JP2014151261A - Adjustment method for substrate manufacturing apparatus, substrate manufacturing method, and the substrate manufacturing apparatus - Google Patents

Adjustment method for substrate manufacturing apparatus, substrate manufacturing method, and the substrate manufacturing apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adjustment method for a substrate manufacturing apparatus for forming a pattern of target dimensions.SOLUTION: A substrate with an evaluation pattern formed thereon is held on a stage, a part of the evaluation pattern is imaged in an imaging area by an alignment camera, and thus, a first measurement image is acquired. The stage is moved in the imaging area, a part of the evaluation pattern other than the part of the first measurement image is imaged by the alignment camera, and thus, a second measurement image is acquired. On the basis of the first measurement image and the second measurement image, a distance between at least two points of the evaluation pattern is calculated. On the basis of the distance between two points calculated based on the first measurement image and the second measurement image, a measurement result correction coefficient to be reflected on a command from a control device to a nozzle head, is calculated.

Description

本発明は、基板製造装置の調整方法、基板製造方法、及び基板製造装置に関する。   The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus adjustment method, a substrate manufacturing method, and a substrate manufacturing apparatus.

プリント基板等の表面に向かって、液状材料(インク)の液滴を、複数のノズル穴を有するノズルヘッドから吐出して、基板上に薄膜パターンを形成する技術が知られている。この技術は、例えばプリント基板上のソルダーレジストの形成等に適用される。複数のノズルヘッドを用いることにより、全体としてノズル穴の実効的な配列ピッチを狭くし、解像度を高めることができる。さらに、1回の走査で液状材料を着弾させることが可能な領域を広げることができる。   A technique for forming a thin film pattern on a substrate by discharging liquid material (ink) droplets from a nozzle head having a plurality of nozzle holes toward the surface of a printed circuit board or the like is known. This technique is applied to, for example, formation of a solder resist on a printed circuit board. By using a plurality of nozzle heads, the effective arrangement pitch of the nozzle holes as a whole can be narrowed and the resolution can be increased. Furthermore, it is possible to widen an area where the liquid material can be landed by one scanning.

特許文献1に、複数のノズルヘッドの相対的な位置関係を調整する方法が開示されている。特許文献1に開示された方法では、まず、試料基板をステージに載せ、複数のノズルヘッドからインクを吐出させて、試料基板にテストパターンを形成する。ステージをカメラの撮像範囲内まで移動させ、テストパターンを撮像する。撮像結果に基づいて、ノズルヘッドの相対的な位置ずれを検出することができる。   Patent Document 1 discloses a method for adjusting the relative positional relationship between a plurality of nozzle heads. In the method disclosed in Patent Document 1, first, a sample substrate is placed on a stage, and ink is ejected from a plurality of nozzle heads to form a test pattern on the sample substrate. The stage is moved within the imaging range of the camera, and the test pattern is imaged. Based on the imaging result, the relative displacement of the nozzle head can be detected.

基板の全面をカメラの撮像範囲内に収めることは困難であるため、基板上の複数の基準マークを撮像する場合は、ステージを移動させて基準マークの各々をカメラの撮像範囲内に配置する。基準マーク間の距離は、カメラで得られた画像内の基準マークの像の位置と、ステージの移動距離と基づいて算出される。   Since it is difficult to fit the entire surface of the substrate within the imaging range of the camera, when imaging a plurality of reference marks on the substrate, the stage is moved to place each of the reference marks within the imaging range of the camera. The distance between the reference marks is calculated based on the position of the reference mark image in the image obtained by the camera and the moving distance of the stage.

ステージの移動距離は、ステージ移動機構からのエンコーダ信号により測定される。従って、ステージの送り方向に関する位置精度は、エンコーダの精度によって保証される。   The moving distance of the stage is measured by an encoder signal from the stage moving mechanism. Therefore, the positional accuracy in the feed direction of the stage is guaranteed by the accuracy of the encoder.

特開2012−96205号公報JP 2012-96205 A

形成すべきパターンの形状及び寸法に基づいて、ノズルヘッドに対して、ノズル穴からインクを吐出するための指令が送出される。この指令に基づいて算出されたパターンの寸法と、カメラによる撮像結果から算出されたパターンの寸法とは、エンコーダの精度で一致することが期待される。ところが、両者が一致しない場合があることが判明した。両者が一致しないと、カメラの撮像結果に基づいて、ノズルヘッドに指令を送出すると、目標とする寸法のパターンを形成することができない。   Based on the shape and dimensions of the pattern to be formed, a command for ejecting ink from the nozzle holes is sent to the nozzle head. It is expected that the dimension of the pattern calculated based on this command and the dimension of the pattern calculated from the imaging result by the camera match with the accuracy of the encoder. However, it has been found that there are cases where the two do not match. If they do not match, a pattern having a target dimension cannot be formed when a command is sent to the nozzle head based on the imaging result of the camera.

本発明の目的は、目標とする寸法のパターンを形成するための基板製造装置の調整方法を提供することである。本発明の他の目的は、この調整方法で調整された基板製造装置を用いて薄膜を形成する方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、この調整方法による調整を行うことが可能な基板製造装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method for adjusting a substrate manufacturing apparatus for forming a pattern having a target dimension. Another object of the present invention is to provide a method of forming a thin film using a substrate manufacturing apparatus adjusted by this adjusting method. Still another object of the present invention is to provide a substrate manufacturing apparatus capable of performing adjustment by this adjustment method.

本発明の一観点によると、
基板を保持するステージと、
前記ステージをリニアガイドに沿って、撮像領域と描画領域との間で移動させるステー
ジ移動機構と、
前記ステージが前記撮像領域に配置されているときに、前記ステージ上のパターンを撮像するアライメントカメラと、
前記ステージが、前記描画領域に配置されているときに、前記ステージに保持された基板に向かって、インクの液滴を吐出させて、インクを前記基板に着弾させるノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドに、インクを吐出させる指令を与える制御装置と
を有する基板製造装置の調整方法であって、
前記ステージの上に、評価パターンが形成された基板を保持して、前記撮像領域において、前記アライメントカメラで前記評価パターンの一部分を撮像して第1の測定画像を取得する工程と、
前記撮像領域において、前記ステージを移動させ、前記評価パターンの、前記第1の測定画像とは異なる部分を、前記アライメントカメラで撮像して第2の測定画像を取得する工程と、
前記第1の測定画像と前記第2の測定画像とに基づいて、前記評価パターンの少なくとも2点間の距離を算出する工程と、
前記第1の測定画像、及び前記第2の測定画像に基づいて算出された前記2点間の距離に基づいて、前記制御装置から前記ノズルヘッドへの指令に反映させるための計測結果補正係数を算出する工程と
を有する基板製造装置の調整方法が提供される。
According to one aspect of the invention,
A stage for holding a substrate;
A stage moving mechanism for moving the stage between the imaging region and the drawing region along a linear guide;
An alignment camera that images the pattern on the stage when the stage is arranged in the imaging region;
A nozzle head that, when the stage is disposed in the drawing area, causes ink droplets to be ejected toward the substrate held on the stage and land the ink on the substrate;
An adjustment method for a substrate manufacturing apparatus having a control device for giving a command to eject ink to the nozzle head,
Holding a substrate on which an evaluation pattern is formed on the stage, and capturing a first measurement image by imaging a part of the evaluation pattern with the alignment camera in the imaging region;
Moving the stage in the imaging region, capturing a portion of the evaluation pattern different from the first measurement image with the alignment camera, and obtaining a second measurement image;
Calculating a distance between at least two points of the evaluation pattern based on the first measurement image and the second measurement image;
Based on the distance between the two points calculated based on the first measurement image and the second measurement image, a measurement result correction coefficient for reflecting in the command from the control device to the nozzle head There is provided a method for adjusting a substrate manufacturing apparatus having a calculating step.

本発明の他の観点によると、
前記ステージに、複数のアライメントマークが形成された基板を保持して、前記撮像領域において、前記アライメントマークを前記アライメントカメラで撮像する工程と、
前記アライメントマークの撮像結果に、前記計測結果補正係数を反映させて、前記基板の伸縮量を算出する工程と、
前記基板に形成すべき薄膜パターンを定義する画像データに、前記基板の伸縮量の算出結果を反映させて、前記描画領域において、前記基板に薄膜を形成する工程と
を有する基板製造方法が提供される。
According to another aspect of the invention,
Holding the substrate on which the plurality of alignment marks are formed on the stage, and imaging the alignment marks with the alignment camera in the imaging region;
Reflecting the measurement result correction coefficient in the imaging result of the alignment mark and calculating the expansion / contraction amount of the substrate;
A method of manufacturing a substrate is provided, which includes reflecting a calculation result of an expansion / contraction amount of the substrate in image data defining a thin film pattern to be formed on the substrate, and forming a thin film on the substrate in the drawing region. The

本発明のさらに他の観点によると、前記基板製造装置の調整方法、及び前記基板製造方法が適用される基板製造装置が提供される。   According to still another aspect of the present invention, an adjustment method for the substrate manufacturing apparatus and a substrate manufacturing apparatus to which the substrate manufacturing method is applied are provided.

ステージをリニアガイドに沿って移動させて、2つの第1の測定画像及び第2の測定画像に基づいて、評価パターンの2点間の距離を算出することにより、リニアガイドによる移動前後の位置測定誤差を補正することができる。   Position measurement before and after movement by the linear guide by moving the stage along the linear guide and calculating the distance between two points of the evaluation pattern based on the two first measurement images and the second measurement image The error can be corrected.

