JP2014207261A - Semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品とともに各リードの一部分が封止樹脂体に封止され、封止樹脂体の側面からリードが外部に延出される樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device in which a part of each lead is sealed with a sealing resin body together with an electronic component, and a lead is extended to the outside from a side surface of the sealing resin body, and a manufacturing method thereof.
半導体チップなどの電子部品とともに、各リードの一部分が封止樹脂体に封止され、封止樹脂体の側面からリードが外部に延出される樹脂封止型の半導体装置を形成する際、上記側面に樹脂バリが生じる。そこで、一般的には、封止樹脂体を成形した後、樹脂バリの打ち抜き除去を行う。このような樹脂バリ(樹脂かす)の除去方法として、特許文献1に記載の方法が知られている。 When forming a resin-encapsulated semiconductor device in which a part of each lead is encapsulated in an encapsulating resin body together with electronic components such as a semiconductor chip, and the leads extend outside from the side surface of the encapsulating resin body, Resin flash occurs. Therefore, generally, after molding the sealing resin body, the resin burr is punched and removed. As a method for removing such resin burrs (resin debris), a method described in Patent Document 1 is known.
特許文献1では、リードフレームごと樹脂バリを打ち抜き除去する。このように、リードフレームごと樹脂バリを打ち抜くには、打ち抜きによる金属ダレなどを抑制するために、上面側からパンチで打ち抜く周辺部位を、下面側からダイで支持した状態で、打ち抜かなければならない。 In Patent Document 1, resin burrs are punched and removed together with the lead frame. Thus, in order to punch the resin burr together with the lead frame, in order to suppress metal sag due to punching, it is necessary to punch the peripheral portion punched from the upper surface side with the die supported from the lower surface side.
このため、特許文献1に記載のように、リードの上下面がほぼ等しく封止樹脂体によって被覆される従来の半導体装置では、封止樹脂体(パッケージ)の際から離れた位置にパンチを当て、パンチと封止樹脂体の際との間をダイで支持し、リードフレームを打ち抜かなければならない。したがって、封止樹脂体から延出されるリードの側面のうち、封止樹脂体の際から所定の範囲に樹脂バリが残る。 For this reason, as described in Patent Document 1, in the conventional semiconductor device in which the upper and lower surfaces of the leads are almost equally covered with the sealing resin body, a punch is applied to a position away from the sealing resin body (package). The lead frame must be punched by supporting the punch and the sealing resin body with a die. Therefore, a resin burr remains in a predetermined range from the side of the sealing resin body on the side surface of the lead extending from the sealing resin body.
このように樹脂バリが残ると、例えば半導体装置をプリント基板に実装する工程において、残存した樹脂バリが半導体装置から脱落してプリント基板に付着し、半導体装置とプリント基板との電気的な接続信頼性を低下させる虞がある。 If the resin burrs remain in this way, for example, in the process of mounting the semiconductor device on the printed circuit board, the remaining resin burrs fall off the semiconductor device and adhere to the printed circuit board, and the electrical connection reliability between the semiconductor device and the printed circuit board is ensured. There is a risk of reducing the performance.
また、樹脂バリの残存をできるだけ少なくしようとすると、リードフレームを支持するダイの先端が細くなり、ダイの早期摩耗や欠損が生じやすくなる。すなわち、リードフレームの切断面の品質や、リードと封止樹脂体との密着性がばらつくという問題が生じる。 In addition, if the residual resin burrs are to be reduced as much as possible, the tip of the die that supports the lead frame becomes thin, and the die is likely to be prematurely worn or broken. That is, there arises a problem that the quality of the cut surface of the lead frame and the adhesion between the lead and the sealing resin body vary.
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、樹脂バリを無くすことができ、且つ、ダイの寿命を伸長することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can eliminate resin burrs and extend the life of a die, and a method for manufacturing the same.
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。 The invention disclosed herein employs the following technical means to achieve the above object. Note that the reference numerals in parentheses described in the claims and in this section indicate a corresponding relationship with specific means described in the embodiments described later as one aspect, and limit the technical scope of the invention. Not what you want.
