JP2014229403A - スイッチ及びスイッチ装置及びスイッチ装置の駆動方法 - Google Patents

スイッチ及びスイッチ装置及びスイッチ装置の駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 低電圧でスイッチング可能なスイッチを提供する。
【解決手段】 相対向して配置された一対のスイッチング電極を具備するスイッチであって、基板16に支持される振動板12と、振動板12上に設けられた圧電素子20と、振動板12の圧電素子20とは反対側に設けられたスイッチング電極の一方である第1のスイッチング電極10と、第1のスイッチング電極10と所定の間隔をあけて相対向して配置されたスイッチング電極の他方である第2のスイッチング電極11とを具備し、圧電素子20をたわみ変形させることにより、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11を介してスイッチングを行う。
【選択図】 図7

Description

本発明は、スイッチ及びスイッチ装置及びスイッチ装置の駆動方法に関する。
従来より、集積回路のオン期間及びオフ期間を切り替えるための微細機械部品として、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)スイッチが知られている。MEMSスイッチでは、電界効果トランジスタ等を用いた半導体スイッチと異なり、金属接点の機械的接触によってオン状態又はオフ状態にスイッチングされる。
このようなMEMSスイッチとして、静電アクチュエータ電極間での静電引力を駆動源としたものが知られている。例えば、固定基板に設けた固定電極と、固定基板に弾性支持される可動基板における可動電極との間の静電引力によって可動基板を変位させ、固定基板に設けた信号線と、可動基板に設けた可動接点との間のスイッチングを行うものが提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、固定電極及び可動電極の間(静電アクチュエータ電極間)での放電を回避するため、十分な電極間距離を設けてこれらの電極を配置している。このため、信号線及び可動接点を接触させるために大きな静電引力が必要となっていた。大きな静電引力を得るため、高電圧化が避けられないという問題があり、信頼性が低下し、かつ、コストが増加することがあった。
特開2006−261067号公報
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、低電圧でスイッチングを行うことができるスイッチを提供することを目的とする。
また、本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、低電圧でスイッチングを行うことができるスイッチ装置を提供することを目的とする。
また、本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、低電圧でスイッチングを行うことができるスイッチ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様は、相対向して配置された一対のスイッチング電極を具備するスイッチであって、基板に支持される振動板と、前記振動板上に設けられた圧電素子と、前記振動板の前記圧電素子とは反対側に設けられた前記スイッチング電極の一方である第1のスイッチング電極と、前記第1のスイッチング電極と所定の間隔をあけて相対向して配置された前記スイッチング電極の他方である第2のスイッチング電極とを具備し、前記圧電素子をたわみ変形させることにより、前記第1のスイッチング電極及び前記第2のスイッチング電極を介してスイッチングを行うことを特徴とするスイッチにある。
かかる態様では、圧電素子が駆動源とされるため、圧電素子をたわみ変形させる所定の電圧を印加して、第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極を介してスイッチングを行うことができる。よって、静電引力を駆動源としたものと比べ、低電圧でスイッチングを行うことが可能となる。
ここで、前記第2のスイッチング電極は、前記基板の前記振動板とは反対側に固定された固定板に設けられていることが好ましい。
これによれば、スイッチにおける第2のスイッチング電極の相対位置を固定させることができるため、圧電素子のたわみ変形によって振動板及び第1のスイッチング電極が所定量変位することで、スイッチオン状態又はスイッチオフ状態が的確に得られるようになる。従って、低電圧でスイッチングを的確に行うことが可能になる。
また、前記第2のスイッチング電極は、前記基板の前記振動板とは反対側に設けられた第2の振動板に設けられ、前記第2の振動板の前記第2のスイッチング電極とは反対側には第2の圧電素子が設けられ、前記圧電素子のたわみ変形と共に前記第2の圧電素子をたわみ変形させることにより、スイッチングを行うことが好ましい。