図1は、実施例1による基板製造装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図2は、実施例1による基板製造装置の側面図である。FIG. 2 is a side view of the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図3A及び図3Bは、ステージ移動機構によりステージを移動させたときのステージの挙動を強調して示す側面図である。FIG. 3A and FIG. 3B are side views that emphasize the behavior of the stage when the stage is moved by the stage moving mechanism. 図4は、実施例1による基板製造装置の調整方法のフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of the substrate manufacturing apparatus adjustment method according to the first embodiment. 図5Aは、参照基板に評価パターンを形成するときの指令内容に基づく評価パターンの寸法を示す平面図であり、図5Bは、形成された評価パターンの撮像結果に基づいて算出された評価パターンの寸法を示す平面図である。FIG. 5A is a plan view showing the dimensions of the evaluation pattern based on the command content when forming the evaluation pattern on the reference substrate, and FIG. 5B shows the evaluation pattern calculated based on the imaging result of the formed evaluation pattern. It is a top view which shows a dimension. 図6は、実施例1による基板製造方法のフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart of the substrate manufacturing method according to the first embodiment. 図7Aは、基板に形成されているアライメントマークの設計データに基づいて算出されたアライメントマークの相対位置関係を示す平面図であり、図7Bは、アライメントマークをアライメントカメラで撮像した結果に基づいて算出されたアライメントマークの相対位置関係を示す平面図である。FIG. 7A is a plan view showing the relative positional relationship of the alignment marks calculated based on the design data of the alignment marks formed on the substrate, and FIG. 7B is based on the result of imaging the alignment marks with the alignment camera. It is a top view which shows the relative positional relationship of the calculated alignment mark. 図7Cは、薄膜パターンが形成された基板の平面図である。FIG. 7C is a plan view of the substrate on which the thin film pattern is formed. 図8は、実施例2による基板製造装置の調整方法のフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart of the substrate manufacturing apparatus adjustment method according to the second embodiment. 図9は、測長器による計測結果に基づく評価パターンの寸法を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing the dimensions of the evaluation pattern based on the measurement result by the length measuring device. 図10Aは、寸法が既知の評価パターンを示す平面図であり、図10Bは、寸法が既知の評価パターンをアライメントカメラで撮像した結果に基づいて算出された評価パターンの寸法を示す平面図である。FIG. 10A is a plan view showing an evaluation pattern with a known dimension, and FIG. 10B is a plan view showing the dimension of the evaluation pattern calculated based on the result of imaging an evaluation pattern with a known dimension with an alignment camera. . 図11は、実施例2による基板製造方法のフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart of the substrate manufacturing method according to the second embodiment. 図12は、実施例3による基板製造装置の平面図である。FIG. 12 is a plan view of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. 図13は、実施例3による基板製造装置の他の状態の平面図である。FIG. 13 is a plan view of another state of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. 図14は、実施例3による基板製造装置のさらに他の状態の平面図である。FIG. 14 is a plan view of still another state of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. 図15は、実施例3による基板製造装置のさらに他の状態の平面図である。FIG. 15 is a plan view of still another state of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. 図16は、実施例3による基板製造装置のさらに他の状態の平面図である。FIG. 16 is a plan view of still another state of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment. 図17は、実施例3による基板製造装置のさらに他の状態の平面図である。FIG. 17 is a plan view of still another state of the substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment.

[実施例1]
図1に、実施例1による基板製造装置の平面図を示す。水平面をxy面とし、鉛直上方をz軸の正方向とするxyz直交座標系を定義する。ステージ移動機構22は、y方向リニアガイド21に案内沿ってステージ20をy方向に移動させる。ステージ20のy方向の位置を示すエンコーダ信号が、制御装置50に送られる。ステージ20の上に基板40が保持される。基板40の表面に、複数のアライメントマーク41が形成されている。
[Example 1]
FIG. 1 is a plan view of a substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment. An xyz orthogonal coordinate system is defined in which the horizontal plane is the xy plane and the upper vertical direction is the positive direction of the z-axis. The stage moving mechanism 22 moves the stage 20 in the y direction along the y direction linear guide 21. An encoder signal indicating the position of the stage 20 in the y direction is sent to the control device 50. A substrate 40 is held on the stage 20. A plurality of alignment marks 41 are formed on the surface of the substrate 40.

y方向に関して、ステージ20が受け渡し領域23に配置されているとき、搬送装置(図示せず)とステージ20との間で、基板40の受け渡しが行われる。ステージ20は、撮像領域24を通過して、受け渡し領域23と描画領域25との間をy方向に移動する。薄膜を形成する際には、受け渡し領域23において、ステージ20が搬送装置から基板40を受け取る。基板40への薄膜の形成が終了すると、受け渡し領域23において、ステージ20から搬送装置に基板40が引き渡される。   Regarding the y direction, when the stage 20 is disposed in the transfer area 23, the substrate 40 is transferred between the transfer device (not shown) and the stage 20. The stage 20 passes through the imaging region 24 and moves in the y direction between the transfer region 23 and the drawing region 25. When forming the thin film, the stage 20 receives the substrate 40 from the transfer device in the transfer area 23. When the formation of the thin film on the substrate 40 is completed, the substrate 40 is transferred from the stage 20 to the transfer device in the transfer region 23.

撮像領域24内のステージ20の経路の上方に、複数のアライメントカメラ30が配置されている。1つのアライメントマーク41をアライメントカメラ30の撮像範囲内に配置することにより、撮像範囲内のアライメントマーク41の撮像が行われる。その後、基板40をy方向に移動させて、他のアライメントマーク41をアライメントカメラ30の撮像範囲内に配置する。この状態で、撮像範囲内のアライメントマーク41の撮像が行われる。このように、撮像領域24において、アライメントカメラ30に対して基板40をy方向に移動させることにより、複数のアライメントマーク41を撮像することができる。x方向に関して、アライメントマーク41の位置に対応してアライメントカメラ30が配置されている。アライメントカメラ30で撮像された画像が制御装置50に送信される。   A plurality of alignment cameras 30 are arranged above the path of the stage 20 in the imaging region 24. By arranging one alignment mark 41 within the imaging range of the alignment camera 30, imaging of the alignment mark 41 within the imaging range is performed. Thereafter, the substrate 40 is moved in the y direction, and another alignment mark 41 is arranged within the imaging range of the alignment camera 30. In this state, the alignment mark 41 within the imaging range is imaged. As described above, in the imaging region 24, the plurality of alignment marks 41 can be imaged by moving the substrate 40 in the y direction with respect to the alignment camera 30. The alignment camera 30 is arranged corresponding to the position of the alignment mark 41 in the x direction. An image captured by the alignment camera 30 is transmitted to the control device 50.

基板40に形成されているアライメントマーク41のx方向の位置に応じて、アライメントカメラ30もx方向に移動させることができる。   The alignment camera 30 can also be moved in the x direction according to the position in the x direction of the alignment mark 41 formed on the substrate 40.

描画領域25内のステージ20の経路の上方に、ノズルヘッド60が配置されている。ノズルヘッド60は、基板40に対向する面に形成された複数のノズル穴を有する。複数のノズル穴は、x方向に関して等ピッチで配列している。ノズル穴から基板40に向けて、液状の薄膜材料であるインクの液滴が吐出される。このインクには、例えば光硬化性樹脂が用いられる。基板40に付着したインクに硬化用の光を照射することにより、インクを硬化させることができる。硬化用の光を放射する光源は、例えば、ステージ20の移動方向に関して、ノズルヘッド60の下流側に配置される。   A nozzle head 60 is disposed above the path of the stage 20 in the drawing area 25. The nozzle head 60 has a plurality of nozzle holes formed on the surface facing the substrate 40. The plurality of nozzle holes are arranged at an equal pitch in the x direction. A droplet of ink, which is a liquid thin film material, is ejected from the nozzle hole toward the substrate 40. For this ink, for example, a photocurable resin is used. The ink can be cured by irradiating the ink adhering to the substrate 40 with curing light. A light source that emits light for curing is disposed, for example, on the downstream side of the nozzle head 60 with respect to the moving direction of the stage 20.

制御装置50は、基板40に形成すべき薄膜パターンの平面形状を定義する画像データ51を記憶している。制御装置50は、ステージ移動機構22から受信したエンコーダ信号から算出されるステージ20の位置、及び画像データ51に基づいて、ノズルヘッド60にインクの吐出指令を送出する。吐出指令に基づいて、ノズルヘッド60の各ノズル穴からインクが吐出されることにより、目標とする薄膜パターンを形成することができる。   The control device 50 stores image data 51 that defines the planar shape of the thin film pattern to be formed on the substrate 40. The control device 50 sends an ink ejection command to the nozzle head 60 based on the position of the stage 20 calculated from the encoder signal received from the stage moving mechanism 22 and the image data 51. A target thin film pattern can be formed by ejecting ink from each nozzle hole of the nozzle head 60 based on the ejection command.

y方向リニアガイド21、ステージ移動機構22、アライメントカメラ30、及びノズルヘッド60は、定盤70に支持されている。   The y-direction linear guide 21, the stage moving mechanism 22, the alignment camera 30, and the nozzle head 60 are supported on the surface plate 70.

