JP2014093337A - Method for manufacturing package, method for manufacturing electronic device, electronic equipment, and mobile - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関する。 The present invention relates to a package manufacturing method, an electronic device manufacturing method, an electronic apparatus, and a moving body.
従来から、電子機器の小型化、薄型化に伴い、圧電デバイスなどの電子部品はより一層の小型化・薄型化が要求されると共に、回路基板等への実装に適した表面実装型のものが多用されている。一般に表面実装型の圧電デバイスは、セラミックなどの絶縁材料で形成したパッケージに圧電振動片を封止する構造が広く採用されている。
例えば、このようなパッケージとして、セラミック材料のシート材を積層した箱型ベースのキャビティ内に圧電振動片を実装し、このベースにリッドを接合して気密に封止したものが知られている。一般にベースとリッドとは、それらの間に低融点ガラスのようなろう材を配置し、これを加熱溶融させることによって気密に接合する。いずれも個片化されたベースとリッドとを個別に接合するものである。そのため、個々のベースとリッドとを正確に接合するためには、それらを個別に位置決めするための治具を用いる必要がある。更に、そのような位置決めや搬送などの作業には、多大の手間および労力を要するので生産性が低下し、且つ製造コストが増大するという問題があった。
このような問題を解決するため特許文献1において、複数のベースからなるベース板の各ベースのキャビティ内に、例えば圧電振動片などの電子部品を固定し、その後、複数のリッドからなるリッド板を重ねて一括して接合封止する製造方法が開示されている。これにより、個々のベースとリッドとを個別に位置合わせする必要が無くなり、ベースおよびリッドの取り扱い、封止作業が簡単になる。そのため、生産性が向上し、且つ製造コストを低減することができる。
Conventionally, along with the downsizing and thinning of electronic equipment, electronic parts such as piezoelectric devices are required to be further downsized and thinned, and surface-mounting types suitable for mounting on circuit boards and the like are also available. It is used a lot. In general, a surface-mount type piezoelectric device widely adopts a structure in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a package formed of an insulating material such as ceramic.
For example, such a package is known in which a piezoelectric vibrating piece is mounted in a cavity of a box-type base in which ceramic material sheet materials are stacked, and a lid is joined to the base so as to be hermetically sealed. In general, the base and the lid are joined in an airtight manner by placing a brazing material such as low-melting glass between them and heating and melting them. In either case, the separated base and lid are joined individually. Therefore, in order to join each base and the lid accurately, it is necessary to use a jig for positioning them individually. Furthermore, such operations such as positioning and conveyance require a great deal of labor and labor, resulting in a problem that productivity is lowered and manufacturing cost is increased.
In order to solve such a problem, in
しかし、複数のベースからなるベース板と複数のリッドからなるリッド板とを重ねて一括して接合封止する際に、ベース板やリッド板に厚みばらつきや反りがあると、低融点ガラスの塗布量不足による接合不良や逆に塗布量が多すぎてパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良などが生じるという問題があった。 However, when a base plate made of a plurality of bases and a lid plate made of a plurality of lids are overlapped and collectively bonded and sealed, if the base plate or the lid plate has thickness variations or warpage, the low melting point glass is applied. There are problems such as poor bonding due to insufficient amount, and conversely, the amount of coating is too large, causing the low melting point glass to protrude into the cavity of the package.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係るパッケージの製造方法は、隔壁で囲まれている複数のキャビティを有する第1の基板と、平板状の第2の基板と、を用意する工程と、前記隔壁の高さばらつきを求める工程と、前記隔壁の前記高さばらつきから低融点ガラスの塗布高さを算出する工程と、前記低融点ガラスを前記隔壁に塗布する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねて配置して接合する工程と、を含むことを特徴とする。 Application Example 1 A package manufacturing method according to this application example includes a step of preparing a first substrate having a plurality of cavities surrounded by a partition wall and a flat plate-like second substrate, and the partition wall Determining the height variation of the partition wall, calculating the coating height of the low melting point glass from the height variation of the partition, applying the low melting point glass to the partition, the first substrate and the And a step of superposing and bonding the second substrate.
