JP2014109232A - 真空ポンプ - Google Patents
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Abstract
【課題】コネクタピン間の放電を防止することができる真空ポンプの提供。
【解決手段】ターボ分子ポンプ1は、ロータ4と、ロータ4を回転駆動するモータと、モータが配置されるベース6と、ベース6に形成され、ポンプ内のモータ配置領域であるスピンドルハウジング24内とポンプ外の大気側とを連通する配線通路6bと、配線通路6bの大気側を塞ぐようにベース6に固定され、モータの電力配線が接続されるコネクタ30と、配線通路6bにパージガスを導入するガス導入路6cと、を備える。ガス導入路6cから配線通路6bにパージガスが導入されることにより、配線通路6b内の圧力が上昇し、コネクタ30のピン間放電を防止することができる。
【選択図】図1
【解決手段】ターボ分子ポンプ1は、ロータ4と、ロータ4を回転駆動するモータと、モータが配置されるベース6と、ベース6に形成され、ポンプ内のモータ配置領域であるスピンドルハウジング24内とポンプ外の大気側とを連通する配線通路6bと、配線通路6bの大気側を塞ぐようにベース6に固定され、モータの電力配線が接続されるコネクタ30と、配線通路6bにパージガスを導入するガス導入路6cと、を備える。ガス導入路6cから配線通路6bにパージガスが導入されることにより、配線通路6b内の圧力が上昇し、コネクタ30のピン間放電を防止することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体製造装置等に用いられる真空ポンプに関する。
ターボ分子ポンプは、ロータをモータにより高速回転させることで真空排気を行っている。ポンプベースには、大気側からポンプ内のモータへ電力を供給するためのコネクタが設けられている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、近年、ウェハサイズの大口径化に伴い、半導体製造装置に装着されたターボ分子ポンプは、排気するガス量が増加する傾向にある。このように排気流量が増加するとモータ発熱が問題となる。モータ発熱を抑える方法の一つとして、モータ電圧を引き上げることが考えられる。
しかしながら、モータ電圧を引き上げるとコネクタにおけるピン間電圧も大きくなり、ポンプ内側のピン間において放電が発生するという問題が生じる。
請求項1の発明に係る真空ポンプは、ロータと、ロータを回転駆動するモータと、モータが配置されるポンプベースと、ポンプベースに形成され、ポンプベースのモータ配置領域とポンプ外の大気側とを連通する配線通路と、配線通路の大気側を塞ぐようにポンプベースに固定され、モータの電力配線が接続されるコネクタと、配線通路に放電防止用のパージガスを導入するためのガス導入路と、を備える。
請求項2の発明は、請求項1に記載の真空ポンプにおいて、配線通路とモータ配置領域との間に、配線通路からモータ配置領域に流入するパージガスの流量を制限する流量調整部を、さらに備えたものである。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載の真空ポンプにおいて、コネクタの前記配線通路側に露出するコネクタピンを、樹脂でモールドしたものである。
請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、モータの電圧を130V以上に設定したものである。
請求項5の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、配線通路内の圧力を検出する圧力検出部をさらに備えたものである。
請求項2の発明は、請求項1に記載の真空ポンプにおいて、配線通路とモータ配置領域との間に、配線通路からモータ配置領域に流入するパージガスの流量を制限する流量調整部を、さらに備えたものである。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載の真空ポンプにおいて、コネクタの前記配線通路側に露出するコネクタピンを、樹脂でモールドしたものである。
請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、モータの電圧を130V以上に設定したものである。
請求項5の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、配線通路内の圧力を検出する圧力検出部をさらに備えたものである。
本発明によれば、コネクタピン間の放電を防止することができる。
