JP2014220495A - Foreign substance removal device - Google Patents

Foreign substance removal device Download PDF

Info

Publication number
JP2014220495A
JP2014220495A JP2014082657A JP2014082657A JP2014220495A JP 2014220495 A JP2014220495 A JP 2014220495A JP 2014082657 A JP2014082657 A JP 2014082657A JP 2014082657 A JP2014082657 A JP 2014082657A JP 2014220495 A JP2014220495 A JP 2014220495A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
matter removing
foreign
substrate
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014082657A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
輝明 山崎
Teruaki Yamazaki
輝明 山崎
弦一郎 神山
Genichiro Kamiyama
弦一郎 神山
隆雅 坪内
Takamasa Tsubouchi
隆雅 坪内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lasertec Corp
Original Assignee
Lasertec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lasertec Corp filed Critical Lasertec Corp
Priority to JP2014082657A priority Critical patent/JP2014220495A/en
Publication of JP2014220495A publication Critical patent/JP2014220495A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools, brushes, or analogous members
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24Reflection masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a foreign substance removal device capable of removing a foreign substance deposited to a substrate of an EUVL mask or nanoimprint lithography without damaging the substrate.SOLUTION: A foreign substance removal device 100 comprises: a stage 111 holding an EUVL mask blank 500; a foreign substance removal tape 122 for removing a foreign substance deposited to the EUVL mask blank 500, the hardness of particles contained in the foreign substance removal tape 122 being lower than the hardness of a surface to remove the foreign substance in the EUVL mask blank 500; a foreign substance removal part 120 for performing foreign substance removal processing on the EUVL mask blank 500 while running the foreign substance removal tape 122; and a foreign substance removal control part 180 which performs control to relatively move the EUVL mask blank 500 and the foreign substance removal part 120 in such a manner that the foreign substance removal tape 122 is abutted to the foreign substance.

Description

本発明は、露光装置に用いられるマスク等の基板に付着した異物を除去する異物除去装置に関するものである。   The present invention relates to a foreign matter removing apparatus that removes foreign matter attached to a substrate such as a mask used in an exposure apparatus.

半導体のさらなる微細化を実現する技術として、EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography)が知られている。
EUVLにおいては、反射型のEUVLマスクが用いられる。EUVLマスクにおいては、許容できない欠陥の最小の大きさが、従来のArFマスクと比較して極めて小さくなっている。したがって、EUVLマスクに僅かな異物の付着があっても欠陥品となってしまう。EUVLマスクは、非常に高価なこと、及び、半導体デバイスの低価格化競争の影響もあり、EUVLマスクに欠陥が発見された場合に、その欠陥を修復する技術が望まれている。
EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography) is known as a technology for realizing further miniaturization of semiconductors.
In EUVL, a reflective EUVL mask is used. In EUVL masks, the minimum size of unacceptable defects is very small compared to conventional ArF masks. Therefore, even if slight foreign matter adheres to the EUVL mask, it becomes a defective product. The EUVL mask is very expensive and is also affected by the price reduction of semiconductor devices. When a defect is found in the EUVL mask, a technique for repairing the defect is desired.

特許文献1には、パターンの明部であるべき箇所が暗部になってしまっている欠陥があった場合に、その箇所の第二の多層膜反射層を除去することにより、その箇所を明部として、欠陥の修正が可能なEUVLマスクが開示されている。
また、特許文献2には、多層反射膜を剥離除去して基板を再生する技術が開示されている。
In Patent Document 1, when there is a defect in which a portion that should be a bright portion of a pattern is a dark portion, the second multilayer film reflective layer at that portion is removed, and the portion is thus a bright portion. An EUVL mask capable of correcting defects is disclosed.
Patent Document 2 discloses a technique for reclaiming a substrate by peeling and removing a multilayer reflective film.

また、半導体のさらなる微細化を実現する技術として、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)と呼ばれる技術も注目されている。
NILにおいては、型(原版)を基板に当てて基板上の樹脂に所望の形状が転写される。このとき、基板上に異物が存在していると、その基板が不良となるばかりか、最悪の場合、型が破損するおそれがあった。したがって、NILにおいて、基板上の異物を的確に除去することが求められている。ここで、NILにおける異物除去では、上述のEUVLマスクの場合よりもさらに精度の高い処理が要求される。NILにおいて許容される異物の高さは、EUVLマスクにおいて許容される異物の高さよりも一桁小さいからである。
特許文献3には、NILにおいて基板を研磨して異物を除去する技術が開示されている。
A technique called nanoimprint lithography (NIL) is also attracting attention as a technique for realizing further miniaturization of semiconductors.
In NIL, a desired shape is transferred to a resin on a substrate by placing a mold (original) on the substrate. At this time, if foreign matter is present on the substrate, the substrate becomes defective, and in the worst case, the mold may be damaged. Therefore, in the NIL, it is required to accurately remove foreign matters on the substrate. Here, in the foreign substance removal in the NIL, a process with higher accuracy than that in the case of the above-described EUVL mask is required. This is because the height of foreign matter allowed in the NIL is an order of magnitude smaller than the height of foreign matter allowed in the EUVL mask.
Patent Document 3 discloses a technique for removing foreign substances by polishing a substrate in NIL.

特開2002−313694号公報JP 2002-313694 A 特開2005−191352号公報JP 2005-191352 A 特開2013−201424号公報JP 2013-201424 A

上述の特許文献1及び特許文献2に開示されている技術は、いずれも多層反射膜側、すなわち、EUVLマスクの表面側の欠陥を修復する技術である。EUVLマスクの表面側、すなわち、パターン面に欠陥がある場合には、パターン欠陥となることから、上述の特許文献1及び特許文献2では、この表面側の欠陥を修復するものである。
しかし、EUVLマスクは、その裏面を吸着保持して用いられるため、裏面に異物が僅かでも付着してしまうと、EUVLマスクが正しく保持されないおそれがあり、その場合には、ひずみや位置ずれが生じることから、EUVLマスクの裏面へ異物が付着した場合も、EUVLマスクが欠陥品となってしまうという問題があった。したがって、EUVLマスクにおいて、裏面へ異物が付着した場合に、その異物を除去してEUVLマスクを使用可能な状態とする技術が望まれていた。
The techniques disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above are techniques for repairing defects on the multilayer reflective film side, that is, on the surface side of the EUVL mask. If there is a defect on the surface side of the EUVL mask, that is, the pattern surface, it becomes a pattern defect. Therefore, in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above, this surface-side defect is repaired.
However, since the EUVL mask is used by adsorbing and holding the back surface thereof, if even a small amount of foreign matter adheres to the back surface, the EUVL mask may not be held correctly. In this case, distortion or misalignment occurs. For this reason, even when foreign matter adheres to the back surface of the EUVL mask, there is a problem that the EUVL mask becomes defective. Therefore, in the EUVL mask, when a foreign substance adheres to the back surface, a technique for removing the foreign substance and making the EUVL mask usable is desired.

また、特許文献3に開示されている技術は、基板の保持手法が従来と異なっており、半導体製造装置全体の構成を大きく変える必要があり、汎用性が低かった。また、特許文献3に開示されている技術は、基板を研磨するときに、従来の研磨と同様に研磨液や純水などの液体を使用しており、基本的には、従来から行われているCMP等と変らないものであった。したがって、CMP等を行ってもなお残存している微小な異物を局所的に除去することができなかった。   Further, the technique disclosed in Patent Document 3 is different from the conventional method for holding the substrate, and it is necessary to greatly change the configuration of the entire semiconductor manufacturing apparatus, and the versatility is low. Further, the technique disclosed in Patent Document 3 uses a liquid such as a polishing liquid or pure water as in conventional polishing when polishing a substrate, and is basically performed conventionally. It was the same as CMP. Therefore, even if CMP or the like is performed, the remaining minute foreign matters cannot be locally removed.

本発明の課題は、EUVLマスクやナノインプリントリソグラフィ等の基板に付着した異物を、基板に傷をつけることなく除去できる異物除去装置を提供することである。   The subject of this invention is providing the foreign material removal apparatus which can remove the foreign material adhering to board | substrates, such as EUVL mask and nanoimprint lithography, without scratching a board | substrate.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this.

請求項1の発明は、基板(500,1500)を保持する保持部(111,1111)と、粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープ(122,1122)と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部(120,1120)と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部(180,1180)と、を備える異物除去装置(100,1100)である。   The invention of claim 1 includes a holding portion (111, 1111) for holding a substrate (500, 1500), a foreign matter removing tape (122, 1122) that contains particles and scrapes and removes the foreign matter attached to the substrate. The foreign substance removing unit (120, 1120) that performs the foreign substance removing process on the substrate while running the foreign substance removing tape, and the substrate and the foreign substance removing unit are relatively arranged so that the foreign substance removing tape contacts the foreign substance. And a foreign matter removing apparatus (100, 1100) including a control unit (180, 1180) for controlling the movement to be moved.

請求項2の発明は、基板(500)を保持する保持部(111)と、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープであって、当該異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、前記基板の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープ(122)と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部(120)と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部(180)と、を備える異物除去装置(100)である。   The invention of claim 2 is a holding part (111) for holding the substrate (500) and a foreign matter removing tape for scraping and removing foreign matter adhering to the substrate, the hardness of the particles contained in the foreign matter removing tape. A foreign matter removing tape (122) having a lower surface hardness than the surface for removing foreign matters on the substrate, a foreign matter removing portion (120) for performing a foreign matter removing process on the substrate while running the foreign matter removing tape, A foreign matter removing apparatus (100) comprising: a control unit (180) that controls the relative movement of the substrate and the foreign matter removing unit so that the foreign matter removing tape contacts the foreign matter.

請求項3の発明は、請求項2に記載の異物除去装置において、前記基板(500)は、EUVL(Extreme Ultra Violet Lithography)マスク又はEUVLマスクブランクであって、前記異物除去部(120)は、前記EUVLマスク又は前記EUVLマスクブランクの反射面とは反対側の裏面に付着した異物を異物除去テープ(122)で除去すること、を特徴とする異物除去装置(100)である。   The invention of claim 3 is the foreign matter removing apparatus according to claim 2, wherein the substrate (500) is an EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography) mask or an EUVL mask blank, and the foreign matter removing portion (120) is: A foreign matter removing apparatus (100), wherein foreign matter attached to a back surface opposite to a reflective surface of the EUVL mask or the EUVL mask blank is removed with a foreign matter removing tape (122).

請求項4の発明は、請求項3に記載の異物除去装置において、前記粒子は、酸化アルミニウム(Al)であること、を特徴とする異物除去装置(100)である。 A fourth aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus (100) according to the third aspect , wherein the particles are aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

請求項5の発明は、請求項2から請求項4までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、前記基板(500)の異物除去される面は、窒化クロム(CrN)膜(505)が形成されており、前記粒子は、前記窒化クロム膜よりも硬度が低いこと、を特徴とする異物除去装置(100)である。   According to a fifth aspect of the present invention, in the foreign matter removing apparatus according to any one of the second to fourth aspects, the surface of the substrate (500) from which the foreign matter is removed is a chromium nitride (CrN) film (505). The foreign substance removing device (100) is characterized in that the particle has a hardness lower than that of the chromium nitride film.

請求項6の発明は、基板(1500)を保持する保持部(1111)と、粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープ(1122)と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部(1120)と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部(1180)と、を備える異物除去装置であって、前記基板は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるシリコンウェハ(1500)であって、前記異物除去部は、前記シリコンウェハに付着した異物を異物除去テープで除去すること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   The invention of claim 6 comprises a holding portion (1111) for holding a substrate (1500), a foreign matter removing tape (1122) containing particles and scraping and removing foreign matter adhering to the substrate, and the foreign matter removing tape. A foreign matter removing unit (1120) that performs a foreign matter removing process on the substrate while running, and the substrate and the foreign matter removing unit are controlled to move relative to each other so that the foreign matter removing tape contacts the foreign matter. A foreign matter removing apparatus comprising a control unit (1180), wherein the substrate is a silicon wafer (1500) used for nanoimprint lithography, and the foreign matter removing unit removes foreign matter attached to the silicon wafer. A foreign matter removing device (1100) characterized by being removed with a tape.

請求項7の発明は、請求項6に記載の異物除去装置において、前記粒子は、少なくとも前記シリコンウェハ(1500)上に成膜されている各層(1502)中に含まれる異物を除去可能な硬度を有していること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   A seventh aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to the sixth aspect, wherein the particles have a hardness capable of removing foreign matter contained in at least each layer (1502) formed on the silicon wafer (1500). It is a foreign material removal apparatus (1100) characterized by having.

請求項8の発明は、請求項7に記載の異物除去装置において、前記粒子は、酸化アルミニウム(Al2O3)であること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   The invention of claim 8 is the foreign matter removing apparatus (1100) according to claim 7, wherein the particles are aluminum oxide (Al2O3).

請求項9の発明は、請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板(500,1500)に付着した異物を検出する異物検出部を有し、当該異物検出部により得られた当該異物の座標に基づき、前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   A ninth aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to any one of the first to eighth aspects, further comprising a foreign matter detection unit for detecting foreign matter attached to the substrate (500, 1500), The foreign matter removing apparatus (100, 1100) is characterized in that the control unit is controlled based on the coordinates of the foreign matter obtained by the foreign matter detecting unit.

請求項10の発明は、請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板(500,1500)に付着した異物を検出する異物検査装置の検査結果を受取る受信部(182,1182)を有し、当該受信部により得られた当該異物の座標に基づき、前記制御部(180,1180)を制御することを特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   A tenth aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, wherein the inspection result of the foreign matter inspection device for detecting the foreign matter attached to the substrate (500, 1500) is obtained. A foreign matter removing device (100, 1100) having a receiving unit (182, 1182) for receiving and controlling the control unit (180, 1180) based on the coordinates of the foreign matter obtained by the receiving unit. It is.

