JP2014174607A - Manufacturing method of capacitance type touch panel sensor substrate, capacitance type touch panel sensor substrate and display device - Google Patents

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JP2014174607A JP2013044230A JP2013044230A JP2014174607A JP 2014174607 A JP2014174607 A JP 2014174607A JP 2013044230 A JP2013044230 A JP 2013044230A JP 2013044230 A JP2013044230 A JP 2013044230A JP 2014174607 A JP2014174607 A JP 2014174607A
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保浩 檜林
Yoshitaka Matsubara
吉隆 松原
Koichi Minato
港  浩一
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a capacitance type touch panel sensor substrate having excellent display quality, with an inexpensive electrode having lower resistance than that of a conventional transparent electrode.SOLUTION: A manufacturing method is for a sensor substrate including: a first electrode 23; a second electrode 24; a first connection part 25; a second connection part 21; an insulator layer 22; and drawing wiring 20. The first electrode 23 and the second electrode 24 each have an auxiliary fine line pattern 26. An insulator layer 22 is formed after one of a step of forming the first electrode 23, the second electrode 24 and the first connection part 25 or a step of forming the second connection part 21, and thereafter, the other of the step of forming the first electrode 23, the second electrode 24 and the first connection part 25 or the step of forming the second connection part 21 is performed. In the step of forming the second connection part 21, the auxiliary fine line pattern 26 is formed so as to be superposed on part of the first electrode 23 and the second electrode 24. A reflectance ratio of the second connection part 21, the auxiliary fine line pattern 26 and the drawing wiring 20 is 4-30%.

Description

本発明は、静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法、静電容量式タッチパネルセンサー基板及び表示装置に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, a capacitive touch panel sensor substrate, and a display device.

タッチパネルは、表示画面上の透明な面を操作者が指等でタッチすることにより、接触した位置を検出してデータ入力できる入力装置の構成要素となるものであって、キー入力より直接的、かつ直感的な入力を可能とすることから、近年、多用されるようになってきた。特に前記タッチパネルを液晶等の表示パネルと組み合わせて、情報の入出力を一体で行うことが多い。   The touch panel is a component of an input device that can detect and input data by touching a transparent surface on the display screen with a finger or the like. In recent years, it has been widely used because it enables intuitive input. In particular, the touch panel is often combined with a display panel such as a liquid crystal to input and output information in an integrated manner.

タッチパネルの検出方式には、抵抗膜式、静電容量式、超音波式、光学式等があり、これまでは、製造コストの点で比較的優れていた抵抗膜式が主流であった。しかし、2枚の透明導電膜の間に空気層を設ける構造を有する抵抗膜式タッチパネルは、光学特性(例えば、透過率)が低く、耐久性や動作温度特性においても充分とは言えないため、改良が求められてきた。   The touch panel detection method includes a resistance film type, a capacitance type, an ultrasonic type, an optical type, and the like. Until now, the resistance film type, which was relatively excellent in terms of manufacturing cost, has been the mainstream. However, a resistive touch panel having a structure in which an air layer is provided between two transparent conductive films has low optical characteristics (for example, transmittance), and it cannot be said that durability and operating temperature characteristics are sufficient. Improvements have been sought.

一方、可動部分を有しない静電容量式タッチパネルは、光学特性が高く、耐久性や動作温度特性においても抵抗膜式より優れているため、特に車載用等の高信頼性用途に向けて開発が進んでいる(例えば、特許文献1、2を参照)。
投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板は、一般的に、透明基材上に、x方向に配列された第一の透明電極と、y方向に配列された第二の透明電極と、第一の透明電極同士を結合する第一の接続部と、第二の透明電極同士を結合する第二の接続部と、第一の接続部と第二の接続部が交差する部位に、第一の接続部と第二の接続部を電気的に絶縁するための絶縁層と、を備えている。また、透明基材上には、これらの透明電極と制御回路を繋ぐ取出配線が形成されている。さらには、透明電極、接続部及び取出配線を腐食や接触による傷から守るために、制御回路と繋がる取出配線の接続部位以外のほぼ全面を覆うように、保護層が形成されて用いられることが多くなっている(例えば、特許文献3を参照)。
On the other hand, capacitive touch panels that do not have moving parts have high optical characteristics and are superior to resistance film types in terms of durability and operating temperature characteristics, so they are especially developed for high-reliability applications such as in-vehicle use. (For example, see Patent Documents 1 and 2).
The projected capacitive touch panel sensor substrate generally includes a first transparent electrode arranged in the x direction, a second transparent electrode arranged in the y direction, and a first transparent electrode on a transparent substrate. The first connection at the first connection part for joining the transparent electrodes, the second connection part for joining the second transparent electrodes, and the first connection part and the second connection part intersect with each other. And an insulating layer for electrically insulating the second connection portion. Further, on the transparent base material, an extraction wiring connecting these transparent electrodes and the control circuit is formed. Furthermore, in order to protect the transparent electrode, the connection portion, and the extraction wiring from corrosion or contact damage, a protective layer may be formed and used so as to cover almost the entire surface other than the connection portion of the extraction wiring connected to the control circuit. The number is increasing (see, for example, Patent Document 3).

投影型静電容量式タッチパネルには、透明基材に、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂製のフィルムを用いるフィルム式と、無アルカリガラスやソーダライムガラスを用いるガラス式があり、それぞれ長所と短所があるため、用途によって使い分けられている。フィルム式は、製造コストが安く割れにくい、また柔軟性があるので他の表示装置やカバーガラスと貼り合せる際に気泡を除去し易く貼り合せ易いなどの長所がある。一方で、フィルム式は、フィルムの透過率がガラスに比べて低いことや、フィルム上に形成された透明電極のパターン位置精度がガラスに比べて劣るなどの短所がある。このため、高精細で低消費電力が要求されるスマートフォン等の携帯端末等の小型品にはガラス式が多く使用され、安価で貼り合せ易い等の生産性が要求されるテレビ等の中型、大型品にはフィルム式が多く使用されている。   The projected capacitive touch panel has a film type that uses a resin film such as polyethylene terephthalate (PET) as a transparent substrate, and a glass type that uses non-alkali glass or soda lime glass. Therefore, it is properly used depending on the purpose. The film type is advantageous in that the manufacturing cost is low and it is difficult to break, and since it is flexible, it is easy to remove bubbles when it is bonded to another display device or a cover glass. On the other hand, the film type has disadvantages such that the transmittance of the film is lower than that of glass and the pattern position accuracy of the transparent electrode formed on the film is inferior to that of glass. For this reason, glass-types are often used for small items such as mobile terminals such as smartphones that require high definition and low power consumption. Medium and large sizes such as televisions that require productivity such as low cost and easy bonding. Many of the products are film type.

前述の透明電極には、導電性高分子や銀ナノワイヤー等の新しい導電材料が紹介されてきているが、透明性が高く、実用性に優れる点で酸化インジウム錫(以下、ITO)が一般的に用いられている。しかしながら、ITOでは抵抗値が低くても数10オーム/□が限界である。このため、携帯端末等の小型品では問題ないが、15インチ以上、特に20インチ以上のサイズになると、ITO電極の配線抵抗が大きくなり投影型静電容量式タッチパネルの検出感度が悪くなるといった問題があった。さらに、透明基材がフィルムの場合には、フィルムの耐熱性が高くても200℃程度までであるため、スパッタ等の成膜方法によって形成したアモルファス状態のITOが結晶化する200℃以上の十分高温な温度で焼成することができない。このために、抵抗値が高く、透明性に劣るといった課題があった。   For the transparent electrode, new conductive materials such as conductive polymers and silver nanowires have been introduced, but indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is generally used because of its high transparency and excellent practicality. It is used for. However, ITO has a limit of several tens of ohms / square even if the resistance value is low. For this reason, there is no problem in a small product such as a portable terminal, but when the size is 15 inches or more, particularly 20 inches or more, the wiring resistance of the ITO electrode is increased and the detection sensitivity of the projected capacitive touch panel is deteriorated. was there. Furthermore, when the transparent base material is a film, it is up to about 200 ° C. even if the heat resistance of the film is high, so that the amorphous ITO formed by a film forming method such as sputtering is crystallized sufficiently at 200 ° C. or higher. It cannot be fired at a high temperature. For this reason, there existed a subject that resistance value is high and it is inferior to transparency.

さらに、前述の透明電極、接続部、絶縁層及び取出配線や保護層の形成には、成膜及びパターニング工程が複数回必要であり、多くの製造コストを要することが問題となっている。特に、取出配線の製造工程には、導電性が高く、微細加工が容易な点から、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)/モリブデン膜をスパッタ法で成膜して、ポジレジストによるフォトリソグラフィ(以下“フォトリソ”と称する)工程を経た後、エッチング・レジスト剥離を行う方法が広く用いられている。また、透明電極には、透明性が高く、抵抗値に優れる酸化インジウム錫(ITO)が一般的に用いられるが、取出配線と同様、真空容器内に投入した基材に金属膜をスパッタ成膜した後、保護膜形成・エッチング・保護膜剥離を行う必要があり、工程が多いだけでなく、設備費用が高いことが課題であった。   Furthermore, the formation of the transparent electrode, the connecting portion, the insulating layer, the lead-out wiring, and the protective layer requires a plurality of film formation and patterning steps, which requires a lot of manufacturing costs. In particular, in the manufacturing process of the lead-out wiring, molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum film is formed by a sputtering method from the viewpoint of high conductivity and easy microfabrication, and photolithography using a positive resist ( A method of performing etching and resist stripping after a step (hereinafter referred to as “photolitho”) is widely used. In addition, indium tin oxide (ITO), which has high transparency and excellent resistance, is generally used for the transparent electrode, but as with the lead-out wiring, a metal film is formed by sputtering on the substrate placed in the vacuum vessel. After that, it is necessary to perform protective film formation, etching, and protective film peeling, and not only there are many processes, but also the equipment cost is high.

これに対して、透明電極として、導電性の高い金属の細線パターンを格子状に張り巡らせたメッシュ構造の電極を用いることで、低抵抗化と透過性を両立する方法が開示されている(例えば、特許文献4を参照)。
しかしながら、この方法では、細線パターンを有するフィルム式のタッチパネルセンサー基板は得られても、透過率が悪いことや、パターン位置精度が悪いといったフィルム特有の課題に加えて、フィルム上に形成された薄膜の影響による干渉ムラや膜厚ムラの問題など、フィルム式タッチパネルセンサー基板での課題が多く残されたままとなっている。
On the other hand, as a transparent electrode, a method has been disclosed in which both a low resistance and a transparency are achieved by using an electrode having a mesh structure in which a highly conductive fine metal wire pattern is stretched in a lattice shape (for example, , See Patent Document 4).
However, with this method, even if a film-type touch panel sensor substrate having a thin line pattern is obtained, in addition to problems inherent to the film such as poor transmittance and poor pattern position accuracy, a thin film formed on the film Many problems remain in the film-type touch panel sensor substrate, such as interference unevenness and film thickness unevenness due to the influence of the film.

また、取出配線と、第一、または第二の接続部のいずれか一方を同時に形成することで、かかる製造コストを低減する方法が開示されている(例えば、特許文献5を参照)。
しかしながら、この方法では、製造工程を短縮して低コストでタッチパネルセンサー基板を製造でき、金属材料を用いて形成した表示エリアにある接続部が、通常使用条件下において目視で視認される問題を解決できても、透明電極の抵抗値の問題を解決できるものではなかった。
なお、従来技術に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法の工程フロー図を図5(b)に示す。
In addition, a method for reducing the manufacturing cost by simultaneously forming one of the lead-out wiring and the first or second connection portion is disclosed (for example, see Patent Document 5).
However, with this method, the touch panel sensor substrate can be manufactured at a low cost by shortening the manufacturing process, and the connection part in the display area formed using a metal material is solved visually under normal use conditions. Even if it was possible, the problem of the resistance value of the transparent electrode could not be solved.
In addition, the process flowchart of the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate which concerns on a prior art is shown in FIG.5 (b).

特開昭63−174120号公報JP 63-174120 A 特開2006−23904号公報JP 2006-23904 A 特開2007−279819号公報JP 2007-279819 A 特開2012−53644号公報JP 2012-53644 A 特開2011−86122号公報JP 2011-86122 A

本発明は、係る状況に鑑みてなされたものであり、中型以上のサイズの静電容量式タッチパネルセンサー基板を製造する際に、従来の導電性透明電極より低抵抗な電極を安価で、かつ、視認性を損なうことのない、表示品位に優れた静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、その製造方法を用いて製造される、安価で表示品位に優れた静電容量式タッチパネルセンサー基板を提供することも目的とする。
The present invention has been made in view of such a situation, and when manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate having a medium size or larger, an electrode having a lower resistance than a conventional conductive transparent electrode is inexpensive, and It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate excellent in display quality without impairing visibility.
Another object of the present invention is to provide a capacitive touch panel sensor substrate that is manufactured by using the manufacturing method and that is inexpensive and excellent in display quality.

さらには、透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面と他方の面にカラーフィルタを形成することで、部品点数を減らしてさらに安価に製造できる、オンセル型の静電容量式タッチパネルセンサー基板を提供することも目的とする。
また、上述の静電容量式タッチパネルセンサー基板を有する表示装置を提供することも目的とする。
Furthermore, by forming a color filter on the surface of the transparent substrate on which the capacitive touch panel sensor is formed and the other surface, the on-cell capacitive type can be manufactured at a lower cost by reducing the number of components. Another object is to provide a touch panel sensor substrate.
Another object of the present invention is to provide a display device having the above-described capacitance type touch panel sensor substrate.

本発明の一態様は、(A)第一の電極と、(B)第二の電極と、(C)前記(A)第一の電極同士を接続する第一の接続部と、(D)前記(B)第二の電極同士を接続する第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部との交差する部位に形成される絶縁層と、(F)前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極に接続される取出配線と、を備えて構成される、透明基材上に形成される静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法であって、前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を、透明導電材料を用いて形成する工程と、前記(E)絶縁層を形成する工程と、前記(D)第二の接続部を、前記(F)取出配線の材料と同一の感光性導電材料を用いて、前記(F)取出配線と同時に形成する工程と、を備え、前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を形成する工程または前記(D)第二の接続部を形成する工程の一方の工程の後に、前記(E)絶縁層を形成する工程を実施し、前記(E)絶縁層を形成する工程の後に、前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を形成する工程または前記(D)第二の接続部を形成する工程の他方の工程を実施し、前記(D)第二の接続部を形成する工程では、同時に、(G)補助細線パターンを、前記(A)第一の電極上及び前記(B)第二の電極上の一部と重なるようにして形成し、前記(D)第二の接続部、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の反射率は、4%以上30%以下の範囲内であることを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法である。   One embodiment of the present invention includes (A) a first electrode, (B) a second electrode, (C) a first connection portion that connects the (A) first electrodes, and (D) (B) a second connecting part for connecting the second electrodes, and (E) the (C) first connecting part and the (D) second connecting part intersecting each other. An electrostatic capacitance formed on a transparent substrate, comprising: an insulating layer; and (F) the (A) first electrode and the (B) extraction wiring connected to the second electrode. A touch panel sensor substrate manufacturing method, wherein the (A) first electrode, the (B) second electrode, and the (C) first connection portion are formed using a transparent conductive material; (E) forming the insulating layer, and (D) the second connecting portion is formed by using the same photosensitive conductive material as the material of the (F) extraction wiring. Forming the wiring at the same time, and forming the first electrode, the second electrode, and the first connection part (D) or the second connection (D) After one step of forming the connecting portion, the step of forming the (E) insulating layer is performed, and after the step of forming the (E) insulating layer, the (A) first electrode, (B) performing the other step of the step of forming the second electrode and the (C) first connection portion or the step of (D) forming the second connection portion; In the step of forming the connecting portion, at the same time, (G) the auxiliary fine line pattern is formed so as to overlap a part on the (A) first electrode and the (B) second electrode, D) The reflectance of the second connecting portion, the (G) auxiliary fine line pattern, and the (F) extraction wiring is 4% or more and 30% or less. A capacitive touch panel sensor substrate manufacturing method which is a 囲内.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(D)第二の接続部及び前記(G)補助細線パターンの導体幅は、0.5μm以上10μm以下の範囲内であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記感光性導電材料は、(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤を含有することとしてもよい。
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the conductor widths of the (D) second connection portion and the (G) auxiliary fine line pattern are in the range of 0.5 μm to 10 μm. It is good.
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the photosensitive conductive material may be (H) black material, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiator, (K) polymerizable polyfunctional. It is good also as a monomer, (L) resin, and (M) containing a solvent.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(H)黒色材料は、カーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(I)金属粒子は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)から選ばれる1種以上の金属を含有することとしてもよい。
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the (H) black material is carbon, a black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more kinds of pigments, at least one or more kinds of black dyes, a particle diameter. May be at least one selected from the group of black metal oxides in the range of 0.1 μm to 4 μm.
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the (I) metal particles may be gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium. One or more metals selected from (Ir), rhodium (Rh), and aluminum (Al) may be contained.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(I)金属粒子の粒子径は、0.1μm以上4μm以下の範囲内であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(J)光重合開始剤は、O−アシルオキシム系化合物を1種以上含有することとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記(H)黒色材料の含有量は、前記(I)金属粒子の重量に対して1重量%以上100重量%以下の範囲内であることとしてもよい。
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the particle diameter of the metal particles (I) may be in the range of 0.1 μm to 4 μm.
In the method for producing a capacitive touch panel sensor substrate, the (J) photopolymerization initiator may contain one or more O-acyloxime compounds.
In the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate, the content of the (H) black material is in the range of 1 wt% to 100 wt% with respect to the weight of the (I) metal particles. It may be there.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法において、前記透明導電材料は、インジウム酸化錫(ITO)であることとしてもよい。
また、本発明の別の態様は、上述の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板である。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面とは反対側の面にカラーフィルタを形成することとしてもよい。
In the method for manufacturing the capacitive touch panel sensor substrate, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO).
Another aspect of the present invention is a capacitive touch panel sensor substrate manufactured by the above-described method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate.
Further, in the above-described capacitive touch panel sensor substrate, a color filter may be formed on a surface of the transparent base material opposite to the surface on which the capacitive touch panel sensor is formed.

