JP2014229789A - Light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a residue of a liquid repellent film formed in a region where a sealing material is disposed from remaining.SOLUTION: In a light emitting device (11), a glass part (14) on which an LED chip (4) is placed and wiring (12, 13) are disposed on a substrate (2) made of a ceramic and a surface of the substrate (2) in a sealing resin (7) formation region does not contact with the sealing resin (7).

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

表面実装型の半導体発光装置が開発されている。   Surface mount semiconductor light emitting devices have been developed.

図１６の（ａ）は従来の発光装置の製造に用いられる、ＬＥＤチップ実装前の配線基板の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側からみた側面図である。   FIG. 16A is a plan view showing a configuration of a wiring board before LED chip mounting used for manufacturing a conventional light emitting device, and FIG. 16B is a plan view of the wiring board shown in FIG. FIG. 6C is a side view of the wiring board shown in FIG.

図１７の（ａ）は従来の発光装置を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す発光装置を紙面右側からみた側面図である。   17A is a plan view showing a conventional light emitting device, FIG. 17B is a side view of the light emitting device shown in FIG. 17A viewed from the lower side of the drawing, and FIG. 17C is shown in FIG. It is the side view which looked at the light-emitting device from the paper surface right side.

図１６に示す配線基板１０１は、近年多用されている配光特性を考慮した半導体発光装置の製造に用いられる。   A wiring substrate 101 shown in FIG. 16 is used for manufacturing a semiconductor light emitting device in consideration of light distribution characteristics that are frequently used in recent years.

図１６に示すように、配線基板１０１は、セラミックからなる基板１０２と、基板１０２の裏面に配されている配線１０３と、基板１０２の表面に配されている一対の配線１１２・配線１１３と、基板１０２の表面に配されているガラス部１１４とを備えている。配線１０３・１１２・１１３は金属材料からなる。   As shown in FIG. 16, the wiring substrate 101 includes a ceramic substrate 102, a wiring 103 disposed on the back surface of the substrate 102, a pair of wirings 112 and 113 disposed on the surface of the substrate 102, And a glass portion 114 disposed on the surface of the substrate 102. The wirings 103, 112, and 113 are made of a metal material.

図１６の（ａ）に示すように、ガラス部１１４の表面のＬＥＤチップ搭載位置１００Ｐが発光素子としてのＬＥＤチップが搭載される位置である。図１６の（ａ）に示す封止樹脂形成領域１００Ｒは封止樹脂が形成される領域である。封止樹脂形成領域１００Ｒは、ガラス部１１４を円形に囲み、当該ガラス部１１４、基板１０２表面の一部や、配線１１２・１１３の表面の一部を包含する。   As shown to (a) of FIG. 16, LED chip mounting position 100P of the surface of the glass part 114 is a position where the LED chip as a light emitting element is mounted. A sealing resin forming region 100R shown in FIG. 16A is a region where the sealing resin is formed. The sealing resin formation region 100 </ b> R surrounds the glass portion 114 in a circle and includes a part of the glass portion 114, the surface of the substrate 102, and the surfaces of the wirings 112 and 113.

図１７に示すように、図１６で示したＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップ１０４を搭載する。ＬＥＤチップ１０４は接着剤によりガラス部１１４と接着される。ガラス部１１４に搭載されたＬＥＤチップ１０４の電極パッド部（不図示）と、配線１１２・１１３それぞれとは、金からなるワイヤ１０６によって結線される。そして、図１６で示した封止樹脂形成領域１００Ｒに、半球形状の封止樹脂１０７を形成することで、発光装置が製造される。   As shown in FIG. 17, the LED chip 104 is mounted at the LED chip mounting position 100P shown in FIG. The LED chip 104 is bonded to the glass portion 114 with an adhesive. An electrode pad portion (not shown) of the LED chip 104 mounted on the glass portion 114 and each of the wirings 112 and 113 are connected by a wire 106 made of gold. Then, the light emitting device is manufactured by forming the hemispherical sealing resin 107 in the sealing resin forming region 100R shown in FIG.

封止樹脂１０７はＬＥＤチップ１０４を封止することで、ＬＥＤチップ１０４を熱的及び機械的外力からの影響を緩和したり、酸素や水分から遮蔽したりするものである。   The sealing resin 107 seals the LED chip 104, so that the LED chip 104 is less affected by thermal and mechanical external forces and shielded from oxygen and moisture.

封止樹脂１０７の形成方法として、図１８に示すような金型を用いた方法を挙げることができる。   As a method for forming the sealing resin 107, a method using a mold as shown in FIG.

図１８を用いて、現在多用されている、金型を用いて封止樹脂を形成する方法について説明する。   A method for forming a sealing resin using a mold, which is currently widely used, will be described with reference to FIG.

図１８は、金型を用いて封止樹脂を形成する従来の発光装置の製造方法を表す図であり（ａ）は封止樹脂形成前の基板を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）で示す基板を金型で挟んでいる様子を表す断面図であり、（ｃ）は（ｂ）で示す金型内に封止樹脂剤を充填した様子を表す断面図であり、（ｄ）は封止樹脂が形成された発光装置を表す断面図である。   18A and 18B are views showing a method for manufacturing a conventional light emitting device in which a sealing resin is formed using a mold. FIG. 18A is a cross-sectional view showing a substrate before forming the sealing resin, and FIG. It is sectional drawing showing a mode that the board | substrate shown to a is pinched | interposed with a metal mold | die, (c) is sectional drawing showing a mode that the sealing resin agent was filled in the metal mold | die shown in (b), (d ) Is a cross-sectional view showing a light emitting device in which a sealing resin is formed.

図１８の（ａ）に示すように配線基板１０１のＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップ１０４を搭載し、当該ＬＥＤチップ１０４と、配線１１２・１１３それぞれとをワイヤ１０６で結線した後、図１８の（ｂ）に示すように、下金型１８１と、上金型１８２との間に、ＬＥＤチップ１０４が搭載された配線基板１０１を配する。上金型１８２には、ＬＥＤチップ１０４が搭載された配線基板１０１に形成される封止樹脂１０７の半球形状と対応する形状の空隙１８２ａが設けられている。   As shown in FIG. 18A, the LED chip 104 is mounted at the LED chip mounting position 100P of the wiring board 101, and the LED chip 104 and the wirings 112 and 113 are connected by the wire 106, and then the wiring of FIG. As shown in (b), the wiring substrate 101 on which the LED chip 104 is mounted is disposed between the lower mold 181 and the upper mold 182. The upper mold 182 is provided with a gap 182a having a shape corresponding to the hemispherical shape of the sealing resin 107 formed on the wiring substrate 101 on which the LED chip 104 is mounted.

図１８の（ｃ）に示すように、上金型１８２の空隙１８２ａに封止樹脂１０７となる封止樹脂剤を充填する。そして、加熱により当該封止樹脂剤を硬化することで封止樹脂１０７を形成する。   As shown in FIG. 18C, a sealing resin agent that becomes the sealing resin 107 is filled in the gap 182 a of the upper mold 182. Then, the sealing resin 107 is formed by curing the sealing resin agent by heating.

図１８の（ｄ）に示すように、封止樹脂１０７の形状を保つように下金型１８１及び上金型１８２から封止樹脂１０７が形成された発光装置を取り出す。このようにして、半球形状の封止樹脂１０７が形成された発光装置が得られる。   As shown in FIG. 18D, the light emitting device on which the sealing resin 107 is formed is taken out from the lower mold 181 and the upper mold 182 so as to keep the shape of the sealing resin 107. In this manner, a light emitting device in which the hemispherical sealing resin 107 is formed is obtained.

しかし、封止樹脂の形成に必要な金型は、高価であり作製に手間がかかる。特許文献１〜５には、金型を用いず、封止樹脂の形状を規定する撥液膜を形成する方法が開示されている。これについて、図１９を用いて説明する。   However, the mold necessary for forming the sealing resin is expensive and takes time to manufacture. Patent Documents 1 to 5 disclose a method of forming a liquid repellent film that defines the shape of the sealing resin without using a mold. This will be described with reference to FIG.

図１９は、従来の撥液膜が形成された配線基板を表す平面図である。図１９に示すように、封止樹脂を形成する前に、封止樹脂形成領域の縁に沿う円環形状の撥液膜１０５を形成する。   FIG. 19 is a plan view showing a wiring board on which a conventional liquid repellent film is formed. As shown in FIG. 19, before forming the sealing resin, an annular liquid-repellent film 105 is formed along the edge of the sealing resin formation region.

この撥液膜１０５を形成した後、ガラス部１１４のＬＥＤチップ搭載位置１００ＰにＬＥＤチップを搭載し、当該ＬＥＤチップの電極パッド部と配線１１２・１１３それぞれとを結線した後、撥液膜１０５が囲む領域内に封止樹脂剤を適量滴下する。当該滴下された封止樹脂剤は撥液膜１０５表面と接触し、撥液膜１０５の表面によって半球形状に保持される。そして、加熱することで封止樹脂剤は硬化し、封止樹脂が形成される。   After the liquid repellent film 105 is formed, an LED chip is mounted at the LED chip mounting position 100P of the glass portion 114, and after connecting the electrode pad portion of the LED chip and the wirings 112 and 113, the liquid repellent film 105 is formed. An appropriate amount of the sealing resin agent is dropped into the surrounding area. The dropped sealing resin agent comes into contact with the surface of the liquid repellent film 105 and is held in a hemispherical shape by the surface of the liquid repellent film 105. And the sealing resin agent hardens | cures by heating, and sealing resin is formed.

このように撥液膜１０５は、撥液性を利用することで、従来用いられていた金型に換えて封止樹脂の形状を規定する。   Thus, the liquid repellent film 105 defines the shape of the sealing resin in place of the conventionally used mold by utilizing the liquid repellency.

この撥液膜１０５は、孔版を用いた印刷法やスタンプによりパターンすることができる。しかし、孔版やスタンプは、使用するごとに物理的な外力を受けて摩耗し変形するため、その結果としてパターン形成された撥液膜１０５の形状や寸法が変化するという課題を生じる。   The liquid repellent film 105 can be patterned by a printing method using a stencil or a stamp. However, every time the stencil plate or stamp is used, it is worn and deformed by receiving a physical external force. As a result, there arises a problem that the shape and dimensions of the patterned liquid repellent film 105 change.

また、印刷法やスタンプを用いた方法は、配線基板と、孔版又はスタンプとの位置合せが必要であり、さらに、合せた位置を保持するために、それぞれの位置を固定する装置や固定作業が必要となる。   In addition, the printing method and the method using a stamp require alignment between the wiring board and the stencil or stamp, and further, in order to maintain the aligned position, there is no device or fixing work for fixing each position. Necessary.

すなわち、孔版の孔部から、撥液膜１０５となる液状の撥液剤を押し出したときに、孔版と配線基板との位置がずれたり、孔版と基板との間に空隙が発生しないように、それぞれの位置を固定する必要がある。また、スタンプを用いた方法でも、スタンプから基板に撥液膜１０５を転写するとき、基板とスタンプとの相対位置がずれたり、配線基板とスタンプとの間に空隙が発生しないように、それぞれの位置を固定する必要がある。   That is, when the liquid lyophobic agent that becomes the liquid repellent film 105 is extruded from the hole portion of the stencil, the position of the stencil and the wiring board is not shifted, and a gap is not generated between the stencil and the substrate, respectively. It is necessary to fix the position. Further, even in the method using a stamp, when transferring the liquid repellent film 105 from the stamp to the substrate, the relative position between the substrate and the stamp is not shifted, and a gap is not generated between the wiring substrate and the stamp. It is necessary to fix the position.

このように、撥液膜１０５を印刷法やスタンプを用いて形成するには、費用や作業効率の面で課題が生じる。   As described above, forming the liquid repellent film 105 using a printing method or a stamp causes problems in terms of cost and work efficiency.

そこで、撥液膜を、金型を用いた方法や、印刷法、又はスタンプを用いた方法では無く、図２０に示すように液状の撥液材を基板全面に塗布し硬化させることで撥液膜１０５を成膜した後、図２１に示すように、封止樹脂を形成する領域の撥液膜１０５に開口部１０５ａを設け、その開口部１０５ａに封止樹脂を形成する方法が開発されている。   Therefore, the liquid repellent film is not a method using a mold, a printing method or a method using a stamp, but a liquid repellent material is applied to the entire surface of the substrate and cured as shown in FIG. After the film 105 is formed, as shown in FIG. 21, a method has been developed in which an opening 105a is provided in the liquid repellent film 105 in the region where the sealing resin is to be formed, and the sealing resin is formed in the opening 105a. Yes.

特許文献６には、基板の全面に液状の撥水性材料を塗布し硬化させた後、リソグラフィによりエッチングして、所望の位置に、所望の形状の撥水性の膜を形成する方法が開示されている。   Patent Document 6 discloses a method of forming a water-repellent film having a desired shape at a desired position by applying a liquid water-repellent material to the entire surface of the substrate and curing it, followed by etching by lithography. Yes.

特許文献６では、まず、フッ素をドープしたＳｉＯ２からなる基板の全面に、撥水性の保護膜を形成する。そしてリソグラフィ技術により、上記保護膜の所望の位置に開口部を設ける。次に、形成した開口部を含み上記保護膜上に加水分解溶液をスピンコーティングする。そして、加熱し、上記保護膜を熱分解させる。これにより、基板上の保護膜は除去され、上記保護膜の開口部であった領域に、加水分解溶液が硬化したコア部が形成される。 In Patent Document 6, first, a water repellent protective film is formed on the entire surface of a substrate made of SiO 2 doped with fluorine. Then, an opening is provided at a desired position of the protective film by lithography. Next, a hydrolyzed solution is spin-coated on the protective film including the formed opening. And it heats and the said protective film is thermally decomposed. As a result, the protective film on the substrate is removed, and a core portion in which the hydrolysis solution is cured is formed in the region that was the opening of the protective film.

ここで、近年、製造コストを抑えるため、発光装置に用いられる基板はセラミックが用いられている。特許文献６ではフッ素をドープしたＳｉＯ２からなる基板が使用されており、製造コスト増加を招く。 Here, in recent years, ceramics are used as a substrate used in a light emitting device in order to reduce manufacturing costs. In Patent Document 6, a substrate made of SiO 2 doped with fluorine is used, resulting in an increase in manufacturing cost.

特許文献７では、セラミックからなる基板の全面に、アルミナ系絶縁膜、及び酸化シリコン系絶縁膜を順に積層する。アルミナ系絶縁膜、及び酸化シリコン系絶縁膜は、基板と封止樹脂との密着性を向上させるための薄い膜である。さらに、酸化シリコン系絶縁膜に、ナノプリント技術を用いてフッ素系撥水膜を積層する。   In Patent Document 7, an alumina insulating film and a silicon oxide insulating film are sequentially laminated on the entire surface of a ceramic substrate. The alumina-based insulating film and the silicon oxide-based insulating film are thin films for improving the adhesion between the substrate and the sealing resin. Further, a fluorine-based water repellent film is laminated on the silicon oxide insulating film by using a nanoprint technique.

そして、フッ素系撥水膜にパターンマスクを設置し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）プラズマ装置によって、蛍光体含有封止樹脂の搭載領域に対応する位置のフッ素系撥水膜を部分的に除去することで、フッ素系撥水膜に開口部を設ける。   Then, a pattern mask is set on the fluorine-based water repellent film, and the fluorine-based water repellent film at a position corresponding to the mounting region of the phosphor-containing sealing resin is partially removed by a reactive ion etching (RIE) plasma apparatus. Thus, an opening is provided in the fluorine-based water repellent film.

この後、フッ素系撥水膜の開口部内の酸化シリコン系撥水膜に、ＬＥＤチップをダイボンディングする。さらに、金線により、基板上の配線とＬＥＤチップとをワイヤボンディングする。ここで、基板上の配線は、アルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜により覆われている。しかし、アルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜は薄く、加熱された金線が、これらアルミナ系絶縁膜及び酸化シリコン系絶縁膜を突き破り、基板上の配線と接触するとされている。   Thereafter, the LED chip is die-bonded to the silicon oxide water repellent film in the opening of the fluorine water repellent film. Further, the wiring on the substrate and the LED chip are wire-bonded with a gold wire. Here, the wiring on the substrate is covered with an alumina insulating film and a silicon oxide insulating film. However, the alumina-based insulating film and the silicon oxide-based insulating film are thin, and the heated gold wire penetrates the alumina-based insulating film and the silicon oxide-based insulating film and comes into contact with the wiring on the substrate.

そして、ＬＥＤチップがダイボンディングされたフッ素系撥水膜の開口部に、ディスペンサーを用いて液状の樹脂を注入し硬化する。これにより、フッ素系撥水膜の開口部内に、ＬＥＤチップを封止する半球形状の封止樹脂が形成されるとされている。   Then, a liquid resin is injected into the opening of the fluorine-based water repellent film to which the LED chip is die-bonded using a dispenser and cured. Thereby, a hemispherical sealing resin for sealing the LED chip is formed in the opening of the fluorine-based water repellent film.

特開昭６２-２２９８６２号公報（１９８７年１０月８日公開）JP 62-229862 A (published October 8, 1987) 特開平７-２３１１２０号公報（１９９５年８月２９日公開）Japanese Patent Laid-Open No. 7-231120 (released on August 29, 1995) 特開２００４-８７８１２号公報（２００４年３月１８日公開）JP 2004-87812 A (published on March 18, 2004) 特開２００８-２５８２９６号公報（２００８年１０月２３日公開）JP 2008-258296 A (released on October 23, 2008) 特開２０１２-１１６６５号公報（２０１２年１月１９日公開）JP 2012-11665 A (published January 19, 2012) 特開平６‐２５００３７号公報（１９９４年９月９日公開）Japanese Patent Laid-Open No. 6-250037 (published September 9, 1994) 特開２０１２‐４９２２９号公報（２０１２年３月８日公開）JP 2012-49229 A (published March 8, 2012)

しかし、セラミックからなる基板は、表面に焼結体特有の微小な多数の空隙が存在する。   However, the substrate made of ceramic has a large number of minute voids unique to the sintered body on the surface.

特許文献７の技術では、セラミックからなる基板に形成されたアルミナ系絶縁膜、酸化シリコン系絶縁膜、及びフッ素系撥水膜は、基板の微小な多数の空隙に浸透することになる。このため、リアクティブイオンエッチングプラズマ装置によって、蛍光体含有封止樹脂の搭載領域に対応する位置のフッ素系撥水膜を部分的に除去する際、完全に除去できず、フッ素系撥水膜の残渣が残ることになる。さらに、後工程で、ＬＥＤチップをダイボンドしたりワイヤボンドしたりする際の熱で、基板の微小な多数の空隙に浸透していたフッ素系撥水膜が浮き出て、発光装置の色特性に影響を与える場合がある。   In the technique of Patent Document 7, the alumina-based insulating film, the silicon oxide-based insulating film, and the fluorine-based water-repellent film formed on the ceramic substrate penetrate into a large number of minute voids in the substrate. For this reason, when the fluorine-based water repellent film at the position corresponding to the mounting region of the phosphor-containing sealing resin is partially removed by the reactive ion etching plasma apparatus, it cannot be completely removed. A residue will remain. Furthermore, in the subsequent process, the fluorine water-repellent film that has penetrated into a large number of minute voids in the substrate is raised by the heat when die-bonding or wire-bonding the LED chip, affecting the color characteristics of the light-emitting device. May give.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、封止材が配されている領域の撥液膜の残渣が残ることが防止された発光装置及び発光装置の製造方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device and a method for manufacturing the light-emitting device in which the residue of the liquid repellent film in the region where the sealing material is disposed is prevented from remaining. Is to provide.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、セラミックからなる基板と、上記基板の上記配線が配されている面と同一面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含し、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。   In order to solve the above problems, a light-emitting device according to one embodiment of the present invention includes a light-emitting element, a wiring connected to the light-emitting element, and a sealing material that is sealed by including the light-emitting element. The substrate is made of ceramic, and is disposed on the same surface as the surface of the substrate on which the wiring is disposed. The substrate is made of glass or resin, and the light emitting element is mounted thereon. And the sealing material includes at least the light emitting element placed on the placement portion by being placed on the placement portion, and the sealing material is disposed on the placement portion. The surface of the substrate in the region is covered with the placement portion and the wiring, and is not in contact with the sealing material.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、 発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、上記載置部に上記発光素子を配する工程と、上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有する。   In order to solve the above problems, a method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention includes a light-emitting element, a wiring connected to the light-emitting element, and a seal sealed by including the light-emitting element. A method of manufacturing a light emitting device including a stopper, wherein the wiring is formed on a ceramic substrate, the surface of the substrate on which the wiring is disposed, and the sealing material is disposed on the surface. A step of providing a placement portion made of glass or resin for placing the light emitting element so as not to cover and expose the surface of the substrate in the region with the wiring, and after placing the placement portion above A step of forming a liquid repellent film so as not to be in contact with the surface of the substrate in a region where the sealing material is disposed; and a region in the liquid repellent film where the sealing material is formed is removed and opened. Exposing the mounting portion by forming a portion; and A step of arranging the light emitting device in the loading portion, includes a light emitting element, so that the substrate and a non-contact, and a step of forming the sealing material on at least the loading portion.