請求項11の発明は、請求項9に記載の異物除去装置において、さらに前記異物検出部により得られた当該異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部を有し、当該判定部の判断結果により前記基板(500,1500)に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   The eleventh aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to the ninth aspect, further comprising a determination unit that determines whether or not foreign matter removal is necessary from the size of the foreign matter obtained by the foreign matter detection unit. The foreign matter removing apparatus (100, 1100) is characterized in that the foreign matter removing process is performed on the substrate (500, 1500) based on a determination result.

請求項12の発明は、請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板(500,1500)に存在する異物の形状を測定する異物計測部(130,1130)と、当該異物計測部による計測結果から当該異物の除去の要否を判断する判定部(182,1182)を有し、当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   A twelfth aspect of the present invention is the foreign substance removing apparatus according to any one of the first to eleventh aspects, further comprising a foreign substance measuring unit (130) for measuring the shape of the foreign substance existing on the substrate (500, 1500). , 1130) and a determination unit (182, 1182) for determining whether or not the foreign matter needs to be removed from the measurement result of the foreign matter measurement unit, and the foreign matter removal process for the substrate based on the determination result of the determination unit. It is a foreign substance removal apparatus (100, 1100) characterized by performing.

請求項13の発明は、請求項12に記載の異物除去装置において、前記異物計測部(130,1130)が共焦点光学系を用いた形状測定システムであることを特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   The invention of claim 13 is the foreign matter removing apparatus according to claim 12, wherein the foreign matter measuring section (130, 1130) is a shape measuring system using a confocal optical system. , 1100).

請求項14の発明は、請求項1から請求項13までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、前記基板(500,1500)の異物除去対象基準面の位置を計測する基準面計測部(140,1140)を有し、前記制御部(180,1180)は、前記基準面計測部が計測した前記基板の異物除去対象基準面の位置に基づいて、前記異物除去テープ(122,1122)が前記基板の異物除去対象基準面に接触する位置まで前記基板と前記異物除去部(120,1120)とを相対的に移動させること、を特徴とする異物除去装置(100,1100)である。   A fourteenth aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the reference surface measuring unit measures the position of the reference surface for removing the foreign matter on the substrate (500, 1500). (140, 1140), and the control unit (180, 1180) includes the foreign matter removal tape (122, 1122) based on the position of the foreign matter removal target reference surface of the substrate measured by the reference surface measurement unit. The foreign matter removing apparatus (100, 1100) is characterized by relatively moving the substrate and the foreign matter removing portion (120, 1120) to a position where the substrate comes into contact with the foreign matter removal target reference surface of the substrate.

請求項15の発明は、請求項1から請求項14までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、前記異物除去部(1120)は、前記基板(1500)と前記異物除去テープ(1122)とが接触する部分に、前記異物除去テープを挟んで前記基板とは反対側に設けられたヘッド(1300)を有し、前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とする浮上構造を備えること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   A fifteenth aspect of the present invention is the foreign matter removing apparatus according to any one of the first to fourteenth aspects, wherein the foreign matter removing portion (1120) includes the substrate (1500) and the foreign matter removing tape (1122). Has a head (1300) provided on the opposite side of the substrate with the foreign matter removing tape interposed therebetween, and the foreign matter removing tape is floated a predetermined distance from the head. A foreign matter removing device (1100) characterized by having a floating structure.

請求項16の発明は、請求項15に記載の異物除去装置において、前記浮上構造は、前記ヘッド(1300)と前記異物除去テープ(1122)との間に気体を流すことにより前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とすること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   According to a sixteenth aspect of the present invention, in the foreign matter removing apparatus according to the fifteenth aspect, the floating structure allows the foreign matter to be removed from the head by flowing a gas between the head (1300) and the foreign matter removing tape (1122). A foreign matter removing device (1100) characterized in that a removing tape is floated at a predetermined distance.

請求項17の発明は、請求項1から請求項16までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、前記異物除去テープ(1122)は、前記基板(1500)と接触する位置において、平面状に展開されていること、を特徴とする異物除去装置(1100)である。   According to a seventeenth aspect of the present invention, in the foreign matter removing apparatus according to any one of the first to sixteenth aspects, the foreign matter removing tape (1122) is planar at a position in contact with the substrate (1500). It is the foreign material removal apparatus (1100) characterized by having been developed in this.

本発明によれば、異物除去装置は、EUVLマスクやナノインプリントリソグラフィ等の基板に付着した異物を、基板に傷をつけることなく除去できる。   According to the present invention, the foreign matter removing apparatus can remove foreign matter attached to a substrate such as an EUVL mask or nanoimprint lithography without damaging the substrate.

本発明による異物除去装置100の実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment of the foreign material removal apparatus 100 by this invention. 異物除去部120の周辺の構成をより詳細に示す図である。It is a figure which shows the structure of the periphery of the foreign material removal part 120 in detail. 異物除去制御部180に関連する部分の制御ブロック図である。5 is a control block diagram of a portion related to a foreign matter removal control unit 180. FIG. EUVLマスクブランク500の層構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the layer structure of EUVL mask blank 500. FIG. 第1実施形態の異物除去装置100を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド130による観察画像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the observation image by the optical head 130 when a foreign material removal process is actually performed using the foreign material removal apparatus 100 of 1st Embodiment. 第1実施形態の異物除去装置100を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド130による観察画像の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the observation image by the optical head 130 when a foreign material removal process is actually performed using the foreign material removal apparatus 100 of 1st Embodiment. 本発明による異物除去装置1100の第2実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the foreign material removal apparatus 1100 by this invention. 異物除去部1120の周辺の構成をより詳細に示す図である。It is a figure which shows the structure of the periphery of the foreign material removal part 1120 in detail. 第2実施形態のヘッド1300及び異物除去テープ1122を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。It is the perspective view which expanded the head 1300 and the foreign material removal tape 1122 of 2nd Embodiment, and was seen from the foreign material removal object side. 第2実施形態のヘッド1300を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。It is the perspective view which expanded the head 1300 of 2nd Embodiment and was seen from the foreign material removal object side. 第2実施形態のヘッド1300及び異物除去テープ1122を異物除去テープ1122に沿って切断して模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the head 1300 and the foreign material removal tape 1122 of 2nd Embodiment along the foreign material removal tape 1122, and showed typically. 第2実施形態の異物除去装置1100が備える圧縮空気供給構造を説明する図である。It is a figure explaining the compressed air supply structure with which the foreign material removal apparatus 1100 of 2nd Embodiment is provided. 異物除去制御部1180に関連する部分の制御ブロック図である。FIG. 10 is a control block diagram of a portion related to a foreign matter removal control unit 1180. シリコンウェハ1500に異物が付着している状態を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a state in which foreign matter is attached to a silicon wafer 1500. FIG.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(第1実施形態)
図1は、本発明による異物除去装置100の第1実施形態を示す図である。
なお、図1を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a foreign matter removing apparatus 100 according to the present invention.
In addition, each figure shown below including FIG. 1 is the figure shown typically, and the magnitude | size and shape of each part are exaggerated suitably for easy understanding.
In the following description, specific numerical values, shapes, materials, and the like are shown and described, but these can be changed as appropriate.

第1実施形態の異物除去装置100は、EUVL(Extreme Ultra Violet Lithography)マスクブランク500に付着した異物(パーティクル)を除去する装置である。なお、本発明で異物除去対象の総称として用いる「基板」という文言には、上述のEUVLマスクブランクに限らず、例えば、EUVマスクを異物除去対象としても含むものとし、さらに、異物除去対象をこれらに限定するものではない。
第1実施形態の異物除去装置100は、XYステージ110と、異物除去部120と、光学ヘッド130と、変位計140と、コンピュータ150と、モニタ160と、XYステージ制御部170と、異物除去制御部180とを備えている。
The foreign matter removing apparatus 100 according to the first embodiment is a device that removes foreign matter (particles) attached to an EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography) mask blank 500. The term “substrate” used as a generic term for foreign object removal targets in the present invention is not limited to the EUVL mask blank described above, and includes, for example, an EUV mask as a foreign object removal target. It is not limited.
The foreign matter removal apparatus 100 of the first embodiment includes an XY stage 110, a foreign matter removal unit 120, an optical head 130, a displacement meter 140, a computer 150, a monitor 160, an XY stage control unit 170, and foreign matter removal control. Part 180.

XYステージ110は、ステージ111と、ボールネジ機構112,113とを有している。
ステージ111は、異物除去対象であるEUVLマスクブランク500をその上面に保持して、ボールネジ機構112,113によりX方向、及び、Y方向に独立して移動可能に構成されている保持部である。
ボールネジ機構112,113は、それぞれ、不図示のフレームに設けられたモータと、モータの回転軸と同期して回転するネジ軸と、ステージ111に設けられたナットとを備え、ステージ111をX方向、及び、Y方向に独立して移動可能とする機構である。
なお、XYステージ110には、不図示のエンコーダが設けられており、後述のコンピュータ150の制御により指定された位置に正確に移動するように制御される。
The XY stage 110 includes a stage 111 and ball screw mechanisms 112 and 113.
The stage 111 is a holding unit configured to hold the EUVL mask blank 500 that is a foreign matter removal target on its upper surface and to be independently movable in the X direction and the Y direction by the ball screw mechanisms 112 and 113.
Each of the ball screw mechanisms 112 and 113 includes a motor provided on a frame (not shown), a screw shaft that rotates in synchronization with the rotation shaft of the motor, and a nut provided on the stage 111. , And a mechanism that can move independently in the Y direction.
The XY stage 110 is provided with an encoder (not shown), and is controlled so as to accurately move to a designated position by control of a computer 150 described later.

異物除去部120は、ステージ111に保持されたEUVLマスクブランク500に対して異物除去処理を行う。
図2は、異物除去部120の周辺の構成をより詳細に示す図である。
異物除去部120は、不図示のフレームに連結された固定ベース部材190を有する。固定ベース部材190には、Z軸方向に延在する2本のガイドレール191a及び191bが設けられている。これらガイドレール191a及び191bには、可動ベース部材121が昇降可能に連結されている。固定ベース部材190には、Z軸モータ192が取り付けられている。Z軸モータ192には、異物除去テープ122が異物に当接するようにEUVLマスクブランク500と異物除去部120とを相対的に移動させる移動部として機能するボールネジ193を構成するネジ軸が連結されている。ボールネジ193のネジ軸には、可動ベース部材121に取り付けられたナットが移動可能に装着されている。したがって、可動ベース部材121は、Z軸モータ192の駆動によりZ軸方向に沿って自在に昇降することができる。なお、Z軸駆動装置として、モータとボールネジの組み合わせ以外の各種駆動機構を用いてもよい。
The foreign matter removal unit 120 performs foreign matter removal processing on the EUVL mask blank 500 held on the stage 111.
FIG. 2 is a diagram showing the configuration around the foreign matter removing unit 120 in more detail.
The foreign matter removing unit 120 includes a fixed base member 190 connected to a frame (not shown). The fixed base member 190 is provided with two guide rails 191a and 191b extending in the Z-axis direction. A movable base member 121 is connected to the guide rails 191a and 191b so as to be movable up and down. A Z-axis motor 192 is attached to the fixed base member 190. The Z-axis motor 192 is connected to a screw shaft that constitutes a ball screw 193 that functions as a moving unit that relatively moves the EUVL mask blank 500 and the foreign matter removing unit 120 so that the foreign matter removing tape 122 contacts the foreign matter. Yes. A nut attached to the movable base member 121 is movably mounted on the screw shaft of the ball screw 193. Therefore, the movable base member 121 can freely move up and down along the Z-axis direction by driving the Z-axis motor 192. Various drive mechanisms other than the combination of a motor and a ball screw may be used as the Z-axis drive device.

可動ベース部材121には、テープカセット125が交換可能な状態で装着されている。テープカセット125は、異物除去テープ122が巻回されている供給リール123と巻き取りリール124とを有している。   A tape cassette 125 is mounted on the movable base member 121 in a replaceable state. The tape cassette 125 includes a supply reel 123 and a take-up reel 124 around which the foreign matter removing tape 122 is wound.

供給リール123は、異物除去テープ122を送り出す側のリールであり、テンションモータ212(図3参照)が接続されている。
テンションモータ212は、不図示のエンコーダを有したエンコーダ付きモータである。テンションモータ212は、自らの回転数に関する情報をエンコーダから得て、出力する。
The supply reel 123 is a reel on the side where the foreign matter removing tape 122 is fed, and a tension motor 212 (see FIG. 3) is connected to the supply reel 123.
The tension motor 212 is a motor with an encoder having an encoder (not shown). The tension motor 212 obtains information about its own rotation speed from the encoder and outputs it.

巻き取りリール124は、異物除去テープ122を巻き取る側のリールであり、巻き取りモータ211(図3参照)が接続されている。巻き取りモータ211は、パルスモータにより構成されている。   The take-up reel 124 is a reel on the side where the foreign matter removing tape 122 is taken up, and is connected to a take-up motor 211 (see FIG. 3). The winding motor 211 is constituted by a pulse motor.

異物除去テープ122は、例えば4本のガイドローラとヘッドチップ126を介して2つのリール間に装着されている。異物除去テープ122の詳細については、後述する。   The foreign matter removing tape 122 is mounted between two reels via, for example, four guide rollers and a head chip 126. Details of the foreign matter removing tape 122 will be described later.

また、ガイドローラの内の1つには、ロータリーエンコーダ127が設けられており、走行経路中の異物除去テープ122の移動量を検出可能である。   In addition, a rotary encoder 127 is provided in one of the guide rollers, and the amount of movement of the foreign matter removing tape 122 in the travel route can be detected.

