JP2014116579A - Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multiple imposition body of lead frame, multiple imposition body of lead frame with resin, optical semiconductor device, and multiple imposition body of optical semiconductor device - Google Patents

Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multiple imposition body of lead frame, multiple imposition body of lead frame with resin, optical semiconductor device, and multiple imposition body of optical semiconductor device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame for an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor element with a resin, a multiple imposition body of a lead frame, a multiple imposition body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, and a multiple imposition body of an optical semiconductor device capable of suppressing damage by a resin part of a cavity between terminal portions even when an external force or the like is applied.SOLUTION: A lead frame 10 comprises a plurality of terminal portions 11, 12 which are insulated from each other, and at least one of the terminal portions 11, 12 is used in an optical semiconductor device 1 connected to an LED element 2. The terminal portion 11 includes a coupling portion 13d on an extension of a cavity S between the terminal portion 11 and the other terminal portion 12 opposed to the terminal portion 11.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to a lead frame for an optical semiconductor device for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, and an optical semiconductor device The present invention relates to a multifaceted body of an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置の中には、各端子部を電気的に絶縁するために、端子部間に空隙を設け、そこに樹脂を充填させているものがある。しかし、このような光半導体装置は、導電性のある金属等から形成される端子部に比べ、端子部間の空隙部の樹脂部分が最も強度が弱いものとなるため、外力等が加わることにより、その空隙部で破損してしまう場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
Among such optical semiconductor devices, in order to electrically insulate each terminal portion, there is a device in which a gap is provided between the terminal portions and a resin is filled therein. However, in such an optical semiconductor device, since the resin portion of the gap between the terminal portions has the weakest strength compared to the terminal portions formed of conductive metal or the like, an external force or the like is applied. In some cases, the gap portion may break.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、外力等が加わっても端子部間の空隙部で破損してしまうのを抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a lead frame for an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor element with a resin, and various aspects of a lead frame that can be prevented from being damaged at a gap between terminal portions even when an external force is applied. It is to provide an attachment body, a multi-face attachment body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, and a multi-face attachment body of an optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、互いに絶縁する複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、前記端子部は、対向する他の端子部との間の空隙部（Ｓ）の延長上に補強部（１３ｄ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、前記空隙部（Ｓ）に対して複数設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、当該光半導体装置用リードフレームは、枠体（Ｆ）に多面付けされており、前記補強部（１３ｄ）は、前記端子部（１１、１２）と、多面付けされる他の光半導体装置用リードフレームの端子部とを接続する連結部材を兼ねること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、前記空隙部（Ｓ）の延長上の幅全域に渡って設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、少なくとも一部が、前記端子部（１１、１２）の表面又は裏面に対して窪んだ状態に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第６の発明は、互いに絶縁する複数の端子部（５１１、５１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（５０１）に用いられる光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記複数の端子部間の空隙部（Ｓ）の延長上に補強部（Ｔ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第７の発明は、第６の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記端子部（５１１、５１２）の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面に対して窪んでいること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第８の発明は、第６の発明又は第７の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記光半導体装置（５０１）の外形の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第９の発明は、第６の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記空隙部（Ｓ）の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第１０の発明は、第６の発明から第９の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（７１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記光半導体装置の外形の中心に対して点対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。 The first invention has a plurality of terminal portions (11, 12) that are insulated from each other, and at least one of the terminal portions is used in an optical semiconductor device (1) connected to an optical semiconductor element (2). In the semiconductor lead frame (10), the terminal portion includes a reinforcing portion (13d) on an extension of the gap portion (S) between the other opposing terminal portions. Lead frame.
According to a second invention, in the optical semiconductor device lead frame (10) according to the first invention, a plurality of the reinforcing portions (13d) are provided with respect to the gap portion (S). It is a lead frame for apparatus.
According to a third invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to the first or second invention, the lead frame for an optical semiconductor device is multifaceted to the frame (F), and the reinforcement The part (13d) also serves as a connecting member for connecting the terminal part (11, 12) and a terminal part of another optical semiconductor device lead frame to be multifaceted. It is a frame.
According to a fourth invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the third invention, the reinforcing portion (13d) is a width on an extension of the gap portion (S). An optical semiconductor device lead frame characterized by being provided over the entire area.
According to a fifth invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the fourth invention, at least a part of the reinforcing portion (13d) is the terminal portion (11, 11). 12) A lead frame for an optical semiconductor device, characterized in that the lead frame is formed to be depressed with respect to the front surface or the back surface.
The sixth invention has a plurality of terminal portions (511, 512) insulated from each other, and at least one of the terminal portions is used for an optical semiconductor device (501) connected to the optical semiconductor element (2). In the lead frame for a semiconductor device (510), the lead frame for an optical semiconductor device is provided with a reinforcing portion (T) on an extension of the gap portion (S) between the plurality of terminal portions.
According to a seventh invention, in the lead frame (510) for an optical semiconductor device according to the sixth invention, the reinforcing portion (T) is at least one of the front surface and the back surface of the terminal portion (511, 512). An optical semiconductor device lead frame characterized by being recessed.
According to an eighth aspect of the present invention, in the lead frame (510) for the optical semiconductor device according to the sixth aspect or the seventh aspect, the reinforcing portion (T) is at least a center line of the outer shape of the optical semiconductor device (501). A lead frame for an optical semiconductor device, characterized in that the lead frame is provided symmetrically with respect to one center line.
According to a ninth invention, in the lead frame (510) for an optical semiconductor device according to any one of the sixth invention to the eighth invention, the reinforcing part (T) is a center line of the gap part (S). An optical semiconductor device lead frame, wherein the lead frame is provided symmetrically with respect to at least one center line.
According to a tenth aspect of the present invention, in the lead frame (710) for an optical semiconductor device according to any one of the sixth to ninth aspects, the reinforcing portion (T) is relative to the center of the outer shape of the optical semiconductor device. 1. A lead frame for an optical semiconductor device, characterized by being provided point-symmetrically.

第１１の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周及び前記空隙部（Ｓ）に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。   An eleventh aspect of the invention is the optical semiconductor device lead frame (10) according to any one of the first to tenth aspects of the invention, and the outer periphery of the terminal portions (11, 12) of the optical semiconductor device lead frame; A lead frame for an optical semiconductor device with a resin, comprising: a resin layer (20) formed in the gap (S).

第１２の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。   According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a lead frame multi-faced assembly characterized in that the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first to tenth aspects is multi-faced to the frame. It is.

第１３の発明は、第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。   A thirteenth aspect of the invention is a multi-sided body of a resin-equipped lead frame, wherein the lead frame for an optical semiconductor device with a resin of the eleventh aspect is multi-sided.

第１４の発明は、第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。   The fourteenth invention is an optical semiconductor connected to at least one of the lead frame for an optical semiconductor device with resin of the eleventh invention and the terminal portion (11, 12) of the lead frame for an optical semiconductor device with resin. An element (2) and a transparent resin layer (30) formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin connected to the optical semiconductor element and covering the optical semiconductor element, An optical semiconductor device (1).

第１５の発明は、第１４の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   A fifteenth aspect of the present invention is a multifaceted body of an optical semiconductor device, characterized in that the optical semiconductor device (1) of the fourteenth aspect is multifaceted.

本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、外力等が加わっても端子部間の空隙部の樹脂部分で破損してしまうのを抑制することができる。   According to the present invention, a lead frame for an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor element with resin, a multifaceted body of a leadframe, a multifaceted body of a leadframe with resin, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of an optical semiconductor device are: Even if an external force or the like is applied, the resin portion in the gap between the terminal portions can be prevented from being damaged.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 10 multifaceted to the flame | frame F of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 in which the light reflection resin layer 20 of 1st Embodiment was formed. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム、多面付けされた光半導体装置１を示す図である。1 is a diagram illustrating a multi-sided lead frame with resin and a multi-sided optical semiconductor device 1 according to a first embodiment; 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第２実施形態のリードフレーム２１０及び光半導体装置２０１の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 210 and optical semiconductor device 201 of 2nd Embodiment. 第３実施形態の光半導体装置５０１の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the optical semiconductor device 501 of 3rd Embodiment. 第３実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム５１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 510 multifaceted to the flame | frame F of 3rd Embodiment. 第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame with resin of 3rd Embodiment. 第４実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム６１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 610 multifaceted to the flame | frame F of 4th Embodiment. 第５実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム７１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 710 multifaceted to the flame | frame F of 5th Embodiment. 第６実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム８１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 810 multifaceted to the flame | frame F of 6th Embodiment. 第７実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム９１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 910 multifaceted to the flame | frame F of 7th Embodiment. 第８実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 1010 multifaceted to the flame | frame F of 8th Embodiment. 変形形態のリードフレーム３１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 310 of a deformation | transformation form. 変形形態の光半導体装置４０１を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device 401 of a deformation | transformation form.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
図２は、第１実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０を示す図である。
図３は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。 (First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. .
FIG. 2 is a diagram showing the lead frame 10 that is multifaceted to the frame F of the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
3A and 3B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame 10, and FIGS. 3C and 3D are cc cross sections in FIG. 3A, respectively. , Dd sectional drawing is shown.
FIG. 4 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
4 (a) and 4 (b) show a plan view and a back view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, respectively, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) respectively. The cc sectional view and dd sectional view of Drawing 4 (a) are shown.
In each figure, the longitudinal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the left-right direction X, the short direction is the up-down direction Y, and the front and back directions are the thickness direction Z.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、図２に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
As shown in FIG. 2, the optical semiconductor device 1 is formed by forming a light reflecting resin layer 20 on a multi-sided lead frame 10, electrically connecting the LED elements 2, and forming a transparent resin layer 30. It is manufactured by cutting (dicing) into units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
The terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer C is formed in the surface and the back surface (refer FIG.5 (e)), and the plating layer C of the surface side is a reflection layer which reflects the light which LED element 2 emits. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 As shown in FIG. 3, the terminal portions 11 and 12 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the outer peripheral portion on the back surface side.
The concave portion M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the terminal portions 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, and the thickness of the bottom surface is 1/3 to 2 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. / 3 or so.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓに、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   When the lead frame 10 is filled with a resin that forms the light-reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or in the gap S between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. M is also filled with resin, and the contact area between the light reflecting resin layer 20 and the terminal portions 11 and 12 is increased. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in a plane direction (X direction, Y direction) and a thickness direction.

