JP2014181969A - Testing apparatus and testing method - Google Patents
Testing apparatus and testing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014181969A JP2014181969A JP2013055568A JP2013055568A JP2014181969A JP 2014181969 A JP2014181969 A JP 2014181969A JP 2013055568 A JP2013055568 A JP 2013055568A JP 2013055568 A JP2013055568 A JP 2013055568A JP 2014181969 A JP2014181969 A JP 2014181969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- devices
- unit
- test
- current value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、試験装置および試験方法に関し、例えば、同時に複数のデバイスを試験する試験装置および試験方法に関する。 The present invention relates to a test apparatus and a test method, for example, a test apparatus and a test method for testing a plurality of devices simultaneously.
LSI(Large Scale Integrated Circuit)等のデバイス(DUT:Device Under Test)の試験時間短縮のため、LSIテスター等の試験装置を用い複数のデバイスを同時に試験する試験方法が知られている(例えば、特許文献1から5)。一つの電源から複数のデバイスに電源電圧を供給することが知られている(例えば特許文献1から4)。複数の電源から一つのデバイスに電源電圧を供給することが知られている(例えば特許文献5)。
In order to shorten the test time of a device (DUT: Device Under Test) such as an LSI (Large Scale Integrated Circuit), a test method for testing a plurality of devices simultaneously using a test apparatus such as an LSI tester is known (for example, patents).
試験装置の電源ユニットの数や電流供給量の上限により、同時に試験できるデバイスの数が限られる。これにより、試験時間の短縮が妨げられる。 The number of devices that can be tested simultaneously is limited by the number of power supply units of the test apparatus and the upper limit of the current supply amount. This prevents the test time from being shortened.
本試験装置および試験装置は、試験時間を短縮することを目的とする。 The purpose of the present test apparatus and test apparatus is to shorten the test time.
複数のデバイスに電気的に接続される複数の端子と、前記複数の端子を介し、前記複数のデバイスに電圧を印加する複数の電源ユニットと、前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出し、前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定する制御部と、を具備することを特徴とする試験装置を用いる。 A plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices, a plurality of power supply units for applying a voltage to the plurality of devices via the plurality of terminals, and a current value flowing during a test for each of the plurality of devices And a control unit that determines a device group having, as constituent elements, devices to be simultaneously tested among the plurality of devices based on the current value, using a test apparatus.
複数のデバイスに電気的に接続される複数の端子と、前記複数の端子を介し、前記複数のデバイスに電圧を印加する複数の電源ユニットと、を具備する試験装置を用いた試験方法であって、前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出するステップと、前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定するステップと、を含むことを特徴とする試験方法を用いる。 A test method using a test apparatus comprising: a plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices; and a plurality of power supply units that apply voltages to the plurality of devices through the plurality of terminals. A step of calculating a current value flowing during a test for each of the plurality of devices, and a step of determining a device group including a device to be tested simultaneously among the plurality of devices based on the current value. A test method characterized by
本試験装および試験装置によれば、試験時間を短縮することができる。 According to the present test equipment and test apparatus, the test time can be shortened.
以下、実施例について説明する。 Examples will be described below.