また、本発明の別の態様は、上述の静電容量式タッチパネルセンサー基板を有することを特徴とする表示装置である。
また、本発明の別の態様は、(A)第一の電極と、(B)第二の電極と、(C)前記(A)第一の電極同士を接続する第一の接続部と、(D)前記(B)第二の電極同士を接続する第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部との交差する部位に形成される絶縁層と、(F)前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極に接続される取出配線と、を備えて構成される、透明基材上に形成される静電容量式タッチパネルセンサー基板であって、前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極は、前記(A)第一の電極上及び前記(B)第二の電極上の一部と重なるように(G)補助細線パターンをそれぞれ備えており、前記(D)第二の接続部は、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の材料と同一の感光性導電材料を用いて形成されており、前記(D)第二の接続部、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の反射率は、4%以上30%以下の範囲内であることを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板である。
Another embodiment of the present invention is a display device including the above-described capacitance-type touch panel sensor substrate.
In another aspect of the present invention, (A) a first electrode, (B) a second electrode, and (C) a first connection portion that connects the (A) first electrodes; (D) The (B) second connecting portion for connecting the second electrodes, (E) the portion where the (C) first connecting portion and the (D) second connecting portion intersect. An insulating layer to be formed, and (F) the (A) first electrode and the (B) extraction wiring connected to the second electrode are formed on a transparent substrate. It is an electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate, Comprising: Said (A) 1st electrode and said (B) 2nd electrode are on said (A) 1st electrode and said (B) 2nd electrode. (G) Auxiliary fine line pattern is provided so as to overlap with a part, and (D) the second connection portion is made of (G) auxiliary fine line pattern and (F) extraction wiring material. The reflectance of the (D) second connection portion, (G) auxiliary fine line pattern and (F) lead-out wiring is 4% or more and 30% or less. It is an electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate characterized by being in the range.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(D)第二の接続部及び前記(G)補助細線パターンの導体幅は、0.5μm以上10μm以下の範囲内であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記感光性導電材料は、(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤を含有することとしてもよい。
In the capacitance touch panel sensor substrate, the conductor widths of the (D) second connection portion and the (G) auxiliary fine line pattern may be in the range of 0.5 μm or more and 10 μm or less. .
In the above capacitive touch panel sensor substrate, the photosensitive conductive material includes (H) black material, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiator, (K) polymerizable polyfunctional monomer, ( L) A resin and (M) a solvent may be contained.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(H)黒色材料は、カーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(I)金属粒子は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)から選ばれる1種以上の金属を含有することとしてもよい。
In the capacitance touch panel sensor substrate, the (H) black material may be carbon, a black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more pigments, at least one or more black dyes, and a particle size of 0.1. It is good also as being 1 or more types chosen from the group of the black metal oxide which exists in the range of 1 micrometer or more and 4 micrometers or less.
In the above capacitive touch panel sensor substrate, the (I) metal particles are gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir). One or more metals selected from rhodium (Rh) and aluminum (Al) may be contained.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(I)金属粒子の粒子径は、0.1μm以上4μm以下の範囲内であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(J)光重合開始剤は、O−アシルオキシム系化合物を1種以上含有することとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記(H)黒色材料の含有量は、前記(I)金属粒子の重量に対して1重量%以上100重量%以下の範囲内であることとしてもよい。
Moreover, in the above-described capacitance-type touch panel sensor substrate, the particle diameter of the (I) metal particles may be in the range of 0.1 μm to 4 μm.
Moreover, said electrostatic capacitance type touch-panel sensor board | substrate WHEREIN: The said (J) photoinitiator is good also as containing 1 or more types of O-acyl oxime type compounds.
Moreover, in said electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate, content of the said (H) black material shall be in the range of 1 weight% or more and 100 weight% or less with respect to the weight of the said (I) metal particle. Also good.

また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記透明導電材料は、インジウム酸化錫(ITO)であることとしてもよい。
また、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板において、前記透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面とは反対側の面にカラーフィルタが設けられたこととしてもよい。
また、本発明の別の態様は、上記の静電容量式タッチパネルセンサー基板を有することを特徴とする表示装置である。
Further, in the above capacitive touch panel sensor substrate, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO).
In the capacitance touch panel sensor substrate, a color filter may be provided on a surface of the transparent base opposite to a surface on which the capacitance touch panel sensor is formed.
Another embodiment of the present invention is a display device including the above-described capacitance-type touch panel sensor substrate.

本発明によれば、中型以上のサイズの静電容量式タッチパネルセンサー基板を製造する際に、従来のITO透明電極より低抵抗な電極をより安価に製造でき、かつ、電極に用いられる補助細線パターンまたは接続部による表示品位を損なうことのないタッチパネルセンサー基板の製造方法を提供可能にする。
また、その製造方法を用いて製造される、安価で表示品位に優れた静電容量式タッチパネルセンサー基板を提供可能にする。
さらには、透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面と他方の面にカラーフィルタを形成することで、部品点数を減らしてさらに安価に製造できる、オンセル型の静電容量式タッチパネルセンサー基板を提供可能にする。
また、安価で表示品位に優れた、上記静電容量式タッチパネルセンサー基板を有する表示装置を提供可能にする。
According to the present invention, when manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate of a medium size or larger, an electrode having a lower resistance than a conventional ITO transparent electrode can be manufactured at a lower cost, and an auxiliary fine line pattern used for the electrode Alternatively, it is possible to provide a method for manufacturing a touch panel sensor substrate that does not impair the display quality of the connection portion.
Further, it is possible to provide an inexpensive capacitive touch panel sensor substrate manufactured using the manufacturing method and having excellent display quality.
Furthermore, by forming a color filter on the surface of the transparent substrate on which the capacitive touch panel sensor is formed and the other surface, the on-cell capacitive type can be manufactured at a lower cost by reducing the number of components. A touch panel sensor substrate can be provided.
Further, it is possible to provide a display device having the above-described capacitance type touch panel sensor substrate that is inexpensive and excellent in display quality.

本発明の実施形態の係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法を示す平面模式図であって、透明基材上に、(A)第一の電極、(B)第二の電極及び(C)第一の接続部が形成された状態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate which concerns on embodiment of this invention, Comprising: On a transparent base material, (A) 1st electrode, (B) 2nd electrode, and (C FIG. 3 is a schematic plan view showing a state in which a first connection portion is formed. 本発明の実施形態の係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法を示す平面模式図であって、透明基材上に、(A)第一の電極、(B)第二の電極及び(C)第一の接続部が形成された後に、(E)絶縁層が形成された状態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate which concerns on embodiment of this invention, Comprising: On a transparent base material, (A) 1st electrode, (B) 2nd electrode, and (C FIG. 4 is a schematic plan view showing a state where (E) an insulating layer is formed after the first connection portion is formed. 本発明の実施形態に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法を示す平面模式図であって、透明基材上に、(A)第一の電極、(B)第二の電極、(C)第一の接続部及び(E)絶縁層が形成された後に、(G)補助細線パターン、(D)第二の接続部及び(F)取出配線が同時に形成された状態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate which concerns on embodiment of this invention, Comprising: On a transparent base material, (A) 1st electrode, (B) 2nd electrode, (C ) After the first connection portion and (E) insulating layer are formed, (G) auxiliary thin line pattern, (D) second connection portion and (F) a schematic plan view showing a state in which the extraction wiring is formed at the same time It is. a)本発明の実施形態に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の(A)第一の電極をx軸方向に形成した場合における(A)第一の電極と(B)第二の電極との交差位置を拡大した平面模式図である。b)本発明の実施形態に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の(A)第一の電極をy軸方向に形成した場合における(A)第一の電極と(B)第二の電極との交差位置を拡大した平面模式図である。a) (A) When forming the first electrode in the x-axis direction of the capacitive touch panel sensor substrate according to the embodiment of the present invention, (A) the first electrode and (B) the second electrode It is the plane schematic diagram which expanded the intersection position. b) (A) When forming the first electrode in the y-axis direction of the capacitive touch panel sensor substrate according to the embodiment of the present invention, (A) the first electrode and (B) the second electrode It is the plane schematic diagram which expanded the intersection position. a)本発明の実施形態に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法の工程フロー図である。b)従来技術に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法の工程フロー図である。a) It is a process flow figure of the manufacturing method of the capacitive touch panel sensor board | substrate which concerns on embodiment of this invention. b) It is a process flow figure of the manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel sensor board | substrate which concerns on a prior art.

本発明における投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法及びそれを用いて製造されるタッチパネルセンサー基板について、その実施の形態に基づいて詳細に説明する。なお、本発明のタッチパネルセンサー基板は、その要旨を超えない限り、以下の構成に限定されるものではない。   A method for manufacturing a projected capacitive touch panel sensor substrate according to the present invention and a touch panel sensor substrate manufactured using the same will be described in detail based on the embodiments thereof. In addition, the touch panel sensor board | substrate of this invention is not limited to the following structures, unless the summary is exceeded.

<投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板>
図3は、図示しない保護層を透視した、本実施形態に係る投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板の平面図である。図4a)は、図3の(A)第一の電極と(B)第二の電極との交差位置を拡大した平面模式図である。なお、本実施形態に係る投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板は、図4b)に示すように、x方向とy方向の位置関係が異なる構成とすることもできる。
(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24は、透明電極パターンと、(G)補助細線パターン26とを組み合せることにより形成される。透明電極パターンは、透明導電性材料をスパッタ等により成膜する工程と、エッチング保護層を形成する工程と、エッチングによりパターンを形成する工程と、エッチング保護層を剥離する工程とを経て得られる。また、(G)補助細線パターン26は、後述する感光性導電材料を用いてスクリーン印刷などの印刷法で必要部分のみパターンを成膜する工程と、所望する微細パターンを設けたフォトマスクを介して紫外線照射して露光、現像するフォトリソ工程とを経て得られる。透明電極パターンと(G)補助細線パターン26とを組み合わせることで、中型以上のサイズに対応可能な低抵抗化と透過性とを両立することができる。
<Projection capacitive touch panel sensor substrate>
FIG. 3 is a plan view of the projected capacitive touch panel sensor substrate according to the present embodiment as seen through a protective layer (not shown). FIG. 4A) is a schematic plan view in which the crossing position of (A) the first electrode and (B) the second electrode in FIG. 3 is enlarged. Note that the projected capacitive touch panel sensor substrate according to the present embodiment can be configured such that the positional relationship between the x direction and the y direction is different, as shown in FIG.
(A) First electrode 23 and (B) second electrode 24 are formed by combining a transparent electrode pattern and (G) auxiliary fine line pattern 26. The transparent electrode pattern is obtained through a step of forming a transparent conductive material by sputtering or the like, a step of forming an etching protective layer, a step of forming a pattern by etching, and a step of peeling off the etching protective layer. Further, (G) the auxiliary fine line pattern 26 is formed through a step of forming a pattern only on a necessary portion by a printing method such as screen printing using a photosensitive conductive material described later, and a photomask provided with a desired fine pattern. It is obtained through a photolithography process in which exposure and development are performed by irradiation with ultraviolet rays. By combining the transparent electrode pattern and the (G) auxiliary fine line pattern 26, it is possible to achieve both low resistance and transparency that can cope with a medium size or larger size.

(G)補助細線パターン26は、静電容量の点から透明電極パターンに沿うように、すなわち、第一の電極23及び第二の電極24の外周部を取り囲むようにして、形成することが好ましいが、モアレを解消するために波線パターンや隣り合う細線パターン同士が平行関係でなかったり、格子パターンの形状が正方形からずれていたり、全体的にある角度のバイアスがかかっていたりしてもよい。   (G) The auxiliary fine line pattern 26 is preferably formed so as to follow the transparent electrode pattern from the viewpoint of capacitance, that is, so as to surround the outer peripheral portions of the first electrode 23 and the second electrode 24. However, in order to eliminate moire, the wavy line pattern and the adjacent thin line patterns may not be in a parallel relationship, the shape of the lattice pattern may be deviated from the square, or a bias of a certain angle may be applied as a whole.

透明基材10としては、特に限定されるものではないが、例えば、ソーダ石灰ガラス、低アルカリ硼珪酸ガラス、無アルカリアルミノ硼珪酸ガラス等のガラス板、あるいはポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)等からなるプラスチック板、プラスチックフィルムが用いられる。   Although it does not specifically limit as the transparent base material 10, For example, glass plates, such as a soda lime glass, a low alkali borosilicate glass, an alkali free alumino borosilicate glass, or a polyethylene terephthalate (PET), a triacetyl cellulose ( A plastic plate or plastic film made of TAC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or the like is used.

透明基材10にカバーガラスを用いた場合、カバーガラス一体型の投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板とすることができる。透明基材10には、アルミノ珪酸ガラス(例えば、商品名「Gollira(コーニング社製)」、「IOX−FS(コーニング社製)」、「Dragontrail(旭硝子社製)」)や化学的に強化されたソーダライムガラス等の特殊ガラス板を用いることができる。透明基材10にカバーガラスを用いる場合、一枚の母体となる大型ガラス基板上に、額縁層(ベゼル)とタッチパネルセンサーの両方を設けるために、透明基材一枚の部品点数を減らすことができ、低コストでタッチパネルが製造可能になる。通常のカバーガラスは、大型ガラス基板を個々のピースに分断した後に化学的に強化されているので十分な強度が得られやすいのに対し、透明基材10にカバーガラスを用いた際には、一枚の母体となる大型ガラス基板上に、額縁層(ベゼル)とタッチパネルセンサーの両方を複数個分まとめて形成した後、化学エッチング法や機械切削法などの方法により、個々のピースに強化ガラスを分断する工程が必要であり、強化後の大型基板を個々のピースに分断した場合には強度が弱くなる課題があった。近年、これらの問題を解決する手段も開示されつつあり、透明基材10にカバーガラスなどの強化ガラスを採用することが多くなっている。   When a cover glass is used for the transparent base material 10, it can be set as a projection type capacitive touch panel sensor substrate integrated with a cover glass. The transparent substrate 10 is chemically strengthened with aluminosilicate glass (for example, “Gollila (Corning)”, “IOX-FS (Corning)”, “Dragonrail (Asahi Glass)”) A special glass plate such as soda lime glass can be used. When a cover glass is used for the transparent base material 10, the number of parts per transparent base material can be reduced in order to provide both a frame layer (bezel) and a touch panel sensor on a large glass substrate that is a base material. The touch panel can be manufactured at a low cost. Since a normal cover glass is chemically strengthened after dividing a large glass substrate into individual pieces, sufficient strength is easily obtained, whereas when a cover glass is used for the transparent substrate 10, After a plurality of frame layers (bezels) and touch panel sensors are formed together on a single large glass substrate, a tempered glass is formed on each piece by methods such as chemical etching and mechanical cutting. There is a problem that the strength becomes weak when the reinforced large substrate is divided into individual pieces. In recent years, means for solving these problems are being disclosed, and a tempered glass such as a cover glass is often employed for the transparent substrate 10.

