JP2014179163A - 有機el素子、製造方法、及び有機elパネル - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【課題】ウェットコーティング法により、有機発光層105を含む有機発光媒体層を形成された有機EL素子において、有機層からのデガスによる輝度低下を防ぎ、経時で輝度低下を起こさない有機EL素子及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】基板101上に複数の画素が配列された発光領域を有し、前記画素を区画する4辺からなる隔壁層と、前記画素毎に配置された第一電極102と、前記画素電極上に配置された有機機能層と、前記画素電極上に配置された第二電極108と、を有する有機EL素子であって、前記隔壁層が2層以上からなり、4辺の少なくとも1辺の隔壁層1層目106が、逆テーパー形状であり、且つ、前記第二電極108を、1層目の逆テーパーによって、一部を分断させた構造とした。
【選択図】図1
【解決手段】基板101上に複数の画素が配列された発光領域を有し、前記画素を区画する4辺からなる隔壁層と、前記画素毎に配置された第一電極102と、前記画素電極上に配置された有機機能層と、前記画素電極上に配置された第二電極108と、を有する有機EL素子であって、前記隔壁層が2層以上からなり、4辺の少なくとも1辺の隔壁層1層目106が、逆テーパー形状であり、且つ、前記第二電極108を、1層目の逆テーパーによって、一部を分断させた構造とした。
【選択図】図1
Description
本発明は、溶剤に溶解しているインキを被印刷基板上に印刷することにより高精細なパターンを形成して得られた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子、製造方法、及び有機ELパネルに関するものである。
近年、携帯電話、タブレット型PC、モバイルPC、車載用ナビゲーションシステム等における表示素子として、薄型、低電力、高輝度表示などの特徴を備える有機EL素子が注目されている。
有機EL素子は、二つの対向する電極の間に正孔輸送材料からなる正孔輸送層及び、有機発光材料からなる有機発光層が形成される。ここではこれらの層を合わせて有機発光媒体層と呼ぶことにするが、有機EL素子はこれらの有機発光媒体層に電流を流すことで発光させるものである。効率よく発光させるには有機発光媒体層の膜厚が重要であり、100nm程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイパネル化するには高精細にパターニングする必要がある。
有機発光媒体層を形成する正孔輸送材料及び有機発光材料には、低分子材料と高分子材料が有り、一般に低分子材料は真空蒸着法等により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化するほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題がある。
そこで、最近では高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェットコーティング法で有機発光層を含む有機発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から正孔輸送層、有機発光層と積層する二層構成が一般的である。このとき、有機発光層はカラーパネル化するために赤(R)、緑(G)、青(B)のそれぞれの発光色をもつ有機発光材料を溶剤中に溶解または安定して分散してなる有機発光インキを用いて塗り分けることが出来る。
しかし、ウェットコーティング法では、有機材料のインキ化に、溶剤を使用するため、有機層を形成した後に残留溶媒が残ってしまう。そのため、パネル化した際、この残留溶媒が、経時で有機層からのデガスとして放出され、輝度低下を起こす要因となっている。
これまで、輝度低下の対策として先行特許により、熱による有機層の劣化(特許文献1)や、水分による陰極の劣化を防止する(特許文献2)提案がなされているが、これらの方法では、外部からの劣化因子を防ぐ方法であって、有機層のデガスによる輝度低下といった内部からの劣化因子を解決することにはなっていない。
本発明では、ウェットコーティング法により、有機発光層を含む有機発光媒体層を形成する有機EL素子において、形成された有機層からのデガスによる輝度低下を防ぎ、経時で輝度低下を起こさない有機EL素子及び、その製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、基板上に複数の画素が配列された発光領域を有し、
前記画素を区画する4辺からなる隔壁層と、
前記画素毎に配置された第一電極(画素電極)と、
前記画素電極上に配置された有機機能層と、
前記画素電極上に配置された第二電極(陰極)と、を有する有機EL素子であって、
前記隔壁層が2層以上からなり、4辺の少なくとも1辺の隔壁層の1層目が、逆テーパー形状であり、且つ、前記第二電極を、1層目の逆テーパーによって、一部を分断させた構造としたことを特徴とする有機EL素子である。
前記画素を区画する4辺からなる隔壁層と、
前記画素毎に配置された第一電極(画素電極)と、
前記画素電極上に配置された有機機能層と、
前記画素電極上に配置された第二電極(陰極)と、を有する有機EL素子であって、
前記隔壁層が2層以上からなり、4辺の少なくとも1辺の隔壁層の1層目が、逆テーパー形状であり、且つ、前記第二電極を、1層目の逆テーパーによって、一部を分断させた構造としたことを特徴とする有機EL素子である。
また、請求項2に記載の発明は、前記画素が長方形であり、長方形の画素を区画する隔壁層が、長辺と短辺からなり、長辺の隔壁層の1層目が、逆テーパー形状であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子である。
また、請求項3に記載の発明は、前記隔壁層の1層目の膜厚が、前記第二電極の膜厚の1.5倍以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL素子である。