本発明の一態様によれば、封止材が配されている領域の撥液膜の残渣が残ることを防止することができるという効果を奏する。   According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent the residue of the liquid repellent film in the region where the sealing material is provided from remaining.

実施の形態１に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線矢視断面図である。It is a figure showing the structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1, (a) is a top view showing the structure of a light-emitting device, (b) is AA 'arrow sectional drawing shown to (a). (C) is a cross-sectional view taken along line BB ′ shown in (a). 上記発光装置に用いられる基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate used for the said light-emitting device. 配線がパターン形成された上記基板の平面図である。It is a top view of the said board | substrate with which wiring was patterned. 上記発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。(A) is a plan view of the wiring board used in the light emitting device, and (b) is a side view of the wiring board shown in (a) as viewed from the lower side of the drawing. It is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper surface right side. （ａ）は撥液膜が全面に形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の撥液膜のうち封止樹脂形成領域を除去した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。(A) is a top view showing the wiring board by which the liquid repellent film was formed in the whole surface, (b) is a top view showing the wiring board which removed the sealing resin formation area among the liquid repellent films of (a). FIG. 8C is a plan view showing a wiring board in which an LED chip is mounted in the sealing resin formation region of FIG. 実施形態２に係る発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。The structure of the wiring board used for the light-emitting device which concerns on Embodiment 2 is represented, (a) is a top view of a wiring board, (b) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper lower side. (C) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper surface right side. （ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。(A) is a top view showing the wiring board in which the liquid repellent film from which the sealing resin formation area was removed was formed, (b) is the wiring which mounted the LED chip in the sealing resin formation area of (a) It is a top view showing a board | substrate. 実施の形態に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ‐Ｃ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＤ‐Ｄ’線矢視断面図である。It is a figure showing the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment, (a) is a top view showing the structure of a light-emitting device, (b) is CC 'arrow sectional drawing shown to (a). (C) is DD 'line arrow sectional drawing shown to (a). 実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。The structure of the wiring board used for the light-emitting device which concerns on Embodiment 3 is represented, (a) is a top view of a wiring board, (b) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper lower side. (C) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper surface right side. 実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板にガラス部が形成される前の平面図である。It is a top view before a glass part is formed in the wiring board used for the light-emitting device concerning Embodiment 3. 封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。It is a top view showing the wiring board in which the liquid repellent film from which the sealing resin formation area was removed was formed, (b) is a plane showing the wiring board which mounted the LED chip in the sealing resin formation area of (a). FIG. 実施の形態３に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＥ‐Ｅ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＦ‐Ｆ’線矢視断面図である。It is a figure showing the structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 3, (a) is a top view showing the structure of a light-emitting device, (b) is EE 'arrow sectional drawing shown to (a). (C) is a cross-sectional view taken along line FF ′ shown in (a). 実施の形態４に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＧ‐Ｇ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＨ‐Ｈ’線矢視断面図である。It is a figure showing the structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 4, (a) is a top view showing the structure of a light-emitting device, (b) is GG 'arrow sectional drawing shown to (a). And (c) is a cross-sectional view taken along line HH ′ shown in (a). （ａ）は１次封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１次封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の配線基板に１次封止樹脂を形成し撥液膜を除去した様子を表す平面図である。(A) is a top view showing the wiring board in which the liquid repellent film from which the primary sealing resin formation area was removed was formed, (b) is a LED chip in the primary sealing resin formation area of (a) FIG. 6C is a plan view illustrating a state in which a primary sealing resin is formed on the wiring substrate of FIG. 5B and the liquid repellent film is removed. 実施の形態５に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＩ‐Ｉ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＪ‐Ｊ’線矢視断面図である。It is a figure showing the structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 5, (a) is a top view showing the structure of a light-emitting device, (b) is II 'line sectional drawing shown to (a). And (c) is a cross-sectional view taken along line JJ ′ shown in (a). （ａ）は従来の発光装置の製造に用いられる、ＬＥＤチップ実装前の配線基板の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側からみた側面図である。(A) is a top view showing the structure of the wiring board before LED chip mounting used for manufacture of the conventional light-emitting device, (b) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper lower side. FIG. 5C is a side view of the wiring board shown in FIG. （ａ）は従来の発光装置を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す発光装置を紙面下側から見た側面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す発光装置を紙面右側からみた側面図である。(A) is the top view showing the conventional light-emitting device, (b) is the side view which looked at the light-emitting device shown to (a) from the paper lower side, (c) is the light-emitting device shown to (a). It is the side view seen from the paper surface right side. 金型を用いて封止樹脂を形成する従来の発光装置の製造方法を表す図であり（ａ）は封止樹脂形成前の基板を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）で示す基板を金型で挟んでいる様子を表す断面図であり、（ｃ）は（ｂ）で示す金型内に封止樹脂剤を充填した様子を表す断面図であり、（ｄ）は封止樹脂が形成された発光装置を表す断面図である。It is a figure showing the manufacturing method of the conventional light-emitting device which forms sealing resin using a metal mold | die, (a) is sectional drawing showing the board | substrate before sealing resin formation, (b) is shown by (a). It is sectional drawing showing a mode that the board | substrate is pinched | interposed with a metal mold | die, (c) is sectional drawing showing a mode that the sealing resin agent was filled in the metal mold | die shown in (b), (d) is sealing. It is sectional drawing showing the light-emitting device in which resin was formed. 従来の撥液膜が形成された配線基板を表す平面図である。It is a top view showing the wiring board in which the conventional liquid repellent film was formed. 従来の撥液材が全面に成膜された基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate with which the conventional liquid repellent material was formed into a film on the whole surface. 従来の撥液膜のうち封止樹脂を形成する領域に開口部が形成された基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate with which the opening part was formed in the area | region which forms sealing resin among the conventional liquid repellent films.

〔実施形態１〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Embodiment 1
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

（発光装置の構成）
まず、図１を用いて発光装置の構成について説明する。 (Configuration of light emitting device)
First, the structure of the light emitting device will be described with reference to FIG.

図１は、実施の形態１に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線矢視断面図である。   1A and 1B are diagrams illustrating a configuration of a light-emitting device according to Embodiment 1, FIG. 1A is a plan view illustrating a configuration of the light-emitting device, and FIG. 1B is an AA ′ line arrow illustrated in FIG. (C) is a cross-sectional view taken along line BB ′ shown in (a).

発光装置１１は、本実施の形態では発光素子としてＬＥＤ素子を用いた、いわゆる表面実装型のＬＥＤパッケージである。   The light emitting device 11 is a so-called surface mount type LED package using LED elements as light emitting elements in the present embodiment.

発光装置１１は、セラミックからなる基板２と、基板２の裏面に配されている裏面配線３と、基板２の同一の表面に配されている配線１２・１３及びガラス部（載置部）１４と、ガラス部１４の表面に配されている発光素子であるＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４と配線１２・１３それぞれとを接続する接続部分である複数のワイヤ６と、ＬＥＤチップ４及び複数のワイヤ６を包含することで封止しガラス部１４の表面の一部及び配線１２・１３の表面の一部に配されている封止樹脂（封止材）７とを備えている。また、封止樹脂７の外側であって、基板２、配線１２・１３の表面の一部、及びガラス部１４の表面の一部には撥液膜５が配されている。なお、撥液膜５は、発光装置１１の製造途中で完全に除去されていてもよい。   The light emitting device 11 includes a substrate 2 made of ceramic, a back surface wiring 3 disposed on the back surface of the substrate 2, wirings 12 and 13 and a glass portion (mounting portion) 14 disposed on the same surface of the substrate 2. The LED chip 4 that is a light emitting element disposed on the surface of the glass portion 14, the plurality of wires 6 that are connection portions connecting the LED chip 4 and the wirings 12 and 13, the LED chip 4 and the plurality of A sealing resin (sealing material) 7 that is sealed by including the wire 6 and disposed on a part of the surface of the glass portion 14 and a part of the surface of the wirings 12 and 13 is provided. A liquid repellent film 5 is disposed outside the sealing resin 7 and on part of the surface of the substrate 2, the wirings 12 and 13, and part of the surface of the glass part 14. The liquid repellent film 5 may be completely removed during the manufacturing of the light emitting device 11.

封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われており、かつ、封止樹脂７と非接触となっている。   The surface of the substrate 2 in the region where the sealing resin 7 is disposed is covered with the glass portion 14 and the wirings 12 and 13 and is not in contact with the sealing resin 7.

発光装置１１では、封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われている。このため、ガラス部１４に載置されたＬＥＤチップ４と、配線１２・１３とを接続するワイヤ６を封止樹脂７に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置１１を得ることができる。   In the light emitting device 11, the surface of the substrate 2 in the region where the sealing resin 7 is disposed is covered with the glass portion 14 and the wirings 12 and 13. For this reason, the sealing resin 7 can include the wire 6 that connects the LED chip 4 placed on the glass portion 14 and the wirings 12 and 13. Thereby, the light emitting device 11 which is thermally and mechanically strong can be obtained.

封止樹脂７は、少なくともガラス部１４に配されている。本実施の形態では、封止樹脂７は、ガラス部１４と配線１２・１３とに跨って配されている。   The sealing resin 7 is disposed at least on the glass portion 14. In the present embodiment, the sealing resin 7 is disposed across the glass portion 14 and the wirings 12 and 13.

そして、封止樹脂７が配されている領域における基板２の表面は、ガラス部１４と配線１２・１３とで覆われており、かつ、封止樹脂７と非接触となっている。   And the surface of the board | substrate 2 in the area | region where the sealing resin 7 is distribute | arranged is covered with the glass part 14 and the wiring 12 * 13, and is not in contact with the sealing resin 7. FIG.

このため、封止樹脂７を配するために封止樹脂の形成前に設けられる撥液膜５のうち、封止樹脂を配するために除去される領域は、ガラスからなることでセラミックより表面がなめらかであるガラス部１４と少なくとも接触し、セラミックからなる基板２とは非接触となっている。このため、撥液膜５のうち封止樹脂７材を配するために除去される領域である開口部５ａに撥液膜５の残渣が残ることが防止されている。   For this reason, in the liquid repellent film 5 provided before the formation of the sealing resin in order to dispose the sealing resin 7, the region removed for disposing the sealing resin is made of glass, and thus the surface is removed from the ceramic. Is at least in contact with the smooth glass portion 14 and is not in contact with the substrate 2 made of ceramic. For this reason, the residue of the liquid repellent film 5 is prevented from remaining in the opening 5a, which is a region of the liquid repellent film 5 that is removed to dispose the sealing resin 7 material.

発光装置１１では、封止樹脂７は、ガラス部１４と、配線１２・１３とに跨って配されているため、基板２に配される配線１２・１３の形状の自由度を向上させることができる。   In the light emitting device 11, since the sealing resin 7 is disposed across the glass portion 14 and the wirings 12 and 13, the degree of freedom of the shape of the wirings 12 and 13 disposed on the substrate 2 can be improved. it can.

ここで、ＬＥＤパッケージに用いられている基板として、いわゆる「リード」と呼ばれる所望の形状にカットした金属板が用いられたり、又は、コスト削減、サイズの大型化のため白色の添加剤を多量に混合した樹脂基板が用いられたりする場合がある。   Here, as a substrate used in the LED package, a metal plate cut into a desired shape called a “lead” is used, or a large amount of white additive is used for cost reduction and size enlargement. A mixed resin substrate may be used.

基板２をセラミックで構成すると、表面に、焼結体特有の微小な空隙が存在することになり表面の凹凸形状が粗くなるものの、上記「リード」と呼ばれる金属板を用いる場合と比べて、小型化、軽量化することができる。   If the substrate 2 is made of ceramic, the surface has minute voids peculiar to the sintered body and the surface unevenness becomes rough, but it is smaller than the case where the metal plate called “lead” is used. And weight reduction.

さらに、基板２をセラミックで構成することで、大判の基板２にＬＥＤチップ４を複数配する場合、当該基板内にＬＥＤチップ４を飛び飛びでは無く、密集させて配置することができる。すなわち、基板２をセラミックで構成することで、金属板で構成する場合と比べて、ＬＥＤチップ４の配置密度を向上させることができるため、コスト及び材料の使用量削減をすることもできる。   Furthermore, when the substrate 2 is made of ceramic, when a plurality of LED chips 4 are arranged on the large-sized substrate 2, the LED chips 4 can be arranged densely in the substrate instead of jumping out. That is, since the substrate 2 is made of ceramic, the arrangement density of the LED chips 4 can be improved as compared with the case where the board 2 is made of a metal plate, so that the cost and the amount of material used can be reduced.

なお、基板２をセラミックで構成することで、導通に伴い発生する熱の伝導率は金属より低いため、金属板で構成する場合と比べて過熱し易くはなる。   In addition, since the conductivity of the heat | fever generate | occur | produced by conduction | electrical_connection is lower than a metal by comprising the board | substrate 2 with a ceramic, it becomes easy to overheat compared with the case where it comprises with a metal plate.

基板２をセラミックで構成することで、上記樹脂基板で構成する場合と比べて多少コストは高くなるものの、上記樹脂基板より伝導率が高く、過熱しにくい。また、上記樹脂基板は粉末の添加剤が多く含まれるため脆い性質がある。このため、基板２をセラミックで構成することで、上記樹脂基板で構成する場合と比べて強度を向上させることができる。   Although the substrate 2 is made of ceramic, the cost is somewhat higher than that of the resin substrate, but the conductivity is higher than that of the resin substrate and it is difficult to overheat. The resin substrate is brittle because it contains a large amount of powder additives. For this reason, intensity | strength can be improved by comprising the board | substrate 2 with a ceramic compared with the case where it comprises with the said resin substrate.

裏面配線３と、配線１２・１３とは、金属材料からなる。裏面配線３は基板２の裏面にパターン形成されている。配線１２・１３は、基板２の表面にパターン形成されている。   The back surface wiring 3 and the wirings 12 and 13 are made of a metal material. The back surface wiring 3 is patterned on the back surface of the substrate 2. The wirings 12 and 13 are patterned on the surface of the substrate 2.

裏面配線３と配線１３とは後述するように、基板２の側面を通じて接続されている。また、配線１２も、基板２の裏面に配された金属からなる配線と接続されていてもよい。   The back surface wiring 3 and the wiring 13 are connected through the side surface of the substrate 2 as described later. Further, the wiring 12 may be connected to a wiring made of metal disposed on the back surface of the substrate 2.

配線１２・１３のうち一方がアノード、他方がカソードである。配線１２と配線１３とは離間している。   One of the wirings 12 and 13 is an anode and the other is a cathode. The wiring 12 and the wiring 13 are separated from each other.

配線１２は、平面視で基板２の一辺の延伸方向に沿って延伸している。配線１３は、配線１２と対向する基板２の表面の他方の一辺の延伸方向に沿って延伸している。平面視で、配線１２・１３のそれぞれの略中央部には、平基板２の中心方向に突出する突出部がそれぞれ設けられている。配線１２・１３のそれぞれの上記突出部に、ワイヤ６が接続されており、配線１２・１３それぞれは、ワイヤ６を通じてＬＥＤチップ４と接続されている。   The wiring 12 extends along the extending direction of one side of the substrate 2 in plan view. The wiring 13 extends along the extending direction of the other side of the surface of the substrate 2 facing the wiring 12. In a plan view, projecting portions that project in the center direction of the flat substrate 2 are provided at substantially central portions of the wirings 12 and 13, respectively. Wires 6 are connected to the protruding portions of the wirings 12 and 13, and the wirings 12 and 13 are connected to the LED chip 4 through the wires 6.

裏面配線３と、配線１２・１３とは、表面又は全体が金属材料から構成されている。裏面配線３と、配線１２・１３とのうち、少なくとも配線１２・１３の表面は、光沢を有するように処理された光沢面である。   The back surface wiring 3 and the wirings 12 and 13 are entirely made of a metal material. Of the back surface wiring 3 and the wirings 12 and 13, at least the surfaces of the wirings 12 and 13 are glossy surfaces that are processed to have a gloss.

このため、撥液膜５のうち、封止樹脂７を配するために除去される領域である開口部５ａに形成されていた撥液膜５が配線１２・１３と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残ることを防止することができる。   For this reason, even if the liquid repellent film 5 formed in the opening 5a, which is a region removed for disposing the sealing resin 7 in the liquid repellent film 5, is in contact with the wirings 12 and 13, Residues can be prevented from remaining compared to the case where the surface of the wiring is not a glossy surface.

配線１２・１３の表面である光沢面は、後述のように光沢剤が添加された金属材料をめっきすることで形成することができる。または、圧延銅箔の光沢面が配線１２・１３の表面となるように、配線１２・１３を形成してもよい。圧延銅箔は銅の塊を圧延機によって薄く伸ばしたものである。   The glossy surface that is the surface of the wirings 12 and 13 can be formed by plating a metal material to which a brightening agent is added, as will be described later. Alternatively, the wirings 12 and 13 may be formed so that the glossy surface of the rolled copper foil becomes the surface of the wirings 12 and 13. A rolled copper foil is obtained by thinly stretching a lump of copper with a rolling mill.

配線１２・１３は、内側から外側の層にかけて、銅、ニッケルが順に積層され、ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金が積層されていることが好ましい。これは、裏面配線３と、配線１２・１３の酸化防止、金からなるワイヤ６との接合性、外部電極との接合性で信頼性が高いためである。   In the wirings 12 and 13, it is preferable that copper and nickel are sequentially laminated from the inner side to the outer layer, and thin gold added with a brightener as the outermost surface is laminated on the nickel surface. This is because the backside wiring 3 and the wirings 12 and 13 are prevented from being oxidized, the bonding property between the gold wire 6 and the bonding property with the external electrode is high.

