JP2014183639A - 電源装置および照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
高周波動作するスイッチング素子を実装する基板の絶縁劣化の抑制および絶縁性能の向上をすることができる電源装置および照明装置を提供することである。
【解決手段】
実施形態の電源装置は、第1端子および第2端子を有するスイッチング素子と、第3端子および第4端子を有するインダクタと、前記スイッチング素子の前記第1端子および前記インダクタの前記第4端子が接続された第1基板と、前記スイッチング素子の前記第2端子と前記インダクタの前記第3端子とを電気的に接続するとともに、前記第1基板から離間して設けられた導電経路とを持つ。
【選択図】図1
高周波動作するスイッチング素子を実装する基板の絶縁劣化の抑制および絶縁性能の向上をすることができる電源装置および照明装置を提供することである。
【解決手段】
実施形態の電源装置は、第1端子および第2端子を有するスイッチング素子と、第3端子および第4端子を有するインダクタと、前記スイッチング素子の前記第1端子および前記インダクタの前記第4端子が接続された第1基板と、前記スイッチング素子の前記第2端子と前記インダクタの前記第3端子とを電気的に接続するとともに、前記第1基板から離間して設けられた導電経路とを持つ。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、電源装置および照明装置に関する。
スイッチング素子を利用したスイッチング電源は、省電力・小型化に適した電源として各種の広範な用途に利用されている。その一例として、照明の電源としても用いられる。近年、照明装置においては、照明光源は白熱電球や蛍光灯から省エネルギー・長寿命の光源、例えば発光ダイオード(Light-emitting diode:LED)への置き換えが進んでいる。また、例えば、有機発光ダイオード(Organic light-emitting diode:OLED)など新たな照明光源も開発されている。
特許文献1のLED点灯装置は、スイッチング素子のスイッチング周波数の高周波化により小型の受動素子を用いることができるので、LED点灯装置を小型化できる。
しかしながら、汎用的な基板、例えば、ガラスエポキシ樹脂を主材料とする基板に高周波動作するスイッチング素子を実装する場合、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、有機系材料を主材料とする汎用的な基板が絶縁劣化する虞がある。
一方、無機系材料、例えば、金属、セラミック、ガラス等を主材料とする基板にスイッチング素子を実装した場合、絶縁劣化を抑制できるが、無機系材料を主材料とする基板を用いることでコストが上昇する。
本発明が解決しようとする課題は、高周波動作するスイッチング素子を実装する基板の絶縁劣化の抑制および絶縁性能の向上をすることができる電源装置および照明装置を提供することである。
実施形態の電源装置は、第1端子および第2端子を有するスイッチング素子と、第3端子および第4端子を有するインダクタと、前記スイッチング素子の前記第1端子および前記インダクタの前記第4端子が接続された第1基板と、前記スイッチング素子の前記第2端子と前記インダクタの前記第3端子とを電気的に接続するとともに、前記第1基板から離間して設けられた導電経路とを持つ。
本発明によれば、高周波動作するスイッチング素子を実装する基板の絶縁劣化の抑制および絶縁性能の向上をすることが期待できる。
(第1の実施形態)第1の実施形態の電源装置は、第1端子および第2端子を有するスイッチング素子と、第3端子および第4端子を有するインダクタと、前記スイッチング素子の前記第1端子および前記インダクタの前記第4端子が接続された第1基板と、前記スイッチング素子の前記第2端子と前記インダクタの前記第3端子とを電気的に接続するとともに、前記第1基板から離間して設けられた導電経路とを持つ。
(第2の実施形態)第2の実施形態の電源装置は、第1の実施形態の電源装置において、前記導電経路が設けられた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた接続部材とを備えたことを特徴とする。
(第3の実施形態)第3の実施形態の照明装置は、第1または第2の実施形態の電源装置と、前記電源装置に接続された照明負荷とを備えたことを特徴とする。
(第3の実施形態)第3の実施形態の照明装置は、第1または第2の実施形態の電源装置と、前記電源装置に接続された照明負荷とを備えたことを特徴とする。
