JP2014179420A - Method for bonding electronic component - Google Patents
Method for bonding electronic component Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014179420A JP2014179420A JP2013051680A JP2013051680A JP2014179420A JP 2014179420 A JP2014179420 A JP 2014179420A JP 2013051680 A JP2013051680 A JP 2013051680A JP 2013051680 A JP2013051680 A JP 2013051680A JP 2014179420 A JP2014179420 A JP 2014179420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic components
- organic film
- electronic component
- pressure
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 51
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 13
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
本発明は、所定の温度と圧力を加えて固相拡散接合により複数の電子部品の各電極端子を基板の各電極に接合する電子部品の接合方法についての技術分野に関する。 The present invention relates to a technical field relating to a method for joining electronic components, in which each electrode terminal of a plurality of electronic components is joined to each electrode of a substrate by solid phase diffusion bonding by applying a predetermined temperature and pressure.
半導体素子等の電子部品を基板に接合する方法として、はんだを用いた接合方法がある。はんだを用いた接合方法は、電子部品を短時間で接合可能である点、はんだが温度変化に伴って生じる熱歪みに高い信頼性がある点、複数の電子部品をリフローによって一度に接合することが可能である点等において利点を有している。 As a method for bonding electronic components such as semiconductor elements to a substrate, there is a bonding method using solder. The soldering method is that electronic components can be joined in a short time, the solder has high reliability in thermal distortion caused by temperature changes, and multiple electronic components are joined at once by reflow. This is advantageous in that it is possible.
しかしながら、はんだを用いた接合方法にあっては、電子部品の複数の電極端子を微細な間隔で接合することが困難である点、はんだが銀等と比較して電気導電性や熱伝導性が低いと言う点等において欠点を有している。 However, in the joining method using solder, it is difficult to join a plurality of electrode terminals of an electronic component at fine intervals, and the electrical conductivity and thermal conductivity of solder are lower than that of silver or the like. It has a drawback in that it is low.
一方、電子部品を基板に接合する方法として、加熱や加圧を行ったり超音波振動を付与して接合を行う固相拡散接合による方法がある(例えば、特許文献1参照)。 On the other hand, as a method for bonding an electronic component to a substrate, there is a method by solid phase diffusion bonding in which heating or pressurization or ultrasonic vibration is applied to perform bonding (see, for example, Patent Document 1).
固相拡散接合による方法は、一定の条件における加熱や加圧によっては溶融しない金属(電極)間に生じる原子の拡散現象を利用した接合方法であり、一般に、はんだの融点より低い数100°Cでの条件下において行われ、はんだを用いた接合方法よりも接合作業における温度を下げることが可能である。 The method by solid phase diffusion bonding is a bonding method utilizing the diffusion phenomenon of atoms generated between metals (electrodes) that are not melted by heating or pressurization under certain conditions, and is generally several hundred degrees C lower than the melting point of solder. It is possible to lower the temperature in the joining operation as compared with the joining method using solder.
このような固相拡散接合による方法は、例えば、所定の温度と圧力を加えて電子部品の電極端子と基板の電極を直接に接合する方法や電子部品の電極端子と基板の電極との間に金属微粉末ペーストを塗布し金属微粉末ペーストを焼結して接合する方法がある。 Such a solid phase diffusion bonding method is, for example, a method in which a predetermined temperature and pressure are applied to directly bond an electrode terminal of an electronic component and an electrode of a substrate, or between an electrode terminal of an electronic component and an electrode of a substrate. There is a method in which a metal fine powder paste is applied and the metal fine powder paste is sintered and joined.
固相拡散接合による方法は、良好な耐熱性を有すると共に高い電気導電性や熱伝導性を確保することが可能であると言う利点を有している。従って、固相拡散接合は、特に、良好な熱特性及び電気特性を必要とするSiC(シリコン・カーバイド)やGaN(ガリウム・ナイトライド)等の次世代パワー半導体の他、高輝度LED(Light Emitting Diode)の接続やLSI(Large Scale Integration)における接合等の広範囲の分野で使用可能な接合方法である。 The method by solid phase diffusion bonding has the advantage that it has good heat resistance and can ensure high electrical conductivity and thermal conductivity. Therefore, solid phase diffusion bonding is particularly effective for high-luminance LEDs (Light Emitting) as well as next-generation power semiconductors such as SiC (silicon carbide) and GaN (gallium nitride) that require good thermal and electrical characteristics. This is a bonding method that can be used in a wide range of fields, such as diode connection and LSI (Large Scale Integration) bonding.
一方、固相拡散接合は、高い圧力を必要とすると共に十分な拡散反応を生じさせるために、はんだによる接合時間よりも多くの時間を必要とすると言う欠点も有している。 On the other hand, the solid phase diffusion bonding has a drawback that it requires a longer time than the soldering time in order to cause a high diffusion pressure and a sufficient diffusion reaction.
ところで、基板には複数の電子部品が接合されることが多いが、複数の電子部品が接合されるときには、各電子部品の高さが異なる場合がある。このような場合の従来の固相拡散接合においては、個々の電子部品をそれぞれ個別のヒーターの間に挟んで所定の温度と圧力を一定の時間で個々の電子部品毎に加えていた。 By the way, a plurality of electronic components are often bonded to the substrate, but when a plurality of electronic components are bonded, the height of each electronic component may be different. In the conventional solid phase diffusion bonding in such a case, each electronic component is sandwiched between individual heaters, and a predetermined temperature and pressure are applied to each individual electronic component for a certain time.
ところが、個々の電子部品を個別のヒーターの間に挟んで所定の温度と圧力を一定の時間加える方法にあっては、個々の電子部品毎に加熱のためのヒーターと加圧のためのモーター等を必要とするため、部品接合装置(ボンダー)の製造コストが高くなり、拡散反応のための多くの時間も必要なため、生産性が悪いと言う問題がある。 However, in a method in which individual electronic components are sandwiched between individual heaters and a predetermined temperature and pressure are applied for a certain period of time, a heater for heating and a motor for pressurization are applied to each individual electronic component. Therefore, the manufacturing cost of the component joining device (bonder) is increased, and a lot of time is required for the diffusion reaction.
また、基板に接合される複数の電子部品は、高さに加えて平行度も一様ではなく、複数の電子部品に対して均一に加圧して基板に接合するためには、平行度の調整等の高度な制御が必要であり、やはり生産性が低下してしまう。 In addition, the parallelism of the plurality of electronic components to be bonded to the substrate is not uniform in addition to the height, and in order to pressurize the plurality of electronic components uniformly and bond to the substrate, the parallelism is adjusted. Such advanced control is necessary, and productivity is lowered.