以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は、本発明による真空ポンプの一実施の形態を示す図であり、磁気軸受式ターボ分子ポンプ1の断面図である。図1に示すターボ分子ポンプ1は、ターボ分子ポンプ部2とネジ溝ポンプ部3とを有する高ガス負荷対応型のターボ分子ポンプである。ターボ分子ポンプ部2は複数段の動翼19と複数段の静翼21とで構成され、ネジ溝ポンプ部3はネジロータ20とネジステータ23とで構成されている。
複数段の動翼19およびネジロータ20はロータ4に形成されており、そのロータ4はスピンドルハウジング24内に回転自在に設けられた回転軸8に固定されている。スピンドルハウジング24内には、図示上側から順に、上部ラジアルセンサ13,上部ラジアル電磁石9,モータステータ12,下部ラジアル電磁石10,下部ラジアルセンサ14およびスラスト電磁石11が設けられている。
回転軸8はラジアル電磁石9,10およびスラスト電磁石11によって非接触支持され、モータステータ12と回転軸側のモータロータとで構成されるモータにより回転駆動される。回転軸8の浮上位置は、各ラジアル電磁石9,10およびスラスト電磁石11に対応して設けられたラジアルセンサ13,14およびスラストセンサ15によって検出される。回転軸8の上下に設けられた保護ベアリング16,17はメカニカルベアリング(例えば、ボールベアリング)であり、磁気軸受が作動していない場合に回転軸8を支持する。
一方、ケーシング7内のベース6上には、複数の静翼21およびネジステータ23が設けられている。各静翼21は上下をリング状のスペーサ22によって挟持されるようにベース6上に保持されており、ケーシング7をベース6にボルト締結することにより、静翼21およびスペーサ22がケーシング7の上端とベース6との間に固定される。その結果、各静翼21は動翼19間の所定位置に位置決めされる。ネジステータ23は、ベース6上にボルト締結されている。
吸気口7aから流入したガス分子は、ターボ分子ポンプ部2によって下流側のネジ溝ポンプ部3へと移送される。ターボ分子ポンプ部2から移送されたガス分子は、さらにネジ溝ポンプ部3によって圧縮され、排気口6aから排出される。ネジロータ20はネジステータ23の内周面に近接して設けられており、ネジステータ23の内周面には螺旋溝が形成されている。ネジ溝ポンプ部3では、ネジステータ23の螺旋溝と高速回転するネジロータ20とにより、粘性流領域における排気が行われる。
図2は、コネクタ取り付け部分の拡大図である。ベース6には、コネクタ配線を通すための配線通路6bが形成されている。配線通路6bは、大気側とスピンドルハウジング24内とを連通する孔である。スピンドルハウジング24内には、モータステータ12や磁気軸受電磁石等が配置されている。配線通路6bの大気側開口にはコネクタ30が取り付けられている。コネクタ30とベース6との間には、真空シール303が設けられている。すなわち、コネクタ30をベース6に取り付けることにより、配線通路6bの大気側は封止される。配線通路6bには、パージガス導入路6cが形成されている。配線通路6bにおけるパージガス導入路6cの位置は、コネクタ30に近いほうが好ましい。パージガス導入路6cにはパージポート304が設けられている。
本実施の形態では、コネクタ30はモータ配線および磁気軸受配線の両方に用いられている。コネクタ30は多数(50本程度)のコネクタピン301を有しており、そのうちの3本がモータ用のコネクタピン301で、残りが磁気軸受配線やセンサ等の配線に用いられる。なお、モータの相電流が大きい場合には、1相当たり複数本のコネクタピンを用いる場合もある。それら数十本のコネクタピンには、スピンドルハウジング24内から配線通路6bに引き出された配線302(モータ配線や電磁石配線等)が接続される。
ところで、配線通路6bはスピンドルハウジング24内と連通し、さらに、スピンドルハウジング24内は、保護ベアリング16と回転軸8との隙間を介してポンプ排気側と連通している。そのため、真空排気中は、配線通路6bの圧力はポンプ排気側と同程度の圧力となっている。また、エッチング処理等の処理室を排気する場合には、エッチング処理に使用される腐食性ガスによってモータや磁気軸受等が腐食されるのを防止する目的で、スピンドルハウジング24内に窒素ガス等のパージガスを導入するのが一般的である。そのため、配線通路6bの圧力は1000Pa程度になっている。
本実施の形態のターボ分子ポンプでは、半導体製造装置おけるガス流量の増加に対応できるように、モータ電圧を少なくとも130Vに設定している。このようにモータ電圧を高く設定した場合、前述したようにピン間の放電が問題となる。
すなわち、コネクタ30には数十本のコネクタピン301が配置されているため、ピン間距離は2〜3mm程度となる。このようにピン間距離が短くなると、モータ設定電圧を130V以上に引き上げた場合に、ピン間に放電が発生する。この時の放電開始電圧は、気体圧力と電極間距離との積で表されることがパッシェンの法則として知られている。
