JP2014137908A - 高周波制御装置および粒子線治療システム - Google Patents

高周波制御装置および粒子線治療システム Download PDF

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Abstract

【課題】粒子線治療システムにおいて、高周波制御装置の出力する高周波アナログ正弦波の周波数と振幅の健全性確認を目的とする。
【解決手段】正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理するプロセッサと、プロセッサで管理されたディジタルデータを格納するメモリと、プロセッサの指示に従ってメモリからディジタルデータを取り出すロジックデバイスと、ロジックデバイスがメモリから取り出した第1のディジタルデータをもとにアナログ正弦波を生成するディジタル直接合成発振器と、ディジタル直接合成発振器で生成されたアナログ正弦波を第2のディジタルデータに変換するADコンバータとを備えている高周波制御装置。ロジックデバイスは、第1のディジタルデータと第2のディジタルデータとの誤差が許容範囲から外れていると判定すると、プロセッサは異常の発生を外部に通知する。
【選択図】図1

Description

この発明は、高周波制御装置に関し、特に、粒子線治療システムにおいて使用される高周波制御装置に関するものである。
電子や陽子、あるいは重粒子などの荷電粒子を加速して高エネルギーの粒子ビームを生成し、これらの粒子ビームを癌患者などに照射して治療を行う粒子線治療システムが実用化されている。粒子線治療システムは、粒子線の加速のために使用されるシンクロトロンと、粒子線加速に使用される加速空洞と、加速空洞に高周波電圧を供給する高周波電源と、高周波電源を制御し、高周波アナログ正弦波を出力するDDS(Direct Digital Synthesizer)を搭載した高周波制御装置と、高周波制御装置に指令を出したり監視したりする監視制御装置とを備えている。
粒子線治療システムの健全性については、これまで様々な対策が取られてきた。例えば、特許文献1に関わる高周波加速空洞の制御装置には、高周波電源から加速空洞に供給された電圧の監視用に、ビームセンサが設けられている。同様に、特許文献2は、高周波電源から加速空洞に供給された電圧を監視し、その結果をフィードバック制御する方法を提案している。特許文献3と特許文献4では、高周波制御装置が出力する高周波アナログ正弦波の位相のずれについて考慮されている。
特開平10-233298号公報(第3頁、図2) 特開2010-153205号公報(第3頁、図1) 特開2007-157626号公報(第8頁、図5と図6) 特開2011-146400号公報(第7頁、図5と図6)
以上のように、粒子線治療システムの健全性については以前から対策が取られてきたが、高周波制御装置が出力する高周波アナログ正弦波の周波数と振幅の状態については、健全性が確認されてこなかった。この発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、高周波制御装置の出力する高周波アナログ正弦波の周波数と振幅の健全性確認を目的とするものである。
この発明に係る高周波制御装置は、正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理するプロセッサと、プロセッサで管理されたディジタルデータを格納するメモリと、プロセッサの指示に従ってメモリからディジタルデータを取り出すロジックデバイスと、ロジックデバイスがメモリから取り出した正弦波の周波数と振幅を表す第1のディジタルデータをもとにアナログ正弦波を生成するディジタル直接合成発振器と、ディジタル直接合成発振器で生成されたアナログ正弦波を周波数と振幅を表す第2のディジタルデータに変換するADコンバータとを備えている。ロジックデバイスは、メモリから取り出した第1のディジタルデータとADコンバータで変換された第2のディジタルデータとの誤差を求め、ロジックデバイスが誤差は予め設定されている許容範囲から外れていると判定すると、プロセッサは異常の発生を外部に通知するものである。
この発明によれば、高周波制御装置の出力異常を早期に検出できるようになり、粒子線治療システム全体の信頼性を上げることができる。
この発明の実施の形態1に関わる粒子線治療システムと高周波制御装置の構成を示す図である。 この発明の実施の形態2に関わる粒子線治療システムと高周波制御装置の構成を示す図である。 この発明の実施の形態3に関わる粒子線治療システムと高周波制御装置の構成を示す図である。 この発明の実施の形態4に関わる粒子線治療システムと高周波制御装置の構成を示す図である。
以下に本発明にかかる高周波制御装置および粒子線治療システムの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の既述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
実施の形態1.