まず、実施例1が用いられる試験システムの例を説明する。図1(a)および図1(b)は、試験システムの側面図である。図1(b)は、図1(a)のヘッド付近の拡大図である。図1(a)を参照し、試験システム102は、LSIテスター11とウエーハプローバ12を含んでいる。LSIテスター11は、本体10とヘッド14を備えている。ヘッド14は、ウエーハプローバ12上に配置される。ヘッド14は、ウエーハプローバ12上から容易に離脱可能である。
First, an example of a test system in which Example 1 is used will be described. 1 (a) and 1 (b) are side views of the test system. FIG. 1B is an enlarged view of the vicinity of the head of FIG. With reference to FIG. 1A, the
図1(b)を参照し、ウエーハプローバ12のステージ16上にウエーハチャック18が設けられている。ウエーハチャック18は、ウエーハ20を脱着可能である。ウエーハ20にプローブ22が接触する。プローブ22は、プローブカード24に固定されている。プローブカード24のプローブ22は、コンタクトピン26を介してヘッド14に電気的に接続される。ヘッド14には、リレーが設けられている。ヘッド14は、リレーを用いることにより、任意のプローブ22に本体10に設けられた電源部を電気的に接続できる。また、任意のプローブ22を本体10に設けられた測定部に電気的に接続できる。ウエーハプローバ12は、ステージ16を上下させることにより、ウエーハ20をプローブ22に接触または離脱できる。また、ウエーハプローバ12は、ステージ16を横方向に移動させることにより、ウエーハ20の任意の箇所にプローブ22を接触させることができる。
Referring to FIG. 1B, a
図2(a)および図2(b)は、それぞれウエーハおよびチップの平面図である。図2(a)を参照し、例えばシリコンウエーハであるウエーハ20には、マトリックス状にチップ30が形成されている。各チップ30は同じパターンである。図2(b)を参照し、チップ30には、回路領域31とパッド33が形成されている。回路領域31は、LSIの回路が形成されている領域である。パッド33は、回路領域31の外側に形成され、プローブ22と接触する金属層である。パッド33と回路領域31とは電気的に接続されている。
2A and 2B are plan views of the wafer and the chip, respectively. Referring to FIG. 2A, chips 30 are formed in a matrix on a
図3(a)および図3(b)は、プローブの例を示す平面図である。なお、図3(a)および図3(b)において、プローブ22が固定されたプローブカードと、チップ30に形成されたパッドと、は図示を省略している。図3(a)を参照し、2つのチップ30に同時にプローブ22が接触できる。図3(b)を参照し、5つのチップ30に同時にプローブ22が接触できる。このように、実施例1においては、複数のプローブ22(端子)が複数のチップ30(デバイス)に同時に電気的に接続することができる。LSIテスター11は、プローブ22が接触したチップ30の機能試験を行なう。機能試験は、例えばテスト容易化設計(DFT:Design For Test)されたLSIの機能試験である。
FIG. 3A and FIG. 3B are plan views showing examples of probes. 3A and 3B, the probe card to which the
次に、複数のデバイスを同時に試験する比較例について説明する。図4は、比較例1を示すブロック図である。図4を参照し、電源部47aに8台の電源ユニット50(ユニット)が設けられている。電源部47aは、例えば本体10内に設けられている。デバイス52は、例えばチップ30である。電源ユニット50は、試験のときにプローブ22(端子)を介しデバイス52にそれぞれ複数の電圧(例えば3.3V、2.5V、1.8Vおよび1.1Vの電源電圧)を供給する。
Next, a comparative example for simultaneously testing a plurality of devices will be described. FIG. 4 is a block diagram illustrating the first comparative example. Referring to FIG. 4, eight power supply units 50 (units) are provided in
例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等のシステムLSIにおいては、技術の進歩により複数のチップに設けていた機能を1つのチップで実現する。このため、試験のときに1つのチップに複数の電源電圧を供給することになる。比較例1は、このような場合に相当する。 For example, in a system LSI such as an application specific integrated circuit (ASIC), functions provided in a plurality of chips are realized by a single chip due to technological progress. For this reason, a plurality of power supply voltages are supplied to one chip during the test. Comparative example 1 corresponds to such a case.