これによれば、圧電素子及び第2の圧電素子のたわみ変形によって、振動板及び第1のスイッチング電極の変位と共に第2の振動板及び第2のスイッチング電極も変位するようになる。このため、より低電圧でスイッチングを行うことが可能となる。
また、駆動パルスを前記圧電素子に印加するパルス印加手段を備え、前記圧電素子を共振モードで共振させることが好ましい。
これによれば、圧電素子を共振モードで共振させる所定の電圧を印加して、振動板及び第1のスイッチング電極を大きく変位させることができるようになる。よって、さらに低電圧でスイッチングを行うことが可能となる。
また、本発明の他の態様は、上記態様のスイッチと、前記スイッチの第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極のそれぞれに接続される配線に当該第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極と並列に設けられたコンデンサーと、を具備することを特徴とするスイッチ装置にある。
かかる態様によれば、コンデンサーの蓄電及び放電機能により、スイッチオン状態の期間はもちろん、スイッチオフ状態の期間にも電流の流れを確保できる。よって、スイッチオン状態及びスイッチオフ状態に関わらず、所定のオン期間を得ることができるスイッチ装置を実現できる。そして、かかるスイッチ装置につき、低電圧でスイッチングを行うことができるようになる。
また、前記スイッチの圧電素子を、共振モードで所定期間共振させる駆動パルスを所定期間印加し、当該所定期間の間オン状態となることが好ましい。
これによれば、駆動パルスを印加する印加期間、オン状態を継続して得ることができる。よって、スイッチオン状態及びスイッチオフ状態に関わらず、駆動パルスの印加期間に応じたオン期間を得ることができるスイッチ装置を構成できる。そして、かかるスイッチ装置につき、低電圧でスイッチングを行うことができるようになる。
さらに、本発明の他の態様は、上記態様のスイッチ装置の駆動方法であって、前記スイッチ装置における圧電素子に駆動パルスを印加して、前記圧電素子を所定の共振モードで共振させることにより、相対向して配置された第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極を介してスイッチングを行うことを特徴とするスイッチ装置の駆動方法にある。
かかる態様によれば、圧電素子の共振及び前記振動板の共振によって、圧電素子の変位を第1のスイッチング電極に伝えるので、低電圧でスイッチングを行うことができるようになる。
実施形態1に係るスイッチの概略構成を示す図である。 実施形態1に係るスイッチの概略構成を示す図である。 実施形態1に係るスイッチの製造例を示す図である。 実施形態1に係るスイッチの製造例を示す図である。 実施形態1に係るスイッチ装置の概略構成を示す図である。 駆動パルスの周波数と圧電素子の変位との関係を説明する図である。 実施形態1に係るスイッチ装置の機能を示すタイムチャート図である。 実施形態1に係るスイッチ装置の動作を示す図である。 実施形態2に係るスイッチの概略構成を示す図である。 実施形態3に係るスイッチの概略構成を示す図である。 実施形態4に係るスイッチの概略構成を示す図である。 実施形態5に係るスイッチの概略構成を示す図である。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るMEMSスイッチ(以下、単に「スイッチ」と略記することがある。)1の概略構成を示す分解斜視図である。図2(a)は、スイッチ1の平面図であり、図2(b)は、図2(a)をA−A′線で切断した断面図である。
スイッチ1では、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11が、所定の間隔をあけて相対向して設けられている。これら第1及び第2のスイッチング電極10、11は、例えば白金(Pt)、イリジウム(Ir)、金(Au)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、チタン(Ti)、ステンレス鋼等の金属元素や導電性ポリマー等を用いることができるが、導電性を有する材料であれば前記の材料に限定されない。
このうち、第1のスイッチング電極10は、振動板12上に設けられている。本実施形態では、振動板12は、二酸化シリコン(SiO)からなる弾性膜13と、弾性膜13上に設けられた酸化ジルコニウム(ZrO)等からなる絶縁体層14とからなる。なお、振動板12の構成はこれに限定されるものではなく、後述する圧電素子のたわみ変形を有効に第1のスイッチング電極10に伝えるものであればよい。
振動板12の絶縁体層14上には、例えば厚さ30〜50nm程度の酸化チタン(TiO)等からなる密着層15を介して圧電素子20が設けられている。圧電素子20は、密着層15側から順に積層された、第1電極21と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3〜1.5μmの薄膜である圧電体層22と、第2電極23とからなり、本実施形態においてスイッチングの駆動源となるものである。