この発明の実施の形態1を図1に基づいて説明する。本実施の形態に関わる粒子線治療システム10は、高周波制御装置100と、制御端末200と、インターロックシステム700と、タイミングシステム800と、統括制御装置900と、高周波電源300と、加速空洞400と、シンクロトロン500を備えている。本実施の形態に関わる高周波制御装置100は、プロセッサ101と、FPGA(Field Programmable Gate Array)102と、FPGA102に付帯してディジタルデータを格納するメモリ103と、DDS(ディジタル直接合成発振器:Direct Digital Synthesizer)104と、AD(Analog to Digital)コンバータ105などから構成されている。FPGA102は、現場でプロ
グラム可能なゲートアレイである。広義には、FPGAは、製造後に購入者や設計者が構成を設定できるPLD(Programmable Logic Device)の一種である。DDSは、単一で固定の発振源から、任意の波形と周波数をデジタル的に生成する。
次に実施の形態1に関わる粒子線治療システムおよび高周波制御装置の動作について説明する。制御端末200、インターロックシステム700、タイミングシステム800、統括制御装置900などで構成される監視制御装置20は、高周波制御装置100に指令を出したり、監視したりする。高周波制御装置100は、後からでも回路の書き換えが可能なロジックデバイスであるFPGAと高周波アナログ正弦波を出力するDDSを搭載し、DDSの出力で高周波電源300を制御する。高周波制御装置100のプロセッサ101は、正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理する。高周波電源300は加速空洞400に高周波電圧を供給する。加速空洞400は、粒子線加速に使用される。シンクロトロン500は、電子、陽子、あるいは重粒子などの荷電粒子を加速して高エネルギーの粒子ビームを生成する。高エネルギーの荷電粒子ビームは癌患者などに照射され、治療が行われる。
高周波制御装置100のプロセッサ101は、監視制御装置20が発信する指令に従って動作する。プロセッサ101は、制御端末200が制御するタイミングシステム800及び統括制御装置900の指令に応じて、FPGA102を制御する。FPGA102はプロセッサ101からの制御に従い、メモリ103からディジタルデータの格納または取り出しを実施し、DDS104に周波数及び振幅のディジタルデータを渡す。DDS104はディジタルデータから、最高10MHz程度の周波アナログ正弦波を生成して高周波電源300に出力する。ADコンバータ105は、DDS104の高周波アナログ正弦波を、周波数と振幅のディジタルデータに変換する。変換されたディジタルデータは、FPGA102に渡される。FPGA102はDDS104に渡した周波数及び振幅のディジタルデータとADコンバータ105から渡されたディジタルデータを比較し、誤差を算出する。算出された誤差が規定の許容範囲内に収まっているかどうかでDDS104の出力に異常がないか判定を実施する。異常を検出した場合は、プロセッサ101が異常発生のログを記録し、統括制御装置900に対して異常通知を実施する。異常通知を受けた統括制御装置900は制御端末200を経由し、インターロックシステム700から出力停止指令等を高周波制御装置100に対して発令する。
実施の形態2.
