JP2014216438A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】切断対象のパターンの一部が長い微小ラインとして残ることを抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態による半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第1のパターンと、前記第1方向に延びる第1および第2の線状部と、前記第1の線状部の端部と前記第2の線状部の端部とを接続する接続部とを有し、前記第1のパターンと隣接する1本以上の第2のパターンとを形成し、前記第1および第2のパターン上にレジスト膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記レジスト膜に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部を、前記曲線部が前記第2のパターンと重なるように形成することを含む。前記方法はさらに、前記レジスト膜を利用したエッチングにより、前記第2のパターンを前記第1の線状部と前記第2の線状部とに分断することを含む。【選択図】図5
Description
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
リソグラフィの解像限界未満の寸法を有するパターンは、例えば、側壁パターンを利用したエッチングにより形成可能である。しかしながら、側壁パターンや、側壁パターンをマスクとして形成される配線パターンは、閉ループ形状を有する場合があり、この場合、閉ループをカットするためのリソグラフィ工程やエッチング工程が必要となる。また、閉ループカット用のレジストマスクを形成する際には、ループカット対象のパターンの近くの別のパターンがエッチングされないようなレジスト開口部を形成する必要がある。この際、レジスト開口部の形成位置がループカット対象のパターン側にずれると、ループカット対象のパターンの一部が、長い微小ラインとしてエッチング後に残ることがあり、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下や、半導体製造ラインの汚染を招くおそれがある。
切断対象のパターンの一部が長い微小ラインとして残ることを抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
一の実施形態による半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第1のパターンと、前記第1方向に延びる第1および第2の線状部と、前記第1の線状部の端部と前記第2の線状部の端部とを接続する接続部とを有し、前記第1のパターンと隣接する1本以上の第2のパターンとを形成することを含む。前記方法はさらに、前記第1および第2のパターン上にレジスト膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記レジスト膜に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部を、前記曲線部が前記第2のパターンと重なるように形成することを含む。前記方法はさらに、前記レジスト膜を利用したエッチングにより、前記第2のパターンを前記第1の線状部と前記第2の線状部とに分断することを含む。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1〜図10は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図および平面図である。図1(a)は、図1(b)のA−A線に沿った断面を示している(図2(a)〜図10(b)も同様)。
図1〜図10は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図および平面図である。図1(a)は、図1(b)のA−A線に沿った断面を示している(図2(a)〜図10(b)も同様)。
まず、図1に示すように、半導体基板1上に、下地層2と、被加工膜である配線材料3と、マスク材料4と、芯材5とを順に形成し、リソグラフィおよびエッチングにより芯材5を複数の芯材パターン5a〜5dに加工する。
半導体基板1は、例えばシリコン基板であり、下地層2は、例えばシリコン酸化膜である。配線材料3は、例えば、Cu(銅)層、W(タングステン)層、またはAl(アルミニウム)層である。マスク材料4は、例えばシリコン酸化膜であり、芯材5は、例えばアモルファスシリコン膜である。
図1は、半導体基板1の表面に平行で、互いに垂直なX方向およびY方向と、半導体基板1の表面に垂直なZ方向とを示している。Y方向とX方向は、それぞれ第1方向と第2方向の例である。本明細書は、+Z方向を上方向として取り扱い、−Z方向を下方向として取り扱う。例えば、半導体基板1と下地層2との位置関係は、半導体基板1が下地層2の下方に位置していると表現される。