さらに、近年、電子機器等の小型化に伴って基板の小型化の要求も高く、一つの基板に接合される電子部品間の距離や電子部品の各端子間のピッチが短縮化される傾向にあるが、個々の電子部品毎に加熱のためのヒーターと加圧のためのモーター等を配置するためには大きな配置スペースが必要である。従って、個々の電子部品を個別のヒーターの間に挟んで所定の温度と圧力を一定の時間加える方法によっては、電子部品間の距離や電子部品の各端子間のピッチが小さい場合の電子部品の接合を行うことが困難であり、基板の小型化に支障を来すと言う問題もある。 Furthermore, in recent years, with the miniaturization of electronic devices and the like, there is a high demand for miniaturization of substrates, and the distance between electronic components joined to one substrate and the pitch between terminals of electronic components tend to be shortened. However, in order to arrange a heater for heating and a motor for pressurization for each electronic component, a large arrangement space is required. Therefore, depending on the method in which individual electronic components are sandwiched between individual heaters and a predetermined temperature and pressure are applied for a certain period of time, the distance between the electronic components and the pitch between the terminals of the electronic components are small. There is also a problem that it is difficult to perform the bonding, which hinders downsizing of the substrate.
一方、固相拡散接合によって基板に高さの異なる複数の電子部品を接合する従来の方法として、液体中に複数の電子部品を配置して液体の静水圧によって複数の電子部品を加圧すると共に液体を加熱することによって接合する方法がある(特許文献2の段落0044、0046等参照)。 On the other hand, as a conventional method for joining a plurality of electronic components having different heights to a substrate by solid phase diffusion bonding, a plurality of electronic components are arranged in a liquid and the plurality of electronic components are pressurized by liquid hydrostatic pressure and liquid There is a method of joining by heating (see paragraphs 0044 and 0046 of Patent Document 2).
上記のような液体の静水圧によって複数の電子部品を加圧して接合する方法にあっては、拡散反応のための時間が短縮化されると共に電子部品の基板に対する平行度の調整等の高度な制御も不必要になり生産性が向上し、各端子間のピッチが小さい場合等の電子部品の接合を行うことも可能になり基板の小型化にも寄与する。 In the method of pressurizing and joining a plurality of electronic components by the hydrostatic pressure of the liquid as described above, the time for the diffusion reaction is shortened, and advanced adjustments such as adjusting the parallelism of the electronic components to the substrate are performed. Control is also unnecessary, productivity is improved, and electronic components can be joined when the pitch between terminals is small, which contributes to miniaturization of the board.
しかしながら、液体の静水圧によって複数の電子部品を加圧して接合する方法にあっては、電子部品に付与される圧力が静水圧であるため、電子部品の電極端子を基板の電極に十分な力で押し付けることができず、電子部品の電極端子と基板の電極との良好な接合状態を確保することができないおそれがある。 However, in the method of pressurizing and joining a plurality of electronic components with hydrostatic pressure of liquid, since the pressure applied to the electronic components is hydrostatic pressure, sufficient force is applied to the electrode terminals of the electronic components on the electrodes of the substrate. It may not be possible to secure a good bonding state between the electrode terminal of the electronic component and the electrode of the substrate.
そこで、本発明は、上記した問題点を克服し、電子部品の電極端子と基板の電極との良好な接合状態を確保した上で生産性の向上を図ると共に基板の小型化を図ることを目的とする。 Therefore, the present invention has an object of overcoming the above-described problems, improving productivity while ensuring a good bonding state between the electrode terminal of the electronic component and the electrode of the substrate, and reducing the size of the substrate. And
第1に、本発明に係る電子部品の接合方法は、高さが異なる少なくとも二つの電子部品を含みそれぞれ複数の電極端子を有する複数の電子部品の前記電極端子を、前記複数の電極にそれぞれ位置合わせして載置する部品載置工程と、前記複数の電子部品のうち高さが最も高い電子部品と高さが最も低い電子部品との高さの差よりも厚い有機フィルムを、前記複数の電子部品に載置する有機フィルム載置工程と、平面状の押さえ面を有し所定の温度に加熱された押さえ部材の前記押さえ面を前記有機フィルムに押し当て、前記押さえ部材によって前記電子部品側に第1の圧力を付与し、前記押さえ面が押し当てられた前記有機フィルムの被押さえ面の高さを均一にする有機フィルム加圧工程と、平面状の加圧面を有する加圧部材の前記加圧面を前記被押さえ面に押し当て、前記加圧部材によって前記電子部品側に第2の圧力を付与するとともに所定の時間加熱し、前記複数の電子部品の各電極端子を前記基板の各電極に接合する接合工程とを備えたものである。 1stly, the bonding | joining method of the electronic component which concerns on this invention positions the said electrode terminal of the several electronic component which has at least 2 electronic components from which height differs, and each has several electrode terminals in the said several electrode, respectively. A plurality of organic films having a thickness greater than the difference in height between the electronic component having the highest height and the electronic component having the lowest height among the plurality of electronic components; An organic film mounting step for mounting on an electronic component, and the pressing surface of a pressing member having a flat pressing surface heated to a predetermined temperature is pressed against the organic film, and the electronic component side is pressed by the pressing member. An organic film pressurizing step for applying a first pressure to the organic film and making the height of the pressed surface of the organic film pressed against the pressing surface uniform, and the pressurizing member having a flat pressing surface Pressurized surface Press against the surface to be pressed, apply a second pressure to the electronic component side by the pressure member, and heat for a predetermined time to join each electrode terminal of the plurality of electronic components to each electrode of the substrate And a joining step.
これにより、押さえ部材によって均一の高さにされた有機フィルムの被押さえ面に加圧部材の加圧面が押し当てられた状態で加圧部材によって電子部品側に第2の圧力が付与されると共に所定の時間加熱される。 As a result, the second pressure is applied to the electronic component side by the pressing member in a state where the pressing surface of the pressing member is pressed against the pressed surface of the organic film that has been made uniform by the pressing member. Heated for a predetermined time.
第2に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記接合工程の後工程として、前記加圧部材を取り外し前記有機フィルムを前記複数の電子部品から剥離する剥離工程を備えることが望ましい。 2ndly, in the joining method of the electronic component which concerns on above-described this invention, it has the peeling process which removes the said pressurization member and peels the said organic film from these electronic components as a post process of the said joining process. desirable.