この発明の実施の形態2を図2に基づいて説明する。本実施の形態に関わる粒子線治療システム10は、高周波制御装置100と、制御端末200と、インターロックシステム700と、タイミングシステム800と、統括制御装置900と、高周波電源300と、加速空洞400と、シンクロトロン500を備えている。本実施の形態に関わる高周波制御装置100は、プロセッサ101と、FPGA102と、FPGA102に付帯してディジタルデータを格納するメモリ103と、DDS104と、ADコンバータ105と、コンパレータ110と、クロックロス検出回路111などから構成されている。
次に実施の形態2の動作について説明する。高周波制御装置100のプロセッサ101は、統括制御装置900からの指令に応じて、FPGA102を制御する。FPGA102はプロセッサ101からの制御に従い、メモリ103からディジタルデータの格納または取り出しを実施し、DDS104に周波数及び振幅のディジタルデータを渡す。DDS104は、FPGA102から渡されたディジタルデータから高周波アナログ正弦波を生成して高周波電源300に出力する。ADコンバータ105は、DDS104が出力した高周波アナログ正弦波を、周波数と振幅のディジタルデータに変換する。変換されたディジタルデータは、FPGA102に渡される。FPGA102は、DDS104に渡した周波数及び振幅のディジタルデータとADコンバータ105から渡されたディジタルデータを比較し、DDS104の出力に異常がないか判定を実施する。理論上は、DDS104に渡したディジタルデータとADコンバータ105から渡されたディジタルデータは、完全に一致しているはずであるが、デジタルからアナログへの変換過程、およびアナログからデジタルへの変換過程で誤差が発生するので、異常の検出にはある程度の許容差を設けておく。
FPGA102が異常を検出した場合は、プロセッサ101が異常発生のログを記録し、統括制御装置900に対して異常通知を実施する。ここで、ADコンバータ105でのデータ変換や、FPGA102での異常判定には時間を要するため、異常の発生から異常の検出までに時間がかかりすぎることがある。本実施の形態では、異常の発生から検出までの反応速度を上げるため、コンパレータ110とクロックロス検出回路111を使用する。そもそも高周波電源300へ出力する高周波アナログ正弦波の周波数及び振幅の値については正常範囲があらかじめ決められている。この正常範囲を逸脱する場合、FPGA102の判定を待つまでもなく異常出力であることが即座に判る。周波数の異常判定にはクロックロス検出回路111を応用し、異常検出とする。振幅についてはコンパレータ110を使用し、異常を検出する。これにより、プロセッサ101は異常の通知を速やかに統括制御装置900に通知することができる。
実施の形態3.
この発明の実施の形態3を図3に基づいて説明する。本実施の形態に関わる粒子線治療システム10は、高周波制御装置100と、制御端末200と、インターロックシステム700と、タイミングシステム800と、統括制御装置900と、高周波電源300と、加速空洞400と、シンクロトロン500を備えている。本実施の形態に関わる高周波制御装置100は、プロセッサ101と、FPGA102と、FPGA102に付帯してディジタルデータを格納するメモリ103と、DDS104と、DDS106と、ADコンバータ105と、セレクター107などから構成されている。セレクター107は、第1の経路と第2の経路を有し、FPGA102がメモリ103から取り出したディジタルデータの導入経路を第1の経路または第2の経路のどちらか一方に設定する。
次に実施の形態3の動作について説明する。高周波制御装置100のプロセッサ101は、統括制御装置900からの指令に応じて、FPGA102を制御する。FPGA102はプロセッサ101からの制御に従い、メモリ103からディジタルデータの格納または取り出しを実施する。さらに、FPGA102は、セレクター107を制御してDDS104(またはDDS106)に周波数及び振幅のディジタルデータを渡す。DDS104(またはDDS106)は、ディジタルデータから高周波アナログ正弦波を生成して高周波電源300に出力する。ADコンバータ105は、DDS104(またはDDS106)の出力した高周波アナログ正弦波を、周波数と振幅のディジタルデータに変換する。
ADコンバータ105で変換されたディジタルデータは、FPGA102に渡される。FPGA102はDDS104(またはDDS106)に渡した周波数及び振幅のディジタルデータとADコンバータ105から渡されたディジタルデータを比較し、高周波アナログ出力に異常がないか判定を実施する。異常を検出した場合は、FPGA102は、セレクター107の制御を切り替え、異常検出前に選択から外れたDDS106(またはDDS104)の出力に切り替える。プロセッサ101は異常発生のログを記録し、統括制御装置900に対して異常通知を実施する。
実施の形態4.