以下、実施例1のスイッチング電源装置3を図面を参照して説明する。図1は、実施例1のスイッチング電源装置3および照明装置1の全体構成を示す回路図である。図2は、同じく実施例1のスイッチング電源装置3の部分構成を示す断面図である。図2(a)は、図1の回路Aの断面図である。また、図2(b)は、図1の回路Bの断面図である。
以下、実施例1について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の形状と幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
照明装置1は、照明負荷2と、スイッチング電源装置3とを備えている。照明負荷2は、例えばLEDなどの照明光源4を有し、スイッチング電源装置3から電力を供給されて点灯する。
スイッチング電源装置3は、交流電源5から供給される交流電圧を直流電圧に変換するAC−DC変換回路6、スイッチング素子7、定電流素子8、整流素子9、及びスイッチング素子7を制御し定電流素子8の定電流値を設定する駆動回路11を備えている。なお、スイッチング電源装置3からAC−DC変換回路6を除いた部分は、DC−DCコンバータを構成している。
AC−DC変換回路6は、入力コンデンサ19、整流回路20、チョークコイル21、平滑コンデンサ22を有する。入力コンデンサ19は、一対の入力端子23、24に接続される。整流回路20は、ダイオードブリッジで構成され、一対の入力端子23、24を介して交流電源5から交流電圧が入力される。整流回路20から出力される直流電圧(脈流電圧)は、チョークコイル21と平滑コンデンサ22で構成されたローパスフィルタで平滑化される。なお、交流電源5は、例えば商用電源である。
スイッチング素子7のドレインは、平滑コンデンサ22の一端(正極側)に接続され、スイッチング素子7のソースは、定電流素子8のドレインに接続される。スイッチング素子7のゲートは、駆動回路11の結合コンデンサ15を介して、帰還巻き線13の一端に接続される。
定電流素子8のソースは、インダクタ12の一端と帰還巻き線13の他端とに接続され、定電流素子8のゲートは、駆動回路11の分割抵抗16、17の接続点に接続される。また、分割抵抗16、17には、バイアス抵抗を介して平滑コンデンサ22の電圧が供給されている。その結果、定電流素子8のゲートには、定電流素子8のソースに対して負極性の電位が供給される。なお、分割抵抗16は、可変抵抗であり、分割抵抗16の抵抗値を変化させて、定電流素子8の定電流値を調整することができる。
整流素子9は、定電流素子8のソースと平滑コンデンサ22の他端(負極側)との間に、平滑コンデンサ22の他端から定電流素子8の方向を順方向として接続されている。
インダクタ12の他端は、高電位出力端子25に接続され、平滑コンデンサ22の他端は、低電位出力端子26に接続される。また、出力コンデンサ18は、高電位出力端子25と低電位出力端子26との間に接続される。
なお、インダクタ12と帰還巻き線13とは、インダクタ12の一端から他端の方向、すなわち定電流素子8のソースまたは整流素子9のカソードから高電位出力端子25の方向に増加する電流が流れるとき、スイッチング素子7のゲートにソースに対して負極性の電圧が供給される極性で磁気結合している。また、インダクタ12と帰還巻き線13とは、トランス14を構成している。
また、スイッチング素子7及び定電流素子8は、例えば高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)であり、例えばGaN系HEMTであり、ノーマリオン形の素子である。スイッチング素子7、定電流素子8及び整流素子9は、半導体素子10として集積化されている。また、スイッチング素子7及び定電流素子8のそれぞれのゲートには、保護ダイオードが接続される。スイッチング素子7及び定電流素子8のそれぞれのゲートに接続され、ゲート電位を供給する結合コンデンサ15、分割抵抗16、17、保護ダイオードは、駆動回路11を構成している。
照明負荷2は、高電位出力端子25と低電位出力端子26との間に、出力コンデンサ18と並列に接続される。
次に、スイッチング電源装置3の動作について説明する。
交流電源5から電源電圧が供給されると、平滑コンデンサ22の両端には、直流電圧が生成される。
照明負荷2は、高電位出力端子25と低電位出力端子26との間に、出力コンデンサ18と並列に接続される。
次に、スイッチング電源装置3の動作について説明する。
