, wherein the power converter (1) is formed in a circumferential shape. 上記リブ(46、461、462、463)の先端部は、上記突出部(241)における上記ベースプレート(42)側に配された先端部よりも、上記半導体ユニット(10)側の位置に配されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の電力変換装置(1)。   The tip of the rib (46, 461, 462, 463) is arranged at a position closer to the semiconductor unit (10) than the tip of the protrusion (241) arranged on the base plate (42) side. The power converter device (1) according to claim 2 or 3, wherein the power converter device (1) is provided. 上記突出部(241)は、上記ベースプレート(42)の上記対向面(45)に沿うように延設された拡大検出部(242)を有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)。   The said protrusion part (241) has the expansion | extension detection part (242) extended so that the said opposing surface (45) of the said baseplate (42) might be followed. The power converter device (1) as described in any one. 上記ケース(4)における上記ベースプレート(42)よりも下方には、補助電源装置(51)と該補助電源装置(51)を冷却するための補助冷却装置(52)とが配されており、上記補助冷却装置(52)は、冷媒を流通する補助冷媒流路(53)を備えており、該補助冷媒流路(53)における天井面(535)の少なくとも一部が、上記ベースプレート(42)の上記対向面(45)によって形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)。   Below the base plate (42) in the case (4), an auxiliary power supply (51) and an auxiliary cooling device (52) for cooling the auxiliary power supply (51) are arranged. The auxiliary cooling device (52) includes an auxiliary refrigerant channel (53) for circulating the refrigerant, and at least a part of the ceiling surface (535) of the auxiliary refrigerant channel (53) is formed on the base plate (42). The power conversion device (1) according to any one of claims 1 to 5, wherein the power conversion device (1) is formed by the facing surface (45).
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