図2に、実施例1による基板製造装置の側面図を示す。定盤70の上にy方向リニアガイド21が固定されている。ステージ20が、y方向リニアガイド21に案内されてy方向に移動する。ステージ20の上に基板40が保持されている。撮像領域24内の、ステージ20の経路の上方にアライメントカメラ30が支持されている。描画領域25内の、ステージ20の経路の上方にノズルヘッド60が支持されている。基板40からアライメントカメラ30までの高さは、基板40からノズルヘッド60までの高さより高い。例えば、基板40からノズルヘッド60までの高さは0.5〜1mmの範囲内であり、アライメントカメラ30までの高さは20mm程度である。   In FIG. 2, the side view of the board | substrate manufacturing apparatus by Example 1 is shown. The y-direction linear guide 21 is fixed on the surface plate 70. The stage 20 is guided by the y-direction linear guide 21 and moves in the y direction. A substrate 40 is held on the stage 20. An alignment camera 30 is supported above the path of the stage 20 in the imaging region 24. A nozzle head 60 is supported above the path of the stage 20 in the drawing area 25. The height from the substrate 40 to the alignment camera 30 is higher than the height from the substrate 40 to the nozzle head 60. For example, the height from the substrate 40 to the nozzle head 60 is in the range of 0.5 to 1 mm, and the height to the alignment camera 30 is about 20 mm.

本願発明者は、ノズルヘッド60からインクを吐出させて種々の評価パターンを形成し、その評価パターンをアライメントカメラ30で撮像する評価実験を行った。撮像結果から、評価パターンの寸法を算出したところ、ノズルヘッド60への指令値に基づいて算出される寸法と、撮像結果から算出された寸法とが一致しない場合があることを見出した。図3A及び図3Bを参照して、2つの寸法が一致しない理由について説明する。   The inventor of the present application conducted an evaluation experiment in which ink was ejected from the nozzle head 60 to form various evaluation patterns, and the evaluation pattern was imaged by the alignment camera 30. When the dimension of the evaluation pattern was calculated from the imaging result, it was found that the dimension calculated based on the command value to the nozzle head 60 may not match the dimension calculated from the imaging result. The reason why the two dimensions do not match will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.

図3Aに、y方向リニアガイド21及びステージ20の側面図を示す。定盤70(図2)の歪みに起因して、y方向リニアガイド21が上下方向に湾曲する場合がある。ステージ20は、湾曲したy方向リニアガイド21に案内されてy方向に移動するため、ステージ20が水平面に対して傾斜する。基板40の表面に形成された2個のアライメントマーク41のy方向の距離がW0であるとする。   FIG. 3A shows a side view of the y-direction linear guide 21 and the stage 20. Due to distortion of the surface plate 70 (FIG. 2), the y-direction linear guide 21 may be bent in the vertical direction. Since the stage 20 is guided by the curved y-direction linear guide 21 and moves in the y direction, the stage 20 is inclined with respect to the horizontal plane. It is assumed that the distance in the y direction between the two alignment marks 41 formed on the surface of the substrate 40 is W0.

図3Aにおいて、アライメントカメラ30で左側のアライメントマーク41を撮像し、測定画像を取得する。図3Aでは、左側のアライメントマーク41が、アライメントカメラ30の撮像範囲の中心に配置された状態を示している。   In FIG. 3A, the alignment camera 41 is imaged with the alignment camera 30 to obtain a measurement image. 3A shows a state in which the left alignment mark 41 is arranged at the center of the imaging range of the alignment camera 30. FIG.

図3Bに、図3Aの状態からステージ20を左方向に距離W0だけ移動させた状態を示す。この状態で、アライメントカメラ30で右側のアライメントマーク41を撮像する。理想的には、ステージ20がアライメントカメラ30の光軸に対して垂直な方向(水平方向)に移動する。この場合には、右側のアライメントマーク41がアライメントカメラ30の撮像範囲の中心に位置する。ところが、右側のアライメントマーク41が、アライメントカメラ30の撮像範囲の中心からずれる場合があることがわかった。このずれは、y方向リニアガイド21が湾曲しているため、ステージ20が移動すると、その傾斜角が変動することに起因することが判明した。   FIG. 3B shows a state where the stage 20 is moved leftward by a distance W0 from the state of FIG. 3A. In this state, the alignment camera 41 images the right alignment mark 41. Ideally, the stage 20 moves in a direction (horizontal direction) perpendicular to the optical axis of the alignment camera 30. In this case, the right alignment mark 41 is located at the center of the imaging range of the alignment camera 30. However, it has been found that the right alignment mark 41 may deviate from the center of the imaging range of the alignment camera 30. It has been found that this deviation is caused by the fact that the inclination angle fluctuates when the stage 20 moves because the y-direction linear guide 21 is curved.

定盤70に金属性のものを用いると、熱による変形や、剛性の低さ等に起因して、定盤70に歪みが生じる場合がある。y方向リニアガイド21の湾曲は、定盤70の歪みによって生じると考えられる。   When a metal plate is used for the surface plate 70, the surface plate 70 may be distorted due to deformation due to heat, low rigidity, or the like. It is considered that the bending of the y-direction linear guide 21 is caused by the distortion of the surface plate 70.

図3Bでは、右側のアライメントマーク41が、アライメントカメラ30の撮像範囲の中心から左に距離Dだけずれている状態を示している。左側のアライメントマーク41と右側のアライメントマーク41との間の距離は、図3Aの状態で撮像された左側のアライメントマーク41の像の位置、図3Bの状態で撮像された右側のアライメントマーク41の像の位置、及びステージ20の移動距離W0に基づいて算出される。   FIG. 3B shows a state in which the right alignment mark 41 is shifted to the left by the distance D from the center of the imaging range of the alignment camera 30. The distance between the left alignment mark 41 and the right alignment mark 41 is the position of the image of the left alignment mark 41 imaged in the state of FIG. 3A, the position of the right alignment mark 41 imaged in the state of FIG. 3B. It is calculated based on the position of the image and the moving distance W0 of the stage 20.

図3Aの状態では、左側のアライメントマーク41の像が、アライメントカメラ30の撮像範囲内の中心に検出される。図3Bの状態では、右側のアライメントマーク41の像が、アライメントカメラ30の撮像範囲の中心から左方向に距離Dだけずれた位置に検出される。図3A及び図3Bの状態での撮像結果、及びステージ20の移動距離W0に基づいて、2つのアライメントマーク41のy方向の距離を算出すると、その距離はW0−Dとなってしまう。このように、定盤70(図2)の歪に起因して、アライメントカメラ30による測定結果から算出される寸法に誤差が生じてしまう。   In the state of FIG. 3A, the image of the left alignment mark 41 is detected at the center in the imaging range of the alignment camera 30. In the state of FIG. 3B, the image of the right alignment mark 41 is detected at a position shifted from the center of the imaging range of the alignment camera 30 by the distance D to the left. If the distance in the y direction of the two alignment marks 41 is calculated based on the imaging result in the state of FIGS. 3A and 3B and the moving distance W0 of the stage 20, the distance becomes W0-D. Thus, due to the distortion of the surface plate 70 (FIG. 2), an error occurs in the dimension calculated from the measurement result by the alignment camera 30.

基板40は、薄膜パターンを形成する前に受ける熱履歴等によって、面内方向に伸び、または縮んでいる。基板40に薄膜パターンを形成する際には、基板40に形成された複数のアライメントマーク41の相対的な位置から、基板40の面内方向の伸縮量を算出する。基板40の伸縮量に応じて、形成すべき薄膜パターンの画像データを伸縮させることにより、基板40に既に形成されているパターンと、形成すべき薄膜パターンとを整合させることができる。アライメントカメラ30による測定結果から算出される寸法に誤差が生じると、基板40の伸縮量の算出結果にも誤差が生じてしまう。誤差が生じている伸縮量に応じて、画像データを伸縮させると、基板40に既に形成されているパターンに対して、形成すべき薄膜パターンがずれてしまう。以下に説明する実施例においては、基板40の伸縮量の計測誤差を小さくすることができる。   The substrate 40 is stretched or shrunk in the in-plane direction due to the thermal history received before forming the thin film pattern. When forming a thin film pattern on the substrate 40, the amount of expansion / contraction in the in-plane direction of the substrate 40 is calculated from the relative positions of the plurality of alignment marks 41 formed on the substrate 40. By stretching the image data of the thin film pattern to be formed according to the amount of expansion / contraction of the substrate 40, the pattern already formed on the substrate 40 and the thin film pattern to be formed can be matched. If an error occurs in the dimension calculated from the measurement result by the alignment camera 30, an error also occurs in the calculation result of the expansion / contraction amount of the substrate 40. When the image data is expanded or contracted according to the amount of expansion or contraction in which an error has occurred, the thin film pattern to be formed is shifted from the pattern already formed on the substrate 40. In the embodiment described below, the measurement error of the expansion / contraction amount of the substrate 40 can be reduced.

図4に、実施例1による基板製造装置の調整方法のフローチャートを示す。ステップSA1において、ステージ20に、四角形の参照基板を載せ、ステージ20を描画領域25(図1)に移動させる。制御装置50(図1)からの指令に基づいて、ノズルヘッド60からインクを吐出させることにより、参照基板に評価パターンを形成する。   FIG. 4 shows a flowchart of a method for adjusting a substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment. In step SA1, a rectangular reference substrate is placed on the stage 20, and the stage 20 is moved to the drawing area 25 (FIG. 1). An evaluation pattern is formed on the reference substrate by ejecting ink from the nozzle head 60 based on a command from the control device 50 (FIG. 1).