本適用例によれば、基板ごとに、隔壁で囲まれている複数のキャビティを有する第1の基板の各隔壁の高さを測定し、その高低差から高さばらつきを求め、低融点ガラスの塗布高さを算出する。それにより、製造ばらつきにより生じていた基板ごとの各隔壁の高さばらつきを吸収できる高さの低融点ガラスを塗布するので、リッドとなる第2の基板との接合後に、低融点ガラスの塗布量不足による接合不良や塗布量過剰によるパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良を防止することができるという効果がある。 According to this application example, for each substrate, the height of each partition wall of the first substrate having a plurality of cavities surrounded by the partition walls is measured, the height variation is obtained from the height difference, and the low melting point glass Calculate the coating height. As a result, low melting point glass having a height capable of absorbing the height variation of each partition wall caused by manufacturing variation is applied, so that the amount of low melting point glass applied after joining with the second substrate serving as the lid There is an effect that it is possible to prevent the poor bonding of the low melting glass into the cavity of the package due to the insufficient bonding due to the shortage and the excessive coating amount.
[適用例2]本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、隔壁で囲まれている複数のキャビティを有する第1の基板と、平板状の第2の基板と、電子部品と、を用意する工程と、前記隔壁の高さばらつきを求める工程と、前記隔壁の前記高さばらつきから低融点ガラスの塗布高さを算出する工程と、前記低融点ガラスを前記隔壁に塗布する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねて配置して接合する工程と、前記接合する工程よりも前に、前記キャビティ内の底面と、前記第2の基板と、のいずれか一方に前記電子部品を配置する工程と、を含むことを特徴とする。 Application Example 2 An electronic device manufacturing method according to this application example prepares a first substrate having a plurality of cavities surrounded by partition walls, a flat plate-like second substrate, and an electronic component. A step of obtaining a height variation of the partition, a step of calculating a coating height of the low-melting glass from the height variation of the partition, a step of applying the low-melting glass to the partition, The first substrate and the second substrate are stacked and bonded, and before the bonding step, either the bottom surface in the cavity or the second substrate is connected to the second substrate. And a step of arranging electronic parts.
本適用例によれば、基板ごとに、隔壁で囲まれている複数のキャビティを有する第1の基板の各隔壁の高さを測定し、その高低差から高さばらつきを求め、低融点ガラスの塗布高さを算出した後に、基板ごとに、算出した高さの低融点ガラスを各隔壁の上へ塗布する。その後、第1の基板のキャビティ内の底面又は第2の基板、のいずれか一方に電子部品を配置することで、製造ばらつきにより生じていた基板ごとの各隔壁の高さばらつきを吸収できるので、第1の基板と第2の基板との接合後に、低融点ガラスの接合不良やパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良を防止した電子デバイスを得ることができるという効果がある。 According to this application example, for each substrate, the height of each partition wall of the first substrate having a plurality of cavities surrounded by the partition walls is measured, the height variation is obtained from the height difference, and the low melting point glass After calculating the coating height, low-melting glass with the calculated height is applied onto each partition wall for each substrate. After that, by arranging the electronic component on either the bottom surface in the cavity of the first substrate or the second substrate, it is possible to absorb the height variation of each partition wall caused by the manufacturing variation, After the first substrate and the second substrate are bonded, there is an effect that it is possible to obtain an electronic device which prevents the low melting glass from joining poorly and the low melting glass protruding into the cavity of the package.
[適用例3]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記隔壁の前記高さばらつきを求める工程において、一つの前記キャビティを囲んでいる前記隔壁の第1の高低差と、隣り合う2つの前記キャビティに挟まれている前記隔壁の第2の高低差とを測定し、前記第1の高低差と前記第2の高低差とから前記高さばらつきを求めることを特徴とする。 Application Example 3 In the electronic device manufacturing method according to the application example described above, in the step of obtaining the height variation of the partition walls, the first height difference of the partition walls surrounding one of the cavities is adjacent. The second height difference of the partition wall sandwiched between the two cavities is measured, and the height variation is obtained from the first height difference and the second height difference.
本適用例によれば、一つのキャビティを囲んでいる隔壁内の第1の高低差だけでなく、隣接するキャビティを囲んでいる隔壁との間の第2の高低差も測定し、第1の高低差と第2の高低差とから高さばらつきを求め、最適な塗布高さを決定することで、一つのキャビティ周辺のキャビティについても、低融点ガラスの塗布量不足による接合不良や塗布量過剰によるパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良を防止することができるという効果がある。 According to this application example, not only the first height difference in the partition wall surrounding one cavity but also the second height difference between the partition walls surrounding the adjacent cavity is measured, By obtaining the height variation from the height difference and the second height difference and determining the optimum coating height, even in the cavity around one cavity, bonding failure due to insufficient coating amount of low melting point glass and excessive coating amount This prevents the low melting point glass from protruding into the cavity of the package.
