JP2014175461A - Protective film formation device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物の加工面に保護膜を被覆する保護膜形成装置に関する。 The present invention relates to a protective film forming apparatus for covering a processed surface of a workpiece such as a semiconductor wafer with a protective film.
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って切断することによって個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層され光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed in a matrix by a laminated body in which an insulating film and a functional film are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A wafer is formed. In the semiconductor wafer formed in this way, the above devices are partitioned by dividing lines called streets, and individual devices are manufactured by cutting along the streets. In addition, an optical device wafer in which a plurality of regions are defined by streets formed in a lattice pattern on the surface of a sapphire substrate, etc., and a gallium nitride-based compound semiconductor is stacked on the partitioned regions is an optical device wafer. Are divided into optical devices such as individual light emitting diodes and laser diodes, and are widely used in electrical equipment.
このような半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハ等の被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。） As a method of dividing a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer along a street, a laser processing groove is formed by irradiating a pulse laser beam along a street formed on a workpiece such as a wafer, A method of cleaving with a mechanical braking device along the laser processed groove has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
レーザー加工は切削加工に比して加工速度を速くすることができるとともに、サファイヤのように硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。しかしながら、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという新たな問題が生じる。 Laser processing can increase the processing speed as compared with cutting processing, and can relatively easily process even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire. However, when a laser beam is irradiated along the street of the wafer, thermal energy concentrates on the irradiated area and debris is generated. Arise.
上記デブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にポリビニルアルコール（PVA）等の保護膜を被覆し、保護膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工機が提案されている。（例えば、特許文献２参照。） In order to solve the problem caused by the debris, there has been proposed a laser processing machine in which a processing surface of a wafer is coated with a protective film such as polyvinyl alcohol (PVA) and the wafer is irradiated with a laser beam through the protective film. (For example, see Patent Document 2.)
上記特許文献２に開示された保護膜の被覆方法は、スピンナーテーブルに保持された被加工物の中心部にポリビニルアルコール（PVA）等の液状樹脂を供給し、スピンナーテーブルを回転することにより遠心力によって液状樹脂を被加工物の外周に向けて移動させ、被加工物の加工面に保護膜を形成する所謂スピンコート法である。 In the method for coating a protective film disclosed in Patent Document 2, a liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) is supplied to the central portion of the workpiece held on the spinner table, and the spinner table is rotated to rotate the spin force. This is a so-called spin coating method in which the liquid resin is moved toward the outer periphery of the workpiece to form a protective film on the processed surface of the workpiece.
而して、被加工物は環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着されスピンナーテーブルに保持された状態で保護膜が形成されるため、環状のフレームの上面および外周側面等に液状樹脂が残存する。このため、環状のフレームにダイシングテープを介して支持された被加工物を搬送する際に、環状のフレームの上面および外周側面等に残存している液状樹脂が搬送手段に付着して搬送に支障をきたすという問題がある。
また、レーザー加工機に保護膜形成装置が組み込まれていない場合には、独立した保護膜形成装置によって環状のフレームにダイシングテープを介して支持された被加工物に保護膜を形成した後、被加工物は環状のフレームにダイシングテープを介して支持された状態でカセットに収容されてレーザー加工機に搬送されるが、レーザー加工機を構成する搬出手段によってカセットから搬出する際に、環状のフレームの上面および外周側面等に残存している液状樹脂が搬出手段に付着したり、搬出手段によって被加工物が搬出された仮置き手段に環状のフレームに残存している液状樹脂が付着して搬送トラブルが生ずるという問題がある。
Thus, the work piece is adhered to the surface of the dicing tape mounted on the annular frame, and a protective film is formed while being held on the spinner table. Resin remains. For this reason, when the work piece supported on the annular frame via the dicing tape is transported, the liquid resin remaining on the upper surface and the outer peripheral surface of the annular frame adheres to the transport means and hinders transport. There is a problem of causing
In addition, when a protective film forming apparatus is not incorporated in the laser processing machine, a protective film is formed on a work piece supported on a ring frame via a dicing tape by an independent protective film forming apparatus, The workpiece is accommodated in the cassette while being supported by the annular frame via the dicing tape, and is transported to the laser processing machine. When the workpiece is unloaded from the cassette by the unloading means constituting the laser processing machine, the annular frame is used. The liquid resin remaining on the upper surface and the outer peripheral surface of the material adheres to the carry-out means, or the liquid resin remaining in the annular frame adheres to the temporary placement means from which the work piece is carried out by the carry-out means. There is a problem that trouble occurs.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ダイシングテープを介して被加工物を支持する環状のフレームに付着した液状樹脂を除去する機能を備えた保護膜形成装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is the formation of a protective film having a function of removing liquid resin adhering to an annular frame that supports a workpiece via a dicing tape. Is to provide a device.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、開口部を有する環状フレームの開口部に配設され環状のフレームとともにダイシングテープに貼着された被加工物の加工面に液状樹脂を被覆する保護膜形成装置であって、
環状のフレームの内周より大きく外周より小さい外径を有する保持面を備えたスピンナーテーブルと、
該スピンナーテーブルを回転駆動する回転駆動手段と、
該スピンナーテーブルに保持された被加工物の加工面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームに付着した液状樹脂を洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの上面にエアーを噴射する上部エアーブロー手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの外周部下面にエアーを噴射する下部エアーブロー手段と、を具備している、
ことを特徴とする保護膜形成装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a liquid resin is coated on the processed surface of a work piece disposed in an opening of an annular frame having an opening and attached to a dicing tape together with the annular frame. A protective film forming apparatus,
A spinner table having a holding surface having an outer diameter larger than the inner circumference of the annular frame and smaller than the outer circumference;
A rotation drive means for rotating the spinner table;
A liquid resin supply means for supplying a liquid resin to the processed surface of the workpiece held by the spinner table;
Cleaning water spraying means for spraying cleaning water for cleaning the liquid resin adhering to the annular frame held by the spinner table;
Upper air blowing means for injecting air onto the upper surface of the annular frame held by the spinner table;
Lower air blowing means for injecting air to the lower surface of the outer peripheral portion of the annular frame held by the spinner table,
A protective film forming apparatus is provided.