連結部１３は、図２に示すように、フレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、フレームＦに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６（ｂ）参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図２中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。 As shown in FIG. 2, the connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 10 and the frame F. Yes. When the LED element 2 or the like is mounted on each of the lead frames 10 that are multi-faced, and the multi-face-attached body (see FIG. 6B) of the optical semiconductor device 1 is formed, the connecting portion 13 Dicing (cutting) is performed at the outline to be formed (broken line in FIG. 2).
The connection part 13 is formed in the edge | side except the edge | side which the terminal parts 11 and 12 oppose among each edge | side which forms the terminal parts 11 and 12. FIG.

具体的には、連結部１３ａは、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。フレームＦに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、フレームＦとを接続している。   Specifically, the connecting portion 13a connects the right (+ X) side edge of the terminal portion 12 and the left (−X) side edge of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the right side, Further, the left side of the terminal part 11 is connected to the right side of the terminal part 12 of another lead frame 10 adjacent to the left side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 a connects the frame F with the left side of the terminal portion 11 or the right side of the terminal portion 12.

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。フレームＦに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、フレームＦとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。フレームＦに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、フレームＦとを接続している。 The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portion 11 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 b connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 11.
The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. For the terminal portion 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 c connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 12.

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいい、図２中の斜線部の領域を示す。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、フレームＦに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、フレームＦとを接続している。 The connecting portion 13 d (reinforcing portion) is formed so as to cross over the extension of the gap S between the terminal portion 11 and the terminal portion 12. Here, the extension of the gap S refers to a region where the gap S is extended in the vertical (Y) direction, and indicates a hatched area in FIG. In the present embodiment, the connecting portion 13d is located on the opposite side of the terminal portion (12, 11) and the gap S between the terminal portions, and is adjacent to the upper or lower lead frame. In order to connect the parts (11, 12), it is formed in a shape that is inclined (for example, 45 degrees) with respect to the upper side of the terminal part 11 and the lower side of the terminal part 12.
Specifically, the connecting part 13d connects the upper side of the terminal part 12 and the lower side of the terminal part 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side of the terminal part 11 Are connected to the upper side of the terminal portion 12 of the other lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 d connects the frame F with the upper side of the terminal portion 12 or the lower side of the terminal portion 11.

ここで、仮に、連結部１３ｄが存在しない場合、多面付けされたリードフレーム１０には、フレームＦの上端から下端に渡って、各リードフレーム１０の空隙部Ｓ及びその延長上に連結部１３が存在しないこととなる。そのため、後述のリードフレーム１０に対して光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置１を製造することができなくなる場合が生じる。
これに対して、本発明のリードフレーム１０には、連結部１３ｄが、リードフレーム１０の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして、端子部１１と他のリードフレーム１０の端子部１２とを接続することによって、上記問題の発生を抑制することができる。 Here, if the connecting portion 13d does not exist, the multifaceted lead frame 10 includes the gap portion S of each lead frame 10 and the connecting portion 13 on the extension thereof from the upper end to the lower end of the frame F. It will not exist. Therefore, in the step of forming the light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10 described later, the distance between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 is shifted, or each terminal portion 11, 12 is twisted with respect to the frame F. As a result, the optical semiconductor device 1 cannot be manufactured properly.
On the other hand, in the lead frame 10 of the present invention, the connecting portion 13d crosses over the extension of the gap portion S of the lead frame 10 so that the terminal portion 11 and the terminal portion 12 of the other lead frame 10 are connected. By connecting, occurrence of the above problem can be suppressed.

また、連結部１３ｄを備えていないリードフレームで光半導体装置を製造した場合、端子部間の空隙部及びその延長上は、光反射樹脂層のみが存在することとなるため、他の部分に比べ光半導体装置の強度が低くなる。そのため、その光半導体装置は、外力等が加わった場合に、その空隙部で折れて破損してしまうおそれがある。
これに対して、本発明の光半導体装置１は、外力等が加わったとしても、図１（ａ）に示すように、空隙部Ｓの延長上に連結部１３ｄが存在しているため、空隙部Ｓが樹脂のみである場合に比べ、空隙部Ｓの強度を向上させることができ、光半導体装置１が空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。 In addition, when an optical semiconductor device is manufactured with a lead frame that does not include the connecting portion 13d, only the light reflecting resin layer exists on the gap between the terminal portions and the extension thereof, so that compared to other portions. The strength of the optical semiconductor device is lowered. Therefore, the optical semiconductor device may be broken at the gap portion and damaged when an external force or the like is applied.
On the other hand, in the optical semiconductor device 1 of the present invention, even if an external force or the like is applied, the coupling portion 13d exists on the extension of the gap portion S as shown in FIG. Compared with the case where the portion S is made of only resin, the strength of the gap portion S can be improved, and the optical semiconductor device 1 can be prevented from being damaged in the gap portion S.

ここで、光半導体装置１の上記破損を効果的に抑制するためには、連結部１３ｄは、端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上の幅（Ｘ）方向全域を横切るようにして形成されていることが望ましい。
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、端子部１１の下側の辺に形成された連結部１３ｄは、対向する端子部１２の左側の辺の延長線ｐ１の手前で切断され、また、端子部１２の上側の辺に形成された連結部１３ｄは、対向する端子部１１の右側の辺の延長線ｐ２の手前で切断される。そのため、端子部１１、１２の各連結部１３ｄは、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域を横切るようには形成されていない。 Here, in order to effectively suppress the damage of the optical semiconductor device 1, the connecting portion 13d crosses the entire region in the width (X) direction on the extension of the gap portion S between the terminal portions 11 and 12. It is desirable that it be formed.
In the present embodiment, as shown in FIG. 1A, the connecting portion 13d formed on the lower side of the terminal portion 11 is cut before the extension line p1 on the left side of the opposing terminal portion 12. Further, the connecting portion 13 d formed on the upper side of the terminal portion 12 is cut before the extension line p <b> 2 on the right side of the opposing terminal portion 11. Therefore, each connection part 13d of the terminal parts 11 and 12 is not formed so that the whole width direction whole area on extension of the space | gap part S may be crossed.

しかし、空隙部Ｓ及びその延長上を光半導体装置１の全体で見た場合に、上記２つの連結部のうちいずれかの連結部１３ｄが、常に空隙部Ｓの延長上を横切ることとなるので、実質的には、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って連結部１３ｄが横切ることとなる。従って、本実施形態の連結部１３ｄは、より効果的に光半導体装置１の破損を抑制することができる。
また、本実施形態の光半導体装置１は、光半導体装置１の上端及び下端の両側に連結部１３ｄが存在しているため、連結部が一箇所設けられる場合に比べ、空隙部Ｓにおける強度を向上し、かつ、均一にすることができる。 However, when the gap S and its extension are viewed as a whole of the optical semiconductor device 1, any one of the two linkages 13d always crosses over the gap S extension. In practice, the connecting portion 13d crosses over the entire width direction on the extension of the gap portion S. Therefore, the connection part 13d of this embodiment can suppress the damage of the optical semiconductor device 1 more effectively.
Moreover, since the optical semiconductor device 1 of this embodiment has the connection part 13d in the both sides of the upper end of the optical semiconductor device 1, and a lower end, compared with the case where one connection part is provided, the intensity | strength in the space | gap part S is shown. It can improve and make it uniform.