交流電源5から電源電圧が供給されると、平滑コンデンサ22の両端には、直流電圧が生成される。
平滑コンデンサ22の両端に直流電圧が生成されるとき、スイッチング素子7及び定電流素子8は、ノーマリオン形の素子であるため、いずれもオンしている。そして、スイッチング素子7、定電流素子8、インダクタ12、出力コンデンサ18の経路で電流が流れ、出力コンデンサ18が充電される。出力コンデンサ18の両端の電圧、すなわち高電位出力端子25と低電位出力端子26との間の電圧は、スイッチング電源装置3の出力電圧として、照明負荷2の照明光源4に供給される。
出力電圧が所定電圧に達すると、照明光源4に出力電流が流れ、照明光源4が点灯する。このとき、スイッチング素子7、定電流素子8、インダクタ12、出力コンデンサ18及び照明光源4の経路で電流が流れる。例えば、照明光源4がLEDの場合、この所定電圧は、LEDの順方向電圧であり、照明光源4に応じて定まる。
インダクタ12を流れる電流は、時間とともに増加し、帰還巻き線13には、結合コンデンサ15側を高電位とする極性の起電力が誘起される。そのため、スイッチング素子7のゲートには、結合コンデンサ15を介してソースに対して正の電位が供給され、スイッチング素子7は、オンの状態を維持する。
定電流素子8を流れる電流が定電流値を超えると、定電流素子8のドレイン・ソース間電圧は、急激に上昇する。そのため、スイッチング素子7のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧よりも低くなり、スイッチング素子7はオフする。なお、定電流値は、定電流素子8の飽和電流値であり、分割抵抗16、17から定電流素子8のゲートに入力される電位により規定される。なお、上記のとおり、定電流素子8のゲート電位は、ソースに対して負電位のため、飽和電流値を適正値に制限することができる。
インダクタ12は、整流素子9、出力コンデンサ18及び照明負荷2、インダクタ12の経路で電流を流し続ける。このとき、インダクタ12は、エネルギーを放出するため、インダクタ12の電流は、減少していく。そのため、帰還巻き線13には、結合コンデンサ15側を低電位とする極性の起電力が誘起される。スイッチング素子7のゲートには、結合コンデンサ15を介してソースに対して負の電位が供給され、スイッチング素子7はオフの状態を維持する。
インダクタ12に蓄積されていたエネルギーがゼロになると、インダクタ12を流れる電流はゼロになる。帰還巻き線13に誘起される起電力の方向が再び反転し、結合コンデンサ15側を高電位とするような起電力が誘起される。これにより、スイッチング素子7のゲートにソースよりも高い電位が供給され、スイッチング素子7がオンする。これにより、上記の出力電圧が所定電圧に達した状態に戻る。
以後、上記の動作を繰り返す。これにより、スイッチング素子7のオン及びオフへの切替が自動的に繰り返されて、照明光源4には交流電源5から供給される電源電圧を平滑化した直流電圧を降下した出力電圧が供給される。また、照明光源4に供給される電流は、定電流素子8により定電流値に制限される。そのため、照明光源4を安定に点灯させることができる。また、上記のとおり、この定電流値は、分割抵抗16の抵抗値を変化させることにより調整可能である。
実施例1においては、スイッチング素子7及び定電流素子8が、GaN系HEMTのため、スイッチング周波数を高周波化することができ、例えば10MHz程度にすることができる。その結果、インダクタ12、帰還巻き線13を構成するトランス14を小型化することができる。
なお、実施例1においては、AC−DC変換回路6を備え、交流電源5から供給される電源電圧を直流電圧に変換し、DC−DCコンバータにより直流電圧を降下して出力する構成を例示した。しかし、AC−DC変換回路6を省略して、直流電源から供給される直流電圧をDC−DCコンバータにより降下して出力する構成としてもよい。
スイッチング電源装置3のスイッチング素子7、定電流素子8、整流素子9およびインダクタ12以外の電子部品は、第1基板27に実装されている。第1基板27は、例えば紙フェノール基板であり、例えばガラスエポキシ基板である。第1基板27の表面には、導電路31が形成されている。導電路31は、銅から形成される。
図1に示す回路Aは、スイッチング素子7、定電流素子8およびインダクタ12からなる。回路Aにおいて、スイッチング素子7のドレイン(第1端子t1)は、平滑コンデンサ22の一端(正極側)に接続され、スイッチング素子7のソースは、定電流素子8のドレインに接続される。また、定電流素子8のソース(第2端子t2)は、インダクタ12の一端(第3端子t3)に接続される。さらに、インダクタ12の他端(第4端子t4)は、高電位出力端子25に接続される。