図5Aに、評価パターンが形成された参照基板80の平面図を示す。評価パターンは、4個の円形のマークPe1〜Pe4で構成される。マークPe1〜Pe4は、それぞれ参照基板の四隅の近傍に配置される。マークPe1は、y方向に平行で、x軸の正の側の縁と、x方向に平行で、y軸の正の側の縁とが交差する頂点よりもやや内側に配置される。参照基板80を正面から見て反時計回りに、マークPe1、Pe2、Pe4、Pe3が配置される。   FIG. 5A shows a plan view of the reference substrate 80 on which the evaluation pattern is formed. The evaluation pattern is composed of four circular marks Pe1 to Pe4. The marks Pe1 to Pe4 are respectively arranged in the vicinity of the four corners of the reference substrate. The mark Pe1 is parallel to the y direction and is disposed slightly inside the vertex at which the edge on the positive side of the x axis and the edge on the positive side of the y axis intersect with each other in the x direction. Marks Pe1, Pe2, Pe4, and Pe3 are arranged counterclockwise when the reference substrate 80 is viewed from the front.

ステップSA2(図4)において、ステージ20を撮像領域24(図1)に移動させ、アライメントカメラ30で評価パターンを撮像する。例えば、マークPe1、Pe2を、それぞれ2つのアライメントカメラ30(図1)の撮像範囲内に配置する。この状態で、マークPe1、Pe2の第1の測定画像が取得される。その後、ステージ20をy方向に移動させることにより、マークPe3、Pe4を、それぞれ2つのアライメントカメラ30(図1)の撮像範囲内に配置する。この状態で、マークPe3、Pe4の第2の測定画像が取得される。   In step SA2 (FIG. 4), the stage 20 is moved to the imaging area 24 (FIG. 1), and the evaluation pattern is imaged by the alignment camera 30. For example, the marks Pe1 and Pe2 are arranged in the imaging range of the two alignment cameras 30 (FIG. 1), respectively. In this state, first measurement images of the marks Pe1 and Pe2 are acquired. Thereafter, by moving the stage 20 in the y direction, the marks Pe3 and Pe4 are respectively disposed within the imaging ranges of the two alignment cameras 30 (FIG. 1). In this state, second measurement images of the marks Pe3 and Pe4 are acquired.

ステップSA3(図4)において、第1の測定画像及び第2の測定画像に基づいて、評価パターンの少なくとも2点間の距離を算出する。さらに、制御装置50(図1)からの指令内容に基づいて、評価パターンの対応する2点間の距離を算出する。   In step SA3 (FIG. 4), a distance between at least two points of the evaluation pattern is calculated based on the first measurement image and the second measurement image. Further, the distance between two corresponding points of the evaluation pattern is calculated based on the content of the command from the control device 50 (FIG. 1).

図5Aに、制御装置50(図1)からの指令内容に基づいて算出された2点間のx方向及びy方向の距離を示す。図5Aでは、マークPe1〜Pe4の座標が、制御装置50からノズルヘッド60への指令値によって定義される。制御装置50からノズルヘッド60への指令値によって位置が定義される座標系を「描画座標系」ということとする。例えば、描画座標系において、マークPe1とPe2とのx方向及びy方向の距離は、それぞれL1x及びL1yである。   FIG. 5A shows the distance in the x direction and the y direction between two points calculated based on the content of the command from the control device 50 (FIG. 1). In FIG. 5A, the coordinates of the marks Pe <b> 1 to Pe <b> 4 are defined by command values from the control device 50 to the nozzle head 60. A coordinate system in which a position is defined by a command value from the control device 50 to the nozzle head 60 is referred to as a “drawing coordinate system”. For example, in the drawing coordinate system, the distances between the marks Pe1 and Pe2 in the x direction and the y direction are L1x and L1y, respectively.

図5Bに、測定画像に基づいて算出された2点間のx方向及びy方向の距離を示す。アライメントカメラ30による測定画像に基づいて位置が定義される座標系を「測定座標系」ということとする。例えば、測定座標系において、マークPe1とPe2とのx方向及びy方向の距離は、それぞれM1x及びM1yである。x方向の距離は、第1の測定画像または第2の測定画像の解析結果、及び2つのアライメントカメラ30のx方向の間隔から算出される。y方向の距離は、第1の測定画像及び第2の測定画像の解析結果、及びステージ20の移動量から算出される。   FIG. 5B shows the distances in the x and y directions between two points calculated based on the measurement image. A coordinate system in which a position is defined based on a measurement image obtained by the alignment camera 30 is referred to as a “measurement coordinate system”. For example, in the measurement coordinate system, the distances in the x direction and the y direction between the marks Pe1 and Pe2 are M1x and M1y, respectively. The distance in the x direction is calculated from the analysis result of the first measurement image or the second measurement image and the interval between the two alignment cameras 30 in the x direction. The distance in the y direction is calculated from the analysis results of the first measurement image and the second measurement image, and the amount of movement of the stage 20.

ステップSA4(図4)において、2点間の距離に基づいて、計測結果補正係数を算出する。計測結果補正係数は、画像データ51(図1)に基づいて、ノズルヘッド60(図1)に送出する指令を生成する際に、指令値に反映させるための係数である。算出された計測結果補正係数は、制御装置50(図1)に記憶される。以下、図5A、図5Bを参照しながら、計測結果補正係数の算出方法について説明する。   In step SA4 (FIG. 4), a measurement result correction coefficient is calculated based on the distance between the two points. The measurement result correction coefficient is a coefficient to be reflected in the command value when generating a command to be sent to the nozzle head 60 (FIG. 1) based on the image data 51 (FIG. 1). The calculated measurement result correction coefficient is stored in the control device 50 (FIG. 1). Hereinafter, a method for calculating the measurement result correction coefficient will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.

図5Aに示したマークPe1を基準点とする。図5Aに示した描画座標系における基準点の位置と、図5Bに示した測定座標系における基準点の位置とが、ステージ20上で一致するように描画座標系と測定座標系との位置関係が調整されている。測定座標系におけるマークPe1〜Pe4の座標を、それぞれ(x1,y1)〜(x4,y4)と定義する。描画座標系におけるマークPe1の座標は、測定座標系におけるマークPe1の座標(x1,y1)に一致する。   The mark Pe1 shown in FIG. 5A is set as a reference point. The positional relationship between the drawing coordinate system and the measurement coordinate system so that the position of the reference point in the drawing coordinate system shown in FIG. 5A and the position of the reference point in the measurement coordinate system shown in FIG. Has been adjusted. The coordinates of the marks Pe1 to Pe4 in the measurement coordinate system are defined as (x1, y1) to (x4, y4), respectively. The coordinates of the mark Pe1 in the drawing coordinate system coincide with the coordinates (x1, y1) of the mark Pe1 in the measurement coordinate system.

描画座標系におけるマークPe2〜Pe4の座標(xd2,yd2)〜(xd4,yd4)は、それぞれ下記の式で表される。

Figure 2014151261
The coordinates (xd2, yd2) to (xd4, yd4) of the marks Pe2 to Pe4 in the drawing coordinate system are expressed by the following equations, respectively.
Figure 2014151261

上述の等式において、L1x/M1x、L2x/M2x、L3x/M3x、L1y/M1y、L2y/M2y、L4y/M4yが、計測結果補正係数である。測定座標系における座標から、計測結果補正係数を用いて、描画座標系における座標を算出することができ
る。制御装置50は、描画座標系における座標に基づいて、ノズルヘッド60にインクの吐出指令を与える。
In the above equation, L1x / M1x, L2x / M2x, L3x / M3x, L1y / M1y, L2y / M2y, and L4y / M4y are measurement result correction coefficients. From the coordinates in the measurement coordinate system, the coordinates in the drawing coordinate system can be calculated using the measurement result correction coefficient. The control device 50 gives an ink ejection command to the nozzle head 60 based on the coordinates in the drawing coordinate system.

図6に、実施例1による基板製造方法のフローチャートを示す。ステップSB1において、薄膜を形成すべき基板40をステージ20(図1)に載せる。ステップSB2において、ステージ20を撮像領域24(図1)に移動し、基板40に形成されているアライメントマーク41(図1)を撮像する。具体的には、撮像領域24内でステージ20を移動させながら、複数の測定画像を取得する。   FIG. 6 shows a flowchart of the substrate manufacturing method according to the first embodiment. In step SB1, the substrate 40 on which a thin film is to be formed is placed on the stage 20 (FIG. 1). In step SB2, the stage 20 is moved to the imaging region 24 (FIG. 1), and the alignment mark 41 (FIG. 1) formed on the substrate 40 is imaged. Specifically, a plurality of measurement images are acquired while moving the stage 20 within the imaging region 24.

ステップSB3(図6)において、アライメントマーク41の撮像結果に、ステップSA4(図4)で算出された計測結果補正係数を反映させて、基板40の伸縮量を算出する。以下、図7A、図7Bを参照して、基板40の伸縮量を算出する方法について説明する。   In step SB3 (FIG. 6), the amount of expansion / contraction of the substrate 40 is calculated by reflecting the measurement result correction coefficient calculated in step SA4 (FIG. 4) in the imaging result of the alignment mark 41. Hereinafter, a method for calculating the amount of expansion / contraction of the substrate 40 will be described with reference to FIGS. 7A and 7B.