なお、端子部１１、１２は、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と、連結部１３とによって電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   In addition, although the terminal parts 11 and 12 are electrically connected by the terminal parts 11 and 12 of the other adjacent lead frame 10 and the connecting part 13, after forming the multi-faced body of the optical semiconductor device 1, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面と同一平面内に形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏面にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｃ）、図４（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 3 (c) and 3 (d), the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in the same plane as the bottom surfaces of the recesses M of the terminal portions 11 and 12. Thus, when the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled by a method in which the lead frame 10 is held down from the front and back with a flat mold or a tape is attached to the front and back surfaces and the resin is injected from the side, FIG. 4 (d), it is possible to prevent the resin from flowing into the back surface of the connecting portion 13 and peeling off the light reflecting resin layer 20 from the lead frame 10.
Further, as shown in FIG. 4B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、各端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。 As shown in FIG. 4, the light reflecting resin layer 20 includes outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 (the outer periphery of the lead frame 10 and the space S between the terminal portions), and a recess M provided in each terminal portion. And a resin layer filled on the back surface of the connecting portion 13. The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 10.
The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. A thermosetting resin is desirable because it is necessary to obtain chemical adhesion to the frame.

例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。 For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
また、透明樹脂層３０は、図１に示すように、光半導体装置１の外形に合わせた略直方体状の形状に限られず、光を効率よく制御するために、ＬＥＤ素子２の部分に対して半球状等に形成してもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.
Further, as shown in FIG. 1, the transparent resin layer 30 is not limited to a substantially rectangular parallelepiped shape matched to the outer shape of the optical semiconductor device 1, and the LED element 2 portion is controlled to efficiently control light. You may form in a hemisphere etc.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から多面付けされた複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 5B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG.5 (c) is a figure which shows the metal substrate 100 after an etching process. FIG. 5D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 5E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 5, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of lead frames 10 that are multifaceted from one metal substrate 100 are manufactured.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 5A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 5B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive liquid using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, the lead frame 10 penetrates through the outer periphery of the terminal portions 11 and 12, the space penetrating like the gap portion S between the terminal portions 11 and 12, and the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13. In addition, there is a recessed space where the thickness is reduced (see FIG. 3). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 5C, terminal portions 11 and 12 having recesses M are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100.

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、フレームＦに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame F as shown in FIG. In FIG. 2, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム、多面付けされた光半導体装置１を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化され、光半導体装置１を形成したリードフレーム１０の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating the multi-sided lead frame with resin and the multi-sided optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
7A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED elements 2 are electrically connected. . FIG. 7C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 7D is a cross-sectional view of the lead frame 10 that is separated into pieces by dicing to form the optical semiconductor device 1.
In FIG. 7, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100. 7A to 7D are based on the cross-sectional view of FIG.

図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、光反射樹脂層２０の表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。以上により、図６（ａ）に示すように、樹脂付きのリードフレーム１０の多面付け体が形成される。 As shown in FIG. 7A, the light reflecting resin layer 20 is formed by filling the outer periphery of the lead frame 10 formed by etching on the metal substrate 100 with the resin having the above-described light reflection characteristics. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting the resin, such as injection molding or transfer molding, or by screening the resin on the lead frame 10. It is formed by a printing method or the like. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 to the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13 to join the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20.
The light reflecting resin layer 20 is formed to have a thickness substantially equal to that of the terminal portions 11 and 12, and the LED terminal surfaces 11 a and 12 a of the terminal portions 11 and 12 are formed on the front and back surfaces of the light reflecting resin layer 20, respectively. External terminal surfaces 11b and 12b are exposed (see FIGS. 4A and 4B). In this way, as shown in FIG. 6A, a multi-faced body of the lead frame 10 with resin is formed.

次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 7B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図７（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６（ｂ）に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 Then, as shown in FIG. 7C, a transparent resin layer 30 is formed on the lead frame 10 and the surface of the light reflecting resin layer 20 bonded thereto so as to cover the LED element 2.
The transparent resin layer 30 may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. Thus, as shown in FIG. 6B, the multifaceted optical semiconductor device 1 is formed.
Finally, as shown in FIG. 7D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 is cut (dicing, punching, cutting) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Etc.) to obtain the optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (divided into one package).

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、空隙部Ｓの延長上に連結部１３ｄを備えているので、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１０は、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置１を製造することができなくなるのを抑制することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the lead frame 10 includes the connecting portion 13d on the extension of the gap S, the strength in the gap S of the optical semiconductor device 1 can be improved, and an external force or the like is applied to the optical semiconductor device 1. In this case, it is possible to suppress breakage and breakage in the gap S.
Further, in the step of forming the light reflecting resin layer 20, the lead frame 10 has an appropriate distance between the terminal portion 11 and the terminal portion 12, or the terminal portions 11 and 12 are twisted with respect to the frame F. Thus, it is possible to prevent the optical semiconductor device 1 from being manufactured.

（２）リードフレーム１０は、端子部１１、１２の上端側及び下端側のそれぞれに連結部１３ｄが設けられているので、連結部が一箇所設けられる場合に比べ、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上し、かつ、均一にすることができる。
（３）連結部１３ｄは、端子部１２と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１とを連結し、また、端子部１１と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２とを連結している。これにより、連結部１３ｄは、端子部１１、１２と上下に隣接する他のリードフレームの端子部１２、１１とを接続する連結部としての役割と、端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切って、空隙部Ｓの補強部としての役割とを果たすことができる。
（４）リードフレーム１０は、端子部１１、１２の上側及び下側に連結部１３ｄを設けているので、実質的には、連結部１３ｄを、端子部１１、１２間の空隙部を全域に渡って横切らせており、より効果的に空隙部Ｓの強度を向上させ、光半導体装置１の破損を抑制することができる。
（５）連結部１３は、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されているので、端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との接触面積を増やすことができる。また、リードフレーム１０の厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に噛み合わせることができる。これにより、リードフレーム１０から光反射樹脂層２０が剥離してしまうのを抑制することができる。 (2) Since the lead frame 10 is provided with the connecting portions 13d on the upper end side and the lower end side of the terminal portions 11 and 12, respectively, compared to the case where the connecting portion is provided at one place, the gap portion of the optical semiconductor device 1 The strength of S can be improved and made uniform.
(3) The connecting portion 13d connects the terminal portion 12 and the terminal portion 11 of the other lead frame 10 adjacent on the upper side, and the terminal portion 11 and the terminal of the other lead frame 10 adjacent on the lower side. The part 12 is connected. As a result, the connecting portion 13d serves as a connecting portion that connects the terminal portions 11 and 12 to the terminal portions 12 and 11 of other lead frames that are vertically adjacent to each other and the extension of the gap S between the terminal portions. It can play a role as a reinforcing part of the gap S across the gap.
(4) Since the lead frame 10 is provided with the connecting portions 13d on the upper and lower sides of the terminal portions 11 and 12, the connecting portion 13d is substantially disposed over the gap between the terminal portions 11 and 12. Crossing across, the strength of the void S can be improved more effectively, and damage to the optical semiconductor device 1 can be suppressed.
(5) Since the connecting part 13 is thinner than the terminal parts 11 and 12 and the surface thereof is formed in the same plane as the surface of the terminal parts 11 and 12, the terminal parts 11 and 12 and the light reflections. The contact area with the resin layer 20 can be increased. Further, the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20 can be alternately meshed with each other in the thickness (Z) direction of the lead frame 10. Thereby, it can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10. FIG.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態のリードフレーム２１０及び光半導体装置２０１の詳細を説明する図である。
図８（ａ）は、多面付けされたリードフレーム２１０を示す図であり、図８（ｂ）は、光半導体装置２０１の全体構成を示す図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram illustrating details of the lead frame 210 and the optical semiconductor device 201 according to the second embodiment.
FIG. 8A is a view showing the multi-faced lead frame 210, and FIG. 8B is a view showing the entire configuration of the optical semiconductor device 201.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレーム２１０は、連結部２１３ｄの形状が第１実施形態のリードフレーム１０の連結部１３ｄの形状と相違する。
連結部２１３ｄは、図８に示すように、端子部２１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム２１０の端子部２１１の下側の辺とを接続し、また、端子部２１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム２１０の端子部２１２の上側の辺とを接続する。すなわち、連結部２１３ｄは、一の端子部（２１２、２１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んで対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（２１１、２１２）とを連結するために、クランク状に屈折した形状に形成される。 In the lead frame 210 of the second embodiment, the shape of the connecting portion 213d is different from the shape of the connecting portion 13d of the lead frame 10 of the first embodiment.
As shown in FIG. 8, the connecting portion 213 d connects the upper side of the terminal portion 212 and the lower side of the terminal portion 211 of the other lead frame 210 adjacent to the upper side, The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 212 of another lead frame 210 adjacent to the lower side. That is, the connecting portion 213d is located on the side facing the one terminal portion (212, 211) with the gap S between the terminal portions, and is adjacent to the terminal portion (211 of the other lead frame) above or below. , 212) to be coupled to the crank shape.

