JP2014166695A - 真贋認証対象物、真贋判定装置、真贋判定方法及び真贋認証対象物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真贋認証用の認証構造体と、認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、を備え、認証構造体は、基体6上に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターン8をレジスト倒壊させて形成される、パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体5であり、認証構造体は、情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、情報記録部に組み込まれている。
【選択図】図3
Description
によれば、認証構造体を最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るナノオーダーの微細なサイズとすることで、レイアウト上の制約を受けることがなくなり、真贋認証対象物のホログラムやICチップ等、他の情報記録部内であってもこれらの機能に影響を及ぼすことなく、偽造不可能な認証構造体を設けることができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る真贋認証対象物の例としてのクレジットカード1を示す、(A)は平面図、(B)は背面図である。
本発明の第2実施形態に係る真贋認証対象物について、上述した第1実施形態と同様にクレジットカードを例に説明する。なお、本実施形態に係るクレジットカードは、認証構造体の構造のみが第1実施形態におけるものと相違している。
本発明の第3実施形態に係る真贋認証対象物について、上述した第1、第2実施形態と同様にクレジットカードを例に説明する。なお、本実施形態に係るクレジットカードは、認証構造体の構造のみが第1、第2実施形態におけるものと相違している。
次に、上述した第1乃至第3実施形態に係る真贋認証対象物を読み取る真贋判定装置について、第4実施形態として以下に説明する。
2 ICチップ
3 ホログラム
4 磁気ストライプ
5 レジスト構造体
6 基体
7 レジスト倒壊部分
8 レジストパターン
9 凹凸構造
36 成型凹凸構造
70 真贋判定装置
71 読取装置
72 制御部
73 ディスプレイ
74 記憶装置
721 CPU
721a 取得部
721b 記憶部
721c 読出部
721d 比較部
721e 判定部
721f 表示部
722 ROM
723 RAM
Claims (24)
- 真贋認証用の認証構造体と、
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体上に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 - 真贋認証用の認証構造体と、
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る凹凸構造であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 - 真贋認証用の認証構造体と、
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される凹凸構造を形成した後、前記基体をモールドとして使用して他の基体上に形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る成型凹凸構造であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 - 前記情報記録部はホログラムであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載の真贋認証対象物。
- 前記情報記録物はICチップであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載の真贋認証対象物。
- 最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る構造部分を有する認証構造体が設けられた真贋認証対象物の真贋を判定する真贋判定装置であって、
前記認証構造体から認証情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む画像情報を取得する取得部と、
前記認証情報の真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む記憶画像情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部から前記比較情報を読み出す読出部と、
前記認証情報と前記比較情報とをブロックマッチングにより比較する比較部と、
前記認証情報と前記比較情報との比較結果に基づき真贋判定を行う判定部と、
を備えることを特徴とする真贋判定装置。 - 前記比較部は、NCCを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項6記載の真贋判定装置。
- 前記比較部は、SADを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項6記載の真贋判定装置。
- 前記比較部は、SSDを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項6記載の真贋判定装置。
- 前記取得部は、走査型電子顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の電子顕微鏡画像を取得し、
前記記憶部は、前記比較情報として電子顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 - 前記取得部は、走査プローブ顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の表面画像を取得し、
前記記憶部は、前記比較情報として表面画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 - 前記取得部は、近接場光学顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の近接場顕微鏡画像を取得し、
前記記憶部は、前記比較情報として近接場顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 - 前記取得部は、光学顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の光学顕微鏡画像を取得し、
前記記憶部は、前記比較情報として光学顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 - 最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る構造部分を有する認証構造体が設けられた真贋認証対象物の真贋を判定する真贋判定方法であって、
前記認証構造体から認証情報として、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む画像情報を取得する取得工程と、
真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む記憶画像情報を記憶装置から読み出す読出工程と、
前記認証情報と前記比較情報とを、輝度値に基づくブロックマッチングにより比較する比較工程と、
前記比較工程における比較結果に基づき真贋判定を行う判定工程と、
を備えることを特徴とする真贋判定方法。 - 前記比較工程では、NCCを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項14記載の真贋判定方法。
- 前記比較工程では、SADを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項14記載の真贋判定方法。
- 前記比較工程では、SSDを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする請求項14記載の真贋判定方法。
- 前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の電子顕微鏡画像を取得し、
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から電子顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 - 前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の表面画像を取得し、
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から表面画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 - 前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の近接場顕微鏡画像を取得し、
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から近接場顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 - 前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の光学顕微鏡画像を取得し、
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から光学顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 - 真贋認証対象物の製造方法であって、
基体上に所定の情報が記録された情報記録部を形成する情報記録部形成工程と、
前記基体上に、前記情報記録部形成工程に含まれる工程を経て、ナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをレジスト倒壊させて最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体を形成するレジスト倒壊工程と、
を備えることを特徴とする真贋認証対象物の製造方法。 - 前記レジスト倒壊工程において形成された前記レジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程を更に備えることを特徴とする請求項22記載の真贋認証対象物の製造方法。
- 前記凹凸構造形成工程において形成された前記凹凸構造を備える前記基体をモールドとして、他の基体上に最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る成型凹凸構造を形成する成形凹凸構造形成工程を更に備えることを特徴とする請求項23記載の真贋認証対象物の製造方法。
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