比較例1では、1つのデバイス52に4つの電源ユニット50を接続するため、同時に試験できるデバイス数は限られてしまう。
In Comparative Example 1, since four
図5は、比較例2を示すブロック図である。図5を参照し、1.1Vを供給する電源ユニット50gが5台設けられている。5台の電源ユニット50gはそれぞれデバイス52に電気的に接続されている。3.3V、2.5Vおよび2.8Vを供給する電源ユニット50fは1台ずつ設けられている。各電源ユニット50fは並列にデバイス52に電気的に接続される。各電源ユニット50と各デバイス52との間にはリレー54が設けられている。リレー54は、例えば図1(a)のヘッド14内に設けられている。リレー54をオンすると、対応する電源ユニット50fとデバイス52とを接続できる。
FIG. 5 is a block diagram showing the second comparative example. Referring to FIG. 5, five
比較例2によれば、大電流量が要求される電圧を供給する電源ユニット50gをそれぞれデバイス52に対応させる。一方、大電流の要求されない電圧を供給する電源ユニット50fは、リレー54を用い複数のデバイス52に電圧を並列に供給する。例えば、各電源ユニット50fは、5台のデバイス52に並列の電源電圧を供給する。これにより、同時に試験できるデバイス52の数を増加できる。
According to the comparative example 2, each
図2(a)に示すようなウエーハ20において、ウエーハ面内でチップ30のリーク電流Iddqの大きさが異なることがある。リーク電流Iddqは、デバイス(この例ではチップ30)に電源電圧を供給しかつ信号を入力しない場合に、電源ユニットに流れる電流である。例えばリーク電流Iddqは、ウエーハ面内で同心円状の分布を有する。例えばウエーハ20の周辺においてリーク電流Iddqが大きくなる。ウエーハ面内のリーク電流の大きさの差が2倍以上となることもある。
In the
例えば図3(b)のプローブを用い図2(a)に示す範囲32aから32c内の5個のチップ30を同時に試験する場合を考える。範囲32aにおいては、5個のチップ30は、ウエーハ20の外周から中央にかけて配置されている。このため、5個のチップ30間のリーク電流Iddqの分布が大きい。範囲32bにおいては、5個のチップ30は、ウエーハ20の外周近くに配置されている。このため、5個のチップ30間のリーク電流Iddqは比較的大きい。範囲32cにおいては、5個のチップ30は、ウエーハ20の中央近くに配置されている。このため、5個のチップ30間のリーク電流Iddqは比較的小さい。
For example, consider a case where five
このように、電流のバラツキがあるデバイス52を測定する場合、最も大きき電流を考慮して、デバイス52に接続する電源ユニット50の数を決定する。試験のときにデバイス52に流れる電流が電源ユニット50の供給能力を越えると電圧低下が生じるためである。図2(a)の例では、範囲32bを試験する場合を想定し、デバイス52と電源ユニット50との接続を決定する。この場合、リーク電流Iddqの小さい範囲32aおよび32cを試験する場合に適切なデバイス52と電源ユニット50との接続とならない場合がある。実施例1では、このような問題を解決する。
In this way, when measuring the
図6は、実施例1を示すブロック図である。図6を参照し、1.1Vを供給する電源ユニット50gと各デバイス52を接続するようにリレー56が設けられている。リレー56は、任意の電源ユニット50gを並列に任意のデバイス52に接続することができる。実施例1では、デバイス52毎に電源ユニット50gを割り当てる数を決定する。その他の構成は、図5と同じであり説明を省略する。
FIG. 6 is a block diagram illustrating the first embodiment. Referring to FIG. 6,
図7は、実施例1に係る試験装置を示すブロック図である。試験装置100は、本体部40、測定部46、電源部47およびリレー部48を備えている。本体部40は、例えば図1(a)の本体10内に設けられている。測定部46および電源部47は、本体10内に設けられてもよいし、ヘッド14内に設けられてもよい。リレー部48は、例えばヘッド14内に設けられている。
FIG. 7 is a block diagram illustrating the test apparatus according to the first embodiment. The
本体部40は、制御部41、メモリ42、インターフェース43および44を備えている。制御部41は、例えばプロセッサであり、測定部46、電源部47およびリレー部48を制御する。メモリ42は、例えば揮発性メモリまたは不揮発性メモリであり、試験プログラムおよび/または試験結果を記憶する。インターフェース43は、例えばキーボード等の入力装置と接続されており、本体部40への情報の入出力を行なう。インターフェース44は、測定部46、電源部47およびリレー部48と接続されており、本体部40への情報の入出力を行なう。バス45は、制御部41、メモリ42、インターフェース43および44を互いに接続する。測定部46は、電気的に接続されたプローブ22の電圧または電流を測定する。例えば、測定部46は、リーク電流Iddqを測定する。電源部47は、電気的に接続されたプローブ22に電圧を印加する。電源部47は、例えば電源ユニット50を有している。リレー部48は、測定部46および電源部47と任意のプローブ22とを電気的に接続する。リレー部48は、リレー54および56を備えている。