また、請求項4に記載の発明は、基板上に複数の配列された発光画素を有し、前記画素を区画する2層以上からなる隔壁層と、前記画素毎に配置された第一電極(画素電極)と、前記画素電極上に配置された有機機能層及び、第二電極と、を有する有機EL素子の製造方法であって、
前記隔壁層1層目を設け、パターニングのために感光性樹脂を、第一電極の端部を覆うように設け、露光現像後、残存部のレジストをマスクとして、エッチングにより隔壁層1層目を、膜厚方向に対し、逆テーパー形状に形成する工程と、
前記第二電極を、蒸着法により、画素全体を覆うように形成される工程を有し、
前記逆テーパー形状に形成された隔壁層1層目により、前記第二電極を分断させることを特徴とする有機EL素子の製造方法である。
前記隔壁層1層目を設け、パターニングのために感光性樹脂を、第一電極の端部を覆うように設け、露光現像後、残存部のレジストをマスクとして、エッチングにより隔壁層1層目を、膜厚方向に対し、逆テーパー形状に形成する工程と、
前記第二電極を、蒸着法により、画素全体を覆うように形成される工程を有し、
前記逆テーパー形状に形成された隔壁層1層目により、前記第二電極を分断させることを特徴とする有機EL素子の製造方法である。
また、請求項5に記載の発明は、前記隔壁層1層目の膜厚が、第二電極膜厚の1.5倍以上の膜厚に形成することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子の製造方法である。
また、請求項6に記載の発明は、前記有機機能層を凸版印刷法を用い、隔壁の列方向に沿って形成することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の有機EL素子の製造方法である。
また、請求項7に記載の発明は、請求項4〜6のいずれか一項に記載の有機EL素子の製造方法を用いて作製したことを特徴とする有機ELパネルである。
本発明によると、隔壁の端部により、陰極が部分的に分断されることにより、有機層かのデガスの逃げ道ができるため、デガスによる輝度低下を防ぐことが可能となる。
以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。ここでは、本発明を、アクティブマトリクス駆動型有機EL表示装置の有機エレクトロルミネッセンスパネル(有機ELパネル)に適用した場合について説明する。ただし、本発明はアクティブマトリクス駆動型有機EL表示装置に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動型有機EL表示装置に適用することも可能である。
図1(a)は有機EL素子の平面図、図1(b)は図1(a)のA−A’線における断面図、図1(c)は図1(a)のB−B’線における断面図であり、少なくとも薄膜トランジスタTFT(図示せず)を備えた基板101と、画素ごとに設けられる前記薄膜トランジスタTFTと第一電極102と第一電極102の上に形成された正孔輸送層(又は正孔注入層)103とから成る第一電極102(陽極側)と、第一電極102の端部を覆うように形成された隔壁層1層目106となる絶縁層と、第一電極102の上に形成された有機発光層105と、有機発光層105の上に形成された電子注入層(又は電子輸送層、図示せず)及びこの電子注入層(又は電子輸送層、図示せず)の上に形成された第2電極層108(陰極)と、を備える。
第2電極層108(陰極)が、隔壁層1層目106のテーパー部により一部を分断させた構造となっている。なお、ここでは、正孔輸送層103(又は正孔注入層)のみを設けているが、正孔輸送層103及び正孔注入層の両方を設けることも可能である。同様に、電子注入層(又は電子輸送層、図示せず)のみを設けているが、電子注入層及び電子輸送層の両方を設けることも可能である。
アクティブマトリクス駆動型有機EL表示装置(以後、有機EL表示装置ともいう)に適用される前記基板(バックプレーン)402の上面には、図4に示すように、薄膜トランジスタTFTと有機EL表示装置の第一電極401とが設けられており、かつ、薄膜トランジスタTFTのソース電極406と第一電極401とが電気的に接続されている。
薄膜トランジスタTFTや、その上に構成される有機ELパネルは基板402で支持される。基板402としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れていれば、如何なる材料も使用することができる。
例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて基板402の透光性を選択すればよい。
これらの材料からなる基板402は、有機EL表示装置内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光層105への水分の侵入を避けるために、基板402における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。
基板402上に設ける薄膜トランジスタTFTは、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層403、ゲート絶縁膜404及びゲート電極405から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
活性層403は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p‐フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層403は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法;SiH4ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法;Si2H6ガスを用いてLPCVD法により、またSiH4ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス);減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜404を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極405を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。