しかし、配線１２・１３を構成する複数の金属材料はこれに限定されず、他の金属材料であってもよい。例えば、内側から外側の層にかけて、銅、亜鉛が順に積層され、ニッケルの表面に最表面となり光沢剤が添加された薄い金が積層されていてもよい。または、内側の層から外側の層にかけて、銅、ニッケル、及び光沢剤が添加されたパラジウムの順に積層されていてもよい。この場合、パラジウムが最表面の金属材料となる。又は、最表面の金属を、金やパラジウムに換えて光沢剤が添加された銀を積層してもよい。パラジウムや銀は金より安価であるため、発光装置の製造コストを低減することができる。   However, the plurality of metal materials constituting the wirings 12 and 13 are not limited to this, and other metal materials may be used. For example, copper and zinc may be laminated in order from the inner side to the outer layer, and thin gold to which the brightening agent is added on the outermost surface of nickel may be laminated. Alternatively, copper, nickel, and palladium added with a brightener may be laminated in this order from the inner layer to the outer layer. In this case, palladium is the outermost metal material. Alternatively, the outermost metal may be laminated with silver added with a brightener instead of gold or palladium. Since palladium and silver are less expensive than gold, the manufacturing cost of the light-emitting device can be reduced.

配線１２・１３は、最表面（配線１２・１３の表面）となる金属膜が光沢めっきとなるようにめっき処理されている。もしくは、裏面配線３と、配線１２・１３とは、最表面となる金属膜が、圧延銅箔の光沢面が表面となるように構成されている。これにより、裏面配線３と、配線１２・１３表面を、無光沢めっきとなるようにめっき処理された場合と比べて、金属の粒界（粒）を細かくすることができる。また、裏面配線３と、配線１２・１３との表面の粗さを、基板２の表面より、凹凸形状が細かい構造とすることができる。   The wirings 12 and 13 are plated so that the metal film that is the outermost surface (the surfaces of the wirings 12 and 13) is brightly plated. Or the back surface wiring 3 and wiring 12 * 13 are comprised so that the glossy surface of a rolled copper foil may become the surface for the metal film used as the outermost surface. Thereby, compared with the case where the back surface wiring 3 and the surface of wiring 12 and 13 are plated so that it may become dull plating, a metal grain boundary (grain) can be made fine. Moreover, the roughness of the surface of the back surface wiring 3 and the wirings 12 and 13 can be made to be a structure in which the uneven shape is finer than the surface of the substrate 2.

ガラス部１４は、ＬＥＤチップ４を搭載するための載置部である。一例としてガラス部１４は透明な板状部材である。ガラス部１４は、配線１２と配線１３との間の隙間に嵌合する形状である。ガラス部１４は、基板２の表面であって、配線１２と、配線１３との間の隙間を埋めるように配されている。基板２の表面のうち、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部１４及び配線１２・１３によって覆われており、基板２の表面は露出していない。   The glass part 14 is a mounting part for mounting the LED chip 4. As an example, the glass part 14 is a transparent plate-shaped member. The glass portion 14 has a shape that fits into a gap between the wiring 12 and the wiring 13. The glass portion 14 is arranged on the surface of the substrate 2 so as to fill a gap between the wiring 12 and the wiring 13. Of the surface of the substrate 2, the region where the sealing resin 7 is formed is covered by the glass portion 14 and the wirings 12 and 13, and the surface of the substrate 2 is not exposed.

ガラス部１４の表面は、基板２の表面の粗さよりも凹凸形状が細かい構造である。   The surface of the glass portion 14 has a structure in which the uneven shape is finer than the roughness of the surface of the substrate 2.

ＬＥＤチップ４を、基板２に直接配するのではなく、ガラス部１４に配することで、ＬＥＤチップ４と基板２との接合強度を確保することができる。   By arranging the LED chip 4 on the glass portion 14 instead of directly on the substrate 2, the bonding strength between the LED chip 4 and the substrate 2 can be ensured.

ここで、ＬＥＤチップ４を基板２に直接配することでＬＥＤチップ４と基板２とが密着している場合、ＬＥＤチップ４から発光された光のうち、ＬＥＤチップ４の下方である基板２の方向に向かった光は出口を失い、光量を損失することになる。一方、ＬＥＤチップ４を透明なガラス部１４表面に配することで、ＬＥＤチップ４から発光された光のうち下方の基板２の方向に向かった光は基板２の表面で反射されてガラス部１４の側面からガラス部１４外に抜けていく。この結果、ＬＥＤチップ４の光量の損失を防止することができる。   Here, when the LED chip 4 and the substrate 2 are in close contact with each other by arranging the LED chip 4 directly on the substrate 2, out of the light emitted from the LED chip 4, the substrate 2 below the LED chip 4. Light directed in the direction loses its exit and loses light. On the other hand, by disposing the LED chip 4 on the surface of the transparent glass part 14, the light emitted from the LED chip 4 toward the lower substrate 2 is reflected by the surface of the substrate 2 and is reflected by the glass part 14. The glass part 14 is pulled out from the side surface. As a result, loss of the light quantity of the LED chip 4 can be prevented.

ガラス部１４は、石英ガラスなどの光の透過率が高いガラスからなる。特に、ガラス部１４の材質として、紫外光から赤外光までの透過率が高い高純度の石英ガラスが好ましい。   The glass portion 14 is made of glass having a high light transmittance such as quartz glass. In particular, as the material of the glass portion 14, high-purity quartz glass having a high transmittance from ultraviolet light to infrared light is preferable.

または、ＬＥＤチップ４を載置する載置部は、表面の凹凸形状の粗さが、基板２の表面の凹凸形状の粗さよりも細かく、また透明な材料から構成されていればよく、ガラス以外の材料から構成してもよい。   Or the mounting part which mounts LED chip 4 should just be comprised from the roughness of the uneven | corrugated shape of the surface of the board | substrate 2 finer than the uneven | corrugated shape of the surface of the board | substrate 2, and is comprised other than glass. You may comprise from the material of.

ＬＥＤチップ４を載置する載置部として、ガラス部１４に換えて、例えば、フッ素樹脂（フッ化樹脂）により構成してもよい。フッ素樹脂（フッ化樹脂）は光の透過率が他の樹脂と比較して高いためコストを低減することができる。ＬＥＤチップ４が配されている位置が、後述するＬＥＤチップ搭載位置Ｐである。なお、本実施の形態では、ＬＥＤチップ４を発光素子としているが、半導体レーザ、有機ＥＬ素子等の他の発光素子を用いることも可能である。   As a mounting part for mounting the LED chip 4, for example, a fluorine resin (fluorinated resin) may be used instead of the glass part 14. Since fluororesin (fluorinated resin) has higher light transmittance than other resins, cost can be reduced. The position where the LED chip 4 is arranged is an LED chip mounting position P described later. In this embodiment, the LED chip 4 is used as a light emitting element, but other light emitting elements such as a semiconductor laser and an organic EL element can also be used.

撥液膜５は、封止樹脂７を囲むように配されている。撥液膜５は、封止樹脂７の外側であって、基板２、配線１２・１３、及びガラス部１４の表面に配されている。撥液膜５には、開口部５ａが形成されており封止樹脂７は開口部５ａに形成されている。換言すると、開口部５ａが封止樹脂７の形成領域である。   The liquid repellent film 5 is disposed so as to surround the sealing resin 7. The liquid repellent film 5 is disposed outside the sealing resin 7 and on the surface of the substrate 2, the wirings 12 and 13, and the glass portion 14. An opening 5a is formed in the liquid repellent film 5, and the sealing resin 7 is formed in the opening 5a. In other words, the opening 5 a is a region where the sealing resin 7 is formed.

撥液膜５は、基板２や配線１２・１３及びガラス部１４よりも、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤に対する濡れ性が低い性質を有する材料からなる。すなわち、撥液膜５は、封止樹脂７となる上記封止樹脂剤に対する親和性が相対的に低くなる。撥液膜５は、このような基板２や配線１２・１３及びガラス部１４とは異なる上記封止樹脂剤に対する親和性を利用して、封止樹脂７の形状を制御する役割を果たす。これにより、封止樹脂７の形状のばらつきが抑制されている。撥液膜５は、例えばフッ素系樹脂を用いることができる。   The liquid repellent film 5 is made of a material having a property of lower wettability to the liquid sealing resin agent that becomes the sealing resin 7 than the substrate 2, the wirings 12 and 13, and the glass portion 14. That is, the liquid repellent film 5 has a relatively low affinity for the sealing resin agent that becomes the sealing resin 7. The liquid repellent film 5 plays a role of controlling the shape of the sealing resin 7 by utilizing the affinity for the sealing resin agent, which is different from the substrate 2, the wirings 12 and 13 and the glass part 14. Thereby, the dispersion | variation in the shape of the sealing resin 7 is suppressed. For the liquid repellent film 5, for example, a fluorine-based resin can be used.

また、撥液膜５の開口部５ａの平面形状は、特に限定されるものではないが、本実施形態のように円状であることが好ましい。これにより、封止樹脂７の表面形状を、形状が安定している半球形状とすることができる。また、封止樹脂７の使用量を最小にすることができ、コストを低下させることができる。   The planar shape of the opening 5a of the liquid repellent film 5 is not particularly limited, but is preferably circular as in this embodiment. Thereby, the surface shape of the sealing resin 7 can be a hemispherical shape with a stable shape. Moreover, the usage-amount of sealing resin 7 can be minimized and cost can be reduced.

撥液膜５は、後述するように、配線１２・１３及びガラス部１４が配された基板２の全面に液状の撥液剤が塗布され硬化された後、後述するエッチング工程にて開口部５ａとなる撥液膜５が除去されることでパターン形成される。   As will be described later, after the liquid repellent film 5 is coated and cured on the entire surface of the substrate 2 on which the wirings 12 and 13 and the glass portion 14 are disposed, the liquid repellent film 5 and the opening 5 a A pattern is formed by removing the liquid repellent film 5.

発光装置１１では、撥液膜５の開口部５ａが形成される領域内は、上記撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部１４で、基板２の表面は全て覆われている。このため、発光装置１１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、開口部５ａ内に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。このように、発光装置１１によると、開口部５ａ内が配線１２・１３及びガラス部１４で全て覆われているため、撥液膜５の開口部５ａを形成する際のエッチング方法として乾式のドライエッチングを使用することができ、湿式のエッチングに限定されない。この結果、製造コストを低減することができる。   In the light emitting device 11, the surface of the substrate 2 where the liquid repellent agent easily penetrates is not exposed in the region where the opening 5a of the liquid repellent film 5 is formed, and the wirings 12 and 13 where the liquid repellent agent is difficult to penetrate. And the glass part 14 covers the entire surface of the substrate 2. For this reason, in the light emitting device 11, even if, for example, dry dry etching is performed in the etching process, the residue of the liquid repellent film 5 is suppressed from remaining in the opening 5 a. As described above, according to the light emitting device 11, the opening 5 a is entirely covered with the wirings 12 and 13 and the glass portion 14, and therefore, a dry-type dry etching method is used for forming the opening 5 a of the liquid repellent film 5. Etching can be used and is not limited to wet etching. As a result, the manufacturing cost can be reduced.

封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和したり、ＬＥＤチップ４を酸素や水分などから遮蔽したりするものである。封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４およびワイヤ６を封止している。   The sealing resin 7 relieves the LED chip 4 from thermal and mechanical external forces, and shields the LED chip 4 from oxygen, moisture, and the like. The sealing resin 7 seals the LED chip 4 and the wire 6.

封止樹脂７は、撥液膜５の開口部５ａ内であって、基板２上に配されているＬＥＤチップ４、ガラス部１４、及び配線１２・１３に配されている。封止樹脂７と基板２とは接触していない。封止樹脂７には、ＬＥＤチップ４からの光により励起発光する蛍光体が含まれている。これにより、発光装置１１から、所望の光を発光させることができる。封止樹脂７は、例えば、透明なシリコーン等の樹脂材料に蛍光体を含めた材料を用いることができる。   The sealing resin 7 is disposed in the opening 5 a of the liquid repellent film 5 and on the LED chip 4, the glass portion 14, and the wirings 12 and 13 disposed on the substrate 2. The sealing resin 7 and the substrate 2 are not in contact. The sealing resin 7 contains a phosphor that is excited and emitted by light from the LED chip 4. Thereby, desired light can be emitted from the light emitting device 11. As the sealing resin 7, for example, a material including a phosphor in a resin material such as transparent silicone can be used.

封止樹脂７は略半球状である。これにより、封止樹脂７の形状は安定し歩留低下を防止し、また、封止樹脂７の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。   The sealing resin 7 is substantially hemispherical. As a result, the shape of the sealing resin 7 is stable and the yield can be prevented from being lowered, and the amount of the sealing resin 7 used can be suppressed and the cost can be reduced.

（発光装置１１の製造方法）
次に、図１〜５を用いて発光装置１１の製造方法について説明する。 (Method for manufacturing light-emitting device 11)
Next, the manufacturing method of the light-emitting device 11 is demonstrated using FIGS.

図２は発光装置１１に用いられる基板２の平面図である。図３は、配線１２・１３がパターン形成された基板２の平面図である。図４は発光装置１１に用いられる配線基板の構成を表し（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。   FIG. 2 is a plan view of the substrate 2 used in the light emitting device 11. FIG. 3 is a plan view of the substrate 2 on which the wirings 12 and 13 are patterned. 4A and 4B show the configuration of the wiring board used in the light emitting device 11, and FIG. 4A is a plan view of the wiring board, and FIG. 4B is a side view of the wiring board shown in FIG. (c) is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper surface right side.

図２に示すように、所望の大きさであり、一例としてセラミックからなる基板２を準備する。   As shown in FIG. 2, a substrate 2 having a desired size and made of ceramic is prepared as an example.

次に、図３に示すように、基板２の表面に配線１２・１３をめっきによりパターン形成する（配線形成工程）。   Next, as shown in FIG. 3, wirings 12 and 13 are formed by plating on the surface of the substrate 2 (wiring forming step).

配線形成工程では、配線１２・１３の表面となる金属膜が光沢めっきとなるようにめっきする。   In the wiring formation process, plating is performed so that the metal film that becomes the surface of the wirings 12 and 13 is brightly plated.

配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面にニッケルをめっきし、当該ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金をめっきすることで得られる。又は、配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面に亜鉛をめっきし、当該亜鉛の表面に、最表面となり光沢剤が添加された薄い金をめっきすることで得てもよい。又は、配線１２・１３は、基板２に銅をめっきし、当該銅の表面にニッケルをめっきし、当該ニッケルの表面に、最表面となり光沢剤が添加されたパラジウムをめっきすることで得てもよい。又は、最表面の金属として、金やパラジウムに換えて光沢剤が添加された銀をめっきしてもよい。   The wirings 12 and 13 can be obtained by plating the substrate 2 with copper, plating the copper surface with nickel, and plating the nickel surface with thin gold to which the brightening agent has been added as the outermost surface. Alternatively, the wirings 12 and 13 are obtained by plating copper on the substrate 2, plating zinc on the surface of the copper, and plating the surface of the zinc with thin gold to which the outermost surface and the brightener are added. Also good. Alternatively, the wirings 12 and 13 may be obtained by plating the substrate 2 with copper, plating the copper surface with nickel, and plating the nickel surface with palladium added with a brightener as the outermost surface. Good. Alternatively, silver with a brightener added instead of gold or palladium may be plated as the outermost metal.

もしくは、圧延銅箔を準備し、当該圧延銅箔の光沢面が最表面となるように配線１２・１３を形成してもよい。   Alternatively, a rolled copper foil may be prepared, and the wirings 12 and 13 may be formed so that the glossy surface of the rolled copper foil becomes the outermost surface.

これにより、最表面が光沢面となるように配線１２・１３を、基板２の表面にパターン形成することができる。   Thereby, the wirings 12 and 13 can be patterned on the surface of the substrate 2 so that the outermost surface is a glossy surface.

なお、配線形成工程では、配線１２・１３の形成と同時に、配線１２・１３と同材料及び同方法により、基板２の裏面に裏面配線３をパターン形成する（配線形成工程）。   In the wiring formation process, the back surface wiring 3 is patterned on the back surface of the substrate 2 by the same material and method as the wirings 12 and 13 simultaneously with the formation of the wirings 12 and 13 (wiring forming process).

次に、基板２の表面に形成された配線１２と、配線１３との間に嵌合する形状に切断されたガラス部１４を準備する。   Next, the glass part 14 cut | disconnected in the shape fitted between the wiring 12 formed in the surface of the board | substrate 2 and the wiring 13 is prepared.

そして、ガラス部１４を、配線１２と、配線１３との間に嵌るように、基板２の表面に配し、ガラス部１４と基板２とを接着剤等により接着する。   And the glass part 14 is distribute | arranged to the surface of the board | substrate 2 so that it may fit between the wiring 12 and the wiring 13, and the glass part 14 and the board | substrate 2 are adhere | attached with an adhesive agent.

このように、基板２のうち配線１２・１３を形成した面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないように、ガラス部１４を配する。これにより、配線基板１０が得られる。   In this way, the glass portion 14 is arranged so that the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R is covered with the wirings 12 and 13 and is not exposed on the surface of the substrate 2 on which the wirings 12 and 13 are formed. . Thereby, the wiring board 10 is obtained.

図５の（ａ）は撥液膜が全面に形成された配線基板を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の撥液膜のうち封止樹脂形成領域を除去した配線基板を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板を表す平面図である。   FIG. 5A is a plan view showing a wiring board on which the liquid repellent film is formed on the entire surface, and FIG. 5B shows a wiring board from which the sealing resin formation region is removed from the liquid repellent film of FIG. It is a top view, (c) is a top view showing the wiring board which mounted the LED chip in the sealing resin formation area of (b).

次に、図５の（ａ）に示すように、図４で示した配線基板１０の表面全面、すなわち、基板２、配線１２・配線１３、及びガラス部１４の表面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する（塗布工程）。   Next, as shown in FIG. 5A, the liquid repellent film 5 and the entire surface of the wiring substrate 10 shown in FIG. 4, that is, on the surface of the substrate 2, the wiring 12, the wiring 13, and the glass portion 14. A liquid lyophobic agent is applied (application process).

塗布方法は種々の方法を用いることができ、浸漬での全面塗布や、スプレーによる噴霧、スピンコート法等、基板全面に塗布できる方法であればよい。   Various methods can be used as the coating method, and any method can be used as long as it can be applied to the entire surface of the substrate, such as whole surface coating by immersion, spraying by spraying, spin coating method, or the like.

撥液剤としては、一例として、菱江化学製マーベルコート、信越化学製ＫＹ‐１０８、又はダイキン工業製ユニダイン等を用いることができる。   As the liquid repellent, for example, Marvel coat manufactured by Hiejiang Chemical, KY-108 manufactured by Shin-Etsu Chemical, or Unidyne manufactured by Daikin Industries, Ltd. can be used.

ここで、図４に示したように、配線基板１０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さがセラミックからなる基板２より細かい配線１２・１３及びガラス部１４によって覆われており、セラミックからなり凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板１０内への浸透を防止することができる。   Here, as shown in FIG. 4, in the sealing resin formation region R of the wiring substrate 10, the roughness of the surface unevenness is smaller by the wirings 12 and 13 and the glass part 14 than the substrate 2 made of ceramic. The surface of the substrate 2 that is covered and made of ceramic and has a rough roughness is not exposed. For this reason, in the sealing resin formation region R, the penetration of the liquid lyophobic agent into the wiring substrate 10 can be prevented as compared with the outside of the sealing resin formation region R where the surface of the substrate 2 is exposed. .

次に、撥液剤を表面全面に塗布した配線基板１０を乾燥機に入れる。そして、約１２５℃６０分程度の熱を加えることで、撥液剤を硬化する。これにより、配線基板１０の表面全面に撥液膜５を成膜する（撥液膜成膜工程）。撥液膜５は、封止樹脂形成領域Ｒ内では、基板２表面と非接触となる。   Next, the wiring substrate 10 on which the liquid repellent agent is applied to the entire surface is placed in a dryer. Then, the liquid repellent is cured by applying heat at about 125 ° C. for about 60 minutes. Thus, the liquid repellent film 5 is formed on the entire surface of the wiring substrate 10 (liquid repellent film forming step). The liquid repellent film 5 is not in contact with the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R.