芯材5は、Y方向に延びる線状部を有する第1の芯材パターン5a、5dと、Y方向に延びる第1および第2の線状部P1、P2と、第1の線状部P1の端部と第2の線状部P2の端部とを接続する接続部P3とを有し、第1の芯材パターン5a、5dと隣接する第2の芯材パターン5b、5cとに加工される。本実施形態の芯材パターン5a〜5dは、リソグラフィの解像限界に近い一定の線幅(例えば40nm)を有している。
なお、第2の芯材パターン5b、5cは、第1の線状部P1の一方の端部と第2の線状部P2の一方の端部とを接続する接続部P3に加え、第1の線状部P1の他方の端部と第2の線状部P2の他方の端部とを接続する別の接続部(図示せず)を有しており、閉ループ形状を有している。これらの接続部は例えば、第2の芯材パターン5b、5cのパターン倒れを防ぐ機能を有している。
また、第1の芯材パターン5a、5dの線状部は、第2の芯材パターン5b、5cの第1、第2の線状部P1、P2よりも長くなっている。第1の芯材パターン5a、5dの各々は、1本の線状部のみで構成されていてもよいし、第2の芯材パターン5b、5cと同様に閉ループ形状を有していてもよい。
次に、図2に示すように、異方性エッチング等により、芯材パターン5a〜5dを細くするスリミング処理を行う。本実施形態のスリミング処理は、芯材パターン5a〜5dの線幅が、リソグラフィの解像限界の約1/2の線幅(例えば20nm)になるように行われる。なお、本実施形態の接続部P3の線幅は、スリミング処理により細くならないことに留意されたい。
次に、図3に示すように、半導体基板1の全面に側壁材料6を堆積し、異方性エッチング等により側壁材料6を加工する。その結果、芯材パターン5a〜5bの側面に、複数の側壁パターン6a〜6hが形成される。
本実施形態の側壁材料6は、芯材5に対するエッチング選択比が高い材料により形成される。例えば、芯材5がアモルファスシリコン膜である場合、側壁材料6の例はシリコン窒化膜である。
側壁材料6は、Y方向に延びる線状部を有する第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hと、Y方向に延びる第1および第2の線状部Q1、Q2と、第1の線状部Q1の端部と第2の線状部Q2の端部とを接続する接続部Q3とを有し、第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hと隣接する第2の側壁パターン6c〜6fとに加工される。本実施形態の側壁パターン6a〜6hは、リソグラフィの解像限界の約1/2の一定の線幅(例えば20nm)を有している。
なお、第2の側壁パターン6c〜6fは、第2の芯材パターン5b、5cと同様、接続部Q3と不図示の別の接続部とを有しており、閉ループ形状を有している。
また、第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hの線状部は、第2の側壁パターン6c〜6fの第1、第2の線状部Q1、Q2よりも長くなっている。
次に、図4に示すように、CDE(Chemical Dry Etching)等のドライエッチングにより、側壁パターン6a〜6hを残存させつつ芯材パターン5a〜5dを除去する。
こうして得られる第1、第2の側壁パターン6a〜6hは、それぞれ第1、第2のパターンの例である。また、第2の側壁パターン6c、6eは、第2の側壁パターン6c〜6fのうちで第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hに最も近接する最近接の第2のパターンの例である。また、第1の側壁パターン6b、6gは、第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hのうちで第2の側壁パターン6c〜6fに最も近接する最近接の第1のパターンの例である。
次に、図5に示すように、半導体基板1の全面にレジスト膜7を形成し、側壁パターン6a〜6hをレジスト膜7で覆う。次に、図5に示すように、レジスト膜7に円形のレジスト開口部7aを形成する。
レジスト開口部7aは、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部の例である。レジスト開口部7aの輪郭線の形状は円(真円)であるため、輪郭線全体が曲線部に相当している。
レジスト開口部7aは、輪郭線(曲線部)が第2の側壁パターン6c〜6fと重なるように形成される。その結果、後述するエッチングによる第2の側壁パターン6c〜6fの切り口は、曲線状になる(図6参照)。
また、レジスト開口部7aは、輪郭線が第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hと重ならないように形成される。よって、後述するエッチングの際に、第1の側壁パターン6a、6b、6g、6hはエッチングされないこととなる(図6参照)。