ゲート絶縁膜404としては、ゲート絶縁膜として通常使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等を用いることができる。
ゲート電極405としては、ゲート電極405として通常使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属;チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属;ポリシリコン;高融点金属のシリサイド;ポリサイド;等が挙げられる。
薄膜トランジスタTFTは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
本発明の有機EL表示装置は、薄膜トランジスタTFTが、有機ELパネルのスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、薄膜トランジスタTFTのソース電極406と有機ELパネルの画素電極(第一電極401)とが電気的に接続されている。なお、図4において、407は薄膜トランジスタTFTのドレイン電極、408は走査線、409は層間絶縁膜、410は画素間を区切る隔壁となる絶縁層(図1の隔壁層1層目106に対応)である。
次に、図4の第一電極401の成形方法について説明する。TFT基板400の上に第
一電極401を成膜し、形成されるべき画素に応じてパターニングを行う。パターニングされた第一電極401は、後述のように隔壁層1層目410によって区画され、各画素に対応した第一電極401となる。
一電極401を成膜し、形成されるべき画素に応じてパターニングを行う。パターニングされた第一電極401は、後述のように隔壁層1層目410によって区画され、各画素に対応した第一電極401となる。
第一電極401の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。
第一電極401を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、第一電極401の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。
第一電極401の形成方法としては、第一電極401の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。
第一電極401のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
なお、TFT基板400として薄膜トランジスタTFTが形成されている基板を用いる場合には、下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。
隔壁となる隔壁層1層目106は、画素に対応した発光領域を区画するように形成する。図1に示すように、第一電極401の端部を覆うように形成するのが好ましい。第一電極401の端部が露出していると、端部に電場が集中し、素子の短絡などの性能劣化が生じるおそれがあるが、隔壁として隔壁層1層目106で、電極である第一電極401端部を覆うことによりこれを抑制することができる。
また、経時における有機層からのデガスによる輝度低下が生じる問題において隔壁層1層目により陰極を部分的に分断することでこれを抑制できる。
一般的にアクティブマトリクス駆動型の表示装置は各画素に対して第一電極401が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとする。そのため、画素電極となる第一電極401の端部を覆うように形成される隔壁としての隔壁層1層目106の最も好ましい形状は、画素電極つまり第一電極401を最短距離で区切る格子状を基本とし、断面形状は、逆テーパー形状をしていることが望ましい。
隔壁としての隔壁層1層目106の形成方法としては、従来と同様、TFT基板400上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法が挙げられる。
隔壁層1層目106の好ましい高さは、端部で分断させるため陰極108膜厚の1.5〜2.0倍が望ましい。低すぎると、陰極108が隔壁端部を被覆して、分断が起きず、高すぎると有機層を凸版印刷法で形成する際に、ムラの原因になってしまうからである。
隔壁層1層目106上の隔壁層2層目107は、陰極108の導通を確保しつつ、陰極108を隔壁層1層目106で分断させるように形成するには、有機膜形成する際に、凸
版印刷法を用いる場合、印刷(列)方向と直行する行方向は、有機膜が隔壁をまたいで繋がっていため分断させにくいため、列方向の少なくとも1辺の隔壁層1層目106のエッジが剥き出しになるように、形成することが望ましい。
版印刷法を用いる場合、印刷(列)方向と直行する行方向は、有機膜が隔壁をまたいで繋がっていため分断させにくいため、列方向の少なくとも1辺の隔壁層1層目106のエッジが剥き出しになるように、形成することが望ましい。
隔壁層2層目107の形成法としては、基板101上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。実施の形態の例として、2層の隔壁について説明したが、必要に応じて撥水剤を添加した層を積層してもよく、2層に限定しない。また、プラズマやUVを照射することにより、後の有機発光層105を生成する工程における有機発光層105形成用のインクに対する撥液性を付与したりすることもできる。
次に、正孔輸送層103の形成方法について説明する。隔壁層2層目107を形成した後、正孔輸送層103を形成する。正孔輸送層103を形成する正孔輸送材料としてはポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4‐エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)などが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成される。