開示された発明のひとつは、リードフレーム(40)に配置された電子部品(12)と、リードフレームのうち、電子部品と電気的に接続された複数本のリード(14)のそれぞれの一部と、を一体的に覆うように、封止樹脂体(16)を成形する成形工程と、封止樹脂体の上面(16a)、下面(16b)、及び樹脂側面(16c)のうち、樹脂側面に生じて、リードのうち、樹脂側面から外部に延出された延出部(22)のリード側面(14c)に接する樹脂バリ(48)を、打ち抜き除去する除去工程と、を備え、成形工程では、下面及び樹脂側面に開口する凹部(24)を有し、リードのうち、上面側の一面(14a)が封止樹脂体に封止される封止部(26)において、下面側の裏面(14b)の少なくとも一部が凹部により露出するように、封止樹脂体を成形し、除去工程では、封止部の裏面露出部(28)をダイ(52)にて支持しつつ、パンチ(54)により、延出部の幅方向両側を、所定位置から少なくとも封止部との境界まで、樹脂バリとともに打ち抜き除去することを特徴とする。 One of the disclosed inventions is an electronic component (12) disposed on a lead frame (40) and a part of each of a plurality of leads (14) electrically connected to the electronic component of the lead frame. Among the molding step of molding the sealing resin body (16) so as to integrally cover the upper surface (16a), the lower surface (16b), and the resin side surface (16c) of the sealing resin body. And removing the resin burr (48) in contact with the lead side surface (14c) of the extended portion (22) extending from the resin side surface to the outside of the lead, Then, in the sealing portion (26) having a recess (24) opening on the lower surface and the resin side surface, and one surface (14a) of the upper surface side of the lead is sealed by the sealing resin body, the lower surface side rear surface At least part of (14b) is exposed by the recess. In this way, the sealing resin body is molded, and in the removing step, the back surface exposed portion (28) of the sealing portion is supported by the die (52), while the punch (54) is used on both sides in the width direction of the extending portion. Is punched and removed together with a resin burr from a predetermined position to at least a boundary with the sealing portion.
これによれば、リード(14)の延出部(22)を、少なくとも封止部(26)との境界まで、樹脂バリ(48)とともに打ち抜く。したがって、樹脂バリ(48)をすべて除去することができる。すなわち、打ち抜きで残った樹脂バリ(48)が脱落し、例えばプリント基板との間に接続不良が生じるのを抑制することができる。 According to this, the extension part (22) of the lead (14) is punched out together with the resin burr (48) at least to the boundary with the sealing part (26). Therefore, all the resin burrs (48) can be removed. That is, it is possible to prevent the resin burr (48) remaining after the punching from dropping and causing a poor connection with the printed circuit board, for example.
また、リード(14)の裏面露出部(28)が露出するように、封止樹脂体(16)に凹部(24)を設け、凹部(24)から露出する裏面露出部(28)をダイ(52)にて支持するようにした。したがって、樹脂バリ(48)をすべて除去するようにしながらも、リード(14)を支持するダイ(52)の先端の幅を広くし、ひいては、ダイ(52)の寿命を伸長することができる。 Further, the sealing resin body (16) is provided with a recess (24) so that the back surface exposed portion (28) of the lead (14) is exposed, and the back surface exposed portion (28) exposed from the recess (24) is formed as a die ( 52). Therefore, while removing all the resin burrs (48), the width of the tip of the die (52) supporting the lead (14) can be widened, and the life of the die (52) can be extended.
また、裏面露出部(28)をダイ(52)で支持した状態で、パンチ(54)により、リード(14)ごと樹脂バリ(48)を打ち抜き除去する。したがって、リード(14)の切断箇所に金属ダレが生じるのを抑制することもできる。 Further, with the back surface exposed portion (28) supported by the die (52), the resin burrs (48) together with the leads (14) are punched and removed by the punch (54). Therefore, it is also possible to suppress the occurrence of metal sagging at the cut portion of the lead (14).
開示された他の発明は、複数のリード(14)が、封止樹脂体(16)における同一の樹脂側面(16c)から延出され、成形工程では、共通の凹部(24)によって、複数のリードの裏面露出部(28)が露出されるように、封止樹脂体を成形することを特徴とする。 In another disclosed invention, a plurality of leads (14) are extended from the same resin side surface (16c) in the sealing resin body (16), and in the molding process, a plurality of leads (14) are formed by a common recess (24). The sealing resin body is molded so that the back surface exposed portion (28) of the lead is exposed.
これによれば、ダイ(52)の構造を簡素化し、寿命をさらに伸ばすことができる。また、封止樹脂体(16)を成形する成形型についても簡素化することができる。 According to this, the structure of the die (52) can be simplified and the life can be further extended. Moreover, it can simplify also about the shaping | molding die which shape | molds the sealing resin body (16).