次に、配線基板１０を乾燥機から取り出し、成膜した撥液膜５表面に、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するマスクを載置しプラズマ装置に入れる。一例として、マスクはステンレスからなる。そして、プラズマ装置にアルゴンガスを流入させてプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う（エッチング工程）。一例として、このときのプラズマ放電の出力は２５０Ｗ程度、プラズマ処理を行う時間は２０秒程度である。   Next, the wiring substrate 10 is taken out from the dryer, and a mask having an opening in the shape of the sealing resin formation region R is placed on the surface of the formed liquid repellent film 5 and placed in the plasma apparatus. As an example, the mask is made of stainless steel. Then, dry etching is performed by injecting argon gas into the plasma apparatus and performing plasma treatment (etching process). As an example, the plasma discharge output at this time is about 250 W, and the plasma treatment time is about 20 seconds.

これにより、図５の（ｂ）に示すように、撥液膜５のうち不要部分である封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５が除去され開口部５ａが形成される。この開口部５ａが形成されることで、開口部５ａ内の配線１２・１３それぞれの突出部及びガラス部１４が露出する。   As a result, as shown in FIG. 5B, the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R, which is an unnecessary part, of the liquid repellent film 5 is removed, and an opening 5a is formed. By forming the opening 5a, the protruding portions of the wirings 12 and 13 and the glass portion 14 in the opening 5a are exposed.

ここで、湿式（ウェット）エッチングは、エッチング液も内部まで浸透し、撥液剤を溶解し除去することができる。   Here, in the wet (wet) etching, the etchant also penetrates to the inside, and the liquid repellent can be dissolved and removed.

一方、ＲＩＥ（乾式・ドライ）エッチングは、プラズマ装置内において、撥液剤による撥液膜５が形成されている基板２が載置されている電極面と、対向する電極（対向電極）との間で電圧により発生させた例えばプラズマ状態のＡｒ（アルゴン）イオンが、基板２が載置されている電極面に垂直に衝突するときの運動エネルギーを利用するものである。   On the other hand, RIE (dry / dry) etching is performed between an electrode surface on which a substrate 2 on which a liquid repellent film 5 made of a liquid repellent agent is formed and an opposing electrode (counter electrode) in a plasma apparatus. For example, Ar (argon) ions in a plasma state generated by the voltage in FIG. 3 use kinetic energy when they collide perpendicularly with the electrode surface on which the substrate 2 is placed.

すなわち、運動エネルギーは上記対向電極から基板２が載置された上記電極に対し並行に移動するため、セラミックのような焼結体特有の微細な空隙には入り込むことができない。このため、ＲＩＥによるエッチングはセラミックからなる基板の内部に残渣が残りやすい。   That is, the kinetic energy moves in parallel to the electrode on which the substrate 2 is placed from the counter electrode, so that it cannot enter a fine gap unique to a sintered body such as ceramic. For this reason, the residue by RIE tends to remain inside the substrate made of ceramic.

これは、基板をセラミックから構成しているから生じる課題である。なお、基板をセラミックではなく、例えば、ガラスエポキシ基板（ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させ、加熱加圧で硬化させた板）で構成した場合は、基板内部に液状の撥液剤が浸透することに起因して、封止樹脂形成領域となる撥液膜の開口部に残渣が残る課題は生じない。   This is a problem that arises because the substrate is made of ceramic. In addition, when the substrate is not made of ceramic, for example, a glass epoxy substrate (a plate in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin and cured by heating and pressurization), the liquid repellent penetrates into the substrate. As a result, there is no problem that a residue remains in the opening of the liquid repellent film that becomes the sealing resin formation region.

そこで、配線基板１０においては、開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面を覆う表面の粗さが細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面のみが撥液膜５と接触しており、基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板１０表面の撥液膜５を除去することができる。   Therefore, in the wiring substrate 10, only the surfaces of the wirings 12 and 13 and the surface of the glass portion 14 with a fine surface covering the surface of the substrate 2 are in the opening 5 a, that is, in the sealing resin formation region R. The liquid repellent film 5 is in contact, and the surface of the substrate 2 is not in contact with the liquid repellent film 5. For this reason, in the etching process, the liquid repellent film 5 on the surface of the wiring substrate 10 in the sealing resin formation region R can be removed without leaving a residue even if the dry etching is not wet etching.

このため、湿式のエッチング方法を用いる場合と比べて、材料や工数削減により製造コストを削減することができる。   For this reason, compared with the case where a wet etching method is used, manufacturing cost can be reduced by material and man-hour reduction.

さらに、配線基板１０では、配線１２・１３の最表面が光沢面となっている。このため撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５が配線１２・１３と接触していたとしても、配線の表面が無光沢めっき処理されている場合と比べて、残渣が残り難くなる。このため、配線１２・１３の形状の自由度を向上させると共に、製造方法の汎用性を向上させることができる。   Further, in the wiring board 10, the outermost surfaces of the wirings 12 and 13 are glossy surfaces. For this reason, even if the liquid repellent film 5 in the sealing resin forming region R is in contact with the wirings 12 and 13 in the liquid repellent film 5, the residue is less than when the surface of the wiring is matte-plated. It becomes difficult to remain. For this reason, the flexibility of the shape of the wirings 12 and 13 can be improved, and the versatility of the manufacturing method can be improved.

次に、図５の（ｃ）に示すように、開口部５ａをパターン形成した撥液膜５が積層された配線基板１０のうち、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤により貼り合せる。これにより、ガラス部１４の表面のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。   Next, as shown in FIG. 5C, the LED chip 4 is bonded to the LED chip mounting position P of the glass portion 14 in the wiring substrate 10 on which the liquid repellent film 5 having the opening 5a formed thereon is laminated. Paste with an agent. Thereby, the LED chip 4 is mounted at the LED chip mounting position P on the surface of the glass portion 14.

そして、ガラス部１４の表面に搭載されたＬＥＤチップ４の電極パッド部と、配線１２・１３それぞれの突出部とを、一例として金からなるワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板１０に実装する（発光素子実装工程）。   Then, the electrode pad portion of the LED chip 4 mounted on the surface of the glass portion 14 and the protruding portions of the wirings 12 and 13 are connected by a wire 6 made of gold as an example. Thus, the LED chip 4 is mounted on the wiring board 10 (light emitting element mounting step).

次に、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板１０のうち、撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。封止樹脂剤としては、一例として、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等に蛍光体を混入させた樹脂材料を用いることができる。なお、封止樹脂７に蛍光体を含めない構成としてもよい。この場合、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等をそのまま使用することができる。   Next, in the wiring substrate 10 on which the LED chip 4 is mounted, a liquid sealing resin agent that becomes the sealing resin 7 is applied in the opening 5a of the liquid repellent film 5, that is, in the sealing resin formation region R. To do. As an example of the sealing resin agent, a resin material in which a phosphor is mixed into a silicone resin ASP-1042 manufactured by Shin-Etsu Chemical, a silicone resin OE7620 manufactured by Toray Dow Corning, or a silicone resin KER-2500 manufactured by Shin-Etsu Chemical is used. Can do. Note that the sealing resin 7 may not include a phosphor. In this case, Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042, Toray Dow Corning silicone resin OE7620, Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500, or the like can be used as they are.

そして、封止樹脂形成領域Ｒ内に封止樹脂剤を塗布した配線基板１０を、乾燥機に入れ、約１００℃１２０分程度加熱し、続けて、約１５０℃２４０分程度の加熱することで封止樹脂剤を硬化させる。   And the wiring board 10 which apply | coated the sealing resin agent in the sealing resin formation area | region R is put into a dryer, and it heats about 100 degreeC for about 120 minutes, and then heats for about 150 degreeC for about 240 minutes. The sealing resin agent is cured.

これにより、図１で示したように、ＬＥＤチップ４、ワイヤ６を包含し、封止樹脂形成領域Ｒ内のガラス部１４、及び配線１２・１３上に半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置１１を得ることができる（封止樹脂形成工程）。   Thereby, as shown in FIG. 1, the hemispherical sealing resin 7 is formed on the glass portion 14 and the wirings 12 and 13 in the sealing resin forming region R including the LED chip 4 and the wire 6. The light emitting device 11 can be obtained (sealing resin forming step).

なお、封止樹脂７を形成した後、発光装置１１をプラズマ装置に入れ、プラズマ処理することで、封止樹脂７の外側に配されている撥液膜５を除去してもよい。   In addition, after forming sealing resin 7, you may remove the liquid-repellent film 5 distribute | arranged to the outer side of the sealing resin 7 by putting the light-emitting device 11 in a plasma apparatus and plasma-processing.

このように発光装置１１の製造方法によると、ガラス部１４は、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆うように配される。このため、ガラス部１４に載置されたＬＥＤチップ４と、配線１２・１３とを接続するワイヤ６を封止樹脂７に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置１１を得ることができる。   As described above, according to the method for manufacturing the light emitting device 11, the glass portion 14 is a surface on which the wirings 12 and 13 of the substrate 2 are arranged, and the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R is connected to the wirings 12 and 13. It is arranged to cover with. For this reason, the sealing resin 7 can include the wire 6 that connects the LED chip 4 placed on the glass portion 14 and the wirings 12 and 13. Thereby, the light emitting device 11 which is thermally and mechanically strong can be obtained.

さらに、ガラス部１４を、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないように配される。そして、封止樹脂７は、基板２の表面と非接触となるように、少なくともガラス部１４に形成される。   Further, the glass portion 14 is a surface on which the wirings 12 and 13 of the substrate 2 are arranged, and is arranged so as to cover the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R together with the wirings 12 and 13 and not to be exposed. . Then, the sealing resin 7 is formed at least on the glass portion 14 so as not to contact the surface of the substrate 2.

このため、封止樹脂７を形成するために封止樹脂７の形成前に設けられる撥液膜５のうち開口部５ａとして除去される領域は、ガラスからなることでセラミックより表面が滑らかであるガラス部１４と少なくとも接触し、セラミックからなる基板２とは非接触となる。このため、撥液膜５の開口部５ａとなる領域の残渣が残ることを防止することができる。このため、発光装置１１によると、封止樹脂７が形成されている領域に、不要な撥液膜５の残渣が残っていないため、安定した発光色が得られる。   For this reason, in the liquid repellent film 5 provided before the formation of the sealing resin 7 for forming the sealing resin 7, the region removed as the opening 5a is made of glass, and thus has a smoother surface than the ceramic. It is at least in contact with the glass portion 14 and is not in contact with the substrate 2 made of ceramic. For this reason, it is possible to prevent the residue of the region to be the opening 5a of the liquid repellent film 5 from remaining. For this reason, according to the light-emitting device 11, since the residue of the unnecessary liquid repellent film 5 does not remain in the area | region in which the sealing resin 7 is formed, the stable luminescent color is obtained.

このように、配線基板１０、又は配線基板１０を備える発光装置１１は、撥液膜５のうち開口部５ａとなる領域の撥液膜５を簡便かつ確実な方法で除去可能である。さらに、発光装置１１では、封止樹脂７に蛍光体を含有しているためＬＥＤチップ４が発光する光を直接発光装置１１外へ射出するだけでなく、所望の波長を得るためにＬＥＤチップ４から発光された光を蛍光体に当て蛍光体から異なる波長の光を蛍光させることが可能である。   As described above, the wiring substrate 10 or the light emitting device 11 including the wiring substrate 10 can remove the liquid repellent film 5 in the region to be the opening 5a of the liquid repellent film 5 by a simple and reliable method. Further, in the light emitting device 11, since the sealing resin 7 contains a phosphor, the LED chip 4 not only emits light emitted from the LED chip 4 directly to the outside of the light emitting device 11 but also obtains a desired wavelength. The light emitted from the phosphor can be applied to the phosphor to cause the light of different wavelengths to be fluorescent from the phosphor.

特にＬＥＤチップ４を青色の光を発光するＬＥＤチップとすると、短波長の光を発することから全光束が大きく、蛍光体による波長変換後も高い全光束を得ることが可能である。   In particular, if the LED chip 4 is an LED chip that emits blue light, it emits short-wavelength light, so that the total luminous flux is large, and a high total luminous flux can be obtained even after wavelength conversion by the phosphor.

なお、発光装置１１から外部へ出射される光は、蛍光体で波長変換された光だけでなく、ＬＥＤチップ４から蛍光体に当たらずに発光装置１１外へと射出される光や、複数回蛍光体に当たってから発光装置１１外へと射出される光が混合したものである。   The light emitted from the light emitting device 11 to the outside is not only the light whose wavelength has been converted by the phosphor, but the light emitted from the LED chip 4 to the outside of the light emitting device 11 without hitting the phosphor, or a plurality of times. The light emitted from the light emitting device 11 after hitting the phosphor is mixed.

また、本実施の形態に係る配線基板１０から発光装置１１を製造する方法によると、蛍光体を含む封止樹脂７の形成に撥液膜５を用いることで、高価な金型の使用が不要である。   Further, according to the method for manufacturing the light emitting device 11 from the wiring substrate 10 according to the present embodiment, the use of the liquid repellent film 5 for the formation of the sealing resin 7 containing the phosphor eliminates the need for an expensive mold. It is.

撥液膜５となる液状の撥液剤を配線基板１０に塗布する方法として、浸漬での全面塗布やスプレーによる全面塗布で塗布するため、スタンプや印刷法での孔版が必要なく、スタンプや孔版の摩耗や劣化、印刷時における機械的な外力から版と基板とを固定する装置も必要ない。加えて、リソグラフィに必要な感光性樹脂や感光性樹脂を所望の形状に形成するための感光工程やエッチング工程も不要である。   As a method of applying the liquid lyophobic agent to be the liquid repellent film 5 to the wiring substrate 10, since it is applied by the whole surface application by immersion or the whole surface application by spraying, there is no need for a stencil by a stamp or a printing method. There is no need for a device for fixing the plate and the substrate due to wear, deterioration, or mechanical external force during printing. In addition, there is no need for a photosensitive process or an etching process for forming a photosensitive resin necessary for lithography or a photosensitive resin into a desired shape.

本実施の形態に係る配線基板１０及び配線基板１０を備える発光装置１１は撥液膜５の開口部５ａを所望の形状とするためにエッチングを行う場合に、基板２に液状の撥液剤が浸透することを防止できる。このため、マスクやエッチング液などの冶具や消耗部材の消費を抑制しエッチング液の管理などを必要としない乾式エッチングにより封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を安価で簡便で、かつ確実に除去することができる。   When the wiring substrate 10 according to the present embodiment and the light emitting device 11 including the wiring substrate 10 are etched to make the opening 5a of the liquid repellent film 5 into a desired shape, the liquid repellent penetrates the substrate 2. Can be prevented. For this reason, the liquid-repellent film 5 in the sealing resin formation region R is inexpensive, simple and reliable by dry etching that suppresses the consumption of jigs and consumables such as a mask and an etching solution and does not require the management of the etching solution. Can be removed.

以上により、本実施の形態に係る配線基板１０および配線基板１０を備える発光装置１１は乾式エッチングにより、安価で簡便であり、かつ確実に、封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去することで、安定した色度を発する発光装置、及び当該発光装置１１を備えた電子機器を提供することができる。   As described above, the wiring substrate 10 and the light emitting device 11 including the wiring substrate 10 according to the present embodiment are inexpensive and simple and reliably remove the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R by dry etching. By doing so, it is possible to provide a light-emitting device that emits stable chromaticity and an electronic device including the light-emitting device 11.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２について、図６〜図８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。 [Embodiment 2]
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

図６は実施形態２に係る発光装置２１に用いられる配線基板２０の構成を表し（ａ）は配線基板２０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板２０を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板を紙面右側から見た側面図である。   6A and 6B show a configuration of the wiring board 20 used in the light emitting device 21 according to the second embodiment. FIG. 6A is a plan view of the wiring board 20 and FIG. 6B shows the wiring board 20 shown in FIG. It is the side view seen from (c), and is the side view which looked at the wiring board shown to (a) from the paper surface right side.

図６に示す配線基板２０は、図４で示した配線基板１０と、ガラス部１４を、大きさが異なるガラス部（載置部）２４に変更した点で相違する。配線基板２０の他の構成は配線基板１０と同様である。   The wiring board 20 shown in FIG. 6 is different from the wiring board 10 shown in FIG. 4 in that the glass part 14 is changed to a glass part (mounting part) 24 having a different size. Other configurations of the wiring board 20 are the same as those of the wiring board 10.

ガラス部２４は、基板２の表面に配された配線１２・１３の間に嵌合する形状では無く、配線１２と配線１３との距離よりも一辺の長さが長い。ガラス部２４は、配線１２・１３間の基板２の表面を覆うと共に、配線１２・１３の表面も覆っている。ガラス部２４の面積は封止樹脂形成領域Ｒよりも大きい。   The glass portion 24 does not have a shape that fits between the wirings 12 and 13 disposed on the surface of the substrate 2, and the length of one side is longer than the distance between the wiring 12 and the wiring 13. The glass portion 24 covers the surface of the substrate 2 between the wirings 12 and 13 and also covers the surfaces of the wirings 12 and 13. The area of the glass part 24 is larger than the sealing resin formation region R.

ガラス部２４のうち、配線１２の突出部と重なる位置に開口部２４ａが形成されており、配線１２の突出部が露出している。また、ガラス部２４のうち、配線１３の突出部と重なる位置に開口部２４ｂが形成されており、配線１３の突出部が露出している。ガラス部２４に開口部２４ａ・２４ｂが設けられ、配線１２・１３が露出することで配線１２・１３と、ワイヤ６を接続可能となっている。   An opening 24a is formed in the glass portion 24 at a position overlapping the protruding portion of the wiring 12, and the protruding portion of the wiring 12 is exposed. Moreover, the opening part 24b is formed in the position which overlaps with the protrusion part of the wiring 13 among the glass parts 24, and the protrusion part of the wiring 13 is exposed. Openings 24a and 24b are provided in the glass part 24, and the wirings 12 and 13 and the wires 6 can be connected by exposing the wirings 12 and 13.

配線基板２０も、配線基板１０と同様に、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部２４で、基板２の表面は全て覆われている。この配線基板２０によっても発光装置の製造が可能である。   Similarly to the wiring substrate 10, the wiring substrate 20 does not expose the surface of the substrate 2 in which the liquid repellent easily penetrates in the sealing resin formation region R, and the wirings 12 and 13 in which the liquid repellent is difficult to penetrate. The glass part 24 covers the entire surface of the substrate 2. A light-emitting device can also be manufactured with this wiring board 20.

配線基板２０は、配線基板１０と同様に、配線形成工程にて、基板２の表面に金属材料をめっきすることで配線１２・１３をパターン形成したあと、配線１２・１３と重なる程度の大きさであり開口部２４ａ・２４ｂが形成されたガラス部２４を、基板２及び配線１２・１３の表面に貼り合せることで得られる。   Similar to the wiring substrate 10, the wiring substrate 20 has a size that overlaps the wirings 12 and 13 after patterning the wirings 12 and 13 by plating a metal material on the surface of the substrate 2 in the wiring formation step. The glass part 24 having the openings 24a and 24b formed thereon is obtained by bonding the substrate 2 and the surfaces of the wirings 12 and 13 together.

このようにして、ガラス部２４を、基板２の配線１２・１３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線１２・１３と共に覆いかつ露出しないよう配する。   In this way, the glass part 24 is the surface on which the wirings 12 and 13 of the substrate 2 are arranged, and the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R is covered with the wirings 12 and 13 so as not to be exposed. To do.