また正孔輸送材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、Cu2O、Cr2O3、Mn2O3、FeOx(x≧0.1)、NiO、CoO、Pr2O3、Ag2O,MoO2,Bi2O3、ZnO、TiO2、SnO2、ThO2、V2O5、Nb2O5、Ta2O5、MoO3、WO3、MnO2などが用いられ、蒸着法にて形成される。ただし材料はこれらに限定されるものではない。
正孔輸送層103を形成した後、正孔輸送層103の、第一電極102と対向する直上の位置に、インターレイヤー104を形成する。インターレイヤー104に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷法、フレキソ印刷法等の公知の印刷方法といった湿式法を用いて形成される。
インターレイヤー104形成後、有機発光層105を形成する。有機発光層105は電流を通すことにより発光する層である。
有機発光層105を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。これら材料もインターレイヤー104同様の湿式法を用いて形成される。
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ、有機発光インキとする。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。有機発光インキの塗布法として、凸版印刷法を用いた凸版印刷装置の一例を図5に示す。
凸版印刷法は、塗布液の粘性特性が良好な粘度範囲で、基材を傷つけることなく印刷することができ、塗布液材料の利用効率が良い点から有機ELパネルの製造に適している。
図5に示す、凸版印刷法による凸版印刷装置は、インキタンク501と、インキチャンバー502と、アニロックスロール503と、画線部が凸形状に形成された凸版からなる版505がマウントされた版銅506とを有している。インキタンク501には、溶剤で希釈された前記有機発光インキが収容されており、インキチャンバー502にはインキタンク501より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール503はインキチャンバー502のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。
アニロックスロール503の回転に伴い、インキチャンバー502によりアニロックスロール503の表面に供給された有機発光インキのインキ層504は均一な膜厚に形成される。このインキ層504のインキはアニロックスロール503に近接して回転駆動される版胴506にマウントされた版505の凸状部に転移する。
前記版505には、予めTFT基板400に形成された画素電極としての第一電極401のパターンに応じて画線部となる凸状部を形成しておく。
一方、ステージ508には、第一電極401、インターレイヤー及び正孔輸送層103が形成されたTFT基板400が被印刷基板507として載置されている。そして、被印刷基板507と版505との位置合わせ等が行われた後、版505の凸状部の頂部面のインキが被印刷基板507に対して印刷されることにより、有機発光インキが被印刷基板507に転写され、必要に応じて乾燥工程を経ることにより、被印刷基板507上に有機発光層105が形成される。これによって、被印刷基板507であるTFT基板400の絶縁膜409間の正孔輸送層103上に有機発光インキからなる有機発光層105が形成される。
次に、図1に示す電子注入層(或いは電子輸送層)と陰極層とを含む第2電極層108の形成方法について説明する。電子注入層(或いは電子輸送層、図示せず)には無機材料を用い、電子注入効率と安定性とを両立させることのできる、仕事関数の小さいアルカリ金属やアルカリ土類金属の単体或いは化合物、合金系を選択し、これを、有機発光層105を含む全面に数nm形成させる。また、陰極層108には、仕事関数の低い無機材料をMg,Al,Yb等の金属単体を用いたり、電子注入効率と安定性とを両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系を用いる。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金系が使用できる。
第二電極層(陰極)108の形成方法としては、材料に応じてチャンバー内で、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いて形成することができる。
次に、封止体について説明する。有機EL表示装置としては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体(図示せず)を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィル
ムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m2/day以下であることが好ましい。
ムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m2/day以下であることが好ましい。
基板として、基板101上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ400と、その上方に形成された第一電極102(画素電極)とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。また、アクティブマトリクス基板のサイズは、200[mm]×200[mm]である。さらに、上記のアクティブマトリクス基板は、その中に対角が5インチであり、画素数が320×240のディスプレイが中央に配置されている。
この基板上に、基板全面が成膜されるように、CVD法を用いてSiNxを700nm成膜した。CVD法においては、純度99.9999%のSiH4、NH3、H2ガスを用いた。チャンバー内の基板は、ホットプレートにより加熱し、基板表面温度が130度になるように、調節を行なった。プラズマ電力を1.5kWで2000秒間成膜することで、0.6μmの膜厚を得た。この時の真空度は、150PaとなるようにSiH4、NH3、H2を1:2:10の比率で供給した。