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、特に断りのない限り、平面形状とは、封止樹脂体の上面に沿う面の形状を示すものとする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, common or related elements are given the same reference numerals. Unless otherwise specified, the planar shape means a shape of a surface along the upper surface of the sealing resin body.
(第1実施形態)
先ず、半導体装置の概略構成について説明する。図1〜図5に示す半導体装置10は、電子部品12と、複数本のリード14と、封止樹脂体16と、を備えている。
(First embodiment)
First, a schematic configuration of the semiconductor device will be described. The
電子部品12としては、回路基板や半導体チップを採用することができる。本実施形態では、電子部品12として、シリコンなどの半導体基板に、MOSFETなどの素子が形成された半導体チップを採用している。そして、電子部品12は、図4に示すように、アイランド20に固定されるとともに、図示しないボンディングワイヤによって、リード14と電気的に接続されている。
As the
リード14は、電子部品12と外部の機器、例えばプリント基板、とを電気的に中継するものである。このリード14は、リードフレームの一部として構成されている。
The
封止樹脂体16は、各リード14の一部分を、電子部品12とともに封止するものである。この封止樹脂体16は、例えばエポキシ樹脂を用いてトランスファモールド法により形成されている。
The sealing
このように構成される半導体装置10において、リード14は、封止樹脂体16の上面16a、上面16aと反対の下面16b、及び上面16aと下面16bとを繋ぐ樹脂側面16cのうち、樹脂側面16cから外部に延出されている。すなわち、リード14は、封止樹脂体16の外部に延出された延出部22を有している。
In the
また、本実施形態では、図2及び図3に示すように、封止樹脂体16が平面略矩形とされ、共通する樹脂側面16cから、全て(3本)のリード14が同一方向に延出されている。また、リード14は平板状をなしており、半導体装置10はSIP(Single Inline Package)構造をなしている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the sealing
封止樹脂体16は、図3〜図5に示すように、下面16b及び樹脂側面16cに開口する凹部24を有している。ここで、各リード14は、上面16a側の一面14aが封止樹脂体16に封止されている封止部26を有している。この封止部26は、リード14のうち、延出部22を除く部分である。また、各リード14は、一面14aと反対の裏面14b側において、凹部24により封止部26の少なくとも一部が露出されてなる裏面露出部28を有している。
The sealing
本実施形態では、図3に示すように、封止樹脂体16が、裏面露出部28と同数の凹部24を有している。各凹部24は、同一の樹脂側面16cに開口している。そして、各裏面露出部28は、対応する凹部24により、互いに独立して露出されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the sealing
なお、凹部24の平面形状は特に限定されるものではない。本実施形態では、図3に示すように、凹部24が平面略矩形をなしている。そして、リード14の延出方向に直交する幅方向において、凹部24の幅が、裏面露出部28の幅よりも広くなっている。
In addition, the planar shape of the recessed
各リード14は、図3に示すように、延出部22の幅方向両側に、封止部26との境界から所定長さを有して設けられた切り欠き30を有している。そして、延出部22において、両側の切り欠きに挟まれた幅狭部32の幅が、延出方向において、幅狭部32に隣接する延出部22の部分の幅と、封止部26において幅狭部32に隣接する部分の幅よりも狭くされている。本実施形態では、リード14における幅が一定の部分の一部に切り欠き30が設けられている。また、切り欠き30は、幅方向よりも延出方向に長い平面矩形状をなしている。
As shown in FIG. 3, each lead 14 has a
次に、上記した半導体装置10の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
先ず図6に示すように、リードフレーム40を準備する。リードフレーム40は、上記したリード14及びアイランド20だけでなく、外枠42と、リード14間、及び、リード14と外枠42と間を繋ぐタイバー44と、を有している。図6では、1つのリードフレーム40に複数のアイランド20が設けられている。
First, as shown in FIG. 6, a
次に、図7に示すように、Agペーストなどを介して、各アイランド20に電子部品12を固定する。そして、電子部品12とリード14とを、ボンディングワイヤ46により、電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 7, the
次に、図8に示すように、封止樹脂体16を成形する成形工程を実施する。具体的には、エポキシ樹脂を用いて、トランスファモールド法により、封止樹脂体16を成形する。
Next, as shown in FIG. 8, a molding step for molding the sealing
この工程では、リードフレーム40のアイランド20に配置された電子部品12と、複数本のリード14のそれぞれの一部と、を一体的に覆うように、封止樹脂体16を成形する。また、成形にともない、封止樹脂体16の一部として、下面16b及び樹脂側面16cに開口する凹部24を形成する。この凹部24は、リード14の封止部26における裏面14bの少なくとも一部を露出させて、裏面露出部28を形成するために、形成する。
In this step, the sealing
本実施形態では、図3に示したように、幅方向において封止部26全体が露出され、延出方向において、リード14の板厚よりも長い所定長さの範囲が露出されるように、凹部24を形成する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the