The
図8は、実施例1に係る試験方法を示すフローチャートである。図8を参照し、ウエーハプローバ12は、複数のプローブ22を複数のデバイス52(例えばチップ30)に同時に接触させる(ステップS10)。制御部41は、各デバイス52のリーク電流Iddqを測定する(ステップS12)。制御部41は、試験時の各デバイス52に流れる電流値を算出する(ステップS14)。例えば、メモリ42に格納されている値を取得し、リーク電流Iddqにこの値を加算する。次に、制御部41は、デバイス52を電流値順に並び替える(ステップS16)。
FIG. 8 is a flowchart illustrating the test method according to the first embodiment. Referring to FIG. 8, the
制御部41は、デバイス52の電流値に基づきユニットグループを決定する(ステップS18)。例えば、電流値の大きいデバイス52には、多くの電源ユニット50gを割り当て、電流値の小さいデバイス52には、少ない電源ユニット50gを割り当てる。電源ユニット50gからユニットグループに割り当てた電源ユニット50gを除く(ステップS20)。例えば、ユニットグループに割り当て済みの電源ユニット50gの数を保有している電源ユニット50gの数から除く。制御部41は、割り当て可能な電源ユニット50gがあるか判断する(ステップS22)。Yesの場合、制御部41は、次のユニットグループとし(ステップS24)、ステップS18に戻る。
The
ステップS22においてNoの場合、制御部41はデバイスグループを決定する(ステップS26)。例えば、電源ユニット50gが割り当てられたデバイス52をデバイスグループとする。制御部41は、全てのデバイス52を割り当てたか判断する(ステップS28)。Noの場合、制御部41は、次のデバイスグループとし(ステップS30)、ステップS18に戻る。Yesの場合、デバイスグループ毎に試験を行なう(ステップS32)。例えば、デバイスグループに2つのデバイス52が割り当てられている場合、図6において、制御部41は、リレー56に、2つのデバイス52に決定した電源ユニット50gを接続させる。この状態で、制御部41は、電源部47に電圧を2つのデバイス52に印加させる。制御部41は、測定部46に試験信号をデバイス52に印加させ、試験を行なわせる。
In the case of No in step S22, the
制御部41は、終了か判断する(ステップS34)。例えば、制御部41は、ウエーハ20内の試験すべき全てのデバイス52の試験が終了したか判断する。Yesの場合、終了する。Noの場合、ウエーハプローバ12は、次の測定範囲にプローブを移動させる(ステップS36)。
The
次に、図2(a)の範囲32aから32cの例について、制御部41の処理を具体的に説明する。図9(a)から図10(c)は、範囲32aにおける制御部の処理を示す模式図である。図9(a)を参照し、ステップS12において、各デバイス52のリーク電流Iddqは、1.9A、1.5A、1.0A、2.2Aおよび2.9Aである。図9(b)を参照し、ステップS14において、制御部41は、図9(a)の電流値に機能試験において増加する電流の値を加算して、試験時の電流値とする。この例では、リーク電流Iddqに一定の電流の値(1.0A)を加算したが、リーク電流Iddqによって、異なる電流の値を加算してもよい。図9(c)を参照し、ステップS16において、制御部41は、算出した電流値順にデバイス52を並べ替える。例えば、電流値の大きい順にデバイス52aから52eとする。
Next, the process of the
図9(d)を参照し、ステップS18において、制御部41は、最も大きいデバイス52aに電源ユニット50aを割り当てる。この例では、電源ユニット50の供給可能な最大の電流量(以下最大電流量ともいう)は1Aである。デバイス52aの電流値は3.9Aであるため、デバイス52aに4台の電源ユニット50aを割り当てる。この電源ユニット50aをユニットグループ60とする。ステップS20において、5台の電源ユニット50からユニットグループ60に含まれるに電源ユニット50aを除くと、1台の電源ユニット50bである。
With reference to FIG.9 (d), in step S18, the
図9(e)を参照し、1台の電源ユニット50bでは、デバイス52a以外のデバイス52bから52eに電圧を供給できない。そこで、制御部41は、ステップS22において、Noと判断する。ステップS26において、制御部41は、デバイス52aをデバイスグループ62として決定する。ステップS28において、全てのデバイス52が割り当てられていないため、制御部41はNoと判断する。ステップS30において、制御部41は次のデバイス52bに進む。
Referring to FIG. 9E, the single
図10(a)を参照し、ステップS18からステップS26において、制御部41は、4台の電源ユニット50aをユニットグループ60に割り当てる。デバイス52bをデバイスグループ62に決定する。
Referring to FIG. 10A, in step S18 to step S26, the
図10(b)を参照し、ステップS18において、デバイス52cの試験時の電流値は2.9Aであるため、制御部41は3台の電源ユニット50aをユニットグループ60としてデバイス52cに割り当てる。ステップS22において、デバイス52dの試験時の電流値は2.5Aであり、デバイス52dには残りの2台の電源ユニット50bを割り当てられない。このため、制御部41は、Noと判断する。ステップS26において、デバイス52cをデバイスグループ62に決定する。