この発明の実施の形態4を図4に基づいて説明する。本実施の形態に関わる粒子線治療システム10は、高周波制御装置100と、制御端末200と、インターロックシステム700と、タイミングシステム800と、統括制御装置900と、高周波電源300と、加速空洞400と、シンクロトロン500を備えている。本実施の形態に関わる高周波制御装置100は、プロセッサ101と、FPGA102と、FPGA102に付帯してディジタルデータを格納するメモリ103と、DDS104と、DDS106と、ADコンバータ105と、ADコンバータ108と、セレクター109などから構成されている。セレクター109は、前記第1のディジタル直接合成発振器と前記第2のディジタル直接合成発振器に接続され、DDS104で生成されたアナログ正弦波またはDDS106で生成されたアナログ正弦波のうちどちらか一方を外部に出力する。
次に実施の形態4の動作について説明する。高周波制御装置100のプロセッサ101は、統括制御装置900からの指令に応じて、FPGA102を制御する。FPGA102はプロセッサ101からの制御に従い、メモリ103からディジタルデータの格納または取り出しを実施し、DDS104及びDDS106に周波数及び振幅のディジタルデータを同時に渡す。DDS104及びDDS106は、それぞれディジタルデータから高周波アナログ正弦波を生成して出力する。ADコンバータ105はDDS104の出力した高周波アナログ正弦波を、周波数と振幅のディジタルデータに変換する。ADコンバータ105により変換されたディジタルデータは、FPGA102に渡される。同時に、ADコンバータ108はDDS106の出力した高周波アナログ正弦波を、周波数と振幅のディジタルデータに変換する。
ADコンバータ108により変換されたディジタルデータは、FPGA102渡される。FPGA102はDDS104及びDDS106に渡した周波数及び振幅のディジタルデータとADコンバータ105から渡されたディジタルデータを比較する。同時に、FPGA102はDDS104及びDDS106に渡した周波数及び振幅のディジタルデータとADコンバータ108から渡されたディジタルデータを比較する。FPGA102は、比較した結果、誤差が少なかった方を正出力として出力ができるようセレクター109を制御する。高周波電源300は正出力であると判定された高周波アナログ正弦波を受信する。実施の形態4は、実施の形態3と同様に異常検出の際に出力を切り替える回路としても機能が可能である。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
10 粒子線治療システム、20 監視制御装置、100 高周波制御装置、101 プロセッサ、102 FPGA、103 メモリ、104 DDS、105 ADコンバータ、106 DDS、107 セレクター、108 ADコンバータ、109 セレクター、110 コンパレータ、111 クロックロス検出回路、200 制御端末、300
高周波電源、400 加速空洞、500 シンクロトロン、700 インターロックシステム、800 タイミングシステム、900 統括制御装置

Claims (5)

  1. 正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理するプロセッサと、
    前記プロセッサで管理されたディジタルデータを格納するメモリと、
    前記プロセッサの指示に従って前記メモリから前記ディジタルデータを取り出すロジックデバイスと、
    前記ロジックデバイスが前記メモリから取り出した正弦波の周波数と振幅を表す第1のディジタルデータをもとにアナログ正弦波を生成するディジタル直接合成発振器と、
    前記ディジタル直接合成発振器で生成されたアナログ正弦波を周波数と振幅を表す第2のディジタルデータに変換するADコンバータとを備え、
    前記ロジックデバイスは、前記メモリから取り出した第1のディジタルデータと前記ADコンバータで変換された第2のディジタルデータとの誤差を求め、前記ロジックデバイスが前記誤差は予め設定されている許容範囲から外れていると判定すると、前記プロセッサは異常の発生を外部に通知する高周波制御装置。
  2. 前記ディジタル直接合成発振器で生成されたアナログ正弦波の周波数を検出する周波数検出回路と、
    前記ディジタル直接合成発振器で生成されたアナログ正弦波の振幅を検出する振幅検出回路とを備え、