このように形成されることによって、連結部２１３ｄは、端子部２１１、２１２の上側の辺と平行する部位が、端子部２１１及び端子部２１２間の空隙部Ｓの上方向の延長上を、幅方向の全域に渡って横切るようにして形成される。
連結部２１３は、多面付けされた各リードフレーム２１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、多面付けの光半導体装置２０１が形成された場合に、図８（ａ）に示すリードフレーム２１０の外形線（図８（ａ）中の破線）で切断される。これにより、個片化された光半導体装置２０１は、図８（ｂ）に示すように、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って横切る連結部２１３ｄを、その上端に備えた状態となる。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。 By forming the connection portion 213d in this way, the width of the portion parallel to the upper side of the terminal portions 211 and 212 extends over the upward extension of the gap portion S between the terminal portions 211 and 212. It is formed so as to cross over the entire direction.
When the LED element 2 or the like is mounted on each multi-sided lead frame 210 and the multi-sided optical semiconductor device 201 is formed, the connecting portion 213 has an outline of the lead frame 210 shown in FIG. It is cut at (a broken line in FIG. 8A). Thereby, as shown in FIG. 8B, the separated optical semiconductor device 201 is provided with a connecting portion 213d across the entire width direction on the extension of the gap S at its upper end. Become. Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

以上より、本実施形態の発明は以下の効果を奏する。
（１）リードフレーム２１０は、光半導体装置２０１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置２０１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム２１０は、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部２１１と端子部２１２との間隔がずれたり、各端子部２１１、２１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置２０１を製造することができなくなるのを抑制することができる。
（２）連結部２１３ｄは、端子部２１１と他のリードフレームの端子部２１２とを接続する連結部としての役割と、端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切って、空隙部Ｓの補強部としての役割とを果たすことができる。
（３）光半導体装置２０１は、連結部２１３ｄが、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って横切るようにして形成されているので、上記効果をより効率よく奏することができる。
（４）連結部２１３は、端子部２１１、２１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部２１１、２１２の表面と同一平面内に形成されているので、リードフレーム２１０の厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム２１０と光反射樹脂層２０とを交互に噛み合わせることができる。これにより、リードフレーム２１０から光反射樹脂層２０が剥離してしまうのを抑制することができる。 As described above, the invention of this embodiment has the following effects.
(1) The lead frame 210 can improve the strength in the gap S of the optical semiconductor device 201. When an external force or the like is applied to the optical semiconductor device 201, the lead frame 210 breaks and breaks in the gap S. Can be suppressed.
Further, in the step of forming the light reflecting resin layer 20, the lead frame 210 has an appropriate distance between the terminal portion 211 and the terminal portion 212, or the terminal portions 211 and 212 are twisted with respect to the frame F. In addition, it is possible to prevent the optical semiconductor device 201 from being manufactured.
(2) The connecting portion 213d serves as a connecting portion for connecting the terminal portion 211 and the terminal portion 212 of another lead frame, and reinforces the gap portion S across the extension of the gap portion S between the terminal portions. Can serve as a department.
(3) Since the optical semiconductor device 201 is formed such that the connecting portion 213d crosses over the entire width direction on the extension of the gap portion S, the above-described effect can be achieved more efficiently.
(4) Since the connecting portion 213 is thinner than the terminal portions 211 and 212 and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 211 and 212, the thickness (Z) of the lead frame 210. In the direction, the lead frame 210 and the light reflecting resin layer 20 can be alternately meshed with each other. Thereby, it can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 210. FIG.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態の光半導体装置５０１の全体構成を示す図である。
図９（ａ）は、光半導体装置５０１の平面図を示し、図９（ｂ）は、光半導体装置５０１の側面図を示し、図９（ｃ）は、光半導体装置５０１の裏面図を示す。図９（ｄ）は、図９（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図１０は、第３実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム５１０を示す図である。図１０（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１０（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
図１１は、第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。図１１（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体の平面図であり、図１１（ｂ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体の裏面図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a diagram showing an overall configuration of the optical semiconductor device 501 of the third embodiment.
FIG. 9A shows a plan view of the optical semiconductor device 501, FIG. 9B shows a side view of the optical semiconductor device 501, and FIG. 9C shows a back view of the optical semiconductor device 501. . FIG. 9D shows a dd cross-sectional view of FIG.
FIG. 10 is a view showing a lead frame 510 multifaceted to the frame F of the third embodiment. FIG. 10A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 10B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.10 (c) is cc sectional drawing of Fig.10 (a).
FIG. 11 is a view showing a multi-faced body of a resin-attached lead frame according to the third embodiment. FIG. 11A is a plan view of a multi-faced body of a lead frame with resin, and FIG. 11B is a back view of the multi-faced body of a lead frame with resin. FIG.11 (c) is cc sectional drawing of Fig.11 (a).
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第３実施形態のリードフレーム５１０は、空隙部Ｓの延長上を横切る連結部（１３ｄ）が形成されない代わりに、補強片Ｔが端子部１１、１２とは別体でその端子部の周囲に形成されている点で、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。また、第３実施形態のリードフレーム５１０は、図９に示すように、ＬＥＤ素子２が接続される側の面にリフレクタ５２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置５０１用のリードフレームである点においても、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
リードフレーム５１０は、図９及び図１０に示すように、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部５１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部５１２とから構成される。また、リードフレーム５１０は、その外形の範囲内（図１０（ａ）中の破線内）に、連結部５１３及び補強片Ｔが設けられている。 In the lead frame 510 of the third embodiment, instead of the connection portion (13d) crossing over the extension of the gap portion S, the reinforcing piece T is formed separately from the terminal portions 11 and 12 and around the terminal portion. This is different from the lead frame 10 of the first embodiment. Further, as shown in FIG. 9, the lead frame 510 of the third embodiment is a lead frame for a so-called cup-type optical semiconductor device 501 in which a reflector 520a is formed on the surface to which the LED element 2 is connected. In a certain point, it is different from the lead frame 10 of the first embodiment.
As shown in FIGS. 9 and 10, the lead frame 510 is connected to the LED element 2 through a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 511 on which the LED element 2 is placed and connected, and a bonding wire 2a. Terminal portion 512. Further, the lead frame 510 is provided with a connecting portion 513 and a reinforcing piece T within the range of its outer shape (inside the broken line in FIG. 10A).

連結部５１３は、図１０に示すように、フレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部５１１、５１２を、隣接する他のリードフレーム５１０の端子部や、フレームＦに連結している。具体的には、連結部５１３は、端子部５１１と、それに隣接する他のリードフレームの端子部５１２とを接続し、また、端子部５１２と、それに隣接する他のリードフレームの端子部５１１とを連結する。さらに、連結部５１３は、フレームＦに隣接する端子部に対しては、フレームＦと端子部５１１又は端子部５１２とを連結している。   As shown in FIG. 10, the connecting portion 513 connects the terminal portions 511 and 512 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 510 and the frame F. Yes. Specifically, the connecting portion 513 connects the terminal portion 511 and the terminal portion 512 of another lead frame adjacent thereto, and the terminal portion 512 and the terminal portion 511 of another lead frame adjacent thereto. Are connected. Further, the connecting portion 513 connects the frame F and the terminal portion 511 or the terminal portion 512 to the terminal portion adjacent to the frame F.

補強片Ｔは、端子部５１１及び端子部５１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成されており、リードフレーム５１０に樹脂が充填された場合に、空隙部Ｓの強度を向上させることができ、樹脂付きリードフレームが空隙部Ｓで破損してしまうのを抑制する。ここで、補強片Ｔは、各端子部とは連結されていない。
補強片Ｔは、端子部５１１、５１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦに接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の中央部に接続部Ｔ２が形成され、Ｔ字状に形成されている。ここで、フレームＦは、多面付けされるリードフレームの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、上記配列方向とは直交する方向（Ｙ方向）に配列される各リードフレーム５１０間に形成される中間枠体部Ｆ２とを備える。 The reinforcing piece T is formed so as to cross over the extension of the gap portion S between the terminal portion 511 and the terminal portion 512, and improves the strength of the gap portion S when the lead frame 510 is filled with resin. It is possible to prevent the lead frame with resin from being damaged at the gap S. Here, the reinforcing piece T is not connected to each terminal portion.
The reinforcing piece T includes a rectangular reinforcing portion T1 that is long in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions 511 and 512, and a connecting portion T2 that connects the reinforcing portion T1 to the frame F. The reinforcing piece T has a connecting portion T2 formed at the center of the reinforcing portion T1, and is formed in a T shape. Here, the frame F is between the outer peripheral frame body portion F1 formed so as to surround the outer periphery of the multi-faced lead frame and each lead frame 510 arranged in a direction (Y direction) orthogonal to the arrangement direction. And an intermediate frame portion F2 to be formed.