(C)第一の接続部25は、(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24の透明電極パターンと同時に形成される。(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(C)第一の接続部25に用いられる材料は、透明基材10表面に配設することができるものであれば特に限定されないが、ITO、酸化亜鉛(ZnO)等の無機導電材料であることが好ましい。また、これら材料を、1種のみで用いてもよく、2種以上を併用してもよい。中でも、透明性と信頼性、実用面の点でITOを用いることが好ましい。本実施形態における透明電極(つまり、(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(C)第一の接続部25)の厚み(以下、導体厚と言う)としては、0.02μm以上0.1μm以下が好ましい。導体厚が0.02μm未満であると十分な電気特性が得られず、0.1μmを超えるとタッチパネルの視認性に影響を及ぼすためである。   (C) The first connection portion 25 is formed simultaneously with the transparent electrode pattern of (A) the first electrode 23 and (B) the second electrode 24. The materials used for (A) the first electrode 23, (B) the second electrode 24, and (C) the first connection portion 25 are particularly those that can be disposed on the surface of the transparent substrate 10. Although not limited, inorganic conductive materials such as ITO and zinc oxide (ZnO) are preferable. These materials may be used alone or in combination of two or more. Among these, it is preferable to use ITO in terms of transparency, reliability, and practical use. As the thickness of the transparent electrode (that is, (A) first electrode 23, (B) second electrode 24, and (C) first connection portion 25) in the present embodiment (hereinafter referred to as conductor thickness), It is preferably 0.02 μm or more and 0.1 μm or less. If the conductor thickness is less than 0.02 μm, sufficient electrical characteristics cannot be obtained, and if it exceeds 0.1 μm, the visibility of the touch panel is affected.

(E)絶縁層22及び(図示しない)保護層は、従来、絶縁層や保護層に用いられていた公知の材料を用いて形成できる。(E)絶縁層22または保護層の材料としては、例えば、SiO、SiN等の無機系膜や透明樹脂等の有機系材料が挙げられる。無機系膜は、CVD法やスパッタリング法等により形成される膜である。このため、無機系膜の形成には、エネルギー消費量が増加したり、工程数が増加したりする等、製造コストが高くなるといった課題がある。このことから、有機系材料を用いたフォトリソグラフィ法による形成が好んで用いられる。有機系材料としては、重合性基含有オリゴマー、モノマー、光重合開始剤及びその他添加剤を含有するUV硬化型コーティング組成物を用いることができる。 (E) The insulating layer 22 and the protective layer (not shown) can be formed using known materials conventionally used for the insulating layer and the protective layer. (E) Examples of the material for the insulating layer 22 or the protective layer include inorganic films such as SiO 2 and SiN x and organic materials such as transparent resins. The inorganic film is a film formed by a CVD method, a sputtering method, or the like. For this reason, the formation of the inorganic film has a problem that the manufacturing cost becomes high, for example, the energy consumption increases or the number of steps increases. For this reason, formation by a photolithography method using an organic material is preferably used. As the organic material, a UV curable coating composition containing a polymerizable group-containing oligomer, monomer, photopolymerization initiator and other additives can be used.

(D)第二の接続部21は、(E)絶縁層22を介して、(G)補助細線パターン26及び(F)取出配線20の材料と同一の感光性導電材料を用いて、(G)補助細線パターン26及び(F)取出配線20と同時に形成される。なお、図3では、透明基材10に対してx方向の接続部を(C)第一の接続部25、y方向の接続部を(D)第二の接続部21としているが、前述したとおり、x方向とy方向が逆であってもよい。すなわち、図4b)に示すとおり、x方向の接続部を(D)第二の接続部21、y方向の接続部を(C)第一の接続部25とする構造であってもよい。   (D) The second connection portion 21 is formed by using the same photosensitive conductive material as (G) the auxiliary fine line pattern 26 and (F) the extraction wiring 20 via (E) the insulating layer 22 (G It is formed simultaneously with the auxiliary thin line pattern 26 and (F) the extraction wiring 20. In FIG. 3, the connection part in the x direction with respect to the transparent substrate 10 is (C) the first connection part 25, and the connection part in the y direction is (D) the second connection part 21. As described above, the x direction and the y direction may be reversed. That is, as shown in FIG. 4B), the structure may be such that the connection portion in the x direction is (D) the second connection portion 21 and the connection portion in the y direction is (C) the first connection portion 25.

(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20は、前述したスクリーン印刷などの印刷法で必要部分のみパターンを成膜する工程と、所望する微細パターンを設けたフォトマスクを介して紫外線照射して露光、現像するフォトリソ工程を経て同時に形成される。本実施形態に係る投影型静電容量式タッチパネルセンサー基板では、これらをそれぞれ単独に形成するより安価に形成できる点で好ましい。   (G) Auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) lead-out wiring 20 have a step of forming a pattern only in a necessary portion by a printing method such as the above-described screen printing, and a desired fine pattern. It is simultaneously formed through a photolithographic process in which exposure and development are performed by irradiating with ultraviolet rays through a photomask provided with. The projected capacitive touch panel sensor substrate according to the present embodiment is preferable in that it can be formed at a lower cost than when these are formed individually.

(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の形成に用いる感光性導電材料には、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)等の導電性粉末を有機バインダーに分散させ、感光性を持たせた導電ペースト等の感光性導電材料を好ましく用いることができる。金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)等の導電性粉末の粒子径を適宜選択することで、(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の反射率を4%以上30%以下に容易に制御することができる。このため、粒子径を適宜選択した導電性粉末であれば、パターン見えの問題を回避しやすく、また製造コストを抑えることができる。反射率が30%を超えると、通常使用条件下の外光を反射する程度が大きくなるために、目視でパターンが見えて表示品位を低下させてしまう。
なお、本実施形態で用いる「反射率」とは、紫外可視分光光度計を用いてガラス基板面側の測定を行った際の550nmでの反射率を指すものとする。また、反射率を低減させる他の公知の技術を適用してもよい。
Photosensitive conductive materials used for forming the (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) the second connection portion 21 and (F) the extraction wiring 20 include gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), Photosensitive conductive material such as conductive paste in which conductive powder such as copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), and aluminum (Al) is dispersed in an organic binder to provide photosensitivity. Can be preferably used. Select the particle size of conductive powder such as gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), aluminum (Al) as appropriate By doing so, the reflectance of (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) extraction wiring 20 can be easily controlled to 4% or more and 30% or less. For this reason, if it is the electroconductive powder which selected the particle diameter suitably, the problem of a pattern appearance can be avoided easily and manufacturing cost can be held down. If the reflectivity exceeds 30%, the degree of reflection of external light under normal use conditions increases, so that the pattern can be seen with the naked eye and display quality is degraded.
The “reflectance” used in this embodiment refers to the reflectance at 550 nm when the glass substrate surface side is measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer. Moreover, you may apply the other well-known technique which reduces a reflectance.

従来は、Mo/Al/Moの3層構造でそれぞれ350Å/2000Å/350Å程度の厚さでスパッタ法により成膜して、ポジレジストによるフォトリソ工程を経た後、エッチング・レジスト剥離を行う方法(以下“MAM”と称する)が多用されてきたが、この金属材料では反射率が高いために、表示エリアにある(D)第二の接続部21を、幅8μm×長さ200μm程度に微細に形成しても、通常使用条件下において目視で視認できてしまうために、表示特性を低下させる問題があった。   Conventionally, a three-layer structure of Mo / Al / Mo is formed by sputtering at a thickness of about 350 mm / 2000 mm / 350 mm respectively, followed by a photolithography process using a positive resist, followed by etching / resist peeling (hereinafter referred to as “resisting”). (Referred to as “MAM”), but since this metal material has high reflectivity, the (D) second connecting portion 21 in the display area is finely formed to have a width of 8 μm and a length of about 200 μm. However, since it can be visually recognized under normal use conditions, there is a problem of deteriorating display characteristics.

(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体幅としては、0.5μm以上10μm以下が好ましい。(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体幅が0.5μm未満になると静電気などの過渡電圧が生じた際に断線してしまう不具合(以降、“静電破壊”と称する)が発生しやすくなる。一方、(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体幅が10μmを超えると目視でパターンが見えやすくなるだけでなく、表示領域の透過率が低下するといった問題が発生する。   (D) As conductor width of the 2nd connection part 21 and (G) auxiliary fine line pattern 26, 0.5 micrometer or more and 10 micrometers or less are preferred. (D) When the conductor width of the second connection portion 21 and (G) auxiliary fine line pattern 26 is less than 0.5 μm, a fault occurs when a transient voltage such as static electricity is generated (hereinafter referred to as “electrostatic breakdown”). It is easy to occur. On the other hand, when the conductor width of (D) the second connection portion 21 and (G) the auxiliary fine line pattern 26 exceeds 10 μm, not only the pattern is easily seen with the eyes, but also the transmittance of the display area is reduced. To do.

また、(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体厚としては、0.5μm以上5μm以下が好ましい。(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体厚が0.5μm未満であると十分な導電性を得ることができず、導通不良が発生する可能性がある。一方、(D)第二の接続部21及び(G)補助細線パターン26の導体厚が5μmを超えるとフォトリソ工程の露光時に紫外光が底部まで届かず、パターン形成が困難となる。
なお、「導体幅」とは(D)第二の接続部21または(G)補助細線パターン26の線幅のことであり、「導体厚」とは(D)第二の接続部21または(G)補助細線パターン26の膜厚のことである。
Further, the conductor thickness of (D) the second connection portion 21 and (G) the auxiliary fine wire pattern 26 is preferably 0.5 μm or more and 5 μm or less. If the conductor thickness of the (D) second connection portion 21 and (G) the auxiliary fine line pattern 26 is less than 0.5 μm, sufficient conductivity cannot be obtained, and conduction failure may occur. On the other hand, if the conductor thickness of (D) the second connection portion 21 and (G) the auxiliary fine line pattern 26 exceeds 5 μm, the ultraviolet light does not reach the bottom during exposure in the photolithography process, and pattern formation becomes difficult.
The “conductor width” means (D) the second connection portion 21 or (G) the line width of the auxiliary thin line pattern 26, and “conductor thickness” means (D) the second connection portion 21 or ( G) The thickness of the auxiliary fine line pattern 26.

(C)第一の接続部25は、隣接する(A)第一の電極23を接続するための接続部であり、図3に示す構造の場合には、透明基材10に対してx方向に配列されている接続部である。(C)第一の接続部25は、(A)第一の電極23の透明電極パターンの材料と同一の透明導電材料を用いて、(A)第一の電極23の透明電極パターンと同時に形成される。言い換えれば、(A)第一の電極23の透明電極パターンを形成する際に、(C)第一の接続部25も同時に形成するので、x方向には途切れることなく連なった電極パターンを形成することを意味する。   (C) The 1st connection part 25 is a connection part for connecting the (A) 1st electrode 23 which adjoins, and, in the case of the structure shown in FIG. Are connected to each other. (C) The first connection portion 25 is formed simultaneously with the transparent electrode pattern of the first electrode 23 by using the same transparent conductive material as that of the transparent electrode pattern of the first electrode 23 (A). Is done. In other words, (A) when the transparent electrode pattern of the first electrode 23 is formed, (C) the first connection portion 25 is also formed at the same time, so that a continuous electrode pattern is formed without interruption in the x direction. Means that.

さらに、透明基材10に対してy方向に配列された(B)第二の電極24の透明電極パターンも(A)第一の電極23及び(C)第一の接続部25と同時に形成される。なお、(B)第二の電極24の透明電極パターンは、(D)第二の接続部21と同時に形成されないので、この時点ではまだy方向には接続されていない状態となる。   Furthermore, the transparent electrode pattern of the (B) second electrode 24 arranged in the y direction with respect to the transparent substrate 10 is also formed simultaneously with (A) the first electrode 23 and (C) the first connecting portion 25. The Note that (B) the transparent electrode pattern of the second electrode 24 is not formed at the same time as (D) the second connection portion 21, so at this point, it is not yet connected in the y direction.

<静電容量型タッチパネル基板の製造方法>
本実施形態に係る投影型静電容量方式タッチパネルセンサーの製造工程を図1〜図3に示すとともに、その製造フローを図5(a)に示す。
まず、図1に示すように、透明基材10上に(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24の透明電極パターンと、(C)第一の接続部25とを形成する。
(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24の透明電極パターンと、(C)第一の接続部25の材料としては、一般的に多く使用されるITOが好適であるがこれに限定されない。静電容量式タッチパネル機能の具体的な仕様により、ITOの特性、また、透明電極パターンとしての特性を選択する。例えば、ITO膜として、膜厚30nmでシート抵抗値100Ω/□程度の膜をスパッタリング装置の薄膜形成手段により成膜する。次いで、耐エッチング性の感光性樹脂を用いて、レジスト塗布、露光、現像の一連の工程を含むフォトリソ法によりレジストパターンを形成する。その後、ITOエッチング、レジスト剥離工程を経て、パターン形成される。例えば、(C)第一の接続部25として、幅50μmから100μmで長さ200μmから500μmのパターンを多数形成する。
<Method of manufacturing capacitive touch panel substrate>
The manufacturing process of the projected capacitive touch panel sensor according to this embodiment is shown in FIGS. 1 to 3 and the manufacturing flow is shown in FIG.
First, as shown in FIG. 1, the transparent electrode pattern of (A) the first electrode 23 and (B) the second electrode 24 and (C) the first connection portion 25 are formed on the transparent substrate 10. To do.
As a material of the transparent electrode pattern of (A) the first electrode 23 and (B) the second electrode 24 and (C) the first connecting portion 25, ITO which is generally used is suitable. It is not limited to this. Depending on the specific specifications of the capacitive touch panel function, the characteristics of ITO and the characteristics as a transparent electrode pattern are selected. For example, as an ITO film, a film having a film thickness of 30 nm and a sheet resistance value of about 100Ω / □ is formed by a thin film forming unit of a sputtering apparatus. Next, a resist pattern is formed by a photolithographic method including a series of steps of resist coating, exposure, and development using an etching-resistant photosensitive resin. Thereafter, a pattern is formed through ITO etching and a resist peeling process. For example, (C) As the first connection portion 25, a large number of patterns having a width of 50 μm to 100 μm and a length of 200 μm to 500 μm are formed.

図2に示すように、透明基材10上に、(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24の透明電極パターンと、(C)第一の接続部25とを形成した後、(E)絶縁層22を形成する。具体的には、(E)絶縁層22を、(C)第一の接続部25または(D)第二の接続部21の有効領域を含む範囲に被せて形成する。(E)絶縁層22の製造方法としては、SiO膜を厚さ100nm以上形成して絶縁機能を得ることはできるが、さらに容易な製造方法として、有機絶縁膜をフォトリソ法で形成することもできる。例えば、屈折率が1.53、体積固有抵抗値が2×1015Ω・cmである感光性有機絶縁膜材料を、スプレーコートやスピンコート、スリットダイコート、ロールコート、バーコート等の塗布方法により、乾燥膜厚が0.2〜10μm、より好ましくは0.5〜5μmとなるように塗布する。必要により乾燥された膜には、必要に応じてこの膜と接触あるいは非接触状態で設けられた所定のパターンを有するマスクを通して露光を行う。露光時の光線の種類は特に限定されるものではなく、可視光線、紫外線、遠赤外線、電子線、X線等が挙げられ、中でも紫外線が好ましい。光線の照度は特に限定されるものではないが、365nmにおいて5〜150mW/cmであることが好ましく、15〜35mW/cmであることが特に好ましい。 As shown in FIG. 2, the transparent electrode pattern of (A) the first electrode 23 and (B) the second electrode 24 and (C) the first connection portion 25 were formed on the transparent substrate 10. Thereafter, (E) an insulating layer 22 is formed. Specifically, (E) the insulating layer 22 is formed so as to cover a range including the effective area of (C) the first connection portion 25 or (D) the second connection portion 21. (E) As a manufacturing method of the insulating layer 22, an insulating function can be obtained by forming a SiO 2 film with a thickness of 100 nm or more. However, as an easier manufacturing method, an organic insulating film can be formed by a photolithography method. it can. For example, a photosensitive organic insulating film material having a refractive index of 1.53 and a volume resistivity of 2 × 10 15 Ω · cm is applied by a coating method such as spray coating, spin coating, slit die coating, roll coating, or bar coating. The film is applied so that the dry film thickness is 0.2 to 10 μm, more preferably 0.5 to 5 μm. If necessary, the dried film is exposed through a mask having a predetermined pattern provided in contact with or not in contact with the film. The kind of the light beam at the time of exposure is not particularly limited, and examples thereof include visible light, ultraviolet rays, far infrared rays, electron beams, X-rays, etc. Among them, ultraviolet rays are preferable. Is not particularly limited illuminance of the light beam is preferably 5~150mW / cm 2 at 365 nm, and particularly preferably 15~35mW / cm 2.