なお、開口部２４ａ・２４ｂの大きさをワイヤ６の径と略同じ大きさとしてもよい。これにより、ワイヤ６を開口部２４ａ・２４ｂを通したとき、配線１２・１３が開口部２４ａ・２４から露出しなくなる。この結果、封止樹脂７は、配線１２・１３上には配されず、ガラス部２４の表面のみに配される。   The sizes of the openings 24a and 24b may be substantially the same as the diameter of the wire 6. Thus, when the wire 6 is passed through the openings 24a and 24b, the wirings 12 and 13 are not exposed from the openings 24a and 24. As a result, the sealing resin 7 is not disposed on the wirings 12 and 13 but is disposed only on the surface of the glass portion 24.

図７の（ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板２０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板２０を表す平面図である。   FIG. 7A is a plan view showing the wiring substrate 20 on which the liquid-repellent film from which the sealing resin formation region has been removed is formed, and FIG. 7B is an LED chip in the sealing resin formation region of FIG. It is a top view showing the wiring board 20 which mounted.

上記塗布工程にて、配線基板２０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。   In the application step, a liquid lyophobic agent that becomes the lyophobic film 5 is applied to the entire surface of the wiring board 20.

上述したように、配線基板２０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内では基板２の表面は、表面の凹凸形状の粗さが細かい配線１２・１３及びガラス部２４によって覆われており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面が露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板２０内への浸透を防止することができる。   As described above, the surface of the substrate 2 in the sealing resin forming region R in the wiring substrate 20 is covered with the wirings 12 and 13 and the glass portion 24 having a fine roughness on the surface. The surface of the substrate 2 having a rough roughness is not exposed. For this reason, in the sealing resin forming region R, the penetration of the liquid lyophobic agent into the wiring substrate 20 can be prevented as compared with the outside of the sealing resin forming region R where the surface of the substrate 2 is exposed. .

次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板２０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜した後、上記エッチング工程にて封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去する。   Next, after the liquid repellent agent on the wiring substrate 20 is cured and the liquid repellent film 5 is formed in the liquid repellent film forming process, the liquid repellent film 5 in the sealing resin forming region R is formed in the etching process. Remove.

配線基板２０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さが細かいガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部が撥液膜５と接触しており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板２０表面の撥液膜５を除去することができる。   In the wiring substrate 20, in the sealing resin formation region R, the projections of the wiring 12 and 13 exposed from the openings 24 a and 24 b of the glass portion 24 and the glass portions 24 having a fine roughness of the surface unevenness are the liquid repellent film. 5, and the surface of the substrate 2 having a rough roughness is not in contact with the liquid repellent film 5. For this reason, in the etching process, the liquid-repellent film 5 on the surface of the wiring substrate 20 in the sealing resin formation region R can be removed without leaving a residue even if the dry etching is not wet etching.

これにより、図７の（ａ）に示すように、封止樹脂形成領域Ｒが開口部５ａとなっている撥液膜５が表面に形成された配線基板２０が得られる。   Thereby, as shown to Fig.7 (a), the wiring board 20 with which the liquid-repellent film 5 in which the sealing resin formation area | region R became the opening part 5a was formed in the surface is obtained.

配線基板２０では、撥液膜５の開口部５ａ内のガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂ内の配線１２・１３それぞれの突出部が露出している。   In the wiring substrate 20, the protruding portions of the glass portion 24 in the opening 5 a of the liquid repellent film 5 and the wirings 12 and 13 in the openings 24 a and 24 b of the glass portion 24 are exposed.

次に、図７の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板２０のうち、開口部５ａ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、ガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出している配線１２・１３それぞれの突出部とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板２０に実装する。   Next, as shown in FIG. 7B, the LED chip 4 is mounted on the LED chip mounting position P in the opening 5a of the wiring board 20 in the light emitting element mounting step. Then, the wire 6 connects the electrode pad portion of the LED chip 4 and the protruding portions of the wirings 12 and 13 exposed from the openings 24 a and 24 b of the glass portion 24. In this way, the LED chip 4 is mounted on the wiring board 20.

次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板２０の撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板２０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。   Next, in the sealing resin forming step, the liquid that becomes the sealing resin 7 in the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 20 on which the LED chip 4 is mounted, that is, in the sealing resin forming region R. The sealing resin agent is applied. And the said sealing resin agent is hardened by heating the wiring board 20 with which the sealing resin agent was apply | coated.

これにより、図８に示すように発光装置２１が得られる。図８は、実施の形態２に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ‐Ｃ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＤ‐Ｄ’線矢視断面図である。   Thereby, as shown in FIG. 8, the light-emitting device 21 is obtained. 8A and 8B are diagrams illustrating the configuration of the light-emitting device according to Embodiment 2, wherein FIG. 8A is a plan view illustrating the configuration of the light-emitting device, and FIG. 8B is a CC ′ line arrow illustrated in FIG. It is a view sectional view, and (c) is a DD 'line arrow sectional view shown in (a).

発光装置２１では、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。   In the light emitting device 21, the region where the sealing resin 7 is formed is such that the protruding portions of the wiring portions 12 and 13 exposed from the openings 24 a and 24 b of the glass portion 24 and the glass portion 24 cover the substrate 2. Is not exposed.

封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止する共に、ガラス部２４及びガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂから露出する配線１２・１３の突出部表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。   The sealing resin 7 seals the LED chip 4 and the wire 6 and is formed on the surface of the protruding portion of the glass portion 24 and the wirings 12 and 13 exposed from the openings 24a and 24b of the glass portion 24. Is not in contact with the surface of the rough substrate 2.

このため、発光装置２１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、封止樹脂７下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。   For this reason, in the light emitting device 21, even if, for example, dry dry etching is performed in the etching process, the residue of the liquid repellent film 5 is suppressed from remaining under the sealing resin 7. Thereby, it is not limited to wet etching in an etching process, and manufacturing cost can be reduced.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３について、図９〜図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。 [Embodiment 3]
The third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図９は実施形態３に係る発光装置３１に用いられる配線基板３０の構成を表し（ａ）は配線基板３０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板３０を紙面下側から見た側面図であり（ｃ）は（ａ）に示す配線基板３０を紙面右側から見た側面図である。   9A and 9B show the configuration of the wiring board 30 used in the light emitting device 31 according to the third embodiment. FIG. 9A is a plan view of the wiring board 30, and FIG. 9B shows the wiring board 30 shown in FIG. It is the side view seen from (c), and is the side view which looked at the wiring board 30 shown to (a) from the paper surface right side.

図９に示す配線基板３０は、図４で示した配線基板１０と、基板上の配線の幅及びガラスの形状が相違する。配線基板３０のその他の構成は配線基板１０と同様である。   The wiring board 30 shown in FIG. 9 is different from the wiring board 10 shown in FIG. 4 in the width of the wiring on the board and the shape of the glass. Other configurations of the wiring board 30 are the same as those of the wiring board 10.

配線基板３０は、配線基板１０の配線１２・１３に換えて配線３２・３３を備え、また、ガラス部１４に換えてガラス部（載置部）３４を備える。配線３２・３３は、配線１２・１３と形状が相違し、材質は同じである。ガラス部３４はガラス部１４と形状が相違し、材質は同じである。   The wiring board 30 includes wirings 32 and 33 instead of the wirings 12 and 13 of the wiring board 10, and includes a glass part (mounting part) 34 instead of the glass part 14. The wirings 32 and 33 are different in shape from the wirings 12 and 13 and are made of the same material. The glass part 34 is different in shape from the glass part 14 and is made of the same material.

配線３２・３３は帯状であり、長手方向と直交する短手方向の長さが、配線１２・１３の短手方向の長さより長い。配線３２・３３の短手方向の長さは、配線１２・１３の突出部を含む長さとなっている。配線３２・３３には突出部が設けられていないため、配線３２・３３間の隙間、すなわち配線３２・３３間の基板２の表面は長方形状となっている。   The wirings 32 and 33 are strip-shaped, and the length in the short direction perpendicular to the longitudinal direction is longer than the length in the short direction of the wirings 12 and 13. The lengths of the wires 32 and 33 in the short direction include the protruding portions of the wires 12 and 13. Since the wirings 32 and 33 are not provided with a protruding portion, the gap between the wirings 32 and 33, that is, the surface of the substrate 2 between the wirings 32 and 33 is rectangular.

ガラス部３４は、配線３２・３３間の隙間に嵌合する長方形状である。ガラス部３４は配線３２・３３間に嵌合するように基板２の表面に配されている。   The glass portion 34 has a rectangular shape that fits into the gap between the wirings 32 and 33. The glass portion 34 is disposed on the surface of the substrate 2 so as to fit between the wirings 32 and 33.

配線基板３０でも、配線基板１０・２０と同様に、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線３２・３３及びガラス部３４で、基板２の表面は全て覆われている。この配線基板３０によっても発光装置の製造が可能である。   Also in the wiring board 30, as in the wiring boards 10 and 20, the surface of the substrate 2 in which the liquid repellent agent easily penetrates is not exposed in the sealing resin formation region R, and the wiring 32. 33 and the glass part 34 cover the entire surface of the substrate 2. The light emitting device can also be manufactured with this wiring board 30.

図１０は実施形態３に係る発光装置に用いられる配線基板にガラス部が形成される前の平面図である。   FIG. 10 is a plan view before the glass portion is formed on the wiring board used in the light emitting device according to the third embodiment.

図１０に示すように、配線基板３０を製造するには、まず、セラミック等からなる基板２に、上記配線形成工程にて配線３２・３３をめっきにより基板２の表面にパターン形成する。またこのときに、基板２の裏面にも裏面配線３をパターン形成する。   As shown in FIG. 10, in order to manufacture the wiring substrate 30, first, the wirings 32 and 33 are patterned on the surface of the substrate 2 by plating in the wiring forming step on the substrate 2 made of ceramic or the like. At this time, the back surface wiring 3 is also patterned on the back surface of the substrate 2.

次に、基板２の表面に形成された配線３２と、配線３３との間に嵌合する長方形状に切断されたガラス部３４を準備する。   Next, the glass part 34 cut | disconnected in the rectangular shape fitted between the wiring 32 formed in the surface of the board | substrate 2 and the wiring 33 is prepared.

そして、ガラス部３４を、配線３２と、配線３３との間に嵌るように、基板２の表面に配し、ガラス部３４と基板２とを接着剤等により接着する。   And the glass part 34 is distribute | arranged to the surface of the board | substrate 2 so that it may fit between the wiring 32 and the wiring 33, and the glass part 34 and the board | substrate 2 are adhere | attached with an adhesive agent.

このように、ガラス部３４を、基板２の配線３２・３３が配されている面であり、封止樹脂形成領域Ｒにおける基板２の表面を、配線３２・３３と共に覆いかつ露出しないように配する。これにより、図９に示した配線基板３０が得られる。   As described above, the glass portion 34 is a surface on which the wirings 32 and 33 of the substrate 2 are disposed, and the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R is covered with the wirings 32 and 33 so as not to be exposed. To do. Thereby, the wiring board 30 shown in FIG. 9 is obtained.

図１１の（ａ）は封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板３０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板３０を表す平面図である。   FIG. 11A is a plan view showing the wiring substrate 30 on which the liquid-repellent film from which the sealing resin formation region has been removed is formed, and FIG. 11B is an LED chip in the sealing resin formation region of FIG. It is a top view showing the wiring board 30 which mounted.

上記塗布工程にて、配線基板３０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。上述したように、配線基板３０のうち、封止樹脂形成領域Ｒ内では、基板２の表面は、表面の凹凸形状の粗さが細かい配線３２・３３及びガラス部３４によって覆われており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面が露出していない。このため、封止樹脂形成領域Ｒ内は、基板２の表面が露出している封止樹脂形成領域Ｒ外と比べて、液状の撥液剤の配線基板３０内への浸透を防止することができる。   In the application step, a liquid lyophobic agent that becomes the lyophobic film 5 is applied to the entire surface of the wiring board 30. As described above, in the sealing resin formation region R in the wiring substrate 30, the surface of the substrate 2 is covered with the wirings 32 and 33 and the glass portion 34 having a fine roughness of the surface unevenness. The surface of the substrate 2 having a rough shape is not exposed. For this reason, in the sealing resin formation region R, the penetration of the liquid lyophobic agent into the wiring substrate 30 can be prevented as compared with the outside of the sealing resin formation region R where the surface of the substrate 2 is exposed. .

次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板３０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜した後、上記エッチング工程にて封止樹脂形成領域Ｒ内の撥液膜５を除去する。   Next, after the liquid repellent agent on the wiring substrate 30 is cured and the liquid repellent film 5 is formed in the liquid repellent film forming process, the liquid repellent film 5 in the sealing resin forming region R is formed in the etching process. Remove.

配線基板３０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、表面の凹凸形状の粗さが細かいガラス部３４及び配線３２・３３が撥液膜５と接触しており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面は撥液膜５と接触していない。このため、エッチング工程では、ウエットエッチングでは無く、乾式のドライエッチングであっても、残渣を残さず、封止樹脂形成領域Ｒ内の配線基板３０表面の撥液膜５を除去することができる。   In the wiring substrate 30, in the sealing resin formation region R, the glass portion 34 and the wirings 32 and 33 whose surface roughness is fine are in contact with the liquid repellent film 5, and the surface where the roughness is rough is rough. The surface of 2 is not in contact with the liquid repellent film 5. For this reason, in the etching process, the liquid-repellent film 5 on the surface of the wiring substrate 30 in the sealing resin formation region R can be removed without leaving a residue even if the dry etching is not wet etching.

これにより、図１１の（ａ）に示すように、封止樹脂形成領域Ｒが開口部５ａとなっている撥液膜５が表面に形成された配線基板３０が得られる。   As a result, as shown in FIG. 11A, a wiring substrate 30 is obtained in which the liquid repellent film 5 having the sealing resin formation region R as the opening 5a is formed on the surface.

配線基板３０では、撥液膜５の開口部５ａ内のガラス部３４及び配線１２・１３が露出している。   In the wiring board 30, the glass portion 34 and the wirings 12 and 13 in the opening 5 a of the liquid repellent film 5 are exposed.

次に、図１１の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ａ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板３０に実装する。   Next, as shown in FIG. 11B, the LED chip 4 is mounted on the LED chip mounting position P in the opening 5a of the wiring board 30 in the light emitting element mounting step. Then, the electrode pad portion of the LED chip 4 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 a are connected by the wire 6. In this way, the LED chip 4 is mounted on the wiring board 30.

次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内、すなわち、封止樹脂形成領域Ｒ内に、封止樹脂７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。   Next, in the sealing resin forming step, the liquid that becomes the sealing resin 7 in the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 30 on which the LED chip 4 is mounted, that is, in the sealing resin forming region R. The sealing resin agent is applied. And the said sealing resin agent is hardened by heating the wiring board 30 with which the sealing resin agent was apply | coated.

これにより、図１２に示すように発光装置３１が得られる。図１２は、実施の形態３に係る発光装置の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＥ‐Ｅ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＦ‐Ｆ’線矢視断面図である。   Thereby, as shown in FIG. 12, the light-emitting device 31 is obtained. 12A and 12B are diagrams illustrating the configuration of the light-emitting device according to Embodiment 3, wherein FIG. 12A is a plan view illustrating the configuration of the light-emitting device, and FIG. 12B is an EE ′ line arrow illustrated in FIG. (C) is a cross-sectional view taken along line FF ′ shown in (a).

発光装置３１では、封止樹脂７が形成されている領域は、ガラス部３４及び配線３２・３３が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。   In the light emitting device 31, in the region where the sealing resin 7 is formed, the glass portion 34 and the wirings 32 and 33 cover the substrate 2, and the surface of the substrate 2 is not exposed.

封止樹脂７は、ＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止する共に、ガラス部３４及び配線３２・３３表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。   The sealing resin 7 seals the LED chip 4 and the wire 6 and is formed on the surface of the glass portion 34 and the wirings 32 and 33 and is not in contact with the surface of the substrate 2 having a rough roughness. .

このため、発光装置３１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、封止樹脂７下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。   For this reason, in the light emitting device 31, even if, for example, dry dry etching is performed in the etching process, the residue of the liquid repellent film 5 is suppressed from remaining under the sealing resin 7. Thereby, it is not limited to wet etching in an etching process, and manufacturing cost can be reduced.

ここで、ＬＥＤチップ４から発光された光は、配線３２・３３で反射され、封止樹脂７の外部へ出射する。このため、配線３２・３３の平面形状を異ならせることで、ＬＥＤチップ４から発光された光の反射率や反射方向を異ならせることができる。この結果、封止樹脂７の外部に出射される光のスペクトル形状（色や明るさ等）を変化させることが可能となる。   Here, the light emitted from the LED chip 4 is reflected by the wirings 32 and 33 and is emitted to the outside of the sealing resin 7. For this reason, the reflectance and reflection direction of the light emitted from the LED chip 4 can be varied by making the planar shapes of the wirings 32 and 33 different. As a result, the spectral shape (color, brightness, etc.) of the light emitted to the outside of the sealing resin 7 can be changed.

本実施の形態のように、配線３２・３３を、ワイヤ６を結線するための領域を含む長方形状（帯状）とすることで、実施形態１で説明した、ワイヤ６を結線するための突出部を有する配線１２・１３より、面積を大きくすることができる。この結果、ＬＥＤチップ４から発光された光の反射率を向上させることができ、発光装置３１の輝度向上を図ることができる。   As in the present embodiment, the wirings 32 and 33 are formed in a rectangular shape (strip shape) including a region for connecting the wire 6, so that the protruding portion for connecting the wire 6 described in the first embodiment is used. The area can be made larger than that of the wirings 12 and 13 having the. As a result, the reflectance of the light emitted from the LED chip 4 can be improved, and the luminance of the light emitting device 31 can be improved.

なお、この配線３２・３３の平面形状や面積は、発光装置３１の用途に応じて、製造上及び設計上有利なかつ、要求仕様を満たすように適宜設計すればよい。   The planar shape and area of the wirings 32 and 33 may be appropriately designed according to the use of the light emitting device 31 so as to be advantageous in terms of manufacturing and design and satisfy the required specifications.

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４について、図１３、図１４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１〜３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。 [Embodiment 4]
The following description will discuss Embodiment 4 of the present invention with reference to FIGS. 13 and 14. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図１３は、実施の形態４に係る発光装置４１の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＧ‐Ｇ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＨ‐Ｈ’線矢視断面図である。   FIG. 13 is a diagram illustrating the configuration of the light-emitting device 41 according to Embodiment 4, wherein (a) is a plan view illustrating the configuration of the light-emitting device, and (b) is a GG ′ line illustrated in (a). It is arrow sectional drawing, (c) is a HH 'line arrow sectional drawing shown to (a).

発光装置４１は、図１２に示した発光装置３１と、封止樹脂７に換えて１次封止樹脂（第１封止材）４７及び２次封止樹脂（第２封止材）４８を備えている点と、封止樹脂７の外側の撥液膜５が除去されている点で相違する。発光装置４１の他の構成は発光装置３１と同様である。   The light-emitting device 41 includes a light-emitting device 31 shown in FIG. 12 and a primary sealing resin (first sealing material) 47 and a secondary sealing resin (second sealing material) 48 instead of the sealing resin 7. The difference is that the liquid-repellent film 5 outside the sealing resin 7 is removed. Other configurations of the light emitting device 41 are the same as those of the light emitting device 31.

１次封止樹脂４７はＬＥＤチップ４及びワイヤ６を封止し、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。１次封止樹脂４７は、ＬＥＤチップ４の光で励起される蛍光体が含有された樹脂材料からなる。１次封止樹脂４７として一例として蛍光体を含有させたシリコーン樹脂材料を使用することができる。   The primary sealing resin 47 seals the LED chip 4 and the wire 6 and is disposed on the surface of the glass portion 34 and the wirings 32 and 33. The primary sealing resin 47 is made of a resin material containing a phosphor that is excited by the light of the LED chip 4. As an example of the primary sealing resin 47, a silicone resin material containing a phosphor can be used.