Referring to FIG. 10B, in step S18, since the current value at the time of testing the
図10(c)を参照し、ステップS18において、デバイス52dの試験時の電流値は2.5Aであるため、制御部41は3台の電源ユニット50aをユニットグループ60aとしてデバイス52dに割り当てる。ステップS22において、デバイス52eの試験時の電流値は2.0Aであり、デバイス52eには残りの2台の電源ユニット50bを割り当てられる。このため、制御部41は、Yesと判断する。ステップS18に戻り、制御部41は、制御部41は2台の電源ユニット50bをユニットグループ60bとしてデバイス52eに割り当てる。ステップS26において、制御部41は、デバイス52dおよび52eをデバイスグループ62に決定する。ステップS28において、全てのデバイスの割り当てが終了したため、制御部41はYesと判断する。
With reference to FIG.10 (c), since the electric current value at the time of the test of the
ステップS32において、制御部41は、デバイス52aから52cをそれぞれ試験する。デバイス52dと52eとに同時に電圧を印加し試験する。以上のように、範囲32aにおいては、4回の試験で5個のデバイス52aから52eを測定する。
In step S32, the
図11(a)から図12(d)は、範囲32bにおける制御部の処理を示す模式図である。図11(a)を参照し、デバイス52のリーク電流Iddqは、2.8A、3.0A、3.2A、2.9Aおよび2.7Aである。図11(b)を参照し、デバイス52の試験時の電流値は、リーク電流Iddqに1.0Aを加算することにより算出する。図11(c)を参照し、電流値順にデバイス52aから52eとする。
Fig.11 (a) to FIG.12 (d) is a schematic diagram which shows the process of the control part in the
図11(d)を参照し、デバイス52aの試験時の電流値は4.2Aである。このため、ユニットグループ60として5台の電源ユニット50aが割り当てられる。デバイス52aをデバイスグループ62に決定する。
Referring to FIG. 11D, the current value at the time of testing the
図12(a)から図12(d)を参照し、デバイス52bから52eの試験時の電流値は3.0Aより大きく、4.0A以下である。このため、ユニットグループ60として4台の電源ユニット50aが割り当てられる。デバイス52bから52eがそれぞれデバイスグループ62に決定する。以上のように、範囲32bにおいては、5回の試験で5個のデバイス52aから52eを測定する。
With reference to FIG. 12A to FIG. 12D, the current value during the test of the
図13(a)から図14(b)は、範囲32cにおける制御部の処理を示す模式図である。図13(a)を参照し、デバイス52のリーク電流Iddqは、0.9A、0.8A、0.7A、0.9Aおよび1.0Aである。図13(b)を参照し、デバイス52の試験時の電流値は、リーク電流Iddqに1.0Aを加算することにより算出する。図13(c)を参照し、電流値順にデバイス52aから52eとする。
FIG. 13A to FIG. 14B are schematic diagrams showing processing of the control unit in the
図13(d)を参照し、デバイス52aの試験時の電流値は2.0Aである。このため、ユニットグループ60aとして2台の電源ユニット50aが割り当てられる。デバイス52bの試験時の電流値は1.9Aである。このため、ユニットグループ60bとして2台の電源ユニット50bが割り当てられる。電源ユニット50cは、デバイスに割り当てられない。デバイス52aおよびデバイス52bをデバイスグループ62に決定する。
Referring to FIG. 13D, the current value during the test of the
図14(a)を参照し、デバイス52cの試験時の電流値は1.9Aである。このため、ユニットグループ60aとして2台の電源ユニット50aが割り当てられる。デバイス52dの試験時の電流値は1.8Aである。このため、ユニットグループ60bとして2台の電源ユニット50bが割り当てられる。電源ユニット50cは、デバイスに割り当てられない。デバイス52cおよびデバイス52dをデバイスグループ62に決定する。
Referring to FIG. 14A, the current value during the test of the
図14(b)を参照し、デバイス52eの試験時の電流値は1.7Aである。このため、ユニットグループ60として2台の電源ユニット50aが割り当てられる。これ以上デバイスがないため、電源ユニット50bは、デバイスに割り当てられない。デバイス52eをデバイスグループ62に決定する。以上のように、範囲32cにおいては、3回の試験で5個のデバイス52aから52eを測定する。
Referring to FIG. 14B, the current value during the test of the