補強片Ｔの接続部Ｔ２のうち中間枠体部Ｆ２に隣接する接続部Ｔ２は、その中間枠体部Ｆ２に接続されており、また、外周枠体部Ｆ１に隣接する接続部Ｔ２は、その外周枠体部Ｆ１に接続されている。接続部Ｔ２は、多面付けされた各リードフレーム５１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置の多面付け体が形成された場合に、リードフレーム５１０を形成する外形線（図１０（ａ）中の破線）でダイシング（切断）される。
ここで、接続部Ｔ２は、補強部Ｔ１の長手（Ｘ）方向の幅寸法が、補強部Ｔ１に比べ十分に狭い寸法（例えば、１０分の１）で形成されている。そのため、リードフレーム５１０の外形でダイシングする場合に、切断する金属部の加工面積を極力減らすことができ、切断加工の効率が低減してしまうのを抑制することができる。また、図９（ｂ）に示すように、製造された光半導体装置５０１の側面から表出する補強片Ｔの接続部Ｔ２の断面が小さくなるので、補強片Ｔは、外部から浸入する水分等の浸入経路を最小限にすることができ、光半導体装置５０１の製品の信頼性を向上させることができる。 Of the connection part T2 of the reinforcing piece T, the connection part T2 adjacent to the intermediate frame part F2 is connected to the intermediate frame part F2, and the connection part T2 adjacent to the outer peripheral frame part F1 is It is connected to the outer peripheral frame part F1. The connecting portion T2 has an outline (see FIG. 10A) that forms the lead frame 510 when the LED element 2 or the like is mounted on each of the multiple lead frames 510 and a multi-faced body of the optical semiconductor device is formed. ) Is diced (cut).
Here, the connecting portion T2 is formed with a width dimension in the longitudinal (X) direction of the reinforcing portion T1 that is sufficiently narrow (for example, 1/10) compared to the reinforcing portion T1. Therefore, when dicing with the outer shape of the lead frame 510, the processing area of the metal part to be cut can be reduced as much as possible, and the reduction in cutting efficiency can be suppressed. Further, as shown in FIG. 9B, since the cross section of the connecting portion T2 of the reinforcing piece T exposed from the side surface of the manufactured optical semiconductor device 501 becomes small, the reinforcing piece T has moisture or the like entering from the outside. , And the reliability of the product of the optical semiconductor device 501 can be improved.

補強片Ｔは、光半導体装置５０１の外形（図１０（ａ）中の破線）の上下方向及び左右方向の中心線に対して線対称に形成されている。これにより、金属から形成されるリードフレームと、樹脂から形成される光反射樹脂層との線膨張率の差によって生じる樹脂付きリードフレームや、光半導体装置１の伸縮や歪みを外形寸法内で均一にすることができる。
なお、端子部５１１及び端子部５１２の形状の差が大きい場合（例えば、端子部５１１と端子部５１２の表面積の比が２：３以上大きい場合）、補強片Ｔの接続部Ｔ２は、各端子部の空隙部Ｓの延長上に設け、補強片Ｔが空隙部ＳのＸ方向及びＹ方向の中心線に対して線対称に設けられるようにしてもよい。このようにすることで、端子部の大きさが極端に相違する場合でも空隙部Ｓにおける光反射樹脂層５２０の強度を向上させることができ、補強片Ｔは、空隙部Ｓにおける破損をより効率よく抑制することができる。
また、接続部Ｔ２を形成する位置は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂の種類（樹脂の硬化後の硬さ）に応じて変更するようにしてもよい。例えば、樹脂の硬化後の硬さが所定の値（損失弾性率が１０９Ｐａかつ貯蔵弾性率が１０８Ｐａ）以上の場合、その樹脂は外力に対してクラックが入り易くなるため、接続部Ｔ２は、空隙部Ｓの延長上に設けられていることが望ましい。 The reinforcing pieces T are formed symmetrically with respect to the vertical and horizontal center lines of the outer shape of the optical semiconductor device 501 (broken line in FIG. 10A). Thereby, the lead frame with resin generated due to the difference in linear expansion coefficient between the lead frame formed of metal and the light reflecting resin layer formed of resin, and the expansion and contraction and distortion of the optical semiconductor device 1 are uniform within the outer dimensions. Can be.
In addition, when the difference of the shape of the terminal part 511 and the terminal part 512 is large (for example, when the ratio of the surface area of the terminal part 511 and the terminal part 512 is 2: 3 or more large), the connection part T2 of the reinforcement piece T is each terminal. The reinforcing piece T may be provided symmetrically with respect to the center lines of the gap S in the X direction and the Y direction. By doing in this way, even when the size of the terminal portion is extremely different, the strength of the light reflecting resin layer 520 in the gap portion S can be improved, and the reinforcing piece T can more efficiently break the gap portion S. It can be well suppressed.
The position where the connection portion T2 is formed may be changed according to the type of resin (the hardness after curing of the resin) that forms the light reflecting resin layer 520. For example, when the hardness of the resin after curing is a predetermined value (loss elastic modulus is 10 9 Pa and storage elastic modulus is 10 8 Pa) or more, the resin is easily cracked by external force. It is desirable that T2 is provided on the extension of the gap S.

補強片Ｔは、図１０に示すように、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄く形成されている。具体的には、補強片Ｔは、その表面が各端子部５１１、５１２の表面と同一平面内に形成され、また、その裏面が各端子部の裏面から窪むように形成されている。補強片Ｔの裏面は、各端子部５１１、５１２の凹部Ｍの底面と同一面内に形成されている。これにより、リードフレーム５１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏面にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層５２０の樹脂が充填された場合に、端子部の外周等に樹脂を流動させ易くすることができる。
また、図１１に示すように、補強片Ｔの裏面にも樹脂が流れ込むので、リードフレーム５１０と樹脂との密着面積が増え、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。さらに、製造された光半導体装置５０１の裏面から、補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができ、光半導体装置５０１の外観、基板への実装時のアライメント容易性、半田接合時のセルフアライメント性を向上させることができる（図１１（ｂ）参照）。 As shown in FIG. 10, the reinforcing piece T is formed thinner than the thickness of the terminal portions 511 and 512. Specifically, the reinforcing piece T is formed such that the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 511 and 512, and the back surface thereof is recessed from the back surface of each terminal portion. The back surface of the reinforcing piece T is formed in the same plane as the bottom surfaces of the recesses M of the terminal portions 511 and 512. Accordingly, when the resin of the light reflecting resin layer 520 is filled by a method of holding the lead frame 510 from the front and back with a flat mold or sticking a tape to the front and back and injecting resin from the side, the outer periphery of the terminal portion For example, the resin can easily flow.
Further, as shown in FIG. 11, since the resin also flows into the back surface of the reinforcing piece T, the contact area between the lead frame 510 and the resin is increased, and the light reflecting resin layer 520 is prevented from being peeled off from the lead frame 510. can do. Further, the reinforcing piece T can be prevented from appearing from the back surface of the manufactured optical semiconductor device 501, and the appearance of the optical semiconductor device 501, the ease of alignment when mounted on the substrate, and the self during solder bonding can be prevented. Alignment can be improved (see FIG. 11B).

フレームＦの中間枠体部Ｆ２は、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部５１１、５１２の表面と同一平面内に形成されている。すなわち、中間枠体部Ｆ２は、その裏面が、補強片Ｔの裏面と同一平面内に形成されている。中間枠体部Ｆ２は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂がリードフレームの多面付け体に充填された場合に、その裏面にも樹脂が充填されることとなるので、光反射樹脂層５２０とリードフレームの多面付け体との密着面積を増やすことができる。これにより、光反射樹脂層５２０がリードフレームの多面付け体から剥離してしまうのを抑制することができる。   The intermediate frame portion F2 of the frame F is thinner than the terminal portions 511 and 512, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 511 and 512. That is, the back surface of the intermediate frame body portion F2 is formed in the same plane as the back surface of the reinforcing piece T. When the resin forming the light reflecting resin layer 520 is filled in the multi-faced body of the lead frame, the intermediate frame portion F2 is filled with the resin on the back surface. The contact area of the lead frame with the multi-faced body can be increased. Thereby, it can suppress that the light reflection resin layer 520 peels from the multi-faced body of a lead frame.