これにより、有機フィルムから発生するおそれのある不純物やガス等による電子部品に対する影響が回避される。 Thereby, the influence with respect to an electronic component by the impurity, gas, etc. which may be generated from an organic film is avoided.
第3に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記部品載置工程と前記有機フィルム載置工程の間に、離型フィルムを前記複数の電子部品に載置する離型フィルム載置工程を備え、前記有機フィルムを前記複数の電子部品に前記離型フィルムを介して載置することが望ましい。 Thirdly, in the electronic component joining method according to the present invention described above, a release film for placing a release film on the plurality of electronic components between the component placing step and the organic film placing step. It is desirable to provide a placing step and place the organic film on the plurality of electronic components via the release film.
これにより、有機フィルムが離型フィルムとともに電子部品から剥離される。 Thereby, an organic film is peeled from an electronic component with a release film.
第4に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記有機フィルムが第1層と前記第1層より前記電子部品側に位置される第2層とによって構成され、前記第1層のガラス転移点が前記第2層のガラス転移点より高くされることが望ましい。 Fourthly, in the electronic component joining method according to the present invention described above, the organic film includes a first layer and a second layer positioned on the electronic component side from the first layer, It is desirable that the glass transition point of the layer be higher than the glass transition point of the second layer.
これにより、有機フィルム加圧工程において有機フィルムに第1の圧力が付与されたときに、第2層が第1層より大きく変形する。 Thereby, when a 1st pressure is provided to an organic film in an organic film pressurization process, the 2nd layer changes greatly from the 1st layer.
第5に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記押さえ部材の少なくとも一部が透明材料によって形成され、前記有機フィルムとして紫外線硬化型フィルムが用いられ、前記有機フィルム加圧工程において前記有機フィルムに前記押さえ部材を透過させて紫外線を照射し前記有機フィルムを硬化させることが望ましい。 Fifth, in the above-described electronic component bonding method according to the present invention, at least a part of the pressing member is formed of a transparent material, an ultraviolet curable film is used as the organic film, and the organic film pressurizing step. It is preferable that the organic film is cured by irradiating the organic film with the pressing member and irradiating with ultraviolet rays.
これにより、有機フィルムの硬化が紫外線の照射によって迅速に行われる。 Thereby, hardening of an organic film is rapidly performed by irradiation of an ultraviolet-ray.
第6に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記加圧部材として前記押さえ部材が用いられ、前記加圧面として前記押さえ面が用いられることが望ましい。 Sixth, in the electronic component joining method according to the present invention, it is preferable that the pressing member is used as the pressing member, and the pressing surface is used as the pressing surface.
これにより、専用の押さえ部材及び加圧部材をそれぞれ設ける必要がない。 Thereby, it is not necessary to provide a dedicated pressing member and pressing member.
第7に、上記した本発明に係る電子部品の接合方法においては、前記電子部品の電極端子と前記基板の電極とが金、銀、銅、錫、ニッケル、亜鉛、アンチモン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金によって形成されることが望ましい。 Seventhly, in the electronic component joining method according to the present invention described above, the electrode terminal of the electronic component and the electrode of the substrate are gold, silver, copper, tin, nickel, zinc, antimony, bismuth, indium or the like. It is desirable to be formed of an alloy of
これにより、電極端子と電極として両者の高い接合性を有する材料を用いることが可能になる。 Thereby, it becomes possible to use the material which has high jointability of both as an electrode terminal and an electrode.
本発明電子部品の接合方法によれば、高さの異なる複数の電子部品を有機フィルムを介して加圧部材によって一度に押さえて圧力を付与するとともに所定の時間加熱するため、電子部品の電極端子と基板の電極との良好な接合状態を確保した上で生産性の向上を図ることができると共に基板の小型化を図ることができる。 According to the method for bonding electronic parts of the present invention, a plurality of electronic parts having different heights are pressed at once by a pressure member through an organic film to apply pressure and heat for a predetermined time. As a result, productivity can be improved and a substrate can be miniaturized.
以下に、本発明電子部品の接合方法を実施するための形態について添付図面を参照して説明する。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing the joining method of this invention electronic component is demonstrated with reference to an accompanying drawing.
<部品接合装置の概略構成>
先ず、電子部品を基板に接合する部品接合装置(ボンダー)の概略構成について説明する(図1参照)。
<Schematic configuration of component joining device>
First, a schematic configuration of a component bonding apparatus (bonder) for bonding an electronic component to a substrate will be described (see FIG. 1).