本発明による保護膜形成装置は、環状のフレームの内周より大きく外周より小さい外径を有する保持面を備えたスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルを回転駆動する回転駆動手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の加工面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段と、スピンナーテーブルに保持された環状のフレームに付着した液状樹脂を洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段と、スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの上面にエアーを噴射する上部エアーブロー手段と、スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの外周部下面にエアーを噴射する下部エアーブロー手段を具備しているので、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された被加工物の加工面に液状樹脂を被覆する際に環状のフレームの上面に付着した液状樹脂を、洗浄水噴射手段によって洗浄することにより洗い流すことができるが、洗浄水で薄められた液状樹脂が環状のフレーム１１の上面から外周面に至り下面に付着する。そこで、上部エアーブロー手段および下部エアーブロー手段を作動することにより、環状のフレームに付着している洗浄水で薄められた液状樹脂は噴射されたエアーによって吹き飛ばされて除去される。従って、環状のフレームに付着した液状樹脂が、搬送手段や仮置き手段に付着して発生する搬送トラブルを回避することができる。 The protective film forming apparatus according to the present invention is held by a spinner table having a holding surface having an outer diameter larger than the inner circumference of the annular frame and smaller than the outer circumference, rotation driving means for rotating the spinner table, and the spinner table. Liquid resin supply means for supplying liquid resin to the processed surface of the workpiece, cleaning water injection means for injecting cleaning water for cleaning the liquid resin adhering to the annular frame held on the spinner table, and holding on the spinner table Since the upper air blow means for injecting air to the upper surface of the annular frame and the lower air blow means for injecting air to the lower surface of the outer periphery of the annular frame held by the spinner table are provided. When coating the processed surface of the workpiece pasted on the surface of the dicing tape mounted on the substrate with liquid resin The liquid resin adhering to the upper surface of the annular frame can be washed away by washing with the washing water jetting means, but the liquid resin diluted with washing water reaches the outer peripheral surface from the upper surface of the annular frame 11 and adheres to the lower surface. To do. Therefore, by operating the upper air blowing means and the lower air blowing means, the liquid resin diluted with the washing water adhering to the annular frame is blown off by the injected air and removed. Accordingly, it is possible to avoid a conveyance trouble caused by the liquid resin adhering to the annular frame adhering to the conveying means or the temporary placing means.
以下、本発明に従って構成された保護膜形成装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a protective film forming apparatus configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明に従って構成された保護被膜形成装置が装備されたレーザー加工機の斜視図が示されている。
図１に示すレーザー加工機は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成されたチャックテーブル３の吸着チャック支持台３１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３４が配設されている。
FIG. 1 is a perspective view of a laser processing machine equipped with a protective film forming apparatus constructed according to the present invention.
The laser beam machine shown in FIG. 1 includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 as a workpiece holding means for holding a workpiece is disposed so as to be movable in a direction indicated by an arrow X that is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 mounted on the suction chuck support 31, and is a workpiece on a mounting surface that is a surface of the suction chuck 32. For example, a disk-shaped semiconductor wafer is held by suction means (not shown). The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The suction chuck support 31 of the chuck table 3 configured as described above is provided with a clamp 34 for fixing an annular frame described later.
図示のレーザー加工機は、レーザー光線照射手段４を備えている。レーザー光線照射手段４は、レーザー光線発振手段４１と、該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光する集光器４２を具備している。 The illustrated laser beam machine includes a laser beam irradiation means 4. The laser beam irradiating unit 4 includes a laser beam oscillating unit 41 and a condenser 42 for condensing the laser beam oscillated by the laser beam oscillating unit.
図示のレーザー加工機は、上記チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記レーザー光線照射手段４の集光器４２から照射されるレーザー光線によって加工すべき領域を検出する撮像手段５を具備している。この撮像手段５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、図示のウエーハの分割装置は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。 The illustrated laser beam machine images the surface of the workpiece held on the chucking chuck 32 of the chuck table 3 and the region to be processed by the laser beam emitted from the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4. An imaging means 5 for detection is provided. The imaging means 5 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera, and sends the captured image signal to a control means (not shown). The wafer dividing apparatus shown in the figure includes a display unit 6 for displaying an image captured by the imaging unit 5.
図示のレーザー加工機は、加工前の被加工物であるウエーハの表面(加工面)に保護膜を被覆する保護膜形成装置７を具備している。この保護膜形成装置７について、図２乃至図４を参照して説明する。
図示の実施形態における保護膜形成装置７は、スピンナーテーブル機構７１と、該スピンナーテーブル機構７１を包囲して配設された洗浄水受け手段７２を具備している。スピンナーテーブル機構７１は、スピンナーテーブル７１１と、該スピンナーテーブル７１１を回転駆動する電動モータ７１２と、該電動モータ７１２を上下方向に移動可能に支持する支持機構７１３を具備している。スピンナーテーブル７１１は多孔性材料から形成された上面が被加工物を保持する保持面となる吸着チャック７１１ａを具備しており、この吸着チャック７１１ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル７１１は、吸着チャック７１１ａに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック７１１上にウエーハを保持する。なお、スピンナーテーブル７１１は、後述する環状のフレームの内周より大きく外周より小さい外径に形成されており、従って、後述する環状のフレームがスピンナーテーブル７１１の上面に保持されると、環状のフレームの外周部がスピンナーテーブル７１１の外周から外側に突出された状態となる。上記電動モータ７１２は、その駆動軸７１２ａの上端に上記スピンナーテーブル７１１を連結する。上記支持機構７１３は、複数本（図示の実施形態においては３本）の支持脚７１３ａと、該支持脚７１３ａをそれぞれ連結し電動モータ７１２に取り付けられた複数本（図示の実施形態においては３本）のエアシリンダ７１３ｂとからなっている。このように構成された支持機構７１３は、エアシリンダ７１３ｂを作動することにより、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１を図３に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図４に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
The illustrated laser processing machine includes a protective film forming apparatus 7 that covers a protective film on the surface (processed surface) of a wafer that is a workpiece before processing. The protective film forming apparatus 7 will be described with reference to FIGS.
The protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment includes a spinner table mechanism 71 and cleaning water receiving means 72 disposed so as to surround the spinner table mechanism 71. The spinner table mechanism 71 includes a spinner table 711, an electric motor 712 that rotationally drives the spinner table 711, and a support mechanism 713 that supports the electric motor 712 so as to be movable in the vertical direction. The spinner table 711 includes a suction chuck 711a whose upper surface formed of a porous material serves as a holding surface for holding a workpiece, and the suction chuck 711a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 711 holds the wafer on the suction chuck 711 by placing a wafer as a workpiece on the suction chuck 711a and applying a negative pressure by suction means (not shown). The spinner table 711 is formed to have an outer diameter larger than the inner periphery of the annular frame described later and smaller than the outer periphery. Therefore, when the annular frame described later is held on the upper surface of the spinner table 711, the annular frame Is in a state of protruding outward from the outer periphery of the spinner table 711. The electric motor 712 connects the spinner table 711 to the upper end of the drive shaft 712a. The support mechanism 713 includes a plurality of support legs 713a (three in the illustrated embodiment) and a plurality of support legs 713a that are connected to the electric motor 712 by connecting the support legs 713a (three in the illustrated embodiment). ) Air cylinder 713b. The support mechanism 713 configured as described above operates the air cylinder 713b to move the electric motor 712 and the spinner table 711 to the workpiece loading / unloading position, which is the upper position illustrated in FIG. 3, and the lower position illustrated in FIG. Position to the working position that is the position.
上記洗浄水受け手段７２は、洗浄水受け容器７２１と、該洗浄水受け容器７２１を支持する３本（図２には２本が示されている）の支持脚７２２と、上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａに装着されたカバー部材７２３とを具備している。洗浄水受け容器７２１は、図３および図４に示すように円筒状の外側壁７２１ａと底壁７２１ｂと内側壁７２１ｃとからなっている。底壁７２１ｂの中央部には上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａが挿通する穴７２１ｄが設けられおり、この穴７２１ｄの周縁から上方に突出する内側壁７２１ｃが形成されている。また、図２に示すように底壁７２１ｂには排液口７２１ｅが設けられており、この排液口７２１ｅにドレンホース７２４が接続されている。上記カバー部材７２３は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部７２３ａを備えておる。このように構成されたカバー部材７２３は、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１が図４に示す作業位置に位置付けられると、カバー部７２３ａが上記洗浄水受け容器７２１を構成する内側壁７２１ｃの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。 The cleaning water receiving means 72 includes a cleaning water receiving container 721, three support legs 722 (two are shown in FIG. 2) that support the cleaning water receiving container 721, and the electric motor 712. And a cover member 723 attached to the drive shaft 712a. As shown in FIGS. 3 and 4, the washing water receiving container 721 includes a cylindrical outer wall 721a, a bottom wall 721b, and an inner wall 721c. A hole 721d through which the drive shaft 712a of the electric motor 712 is inserted is provided at the center of the bottom wall 721b, and an inner wall 721c protruding upward from the periphery of the hole 721d is formed. Further, as shown in FIG. 2, a drainage port 721e is provided in the bottom wall 721b, and a drain hose 724 is connected to the drainage port 721e. The cover member 723 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 723a that protrudes downward from the outer peripheral edge thereof. When the electric motor 712 and the spinner table 711 are positioned at the work position shown in FIG. 4, the cover member 723 thus configured has a gap between the cover portion 723 a and the inner wall 721 c that constitutes the cleaning water receiving container 721. Is positioned to polymerize.
図示の実施形態における保護膜形成装置７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された加工前の被加工物であるウエーハの加工面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段７４を具備している。液状樹脂供給手段７４は、スピンナーテーブル７１１に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を供給する樹脂供給ノズル７４１と、該樹脂供給ノズル７４１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７４２を備えており、樹脂供給ノズル７４１が図示しない樹脂液供給源に接続されている。樹脂供給ノズル７４１は、水平に延びるノズル部７４１ａと、該ノズル部７４１ａから下方に延びる支持部７４１ｂとからなっており、支持部７４１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない樹脂液供給源に接続されている。なお、樹脂供給ノズル７４１の支持部７４１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７４１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment includes a liquid resin supply means 74 that supplies a liquid resin to a processed surface of a wafer that is a workpiece before processing, which is held by the spinner table 711. The liquid resin supply means 74 is a resin supply nozzle 741 that supplies the liquid resin toward the processed surface of the wafer before processing held by the spinner table 711, and can be rotated forward and backward to swing the resin supply nozzle 741. An electric motor 742 is provided, and a resin supply nozzle 741 is connected to a resin liquid supply source (not shown). The resin supply nozzle 741 includes a nozzle portion 741a extending horizontally and a support portion 741b extending downward from the nozzle portion 741a, and the support portion 741b is provided on the bottom wall 721b constituting the cleaning liquid recovery container 721. An insertion hole (not shown) is inserted and connected to a resin liquid supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 741b is attached to the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 741b of the resin supply nozzle 741 is inserted.
図示の実施形態における保護膜形成装置７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームおよび加工後の被加工物であるウエーハに洗浄水を噴射するための洗浄水噴射手段７５を具備している。洗浄水噴射手段７５は、スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームに付着した液状樹脂を洗浄する洗浄水を噴射するとともに、スピンナーテーブル７１１に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７５１と、該洗浄水ノズル７５１を揺動せしめる正転・逆転可能な図示しない電動モータを備えており、該洗浄水ノズル７５１が図示しない洗浄水供給源に接続されている。洗浄水ノズル７５１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７５１ａと、該ノズル部７５１ａの基端から下方に延びる支持部７５１ｂとからなっており、支持部７５１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない洗浄水供給源に接続されている。なお、洗浄水ノズル７５１の支持部７５１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７５１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment includes an annular frame (to be described later) held by the spinner table 711 and cleaning water injection means 75 for injecting cleaning water to a wafer that is a processed workpiece. doing. The cleaning water injection means 75 injects cleaning water for cleaning a liquid resin adhering to an annular frame, which will be described later, held by the spinner table 711, and the cleaning water toward the processed wafer held by the spinner table 711. Is provided with a washing water nozzle 751 for jetting water and an electric motor (not shown) that can rotate forward and reverse to swing the washing water nozzle 751, and the washing water nozzle 751 is connected to a washing water supply source (not shown). . The cleaning water nozzle 751 includes a nozzle portion 751a that extends horizontally and has a tip bent downward, and a support portion 751b that extends downward from the base end of the nozzle portion 751a. The support portion 751b is the above-described cleaning liquid collection container. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the 721 is inserted and connected to a cleaning water supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 751b and the support hole 751b is attached to the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 751b of the cleaning water nozzle 751 is inserted.