図3は、パッシェンの法則を説明する図であり、放電開始電圧と(気体圧力)・(電極間距離)の関係を、ヘリウムガス(He)、ネオンガス(Ne)、アルゴンガス(Ar)、水素ガス(H2)、窒素ガス(N2)に関して示したものである。図3において、縦軸は電圧(V)であり、横軸は気体圧力(Torr)と電極間距離(cm)との積(Torr・cm)である。各曲線の最低値は0.5Torr・cm〜5Torr・cmの範囲にあり、モータ電圧が130Vの場合には、圧力とピン間距離との積を10Torr・cm以上に設定すれば、いずれのガス種においても放電の発生を防止できる。
例えば、コネクタピン301の本数が50ピン程度の場合、ピン間距離は約3mm程度が一般的である。ピン間距離を3mmとすると、10Torr・cmの場合の圧力は約33.3Torr=約4400Paとなる。すなわち、コネクタピン301が配置される配線通路6bの圧力を約4400Paとすれば、モータ電圧が130Vであっても放電を防止することができる。
腐食防止のためにスピンドルハウジング24内にパージガスを導入する形式のターボ分子ポンプでは、スピンドルハウジング24内や配線通路6bの圧力は1000Pa(=約7.5Torr)程度になっている。そのため、圧力とピン間距離との積は約2.3Torr・cmとなり、放電が問題となる。
そこで、本実施の形態では、配線通路6bに連通するパージガス導入路6cを形成し、パージガス導入路6cおよびパージポート304を介してパージガス(例えば、窒素ガス)を配線通路6bに導入するようにしている。
配線通路6b内には数十本のコネクタ配線が配置されているため、コネクタ30に近接するように形成されたパージガス導入路6cの位置から、通路の左側開口部までのコンダクタンスは非常に小さい。そのため、コネクタピン301が配置されている部分とスピンドルハウジング24内との間に差圧が生じ、コネクタピン301付近の圧力を4000Pa程度としてもスピンドルハウジング24内の圧力を1000Paに抑えることが可能となる。すなわち、コネクタピン301付近の圧力を4000Pa程度としても、排気側の圧力上昇によるロータ回転の低下を避けることができる。なお、本実施の形態では、パージガス導入路6cから導入されるパージガスは、従来の腐食防止用パージガスを兼ねているので、従来設けられていた腐食防止用パージガスポートを設ける必要はない。
上述した10Torr・cmという値はモータ電圧の設定値が130Vの場合に適用される設定値であって、ピン間距離が3mmである場合には、配線通路6bの圧力は約4000Paとなる。そのため、パージガス導入路6cから導入されるパージガスの流量は、配線通路6bの圧力が約4000Paとなるように調整される。このように、同一の設定値(10Torr・cm)であっても、ピン間距離に応じて保持すべき圧力値は異なる。また、モータ設定電圧が130Vよりも大きい場合には、図3に基づいて、放電を防止できるTorr・cm値を設定し、その設定値とピン間距離とに基づいて必要な保持圧力が求まる。
従来のターボ分子ポンプにおいて腐食防止用パージガスをスピンドルハウジング24内に導入する場合、一般に、コネクタ30が設けられる配線通路6bとは別にパージガス通路が形成される。そのような構成の場合、配線通路6bの圧力を4000Paまで上昇させようとすると、少なくともスピンドルハウジング24内の圧力が4000Pa程度になるようにパージガスを導入する必要がある。その場合、排気側の圧力上昇によりロータ回転の低下が避けられない。
なお、配線通路6bにおけるコネクタ配線によるコンダクタンス低下は、配線の状況によってコンダクタンスが変化し、ポンプ毎にばらつくことになる。そこで、図4に示すように、配線通路6b内に、配線通路6bからスピンドルハウジング24内へ流入するガス流量を制御するためのオリフィス305を設けるようにしてもよい。
また、ピン間放電防止をより確実なものとするために、図5に示すように、コネクタピン301を覆うように樹脂モールド材306を設けても良い。ピン間に樹脂モールド材306を介在させることで放電を防止することができる。仮に、樹脂モールド材306にひび割れ等が生じた場合でも、配線通路6b内にはパージガス(腐食防止用のパージガスを兼ねている)が常に導入されているので、ピン間の放電は防止される。すなわち、パージガスと樹脂モールド材306とにより、ピン放電防止対策が2重に施されることになる。
また、上述した実施形態では、パージガス流量を、配線通路6b内の圧力が約4000Paとなる所定流量(予め実測しておく)に制御する構成とした。しかし、図6に示すように、配線通路6b内の圧力を圧力計307で実測して、その値が約4000Paとなるようにパージガス流量を制御するようにしても良い。このように圧力を直接検出する構成とすることで、配線通路6b内の圧力を所定の値(約4000Pa)に容易にかつ確実に保持することができる。また、圧力計307で計測された圧力値を利用して警報を発生するようにしても良い。すなわち、上記所定値に対応して、予め下限値を設定しておき、配線通路6b内の圧力がその下限値を下回った場合に警報を発生する。