図2(a)において、半導体素子10の第1端子t1、すなわち、スイッチング素子、例えば、スイッチング素子7の主電極の一つであるドレイン電極は、第1基板27に半田により実装され、第1基板27の導電経路31に電気的かつ機械的に接続されている。半導体素子10の第2端子t2、すなわち、スイッチング素子、例えば、定電流素子8の主電極の一つであるソース電極は、導電経路30に半田を介して接続され、第2端子t2と導電経路30とは電気的かつ機械的に接続されている。
また、導電経路30とインダクタ12の一端の端子である第3端子t3とは、半田を介して接続され、第3端子t3と導電経路30とは電気的かつ機械的に接続されている。
導電経路30は、第1基板27と離間して形成され、銅から形成されている。
導電経路30は、第1基板27と離間して形成され、銅から形成されている。
インダクタ12の他端の端子である第4端子t4と第1基板27上に形成された導電経路31とは、半田を介して接続され、第4端子t4と導電経路31とは電気的かつ機械的に接続されている。
導電経路30は、スイッチング素子7の高周波スイッチング動作により、高周波電圧が印加されるため、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、ガラスエポキシ樹脂からなる第1基板27が絶縁劣化することを抑制するために、導電経路30は、第1基板27から離間して設けられている。導電経路30は、第1基板27から離間して設けられているので、スイッチング素子7の高周波スイッチング動作により、高周波電圧が印加され、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、ガラスエポキシ樹脂からなる第1基板27が絶縁劣化することを抑制することができる。
図1に示す回路Bは、整流素子9とインダクタ12とからなる。回路Bにおいて、整流素子9は、定電流素子8のソースと平滑コンデンサ22の他端(負極側)との間に、平滑コンデンサ22の他端から定電流素子8の方向を順方向として接続されている。すなわち、整流端子9のアノード(第5端子t5)は、平滑コンデンサ22の他端(負極側)に接続されている。定電流素子8のソースと整流素子9のカソードとの接続点(第2端子t2)は、インダクタ12の一端(第3端子t3)に接続される。さらに、インダクタ12の他端(第4端子t4)は、高電位出力端子25に接続される。
図2(b)において、半導体素子10の第5端子t5、すなわち、整流素子9のアノードは、第1基板27に半田により実装され、第1基板27の導電経路31に電気的かつ機械的に接続されている。半導体素子10の第2端子t2、すなわち、定電流素子8のソースと整流素子9のカソードとの接続点(第2端子t2)は、導電経路30に半田を介して接続され、第2端子t2と導電経路30とは電気的かつ機械的に接続されている。
また、導電経路30とインダクタ12の一端の端子である第3端子t3とは、半田を介して接続され、第3端子t3と導電経路30とは電気的かつ機械的に接続されている。
インダクタ12の他端の端子である第4端子t4と第1基板27上に形成された導電経路31とは、半田を介して接続され、第4端子t4と導電経路31とは電気的かつ機械的に接続されている。
導電経路30は、スイッチング素子7の高周波スイッチング動作により、高周波電圧が印加されるため、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、ガラスエポキシ樹脂からなる第1基板27が絶縁劣化することを抑制するために、導電経路30は、第1基板27から離間して設けられている。導電経路30は、第1基板27から離間して設けられているので、スイッチング素子7の高周波スイッチング動作により、高周波電圧が印加され、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、ガラスエポキシ樹脂からなる第1基板27が絶縁劣化することを抑制することができる。
なお、図2(a)の回路Aおよび図2(b)の回路Bにおいて、導電経路30は第2基板28上に設けられてもよい。第2基板28は、無機系材料、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)、例えば窒化アルミニウム(AlN)を含むセラミック基板であってもよいし、金属またはガラス等を主材料とする基板であってもよい。