第1電極21及び第2電極23は導電性を有する材料を用いて構成され、引き出し配線(図示省略)により、後述する電源装置が電気的に接続されている。これにより、制御信号に基づいて、第1電極21及び第2電極23に対して所定の電圧が印加される。
圧電体層22は、例えばビスマス(Bi)、ランタン(La)、鉄(Fe)及びマンガン(Mn)を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物として構成することができる。これによれば、鉛を含まない圧電素子20を構成できるようになり、環境への負荷を低減できる。このような複合酸化物は、鉄酸マンガン酸ビスマスランタン(BLFM)と称され、組成式(Bi,La)(Fe,Mn)Oで表される。
ただし、圧電体層22は、圧電性を有する材料であれば前記の材料に限定されず、例えばチタン酸鉛(PbTiO)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O)、チタン酸バリウム(BaTiO)、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、ニオブ酸ナトリウム(NaNbO)、タンタル酸ナトリウム(NaTaO)、ニオブ酸カリウム(KNbO)、タンタル酸カリウム(KTaO)、チタン酸ビスマスナトリウム((Bi1/2Na1/2)TiO)、チタン酸ビスマスカリウム((Bi1/21/2)TiO)、鉄酸ビスマス(BiFeO)、タンタル酸ストロンチウムビスマス(SrBiTa)、ニオブ酸ストロンチウムビスマス(SrBiNb)、チタン酸ビスマス(BiTi12)及びこれらのうち少なくとも一つを成分として有する固溶体を用いることもできる。
振動板12は、シリコン(Si)基板などの基板16上に設けられている。また、基板16の中央の圧電素子20に対向する領域には、空隙17が形成されている。このような構成により、圧電素子20のたわみ変形によって振動板12及び第1のスイッチング電極10が変位可能な空間を確保することができる。なお、振動板12は、基板16上に薄膜プロセスにより形成されたものでもよいし、別途形成した薄膜を基板16に接合したものでもよい。
一方、基板16の振動板12とは反対側に固定板18が設けられ、固定板18に第2のスイッチング電極11が設けられ、振動板12上の第1のスイッチング電極10と、固定板18上の第2のスイッチング電極11とが、所定の間隔をあけて相対向するようになっている。なお、固定板18は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等を用いて構成することができ、第2のスイッチング電極11は、絶縁体層を介して設けられる。
第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11の接触面は、多少の表面粗さを有するものであっても問題ない。ただし、所定値以上の表面粗さを有すると、接触面圧が高くなり、接触が繰り返されることで劣化しやすくなる。よって、かかる接触面は、平坦であるほど好ましい。
以上、スイッチ1の構成を説明したが、例えば第1のスイッチング電極10、第2のスイッチング電極11、振動板12、基板16及び圧電素子20の配置や構造等は、圧電素子20のたわみ変形によりスイッチング可能となるものであれば制限されない。例えば、スイッチは、振動板12の全周が基板16に固定された構造に限られず、振動板12の両端部のみが基板に固定された構造によって構成してもよい。
スイッチ1の基本的な動作は以下の通りである。すなわち、後述する電源装置により第1電極21及び第2電極23に所定の電圧が印加されると、圧電素子20がたわみ変形し、振動板12及び第1のスイッチング電極10が下方(図2(b)の下方向)に変位する。その結果、第1のスイッチング電極10が第2のスイッチング電極11に接触し、スイッチオン状態となる。
その後、圧電素子20への電圧の印加が停止して圧電素子20がもとの状態に戻ると、振動板12及び第1のスイッチング電極10の変位がもとに戻り、第1のスイッチング電極10が第2のスイッチング電極11から離れ、スイッチオフ状態になる。
このように、スイッチ1では、圧電素子20がスイッチングの駆動源とされるため、圧電素子20をたわみ変形させる所定の電圧を印加して、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11を介してスイッチングを行うことができる。
次に、スイッチ1の製造方法の一例について、図3〜図4を参照して説明する。図3〜図4は、スイッチ1の中央断面図である。