また、図示の実施形態における保護膜形成装置７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームおよび加工後の被加工物であるウエーハにエアーを噴射するための上部エアーブロー手段７６を具備している。上部エアーブロー手段７６は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームの上面にエアーを噴射するとともに、スピンナーテーブル７１１に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル７６１と、該エアーノズル７６１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７６２を備えており、該エアーノズル７６１が図示しないエアー供給源に接続されている。エアーノズル７６１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７６１ａと、該ノズル部７６１ａの基端から下方に延びる支持部７６１ｂとからなっており、支持部７６１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないエアー供給源に接続されている。なお、エアーノズル７６１の支持部７６１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 Further, the protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment has an annular frame (to be described later) held by the spinner table 711 and an upper air blow means 76 for injecting air to a wafer which is a processed workpiece. It has. The upper air blower 76 injects air onto the upper surface of an annular frame (to be described later) held by the spinner table 711 and blows air toward the cleaned wafer held by the spinner table 711. And an electric motor 762 capable of normal / reverse rotation that swings the air nozzle 761, and the air nozzle 761 is connected to an air supply source (not shown). The air nozzle 761 includes a nozzle portion 761a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 761b that extends downward from the base end of the nozzle portion 761a. The support portion 761b is the cleaning liquid collection container 721. Is inserted through an insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the, and is connected to an air supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 761b is attached to the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 761b of the air nozzle 761 is inserted.
更に、図示の実施形態における保護膜形成装置７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームの外周部下面にエアーを噴射する下部エアーブロー手段７７を具備している。下部エアーブロー手段７７は、スピンナーテーブル７１１に保持された後述する環状のフレームの外周部下面にエアーを噴射するエアーノズル７７１を備えており、該エアーノズル７７１が図示しないエアー供給源に接続されている。エアーノズル７７１は、図３および図４に示すようにノズル部７７１ａと、該ノズル部７７１ａの基端から下方に延びる支持部７７１ｂとからなっており、支持部７７１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないエアー供給源に接続されている。なお、エアーノズル７７１の支持部７７１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７７１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 Further, the protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment includes a lower air blowing means 77 for injecting air onto the lower surface of the outer peripheral portion of an annular frame described later held on the spinner table 711. The lower air blowing means 77 includes an air nozzle 771 for injecting air onto the lower surface of the outer peripheral portion of an annular frame, which will be described later, held by a spinner table 711. The air nozzle 771 is connected to an air supply source (not shown). Yes. 3 and 4, the air nozzle 771 includes a nozzle portion 771a and a support portion 771b extending downward from the base end of the nozzle portion 771a. The support portion 771b constitutes the cleaning liquid collection container 721. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b is provided and connected to an air supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 771b and the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 771b of the air nozzle 771 is inserted is mounted.
図1に戻って説明を続けると、図示のレーザー加工機は、被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハ１０を収容するカセットが載置されるカセット載置部１３ａを備えている。カセット載置部１３ａには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル１３１が配設されており、このカセットテーブル１３１上にカセット１３が載置される。半導体ウエーハ１０は、開口部１１１を有する環状フレーム１１の開口部１１１に配設され環状のフレーム１１とともにダイシングテープ１２に貼着されており、ダイシングテープ１２を介して環状のフレーム１１に支持された状態で上記カセット１３に収容される。なお、半導体ウエーハ１０は、図５に示すように表面１０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図1に示すように環状のフレーム１１に装着されたダイシングテープ１２に表面１０ａ即ちストリート１０１およびデバイス１０２が形成されている面を上側にして裏面が貼着される。 Returning to FIG. 1, the description will continue. The illustrated laser processing machine includes a cassette mounting portion 13a on which a cassette for housing a semiconductor wafer 10 as a wafer to be processed is mounted. A cassette table 131 is arranged on the cassette mounting portion 13a so as to be movable up and down by lifting means (not shown). The cassette 13 is mounted on the cassette table 131. The semiconductor wafer 10 is disposed in the opening 111 of the annular frame 11 having the opening 111 and is attached to the dicing tape 12 together with the annular frame 11, and is supported by the annular frame 11 via the dicing tape 12. It is accommodated in the cassette 13 in a state. As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 10 is divided into a plurality of regions by a plurality of division lines 101 arranged in a lattice pattern on the surface 10a, and devices 102 such as ICs, LSIs, etc. are divided into these divided regions. Is formed. As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 10 constructed in this manner is attached to the dicing tape 12 mounted on the annular frame 11 with the front surface 10a, that is, the surface on which the street 101 and the device 102 are formed facing upward. Worn.
図示のレーザー加工機は、上記カセット１３に収納された加工前の半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された仮置き手段１４に搬出するとともに加工後の半導体ウエーハ１０をカセット１３に搬入する被加工物搬出・搬入手段１５と、仮置き手段１４に搬出された加工前の半導体ウエーハ１０を保護膜形成装置７に搬送するとともに保護膜形成装置７によって表面に保護膜が被覆された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する第１の被加工物搬送手段１６と、チャックテーブル３上でレーザー加工された半導体ウエーハ１０を保護膜形成装置７に搬送する第２の被加工物搬送手段１７を具備している。 The illustrated laser beam machine carries out the unprocessed semiconductor wafer 10 housed in the cassette 13 to the temporary placement means 14 disposed in the temporary placement section 14 a and also loads the processed semiconductor wafer 10 into the cassette 13. The semiconductor wafer 10 unprocessed which has been unloaded to the workpiece unloading / loading means 15 and the temporary placing means 14 is transported to the protective film forming apparatus 7 and the surface thereof is covered with the protective film by the protective film forming apparatus 7. First workpiece transfer means 16 for transferring 10 to the chuck table 3 and second workpiece transfer means for transferring the semiconductor wafer 10 laser-processed on the chuck table 3 to the protective film forming apparatus 7. 17.