異物除去処理時には、巻き取りモータ211が発生する駆動力によって、異物除去テープ122が供給リール123から巻き取りリール124側へと走行する。このとき、後述するCPU185及びコンピュータ150は、異物除去テープ122に一定のテンションが作用した状態のまま一定速度で走行するように制御を行う。この制御には、供給リール123のエンコーダと、ロータリーエンコーダ127との3つのエンコーダにより検出された情報を用いる。また、異物除去テープ122の走行速度は、例えば、1mm/sec単位で変更可能である。   During the foreign matter removal process, the foreign matter removal tape 122 travels from the supply reel 123 toward the take-up reel 124 by the driving force generated by the take-up motor 211. At this time, the CPU 185 and the computer 150, which will be described later, perform control so as to run at a constant speed while a certain tension is applied to the foreign matter removal tape 122. This control uses information detected by the three encoders of the supply reel 123 and the rotary encoder 127. Further, the traveling speed of the foreign matter removing tape 122 can be changed in units of 1 mm / sec, for example.

光学ヘッド130は、可動ベース部材121に設けられており、EUVLマスクブランク500に付着した異物の高さ測定と、異物の観察が可能な異物計測部(形状測定システム)である。光学ヘッド130は、共焦点光学系により構成される撮像装置を有する。この撮像装置は、集束したライン状の光ビームを発生する照明光学系と、ライン状光ビームによりワーク表面を走査する走査系と、ワーク面からの反射光を受光するラインセンサとを有する。光学ヘッド130は、EUVLマスクブランク500の観察面を集束したライン状光ビームにより走査してEUVLマスクブランク500の観察面の2次元共焦点画像を撮像する。ラインセンサからの出力信号は、EUVLマスクブランク500の観察面の2次元画像信号として出力され、モニタ160上にEUVLマスクブランク500の観察面の2次元画像が表示される。したがって、オペレータは、光学ヘッド130を介して異物の画像を観察することにより、異物の形状等を把握できる。また、オペレータは、光学ヘッド130による観察により、異物除去後のEUVLマスクブランク500の状態を把握し、1回の除去処理により異物が適切に除去されたか否か判定が可能である。そして、オペレータは、光学ヘッド130による観察結果により異物の除去が不十分であると判定した場合、同一の異物に対して再度の異物除去処理を行うことができる。   The optical head 130 is a foreign matter measurement unit (shape measurement system) that is provided on the movable base member 121 and can measure the height of foreign matter attached to the EUVL mask blank 500 and observe foreign matter. The optical head 130 has an imaging device configured by a confocal optical system. This imaging apparatus includes an illumination optical system that generates a focused line-shaped light beam, a scanning system that scans the surface of the work with the line-shaped light beam, and a line sensor that receives reflected light from the work surface. The optical head 130 scans the observation surface of the EUVL mask blank 500 with a focused line-shaped light beam and captures a two-dimensional confocal image of the observation surface of the EUVL mask blank 500. The output signal from the line sensor is output as a two-dimensional image signal of the observation surface of the EUVL mask blank 500, and a two-dimensional image of the observation surface of the EUVL mask blank 500 is displayed on the monitor 160. Therefore, the operator can grasp the shape of the foreign matter by observing the image of the foreign matter via the optical head 130. Further, the operator can grasp the state of the EUVL mask blank 500 after removing the foreign matter by observing with the optical head 130, and can determine whether or not the foreign matter has been appropriately removed by one removal process. When the operator determines that the removal of the foreign matter is insufficient based on the observation result by the optical head 130, the operator can perform the foreign matter removal process again on the same foreign matter.

共焦点光学系の特性として、照明ビームの集束点を被計測面に対して連続的に変位させてZ軸走査を行った場合、集束点(焦点)が試料表面上に位置すると受光素子には最大輝度値が検出される。したがって、被計測面上に焦点が位置した時の位置情報と焦点が異物の表面上に位置した時の位置情報とを用いて信号処理を行うことにより、異物の高さを計測することができる。   As a characteristic of the confocal optical system, when the Z-axis scanning is performed by continuously displacing the focusing point of the illumination beam with respect to the surface to be measured, if the focusing point (focal point) is located on the sample surface, The maximum luminance value is detected. Therefore, the height of the foreign matter can be measured by performing signal processing using the position information when the focal point is located on the surface to be measured and the positional information when the focal point is located on the surface of the foreign matter. .

変位計140は、可動ベース部材121に設けられており、EUVLマスクブランク500の異物除去対象基準面に対する異物除去部120のZ軸方向の位置を検出可能な基準面計測部である。第1実施形態の変位計140は、レーザー光をEUVLマスクブランク500の異物除去対象基準面に照射し、異物除去対象基準面から反射して戻って来た反射レーザー光を受光して距離測定を行うレーザー変位計である。なお、変位計としては、レーザー変位計に限らず、例えば、エンコーダを利用した変位計等、他の形態の変位計であってもよい。変位計140により読み取られた位置情報は、基準座標系に対する異物除去部120のZ軸方向の位置情報として利用する。   The displacement meter 140 is a reference surface measurement unit that is provided on the movable base member 121 and can detect the position of the foreign matter removal unit 120 in the Z-axis direction with respect to the foreign matter removal target reference surface of the EUVL mask blank 500. The displacement meter 140 according to the first embodiment irradiates the reference surface of the foreign substance removal target surface of the EUVL mask blank 500 with the laser beam, receives the reflected laser light reflected from the reference surface of the foreign substance removal target, and measures the distance. Laser displacement meter to perform. The displacement meter is not limited to the laser displacement meter, and may be another type of displacement meter such as a displacement meter using an encoder. The position information read by the displacement meter 140 is used as position information in the Z-axis direction of the foreign substance removal unit 120 with respect to the reference coordinate system.

コンピュータ150は、異物除去装置100の動作を統括制御し、かつ、利用者の操作を受け付ける制御部として機能する。コンピュータ150には、モニタ160が接続されており、光学ヘッド130による観察画像等の各種情報の表示が可能である。   The computer 150 functions as a control unit that performs overall control of the operation of the foreign matter removing apparatus 100 and receives user operations. A monitor 160 is connected to the computer 150, and various information such as an observation image by the optical head 130 can be displayed.

XYステージ制御部170は、コンピュータ150からの指示にしたがい、XYステージ110の動作を制御する。   The XY stage control unit 170 controls the operation of the XY stage 110 in accordance with an instruction from the computer 150.

異物除去制御部180は、異物除去部120の動作を制御する。
図3は、異物除去制御部180に関連する部分の制御ブロック図である。
異物除去制御部180は、位置制御部181と、テープ走行制御部184とを有している。
The foreign matter removal control unit 180 controls the operation of the foreign matter removal unit 120.
FIG. 3 is a control block diagram of a portion related to the foreign matter removal control unit 180.
The foreign matter removal control unit 180 includes a position control unit 181 and a tape travel control unit 184.

位置制御部181は、CPU182と、PLD部183とを有している。   The position control unit 181 includes a CPU 182 and a PLD unit 183.

CPU182は、異物除去部120の位置に関する制御を主に行う。   The CPU 182 mainly performs control related to the position of the foreign matter removing unit 120.

PLD(Programmable Logic Device)部183は、CPU182と、Z軸モータドライバ191と、光学ヘッド130と、変位計140と、ロードセル200とに接続されている。ここで、ロードセル200は、異物除去処理時に異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500に押し付けている状態において異物除去部120(ヘッドチップ126)に作用する負荷を計測するものである。   A PLD (Programmable Logic Device) unit 183 is connected to the CPU 182, the Z-axis motor driver 191, the optical head 130, the displacement meter 140, and the load cell 200. Here, the load cell 200 measures a load acting on the foreign matter removing unit 120 (head chip 126) in a state where the foreign matter removing tape 122 is pressed against the EUVL mask blank 500 during the foreign matter removing process.

テープ走行制御部184は、CPU185と、PLD部186とを有し、巻き取りモータ211と、テンションモータ212と、ロータリーエンコーダ127と、テープエンドセンサ213とに接続されている。   The tape running control unit 184 includes a CPU 185 and a PLD unit 186, and is connected to the winding motor 211, the tension motor 212, the rotary encoder 127, and the tape end sensor 213.

テープエンドセンサ213は、供給リール123に巻かれている異物除去テープ122が無くなったことを検出する。テープエンドセンサ213は、供給リール123に巻かれている異物除去テープ122の量を光センサ等により直接検出してもよいし、異物除去テープ122の終端部に設けられた各種マーク(磁気や反射部材等)を検出してもよい。また、テープエンドセンサ213を専用の独立したセンサとして設けずに、供給リール123のエンコーダ出力を利用してテープエンドを検出してもよい。テープエンドセンサ213により異物除去テープ122が無くなったことを検出した場合には、モニタ160にその旨が表示され、オペレータにテープの交換を促す。   The tape end sensor 213 detects that the foreign matter removing tape 122 wound around the supply reel 123 is lost. The tape end sensor 213 may directly detect the amount of the foreign matter removal tape 122 wound around the supply reel 123 by an optical sensor or the like, or may use various marks (magnetic or reflective) provided at the terminal portion of the foreign matter removal tape 122. Member etc.) may be detected. Further, the tape end may be detected using the encoder output of the supply reel 123 without providing the tape end sensor 213 as a dedicated independent sensor. When the tape end sensor 213 detects that the foreign matter removing tape 122 has run out, this is displayed on the monitor 160 and prompts the operator to replace the tape.

図4は、EUVLマスクブランク500の層構成を示す断面図である。
第1実施形態では、異物除去対象のEUVLマスクブランク500として、一辺が152mmの正方形に形成され、厚みが6.35mmであるEUVLマスクブランクを用いる。
EUVLマスクブランク500は、低熱膨張性ガラスからなる基板501を基礎として、複数の層が積層されている。
基板501の表面側には、多層膜502と、保護膜504と、吸収体503とが、この順番で基板501から表面側に向かって積層形成されている。また、基板501の裏面側には、裏面保護膜505が積層形成されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the layer structure of the EUVL mask blank 500.
In the first embodiment, an EUVL mask blank that is formed in a square having a side of 152 mm and has a thickness of 6.35 mm is used as the EUVL mask blank 500 that is a foreign object removal target.
The EUVL mask blank 500 has a plurality of layers stacked on the basis of a substrate 501 made of low thermal expansion glass.
On the surface side of the substrate 501, a multilayer film 502, a protective film 504, and an absorber 503 are laminated in this order from the substrate 501 toward the surface side. A back surface protective film 505 is laminated on the back surface side of the substrate 501.

多層膜502は、基板501の上に設けられており、EUV光の反射ミラーとして機能する層である。多層膜502は、通常、モリブデンとシリコンとを交互に数十層積み重ねた構造を有している。この構造により、多層膜502に垂直に入射する波長13.5nmのEUV光の約65%を反射することができる。なお、図4では、多層膜502が多層構造であることを表現しているが、この図4に示している多層膜502の層の数は、簡略化しており、実際とは異なっている。   The multilayer film 502 is a layer that is provided on the substrate 501 and functions as a reflection mirror for EUV light. The multilayer film 502 usually has a structure in which several tens of layers of molybdenum and silicon are alternately stacked. With this structure, about 65% of EUV light having a wavelength of 13.5 nm incident perpendicularly to the multilayer film 502 can be reflected. 4 expresses that the multilayer film 502 has a multilayer structure, the number of layers of the multilayer film 502 shown in FIG. 4 is simplified and is different from the actual one.

保護膜504は、吸収体503と多層膜502との間に設けられており、吸収体503をエッチングする際に、多層膜502を保護する。保護膜504は、バッファレイヤー又はキャッピングレイヤーとも呼ばれる。   The protective film 504 is provided between the absorber 503 and the multilayer film 502, and protects the multilayer film 502 when the absorber 503 is etched. The protective film 504 is also called a buffer layer or a capping layer.

吸収体503は、保護膜504の表面側に設けられており、EUV光を吸収する。
なお、実際に露光に用いられるEUVLマスクを作製するには、吸収体503上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことで、パターン付きEUVLマスクが完成する。
The absorber 503 is provided on the surface side of the protective film 504 and absorbs EUV light.
Note that a resist pattern is formed on the absorber 503 in order to manufacture an EUVL mask that is actually used for exposure. Then, by performing etching using the resist pattern as a mask, a patterned EUVL mask is completed.

裏面保護膜505は、基板501の裏面を保護するために設けられたハードコーティング膜である。第1実施形態の裏面保護膜505は、窒化クロム(CrN)膜により形成されている。窒化クロム膜により形成された裏面保護膜505の硬さは、1800Hv以上となる。   The back surface protective film 505 is a hard coating film provided to protect the back surface of the substrate 501. The back surface protective film 505 of the first embodiment is formed of a chromium nitride (CrN) film. The hardness of the back surface protective film 505 formed of the chromium nitride film is 1800 Hv or more.