その後、必要に応じて炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等の水性アルカリ現像液に浸漬するか、もしくはスプレー等により現像液を噴霧して未硬化部を除去し所望のパターンを形成する。さらに、感光性組成物の重合を促進して硬膜化させるために、それぞれ必要に応じて加熱(ポストベーキング)を施す。これらの工程を経てパターン形成し、透過率97%を超えるパターン状の(E)絶縁層22とすることができる。   Then, if necessary, the film is immersed in an aqueous alkaline developer such as sodium carbonate or sodium hydroxide, or sprayed with a developer or the like to remove uncured portions and form a desired pattern. Furthermore, in order to accelerate the polymerization of the photosensitive composition to form a film, heating (post-baking) is performed as necessary. A pattern is formed through these steps, and a patterned (E) insulating layer 22 having a transmittance exceeding 97% can be obtained.

図3に示す、(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20は、反射率を4%以上30%以下に制御した導電ペースト等の感光性導電材料を、スクリーン印刷等の印刷法により成膜し、フォトリソ法によって微細パターン化することで得られる。フォトリソ法は、透明基材10上に感光性導電ペーストを塗布後、所望する取出配線に対応するフォトマスクを介して、紫外光を照射することにより塗膜の露光部分を光架橋により硬化し、現像液を用いて塗膜の未露光部分を除去した後に焼成することにより取出配線パターンを形成する方法である。このフォトリソ法を用いることにより、蒸着法に比べて安価で、かつ、スクリーン印刷や、グラビアオフセット印刷で形成する印刷法に比べて高精細な導電パターンを得ることが可能である。   The (G) auxiliary thin line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) take-out wiring 20 shown in FIG. 3 are photosensitive conductive materials such as a conductive paste whose reflectivity is controlled to 4% to 30%. The material can be obtained by forming a film by a printing method such as screen printing and forming a fine pattern by a photolithography method. In the photolithographic method, after applying a photosensitive conductive paste on the transparent substrate 10, the exposed portion of the coating film is cured by photocrosslinking by irradiating with ultraviolet light through a photomask corresponding to a desired extraction wiring, This is a method of forming a lead-out wiring pattern by baking after removing an unexposed portion of a coating film using a developer. By using this photolithography method, it is possible to obtain a conductive pattern that is cheaper than the vapor deposition method and has a higher definition than the printing method formed by screen printing or gravure offset printing.

また、必要に応じて図示しない保護膜を(A)第一の透明電極23、(B)第二の透明電極24、(C)第一の接続部25、(D)第二の接続部21、(E)絶縁層22、(F)取出配線20及び(G)補助細線パターン26の有効領域を含む範囲に被せて形成する。より詳しくは、保護層を、(E)絶縁層22の説明で述べた材料及び方法を用いて、乾燥膜厚が0.5〜20μm、より好ましくは1.0〜10μmとなるように形成する。なお、保護層は、静電容量式タッチパネル基板の最外層を形成するので、平坦化層を兼ねて、できるだけ広く配置することが望ましい。   Further, if necessary, a protective film (not shown) may be provided with (A) the first transparent electrode 23, (B) the second transparent electrode 24, (C) the first connection portion 25, and (D) the second connection portion 21. (E) The insulating layer 22, (F) the extraction wiring 20, and (G) the auxiliary fine line pattern 26 are formed so as to cover a range including the effective region. More specifically, the protective layer is formed so as to have a dry film thickness of 0.5 to 20 μm, more preferably 1.0 to 10 μm, using the materials and methods described in the description of (E) insulating layer 22. . In addition, since the protective layer forms the outermost layer of the capacitive touch panel substrate, it is desirable that the protective layer be disposed as wide as possible to serve as a planarization layer.

また、透明基板10の、静電容量式タッチパネルセンサー(つまり、(A)第一の透明電極23、(B)第二の透明電極24、(C)第一の接続部25、(D)第二の接続部21、(E)絶縁層22、(F)取出配線20及び(G)補助細線パターン26で構成されるセンサー)が形成された面とは反対側の面に、カラーフィルタを形成してもよい。このカラーフィルタの作成は、静電容量式タッチパネルセンサーの形成前であってもよいし、その形成後であってもよい。
また、本実施形態に係る静電容量式タッチパネルセンサー基板を用いて、様々なタイプの表示装置を製造することもできる。
Further, the capacitive touch panel sensor (that is, (A) the first transparent electrode 23, (B) the second transparent electrode 24, (C) the first connection portion 25, (D) The color filter is formed on the surface opposite to the surface on which the second connection portion 21, (E) insulating layer 22, (F) extraction wiring 20 and (G) auxiliary thin line pattern 26) is formed. May be. This color filter may be created before or after the formation of the capacitive touch panel sensor.
In addition, various types of display devices can be manufactured using the capacitive touch panel sensor substrate according to the present embodiment.

<感光性導電材料>
本実施形態で用いられる感光性導電材料は、少なくとも(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤を含有する感光性導電ペーストを使用することができ、必要に応じてその他の添加剤を含むことができる。
本実施形態に係る静電容量式タッチパネル基板を構成する(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20は、前述の感光性導電ペーストを透明基板10上に塗布後、露光、現像、熱硬化という所謂フォトリソ工程を経ることによって形成される。
本実施形態で用いられる感光性導電材料に、反射率を30%以下に制御するためにカーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上の(H)黒色材料を併用することができる。
<Photosensitive conductive material>
The photosensitive conductive material used in this embodiment is at least (H) black material, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiator, (K) polymerizable polyfunctional monomer, (L) resin, (M) A photosensitive conductive paste containing a solvent can be used, and other additives can be included as required.
The (G) auxiliary thin line pattern 26, (D) the second connection portion 21 and (F) the extraction wiring 20 constituting the capacitance type touch panel substrate according to the present embodiment are made of the above-described photosensitive conductive paste using the transparent substrate 10. It is formed by applying a so-called photolithographic process such as exposure, development, and heat curing after coating.
The photosensitive conductive material used in the present embodiment has carbon, black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more types of pigments, at least one or more types of black dyes, and a particle size in order to control the reflectance to 30% or less. One or more (H) black materials selected from the group of black metal oxides in the range of 0.1 μm or more and 4 μm or less can be used in combination.

本実施形態で用いられるカーボンブラックは、遮光性を有する黒色顔料であり、市販のカーボンブラックとしては、例えば、#260、#25、#30、#32、#33、#40、#44、#45、#45L、#47、#50、#52、MA7、MA8、MA11、MA100、MA100R、MA100S、MA230(以上、三菱化学社製)、Printex L、Printex P、Printex 30、Printex 35、Printex 40、Printex 45、Printex 55、Printex 60、Printex 300、Printex 350、Special Black 4、Special Black 350、Special Black 550(以上、DEGUSSA社製)等のカーボンブラック単体の他、MHIブラック#201、#220、#273(以上、御国色素社製)といったカーボンブラック分散体を用いることができる。カーボンブラックは、1種を単独で使用しても、2種以上を混合して使用してもよい。本実施形態で用いられるカーボンブラックの平均一次粒子径は、10nm以上500nm以下であることが好ましく、より好ましくは10nm以上300nm以下である。   The carbon black used in the present embodiment is a black pigment having a light shielding property. Examples of commercially available carbon blacks include # 260, # 25, # 30, # 32, # 33, # 40, # 44, # 44, and # 44. 45, # 45L, # 47, # 50, # 52, MA7, MA8, MA11, MA100, MA100R, MA100S, MA230 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Printex L, Printex P, Printex 30, Printex 35, Printex 40 , Printex 45, Printex 55, Printex 60, Printex 300, Printex 350, Special Black 4, Special Black 350, Special Black 550 (manufactured by DEGUSSA) Another click alone, MHI Black # 201, # 220, # 273 (or, Mikuni Color Ltd.) can be used carbon black dispersion such. Carbon black may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be mixed and used for it. The average primary particle diameter of the carbon black used in the present embodiment is preferably 10 nm or more and 500 nm or less, more preferably 10 nm or more and 300 nm or less.

カーボンブラックの平均一次粒子径が10nmより小さいと高濃度で分散させることが困難であるために経時安定性の良好な感光性黒色組成物が得られ難い。また、カーボンブラックの平均一次粒子径が500nmより大きいと黒度が落ちる。このために、十分な黒度を持たせるためには感光性導電材料中のカーボンブラック比率が多くなり、パターン加工性に悪影響を及ぼす。感光性導電材料のカーボンブラックの含有量は、(I)金属粒子の固形分を基準として1重量%以上100重量%以下であることが好ましく、より好ましくは1重量%以上3重量%以下である。カーボンブラックの含有量が、1重量%未満の場合は充分な反射率の低減効果が得られない。また、カーボンブラックの含有量が、100重量%より多い場合は感光性が得られ難く、(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の形成が困難になる可能性がある。   If the average primary particle size of the carbon black is smaller than 10 nm, it is difficult to disperse at a high concentration, so that it is difficult to obtain a photosensitive black composition having good temporal stability. Further, when the average primary particle diameter of carbon black is larger than 500 nm, the blackness is lowered. For this reason, in order to give sufficient blackness, the ratio of carbon black in the photosensitive conductive material increases, which adversely affects pattern processability. The content of carbon black in the photosensitive conductive material is preferably (I) 100% by weight or less and more preferably 1% by weight or more and 3% by weight or less based on the solid content of the metal particles (I). . When the carbon black content is less than 1% by weight, a sufficient reflectance reduction effect cannot be obtained. Further, when the carbon black content is more than 100% by weight, it is difficult to obtain photosensitivity, and (G) the auxiliary fine line pattern 26, (D) the second connection portion 21 and (F) the extraction wiring 20 are formed. It can be difficult.

黒色顔料としては、例えば、アニリンブラック、ペリレン系黒色顔料が使用でき、具体的にはC.I.Pigment Black 1、6、7、12、20、31、32等の黒色顔料を用いることができる。
本実施形態で用いられる少なくとも2種類以上の顔料による疑似黒色顔料混合物は、遮光性を有する擬似黒色混合物である。擬似黒色混合物としては、例えば、カラーフィルタの着色透明層を形成する際に用いられる顔料で、C.I.ピグメントレッド1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、14、41、48:1、48:2、48:3、48:4、57:1、81、81:1、81:2、81:3、81:4、97、122、123、146、149、166、168、169、176、177、178、179、180、184、185、187、192、200、202、208、210、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、242、246、254、255、264、270、272、273、274,276、277、278、279、280、281、282、283、284、285、286、287などに代表される赤色(RED)系顔料と、C.I.ピグメントブルー15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:6、16、22、60、64、80などに代表される青色(BLUE)系顔料とを少なくとも混合することにより、擬似的に黒色としたものが挙げられる。
As the black pigment, for example, aniline black or perylene black pigment can be used. I. Black pigments such as Pigment Black 1, 6, 7, 12, 20, 31, 32 can be used.
The pseudo black pigment mixture of at least two or more types of pigments used in the present embodiment is a pseudo black mixture having a light shielding property. Examples of the pseudo black mixture include pigments used for forming a colored transparent layer of a color filter, and C.I. I. Pigment Red 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 14, 41, 48: 1, 48: 2, 48: 3, 48: 4, 57: 1, 81, 81: 1, 81: 2, 81: 3, 81: 4, 97, 122, 123, 146, 149, 166, 168, 169, 176, 177, 178, 179, 180, 184, 185, 187, 192,200,202,208,210,215,216,217,220,223,224,226,227,228,240,242,246,254,255,264,270,272,273,274,276, Red (RED) pigments typified by 277, 278, 279, 280, 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, and the like; I. At least a blue (BLUE) pigment typified by CI Pigment Blue 15, 15: 1, 15: 2, 15: 3, 15: 4, 15: 6, 16, 22, 60, 64, 80, etc. Therefore, a pseudo black color can be used.

また、本実施形態で用いられる顔料の疑似黒色混合物としては、赤色系顔料と青色系顔料とに加え、さらに黄色(YELLOW)系顔料を加えてもよい。黄色系顔料は、可視光の低波長領域、すなわち波長500nm以下の光を吸収することが知られている(例えば、塩治孜著(昭和40年)「印刷インキ教室」(日本印刷新聞社)P170〜173)。赤色系顔料と青色系顔料とに黄色系顔料を加えることにより、黄色系顔料が低波長可視光を吸収し、より黒色に近くすることができる。   In addition to the red pigment and the blue pigment, a yellow (YELLOW) pigment may be added as the pseudo black mixture of pigments used in the present embodiment. It is known that yellow pigments absorb light in the low wavelength region of visible light, that is, light having a wavelength of 500 nm or less (for example, “Shoji Shio (1965)“ Printing Ink Class ”(Nihon Printing Shimbun) P170-173). By adding a yellow pigment to a red pigment and a blue pigment, the yellow pigment absorbs low-wavelength visible light and can be made closer to black.

黄色(YELLOW)系顔料の例としては、C.I.ピグメントイエロー1、2、3、4、5、6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、24、31、32、34、35、35:1、36、36:1、37、37:1、40、42、43、53、55、60、61、62、63、65、73、74、77、81、83、86、93、94、95、97、98、100、101、104、106、108、109、110、113、114、115、116、117、118、119、120、123、125、126、127、128、129、137、138、139、144、146、147、148、150、151、152、153、154、155、156、161、162、164、166、167、168、169、170、171、172、173、174、175、176、177、179、180、181、182、185、187、188、193、194、198、199、213、214、218、219、220、221が挙げられる。   Examples of yellow (YELLOW) pigments include C.I. I. Pigment Yellow 1, 2, 3, 4, 5, 6, 10, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 20, 24, 31, 32, 34, 35, 35: 1, 36, 36: 1, 37, 37: 1, 40, 42, 43, 53, 55, 60, 61, 62, 63, 65, 73, 74, 77, 81, 83, 86, 93, 94, 95, 97, 98, 100, 101, 104, 106, 108, 109, 110, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 123, 125, 126, 127, 128, 129, 137, 138, 139, 144, 146, 147, 148, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 161, 162, 164, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 17 , It includes the 175,176,177,179,180,181,182,185,187,188,193,194,198,199,213,214,218,219,220,221.

本実施形態で用いられる顔料の疑似黒色混合物では、さらに紫色(Violet)系顔料を加えてもよい。紫色系顔料を加えることにより、加えない場合と比較して波長550nm付近の光を吸収し易く、より光学濃度(OD値)の高い黒色とすることができる。
本実施形態で用いられる紫色(Violet)系顔料の例としては、C.I.ピグメントバイオレット1、19、23、27、29、30、32、37、40、42、50が挙げられる。
In the pseudo black mixture of pigments used in this embodiment, a violet pigment may be further added. By adding a violet pigment, it is easy to absorb light in the vicinity of a wavelength of 550 nm as compared with the case where it is not added, and a black having a higher optical density (OD value) can be obtained.
Examples of purple pigments used in this embodiment include C.I. I. Pigment violet 1, 19, 23, 27, 29, 30, 32, 37, 40, 42, 50.

さらに橙色(Orange)系顔料や緑色(Green)系顔料等の顔料を加えてもよい。橙色顔料としては、例えばC.I.ピグメントオレンジ36、43、51、55、59、61、71、73等が挙げられる。緑色顔料としては、例えばC.I.ピグメントグリーン7、10、36、37、58等の緑色顔料が挙げられる。
さらに本実施形態で用いられる顔料の擬似黒色物では反射率低減の補助剤として有機黒色顔料を用いることができ、例えばC.I.PBK 1、30、31等が挙げられる。
Further, a pigment such as an orange pigment or a green pigment may be added. Examples of the orange pigment include C.I. I. Pigment orange 36, 43, 51, 55, 59, 61, 71, 73, and the like. Examples of the green pigment include C.I. I. And green pigments such as CI Pigment Green 7, 10, 36, 37, and 58.
Furthermore, in the pseudo black material of the pigment used in the present embodiment, an organic black pigment can be used as an auxiliary agent for reducing the reflectance. I. PBK 1, 30, 31 etc. are mentioned.