図示のレーザー加工機は以上のように構成されており、以下その作動について説明する。
図１に示すように環状のフレーム１１にダイシングテープ１２を介して支持された加工前の半導体ウエーハ１０（以下、単に半導体ウエーハ１０という）は、加工面である表面１０ａを上側にしてカセット１３の所定位置に収容されている。カセット１３の所定位置に収容された加工前の半導体ウエーハ１０は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル１３１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出・搬入手段１５が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された仮置き手段１４に搬出する。仮置き手段１４に搬出された半導体ウエーハ１０は、仮置き手段１４によって所定の位置に位置合せされる。次に、仮置き手段１４によって位置合わせされた加工前の半導体ウエーハ１０は、第１の被加工物搬送手段１６の旋回動作によって保護膜形成装置７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される(ウエーハ保持工程)。このとき、スピンナーテーブル７１１は図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けられており、樹脂液供給手段７４の樹脂供給ノズル７４１と洗浄水噴射手段７５の洗浄水ノズル７５１および上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１は図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。
The illustrated laser beam machine is configured as described above, and its operation will be described below.
As shown in FIG. 1, an unprocessed semiconductor wafer 10 (hereinafter simply referred to as “semiconductor wafer 10”) supported on an annular frame 11 via a dicing tape 12 has a surface 10a, which is a processed surface, facing upward. Housed in place. The unprocessed semiconductor wafer 10 accommodated in a predetermined position of the cassette 13 is positioned at the unloading position when the cassette table 131 moves up and down by lifting means (not shown). Next, the workpiece unloading / loading means 15 moves forward and backward, and the semiconductor wafer 10 positioned at the unloading position is unloaded to the temporary placing means 14 disposed in the temporary placing portion 14a. The semiconductor wafer 10 carried out to the temporary placement means 14 is aligned at a predetermined position by the temporary placement means 14. Next, the unprocessed semiconductor wafer 10 aligned by the temporary placement means 14 is placed on the suction chuck 711a of the spinner table 711 constituting the protective film forming apparatus 7 by the turning operation of the first workpiece transfer means 16. It is conveyed and sucked and held by the suction chuck 711a (wafer holding step). At this time, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the resin supply nozzle 741 of the resin liquid supply means 74, the cleaning water nozzle 751 of the cleaning water injection means 75, and the upper air blowing means. As shown in FIGS. 2 and 3, the 76 air nozzles 761 are positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711.
加工前の半導体ウエーハ１０が保護膜形成装置７のスピンナーテーブル７１１上に保持するウエーハ保持工程を実施したならば、スピンナーテーブル７１１を作業位置に位置付けるとともに、液状樹脂供給手段７４を構成する樹脂供給ノズル７４１の電動モータ７４２を駆動して図６の(a)に示すように樹脂供給ノズル７４１のノズル部７４１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を矢印で示す方向に所定の回転速度（例えば２００rpm）で回転しつつ、環状のフレーム１１に装着されたダイシングテープ１２の表面に貼着された半導体ウエーハ１０の表面１０a(加工面)の中央領域に液状樹脂供給手段７４の樹脂供給ノズル７４１から所定量（例えば、半導体ウエーハ１０の直径が２００mmの場合に１cc）の液状樹脂１００を滴下する。なお、液状の保護材料は、ポリビニールアルコール（PVA：Poly Vinyl Alcohol)等の水溶性のレジストが望ましい。 If the wafer holding process in which the semiconductor wafer 10 before processing is held on the spinner table 711 of the protective film forming apparatus 7 is performed, the spinner table 711 is positioned at the working position and the resin supply nozzle constituting the liquid resin supply means 74 is provided. The electric motor 742 of 741 is driven to position the nozzle outlet 741a of the resin supply nozzle 741 above the central portion of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711 as shown in FIG. Then, while rotating the spinner table 711 in the direction indicated by the arrow at a predetermined rotation speed (for example, 200 rpm), the surface 10a (processing) of the semiconductor wafer 10 attached to the surface of the dicing tape 12 mounted on the annular frame 11 is processed. A predetermined amount (for example, 1 cc when the diameter of the semiconductor wafer 10 is 200 mm) is dropped from the resin supply nozzle 741 of the liquid resin supply means 74 into the central region of the surface. The liquid protective material is preferably a water-soluble resist such as polyvinyl alcohol (PVA).
このようにして、スピンナーテーブル７１１に保持されたレーザー加工前の半導体ウエーハ１０の表面１０a(加工面)の中央領域にポリビニールアルコール等の液状樹脂１００を１cc滴下し、スピンナーテーブル７１１を２００rpmの回転速度で６０秒程度回転することにより、図６の(b)に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０a(加工面)には厚さが１μ程度の保護膜１１０が被覆される(保護膜形成工程)。この保護膜形成工程においては、液状樹脂１００は遠心力によって環状のフレーム１１に向けて流動し、図６の(b)に示すように環状のフレーム１１の上面に付着する。 In this manner, 1 cc of a liquid resin 100 such as polyvinyl alcohol is dropped on the central region of the surface 10a (processed surface) of the semiconductor wafer 10 before laser processing held by the spinner table 711, and the spinner table 711 is rotated at 200 rpm. By rotating at a speed of about 60 seconds, as shown in FIG. 6B, the surface 10a (processed surface) of the semiconductor wafer 10 is covered with a protective film 110 having a thickness of about 1 μm (protective film forming step). ). In this protective film forming step, the liquid resin 100 flows toward the annular frame 11 by centrifugal force and adheres to the upper surface of the annular frame 11 as shown in FIG.
