JP2014146830A

JP2014146830A - 熱処理方法

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Publication number: JP2014146830A
Application number: JP2014079471A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kato; 慎一加藤
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-04-08
Filing date: 2014-04-08
Publication date: 2014-08-14
Anticipated expiration: 2029-04-28
Also published as: JP5770880B2

Abstract

【課題】基板表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面にパターンを形成してボロン等の不純物（イオン）を注入する。そのシリコン基板の表面に炭素の薄膜を形成した後に、酸素雰囲気中にてフラッシュランプからフラッシュ光を照射する。フラッシュ光を吸収することによって炭素の薄膜が昇温し、薄膜が形成されていない場合に比較して不純物が注入されているシリコン基板の表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる。また、酸素雰囲気中にて炭素の薄膜が加熱されて酸化されることによって消費されるため、その後にアッシング処理等を行うことなく、通常のＳＰＭ洗浄やＡＰＭ洗浄のみによって炭素の残膜を除去することができる。
【選択図】図７

Description

本発明は、不純物（イオン）が注入された半導体ウェハー、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法に関する。

従来より、不純物注入後の半導体ウェハーの不純物活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーの不純物活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。

一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーの不純物活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等の不純物が熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。

このため、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献１，２）。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

特開２００４−５５８２１号公報特開２００４−８８０５２号公報

ところで、不純物が打ち込まれた半導体ウェハーの特性を示す代表的な指標としてシート抵抗値Ｒｓが用いられている。不純物の活性化によって半導体ウェハーの表面のシート抵抗値が低下し、一般にはシート抵抗値が低くなっているほど良好な不純物活性化処理がなされたとされる。このため、さらなるシート抵抗値の低下が望まれている。シート抵抗値をより低下させるためには、半導体ウェハーの表面の温度をより高温に昇温すれば良い。

しかしながら、フラッシュランプからのフラッシュ光照射によって半導体ウェハーの表面到達温度をより高温に昇温するためには、極めて短時間の間にさらに大きな照射エネルギーにてフラッシュ光を照射する必要があり、フラッシュランプやその駆動回路の負荷も大きなものとならざるを得ない。その結果、フラッシュランプの寿命が短くなるという問題も生じる。

また、半導体ウェハーの面内におけるフラッシュ光の強度分布は完全に均一ではなく、さらに半導体ウェハーの表面には微細なパターンが形成されているため、光吸収率の面内分布も均一ではない。その結果、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーの面内温度分布にもバラツキが発生していた。しかも、照射時間が極めて短いフラッシュ光の照射による加熱処理では、面内温度分布のバラツキを解消することは極めて困難である。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる熱処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、不純物が注入された基板の表面に炭素または炭素化合物の薄膜を形成する工程と、薄膜が形成された基板をチャンバー内に収容する工程と、前記チャンバーに前記基板を収容した後、フラッシュ光を照射する前に前記チャンバー内に酸素ガスを導入する工程と、前記チャンバーに収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して酸素雰囲気中にて前記基板を加熱し、前記薄膜を酸化させて気化させることによって消費する工程と、前記チャンバーから搬出された前記基板に洗浄処理を行って残留している前記薄膜を除去する工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記洗浄処理では、硫酸と過酸化水素水との混合液およびアンモニア水と過酸化水素水との混合液を用いることを特徴とする。

また、請求項３の発明では、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、フラッシュ光を照射する時点での前記チャンバー内の酸素濃度を９０％以上とすることを特徴とする。

本発明によれば、不純物が注入された基板の表面に炭素または炭素化合物の薄膜を形成し、その基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射するため、当該薄膜がフラッシュ光を吸収して昇温し、基板表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる。また、酸素雰囲気中にてフラッシュ光を照射して基板を加熱し、薄膜を酸化させて気化させることによって消費するため、その後に特別なアッシング処理等を行うことなく、通常の洗浄処理のみによって残留している薄膜を除去することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置のガス路を示す断面図である。保持部の構成を示す断面図である。ホットプレートを示す平面図である。図１の熱処理装置の構成を示す縦断面図である。制御部の構成を示すブロック図である。半導体ウェハーに対する処理フローの一部を示すフローチャートである。図１の熱処理装置における半導体ウェハーの処理手順を示すフローチャートである。シリコン基板の表面に炭素の薄膜を形成してなる半導体ウェハーの断面図である。炭素の薄膜が形成された半導体ウェハーにフラッシュ光が照射された状態を示す模式図である。チャージ電圧とシート抵抗値との相関関係を示す図である。炭素薄膜の膜厚低下のバラツキを模式的に示した図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。熱処理装置１は基板として略円形の半導体ウェハーＷにフラッシュ光（閃光）を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するランプアニール装置である。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と、を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６およびランプハウス５に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、ランプハウス５の下方に設けられており、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３、および、チャンバー側部６３の下部を覆うチャンバー底部６２によって構成される。また、チャンバー側部６３およびチャンバー底部６２によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。熱処理空間６５の上方は上部開口６０とされており、上部開口６０にはチャンバー窓６１が装着されて閉塞されている。