[適用例4]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記隔壁の前記高さばらつきを求める工程において、前記第1の基板の複数個所の前記隔壁の高さばらつきを求め、複数の前記高低差の最大値を前記高さばらつきとすることを特徴とする。 Application Example 4 In the electronic device manufacturing method according to the application example described above, in the step of obtaining the height variation of the partition wall, the height variation of the partition wall at a plurality of locations on the first substrate is obtained, and a plurality of height variations are obtained. The maximum value of the height difference is defined as the height variation.
本適用例によれば、第1の基板の複数個所の隔壁の高さを測定し、その結果から高低差の最大値を高さばらつきとすることで、低融点ガラスの塗布量不足となる領域や塗布量過剰となる領域を無くすことができるため、第1の基板のほぼ全域において、接合不良やパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良を防止することができるという効果がある。 According to this application example, the height of the partition walls in the first substrate is measured, and the maximum value of the height difference is determined as the height variation based on the result. In addition, since the region where the coating amount is excessive can be eliminated, it is possible to prevent defective bonding and protrusion of the low melting point glass into the cavity of the package in almost the entire area of the first substrate.
[適用例5]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記低融点ガラスの前記塗布高さを算出する工程において、前記高さばらつきに前記低融点ガラスに含有するギャップ材の高さを加えた値をT1としたとき、前記塗布高さがT1以上、前記Tに10μm加えた値T2以下の範囲にあることを特徴とする。 Application Example 5 In the electronic device manufacturing method according to the application example described above, in the step of calculating the coating height of the low-melting glass, the height of the gap material contained in the low-melting glass in the height variation When the value obtained by adding T is T1, the coating height is in the range of T1 or more and T2 or less of T2 added by 10 μm.
本適用例によれば、基板ごとの低融点ガラスの塗布高さを、基板内の高さばらつきの最大値に、低融点ガラスに含有するギャップ材の高さを加えた値を最小として、その値に製造上の塗布高さばらつき幅の10μmを加えた値を最大とする範囲内に限定する。このことにより、製造上の塗布高さばらつきが最小の場合でも、ギャップ材の高さの接合高さを確保することができるので、低融点ガラスの塗布高さ不足による接合不良を防止することができる。また、製造上の塗布高さばらつきが最大の場合でも、低融点ガラスの塗布量過剰によるパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良を防止することができるという効果がある。 According to this application example, the coating height of the low melting point glass for each substrate is set to the maximum value of the height variation in the substrate, and the value obtained by adding the height of the gap material contained in the low melting point glass to the minimum. The value obtained by adding 10 μm of the coating height variation width in manufacturing to the value is limited to the maximum range. As a result, even when the coating height variation in manufacturing is the smallest, it is possible to ensure the bonding height of the gap material height, so that it is possible to prevent poor bonding due to insufficient coating height of the low melting point glass. it can. Further, even when the coating height variation in manufacturing is the largest, there is an effect that it is possible to prevent the low melting glass from protruding into the cavity of the package due to the excessive application amount of the low melting glass.
[適用例6]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の製造方法により製造された電子デバイスを備えていることを特徴とする。 Application Example 6 An electronic apparatus according to this application example includes an electronic device manufactured by the manufacturing method described in the application example.
本適用例によれば、低融点ガラスの塗布量不足による接合不良や塗布量過剰によるパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良が防止された電子デバイスを備えた電子機器が構成できるという効果がある。 According to this application example, it is possible to configure an electronic apparatus including an electronic device in which poor bonding due to insufficient application amount of the low-melting glass or protrusion of low-melting glass into the cavity of the package due to excessive application amount is prevented. There is.
[適用例7]本適用例に係る移動体は、上記適用例に記載の製造方法により製造された電子デバイスを備えていることを特徴とする。 Application Example 7 A moving object according to this application example includes an electronic device manufactured by the manufacturing method described in the application example.