上述した保護膜形成工程を実施したならば、環状のフレーム１１の上面および外周面に付着した液状樹脂を除去する環状フレーム洗浄工程を実施する。即ち図7の(a)に示すように洗浄水噴射手段７５の図示しない電動モータを駆動して洗浄水ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された環状のフレーム１１の上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば１００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７５１ａの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出する。なお、ノズル部７５１ａは所謂２流体ノズルで構成され０．２ＭＰａ程度の純水が供給されるとともに、０．３〜０．５ＭＰａ程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出して環状のフレーム１１の上面を洗浄する。この結果図7の(b)に示すように環状のフレーム１１に付着した液状樹脂１００は上述したように水溶性の樹脂によって形成されているので、容易に洗い流すことができるが、洗浄水で薄められた液状樹脂１００が環状のフレーム１１の上面から外周面に至り下面に付着する。 If the protective film formation process mentioned above is implemented, the cyclic | annular frame washing | cleaning process which removes the liquid resin adhering to the upper surface and outer peripheral surface of the cyclic | annular flame | frame 11 will be implemented. That is, as shown in FIG. 7 (a), an electric motor (not shown) of the washing water jetting means 75 is driven, and the outlet of the nozzle portion 751a of the washing water nozzle 751 is held on the spinner table 711. Position it above. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotation speed of, for example, 100 rpm, cleaning water composed of pure water and air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 751a. The nozzle portion 751a is a so-called two-fluid nozzle and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is ejected by the pressure of the air. The upper surface of the annular frame 11 is cleaned. As a result, as shown in FIG. 7 (b), the liquid resin 100 adhering to the annular frame 11 is formed of the water-soluble resin as described above, and can be easily washed away. The liquid resin 100 thus obtained reaches the outer peripheral surface from the upper surface of the annular frame 11 and adheres to the lower surface.
次に、上記環状フレーム洗浄工程が実施された環状のフレーム１１に付着している洗浄水で薄められた液状樹脂を除去する液状樹脂除去工程を実施する。即ち、図８の(a)に示すように上部エアーブロー手段７６の電動モータ７６２を駆動してエアーノズル７６１のノズル部７６１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された環状のフレーム１１の上方に位置付ける。なお、下部エアーブロー手段７７のエアーノズル７７１を構成するノズル部７７１ａは、スピンナーテーブル７１１上に保持された環状のフレーム１１の外周部下面に向けられている。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば１００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７６１ａの噴出口からエアーを噴出する。この結果、図８の(b)に示すように環状のフレーム１１に付着している洗浄水で薄められた液状樹脂１００は噴射されたエアーによって吹き飛ばされて除去される。
なお、上述した液状樹脂除去工程において、スピンナーテーブル７１１を例えば２０００ｒｐｍで高速回転することで環状のフレーム１１に付着している洗浄水で薄められた液状樹脂１００は遠心力で飛ばされるが、半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆された保護膜１１０も飛散するので、スピンナーテーブル７１１の回転速度は１００ｒｐｍ程度が好ましい。
Next, a liquid resin removing step of removing the liquid resin diluted with the washing water attached to the annular frame 11 on which the annular frame cleaning step has been performed is performed. That is, as shown in FIG. 8A, the electric motor 762 of the upper air blowing means 76 is driven, and the jet port of the nozzle portion 761a of the air nozzle 761 is located above the annular frame 11 held on the spinner table 711. Position. The nozzle portion 771 a constituting the air nozzle 771 of the lower air blowing means 77 is directed to the lower surface of the outer peripheral portion of the annular frame 11 held on the spinner table 711. Then, air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 761a while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of 100 rpm, for example. As a result, as shown in FIG. 8B, the liquid resin 100 diluted with the washing water adhering to the annular frame 11 is blown off by the jetted air and removed.
In the liquid resin removing process described above, the spinner table 711 is rotated at a high speed of, for example, 2000 rpm, and the liquid resin 100 diluted with the cleaning water adhering to the annular frame 11 is blown away by centrifugal force. Since the protective film 110 coated on the surface 10a of the film 10 also scatters, the rotation speed of the spinner table 711 is preferably about 100 rpm.
また、上述した液状樹脂除去工程において、環状のフレーム１１を保持しているスピンナーテーブル７１１を回転しつつ上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１および下部エアーブロー手段７７のエアーノズル７７１からエアーを噴射すると、環状のフレーム１１の外周に付着している洗浄水で薄められた液状樹脂は移動して逃げる状態となり洗浄水で薄められた液状樹脂の除去が迅速に実施されない場合がある。このような問題を考慮して環状のフレーム１１を図９に示すように示すように構成することが望ましい。即ち、図９に示す環状のフレーム１１は、外周部に凹部１１１および凸部１１２が設けられている。この凹部１１１と凸部１１２は、いずれか一方でよい。このように構成された環状のフレーム１１においては、上述した液状樹脂除去工程において上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１および下部エアーブロー手段７７のエアーノズル７７１からエアーを噴射に伴って環状のフレーム１１の外周に付着している洗浄水で薄められた液状樹脂が移動すると、凹部１１１または凸部１１２によって集められるので、上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１および下部エアーブロー手段７７のエアーノズル７７１から噴射されるエアーによって迅速に除去される。 Further, in the above-described liquid resin removing step, when air is ejected from the air nozzle 761 of the upper air blowing means 76 and the air nozzle 771 of the lower air blowing means 77 while rotating the spinner table 711 holding the annular frame 11. The liquid resin diluted with the cleaning water adhering to the outer periphery of the annular frame 11 moves and escapes, and the liquid resin diluted with the cleaning water may not be removed quickly. In consideration of such problems, it is desirable to configure the annular frame 11 as shown in FIG. That is, the annular frame 11 shown in FIG. 9 is provided with a concave portion 111 and a convex portion 112 on the outer peripheral portion. Either one of the concave portion 111 and the convex portion 112 may be used. In the annular frame 11 configured as described above, the annular frame 11 is ejected from the air nozzle 761 of the upper air blowing means 76 and the air nozzle 771 of the lower air blowing means 77 in the liquid resin removing step described above. When the liquid resin diluted with the washing water adhering to the outer periphery moves, it is collected by the concave portion 111 or the convex portion 112, so that the air nozzle 761 of the upper air blowing means 76 and the air nozzle 771 of the lower air blowing means 77 It is quickly removed by the injected air.