ここで、封止樹脂体16の成形にともない、図9に示すように、封止樹脂体16の樹脂側面16cに樹脂バリ48が形成される。樹脂バリ48の一部は、隣り合う延出部22とタイバー44とにより囲まれるダム領域を埋めるように形成される。すなわち、樹脂バリ48は、延出部22においてリード側面14cに接触するように形成される。
Here, as the sealing
このため、成形工程に次いで、樹脂バリ48を除去するための除去工程を実施する。この除去工程では、樹脂バリ48をすべて除去するために、リード14ごと樹脂バリ48を除去する。
For this reason, a removal process for removing the
図9に示す一点鎖線は、打ち抜きライン50を示している。具体的には、図10〜図12に示すように、封止部26の裏面露出部28をダイ52にて支持しつつ、パンチ54により、延出部22の幅方向両側を、所定位置から少なくとも封止部26との境界まで、樹脂バリ48とともに打ち抜く。本実施形態では、図12に示すように、例えば櫛歯状のダイ52を用いて、各裏面露出部28を支持する。
A one-dot chain line shown in FIG. 9 indicates a
なお、図9及び図10は、リードフレーム40の一部分を拡大して図示している。また、図10及び図11では、打ち抜く直前の、パンチ54がリード14に接触した状態を示している。
9 and 10 are enlarged views of a part of the
また、樹脂バリ48を打ち抜く際に、リード14だけでなく、タイバー44も一緒に打ち抜く。すなわち、樹脂バリ48の除去とタイバー44のカットを同時に行う。なお、リード14から離れた部分の樹脂バリ48についても、パンチ54により打ち抜き除去する。
Further, when the
本実施形態では、パンチ54を、延出方向における一端面が、封止樹脂体16の樹脂側面16cに接触するように、配置する。一方、ダイ52を、各裏面露出部28についてそれぞれほぼ全体を支持するように、配置する。なお、封止樹脂体16の寸法、リード14の配置、パンチ54の配置などが公差範囲内でばらついても、樹脂バリ48を除去できるように、パンチ54を封止樹脂体16にオーバーラップさせ、封止樹脂体16の一部を一緒に打ち抜くようにしても良い。
In the present embodiment, the
また、パンチ54を、リード14の延出部22に対し、リード14の板厚以上の幅をもってオーバーラップするように、配置する。これによれば、パンチ54による打ち抜きの寸法精度を向上することができる。
In addition, the
以上の工程を経ることで、半導体装置10を得ることができる。
The
次に、上記した半導体装置10の作用効果について説明する。
Next, the function and effect of the
本実施形態では、樹脂バリ48を打抜き除去する際に、樹脂バリ48とともに、リード14の延出部22を、少なくとも封止部26との境界まで打ち抜く。このように、封止部26との境界まで、リード14とともに樹脂バリ48を打ち抜くので、樹脂バリ48をすべて除去することができる。これにより、打ち抜きで残った樹脂バリ48が脱落し、例えば半導体装置10が配置されるプリント基板との間に、接続不良が生じるのを抑制することができる。
In this embodiment, when the
また、封止樹脂体16の成形時に、リード14の封止部26における裏面露出部28が露出するように、凹部24を形成する。そして、樹脂バリ48を除去する際に、凹部24から露出する裏面露出部28を、ダイ52にて支持するようにしている。したがって、樹脂バリ48をすべて除去するようにしながらも、リード14を支持するダイ52の先端の幅を広くし、ひいては、ダイ52の寿命を伸長することができる。
Further, when the sealing
また、封止部26の裏面露出部28をダイ52で支持した状態で、パンチ54により、リードフレーム40(リード14)ごと樹脂バリ48を打ち抜き除去する。したがって、リード14の切断箇所に金属ダレが生じるのを抑制することもできる。また、封止樹脂体16とリード14との剥離を抑制することもできる。
Further, with the back surface exposed
(第2実施形態)
本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置10と共通する部分についての説明は割愛する。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, description of portions common to the
本実施形態では、図13に示すように、複数のリード14が、封止樹脂体16における同一の樹脂側面16cから延出されている。そして、凹部24は、複数のリードの並び方向(換言すれば、リード14の幅方向)に延設され、共通の凹部24により、複数のリード14の裏面露出部28が露出されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the plurality of
図13に示す例では、第1実施形態同様、同一の樹脂側面16cから、3本のリード14が同一方向に延出されている。そして、凹部24が、平面略矩形状の封止樹脂体16に対し、並び方向の一端から他端まで延設されている。すなわち、凹部24は、連続する3つの樹脂側面16cに開口している。
In the example shown in FIG. 13, as in the first embodiment, three leads 14 extend in the same direction from the same
このような半導体装置10は、基本的に第1実施形態に記載した製造方法により、形成することができる。本実施形態では、成形工程において、連続する3つの樹脂側面16cに開口する凹部24を有するように、封止樹脂体16を成形する。
Such a
また、除去工程において、図14に示すように、すべての裏面露出部28を、共通のダイ52により支持する。図14では、平面略矩形状の封止樹脂体16を並び方向において跨ぐように、ダイ52を配置し、共通のダイ52により、各裏面露出部28についてそれぞれほぼ全体を支持するようにしている。なお、図14では、打ち抜く直前の、パンチ54がリード14に接触した状態を示している。
Further, in the removing step, as shown in FIG. 14, all the back surface exposed