本適用例によれば、接合不良やパッケージのキャビティ内部への低融点ガラスのはみ出し不良の無い電子デバイスを備えた移動体が構成できるという効果がある。 According to this application example, there is an effect that it is possible to configure a moving body including an electronic device that does not have poor bonding or low-melting glass protruding into the cavity of the package.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る製造方法に用いる基板の平面図であり、図1(a)はキャビティが形成された第1の基板、図1(b)は平板状の第2の基板である。図2は、本発明の第1の実施形態に係る製造方法に用いる基板の隔壁の高さばらつきを説明する模式図であり、図2(a)は図1のA部の平面図、図2(b)は図2(a)のA−A断面図、図2(c)は図2(a)のB−B断面図である。
図1に示すように、複数のキャビティ20が形成された第1の基板10は、従来のセラミックパッケージにおけるベースに相当するものであり、平板状のセラミックシートとキャビティ20を構成する隔壁22を有するセラミックシートが積層されて形成されている。なお、第1の基板10には、ここでは図示しないが、キャビティ20内に電子部品30(図3に示す)を実装するために必要な所定数の電極や配線パターンが予め形成されている。また、従来のセラミックパッケージにおけるリッドに相当する平板状の第2の基板12は、所定の厚さのセラミックシートで形成されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a substrate used in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a first substrate with a cavity formed, and FIG. 1 (b) is a flat plate. This is the second substrate. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the height variation of the partition walls of the substrate used in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2A is a plan view of a portion A in FIG. (B) is AA sectional drawing of Fig.2 (a), FIG.2 (c) is BB sectional drawing of Fig.2 (a).
As shown in FIG. 1, the
本実施形態に係るパッケージの製造方法は、先ず、隔壁22で囲まれている複数のキャビティ20を有する第1の基板10と平板状の第2の基板12とを用意する。次に、第1の基板10ごとに第1の基板10に形成された各隔壁22の高低差をレーザー干渉計などにより測定し、この高低差から高さばらつきを求め、第1の基板10ごとに低融点ガラス40(図3に示す)の塗布高さを算出する。その後、第1の基板10ごとに第1の基板10に形成された各隔壁22の上に算出した高さの低融点ガラス40をスクリーン印刷装置などにより塗布し、第1の基板10と第2の基板12とを重ねるように配置して接合する。なお、接合は封止装置などにより真空又は窒素雰囲気中で加熱し、低融点ガラス40を溶融させることで行われる。その後、ダイシングなどの方法で切断し個片化することで、それぞれ気密に封止されたパッケージが得られる。
In the package manufacturing method according to the present embodiment, first, a
ここで、複数のキャビティ20が形成されたような大型基板の場合、セラミックシートの製造ばらつきによるシート内の厚みばらつきやシート焼成時の応力によるそりの影響で、基板ごとに厚みばらつきが異なり、隔壁22の高さばらつきが生じていた。そのため、接合用の低融点ガラス40の塗布高さを一定とする従来の方法では、基板によっては塗布高さ不足による接合不良や逆に塗布高さが高過ぎてパッケージのキャビティ20内部への低融点ガラス40のはみ出し不良などが生じるという問題があった。本実施形態における第1の基板10の隔壁22の高さばらつきを調査した結果、基板内の隔壁22の高さばらつきが約±5μmであるのに対し、基板間の隔壁22の高さばらつきは約±10μmと大きく、接合不良を防止するためには基板ごとに低融点ガラス40の塗布高さを決定する必要があることが判明した。
Here, in the case of a large substrate in which a plurality of
そのため、本実施形態では、この問題を解決するために、図1(a)の破線丸印で示した基板内の9箇所において、隣接するキャビティ20を構成する隔壁22間の第1の高低差△t1(図2(b)に示す)と隔壁22内の第2の高低差△t2(図2(c)に示す)を測定する。その後、9箇所の中での最大値△tmaxと、低融点ガラス40に含有するギャップ材42(図3(c)に示す)の高さTと、塗布実験により測定した低融点ガラス40の塗布高さの厚みばらつき±5μmとを考慮して、各基板の低融点ガラス40の塗布高さを算出する。また、低融点ガラス40の塗布高さは、高さばらつきの最大値△tmaxにギャップ材42の高さTを加えた値T1以上、T1に低融点ガラス40の塗布高さの厚みばらつき幅10μmを加えた値T2以下の範囲とする。
Therefore, in the present embodiment, in order to solve this problem, the first height difference between the
本実施形態における第1の基板10と第2の基板12は、アルミナ、シリカ、ジルコニア等の酸化物系セラミック、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物系セラミック、炭化ケイ素等の炭化物系セラミック等の各種セラミックで構成されている。なお、リッドとして用いる第2の基板12については、セラミック以外に、ガラス材料又は金属材料であっても構わない。
In the present embodiment, the
低融点ガラス40としては、特に限定されず、例えば、P2O5−CuO−ZnO系低融点ガラス、P2O5−SnO系低融点ガラス、B2O3−ZnO−Bi2O3−Al2O3系低融点ガラス等を用いることができる。
また、低融点ガラス40には、複数の球状のギャップ材42が含まれている。なお、ギャップ材42の形状は、球状に限定されず、例えば、楕円球状、扁平形状、異形状、ブロック状などでもよい。
The low-melting
The low
ギャップ材42としては、低融点ガラス40が溶ける温度では溶解しない高融点であるものが用いられる。
ギャップ材42の平均粒径(平均最大幅)は、特に限定されないが、5〜50μm程度であるのが好ましく、10〜30μm程度であるのがより好ましい。また、ギャップ材42の粒径の標準偏差(粒径のばらつき度)は、できるだけ小さいほうが好ましいが、具体的には、1.0μm以下であるのが好ましく、0.5μm以下であるのがより好ましい。
As the
The average particle diameter (average maximum width) of the
ギャップ材42の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiのような金属材料、石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バルウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミック材料、グラファイトのような炭素材料が挙げられ、これらのうちの1種又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