本実施形態のレジスト開口部7aは、輪郭線が、第2の側壁パターン6c〜6fのうちの少なくとも1本の接続部Q3と重なるように形成される。例えば、図5のレジスト開口部7aは、輪郭線が、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの接続部Q3と重なるように形成されている。また、図5のレジスト開口部7aは、輪郭線が、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの第2の線状部Q2と重なり、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの第1の線状部Q2と重ならないように形成されている。また、本実施形態のレジスト開口部7aの輪郭線は、各第2の側壁パターン6c〜6eと2箇所で重なっている。
なお、本実施形態では、第2の側壁パターン6c〜6fの接続部Q3付近に、レジスト開口部7aが形成される他、第2の側壁パターン6c〜6fの別の接続部付近にも、別のレジスト開口部が形成される。これらのレジスト開口部を有するレジスト膜7を利用したエッチングにより、第2の側壁パターン6c〜6fの閉ループカットが行われる。
また、符号d1は、最近接の第1の側壁パターン6bの線状部と、最近接の第2の側壁パターン6cの第1の線状部Q1との間のスペース幅を表す。また、符号d2は、最近接の第2の側壁パターン6cの第1の線状部Q1の線幅を表す。また、符号d3は、第2の側壁パターン6c、6dの第1の線状部Q1間のスペース幅を表す。これらの幅d1〜d3は、同じ値でもよいし、互いに異なる値でもよい。これらの幅d1〜d3については、後にリソグラフィの位置合わせずれ等に対するマージン(裕度)について説明する際に参酌する。
次に、図6に示すように、レジスト膜7を利用したエッチングにより、第2の側壁パターン6c〜6fの閉ループカットを行う。その結果、第2の側壁パターン6c〜6fが、第1の線状部Q1と第2の線状部Q2とに分断される。
本実施形態では、第2の側壁パターン6c〜6fのうちの少なくとも1本が、第1の線状部Q1と接続部Q3とを含む第1の部分と、第2の線状部Q2を含む第2の部分とに分断される。図6では、最近接の第2の側壁パターン6c、6eが、第1の線状部Q1と接続部Q3とを含む第1の部分と、第2の線状部Q2を含む第2の部分とに分断されている。ただし、これら最近接の第2の側壁パターン6c、6eは、接続部Q3の一部がエッチングされるため、第2の部分に含まれる分断後の接続部Q3の長さが、分断前の接続部Q3の長さよりも短くなっている。
次に、図7に示すように、側壁パターン6a〜6hをマスクとして利用して、マスク材料4をエッチングする。その結果、マスク材料4が、側壁パターン6a〜6hと同一形状を有する複数のマスクパターン4a〜4hに加工される。マスク材料4のエッチングは、例えば、CF4、CHF3等のガスを用いたドライエッチングにより行われる。
次に、図8に示すように、ウェットエッチング等により、側壁パターン6a〜6hを除去する。図8は、線状部を有する第1のマスクパターン4a、4b、4g、4hと、第1および第2の線状部R1、R2と接続部R3とを有し、第1のマスクパターン4a、4b、4g、4hと隣接する第2のマスクパターン4c〜4fとを示している。
次に、図9に示すように、マスクパターン4a〜4hをマスクとして利用して、配線材料3をエッチングする。その結果、配線材料3が、マスクパターン4a〜4hと同一形状を有する複数の配線パターン3a〜3hに加工される。
次に、図10に示すように、ウェットエッチング等により、マスクパターン4a〜4hを除去する。図10は、線状部を有する第1の配線パターン3a、3b、3g、3hと、第1および第2の線状部S1、S2と接続部S3とを有し、第1の配線パターン3a、3b、3g、3hと隣接する第2の配線パターン3c〜3fとを示している。こうして、リソグラフィの解像限界未満の線幅を有する配線パターン3a〜3hが形成される。
なお、配線パターン3a〜3hの形状は、エッチング時の加工変換差により、実際には図11に示すような形状となる。図11は、第1実施形態の半導体装置の製造方法の詳細を示す平面図である。
図11に示すように、第2の配線パターン3c〜3fの端部T1の幅は、第2の配線パターン3c〜3fの端部T1以外の部分の幅よりも太くなる。また、最近接の第1の配線パターン3b、3gは、最近接の第2の配線パターン3c、3eの接続部S3の付近において、第2の配線パターン3c〜3fの方向の線幅が拡がった領域T2を有する。
図11に示す破線の円は、レジスト開口部7aが形成されていた領域を示す。図11の第2の配線パターン3c〜3fの端部T1は、図10の配線パターン3c〜3fの端部と同様、おおむねこの円上に位置している。
なお、第2の配線パターン3c〜3fの端部T1は、コンタクトを落とすための領域として利用してもよい。この場合には、第2の配線パターン3c〜3fの端部T1上にコンタクトプラグが形成される。
(1)第1実施形態と比較例との比較
図12および図13は、比較例の半導体装置の製造方法を示す平面図である。図12、図13の工程はそれぞれ、図5、図6の工程に対応している。
図12および図13は、比較例の半導体装置の製造方法を示す平面図である。図12、図13の工程はそれぞれ、図5、図6の工程に対応している。