部品接合装置50はベースケース51とベースケース51の内部に配置された所要の各部とを有している。ベースケース51は上方に開口された下側ベース52と上下に貫通された筒状の上側ベース53と上側ベース53の内部に設けられた内側ベース54とを有している。
The
下側ベース52の内部空間は配置空間52aとして形成されている。下側ベース52の配置空間52aには後述する基板や電子部品等が配置され、配置空間52aにおいて電子部品の基板に対する接合作業の少なくとも一部が行われる。
An internal space of the
上側ベース53は下端部が下側ベース52の上端部に結合され、下側ベース52に対して分離可能とされている。
The
内側ベース54は上下に貫通された筒状に形成され、上側ベース53の内部空間における上側の部分を密閉した状態で上側ベース53に取り付けられている。内側ベース54の内周面54aには螺合溝54bが形成され、螺合溝54bに圧力調整弁として機能する圧力調整用ネジ55が螺合されている。
The
上側ベース53の内側から内側ベース54の内側に亘る空間にはオイル56が封入されている。オイル56は下方から封止材57に封止され側方から上側ベース53に封止され上方から圧力調整用ネジ55に封止された状態で封入されている。
封止材57は外周部が上側ベース53の内周部に取り付けられ、オイル56の圧力(油圧)に応じて変形可能とされている。封止材57としては、例えば、ゴム材や薄膜状のステンレス鋼のフィルム材等が用いられている。
The sealing
上側ベース53の内側には押さえ部材及び加圧部材として機能する加圧ヘッドヒーター58が昇降自在に支持されている。加圧ヘッドヒーター58には図示しない加熱装置から熱が伝達され、加圧ヘッドヒーター58の加熱状態が制御される。加圧ヘッドヒーター58は下面が平面状に形成された押さえ面58aとして形成され、上面が封止材57の下面に接した状態で配置されている。尚、部品接合装置50にあっては、オイル56に熱が伝達されることにより、オイル56及び封止材57を介して加圧ヘッドヒーター58に熱が伝達され、加圧ヘッドヒーター58の加熱状態が制御されるようにしてもよい。
A
下側ベース52の底面部には加圧ヘッドヒーター58の下方においてステージヒーター59が配置されている。ステージヒーター59にも加圧ヘッドヒーター58と同様に加熱装置から熱が伝達され、ステージヒーター59の加熱状態が熱電対等によって制御される。
A
上記のように構成された部品接合装置50において、駆動装置によって圧力調整用ネジ55が回転されると、圧力調整用ネジ55の回転方向及び回転量に応じてオイル56の圧力(油圧)が変化され、オイル56の圧力が封止材57に伝達されて封止材57が変形され、加圧ヘッドヒーター58が上側ベース53に対して上下方向へ移動される(図2参照)。従って、圧力調整用ネジ55の回転方向及び回転量に応じて加圧ヘッドヒーター58の押さえ面58aの上下方向における位置が変化される。
In the
下側ベース52の配置空間52aには、上記したように、基板や電子部品等が配置され、加圧ヘッドヒーター58が上下方向へ移動されることにより、後述するように、電子部品等が加圧ヘッドヒーター58によって加圧される。
As described above, the
尚、上記には、圧力調整用ネジ55の回転に伴う油圧の変化によって加圧ヘッドヒーター58が移動される例を示したが、圧力調整用ネジ55以外の他の手段、例えば、ピストンやハンドルの回転による駆動軸の移動等によって油圧が変化されるように構成されてもよい。
In the above, the example in which the
また、加圧ヘッドヒーター58の移動手段は油圧の変化に限られることはなく、例えば、ギヤやモーター等による機械的な駆動手段や空気圧の変化によって加圧ヘッドヒーター58が移動されるように構成することも可能である。
Further, the moving means of the pressurizing
<電子部品の接合方法>
以下に、電子部品の基板に対する接合方法の手順について説明する(図3乃至図11参照)。電子部品の基板に対する接合は、加熱や加圧等により生じる原子の拡散現象を利用した固相拡散接合により行われ、この固相拡散接合は所定の温度と圧力を加えて電子部品の電極端子と基板の電極を直接に接合することにより行われる。
<Method of joining electronic parts>
Hereinafter, a procedure of a method for bonding electronic components to a substrate will be described (see FIGS. 3 to 11). Bonding of the electronic component to the substrate is performed by solid phase diffusion bonding using an atomic diffusion phenomenon caused by heating or pressurization, and this solid phase diffusion bonding is performed by applying a predetermined temperature and pressure to the electrode terminal of the electronic component. This is done by directly bonding the electrodes of the substrate.
尚、電子部品の基板に対する各工程のうち所定の工程が部品接合装置50によって行われるが、以下の各工程の説明においては、説明の簡略化のために、部品接合装置50のうち加圧ヘッドヒーター58とステージヒーター59のみを必要に応じて示す。
In addition, a predetermined process among the processes for the substrate of the electronic component is performed by the
先ず、基板1が準備されて図示しない作業台に載置される(図3参照)。基板1には図示しない駆動回路が形成され、基板1の上面1aには駆動回路に接続された複数の接合部2、2、・・・が設けられている。接合部2は複数の電極2a、2a、・・・によって構成されている。基板1の下面1bには駆動回路に接続された導電部3が設けられている。電極2a、2a、・・・と導電部3は、例えば、金、銀、銅、錫、ニッケル、亜鉛、アンチモン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金等の所定の金属材料によって形成されている。
First, the
次に、部品載置工程が行われる(図4参照)。部品載置工程においては、電極2a、2a、・・・に電子部品4、4、・・・の下面に設けられた電極端子4a、4a、・・・がそれぞれ位置合わせされて載置される。電子部品4、4、・・・は高さが異なる少なくとも二つの電子部品4、4を含んでいる。
Next, a component placement process is performed (see FIG. 4). In the component mounting step, the
電極端子4a、4a、・・・は、例えば、金、銀、銅、錫、ニッケル、亜鉛、アンチモン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金等の所定の金属材料によって形成されている。
The
上記のように、基板2の電極2a、2a、・・・と電子部品4の電極端子4a、4a、・・・とを金、銀、銅、錫、ニッケル、亜鉛、アンチモン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金等によって形成することにより、電極2a、2a、・・・と電極端子4a、4a、・・・として両者の高い接合性を有する材料を用いることが可能であり、設計の自由度の向上及び材料選択の余地の拡大を図ることができる。
As described above, the
上記したように、電子部品4、4、・・・には高さが異なるものがあるため、電極端子4a、4a、・・・が電極2a、2a、・・・にそれぞれ位置合わせされて電子部品4、4、・・・が載置された状態において、電子部品4、4、・・・の各上面における位置が電子部品4、4、・・・の高さに応じて異なる状態にされている。
As described above, since the
次いで、有機フィルム載置工程が行われる(図5参照)。有機フィルム載置工程においては、電子部品4、4、・・・の上面にそれぞれ有機フィルム5、5、・・・が載置される。有機フィルム5としては、例えば、熱可塑性の樹脂材料によって形成されたフィルムが用いられている。
Next, an organic film placing step is performed (see FIG. 5). In the organic film placing step, the