ここで、異物除去テープ122を用いた異物除去処理について説明する。
異物除去テープ122は、PET(Polyethylene terephthalate)製のテープをベースとして、合成樹脂をバインダとして酸化アルミニウム(Al)の粒子がテープ上にバインドされている。異物除去テープ122は、走行させられながら異物に接触することにより、異物除去テープ122に含まれている粒子によって、異物を擦り取って除去するものである。第1実施形態の異物除去テープ122は、重量比で、PET:78%以上、酸化アルミニウム:14%以上、合成樹脂:8%以下の割合で構成されている。また、異物除去テープ122は、その幅が3.8mm、厚さが28μmであり、表面粗さRaが0.07μmから0.26μmの間で複数種類のものが利用可能である。
第1実施形態では、異物除去対象の面(異物除去対象基準面)がEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505であり、これを形成する窒化クロム膜の硬さは、上述したように1800Hv以上である。
そこで、第1実施形態の異物除去テープ122は、硬度Hv=1500の酸化アルミニウムを粒子として選択して用いている。ここで重要な点が、含まれる粒子の硬度が、EUVLマスクブランク500の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープ122を用いることである。これにより、異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、EUVLマスクブランク500の裏面保護膜505を損傷することがない。
Here, the foreign substance removal processing using the foreign substance removal tape 122 will be described.
The foreign matter removing tape 122 is based on a PET (Polyethylene terephthalate) tape, and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) particles are bound on the tape using a synthetic resin as a binder. The foreign matter removing tape 122 is for removing the foreign matter by scraping with particles contained in the foreign matter removing tape 122 by contacting the foreign matter while being run. The foreign matter removing tape 122 of the first embodiment is configured by a weight ratio of PET: 78% or more, aluminum oxide: 14% or more, and synthetic resin: 8% or less. The foreign matter removing tape 122 has a width of 3.8 mm, a thickness of 28 μm, and a plurality of types can be used with a surface roughness Ra between 0.07 μm and 0.26 μm.
In the first embodiment, the surface from which foreign matter is to be removed (foreign matter removal target reference surface) is the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500, and the hardness of the chromium nitride film that forms this is 1800 Hv or higher as described above. is there.
Therefore, the foreign matter removing tape 122 of the first embodiment uses aluminum oxide having a hardness Hv = 1500 selected as particles. Here, an important point is that the foreign matter removing tape 122 is used in which the hardness of the contained particles is lower than the hardness of the surface from which the foreign matter of the EUVL mask blank 500 is removed. As a result, even if the foreign matter removing process is performed in which the foreign matter removing tape 122 is brought into contact with the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 to travel, the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 is not damaged.

なお、酸化アルミニウムの硬度は、1400Hvから1800Hv程度の幅を持っているので、ここでは、1500Hv以下の酸化アルミニウムを選択して用いている。   Since the hardness of aluminum oxide has a width of about 1400 Hv to 1800 Hv, here, aluminum oxide of 1500 Hv or less is selected and used.

第1実施形態では、上記条件を満たす異物除去テープ122として、研磨テープとして用いられている材料を利用している。なお、異物除去テープ122には、研磨テープに限らず、異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、異物を除去する表面の硬度よりも低いテープであれば、他の種類のテープを用いてもよい。
例えば、球状粒子とバインダ材の上塗り構造のテープを用いると、異物除去対象への攻撃性を緩和でき、異物除去対象を損傷するおそれを低減できる。
In the first embodiment, a material used as an abrasive tape is used as the foreign matter removing tape 122 that satisfies the above conditions. The foreign matter removing tape 122 is not limited to a polishing tape, and other types of tape may be used as long as the hardness of the particles contained in the foreign matter removing tape is lower than the hardness of the surface from which the foreign matter is removed. Good.
For example, when a tape having an overcoating structure of spherical particles and a binder material is used, the aggression on a foreign matter removal target can be alleviated and the possibility of damaging the foreign matter removal target can be reduced.

次に、第1実施形態の異物除去装置100の異物除去処理の動作について説明する。
別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果、異物が検出されたEUVLマスクブランク500を、異物除去装置100のステージ111に保持する。そして、異物検査装置で得られた欠陥座標情報(XY座標値)を検査結果としてCPU182が受信部となり受け取る。そして、この欠陥座標情報にしたがい、光学ヘッド130を異物付近に移動させる。そして、異物が存在する範囲内のXY座標位置において、EUVLマスクブランク500の裏面を光学ヘッド130により自動的にZ軸方向でスキャンしながら、異物の高さを測定する。この高さの測定を、異物が存在する範囲内においてXY座標位置を検査結果座標に従い移動させて行い、異物の高さを確認する。
次に、異物除去部120のヘッドチップ126が検出された異物の直上となるように、XYステージ110によりステージ111と共にEUVLマスクブランク500を移動させる。
次に、変位計140により、ヘッドチップ126の先端からEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505の上面までの距離を測定する。
Next, the operation of the foreign substance removal process of the foreign substance removal apparatus 100 of the first embodiment will be described.
The EUVL mask blank 500 in which foreign matter is detected as a result of foreign matter inspection using a separately prepared foreign matter inspection apparatus is held on the stage 111 of the foreign substance removal apparatus 100. Then, the CPU 182 receives the defect coordinate information (XY coordinate value) obtained by the foreign object inspection apparatus as an inspection result as a reception unit. Then, according to the defect coordinate information, the optical head 130 is moved near the foreign matter. Then, the height of the foreign matter is measured while the back surface of the EUVL mask blank 500 is automatically scanned in the Z-axis direction by the optical head 130 at the XY coordinate position within the range where the foreign matter is present. This height measurement is performed by moving the XY coordinate position in accordance with the inspection result coordinates within a range where the foreign matter exists, and confirms the height of the foreign matter.
Next, the EUVL mask blank 500 is moved together with the stage 111 by the XY stage 110 so that the head chip 126 of the foreign matter removing unit 120 is directly above the detected foreign matter.
Next, the distance from the tip of the head chip 126 to the upper surface of the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 is measured by the displacement meter 140.

変位計140による距離測定結果にしたがって、異物除去部120を下降させ、異物とヘッドチップ126との距離が所定距離以下となった時点で、異物除去テープ122の走行を開始する。異物除去テープ122を走行させながら異物除去部120の下降を継続すると、異物に異物除去テープ122が接触して、異物を除去できる。なお、異物除去処理は、1回の動作で終了させるのではなく、例えば、異物と異物除去テープ122とが所定量接触する位置まで異物除去部120を下降させて1回目の処理を終了する。そして、光学ヘッド130により異物の存在していた位置を再観察して、2回目の異物除去処理を行うか否かをオペレータが判断する。その結果、必要で有れば、1回目の処理時よりもさらに異物除去部120を下降させて2回目以降の処理を行うとよい。   In accordance with the distance measurement result by the displacement meter 140, the foreign matter removing unit 120 is lowered, and when the distance between the foreign matter and the head chip 126 becomes a predetermined distance or less, the foreign matter removing tape 122 starts to travel. If the foreign matter removing portion 120 continues to descend while the foreign matter removing tape 122 is running, the foreign matter removing tape 122 comes into contact with the foreign matter and the foreign matter can be removed. Note that the foreign matter removal processing is not finished in one operation, but the foreign matter removal unit 120 is lowered to a position where the foreign matter and the foreign matter removal tape 122 are in contact with each other by a predetermined amount, for example, and the first treatment is finished. The operator then re-observes the position where the foreign matter is present by the optical head 130 and determines whether or not to perform the second foreign matter removal process. As a result, if necessary, the foreign substance removal unit 120 may be further lowered and the second and subsequent processes may be performed compared to the first process.

また、異物除去処理中にヘッドチップ126に作用する荷重は、ロードセル200により監視されており、荷重が所定値以上とならないように荷重制御も併せて行われ、例えば、異常な負荷が生じた場合には、警告と共に異物除去部120の下降を停止させる等の保安処置を行う。   In addition, the load acting on the head chip 126 during the foreign substance removal process is monitored by the load cell 200, and load control is also performed so that the load does not exceed a predetermined value. For example, when an abnormal load occurs In this case, a security measure such as stopping the lowering of the foreign substance removing unit 120 together with a warning is performed.

ここで、上述したように、異物除去テープ122に含まれる粒子の硬度は、異物を除去する表面の硬度よりも低い。したがって、数回の異物除去処理によっても異物が除去しきれないような場合には、異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505に接触させて走行させて異物除去処理を行ってもよい。異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、裏面保護膜505と異物除去テープ122との間に硬度差があることから、EUVLマスクブランク500の裏面保護膜505を損傷することがない。また、上述した荷重制御も併せて行うので、EUVLマスクブランク500の裏面保護膜505を損傷する危険性がさらに低下する。   Here, as described above, the hardness of the particles contained in the foreign matter removal tape 122 is lower than the hardness of the surface from which the foreign matter is removed. Therefore, if the foreign matter cannot be completely removed by several foreign matter removal processes, the foreign matter removal tape 122 may be run while contacting the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 to perform the foreign matter removal process. Good. Even if a foreign matter removal process is performed in which the foreign matter removal tape 122 is brought into contact with the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 and travels, there is a difference in hardness between the back surface protective film 505 and the foreign matter removal tape 122. The back surface protective film 505 of the blank 500 is not damaged. Moreover, since the load control described above is also performed, the risk of damaging the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 is further reduced.

図5は、第1実施形態の異物除去装置100を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド130による観察画像の例を示す図である。
図5(a)は、異物除去処理を行う前の画像を示し、図5(b)は、異物除去処理を行った後の画像を示している。
異物除去処理前には、長さが約50μm、異物除去対象基準面からの高さが約14μmの異物が裏面保護膜505に付着していたが、異物除去処理後には、異物が完全に取り除かれている。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an observation image by the optical head 130 when the foreign matter removal processing is actually performed using the foreign matter removal apparatus 100 of the first embodiment.
FIG. 5A shows an image before the foreign matter removal process, and FIG. 5B shows an image after the foreign matter removal process.
Before the foreign substance removal process, a foreign substance having a length of about 50 μm and a height of about 14 μm from the reference surface for foreign substance removal adhered to the back surface protective film 505. However, after the foreign substance removal process, the foreign substance is completely removed. It is.

図6は、第1実施形態の異物除去装置100を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド130による観察画像の他の例を示す図である。
図6(a)は、異物除去処理を行う前の画像を示し、図6(b)は、1回目の異物除去処理を行った後の画像を示し、図6(c)は、2回目の異物除去処理を行った後の画像を示し、図6(d)は、3回目の異物除去処理を行った後の画像を示している。
異物除去処理前には、長さが約35μm、異物除去対象基準面からの高さが約2μmの異物が裏面保護膜505に付着していた。この例では、合計3回の異物除去処理を行うことによって、異物を完全に除去できた。
FIG. 6 is a diagram illustrating another example of an image observed by the optical head 130 when the foreign matter removal processing is actually performed using the foreign matter removal apparatus 100 of the first embodiment.
6A shows an image before the foreign matter removal process, FIG. 6B shows an image after the first foreign matter removal process, and FIG. 6C shows the second time. FIG. 6D shows an image after the foreign matter removal process is performed, and FIG. 6D shows an image after the third foreign matter removal process.
Prior to the foreign matter removal process, a foreign matter having a length of about 35 μm and a height of about 2 μm from the reference surface for foreign matter removal adhered to the back surface protective film 505. In this example, the foreign matter was completely removed by performing the foreign matter removing process three times in total.

以上説明したように、第1実施形態によれば、異物除去テープ122に含まれる粒子の硬度を、EUVLマスクブランク500の異物を除去する対象面である裏面保護膜505の硬度よりも低く設定した。よって、異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、EUVLマスクブランク500の裏面保護膜505を損傷することがない。また、異物除去テープ122をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505に接触させて走行させることができるので、異物を除去できる確率が非常に高くなる。   As described above, according to the first embodiment, the hardness of the particles contained in the foreign material removal tape 122 is set lower than the hardness of the back surface protective film 505 that is the target surface from which the foreign material of the EUVL mask blank 500 is removed. . Therefore, even if the foreign matter removing process is performed in which the foreign matter removing tape 122 is brought into contact with the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 to travel, the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500 is not damaged. Further, since the foreign matter removing tape 122 can be moved while being in contact with the back surface protective film 505 of the EUVL mask blank 500, the probability that foreign matter can be removed becomes very high.

(第2実施形態)
図7は、本発明による異物除去装置1100の第2実施形態を示す図である。
なお、図7を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
(Second Embodiment)
FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the foreign matter removing apparatus 1100 according to the present invention.
In addition, each figure shown below including FIG. 7 is the figure typically shown, and the magnitude | size and shape of each part are exaggerated suitably for easy understanding.
In the following description, specific numerical values, shapes, materials, and the like are shown and described, but these can be changed as appropriate.

第2実施形態の異物除去装置1100は、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)に用いられるシリコンウェハ1500や各膜層に付着した異物(パーティクル)を除去する装置である。
第2実施形態の異物除去装置1100は、XYステージ1110と、異物除去部1120と、光学ヘッド1130と、変位計1140と、コンピュータ1150と、モニタ1160と、XYステージ制御部1170と、異物除去制御部1180とを備えている。
The foreign matter removing apparatus 1100 of the second embodiment is an apparatus that removes foreign matter (particles) attached to the silicon wafer 1500 and each film layer used in nanoimprint lithography (NIL).
The foreign matter removal apparatus 1100 of the second embodiment includes an XY stage 1110, a foreign matter removal unit 1120, an optical head 1130, a displacement meter 1140, a computer 1150, a monitor 1160, an XY stage control unit 1170, and foreign matter removal control. Part 1180.

XYステージ1110は、ステージ1111と、ボールネジ機構1112,1113とを有している。
ステージ1111は、異物除去対象であるシリコンウェハ1500をその上面に保持して、ボールネジ機構1112,1113によりX方向、及び、Y方向に独立して移動可能に構成されている保持部である。
ボールネジ機構1112,1113は、それぞれ、不図示のフレームに設けられたモータと、モータの回転軸と同期して回転するネジ軸と、ステージ1111に設けられたナットとを備え、ステージ1111をX方向、及び、Y方向に独立して移動可能とする機構である。
なお、XYステージ1110には、不図示のエンコーダが設けられており、後述のコンピュータ1150の制御により指定された位置に正確に移動するように制御される。
The XY stage 1110 has a stage 1111 and ball screw mechanisms 1112 and 1113.
The stage 1111 is a holding unit configured to hold a silicon wafer 1500 that is a foreign object removal target on its upper surface and to be moved independently in the X direction and the Y direction by the ball screw mechanisms 1112 and 1113.
Each of the ball screw mechanisms 1112 and 1113 includes a motor provided on a frame (not shown), a screw shaft that rotates in synchronization with the rotation shaft of the motor, and a nut provided on the stage 1111. , And a mechanism that can move independently in the Y direction.
The XY stage 1110 is provided with an encoder (not shown), and is controlled so as to accurately move to a designated position under the control of a computer 1150 described later.