図7Aに、アライメントマーク41の設計データに基づいて算出されたアライメントマーク41間の距離を示す。アライメントマーク41は、4つのアライメントマークPa1〜Pa4で構成される。アライメントマークPa1〜Pa4は、それぞれ図5Aに示したマークPe1〜Pe4に対応する四隅に配置されている。例えば、アライメントマークPa1とPa2とのx方向及びy方向の設計上の距離は、それぞれA1x及びA1yである。   FIG. 7A shows the distance between the alignment marks 41 calculated based on the design data of the alignment marks 41. The alignment mark 41 includes four alignment marks Pa1 to Pa4. The alignment marks Pa1 to Pa4 are arranged at the four corners corresponding to the marks Pe1 to Pe4 shown in FIG. 5A, respectively. For example, the design distances of the alignment marks Pa1 and Pa2 in the x and y directions are A1x and A1y, respectively.

図7Bに、アライメントマークPa1〜Pa4の撮像結果に基づいて算出されたアライメントマーク間の距離(測定座標系における距離)を示す。例えば、アライメントマークPa1とPa2とのx方向及びy方向の測定座標系における距離は、それぞれB1x及びB1yである。基板40が面内方向に伸縮しているため、測定座標系におけるアライメントマーク間の距離は、設計データから算出した対応するアライメントマーク間の距離と同一にはならない。   FIG. 7B shows the distance between the alignment marks (the distance in the measurement coordinate system) calculated based on the imaging results of the alignment marks Pa1 to Pa4. For example, the distances between the alignment marks Pa1 and Pa2 in the measurement coordinate system in the x direction and the y direction are B1x and B1y, respectively. Since the substrate 40 is expanded and contracted in the in-plane direction, the distance between the alignment marks in the measurement coordinate system is not the same as the distance between the corresponding alignment marks calculated from the design data.

測定座標系における伸縮量は、下記の式で表される。下記の式において、Emx1、Emx2は、それぞれ図7Bの下の縁の近傍におけるx方向の伸縮量、及び上の縁の近傍におけるx
方向の伸縮量を表し、Emy1、Emy2は、それぞれ図7Bの左の縁の近傍におけるy方向の伸縮量、及び右の縁の近傍におけるy方向の伸縮量を表す。

Figure 2014151261
The amount of expansion / contraction in the measurement coordinate system is expressed by the following equation. In the following equation, Emx1 and Emx2 are respectively the amount of expansion / contraction in the x direction in the vicinity of the lower edge of FIG. 7B and x in the vicinity of the upper edge.
Emy1 and Emy2 represent the amount of expansion / contraction in the y direction in the vicinity of the left edge in FIG. 7B and the amount of expansion / contraction in the y direction in the vicinity of the right edge, respectively.
Figure 2014151261

測定座標系における伸縮量、及び測定結果補正係数に基づいて、測定座標系における伸縮量Emx1、Emx2、Emy1、Emy2を、描画座標系における伸縮量Edx1、Edx2、Edy1、Edy2に換算する。描画座標系における伸縮量Edx1、Edx2、Edy1、Edy2は、以下の式で表される。

Figure 2014151261
Based on the expansion / contraction amount in the measurement coordinate system and the measurement result correction coefficient, the expansion / contraction amounts Emx1, Emx2, Emy1, and Emy2 in the measurement coordinate system are converted into the expansion / contraction amounts Edx1, Edx2, Edy1, and Edy2 in the drawing coordinate system. Expansion amounts Edx1, Edx2, Edy1, and Edy2 in the drawing coordinate system are expressed by the following equations.
Figure 2014151261

ステップSB4(図6)において、形成すべき薄膜パターンを定義する画像データ51(図1)に、描画座標系における伸縮量を反映させる。具体的には、画像データ51を、描画座標系における伸縮量Edx1、Edx2、Edy1、Edy2に応じて修正する。伸縮量は、基板40の4つの縁の近傍において求められている。基板40の内部における画像データの修正は、適宜補間演算を行うことにより行うことができる。伸縮量が反映された後の画像データに基づいて、制御装置50からノズルヘッド60(図1)に、インク
吐出の指令を与える。
In step SB4 (FIG. 6), the expansion / contraction amount in the drawing coordinate system is reflected in the image data 51 (FIG. 1) defining the thin film pattern to be formed. Specifically, the image data 51 is corrected according to the expansion / contraction amounts Edx1, Edx2, Edy1, and Edy2 in the drawing coordinate system. The amount of expansion / contraction is determined in the vicinity of the four edges of the substrate 40. The correction of the image data inside the substrate 40 can be performed by appropriately performing an interpolation operation. Based on the image data after the expansion / contraction amount is reflected, an ink ejection command is given from the control device 50 to the nozzle head 60 (FIG. 1).

図7Cに、薄膜パターン42が形成された基板40の平面図を示す。アライメントマークPa1〜Pa4の位置から、基板の伸縮量を算出し、伸縮量に応じて薄膜パターン42を形成するため、アライメントマークPa1〜Pa4に対して、薄膜パターン42を高精度に位置決めすることができる。さらに、実施例1では、測定座標系における伸縮量を、描画座標系における伸縮量に換算した後、描画座標系における伸縮量に基づいて、画像データを修正している。このため、y方向リニアガイド21(図1)の湾曲の影響を排除して、高精度の薄膜パターン42を形成することができる。   FIG. 7C shows a plan view of the substrate 40 on which the thin film pattern 42 is formed. In order to calculate the expansion / contraction amount of the substrate from the positions of the alignment marks Pa1 to Pa4 and form the thin film pattern 42 according to the expansion / contraction amount, the thin film pattern 42 can be positioned with high accuracy with respect to the alignment marks Pa1 to Pa4. it can. Further, in the first embodiment, after the expansion / contraction amount in the measurement coordinate system is converted into the expansion / contraction amount in the drawing coordinate system, the image data is corrected based on the expansion / contraction amount in the drawing coordinate system. For this reason, it is possible to eliminate the influence of the bending of the y-direction linear guide 21 (FIG. 1) and form the highly accurate thin film pattern 42.

定盤70(図2)として、歪の生じにくい石定盤を用いると、基板製造装置の全体のコストが上昇してしまう。実施例1による基板製造装置においては、薄膜パターン42の平面形状が、定盤70の歪の影響を受けにくいため、高価な石定盤に代えて、金属製の定盤を用いることが可能である。   If a stone surface plate that does not easily cause distortion is used as the surface plate 70 (FIG. 2), the overall cost of the substrate manufacturing apparatus increases. In the substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment, since the planar shape of the thin film pattern 42 is not easily affected by the distortion of the surface plate 70, a metal surface plate can be used instead of an expensive stone surface plate. is there.

[実施例2]
図8〜図11Bを参照して、実施例2について説明する。以下、実施例1との相違点について説明し、同一の構成及び手順については説明を省略する。
[Example 2]
Example 2 will be described with reference to FIGS. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration and procedure will be omitted.

図8に、実施例2による基板製造装置の調整方法のフローチャートを示す。ステップSC1において、参照基板80(図5A)に評価パターンを形成する。ステップSC1の処理は、実施例1のステップSA1(図4)の処理と同一である。ステップSC2において、参照基板80に形成された評価パターンの2点間の距離を、測長器で計測する。   FIG. 8 shows a flowchart of a substrate manufacturing apparatus adjustment method according to the second embodiment. In step SC1, an evaluation pattern is formed on the reference substrate 80 (FIG. 5A). The process of step SC1 is the same as the process of step SA1 (FIG. 4) of the first embodiment. In step SC2, the distance between two points of the evaluation pattern formed on the reference substrate 80 is measured with a length measuring device.

図9に、測長器によって計測された評価パターンの2点間の距離を示す。例えば、マークPe1とマークPe2との間のx方向及びy方向の距離は、それぞれN1x及びN1yである。   FIG. 9 shows the distance between two points of the evaluation pattern measured by the length measuring device. For example, the distances in the x and y directions between the marks Pe1 and Pe2 are N1x and N1y, respectively.

ステップSC3(図8)において、評価パターンを形成したときの指令、及び測長器による計測結果に基づいて、形成すべき薄膜パターンの実際の寸法と、制御装置50(図1)からノズルヘッド60に与える指令値との関係を表す描画座標補正係数を算出する。描画座標補正係数は、図5A及び図9に示した2点間の距離によって表すことができる。描画座標補正係数は、L1x/N1x、L3x/N3x、L2y/N2y、L4y/N4y等を含む。   In step SC3 (FIG. 8), the actual dimensions of the thin film pattern to be formed and the nozzle head 60 from the controller 50 (FIG. 1) based on the command when the evaluation pattern is formed and the measurement result by the length measuring device. The drawing coordinate correction coefficient representing the relationship with the command value given to the is calculated. The drawing coordinate correction coefficient can be expressed by the distance between two points shown in FIGS. 5A and 9. The drawing coordinate correction coefficient includes L1x / N1x, L3x / N3x, L2y / N2y, L4y / N4y, and the like.