図8のステップS14のように、制御部41は、複数のデバイス52毎に試験時に流れる電流値を算出する。ステップS18からS26のように、制御部41は、電流値に基づき、複数のデバイス52のうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定する。これにより、図9(a)から図14(b)のように、範囲32aおよび32cを試験する場合に適切なデバイス52と電源ユニット50との接続とすることができる。これにより、例えば、範囲32aを試験する場合に、4回の試験で5個のデバイスを試験でき、範囲32cを試験する場合に3回の試験で5個のデバイスを試験できる。よって、試験時間の短縮が可能となる。
As in step S <b> 14 of FIG. 8, the
また、図10(c)のように、制御部41は、デバイスグループ62内のデバイス52dおよび52e毎に電源ユニット50aおよび50bを構成要素とするユニットグループ60aおよび60bを決定する。電源ユニット50aおよび50bは、それぞれデバイス52dおよび52eに並列に電圧を供給する電源ユニット50の少なくとも一部の電源ユニット50aおよび50bである。例えば、デバイス52dおよび52e毎に、ユニットグループ60aおよび60bを決定する。これにより、電源ユニットを効率よくデバイスに割り当てることができる。
Further, as illustrated in FIG. 10C, the
さらに、デバイスグループ62内のデバイス52dおよび52e毎に決定されたユニットグループ62aおよび62eは、電源ユニット50を共有しない。これにより、デバイスグループ62内のデバイス52dおよび52eに同時に電圧を印加できる。
Further, the unit groups 62 a and 62 e determined for each of the
さらに、1つのデバイス52dまたは52eに対応する電流値が、対応する電源ユニット50aまたは50bの供給可能な最大の電流量を合算した電流量以下である。また、電源ユニット50aまたは50bから1つの電源ユニットを除いたユニットの供給可能な最大の電流量を合算した電流量より大きくなる。例えば、電源ユニット50aの最大電流量が1Aのとき、3台の電源ユニット50aの最大電流量を合算した電流量は3.0Aである。3台の電源ユニット50aから1台の電源ユニット50aを除いた最大電流量を合算した電流量は、2.0Aである。デバイス52dの試験時の電流値2.5Aが、3.0A以下かつ2.0Aより大きいため、3台の電源ユニット50aをユニットグループ60aとする。これにより、電源ユニットを効率よくデバイスに割り当てることができる。
Furthermore, the current value corresponding to one
さらに、制御部41は、試験時の電流値の大きい順にデバイスグループ62を決定する。例えば、図10(c)において、デバイス52dはデバイス52eより試験時の電流値が大きい。これにより、効率よく、デバイスグループ62を決定できる。
Further, the
さらに、ステップS12のように、制御部41は、デバイス52毎のリーク電流Iddqから試験時の電流値を算出する。これにより、デバイス52毎の試験時の電流値を効率よく算出できる。試験時の電流値を算出は、リーク電流以外を用いてもよい。
Further, as in step S <b> 12, the
実施例1においては、複数のデバイス52がウエーハ20に形成されており、複数の端子がウエーハ20に接触するプローブカード24のプローブ22である例について説明した。デバイス52および端子は、これ以外でもよい。試験として、機能試験を例に説明したがこれ以外の試験でもよい。複数の電源ユニット50fが供給可能な最大電流量が互いに同じである例を説明したが、互いに異なっていてもよい。
In the first embodiment, the example in which the plurality of
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
(付記1)複数のデバイスに電気的に接続される複数の端子と、前記複数の端子を介し、前記複数のデバイスに電圧を印加する複数の電源ユニットと、前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出し、前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定する制御部と、を具備することを特徴とする試験装置。
(付記2)前記制御部は、前記デバイスグループ内のデバイス毎に並列に電圧を供給する前記複数の電源ユニットの少なくとも一部の電源ユニットを構成要素とするユニットグループを決定することを特徴とする付記1記載の試験装置。
(付記3)前記制御部は、前記デバイスグループ内のデバイス毎に決定されたユニットグループが電源ユニットを共有しないように、前記ユニットグループを決定することを特徴とする付記2記載の試験装置。
(付記4)前記制御部は、前記デバイスグループ内のデバイス毎に、1つのデバイスに対応する前記電流値が、前記少なくとも一部の電源ユニットの供給可能な最大の電流量を合算した電流量以下であり、前記少なくとも一部の電源ユニットから1つの電源ユニットを除いた電源ユニットの供給可能な最大の電流量を合算した電流量より大きくなるように、前記ユニットグループを決定することを特徴とする付記2または3記載の試験装置。
(付記5)前記複数のデバイスは同じウエーハに形成されており、前記複数の端子は前記ウエーハに接触するプローブであることを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の試験装置。
(付記6)前記制御部は、前記複数のデバイス毎のリーク電流から前記電流値を算出することを特徴とする付記1から5のいずれか一項記載の試験装置。
(付記7)前記複数の電源ユニットが供給可能な最大電流量は互いに同じであることを特徴とする付記1から6のいずれか一項記載の試験装置。