異物除去部1120は、ステージ1111に保持されたシリコンウェハ1500に対して異物除去処理を行う。
図8は、異物除去部1120の周辺の構成をより詳細に示す図である。
異物除去部1120は、不図示のフレームに連結された固定ベース部材1190を有する。固定ベース部材1190には、Z軸方向に延在する2本のガイドレール1191a及び1191bが設けられている。これらガイドレール1191a及び1191bには、可動ベース部材1121が昇降可能に連結されている。固定ベース部材1190には、Z軸モータ1192が取り付けられている。Z軸モータ1192には、異物除去テープ1122が異物に当接するようにシリコンウェハ1500と異物除去部1120とを相対的に移動させる移動部として機能するボールネジ1193を構成するネジ軸が連結されている。ボールネジ1193のネジ軸には、可動ベース部材1121に取り付けられたナットが移動可能に装着されている。したがって、可動ベース部材1121は、Z軸モータ1192の駆動によりZ軸方向に沿って自在に昇降することができる。なお、Z軸駆動装置として、モータとボールネジの組み合わせ以外の各種駆動機構を用いてもよい。
The foreign matter removal unit 1120 performs foreign matter removal processing on the silicon wafer 1500 held on the stage 1111.
FIG. 8 is a diagram showing the configuration around the foreign matter removing unit 1120 in more detail.
The foreign matter removing unit 1120 includes a fixed base member 1190 connected to a frame (not shown). The fixed base member 1190 is provided with two guide rails 1191a and 1191b extending in the Z-axis direction. A movable base member 1121 is connected to the guide rails 1191a and 1191b so as to be movable up and down. A Z-axis motor 1192 is attached to the fixed base member 1190. The Z-axis motor 1192 is connected to a screw shaft that forms a ball screw 1193 that functions as a moving unit that relatively moves the silicon wafer 1500 and the foreign matter removing unit 1120 so that the foreign matter removing tape 1122 contacts the foreign matter. . A nut attached to the movable base member 1121 is movably attached to the screw shaft of the ball screw 1193. Therefore, the movable base member 1121 can freely move up and down along the Z-axis direction by driving the Z-axis motor 1192. Various drive mechanisms other than the combination of a motor and a ball screw may be used as the Z-axis drive device.

可動ベース部材1121には、テープカセット1125が交換可能な状態で装着されている。テープカセット1125は、異物除去テープ1122が巻回されている供給リール1123と巻き取りリール1124とを有している。   A tape cassette 1125 is mounted on the movable base member 1121 in a replaceable state. The tape cassette 1125 includes a supply reel 1123 and a take-up reel 1124 around which the foreign matter removing tape 1122 is wound.

供給リール1123は、異物除去テープ1122を送り出す側のリールであり、テンションモータ1212(図13参照)が接続されている。
テンションモータ1212は、不図示のエンコーダを有したエンコーダ付きモータである。テンションモータ1212は、自らの回転数に関する情報をエンコーダから得て、出力する。
The supply reel 1123 is a reel on the side where the foreign matter removing tape 1122 is fed, and is connected to a tension motor 1212 (see FIG. 13).
The tension motor 1212 is a motor with an encoder having an encoder (not shown). The tension motor 1212 obtains information about its own rotation speed from the encoder and outputs it.

巻き取りリール1124は、異物除去テープ1122を巻き取る側のリールであり、巻き取りモータ1211(図13参照)が接続されている。巻き取りモータ1211は、パルスモータにより構成されている。   The take-up reel 1124 is a reel on the side where the foreign matter removing tape 1122 is taken up, and is connected to a take-up motor 1211 (see FIG. 13). The winding motor 1211 is constituted by a pulse motor.

異物除去テープ1122は、例えば4本のガイドローラとヘッド1300を介して2つのリール間に装着されている。異物除去テープ1122の詳細については、後述する。   The foreign matter removing tape 1122 is mounted between two reels via, for example, four guide rollers and a head 1300. Details of the foreign matter removing tape 1122 will be described later.

また、ガイドローラの内の1つには、ロータリーエンコーダ1127が設けられており、走行経路中の異物除去テープ1122の移動量を検出可能である。   In addition, a rotary encoder 1127 is provided in one of the guide rollers, and the amount of movement of the foreign matter removing tape 1122 in the travel path can be detected.

図9は、第2実施形態のヘッド1300及び異物除去テープ1122を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
図10は、第2実施形態のヘッド1300を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
図11は、第2実施形態のヘッド1300及び異物除去テープ1122を異物除去テープ1122に沿って切断して模式的に示した断面図である。
ヘッド1300は、ヘッド本体1301と、蓋部材1302と、供給管1303とを有している。
FIG. 9 is an enlarged perspective view of the head 1300 and the foreign matter removal tape 1122 according to the second embodiment as seen from the foreign matter removal target side.
FIG. 10 is an enlarged perspective view of the head 1300 according to the second embodiment viewed from the foreign object removal target side.
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the head 1300 and the foreign matter removal tape 1122 of the second embodiment cut along the foreign matter removal tape 1122.
The head 1300 includes a head main body 1301, a lid member 1302, and a supply pipe 1303.

ヘッド本体1301は、平面部1301aと、凹部1301bと、溝部1301cと、オリフィス部1301dと、案内溝1301eと、チャンバ1301fとを備えている。
平面部1301aは、異物除去対象であるシリコンウェハ1500に対して平行に対向する面である。異物除去テープ1122は、この平面部1301aに沿って走行しながら、異物の除去を行う。第2実施形態では、平面部1301aに沿って異物除去テープ1122が走行するので、異物除去テープ1122は、シリコンウェハ1500と接触する位置において、平面状に展開されている。したがって、シリコンウェハ1500に対する異物除去テープ1122の接触面積が大きくなり、接触面における圧力を低下させることができる。
The head main body 1301 includes a flat portion 1301a, a concave portion 1301b, a groove portion 1301c, an orifice portion 1301d, a guide groove 1301e, and a chamber 1301f.
The flat portion 1301a is a surface that faces the silicon wafer 1500, which is a foreign object removal target, in parallel. The foreign matter removing tape 1122 removes foreign matters while running along the flat portion 1301a. In the second embodiment, since the foreign matter removing tape 1122 travels along the flat portion 1301a, the foreign matter removing tape 1122 is developed in a planar shape at a position where it comes into contact with the silicon wafer 1500. Therefore, the contact area of the foreign matter removal tape 1122 with respect to the silicon wafer 1500 is increased, and the pressure on the contact surface can be reduced.

凹部1301bは、異物除去テープ1122が通過する位置において、平面部1301aよりも低くザグリ状に形成されている。   The concave portion 1301b is formed in a counterbore shape lower than the flat portion 1301a at the position where the foreign matter removing tape 1122 passes.

溝部1301cは、凹部1301bの対向する2箇所の端部に形成されている。溝部1301cが延在する方向は、異物除去テープ1122が走行する方向とは直交する方向である。   The groove part 1301c is formed in the two edge parts which the recessed part 1301b opposes. The direction in which the groove portion 1301c extends is a direction orthogonal to the direction in which the foreign matter removing tape 1122 travels.

オリフィス部1301dは、凹部1301bの中央部にチャンバ1301fまで貫通して形成された貫通孔である。   The orifice part 1301d is a through-hole formed through the center part of the recess 1301b up to the chamber 1301f.

案内溝1301eは、平面部1301aの端部に形成された溝であり、異物除去テープ1122の走行を案内する。   The guide groove 1301e is a groove formed at the end of the flat portion 1301a, and guides the traveling of the foreign matter removing tape 1122.

チャンバ1301fは、ヘッド本体1301の内部に形成された空間であり、供給管1303から供給される圧縮空気が一時的に滞留する。   The chamber 1301f is a space formed inside the head main body 1301, and the compressed air supplied from the supply pipe 1303 temporarily stays there.

蓋部材1302は、ヘッド本体1301のチャンバ1301fに蓋をする部材である。   The lid member 1302 is a member that covers the chamber 1301 f of the head main body 1301.

供給管1303は、チャンバ1301f内に挿通しており、後述のフィルタを通った圧縮空気をチャンバ1301f内に供給する。   The supply pipe 1303 is inserted into the chamber 1301f, and supplies compressed air that has passed through a filter, which will be described later, into the chamber 1301f.

第2実施形態のヘッド1300は、上述の構成により、ヘッド1300から異物除去テープ1122を所定距離だけ離して浮上させた状態とする浮上構造を構成している。   The head 1300 of the second embodiment has a floating structure in which the foreign matter removing tape 1122 is lifted by a predetermined distance from the head 1300 by the above-described configuration.

図12は、第2実施形態の異物除去装置1100が備える圧縮空気供給構造を説明する図である。
異物除去装置1100は、上述した構成の他に、エア源1401と、レギュレータ1402と、電磁弁1403と、フィルタ1404とを備えている。
エア源1401は、例えば、エアコンプレッサや、ガスボンベ等により構成される。エア源1401から供給される圧縮空気は、レギュレータ1402へ送られる。
レギュレータ1402は、圧縮空気の圧力を必要な圧力に調整(減圧)する。
電磁弁1403は、後述のPLD1186の指示にしたがい、流路の開閉を行う。
フィルタ1404は、電磁弁1403を通過してきた圧縮空気中に含まれる塵埃や水分を除去する。フィルタ1404を通過した圧縮空気は、供給管1303を通ってヘッド1300へ供給される。
FIG. 12 is a diagram illustrating a compressed air supply structure provided in the foreign matter removing apparatus 1100 according to the second embodiment.
The foreign matter removing apparatus 1100 includes an air source 1401, a regulator 1402, a solenoid valve 1403, and a filter 1404 in addition to the configuration described above.
The air source 1401 is configured by, for example, an air compressor, a gas cylinder, or the like. The compressed air supplied from the air source 1401 is sent to the regulator 1402.
The regulator 1402 adjusts (depressurizes) the pressure of the compressed air to a necessary pressure.
The electromagnetic valve 1403 opens and closes the flow path in accordance with an instruction from a PLD 1186 described later.
The filter 1404 removes dust and moisture contained in the compressed air that has passed through the electromagnetic valve 1403. The compressed air that has passed through the filter 1404 is supplied to the head 1300 through the supply pipe 1303.

ここで、異物除去テープ1122を浮上させる動作について説明する。
異物除去処理時には、供給管1303を通ってヘッド1300へ供給された圧縮空気は、チャンバ1301f内において所定圧力で溜まる。また、チャンバ1301f内の圧縮空気の一部は、オリフィス部1301dを通過して速度を増して凹部1301bに噴射され、平面部1301aと異物除去テープ1122との間を高速で流れる。このとき、ベルヌーイの法則にしたがって、この平面部1301aと異物除去テープ1122との間の気圧が、大気圧よりも減少する。これにより、異物除去テープ1122には、ヘッド1300へ押し付けられる力F1が生じる。この力F1と、異物除去テープ1122の自重と、異物除去テープ1122に作用する張力F2とのバランスを適切に設定することにより、異物除去テープ1122は、ヘッド1300から所定の距離だけ離れた位置に浮上した状態となる。
Here, the operation of floating the foreign matter removing tape 1122 will be described.
During the foreign substance removal process, the compressed air supplied to the head 1300 through the supply pipe 1303 accumulates at a predetermined pressure in the chamber 1301f. Further, a part of the compressed air in the chamber 1301f passes through the orifice part 1301d, is increased in speed, and is jetted to the concave part 1301b, and flows between the flat part 1301a and the foreign matter removing tape 1122 at a high speed. At this time, according to Bernoulli's law, the air pressure between the flat portion 1301a and the foreign matter removing tape 1122 is reduced from the atmospheric pressure. As a result, the foreign matter removing tape 1122 generates a force F1 that is pressed against the head 1300. By appropriately setting the balance between the force F1, the dead weight of the foreign matter removing tape 1122, and the tension F2 acting on the foreign matter removing tape 1122, the foreign matter removing tape 1122 is located at a position away from the head 1300 by a predetermined distance. It will be in a floating state.

また、異物除去処理時には、巻き取りモータ1211が発生する駆動力によって、異物除去テープ1122が供給リール1123から巻き取りリール1124側へと走行する。このとき、後述するCPU1185及びコンピュータ1150は、異物除去テープ1122に一定のテンションが作用した状態のまま一定速度で走行するように制御を行う。この制御には、供給リール1123のエンコーダと、ロータリーエンコーダ1127との3つのエンコーダにより検出された情報を用いる。また、異物除去テープ1122の走行速度は、例えば、1mm/sec単位で変更可能である。   In the foreign matter removal process, the foreign matter removal tape 1122 travels from the supply reel 1123 to the take-up reel 1124 side by the driving force generated by the take-up motor 1211. At this time, the CPU 1185 and the computer 1150, which will be described later, perform control so as to run at a constant speed while a constant tension is applied to the foreign matter removal tape 1122. For this control, information detected by the three encoders of the supply reel 1123 and the rotary encoder 1127 is used. Further, the traveling speed of the foreign matter removing tape 1122 can be changed, for example, in units of 1 mm / sec.