まず、図3(a)に示すように、基板16を構成する基板形成材24上に、弾性膜13を熱酸化等で形成後、弾性膜13上に、ジルコニウムを成膜した後、例えば500〜1200℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体層14を形成する。そして、絶縁体層14上に、密着層15をスパッタリング法や熱酸化等で形成する。その後、図3(b)に示すように、密着層15上に、第1電極21をスパッタリング法や蒸着法等により形成し、この密着層15及び第1電極21が所定の形状となるように同時にパターニングする。
次いで、図3(c)に示すように、第1電極21上に圧電体層22を積層する。圧電体層22は、例えば金属錯体を溶媒に溶解・分散した溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電材料を得る、CSD(Chemical Solution Deposition)法を用いて形成できる。尚、CSD法に限定されず、例えば、ゾル−ゲル法や、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法(PLD法)、CVD法、エアロゾル・デポジション法等を用いてもよい。
具体的には、第1電極21上に、例えばビスマス(Bi)、ランタン(La)、鉄(Fe)及びマンガン(Mn)を含有する金属錯体を、目的とする組成比になる割合で含むゾルやCSD溶液(前駆体溶液)をスピンコート法等を用いて、塗布して前駆体膜を形成する(塗布工程)。次いで、この前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間乾燥させ(乾燥工程)、乾燥した前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する(脱脂工程)。その後、前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体層22を形成する(焼成工程)。
その後、図3(d)に示すように、圧電体層22に、第2電極23をスパッタリング法や熱酸化等により形成する。これにより、密着層15上に、第1電極21、圧電体層22及び第2電極23からなる圧電素子20が形成される。
次に、図4(a)に示すように、基板形成材24上の全周に、マスク膜25を新たに形成する。そして、図4(b)に示すように、基板形成材24をマスク膜25を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング(ウェットエッチング)することにより、基板形成材24の一部を除去して空隙17を形成する。その後、図4(c)に示すように、振動板12の圧電素子20とは反対側にスパッタリング法や蒸着法等により第1のスイッチング電極10を形成する。
一方、上記の手順とは別の手順で、第2のスイッチング電極11を、予め固定板18上にスパッタリング法や蒸着法等により形成しておく。そして、図4(d)に示すように、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11が、所定の間隔を介して相対向するように、基板16及び固定板18を接着剤等により接合する。以上のように、スイッチ1を製造することができる。
次に、本発明の実施形態1に係るスイッチ1を用いたスイッチ装置30について、図5を参照しつつ説明する。図5は、スイッチ装置30の概略構成を示す図である。
スイッチ1のうち、第1電極21及び第2電極23はパルス印加手段としての電源装置31に電気的に接続されており、制御信号に基づいて所定の駆動パルス信号が印加される。また、スイッチ1のうち、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11は、それぞれ配線32、33を介してスイッチ1のスイッチング信号の出力端子となる端子34、35が接続され、出力回路36を構成している。
第2のスイッチング電極11に接続された配線33には、交流電源37が設けられており、制御信号に基づいて、所定の交流電圧が印加されるようになっている。また、配線32及び配線33にわたり抵抗38が設けられ、抵抗38と並列にコンデンサー39が設けられている。
スイッチ1がスイッチオン状態にあり、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11とが接続動作している時に、コンデンサー39に電力が蓄積される。そして、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11とが非接続状態になった時には、コンデンサー39に蓄積された電力が端子34、35から出力される。
つまり、上述した出力回路36では、スイッチ1がスイッチオン状態にある際(圧電素子20に駆動パルスが印加されている期間)は、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11とが非接触状態になっても電力が端子34、35から出力される。このため、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11が非接触状態になる程度の低電圧で圧電素子20にパルス電圧が印加されても、スイッチ装置30では所定のオン期間を得ることができる。