本実施形態では少なくとも1種類以上の黒色染料を用いることができる。
染料の化学構造としては、トリフェニルメタン系、アントラキノン系、ベンジリデン系、オキソノール系、シアニン系、フェノチアジン系、ピロロピラゾールアゾメチン系、キサンテン系、フタロシアニン系、ベンゾピラン系、インジゴ系等が挙げられる。これらのうち、ピラゾールアゾ系、アニリノアゾ系、ピラゾロトリアゾールアゾ系、ピリドンアゾ系、アントラキノン系、アンスラピリドン系の染料が好ましい。
In the present embodiment, at least one kind of black dye can be used.
Examples of the chemical structure of the dye include triphenylmethane, anthraquinone, benzylidene, oxonol, cyanine, phenothiazine, pyrrolopyrazole azomethine, xanthene, phthalocyanine, benzopyran, and indigo. Of these, pyrazole azo dyes, anilinoazo dyes, pyrazolotriazole azo dyes, pyridone azo dyes, anthraquinone dyes, and anthrapyridone dyes are preferable.

着色剤としては有機溶媒に可溶である限り公知の染料を使用でき、例えば油溶性染料、アシッド染料又はその誘導体、ダイレクト染料、モーダント染料等が挙げられる。
黒色染料に用いられる色素としては、例えばC.I.Acid Black 1、24、26、31、48、50、52、52:1、58、60、63:2、64、107、109、110、112、113、118、140、155、170、172、177、187、188、194、207、222、C.I.Direct Black 17、19、22、51、62、91、112、117、118、122、132、146、154、159、169、173が挙げられる。
As the colorant, known dyes can be used as long as they are soluble in an organic solvent. Examples thereof include oil-soluble dyes, acid dyes or derivatives thereof, direct dyes, and modern dyes.
Examples of the pigment used for the black dye include C.I. I. Acid Black 1, 24, 26, 31, 48, 50, 52, 52: 1, 58, 60, 63: 2, 64, 107, 109, 110, 112, 113, 118, 140, 155, 170, 172, 177, 187, 188, 194, 207, 222, C.I. I. Direct Black 17, 19, 22, 51, 62, 91, 112, 117, 118, 122, 132, 146, 154, 159, 169, 173 may be mentioned.

本実施形態で用いられる(H)黒色材料としては遮光性を有する、2種以上の染料の疑似黒色混合物であってもよい。例えば、C.I.Acid Red 1、6、9、14、18、35、37、42、50、52、57、73、87、88、89、92、97、106、111、114、118、128、134、138、143、143:1、145、158、183、186、211、214、215、217、219、225、226、249、254、256、257、259、260、261、263、266、274、276、278、289、299、301、303、307、315、316、317、336、337、341、355、357、359、362、366、383、399、405、407、414、416、426、C.I.Direct Red 2、23、24、31、39、54、79、83:1、89、224、225、226、227、242、243、C.I.Reactive Red5、8、43、などに代表される赤色(RED)系色素からなる染料と、C.I.Acid Blue 7、9、15、22、23、25、40、45、47、59、61:1、62、78、80、83、90、104、109、112、127、127:1、129、138、140、203、204、207、227、228、232、247、260、264、277、278、280、283、290、333、343、Direct Blue 106、108などに代表される青色(BLUE)系色素からなる染料を少なくとも混合することにより、擬似的に黒色としたものが挙げられる。   The (H) black material used in the present embodiment may be a pseudo black mixture of two or more dyes having light shielding properties. For example, C.I. I. Acid Red 1, 6, 9, 14, 18, 35, 37, 42, 50, 52, 57, 73, 87, 88, 89, 92, 97, 106, 111, 114, 118, 128, 134, 138, 143, 143: 1, 145, 158, 183, 186, 211, 214, 215, 217, 219, 225, 226, 249, 254, 256, 257, 259, 260, 261, 263, 266, 274, 276, 278, 289, 299, 301, 303, 307, 315, 316, 317, 336, 337, 341, 355, 357, 359, 362, 366, 383, 399, 405, 407, 414, 416, 426, C.I. I. Direct Red 2, 23, 24, 31, 39, 54, 79, 83: 1, 89, 224, 225, 226, 227, 242, 243, C.I. I. A dye comprising a red (RED) pigment represented by Reactive Red 5, 8, 43, and the like; I. Acid Blue 7, 9, 15, 22, 23, 25, 40, 45, 47, 59, 61: 1, 62, 78, 80, 83, 90, 104, 109, 112, 127, 127: 1, 129, Blue (BLUE) represented by 138, 140, 203, 204, 207, 227, 228, 232, 247, 260, 264, 277, 278, 280, 283, 290, 333, 343, Direct Blue 106, 108, etc. A pseudo black color is obtained by mixing at least a dye composed of a system pigment.

黄色(YELLOW)系の染料に用いられる色素の例としては、I.Acid Yellow 3、17、38、40:1、42、44:1、49、61、65、67、72、79、110、114、116、117、119、121、127、129、135、141、143、155、158、161、194、204、207、220、232、235、241、C.I.Direct Yellow 12、86、87、130、142、C.I.Reactive Yellow 84、102等が挙げられる。   Examples of pigments used in yellow (YELLOW) dyes include I.I. Acid Yellow 3, 17, 38, 40: 1, 42, 44: 1, 49, 61, 65, 67, 72, 79, 110, 114, 116, 117, 119, 121, 127, 129, 135, 141, 143, 155, 158, 161, 194, 204, 207, 220, 232, 235, 241, C.I. I. Direct Yellow 12, 86, 87, 130, 142, C.I. I. And Reactive Yellow 84 and 102.

本実施形態で用いられる染料の疑似黒色混合物では、さらに紫色(Violet)系染料を加えてもよい。紫色系染料を加えることにより、加えない場合と比較して波長550nm付近の光を吸収し易く、より光学濃度(OD値)の高い黒色とすることができる。
本実施形態で用いられる紫色(Violet)系染料に用いられる色素の例としては、C.I.Acid Violet 21、42、43、47、48、49、54、97、102等が挙げられる。
In the pseudo black mixture of dyes used in the present embodiment, a violet dye may be further added. By adding a violet dye, it is easy to absorb light in the vicinity of a wavelength of 550 nm as compared with the case where it is not added, and it is possible to make black with a higher optical density (OD value).
Examples of the pigment used for the violet dye used in the present embodiment include C.I. I. Acid Violet 21, 42, 43, 47, 48, 49, 54, 97, 102 etc. are mentioned.

本実施形態で用いられる染料として前記染料の他、さらに橙色(Orange)系染料や緑色(Green)系染料等の染料を加えてもよい。橙色系染料に用いられる色素としては、例えば、C.I.Orange 10、19、33、50、56、67、80、108、122、142、166、130、C.I.Direct Orange 26、39、C.I.Reactive Orange 1、4等が挙げられる。また、緑色染料とし用いられる色素としては、例えば、C.I.Acid Green3、5、22、25、27、28、41等が挙げられる。   In addition to the above dyes, dyes such as orange dyes and green dyes may be added as the dyes used in the present embodiment. Examples of the pigment used for the orange dye include C.I. I. Orange 10, 19, 33, 50, 56, 67, 80, 108, 122, 142, 166, 130, C.I. I. Direct Orange 26, 39, C.I. I. Reactive Orange 1, 4 etc. are mentioned. Examples of pigments used as green dyes include C.I. I. Acid Green 3, 5, 22, 25, 27, 28, 41 etc. are mentioned.

本実施形態で用いられる黒色金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、酸窒化チタン、酸化銀、酸化鉄、酸化亜鉛、四酸化三鉄、酸化コバルト、酸化スズ、酸化インジウム、酸化マグネシウム、亜クロム酸銅、クロム酸銅、コバルト−鉄複合酸化物、コバルト−鉄−クロム複合酸化物、ニッケル−鉄−クロム複合酸化物、銅−鉄−マンガン複合酸化物、コバルト−ニッケル複合酸化物、チタン−バナジウム−アンチモン複合酸化物、錫−アンチモン複合酸化物二硫化モリブデン、硫化亜鉛等を使用することができる。なお、感光性導電材料に含まれる金属粒子を、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム等の酸化剤と水酸化ナトリウム、燐酸ナトリウムのアルカリ水溶液を用いてパターン形成後に金属酸化物として形成してもよい。
この他、金属テルルや二酸化テルルと塩酸を用いることで塩化テルルを析出させて黒色化層を形成してもよい。
Examples of the black metal oxide used in the present embodiment include titanium oxide, titanium oxynitride, silver oxide, iron oxide, zinc oxide, triiron tetroxide, cobalt oxide, tin oxide, indium oxide, magnesium oxide, and chromium. Copper oxide, copper chromate, cobalt-iron composite oxide, cobalt-iron-chromium composite oxide, nickel-iron-chromium composite oxide, copper-iron-manganese composite oxide, cobalt-nickel composite oxide, titanium- Vanadium-antimony composite oxide, tin-antimony composite oxide molybdenum disulfide, zinc sulfide, or the like can be used. The metal particles contained in the photosensitive conductive material are formed after pattern formation using an oxidizing agent such as sodium chlorite, sodium hypochlorite, and sodium nitrite, and an alkaline aqueous solution of sodium hydroxide and sodium phosphate. You may form as.
In addition, the blackened layer may be formed by depositing tellurium chloride by using metallic tellurium, tellurium dioxide and hydrochloric acid.

なお、上述の(H)黒色材料の含有量は、後述する(I)金属粒子の重量に対して1重量%以上100重量%以下の範囲内であることが好ましい。前述のカーボンブラックの場合と同様に、(H)黒色材料の含有量が、1重量%未満の場合は充分な反射率の低減効果が得られない。また、(H)黒色材料の含有量が、100重量%より多い場合は感光性が得られ難く、(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の形成が困難になる可能性がある。   In addition, it is preferable that content of the above-mentioned (H) black material exists in the range of 1 to 100 weight% with respect to the weight of (I) metal particle mentioned later. As in the case of the carbon black described above, when the content of the (H) black material is less than 1% by weight, a sufficient reflectance reduction effect cannot be obtained. Further, when the content of (H) the black material is more than 100% by weight, it is difficult to obtain photosensitivity, (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) extraction wiring 20 May be difficult to form.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の(I)金属粒子としては、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)から選ばれる1種以上の金属を含有した粒子が挙げられる。
また、本実施形態で用いられる感光性導電材料の(I)金属粒子の平均粒子径は、0.1μm以上4μm以下であることが好ましい。
As the (I) metal particles of the photosensitive conductive material used in the present embodiment, gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium And particles containing one or more metals selected from (Rh) and aluminum (Al).
Moreover, it is preferable that the average particle diameter of the (I) metal particle of the photosensitive electrically-conductive material used by this embodiment is 0.1 micrometer or more and 4 micrometers or less.

平均粒子径が0.1μm未満の場合、隠蔽性が高くなるために露光時に紫外光が底部まで届かず、パターン形成が困難となる。一方、平均粒子径が4μmを超える場合、微細パターンにおける直線性や解像性が低下するため好ましくない。また、(I)金属粒子の形状に関して、フレーク状、針状、球状等があるが、スクリーン印刷性や露光時の光散乱の観点から球状の銀粉が望ましい。(I)金属粒子の使用量として、感光性導電材料の全固形分量を基準として、65重量%以上90重量%以下が好ましい。(I)金属粒子の添加量が65重量%未満であると配線として十分な抵抗率が得られず、90重量%を超えると露光時に紫外光が底部まで届かずにパターン形成が困難となる。   When the average particle diameter is less than 0.1 μm, the concealing property becomes high, so that ultraviolet light does not reach the bottom during exposure, and pattern formation becomes difficult. On the other hand, when the average particle diameter exceeds 4 μm, the linearity and resolution in the fine pattern are not preferable. Moreover, (I) Although there exist flake shape, needle shape, spherical shape etc. regarding the shape of a metal particle, spherical silver powder is desirable from a viewpoint of screen printing property or light scattering at the time of exposure. (I) The amount of metal particles used is preferably 65% by weight or more and 90% by weight or less based on the total solid content of the photosensitive conductive material. (I) If the added amount of the metal particles is less than 65% by weight, a sufficient resistivity as a wiring cannot be obtained, and if it exceeds 90% by weight, the ultraviolet light does not reach the bottom during exposure and pattern formation becomes difficult.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の(J)光重合開始剤としては、1,2−オクタンジオン、1−〔4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)〕、O−(アセチル)−N−(1−フェニル−2−オキソ−2−(4’−メトキシ−ナフチル)エチリデン)ヒドロキシルアミン等のO−アシルオキシム系化合物を少なくとも1種用いる必要がある。O−アシルオキシム系化合物は、移動度の高いメチルラジカルやフェニルラジカルを高効率で生成するために隠蔽性の高い感光性導電材料においても優れた硬化特性を有している。これらの(J)光重合開始剤は、1種または2種以上混合して用いることができる。O−アシルオキシム系化合物と混合して用いことができる光重合開始剤として、4−フェノキシジクロロアセトフェノン、4−t−ブチル−ジクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン等のアセトフェノン系化合物、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、チオキサントン、2−クロルチオキサントン、2−メチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン等のチオキサントン系化合物、2,4,6−トリクロロ−s−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(p−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(p−トリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−ピペニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−ピペロニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−スチリル−s−トリアジン、2−(ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−トリクロロメチル−(ピペロニル)−6−トリアジン、2,4−トリクロロメチル(4’−メトキシスチリル)−6−トリアジン等のトリアジン系化合物、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のホスフィン系化合物、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、エチルアントラキノン等のキノン系化合物、ボレート系化合物、カルバゾール系化合物、イミダゾール系化合物、チタノセン系化合物等が用いられる。(J)光重合開始剤の使用量は、感光性導電材料の全固形分量を基準として0.1重量%以上50重量%以下が好ましく、より好ましくは0.2重量%以上20重量%である。   As the photopolymerization initiator (J) of the photosensitive conductive material used in this embodiment, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], O— It is necessary to use at least one O-acyloxime compound such as (acetyl) -N- (1-phenyl-2-oxo-2- (4′-methoxy-naphthyl) ethylidene) hydroxylamine. The O-acyloxime compound has excellent curing characteristics even in a highly concealable photosensitive conductive material because it generates methyl radicals and phenyl radicals with high mobility with high efficiency. These (J) photopolymerization initiators can be used alone or in combination. As a photopolymerization initiator that can be used by mixing with an O-acyloxime compound, 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyl-dichloroacetophenone, diethoxyacetophenone, 1- (4-isopropylphenyl) -2- Acetophenone compounds such as hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, benzoin, Benzoin compounds such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzyl dimethyl ketal, benzophenone, benzoylbenzoic acid, methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophene Benzophenone compounds such as benzophenone, acrylated benzophenone, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, Thioxanthone compounds such as 2-methylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloro Methyl) -s-triazine, 2- (p-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (p-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s- Triazine, 2-piphenyl-4,6-bis (trick (Romethyl) -s-triazine, 2-piperonyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6-styryl-s-triazine, 2- (naphth-1-) Yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2,4-trichloro Triazine compounds such as methyl- (piperonyl) -6-triazine, 2,4-trichloromethyl (4′-methoxystyryl) -6-triazine, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, 2, Phosphine compounds such as 4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 9,10-phenanthrenequinone, camphor Quinone compounds such as quinone and ethyl anthraquinone, borate compounds, carbazole compounds, imidazole compounds, titanocene compounds and the like are used. (J) The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 0.1% by weight to 50% by weight, more preferably 0.2% by weight to 20% by weight, based on the total solid content of the photosensitive conductive material. .