さらに、第1基板27と第2基板28との間には、接続部材29が設けられてもよい。接続部材29は、例えば、無機系材料、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)、例えば窒化アルミニウム(AlN)を含むセラミック基板であってもよいし、金属またはガラス等を主材料とする基板であってもよい。接続部材29を第1基板27と第228との間に設けることにより、スイッチング素子7の高周波スイッチング動作により、高周波電圧が印加され、スイッチング素子の高周波動作に伴う漏洩電流により、ガラスエポキシ樹脂からなる第1基板27が絶縁劣化することを抑制することをさらに高めることができる。
以上、具体例を参照しつつ実施例について説明したが、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、スイッチング電源装置におけるDC−DCコンバータの構成は、図1に表した構成に限定されない。直流電圧を降圧できればよく他の構成でもよい。
以上、具体例を参照しつつ実施例について説明したが、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、スイッチング電源装置におけるDC−DCコンバータの構成は、図1に表した構成に限定されない。直流電圧を降圧できればよく他の構成でもよい。
また、スイッチング素子7及び定電流素子8はGaN系HEMTには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)やダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体(ワイドバンドギャップ半導体)を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約1.4eVのヒ化ガリウム(GaAs)よりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが1.5eV以上の半導体、リン化ガリウム(GaP、バンドギャップ約2.3eV)、窒化ガリウム(GaN、バンドギャップ約3.4eV)、ダイヤモンド(C、バンドギャップ約5.27eV)、窒化アルミニウム(AlN、バンドギャップ約5.9eV)、炭化ケイ素(SiC)などが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、耐圧を等しくする場合、シリコン半導体素子よりも小さくできるために寄生容量が小さく、高速動作が可能なため、スイッチング周波数を高くすることができ、インダクタなどの巻線部品やコンデンサなどの小形化が可能となる。
また、照明光源4はLEDに限らず、OLEDなどでもよく、照明負荷2には、複数個の照明光源4が直列又は並列に接続されていてもよい。
また、照明光源4はLEDに限らず、OLEDなどでもよく、照明負荷2には、複数個の照明光源4が直列又は並列に接続されていてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1・・・照明装置
2・・・照明負荷
3・・・電源装置
7、8・・・スイッチング素子
12・・・インダクタ
27・・・第1基板
28・・・第2基板
29・・・接続部材
30・・・導電経路
t1・・・第1端子
t2・・・第2端子
t3・・・第3端子
t4・・・第4端子
2・・・照明負荷
3・・・電源装置
7、8・・・スイッチング素子
12・・・インダクタ
27・・・第1基板
28・・・第2基板
29・・・接続部材
30・・・導電経路
t1・・・第1端子
t2・・・第2端子
t3・・・第3端子
t4・・・第4端子
Claims (3)
- 第1端子および第2端子を有するスイッチング素子と、
第3端子および第4端子を有するインダクタと、
前記スイッチング素子の前記第1端子および前記インダクタの前記第4端子が接続された第1基板と、
前記スイッチング素子の前記第2端子と前記インダクタの前記第3端子とを電気的に接続するとともに、前記第1基板から離間して設けられた導電経路と
を備えた電源装置。 - 前記導電経路が設けられた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた接続部材と
を備えた請求項1記載の電源装置。 - 請求項1または2に記載の電源装置と、
前記電源装置に接続された照明負荷と、
を備えた照明装置。
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