チャンバー６の天井部を構成するチャンバー窓６１は、石英により形成された円板形状部材であり、ランプハウス５から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。チャンバー６の本体を構成するチャンバー底部６２およびチャンバー側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部６３の内側面の上部のリング６３１は、光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。

また、熱処理空間６５の気密性を維持するために、チャンバー窓６１とチャンバー側部６３とはＯリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓６１の下面周縁部とチャンバー側部６３との間にＯリングを挟み込むとともに、クランプリング９０をチャンバー窓６１の上面周縁部に当接させ、そのクランプリング９０をチャンバー側部６３にネジ止めすることによって、チャンバー窓６１をＯリングに押し付けている。

チャンバー底部６２には、保持部７を貫通して半導体ウェハーＷをその下面（ランプハウス５からの光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバー６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。

チャンバー側部６３は、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ１８５により開閉可能とされる。チャンバー側部６３における搬送開口部６６とは反対側の部位には熱処理空間６５に処理ガスを導入するガス導入路８１が接続されている。ガス導入路８１の一端はチャンバー側部６３の内部に形成されるガス導入バッファ８３に接続され、他端はガス供給源８８に連通接続されている。ガス導入路８１の経路途中にはガスバルブ８２および流量調整弁８５が介挿されている。ガス供給源８８は、窒素ガス（Ｎ_２）、ヘリウムガス（Ｈｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）等の不活性ガス、または、酸素ガス（Ｏ_２）、アンモニアガス（ＮＨ_３）等の反応性ガスをガス導入路８１に送給する。ガス供給源８８は、これらのガスを択一的に、または、混合して処理ガスとして供給する。また、搬送開口部６６には熱処理空間６５内の気体を排出する排出路８６が形成され、ガスバルブ８７を介して図示省略の排気機構に接続される。

図２は、チャンバー６をガス導入バッファ８３の位置にて水平面で切断した断面図である。図２に示すように、ガス導入バッファ８３は、図１に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバー側部６３の内周の約１／３に亘って形成されている。ガスバルブ８２を開放することによって処理ガスはガス供給源８８からガス導入路８１に送給されてガス導入バッファ８３へと導かれ、複数のガス供給孔８４から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスの供給流量は流量調整弁８５によって定められる。また、ガスバルブ８７を開放することによって熱処理空間６５内の雰囲気は排出路８６から排気される。これによって、熱処理空間６５に図２の矢印ＡＲ４にて示すような処理ガスの気流が形成される。

図１に戻り、熱処理装置１は、チャンバー６の内部において半導体ウェハーＷを水平姿勢にて載置して保持しつつフラッシュ光照射前にその保持する半導体ウェハーＷの予備加熱を行う略円板状の保持部７と、保持部７をチャンバー６の底面であるチャンバー底部６２に対して昇降させる保持部昇降機構４と、を備える。図１に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される）、固定板４４、ボールネジ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバー６の下部であるチャンバー底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の下部開口６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、下部開口６４を挿通して、保持部７（厳密には保持部７のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。

移動板４２にはボールネジ４５と螺合するナット４６が固定されている。また、移動板４２は、チャンバー底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。

モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールネジ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールネジ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板４２に固定されたシャフト４１が鉛直方向に沿って移動し、シャフト４１に接続された保持部７が図１に示す半導体ウェハーＷの受渡位置と図５に示す半導体ウェハーＷの処理位置との間で滑らかに昇降する。

移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールネジ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ４５１の上端がボールネジ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７がチャンバー窓６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７とチャンバー窓６１との衝突が防止される。

また、保持部昇降機構４は、チャンバー６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールネジ４５を回転して保持部７の昇降を行うことができる。