光学ヘッド1130は、可動ベース部材1121に設けられており、シリコンウェハ1500に付着した異物の高さ測定と、異物の観察が可能な異物計測部(形状測定システム)である。光学ヘッド1130は、共焦点光学系により構成される撮像装置を有する。この撮像装置は、集束したライン状の光ビームを発生する照明光学系と、ライン状光ビームによりワーク表面を走査する走査系と、ワーク面からの反射光を受光するラインセンサとを有する。光学ヘッド1130は、シリコンウェハ1500の観察面を集束したライン状光ビームにより走査してシリコンウェハ1500の観察面の2次元共焦点画像を撮像する。ラインセンサからの出力信号は、シリコンウェハ1500の観察面の2次元画像信号として出力され、モニタ1160上にシリコンウェハ1500の観察面の2次元画像が表示される。したがって、オペレータは、光学ヘッド1130を介して異物の画像を観察することにより、異物の形状等を把握できる。また、オペレータは、光学ヘッド1130による観察により、異物除去後のシリコンウェハ1500の状態を把握し、1回の除去処理により異物が適切に除去されたか否か判定が可能である。そして、オペレータは、光学ヘッド1130による観察結果により異物の除去が不十分であると判定した場合、同一の異物に対して再度の異物除去処理を行うことができる。
また、再度の異物除去処理に関しては、オペレータによる判断の他、高さ測定値からの数値スライス判断や、画像処理による異物痕跡判断に基づいて行ってもよい。
The optical head 1130 is provided on the movable base member 1121 and is a foreign matter measuring unit (shape measurement system) capable of measuring the height of foreign matter attached to the silicon wafer 1500 and observing the foreign matter. The optical head 1130 has an imaging device configured by a confocal optical system. This imaging apparatus includes an illumination optical system that generates a focused line-shaped light beam, a scanning system that scans the surface of the work with the line-shaped light beam, and a line sensor that receives reflected light from the work surface. The optical head 1130 scans the observation surface of the silicon wafer 1500 with a focused line-shaped light beam and captures a two-dimensional confocal image of the observation surface of the silicon wafer 1500. The output signal from the line sensor is output as a two-dimensional image signal of the observation surface of the silicon wafer 1500, and a two-dimensional image of the observation surface of the silicon wafer 1500 is displayed on the monitor 1160. Therefore, the operator can grasp the shape of the foreign matter by observing the image of the foreign matter via the optical head 1130. Further, the operator can grasp the state of the silicon wafer 1500 after removing the foreign matter by observing with the optical head 1130 and can determine whether or not the foreign matter has been properly removed by one removal process. When the operator determines that the removal of the foreign matter is insufficient based on the observation result by the optical head 1130, the operator can perform the foreign matter removal process again on the same foreign matter.
In addition, the foreign matter removal processing again may be performed based on numerical slice judgment from the height measurement value or foreign matter trace judgment by image processing in addition to the judgment by the operator.

共焦点光学系の特性として、照明ビームの集束点を被計測面に対して連続的に変位させてZ軸走査を行った場合、集束点(焦点)が試料表面上に位置すると受光素子には最大輝度値が検出される。したがって、被計測面上に焦点が位置した時の位置情報と焦点が異物の表面上に位置した時の位置情報とを用いて信号処理を行うことにより、異物の高さを計測することができる。   As a characteristic of the confocal optical system, when the Z-axis scanning is performed by continuously displacing the focusing point of the illumination beam with respect to the surface to be measured, if the focusing point (focal point) is located on the sample surface, The maximum luminance value is detected. Therefore, the height of the foreign matter can be measured by performing signal processing using the position information when the focal point is located on the surface to be measured and the positional information when the focal point is located on the surface of the foreign matter. .

変位計1140は、可動ベース部材1121に設けられており、シリコンウェハ1500の異物除去対象基準面に対する異物除去部1120のZ軸方向の位置を検出可能な基準面計測部である。第2実施形態の変位計1140は、レーザー光をシリコンウェハ1500の異物除去対象基準面に照射し、異物除去対象基準面から反射して戻って来た反射レーザー光を受光して距離測定を行うレーザー変位計である。なお、変位計としては、レーザー変位計に限らず、例えば、エンコーダを利用した変位計等、他の形態の変位計であってもよい。変位計1140により読み取られた位置情報は、基準座標系に対する異物除去部1120のZ軸方向の位置情報として利用する。   The displacement meter 1140 is provided on the movable base member 1121 and is a reference surface measurement unit that can detect the position of the foreign matter removal unit 1120 in the Z-axis direction with respect to the foreign matter removal target reference surface of the silicon wafer 1500. The displacement meter 1140 according to the second embodiment irradiates a laser beam on a foreign object removal target reference surface of the silicon wafer 1500, receives the reflected laser light reflected from the foreign matter removal target reference surface, and performs distance measurement. It is a laser displacement meter. The displacement meter is not limited to the laser displacement meter, and may be another type of displacement meter such as a displacement meter using an encoder. The position information read by the displacement meter 1140 is used as position information in the Z-axis direction of the foreign substance removing unit 1120 with respect to the reference coordinate system.

コンピュータ1150は、異物除去装置1100の動作を統括制御し、かつ、利用者の操作を受け付ける制御部として機能する。コンピュータ1150には、モニタ1160が接続されており、光学ヘッド1130による観察画像等の各種情報の表示が可能である。   The computer 1150 functions as a control unit that performs overall control of the operation of the foreign matter removing apparatus 1100 and receives user operations. A monitor 1160 is connected to the computer 1150, and various information such as an observation image can be displayed by the optical head 1130.

XYステージ制御部1170は、コンピュータ1150からの指示にしたがい、XYステージ1110の動作を制御する。   The XY stage control unit 1170 controls the operation of the XY stage 1110 according to an instruction from the computer 1150.

異物除去制御部1180は、異物除去部1120の動作を制御する。
図13は、異物除去制御部1180に関連する部分の制御ブロック図である。
異物除去制御部1180は、位置制御部1181と、テープ走行制御部1184とを有している。
The foreign matter removal control unit 1180 controls the operation of the foreign matter removal unit 1120.
FIG. 13 is a control block diagram of a portion related to the foreign matter removal control unit 1180.
The foreign matter removal control unit 1180 includes a position control unit 1181 and a tape travel control unit 1184.

位置制御部1181は、CPU1182と、PLD部1183とを有している。   The position control unit 1181 has a CPU 1182 and a PLD unit 1183.

CPU1182は、異物除去部1120の位置に関する制御を主に行う。   The CPU 1182 mainly performs control related to the position of the foreign matter removing unit 1120.

PLD(Programmable Logic Device)部1183は、CPU1182と、Z軸モータドライバ1191と、光学ヘッド1130と、変位計1140と、ロードセル1200とに接続されている。ここで、ロードセル1200は、異物除去処理時に異物除去テープ1122をシリコンウェハ1500に押し付けている状態において異物除去部1120(ヘッド1300)に作用する負荷を計測するものである。   A PLD (Programmable Logic Device) unit 1183 is connected to the CPU 1182, the Z-axis motor driver 1191, the optical head 1130, the displacement meter 1140, and the load cell 1200. Here, the load cell 1200 measures a load acting on the foreign matter removing unit 1120 (head 1300) in a state where the foreign matter removing tape 1122 is pressed against the silicon wafer 1500 during the foreign matter removing process.

テープ走行制御部1184は、CPU1185と、PLD部1186とを有し、巻き取りモータ1211と、テンションモータ1212と、ロータリーエンコーダ1127と、テープエンドセンサ1213と、電磁弁1403とに接続されている。   The tape running control unit 1184 includes a CPU 1185 and a PLD unit 1186, and is connected to a winding motor 1211, a tension motor 1212, a rotary encoder 1127, a tape end sensor 1213, and an electromagnetic valve 1403.

テープエンドセンサ1213は、供給リール1123に巻かれている異物除去テープ1122が無くなったことを検出する。テープエンドセンサ1213は、供給リール1123に巻かれている異物除去テープ1122の量を光センサ等により直接検出してもよいし、異物除去テープ1122の終端部に設けられた各種マーク(磁気や反射部材等)を検出してもよい。また、テープエンドセンサ1213を専用の独立したセンサとして設けずに、供給リール1123のエンコーダ出力を利用してテープエンドを検出してもよい。テープエンドセンサ1213により異物除去テープ1122が無くなったことを検出した場合には、モニタ1160にその旨が表示され、オペレータにテープの交換を促す。   The tape end sensor 1213 detects that the foreign matter removal tape 1122 wound around the supply reel 1123 has been lost. The tape end sensor 1213 may directly detect the amount of the foreign matter removing tape 1122 wound around the supply reel 1123 by using an optical sensor or the like, or may use various marks (magnetic or reflective) provided at the terminal portion of the foreign matter removing tape 1122. Member etc.) may be detected. Further, the tape end may be detected using the encoder output of the supply reel 1123 without providing the tape end sensor 1213 as a dedicated independent sensor. When the tape end sensor 1213 detects that the foreign matter removing tape 1122 has run out, the fact is displayed on the monitor 1160 to prompt the operator to replace the tape.

図14は、シリコンウェハ1500に異物が付着している状態を示す断面図である。
シリコンウェハ1500は、シリコンウェハ本体1501と、平坦化層1502とを備えている。また、シリコンウェハ本体1501と平坦化層1502との間には、多層膜が形成されている場合もある。
平坦化層1502は、例えば、シリコンウェハ本体1501上に複数層の回路を形成するとき等に、回路が形成されて凹凸のあるシリコンウェハ本体1501の表面を平坦にするために形成されている。この平坦化層1502は、CMP処理が行われて研磨された状態となっている。しかし、CMP処理を行ってもなお、平坦化層1502又は各膜層内に取り込まれて突出した異物が残存する場合がある。図14には、この残存する異物dを模式的に示している。
第2実施形態の異物除去装置1100では、例えば、異物dの高さhが100nm以上ある場合に、これを除去するために利用され、異物dの高さhを100nm未満に抑える。異物dの高さhが100nm以上あると、NILにおいて型(原版)を損傷してしまうおそれがあるからである。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state in which foreign matter is attached to the silicon wafer 1500.
The silicon wafer 1500 includes a silicon wafer main body 1501 and a planarization layer 1502. Further, a multilayer film may be formed between the silicon wafer body 1501 and the planarization layer 1502.
The planarization layer 1502 is formed in order to flatten the surface of the silicon wafer body 1501 having unevenness when a circuit is formed, for example, when a circuit of a plurality of layers is formed on the silicon wafer body 1501. The planarization layer 1502 is in a state of being polished by CMP processing. However, even if the CMP process is performed, foreign matter that is taken in and protrudes into the planarization layer 1502 or each film layer may remain. FIG. 14 schematically shows the remaining foreign matter d.
In the foreign matter removing apparatus 1100 of the second embodiment, for example, when the height h of the foreign matter d is 100 nm or more, it is used to remove this, and the height h of the foreign matter d is suppressed to less than 100 nm. This is because if the height h of the foreign matter d is 100 nm or more, the mold (original plate) may be damaged in the NIL.

ここで、異物除去テープ1122を用いた異物除去処理について説明する。
異物除去テープ1122は、PET(Polyethylene terephthalate)製のテープをベースとして、合成樹脂をバインダとして酸化アルミニウム(Al)の粒子がテープ上にバインドされている。異物除去テープ1122は、走行させられながら異物に接触することにより、異物除去テープ1122に含まれている粒子によって、異物を擦り取って除去するものである。
第2実施形態では、上記条件を満たす異物除去テープ1122として、研磨テープとして用いられている材料を利用している。
Here, the foreign matter removal processing using the foreign matter removal tape 1122 will be described.
The foreign matter removing tape 1122 is based on a PET (Polyethylene terephthalate) tape, and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) particles are bound on the tape using a synthetic resin as a binder. The foreign matter removing tape 1122 is for scraping and removing foreign matter by particles contained in the foreign matter removing tape 1122 by contacting the foreign matter while being run.
In the second embodiment, a material used as an abrasive tape is used as the foreign matter removing tape 1122 that satisfies the above conditions.

次に、第2実施形態の異物除去装置1100の異物除去処理の動作について説明する。
別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果、異物dが検出されたシリコンウェハ1500を、異物除去装置1100のステージ1111に保持する。そして、異物検査装置で得られた欠陥座標情報(XY座標値)を検査結果としてCPU1182が受信部となり受け取る。そして、この欠陥座標情報にしたがい、光学ヘッド1130を異物d付近に移動させる。そして、異物dが存在する範囲内のXY座標位置において、シリコンウェハ1500を光学ヘッド1130により自動的にZ軸方向でスキャンしながら、異物dの高さを測定する。この高さの測定を、異物dが存在する範囲内においてXY座標位置を検査結果座標にしたがい移動させて行い、異物dの高さを確認する。
次に、異物除去部1120のヘッド1300が検出された異物dの直上となるように、XYステージ1110によりステージ1111と共にシリコンウェハ1500を移動させる。
次に、変位計1140により、ヘッド1300の先端からシリコンウェハ1500の上面までの距離を測定する。
Next, the operation of the foreign substance removal processing of the foreign substance removal apparatus 1100 of the second embodiment will be described.
As a result of the foreign substance inspection using a separately prepared foreign substance inspection apparatus, the silicon wafer 1500 from which the foreign substance d is detected is held on the stage 1111 of the foreign substance removal apparatus 1100. Then, the CPU 1182 receives the defect coordinate information (XY coordinate value) obtained by the foreign substance inspection apparatus as an inspection result as a reception unit. Then, according to the defect coordinate information, the optical head 1130 is moved near the foreign object d. Then, the height of the foreign matter d is measured while the silicon wafer 1500 is automatically scanned in the Z-axis direction by the optical head 1130 at the XY coordinate position within the range where the foreign matter d exists. This height measurement is performed by moving the XY coordinate position in accordance with the inspection result coordinates within the range where the foreign matter d exists, and the height of the foreign matter d is confirmed.
Next, the silicon wafer 1500 is moved together with the stage 1111 by the XY stage 1110 so that the head 1300 of the foreign matter removing unit 1120 is directly above the detected foreign matter d.
Next, the distance from the tip of the head 1300 to the upper surface of the silicon wafer 1500 is measured by the displacement meter 1140.