そして、本実施形態のスイッチ装置30は、圧電素子20を、厚さ方向の変位が最大となる共振モード、特に、1次共振モードで共振させるように構成されている。図6は、駆動パルスの周波数と、圧電素子20の厚さ方向の変位との関係を示す図である。図6に示すように、圧電素子20に印加する駆動パルスの周波数が、圧電素子20の共振周波数fになるとき、圧電素子20は、例えば1次共振モードで共振し、厚さ方向の変位が最大となることが分かる。
従って、圧電素子20を1次共振モードで共振させることにより、圧電素子20を1次共振モードで共振させない場合と比べ、同一の印加電圧で、例えば100倍程度の変位を得ることができるようになる。
所望の共振状態を得るには、振動する部材の質量、形状、構造及び材料等によって共振周波数が決まるため、圧電素子20や振動板12の質量、形状、構造及び材料等を考慮し、圧電素子20共振周波数fを設定する。共振周波数fは、所定のインピーダンスアナライザを第1電極21及び第2電極23に電気的に接続する等して測定することができる。
ここで、共振周波数fは、厚さ方向の変位が最大となる周波数及びこの近傍の周波数である。共振周波数fに対し、駆動パルスの周波数は完全に同一とならずとも、実質的に同一となることで、圧電素子20を例えば1次共振モード共振させることができる。
スイッチ装置30では、共振周波数fは1.0〜4.0MHzの範囲内の値とすることができる。共振周波数fとして上記範囲内の値が選択されることで、駆動パルスを印加して圧電素子20を共振させる構成を容易に実現できるようになる。
また、スイッチ装置30では、振動板12の厚さは0.5〜2.0μmであることが好ましく、1.0〜1.5μmであることがより好ましい。振動板12の厚さが上記範囲内の値とされることで、共振状態となる圧電素子20に対しても機械的強度を保ちやすく、かつ、圧電素子20の変位が振動板12によって過度に抵抗を受けにくくなる。
また、スイッチ装置30では、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11との電極間距離は、共振状態の圧電素子20の変位(例えば0.3μm/V以上)によって接触可能な距離であることが好ましい。電極間距離が上記範囲の値であることにより、圧電素子20の共振状態を利用して、低電圧で第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11をスイッチングさせることが可能になる。
本実施形態のスイッチ装置30において、電源装置31から共振モードで駆動する駆動パルスは、電圧印加のオン状態及びオフ状態を所定周波数で繰り返すものであるため、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11とが非接触状態になり、スイッチ1からの出力は、本来、所定周波数でオン・オフされるものである。本実施形態では、コンデンサー39が設けられているので、駆動パルスが印加される印加期間の間、第1のスイッチング電極10と第2のスイッチング電極11が非接触状態になってもスイッチオンの信号が出力されるものとなっている。この点は以下に詳述する。
スイッチ装置30では、駆動パルスのオン状態では、スッチングオンの信号が出力されると同時にコンデンサー39に蓄電される。また、駆動パルスのオフ状態でも、コンデンサー39に蓄電された電流が放電され、スイッチオンの信号が出力される。すなわち、スイッチ装置30においては、駆動パルスのオン状態又はオフ状態に関係なく、駆動パルスが印加される印加期間の間、継続してスイッチオンの出力が得られるようになる。
このようなスイッチ装置30の機能を、図7を参照しつつ説明する。図7は、駆動パルスのオン状態及びオフ状態と、出力回路36における電流密度との関係を説明するタイムチャート図である。ここで、電源装置31から駆動パルスが印加される印加期間Tが、矢印範囲によって示されている。
時刻0では、駆動パルスは印加されておらず、スイッチオフ状態にある。よって、スイッチ装置30の出力回路36では流れない。時刻t1において駆動パルスが印加され、駆動パルスの電圧印加状態となると、スイッチオン状態となる。その結果、出力回路36において電流密度が所定値まで上昇する。時刻t1以降、出力回路36を流れる電流は、端子34、35から出力されると同時に、コンデンサー39に蓄電される。
時刻t2において駆動パルスがオフ状態になると、出力回路36において開回路が形成されるが、時刻t1〜時刻t2においてコンデンサー39に蓄電された電流が、時刻t2以降に放電される。その結果、出力回路36における電流密度は、所望の値が維持され、スイッチングオンの信号が出力されたままとなる。