上述したように半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに保護膜１１０を形成するとともに、環状のフレーム１１に付着した液状樹脂を除去したならば、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、スピンナーテーブル７１１上の半導体ウエーハ１０は、第１の被加工物搬送手段１６によってチャックテーブル３の吸着チャック３２上に搬送される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、該吸着チャック３２にダイシングテープ１２側が吸引保持される。また、環状のフレーム１１はクランプ３４によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない移動手段によってレーザー光線照射手段４に配設された撮像手段５の直下に位置付けられる。 As described above, when the protective film 110 is formed on the surface 10a that is the processing surface of the semiconductor wafer 10 and the liquid resin adhering to the annular frame 11 is removed, the spinner table 711 is loaded into the workpiece shown in FIG. -Positioning at the unloading position and releasing suction holding of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711. Then, the semiconductor wafer 10 on the spinner table 711 is transported onto the suction chuck 32 of the chuck table 3 by the first workpiece transport means 16. Then, by operating a suction means (not shown), the suction chuck 32 sucks and holds the dicing tape 12 side. The annular frame 11 is fixed by a clamp 34. The chuck table 3 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 in this way is positioned directly below the imaging means 5 disposed in the laser beam irradiation means 4 by a moving means (not shown).
チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａには保護被膜１１０が形成されているが、保護膜１１０が透明でない場合は赤外線で撮像して表面からアライメントすることができる。 When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, a street 101 formed in a predetermined direction on the semiconductor wafer 10 by the image pickup means 5 and a control means (not shown), and a laser beam irradiation means for irradiating the laser beam along the street 101 Image processing such as pattern matching for performing alignment with the four condensers 42 is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is performed on the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 and extending at right angles to the predetermined direction. At this time, the protective film 110 is formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 on which the street 101 is formed. However, if the protective film 110 is not transparent, it can be imaged with infrared rays and aligned from the surface.
以上のようにしてチャックテーブル３上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図で示すようにチャックテーブル３をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１を集光器４２の直下に位置付ける。このとき、図１０の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０は、ストリート１０１の一端(図１０の（ａ）において左端)が集光器４２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４の集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１１の（ｂ）で示すようにストリート１０１の他端（図１１の（ｂ）において右端）が集光器４２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート１０１の表面付近に合わせる。 As described above, when the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is detected and the laser beam irradiation position is aligned, the chuck table 3 is moved to the laser beam as shown in the figure. Is moved to a laser beam irradiation region where the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4 is positioned, and a predetermined street 101 is positioned immediately below the condenser 42. At this time, as shown in FIG. 10A, the semiconductor wafer 10 is positioned such that one end of the street 101 (the left end in FIG. 10A) is located directly below the condenser 42. Next, the chuck table 3 is moved at a predetermined processing feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 10A while irradiating a pulse laser beam from the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4. Then, as shown in FIG. 11B, when the other end of the street 101 (the right end in FIG. 11B) reaches a position directly below the condenser 42, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the chuck table 3 is stopped. Stop moving. In this laser processing groove forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface of the street 101.
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０のストリート１０１には図１０の（c）に示すようにレーザー加工溝１２０が形成される。このとき、レーザー光線の照射によりデブリ１３０が発生しても、このデブリ１３０は保護膜１１０によって遮断され、デバイス１０２およびボンディングパッド等に付着することはない。そして、上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に実施する。 By performing the laser beam irradiation process described above, the laser processing groove 120 is formed on the street 101 of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. At this time, even if the debris 130 is generated by the irradiation of the laser beam, the debris 130 is blocked by the protective film 110 and does not adhere to the device 102 and the bonding pad. Then, the laser beam irradiation process described above is performed on all the streets 101 of the semiconductor wafer 10.
なお、上記レーザー光線照射工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
出力 ：４W
集光スポット径 ：９．２μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／秒
In addition, the said laser beam irradiation process is performed on the following process conditions, for example.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 50 kHz
Output: 4W
Condensing spot diameter: 9.2 μm
Processing feed rate: 200 mm / sec
上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に沿って実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ１０は、第２の被加工物搬送手段１７によって保護膜形成装置７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される。このとき、樹脂液供給手段７４の樹脂供給ノズル７４１と洗浄水噴射手段７５の洗浄水ノズル７５１および上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１は、図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。 If the laser beam irradiation process described above is performed along all the streets 101 of the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is first returned to the position where the semiconductor wafer 10 is sucked and held. The suction holding of the semiconductor wafer 10 is released. Then, the semiconductor wafer 10 is transferred onto the suction chuck 711a of the spinner table 711 constituting the protective film forming apparatus 7 by the second workpiece transfer means 17, and is sucked and held by the suction chuck 711a. At this time, the resin supply nozzle 741 of the resin liquid supply means 74, the wash water nozzle 751 of the wash water injection means 75, and the air nozzle 761 of the upper air blow means 76 are located above the spinner table 711 as shown in FIGS. It is positioned at the standby position separated from
加工後の半導体ウエーハ１０が保護膜形成装置７のスピンナーテーブル７１１上に保持されたならば、被加工物洗浄工程を実行する。即ち、スピンナーテーブル７１１を作業位置に位置付けるとともに、洗浄水噴射手段７５の図示しない電動モータを駆動して洗浄水ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば８００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７５１ａの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出する。なお、ノズル部７５１ａは所謂２流体ノズルで構成され０．２ＭＰａ程度の純水が供給されるとともに、０．３〜０．５ＭＰａ程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出して半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａを洗浄する。このとき、図示しない電動モータが駆動して洗浄水ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハ１０の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された保護膜１１０が上述したように水溶性の樹脂によって形成されているので、保護被膜１を容易に洗い流すことができるとともに、レーザー加工時に発生したデブリ１３０も除去される。 If the processed semiconductor wafer 10 is held on the spinner table 711 of the protective film forming apparatus 7, a workpiece cleaning process is executed. That is, the spinner table 711 is positioned at the work position, and an electric motor (not shown) of the cleaning water jetting unit 75 is driven so that the jet port of the nozzle portion 751a of the cleaning water nozzle 751 is held on the spinner table 711. Located above the center. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 800 rpm, cleaning water composed of pure water and air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 751a. The nozzle portion 751a is a so-called two-fluid nozzle and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is ejected by the pressure of the air. The surface 10a that is the processed surface of the semiconductor wafer 10 is cleaned. At this time, the electric motor (not shown) is driven and the cleaning water ejected from the nozzle outlet 751a of the cleaning water nozzle 751 from the position hitting the center of the semiconductor wafer 10 held by the spinner table 711 to the position hitting the outer peripheral part. It can be swung within the required angle range. As a result, since the protective film 110 coated on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is formed of the water-soluble resin as described above, the protective film 1 can be easily washed away and debris generated during laser processing can be removed. 130 is also removed.