有機フィルム5、5、・・・は、厚みが電子部品4、4、・・・のうち高さが最も高い電子部品4と高さが最も低い電子部品4との高さの差よりも厚くされ、下面の大きさが電子部品4、4、・・・の上面の大きさより大きくされている。従って、有機フィルム5、5、・・・がそれぞれ電子部品4、4、・・・に載置された状態においては、有機フィルム5、5、・・・の外周側の部分がそれぞれ電子部品4、4、・・・から側方に突出された状態にされている。また、有機フィルム5、5、・・・が電子部品4、4、・・・に載置された状態においては、有機フィルム5、5、・・・の各上面における位置が電子部品4、4、・・・の高さに応じて異なる状態にされている。有機フィルム5、5、・・・の各上面はそれぞれ被押さえ面5a、5a、・・・とされる。
The
上記のように電子部品4、4、・・・にそれぞれ有機フィルム5、5、・・・が載置された状態において、基板1が部品接合装置50の配置空間52aにおいてステージヒーター59に載置され、有機フィルム加圧工程が行われる(図6参照)。有機フィルム加圧工程においては、押さえ部材として機能する加圧ヘッドヒーター58によって全ての有機フィルム5、5、・・・が一度に下方側に押圧され、有機フィルム5、5、・・・に第1の圧力P1が付与される。このとき有機フィルム5、5、・・・の変形(軟化)を促進するために、加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱される。加圧ヘッドヒーター58は下面が平面状の押さえ面58aとして形成されている。
As described above, the
このように加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱されたときには、有機フィルム5、5、・・・の温度がガラス転移点よりも高くなるが、後述する接合工程において加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱されたときの温度より低くされている。従って、有機フィルム5、5、・・・は加熱により変形されるが、この時点では電子部品4、4、・・・の電極端子4a、4a、・・・は基板2の電極2a、2a、・・・に接合されない。
When the
加圧ヘッドヒーター58は押さえ面58aが有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・に押し当てられ、圧力調整用ネジ55の回転によって下方へ移動されることにより有機フィルム5、5、・・・に対して第1の圧力P1を付与する。
The
加圧ヘッドヒーター58によって有機フィルム5、5、・・・に第1の圧力P1が付与されることにより、有機フィルム5、5、・・・が押し潰されて変形され、押さえ面58aが押し当てられた複数の有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・の高さが均一にされる(図6及び図7に示すH参照)。
When the first pressure P1 is applied to the
このとき、上記したように、有機フィルム5、5、・・・の厚みが電子部品4、4、・・・のうち高さが最も高い電子部品4と高さが最も低い電子部品4との高さの差よりも厚くされているため、全ての有機フィルム5、5、・・・が加圧ヘッドヒーター58によって確実に押し潰され、有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・の高さが確実に均一にされる。
At this time, as described above, the thickness of the
また、有機フィルム5、5、・・・の下面の大きさが電子部品4、4、・・・の上面の大きさより大きくされているため、有機フィルム5、5、・・・が加圧ヘッドヒーター58に押し潰された状態において、電子部品4、4、・・・の側面の少なくとも一部が有機フィルム5、5、・・・の各一部によって覆われる。
Moreover, since the magnitude | size of the lower surface of
さらに、有機フィルム5、5、・・・の厚みは、電子部品4、4、・・・のうち高さが最も高い電子部品4と高さが最も低い電子部品4との高さの差よりも厚くされているため、加圧ヘッドヒーター58によって押し潰された有機フィルム5、5、・・・の各一部が全ての電子部品4、4、・・・の各上面と加圧ヘッドヒーター58の押さえ面58aとの間に残存する。従って、加圧ヘッドヒーター58の押さえ面58aが電子部品4、4、・・・と接触することがなく、電子部品4、4、・・・に対する不要な負荷の発生を防止することができると共に電子部品4、4、・・・の損傷や傷付きを防止することができる。
Further, the thickness of the
さらにまた、加圧ヘッドヒーター58によって全ての有機フィルム5、5、・・・が一度に下方側に押圧されて被押さえ面5a、5a、・・・の高さが均一にされるため、電子部品4、4、・・・毎の平行度の調整等の高度の制御が不要になる。
Furthermore, since all the
続いて、圧力調整用ネジ55の回転によって加圧ヘッドヒーター58が上方へ移動され、加圧ヘッドヒーター58が有機フィルム5、5、・・・から上方に離隔されて加圧ヘッドヒーター58による有機フィルム5、5、・・・に対する第1の圧力P1の付与が解除される(図7参照)。このとき、例えば、電子部品4、4、・・・が載置された基板1等を部品接合装置50の配置空間52aから一旦取り出して冷却してもよく、また、基板1等を配置空間52aから取り出すことなく加圧ヘッドヒーター58とステージヒーター59の加熱を停止して冷却してもよい。
Subsequently, the
このように冷却されることにより熱可塑性の樹脂材料によって形成された有機フィルム5、5、・・・が結晶化されて硬化され、次の工程に進むことが可能になる。
By cooling in this way, the
次に、接合工程が行われる(図8参照)。接合工程に際しては、基板1等が部品接合装置1の配置空間52aから取り出されていたときには、再び基板1等を配置空間52aにおいてステージヒーター59に載置する。尚、接合工程は部品接合装置50とは別の加圧装置に基板1等を配置して行うことも可能であるが、以下には、基板1等を再び配置空間52aにおいてステージヒーター59に載置する例について示す。
Next, a joining process is performed (see FIG. 8). In the bonding process, when the
接合工程においては、加圧部材として機能する加圧ヘッドヒーター58によって有機フィルム5、5、・・・に第2の圧力P2が付与される。加圧ヘッドヒーター58は押さえ面58aが有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・に押し当てられ、圧力調整用ネジ55の回転によって下方へ移動されることにより有機フィルム5、5、・・・に対して第2の圧力P2を付与する。
In the joining step, the second pressure P2 is applied to the
このとき基板1の電極2a、2a、・・・にそれぞれ電子部品4、4、・・・の電極端子4a、4a、・・・を接合させるために、上記した第2の圧力P2が付与されると共に加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱される。
At this time, in order to join the
加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱されることにより、電子部品4、4、・・・の各電極端子4a、4a、・・・がそれぞれ基板1の各電極2a、2a、・・・にそれぞれ固相拡散によって直接接合される。
When the
上記には、有機フィルム加圧工程において押さえ部材として機能する加圧ヘッドヒーター58を接合工程において加圧部材として用いる例を示した。従って、このように加圧ヘッドヒーター58を押さえ部材及び加圧部材として用いることにより、専用の押さえ部材及び加圧部材をそれぞれ設ける必要がなく、電子部品4、4、・・・の接合作業における作業時間の短縮化及び部品点数の削減によるコストの低減を図ることができる。
Above, the example which uses the
続いて、圧力調整用ネジ55の回転によって加圧ヘッドヒーター58が上方へ移動され、加圧ヘッドヒーター58が有機フィルム5、5、・・・から上方に離隔されて加圧ヘッドヒーター58による有機フィルム5、5、・・・に対する第2の圧力P2の付与が解除される(図9参照)。このとき、例えば、電子部品4、4、・・・が載置された基板1等を部品接合装置50の配置空間52aから取り出して冷却してもよく、また、基板1等を配置空間52aから取り出すことなく加圧ヘッドヒーター58とステージヒーター59の加熱を停止して冷却してもよい。
次に、剥離工程が行われる(図10参照)。剥離工程においては、加圧ヘッドヒーター58によって押し潰された有機フィルム5、5、・・・がそれぞれ電子部品4、4、・・・から剥離される。
Subsequently, the
Next, a peeling process is performed (refer FIG. 10). In the peeling process, the