変位計1140による距離測定結果にしたがって、異物除去部1120を下降させ、異物dとヘッド1300との距離が所定距離以下となった時点で、異物除去テープ1122の走行を開始する。このとき、異物除去テープ1122は、ヘッド1300から浮上した状態で走行する。異物除去テープ1122を走行させながら異物除去部1120の下降を継続すると、異物dに異物除去テープ1122が接触して、異物dを除去できる。   In accordance with the distance measurement result by the displacement meter 1140, the foreign matter removing unit 1120 is lowered, and when the distance between the foreign matter d and the head 1300 becomes equal to or less than a predetermined distance, the foreign matter removing tape 1122 starts to travel. At this time, the foreign substance removal tape 1122 travels in a state of floating from the head 1300. If the lowering of the foreign matter removing portion 1120 is continued while the foreign matter removing tape 1122 is running, the foreign matter removing tape 1122 comes into contact with the foreign matter d, and the foreign matter d can be removed.

ここで、仮に、異物除去テープ1122とシリコンウェハ1500の表面との平行度が低く、シリコンウェハ1500上の異物以外の部分と異物除去テープ1122とが接触してしまったとしても、異物除去テープ1122が浮上していることから、シリコンウェハ1500に対して大きな損傷を与えることを防止できる。   Here, even if the parallelism between the foreign matter removal tape 1122 and the surface of the silicon wafer 1500 is low and the portion other than the foreign matter on the silicon wafer 1500 and the foreign matter removal tape 1122 come into contact with each other, the foreign matter removal tape 1122 As a result, the silicon wafer 1500 can be prevented from being seriously damaged.

なお、異物除去処理は、1回の動作で終了させるのではなく、例えば、異物dと異物除去テープ1122とが所定量接触する位置まで異物除去部1120を下降させて1回目の処理を終了する。そして、光学ヘッド1130により異物dの存在していた位置を再観察して、2回目の異物除去処理を行うか否かをオペレータが判断する。その結果、必要で有れば、1回目の処理時よりもさらに異物除去部1120を下降させて2回目以降の処理を行うとよい。   Note that the foreign matter removal processing is not finished in one operation, but, for example, the foreign matter removal unit 1120 is lowered to a position where the foreign matter d and the foreign matter removal tape 1122 are in contact with each other by a predetermined amount, and the first processing is finished. . The operator then re-observes the position where the foreign substance d exists by the optical head 1130 and determines whether or not to perform the second foreign substance removal process. As a result, if necessary, the foreign substance removal unit 1120 may be further lowered and the second and subsequent processes may be performed as compared with the first process.

また、異物除去処理中にヘッド1300に作用する荷重は、ロードセル1200により監視されており、荷重が所定値以上とならないように荷重制御も併せて行われ、例えば、異常な負荷が生じた場合には、警告と共に異物除去部1120の下降を停止させる等の保安処置を行う。   Further, the load acting on the head 1300 during the foreign substance removal processing is monitored by the load cell 1200, and load control is also performed so that the load does not exceed a predetermined value. For example, when an abnormal load occurs. Performs security measures such as stopping the descent of the foreign substance removing unit 1120 together with a warning.

以上説明したように、第2実施形態によれば、異物除去テープ1122は、ヘッド1300から浮上した状態で走行して異物の除去を行うので、シリコンウェハ1500をやさしく撫でるかのように異物除去テープ1122がシリコンウェハ1500に接触する。また、平面部1301aに沿って異物除去テープ1122が走行するので、接触面における圧力も低く抑えることができる。よって、仮に異物除去テープ1122がシリコンウェハ1500上で異物が存在していない部分に接触してしまったとしても、シリコンウェハ1500に大きな損傷を与えることがない。よって、第2実施形態の異物除去装置1100は、例えば、異物の高さが100nm程度という、従来では実現不可能であった微細な異物の除去を、シリコンウェハ1500を損傷することなく行うことができる。   As described above, according to the second embodiment, the foreign matter removing tape 1122 travels in a state of floating from the head 1300 and removes the foreign matter, so that the foreign matter removing tape is as if the silicon wafer 1500 is gently stroked. 1122 contacts the silicon wafer 1500. In addition, since the foreign matter removing tape 1122 travels along the flat portion 1301a, the pressure on the contact surface can be kept low. Therefore, even if the foreign matter removing tape 1122 comes into contact with a portion on the silicon wafer 1500 where no foreign matter is present, the silicon wafer 1500 is not significantly damaged. Therefore, the foreign matter removing apparatus 1100 according to the second embodiment can remove fine foreign matters, for example, having a foreign matter height of about 100 nm, which cannot be realized in the past, without damaging the silicon wafer 1500. it can.

(変形形態)
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
(Deformation)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications and changes are possible, and these are also within the scope of the present invention.

(1)各実施形態において、異物除去処理の動作として、異物除去部120(又は、異物除去部1120)を下降させる位置を段階的に変化させて行う例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去処理の動作としては、初回から異物除去テープ122(又は、異物除去テープ1122)をEUVLマスクブランク500の裏面保護膜505(又は、シリコンウェハ1500)に接触させて走行させるようにしてもよい。 (1) In each embodiment, as an operation of the foreign matter removal process, an example in which the position where the foreign matter removal unit 120 (or the foreign matter removal unit 1120) is lowered is changed stepwise has been described. For example, as a foreign matter removal processing operation, the foreign matter removal tape 122 (or the foreign matter removal tape 1122) is brought into contact with the back surface protective film 505 (or the silicon wafer 1500) of the EUVL mask blank 500 from the first time. You may make it drive | work.

(2)各実施形態において、異物除去テープ122(又は、異物除去部1120)は、酸化アルミニウムの粒子を有する例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去テープには、二酸化ケイ素(SiO)を異物除去用の粒子として有するようにしてもよい。 (2) In each embodiment, the foreign matter removing tape 122 (or the foreign matter removing portion 1120) has been described with an example having aluminum oxide particles. For example, the foreign matter removal tape may have silicon dioxide (SiO 2 ) as foreign matter removal particles.

(3)各実施形態において、異物除去対象の基板は、EUVLマスク又はEUVLマスクブランク(又は、シリコンウェハ1500)である例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去対象の基板は、液晶表示装置用のガラス基板であってもよいし、その他の種類の基板であってもよい。例えば、第2実施形態において、異物除去対象の基板としては、シリコンウェハ1500の平坦化層1502である例を挙げて説明したが、酸化シリコン膜や、窒化シリコン膜、シリコン系膜をはじめとする各膜層中に含まれる異物を除去するものであってもよい。これらの場合、異物除去テープの粒子は、除去対象の異物を除去可能な硬度のものを適宜選択して使用するとよい。なお、異物除去対象の基板が上記実施形態と異なる場合には、異物除去テープが有する粒子の硬度を、基板の硬度よりも低いものを用いることが必要である。 (3) In each embodiment, an example in which the substrate for removing foreign matter is an EUVL mask or an EUVL mask blank (or a silicon wafer 1500) has been described. For example, the substrate from which foreign matter is to be removed may be a glass substrate for a liquid crystal display device or other types of substrates. For example, in the second embodiment, as an example of the substrate for removing foreign matter, the planarization layer 1502 of the silicon wafer 1500 has been described as an example. However, a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-based film are used. A foreign substance contained in each film layer may be removed. In these cases, the particles of the foreign matter removal tape may be appropriately selected and used to have a hardness that can remove the foreign matter to be removed. In addition, when the board | substrate of the foreign material removal object differs from the said embodiment, it is necessary to use the thing whose particle | grain hardness which a foreign material removal tape has is lower than the hardness of a board | substrate.

(4)各実施形態において、別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果に基づいて異物除去を行う例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、基板に付着した異物を検出する異物検出部を本異物除去装置にさらに備えてもよい。この場合、この異物検出部により得られた異物の座標に基づき異物除去処理を行うとよい。これにより、基板の載せ替え作業等を省略でき、より効率よく作業を行える。また、この場合において、さらに、異物検出部により得られた異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部としての機能を、例えばCPU182(又は、CPU1182)に持たせてもよい。この場合、この判定部(CPU182(又は、CPU1182))の判断結果により基板に対して異物除去処理を行うようにすることができ、作業者の負担を軽減できる。 (4) In each embodiment, the example which performs a foreign material removal based on the result of having performed a foreign material inspection using the foreign material inspection apparatus prepared separately was explained. However, the present invention is not limited to this. For example, the foreign matter removing apparatus may further include a foreign matter detecting unit that detects foreign matter attached to the substrate. In this case, the foreign substance removal process may be performed based on the coordinates of the foreign substance obtained by the foreign substance detection unit. As a result, it is possible to omit the substrate replacement work and the like, and the work can be performed more efficiently. In this case, for example, the CPU 182 (or CPU 1182) may be provided with a function as a determination unit that determines whether or not foreign matter removal is necessary from the size of the foreign matter obtained by the foreign matter detection unit. In this case, the foreign substance removal process can be performed on the substrate based on the determination result of the determination unit (CPU 182 (or CPU 1182)), and the burden on the operator can be reduced.

(5)第2実施形態において、異物除去テープ1122を浮上させるために圧縮空気を用いる例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、窒素等、他の気体を用いてもよい。 (5) In the second embodiment, an example in which compressed air is used to float the foreign matter removing tape 1122 has been described. For example, other gases such as nitrogen may be used.

なお、実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は以上説明した各実施形態によって限定されることはない。   In addition, although embodiment and a deformation | transformation form can also be used in combination as appropriate, detailed description is abbreviate | omitted. Further, the present invention is not limited by the embodiments described above.

100 異物除去装置
110 XYステージ
111 ステージ
112,113 ボールネジ機構
120 異物除去部
121 可動ベース部材
122 異物除去テープ
123 供給リール
124 巻き取りリール
125 テープカセット
126 ヘッドチップ
127 ロータリーエンコーダ
130 光学ヘッド
140 変位計
150 コンピュータ
160 モニタ
170 ステージ制御部
180 異物除去制御部
181 位置制御部
182 CPU
183 PLD部
184 テープ走行制御部
185 CPU
186 PLD部
190 固定ベース部材
191 Z軸モータドライバ
191a,191b ガイドレール
192 Z軸モータ
193 ボールネジ
200 ロードセル
211 巻き取りモータ
212 テンションモータ
213 テープエンドセンサ
500 EUVLマスクブランク
501 基板
502 多層膜
503 吸収体
504 保護膜
505 裏面保護膜
1100 異物除去装置
1110 XYステージ
1111 ステージ
1112,1113 ボールネジ機構
1120 異物除去部
1121 可動ベース部材
1122 異物除去テープ
1123 供給リール
1124 巻き取りリール
1125 テープカセット
1127 ロータリーエンコーダ
1130 光学ヘッド
1140 変位計
1150 コンピュータ
1160 モニタ
1170 ステージ制御部
1180 異物除去制御部
1181 位置制御部
1182 CPU
1183 PLD部
1184 テープ走行制御部
1185 CPU
1186 PLD部
1190 固定ベース部材
1191 Z軸モータドライバ
1191a,1191b ガイドレール
1192 Z軸モータ
1193 ボールネジ
1200 ロードセル
1211 巻き取りモータ
1212 テンションモータ
1213 テープエンドセンサ
1300 ヘッド
1301 ヘッド本体
1301a 平面部
1301b 凹部
1301c 溝部
1301d オリフィス部
1301e 案内溝
1301f チャンバ
1302 蓋部材
1303 供給管
1401 エア源
1402 レギュレータ
1403 電磁弁
1404 フィルタ
1500 シリコンウェハ
1501 シリコンウェハ本体
1502 平坦化層
d 異物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Foreign material removal apparatus 110 XY stage 111 Stage 112, 113 Ball screw mechanism 120 Foreign material removal part 121 Movable base member 122 Foreign material removal tape 123 Supply reel 124 Take-up reel 125 Tape cassette 126 Head chip 127 Rotary encoder 130 Optical head 140 Displacement meter 150 Computer 160 Monitor 170 Stage Control Unit 180 Foreign Object Removal Control Unit 181 Position Control Unit 182 CPU
183 PLD unit 184 Tape running control unit 185 CPU
186 PLD section 190 Fixed base member 191 Z-axis motor driver 191a, 191b Guide rail 192 Z-axis motor 193 Ball screw 200 Load cell 211 Winding motor 212 Tension motor 213 Tape end sensor 500 EUVL mask blank 501 Substrate 502 Multilayer film 503 Absorber 504 Protection Film 505 Back surface protection film 1100 Foreign matter removing device 1110 XY stage 1111 Stage 1112 and 1113 Ball screw mechanism 1120 Foreign matter removing portion 1121 Movable base member 1122 Foreign matter removing tape 1123 Supply reel 1124 Take-up reel 1125 Tape cassette 1127 Rotary encoder 1130 Optical head 1140 Displacement meter 1150 Computer 1160 Monitor 1170 Stage control unit 1180 Foreign matter removal control unit 1 81 position controller 1182 CPU
1183 PLD unit 1184 Tape running control unit 1185 CPU
1186 PLD portion 1190 Fixed base member 1191 Z-axis motor driver 1191a, 1191b Guide rail 1192 Z-axis motor 1193 Ball screw 1200 Load cell 1211 Take-up motor 1212 Tension motor 1213 Tape end sensor 1300 Head 1301 Head main body 1301a Flat portion 1301b Recess 1301c Groove 1301d Orifice Portion 1301e Guide groove 1301f Chamber 1302 Cover member 1303 Supply pipe 1401 Air source 1402 Regulator 1403 Solenoid valve 1404 Filter 1500 Silicon wafer 1501 Silicon wafer main body 1502 Flattening layer d Foreign matter

Claims (17)