２次封止樹脂４８は１次封止樹脂４７を覆い、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。２次封止樹脂４８には蛍光体が含有されておらず透明な樹脂材料からなる。一例として、２次封止樹脂４８にはシリコーン樹脂材料を使用することができる。   The secondary sealing resin 48 covers the primary sealing resin 47 and is disposed on the surfaces of the glass portion 34 and the wirings 32 and 33. The secondary sealing resin 48 does not contain a phosphor and is made of a transparent resin material. As an example, a silicone resin material can be used for the secondary sealing resin 48.

発光装置４１では、封止樹脂を、蛍光体を含有する１次封止樹脂４７と蛍光体を含有しない２次封止樹脂４８との２層構造とすることで、高価な蛍光体の使用量を減らすことでコスト低下させることができる。かつ、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和したり、ＬＥＤチップ４を酸素や水分などから遮蔽したりすることができる。   In the light emitting device 41, the amount of expensive phosphor used is made by forming the sealing resin into a two-layer structure of a primary sealing resin 47 containing a phosphor and a secondary sealing resin 48 containing no phosphor. By reducing the cost, the cost can be reduced. In addition, the LED chip 4 can be relaxed from thermal and mechanical external forces, and the LED chip 4 can be shielded from oxygen, moisture, and the like.

１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成されている領域は、ガラス部３４及び配線３２・３３が基板２を覆い、基板２の表面は露出していない。   In the region where the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 are formed, the glass portion 34 and the wirings 32 and 33 cover the substrate 2, and the surface of the substrate 2 is not exposed.

すなわち、１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８は、ガラス部３４及び配線３２・３３表面に形成されており、凹凸形状の粗さが粗い基板２の表面とは接触していない。   That is, the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 are formed on the surfaces of the glass portion 34 and the wirings 32 and 33 and are not in contact with the surface of the substrate 2 having a rough roughness.

このため、発光装置４１は、エッチング工程で、例えば乾式のドライエッチングがなされていたとしても、１次封止樹脂４７や２次封止樹脂４８下に撥液膜５の残渣が残ることが抑制されている。これにより、エッチング工程で湿式のエッチングに限定されず、製造コストを低減することができる。なお、発光装置４１では、撥液膜５は、１次封止樹脂４７が形成された後、１次封止樹脂４７の外側部分も除去されている。   For this reason, the light emitting device 41 suppresses the residue of the liquid repellent film 5 from remaining under the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 even if, for example, dry dry etching is performed in the etching process. Has been. Thereby, it is not limited to wet etching in an etching process, and manufacturing cost can be reduced. In the light emitting device 41, after the primary sealing resin 47 is formed, the outer portion of the primary sealing resin 47 is also removed from the liquid repellent film 5.

次に、主に図１３及び図１４を用いて、発光装置４１の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 41 will be described mainly with reference to FIGS. 13 and 14.

図１４の（ａ）は１次封止樹脂形成領域が除去された撥液膜が形成された配線基板３０を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の１次封止樹脂形成領域内にＬＥＤチップを実装した配線基板３０を表す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の配線基板３０に１次封止樹脂を形成し撥液膜を除去した様子を表す平面図である。   14A is a plan view showing the wiring substrate 30 on which the liquid repellent film from which the primary sealing resin formation region has been removed is formed, and FIG. 14B is the primary sealing resin formation region of FIG. It is a top view showing the wiring board 30 which mounted the LED chip in the inside, (c) is a top view showing a mode that the primary sealing resin was formed in the wiring board 30 of (b), and the liquid-repellent film was removed. .

上記塗布工程にて、図９に示した配線基板３０の表面全面に、撥液膜５となる液状の撥液剤を塗布する。次に、上記撥液膜成膜工程にて配線基板３０上の撥液剤を硬化し撥液膜５を成膜する。   In the coating step, a liquid lyophobic agent that becomes the lyophobic film 5 is applied to the entire surface of the wiring substrate 30 shown in FIG. Next, in the liquid repellent film forming step, the liquid repellent agent on the wiring substrate 30 is cured to form the liquid repellent film 5.

次に、上記エッチング工程で、成膜した撥液膜５表面に、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するマスクを載置しプラズマ装置に入れプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う。   Next, dry etching is performed by placing a mask having an opening in the shape of the primary sealing resin 47 on the surface of the liquid-repellent film 5 formed in the etching step and placing it in a plasma apparatus to perform plasma treatment.

これにより、図１４の（ａ）に示すように、１次封止樹脂４７が形成される領域が開口部５ｂとなった撥液膜５が表面に形成された配線基板３０が得られる。   As a result, as shown in FIG. 14A, a wiring substrate 30 is obtained in which the liquid repellent film 5 in which the region where the primary sealing resin 47 is formed becomes the opening 5b is formed on the surface.

次に、図１４の（ｂ）に示すように、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ｂ内のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を搭載する。そして、ＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ４を配線基板３０に実装する。   Next, as shown in FIG. 14B, the LED chip 4 is mounted on the LED chip mounting position P in the opening 5 b in the wiring substrate 30 in the light emitting element mounting step. Then, the electrode pad portion of the LED chip 4 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 b are connected by the wire 6. In this way, the LED chip 4 is mounted on the wiring board 30.

次に、上記封止樹脂形成工程にて、ＬＥＤチップ４を実装した配線基板３０の撥液膜５の開口部５ｂ内、すなわち、１次封止樹脂形成領域内に、１次封止樹脂４７となる液状の封止樹脂剤を塗布する。一例として、１次封止樹脂４７の形成には、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。   Next, in the sealing resin forming step, the primary sealing resin 47 is formed in the opening 5b of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 30 on which the LED chip 4 is mounted, that is, in the primary sealing resin forming region. A liquid sealing resin agent is applied. As an example, the primary sealing resin 47 is formed by adding a phosphor to Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042, Toray Dow Corning silicone resin OE7620, Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500, or the like. Can be used.

そして、封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を加熱することで、上記封止樹脂剤を硬化する。これにより、配線基板３０に半球形状の１次封止樹脂４７が形成される。   And the said sealing resin agent is hardened by heating the wiring board 30 with which the sealing resin agent was apply | coated. Thereby, the hemispherical primary sealing resin 47 is formed on the wiring board 30.

次に、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマ装置に入れる。そして、プラズマ装置にアルゴンガスを流入させてプラズマ処理を行うことでドライエッチングを行う（第２エッチング工程）。一例として、このときのプラズマ放電の出力は２５０Ｗ程度、プラズマ処理を行う時間は２０秒程度である。   Next, the wiring substrate 30 on which the primary sealing resin 47 is formed is put into a plasma apparatus. Then, dry etching is performed by flowing argon gas into the plasma apparatus and performing plasma processing (second etching step). As an example, the plasma discharge output at this time is about 250 W, and the plasma treatment time is about 20 seconds.

これにより、図１４の（ｃ）に示すように、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られる。   As a result, as shown in FIG. 14C, the wiring substrate 30 from which the liquid repellent film 5 remaining outside the primary sealing resin 47 has been removed is obtained.

次に、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を、例えばスピンコーター等により塗布する。ここで使用する２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤は、蛍光体が含有されていない液状の樹脂材料である。一例として、２次封止樹脂４８の形成に、信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２、東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０、又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００等を用いることができる。   Next, a liquid sealing resin agent that becomes the secondary sealing resin 48 is applied by, for example, a spin coater so as to cover the primary sealing resin 47. The liquid sealing resin agent used as the secondary sealing resin 48 used here is a liquid resin material containing no phosphor. As an example, the silicone resin ASP-1042 manufactured by Shin-Etsu Chemical, the silicone resin OE7620 manufactured by Toray Dow Corning, or the silicone resin KER-2500 manufactured by Shin-Etsu Chemical can be used to form the secondary sealing resin 48.

そして、１次封止樹脂４７を覆って２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤が塗布された配線基板３０を、乾燥機に入れ、約９５℃９０分程度加熱し、続けて、約１５５℃３００分程度の加熱することで上記封止樹脂剤を硬化させる。   Then, the wiring substrate 30 coated with the liquid sealing resin agent that covers the primary sealing resin 47 and becomes the secondary sealing resin 48 is put into a dryer, heated at about 95 ° C. for about 90 minutes, and then The sealing resin agent is cured by heating at about 155 ° C. for about 300 minutes.

これにより、図１３に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置４１を得ることができる（２次封止樹脂形成工程）。   Thereby, as shown in FIG. 13, the light-emitting device 41 in which the hemispherical secondary sealing resin 48 covering the primary sealing resin 47 is formed can be obtained (secondary sealing resin forming step).

波長変換に使用する蛍光体は発光装置１個に用いられる材料のうちでも高価である。そこで発光装置４１によると、封止樹脂に含まれる蛍光体の量を抑えることができ、製造コストの引き下げ及び安定した色度の両立を実現することが可能である。   The phosphor used for wavelength conversion is expensive among materials used for one light emitting device. Therefore, according to the light emitting device 41, the amount of the phosphor contained in the sealing resin can be suppressed, and it is possible to realize both reduction in manufacturing cost and stable chromaticity.

〔実施形態５〕
本発明の実施形態５について、図１５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１〜４にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。 [Embodiment 5]
The fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first to fourth embodiments are given the same reference numerals and explanation thereof is omitted.

図１５は、実施の形態５に係る発光装置５１の構成を表す図であり、（ａ）は発光装置５１の構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＩ‐Ｉ’線矢視断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＪ‐Ｊ’線矢視断面図である。   FIG. 15 is a diagram illustrating the configuration of the light emitting device 51 according to Embodiment 5, (a) is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 51, and (b) is II ′ shown in (a). It is a sectional view taken along line arrow, and (c) is a sectional view taken along line JJ ′ shown in (a).

発光装置５１は、図１３に示した発光装置４１と、ＬＥＤチップ４に換えて複数のＬＥＤチップ（発光素子）５４・５５を備え、ＬＥＤチップ５４・５５それぞれが配線３２・３３とワイヤ６で接続されている点で相違する。発光装置５１の他の構成は発光装置４１と同様である。   The light-emitting device 51 includes a plurality of LED chips (light-emitting elements) 54 and 55 instead of the LED chip 4 and the light-emitting device 41 shown in FIG. It is different in that it is connected. Other configurations of the light emitting device 51 are the same as those of the light emitting device 41.

ＬＥＤチップ５４・５５は、ガラス部３４の表面であって、１次封止樹脂４７が形成される領域内に配されている。ＬＥＤチップ５４はワイヤ６で配線３２・３３それぞれと結線されている。ＬＥＤチップ５５はワイヤ６で配線３２・３３それぞれと結線されている。１次封止樹脂４７はＬＥＤチップ５４・５５及びワイヤ６を封止し、ガラス部３４及び配線３２・３３の表面に配されている。   The LED chips 54 and 55 are arranged on the surface of the glass portion 34 and in a region where the primary sealing resin 47 is formed. The LED chip 54 is connected to the wirings 32 and 33 by wires 6. The LED chip 55 is connected to the wirings 32 and 33 by wires 6. The primary sealing resin 47 seals the LED chips 54 and 55 and the wires 6, and is disposed on the surfaces of the glass portion 34 and the wirings 32 and 33.

発光装置５１は、複数のＬＥＤチップ５４・５５を備えるため、高輝度の発光装置を構成することができる。なお、発光装置５１が備えるＬＥＤチップの個数は２個に限定されず、３個以上であってもよい。   Since the light-emitting device 51 includes the plurality of LED chips 54 and 55, a high-luminance light-emitting device can be configured. The number of LED chips provided in the light emitting device 51 is not limited to two, and may be three or more.

発光装置５１は、配線基板３０を用いて、実施の形態４で説明した上記塗布工程を経た後、上記発光素子実装工程にて、配線基板３０のうち、開口部５ｂ内のガラス部３４の表面に、ＬＥＤチップ４では無く２個のＬＥＤチップ５４・５５を、互いに離間させて接着剤で接着する。これにより、ガラス部３４に２個のＬＥＤチップ５４・５５を搭載する。次に、ＬＥＤチップ５４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。さらに、ＬＥＤチップ５５の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線する。このように、ＬＥＤチップ５４・５５を配線基板３０に実装する。   The light-emitting device 51 uses the wiring substrate 30 to undergo the coating process described in the fourth embodiment, and then in the light-emitting element mounting process, the surface of the glass portion 34 in the opening 5b in the wiring substrate 30. In addition, the two LED chips 54 and 55 instead of the LED chip 4 are separated from each other and bonded with an adhesive. Thereby, the two LED chips 54 and 55 are mounted on the glass portion 34. Next, the electrode pad portion of the LED chip 54 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 b are connected by the wire 6. Further, the electrode pad portion of the LED chip 55 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 b are connected by the wire 6. In this way, the LED chips 54 and 55 are mounted on the wiring board 30.

この後、実施の形態４で説明した上記封止樹脂形成工程、上記第２エッチング工程、上記２次封止樹脂形成工程を経ることで発光装置５１が完成する。   Thereafter, the light emitting device 51 is completed through the sealing resin forming step, the second etching step, and the secondary sealing resin forming step described in the fourth embodiment.

〔実施例１〕
次に、本発明の実施例１について説明する。 [Example 1]
Next, Example 1 of the present invention will be described.

本実施例では、図４に示した配線基板１０を使用した。本実施例１に係る配線基板１０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、及び光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線１２・１３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線１２．１３の表面は光沢面となっている。基板２の表面であって配線１２・１３間にはガラス部１４が配されている。   In this embodiment, the wiring board 10 shown in FIG. 4 was used. In the wiring board 10 according to the first embodiment, wirings 12 and 13 formed by sequentially plating thin gold added with copper, nickel, and a brightening agent on a ceramic board 2 are formed on the surface of the board 2. Are patterned. The surface of the wiring 12.13 is a glossy surface. A glass portion 14 is disposed between the wirings 12 and 13 on the surface of the substrate 2.

配線基板１０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部１４で、基板２の表面は全て覆われている。   In the sealing resin formation region R of the wiring substrate 10, the surface of the substrate 2 where the liquid repellent agent easily permeates is not exposed, and the wirings 12 and 13 and the glass portion 14 where the liquid repellent agent does not easily permeate are formed on the substrate 2. All surfaces are covered.

塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をステンレス製バットに適量満たし、配線基板１０を浸漬させることで撥液剤を配線基板１０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。   In the coating step, an appropriate amount of the liquid repellent agent that becomes the liquid repellent film 5 is filled in a stainless steel bat, and the wiring substrate 10 is immersed to apply the liquid repellent agent to the entire surface of the wiring substrate 10. As a liquid repellent agent, Marvel coat manufactured by Hishoe Chemical was used.

次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板１０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。   Next, in the liquid repellent film forming step, the wiring substrate 10 coated with the liquid repellent agent was placed in a dryer set to a temperature of 125 ° C. for 60 minutes to dry the liquid repellent agent.

これにより、図５の（ａ）に示したように、撥液剤が硬化することで配線基板１０の全面に撥液膜５が成膜された。   As a result, as shown in FIG. 5A, the liquid repellent film 5 was formed on the entire surface of the wiring substrate 10 by curing the liquid repellent.

そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板１０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板１０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Then, the wiring substrate 10 having the liquid repellent film 5 formed on the entire surface is taken out from the dryer, and a stainless steel mask having an opening in the shape of the sealing resin formation region R is overlaid on the liquid repellent film 5 in the etching process. The wiring board 10 was installed in the plasma cleaning apparatus. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板１０を取り出すと、図５の（ｂ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板１０が得られた。   When the wiring board 10 was taken out from the plasma cleaning device, the opening 5a was formed in the sealing resin formation region R in the liquid repellent film 5, as shown in FIG. In this way, the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R was removed by dry etching, so that the wiring substrate 10 having the liquid repellent film 5 with the openings 5a formed thereon was obtained.

配線基板１０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。   In the wiring substrate 10, the liquid repellent film 5 is not in contact with the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R, and the surface of the wirings 12 and 13 whose surface roughness is smaller than that of the substrate 2. And only in contact with the surface of the glass part 14. Therefore, in the etching process, the opening 5a can be formed by removing the liquid repellent film 5 without leaving a residue of the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R by dry etching.

次に、図５の（ｃ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線１２・１３とを結線した。   Next, as shown in FIG. 5C, in the light emitting element mounting step, the LED chip 4 is bonded to the LED chip mounting position P of the glass portion 14 with an adhesive, and then the wire 6 made of gold is used. The electrode pad portion of the LED chip 4 and the wirings 12 and 13 in the opening 5a were connected.

そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板１０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２を適量滴下した。そして、当該配線基板１０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて１２０分間加熱し、次いで１５０℃で２４０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置１１が得られた。   Then, in the sealing resin forming step, an appropriate amount of Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042 containing a phosphor was dropped as an encapsulating resin agent into the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 10. And the said wiring board 10 was heated for 120 minutes in the dryer which set the inside of a store | warehouse | chamber to 100 degreeC, and was then heated for 240 minutes at 150 degreeC. Thereby, the sealing resin agent was thermoset, and as shown in FIG. 1, the light emitting device 11 in which the hemispherical sealing resin 7 was formed in the opening 5a was obtained.

このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置１１が得られた。   In this way, a light emitting device 11 which is a semiconductor light emitting device in which the sealing resin 7 is formed in an intended shape and size and emits stable chromaticity at low cost is obtained.

〔実施例２〕
次に、本発明の実施例２について説明する。 [Example 2]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

本実施例では、図６に示した配線基板２０を使用した。本実施例２に係る配線基板２０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線１２・１３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線基板１２・１３の表面は光沢面となっている。基板２の表面及び配線１２・１３の表面にはガラス部２４が配されている。   In this example, the wiring board 20 shown in FIG. 6 was used. The wiring board 20 according to the second embodiment has wirings 12 and 13 formed by sequentially plating thin gold added with copper, nickel, and a brightener on the board 2 made of ceramic. A pattern is formed. The surfaces of the wiring boards 12 and 13 are glossy surfaces. A glass portion 24 is disposed on the surface of the substrate 2 and the surfaces of the wirings 12 and 13.

ガラス部２４のうち、配線１２の突出部と重なる位置に開口部２４ａが形成されており、配線１２の突出部が露出している。また、ガラス部２４のうち、配線１３の突出部と重なる位置に開口部２４ｂが形成されており、配線１３の突出部が露出している。   An opening 24a is formed in the glass portion 24 at a position overlapping the protruding portion of the wiring 12, and the protruding portion of the wiring 12 is exposed. Moreover, the opening part 24b is formed in the position which overlaps with the protrusion part of the wiring 13 among the glass parts 24, and the protrusion part of the wiring 13 is exposed.

配線基板２０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線１２・１３及びガラス部２４で、基板２の表面は全て覆われている。   In the sealing resin formation region R of the wiring substrate 20, the surface of the substrate 2 where the liquid repellent agent easily permeates is not exposed. All surfaces are covered.

塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をステンレス製バットに適量満たし、配線基板２０を浸漬させることで撥液剤を配線基板２０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。   In the coating step, an appropriate amount of the liquid repellent agent that becomes the liquid repellent film 5 is filled in a stainless steel bat, and the wiring substrate 20 is immersed to apply the liquid repellent agent to the entire surface of the wiring substrate 20. As a liquid repellent agent, Marvel coat manufactured by Hishoe Chemical was used.

次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板２０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板２０の全面に撥液膜５が成膜された。   Next, in the liquid repellent film forming step, the wiring substrate 20 coated with the liquid repellent agent was placed in a dryer set to a temperature of 125 ° C. for 60 minutes to dry the liquid repellent agent. Thus, the liquid repellent film was formed on the entire surface of the wiring board 20 by curing the liquid repellent.

そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板２０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板２０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Then, the wiring board 20 having the liquid repellent film 5 formed on the entire surface is taken out from the dryer, and a stainless steel mask having an opening in the shape of the sealing resin forming region R is overlaid on the liquid repellent film 5 in the etching process. The wiring board 20 was installed in the plasma cleaning apparatus. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図７の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板２０が得られた。   When the wiring board 20 was taken out from the plasma cleaning device, the opening 5a was formed in the sealing resin formation region R in the liquid repellent film 5, as shown in FIG. In this way, the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R was removed by dry etching, so that the wiring substrate 20 having the liquid repellent film 5 with the openings 5a formed thereon was obtained.

配線基板２０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線１２・１３の表面及びガラス部１４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。   In the wiring substrate 20, the liquid repellent film 5 is not in contact with the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R, and the surface of the wirings 12 and 13 whose surface roughness is smaller than that of the substrate 2. And only in contact with the surface of the glass part 14. Therefore, in the etching process, the opening 5a can be formed by removing the liquid repellent film 5 without leaving a residue of the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R by dry etching.

次に、図７の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部１４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、ガラス部２４の開口部２４ａ・２４ｂ内の配線１２・１３とを結線した。   Next, as shown in FIG. 7B, in the light emitting element mounting step, the LED chip 4 is bonded to the LED chip mounting position P of the glass portion 14 with an adhesive, and then the wire 6 made of gold is used. The electrode pad part of the LED chip 4 and the wirings 12 and 13 in the openings 24a and 24b of the glass part 24 were connected.

そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板２０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０を適量滴下した。そして、当該配線基板１０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて６０分間加熱し、次いで１５０℃で１２０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図８に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置２１が得られた。   Then, in the sealing resin forming step, an appropriate amount of Toray Dow Corning silicone resin OE7620 containing phosphor was added as a sealing resin agent into the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring board 20. And the said wiring board 10 was heated for 60 minutes in the dryer which set the inside of a store | warehouse | chamber to 100 degreeC, and then, it heated at 150 degreeC for 120 minutes. As a result, the sealing resin agent was thermoset, and as shown in FIG. 8, the light emitting device 21 in which the hemispherical sealing resin 7 was formed in the opening 5a was obtained.

このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置２１が得られた。   In this way, the light emitting device 21 which is a semiconductor light emitting device in which the sealing resin 7 is formed in an intended shape and size and emits stable chromaticity at low cost is obtained.

〔実施例３〕
次に、本発明の実施例３について説明する。 Example 3
Next, Embodiment 3 of the present invention will be described.

本実施例では、図９に示した配線基板３０を使用した。本実施例３に係る配線基板３０はセラミックからなる基板２に、銅、ニッケル、光沢剤が添加された薄い金が順にめっきされたことで構成さている配線３２・３３が、基板２の表面にパターン形成されたものである。配線基板３２・３３の表面は光沢面となっている。配線３２・３３の短手方向の長さは配線１２・１３の短手方向の長さより長い。そして、配線３２・３３間の基板２表面には基板２の表面が露出しないように配線３２・３３間の隙間と嵌合する長方形状のガラス部３４が配されている。   In this example, the wiring board 30 shown in FIG. 9 was used. In the wiring board 30 according to the third embodiment, wiring 32 and 33 formed by sequentially plating thin gold with copper, nickel, and a brightener added onto the ceramic board 2 are formed on the surface of the board 2. A pattern is formed. The surfaces of the wiring boards 32 and 33 are glossy surfaces. The length of the wires 32 and 33 in the short direction is longer than the length of the wires 12 and 13 in the short direction. A rectangular glass portion 34 that fits into the gap between the wirings 32 and 33 is disposed on the surface of the substrate 2 between the wirings 32 and 33 so that the surface of the substrate 2 is not exposed.

配線基板３０の封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液剤が浸透し易い基板２の表面は露出しておらず、上記撥液剤が浸透し難い配線３２・３３及びガラス部３４で、基板２の表面は全て覆われている。   In the sealing resin formation region R of the wiring substrate 30, the surface of the substrate 2 in which the liquid repellent agent easily permeates is not exposed, and the wirings 32 and 33 and the glass portion 34 in which the liquid repellent agent does not easily permeate, All surfaces are covered.

塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をスプレーにより噴霧することで、撥液剤を配線基板３０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。   In the application step, the liquid repellent agent that becomes the liquid repellent film 5 is sprayed by spraying, so that the liquid repellent agent is applied to the entire surface of the wiring substrate 30. As a liquid repellent agent, Marvel coat manufactured by Hishoe Chemical was used. As the liquid repellent agent, for example, KY-108 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. or Unidyne manufactured by Daikin Industries, Ltd. may be used instead of Marvel Coat manufactured by Hishoe Chemical.

次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。   Next, in the liquid repellent film forming step, the wiring substrate 30 coated with the liquid repellent was placed in a dryer set to a temperature of 125 ° C. for 60 minutes to dry the liquid repellent. Thus, the liquid repellent film was formed on the entire surface of the wiring board 30 by curing the liquid repellent.

そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、封止樹脂形成領域Ｒの形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板２０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Then, the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 formed on the entire surface is taken out from the dryer, and a stainless mask having an opening in the shape of the sealing resin formation region R is overlaid on the liquid repellent film 5 in the etching process. The wiring board 20 was installed in the plasma cleaning apparatus. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１１の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち封止樹脂形成領域Ｒに開口部５ａが形成されていた。このようにして、封止樹脂形成領域Ｒの撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ａが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。   When the wiring substrate 20 was taken out from the plasma cleaning device, the opening 5a was formed in the sealing resin formation region R in the liquid repellent film 5, as shown in FIG. In this way, the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R was removed by dry etching, so that the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 with the openings 5a formed thereon was obtained.

配線基板３０では、封止樹脂形成領域Ｒ内は、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線３２・３３の表面及びガラス部３４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、封止樹脂形成領域Ｒ内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ａを形成することができた。   In the wiring substrate 30, the liquid repellent film 5 is not in contact with the surface of the substrate 2 in the sealing resin formation region R, and the surface of the wirings 32 and 33 whose surface roughness is smaller than that of the substrate 2. And only in contact with the surface of the glass part 34. Therefore, in the etching process, the opening 5a can be formed by removing the liquid repellent film 5 without leaving a residue of the liquid repellent film 5 in the sealing resin formation region R by dry etching.

次に、図１１の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを結線した。   Next, as shown in FIG. 11B, in the light emitting element mounting step, the LED chip 4 is bonded to the LED chip mounting position P of the glass portion 34 with an adhesive, and then the wire 6 made of gold is used. The electrode pad portion of the LED chip 4 and the wirings 32 and 33 in the opening 5a were connected.

そして、封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を１００℃に設定した乾燥機内にて６０分間加熱し、次いで１５０℃で１２０分間加熱した。これにより封止樹脂は熱硬化し、図１２に示したように、開口部５ａに半球形状の封止樹脂７が形成された発光装置３１が得られた。なお、上記封止樹脂剤として東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。   In the sealing resin forming step, an appropriate amount of Toray Dow Corning silicone resin OE-6550 containing a phosphor was dropped as an encapsulating resin agent into the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 30. And the said wiring board 30 was heated for 60 minutes in the dryer which set the inside of a store | warehouse | chamber to 100 degreeC, and then, it heated at 150 degreeC for 120 minutes. As a result, the sealing resin was thermoset, and as shown in FIG. 12, the light emitting device 31 in which the hemispherical sealing resin 7 was formed in the opening 5a was obtained. In addition, although the resin material which made the Toray Dow Corning silicone resin OE-6550 contain the fluorescent substance as the sealing resin agent was used, instead of this, for example, Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042 or Shin-Etsu Chemical A resin material in which a phosphor is contained in the silicone resin KER-2500 may be used.

このようにして、意図した形状及び大きさに封止樹脂７が形成され、安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置３１が得られた。   In this way, a light emitting device 31 which is a semiconductor light emitting device in which the sealing resin 7 is formed in an intended shape and size and emits stable chromaticity at low cost is obtained.

〔実施例４〕
次に、本発明の実施例４について説明する。本実施例では、図９に示した実施例３と同じ配線基板３０を使用した。 Example 4
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In this example, the same wiring board 30 as that of Example 3 shown in FIG. 9 was used.

塗布工程にて、撥液膜５となる撥液剤をスプレーにより噴霧することで、撥液剤を配線基板３０の全面に塗布した。撥液剤としては、菱江化学製マーベルコートを使用した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。   In the application step, the liquid repellent agent that becomes the liquid repellent film 5 is sprayed by spraying, so that the liquid repellent agent is applied to the entire surface of the wiring substrate 30. As a liquid repellent agent, Marvel coat manufactured by Hishoe Chemical was used. As the liquid repellent agent, for example, KY-108 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. or Unidyne manufactured by Daikin Industries, Ltd. may be used instead of Marvel Coat manufactured by Hishoe Chemical.

次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。   Next, in the liquid repellent film forming step, the wiring substrate 30 coated with the liquid repellent was placed in a dryer set to a temperature of 125 ° C. for 60 minutes to dry the liquid repellent. Thus, the liquid repellent film was formed on the entire surface of the wiring board 30 by curing the liquid repellent.

そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板３０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Then, the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 formed on the entire surface is taken out of the dryer, and a stainless mask having an opening in the shape of the primary sealing resin 47 is overlaid on the liquid repellent film 5 in the etching process. The wiring board 30 was installed in the plasma cleaning apparatus. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１４の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち１次封止樹脂４７が形成される領域に開口部５ｂが形成されていた。このようにして、１次封止樹脂４７が形成される領域の撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ｂが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。   When the wiring board 20 was taken out from the plasma cleaning device, as shown in FIG. 14A, the opening 5b was formed in the region of the liquid repellent film 5 where the primary sealing resin 47 was to be formed. In this manner, the liquid repellent film 5 in the region where the primary sealing resin 47 is formed is removed by dry etching, whereby the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 having the opening 5b formed on the surface is obtained. It was.

配線基板３０では、１次封止樹脂４７が形成される領域内では、撥液膜５は基板２の表面と接触しておらず、撥液膜５は表面の粗さが基板２より細かい配線３２・３３の表面及びガラス部３４の表面とのみ接触していた。このため、エッチング工程で、ドライエッチングによって、１次封止樹脂４７が形成される領域内に撥液膜５の残渣を残さず、撥液膜５を除去することで開口部５ｂを形成することができた。   In the wiring substrate 30, the liquid repellent film 5 is not in contact with the surface of the substrate 2 in the region where the primary sealing resin 47 is formed, and the liquid repellent film 5 has a finer surface roughness than the substrate 2. Only the surfaces of 32 and 33 and the surface of the glass portion 34 were in contact. Therefore, in the etching process, the opening 5b is formed by removing the liquid repellent film 5 without leaving the residue of the liquid repellent film 5 in the region where the primary sealing resin 47 is formed by dry etching. I was able to.

次に、図１４の（ｂ）に示したように、発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置ＰにＬＥＤチップ４を接着剤で接合させ、次いで、金からなるワイヤ６によりＬＥＤチップ４の電極パッド部と、開口部５ａ内の配線３２・３３とを結線した。   Next, as shown in FIG. 14B, in the light emitting element mounting step, the LED chip 4 is bonded to the LED chip mounting position P of the glass portion 34 with an adhesive, and then the wire 6 made of gold is used. The electrode pad portion of the LED chip 4 and the wirings 32 and 33 in the opening 5a were connected.

そして、上記封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ａ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を８５℃に設定した乾燥機内にて７５分間加熱し、次いで１１５℃で９０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、開口部５ｂに半球形状の１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０が得られた。   Then, in the sealing resin forming step, an appropriate amount of Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500 containing a phosphor was dropped as an encapsulating resin agent into the opening 5a of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 30. And the said wiring board 30 was heated for 75 minutes in the dryer which set the inside of a store | warehouse | chamber to 85 degreeC, and was then heated at 115 degreeC for 90 minutes. Thereby, the sealing resin agent was thermoset, and the wiring board 30 in which the hemispherical primary sealing resin 47 was formed in the opening 5b was obtained.

なお、上記封止樹脂剤として信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。   In addition, although the resin material which made the phosphor material contain to Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500 was used as said sealing resin agent, it replaces with this, for example, Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042, or Toray Dow Corning make A resin material containing a phosphor in silicone resin OE-6550 may be used.

次に、第２エッチング工程にて、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマクリーニング装置に入れた。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Next, in the second etching step, the wiring substrate 30 on which the primary sealing resin 47 was formed was placed in a plasma cleaning device. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板３０を取り出すと、図１４の（ｃ）に示したように、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られた。   When the wiring board 30 was taken out from the plasma cleaning device, the wiring board 30 was obtained from which the liquid repellent film 5 remaining outside the primary sealing resin 47 was removed, as shown in FIG. .

次に、２次封止樹脂形成工程にて、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を適量滴下した。当該封止樹脂剤として蛍光体が含有されていない信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００を用いた。そして、当該配線基板３０を、庫内を９５℃に設定した乾燥機内にて９０分間加熱し、次いで１５５℃で３００分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１３に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置４１が得られた。   Next, in the secondary sealing resin forming step, an appropriate amount of a liquid sealing resin agent that becomes the secondary sealing resin 48 was dropped so as to cover the primary sealing resin 47. As the sealing resin agent, Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500 containing no phosphor was used. And the said wiring board 30 was heated for 90 minutes in the dryer which set the inside to 95 degreeC, and then, it heated at 155 degreeC for 300 minutes. As a result, the sealing resin agent was thermally cured, and as shown in FIG. 13, the light emitting device 41 in which the hemispherical secondary sealing resin 48 covering the primary sealing resin 47 was formed was obtained.

なお、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤として、信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に換えて信越化学製シリコーン樹脂ＡＳＰ‐１０４２又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０等を用いてもよい。   In addition, as a liquid sealing resin agent to be the secondary sealing resin 48, Shin-Etsu Chemical silicone resin ASP-1042 or Toray Dow Corning silicone resin OE7620 is used instead of Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500. Also good.

このようにして、意図した形状及び大きさに１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成された。また、封止樹脂を１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８の２層構造とすることで高価な蛍光体の使用量を減らすと共に、ＬＥＤチップ４を熱的及び機械的外力から緩和し、酸素や水分などから遮蔽しつつも安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置である発光装置４１が得られた。   Thus, the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 were formed in the intended shape and size. In addition, by using a two-layer structure of the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 as the sealing resin, the amount of expensive phosphor used is reduced and the LED chip 4 is relaxed from thermal and mechanical external forces. As a result, a light emitting device 41 which is a semiconductor light emitting device that emits stable and stable chromaticity while being shielded from oxygen, moisture, and the like was obtained.

〔実施例５〕
次に、本発明の実施例５について説明する。 Example 5
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.

本実施例では、図９に示した、実施例３、４と同じ配線基板３０を使用した。   In the present example, the same wiring board 30 as in Examples 3 and 4 shown in FIG. 9 was used.

塗布工程にて、配線基板３０をスピンコーターに載置固定した。そして、撥液剤として菱光化学製マーベルコートを配線基板３０上に滴下し、当該配線基板３０を５００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転させた。これにより、配線基板３０の全面に撥液剤を塗布した。なお、撥液剤として、菱江化学製マーベルコートに換えて、例えば信越化学製ＫＹ‐１０８又はダイキン工業製ユニダイン等を用いてもよい。   In the coating process, the wiring substrate 30 was placed and fixed on the spin coater. Then, Ryoko Chemical Marvel Coat was dropped onto the wiring board 30 as a liquid repellent, and the wiring board 30 was rotated at 500 rpm to 1500 rpm. Thereby, the liquid repellent was applied to the entire surface of the wiring board 30. As the liquid repellent agent, for example, KY-108 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. or Unidyne manufactured by Daikin Industries, Ltd. may be used instead of Marvel Coat manufactured by Hishoe Chemical.

次に、撥液膜成膜工程にて、撥液剤を全面に塗布した配線基板３０を庫内の温度が１２５℃となるように設定した乾燥機に入れ６０分間、撥液剤を乾燥させた。これにより、撥液剤が硬化することで配線基板３０の全面に撥液膜５が成膜された。   Next, in the liquid repellent film forming step, the wiring substrate 30 coated with the liquid repellent was placed in a dryer set to a temperature of 125 ° C. for 60 minutes to dry the liquid repellent. Thus, the liquid repellent film was formed on the entire surface of the wiring board 30 by curing the liquid repellent.

そして、乾燥機から撥液膜５が全面に成膜された配線基板３０を取り出し、エッチング工程にて、１次封止樹脂４７の形状の開口を有するステンレス製のマスクを撥液膜５に重ねプラズマクリーニング装置内に配線基板３０を設置した。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Then, the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 formed on the entire surface is taken out of the dryer, and a stainless mask having an opening in the shape of the primary sealing resin 47 is overlaid on the liquid repellent film 5 in the etching process. The wiring board 30 was installed in the plasma cleaning apparatus. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板２０を取り出すと、図１４の（ａ）に示したように、撥液膜５のうち１次封止樹脂４７が形成される領域に開口部５ｂが形成されていた。このようにして、１次封止樹脂４７が形成される領域の撥液膜５がドライエッチングにより除去されることで開口部５ｂが形成された撥液膜５を表面に有する配線基板３０が得られた。   When the wiring board 20 was taken out from the plasma cleaning device, as shown in FIG. 14A, the opening 5b was formed in the region of the liquid repellent film 5 where the primary sealing resin 47 was to be formed. In this manner, the liquid repellent film 5 in the region where the primary sealing resin 47 is formed is removed by dry etching, whereby the wiring substrate 30 having the liquid repellent film 5 having the opening 5b formed on the surface is obtained. It was.

実施の形態５で説明した発光素子実装工程にて、ガラス部３４のＬＥＤチップ搭載位置に、ＬＥＤチップ５４と、ＬＥＤチップ５５とを載置する。そして、ガラス部３４とＬＥＤチップ５４とを接着剤で接合させ、ガラス部３４とＬＥＤチップ５５とを接着剤で接合させる。   In the light emitting element mounting process described in the fifth embodiment, the LED chip 54 and the LED chip 55 are placed at the LED chip mounting position of the glass portion 34. And the glass part 34 and the LED chip 54 are joined with an adhesive agent, and the glass part 34 and the LED chip 55 are joined with an adhesive agent.

次いで、ＬＥＤチップ５４の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線した。さらに、ＬＥＤチップ５５の電極パッド部と、開口部５ｂ内の配線３２・３３とを、ワイヤ６で結線した。このように、ＬＥＤチップ５４・５５を配線基板３０に実装した。   Next, the electrode pad portion of the LED chip 54 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 b were connected by the wire 6. Furthermore, the electrode pad portion of the LED chip 55 and the wirings 32 and 33 in the opening 5 b were connected by the wire 6. In this way, the LED chips 54 and 55 were mounted on the wiring board 30.

そして、上記封止樹脂形成工程にて、配線基板３０の撥液膜５の開口部５ｂ内に封止樹脂剤として、蛍光体を含む信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００を適量滴下した。そして、当該配線基板３０を、庫内を８５℃に設定した乾燥機内にて７５分間加熱し、次いで１１５℃で９０分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、開口部５ｂに半球形状の１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０が得られた。   In the sealing resin forming step, an appropriate amount of Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500 containing a phosphor was dropped as an encapsulating resin agent into the opening 5b of the liquid repellent film 5 of the wiring substrate 30. And the said wiring board 30 was heated for 75 minutes in the dryer which set the inside of a store | warehouse | chamber to 85 degreeC, and was then heated at 115 degreeC for 90 minutes. Thereby, the sealing resin agent was thermoset, and the wiring board 30 in which the hemispherical primary sealing resin 47 was formed in the opening 5b was obtained.