(付記8)複数のデバイスに電気的に接続される複数の端子と、前記複数の端子を介し、前記複数のデバイスに電圧を印加する複数の電源ユニットと、を具備する試験装置を用いた試験方法であって、前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出するステップと、前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定するステップと、を含むことを特徴とする試験方法。
In addition, the following additional notes are disclosed regarding the above description.
(Appendix 1) A plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices, a plurality of power supply units for applying a voltage to the plurality of devices via the plurality of terminals, and a flow for each of the plurality of devices during a test A test apparatus comprising: a control unit that calculates a current value and determines a device group having, as components, devices to be tested simultaneously among the plurality of devices based on the current value.
(Additional remark 2) The said control part determines the unit group which uses at least one power supply unit of the said several power supply unit which supplies a voltage in parallel for every device in the said device group as a component. The test apparatus according to
(Additional remark 3) The said control part determines the said unit group so that the unit group determined for every device in the said device group may not share a power supply unit, The test apparatus of
(Supplementary Note 4) In the control unit, for each device in the device group, the current value corresponding to one device is equal to or less than a total current amount that can be supplied by the at least some power supply units. And the unit group is determined so as to be larger than the total current amount that can be supplied by the power supply unit excluding one power supply unit from the at least some power supply units. The test apparatus according to
(Supplementary Note 5) The test apparatus according to any one of
(Supplementary Note 6) The test apparatus according to any one of
(Supplementary note 7) The test apparatus according to any one of
(Supplementary Note 8) Testing using a test apparatus including a plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices, and a plurality of power supply units that apply voltages to the plurality of devices via the plurality of terminals. A method of calculating a current value flowing during a test for each of the plurality of devices, and determining a device group including, as a component, devices to be tested simultaneously among the plurality of devices based on the current value; The test method characterized by including these.