基板を保持する保持部と、
粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置。
A holding unit for holding the substrate;
Foreign matter removing tape that contains particles and scrapes off and removes foreign matter attached to the substrate;
A foreign substance removing unit that performs a foreign substance removing process on the substrate while running the foreign substance removing tape;
A control unit for controlling the relative movement of the substrate and the foreign matter removing unit so that the foreign matter removing tape contacts the foreign matter;
Foreign matter removing apparatus comprising:
基板を保持する保持部と、
前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープであって、当該異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、前記基板の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置。
A holding unit for holding the substrate;
A foreign matter removing tape that scrapes off and removes foreign matter adhering to the substrate, wherein the hardness of the particles contained in the foreign matter removal tape is lower than the hardness of the surface from which the foreign matter of the substrate is removed, and
A foreign substance removing unit that performs a foreign substance removing process on the substrate while running the foreign substance removing tape;
A control unit for controlling the relative movement of the substrate and the foreign matter removing unit so that the foreign matter removing tape contacts the foreign matter;
Foreign matter removing apparatus comprising:
請求項2に記載の異物除去装置において、
前記基板は、EUVL(Extreme Ultra Violet Lithography)マスク又はEUVLマスクブランクであって、
前記異物除去部は、前記EUVLマスク又は前記EUVLマスクブランクの反射面とは反対側の裏面に付着した異物を異物除去テープで除去すること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 2,
The substrate is an EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography) mask or an EUVL mask blank,
The foreign matter removing portion removes the foreign matter attached to the back surface opposite to the reflective surface of the EUVL mask or the EUVL mask blank with a foreign matter removing tape;
Foreign matter removing device characterized by
請求項3に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、酸化アルミニウム(Al)であること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 3,
The particles are aluminum oxide (Al 2 O 3 );
Foreign matter removing device characterized by
請求項2から請求項4までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
前記基板の異物除去される面は、窒化クロム(CrN)膜が形成されており、
前記粒子は、前記窒化クロム膜よりも硬度が低いこと、
を特徴とする異物除去装置。
In the foreign matter removal apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The surface of the substrate from which foreign matter is removed is formed with a chromium nitride (CrN) film,
The particles have a lower hardness than the chromium nitride film;
Foreign matter removing device characterized by
基板を保持する保持部と、
粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置であって、
前記基板は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるシリコンウェハであって、
前記異物除去部は、前記シリコンウェハに付着した異物を異物除去テープで除去すること、
を特徴とする異物除去装置。
A holding unit for holding the substrate;
Foreign matter removing tape that contains particles and scrapes off and removes foreign matter attached to the substrate;
A foreign substance removing unit that performs a foreign substance removing process on the substrate while running the foreign substance removing tape;
A control unit for controlling the relative movement of the substrate and the foreign matter removing unit so that the foreign matter removing tape contacts the foreign matter;
A foreign matter removing device comprising:
The substrate is a silicon wafer used for nanoimprint lithography,
The foreign matter removing portion removes the foreign matter attached to the silicon wafer with a foreign matter removing tape;
Foreign matter removing device characterized by
請求項6に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、少なくとも前記シリコンウェハ上に成膜されている各層中に含まれる異物を除去可能な硬度を有していること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 6,
The particles have a hardness capable of removing at least foreign substances contained in each layer formed on the silicon wafer;
Foreign matter removing device characterized by
請求項7に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、酸化アルミニウム(Al)であること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 7,
The particles are aluminum oxide (Al 2 O 3 );
Foreign matter removing device characterized by
請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に付着した異物を検出する異物検出部を有し、
当該異物検出部により得られた当該異物の座標に基づき、
前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置。
In the foreign matter removal apparatus according to any one of claims 1 to 8,
Furthermore, it has a foreign matter detection unit for detecting foreign matter attached to the substrate,
Based on the coordinates of the foreign matter obtained by the foreign matter detection unit,
A foreign matter removing apparatus that controls the control unit.
請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に付着した異物を検出する異物検査装置の検査結果を受取る受信部を有し、
当該受信部により得られた当該異物の座標に基づき、
前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to any one of claims 1 to 9,
Furthermore, it has a receiving part for receiving the inspection result of the foreign substance inspection device for detecting the foreign substance adhering to the substrate,
Based on the coordinates of the foreign object obtained by the receiving unit,
A foreign matter removing apparatus that controls the control unit.
請求項9に記載の異物除去装置において、
さらに前記異物検出部により得られた当該異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部を有し、
当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 9,
Furthermore, it has a determination unit for determining the necessity of removing foreign matter from the size of the foreign matter obtained by the foreign matter detection unit,
A foreign matter removing apparatus that performs the foreign matter removing process on the substrate based on a judgment result of the judging section.
請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に存在する異物の形状を測定する異物計測部と、
当該異物計測部による計測結果から当該異物の除去の要否を判断する判定部を有し、
当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置。
In the foreign matter removal apparatus according to any one of claims 1 to 11,
Furthermore, a foreign matter measuring unit that measures the shape of the foreign matter present on the substrate,
A determination unit that determines whether or not the foreign matter needs to be removed from the measurement result of the foreign matter measurement unit;
A foreign matter removing apparatus that performs the foreign matter removing process on the substrate based on a judgment result of the judging section.
請求項12に記載の異物除去装置において、
前記異物計測部が共焦点光学系を用いた形状測定システムであることを特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 12,
The foreign matter removing apparatus, wherein the foreign matter measuring unit is a shape measuring system using a confocal optical system.
請求項1から請求項13までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
前記基板の異物除去対象基準面の位置を計測する基準面計測部を有し、
前記制御部は、前記基準面計測部が計測した前記基板の異物除去対象基準面の位置に基づいて、前記異物除去テープが前記基板の異物除去対象基準面に接触する位置まで前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させること、
を特徴とする異物除去装置。
In the foreign matter removal apparatus according to any one of claims 1 to 13,
A reference surface measurement unit that measures the position of the reference surface of the substrate for removing foreign matter,
Based on the position of the reference surface for foreign object removal of the substrate measured by the reference surface measurement unit, the control unit is configured to move the substrate and the foreign object to a position where the foreign material removal tape contacts the reference surface for foreign object removal of the substrate. Moving the removal part relatively,
Foreign matter removing device characterized by
請求項1から請求項14までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
前記異物除去部は、前記基板と前記異物除去テープとが接触する部分に、前記異物除去テープを挟んで前記基板とは反対側に設けられたヘッドを有し、
前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とする浮上構造を備えること、
を特徴とする異物除去装置。
In the foreign matter removal apparatus according to any one of claims 1 to 14,
The foreign matter removing portion has a head provided on the opposite side of the substrate across the foreign matter removing tape at a portion where the substrate and the foreign matter removing tape are in contact with each other.
Having a floating structure in which the foreign matter removing tape is floated at a predetermined distance from the head;
Foreign matter removing device characterized by
請求項15に記載の異物除去装置において、
前記浮上構造は、前記ヘッドと前記異物除去テープとの間に気体を流すことにより前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とすること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to claim 15,
The floating structure is in a state where the foreign matter removing tape is floated at a predetermined distance from the head by flowing a gas between the head and the foreign matter removing tape,
Foreign matter removing device characterized by
請求項1から請求項16までのいずれか1項に記載の異物除去装置において、
前記異物除去テープは、前記基板と接触する位置において、平面状に展開されていること、
を特徴とする異物除去装置。
The foreign matter removing apparatus according to any one of claims 1 to 16,
The foreign matter removing tape is deployed in a planar shape at a position in contact with the substrate,
Foreign matter removing device characterized by
JP2014082657A 2013-04-12 2014-04-14 Foreign substance removal device Pending JP2014220495A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014082657A JP2014220495A (en) 2013-04-12 2014-04-14 Foreign substance removal device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013084360 2013-04-12
JP2013084360 2013-04-12
JP2014082657A JP2014220495A (en) 2013-04-12 2014-04-14 Foreign substance removal device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014220495A true JP2014220495A (en) 2014-11-20

Family

ID=51938643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014082657A Pending JP2014220495A (en) 2013-04-12 2014-04-14 Foreign substance removal device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014220495A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016155615A (en) * 2015-02-23 2016-09-01 Jfeスチール株式会社 Belt surface attachments removal facility of belt conveyor
JP2019536115A (en) * 2016-11-16 2019-12-12 ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトSuss MicroTec Photomask Equipment GmbH & Co. KG Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate
JP2020046491A (en) * 2018-09-18 2020-03-26 レーザーテック株式会社 Removal method of foreign matter, inspection method, exposure method, removal apparatus of foreign matter, inspection apparatus, and exposure apparatus
US10854473B2 (en) 2017-03-06 2020-12-01 Ebara Corporation Polishing method, polishing apparatus, and substrate processing system
KR20220034655A (en) 2020-09-11 2022-03-18 캐논 가부시끼가이샤 Apparatus for removing foreign substance, lithography apparatus, and method of manufacturing article
US20220299882A1 (en) * 2021-03-19 2022-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for cleaning an euv mask within a scanner

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58182826A (en) * 1982-04-20 1983-10-25 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Automatic removing device for forein matter
JPH0752019A (en) * 1993-08-10 1995-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd Cleaning method using abrasive tape
JPH0810721A (en) * 1994-06-28 1996-01-16 Casio Comput Co Ltd Cleaner
JP2002025952A (en) * 2000-07-07 2002-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Treatment method of semiconductor wafer
JP2009536457A (en) * 2006-05-05 2009-10-08 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for cleaning isolated bevel edges
JP2010162445A (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Elfo-Tec:Kk Method and apparatus for dust removal and cleaning
JP2010286632A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Asahi Glass Co Ltd Method for cleaning photomask blank
JP2011133433A (en) * 2009-12-25 2011-07-07 Lasertec Corp Substrate inspection device, foreign matter removing device, and foreign matter removal method
JP2012179539A (en) * 2011-03-01 2012-09-20 Three M Innovative Properties Co Glass substrate surface-cleaning apparatus and glass substrate surface-cleaning method
JP2013172019A (en) * 2012-02-21 2013-09-02 Ebara Corp Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013201424A (en) * 2012-02-21 2013-10-03 Toshiba Corp Semiconductor device manufacturing method

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58182826A (en) * 1982-04-20 1983-10-25 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Automatic removing device for forein matter
JPH0752019A (en) * 1993-08-10 1995-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd Cleaning method using abrasive tape
JPH0810721A (en) * 1994-06-28 1996-01-16 Casio Comput Co Ltd Cleaner
JP2002025952A (en) * 2000-07-07 2002-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Treatment method of semiconductor wafer
JP2009536457A (en) * 2006-05-05 2009-10-08 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for cleaning isolated bevel edges
JP2010162445A (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Elfo-Tec:Kk Method and apparatus for dust removal and cleaning
JP2010286632A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Asahi Glass Co Ltd Method for cleaning photomask blank
JP2011133433A (en) * 2009-12-25 2011-07-07 Lasertec Corp Substrate inspection device, foreign matter removing device, and foreign matter removal method
JP2012179539A (en) * 2011-03-01 2012-09-20 Three M Innovative Properties Co Glass substrate surface-cleaning apparatus and glass substrate surface-cleaning method
JP2013172019A (en) * 2012-02-21 2013-09-02 Ebara Corp Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013201424A (en) * 2012-02-21 2013-10-03 Toshiba Corp Semiconductor device manufacturing method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016155615A (en) * 2015-02-23 2016-09-01 Jfeスチール株式会社 Belt surface attachments removal facility of belt conveyor
JP2019536115A (en) * 2016-11-16 2019-12-12 ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトSuss MicroTec Photomask Equipment GmbH & Co. KG Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate
JP7050080B2 (en) 2016-11-16 2022-04-07 ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト Equipment and methods for cleaning some areas of the board
US10854473B2 (en) 2017-03-06 2020-12-01 Ebara Corporation Polishing method, polishing apparatus, and substrate processing system
JP2020046491A (en) * 2018-09-18 2020-03-26 レーザーテック株式会社 Removal method of foreign matter, inspection method, exposure method, removal apparatus of foreign matter, inspection apparatus, and exposure apparatus
JP7076346B2 (en) 2018-09-18 2022-05-27 レーザーテック株式会社 Foreign matter removal method, inspection method, exposure method, foreign matter removal device, inspection device and exposure device
KR20220034655A (en) 2020-09-11 2022-03-18 캐논 가부시끼가이샤 Apparatus for removing foreign substance, lithography apparatus, and method of manufacturing article
US20220299882A1 (en) * 2021-03-19 2022-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for cleaning an euv mask within a scanner

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014220495A (en) Foreign substance removal device
US10025176B2 (en) Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device
US9902037B2 (en) Electronic grade glass substrate and making method
US20110318995A1 (en) Method for manufacturing electronic grade synthetic quartz glass substrate
JP5022456B2 (en) Lithographic apparatus and method for adjusting the height of protrusions on a support table
TWI414783B (en) Method of determining defects in a substrate and apparatus for exposing a substrate in a lithographic process
KR101858947B1 (en) Reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP5850717B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method using the same
TWI461855B (en) Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
JP5697345B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US9598305B2 (en) Synthetic quartz glass substrate and making method
US11269261B2 (en) Particle removal from wafer table and photomask
US8687183B2 (en) Imprint apparatus, detection method, article manufacturing method, and foreign particle detection apparatus
TWI459152B (en) Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus
WO2016181644A1 (en) Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product
JP5507392B2 (en) Shutter member, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2008116272A (en) Pattern inspection method and device
JP5066140B2 (en) Lithographic apparatus
JP2011003898A (en) Sensor for liquid immersion lithographic apparatus
JP7361831B2 (en) Information processing equipment, molding equipment, molding methods, and article manufacturing methods
KR20230121035A (en) Fluid handling systems, methods and lithographic apparatus
KR20230019029A (en) Information processing apparatus, molding apparatus, molding method, and article manufacturing method
JP2022035214A (en) Information processing apparatus, inspection apparatus, molding apparatus, inspection method, manufacturing method for article, program, and learning model creation method
Yonezawa et al. Loss free mask production with inspection, repair, and pellicle handling systems
JP2010278042A (en) Stage apparatus, aligner, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150407

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150728