図12のレジスト膜7は、第2の側壁パターン6c〜6fの閉ループカット用に、長方形のレジスト開口部7aを有している。このレジスト開口部7aは、Y方向に平行な長方形の辺が、最近接の第1の側壁パターン6b、6gと最近接の第2の側壁パターン6c、6eとの間にくるように形成することが望ましい。しかしながら、図12のレジスト開口部7aのこれらの辺は、リソグラフィの位置合わせずれ等が原因で、最近接の第2の側壁パターン6c、6e上に位置している。
よって、このレジスト膜7を利用して第2の側壁パターン6c〜6fをエッチングすると、図13に示すように、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの一部が、長い微小ラインU1、U2としてエッチング後に残ってしまう。
一般に、側壁パターン6a〜6hの線幅は、リソグラフィの解像限界未満に設定されている。よって、微小ラインU1、U2は、多くの場合、リソグラフィの解像限界よりも細い線幅を有している。このような微小ラインU1、U2は、ドライエッチング工程や薬液処理工程において、パターン飛びを発生させるリスクが高い。
微小ラインU1、U2の発生を防止するためには、レジスト開口部7aのY方向に平行な辺が、最近接の第1の側壁パターン6b、6gと最近接の第2の側壁パターン6c、6eとの間のスペースにくるように、レジスト開口部7aを形成する必要がある。しかしながら、この場合のリソグラフィの合わせ尤度は、このスペースの幅d1の1/2しかない。一般に、幅d1もリソグラフィの解像限界未満に設定されているため、この尤度でのリソグラフィの合わせ制御は困難である。
よって、長方形のレジスト開口部7aを採用する場合、微小ラインU1、U2の発生を回避することは困難である。微小ラインU1、U2によりパターン飛びが発生すると、ウェハ上にダストが残存したり、加工処理チャンバが汚染される原因となり、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下や、半導体製造ラインの汚染を招くおそれがある。
これに対し、本実施形態では、図5に示すような円形のレジスト開口部7aを採用している。円形のレジスト開口部7aの輪郭線は、Y方向に平行な直線部を含まないため、本実施形態では、レジスト開口部7aをどのような位置に配置しても、比較例のような長い微小ラインの発生は回避することができる。よって、本実施形態によれば、このような微小ラインに起因するパターン飛びの発生を抑制し、半導体装置の歩留まりや信頼性の低下や、半導体製造ラインの汚染を抑制することが可能となる。
また、本実施形態のレジスト開口部7aの位置やサイズは、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの接続部Q3の少なくとも一部がエッチング後に残存するように設定することが望ましい。これは、図5に示すように、レジスト開口部7aの輪郭線が最近接の第2の側壁パターン6c、6eの接続部Q3と重なるように、レジスト開口部7aを配置することで実現可能である。
この場合、レジスト開口部7aの位置やサイズの誤差が、d1+d2+d3よりも小さければ、最近接の第1の側壁パターン6b、6gが誤ってエッチングされることを回避することができる。すなわち、この場合のリソグラフィの合わせ尤度は、d1+d2+d3である。よって、本実施形態によれば、リソグラフィの合わせ尤度を十分に確保することが可能となる。
なお、最近接の第2の側壁パターン6c、6eの接続部Q3の少なくとも一部がエッチング後に残存する場合、図11に示す最近接の第2の配線パターン3c、3eの端部T1の膨らみは、第1の線状部S1ではなく、接続部S3に生じる。この膨らみが第1の線状部S1に生じた場合には、端部T1が領域T2とショートするおそれがある。よって、上記の接続部Q3の少なくとも一部がエッチング後に残存することには、このようなショートを抑制できるという利点もある。
(2)第1実施形態の変形例
図14は、第1実施形態の変形例の半導体装置の製造方法を示す平面図である。図14の工程は、図5の工程に対応している。
図14は、第1実施形態の変形例の半導体装置の製造方法を示す平面図である。図14の工程は、図5の工程に対応している。
図14のレジスト開口部7aの輪郭線の形状は、惰円となっている。また、この惰円のY方向の径は、X方向の径よりも長く設定されている。よって、Y方向の径は長径に相当しており、X方向の経は短径に相当している。
このように、本実施形態のレジスト開口部7aの輪郭線の形状は、円でもよいし、惰円でもよい。ただし、側壁パターン6a〜6hの寸法精度を向上させるためには、レジスト開口部7aの輪郭線の形状は、惰円よりも円の方が望ましい。なお、側壁パターン6a〜6hの寸法精度の向上は、例えば、楕円形のレジスト開口部7aの長径と短径との差を小さくして、惰円を円に近付けることでも実現可能である。
また、レジスト開口部7aの形状は、円や惰円のように輪郭線全体が曲線部である形状とする代わりに、輪郭線の一部のみに曲線部を有する形状としてもよい。このような輪郭線の形状の例としては、1つの正方形または長方形と2つの半円とにより構成される長円が挙げられる。この長円の輪郭線は、2つの直線部と2つの曲線部(円弧部)とを含んでいる。