上述した洗浄工程が終了したら、被加工物乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７５１を待機位置に位置付けるとともに、上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１のノズル部７７１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば２０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７６１ａの噴出口からエアーを１５秒程度噴出する。このとき、エアーノズル７６１をノズル部７６１ａの噴出口されたエアーがスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハ１０の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面が乾燥される。 When the above-described cleaning process is completed, a workpiece drying process is performed. That is, the cleaning water nozzle 751 is positioned at the standby position, and the nozzle outlet 771a of the air nozzle 761 of the upper air blowing means 76 is positioned above the central portion of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 2000 rpm, air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 761a for about 15 seconds. At this time, the air nozzle 761 is swung within a required angle range from a position where the air ejected from the nozzle portion 761 a hits the center of the semiconductor wafer 10 held by the spinner table 711 to a position where it hits the outer peripheral portion. As a result, the surface of the semiconductor wafer 10 is dried.
上述したようにして、被加工物洗浄工程および被加工物乾燥工程を実施したならば、スピンナーテーブル７１１の回転を停止するとともに、上部エアーブロー手段７６のエアーノズル７６１を待機位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、スピンナーテーブル７１１上の加工後の半導体ウエーハ１０は、第１の被加工物搬送手段１６によって仮置き部１４ａに配設された仮置き手段１４に搬送する。仮置き手段１４に搬送された加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬出・搬入手段１５によってカセット１３の所定位置に収納される。 As described above, when the workpiece cleaning process and the workpiece drying process are performed, the rotation of the spinner table 711 is stopped, and the air nozzle 761 of the upper air blowing means 76 is positioned at the standby position. Then, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the suction holding of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711 is released. Next, the processed semiconductor wafer 10 on the spinner table 711 is transported by the first workpiece transport means 16 to the temporary placement means 14 disposed in the temporary placement portion 14a. The processed semiconductor wafer 10 transported to the temporary placement means 14 is stored in a predetermined position of the cassette 13 by the workpiece unloading / loading means 15.
以上のように図示の実施形態における保護膜形成装置７は、スピンナーテーブル機構７１と液状樹脂液供給手段７４と洗浄水噴射手段７５と上部エアーブロー手段７６および下部エアーブロー手段７７を備えているので、切削加工前の半導体ウエーハ１０の表面に保護被膜１０３を被覆する保護膜形成するとともに、切削加工後の半導体ウエーハ１０に被覆されている保護膜を除去して半導体ウエーハ１０を洗浄および乾燥する機能を備えている。 As described above, the protective film forming apparatus 7 in the illustrated embodiment includes the spinner table mechanism 71, the liquid resin liquid supply means 74, the cleaning water injection means 75, the upper air blow means 76, and the lower air blow means 77. A function of forming a protective film for coating the protective film 103 on the surface of the semiconductor wafer 10 before cutting and cleaning and drying the semiconductor wafer 10 by removing the protective film coated on the semiconductor wafer 10 after cutting. It has.
なお、上述した実施形態においては、保護膜形成装置７をレーザー加工機２に組み込んだ例を示したが、保護膜形成装置７は独立した装置として用いることができる。 In the above-described embodiment, the example in which the protective film forming apparatus 7 is incorporated in the laser processing machine 2 has been described. However, the protective film forming apparatus 7 can be used as an independent apparatus.
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：レーザー光線照射手段
４１：レーザー光線発振手段
４２：集光器
５：撮像手段
６：表示手段
７：保護膜形成装置
７１：スピンナーテーブル機構
７１１：スピンナーテーブル
７１２：電動モータ
７２：洗浄水受け手段
７４：樹脂液供給手段
７４１：樹脂液供給ノズル
７５：洗浄水噴射手段
７５１：洗浄水ノズル
７６：上部エアーブロー手段
７６１：エアーノズル
７７：下部エアーブロー手段
７７１：エアーノズル
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：デバイス
１１０：保護膜
１１：環状のフレーム
１２：ダイシングテープ
１３：カセット
１４：仮置き手段
１５：被加工物搬出・搬入手段
１６：第１の被加工物搬送手段
１７：第２の被加工物搬送手段
2: Device housing 3: Chuck table 4: Laser beam irradiation means 41: Laser beam oscillation means 42: Condenser 5: Imaging means 6: Display means 7: Protection film forming device 71: Spinner table mechanism 711: Spinner table 712: Electric motor 72: Wash water receiving means 74: Resin liquid supply means 741: Resin liquid supply nozzle 75: Wash water injection means 751: Wash water nozzle 76: Upper air blow means 761: Air nozzle 77: Lower air blow means 771: Air nozzle 10 DESCRIPTION OF SYMBOLS: Semiconductor wafer 101: Street 102: Device 110: Protective film 11: Ring frame 12: Dicing tape 13: Cassette 14: Temporary placing means 15: Workpiece carrying-in / in means 16: First work piece conveying means 17 : Second workpiece transfer means
Claims (1)
環状のフレームの内周より大きく外周より小さい外径を有する保持面を備えたスピンナーテーブルと、
該スピンナーテーブルを回転駆動する回転駆動手段と、
該スピンナーテーブルに保持された被加工物の加工面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームに付着した液状樹脂を洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの上面にエアーを噴射する上部エアーブロー手段と、
該スピンナーテーブルに保持された環状のフレームの外周部下面にエアーを噴射する下部エアーブロー手段と、を具備している、
ことを特徴とする保護膜形成装置。 A protective film forming apparatus for covering a processed surface of a workpiece to be processed, which is disposed in an opening of an annular frame having an opening and attached to a dicing tape together with the annular frame,
A spinner table having a holding surface having an outer diameter larger than the inner circumference of the annular frame and smaller than the outer circumference;
A rotation drive means for rotating the spinner table;
A liquid resin supply means for supplying a liquid resin to the processed surface of the workpiece held by the spinner table;
Cleaning water spraying means for spraying cleaning water for cleaning the liquid resin adhering to the annular frame held by the spinner table;
Upper air blowing means for injecting air onto the upper surface of the annular frame held by the spinner table;
Lower air blowing means for injecting air to the lower surface of the outer peripheral portion of the annular frame held by the spinner table,
A protective film forming apparatus.
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