JP2014194067A5 - キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法 Download PDF

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  1. キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面には粗化処理層を有し
    以下の(A)〜(C)のいずれか一つ以上を満たし、
    (A)前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したRzが1.6μm以下である、
    (B)前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したRaが0.3μm以下である、
    (C)前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したRtが2.3μm以下である、
    前記中間層はNiを含み、
    JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、XPSによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)のクロムの原子濃度(%)をe(x)とし、亜鉛の原子濃度(%)をf(x)とし、ニッケルの原子濃度(%)をg(x)とし、銅の原子濃度(%)をh(x)とし、酸素の合計原子濃度(%)をi(x)とし、炭素の原子濃度(%)をj(x)とし、その他の原子濃度(%)をk(x)とすると、
    前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が5.0%以下を満たすキャリア付銅箔。
  2. JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[1.0、4.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が1.0%以下を満たす請求項に記載のキャリア付銅箔。
  3. 以下の(D)〜(G)を一つ以上満たす請求項1または2のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
    (D)前記極薄銅層表面は、Sskが−0.3〜0.3である
    (E)前記極薄銅層表面は、Skuが2.7〜3.3である、
    (F)極薄銅層表面の表面積比が1.05〜1.5である、
    (G)極薄銅層表面の面積66524μm 2 当たりの体積が300000〜500000μm 3 である。
  4. JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が0.1%以上5.0%以下、且つ、区間[1.0、4.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が0.1%以上1.0%以下を満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  5. JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が3.0%以下を満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  6. JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側のXPSによる表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫e(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が2.0%以下を満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  7. 前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力:20kgf/cm2、220℃×2時間の条件で熱圧着させ、JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、XPSによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)のクロムの原子濃度(%)をe(x)とし、亜鉛の原子濃度(%)をf(x)とし、ニッケルの原子濃度(%)をg(x)とし、銅の原子濃度(%)をh(x)とし、酸素の合計原子濃度(%)をi(x)とし、炭素の原子濃度(%)をj(x)とし、その他の原子濃度(%)をk(x)とすると、
    前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が20.0%以下であるか又は1.0%以上であるか又は1.0%以上20.0%以下であるかのいずれかを満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  8. 前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力:20kgf/cm2、220℃×2時間の条件で熱圧着させ、JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、XPSによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)のクロムの原子濃度(%)をe(x)とし、亜鉛の原子濃度(%)をf(x)とし、ニッケルの原子濃度(%)をg(x)とし、銅の原子濃度(%)をh(x)とし、酸素の合計原子濃度(%)をi(x)とし、炭素の原子濃度(%)をj(x)とし、その他の原子濃度(%)をk(x)とすると、
    前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間[1.0、4.0]において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が10.0%以下であるか又は1.0%以上であるか又は1.0%以上10.0%以下であるかのいずれかを満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  9. 前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力:20kgf/cm2、220℃×2時間の条件で熱圧着させ、JIS C 6471に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側のXPSによる表面からの深さ方向分析の区間[0、1.0]において、∫e(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が3.0%以下を満たす請求項1〜のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
  10. 以下の(H)〜(Q)のいずれか一つを満たす請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
    (H)前記中間層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか1種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層がこの順で積層されて構成されている
    (I)前記(H)を満たし、且つ、前記クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層がクロメート処理層を含む、
    (J)前記中間層は、亜鉛を含む、
    (K)前記中間層は、前記キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金のいずれか1種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか1種の層がこの順で積層されて構成されている、
    (L)前記中間層は、前記キャリア上に、
    ニッケル層またはニッケル−亜鉛合金層、及び、亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されている、又は、
    ニッケル−亜鉛合金層、及び、純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されており、
    前記中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm 2 、クロムの付着量が5〜100μg/dm 2 、亜鉛の付着量が1〜70μg/dm 2 である、
    (M)前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、
    前記中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm 2 である、
    (N)前記中間層は、前記キャリア上に窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成されており、
    前記中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm 2 である、
    (O)前記中間層が有機物を厚みで25nm以上80nm以下含有する、
    (P)前記(M)または前記(N)を満たし、且つ、前記中間層が有機物を厚みで25nm以上80nm以下含有する、
    (Q)前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金のいずれか1種以上を含む層の順で積層されて構成されており、
    前記中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm 2 であり、モリブデンが含まれる場合にはモリブデンの付着量が10〜1000μg/dm 2 、コバルトが含まれる場合にはコバルトの付着量が10〜1000μg/dm 2 である。
  11. 以下の(R)〜(T)のいずれか一つを満たす請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
    (R)前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する
    (S)前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有し、且つ、当該耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える
    (T)前記粗化処理層上に樹脂層を備える。
  12. 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法
  13. 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法
  14. 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
    前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
    前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
    その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
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