光反射樹脂層５２０は、図１１に示すように、各端子部５１１、５１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面と、補強片Ｔの裏面とに充填された樹脂の層である。また、光反射樹脂層５２０には、リードフレーム５１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ５２０ａが形成されている。
リフレクタ５２０ａは、ＬＥＤ素子２が配置される部分（配置部）、すなわち、端子部５１１、５１２のＬＥＤ端子面５１１ａ、５１２ａを囲むようにして、リードフレーム５１０の表面側に突出している。これにより、リフレクタ５２０ａは、ＬＥＤ端子面５１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置５０１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ５２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面５１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。また、リフレクタ５２０ａが形成されることによって、リードフレーム５１０に設けられた補強部Ｔの表面が、光半導体装置５０１（樹脂付きリードフレーム）の表面から視認されてしまうのを防ぐことができ、光半導体装置５０１の外観を良好に保つことができる。また、ＬＥＤ端子部５１１が光反射樹脂層５２０から剥離してしまうのを抑制することができる。 As shown in FIG. 11, the light reflecting resin layer 520 includes outer peripheral side surfaces (the outer periphery of the lead frame 10 and the gap S between the terminal portions) of the terminal portions 511 and 512, and concave portions M provided in the terminal portions. And a resin layer filled on the back surface of the connecting portion 13 and the back surface of the reinforcing piece T. The light reflecting resin layer 520 is formed with a reflector 520a for controlling the direction of light emitted from the LED element 2 on the surface of the lead frame 510 (the surface on which the LED element 2 is placed). .
The reflector 520a protrudes to the surface side of the lead frame 510 so as to surround a portion (arrangement portion) where the LED element 2 is disposed, that is, the LED terminal surfaces 511a and 512a of the terminal portions 511 and 512. Thereby, the reflector 520a reflects the light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 511a, and efficiently irradiates the light from the optical semiconductor device 501.
The reflector 520a is formed with a height that is greater than the height of the LED element 2 connected to the LED terminal surface 511a. Further, the formation of the reflector 520a can prevent the surface of the reinforcing portion T provided on the lead frame 510 from being visually recognized from the surface of the optical semiconductor device 501 (lead frame with resin). The appearance of the semiconductor device 501 can be kept good. Moreover, it can suppress that the LED terminal part 511 peels from the light reflection resin layer 520. FIG.

以上より、本実施形態の発明は以下の効果を奏する。
（１）リードフレーム５１０は、空隙部Ｓの延長上に補強片Ｔを備えているので、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
（２）補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、樹脂が充填された場合に樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができ、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の外観を良好に保つことができる。
（３）補強片Ｔが、光半導体装置５０１の外形の中心線に対して線対称に形成されているので、製造過程や、光半導体装置の実装時において加わる熱によって発生する樹脂付きリードフレームや光半導体装置１の伸縮や歪みを均一にすることができ、光半導体装置等が局所的に破損してしまうのを抑制することができる。 As described above, the invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the lead frame 510 includes the reinforcing piece T on the extension of the gap S, the strength in the gap S of the optical semiconductor device 1 can be improved, and an external force or the like is applied to the optical semiconductor device 1. In this case, it is possible to suppress breakage and breakage in the gap S.
(2) Since the reinforcing piece T is formed so as to be recessed with respect to the back surface of the terminal portion, the contact area with the resin can be increased, and the light reflecting resin layer 520 is peeled off from the lead frame 510. Can be suppressed. Further, when the resin is filled, it is possible to prevent the reinforcing piece T from being exposed from the back surface of the lead frame with resin, and the appearance of the lead frame with resin and the optical semiconductor device can be kept good.
(3) Since the reinforcing pieces T are formed in line symmetry with respect to the center line of the outer shape of the optical semiconductor device 501, a lead frame with resin generated by heat applied during the manufacturing process or mounting of the optical semiconductor device, The expansion and contraction and distortion of the optical semiconductor device 1 can be made uniform, and local damage to the optical semiconductor device and the like can be suppressed.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１２は、第４実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム６１０を示す図である。図１２（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１２（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第４実施形態のリードフレーム６１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
本実施形態の補強片Ｔは、端子部６１１、６１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部のみから構成されており、その補強部が直接フレームＦ（外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２）上に空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram illustrating a lead frame 610 that is multifaceted to the frame F of the fourth embodiment. 12A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 12B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.12 (c) is cc sectional drawing of Fig.12 (a).
The lead frame 610 of the fourth embodiment is different from the lead frame 510 of the third embodiment in that the shape of the reinforcing piece T is different.
The reinforcing piece T of the present embodiment is configured only from a rectangular reinforcing portion that is long in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions 611 and 612, and the reinforcing portion is directly the frame F (the outer peripheral frame portion F1 or the middle). The frame body F2) is provided so as to cross over the extension of the gap S.

以上より、本実施形態のリードフレーム６１０は、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム６１０の補強片Ｔは、接続部を有さないので、その外形を第３実施形態の補強片Ｔに比して大きくすることができる。そのため、補強片Ｔは、空隙部Ｓの強度をより向上させることができる。 As described above, the lead frame 610 of the present embodiment can achieve the same effects as the lead frame 510 of the third embodiment described above.
Further, since the reinforcing piece T of the lead frame 610 does not have a connecting portion, the outer shape thereof can be made larger than that of the reinforcing piece T of the third embodiment. Therefore, the reinforcing piece T can further improve the strength of the gap S.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１３は、第５実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム７１０を示す図である。図１３（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１３（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１３（ｃ）は、図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第５実施形態のリードフレーム７１０は、補強片Ｔの形状が相違する点と、各端子部の外形が相違する点とで、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
本実施形態のリードフレーム７１０の端子部７１１と端子部７１２とは、互いに同一の外形に形成されている。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。補強片Ｔは、端子部７１１、７１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の一端部に接続部Ｔ２が形成され、Ｌ字状に形成されており、リードフレーム７１０（光半導体装置）の外形の中心に対して点対称に配置されている。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 13 is a diagram illustrating a lead frame 710 that is multifaceted to the frame F of the fifth embodiment. FIG. 13A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 13B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.13 (c) is cc sectional drawing of Fig.13 (a).
The lead frame 710 of the fifth embodiment is different from the lead frame 510 of the third embodiment in that the shape of the reinforcing piece T is different and the outer shape of each terminal portion is different.
The terminal portion 711 and the terminal portion 712 of the lead frame 710 of this embodiment are formed in the same outer shape.
The reinforcing piece T is provided so as to cross over the extension of the gap portion S of the terminal portion. The reinforcing piece T includes a rectangular reinforcing portion T1 that is long in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions 711 and 712, and a connecting portion T2 that connects the reinforcing portion T1 to the intermediate frame portion F2 of the frame F. ing. The reinforcing piece T has a connecting portion T2 formed at one end portion of the reinforcing portion T1, is formed in an L shape, and is arranged point-symmetrically with respect to the center of the outer shape of the lead frame 710 (optical semiconductor device). .

以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様に、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができる。
また、補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができるとともに、樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができる。
さらに、各端子部が同じ形状に形成され、また、補強片Ｔがリードフレーム７１０の外形の中心に対して点対称に形成されているので、樹脂付きリードフレームや光半導体装置に発生する伸びや歪みを均一にすることができ、製造工程や光半導体装置駆動時に発生する熱ストレスなどによる樹脂付きリードフレームや光半導体装置の一部に歪等が集中して樹脂部の破壊が発生してしまうのを抑制することができる。 As described above, the lead frame of the present embodiment can improve the strength in the gap portion S of the optical semiconductor device 1, similarly to the lead frame 510 of the third embodiment described above.
In addition, since the reinforcing piece T is formed so as to be recessed with respect to the back surface of the terminal portion, the contact area with the resin can be increased, and the light reflecting resin layer is prevented from peeling from the lead frame 1010. In addition, the reinforcing piece T can be prevented from being exposed from the back surface of the lead frame with resin.
Furthermore, since each terminal part is formed in the same shape, and the reinforcing piece T is formed point-symmetrically with respect to the center of the outer shape of the lead frame 710, the elongation generated in the lead frame with resin and the optical semiconductor device Distortion can be made uniform, and distortion or the like is concentrated on a part of the lead frame with resin or the optical semiconductor device due to thermal stress generated during the manufacturing process or driving of the optical semiconductor device, and the resin part is destroyed. Can be suppressed.

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１４は、第６実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム８１０を示す図である。図１４（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１４（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１４（ｃ）は、図１４（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第６実施形態のリードフレーム８１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。補強片Ｔは、端子部８１１、８１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の一端部に接続部Ｔ２が形成され、Ｌ字状に形成されており、リードフレーム８１０（光半導体装置）の外形の端子部の配列方向に平行な方向（Ｙ方向）の中心線に対して線対称に配置されている。
以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。特に、２つの端子の大きさが異なる場合に、光半導体装置全体での歪を調節することが容易となり、有益である。 (Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a view showing a lead frame 810 that is multifaceted to the frame F of the sixth embodiment. FIG. 14A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 14B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.14 (c) is cc sectional drawing of Fig.14 (a).
The lead frame 810 of the sixth embodiment is different from the lead frame 510 of the third embodiment in that the shape of the reinforcing piece T is different.
The reinforcing piece T is provided so as to cross over the extension of the gap portion S of the terminal portion. The reinforcing piece T includes a rectangular reinforcing portion T1 that is long in the arrangement direction (X direction) of the terminal portions 811 and 812, and a connecting portion T2 that connects the reinforcing portion T1 to the intermediate frame portion F2 of the frame F. ing. The reinforcing piece T has a connection portion T2 formed at one end portion of the reinforcing portion T1, is formed in an L shape, and is parallel to the arrangement direction of the terminal portions of the outer shape of the lead frame 810 (optical semiconductor device) (Y Are arranged symmetrically with respect to the center line.
As described above, the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as the lead frame 510 of the third embodiment described above. In particular, when the sizes of the two terminals are different, it is easy to adjust the distortion in the entire optical semiconductor device, which is beneficial.