10 本体
12 ウエーハプローバ
14 ヘッド
16 ステージ
18 ウエーハチャック
20 ウエーハ
22 プローブ
24 プローブカード
26 コネクタピン
30 チップ
31 回路領域
40 本体部
41 制御部
46 測定部
47 電源部
48 リレー部
50 電源ユニット
52 デバイス
60 ユニットグループ
62 デバイスグループ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数の端子を介し、前記複数のデバイスに電圧を印加する複数の電源ユニットと、
前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出し、前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定する制御部と、
を具備することを特徴とする試験装置。 A plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices;
A plurality of power supply units for applying a voltage to the plurality of devices via the plurality of terminals;
A control unit that calculates a current value that flows during a test for each of the plurality of devices, and determines a device group that includes a device to be tested simultaneously among the plurality of devices based on the current value;
A test apparatus comprising:
前記複数のデバイス毎に試験時に流れる電流値を算出するステップと、
前記電流値に基づき、前記複数のデバイスのうち同時に試験するデバイスを構成要素とするデバイスグループを決定するステップと、
を含むことを特徴とする試験方法。 A test method using a test apparatus comprising: a plurality of terminals electrically connected to a plurality of devices; and a plurality of power supply units that apply voltages to the plurality of devices through the plurality of terminals. ,
Calculating a current value flowing during a test for each of the plurality of devices;
Determining, based on the current value, a device group including a device to be tested simultaneously among the plurality of devices;
A test method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055568A JP2014181969A (en) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | Testing apparatus and testing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055568A JP2014181969A (en) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | Testing apparatus and testing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014181969A true JP2014181969A (en) | 2014-09-29 |
Family
ID=51700826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013055568A Pending JP2014181969A (en) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | Testing apparatus and testing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014181969A (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002354664A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Advantest Corp | Electric-power capacity setting method, power supply device, and power supply device for semiconductor-device testing device |
JP2006090953A (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device inspection board |
JP2008122362A (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor inspection device and semiconductor inspection technique |
JP2009059875A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Panasonic Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
JP2009133629A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Renesas Technology Corp | Apparatus for testing semiconductor |
-
2013
- 2013-03-18 JP JP2013055568A patent/JP2014181969A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002354664A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Advantest Corp | Electric-power capacity setting method, power supply device, and power supply device for semiconductor-device testing device |
JP2006090953A (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device inspection board |
JP2008122362A (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor inspection device and semiconductor inspection technique |
JP2009059875A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Panasonic Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
JP2009133629A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Renesas Technology Corp | Apparatus for testing semiconductor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7944225B2 (en) | Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test | |
US20170256324A1 (en) | Device inspection method, probe card, interposer, and inspection apparatus | |
US10684322B2 (en) | Systems and methods of testing multiple dies | |
US10901034B2 (en) | TSVS, test circuits, scan cells, comparators, electrical source, and resistor | |
KR100891328B1 (en) | Parallel type test system for semiconductor device and method of testing semiconductor device in parallel | |
US9684053B2 (en) | Wafer for testing and a test system | |
US20110099443A1 (en) | Test apparatus | |
CN104991097B (en) | A kind of probe card | |
JP2014181969A (en) | Testing apparatus and testing method | |
US20150168482A1 (en) | Configurable test equipment | |
KR101781895B1 (en) | System for testing multi chip package | |
KR102425472B1 (en) | Test device and system for testing a plurality of semiconductor apparatus | |
US20110254579A1 (en) | Semiconductor test method and semiconductor test system | |
JP2005091065A (en) | Apparatus and method for supplying semiconductor device with operating voltage | |
JP6986910B2 (en) | Voltage application device and output voltage waveform formation method | |
JP2010165819A (en) | Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuits | |
EP3112885B1 (en) | Devices and methods for testing integrated circuits | |
JP5056736B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2004095802A (en) | Semiconductor testing apparatus | |
JPH09298222A (en) | System and method for measuring semiconductor device | |
US20130234750A1 (en) | Semiconductor wafer and method for testing the same | |
JP2012242129A (en) | Semiconductor test device and semiconductor test method | |
JP2018040762A (en) | Inspection device, inspection system, inspection metho, and inspection program | |
JP2011029512A (en) | Method and apparatus for testing semiconductor integrated circuit | |
JP2007085735A (en) | Inspection method of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150611 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151201 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160509 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170328 |