ステップSC4(図8)において、寸法が既知のパターンを撮像領域24(図1)においてアライメントカメラ30(図1)で撮像する。ステップSC4の処理は、実施例1のステップSA2(図4)の処理と同様である。ステップSC5において、寸法が既知のパターンの撮像結果に基づいて、アライメントカメラ30による寸法の測定結果を、実際の寸法に換算するための計測座標補正係数を算出する。以下、計測座標補正係数の算出方法について説明する。   In step SC4 (FIG. 8), a pattern having a known dimension is imaged by the alignment camera 30 (FIG. 1) in the imaging region 24 (FIG. 1). The process of step SC4 is the same as the process of step SA2 (FIG. 4) of the first embodiment. In step SC5, a measurement coordinate correction coefficient for converting the measurement result of the dimension by the alignment camera 30 into an actual dimension is calculated based on the imaging result of the pattern having a known dimension. Hereinafter, a method for calculating the measurement coordinate correction coefficient will be described.

図10Aに、寸法が既知の評価パターンが形成された参照基板81の平面図を示す。参照基板81は、薄膜パターンを形成すべき基板40(図7A)とほぼ同一の平面形状を有する。寸法が既知の評価パターンは、例えばマークPo1〜Po4で構成される。マークPo1〜Po4は、それぞれアライメントマークPa1〜Pa4(図7A)に対応する四隅の近傍に配置される。例えば、マークPo1とPo2との間のx方向及びy方向の距離は、それぞれK1x及びK1yである。   FIG. 10A shows a plan view of the reference substrate 81 on which an evaluation pattern with known dimensions is formed. The reference substrate 81 has substantially the same planar shape as the substrate 40 (FIG. 7A) on which a thin film pattern is to be formed. The evaluation pattern whose dimensions are known is constituted by marks Po1 to Po4, for example. The marks Po1 to Po4 are arranged in the vicinity of the four corners corresponding to the alignment marks Pa1 to Pa4 (FIG. 7A), respectively. For example, the distances in the x and y directions between the marks Po1 and Po2 are K1x and K1y, respectively.

図10Bに、図10Aに示した参照基板81をアライメントカメラ30で撮像した結果
の画像を示す。例えば、マークPo1とPo2との間の測定座標系におけるx方向及びy方向の距離は、それぞれR1x及びR1yである。計測座標補正係数は、K1x/R1x、K3x/R3x、K2y/R2y、K4y/R4y等を含む。描画座標補正係数、及び計測座標補正係数は、制御装置50(図1)に記憶される。
FIG. 10B shows an image obtained as a result of imaging the reference substrate 81 shown in FIG. 10A with the alignment camera 30. For example, the distances in the x and y directions in the measurement coordinate system between the marks Po1 and Po2 are R1x and R1y, respectively. The measurement coordinate correction coefficient includes K1x / R1x, K3x / R3x, K2y / R2y, K4y / R4y, and the like. The drawing coordinate correction coefficient and the measurement coordinate correction coefficient are stored in the control device 50 (FIG. 1).

図11に、実施例2による基板製造方法のフローチャートを示す。ステップSD1において、薄膜パターンを形成すべき基板40(図1)をステージ20(図1)に載せる。ステップSD2において、ステージ20を撮像領域24(図1)に移動し、基板40に形成されているアライメントマーク41(図1)を撮像する。ステップSD1及びSD2の処理は、実施例1のステップSB1及びSB2(図6)の処理と同一である。   FIG. 11 shows a flowchart of the substrate manufacturing method according to the second embodiment. In step SD1, a substrate 40 (FIG. 1) on which a thin film pattern is to be formed is placed on the stage 20 (FIG. 1). In step SD2, the stage 20 is moved to the imaging region 24 (FIG. 1), and the alignment mark 41 (FIG. 1) formed on the substrate 40 is imaged. Steps SD1 and SD2 are the same as steps SB1 and SB2 (FIG. 6) of the first embodiment.

ステップSD3(図11)において、アライメントマーク41の撮像結果に、計測座標補正係数を反映させて、基板40の実際の伸縮量を算出する。例えば、図7Bに示した下の縁のx方向の実際の伸縮量は、Em1x×(K1x/R1x)で表される。   In step SD3 (FIG. 11), the actual expansion / contraction amount of the substrate 40 is calculated by reflecting the measurement coordinate correction coefficient in the imaging result of the alignment mark 41. For example, the actual expansion / contraction amount in the x direction of the lower edge shown in FIG. 7B is expressed as Em1x × (K1x / R1x).

ステップSD4(図11)において、基板40の実際の伸縮量に、描画座標補正係数を反映させて、描画座標系における基板40の伸縮量を算出する。例えば、図7Bに示した基板40の下の縁のx方向への、描画座標系における伸縮量は、Em1x×(K1x/R1x)×(L1x/N1x)で表される。   In step SD4 (FIG. 11), the expansion / contraction amount of the substrate 40 in the drawing coordinate system is calculated by reflecting the drawing coordinate correction coefficient in the actual expansion / contraction amount of the substrate 40. For example, the expansion / contraction amount in the drawing coordinate system in the x direction of the lower edge of the substrate 40 illustrated in FIG. 7B is represented by Em1x × (K1x / R1x) × (L1x / N1x).

実施例2においても、実施例1と同様に、基板40の伸縮に応じて、高精度の薄膜パターンを形成することができる。さらに、実施例2においては、寸法が既知のパターン(図10A)を、ステージ20(図1)に取り付けておくことにより、必要に応じて、ステップSC4及びSC5(図8)を実行して、計測座標補正係数を算出することができる。   Also in the second embodiment, as in the first embodiment, a highly accurate thin film pattern can be formed according to the expansion and contraction of the substrate 40. Furthermore, in Example 2, steps SC4 and SC5 (FIG. 8) are executed as necessary by attaching a pattern (FIG. 10A) having a known dimension to the stage 20 (FIG. 1). A measurement coordinate correction coefficient can be calculated.

[実施例3]
図12〜図16を参照して、実施例3による基板製造装置について説明する。以下、実施例1との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例3による基板製造装置は、2つの処理系、すなわち第1の処理系と第2の処理系とを有する。
[Example 3]
A substrate manufacturing apparatus according to Example 3 will be described with reference to FIGS. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described, and description of the same configuration will be omitted. The substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment has two processing systems, that is, a first processing system and a second processing system.

図12に示すように、第1の処理系に、第1の受け渡し領域23A、第1の撮像領域24A、及び描画領域25が含まれる。第2の処理系に、第2の受け渡し領域23B、第2の撮像領域24B、及び描画領域25が含まれる。描画領域25は、第1の処理系と第2の処理系とで共通である。描画領域25にノズルヘッド60が配置されている。第1の受け渡し領域23Aと第1の撮像領域24Aとは、x方向に関して同一の位置に画定されている。第2の受け渡し領域23Bと第2の撮像領域24Bとは、x方向に関して同一の位置に画定されている。描画領域25は、x方向に関して、第1の撮像領域24Aと第2の撮像領域24Bとの間に画定されている。   As shown in FIG. 12, the first processing system includes a first transfer area 23A, a first imaging area 24A, and a drawing area 25. The second processing system includes a second transfer area 23B, a second imaging area 24B, and a drawing area 25. The drawing area 25 is common to the first processing system and the second processing system. A nozzle head 60 is arranged in the drawing area 25. The first transfer area 23A and the first imaging area 24A are defined at the same position in the x direction. The second transfer area 23B and the second imaging area 24B are defined at the same position in the x direction. The drawing area 25 is defined between the first imaging area 24A and the second imaging area 24B in the x direction.

以下、第1の処理系の構造について説明する。第1のy方向リニアガイド21Aに案内されて、第1の中間テーブル26Aがy方向に移動する。第1の中間テーブル26Aに第1のx方向リニアガイド28Aが取り付けられている。第1のステージ20Aが、第1のx方向リニアガイド28Aに案内されてx方向に移動する。第1のステージ20Aは、y方向に関して、第1の受け渡し領域23Aと描画領域25との間を、第1の撮像領域24Aを経由して移動する。x方向に関して、第1のステージ20Aは、第1の撮像領域24A(以下、「定位置」という。)と描画領域25(以下、「処理位置」という。)との間を移動する。   Hereinafter, the structure of the first processing system will be described. Guided by the first y-direction linear guide 21A, the first intermediate table 26A moves in the y-direction. A first x-direction linear guide 28A is attached to the first intermediate table 26A. The first stage 20A is guided by the first x-direction linear guide 28A and moves in the x direction. The first stage 20A moves between the first transfer area 23A and the drawing area 25 via the first imaging area 24A in the y direction. With respect to the x direction, the first stage 20A moves between the first imaging area 24A (hereinafter referred to as “fixed position”) and the drawing area 25 (hereinafter referred to as “processing position”).

第2の処理系も、第1の処理系と同様に、第2のy方向リニアガイド21B、第2の中間テーブル26B、第2のx方向リニアガイド28B、第2のステージ20Bを含む。第
2のステージ20Bは、y方向に関して、第2の受け渡し領域23Bと描画領域25との間を、第2の撮像領域24Bを経由して移動する。x方向に関して、第2のステージ20Bは、第2の撮像領域24B(以下、「定位置」という。)と描画領域25(以下、「処理位置」という。)との間を移動する。
Similarly to the first processing system, the second processing system also includes a second y-direction linear guide 21B, a second intermediate table 26B, a second x-direction linear guide 28B, and a second stage 20B. The second stage 20B moves between the second transfer area 23B and the drawing area 25 via the second imaging area 24B in the y direction. With respect to the x direction, the second stage 20B moves between the second imaging area 24B (hereinafter referred to as “fixed position”) and the drawing area 25 (hereinafter referred to as “processing position”).