    前記ロジックデバイスは、前記周波数検出回路で検出された周波数および前記振幅検出回路で検出された振幅を予め設定されている許容範囲と比較し、前記周波数検出回路で検出された周波数または前記振幅検出回路で検出された振幅が前記許容範囲から外れていると判定すると、前記プロセッサは異常の発生を外部に通知することを特徴とする請求項1に記載の高周波制御装置。
  3. 正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理するプロセッサと、
    前記プロセッサで管理されたディジタルデータを格納するメモリと、
    前記プロセッサの指示に従って前記メモリから前記ディジタルデータを取り出すロジックデバイスと、
    第1の経路と第2の経路を有し、前記ロジックデバイスが前記メモリから取り出した第1のディジタルデータの導入経路を前記第1の経路または前記第2の経路のどちらか一方に設定するセレクターと、
    前記セレクターの第1の経路に接続され、前記第1の経路に導入された第1のディジタルデータをもとに第1のアナログ正弦波を生成する第1のディジタル直接合成発振器と、
    前記セレクターの第2の経路に接続され、前記第2の経路に導入された第1のディジタルデータをもとに第2のアナログ正弦波を生成する第2のディジタル直接合成発振器と、
    前記第1のディジタル直接合成発振器で生成された第1のアナログ正弦波または前記第2のディジタル直接合成発振器で生成された第2のアナログ正弦波を、周波数と振幅を表す第2のディジタルデータに変換するADコンバータと、を備え、
    前記ロジックデバイスは、前記メモリから取り出した第1のディジタルデータと前記ADコンバータで変換された第2のディジタルデータとの誤差を求め、前記ロジックデバイスが前記誤差は予め設定されている許容範囲から外れていると判定すると、前記セレクターは設定されている前記第1のディジタルデータの導入経路を変更する高周波制御装置。
  4. 正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理するプロセッサと、
    前記プロセッサで管理されたディジタルデータを格納するメモリと、
    前記プロセッサの指示に従って前記メモリから前記ディジタルデータを取り出すロジックデバイスと、
    前記ロジックデバイスが前記メモリから取り出したディジタルデータをもとに第1のアナログ正弦波を生成する第1のディジタル直接合成発振器と、
    前記第1のディジタル直接合成発振器で生成された第1のアナログ正弦波を周波数と振幅を表す第1のディジタルデータに変換する第1のADコンバータと、
    前記ロジックデバイスが前記メモリから取り出したディジタルデータをもとに第2のアナログ正弦波を生成する第2のディジタル直接合成発振器と、
    前記第2のディジタル直接合成発振器で生成された第2のアナログ正弦波を周波数と振幅を表す第2のディジタルデータに変換する第2のADコンバータと、
    前記第1のディジタル直接合成発振器と前記第2のディジタル直接合成発振器に接続され、前記第1のディジタル直接合成発振器で生成された第1のアナログ正弦波または前記第2のディジタル直接合成発振器で生成された第2のアナログ正弦波のうちどちらか一方を外部に出力するセレクターとを備え、
    前記ロジックデバイスは、前記メモリから取り出したディジタルデータと前記第1のディジタルデータとの第1誤差と、前記メモリから取り出したディジタルデータと前記第2のディジタルデータとの第2誤差を比較し、前記ロジックデバイスが前記第2誤差よりも前記第1誤差の方が少ないと判定すれば、前記セレクターは前記第1のアナログ正弦波を外部に出力し、前記ロジックデバイスが前記第1誤差よりも前記第2誤差の方が少ないと判定すれば、前記セレクターは前記第2のアナログ正弦波を外部に出力する高周波制御装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の高周波制御装置と、
    前記高周波制御装置に指令を発信する監視制御装置と、
    前記高周波制御装置が出力するアナログ正弦波に基づいて動作する高周波電源と、
    前記高周波電源から供給される電力で動作するシンクロトロンとを備え、
    前記高周波制御装置のプロセッサは、前記監視制御装置で発信された指令に従って正弦波の周波数と振幅を表すディジタルデータを管理する粒子線治療システム。
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