以上のように、本実施形態では、レジスト膜7に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部7aを、この曲線部が切断対象のパターン(第2の側壁パターン6c〜6f)と重なるように形成する。よって、本実施形態によれば、切断対象のパターンの一部が長い微小ラインとして残ることを抑制することが可能となる。
(第2実施形態)
図15〜図19は、第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図および平面図である。第2実施形態では、ダマシン法により複数の配線パターンを形成する。以下、第2実施形態の方法を、第1実施形態の方法との共通事項の説明を省略しつつ説明する。
図15〜図19は、第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図および平面図である。第2実施形態では、ダマシン法により複数の配線パターンを形成する。以下、第2実施形態の方法を、第1実施形態の方法との共通事項の説明を省略しつつ説明する。
まず、図15(a)に示すように、半導体基板1上に、下地層2と、マスク材料4と、芯材5とを順に形成し、リソグラフィおよびエッチングにより芯材5を複数の芯材パターン5xに加工する。なお、符号5xは、図15(a)に示す個々の芯材パターンを示す(以下同様)。
次に、図15(b)に示すように、異方性エッチング等により、芯材パターン5xを細くするスリミング処理を行う。
次に、図15(c)に示すように、半導体基板1の全面に側壁材料6を堆積し、異方性エッチング等により側壁材料6を加工する。その結果、芯材パターン5xの側面に、複数の側壁パターン6xが形成される。
次に、図15(d)に示すように、CDE等のドライエッチングにより、側壁パターン6xを残存させつつ芯材パターン5xを除去する。
次に、図16(a)に示すように、側壁パターン6xをマスクとして利用して、マスク材料4をエッチングする。その結果、マスク材料4が、側壁パターン6xと同一形状を有する複数のマスクパターン4xに加工される。
次に、図16(b)に示すように、ウェットエッチング等により、側壁パターン6xを除去する。
次に、図16(c)に示すように、半導体基板1の全面に配線材料3を形成する。配線材料3は例えば、Cu層、W層、またはAl層であり、スパッタ法またはメッキ法により形成される。
次に、図16(d)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Poloshing)により、配線材料3の表面を、マスクパターン4xの表面に到達するまで平坦化する。その結果、マスクパターン4x間の溝内に、複数の配線パターン3xが形成される。
次に、図17に示すように、ウェットエッチング等により、マスクパターン4xを除去する。こうして、リソグラフィの解像限界未満の線幅を有する配線パターン3a〜3iが形成される(図17以降は、符号3xに代わり符号3a〜3iを使用する)。
本実施形態の配線パターン3a〜3iは、Y方向に延びる線状部を有する第1の配線パターン3a、3b、3g〜3iと、Y方向に延びる第1および第2の線状部S1、S2と、第1の線状部S1の端部と第2の線状部S2の端部とを接続する接続部S3とを有し、第1の配線パターン3a、3b、3g〜3iと隣接する第2の配線パターン3c〜3fとを含んでいる。また、第2の配線パターン3c〜3fは、接続部S3と不図示の別の接続部とを有しており、閉ループ形状を有している。第1、第2の配線パターン3a〜3iは、それぞれ第1、第2のパターンの例である。
次に、図18に示すように、半導体基板1の全面にレジスト膜7を形成し、配線パターン3a〜3iをレジスト膜7で覆う。次に、図18に示すように、レジスト膜7に円形のレジスト開口部7aを形成する。
レジスト開口部7aは、輪郭線(曲線部)が第2の配線パターン3c〜3fと重なるように形成される。その結果、後述するエッチングによる第2の配線パターン3c〜3fの切り口は、曲線状になる(図19参照)。
また、レジスト開口部7aは、輪郭線が第1の配線パターン3a、3b、3g〜3iと重ならないように形成される。よって、後述するエッチングの際に、第1の配線パターン3a、3b、3g〜3iはエッチングされないこととなる(図19参照)。
次に、図19に示すように、このレジスト膜7を利用したエッチングにより、第2の配線パターン3c〜3fの閉ループカットを行う。その結果、第2の配線パターン3c〜3fが、第1の線状部S1と第2の線状部S2とに分断される。
以上のように、本実施形態では、レジスト膜7に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部7aを、この曲線部が切断対象のパターン(第2の配線パターン3c〜3f)と重なるように形成する。よって、本実施形態によれば、切断対象のパターンの一部が長い微小ラインとして残ることを抑制することが可能となる。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