これによれば、ダイ52の構造を簡素化することができる。したがって、ダイ52の寿命をさらに伸ばすことができる。また、封止樹脂体16を成形する成形型についても簡素化することができる。
According to this, the structure of the die 52 can be simplified. Therefore, the life of the die 52 can be further extended. Further, the mold for molding the sealing
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
上記実施形態では、ダイ52により、各裏面露出部28についてそれぞれほぼ全体を支持する例を示した。すなわち、ダイ52が、裏面露出部28のほぼ全体に接触する例を示した。しかしながら、ダイ52は、パンチ54による打ち抜き時に、金属ダレが生じないように、裏面露出部28を支持すれば良い。このため、裏面露出部28のうち、パンチ54が接触する部分に隣接する部分を、少なくとも支持すれば良い。
In the above-described embodiment, an example in which substantially the entire back surface exposed
樹脂封止型の半導体装置10として、SIPの例を示したが、これに限定されるものではない。封止樹脂体16の複数の樹脂側面16cからリード14が延出される構成にも適用することができる。また、リード14の延出部22が屈曲される構成にも適用することができる。
Although an example of the SIP has been shown as the resin-encapsulated
リード14の本数は上記例に限定されるものではない。
The number of
凹部24の形状は平面略矩形に限定されるものではない。凹部24としては、下面16b及び樹脂側面16cに開口し、リード14の封止部26のうち、延出部22との境界から所定範囲の部分を露出させるものであれば採用することができる。
The shape of the
10・・・半導体装置、12・・・電子部品、14・・・リード、14a・・・一面、14b・・・裏面、14c・・・リード側面、16・・・封止樹脂体、16a・・・上面、16b・・・下面、16c・・・樹脂側面、20・・・アイランド、22・・・延出部、24・・・凹部、26・・・封止部、28・・・裏面露出部、30・・・切り欠き、32・・・幅狭部、40・・・リードフレーム、42・・・外枠、44・・・タイバー、46・・・ボンディングワイヤ、48・・・樹脂バリ、50・・・打ち抜きライン、52・・・ダイ、54・・・パンチ
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記封止樹脂体の上面(16a)、下面(16b)、及び樹脂側面(16c)のうち、前記樹脂側面に生じて、前記リードのうち、前記樹脂側面から外部に延出された延出部(22)のリード側面(14c)に接する樹脂バリ(48)を、打ち抜き除去する除去工程と、を備え、
前記成形工程では、前記下面及び前記樹脂側面に開口する凹部(24)を有し、前記リードのうち、前記上面側の一面(14a)が前記封止樹脂体に封止される封止部(26)において、前記下面側の裏面(14b)の少なくとも一部が前記凹部により露出するように、前記封止樹脂体を成形し、
前記除去工程では、前記封止部の裏面露出部(28)をダイ(52)にて支持しつつ、パンチ(54)により、前記延出部の幅方向両側を、所定位置から少なくとも前記封止部との境界まで、前記樹脂バリとともに打ち抜き除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The electronic component (12) disposed on the lead frame (40) and a part of each of the plurality of leads (14) electrically connected to the electronic component in the lead frame are integrally formed. A molding step of molding the sealing resin body (16) so as to cover;
Of the lead, an extended portion that extends to the outside from the resin side surface among the upper surface (16a), the lower surface (16b), and the resin side surface (16c) of the sealing resin body. A removal step of punching and removing the resin burr (48) in contact with the lead side surface (14c) of (22),
In the molding step, a sealing portion (24) having a recess (24) opened on the lower surface and the resin side surface, and one surface (14a) of the upper surface side of the lead is sealed with the sealing resin body ( 26), molding the sealing resin body so that at least a part of the back surface (14b) on the lower surface side is exposed by the recess,
In the removing step, the back surface exposed portion (28) of the sealing portion is supported by the die (52), and at least both sides of the extending portion in the width direction are sealed from the predetermined position by the punch (54). A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the resin burr is removed by punching up to the boundary with the portion.