The constituent material of the
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスについて説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスの模式図であり、図3(a)は平面図、図3(b)は基板接合前の図3(a)のC−C断面図、図3(c)は基板接合後の図3(a)のC−C断面図および接合部の拡大図である。図4は、本発明の第2の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスの模式図であり、図4(a)は平面図、図4(b)は図4(a)のD−D断面図である。なお、図3(a)および図4(a)において、電子デバイスの内部の構成を説明する便宜上、リッドとなる第2の基板12と低融点ガラス40を取り外した状態を図示している。
(Second Embodiment)
Next, an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described.
3A and 3B are schematic views of an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is FIG. CC sectional drawing of a), FIG.3 (c) is CC sectional drawing of Fig.3 (a) after board | substrate joining, and the enlarged view of a junction part. 4A and 4B are schematic views of an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is D in FIG. 4A. It is -D sectional drawing. 3A and 4A, for convenience of explaining the internal configuration of the electronic device, a state where the
電子デバイス14は、ベースとなる第1の基板10と、リッドとなる第2の基板12と、電子部品30とから構成され、第1の基板10の隔壁22と、第2の基板12とが低融点ガラス40により接合されている。また、電子部品30は接合材44によりキャビティ20内の第1の基板10上に接合されている。
本実施形態における電子デバイス14の製造方法は、前述のパッケージ製造方法とほぼ同等で、基板ごとに算出した塗布高さの低融点ガラス40を塗布後に、第1の基板10の各キャビティ20内の底面に電子部品30を搭載し接合材44により接合する。その後、接合によりキャビティ20内が気密封止され一体化した第1の基板10と第2の基板12基板は、切断線50に沿ってダイシングすることにより個片化されて、電子デバイス14が得られる。
The
The manufacturing method of the
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスについて説明する。
図5は、本発明の第3の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスの模式図であり、図5(a)は接合前の断面図、図5(b)は接合後の断面図である。
以下、第3の実施形態について、前述した第2の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図5に示すように、第3の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイス14aは、第2の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイス14と比較すると、第1の基板10aと第2の基板12aとの構成が上下反転した構造であり、ほぼ同等である。しかし、電子部品30が接合材44を介して第2の基板12aの上に接合されている。なお、第2の基板12aには、ここでは図示しないが、電子部品30を実装するために必要な所定数の電極や配線パターンが予め形成されている。また、第1の基板10aのキャビティ20内に、第2の基板12aの上に接合された電子部品30が収められるように位置合わせし配置され接合されている。接合後は、切断線50aに沿ってダイシングすることにより個片化されて、電子デバイス14aが得られる。
(Third embodiment)
Next, an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention will be described.
5A and 5B are schematic views of an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. FIG. 5A is a cross-sectional view before bonding, and FIG. 5B is a cross-sectional view after bonding. FIG.
Hereinafter, the third embodiment will be described with a focus on differences from the second embodiment described above, and description of similar matters will be omitted.
As shown in FIG. 5, the
このような構成により、第1の基板10aの隔壁22の高さばらつき測定、塗布高さ算出を行う間に、第2の基板12aの上に電子部品30を搭載し接合できることが可能となるので、製造時間が短縮しコスト低減に効果がある。
With such a configuration, the
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスについて説明する。
図6は、本発明の第4の実施形態に係る製造方法に用いる基板の平面図である。
図7は、本発明の第4の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイスの模式図であり、図7(a)は図6のB部の平面図、図7(b)は接合前の図7(a)のE−E断面図、図7(c)は接合後の図7(a)のE−E断面図である。
以下、第4の実施形態について、前述した第2の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図6に示すように、第1の基板10bは、複数のキャビティ20aを形成する隔壁22aが一体化された構成である。なお、第1の基板10bには、ここでは図示しないが、キャビティ20a内に電子部品30を実装するために必要な所定数の電極や配線パターンが予め形成されている。
また、図7に示すように、第4の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイス14bは、第2の実施形態に係る製造方法により製造された電子デバイス14と比較すると、複数のキャビティ20aを囲む隔壁22aが一体化された以外は同等の構成であり、第1の基板10bと第2の基板12とを低融点ガラス40aを介して接合後、切断線50aに沿ってダイシングすることにより個片化されて、電子デバイス14bが得られる。
(Fourth embodiment)
Next, an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a plan view of a substrate used in the manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention.