その後、SiNx膜上に、ポジ型感光レジスト(日本ゼオン社製、ZEP520A)を全面にスピンコートし、フォトリソグラフィー法により、レジストの開口が、100μm×300μmになるように形成し、その後、残存部のレジストをマスクとして、開口部のSiNxを反応性イオンエッチング(RIE)のドライエッチング法により、隔壁層1層目の逆テーパー形状を形成する。反応性ガスはフッ素と酸素を用いた。フッ素ガスおよび酸素ガスの混合ガスをチャンバー内に導入する。各流量を調整し、フッ素ガスの流量を100sccmとし、酸素ガスの流量を400sccmとし、チャンバー内の圧力が10Paになるように調節を行った。また、高周波電源ら13.56MHzの高周波電力700Wを印加した。隔壁部以外の窒化シリコン膜がドライエッチングにより除去され、基板からのテーパー角度が150度となり、隔壁層1層目106が形成された。
隔壁層2層目107形成は、東レ社製、ポジレジスト、商品名「フォトニース DL−1000」を用いて、スピンコートにて基板全面に厚み2μmで形成した後、開口が、102×300μmのフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィー法により、画素縦方向(印刷方向)の隔壁層1層目106のエッジが2μmむき出すように、にパターニングして隔壁層2層目107を形成した。これによりサブピクセル数960×240ドット、0.12mm×0.36mmピッチ画素領域が区画された。
その後、第一電極102上に正孔輸送層103として、厚み20nmの酸化モリブデンをスパッタ法により成膜した。
次に、インターレイヤー104材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度0.5%になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、隔壁層1層目106に挟まれた第一電極102の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層105を凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤー104の膜厚は30nmとなった。
次に、青の有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度1%になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、隔壁層1層目106に挟まれた第一電極102の真上にそのラインパターンに合わせて青の有
機発光層105を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層105の膜厚は、画素の中心が最も薄く60nmで、隔壁に向かうにつれて厚くなった。
機発光層105を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層105の膜厚は、画素の中心が最も薄く60nmで、隔壁に向かうにつれて厚くなった。
次に、電子注入層(又は電子輸送層、図示せず)として、真空蒸着法で画素全体を覆うようにBa膜を成膜した。その後、第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように、200nm成膜した。
その後、封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約90℃で1時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、アクティブマトリックス駆動型有機ELパネルを製作した。
第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように400nmの膜厚に成膜した以外は、実施例1と同じ工程とした。
<比較例1>
実施例1に対して、隔壁層1層目106を形成せず、隔壁層2層目107を、東レ社製、ポジレジスト、商品名「フォトニース DL−1000」を用いて、スピンコーター法にて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて、画素を区画するように形成した工程が異なるだけで、その他工程は、実施例1と同じとした
<比較例2>
第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように、800nmの膜厚に成膜した以外は、実施例1と同じ工程とした。
実施例1に対して、隔壁層1層目106を形成せず、隔壁層2層目107を、東レ社製、ポジレジスト、商品名「フォトニース DL−1000」を用いて、スピンコーター法にて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて、画素を区画するように形成した工程が異なるだけで、その他工程は、実施例1と同じとした
<比較例2>
第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように、800nmの膜厚に成膜した以外は、実施例1と同じ工程とした。
<比較例3>
第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように、600の膜厚に成膜した以外は、実施例1と同じ工程とした。
第二電極(陰極)108として、Al膜を真空蒸着法により、画素全体を覆うように、600の膜厚に成膜した以外は、実施例1と同じ工程とした。
<本発明の実施例及び比較実施例に対する物性の評価>
上記の手順によって得られた本発明の実施例と比較実施に対して、室温23℃に6ヶ月間の間保管中、1ヶ月ごとに、パネルの輝度測定を行い、初期輝度200cd/cm2を、100%とし、輝度変化を調査した。その結果を、表1及び、図6に示す。
上記の手順によって得られた本発明の実施例と比較実施に対して、室温23℃に6ヶ月間の間保管中、1ヶ月ごとに、パネルの輝度測定を行い、初期輝度200cd/cm2を、100%とし、輝度変化を調査した。その結果を、表1及び、図6に示す。
これは、輝度低下が起きたパネルと起きていないパネルの画素の断面形状を観察すると、輝度低下の起きていないパネルは図1に示したように、陰極の一部が、隔壁層1層目による段切れしていたのに対し、輝度低下の起こっていたパネルは、断面形状が図2及び、図3のように、陰極が連続的につながっていた。
この結果から、この第二電極(陰極)108の段切れによって、有機発光層105等の残留ガス及び、隔壁201などからのデガスが画素内に滞留せず、抜けたことによって、輝度低下が抑えられたと考察した。また、比較実施例2の結果から、第二電極(陰極)108膜厚が400nm以下、または、隔壁層1層目の高さの3分の2以下の膜厚で、第二電極(陰極)108に段切れが起きていることから、陰極の1.5倍の隔壁層1層目の高さ、あるいは、隔壁層1層目の厚みの3分の2の第二電極(陰極)108膜厚にするのが好ましい結果が得られた
101・・・基板
102・・・第一電極(陽極)
103・・・正孔輸送層
104・・・インターレイヤー
105・・・有機発光層
106・・・隔壁層1層目
107・・・隔壁層2層目
108・・・第二電極(陰極)
201・・・隔壁
400・・・TFT基板
401・・・第一電極
402・・・基板
403・・・活性層
404・・・ゲート絶縁層
405・・・ゲート電極
406・・・ソース電極
407・・・ドレイン電極
408・・・走査線
409・・・絶縁膜
410・・・隔壁層1層目
501・・・インキタンク
502・・・インキチャンバー
503・・・アニロックスロール
504・・・インキ層
505・・・凸版
506・・・版胴
507・・・基板
508・・・ステージ
102・・・第一電極(陽極)
103・・・正孔輸送層
104・・・インターレイヤー
105・・・有機発光層
106・・・隔壁層1層目
107・・・隔壁層2層目
108・・・第二電極(陰極)
201・・・隔壁
400・・・TFT基板
401・・・第一電極
402・・・基板
403・・・活性層
404・・・ゲート絶縁層
405・・・ゲート電極
406・・・ソース電極
407・・・ドレイン電極
408・・・走査線
409・・・絶縁膜
410・・・隔壁層1層目
501・・・インキタンク
502・・・インキチャンバー
503・・・アニロックスロール
504・・・インキ層
505・・・凸版
506・・・版胴
507・・・基板
508・・・ステージ
Claims (7)
- 基板上に複数の画素が配列された発光領域を有し、
前記画素を区画する4辺からなる隔壁層と、
前記画素毎に配置された第一電極(画素電極)と、
前記画素電極上に配置された有機機能層と、
前記画素電極上に配置された第二電極(陰極)と、を有する有機EL素子であって、
前記隔壁層が2層以上からなり、4辺の少なくとも1辺の隔壁層の1層目が、逆テーパー形状であり、且つ、前記第二電極を、1層目の逆テーパーによって、一部を分断させた構造としたことを特徴とする有機EL素子。 - 前記画素が長方形であり、長方形の画素を区画する隔壁層が、長辺と短辺からなり、長辺の隔壁層の1層目が、逆テーパー形状であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記隔壁層の1層目の膜厚が、前記第二電極の膜厚の1.5倍以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL素子。
- 基板上に複数の配列された発光画素を有し、前記画素を区画する2層以上からなる隔壁層と、前記画素毎に配置された第一電極(画素電極)と、前記画素電極上に配置された有機機能層及び、第二電極と、を有する有機EL素子の製造方法であって、
前記隔壁層1層目を設け、パターニングのために感光性樹脂を、第一電極の端部を覆うように設け、露光現像後、残存部のレジストをマスクとして、エッチングにより隔壁層1層目を、膜厚方向に対し、逆テーパー形状に形成する工程と、
前記第二電極を、蒸着法により、画素全体を覆うように形成される工程を有し、
前記逆テーパー形状に形成された隔壁層1層目により、前記第二電極を分断させることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記隔壁層1層目の膜厚が、第二電極膜厚の1.5倍以上の膜厚に形成することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記有機機能層を凸版印刷法を用い、隔壁の列方向に沿って形成することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。
- 請求項4〜6のいずれか一項に記載の有機EL素子の製造方法を用いて作製したことを特徴とする有機ELパネル。
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9911796B2 (en) | 2015-12-25 | 2018-03-06 | Japan Display Inc. | Display device and method of manufacturing a display device |
CN107799564A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-13 | 乐金显示有限公司 | 有机发光阵列和使用其的有机发光显示装置 |
-
2013
- 2013-03-13 JP JP2013050325A patent/JP2014179163A/ja active Pending
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US9911796B2 (en) | 2015-12-25 | 2018-03-06 | Japan Display Inc. | Display device and method of manufacturing a display device |
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CN107799564B (zh) * | 2016-08-31 | 2021-11-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光阵列和使用其的有机发光显示装置 |
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