（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１５は、第７実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム９１０を示す図である。図１５（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１５（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１５（ｃ）は、図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第７実施形態のリードフレーム９１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切り、また、各端子部９１１、９１２を囲むようにして形成されている。そのため、補強片Ｔは、端子部９１１、９１２を挟み込む用にして形成されたコの字状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。
また、補強片Ｔは、リードフレーム９１０（光半導体装置）の外形の上下方向（Ｙ方向）及び左右方向（Ｘ方向）の中心線に対して線対称に配置されている。 (Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a diagram showing a lead frame 910 that is multifaceted to the frame F of the seventh embodiment. FIG. 15A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 15B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.15 (c) is cc sectional drawing of Fig.15 (a).
The lead frame 910 of the seventh embodiment is different from the lead frame 510 of the third embodiment in that the shape of the reinforcing piece T is different.
The reinforcing piece T is formed so as to cross over the extension of the gap portion S of the terminal portion and surround the terminal portions 911 and 912. Therefore, the reinforcing piece T includes a U-shaped reinforcing portion T1 formed for sandwiching the terminal portions 911 and 912, and a connecting portion T2 that connects the reinforcing portion T1 to the intermediate frame portion F2 of the frame F. It is composed of
The reinforcing pieces T are arranged symmetrically with respect to the center lines in the vertical direction (Y direction) and the horizontal direction (X direction) of the outer shape of the lead frame 910 (optical semiconductor device).

以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。
また、コの字状の補強部Ｔ１を備えることによって、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。 As described above, the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as the lead frame 510 of the third embodiment described above.
Further, by providing the U-shaped reinforcing portion T1, the strength of the corner portion of the lead frame with resin and the optical semiconductor device can be improved, and the corner portion resin is prevented from being chipped or deformed. Can do.

（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１６は、第８実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０１０を示す図である。図１６（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１６（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第８実施形態のリードフレーム１０１０は、１つのリードフレーム１０１０に対して補強片Ｔが３つ設けられている点と、端子部１０１１に連結部１０１３が２つ設けられている点で、第７実施形態のリードフレーム９１０と相違する。 (Eighth embodiment)
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a view showing a lead frame 1010 multifaceted to the frame F of the eighth embodiment. FIG. 16A is a plan view of the multi-faced body of the lead frame, and FIG. 16B is a back view of the multi-faceted body of the lead frame. FIG.16 (c) is cc sectional drawing of Fig.16 (a).
The lead frame 1010 of the eighth embodiment is the seventh point in that three reinforcing pieces T are provided for one lead frame 1010 and two connecting parts 1013 are provided in the terminal part 1011. It differs from the lead frame 910 of the embodiment.

連結部１０１３は、端子部１０１１を、隣接する他のリードフレームの端子部１０１２又はフレームＦに連結しており、また、端子部１０１２を隣接する他のリードフレームの端子部１０１１又はフレームＦに連結している。また、連結部１０１３は、端子部１０１１に対しては、Ｘ方向だけでなく、Ｙ方向からもフレームＦに連結している。これにより、連結部１０１３は、外形が大きく形成された端子部１０１１（ダイパッド）をフレームＦに対してより強固に連結することができる。   The connecting portion 1013 connects the terminal portion 1011 to the terminal portion 1012 or the frame F of another adjacent lead frame, and connects the terminal portion 1012 to the terminal portion 1011 or the frame F of another adjacent lead frame. doing. Further, the connecting portion 1013 is connected to the terminal F 1011 to the frame F not only from the X direction but also from the Y direction. Thereby, the connection part 1013 can more firmly connect the terminal part 1011 (die pad) with a large outer shape to the frame F.

補強片Ｔは、各端子部１０１１、１０１２の外周を囲むようにして３つ設けられている。リードフレーム１０１０の上側（＋Ｙ側）の補強片Ｔは、Ｙ方向から端子部１０１１を連結する連結部１０１３を境にして２つに分離されている。その一方の補強片Ｔａは、端子部１０１１の左上側の角部を覆うようにして配置され、他方の補強片Ｔｂは、端子部間の空隙部Ｓの上側の延長上を横切り、かつ、端子部１０１２の右上側の角部を覆うようにして配置される。   Three reinforcing pieces T are provided so as to surround the outer periphery of each of the terminal portions 1011 and 1012. The reinforcing piece T on the upper side (+ Y side) of the lead frame 1010 is separated into two from the Y direction with a connecting portion 1013 connecting the terminal portion 1011 as a boundary. One reinforcing piece Ta is arranged so as to cover the upper left corner of the terminal portion 1011, and the other reinforcing piece Tb crosses over the upper extension of the gap S between the terminal portions, and the terminal It arrange | positions so that the corner | angular part of the upper right side of the part 1012 may be covered.

リードフレーム１０１０の下側（−Ｙ側）の補強片Ｔｃは、各端子部を挟み込むようにコの字状に形成されており、空隙部Ｓの延長上を横切り、かつ、各端子部の下側の角部を覆うように配置される。
補強片Ｔａ及び補強片Ｔｂは、Ｌ字状に形成された補強部Ｔａ１、Ｔｂ１と、その補強部をフレームＦに接続する接続部Ｔａ２、Ｔｂ２とからそれぞれ構成されている。
補強片Ｔｃは、上述したように、コの字状に形成された補強部Ｔｃ１と、その補強部をフレームＦに接続する接続部Ｔｃ２とから構成される。 Reinforcing piece Tc on the lower side (−Y side) of lead frame 1010 is formed in a U shape so as to sandwich each terminal portion, crosses over the extension of gap portion S, and below each terminal portion. It arrange | positions so that the corner | angular part of a side may be covered.
The reinforcing piece Ta and the reinforcing piece Tb are respectively configured from L-shaped reinforcing portions Ta1 and Tb1 and connecting portions Ta2 and Tb2 that connect the reinforcing portions to the frame F.
As described above, the reinforcing piece Tc includes the reinforcing portion Tc1 formed in a U-shape and the connecting portion Tc2 that connects the reinforcing portion to the frame F.

以上より、本実施形態のリードフレーム１０１０は、上述の第７実施形態と同様に、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができる。
また、補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができるとともに、樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができる。
さらに、コの字状及びＬ字状の補強部Ｔａ〜Ｔｃを備えることによって、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
また、端子部１０１１が２つの連結部１０１３により連結されるので、外形が大きく形成された端子部１０１１の連結強度を向上させることができ、リードフレームの多面付け体のハンドリング時等において、端子部１０１１がフレームＦに対して変形したり、外れたりするのを抑制することができる。 As described above, the lead frame 1010 of this embodiment can improve the strength in the gap S of the optical semiconductor device 1 as in the seventh embodiment.
In addition, since the reinforcing piece T is formed so as to be recessed with respect to the back surface of the terminal portion, the contact area with the resin can be increased, and the light reflecting resin layer is prevented from peeling from the lead frame 1010. In addition, the reinforcing piece T can be prevented from being exposed from the back surface of the lead frame with resin.
Furthermore, by providing the U-shaped and L-shaped reinforcing portions Ta to Tc, the strength of the corners of the lead frame with resin and the optical semiconductor device can be improved, and the resin at the corners is chipped or deformed. Can be prevented.
Further, since the terminal portion 1011 is connected by the two connecting portions 1013, the connection strength of the terminal portion 1011 having a large outer shape can be improved, and the terminal portion can be used when handling the multi-faced body of the lead frame. It can suppress that 1011 deform | transforms with respect to the flame | frame F, or remove | deviates.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１７、図１８は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）第１実施形態、第２実施形態において、連結部１３ｄは、端子部を他のリードフレームの端子部やフレームＦに連結する連結部としての役割と、端子部間の強度を向上させる補強部としての役割を兼ねる形態としたが、これに限定されない。例えば、連結部１３ｄの代わりに、図１７に示すように、端子部３１１、３１２間の空隙部Ｓの延長上に補強部３１３ｄを形成し、光半導体装置３０１の空隙部Ｓにおける強度を向上させるようにしてもよい。 17 and 18 are diagrams showing a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, the connection part 13d improves the role as a connection part which connects a terminal part to the terminal part of other lead frames, or the flame | frame F, and the intensity | strength between terminal parts. Although it was set as the form which served as the reinforcement part, it is not limited to this. For example, instead of the connecting portion 13d, as shown in FIG. 17, a reinforcing portion 313d is formed on the extension of the gap portion S between the terminal portions 311 and 312 to improve the strength in the gap portion S of the optical semiconductor device 301. You may do it.