さらに、(J)光重合開始剤に対する増感剤として、α−アシロキシエステル、アシルフォスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジル、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、エチルアンスラキノン、4,4’−ジエチルイソフタロフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等の化合物、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸2−ジメチルアミノエチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘキシル、N,N−ジメチルパラトルイジン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(エチルメチルアミノ)ベンゾフェノン等のアミン系化合物を併用することもできる。これらの増感剤は、1種または2種以上混合して用いることができる。増感剤の使用量は、(J)光重合開始剤と増感剤の合計量を基準として0.5〜50重量%が好ましく、より好ましくは1〜30重量%である。   Furthermore, as a sensitizer for (J) photopolymerization initiator, α-acyloxy ester, acylphosphine oxide, methylphenylglyoxylate, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, ethylanthraquinone, Compounds such as 4,4′-diethylisophthalophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, triethanolamine, methyldiethanolamine, triisopropanolamine, 4-dimethylaminobenzoic acid Acid methyl, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-dimethylaminoethyl benzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, N, N-dimethylparatoluidine, 4,4′- Bis (dimethylamino) Benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, can be used in combination of 4,4'-bis (ethylmethylamino) amine compounds such as benzophenone. These sensitizers can be used alone or in combination. The amount of the sensitizer used is preferably 0.5 to 50% by weight, more preferably 1 to 30% by weight, based on the total amount of (J) the photopolymerization initiator and the sensitizer.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の(K)重合性多官能モノマー及びオリゴマーとしては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、β−カルボキシエチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、エステルアクリレート、メラミン(メタ)アクリレート等の各種アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステル、メチロール化メラミンの(メタ)アクリル酸エステル、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタンアクリレート等の各種アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸、スチレン、酢酸ビニル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ビニルホルムアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。また、水酸基を有する(メタ)アクリレートに多官能イソシアネートを反応させて得られる(メタ)アクリロイル基を有する多官能ウレタンアクリレートを用いることが好ましい。なお、水酸基を有する(メタ)アクリレートと多官能イソシアネートとの組み合わせは任意であり、特に限定されるものではない。また、1種の多官能ウレタンアクリレートを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらは、単独で、または2種類以上混合して用いることができる。   As the (K) polymerizable polyfunctional monomer and oligomer of the photosensitive conductive material used in the present embodiment, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl ( (Meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, β-carboxyethyl (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol Di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, 1,6-hexanediol diglycy Ruether di (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, neopentyl glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, ester acrylate, Various acrylic esters and methacrylic esters such as melamine (meth) acrylate, (meth) acrylic esters of methylolated melamine, various acrylic esters and methacrylates such as epoxy (meth) acrylate, urethane acrylate, (meth) acrylic Acid, styrene, vinyl acetate, hydroxyethyl vinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, (meth) acrylic acid Examples include rylamide, N-hydroxymethyl (meth) acrylamide, N-vinylformamide, acrylonitrile and the like. Moreover, it is preferable to use the polyfunctional urethane acrylate which has the (meth) acryloyl group obtained by making polyfunctional isocyanate react with the (meth) acrylate which has a hydroxyl group. The combination of the (meth) acrylate having a hydroxyl group and the polyfunctional isocyanate is arbitrary and is not particularly limited. Moreover, one type of polyfunctional urethane acrylate may be used alone, or two or more types may be used in combination. These may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の(L)樹脂とは、カルボキシル基を有する線状高分子であり、(メタ)アクリル共重合樹脂やエポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸またはその無水物の反応物にさらに多塩基性カルボン酸またはその無水物とを反応させて得られたエポキシ変性アクリレート樹脂等が挙げられる。
本実施形態で用いられる感光性導電材料の(メタ)アクリル共重合樹脂としては、その構成成分に少なくとも(メタ)アクリルモノマーを含有する共重合樹脂であり、(メタ)アクリルモノマーとしては、(メタ)アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、グリシジルアクリレート、アミノエチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、アリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アミノエチルメタクリレート等が挙げられる。(メタ)アクリルモノマー以外の構成成分として、スチレンやシクロヘキシルマレイミド等の不飽和結合を有する化合物を用いることも可能である。
エポキシ変性アクリレート樹脂に用いられるエポキシ樹脂としては、フェノールノボラックやクレゾールノボラック、ビスフェノールAやビスフェノールF骨格を持つもの等が挙げられる。
The (L) resin of the photosensitive conductive material used in this embodiment is a linear polymer having a carboxyl group, and is a (meth) acrylic copolymer resin or epoxy resin and (meth) acrylic acid or its anhydride. Examples thereof include an epoxy-modified acrylate resin obtained by further reacting the reaction product with a polybasic carboxylic acid or an anhydride thereof.
The (meth) acrylic copolymer resin of the photosensitive conductive material used in the present embodiment is a copolymer resin containing at least a (meth) acrylic monomer as a constituent component, and the (meth) acrylic monomer is a (meth) acrylic monomer. ) Acrylic acid, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, glycidyl acrylate, aminoethyl acrylate, methyl methacrylate , Ethyl methacrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, isopropyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate Rate, allyl methacrylate, benzyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, glycidyl methacrylate, aminoethyl methacrylate, and the like. As a constituent component other than the (meth) acrylic monomer, a compound having an unsaturated bond such as styrene or cyclohexylmaleimide can be used.
Examples of the epoxy resin used for the epoxy-modified acrylate resin include phenol novolac, cresol novolac, and those having bisphenol A or bisphenol F skeleton.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の(M)溶剤としては、シクロヘキサノン、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、エチルカルビトールアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチルベンゼン、エチレングリコールジエチルエーテル、キシレン、エチルセロソルブ、メチル−nアミルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、石油系溶剤等が挙げられ、これらを単独で、もしくは混合して用いることができる。(M)溶剤の添加量として、感光性導電ペースト全量を基準として、5〜20重量%の範囲で添加することが好ましい。   As the (M) solvent of the photosensitive conductive material used in the present embodiment, cyclohexanone, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, ethyl carbitol acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, diethylene glycol dimethyl ether, ethylbenzene, ethylene glycol diethyl ether , Xylene, ethyl cellosolve, methyl-n amyl ketone, propylene glycol monomethyl ether, petroleum solvent and the like, and these can be used alone or in combination. (M) The solvent is preferably added in an amount of 5 to 20% by weight based on the total amount of the photosensitive conductive paste.

前記成分の他、本実施形態で用いられる感光性導電材料は、ラジカル捕捉剤を含んでもよい。ラジカル補足剤は、活性ラジカルを失活させる作用を持つものであり、感光性導電ペーストに添加することにより(I)金属粒子による光散乱によって発生する未露光部分での硬化反応を抑えることが可能となり、導体パターンの寸法精度の向上が可能となる。ラジカル捕捉剤の種類としては、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、メトキノン、キノパワーMNT(川崎化成社製)、ノンフレックスアルバ、ノンフレックスCBP、ノンフレックスEBP(以上、精工化学社製)等のハイドロキノン誘導体や1,4−ベンゾキノン、2,6−ジクロロキノン、p−キシロキノン、ナフトキノン等のキノン誘導体、Irganox245、Irganox259、Irganox1010、Irganox1035、Irganox1076、Irganox1098(以上、BASF社製)、アデカスタブAO−30、アデカスタブAO−330(以上、ADEKA社製)等のヒンダードフェノール類、TINUVIN123、TINUVIN144、TINUVIN152、TINUVIN765、TINUVIN770DF(以上、BASF社製)、アデカスタブLA−77、アデカスタブLA−57、アデカスタブLA−67、アデカスタブLA−87(以上、ADEKA社製)等のヒンダードアミン類等があり、これらを単独、もしくは2種類以上用いることができる。ラジカル捕捉剤の添加量としては、感光性導電ペーストの全固形分量を基準として、0.01重量%以上0.1重量%以下の範囲で添加することができる。ラジカル捕捉剤の添加量が、0.01重量%未満であると導体パターンの寸法精度向上効果が得られず、0.1重量%を超えるとなると架橋密度不足によるパターンハガレや熱硬化時の変色が発生する。   In addition to the above components, the photosensitive conductive material used in this embodiment may include a radical scavenger. The radical scavenger has an action of deactivating active radicals, and by adding it to the photosensitive conductive paste, (I) it is possible to suppress the curing reaction in the unexposed part caused by light scattering by the metal particles. Thus, the dimensional accuracy of the conductor pattern can be improved. Examples of the radical scavenger include hydroquinone derivatives such as hydroquinone, methylhydroquinone, methoquinone, quinopower MNT (manufactured by Kawasaki Kasei Co., Ltd.), non-flex alba, non-flex CBP, non-flex EBP (manufactured by Seiko Chemical Co., Ltd.), and the like. Quinone derivatives such as 4-benzoquinone, 2,6-dichloroquinone, p-xyloquinone, naphthoquinone, Irganox 245, Irganox 259, Irganox 1010, Irganox 1035, Irganox 1076, Irganox 1098 (above, manufactured by BASF), Adekastab AO-30A Tab 30 Hindered phenols such as ADEKA), TINUVIN123, TINUVIN144, TINUVIN152, TINUVIN76 And hindered amines such as TINUVIN770DF (above, manufactured by BASF), ADK STAB LA-77, ADK STAB LA-57, ADK STAB LA-67, ADK STAB LA-87 (above, manufactured by ADEKA), etc. More than one type can be used. As the addition amount of the radical scavenger, it can be added in the range of 0.01 wt% or more and 0.1 wt% or less based on the total solid content of the photosensitive conductive paste. If the added amount of the radical scavenger is less than 0.01% by weight, the effect of improving the dimensional accuracy of the conductor pattern cannot be obtained, and if it exceeds 0.1% by weight, pattern peeling due to insufficient crosslinking density or discoloration during heat curing. Occurs.

本実施形態で用いられる感光性導電材料の経時粘度を安定化させるために貯蔵安定剤を含有させることができる。貯蔵安定剤としては、例えばベンジルトリメチルクロライド、ジエチルヒドロキシアミン等の4級アンモニウムクロライド、乳酸、シュウ酸等の有機酸及びそのメチルエーテル、t−ブチルピロカテコール、トリエチルホスフィン、トリフェニルフォスフィン等の有機ホスフィン、亜リン酸塩等が挙げられる。貯蔵安定剤は、感光性導電材料全量を基準として、0.1重量%以上10重量%以下の量で含有させることができる。   In order to stabilize the time-dependent viscosity of the photosensitive conductive material used in the present embodiment, a storage stabilizer can be contained. Examples of the storage stabilizer include quaternary ammonium chlorides such as benzyltrimethyl chloride and diethylhydroxyamine, organic acids such as lactic acid and oxalic acid, and organic acids such as methyl ether, t-butylpyrocatechol, triethylphosphine, and triphenylphosphine. Examples thereof include phosphine and phosphite. The storage stabilizer can be contained in an amount of 0.1 wt% or more and 10 wt% or less based on the total amount of the photosensitive conductive material.

また、本実施形態で用いられる感光性導電材料に界面活性剤を含むことができる。界面活性剤として、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、スチレン−アクリル酸共重合体のアルカリ塩、アルキルナフタリンスルホン酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム、ラウリル硫酸モノエタノールアミン、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ステアリン酸モノエタノールアミン、ステアリン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、スチレン−アクリル酸共重合体のモノエタノールアミン、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル等のアニオン性界面活性剤;ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリエチレングリコールモノラウレート等のノニオン性界面活性剤;アルキル4級アンモニウム塩やそれらのエチレンオキサイド付加物等のカオチン性界面活性剤;アルキルジメチルアミノ酢酸ベタイン等のアルキルベタイン、アルキルイミダゾリン等の両性界面活性剤が挙げられ、これらは単独で、または2種以上を混合して用いることができる。   Further, the photosensitive conductive material used in this embodiment can contain a surfactant. As surfactant, polyoxyethylene alkyl ether sulfate, sodium dodecylbenzenesulfonate, alkali salt of styrene-acrylic acid copolymer, sodium alkylnaphthalene sulfonate, sodium alkyldiphenyl ether disulfonate, lauryl sulfate monoethanolamine, lauryl sulfate Anionic surfactants such as triethanolamine, ammonium lauryl sulfate, monoethanolamine stearate, sodium stearate, sodium lauryl sulfate, monoethanolamine of styrene-acrylic acid copolymer, polyoxyethylene alkyl ether phosphate ester, etc. Oxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene ether Nonionic surfactants such as kill ether phosphates, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyethylene glycol monolaurate; chaotic surfactants such as alkyl quaternary ammonium salts and their ethylene oxide adducts; alkyldimethylamino Examples include amphoteric surfactants such as alkylbetaines such as betaine acetate and alkylimidazolines, and these can be used alone or in admixture of two or more.

本実施形態で用いられる感光性導電材料に基材との密着性向上のためにシランカップリング剤を含むことができる。シランカップリング剤として、KBM−303、KBM−402、KBM−403、KBE−402、KBE−403、KBM−502、KBM−503、KBE−502、KBE−503、KBM−5103、KBM−802、KBM−803、KBE−9007(以上、信越シリコーン社製)、Z−6011、Z−6020、Z−6030、Z−6040、Z−6043、Z−6094、Z−6519(以上、東レダウコーニング社製)等が挙げられる。シランカップリング剤は、感光性導電材料全量を基準として、0.1重量%以上1重量%以下の量で含有させることができる。   The photosensitive conductive material used in the present embodiment can contain a silane coupling agent in order to improve the adhesion to the substrate. As silane coupling agents, KBM-303, KBM-402, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-502, KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-802, KBM-803, KBE-9007 (above, manufactured by Shin-Etsu Silicone), Z-6011, Z-6020, Z-6030, Z-6040, Z-6043, Z-6094, Z-6519 (above, Toray Dow Corning Manufactured) and the like. The silane coupling agent can be contained in an amount of 0.1 wt% or more and 1 wt% or less based on the total amount of the photosensitive conductive material.

本実施形態で用いられる感光性導電材料は、前述のカーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上の(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤及び界面活性剤等の成分を所定の組成で配合して攪拌機にて攪拌後、3本ロールミルにより混練することにより得た。   The photosensitive conductive material used in the present embodiment is the above-described carbon, black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more types of pigments, at least one or more types of black dyes, and the particle diameter is in the range of 0.1 μm to 4 μm. One or more (H) black materials selected from the group of black metal oxides, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiators, (K) polymerizable polyfunctional monomers, (L) resins, (M) It obtained by mix | blending components, such as a solvent and surfactant, with a predetermined composition, kneading with a stirrer, and knead | mixing with a 3 roll mill.

<感光性導電材料を用いた(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の製造方法>
本実施形態における感光性導電材料を用いた(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20の製造方法について、以下に説明をする。
感光性導電材料の透明基材10への塗布方法としては、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷、レリーフ印刷、ダイコート、バーコート等が挙げられるが、一般的にスクリーン印刷が用いられる。透明基材10への塗布後、有機溶剤を蒸発させるために必要に応じてプリベークを実施する。プリベークには、熱風循環式オーブンやホットプレート、IRオーブンを用いることができる。
<(G) Auxiliary Fine Wire Pattern 26 Using Photosensitive Conductive Material, (D) Second Connecting Portion 21 and (F) Manufacturing Method of Extraction Wiring 20>
A method for manufacturing the (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) the second connection portion 21 and (F) the extraction wiring 20 using the photosensitive conductive material in the present embodiment will be described below.
Examples of the method for applying the photosensitive conductive material to the transparent substrate 10 include screen printing, gravure offset printing, reverse offset printing, relief printing, die coating, and bar coating, and screen printing is generally used. After application to the transparent substrate 10, pre-baking is performed as necessary to evaporate the organic solvent. For pre-baking, a hot air circulation oven, a hot plate, or an IR oven can be used.

感光性導電材料を透明基材10に塗布後、所望する(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20に対応するフォトマスクを介して、パターン露光を行う。露光光源には、通常の高圧水銀灯を用いることができる。露光量としてはタクトタイムの観点から、10〜200mJ/cm程度が好ましい。
露光に続いて現像を行う。現像液にはアルカリ性水溶液を用いる。アルカリ性水溶液の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、もしくは水酸化カリウム水溶液が好んで用いられるが、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、または両者の混合水溶液、もしくはそれらに適当な界面活性剤等を加えたものを用いてもよい。
After the photosensitive conductive material is applied to the transparent substrate 10, pattern exposure is performed through a photomask corresponding to the desired (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21, and (F) extraction wiring 20. I do. A normal high-pressure mercury lamp can be used as the exposure light source. The exposure amount is preferably about 10 to 200 mJ / cm 2 from the viewpoint of tact time.
Development is performed following exposure. An alkaline aqueous solution is used as the developer. As an example of the alkaline aqueous solution, a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution or a potassium hydroxide aqueous solution is preferably used, but a sodium carbonate aqueous solution, a sodium hydrogen carbonate aqueous solution, a mixed aqueous solution of both, or a surfactant suitable for them. You may use what added.