チャンバー底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバー底部６２の下面に接続される。一方、ベローズ４７の下端はベローズ下端板４７１に取り付けられている。べローズ下端板４７１は、鍔状部材４１１によってシャフト４１にネジ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバー底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７が収縮され、下降する際にはべローズ４７が伸張される。そして、保持部７が昇降する際にも、ベローズ４７が伸縮することによって熱処理空間６５内の気密状態が維持される。

図３は、保持部７の構成を示す断面図である。保持部７は、半導体ウェハーＷよりも大きな径の略円板状を有する。保持部７は、半導体ウェハーＷを予備加熱（いわゆるアシスト加熱）するホットプレート（加熱プレート）７１、および、ホットプレート７１の上面（保持部７が半導体ウェハーＷを保持する側の面）に設置されるサセプタ７２を有する。保持部７の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。サセプタ７２は石英（あるいは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）等であってもよい）により形成され、その上面には半導体ウェハーＷの位置ずれを防止するピン７５が設けられる。サセプタ７２は、その下面をホットプレート７１の上面に面接触させてホットプレート７１上に設置される。これにより、サセプタ７２は、ホットプレート７１からの熱エネルギーを拡散してサセプタ７２上面に載置された半導体ウェハーＷに伝達するとともに、メンテナンス時にはホットプレート７１から取り外して洗浄可能とされる。

ホットプレート７１は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４にて構成される。上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。

図４は、ホットプレート７１を示す平面図である。図４に示すように、ホットプレート７１は、保持される半導体ウェハーＷと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に４等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には若干の間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿通される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１とゾーン７１２との隙間の周上に１２０°毎に設けられる。

６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線７６が周回するように配設されてヒータが個別に形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部７に保持された半導体ウェハーＷは、６つのゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられている。各センサ７１０は略円筒状のシャフト４１の内部を通り制御部３に接続される。

ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測される６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ(Proportional,Integral,Derivative)制御により行われる。ホットプレート７１では、半導体ウェハーＷの熱処理（複数の半導体ウェハーＷを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーＷの熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。

６つのゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通る電力線を介してプレート電源９８（図６参照）に接続されている。プレート電源９８から各ゾーンに至る経路途中において、プレート電源９８からの電力線は、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体を充填したステンレスチューブの内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト４１の内部は大気開放されている。

次に、ランプハウス５は、チャンバー６の上方に設けられている。ランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、ランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。ランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状部材である。ランプハウス５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３がチャンバー窓６１と相対向することとなる。ランプハウス５は、チャンバー６内にて保持部７に保持される半導体ウェハーＷにランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することにより半導体ウェハーＷを加熱する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面の平面エリアは少なくとも保持部７に保持される半導体ウェハーＷよりも大きい。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源９９（図６参照）のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を保持部７の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。このような粗面化加工を施しているのは、リフレクタ５２の表面が完全な鏡面であると、複数のフラッシュランプＦＬからの反射光の強度に規則パターンが生じて半導体ウェハーＷの表面温度分布の均一性が低下するためである。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。図６は、制御部３の構成を示すブロック図である。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ３１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ３２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ３３および制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク３４をバスライン３９に接続して構成されている。

また、バスライン３９には、チャンバー６内にて保持部７を昇降させる保持部昇降機構４のモータ４０、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源９９、チャンバー６内への処理ガスの給排を行うガスバルブ８２，８７、流量調整弁８５、搬送開口部６６を開閉するゲートバルブ１８５およびホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６への電力供給を行うプレート電源９８等が電気的に接続されている。制御部３のＣＰＵ３１は、磁気ディスク３４に格納された制御用ソフトウェアを実行することにより、これらの各動作機構を制御して、半導体ウェハーＷの加熱処理を進行する。

さらに、バスライン３９には、表示部３５および入力部３６が電気的に接続されている。表示部３５は、例えば液晶ディスプレイ等を用いて構成されており、処理結果やレシピ内容等の種々の情報を表示する。入力部３６は、例えばキーボードやマウス等を用いて構成されており、コマンドやパラメータ等の入力を受け付ける。装置のオペレータは、表示部３５に表示された内容を確認しつつ入力部３６からコマンドやパラメータ等の入力を行うことができる。なお、表示部３５と入力部３６とを一体化してタッチパネルとして構成するようにしても良い。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にフラッシュランプＦＬおよびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバー６およびランプハウス５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６のチャンバー側部６３およびチャンバー底部６２には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱するための気体供給管５５および排気管５６が設けられて空冷構造とされている（図１，５参照）。また、チャンバー窓６１とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、ランプハウス５およびチャンバー窓６１を冷却する。

次に、半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。図７は、半導体ウェハーＷに対する処理フローの一部を示すフローチャートである。まず、シリコン基板１１（図９参照）の表面にフォトリソグラフィー技術を用いてパターンを形成し、ソース・ドレイン領域にボロン（Ｂ）やヒ素（Ａｓ）等の不純物（イオン）を注入する（ステップＳ１）。不純物の注入はイオン打ち込み法によって実行される。

次に、不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素（Ｃ）の薄膜１２を形成する（ステップＳ２）。炭素の薄膜１２の形成には公知の種々の手法を採用することができ、例えばプラズマ蒸着によって形成するようにすれば良い。図９は、シリコン基板１１の表面に炭素の薄膜１２を形成してなる半導体ウェハーＷの断面図である。本実施形態においては、イオン打ち込み法によって不純物が注入されたシリコン基板１１の表面にプラズマ蒸着によってアモルファス炭素の薄膜１２を形成している。本実施形態においては、シリコン基板１１の表面に形成するアモルファス炭素の薄膜１２の膜厚ｔ（膜厚の初期値）を７０ｎｍとしている。

次に、炭素の薄膜１２が形成された半導体ウェハーＷに対して熱処理装置１による光照射熱処理が実行される（ステップＳ３）。熱処理装置１における半導体ウェハーＷの光照射熱処理についてはさらに後述する。

熱処理装置１での光照射熱処理が終了した半導体ウェハーＷには洗浄処理が行われる（ステップＳ４）。ここでの洗浄処理は、いわゆるＳＰＭ洗浄（硫酸と過酸化水素水との混合液を用いた洗浄）およびＡＰＭ洗浄（アンモニア水と過酸化水素水との混合液を用いた洗浄）である。この洗浄処理によってシリコン基板１１の表面から炭素の薄膜１２を完全に除去する。なお、本明細書において「半導体ウェハーＷ」は、表面に薄膜形成がなされていないシリコン基板１１および表面に薄膜１２が形成されたシリコン基板１１の双方を含む。

図８は、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。図８に示す半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することによって実行される。

まず、保持部７が図５に示す処理位置から図１に示す受渡位置に下降する（ステップＳ２０）。「処理位置」とは、フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに光照射が行われるときの保持部７の位置であり、図５に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。また、「受渡位置」とは、チャンバー６に半導体ウェハーＷの搬出入が行われるときの保持部７の位置であり、図１に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。熱処理装置１における保持部７の基準位置は処理位置であり、処理前にあっては保持部７は処理位置に位置しており、これが処理開始に際して受渡位置に下降するのである。

保持部７はチャンバー６に固定設置された支持ピン７０に対して昇降するものであり、図１に示すように、保持部７が受渡位置にまで下降するとチャンバー底部６２に近接し、支持ピン７０の先端が保持部７を貫通して保持部７の上方に突出する。

次に、保持部７が受渡位置に下降した後、ガスバルブ８２が開かれてガス供給源８８からチャンバー６の熱処理空間６５内に不活性ガス（本実施形態では、窒素ガス）が供給される。それと同時に、ガスバルブ８７が開かれて熱処理空間６５内の気体が排気される（ステップＳ２１）。チャンバー６に供給された窒素ガスは、熱処理空間６５においてガス導入バッファ８３から図２中に示す矢印ＡＲ４の方向へと流れ、排出路８６およびガスバルブ８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー６に供給された窒素ガスの一部は、べローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して表面に炭素の薄膜１２が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入され、複数の支持ピン７０上に載置される（ステップＳ２２）。半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されると、ゲートバルブ１８５により搬送開口部６６が閉鎖される。そして、保持部昇降機構４により保持部７が受渡位置からチャンバー窓６１に近接した処理位置にまで上昇する（ステップＳ２３）。保持部７が受渡位置から上昇する過程において、半導体ウェハーＷは支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２の上面に載置・保持される。保持部７が処理位置にまで上昇するとサセプタ７２に保持された半導体ウェハーＷも処理位置に保持されることとなる。

ホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれは、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に内蔵されたヒータ（抵抗加熱線７６）により所定の温度まで加熱されている。保持部７が処理位置まで上昇して半導体ウェハーＷが保持部７と接触することにより、その半導体ウェハーＷはホットプレート７１に内蔵されたヒータによって予備加熱されて温度が次第に上昇する（ステップＳ２４）。

この処理位置にて約６０秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーＷの温度が予め設定された予備加熱温度Ｔ１まで上昇する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし６００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。また、保持部７とチャンバー窓６１との間の距離は、保持部昇降機構４のモータ４０の回転量を制御することにより任意に調整することが可能とされている。

また、処理位置にて半導体ウェハーＷの予備加熱が行われるのと並行して、チャンバー６の熱処理空間６５に酸素ガスが導入される（ステップＳ２５）。すなわち、ガス供給源８８からガス導入路８１を経由して熱処理空間６５に酸素ガスが供給される。このときに、酸素ガスのみを供給しても良いし、酸素ガスを窒素ガスに混合した混合ガスとして供給するようにしても良い。ガス供給源８８から熱処理空間６５に供給される酸素ガスの流量は制御部３がガスバルブ８２および流量調整弁８５を制御することによって調整される。本実施形態においては、ステップＳ２５の酸素ガス供給によって、チャンバー６内の熱処理空間６５の酸素濃度が９０％以上とされる。

約６０秒間の予備加熱時間が経過し、チャンバー６内の酸素濃度が９０％以上となった後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御によりランプハウス５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射される（ステップＳ２６）。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内の保持部７へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからの閃光照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。

すなわち、ランプハウス５のフラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度（正確には炭素の薄膜１２の表面温度）は、瞬間的に処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

図１０は、炭素の薄膜１２が形成された半導体ウェハーＷにフラッシュ光が照射された状態を示す模式図である。表面に形成する炭素の薄膜１２の膜厚が厚くなるにしたがって半導体ウェハーＷの表面反射率が低下し、本実施形態の膜厚７０ｎｍでは約６０％程度となる。表面反射率の低下は、半導体ウェハーＷのフラッシュ光吸収率の上昇、より具体的には炭素の薄膜１２のフラッシュ光吸収率が増大していることを意味している。なお、キセノンフラッシュランプＦＬからのフラッシュ光の放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、シリコン基板１１をほとんど透過しない。

炭素の薄膜１２の膜厚増加に伴う半導体ウェハーＷの表面反射率の低下は、膜厚が厚くなるにしたがって薄膜１２自体のフラッシュ光吸収率が高まることによるものである。すなわち、炭素の薄膜１２がある程度以上に厚くなると、図１０の矢印ＡＲ１０にて示すように照射されたフラッシュ光の一部が薄膜１２に吸収される。その吸収率は薄膜１２の膜厚が厚くなるほど大きくなる。フラッシュ光を吸収した炭素の薄膜１２の表面では熱が発生し、その熱が矢印ＡＲ１１にて示すようにシリコン基板１１の表面に伝導する。

このように、ある一定以上の膜厚を有する炭素の薄膜１２は光吸収膜として機能し、半導体ウェハーＷのフラッシュ光吸収率を高める。そして、半導体ウェハーＷのフラッシュ光吸収率が高まった結果、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーＷの表面到達温度（厳密には不純物が注入されているシリコン基板１１の表面到達温度）は薄膜１２が形成されていないときよりも上昇し、より良好な不純物の活性化処理が行われることとなる。

図１１は、チャージ電圧とシート抵抗値との相関関係を示す図である。横軸に示すチャージ電圧は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源９９（図６参照）のコンデンサに印加する電圧であり、フラッシュランプＦＬから出射されるフラッシュ光のエネルギーの大きさを示す指標である。縦軸に示すシート抵抗値Ｒｓは、不純物の活性化の程度を示す指標であり、シート抵抗値が低いほど半導体ウェハーＷの表面が高温に加熱されて良好な不純物の活性化処理が行われたことを示している。また、図１１において、実線で示すのは炭素の薄膜１２を形成した本実施形態の半導体ウェハーＷについての相関関係であり、点線にて示すのは炭素の薄膜１２を形成していない半導体ウェハーについての相関関係である。

同図に示すように、同じチャージ電圧であれば、炭素の薄膜１２を形成した場合の方がよりシート抵抗値が低く、すなわち半導体ウェハーＷの表面がより高温に昇温することとなる。シート抵抗値の差異はチャージ電圧が低い場合において特に顕著であり、本実施形態のように炭素の薄膜１２を形成した半導体ウェハーＷであれば低いチャージ電圧であっても十分に低いシート抵抗値を得ることができる。すなわち、半導体ウェハーＷの表面に炭素の薄膜１２を形成すれば、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光のエネルギーが比較的小さかったとしても表面温度をより高温に昇温させてシート抵抗値を低下させることができるのである。

また、図１０に示すように、フラッシュランプＦＬから照射されたフラッシュ光は均一に形成された炭素の薄膜１２に一旦吸収されて薄膜１２に熱が発生し、その熱が矢印ＡＲ１１のようにシリコン基板１１の表面に伝導することとなる。このため、シリコン基板１１の表面にパターン形成にともなう吸収率のバラツキが存在していたとしても、薄膜１２が形成されていない場合と比較して吸収率のバラツキは緩和され、不純物が注入されているシリコン基板１１の表面は均一に加熱されることとなる。

また、本実施形態においては、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度を９０％以上としている。このため、フラッシュ光照射によって加熱された薄膜１２の炭素と酸素とが反応して二酸化炭素（ＣＯ_２）または一酸化炭素（ＣＯ）が生成される。これによって薄膜１２の炭素が気化されて消費され、薄膜１２の膜厚が低下する。すなわち、フラッシュ光照射時に炭素の薄膜１２を光吸収膜として機能させると同時に、チャンバー６内に酸素を導入することによって炭素の薄膜１２の剥離処理をも行っているのである。なお、生成した炭素の酸化物は気体であるため、チャンバー６内の雰囲気ガスとともに排出路８６およびガスバルブ８７を介して熱処理装置１の外部へと排気される。

フラッシュ光照射時に炭素が消費されて薄膜１２の膜厚が低下するレートは半導体ウェハーＷの面内において均一ではない。すなわち、フラッシュランプＦＬからランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介して熱処理空間６５に照射されるフラッシュ光の強度も必ずしも均一ではなく、半導体ウェハーＷの面内において強度分布にバラツキが生じている。このため、薄膜１２の面内温度分布にもバラツキが生じた結果、膜厚低下レートが不均一となるのである。

図１２は、炭素薄膜１２の膜厚低下のバラツキを模式的に示した図である。フラッシュランプＦＬからランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介して熱処理空間６５に照射されるフラッシュ光に、矢印ＡＲ１２にて示すような強度の弱いフラッシュ光と矢印ＡＲ１３にて示すような強度の強いフラッシュ光とが含まれているとする。この場合、炭素の薄膜１２の表面のうち弱いフラッシュ光によって照射された領域よりも強いフラッシュ光によって照射された領域の方が高温に加熱される。その結果、弱いフラッシュ光によって照射された領域よりも強いフラッシュ光によって照射された領域の方が周辺雰囲気の酸素との反応が活性化され、膜厚低下レートも大きくなり、炭素の薄膜１２の膜厚が図１２に示すように不均一となる。

炭素の薄膜１２のフラッシュ光吸収率は膜厚に依存しており、膜厚が厚いほど吸収率も大きくなる。よって、上記のようにして薄膜１２の膜厚が不均一となった結果、強いフラッシュ光によって照射された領域よりも弱いフラッシュ光によって照射された領域の方が残存膜厚が大きくなってフラッシュ光吸収率が大きくなる。照射されるフラッシュ光の強度が強い領域ほど薄膜１２の膜厚が薄くなってフラッシュ光吸収率が小さくなり、その結果当該領域の表面温度が低下することとなり、薄膜１２全体としては面内温度分布が均一となるのである。すなわち、フラッシュ光の強度差によって生じた薄膜１２の膜厚の不均一性が面内温度分布のバラツキを解消するように作用するのである。薄膜１２全体としての面内温度分布が均一となれば、不純物が注入されているシリコン基板１１の表面も均一に加熱されることとなる。

フラッシュ加熱が終了して所定時間（数秒）が経過した時点で再びガス供給源８８から熱処理空間６５に窒素ガスを供給するとともに、排出路８６から熱処理空間６５内の酸素ガスを含む気体を排気する。これによって、チャンバー６内の雰囲気が窒素ガスに置換される（ステップＳ２７）。

その後、保持部７が保持部昇降機構４により再び図１に示す受渡位置まで下降し、半導体ウェハーＷが保持部７から支持ピン７０へと渡される（ステップＳ２８）。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷは装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理（アニール処理）が完了する（ステップＳ２９）。

以上のように、本実施形態においては、半導体ウェハーＷの表面に炭素の薄膜１２を形成することによってその炭素薄膜１２にフラッシュ光を吸収させている。フラッシュ光を吸収することによって炭素の薄膜１２が昇温し、薄膜１２が形成されていない場合に比較して不純物が注入されているシリコン基板１１の表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる。

特に、半導体ウェハーＷの表面に炭素の薄膜１２を形成すれば、図１１に示すように、低いチャージ電圧であっても十分に低いシート抵抗値を得ることができる。従って、フラッシュランプＦＬおよびランプ電源９９の負荷を増大させることなく、低いシート抵抗値を実現することができる。

また、チャンバー６内の酸素濃度を９０％以上とし、炭素の薄膜１２が形成された半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射しているため、加熱された薄膜１２の炭素が酸化されて気化することにより消費される。これによって、フラッシュ加熱時に炭素の薄膜１２の剥離処理が進行することとなり、続く洗浄処理工程（ステップＳ４）において通常のＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄のみによって炭素の残膜を除去することができる。チャンバー６内に酸素ガスを導入することなくフラッシュ光を照射した場合には、薄膜１２の炭素が消費されないためフラッシュ加熱後も当初の膜厚が概ねそのまま維持される。この場合、通常のＳＰＭ洗浄やＡＰＭ洗浄のみでは十分に薄膜１２を除去することができず、ステップＳ４の洗浄処理工程の前に別途アッシング処理工程を行う必要がある。本実施形態のように、チャンバー６内に酸素ガスを導入してフラッシュ光照射時点での酸素濃度を９０％以上とすれば、フラッシュ光照射によって薄膜１２の剥離処理をも同時に行うことができ、アッシング処理工程を省略して通常の洗浄処理のみによって残膜を確実に除去することができる。なお、フラッシュ光照射時に炭素の薄膜１２の全てが気化することは無く、残膜はシリコン基板１１の表面の酸化防止膜としても機能することとなる。

さらに、本実施形態においては、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光にバラツキがある場合には薄膜１２の膜厚低下レートにもバラツキが生じて膜厚が不均一となるのであるが、その不均一性が半導体ウェハーＷの面内温度分布のバラツキを解消するように作用する。すなわち、照射されるフラッシュ光の強度が強い領域ほど炭素の薄膜１２の膜厚が薄くなってフラッシュ光吸収率が小さくなり、その結果当該領域の表面温度が低下することとなり、半導体ウェハーＷの表面全体としては面内温度分布が均一となるのである。

ところで、炭素の薄膜１２を形成した半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理を行った際に、チャンバー６の内部に炭素系の汚染が付着することがある。このような汚染が発生した場合には、チャンバー６内に半導体ウェハーＷを収容することなく、チャンバー６内に酸素ガスを導入して酸素濃度を９０％以上とし、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する。すなわち、チャンバー６内の酸素濃度を９０％以上として空フラッシュ処理を行うのである。このような空フラッシュ処理も半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理と同様に、制御部３が熱処理装置１の各動作機構（ガスバルブ８２，８７、流量調整弁８５およびランプ電源９９等）を制御することによって実行される。チャンバー６内に半導体ウェハーＷを収容することなく、チャンバー６内の酸素濃度を９０％以上としてフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することにより、炭素系の汚染物質は酸化されて取り除かれる。すなわち、チャンバー６内の酸素濃度を９０％以上として空フラッシュ処理を行うことにより、チャンバー６内のクリーニング処理を実行しているのである。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、不純物が注入されたシリコン基板１１の表面にアモルファス炭素の薄膜１２を形成していたが、アモルファス炭素に代えて結晶構造を有する炭素（例えば、グラファイト）にて薄膜１２を形成するようにしても良い。結晶構造を有する炭素にて薄膜１２を形成するようにしても上記実施形態と同様の効果を得ることができる。もっとも、アモルファス炭素にて薄膜１２を形成するようにした方がフラッシュ加熱時に酸化されやすく薄膜１２の剥離処理が進行しやすい。

また、炭素化合物にて薄膜１２を形成するようにしても良い。光吸収膜としての薄膜１２を形成するのに適した炭素化合物としては、特に有機化合物が挙げられ、炭素と水素、或いはそれらに加えて酸素を含む化合物が好適である。すなわち、不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素または炭素化合物の薄膜１２を形成する形態であれば良い。

また、上記実施形態においては、シリコン基板１１の表面に形成するアモルファス炭素の薄膜１２の膜厚ｔを７０ｎｍとしていたが、これに限定されるものではなく、少なくとも膜厚ｔが２０ｎｍ以上の炭素または炭素化合物の薄膜１２が形成されていれば光吸収膜としての効果を得ることができる。もっとも、薄膜１２のフラッシュ光吸収率は、薄膜１２の膜厚が厚いほど大きくなるため、フラッシュ光を吸収してシリコン基板１１の表面をより効果的に昇温するためには薄膜１２の膜厚ｔが７０ｎｍ以上であることが好ましい。一方、薄膜１２の膜厚ｔが２８０ｎｍを超えて厚くなったとしても光吸収膜としての昇温効果に大きな変化が無く、むしろフラッシュ加熱後の残膜の厚さが厚くなってその後の洗浄処理のみでは十分に除去できなくなるおそれがある。よって、シリコン基板１１の表面に形成する炭素または炭素化合物の薄膜１２の好適な膜厚ｔは７０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下である。

また、上記実施形態においては、フラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度を９０％以上としていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷの周辺に僅かでも酸素ガスが存在していれば、薄膜１２の炭素を酸化して剥離する効果が得られる。もっとも、薄膜１２の十分な剥離効果を得るとともに、フラッシュ光の強度分布のバラツキに起因した面内温度分布の不均一を解消する効果を得るためにはフラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度が高いほど好ましく、特に酸素濃度を９０％以上とするのが好ましい。チャンバー６内の酸素濃度が９０％以上であれば、フラッシュ光を照射したときにチャンバー６の内部に炭素系の汚染が付着するのを防止することもできる。

一方、より低いシート抵抗値を得るという観点からはフラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度が低い方が好ましい。但し、有効な薄膜１２の剥離効果、チャンバー６の内部への汚染付着防止効果および面内温度分布の不均一を解消する効果を得るためには、フラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度が大気中の酸素濃度よりも高い、すなわち酸素濃度を２１％以上とするのが望ましい。従って、フラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度については、要求されるシート抵抗値、面内温度分布の均一性、薄膜１２の剥離効果等のバランスを勘案して２１％以上１００％以下の間の任意と値とすることができる。なお、単に低いシート抵抗値を得るためだけであれば、チャンバー６の内部に酸素ガスを導入することなく（例えば、チャンバー６の内部を窒素雰囲気として）、表面に炭素の薄膜１２を形成した半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射するようにしても良い。

また、チャンバー６内に酸素ガスを導入するタイミングは図８の例に限定されるものではなく、予備加熱よりも前から導入するようにしていても良い。すなわち、フラッシュ光を照射する時点でのチャンバー６内の酸素濃度が所定値となるのであれば、チャンバー６内に酸素ガスを導入するタイミングは任意である。

また、上記実施形態においては、ランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。

また、上記実施形態においては、ホットプレート７１を含む保持部７からの伝熱によって半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、チャンバー６の底部にハロゲンランプを設け、そのハロゲンランプからの光照射によって半導体ウェハーＷの予備加熱を行うようにしても良い。

また、本発明に係る技術は、シリコン膜が形成されたガラス基板に対して適用することもできる。

１熱処理装置
３制御部
４保持部昇降機構
５ランプハウス
６チャンバー
７保持部
１１シリコン基板
１２薄膜
６０上部開口
６１チャンバー窓
６５熱処理空間
７１ホットプレート
７２サセプタ
８１ガス導入路
８２，８７ガスバルブ
８５流量調整弁
８８ガス供給源
９９ランプ電源
ＦＬフラッシュランプ
Ｗ半導体ウェハー

Claims

不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
不純物が注入された基板の表面に炭素または炭素化合物の薄膜を形成する工程と、
薄膜が形成された基板をチャンバー内に収容する工程と、
前記チャンバーに前記基板を収容した後、フラッシュ光を照射する前に前記チャンバー内に酸素ガスを導入する工程と、
前記チャンバーに収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して酸素雰囲気中にて前記基板を加熱し、前記薄膜を酸化させて気化させることによって消費する工程と、
前記チャンバーから搬出された前記基板に洗浄処理を行って残留している前記薄膜を除去する工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
請求項１記載の熱処理方法において、
前記洗浄処理では、硫酸と過酸化水素水との混合液およびアンモニア水と過酸化水素水との混合液を用いることを特徴とする熱処理方法。
請求項１または請求項２に記載の熱処理方法において、
フラッシュ光を照射する時点での前記チャンバー内の酸素濃度を９０％以上とすることを特徴とする熱処理方法。