このように接合工程の後に剥離工程において電子部品4、4、・・・から有機フィルム5、5、・・・が剥離されることにより、有機フィルム5、5、・・・から発生するおそれのある不純物やガス等による電子部品4、4、・・・に対する影響を回避することができ、電子部品4、4、・・・の良好な駆動状態を確保することができる。
As described above, the
尚、有機フィルム5、5、・・・が電子部品4、4、・・・に対して影響を及ぼすおそれがないか、その影響が軽微であり電子部品4、4、・・・の良好な駆動状態を確保することが可能な場合には、剥離工程を省略することが可能である。この場合には、剥離工程を行わないため、電子部品4、4、・・・の接合作業における作業時間が短縮化され、生産性の向上を図ることができる。
In addition, there is no possibility that the
上記のように各工程が行われることにより、電子部品4、4、・・・の基板1に対する接合が完了し、回路基板6が形成される。
By performing each step as described above, the joining of the
尚、上記には、有機フィルム5、5、・・・として熱可塑性の樹脂材料によって形成されたフィルムが用いられた例を示したが、有機フィルム5、5、・・・として、例えば、熱硬化性の樹脂材料によって形成されたフィルムを用いることも可能である。有機フィルム5、5、・・・として熱硬化性の樹脂材料によって形成されたフィルムを用いた場合には、有機フィルム5、5、・・・に第1の圧力P1を付与する加圧工程において、加熱された加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59から熱が伝達されることにより有機フィルム5、5、・・・が硬化されるため、加圧が行われた後に有機フィルム5、5、・・・を冷却して硬化させる必要がない。
In the above, an example in which a film formed of a thermoplastic resin material is used as the
従って、電子部品4、4、・・・の接合作業における作業時間が短縮化され、生産性の向上を図ることができる。
Therefore, the work time in the joining work of the
また、有機フィルム5、5、・・・として、例えば、紫外線硬化型の樹脂材料によって形成されたフィルムを用いることも可能である。
Moreover, as the
有機フィルム5、5、・・・として紫外線硬化型の樹脂材料によって形成されたフィルムが用いられた場合には、加圧部材として機能する加圧ヘッドヒーター58の一部又は全部を紫外線により溶融しない透明材料、例えば、透明なガラス材料によって形成する(図11参照)。この場合には、加圧工程において加圧ヘッドヒーター58によって有機フィルム5、5、・・・が変形された後に、加圧ヘッドヒーター58を透過させて紫外線S、S、・・・を有機フィルム5、5、・・・に照射して有機フィルム5、5、・・・を硬化させることにより、次の工程に進むことが可能になる。
When a film formed of an ultraviolet curable resin material is used as the
このように有機フィルム5、5、・・・として紫外線硬化型の樹脂材料によって形成されたフィルムを用い、紫外線S、S、・・・によって有機フィルム5、5、・・・を硬化させることにより、有機フィルム5、5、・・・の硬化が迅速に行われ、硬化時間の短縮化による生産性の向上を図ることができる。
In this way, by using a film formed of an ultraviolet curable resin material as the
また、有機フィルム5が2層構造に形成され、上側の第1層のガラス転移点が下側の第2層のガラス転移点より高くされるように構成されてもよい。
Alternatively, the
このように有機フィルム5が2層構造にされ第1層のガラス転移点が第2層のガラス転移点より高くされることにより、有機フィルム加圧工程において有機フィルム5に第1の圧力が付与されたときに、第2層が第1層より変形し易くなると共に押し潰された有機フィルム5、5、・・・の一部を電子部品4の上面と加圧ヘッドヒーター58の押さえ面58aとの間に残存させ易くすることができ、加圧時における電子部品4に対する負荷の軽減を図ることができる。
As described above, the
尚、上記には、電子部品4、4、・・・の上面にそれぞれ有機フィルム5、5、・・・が載置される例を示したが、例えば、隣り合って位置された電子部品4、4、・・・の高さが同じである場合や高さの差が小さい場合には、複数の電子部品4、4、・・・に跨った状態で一つの有機フィルム5が載置されるようにしてもよい。
In the above, an example in which the
<離型フィルムを用いる方法>
次に、離型フィルムを用いた電子部品4、4、・・・の接合方法について説明する(図12乃至図17参照)。尚、離型フィルムを用いた接合方法は、上記した部品載置工程と有機フィルム載置工程の間に離型フィルム載置工程が追加される方法であり、他の工程は上記で説明した内容と略同じであるため、以下には、上記した各工程における事項と異なる事項のみについて詳細に説明する。
<Method using release film>
Next, a method for joining the
塗布工程及び部品載置工程が行われると、次に、離型フィルム載置工程が行われる(図12参照)。離型フィルム載置工程においては、電子部品4、4、・・・の上面にそれぞれ離型フィルム7、7、・・・が載置される。離型フィルム7としては、例えば、電子部品4に対する離型性が有機フィルム5より高い金属フィルムやポリイミド等のフィルムが用いられている。
If an application | coating process and a component mounting process are performed, a release film mounting process will be performed next (refer FIG. 12). In the release film placing step, the
離型フィルム7、7、・・・はそれぞれ電子部品4、4、・・・の上面の大きさより大きくされ、離型フィルム7、7、・・・がそれぞれ電子部品4、4、・・・に載置された状態においては、離型フィルム7、7、・・・の外周側の部分がそれぞれ電子部品4、4、・・・から側方に突出された状態にされている。
The
次に、有機フィルム載置工程が行われる(図13参照)。有機フィルム載置工程においては、離型フィルム7、7、・・・の上面にそれぞれ有機フィルム5、5、・・・が載置される。
Next, an organic film mounting step is performed (see FIG. 13). In the organic film placing step, the
次いで、有機フィルム加圧工程が行われる(図14参照)。有機フィルム加圧工程においては、押さえ部材として機能する加圧ヘッドヒーター58によって全ての有機フィルム5、5、・・・と全ての離型フィルム7、7、・・・が一度に下方側に押圧され、有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・に第1の圧力P1が付与される。このとき有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・の変形(軟化)を促進するために、加圧ヘッドヒーター58及びステージヒーター59が加熱される。
Next, an organic film pressurizing step is performed (see FIG. 14). In the organic film pressing step, all the
加圧ヘッドヒーター58によって有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・に第1の圧力P1が付与されることにより、有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・が押し潰されて変形され、押さえ面58aが押し当てられた複数の有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・の高さが均一にされる(図14及び図15に示すH参照)。
When the first pressure P1 is applied to the