現像後、加熱処理を行うことにより任意の(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20が得られる。加熱処理は、熱乾燥オーブンを用いて130〜250℃にて10〜60分行う。加熱処理による樹脂の硬化収縮により、(F)取出配線20のパターンの銀粉同士が接触して十分な導電性を有するとともに薬品等に対する耐性も向上する。   After the development, an arbitrary (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) the second connection portion 21 and (F) the extraction wiring 20 are obtained by performing a heat treatment. The heat treatment is performed at 130 to 250 ° C. for 10 to 60 minutes using a heat drying oven. Due to the curing shrinkage of the resin due to the heat treatment, the silver powder of the pattern of the (F) extraction wiring 20 comes into contact with each other and has sufficient conductivity and also improves the resistance to chemicals and the like.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においてこれに限定されるものではない。
[樹脂Aの合成]
反応容器に1−メトキシ−2−プロピルアセテート800部を入れ、容器に窒素ガスを注入しながら加熱して、下記モノマー及び熱重合開始剤の混合物を滴下して重合反応を行った。
スチレン 40部
メタクリル酸 60部
メチルメタクリレート 55部
ベンジルメタクリレート 45部
1,4−ジメチルメルカプトベンゼン 3部
滴下後十分に加熱した後、アゾビスイソブチロニトリル2部を1−メトキシ−2−プロピルアセテート50部で溶解させたものを添加し、さらに反応を続けてアクリル樹脂の溶液を得た。
この樹脂溶液に固形分が30重量%になるように1−メトキシ−2−プロピルアセテートを添加してアクリル樹脂溶液を調製し、樹脂Aとした。
樹脂Aの重量平均分子量は、約20000であった。
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited thereto without departing from the spirit of the present invention.
[Synthesis of Resin A]
800 parts of 1-methoxy-2-propyl acetate was placed in a reaction vessel, heated while injecting nitrogen gas into the vessel, and a mixture of the following monomers and a thermal polymerization initiator was added dropwise to carry out a polymerization reaction.
Styrene 40 parts Methacrylic acid 60 parts Methyl methacrylate 55 parts Benzyl methacrylate 45 parts 1,4-Dimethylmercaptobenzene 3 parts After dripping and heating sufficiently, 2 parts of azobisisobutyronitrile are mixed with 1-methoxy-2-propyl acetate 50 What was dissolved in part was added, and the reaction was further continued to obtain an acrylic resin solution.
An acrylic resin solution was prepared by adding 1-methoxy-2-propylacetate to the resin solution so that the solid content was 30% by weight.
The weight average molecular weight of Resin A was about 20000.

[感光性導電材料1の調製]
下記組成の混合物を均一に攪拌混合した後、3本ロールを用いて分散後、5μmのフィルターで濾過して感光性導電材料1を調整した。
カーボンブラック MHIブラック#220 (御国色素社製) 3.6部
カーボンブラック含有量33%、固形分40%、平均粒子径 125nm
銀粉(平均粒子径d50 1.5μm) 65部
光重合開始剤 イルガキュアOXE02(BASF社製) 0.2部
重合性多官能モノマー R−684(日本化薬社製) 6部
アルカリ可溶性樹脂A 20.88部
ラジカル捕捉剤 メチルハイドロキノン 0.02部
有機溶剤 1−メトキシ−2−プロピルアセテート 4部
界面活性剤 アデカネートB−940(ADEKA社製) 0.1部
シランカップリング剤 KBM−502(信越シリコーン社製) 0.2部
[感光性導電材料2〜14の調製]
組成を表1に記載の材料の混合物に変更した以外は、感光性導電材料1と同様にして、感光性導電材料2〜14を得た。
[Preparation of photosensitive conductive material 1]
A mixture having the following composition was stirred and mixed uniformly, dispersed using three rolls, and then filtered through a 5 μm filter to prepare photosensitive conductive material 1.
Carbon Black MHI Black # 220 (manufactured by Mikuni Dye Co., Ltd.) 3.6 parts Carbon black content 33%, solid content 40%, average particle size 125 nm
Silver powder (average particle size d50 1.5 μm) 65 parts photopolymerization initiator Irgacure OXE02 (manufactured by BASF) 0.2 parts polymerizable polyfunctional monomer R-684 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 6 parts alkali-soluble resin A 20. 88 parts radical scavenger methyl hydroquinone 0.02 parts organic solvent 1-methoxy-2-propyl acetate 4 parts surfactant Adecanate B-940 (manufactured by ADEKA) 0.1 part silane coupling agent KBM-502 (Shin-Etsu Silicone) 0.2 parts [Preparation of photosensitive conductive material 2-14]
Photosensitive conductive materials 2 to 14 were obtained in the same manner as the photosensitive conductive material 1 except that the composition was changed to the mixture of materials shown in Table 1.

(実施例1)
<静電容量式タッチパネルセンサー基板の作製>
アルミノ珪酸ガラス上に、スパッタリング装置により膜厚30nmでITO膜を成膜し、ポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、現像を実施した。水洗後、シュウ酸を主成分とするエッチング液を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、オーブンにて加熱処理を実施して(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24の透明電極パターン及び導体幅80μm×導体長500μmの大きさの(C)第一の接続部25を形成した。ITO膜のシート抵抗は60Ω/□であった。
Example 1
<Production of capacitive touch panel sensor substrate>
On the aluminosilicate glass, an ITO film having a film thickness of 30 nm was formed by a sputtering apparatus, a positive resist was spin-coated, dried on a hot plate, and the coating film was dried. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. After washing with water, wet etching is performed using an etching solution containing oxalic acid as a main component, and after removing the resist using a potassium hydroxide resist stripping solution, heat treatment is performed in an oven (A) The transparent electrode pattern of the electrode 23 and (B) the second electrode 24 and the (C) first connection portion 25 having a conductor width of 80 μm and a conductor length of 500 μm were formed. The sheet resistance of the ITO film was 60Ω / □.

次に、アクリル系ネガレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、炭酸水素ナトリウム水溶液にて、現像を実施した。水洗後、オーブンにて加熱処理を実施して(E)絶縁層22を形成した。(E)絶縁層22は、(D)第二の接続部21の有効部分のみを覆うように、幅100μm×長さ120μmの大きさとした。   Next, an acrylic negative resist was spin-coated, dried on a hot plate, and the coating film was dried. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the sodium hydrogencarbonate aqueous solution. After washing with water, heat treatment was performed in an oven to form (E) the insulating layer 22. (E) The insulating layer 22 is (D) 100 μm wide and 120 μm long so as to cover only the effective portion of the second connecting portion 21.

続いて、感光性導電材料1をメッシュ500の所望する開口部を有するスクリーン印刷版(材質:ステンレス、東京プロセスサービス社製)を用いてスクリーン印刷にて塗布を行い、ホットプレートにて90℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて50〜200mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、0.2重量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、30〜60秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して図4a)のように(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20を作製した。フォトマスクの開口部、露光量及び現像時間を変更することにより、導体幅3〜12μmの(G)補助細線パターン26を得た。感光性導電材料層のシート抵抗は0.2Ω/□であり、その導体厚は3.0μmであった。 Subsequently, the photosensitive conductive material 1 is applied by screen printing using a screen printing plate (material: stainless steel, manufactured by Tokyo Process Service Co., Ltd.) having a desired opening of the mesh 500, and at 90 ° C. on a hot plate. The coating was dried for 5 minutes. Thereafter, exposure is performed through a photomask having a desired opening at 50 to 200 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, and then for 30 to 60 seconds with a 0.2 wt% sodium bicarbonate aqueous solution. Shower development was performed. After washing with water, heat treatment is performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulating oven, and (G) auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) take-out wiring 20 as shown in FIG. Was made. The (G) auxiliary fine line pattern 26 having a conductor width of 3 to 12 μm was obtained by changing the opening of the photomask, the exposure amount, and the development time. The sheet resistance of the photosensitive conductive material layer was 0.2Ω / □, and the conductor thickness was 3.0 μm.

続いて、さらに、アクリル系ネガレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、炭酸水素ナトリウム水溶液にて、現像を実施した。水洗後、オーブンにて加熱処理を実施して保護層を形成して、静電容量式タッチパネルセンサー基板を得た。保護層は、そのタッチパネルセンサー基板のガラス端部から内側2mmの、(F)取出配線20と制御回路と繋がる接続部位を除く領域全面を覆うように形成した。   Subsequently, an acrylic negative resist was spin-coated and dried on a hot plate to dry the coating film. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the sodium hydrogencarbonate aqueous solution. After washing with water, heat treatment was performed in an oven to form a protective layer, and a capacitive touch panel sensor substrate was obtained. The protective layer was formed so as to cover the entire area of the touch panel sensor substrate 2 mm inside from the glass edge, excluding the connection site connecting the (F) extraction wiring 20 and the control circuit.

(実施例2〜12、比較例1〜2)
<静電容量式タッチパネルセンサー基板の作製>
感光性導電材料1に変えて感光性導電材料2〜14を用いた以外は、実施例1と同様にして行った。
(比較例3)
<静電容量式タッチパネルセンサー基板の作製>
実施例1と同様に、アルミノ珪酸ガラス上に、ITO膜で(C)第一の接続部25を形成し、アクリル系ネガレジストを用いて(E)絶縁層22を形成した後、Mo、Al、Moの順にそれぞれ350Å/2000Å/350Åの厚さでスパッタ法により成膜し、ポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、現像を実施した。水洗後、リン酸、硝酸、酢酸を主成分とするエッチング液を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、オーブンにて加熱処理を実施して(G)補助細線パターン26、(D)第二の接続部21及び(F)取出配線20を作製した。フォトマスクの開口部、露光量及び現像時間を変更することにより、(G)補助細線パターン26を得た。Mo/Al/Mo膜のシート抵抗は0.2Ω/□であった。その後、実施例1と同様にして、静電容量式タッチパネルセンサー基板を得た。(比較例4)
(Examples 2-12, Comparative Examples 1-2)
<Production of capacitive touch panel sensor substrate>
It carried out like Example 1 except having changed into the photosensitive conductive material 1 and using the photosensitive conductive materials 2-14.
(Comparative Example 3)
<Production of capacitive touch panel sensor substrate>
Similarly to Example 1, (C) the first connection part 25 is formed on the aluminosilicate glass with an ITO film, and (E) the insulating layer 22 is formed using an acrylic negative resist. Then, Mo, Al , Mo were formed in a thickness of 350 mm / 2000 mm / 350 mm respectively by a sputtering method, a positive resist was spin-coated, dried on a hot plate, and the coating film was dried. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. After washing with water, wet etching is performed using an etching solution mainly composed of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. After removing the resist using a resist stripping solution of potassium hydroxide, heat treatment is performed in an oven (G ) Auxiliary fine line pattern 26, (D) second connection portion 21 and (F) extraction wiring 20 were produced. By changing the opening of the photomask, the exposure amount, and the development time, (G) the auxiliary fine line pattern 26 was obtained. The sheet resistance of the Mo / Al / Mo film was 0.2Ω / □. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a capacitive touch panel sensor substrate was obtained. (Comparative Example 4)

<静電容量式タッチパネルセンサー基板の作製>
アルミノ珪酸ガラス上に、Mo、Al、Moの順にそれぞれ350Å/2000Å/350Åの厚さでスパッタ法により成膜し、ポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、現像を実施した。水洗後、リン酸、硝酸、酢酸を主成分とするエッチング液を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、オーブンにて加熱処理を実施して(F)取出配線20を作製した。(F)取出配線20形成後、ITO膜で(D)第二の接続部21を形成し、アクリル系ネガレジストを用いて(E)絶縁層22を形成した後、スパッタリング装置により膜厚30nmでITO膜を成膜し、ポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、現像を実施した。水洗後、シュウ酸を主成分とするエッチング液を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、オーブンにて加熱処理を実施して(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24及び(C)第一の接続部25を作製した。ITO膜のシート抵抗は60Ω/□であった。その後、実施例1と同様にして、静電容量式タッチパネルセンサー基板を得た。
<Production of capacitive touch panel sensor substrate>
On the aluminosilicate glass, Mo, Al, and Mo were formed in the order of 350 mm / 2000 mm / 350 mm in thickness by a sputtering method, a positive resist was spin-coated, and dried on a hot plate to dry the coating film. It was. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. After washing with water, wet etching is performed using an etching solution mainly composed of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. After removing the resist using a resist remover of potassium hydroxide, heat treatment is performed in an oven (F ) Extraction wiring 20 was produced. (F) After the extraction wiring 20 is formed, (D) the second connection portion 21 is formed with an ITO film, (E) the insulating layer 22 is formed using an acrylic negative resist, and then the film thickness is 30 nm by a sputtering apparatus. An ITO film was formed, a positive resist was spin coated, dried on a hot plate, and the coating film was dried. Then, after exposing through the photomask which has a desired opening using a high pressure mercury lamp as a light source, it developed with the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. After washing with water, wet etching is performed using an etching solution containing oxalic acid as a main component, and after removing the resist using a potassium hydroxide resist stripping solution, heat treatment is performed in an oven (A) Electrode 23 and (B) second electrode 24 and (C) first connection portion 25 were produced. The sheet resistance of the ITO film was 60Ω / □. Thereafter, in the same manner as in Example 1, a capacitive touch panel sensor substrate was obtained.

[評価方法]
<反射率評価>
無アルカリガラス基板上に、Mo、Al、Moの順にそれぞれ350Å/2000Å/350Åの厚さでスパッタ法により成膜し、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して評価基板を作製した。また、無アルカリガラス基板上に、メッシュ500のスクリーン印刷版(材質:ステンレス、東京プロセスサービス社製)を用いて感光性導電材料をスクリーン印刷にて塗布を行い、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて100mJ/cmで全面露光を実施した後、0.2重量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、30秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理を実施して評価基板を作製した。反射率の測定は、紫外可視分光光度計(日立ハイテク社製U−4100)を使用し、積分球を用いて無アルカリガラス基板面より、鏡面反射を含む拡散反射光測定を実施した。
[Evaluation method]
<Reflectance evaluation>
On an alkali-free glass substrate, Mo, Al, and Mo were formed in the order of 350 Å / 2000 Å / 350 そ れ ぞ れ respectively by sputtering, and subjected to heat treatment at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulating oven for evaluation substrate Was made. In addition, a photosensitive conductive material is applied on a non-alkali glass substrate by screen printing using a screen printing plate of mesh 500 (material: stainless steel, manufactured by Tokyo Process Service Co., Ltd.), and 5 ° C. at 100 ° C. on a hot plate. Drying was performed for a minute, and the coating film was dried. Thereafter, the entire surface was exposed at 100 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, and then shower development was performed with a 0.2 wt% sodium hydrogen carbonate aqueous solution for 30 seconds. After washing with water, heat treatment was performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulation oven to prepare an evaluation substrate. The reflectance was measured by using a UV-visible spectrophotometer (U-4100 manufactured by Hitachi High-Tech) and measuring diffuse reflected light including specular reflection from an alkali-free glass substrate surface using an integrating sphere.

<視認性評価>
実施例1〜12及び比較例1〜4で得られた静電容量式タッチパネルセンサー基板を、蛍光灯ライトボックスの上及び外光が遮光された黒板上に置き、外光としての蛍光灯下で角度を変えて反射させて見たときに、それぞれ目視で観察できるかを評価した。評価基準を以下に示す。
○ ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれでも(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(D)第二の接続部21は見えない
△ ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれでも(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(D)第二の接続部21がわずかに見える
× ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれかで(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(D)第二の接続部21がはっきり見える
− ・・・パターン剥れもしくは解像不可でパターン形成できないもの
なお、○と△が使用可能レベルである。
<Visibility evaluation>
The capacitive touch panel sensor substrates obtained in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 were placed on a fluorescent light box and on a blackboard where external light was shielded, and under fluorescent light as external light. It was evaluated whether each can be observed visually when reflected at different angles. The evaluation criteria are shown below.
... (A) the first electrode 23, (B) the second electrode 24, and (D) the second connection portion 21 are not visible either on the fluorescent light box or on the blackboard. (A) The first electrode 23, (B) the second electrode 24, and (D) the second connection portion 21 are slightly visible on the lamp light box and on the blackboard. And (A) the first electrode 23, (B) the second electrode 24, and (D) the second connection portion 21 are clearly visible on any of the blackboards-the pattern is not peeled off or cannot be resolved What cannot be formed In addition, (circle) and (triangle | delta) are usable levels.

<外観評価>
実施例1〜12及び比較例1〜4で得られた静電容量式タッチパネルセンサー基板を、蛍光灯ライトボックスの上及び外光が遮光された黒板上に置き、外光としての蛍光灯下で角度を変えて反射させて見たときに、それぞれ目視でムラが観察できるかを評価した。評価基準を以下に示す。
○ ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれでもムラは見えない
△ ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれでもムラがわずかに見える
× ・・・蛍光灯ライトボックス上及び黒板上のいずれかでムラがはっきり見える
− ・・・パターン剥れもしくは解像不可でパターン形成できないもの
なお、○と△が使用可能レベルである。
<Appearance evaluation>
The capacitive touch panel sensor substrates obtained in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 were placed on a fluorescent light box and on a blackboard where external light was shielded, and under fluorescent light as external light. It was evaluated whether or not unevenness could be visually observed when the image was reflected at different angles. The evaluation criteria are shown below.
○ ... Unevenness is not visible either on the fluorescent light box or on the blackboard △ ... Unevenness is slightly visible on either the fluorescent light box or on the blackboard × ... On the fluorescent light box or on the blackboard Unevenness can be clearly seen in any of the above --- patterns cannot be peeled off or cannot be patterned, and ◯ and Δ are usable levels.