時刻t2以降、コンデンサー39から放電される電流がなくなって電流密度が大きく低下する前に、時刻t3において駆動パルスがオン状態になる。このため、出力回路36において閉回路が形成され、電流密度が保たれて所望の値が維持される。そして、時刻t3以降、出力回路36を流れる電流がスイッチングオン信号として出力されると同時に、コンデンサー39に蓄電される。
このように、駆動パルスのオン状態又はオフ状態の周期を通して、出力回路36ではオフ状態のときに一時的に開回路が形成されるが、出力回路36からはスイッチングオンの信号が出力され続ける。
以降、駆動パルスのオン状態又はオフ状態が、時刻t1〜時刻t3と同じ要領で、時刻t3〜時刻t5、時刻t5〜時刻t7、時刻t7〜時刻t9、時刻t9〜時刻t11で繰り返され、例えば時刻t11において駆動パルスのオン状態又はオフ状態の周期が停止され、印加期間Tが終了する。これにより、スイッチ装置30では、駆動パルスが印加される印加期間T(時刻t1〜時刻t11)に、駆動パルスのオン状態及びオフ状態に関わらず、出力回路36からはスイッチオンの信号が出力される。
このようなスイッチ装置30におけるスイッチ1の動作について、図8(a)〜(c)を参照しつつ具体的に説明する。図8(a)〜(c)は、圧電素子20がたわみ変形した際のスイッチ1を第2方向から見た中央断面図である。
圧電素子20に駆動パルスが印加されない状態では、図8(a)に示すように、圧電素子20は初期状態にあり、スイッチオフ状態にある。
一方、電源装置31から共振周波数fを有する駆動パルスが印加され、印加電圧がオン状態になると、圧電素子20が、例えば1次共振モードで共振する。そして、圧電素子20の共振、及び圧電素子20に設けられた振動板12の共振により、振動板12及び第1のスイッチング電極10が下方(図8(a)に示す矢印方向)に大きく変位して、振動板12の腹に位置する第1のスイッチング電極10が、第2のスイッチング電極11に最短距離で接触する。これにより、図8(b)に示すように、スイッチオン状態となる。
そして、駆動パルスがオフ状態になると、振動板12及び第1のスイッチング電極10が上方(図8(b)に示す矢印方向)に移動して変位がもとに戻り、第1及び第2のスイッチング電極10、11では一時的にスイッチオフ状態になるが、再び駆動パルスがオン状態になるとスイッチオン状態になる。
その後、駆動パルスの印加停止等によって、図8(c)に示すように、圧電素子20がもとの形状に戻る。その結果、第1のスイッチング電極10が第2のスイッチング電極11から離れ、スイッチオフ状態になる。
スイッチ装置30のスイッチ1では、電源装置31からの駆動パルスの印加停止のほか、駆動パルスの周波数が共振周波数fから所定量ずれた場合にもオフ状態になる。これは、駆動パルスの周波数が共振周波数fから所定量ずれると、圧電素子20の共振状態が得られなくなり、第1のスイッチング電極10が第2のスイッチング電極11のスイッチングが困難となるためである。すなわち、スイッチ装置30でのスイッチ1は、電源装置31から、共振周波数fを有する駆動パルスが印加された場合のみオン状態になる、フィルタ作用を奏するとも言える。
以上説明したスイッチ装置30によれば、スイッチオン状態にされる期間はもちろん、コンデンサー39の蓄電及び放電機能により、スイッチオフ状態にされる期間にも電流の流れを確保できる。よって、スイッチオン状態及びスイッチオフ状態に関わらず、駆動パルスの印加期間に応じたオン期間を得ることができる。
そして、スイッチ装置30のスイッチ1では、圧電素子20の共振状態を利用して、振動板12及び第1のスイッチング電極10が大きく変位するようになる。よって、スイッチ装置30を低電圧でスイッチングさせることが可能となる。
(実施形態2)
図9は、本発明の実施形態2に係るMEMSスイッチ(以下、単に「スイッチ」と略記することがある。)1Bの概略構成を示す図である。
図に示すように、本実施形態のスイッチ1Bでは、圧電素子20を覆う保護膜40が形成されている。これによれば、薄膜プロセス等によって圧電体層が薄膜状(例えば3μm以下)に形成される場合、すなわち、第1電極21及び第2電極23が非常に近い距離で配置される場合であっても、水分(湿気)等に起因して、第1電極21及び第2電極23の間で電流がリークすることを防止することができる。よって、低電圧でスイッチングを行うことができ、信頼性の高いスイッチを提供することができる。
保護膜40は、主に圧電素子20の側面を覆うように形成することができる。これによれば、第1電極21及び第2電極23の間で電流がリークすることを防止することができる上、圧電素子20の全面を保護膜40で覆う場合と比較して、圧電素子20の変形が阻害されにくくなる。
また、保護膜40は、酸化シリコン(SiO)、酸化タンタル(TaO)、アルミナ(Al)等の無機絶縁材料或いはポリイミドなどの有機絶縁材料を用いて構成することができ、一層に限られず、複数層形成してもよい。このように、保護膜40は、圧電素子20のたわみ変形を過度に阻害しない限りにおいて、その材料、厚さ、形状等は制限されない。
(実施形態3)