（２）第１実施形態、第２実施形態において、連結部１３ｄは、端子部の上側の辺に対して、傾斜した部位や、平行な部位を設けて、空隙部Ｓの延長上を横切るように形成したが、これに限定されず、他の形状によって、空隙部Ｓの延長上を横切るようにしてもよい。
（３）第１実施形態、第２実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１８に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（４１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（４１２ａ、４１２ｂ）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。この場合、補強部としての役割を有する連結部３１３ｄは、端子部４１１、４１２ａ間と、端子部４１１、４１２ｂ間との空隙部Ｓの延長上に設ける必要がある。 (2) In the first embodiment and the second embodiment, the connecting portion 13d is provided with an inclined portion or a parallel portion with respect to the upper side of the terminal portion so as to cross over the extension of the gap portion S. However, the present invention is not limited to this, and it may cross over the extension of the gap S by another shape.
(3) In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with the 2 or more terminal part. . For example, as shown in FIG. 18, three terminal portions are provided, one of which (411) is mounted with an LED element, and the other two (412a, 412b) are connected to the LED element 2 via bonding wires 2a. You may connect with. In this case, the connecting portion 313d having a role as a reinforcing portion needs to be provided on the extension of the gap S between the terminal portions 411 and 412a and between the terminal portions 411 and 412b.

（４）第１実施形態、第２実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（５）第１実施形態、第２実施形態において、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みと同等に形成される例で説明したが、これに限定されない。例えば、リードフレームのＬＥＤ素子の搭載部を囲むようにして、リードフレームの表面に凸状に光反射樹脂層を形成することも可能である。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (4) In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, the lead frame 10 is the lead | read | reed connected by the terminal part 11 used as the die pad which mounts and connects the LED element 2, and the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the terminal part 12 used as a side terminal part was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions. In this case, the outer shapes of the two terminal portions may be formed equally.
(5) In the first embodiment and the second embodiment, the light reflecting resin layer 20 has been described as being formed to have the same thickness as the lead frame 10, but the present invention is not limited to this. For example, it is also possible to form a light reflecting resin layer in a convex shape on the surface of the lead frame so as to surround the LED element mounting portion of the lead frame.
(6) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

（７）第３実施形態〜第８実施形態において、リードフレームは、カップ型の光半導体装置に適用される例を示したが、これに限定されるものでなく、リードフレームの厚みと光半導体装置の厚みとがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置（図１参照）に適用してもよい。
（８）第３実施形態において、補強片Ｔは、補強部Ｔ１が１つの接続部Ｔ２によってフレームＦに接続される例を示したが、これに限定されるものでなく、補強部Ｔ１は、２以上の接続部Ｔ２によってフレームＦに接続されるようにしてもよい。例えば、補強部Ｔ１の両端のそれぞれに接続部Ｔ２を設けることも可能であり、この場合、フレームＦに対する補強部Ｔ１の接続強度を向上させることができる。 (7) In the third to eighth embodiments, the lead frame is applied to a cup-type optical semiconductor device. However, the present invention is not limited to this, and the thickness of the lead frame and the optical semiconductor are not limited thereto. You may apply to what is called a flat type optical semiconductor device (refer FIG. 1) from which the thickness of an apparatus becomes substantially equivalent.
(8) In 3rd Embodiment, although the reinforcement piece T showed the example by which the reinforcement part T1 was connected to the flame | frame F by one connection part T2, it is not limited to this, The reinforcement part T1 is You may make it connect with the flame | frame F by the 2 or more connection part T2. For example, it is possible to provide connection portions T2 at both ends of the reinforcement portion T1, and in this case, the connection strength of the reinforcement portion T1 to the frame F can be improved.

（９）第３実施形態〜第８実施形態において、補強片Ｔは、端子部の厚みよりも薄く、その表面が各端子部の表面と同一平面内に形成され、また、裏面が各端子部の裏面から窪むように形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、補強片Ｔは、端子部の厚みと同等の厚みに形成するようにしてもよい。この場合、補強片Ｔは、上述の実施形態の場合に比べ厚み寸法が厚くなるので、光半導体装置の強度をより向上させることができる。
また、補強片Ｔは、端子部の厚みより薄く形成し、その表面及び裏面のそれぞれが、各端子部の表面及び裏面のそれぞれから窪むようにしてもよい。この場合、補強片Ｔは、樹脂付きリードフレームの製造過程において、樹脂をリードフレームの各端子部間により効率よく充填することができる。また、この補強片を備えたリードフレームは、樹脂を充填した場合に、樹脂付きリードフレームの表裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができるので、フラット型の光半導体装置に使用することも可能である。 (9) In the third to eighth embodiments, the reinforcing piece T is thinner than the terminal portion, the surface thereof is formed in the same plane as the surface of each terminal portion, and the back surface is each terminal portion. Although the example formed so that it may become depressed from the back surface of this was shown, it is not limited to this. For example, the reinforcing piece T may be formed to a thickness equivalent to the thickness of the terminal portion. In this case, since the thickness of the reinforcing piece T is larger than that in the above embodiment, the strength of the optical semiconductor device can be further improved.
Further, the reinforcing piece T may be formed thinner than the thickness of the terminal portion, and the front surface and the back surface thereof may be recessed from the front surface and the back surface of each terminal portion. In this case, the reinforcing piece T can be more efficiently filled with resin between the terminal portions of the lead frame in the manufacturing process of the lead frame with resin. Further, the lead frame provided with the reinforcing piece can prevent the reinforcing piece T from being exposed from the front and back surfaces of the lead frame with resin when filled with resin. It is also possible to use it.

１、２０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０ リードフレーム
１１、２１１、５１１、６１１、７１１、８１１、９１１、１０１１ 端子部
１２、２１２、５１２、６１２、７１２、８１２、９１２、１０１２ 端子部
１３、２１３、５１３、６１３、７１３、８１３、９１３、１０１３ 連結部
２０、５２０ 光反射樹脂層
３０、５３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｓ 空隙部
Ｔ 補強片 1,201 Optical semiconductor device 2 LED element 10, 210, 510, 610, 710, 810, 910, 1010 Lead frame 11, 211, 511, 611, 711, 811, 911, 1011 Terminal portion 12, 212, 512, 612 , 712, 812, 912, 1012 Terminal portion 13, 213, 513, 613, 713, 813, 913, 1013 Connecting portion 20, 520 Light reflecting resin layer 30, 530 Transparent resin layer M Recessed portion S Void portion T Reinforcing piece

Claims (15)

互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
前記端子部は、対向する他の端子部との間の空隙部の延長上に補強部を備えること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In a lead frame for optical semiconductors used in an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions insulated from each other, at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element,
The terminal portion includes a reinforcing portion on the extension of the gap portion between the other terminal portions facing each other,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記空隙部に対して複数設けられること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
A plurality of the reinforcing portions are provided with respect to the gap portion;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
当該光半導体装置用リードフレームは、枠体に多面付けされており、
前記補強部は、前記端子部と、多面付けされる他の光半導体装置用リードフレームの端子部とを接続する連結部材を兼ねること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2,
The optical semiconductor device lead frame is multifaceted to the frame,
The reinforcing portion also serves as a connecting member for connecting the terminal portion and a terminal portion of another optical semiconductor device lead frame to be multifaceted,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記空隙部の延長上の幅全域に渡って設けられること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 3,
The reinforcing part is provided over the entire width of the extension of the gap,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、少なくとも一部が、前記端子部の表面又は裏面に対して窪んだ状態に形成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 4,
The reinforcing part is formed in a state where at least a part is depressed with respect to the front surface or the back surface of the terminal part;
A lead frame for an optical semiconductor device. 互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記複数の端子部間の空隙部の延長上に補強部を備えること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In a lead frame for an optical semiconductor device used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions insulated from each other, and at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element,
A reinforcing portion is provided on the extension of the gap between the plurality of terminal portions;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項６に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記端子部の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面に対して窪んでいること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 6,
The reinforcing portion is recessed with respect to at least one of the front surface and the back surface of the terminal portion;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項６又は請求項７に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記光半導体装置の外形の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 6 or 7,
The reinforcing portion is provided symmetrically with respect to at least one of the center lines of the outer shape of the optical semiconductor device;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項６から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記空隙部の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 6 to 8,
The reinforcing portion is provided symmetrically with respect to at least one center line among the center lines of the gap,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項６から請求項９までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記補強部は、前記光半導体装置の外形の中心に対して点対称に設けられること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 6 to 9,
The reinforcing portion is provided point-symmetrically with respect to the center of the outer shape of the optical semiconductor device;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームの前記端子部の外周及び前記空隙部に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 The lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 10,
A resin layer formed on an outer periphery of the terminal portion and the gap portion of the lead frame for the optical semiconductor device;
A lead frame for an optical semiconductor device with a resin. 請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 10, wherein the frame is multifaceted.
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項１１に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The resin-attached optical semiconductor device lead frame according to claim 11 is multifaceted.
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１１に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to claim 11,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of the resin-coated optical semiconductor device lead frame;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device. 請求項１４に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 14 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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