1:半導体基板、2:下地層、3:配線材料、3a〜3h、3x:配線パターン、
4:マスク材料、4a〜4h、4x:マスクパターン、
5:芯材、5a〜5d、5x:芯材パターン、
6:側壁材料、6a〜6h、6x:側壁パターン、
7:レジスト膜、7a:レジスト開口部
4:マスク材料、4a〜4h、4x:マスクパターン、
5:芯材、5a〜5d、5x:芯材パターン、
6:側壁材料、6a〜6h、6x:側壁パターン、
7:レジスト膜、7a:レジスト開口部
Claims (6)
- 半導体基板上に、第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第1のパターンと、前記第1方向に延びる第1および第2の線状部と、前記第1の線状部の端部と前記第2の線状部の端部とを接続する接続部とを有し、前記第1のパターンと隣接する1本以上の第2のパターンとを形成し、
前記第1および第2のパターン上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部を、前記曲線部が前記第2のパターンと重なるように形成し、
前記レジスト膜を利用したエッチングにより、前記第2のパターンを前記第1の線状部と前記第2の線状部とに分断する、
ことを含み、
前記レジスト開口部の前記輪郭線の形状は、円または楕円であり、
前記レジスト開口部は、前記曲線部が、前記第2のパターンのうちの少なくとも1本の前記接続部と重なるように形成され、
前記第2のパターンのうちの少なくとも1本は、前記第1の線状部と前記接続部とを含む第1の部分と、前記第2の線状部を含む第2の部分とに分断される、
半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第1のパターンと、前記第1方向に延びる第1および第2の線状部と、前記第1の線状部の端部と前記第2の線状部の端部とを接続する接続部とを有し、前記第1のパターンと隣接する1本以上の第2のパターンとを形成し、
前記第1および第2のパターン上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に対し、輪郭線の少なくとも一部に曲線部を有するレジスト開口部を、前記曲線部が前記第2のパターンと重なるように形成し、
前記レジスト膜を利用したエッチングにより、前記第2のパターンを前記第1の線状部と前記第2の線状部とに分断する、
ことを含む半導体装置の製造方法。 - 前記レジスト開口部の前記輪郭線の形状は、円または楕円である、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジスト開口部は、前記曲線部が、前記第2のパターンのうちの少なくとも1本の前記接続部と重なるように形成される、
請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のパターンのうちの少なくとも1本は、前記第1の線状部と前記接続部とを含む第1の部分と、前記第2の線状部を含む第2の部分とに分断される、
請求項2から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第1の配線パターンと、
前記半導体基板上に前記第1の配線パターンと隣接して形成され、前記第1方向に延びる線状部を有する1本以上の第2の配線パターンとを備え、
前記1本以上の第2の配線パターンの端部は、同一の円または楕円上に位置しており、
前記第2の配線パターンのうちの少なくとも1本は、前記線状部と、前記線状部の端部に対して前記第1方向に垂直な第2方向側で接続された接続部とを有する、
半導体装置。
Priority Applications (2)
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JP2018525823A (ja) * | 2015-08-28 | 2018-09-06 | マイクロン テクノロジー, インク. | 導電線を含む半導体デバイス、および、導電線を含む半導体デバイスの製造方法 |
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2013
- 2013-04-24 JP JP2013091724A patent/JP2014216438A/ja not_active Abandoned
- 2013-12-18 US US14/132,203 patent/US20140319700A1/en not_active Abandoned
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US10388601B2 (en) | 2015-08-28 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices |
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