図10は、本発明の実施形態3に係るMEMSスイッチ(以下、単に「スイッチ」と略記することがある。)1Cの概略構成を示す図である。
図に示すように、本実施形態のスイッチ1Cでは、圧電体層22bが、第1電極21及び密着層15を覆うように設けられている。これによれば、圧電体層22bが上記の保護膜としての機能を兼ねるため、実施形態2のスイッチ1Cと同様に信頼性を向上させることができる。さらに、実施形態2のスイッチ1Cと比較して保護膜を省略でき、製造コストを低下させることができる。
第1電極21等を覆う圧電体層22bは、第2電極23側(図10の上側)に向かうにつれ、圧電体層22bの幅が狭くなるようにその側面を傾斜状に構成することができる。ただし、その側面は、垂直状や階段状に構成してもよい。このように、第1電極21等を覆う圧電体層22bの形状は、圧電素子のたわみ変形を過度に阻害しない限りにおいて制限されない。
(実施形態4)
図11は、本発明の実施形態4に係るMEMSスイッチ(以下、単に「スイッチ」と略記することがある。)1Dの概略構成を示す断面図である。
図示するように、本実施形態のスイッチ1Dでは、基板16上に振動板12が設けられ、振動板12上に、密着層15を介して圧電素子20が設けられている。この点は実施形態1のスイッチ1と同様である。
ここで、本実施形態のスイッチ1Dでは、実施形態1のスイッチ1と異なり、基板16の振動板12とは反対側にも振動板が設けられている。すなわち、実施形態1のスイッチ1における固定板に代えて、第2の弾性膜13B及び第2の絶縁体層14Bからなる第2の振動板12Bが設けられている。そして、この第2の振動板12Bの空隙17とは反対側に、第2の密着層15Bを介して第2の圧電素子20Bが設けられている。第2の圧電素子20Bは、実施形態1で説明した第1電極21、圧電体層22及び第2電極23からなる圧電素子20と同様の構成とすることができ、異なる構成としてもよい。
このような構成により、圧電素子20と第2の圧電素子20Bとを同時にたわみ変形させることができる。これにより、振動板12及び第1のスイッチング電極10と、第2の振動板12B及び第2のスイッチング電極11とが、それぞれ空隙17側に同時に変位するようになる。
なお、図11では、一対の振動板上にそれぞれ圧電素子を1つずつ備えた構成を例示しているが、振動板上の圧電素子は1つに限られず、1つの振動板上に2以上の圧電素子を備えてもよい。
2以上の圧電素子を備える態様では、かかる2以上の圧電素子が共通の共振周波数を有するように、圧電素子や振動板の質量、形状、構造及び材料等を調節することができる。これによれば、共通の共振周波数を有する駆動パルスを印加し、2以上の圧電素子の共振状態を利用して、スイッチングを行うことができるようになる。
(実施形態5)
図12は、本発明の実施形態5に係るMEMSスイッチ(以下、単に「スイッチ」と略記することがある。)の概略構成を示す図である。
図示するように、本実施形態では、実施形態1で説明したスイッチ1a、1b、1cが複数(図12では3つ)アレイ状に電気的に並列配置され、スイッチアレイ41が構成されている。このようなスイッチアレイ41によれば、該スイッチアレイ41を構成する一部のスイッチに生じる故障等の影響を回避できるため、信頼性を向上させることができる。
基板16と、固定板18と、弾性膜13及び絶縁体層14からなる振動板12とは、複数のスイッチ1a、1b、1cで共通の部材として構成することができる。これによれば、薄膜プロセスによって同時に製造することができるため、スイッチアレイの製造が容易となる。また、複数のスイッチ1a、1b、1cにそれぞれ設けられた圧電素子も、薄膜プロセスによって同時に製造することができる。
スイッチアレイを構成する場合、第1電極21及び第2電極23は、それぞれ共通電極及び個別電極の何れの電極としても機能させることができる。圧電素子20のたわみ変形を過度に阻害しないのであれば、複数の圧電素子20に亘って、実施形態2に記載の保護膜を連続的に設けることも可能である。
ただし、実施形態3に記載の構成を採用する場合には、圧電体層22によって覆われた第1電極21同士を電気的に導通しないようにすることで、圧電素子20の個別電極として機能させることができる。一方、圧電体層22によって覆われていない第2電極23同士を電気的に導通させることにより、共通電極として機能させることができる。
(他の実施形態)
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、基板16としてシリコン(Si)単結晶基板を例示したが、これに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いてもよい。
さらに、上述した実施形態では、第1電極21、圧電体層22及び第2電極23を順次積層した圧電素子20を例示したが、これに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。