なお、上記封止樹脂剤として信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ−２５００に蛍光体を含有させた樹脂材料を用いたが、これに換えて、例えば東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ−６５５０に蛍光体を含有させた樹脂材料等を用いてもよい。   In addition, although the resin material which made fluorescent substance contain the silicone resin KER-2500 made from Shin-Etsu Chemical as the said sealing resin agent was used, it replaces with this, for example, Toray Dow Corning silicone resin OE7620 or Toray Dow Corning make A resin material containing a phosphor in silicone resin OE-6550 may be used.

次に、第２エッチング工程にて、１次封止樹脂４７が形成された配線基板３０を、プラズマクリーニング装置に入れた。プラズマクリーニング装置内部の雰囲気を脱気することで減圧しつつ、アルゴンガスを１５ｍＬ/ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）でプラズマクリーニング装置内に流入させて、プラズマ放電の出力を２５０Ｗとし、２０秒間、プラズマクリーニング装置内の電極間に電圧を印加することでプラズマ処理を行った。   Next, in the second etching step, the wiring substrate 30 on which the primary sealing resin 47 was formed was placed in a plasma cleaning device. While reducing the pressure by degassing the atmosphere inside the plasma cleaning device, argon gas is allowed to flow into the plasma cleaning device at 15 mL / min (sccm), and the output of the plasma discharge is set to 250 W for 20 seconds in the plasma cleaning device. Plasma treatment was performed by applying a voltage between the electrodes.

２０分経過後、アルゴンガスの流入を止め、プラズマクリーニング装置内を減圧した後脱気を終了し、プラズマクリーニング装置内に窒素を流入させることで、プラズマクリーニング装置内を大気圧に開放した。   After 20 minutes, the inflow of argon gas was stopped, the inside of the plasma cleaning apparatus was depressurized, the deaeration was terminated, and nitrogen was introduced into the plasma cleaning apparatus to release the inside of the plasma cleaning apparatus to atmospheric pressure.

プラズマクリーニング装置から配線基板３０を取り出すと、１次封止樹脂４７の外側に残っていた撥液膜５が除去された配線基板３０が得られた。   When the wiring board 30 was taken out from the plasma cleaning device, the wiring board 30 was obtained from which the liquid-repellent film 5 remaining outside the primary sealing resin 47 was removed.

次に、２次封止樹脂形成工程にて、１次封止樹脂４７を覆うように、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤を適量滴下した。当該封止樹脂剤として蛍光体が含有されていない信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００を用いた。そして、当該配線基板３０を、庫内を９５℃に設定した乾燥機内にて９０分間加熱し、次いで１５５℃で３００分間加熱した。これにより封止樹脂剤は熱硬化し、図１５に示したように、１次封止樹脂４７を覆う半球形状の２次封止樹脂４８が形成された発光装置５１が得られた。   Next, in the secondary sealing resin forming step, an appropriate amount of a liquid sealing resin agent that becomes the secondary sealing resin 48 was dropped so as to cover the primary sealing resin 47. As the sealing resin agent, Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500 containing no phosphor was used. And the said wiring board 30 was heated for 90 minutes in the dryer which set the inside to 95 degreeC, and then, it heated at 155 degreeC for 300 minutes. As a result, the sealing resin agent was thermoset, and as shown in FIG. 15, the light emitting device 51 in which the hemispherical secondary sealing resin 48 covering the primary sealing resin 47 was formed was obtained.

なお、２次封止樹脂４８となる液状の封止樹脂剤として、信越化学製シリコーン樹脂ＫＥＲ‐２５００に換えて東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ７６２０又は東レ・ダウコーニング製シリコーン樹脂ＯＥ‐６５５０等を用いてもよい。   As a liquid sealing resin agent to be the secondary sealing resin 48, Toray Dow Corning silicone resin OE7620 or Toray Dow Corning silicone resin OE-6550 is used instead of Shin-Etsu Chemical silicone resin KER-2500. It may be used.

このようにして、意図した形状及び大きさに１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８が形成された。また、２個のＬＥＤチップ５４・５５を内包することで高輝度である発光装置５１が得られた。   Thus, the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48 were formed in the intended shape and size. In addition, the light emitting device 51 having high luminance was obtained by including the two LED chips 54 and 55.

また、発光装置５１では、封止樹脂を１次封止樹脂４７及び２次封止樹脂４８の２層構造としたため、高価な蛍光体の使用量を減らすと共に、ＬＥＤチップ５４・５５を熱的及び機械的外力から緩和し、酸素や水分などから遮蔽しつつも安価で確実に安定した色度を発する半導体発光装置であった。   In the light emitting device 51, since the sealing resin has a two-layer structure of the primary sealing resin 47 and the secondary sealing resin 48, the amount of expensive phosphor used is reduced, and the LED chips 54 and 55 are thermally treated. In addition, the semiconductor light emitting device relaxes from mechanical external force and emits stable and stable chromaticity while being shielded from oxygen and moisture.

〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光装置は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、
セラミックからなる基板と、上記基板の上記配線が配されている面と同一面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含し、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。 [Summary]
A light-emitting device according to aspect 1 of the present invention is a light-emitting device including a light-emitting element, a wiring connected to the light-emitting element, and a sealing material that is sealed by including the light-emitting element. ,
A substrate made of ceramic, and a mounting portion that is arranged on the same surface as the wiring of the substrate, is made of glass or resin, and on which the light emitting element is mounted. The stopper includes at least the light emitting element placed on the placement part by being placed on the placement part, and the surface of the substrate in the region where the sealing material is placed It is covered with the mounting portion and the wiring, and is not in contact with the sealing material.

上記構成によると、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われている。このため、上記載置部に載置された上記発光素子と、上記配線とを接続する接続部分（ワイヤ等）を上記封止材に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置を得ることができる。   According to the said structure, the surface of the said board | substrate in the area | region where the said sealing material is distribute | arranged is covered with the said mounting part and the said wiring. For this reason, the said sealing material can include the connection part (wire etc.) which connects the said light emitting element mounted in the said mounting part, and the said wiring. Thereby, a light-emitting device that is thermally and mechanically strong can be obtained.

さらに、上記封止材は少なくとも上記載置部に配されている。そして、上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である。   Furthermore, the sealing material is disposed at least on the placement portion. And the surface of the said board | substrate in the area | region where the said sealing material is distribute | arranged is covered with the said mounting part and the said wiring, and is not in contact with the said sealing material.

このため、上記封止材を配するために上記封止材の形成前に設けられる撥液膜のうち、上記封止材を配するために除去される領域は、ガラス又は樹脂からなることでセラミックより表面が滑らかである上記載置部と少なくとも接触し、セラミックからなる上記基板とは非接触となる。このため、上記撥液膜のうち上記封止材を配するために除去される領域の残渣が残ることを防止することができる。   For this reason, the area | region removed in order to distribute the said sealing material among liquid-repellent films provided before formation of the said sealing material in order to distribute the said sealing material consists of glass or resin. It is at least in contact with the mounting portion having a smoother surface than ceramic and is not in contact with the substrate made of ceramic. For this reason, it can prevent that the residue of the area | region removed in order to distribute the said sealing material among the said liquid repellent films remains.

また、本発明の態様２に係る発光装置では、上記配線の表面は、光沢を有するように処理された光沢面であってもよい。上記構成により、上記撥液膜のうち、上記封止材を配するために除去される領域が上記配線と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残ることを防止することができる。   In the light emitting device according to aspect 2 of the present invention, the surface of the wiring may be a glossy surface treated to have gloss. With the above configuration, even if the region of the liquid-repellent film that is removed to dispose the sealing material is in contact with the wiring, the residue is less than when the surface of the wiring is not a glossy surface. It can be prevented from remaining.

また、本発明の態様３に係る発光装置では、上記封止材は、蛍光体が含まれており上記発光素子を包含する第１封止材と、蛍光体が含まれておらず上記第１封止材を包含する第２封止材とを有することが好ましい。上記構成により、蛍光体の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。   Further, in the light emitting device according to the third aspect of the present invention, the sealing material includes a first sealing material that includes a phosphor and includes the light emitting element, and the first sealing material that does not include the phosphor. It is preferable to have the 2nd sealing material containing a sealing material. With the above configuration, it is possible to reduce the amount of phosphor used and to reduce the cost.

また、本発明の態様４に係る発光装置は、上記封止材は略半球状であることが好ましい。上記構成により、上記封止材の使用量を抑えコスト低下を実現することができる。   In the light emitting device according to aspect 4 of the present invention, the sealing material is preferably substantially hemispherical. With the above configuration, the amount of the sealing material used can be suppressed, and cost reduction can be realized.

本発明の態様５に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、上記載置部に上記発光素子を配する工程と、上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有する。   A method for manufacturing a light emitting device according to an aspect 5 of the present invention includes a light emitting device, a wiring connected to the light emitting device, and a sealing material that is sealed by including the light emitting device. A method of forming the wiring on a ceramic substrate, and a surface of the substrate on which the wiring is disposed, and a surface of the substrate in a region where the sealing material is disposed, A step of providing a placement portion made of glass or resin for placing the light emitting element so as not to be covered and exposed together with the wiring, and after placing the placement portion, the sealing material is disposed. Forming the liquid repellent film so as not to contact the surface of the substrate in the region, and removing the region for forming the sealing material from the liquid repellent film to form an opening. And exposing the light emitting element to the mounting portion. That the process includes the light emitting element, so that the substrate and a non-contact, and a step of forming the sealing material on at least the loading portion.

上記構成によると、上記載置部は、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆うように配される。
このため、上記載置部に載置された上記発光素子と、上記配線とを接続するワイヤ等を上記封止材に包含させることができる。これにより、熱的、機械的に強い発光装置を得ることができる。 According to the above configuration, the mounting portion is a surface on which the wiring of the substrate is disposed, and is disposed so as to cover the surface of the substrate in the region where the sealing material is disposed together with the wiring. .
For this reason, the said sealing material can include the wire etc. which connect the said light emitting element mounted in the said mounting part, and the said wiring. Thereby, a light-emitting device that is thermally and mechanically strong can be obtained.

さらに、上記構成によると、上記載置部を、上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように配する。   Furthermore, according to the said structure, the said mounting part is a surface where the said wiring of the said board | substrate is distribute | arranged, and does not cover and expose the surface of the said board | substrate in the area | region where the said sealing material is arrange | positioned with the said wiring Arrange as follows.

そして、上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する。さらに、当該撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる。   Then, after the placement portion is disposed, a liquid repellent film is formed so as to be in non-contact with the surface of the substrate in the region where the sealing material is disposed. Further, in the liquid repellent film, a region for forming the sealing material is removed to form an opening, thereby exposing the placement portion.

これにより、上記封止材を形成するために上記封止材の形成前に設けられる上記撥液膜のうち、上記封止材を形成するために除去される領域は、ガラス又は樹脂からなることでセラミックより表面が滑らかである上記載置部と少なくとも接触し、セラミックからなる上記基板とは非接触となる。このため、上記撥液膜のうち上記封止材を形成するために除去される領域の残渣が残ることを防止することができる。   Thereby, the area | region removed in order to form the said sealing material among the said liquid repellent film provided before formation of the said sealing material in order to form the said sealing material consists of glass or resin. Therefore, the surface is smoother than that of the ceramic and at least comes into contact with the above-mentioned mounting portion, and is not in contact with the substrate made of ceramic. For this reason, it can prevent that the residue of the area | region removed in order to form the said sealing material among the said liquid repellent films remains.

そして、上記封止材は、上記基板の表面と非接触となるように、少なくとも上記載置部に形成される。これにより、上記載置部に配された上記発光素子を、上記封止材で封止することができる。   And the said sealing material is formed in the said mounting part at least so that it may become non-contact with the surface of the said board | substrate. Thereby, the said light emitting element distribute | arranged to the said mounting part can be sealed with the said sealing material.

また、本発明の態様６に係る発光装置では、上記封止材は、上記載置部と、上記配線とに跨って配されていてもよい。上記構成により、上記基板に配される配線の形状の自由度を向上させることができる。   Moreover, in the light-emitting device which concerns on aspect 6 of this invention, the said sealing material may be distribute | arranged ranging over the said mounting part and the said wiring. With the above configuration, the degree of freedom of the shape of the wiring arranged on the substrate can be improved.

また、本発明の態様７に係る発光装置では、上記封止材には蛍光体が含まれていてもよい。上記構成により、所望の色の光を発光させることができる。   In the light emitting device according to the aspect 7 of the present invention, the sealing material may include a phosphor. With the above structure, light of a desired color can be emitted.

また、本発明の態様８に係る発光装置の製造方法は、上記載置部を配した後、上記発光素子を配する前に、液状の撥液剤を塗布し硬化させることで撥液膜を成膜する工程と、
上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成する工程とを有することが好ましい。 In addition, in the method for manufacturing a light emitting device according to aspect 8 of the present invention, after the placement portion is disposed, a liquid repellent film is formed by applying and curing a liquid repellent agent before disposing the light emitting element. Forming a film;
It is preferable to have a step of removing an area where the sealing material is formed in the liquid repellent film and forming an opening.

上記構成によると、上記撥液膜のうち上記開口部となる領域は上記基板と非接触であるため、除去された後の残渣が残ることを防止することができる。   According to the above configuration, since the region to be the opening in the liquid repellent film is not in contact with the substrate, it is possible to prevent the residue after being removed from remaining.

また、本発明の態様９に係る発光装置の製造方法では、上記封止材を形成する工程では、上記封止材を、上記載置部と、上記配線とに跨って形成することが好ましい。上記構成により、上記基板に配される配線の形状の自由度を向上させることができる。   In the method for manufacturing a light emitting device according to aspect 9 of the present invention, in the step of forming the sealing material, the sealing material is preferably formed across the placement portion and the wiring. With the above configuration, the degree of freedom of the shape of the wiring arranged on the substrate can be improved.

また、本発明の態様１０に係る発光装置の製造方法では、上記配線を形成する工程では、光沢剤を添加した金属材料をめっきするか、又は、圧延銅箔により、上記配線の表面を光沢面とすることが好ましい。   Further, in the method of manufacturing the light emitting device according to the tenth aspect of the present invention, in the step of forming the wiring, the surface of the wiring is glossy by plating with a metal material to which a brightener is added or by using rolled copper foil. It is preferable that

上記構成により、上記撥液膜のうち、上記封止材を形成するために除去される領域が上記配線と接触していたとしても、配線の表面が光沢面では無い場合と比べて、残渣が残り難くなる。このため、上記配線の形状の自由度を向上させると共に、製造方法の汎用性を向上させることができる。   With the above configuration, even if the region of the liquid repellent film that is removed to form the sealing material is in contact with the wiring, the residue is less than when the surface of the wiring is not a glossy surface. It becomes difficult to remain. For this reason, while improving the freedom degree of the shape of the said wiring, the versatility of a manufacturing method can be improved.

また、本発明の態様１１に係る発光装置の製造方法では、上記撥液膜に上記開口部を形成する工程では、プラズマ処理を行うことで、上記撥液膜の上記開口部を形成することが好ましい。これにより、湿式のエッチング方法を用いる場合と比べて、材料や工数削減により製造コストを削減することができる。   In the method for manufacturing a light emitting device according to the aspect 11 of the present invention, in the step of forming the opening in the liquid repellent film, the opening of the liquid repellent film can be formed by performing plasma treatment. preferable. Thereby, compared with the case where a wet etching method is used, manufacturing cost can be reduced by material and man-hour reduction.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

本発明は、発光装置又は発光装置の製造方法に利用することができる。   The present invention can be used for a light-emitting device or a method for manufacturing a light-emitting device.

２ 基板
４ ＬＥＤチップ（発光素子）
５ 撥液膜
５ａ 開口部
５ｂ 開口部
６ ワイヤ
７ 封止樹脂（封止材）
１０・２０・３０ 配線基板
１１・２１・３１・４１・５１ 発光装置
１２・１３ 配線
１４・２４・３４ ガラス部（載置部）
２４ａ・２４ｂ 開口部
３２・３３ 配線
４７ １次封止樹脂（第１封止材）
４８ ２次封止樹脂（第２封止材）
５４・５５ ＬＥＤチップ（発光素子）
Ｐ ＬＥＤチップ搭載位置
Ｒ 封止樹脂形成領域 2 Substrate 4 LED chip (light emitting element)
5 Liquid repellent film 5a Opening 5b Opening 6 Wire 7 Sealing resin (sealing material)
10, 20, 30 Wiring board 11, 21, 31, 41, 51 Light emitting device 12, 13 Wiring 14, 24, 34 Glass part (mounting part)
24a / 24b Opening 32/33 Wiring 47 Primary sealing resin (first sealing material)
48 Secondary sealing resin (second sealing material)
54/55 LED chip (light emitting device)
P LED chip mounting position R Sealing resin formation area

Claims (5)

発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置であって、
セラミックからなる基板と、
上記基板の上記配線が配されている面に配されており、ガラス又は樹脂からなり、上記発光素子が載置されている載置部とを備え、
上記封止材は、少なくとも上記載置部に配されることで上記載置部に載置されている上記発光素子を包含することで封止し、
上記封止材が配されている領域における上記基板の表面は、上記載置部と上記配線とで覆われており、かつ、上記封止材と非接触である
ことを特徴とする発光装置。 A light-emitting device comprising a light-emitting element, a wiring connected to the light-emitting element, and a sealing material that seals by including the light-emitting element,
A substrate made of ceramic;
It is disposed on the surface of the substrate on which the wiring is disposed, is made of glass or resin, and includes a mounting portion on which the light emitting element is mounted,
The sealing material is sealed by including the light emitting element placed on the placement portion by being disposed at least on the placement portion,
The light emitting device, wherein a surface of the substrate in a region where the sealing material is disposed is covered with the placement portion and the wiring and is not in contact with the sealing material. 上記配線の表面は、光沢を有するように処理された光沢面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the surface of the wiring is a glossy surface treated to have a gloss. 上記封止材は、蛍光体が含まれており上記発光素子を包含する第１封止材と、蛍光体が含まれておらず上記第１封止材を包含する第２封止材とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。   The sealing material includes a first sealing material that includes a phosphor and includes the light emitting element, and a second sealing material that does not include a phosphor and includes the first sealing material. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is provided. 上記封止材は略半球状であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein the sealing material is substantially hemispherical. 発光素子と、当該発光素子と接続されている配線と、上記発光素子を包含することで封止する封止材とを備えている発光装置の製造方法であって、
セラミックからなる基板に上記配線を形成する工程と、
上記基板の上記配線が配されている面であり、上記封止材が配される領域における上記基板の表面を、上記配線と共に覆いかつ露出しないように、上記発光素子を載置するためのガラス又は樹脂からなる載置部を配する工程と、
上記載置部を配した後、上記封止材が配される領域における基板の表面と非接触となるように撥液膜を成膜する工程と、
上記撥液膜のうち、上記封止材を形成する領域を除去し開口部を形成することで上記載置部を露出させる工程と、
上記載置部に上記発光素子を配する工程と、
上記発光素子を包含し、上記基板と非接触となるように、少なくとも上記載置部に上記封止材を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。 A manufacturing method of a light emitting device comprising: a light emitting element; a wiring connected to the light emitting element; and a sealing material that seals by including the light emitting element.
Forming the wiring on a ceramic substrate;
Glass for mounting the light emitting element so as not to cover and expose the surface of the substrate together with the wiring on the surface of the substrate on which the wiring is disposed and in the region where the sealing material is disposed Or a step of arranging a placement portion made of resin;
A step of forming a liquid repellent film so as to be in non-contact with the surface of the substrate in the region where the sealing material is disposed after arranging the placement portion;
Removing the region for forming the sealing material in the liquid repellent film to expose the placement portion by forming an opening; and
A step of arranging the light emitting element in the mounting portion;
And a step of forming the sealing material on at least the mounting portion so as to include the light emitting element and be in non-contact with the substrate.
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