なお、以上の説明はあくまでも一例であり、発明を解釈する際、上記実施の形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。例えば、上述した実施の形態では、ターボ分子ポンプに例に説明したが、これに限らず、ドラッグポンプのような真空ポンプにも本発明を適用することができる。
1:ターボ分子ポンプ、4:ロータ、6:ベース、6b:配線通路、6c:パージガス導入路、12:モータステータ、24:スピンドルハウジング、30:コネクタ、301:コネクタピン、305:オリフィス、306:樹脂モールド材、307:圧力計
Claims (5)
- ロータと、
前記ロータを回転駆動するモータと、
前記モータが配置されるポンプベースと、
前記ポンプベースに形成され、該ポンプベースのモータ配置領域とポンプ外の大気側とを連通する配線通路と、
前記配線通路の大気側を塞ぐように前記ポンプベースに固定され、前記モータの電力配線が接続されるコネクタと、
前記配線通路に放電防止用のパージガスを導入するためのガス導入路と、を備える真空ポンプ。 - 請求項1に記載の真空ポンプにおいて、
前記配線通路と前記モータ配置領域との間に、前記配線通路から前記モータ配置領域に流入するパージガスの流量を制限する流量調整部を、さらに備える真空ポンプ。 - 請求項1または2に記載の真空ポンプにおいて、
前記コネクタの前記配線通路側に露出するコネクタピンが、樹脂でモールドされている真空ポンプ。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記モータの電圧が130V以上に設定されている真空ポンプ。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記配線通路内の圧力を検出する圧力検出部をさらに備える真空ポンプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012264261A JP2014109232A (ja) | 2012-12-03 | 2012-12-03 | 真空ポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012264261A JP2014109232A (ja) | 2012-12-03 | 2012-12-03 | 真空ポンプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014109232A true JP2014109232A (ja) | 2014-06-12 |
Family
ID=51030022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012264261A Pending JP2014109232A (ja) | 2012-12-03 | 2012-12-03 | 真空ポンプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014109232A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11307501B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-04-19 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus, extreme ultraviolet light generating method, and electronic device manufacturing method |
-
2012
- 2012-12-03 JP JP2012264261A patent/JP2014109232A/ja active Pending
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US11307501B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-04-19 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus, extreme ultraviolet light generating method, and electronic device manufacturing method |
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