第1の中間テーブル26Aと第2の中間テーブル26Bとは、相互にx方向に離れて配置されている。第1のステージ20A及び第2のステージ20Bが、共に定位置に配置されている状態で、第1の中間テーブル26Aと第2の中間テーブル26Bとは、y方向に移動する際に、相互にすれ違うことができる。第1のステージ20Aの処理位置と、第2のステージ20Bの処理位置とは、x方向に関して同じ位置である。   The first intermediate table 26A and the second intermediate table 26B are arranged away from each other in the x direction. When the first stage 20A and the second stage 20B are both arranged at fixed positions, the first intermediate table 26A and the second intermediate table 26B are moved to each other when moving in the y direction. I can pass each other. The processing position of the first stage 20A and the processing position of the second stage 20B are the same position in the x direction.

第1の処理系及び第2の処理系のどちらの処理系においても、上記実施例1または実施例2による基板製造方法の手順を実行することができる。   In both the first processing system and the second processing system, the procedure of the substrate manufacturing method according to the first embodiment or the second embodiment can be executed.

図12には、第1のステージ20Aが第1の受け渡し領域23Aの定位置に配置され、第2のステージ20Bが第2の受け渡し領域23Bの定位置に配置された状態を示している。この状態で、第1のステージ20Aと搬送装置(図示せず)との間、及び第2のステージ20Bと搬送装置(図示せず)との間で、基板40の受け渡しが行われる。   FIG. 12 shows a state in which the first stage 20A is arranged at a fixed position in the first delivery area 23A and the second stage 20B is arranged at a fixed position in the second delivery area 23B. In this state, the substrate 40 is transferred between the first stage 20A and the transfer device (not shown) and between the second stage 20B and the transfer device (not shown).

図13に、第1の中間テーブル26Aが第1の撮像領域24Aの範囲内に配置され、第1のステージ20Aが定位置に配置された状態を示す。この状態で、第1の処理系において、評価パターンの撮像(実施例1のステップSA2(図4))、及びアライメントマークの撮像(実施例1のステップSB2(図6))が実行される。   FIG. 13 shows a state where the first intermediate table 26A is arranged within the first imaging region 24A and the first stage 20A is arranged at a fixed position. In this state, in the first processing system, imaging of the evaluation pattern (step SA2 in the first embodiment (FIG. 4)) and imaging of the alignment mark (step SB2 in the first embodiment (FIG. 6)) are executed.

図14に、第1のステージ20Aが第1の撮像領域24Aから描画領域25まで移動する途中段階の状態を示す。第1の中間テーブル26Aが第1の撮像領域24Aから描画領域25までy方向に移動する期間に、第1のステージ20Aが、定位置から処理位置までx方向に移動する。   FIG. 14 shows a state in the middle of the movement of the first stage 20A from the first imaging region 24A to the drawing region 25. During the period in which the first intermediate table 26A moves from the first imaging area 24A to the drawing area 25 in the y direction, the first stage 20A moves in the x direction from the fixed position to the processing position.

図15に、第1のステージ20Aが描画領域25の範囲内に配置されている状態を示す。この状態で、第1の処理系において、評価パターンの形成(実施例1のステップSA1(図4))、及び薄膜パターンの形成(実施例1のステップSB4(図6))が実行される。このとき、第2の中間テーブル26Bは、描画領域25以外の位置に配置されている。   FIG. 15 shows a state where the first stage 20 </ b> A is disposed within the drawing area 25. In this state, in the first processing system, an evaluation pattern is formed (step SA1 in the first embodiment (FIG. 4)) and a thin film pattern is formed (step SB4 in the first embodiment (FIG. 6)). At this time, the second intermediate table 26 </ b> B is arranged at a position other than the drawing area 25.

図16に、第2の中間テーブル26Bが第2の撮像領域24Bの範囲内に配置され、第2のステージ20Bが定位置に配置された状態を示す。この状態で、第2の処理系において、評価パターンの撮像(実施例1のステップSA2(図4))、及びアライメントマークの撮像(実施例1のステップSB2(図6))が実行される。   FIG. 16 shows a state in which the second intermediate table 26B is disposed within the second imaging region 24B and the second stage 20B is disposed at a fixed position. In this state, in the second processing system, imaging of the evaluation pattern (step SA2 in the first embodiment (FIG. 4)) and imaging of the alignment mark (step SB2 in the first embodiment (FIG. 6)) are executed.

図17に、第2のステージ20Bが描画領域25の範囲内に配置されている状態を示す。この状態で、第2の処理系において、評価パターンの形成(実施例1のステップSA1(図4))、及び薄膜パターンの形成(実施例1のステップSB4(図6))が実行される。このとき、第1の中間テーブル26Aは、描画領域25以外の位置に配置されている。   FIG. 17 shows a state where the second stage 20 </ b> B is disposed within the drawing area 25. In this state, in the second processing system, an evaluation pattern is formed (step SA1 in the first embodiment (FIG. 4)) and a thin film pattern is formed (step SB4 in the first embodiment (FIG. 6)). At this time, the first intermediate table 26 </ b> A is arranged at a position other than the drawing area 25.

実施例3においても、実施例1及び実施例2と同様に、基板40の伸縮に応じて、高精度の薄膜パターンを形成することができる。さらに、実施例3においては、第1の処理系で基板40に薄膜を形成している時に、第2の処理系で、他の基板40のアライメントマークを撮像することができる。このため、スループットの向上を図ることができる。   Also in Example 3, a highly accurate thin film pattern can be formed according to the expansion and contraction of the substrate 40 as in Examples 1 and 2. Further, in the third embodiment, when the thin film is formed on the substrate 40 in the first processing system, the alignment mark of the other substrate 40 can be imaged in the second processing system. For this reason, throughput can be improved.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

20 ステージ
20A 第1のステージ
20B 第2のステージ
21 y方向リニアガイド
21A 第1のy方向リニアガイド
21B 第2のy方向リニアガイド
22 ステージ移動機構
23 受け渡し領域
23A 第1の受け渡し領域
23B 第2の受け渡し領域
24 撮像領域
24A 第1の撮像領域
24B 第2の撮像領域
25 描画領域
26A 第1の中間テーブル
26B 第2の中間テーブル
28A 第1のx方向リニアガイド
28B 第2のx方向リニアガイド
30 アライメントカメラ
40 基板
41 アライメントマーク
42 薄膜
50 制御装置
51 画像データ
60 ノズルヘッド
70 定盤
80 参照基板
81 参照基板
20 stage 20A first stage 20B second stage 21 y-direction linear guide 21A first y-direction linear guide 21B second y-direction linear guide 22 stage moving mechanism 23 delivery area 23A first delivery area 23B second Delivery area 24 Imaging area 24A First imaging area 24B Second imaging area 25 Drawing area 26A First intermediate table 26B Second intermediate table 28A First x-direction linear guide 28B Second x-direction linear guide 30 Alignment Camera 40 Substrate 41 Alignment mark 42 Thin film 50 Controller 51 Image data 60 Nozzle head 70 Surface plate 80 Reference substrate 81 Reference substrate

Claims (9)