また、上述した実施形態では、第1のスイッチング電極10及び第2のスイッチング電極11を一対一で相対向させた構成を例示したが、これに限定されず、例えば、振動板12に形成する第1のスイッチング電極を分割体として構成してもよい。
かかる態様によれば、上述した実施形態と比べて、振動板12及び第1のスイッチング電極の接触面積を小さくできるため、振動板12及び第1のスイッチング電極が変位しやすくなる。また、第1のスイッチング電極が分割体であることによって接続配線を多様に構成でき、設計自由度を向上させることもできる。
尚、スイッチング電極の分割体の態様は前記に制限されず、第2のスイッチング電極も分割体として構成してもよい。
また、スイッチにおいて圧電素子を配置する面は制限されず、可能であるならば、スイッチの厚さ方向に沿った側面に圧電素子を配置してもよい。この場合も、基板を介して一対の振動板を設け、複数の圧電素子を備える構成とすることができる。尚、スイッチを構成する各部材は、その縮尺を調節することができ、適宜構成が可能である。
本発明は、スイッチ及びスイッチ装置及びスイッチ装置の駆動方法の産業分野で利用することができる。また、本発明は、半導体テスタやオシロスコープ等の小型かつ高絶縁のスイッチングが要求される精密機器に対し、好適に適用することができる。
さらに、本発明によれば、静電引力を駆動源としたものと比べ小型化も容易となり、帯電のおそれもなくなって連続駆動も可能になる。また、鉛を含有しない圧電材料を用いれば、環境への負荷を低減することができる。
1,1B,1C,1D,1a,1b,1c スイッチ(MEMSスイッチ)、 10 第1のスイッチング電極、 11 第2のスイッチング電極 12 振動板、 12B 第2の振動板、 13 弾性膜、 13B 第2の弾性膜、 14 絶縁体層、 14B 第2の絶縁体層、 15 密着層、 15B 第2の密着層、 16 基板、 17 空隙、 18 固定板、 20 圧電素子、 20B 第2の圧電素子、 21 第1電極、 22,22b 圧電体層、 23 第2電極、 24 基板形成材、 25 マスク膜、 30 スイッチ装置、 31 電源装置、 32,33 配線、 34,35 端子、 36 出力回路、 37 交流電源、 38 抵抗、 39 コンデンサー、 40 保護膜、 41 スイッチアレイ

Claims (7)

  1. 相対向して配置された一対のスイッチング電極を具備するスイッチであって、
    基板に支持される振動板と、
    前記振動板上に設けられた圧電素子と、
    前記振動板の前記圧電素子とは反対側に設けられた前記スイッチング電極の一方である第1のスイッチング電極と、
    前記第1のスイッチング電極と所定の間隔をあけて相対向して配置された前記スイッチング電極の他方である第2のスイッチング電極とを具備し、
    前記圧電素子をたわみ変形させることにより、前記第1のスイッチング電極及び前記第2のスイッチング電極を介してスイッチングを行うことを特徴とするスイッチ。
  2. 前記第2のスイッチング電極は、前記基板の前記振動板とは反対側に固定された固定板に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ。
  3. 前記第2のスイッチング電極は、前記基板の前記振動板とは反対側に設けられた第2の振動板に設けられ、前記第2の振動板の前記第2のスイッチング電極とは反対側には第2の圧電素子が設けられ、前記圧電素子のたわみ変形と共に前記第2の圧電素子をたわみ変形させることにより、スイッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のスイッチ。
  4. 駆動パルスを前記圧電素子に印加するパルス印加手段を備え、前記圧電素子を共振モードで共振させることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のスイッチ。
  5. 請求項1〜4の何れか一項に記載のスイッチと、
    前記スイッチの第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極のそれぞれに接続される配線に当該第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極と並列に設けられたコンデンサーと、を具備することを特徴とするスイッチ装置。
  6. 前記スイッチの圧電素子を、共振モードで所定期間共振させる駆動パルスを所定期間印加し、当該所定期間の間オン状態となることを特徴とする請求項5に記載のスイッチ装置。
  7. 請求項5又は6に記載のスイッチ装置の駆動方法であって、
    前記スイッチ装置における圧電素子に駆動パルスを印加して、前記圧電素子を所定の共振モードで共振させることにより、相対向して配置された第1のスイッチング電極及び第2のスイッチング電極を介してスイッチングを行うことを特徴とするスイッチ装置の駆動方法。
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