このとき、有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・の下面の大きさが電子部品4、4、・・・の上面の大きさより大きくされているため、有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・が加圧ヘッドヒーター58に押し潰された状態において電子部品4、4、・・・の側面の少なくとも一部が有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・の各一部によって覆われる。電子部品4、4、・・・の側面の少なくとも一部が有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・の各一部によって覆われた状態においては、電子部品4、4、・・・の側面に離型フィルム7、7、・・・が密着され、有機フィルム5、5、・・・は電子部品4、4、・・・の側面に密着されない。
At this time, the
続いて、接合工程が行われて電子部品4、4、・・・の各電極端子4a、4a、・・・が基板1の各電極2a、2a、・・・にそれぞれ接合される(図16参照)。
Subsequently, a joining process is performed, and the
次に、剥離工程が行われる(図17参照)。剥離工程においては、加圧ヘッドヒーター58によって押し潰された有機フィルム5、5、・・・と離型フィルム7、7、・・・がそれぞれ電子部品4、4、・・・から剥離される。
Next, a peeling process is performed (refer FIG. 17). In the peeling process, the
このとき、電子部品4、4、・・・には、電子部品4、4、・・・に対する離型性が有機フィルム5、5、・・・より高い金属フィルムやポリイミド等のフィルムである離型フィルム7、7、・・・が密着されているため、有機フィルム5、5、・・・を電子部品4、4、・・・から容易かつ確実に剥離することができ、剥離工程における作業性の向上による生産性の向上を図ることができる。
At this time, the
また、有機フィルム5、5、・・・から発生するおそれのある不純物やガス等による電子部品4、4、・・・に対する影響を確実に回避することができ、電子部品4、4、・・・の良好な駆動状態を確保することができる。
Moreover, the influence on the
さらに、離型フィルム7、7、・・・によって有機フィルム5、5、・・・から発生するおそれのある不純物やガス等を遮蔽することが可能であり、上記した各工程の作業中においても電子部品4、4、・・・に対する有機フィルム5、5、・・・の影響を回避することができる。
Furthermore, it is possible to shield impurities and gases that may be generated from the
上記のように各工程が行われることにより、電子部品4、4、・・・の基板1に対する接合が完了し、回路基板6が形成される。
By performing each step as described above, the joining of the
尚、上記には、電子部品4、4、・・・の上面にそれぞれ離型フィルム7、7、・・・が載置される例を示したが、例えば、隣り合って位置された電子部品4、4、・・・の高さが同じである場合や高さの差が小さい場合には、複数の電子部品4、4、・・・に跨った状態で一つの離型フィルム7が載置されるようにしてもよい。
In the above, an example in which the
<まとめ>
以上に記載した通り、電子部品4、4、・・・の接合方法にあっては、複数の有機フィルム5、5、・・・の被押さえ面5a、5a、・・・の高さを均一にした状態で加圧ヘッドヒーター58によって加熱及び加圧し、複数の電子部品4、4、・・・の各電極端子4a、4a、・・・を基板1の各電極2a、2a、・・・に直接接合している。
<Summary>
As described above, in the joining method of the
従って、加圧工程における一度の加熱及び加圧によって複数の電子部品4、4、・・・の各電極端子4a、4a、・・・が基板1の各電極2a、2a、・・・に接合されるため、拡散反応のための時間が全体として短縮化され、各電子部品4、4、・・・の平行度の調整等の高度な制御も必要なく、電子部品4、4、・・・間の距離が小さい場合にも複数の電子部品4、4、・・・の各電極端子4a、4a、・・・が基板1の各電極2a、2a、・・・に接合され、電子部品4、4、・・・の電極端子4a、4a、・・・と基板1の電極2a、2a、・・・との良好な接合状態を確保した上で生産性の向上を図ることができると共に基板1の小型化を図ることができる。
Therefore, the
また、電子部品4、4、・・・の各位置や各高さが変更された場合においても上記した接合方法を使用することができ、汎用性の向上を図ることができる。
Moreover, even when each position and each height of the
<その他>
上記には、電子部品4の電極端子4aを基板1の電極2aに固相拡散により接合する例を示したが、本発明は、例えば、半導体チップ(電子部品)同士を接合し複合部品化する所謂チップオンチップや半導体パッケージ等における電極の接合等の実装基板(回路基板)や半導体装置の分野に広く適用することが可能である。
<Others>
Although the example which joined the
58…加圧ヘッドヒーター(押さえ部材)(加圧部材)
1…基板
2…電極
4…電子部品
5…有機フィルム
7…離型フィルム
58 ... Pressure head heater (pressing member) (pressurizing member)
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記複数の電子部品のうち高さが最も高い電子部品と高さが最も低い電子部品との高さの差よりも厚い有機フィルムを、前記複数の電子部品に載置する有機フィルム載置工程と、
平面状の押さえ面を有し所定の温度に加熱された押さえ部材の前記押さえ面を前記有機フィルムに押し当て、前記押さえ部材によって前記電子部品側に第1の圧力を付与し、前記押さえ面が押し当てられた前記有機フィルムの被押さえ面の高さを均一にする有機フィルム加圧工程と、
平面状の加圧面を有する加圧部材の前記加圧面を前記被押さえ面に押し当て、前記加圧部材によって前記電子部品側に第2の圧力を付与するとともに所定の時間加熱し、前記複数の電子部品の各電極端子を前記基板の各電極に接合する接合工程とを備えた
電子部品の接合方法。 A component placing step of placing the electrode terminals of a plurality of electronic components including at least two electronic components having different heights and having a plurality of electrode terminals, respectively, in alignment with the plurality of electrodes;
An organic film placing step of placing an organic film thicker than the difference in height between the electronic component having the highest height and the electronic component having the lowest height among the plurality of electronic components; ,
The pressing surface of the pressing member that has a flat pressing surface and heated to a predetermined temperature is pressed against the organic film, the first pressure is applied to the electronic component side by the pressing member, and the pressing surface is An organic film pressurizing step for making the height of the pressed surface of the pressed organic film uniform,
The pressing surface of the pressing member having a flat pressing surface is pressed against the pressed surface, the second pressure is applied to the electronic component side by the pressing member and heated for a predetermined time. A bonding step of bonding each electrode terminal of the electronic component to each electrode of the substrate.
