JP2014212302A - ノズル式のプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、ウェハWが設置されるステージ6と、ステージ6を覆うチャンバ5と、チャンバ5内を真空引きする真空形成装置11と、チャンバ5に対向する位置に設けられたガス供給管5dと、ガス供給管5dの先端側の内部に取り付けられ、このガス供給管5dから供給されるエッチングガスGをウェハWへ略均等に吹き付けさせるノズル7と、ガス供給管5dに取り付けられガス供給管5d内のエッチングガスG中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させるLF印加部8とを具備した構成とされている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略図ある。図2は、プラズマエッチング装置にてウェハをエッチングしている状態を示す説明図である。図3は、プラズマエッチング装置が収容される筐体を示す外観図で、(a)は正面図、(b)は右側面図、(c)は背面図である。図4は、プラズマエッチング装置に使用されるノズルを示す概略斜視図である。
次いで、プラズマエッチング装置1は、筐体2内の前室2dの後側上部のウェハ処理室2f内に収容されている。そして、このプラズマエッチング装置1にてエッチングするウェハWは、所定の大きさ、例えば直径12.5mm(ハーフインチサイズ)の円形状の表面を有し、単結晶シリコン(Si)にて構成された円盤状に形成されている。そして、このウェハWの表面には、予め所定のレジストパターンが形成され、プラズマエッチング前の状態とされている。
チャンバ5は、例えば石英ガラス等の外部から低周波電圧を印加することが可能な透明な材料にて構成されている。そして、このチャンバ5は、円筒状の本体部5aを有し、この本体部5aの軸方向を上下方向に沿わせて設置され、この本体部5aの上端側が円盤状の上板5bにて閉塞された形状とされている。また、この上板5bの中心位置には、矩形状の開口部5cが形成されており、この開口部5cには、ガス供給部としての、例えば角筒状のガス供給管5dの下端側が同心状に嵌合されて取り付けられている。このガス供給管5dは、本体部5aの内寸法より小さく、ウェハWの外寸法より若干大きな外寸法を有する断面矩形筒状に形成されており、このガス供給管5dの下端側の一部を上板5bの外側から開口部5cに内嵌合させた状態とされ、この開口部5cに溶接等されて一体的に取り付けられている。ここで、ガス供給管5dの形状としては、角筒状以外の形状、例えば円筒状等であってもよい。
ステージ6は、チャンバ5内に収容されつつ、このチャンバ5の上下方向に軸方向を沿わせつつ、このチャンバ5の開口部5cの鉛直下に設置されている。すなわち、このステージ6は、後述するRF印可板6dを、チャンバ5のガス供給口5eに対し同心状に位置させつつ、このガス供給口5eから所定間隔ほど下方に間隔を空けた位置に設置されている。すなわち、このステージ6は、チャンバ5のガス供給口5eからノズル7を介して吹き出してくるおそれのあるマイクロプラズマMが、ステージ6上のRF印加板6dへ直接当たない程度の間隔を空けてチャンバ5内に取り付けられている。
図6は、本発明の第2実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略図である。
図7は、本発明の第3実施形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す概略図である。
なお、上記各実施形態では、少なくともLF印加部8の電極部8a,8b間への低周電圧の印加を用いて、レジストパターンが積層されたウェハWをエッチングする構成とした。しかしながら、本発明はこれに限定されることはなく、レジストパターンが積層された単結晶シリコン構造のウェハW以外であっても、対応させて用いることができる。
2 筐体
2a 装置上部
2b 装置下部
2c 操作パネル
2d 前室
2f ウェハ処理室
3a 供給部
3b 排出部
5 チャンバ
5a 本体部
5b 上板
5c 開口部
5d ガス供給管(ガス供給部)
5e ガス供給口
5f メタルチューブ
6 ステージ
6a 本体部
6b 設置面
6c 絶縁板
6d RF印加板(ステージプラズマ発生部,プラズマ発生部)
6e 電源部
7 ノズル
7a 本体部
7b ガス挿通孔(挿通孔)
8 LF印加部(ノズルプラズマ発生部,プラズマ発生部)
8a,8b 電極部
9 冷却ユニット(冷却部)
10 電源ユニット
10a 低周波電源
10b 高周波電源
11 真空形成装置(真空引き部)
11a 蓋体
12 管体
60 スキャン機構
61 ウェハホルダ
62 X軸ステージ
63 Y軸ステージ
64 直進モータ
65 直進モータ
66 クランプ
G エッチングガス
M マイクロプラズマ
O 初期位置
P プラズマ
R 半径
V 線速度
W ウェハ
Claims (8)
- ウェハが設置されるステージと、
このステージを覆うチャンバと、
このチャンバ内を真空引きする真空引き部と、
前記チャンバの前記ステージに対向する位置に設けられた管状のガス供給部と、
このガス供給部の先端側の内部に取り付けられ、このガス供給部から供給されるエッチングガスを前記ウェハへ略均等に吹き付けさせるノズルと、
前記ガス供給部に取り付けられ、このガス供給部内のエッチングガス中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させるノズルプラズマ発生部と、
を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1記載のプラズマエッチング装置において、
前記ノズルプラズマ発生部は、前記ガス供給部に低周波電圧を印加してこのガス供給部内を通過するエッチングガス中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させる
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項2記載のプラズマエッチング装置において、
前記ノズルは、直線状の複数の挿通孔が平行に等間隔に設けられて構成されている
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項3記載のプラズマエッチング装置において、
前記ノズルは、前記挿通孔を有する管体を複数備え、これら複数の管体が平行かつ等間隔に集積されて構成されている
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマエッチング装置において、
前記ステージに設けられ、このステージに設置されるウェハを含む領域にプラズマを発生させてエッチングガスをイオン化およびラジカル化させるステージプラズマ発生部を具備する
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項5記載のプラズマエッチング装置において、
前記ステージに設けられ、このステージに設置されるウェハを冷却する冷却部を具備する
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載のプラズマエッチング装置において、
前記ノズルからのエッチングガスの吹き付け方向に交差する方向に前記ステージを移動させるスキャン部を具備する
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - ウェハが設置されるステージと、
このステージを覆うチャンバと、
このチャンバ内を真空引きする真空引き部と、
前記チャンバ内にエッチングガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部に供給されたエッチングガス中にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記ガス供給部からのエッチングガスの吹き付け方向に交差する方向に前記ステージを移動させるスキャン部と、
を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015198083A (ja) * | 2015-02-03 | 2015-11-09 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2020068180A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プラズマジェット生成装置およびプラズマジェット生成方法 |
JP2021040015A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ノズルプラズマ装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232293A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-09-05 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法 |
JP2001244240A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの製造方法 |
JP2005276618A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | マイクロプラズマ生成装置および方法 |
JP2009238837A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010103455A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP2010153783A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Sanyu Seisakusho:Kk | 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
-
2014
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232293A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-09-05 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法 |
JP2001244240A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの製造方法 |
JP2005276618A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | マイクロプラズマ生成装置および方法 |
JP2009238837A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010103455A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP2010153783A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Sanyu Seisakusho:Kk | 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015198083A (ja) * | 2015-02-03 | 2015-11-09 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2020068180A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プラズマジェット生成装置およびプラズマジェット生成方法 |
JP2021040015A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ノズルプラズマ装置 |
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