前記成形工程では、共通の前記凹部(24)によって、複数の前記リードの前記裏面露出部(28)が露出されるように、前記封止樹脂体を成形することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 A plurality of the leads (14) are extended from the same resin side surface (16c) in the sealing resin body (16),
2. The sealing resin body is molded in the molding step so that the back surface exposed portions (28) of the plurality of leads are exposed by the common recess (24). The manufacturing method of the semiconductor device of description.
前記電子部品と電気的に接続された複数のリード(14)と、
各リードの一部分を前記電子部品とともに封止する封止樹脂体(16)と、を備え、
前記封止樹脂体の上面(16a)、下面(16b)、及び樹脂側面(16c)のうち、前記樹脂側面から前記リードが外部に延出された半導体装置であって、
前記封止樹脂体は、前記下面及び前記樹脂側面に開口する凹部(24)を有し、
各リードは、前記上面側の一面(14a)が前記封止樹脂体に封止される封止部(26)に、前記下面側の裏面(14b)の少なくとも一部が前記凹部によって露出されてなる裏面露出部(28)を有し、
各リードは、前記樹脂側面から外部に延出された延出部(22)の幅方向両側に、前記封止部との境界から所定長さを有して設けられた切り欠き(30)を有し、
前記延出部において両側の前記切り欠きに挟まれた幅狭部(32)の幅が、前記延出部において前記幅狭部に隣接する部分の幅と、前記封止部において前記幅狭部に隣接する部分の幅よりも狭くされていることを特徴とする半導体装置。 An electronic component (12);
A plurality of leads (14) electrically connected to the electronic component;
A sealing resin body (16) for sealing a part of each lead together with the electronic component,
Of the upper surface (16a), the lower surface (16b), and the resin side surface (16c) of the sealing resin body, the lead is extended to the outside from the resin side surface,
The sealing resin body has a recess (24) that opens in the lower surface and the resin side surface,
In each lead, one surface (14a) on the upper surface side is exposed to the sealing portion (26) sealed with the sealing resin body, and at least a part of the rear surface (14b) on the lower surface side is exposed by the recess. A back surface exposed portion (28)
Each lead has a notch (30) provided with a predetermined length from the boundary with the sealing portion on both sides in the width direction of the extending portion (22) extending outward from the resin side surface. Have
The width of the narrow part (32) sandwiched between the notches on both sides in the extension part is the width of the part adjacent to the narrow part in the extension part, and the narrow part in the sealing part. A semiconductor device characterized in that it is narrower than the width of the portion adjacent to.
前記凹部(24)は、複数の前記リードの並び方向に延設され、
共通の前記凹部により、複数の前記リードの前記裏面露出部(28)が露出されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 A plurality of the leads (14) are extended from the same resin side surface (16c) in the sealing resin body (16),
The recess (24) extends in the direction in which the leads are arranged,
The semiconductor device according to claim 3, wherein the back surface exposed portions (28) of the plurality of leads are exposed by the common concave portion.
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331128A (en) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Nec Corp | Removal of resin tailing |
JPH0286142U (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-09 | ||
JPH0661363A (en) * | 1992-02-12 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device, manufacturing method and device thereof, and carrier and test jig |
US5666064A (en) * | 1991-10-17 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
JPH09260570A (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device, and manufacture of mold type semiconductor device |
JP2006049690A (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor package, its manufacturing process and semiconductor device |
-
2013
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6331128A (en) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Nec Corp | Removal of resin tailing |
JPH0286142U (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-09 | ||
US5666064A (en) * | 1991-10-17 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
JPH0661363A (en) * | 1992-02-12 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device, manufacturing method and device thereof, and carrier and test jig |
JPH09260570A (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device, and manufacture of mold type semiconductor device |
JP2006049690A (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor package, its manufacturing process and semiconductor device |
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