請求項1に記載の電子部品の接合方法。 The electronic component joining method according to claim 1, further comprising a peeling step of removing the pressure member and peeling the organic film from the plurality of electronic components as a subsequent step of the joining step.
前記有機フィルムを前記複数の電子部品に前記離型フィルムを介して載置するようにした
請求項2に記載の電子部品の接合方法。 Between the component placement step and the organic film placement step, a release film placement step of placing a release film on the plurality of electronic components,
The method for bonding electronic components according to claim 2, wherein the organic film is placed on the plurality of electronic components via the release film.
前記第1層のガラス転移点が前記第2層のガラス転移点より高くされた
請求項1、請求項2又は請求項3に記載の電子部品の接合方法。 The organic film is composed of a first layer and a second layer positioned on the electronic component side from the first layer,
The method for bonding electronic components according to claim 1, wherein the glass transition point of the first layer is higher than the glass transition point of the second layer.
前記有機フィルムとして紫外線硬化型フィルムが用いられ、
前記有機フィルム加圧工程において前記有機フィルムに前記押さえ部材を透過させて紫外線を照射し前記有機フィルムを硬化するようにした
請求項1、請求項2、請求項3又は請求項4に記載の電子部品の接合方法。 At least a part of the pressing member is formed of a transparent material,
An ultraviolet curable film is used as the organic film,
5. The electron according to claim 1, claim 2, claim 3, or claim 4, wherein in the organic film pressurizing step, the organic film is cured by transmitting the pressing member through the organic film and irradiating ultraviolet rays. Part joining method.
前記加圧面として前記押さえ面が用いられた
請求項1、請求項2、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の電子部品の接合方法。 The pressing member is used as the pressing member,
The electronic component joining method according to claim 1, wherein the pressing surface is used as the pressing surface.
請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5又は請求項6に記載の電子部品の接合方法。 The electrode terminal of the electronic component and the electrode of the substrate are formed of gold, silver, copper, tin, nickel, zinc, antimony, bismuth, indium, or an alloy thereof. The method for joining electronic components according to claim 4, claim 5 or claim 6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013051680A JP5660740B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | Bonding method of electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013051680A JP5660740B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | Bonding method of electronic parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179420A true JP2014179420A (en) | 2014-09-25 |
JP5660740B2 JP5660740B2 (en) | 2015-01-28 |
Family
ID=51699102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013051680A Active JP5660740B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | Bonding method of electronic parts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5660740B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6484370B1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-03-13 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | Electronic component mounting equipment |
CN109716505A (en) * | 2016-08-24 | 2019-05-03 | 财团法人波动能量极限制御研究团 | The method for transferring micro element and the micro element substrate as made by this method |
CN109807455A (en) * | 2019-03-12 | 2019-05-28 | 广东省焊接技术研究所(广东省中乌研究院) | A kind of diffusion welding method of diffusion welding (DW) fixture and cupro-nickel composite sheet |
JP2020129626A (en) * | 2019-02-09 | 2020-08-27 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | Electronic component mounting device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080100A (en) * | 2002-09-26 | 2006-03-23 | Toray Eng Co Ltd | Bonding method and bonding device |
JP2010110809A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Olympus Corp | Semiconductor device |
JP2011200930A (en) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Gunma Univ | Method for joining metal member |
-
2013
- 2013-03-14 JP JP2013051680A patent/JP5660740B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080100A (en) * | 2002-09-26 | 2006-03-23 | Toray Eng Co Ltd | Bonding method and bonding device |
JP2010110809A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Olympus Corp | Semiconductor device |
JP2011200930A (en) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Gunma Univ | Method for joining metal member |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014041287; 水越正孝: 'フリップチップ接続技術の最新動向' エレクトロニクス実装学会誌 [ONLINE] 第10巻,第5号, 20070801, p.415-422, 社団法人エレクトロニクス実装学会 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109716505A (en) * | 2016-08-24 | 2019-05-03 | 财团法人波动能量极限制御研究团 | The method for transferring micro element and the micro element substrate as made by this method |
CN109716505B (en) * | 2016-08-24 | 2023-03-24 | 财团法人波动能量极限制御研究团 | Method for transferring micro-device and micro-device substrate manufactured by the method |
JP6484370B1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-03-13 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | Electronic component mounting equipment |
WO2019230032A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | Electronic component mounting device |
JP2020129626A (en) * | 2019-02-09 | 2020-08-27 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | Electronic component mounting device |
CN109807455A (en) * | 2019-03-12 | 2019-05-28 | 广东省焊接技术研究所(广东省中乌研究院) | A kind of diffusion welding method of diffusion welding (DW) fixture and cupro-nickel composite sheet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5660740B2 (en) | 2015-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101388753B1 (en) | Apparatus and methods for molded underfills in flip chip packaging | |
US10462921B2 (en) | Method for producing an electronic module assembly and electronic module assembly | |
JP2014179419A (en) | Method for bonding electronic component | |
JP5660740B2 (en) | Bonding method of electronic parts | |
JP2008072038A (en) | Method of connecting electrical components | |
US20210013175A1 (en) | Method of assembling a semiconductor power module component and a semiconductor power module with such a module component and manufacturing system therefor | |
CN108231613B (en) | General procedure for interconnecting an electronic chip with a connector body and shaping the connector body | |
JP5830847B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and bonding method | |
JP2012074497A (en) | Circuit board | |
JP2006261186A (en) | Bonding method and bonding equipment | |
KR20160108196A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP4757880B2 (en) | Method for manufacturing electronic component, method for manufacturing heat conductive member, and method for mounting heat conductive member for electronic component | |
EP2560468A1 (en) | Method of connecting elements of a plurality of elements to one another | |
JP2013012693A (en) | Semiconductor module mounting method | |
US8875977B2 (en) | Element pressing apparatus and heating system using element pressing apparatus | |
JP2011254047A (en) | Electronic device manufacturing method | |
JP2008192725A (en) | Semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same | |
JP5613100B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2013081971A (en) | Pressure-heating apparatus and method for manufacturing electronic component | |
JP2014179421A (en) | Component jointing device | |
JP2006140403A (en) | Manufacturing method and manufacturing device for semiconductor device | |
JP5451053B2 (en) | Flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus | |
JP2009004462A (en) | Method of mounting semiconductor device | |
JP2010263200A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and pressure container used for the method | |
US20230343611A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method and molding press machine |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140725 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20140725 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5660740 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |