JP2014146478A - Planar heater and device including the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar heater that is thin and includes a graphene film following a shape required for a device, and a device including the planar heater.SOLUTION: There is provided a planar heater that comprises: a first base material 1; a graphene film 3 disposed on the first base material 1; and an electrode 11. In the planar heater, the graphene film 3 has a thickness of 0.3 nm or more and 7.2 nm or less, and a sheet resistance of 1.0 kΩ/square or more and 24.0 kΩ/square or less. The planar heater further may include a second base material disposed on the graphene film 3.

Description

本発明は、面状ヒータ及びそれを用いたデバイスに関する。特に、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えた面状ヒータ及びそれを用いたデバイスに関する。 The present invention relates to a planar heater and a device using the same. In particular, the present invention relates to a planar heater including a graphene film that follows a shape required for a device and a device using the planar heater.

グラフェン膜はSP結合した炭素原子による平面状の結晶性炭素膜であり、高い光透過率と電気伝導性のため、多岐にわたる工業的な利用が期待されている。これまで、グラフェン膜の利用例として、透明導電膜や透明電極が数多く報告されている。また、最近、グラフェン膜を発熱体として用いる例も報告されている。これまで、透明フィルムヒータの発熱体はITOや金属ナノワイヤーが主に用いられていたが、応答速度が高いヒータを作製するためには、発熱体自身の厚みを小さくする必要があった。グラフェンはこの課題を解決できる材料の一つである。 The graphene film is a planar crystalline carbon film with SP 2 bonded carbon atoms, and is expected to be used in various industrial applications due to its high light transmittance and electrical conductivity. So far, many transparent conductive films and transparent electrodes have been reported as examples of using graphene films. Recently, an example of using a graphene film as a heating element has been reported. So far, ITO and metal nanowires have been mainly used as the heating element of the transparent film heater. However, in order to produce a heater having a high response speed, it is necessary to reduce the thickness of the heating element itself. Graphene is one of the materials that can solve this problem.

例えば、特許文献1には、グラフェンからなる第1領域と、第1領域で囲まれるとともに第1領域よりも光透過率の高い空隙、酸化グラフェン、透明ポリマー材料および無機材料のうち少なくとも1種類からなる第2領域とを含む1層の第1の導電性グラフェンシートをガラス基板等の2枚の透明基材で挟んだヒータが記載されている。しかし、特許文献1では、導電性グラフェンシート全体の透過率は、透過率の異なる2つの領域の割合で規定されるため、ヒータの発熱体のような高抵抗のグラフェンシートを形成しようとすると透過率のむらが生じる。また、特許文献1に記載された導電性グラフェンシート被覆率とシート抵抗の関係から、高抵抗のグラフェンシートを形成しようとすると被覆率を低くする必要があり、発熱面全体での発熱効率が低下してしまう。 For example, Patent Document 1 includes a first region made of graphene, and at least one of a void surrounded by the first region and having higher light transmittance than the first region, graphene oxide, a transparent polymer material, and an inorganic material. The heater which pinched | interposed the 1st layer of 1st electroconductive graphene sheet containing the 2nd area | region which consists of two transparent base materials, such as a glass substrate, is described. However, in Patent Document 1, the transmittance of the entire conductive graphene sheet is defined by the ratio of two regions having different transmittances. Therefore, when a high-resistance graphene sheet such as a heating element of a heater is formed, transmission is performed. Unevenness of rate occurs. In addition, from the relationship between the conductive graphene sheet coverage and the sheet resistance described in Patent Document 1, it is necessary to reduce the coverage when attempting to form a high-resistance graphene sheet, and the heat generation efficiency on the entire heat generation surface is reduced. Resulting in.

また、特許文献2には、透明基材上に形成したグラフェン膜をエッチングした熱線を車両のフロントガラス、側面ガラス、リアガラス、サイドミラー、建築用ガラスや鏡など基板に配置して、霜や湿気を除去するヒータが記載されている。しかし、特許文献2は、従来の熱線をグラフェンで代替したに過ぎず、また、グラフェンに要求される性能についての記載はない。また、配線を配置したヒータであるため、発熱面での温度分布が均一となりにくい。何れの先行技術も平面的な基板に適用するもので、フィルムヒータの用途範囲が大きく限定される。 Further, in Patent Document 2, heat rays etched from a graphene film formed on a transparent substrate are arranged on a substrate such as a vehicle windshield, side glass, rear glass, side mirror, architectural glass, or mirror, and frost or moisture. A heater that removes water is described. However, Patent Document 2 merely replaces the conventional heat ray with graphene, and does not describe the performance required for graphene. Moreover, since the heater is provided with wiring, the temperature distribution on the heat generation surface is difficult to be uniform. Any of the prior arts is applied to a planar substrate, and the application range of the film heater is greatly limited.

特開2012−216497号公報JP 2012-216497 A 韓国特許登録第101147252号Korean Patent Registration No. 101147252

本発明は、上述の問題を解決するものであって、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えた面状ヒータ及びそれを用いたデバイスを提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described problems, and an object thereof is to provide a planar heater having a thin graphene film that follows a shape required for a device and a device using the same. .

本発明の一実施形態によると、第1の基材と、前記第1の基材上に配設されたグラフェン膜と、電極とを備え、前記グラフェン膜は、厚みが0.3 nm以上7.2 nm以下であり、シート抵抗が1.0 kΩ/□以上24.0 kΩ/□以下である面状ヒータが提供される。 According to an embodiment of the present invention, a first base material, a graphene film disposed on the first base material, and an electrode are provided, and the graphene film has a thickness of 0.3 nm or more 7 A planar heater having a sheet resistance of 1.0 kΩ / □ or more and 24.0 kΩ / □ or less is provided.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜上に配設された第2の基材をさらに備えてもよい。 The planar heater may further include a second base material disposed on the graphene film.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜に5V以上40V以下の電圧を印加したときに、10℃以上35℃以下の昇温温度を与え、消費電力が300 W/m以上870 W/m以下であってもよい。 In the planar heater, when a voltage of 5 V or more and 40 V or less is applied to the graphene film, a temperature rise temperature of 10 ° C. or more and 35 ° C. or less is applied, and power consumption is 300 W / m 2 or more and 870 W / m 2 or less. It may be.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜は、グラフェンが4層以上12層以下積層していてもよい。 In the planar heater, the graphene film may be formed by stacking 4 to 12 layers of graphene.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜の膜厚と前記第1の基材との膜厚の合計が100 μm以下であってもよい。 In the planar heater, a total thickness of the graphene film and the first substrate may be 100 μm or less.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜の膜厚と前記第1の基材及び/又は前記第2の基材の膜厚の合計が200 μm以下であってもよい。 In the planar heater, a total thickness of the graphene film and the first base material and / or the second base material may be 200 μm or less.

前記面状ヒータにおいて、前記グラフェン膜はマイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法または酸化グラフェンを還元する方法により形成されてもよい。 In the planar heater, the graphene film may be formed by a microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method or a method of reducing graphene oxide.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材が透明基材であり、60%以上の透過率を備えていてもよい。 In the planar heater, the first base material may be a transparent base material and may have a transmittance of 60% or more.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材がダイヤモンド薄膜であってもよい。 In the planar heater, the first base material may be a diamond thin film.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材及び前記第2の基材が透明基材であり、50%以上の透過率を備えていてもよい。 In the planar heater, the first base material and the second base material may be transparent base materials and may have a transmittance of 50% or more.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材及び/又は前記第2の基材がダイヤモンド薄膜であってもよい。 In the planar heater, the first base material and / or the second base material may be a diamond thin film.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材が可撓性を有してもよい。 In the planar heater, the first base material may have flexibility.

前記面状ヒータにおいて、前記第1の基材及び/又は前記第2の基材が可撓性を有してもよい。 In the planar heater, the first base material and / or the second base material may have flexibility.

また、本発明の一実施形態によると、前記何れかに記載の面状ヒータを備えるデバイスが提供される。 Moreover, according to one Embodiment of this invention, the device provided with the planar heater in any one of the said is provided.

本発明によると、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えた面状ヒータ及びそれを用いたデバイスが提供される。また、低消費電力で駆動する面ヒータを提供することができる。本発明に係る面状ヒータは、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えるため、様々な形状のデバイスに配設することができる。 According to the present invention, a planar heater including a thin graphene film that follows a shape required for a device and a device using the same are provided. In addition, a surface heater that can be driven with low power consumption can be provided. The planar heater according to the present invention is thin and includes a graphene film that follows the shape required for the device, and thus can be disposed in devices having various shapes.

本発明の一実施形態に係る面状ヒータ10を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing sheet heater 10 concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る面状ヒータ20を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing sheet heater 20 concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る面状ヒータ10の製造方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the planar heater 10 which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る面状ヒータ10の製造方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the planar heater 10 which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るデバイス100の模式図である。It is a mimetic diagram of device 100 concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るグラフェン膜の成膜装置1000を示す模式図である。1 is a schematic diagram illustrating a graphene film forming apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係る面状ヒータ200の模式図である。It is a schematic diagram of the planar heater 200 which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係るグラフェン膜3のラマンスペクトルである。It is a Raman spectrum of the graphene film 3 which concerns on one Example of this invention. 従来の熱CVD法により成膜したグラフェン膜のラマンスペクトルである。It is a Raman spectrum of the graphene film | membrane formed into a film by the conventional thermal CVD method. 本発明の一実施例に係る面状ヒータ400の模式図である。It is a schematic diagram of the planar heater 400 which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る調光・色変換デバイス500の模式図である。It is a schematic diagram of the light control and color conversion device 500 which concerns on one Example of this invention.

上述したように、これまでに知られたグラフェン膜を発熱体として用いるヒータは、透過率を確保するために、何らかのパターンニングを要し、十分な発熱効率や発熱面での温度分布の均一性を確保するのは困難であった。本発明者らは、鋭意検討した結果、高抵抗のグラフェン膜を発熱体として用いることによりこれらの問題を解決可能であることを見出し、本発明を完成させた。 As described above, a heater using a graphene film known so far as a heating element requires some patterning in order to ensure transmittance, and sufficient heating efficiency and uniformity of temperature distribution on the heating surface. It was difficult to ensure. As a result of intensive studies, the present inventors have found that these problems can be solved by using a high-resistance graphene film as a heating element, and have completed the present invention.

以下、図面を参照して本発明に係る面状ヒータ及びそれを用いたデバイスについて説明する。但し、本発明の面状ヒータ及びそれを用いたデバイスは、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態及び実施例で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, a planar heater and a device using the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the planar heater and the device using the same according to the present invention are not construed as being limited to the description of the following embodiments and examples. Note that in the drawings referred to in this embodiment mode and examples, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

図1は、本発明の一実施形態に係る面状ヒータ10を示す模式図である。本発明に係る面状ヒータ10は、基材1(第1の基材)と、基材1上に配設されたグラフェン膜3とを備える。また、グラフェン膜3には、電極11が配設される。電極11を配設する位置は特に限定されるものではないが、グラフェン膜3の端部であることが好ましい。本発明において、基材1は、透明な部材や光透過性の高い部材であっても良いが、特にこれに限定されず、光を透過しない部材であってもよい。また、基材1は、可撓性を有する部材であってもよく、高い剛性を有する部材であってもよい。例えば、ガラス、シリコン、サファイア、ナノ結晶ダイヤモンド薄膜、金属等の無機材料や、フェノール樹脂(PF)、エポキシ樹脂(EP)、メラミン樹脂(MF)、尿素樹脂(ユリア樹脂、UF)、不飽和ポリエステル樹脂(UP)、アルキド樹脂、ポリウレタン(PUR)、熱硬化性ポリイミド(PI)、ポリエチレン(PE)、高密度ポリエチレン(HDPE)、中密度ポリエチレン(MDPE)、低密度ポリエチレン(LDPE)、ポリプロピレン(PP)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン(PS)、ポリ酢酸ビニル(PVAc)、テフロン(登録商標)(ポリテトラフルオロエチレン、PTFE)、ABS樹脂(アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂)、AS樹脂、アクリル樹脂(PMMA)、ポリアミド(PA)、ナイロン、ポリアセタール(POM)、ポリカーボネート(PC)、変性ポリフェニレンエーテル(m−PPE、変性PPE、PPO)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、グラスファイバー強化ポリエチレンテレフタレート(GF−PET)、環状ポリオレフィン(COP)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリフェニルサルファイド(PPS)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の有機材料を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、基材1又は基材5に、金、銀、銅、チタン、ニッケル、アルミニウム、鉄、モリブデン、コバルト、イリジウム等の金属、又は、ステンレス、ニッケルクロム等の合金を用いると、本発明に係るグラフェン膜3を直接合成することができる。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a planar heater 10 according to an embodiment of the present invention. A planar heater 10 according to the present invention includes a base material 1 (first base material) and a graphene film 3 disposed on the base material 1. An electrode 11 is provided on the graphene film 3. The position where the electrode 11 is disposed is not particularly limited, but is preferably an end portion of the graphene film 3. In the present invention, the substrate 1 may be a transparent member or a highly light transmissive member, but is not particularly limited thereto, and may be a member that does not transmit light. Moreover, the base material 1 may be a member having flexibility or a member having high rigidity. For example, inorganic materials such as glass, silicon, sapphire, nanocrystalline diamond thin film, metal, phenol resin (PF), epoxy resin (EP), melamine resin (MF), urea resin (urea resin, UF), unsaturated polyester Resin (UP), alkyd resin, polyurethane (PUR), thermosetting polyimide (PI), polyethylene (PE), high density polyethylene (HDPE), medium density polyethylene (MDPE), low density polyethylene (LDPE), polypropylene (PP ), Polyvinyl chloride (PVC), polyvinylidene chloride, polystyrene (PS), polyvinyl acetate (PVAc), Teflon (registered trademark) (polytetrafluoroethylene, PTFE), ABS resin (acrylonitrile butadiene styrene resin), AS resin , Acrylic resin (PMMA , Polyamide (PA), nylon, polyacetal (POM), polycarbonate (PC), modified polyphenylene ether (m-PPE, modified PPE, PPO), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene terephthalate (PET), glass fiber reinforced polyethylene terephthalate Organic materials such as (GF-PET), cyclic polyolefin (COP), polydimethylsiloxane (PDMS), polyphenyl sulfide (PPS), polyethersulfone (PES), and polyethylene naphthalate (PEN) can be used. However, it is not limited to these. Further, when a metal such as gold, silver, copper, titanium, nickel, aluminum, iron, molybdenum, cobalt, iridium, or an alloy such as stainless steel or nickel chrome is used for the base material 1 or the base material 5, the present invention is used. Such graphene film 3 can be directly synthesized.

面状ヒータに用いることから、基材1は、熱伝導性が高い材料で形成されることが好ましい。また、上述したような樹脂を用いた場合には、基材1は、適用するデバイスに要求される所定の熱伝導性を実現可能な厚みで形成される。ここで、基材1の厚みは、用いる材料と、要求される熱伝導性に応じて任意に設定可能である。基材1上に配設したグラフェン膜3を他の部材に貼り付けて用いる場合、グラフェン膜3を保護するに必要な強度を確保可能な範囲で基材1を薄くすることもできる。一実施形態において、面状ヒータ10は、グラフェン膜3の膜厚と基材1との膜厚の合計が100 μm以下である。 Since it uses for a planar heater, it is preferable that the base material 1 is formed with a material with high heat conductivity. Further, when the resin as described above is used, the base material 1 is formed with a thickness that can realize the predetermined thermal conductivity required for the device to be applied. Here, the thickness of the base material 1 can be arbitrarily set according to the material to be used and the required thermal conductivity. When the graphene film 3 disposed on the base material 1 is attached to another member and used, the base material 1 can be made thin as long as the strength necessary to protect the graphene film 3 can be secured. In one embodiment, the planar heater 10 has a total thickness of the graphene film 3 and the substrate 1 of 100 μm or less.

本実施形態に係る面状ヒータ10において、グラフェン膜3は均一な厚みで基材1上に配設されることが好ましい。一実施形態において、グラフェン膜3は、厚みが0.3 nm以上7.2 nm以下であり、好ましくは、1.2 nm以上3.6 nm以下である。厚みが0.3 nmより薄いと十分な発熱量を得ることが困難である可能性がある。また、厚みが7.2 nmを超えると、面状ヒータに十分な光透過性を付与するのが困難となる。グラフェン膜3の厚みが均一であれば、面状ヒータ10の発熱面全体での温度分布の均一性を得ることができる。また、グラフェン膜3は、シート抵抗が1.0 kΩ/□以上24.0 kΩ/□以下であり、好ましくは、2.0kΩ/□以上6.0kΩ/□以下である。シート抵抗が1.0 kΩ/□より小さいと十分な発熱量を得ることが困難である可能性がある。 In the planar heater 10 according to this embodiment, the graphene film 3 is preferably disposed on the substrate 1 with a uniform thickness. In one embodiment, the graphene film 3 has a thickness of 0.3 nm to 7.2 nm, and preferably 1.2 nm to 3.6 nm. If the thickness is thinner than 0.3 nm, it may be difficult to obtain a sufficient calorific value. On the other hand, if the thickness exceeds 7.2 nm, it becomes difficult to impart sufficient light transmission to the planar heater. If the thickness of the graphene film 3 is uniform, the uniformity of the temperature distribution over the entire heat generating surface of the planar heater 10 can be obtained. The graphene film 3 has a sheet resistance of 1.0 kΩ / □ or more and 24.0 kΩ / □ or less, and preferably 2.0 kΩ / □ or more and 6.0 kΩ / □ or less. If the sheet resistance is less than 1.0 kΩ / □, it may be difficult to obtain a sufficient calorific value.

本実施形態に係る面状ヒータ10は、グラフェン膜3に5V以上40V以下の電圧を印加したときに、10℃以上35℃以下の昇温温度を与え、このとき、消費電力が300 W/m以上870 W/m以下である。ここで、10℃以上35℃以下の昇温温度を与えるとは、例えば、25℃の面状ヒータ10の基材1の表面温度が35℃から60℃の範囲で上昇することを意味する。 The planar heater 10 according to the present embodiment gives a temperature increase temperature of 10 ° C. or more and 35 ° C. or less when a voltage of 5 V or more and 40 V or less is applied to the graphene film 3, and at this time, power consumption is 300 W / m. 2 or more and 870 W / m 2 or less. Here, giving a temperature increase temperature of 10 ° C. or more and 35 ° C. or less means that the surface temperature of the substrate 1 of the planar heater 10 at 25 ° C. rises in the range of 35 ° C. to 60 ° C., for example.

本実施形態に係る面状ヒータ10において、グラフェン膜3は、グラフェンが4層以上12層以下で積層した構造を有する。本実施形態に係るグラフェン膜3は、複数層のグラフェンが積層した構造を有することにより、1つの層の一部に欠陥があった場合にも、他の層を介して電流が流れるため、面全体での発熱量が維持されるとともに、温度分布の均一性も損なわれない。グラフェンが4層よりも少ないと、面状ヒータ10において要求される発熱量を維持するのが困難となる。また、単層のグラフェンの光透過率は、97.7%程度であり、総数が1層増す毎に、その累乗で光透過率は低下する。グラフェンが12層を超えると、透明な面状ヒータに要求される光透過性を得るのが困難となる。面状ヒータ10を透明な面状ヒータとする場合、グラフェン膜3は75%以上の透過率を備えることが好ましく、面状ヒータ10の面方向では60%以上の透過率を備えることが好ましい。 In the planar heater 10 according to the present embodiment, the graphene film 3 has a structure in which graphene is stacked with four to twelve layers. Since the graphene film 3 according to the present embodiment has a structure in which a plurality of layers of graphene are stacked, even when a part of one layer has a defect, a current flows through the other layer. The overall amount of heat generation is maintained, and the uniformity of the temperature distribution is not impaired. If the graphene is less than four layers, it becomes difficult to maintain the amount of heat generated in the planar heater 10. The light transmittance of single-layer graphene is about 97.7%, and the light transmittance decreases as the power increases every time the total number increases by one layer. If the graphene exceeds 12 layers, it becomes difficult to obtain the light transmittance required for a transparent planar heater. When the planar heater 10 is a transparent planar heater, the graphene film 3 preferably has a transmittance of 75% or more, and preferably has a transmittance of 60% or more in the surface direction of the planar heater 10.

また、別の実施形態として、図2に面状ヒータ20の模式図を示す。面状ヒータ20は、基材1(第1の基材)と、基材1上に配設されたグラフェン膜3とを備え、グラフェン膜3上に配設された基材5(第2の基材)をさらに備える。また、グラフェン膜3には、電極11が配設される。電極11を配設する位置は特に限定されるものではないが、グラフェン膜3の端部であることが好ましい。基材5には、上述した基材1と同様の部材を用いることができ、詳細な説明は省略する。また、基材1と基材5とは同一の部材であってもよく、異なっていてもよい。また、基材1又は基材5を保護膜としてもよい。この場合、グラフェン膜3を保護するに必要な強度を確保可能な範囲で基材1又は基材5を薄くすることもできる。一実施形態において、面状ヒータ20は、グラフェン膜3の膜厚と基材1及び/又は基材5との膜厚の合計が200 μm以下である。また、面状ヒータ20を透明な面状ヒータとする場合、面状ヒータ20の面方向では50%以上の透過率を備えることが好ましい。他の構成は、上述した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。 As another embodiment, a schematic diagram of a planar heater 20 is shown in FIG. The planar heater 20 includes a base material 1 (first base material) and a graphene film 3 disposed on the base material 1, and the base material 5 (second base material) disposed on the graphene film 3. A substrate). An electrode 11 is provided on the graphene film 3. The position where the electrode 11 is disposed is not particularly limited, but is preferably an end portion of the graphene film 3. For the base material 5, the same member as the base material 1 described above can be used, and detailed description thereof is omitted. Moreover, the base material 1 and the base material 5 may be the same member, and may differ. Moreover, it is good also considering the base material 1 or the base material 5 as a protective film. In this case, the base material 1 or the base material 5 can be made thin as long as the strength necessary to protect the graphene film 3 can be secured. In one embodiment, the sheet heater 20 has a total thickness of the graphene film 3 and the base material 1 and / or the base material 5 of 200 μm or less. Further, when the planar heater 20 is a transparent planar heater, it is preferable to have a transmittance of 50% or more in the surface direction of the planar heater 20. Since other configurations are the same as those of the above-described embodiment, detailed description thereof is omitted.

上述した特性を得ることが出来れば、公知の方法により形成することができる。例えば、マイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法、または酸化グラフェンを還元する方法等が挙げられる。本発明に係るグラフェン膜3は、マイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法で形成するのが特に好ましい。さらには、ロール・トゥ・ロール方式のマイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法を用いることにより、大面積のグラフェン膜3を大量に、且つ安価に生産することができる。マイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法を用いたグラフェン膜の形成方法は、例えば、本発明者らが国際公開WO2011/115197及び特開2012−162442に報告した方法を用いることが出来る。さらには、ロール・トゥ・ロール方式を用いたグラフェン膜の形成方法として、例えば、本発明者らが国際公開WO2011/115197、特開2012−162442及びCARBON 50 (2012) 2615-2619に報告した方法を用いることができる。また、本発明者らによる特願2012−165690号に開示された方法を用いて製造することもできる。なお、酸化グラフェンを還元する方法としては、J. Zhao et al, ACS Nano, 4, 5245 (2010)やJ. R. Hauptmann, Phys. Chem. Chem. Phys., 14, 14277 (2012)に記載されている方法を用いることができる。 If the above-described characteristics can be obtained, it can be formed by a known method. For example, a microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method, a method of reducing graphene oxide, or the like can be given. The graphene film 3 according to the present invention is particularly preferably formed by a microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method. Furthermore, by using a roll-to-roll type microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method, a large-area graphene film 3 can be produced in large quantities at low cost. As a method for forming a graphene film using a microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method, for example, a method reported by the present inventors in International Publications WO2011 / 115197 and JP2012-162442A can be used. Further, as a method for forming a graphene film using a roll-to-roll method, for example, the method reported by the present inventors in International Publication WO2011 / 115197, JP2012-162442 and CARBON 50 (2012) 2615-2619 Can be used. Moreover, it can also manufacture using the method disclosed by Japanese Patent Application No. 2012-165690 by the present inventors. The method for reducing graphene oxide is described in J. Zhao et al, ACS Nano, 4, 5245 (2010) and JR Hauptmann, Phys. Chem. Chem. Phys., 14, 14277 (2012). The method can be used.

(面状ヒータの製造方法)
グラフェン膜3を転写した基材1を用いた面状ヒータ10の製造方法について説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る面状ヒータ10の製造方法を示す模式図である。基材1及び/又は基材5が粘着性を有する基材である場合は、基材1に転写されたグラフェン膜3(図3(a))に基材5を接着することにより、面状ヒータ10を製造することができる(図3(b))。
(Manufacturing method of planar heater)
A method for manufacturing the planar heater 10 using the substrate 1 to which the graphene film 3 is transferred will be described. FIG. 3 is a schematic diagram showing a method for manufacturing the planar heater 10 according to an embodiment of the present invention. When the base material 1 and / or the base material 5 is a base material having adhesiveness, the base material 5 is adhered to the graphene film 3 (FIG. 3A) transferred to the base material 1 to obtain a planar shape. The heater 10 can be manufactured (FIG. 3B).

また、基材1又は基材5が粘着性を有していない場合は、樹脂層2を介してグラフェン膜3を基材5に接着することができる(図4)。例えば、基材5の一方の面に、グラフェン膜3を接着させるための樹脂層2を形成するための樹脂を塗布し、樹脂2上にグラフェン膜3が形成された基材1を密着させ、樹脂2を硬化させて樹脂層2を形成し、グラフェン膜3を接着させる(図4(b))。樹脂層2に用いる樹脂としては、グラフェン膜3との接着性を得られるものであれば公知の樹脂を用いることができる。本実施形態においては、光硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂は、加熱時に溶媒が気化して樹脂層2とグラフェン膜3との間に気泡を生じる可能性があるため好ましくない。 Moreover, when the base material 1 or the base material 5 does not have adhesiveness, the graphene film 3 can be adhere | attached on the base material 5 through the resin layer 2 (FIG. 4). For example, a resin for forming a resin layer 2 for adhering the graphene film 3 is applied to one surface of the substrate 5, and the substrate 1 on which the graphene film 3 is formed is adhered to the resin 2; The resin 2 is cured to form the resin layer 2, and the graphene film 3 is adhered (FIG. 4B). As the resin used for the resin layer 2, a known resin can be used as long as the adhesiveness with the graphene film 3 can be obtained. In the present embodiment, it is preferable to use a photocurable resin. The thermosetting resin is not preferable because the solvent is vaporized during heating and air bubbles may be generated between the resin layer 2 and the graphene film 3.

なお、基材1と基材5の一方が粘着性を有し、他方が粘着性を有していない場合も、上述した何れかの接着工程により、面状ヒータ10を製造することができる。また、上述した実施形態においては、基材1にグラフェン膜3を転写した場合について説明したが、基材5にもグラフェン膜3を転写しておき、グラフェン膜3を転写した基材1とグラフェン膜3を転写した基材5を、グラフェン膜3同士が密着するように、基材1と基材5を接着させてもよい。また、面状ヒータ10をデバイスの支持基材に貼り付けてもよく、グラフェン膜3を転写した基材1を、デバイスの支持基材にグラフェン膜3が密着するように貼り付けてもよい。基材1及び/又は基材5が可撓性を有する部材である場合は、デバイスの形状に追従するように貼り付けることもできる。 In addition, also when one of the base material 1 and the base material 5 has adhesiveness and the other does not have adhesiveness, the planar heater 10 can be manufactured by any one of the adhesion processes described above. In the above-described embodiment, the case where the graphene film 3 is transferred to the base material 1 has been described. However, the graphene film 3 is also transferred to the base material 5, and the base material 1 and the graphene transferred with the graphene film 3 are transferred. The base material 5 to which the film 3 is transferred may be bonded to the base material 1 so that the graphene films 3 are in close contact with each other. Moreover, the planar heater 10 may be affixed to the support base material of a device, and the base material 1 which transferred the graphene film 3 may be affixed so that the graphene film 3 may contact | adhere to the support base material of a device. When the base material 1 and / or the base material 5 is a flexible member, it can be attached so as to follow the shape of the device.

(デバイス)
上述した本発明に係る面状ヒータ10を用いてデバイス製造することができる。図5は、本発明の一実施形態に係るデバイス100の模式図である。デバイス100は、例えば、面状ヒータ10のグラフェン膜3の一部を露出させ、2つの電極11を配設した構造を有する。2つの電極11には、配線13を介して電源15が接続する。
(device)
A device can be manufactured using the planar heater 10 according to the present invention described above. FIG. 5 is a schematic diagram of a device 100 according to an embodiment of the present invention. The device 100 has, for example, a structure in which a part of the graphene film 3 of the planar heater 10 is exposed and two electrodes 11 are disposed. A power supply 15 is connected to the two electrodes 11 via a wiring 13.

このような構成を有するデバイス100は、グラフェン膜3が発熱体として機能し、加熱デバイスを始め、様々デバイスに利用することができる。具体的な例については、実施例において説明する。 In the device 100 having such a configuration, the graphene film 3 functions as a heating element, and can be used for various devices including a heating device. Specific examples will be described in Examples.

以上説明したように、本発明に係る面状ヒータは、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えた面状ヒータ及びそれを用いたデバイスが提供される。本発明に係る面状ヒータは、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えるため、様々な形状のデバイスに配設することができる。 As described above, the planar heater according to the present invention is provided with a planar heater including a thin graphene film that follows the shape required for the device and a device using the planar heater. The planar heater according to the present invention is thin and includes a graphene film that follows the shape required for the device, and thus can be disposed in devices having various shapes.

(実施例1)
上述したグラフェン膜の成膜方法を用いて、グラフェン膜を成膜した。図3は、本発明の一実施例に係るグラフェン膜の成膜装置1000を示す模式図である。成膜装置1000内に、成膜用基材1010として、福田金属社製圧延銅箔(A4サイズ、厚さ33μm)を配設した。マイクロ波表面波プラズマ発生部1300には、石英板を4枚配置したスロットアンテナ型プラズマ装置を用いた。排気管1500を通して真空チャンバ1100内を10−4Pa以下に排気した。石英管と成膜用基材1010との距離が50 mmになるよう試料台1200の高さを調整した。
Example 1
A graphene film was formed using the graphene film formation method described above. FIG. 3 is a schematic view showing a graphene film forming apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention. In the film forming apparatus 1000, a rolled copper foil (A4 size, thickness 33 μm) manufactured by Fukuda Metal Co., Ltd. was disposed as the film forming base material 1010. As the microwave surface wave plasma generation unit 1300, a slot antenna type plasma apparatus in which four quartz plates are arranged is used. The inside of the vacuum chamber 1100 was exhausted to 10 −4 Pa or less through the exhaust pipe 1500. The height of the sample stage 1200 was adjusted so that the distance between the quartz tube and the film forming substrate 1010 was 50 mm.

真空チャンバ1100にガス供給管1400を通して、炭素を含むガスを導入した。炭素を含むガスは、メタンガス30 SCCM、アルゴンガス20 SCCM、水素ガス10 SCCMであり、したがって、それぞれの原料ガスの濃度はメタンガス30モル%、アルゴンガス20モル%、水素ガス10モル%であった。真空チャンバ1100内の圧力を排気管1500に接続した圧力調整バルブ(図示せず)を用いて、3Paに保持した。 A gas containing carbon was introduced into the vacuum chamber 1100 through the gas supply pipe 1400. The gas containing carbon was methane gas 30 SCCM, argon gas 20 SCCM, and hydrogen gas 10 SCCM. Therefore, the concentration of each raw material gas was methane gas 30 mol%, argon gas 20 mol%, and hydrogen gas 10 mol%. . The pressure in the vacuum chamber 1100 was maintained at 3 Pa using a pressure adjusting valve (not shown) connected to the exhaust pipe 1500.

マイクロ波パワー18.0kWにてプラズマを発生させ、成膜用基材1010にグラフェンを堆積させた。プラズマ処理中の成膜用基材1010の温度は、アルメル−クロメル熱電対を試料台1200に接触させることにより測定した。プラズマCVD処理を通じて成膜用基材1010の温度はおよそ300℃であった。 Plasma was generated at a microwave power of 18.0 kW, and graphene was deposited on the deposition base material 1010. The temperature of the film-forming substrate 1010 during the plasma treatment was measured by bringing an alumel-chromel thermocouple into contact with the sample table 1200. Through the plasma CVD process, the temperature of the film forming substrate 1010 was approximately 300 ° C.

基材1として、50 μmの厚さのシリコン系微粘着シート(日東電工社製、E-Mask DM100)を用い、成膜用基材1010上に形成したグラフェン膜3に張り合わせた。その後、過硫酸アンモニウム(0.5 mol/l)を用い成膜用基材1010をエッチングし、流水により基材1及びグラフェン膜3を洗浄した。これらの工程により、縦6 cm、横4 cmのグラフェン膜3のシートを得た。 A 50 μm thick silicon-based slightly adhesive sheet (E-Mask DM100, manufactured by Nitto Denko Corporation) was used as the substrate 1, and it was laminated to the graphene film 3 formed on the substrate 1010 for film formation. Thereafter, the film-forming substrate 1010 was etched using ammonium persulfate (0.5 mol / l), and the substrate 1 and the graphene film 3 were washed with running water. By these steps, a sheet of the graphene film 3 having a length of 6 cm and a width of 4 cm was obtained.

基材1と同じ材料の基材5を用意し、同様の工程により、グラフェン膜3を転写した。これにより、縦6 cm、横3 cmのグラフェン膜3のシートを得た。2層のグラフェン膜3が密着するように、基材1と基材5を貼り合わせた。基材1側の露出しているグラフェン膜3上に銀ペースト(藤倉化成株式会社製、ドータイト 常温乾燥タイプ)を塗布した。好ましくは、グラフェン膜側部にも接触するように銀ペーストを塗布する。大気中で自然乾燥させて、2つの電極11を形成した。なお、銀ペーストは基板5を押さえるように設けてもよい。以上の工程により、実施例1の面状ヒータ200を得た。図7は、面状ヒータ200の模式図である。図7(a)は面状ヒータ200の上面図を示し、図7(b)は図7(a)のAA’における面状ヒータ200の断面図を示す。面状ヒータ200の電極11間の抵抗値を測定したところ、約1 kΩであった。 A base material 5 made of the same material as the base material 1 was prepared, and the graphene film 3 was transferred by the same process. Thereby, a sheet of the graphene film 3 having a length of 6 cm and a width of 3 cm was obtained. The base material 1 and the base material 5 were bonded together so that the two-layer graphene film 3 adhered. A silver paste (manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd., Dotite room temperature drying type) was applied onto the exposed graphene film 3 on the substrate 1 side. Preferably, a silver paste is applied so as to be in contact with the side of the graphene film. Two electrodes 11 were formed by natural drying in the air. The silver paste may be provided so as to hold the substrate 5. Through the above steps, the planar heater 200 of Example 1 was obtained. FIG. 7 is a schematic diagram of the planar heater 200. 7A shows a top view of the planar heater 200, and FIG. 7B shows a cross-sectional view of the planar heater 200 along AA 'in FIG. 7A. When the resistance value between the electrodes 11 of the planar heater 200 was measured, it was about 1 kΩ.

(透過率)
面状ヒータ200について透過率測定を行った。透過率測定には日本電色工業株式会社製のヘイズメータ(NDH5000SP)を用いた。微粘着シート1及び微粘着シート5を2枚重ねた試料について、複数の測定位置にて透過率を測定したところ、平均76.8%であった。面状ヒータ200について、複数の測定位置にて透過率を測定したところ、平均57.6%であった。グラフェンは1層で透過率が2.3%低下するため、面状ヒータ200の2つのグラフェン膜3が有するグラフェンの合計は、12層から13層と見積もられた。
(Transmittance)
The transmittance of the planar heater 200 was measured. For the transmittance measurement, a haze meter (NDH5000SP) manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. was used. When the transmittance was measured at a plurality of measurement positions for a sample in which the two slightly adhesive sheets 1 and 5 were stacked, the average was 76.8%. When the transmittance of the planar heater 200 was measured at a plurality of measurement positions, the average was 57.6%. Since the transmittance of graphene decreases by 2.3% in one layer, the total of graphene included in the two graphene films 3 of the planar heater 200 was estimated to be 12 to 13 layers.

(温度測定)
面状ヒータ200に電圧を印加して温度測定を行った。温度測定には、日油技研工業株式会社製のデジタルサーモラベル(D−38、D−50)を用いた。デジタルサーモラベルを面状ヒータ200の基材5の上に貼り付け、半定量的に温度を測定した。
(Temperature measurement)
Temperature was measured by applying a voltage to the planar heater 200. Digital thermo labels (D-38, D-50) manufactured by NOF Engineering Co., Ltd. were used for temperature measurement. A digital thermo label was affixed on the substrate 5 of the planar heater 200, and the temperature was measured semi-quantitatively.

(電流値測定)
電源としてアジレント・テクノロジー社のソースメータ(B2902)を用い、電圧印加時の電極11間に流れる電流を検出した。
(Current value measurement)
A source meter (B2902) manufactured by Agilent Technologies was used as the power source, and the current flowing between the electrodes 11 during voltage application was detected.

電圧を10 V、20 V、30 V及び40 V印加したところ、電流値は、それぞれ9.9 mA、19.8 mA、29.8 mA及び39.28 mAとなった。電圧を40 Vにしたときに、デジタルサーモラベルは60℃を示した。室温との差から昇温温度は約35℃であった。また、得られた結果から、消費電力は約870 W/mであった。 When voltages of 10 V, 20 V, 30 V and 40 V were applied, the current values were 9.9 mA, 19.8 mA, 29.8 mA and 39.28 mA, respectively. When the voltage was 40 V, the digital thermolabel showed 60 ° C. From the difference from room temperature, the temperature rise was about 35 ° C. Moreover, from the obtained result, power consumption was about 870 W / m < 2 >.

(ラマンスペクトル)
実施例1に用いたグラフェン膜3のラマンスペクトルを図8に示す。また、従来一般的な熱CVD法により成膜したグラフェン膜のラマンスペクトルを図9に示す。なお、図9は、X. Li et al, Science, 324, 1312 (2009)から転載した。共鳴ラマン散乱測定法による測定において得られるスペクトルで、1560 cm−1以上1600 cm−1以下の範囲内での最大のピーク強度をG、1310 cm−1以上1350 cm−1以下の範囲内での最大のピーク強度をDとしたときに、熱CVD法により成膜したグラフェン膜のG/D比が1よりも大きいのに対して、実施例1のグラフェン膜3のG/D比は1以下であった。このようなG/D比が1以下のグラフェン膜3は、上述したマイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法により得ることができる。
(Raman spectrum)
The Raman spectrum of the graphene film 3 used in Example 1 is shown in FIG. Further, FIG. 9 shows a Raman spectrum of a graphene film formed by a conventional general thermal CVD method. In addition, FIG. 9 was reproduced from X. Li et al, Science, 324, 1312 (2009). In the spectrum obtained by measurement by the resonance Raman scattering measurement method, the maximum peak intensity in the range of 1560 cm −1 to 1600 cm −1 is G, and the maximum peak intensity is in the range of 1310 cm −1 to 1350 cm −1 . When the maximum peak intensity is D, the G / D ratio of the graphene film formed by the thermal CVD method is larger than 1, whereas the G / D ratio of the graphene film 3 of Example 1 is 1 or less. Met. Such a graphene film 3 having a G / D ratio of 1 or less can be obtained by the above-described microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method.

(実施例2)
実施例1とはグラフェン膜3の層数が異なる面状ヒータ300を作製した。ヘイズメータによる透過率測定の結果から、2つのグラフェン膜3のグラフェン合計は4層程度と見積もられた。なお、テスターによって測定した抵抗は約2 kΩであった。ソースメータにより電圧を5 V、10 V、20 V、30 V及び40 Vを印加したところ、電流値は、それぞれ1.8 mA、3.7 mA、7.4 mA、11.2 mA及び15.0 mAであった。なお、電圧を40 Vにしたとき、デジタルサーモラベルは40℃を示した。室温との差から昇温温度としては約15℃であった。また、得られた結果から、消費電力は約300 W/mであった。
(Example 2)
A planar heater 300 having a different number of layers of the graphene film 3 from that of Example 1 was produced. From the result of transmittance measurement with a haze meter, the total graphene of the two graphene films 3 was estimated to be about four layers. The resistance measured by a tester was about 2 kΩ. When 5 V, 10 V, 20 V, 30 V and 40 V were applied by the source meter, the current values were 1.8 mA, 3.7 mA, 7.4 mA, 11.2 mA and 15 respectively. 0.0 mA. When the voltage was 40 V, the digital thermo label showed 40 ° C. From the difference from room temperature, the temperature rise was about 15 ° C. Moreover, from the obtained result, power consumption was about 300 W / m < 2 >.

(実施例3)
実施例3として、グラフェン膜上にダイヤモンド薄膜を積層させる例について説明する。ダイヤモンド薄膜の形成は、例えば、本発明者らが国際公開WO2005/103326において開示した方法により行った。これにより作られた積層体は応答速度が速いデバイスに適している。
(Example 3)
As Example 3, an example in which a diamond thin film is stacked on a graphene film will be described. The diamond thin film was formed by, for example, the method disclosed by the present inventors in International Publication WO2005 / 103326. The laminated body thus produced is suitable for a device having a high response speed.

熱伝導性の高いダイヤモンド薄膜(例えば、20 W/mk)と本発明に係るグラフェン膜3との積層発熱体を作製することで、様々なデバイスを形成することができる。例えば、DNAをポリメラーゼ連鎖反応(PCR)で増幅する際の、応答速度の速いサーマルサイクラーを作製することが可能となる。図10は、サーマルサイクラーのヒートブロック400の模式図である。図10(a)はヒートブロック400の上面図を示し、図10(b)は図10(a)のAA’におけるヒートブロック400の断面図を示す。ヒートブロック400は、例えば、ダイヤモンド薄膜401とグラフェン膜3が積層した構造を有する。グラフェン膜3の両端に電極411を配設し、発熱体として機能する。また、ダイヤモンド薄膜401の上には、マイクロチューブを支持し、加熱するための孔425を有する支持体420が配設されることが好ましい。支持体420は、金属等の熱伝導性に優れた部材により形成される。ダイヤモンド薄膜401は単結晶、多結晶(マイクロダイヤモンド、ナノ結晶ダイヤモンド)のどちらも使用可能である。また、ダイヤモンド薄膜401が形成された反対側のグラフェン膜3の面に断熱性の保護膜403を貼り付けてもよい。 Various devices can be formed by producing a laminated heating element of a diamond thin film (for example, 20 W / mk) having high thermal conductivity and the graphene film 3 according to the present invention. For example, it is possible to produce a thermal cycler with a high response speed when DNA is amplified by polymerase chain reaction (PCR). FIG. 10 is a schematic diagram of a heat block 400 of a thermal cycler. FIG. 10A shows a top view of the heat block 400, and FIG. 10B shows a cross-sectional view of the heat block 400 along AA 'in FIG. The heat block 400 has, for example, a structure in which a diamond thin film 401 and a graphene film 3 are stacked. Electrodes 411 are provided at both ends of the graphene film 3 and function as a heating element. Further, it is preferable that a support body 420 having a hole 425 for supporting and heating the microtube is disposed on the diamond thin film 401. The support 420 is formed of a member having excellent thermal conductivity such as metal. The diamond thin film 401 can be either single crystal or polycrystalline (micro diamond, nano crystal diamond). Further, a heat insulating protective film 403 may be attached to the surface of the opposite graphene film 3 on which the diamond thin film 401 is formed.

なお、図10において、ダイヤモンド薄膜401の上に支持体420を別途配設する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、膜厚の厚いダイヤモンド薄膜を成膜し、これにエッチング等により孔425を形成することで、ダイヤモンド薄膜401と支持体420とを一体に形成することもできる。ただし、この場合、ダイヤモンド薄膜401に形成する孔425は、PCR反応液を覆う又は収容可能な深さであってもよく、必ずしもマイクロチューブ全体を支持するものでなくてもよい。 In addition, although the example which arrange | positions the support body 420 separately on the diamond thin film 401 was shown in FIG. 10, it is not limited to this. For example, the diamond thin film 401 and the support 420 can be integrally formed by forming a thick diamond thin film and forming a hole 425 therein by etching or the like. However, in this case, the hole 425 formed in the diamond thin film 401 may have a depth that covers or accommodates the PCR reaction solution, and does not necessarily support the entire microtube.

(実施例4)
実施例4として、本発明に係る面状ヒータと、特殊インクを組み合わせデバイスについて説明する。ここで、特殊インクとは、温度依存的に色や透過率が変化するものである。図11は調光・色変換デバイス500の模式図である。例えば、PETフィルムからなる2枚の基材501及び基材505の間にグラフェン膜3を配設し、グラフェン膜3の両端に銀ペースト等を用いた電極511を配設する。基材501上または基材505の下に特殊インク層520を配設する。
(Example 4)
As Example 4, a device combining a planar heater according to the present invention and special ink will be described. Here, the special ink is one whose color and transmittance change depending on temperature. FIG. 11 is a schematic diagram of a light control / color conversion device 500. For example, the graphene film 3 is disposed between two substrates 501 and 505 made of PET film, and electrodes 511 using silver paste or the like are disposed on both ends of the graphene film 3. A special ink layer 520 is provided on the substrate 501 or below the substrate 505.

特殊インクとしては、例えば、久保井インキ株式会社製の特殊インク(STカラー:UV-SS35ブラックNo.4)を用いることができる。この場合、紫外線照射によってインクを乾燥させ、乾かすことで特殊インク層520を形成することができる。このような構造を有する調光・色変換デバイス500は、グラフェン膜3が発熱することにより、特殊インク層520が温度依存的に色や透過率を変化させることができる。調光・色変換デバイス500は、例えば、窓に貼り付けた遮光カーテンや表示装置の画素等に利用することもできる。 As the special ink, for example, a special ink (ST color: UV-SS35 black No. 4) manufactured by Kuboi Ink Co., Ltd. can be used. In this case, the special ink layer 520 can be formed by drying and drying the ink by ultraviolet irradiation. The dimming / color conversion device 500 having such a structure allows the special ink layer 520 to change color and transmittance in a temperature-dependent manner as the graphene film 3 generates heat. The dimming / color conversion device 500 can be used for, for example, a light shielding curtain attached to a window, a pixel of a display device, or the like.

本発明に係る面状ヒータは、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えた面状ヒータ及びそれを用いたデバイスが提供される。また、低消費電力で駆動する面状ヒータを提供することができる。したがって、本発明に係る面状ヒータは、薄く、且つ、デバイスに要求される形状に追従したグラフェン膜を備えるため、様々な形状のデバイスに配設することができる。 The planar heater according to the present invention is provided with a planar heater having a thin graphene film that follows the shape required for the device and a device using the planar heater. In addition, a planar heater that can be driven with low power consumption can be provided. Therefore, the planar heater according to the present invention is thin and includes a graphene film that follows the shape required for the device, and thus can be disposed in devices having various shapes.

例えば、以下のようなデバイスに適用することができる。ヒータとしての利用において、例えば、曇り止め・結露防止・融雪用のヒータ、ゴーグル、メガネ、ガラス張りのビル、ヘルメット、洗面台の曇り止め・結露防止用のヒータ、HIDランプの補助ヒータ、自動車や電車等の車両や航空機等の(フロント)ガラスの曇り止め・結露防止・融雪用のヒータ、建物の屋根、アーケード等の融雪用のヒータ、保温機能付きペットボトル、顕微鏡の分光測定用のステージ加熱用ヒータ、ヒータ付きスライドガラス、加熱機能付きピペット、食品加熱シート、フレキシブルなポータブルヒータ、電気毛布、電気カーペット、ウォームベンチ(便座や野球・サッカー等の屋外観戦用ベンチ)サーマルサイクラー、ホットプレート、ポット、電気炊飯器等の調理器具、複写機、FAX、プリンター等のOA機器の予熱・乾燥用ヒータ、シーラ等の加熱・保温デバイスに用いることができる。また、特殊インク等との組み合わせ例として、遮光カーテン、車両のプライバシーガラス、サングラス、電子的回折装置、遮光フィルム、温度変化で透明窓から鏡に変化するデバイス、表示装置の画素、温度変化で表面の凹凸構造が変化するデバイス等が挙げられる。 For example, the present invention can be applied to the following devices. For use as a heater, for example, heaters for anti-fogging / condensation prevention / melting snow, goggles, glasses, glass-covered buildings, helmets, heaters for anti-fogging / dew condensation prevention for washstands, auxiliary heaters for HID lamps, automobiles and trains (Front) glass anti-fogging / condensation prevention / snow melting heaters, building roofs, arcade and other snow melting heaters, heat insulation PET bottles, stage heating for microscope spectroscopic measurements Heater, glass slide with heater, pipette with heating function, food heating sheet, flexible portable heater, electric blanket, electric carpet, warm bench (bench for outdoor watching such as toilet seat, baseball, soccer, etc.) thermal cycler, hot plate, pot, OA machines such as cooking appliances such as electric rice cookers, copiers, fax machines, printers, etc. Preheating and drying heater, it is possible to use the heat-insulation device sealer or the like. In addition, examples of combinations with special inks include blackout curtains, vehicle privacy glass, sunglasses, electronic diffraction devices, blackout films, devices that change from transparent windows to mirrors due to temperature changes, display pixels, and surface changes due to temperature changes. The device etc. which the uneven | corrugated structure of this change are mentioned.

また、表示装置や電子機器等の製造、半導体製造の先端産業用電熱装置、ホットカラー、パーマ機器等の美容関連機器、ペレット製造、金型、接着効果の加熱・乾燥等のプラスチック製造機器、マッサージ機、医療検査器、岩盤浴等の医療・美容関連機器、食品加工機器、食品トレイの加熱・保温等の食品関連機器、24時間風呂、電気温水器、パネルヒーター等の住宅設備、ゴム製タンク用保温・結露防止ヒータ、食品保温用ヒータ、鉄道信号機・ポイント用融雪・着雪防止ヒータ、自発光デリネーター着雪防止用ヒータ、バックミラー用ヒータ、火災報知器内の結露防止ヒータ、釣銭機用内の結露防止ヒータ、プラモデル乾燥器用ヒータ、ペット用手術台保温用ヒータ、電気温鍼器、全身指圧マッサージ機、
家庭用温熱治療器、アイマスク用ヒータ、光透過型融雪アーケード融雪ヒータ、踏切用障害物検知機融雪ヒータ、パラボラアンテナ融雪ヒータ、大型パラボラアンテナ融雪ヒータ、パイプ用凍結防止ヒータ、クライオポンプ保温ヒータ、ペット用ヒーターマット、理美容品(ネックウォーマー)、遠赤外線ビームシャワとして用いることができる。
In addition, manufacturing of display devices and electronic devices, advanced industrial electric heating devices for semiconductor manufacturing, beauty-related devices such as hot colors and permanent devices, pellet manufacturing, molds, plastic manufacturing equipment such as heating and drying of adhesive effects, massage Machine, medical test equipment, medical / beauty related equipment such as bedrock bath, food processing equipment, food related equipment such as food tray heating / heat insulation, 24-hour bath, electric water heater, housing equipment such as panel heater, rubber tank Heat retention / condensation prevention heaters, food heat insulation heaters, railway traffic lights / point snow-melting / snow-prevention heaters, self-luminous delineators, snow-prevention heaters, rearview mirror heaters, anti-condensation heaters in fire alarms, change machines Inside anti-condensation heater, plastic model dryer heater, pet operating table warming heater, electric warmer, whole body shiatsu massage machine,
Home thermotherapy device, eye mask heater, light transmission type snow melting arcade snow melting heater, crossing obstacle detector snow melting heater, parabolic antenna snow melting heater, large parabolic antenna snow melting heater, pipe anti-freezing heater, cryopump heat insulation heater, It can be used as pet heater mats, beauty products (neck warmers), and far-infrared beam showers.

また、本発明に係る面状ヒータをリボンヒータとして用いることもできる。例えば、ETC装置着雪防止用ヒータ、コインパーキング用融雪ヒータ、新幹線プラットホーム屋根融雪ヒータ、軽油固形化防止用ヒータ(軽油タンク保温用)、パイプ、配管の凍結防止ヒータ、移動展示車ステップ部凍結防止ヒータ、清掃車凍結防止用ヒータ、野外競技場ベンチシートの暖房(ベンチヒーター)、熱源シート、岩盤浴ベッド用ヒータ、手術台への搬送用ストレッチャーの保温用ヒータ、爬虫類ペット用ヒータ、バッテリーウォーマー、弁当保温用ヒータ、シュラフ(寝袋)用ヒータ、ウエストウォーマ、立体駐車場融雪ヒータ、屋根融雪ヒータ、高所足場凍結防止ヒータ、浄水器凍結防止ヒータ、コンクリート養生シート、風力発電用ブレード(FRP)補修用ヒータ、ヒータ入りチェア、美容用痩身機器、ウォーターベッド用ヒータ、理容用トリートメントキャップ、温熱治療器、遠赤外線温熱治療パッド、美容用レッグウォーマ、美容用ハンドウォーマ、宇宙用途に開発したシートヒータとうに適用することができる。 The planar heater according to the present invention can also be used as a ribbon heater. For example, ETC equipment snow-prevention heaters, coin-parking snow-melting heaters, Shinkansen platform roof snow-melting heaters, light oil solidification prevention heaters (for keeping oil oil tanks), pipes and piping freeze prevention heaters, mobile exhibition vehicle step section freeze preventions Heater, cleaning vehicle anti-freezing heater, outdoor stadium bench seat heating (bench heater), heat source sheet, bedrock bed heater, warmer heater for transporting stretcher to operating table, reptile pet heater, battery warmer , Heaters for heat insulation of lunchboxes, heaters for shruffs (sleeping bags), waist warmers, snow melting heaters for multi-story parking lots, snow melting heaters for roofs, anti-freezing heaters for scaffolding, water purifier anti-freezing heaters, concrete curing sheets, blades for wind power generation (FRP) repair Heater, chair with heater, slimming equipment for beauty, water base De heater, barber for treatment cap, thermal treatment device, far-infrared thermal therapy pad, cosmetic leg warmers, cosmetic hand warmer, can be applied to the seat heater and the sea urchin which was developed in space applications.

1:第1の基材、2:樹脂層、3:グラフェン膜、5:第2の基材、10:面状ヒータ、11:電極、13:配線、15:電源、20:面状ヒータ、100:デバイス、200:面状ヒータ、300:面状ヒータ、400:ヒートブロック、401:ダイヤモンド薄膜、405:保護膜、411:電極、420:支持体、425:孔、500:調光・色変換デバイス、501:基材、505:基材、511:電極、520:特殊インク層、1000:成膜装置、1010:成膜用基材、1100:真空チャンバ、1200:試料台、1300:マイクロ波表面波プラズマ発生部、1400:ガス供給管、1500:排気管、1610:第1のロール、1630:第2のロール 1: first substrate, 2: resin layer, 3: graphene film, 5: second substrate, 10: planar heater, 11: electrode, 13: wiring, 15: power supply, 20: planar heater, 100: Device, 200: Planar heater, 300: Planar heater, 400: Heat block, 401: Diamond thin film, 405: Protective film, 411: Electrode, 420: Support, 425: Hole, 500: Light control / color Conversion device, 501: substrate, 505: substrate, 511: electrode, 520: special ink layer, 1000: film forming apparatus, 1010: substrate for film formation, 1100: vacuum chamber, 1200: sample stage, 1300: micro Wave surface wave plasma generator, 1400: gas supply pipe, 1500: exhaust pipe, 1610: first roll, 1630: second roll

Claims (14)

第1の基材と、前記第1の基材上に配設されたグラフェン膜と、電極とを備え、
前記グラフェン膜は、厚みが0.3 nm以上7.2 nm以下であり、シート抵抗が1.0 kΩ/□以上24.0 kΩ/□以下であることを特徴とする面状ヒータ。
A first base, a graphene film disposed on the first base, and an electrode;
The planar heater is characterized in that the graphene film has a thickness of 0.3 nm to 7.2 nm and a sheet resistance of 1.0 kΩ / □ to 24.0 kΩ / □.
前記グラフェン膜上に配設された第2の基材をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の面状ヒータ。 The planar heater according to claim 1, further comprising a second base material disposed on the graphene film. 前記グラフェン膜に5V以上40V以下の電圧を印加したときに、10℃以上35℃以下の昇温温度を与え、消費電力が300 W/m以上870 W/m以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の面状ヒータ。 When a voltage of 5 V or more and 40 V or less is applied to the graphene film, a temperature increase temperature of 10 ° C. or more and 35 ° C. or less is applied, and power consumption is 300 W / m 2 or more and 870 W / m 2 or less. The planar heater according to claim 1 or 2. 前記グラフェン膜は、グラフェンが4層以上12層以下積層していることを特徴する請求項1乃至3の何れか一に記載の面状ヒータ。 The planar heater according to any one of claims 1 to 3, wherein the graphene film is formed by stacking 4 to 12 layers of graphene. 前記グラフェン膜の膜厚と前記第1の基材との膜厚の合計が100 μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の面状ヒータ。 2. The planar heater according to claim 1, wherein a total thickness of the graphene film and the first substrate is 100 μm or less. 前記グラフェン膜の膜厚と前記第1の基材及び/又は前記第2の基材との膜厚の合計が200 μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の面状ヒータ。 3. The planar heater according to claim 2, wherein the total thickness of the graphene film and the thickness of the first base material and / or the second base material is 200 μm or less. 前記グラフェン膜はマイクロ波表面波プラズマ化学気相成長法または酸化グラフェンを還元する方法により形成されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一に記載の面状ヒータ。 The planar heater according to any one of claims 1 to 6, wherein the graphene film is formed by a microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method or a method of reducing graphene oxide. 前記第1の基材が透明基材であり、
60%以上の透過率を備えていることを特徴とする請求項1に記載の面状ヒータ。
The first substrate is a transparent substrate;
The planar heater according to claim 1, comprising a transmittance of 60% or more.
前記第1の基材がダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項8に記載の面ヒータ。 The surface heater according to claim 8, wherein the first base material is a diamond thin film. 前記第1の基材及び前記第2の基材が透明基材であり、
50%以上の透過率を備えていることを特徴とする請求項2に記載の面状ヒータ。
The first substrate and the second substrate are transparent substrates;
The planar heater according to claim 2, which has a transmittance of 50% or more.
前記第1の基材及び/又は前記第2の基材がダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項10に記載の面ヒータ。 The surface heater according to claim 10, wherein the first base material and / or the second base material is a diamond thin film. 前記第1の基材が可撓性を有することを特徴とする請求項1に記載の面状ヒータ。 The planar heater according to claim 1, wherein the first base material has flexibility. 前記第1の基材及び/又は前記第2の基材が可撓性を有することを特徴とする請求項2に記載の面状ヒータ。 The planar heater according to claim 2, wherein the first base material and / or the second base material has flexibility. 請求項1乃至13の何れか一に記載の面状ヒータを備えることを特徴とするデバイス。 A device comprising the planar heater according to any one of claims 1 to 13.
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