基板を保持するステージと、
前記ステージをリニアガイドに沿って、撮像領域と描画領域との間で移動させるステージ移動機構と、
前記ステージが前記撮像領域に配置されているときに、前記ステージ上のパターンを撮像するアライメントカメラと、
前記ステージが、前記描画領域に配置されているときに、前記ステージに保持された基板に向かって、インクの液滴を吐出させて、インクを前記基板に着弾させるノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドに、インクを吐出させる指令を与える制御装置と
を有する基板製造装置の調整方法であって、
前記ステージの上に、評価パターンが形成された基板を保持して、前記撮像領域において、前記アライメントカメラで前記評価パターンの一部分を撮像して第1の測定画像を取得する工程と、
前記撮像領域において、前記ステージを移動させ、前記評価パターンの、前記第1の測定画像とは異なる部分を、前記アライメントカメラで撮像して第2の測定画像を取得する工程と、
前記第1の測定画像と前記第2の測定画像とに基づいて、前記評価パターンの少なくとも2点間の距離を算出する工程と、
前記第1の測定画像、及び前記第2の測定画像に基づいて算出された前記2点間の距離に基づいて、前記制御装置から前記ノズルヘッドへの指令に反映させるための計測結果補正係数を算出する工程と
を有する基板製造装置の調整方法。
A stage for holding a substrate;
A stage moving mechanism for moving the stage between the imaging region and the drawing region along a linear guide;
An alignment camera that images the pattern on the stage when the stage is arranged in the imaging region;
A nozzle head that, when the stage is disposed in the drawing area, causes ink droplets to be ejected toward the substrate held on the stage and land the ink on the substrate;
An adjustment method for a substrate manufacturing apparatus having a control device for giving a command to eject ink to the nozzle head,
Holding a substrate on which an evaluation pattern is formed on the stage, and capturing a first measurement image by imaging a part of the evaluation pattern with the alignment camera in the imaging region;
Moving the stage in the imaging region, capturing a portion of the evaluation pattern different from the first measurement image with the alignment camera, and obtaining a second measurement image;
Calculating a distance between at least two points of the evaluation pattern based on the first measurement image and the second measurement image;
Based on the distance between the two points calculated based on the first measurement image and the second measurement image, a measurement result correction coefficient for reflecting in the command from the control device to the nozzle head And adjusting the substrate manufacturing apparatus.
前記第1の測定画像及び前記第2の測定画像を取得する前に、さらに、前記ステージの上に基板を載せて、前記描画領域において、前記ステージを移動させながら、制御装置からの指令に基づいて、前記ノズルヘッドから前記基板に向けてインクの液滴を吐出することにより、前記基板に前記評価パターンを形成する工程を有する請求項1に記載の基板製造装置の調整方法。   Before acquiring the first measurement image and the second measurement image, further, a substrate is placed on the stage, and the stage is moved in the drawing region, based on a command from a control device. The method for adjusting a substrate manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a step of forming the evaluation pattern on the substrate by discharging ink droplets from the nozzle head toward the substrate. 前記アライメントカメラで前記評価パターンを撮像するときの、前記基板から前記アライメントカメラまでの高さが、前記ノズルヘッドからインクを吐出するときの、前記基板から前記ノズルヘッドまでの高さより高い請求項1または2に記載の基板製造装置の調整方法。   The height from the said board | substrate to the said alignment camera when imaging the said evaluation pattern with the said alignment camera is higher than the height from the said board | substrate to the said nozzle head when ejecting ink from the said nozzle head. Or the adjustment method of the board | substrate manufacturing apparatus of 2. 基板を保持するステージと、
前記ステージをリニアガイドに沿って、撮像領域と描画領域との間で移動させるステージ移動機構と、
前記ステージが前記撮像領域に配置されているときに、前記ステージ上のパターンを撮像するアライメントカメラと、
前記ステージが、前記描画領域に配置されているときに、前記ステージに保持された基板に向かって、インクの液滴を吐出させて、インクを前記基板に着弾させるノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドに、インクを吐出させる指令を与える制御装置と
を有する基板製造装置を用いた基板製造方法であって、
前記ステージの上に、評価パターンが形成された参照基板を保持して、前記撮像領域において、前記アライメントカメラで前記評価パターンの一部分を撮像して第1の測定画像を取得する工程と、
前記撮像領域において、前記ステージを移動させ、前記評価パターンの、前記第1の測
定画像とは異なる部分を、前記アライメントカメラで撮像して第2の測定画像を取得する工程と、
前記第1の測定画像と前記第2の測定画像とに基づいて、前記評価パターンの少なくとも2点間の距離を算出する工程と、
前記第1の測定画像、及び前記第2の測定画像に基づいて算出された前記2点間の距離に基づいて、前記制御装置から前記ノズルヘッドへの指令に反映させるための計測結果補正係数を算出する工程と、
前記ステージから前記参照基板を搬出する工程と、
前記ステージに、複数のアライメントマークが形成された基板を保持して、前記撮像領域において、前記アライメントマークを前記アライメントカメラで撮像する工程と、
前記アライメントマークの撮像結果に、前記計測結果補正係数を反映させて、前記基板の伸縮量を算出する工程と、
前記基板に形成すべき薄膜パターンを定義する画像データに、前記基板の伸縮量の算出結果を反映させて、前記描画領域において、前記基板に薄膜を形成する工程と
を有する基板製造方法。
A stage for holding a substrate;
A stage moving mechanism for moving the stage between the imaging region and the drawing region along a linear guide;
An alignment camera that images the pattern on the stage when the stage is arranged in the imaging region;
A nozzle head that, when the stage is disposed in the drawing area, causes ink droplets to be ejected toward the substrate held on the stage and land the ink on the substrate;
A substrate manufacturing method using a substrate manufacturing apparatus having a control device for giving a command to eject ink to the nozzle head,
Holding a reference substrate on which an evaluation pattern is formed on the stage, capturing a part of the evaluation pattern with the alignment camera in the imaging region, and obtaining a first measurement image;
Moving the stage in the imaging region, capturing a portion of the evaluation pattern different from the first measurement image with the alignment camera, and obtaining a second measurement image;
Calculating a distance between at least two points of the evaluation pattern based on the first measurement image and the second measurement image;
Based on the distance between the two points calculated based on the first measurement image and the second measurement image, a measurement result correction coefficient for reflecting in the command from the control device to the nozzle head A calculating step;
Unloading the reference substrate from the stage;
Holding the substrate on which the plurality of alignment marks are formed on the stage, and imaging the alignment marks with the alignment camera in the imaging region;
Reflecting the measurement result correction coefficient in the imaging result of the alignment mark and calculating the expansion / contraction amount of the substrate;
Forming a thin film on the substrate in the drawing region by reflecting a calculation result of the expansion / contraction amount of the substrate in image data defining a thin film pattern to be formed on the substrate.
前記アライメントカメラで前記基板を撮像するときの、前記基板から前記アライメントカメラまでの高さが、前記ノズルヘッドからインクを吐出するときの、前記基板から前記ノズルヘッドまでの高さより高い請求項4に記載の基板製造方法。   5. The height from the substrate to the alignment camera when the substrate is imaged by the alignment camera is higher than the height from the substrate to the nozzle head when ink is ejected from the nozzle head. The manufacturing method of a board | substrate of description. 基板を保持するステージと、
前記ステージをリニアガイドに沿って、撮像領域と描画領域との間で移動させるステージ移動機構と、
前記ステージが前記撮像領域に配置されているときに、前記ステージ上のパターンを撮像するアライメントカメラと、
前記ステージが、前記描画領域に配置されているときに、前記ステージに保持された基板に向かって、インクの液滴を吐出させて、インクを前記基板に着弾させるノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドに、インクを吐出させる指令を送信するとともに、前記ステージ移動機構を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記ステージの上に、評価パターンが形成された参照基板を保持した状態で、前記撮像領域において、前記アライメントカメラで前記評価パターンの一部分を撮像して第1の測定画像を取得し、
前記撮像領域において、前記ステージを移動させ、前記評価パターンの、前記第1の測定画像とは異なる部分を、前記アライメントカメラで撮像して第2の測定画像を取得し、
前記第1の測定画像と前記第2の測定画像とに基づいて、前記評価パターンの少なくとも2点間の距離を算出し、
前記第1の測定画像、及び前記第2の測定画像に基づいて算出された前記2点間の距離に基づいて、前記制御装置から前記ノズルヘッドへの指令に反映させるための計測結果補正係数を算出し、
算出された前記計測結果補正係数を記憶する基板製造装置。
A stage for holding a substrate;
A stage moving mechanism for moving the stage between the imaging region and the drawing region along a linear guide;
An alignment camera that images the pattern on the stage when the stage is arranged in the imaging region;
A nozzle head that, when the stage is disposed in the drawing area, causes ink droplets to be ejected toward the substrate held on the stage and land the ink on the substrate;
A control device that transmits a command to eject ink to the nozzle head and controls the stage moving mechanism;
The controller is
In a state where a reference substrate on which an evaluation pattern is formed is held on the stage, a part of the evaluation pattern is imaged by the alignment camera in the imaging region to obtain a first measurement image,
In the imaging region, the stage is moved, and a part of the evaluation pattern different from the first measurement image is captured by the alignment camera to obtain a second measurement image,
Calculating a distance between at least two points of the evaluation pattern based on the first measurement image and the second measurement image;
Based on the distance between the two points calculated based on the first measurement image and the second measurement image, a measurement result correction coefficient for reflecting in the command from the control device to the nozzle head Calculate
A substrate manufacturing apparatus that stores the calculated measurement result correction coefficient.
前記制御装置は、前記第1の測定画像及び前記第2の測定画像を取得する前に、さらに、前記ステージの上に前記参照基板が載せられた状態で、前記描画領域において、前記ステージを移動させながら、前記ノズルヘッドから前記基板に向けてインクの液滴を吐出させることにより、前記参照基板に前記評価パターンを形成する請求項6に記載の基板製造装置。   The control device further moves the stage in the drawing area with the reference substrate placed on the stage before acquiring the first measurement image and the second measurement image. The substrate manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the evaluation pattern is formed on the reference substrate by discharging ink droplets from the nozzle head toward the substrate. 前記アライメントカメラで前記ステージ上のパターンを撮像するときの、前記参照基板から前記アライメントカメラまでの高さが、前記ノズルヘッドからインクを吐出するときの、前記参照基板から前記ノズルヘッドまでの高さより高い請求項6または7に記載の基板製造装置。   The height from the reference substrate to the alignment camera when imaging the pattern on the stage with the alignment camera is higher than the height from the reference substrate to the nozzle head when ink is ejected from the nozzle head. The board | substrate manufacturing apparatus of Claim 6 or 7 which is high. 前記制御装置は、
前記ステージに、薄膜を形成すべき基板が載せられた状態で、前記撮像領域において、前記アライメントカメラで撮像された前記基板上のアライメントマークの撮像結果を取得し、
前記アライメントマークの撮像結果に、前記計測結果補正係数を反映させて、前記基板の伸縮量を算出し、
前記基板に形成すべき薄膜パターンを定義する画像データに、前記基板の伸縮量の算出結果を反映させて、前記描画領域において、前記ノズルヘッドに、前記薄膜パターンを形成するための指令を送信する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の基板製造装置。
The controller is
In a state where a substrate on which a thin film is to be formed is placed on the stage, in the imaging region, obtain an imaging result of the alignment mark on the substrate imaged by the alignment camera,
Reflecting the measurement result correction coefficient in the imaging result of the alignment mark, calculating the expansion / contraction amount of the substrate,
Reflecting the calculation result of the expansion / contraction amount of the substrate in the image data defining the thin film pattern to be formed on the substrate, a command for forming the thin film pattern is transmitted to the nozzle head in the drawing region. The board | substrate manufacturing apparatus of any one of Claim 6 thru | or 8.
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