<感度評価>
アルミノ珪酸ガラス基板上に、感光性導電材料をメッシュ500のスクリーン印刷版(材質:ステンレス、東京プロセスサービス社製)を用いてスクリーン印刷にて塗布を行い、ホットプレートにて90℃で5分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて50〜200mJ/cmで所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、0.2重量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、60秒間シャワー現像を実施した。感度の判定基準として、(G)補助細線パターン26の導体幅5μmを形成する際に必要な露光量として、150mJ/cm未満を感度良好として○、150mJ/cm以上400mJ/cm未満を使用可能として△、400mJ/cm以上を感度不足として×とした。
<Sensitivity evaluation>
On the aluminosilicate glass substrate, a photosensitive conductive material is applied by screen printing using a screen printing plate of mesh 500 (material: stainless steel, manufactured by Tokyo Process Service Co., Ltd.) and dried on a hot plate at 90 ° C. for 5 minutes. And the coating film was dried. Thereafter, exposure is performed through a photomask having a desired opening at 50 to 200 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp as a light source, and then shower development is performed with a 0.2 wt% sodium hydrogen carbonate aqueous solution for 60 seconds. Carried out. As a criterion for sensitivity, the exposure amount necessary for forming a conductor width 5μm of (G) an auxiliary fine line pattern 26, ○ less than 150 mJ / cm 2 as a sensitivity good, less than 150 mJ / cm 2 or more 400 mJ / cm 2 As Δ, 400 mJ / cm 2 or more was evaluated as x because sensitivity was insufficient.

<配線抵抗評価>
実施例1〜12及び比較例1〜4で得られた静電容量式タッチパネルセンサー基板の(F)取出配線20の端子部分に、導通検査機(ミヤチシステムズ社製FPμ−3600)を用いてプローブを当て、配線抵抗を測定した。評価基準を以下に示す。
<Evaluation of wiring resistance>
A probe using a continuity tester (FPμ-3600 manufactured by Miyachi Systems Co., Ltd.) at the terminal portion of the (F) lead-out wiring 20 of the capacitive touch panel sensor substrate obtained in Examples 1-12 and Comparative Examples 1-4 And the wiring resistance was measured. The evaluation criteria are shown below.

○ ・・・50kΩ以下
× ・・・50kΩ以上
− ・・・パターン剥れもしくは解像不可でパターン形成できないもの
○ ... 50 kΩ or less × ... 50 kΩ or more-... Patterns that cannot be formed due to pattern peeling or inability to resolve

<静電破壊評価>
実施例1〜12及び比較例1〜4で得られた静電容量式タッチパネルセンサー基板を、静電気放電シミュレータ(菊水電子工業社製KES4021)を用いて静電破壊評価を実施した。評価基準として、10kVの印加電圧において断線が発生しないものを○、断線が発生したものを×とした。
前述の感光性導電材料1〜14の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
<Electrostatic breakdown evaluation>
The electrostatic capacitance type touch panel sensor substrate obtained in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 was subjected to electrostatic breakdown evaluation using an electrostatic discharge simulator (KES 4021 manufactured by Kikusui Electronics Corporation). As evaluation criteria, a case where no disconnection occurred at an applied voltage of 10 kV was indicated as “◯”, and a case where a disconnection occurred was indicated as “x”.
The compositions of the photosensitive conductive materials 1 to 14 are shown in Table 1, and the evaluation results are shown in Table 2.

本実施形態における実施例1〜12と比較例1、2との比較より、反射率が30%以下であれば(A)第一の電極23、(B)第二の電極24及び(D)第二の接続部21がパターン見えすることなく、表示品位に優れた静電容量式タッチパネルを製造することが可能であることがわかる。   From the comparison between Examples 1-12 and Comparative Examples 1 and 2 in this embodiment, if the reflectance is 30% or less, (A) the first electrode 23, (B) the second electrode 24, and (D). It can be seen that a capacitive touch panel with excellent display quality can be manufactured without the second connecting portion 21 being visible in a pattern.

また、比較例3の金属膜を(G)補助細線パターン26及び(D)第二の接続部21に用いた例では、配線抵抗は問題ないが、パターンが見えてしまうため、表示品位の悪い静電容量式タッチパネルとなる。また、(G)補助細線パターン26を形成しない比較例4では、配線抵抗が悪く検出感度の悪い静電容量式タッチパネルとなる。本実施形態に係る製造方法を用いることにより(A)第一の電極23及び(B)第二の電極24を、感光性材料を用いてメッシュ電極を形成するよりも、印刷マージンを考慮することによる余分な導電性感光性材料の使用量を低減することが可能である。このため、本実施形態に係る製造方法であれば、低コスト化が期待できる。
以上より本発明の優位性が示された。
Further, in the example in which the metal film of Comparative Example 3 is used for (G) the auxiliary fine line pattern 26 and (D) the second connection portion 21, there is no problem with the wiring resistance, but the pattern is visible, so the display quality is poor. Capacitive touch panel. Further, (G) Comparative Example 4 in which the auxiliary fine line pattern 26 is not formed is a capacitive touch panel with poor wiring resistance and poor detection sensitivity. By using the manufacturing method according to the present embodiment, (A) the first electrode 23 and (B) the second electrode 24 take into account a printing margin rather than forming a mesh electrode using a photosensitive material. It is possible to reduce the amount of extra conductive photosensitive material used. For this reason, if it is the manufacturing method which concerns on this embodiment, cost reduction can be anticipated.
From the above, the superiority of the present invention was shown.

10…透明基材
20…取出配線
21…第二の接続部
22…絶縁層
23…第一の電極
24…第二の電極
25…第一の接続部
26…補助細線パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Transparent base material 20 ... Extraction wiring 21 ... 2nd connection part 22 ... Insulating layer 23 ... 1st electrode 24 ... 2nd electrode 25 ... 1st connection part 26 ... Auxiliary fine wire pattern

Claims (23)

(A)第一の電極と、(B)第二の電極と、(C)前記(A)第一の電極同士を接続する第一の接続部と、(D)前記(B)第二の電極同士を接続する第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部との交差する部位に形成される絶縁層と、(F)前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極に接続される取出配線と、を備えて構成される、透明基材上に形成される静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法であって、
前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を、透明導電材料を用いて形成する工程と、
前記(E)絶縁層を形成する工程と、
前記(D)第二の接続部を、前記(F)取出配線の材料と同一の感光性導電材料を用いて、前記(F)取出配線と同時に形成する工程と、を備え、
前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を形成する工程または前記(D)第二の接続部を形成する工程の一方の工程の後に、前記(E)絶縁層を形成する工程を実施し、
前記(E)絶縁層を形成する工程の後に、前記(A)第一の電極、前記(B)第二の電極及び前記(C)第一の接続部を形成する工程または前記(D)第二の接続部を形成する工程の他方の工程を実施し、
前記(D)第二の接続部を形成する工程では、同時に、(G)補助細線パターンを、前記(A)第一の電極上及び前記(B)第二の電極上の一部と重なるようにして形成し、
前記(D)第二の接続部、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の反射率は、4%以上30%以下の範囲内であることを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。
(A) 1st electrode, (B) 2nd electrode, (C) 1st connection part which connects said (A) 1st electrodes, (D) Said (B) 2nd A second connecting portion for connecting the electrodes; (E) an insulating layer formed at a portion where the (C) first connecting portion and the (D) second connecting portion intersect; and (F) A manufacturing method of a capacitive touch panel sensor substrate formed on a transparent substrate, comprising: (A) a first electrode; and (B) a lead-out wiring connected to the second electrode. Because
Forming the (A) first electrode, the (B) second electrode, and the (C) first connection portion using a transparent conductive material;
(E) forming an insulating layer;
(D) forming the second connection portion simultaneously with the (F) extraction wiring using the same photosensitive conductive material as the material of the (F) extraction wiring, and
One of the steps (A) forming the first electrode, (B) the second electrode, and (C) forming the first connection portion or (D) forming the second connection portion. Later, the step (E) of forming an insulating layer is performed,
After the step (E) of forming the insulating layer, the step (A) of forming the first electrode, the step (B) of the second electrode and the step (C) of forming the first connection portion or the step (D) of Performing the other step of the step of forming the second connecting portion,
In the step (D) of forming the second connecting portion, at the same time, the (G) auxiliary fine line pattern is overlapped with the part on the (A) first electrode and the part on the (B) second electrode. Formed,
Capacitance type touch panel characterized in that the reflectance of the (D) second connecting portion, the (G) auxiliary fine line pattern and the (F) extraction wiring is in the range of 4% to 30%. A method for manufacturing a sensor substrate.
前記(D)第二の接続部及び前記(G)補助細線パターンの導体幅は、0.5μm以上10μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   2. The capacitive touch panel sensor according to claim 1, wherein a conductor width of the (D) second connection portion and the (G) auxiliary fine line pattern is in a range of 0.5 μm to 10 μm. A method for manufacturing a substrate. 前記感光性導電材料は、(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤を含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The photosensitive conductive material contains (H) black material, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiator, (K) polymerizable polyfunctional monomer, (L) resin, and (M) solvent. The method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate according to claim 1 or 2, wherein the capacitive touch panel sensor substrate is the same. 前記(H)黒色材料は、カーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上であることを特徴とする請求項3に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The (H) black material is carbon, a black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more types of pigments, at least one or more types of black dyes, and a black metal oxide having a particle size in the range of 0.1 to 4 μm. The method for producing a capacitive touch panel sensor substrate according to claim 3, wherein the method is one or more selected from the group consisting of: 前記(I)金属粒子は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)から選ばれる1種以上の金属を含有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The (I) metal particles are selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), and aluminum (Al). 5. The method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate according to claim 3, comprising at least one metal. 前記(I)金属粒子の粒子径は、0.1μm以上4μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   6. The capacitance type touch panel sensor substrate according to claim 3, wherein a particle diameter of the metal particles is in a range of 0.1 μm to 4 μm. Production method. 前記(J)光重合開始剤は、O−アシルオキシム系化合物を1種以上含有することを特徴とする請求項3から請求項6のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 3 to 6, wherein the (J) photopolymerization initiator contains one or more O-acyloxime compounds. Production method. 前記(H)黒色材料の含有量は、前記(I)金属粒子の重量に対して1重量%以上100重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The content of the (H) black material is in the range of 1 wt% to 100 wt% with respect to the weight of the (I) metal particles. A method for producing the capacitive touch panel sensor substrate according to Item 1. 前記透明導電材料は、インジウム酸化錫(ITO)であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法。   The method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 1 to 8, wherein the transparent conductive material is indium tin oxide (ITO). 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板。   A capacitive touch panel sensor substrate manufactured by the method for manufacturing a capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 1 to 9. 前記透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面とは反対側の面にカラーフィルタを形成することを特徴とする請求項10に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The capacitive touch panel sensor substrate according to claim 10, wherein a color filter is formed on a surface of the transparent substrate opposite to a surface on which the capacitive touch panel sensor is formed. 請求項10または請求項11に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板を有することを特徴とする表示装置。   A display device comprising the capacitive touch panel sensor substrate according to claim 10. (A)第一の電極と、(B)第二の電極と、(C)前記(A)第一の電極同士を接続する第一の接続部と、(D)前記(B)第二の電極同士を接続する第二の接続部と、(E)前記(C)第一の接続部と前記(D)第二の接続部との交差する部位に形成される絶縁層と、(F)前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極に接続される取出配線と、を備えて構成される、透明基材上に形成される静電容量式タッチパネルセンサー基板であって、
前記(A)第一の電極及び前記(B)第二の電極は、前記(A)第一の電極上及び前記(B)第二の電極上の一部と重なるように(G)補助細線パターンをそれぞれ備えており、
前記(D)第二の接続部は、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の材料と同一の感光性導電材料を用いて形成されており、
前記(D)第二の接続部、前記(G)補助細線パターン及び前記(F)取出配線の反射率は、4%以上30%以下の範囲内であることを特徴とする静電容量式タッチパネルセンサー基板。
(A) 1st electrode, (B) 2nd electrode, (C) 1st connection part which connects said (A) 1st electrodes, (D) Said (B) 2nd A second connecting portion for connecting the electrodes; (E) an insulating layer formed at a portion where the (C) first connecting portion and the (D) second connecting portion intersect; and (F) A capacitive touch panel sensor substrate formed on a transparent substrate, comprising: (A) a first electrode; and (B) a lead-out wiring connected to the second electrode. ,
The (A) first electrode and the (B) second electrode overlap the (A) first electrode and a part on the (B) second electrode. Each has its own pattern
The (D) second connection part is formed using the same photosensitive conductive material as the material of the (G) auxiliary fine line pattern and the (F) extraction wiring,
Capacitance type touch panel characterized in that the reflectance of the (D) second connecting portion, the (G) auxiliary fine line pattern and the (F) extraction wiring is in the range of 4% to 30%. Sensor board.
前記(D)第二の接続部及び前記(G)補助細線パターンの導体幅は、0.5μm以上10μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項13に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   14. The capacitive touch panel sensor according to claim 13, wherein a conductor width of the (D) second connection portion and the (G) auxiliary fine line pattern is in a range of 0.5 μm to 10 μm. substrate. 前記感光性導電材料は、(H)黒色材料、(I)金属粒子、(J)光重合開始剤、(K)重合性多官能モノマー、(L)樹脂、(M)溶剤を含有することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The photosensitive conductive material contains (H) black material, (I) metal particles, (J) photopolymerization initiator, (K) polymerizable polyfunctional monomer, (L) resin, and (M) solvent. 15. The capacitive touch panel sensor substrate according to claim 13 or 14, wherein the capacitive touch panel sensor substrate is characterized in that: 前記(H)黒色材料は、カーボン、黒色顔料、少なくとも2種類以上の顔料の疑似黒色混合物、少なくとも1種類以上の黒色染料、粒子径が0.1μm以上4μm以下の範囲内である黒色金属酸化物、の群から選ばれる1種類以上であることを特徴とする請求項15に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The (H) black material is carbon, a black pigment, a pseudo black mixture of at least two or more types of pigments, at least one or more types of black dyes, and a black metal oxide having a particle size in the range of 0.1 to 4 μm. The capacitive touch panel sensor substrate according to claim 15, wherein the capacitive touch panel sensor substrate is one or more selected from the group of 前記(I)金属粒子は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)から選ばれる1種以上の金属を含有することを特徴とする請求項15または請求項16に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The (I) metal particles are selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), and aluminum (Al). The electrostatic capacitance type touch panel sensor substrate according to claim 15 or 16, comprising at least one metal. 前記(I)金属粒子の粒子径は、0.1μm以上4μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項15から請求項17のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   18. The capacitive touch panel sensor substrate according to claim 15, wherein a particle diameter of the metal particles is in a range of 0.1 μm to 4 μm. 前記(J)光重合開始剤は、O−アシルオキシム系化合物を1種以上含有することを特徴とする請求項15から請求項18のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 15 to 18, wherein the (J) photopolymerization initiator contains one or more O-acyloxime compounds. 前記(H)黒色材料の含有量は、前記(I)金属粒子の重量に対して1重量%以上100重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項15から請求項19のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   20. The content of the (H) black material is in the range of 1 wt% or more and 100 wt% or less with respect to the weight of the (I) metal particles. The capacitive touch panel sensor substrate according to Item 1. 前記透明導電材料は、インジウム酸化錫(ITO)であることを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   21. The capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 13 to 20, wherein the transparent conductive material is indium tin oxide (ITO). 前記透明基材の、静電容量式タッチパネルセンサーが形成された面とは反対側の面にカラーフィルタが設けられたことを特徴とする請求項13から請求項21のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板。   The color filter is provided in the surface on the opposite side to the surface in which the electrostatic capacitance type touch panel sensor was formed of the said transparent base material, The any one of Claims 13-21 characterized by the above-mentioned. Capacitive touch panel sensor board. 請求項13から請求項22のいずれか1項に記載の静電容量式タッチパネルセンサー基板を有することを特徴とする表示装置。   23. A display device comprising the capacitive touch panel sensor substrate according to any one of claims 13 to 22.
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