7A and 7B are schematic views of an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 7A is a plan view of a portion B in FIG. 6, and FIG. FIG. 7A is a cross-sectional view taken along line EE in FIG. 7A, and FIG. 7C is a cross-sectional view taken along line EE in FIG.
Hereinafter, the fourth embodiment will be described with a focus on differences from the second embodiment described above, and description of similar matters will be omitted.
As shown in FIG. 6, the 1st board |
Further, as shown in FIG. 7, the
このような構成により、第1の基板10bに形成された隔壁22aの上部面積が広く確保できるため、接合時の接合面積が広くなりキャビティ20aの気密性が向上し、接合不良をより防止することができるという効果がある。
With such a configuration, a large upper area of the
以上、第1から第4の実施形態におけるパッケージや電子デバイス14,14a,14bを個片化する方法として、ダイシングによる方法を用いて説明したが、ダイシング以外に、サンドブラストによる方法や、事前に第1の基板10,10a,10bや第2の基板12,12aに切断線50,50a,50bに沿って溝を設け、接合後に溝に沿って分割して個片化する方法でも構わない。
As described above, the method of dicing the package and the
(電子機器)
次いで、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを適用した電子機器について、図8〜図10に基づき、詳細に説明する。
図8は、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを備える電子機器としてのモバイル型(又はノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部100を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、電子デバイス14が内蔵されている。
(Electronics)
Next, an electronic apparatus to which the electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention is applied will be described in detail with reference to FIGS.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic apparatus including an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention. In this figure, a
図9は、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを備える電子機器としての携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部100が配置されている。このような携帯電話機1200には、電子デバイス14が内蔵されている。
FIG. 9 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone (including PHS) as an electronic apparatus including the electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention. In this figure, a
図10は、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを備える電子機器としてのデジタルカメラの構成を示す斜視図である。尚、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部100が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部100は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
FIG. 10 is a perspective view illustrating a configuration of a digital camera as an electronic apparatus including the electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention. In this figure, the connection with an external device is also shown in a simplified manner. Here, an ordinary camera sensitizes a silver salt photographic film with a light image of a subject, whereas a
A
撮影者が表示部100に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、このデジタルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター(PC)1440が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルカメラ1300には、電子デバイス14が内蔵されている。
When the photographer confirms the subject image displayed on the
なお、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを備える電子機器は、図8のパーソナルコンピューター1100、図9の携帯電話機1200、図10のデジタルカメラ1300の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレーターなどに適用することができる。
Note that an electronic apparatus including an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention includes, for example, an ink jet type discharge in addition to the
(移動体)
図11は、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイスを備える移動体としての自動車を概略的に示す斜視図である。この図において、タイヤ2109を制御する電子制御ユニット2108に電子デバイス14が内蔵され、車体2107に搭載されている。
自動車2106には、本発明に係る製造方法により製造された電子デバイス14が搭載されており、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS:Antilock Brake System)、エアバック、タイヤプレッシャーモニタリングシステム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システムなどの電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)2108に広く適用できる。
(Moving body)
FIG. 11 is a perspective view schematically showing an automobile as a moving body including an electronic device manufactured by the manufacturing method according to the present invention. In this figure, an
The
10…第1の基板、12…第2の基板、14…電子デバイス、20…キャビティ、22…隔壁、30…電子部品、40…低融点ガラス、42…ギャップ材、44…接合材、50…切断線、100…表示部、1100…パーソナルコンピューター,1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1300…デジタルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター、2106…自動車、2107…車体、2108…電子制御ユニット、2109…タイヤ。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記隔壁の高さばらつきを求める工程と、
前記隔壁の前記高さばらつきからギャップ材を含有する低融点ガラスの塗布高さを算出する工程と、
前記低融点ガラスを前記隔壁に塗布する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねて配置して接合する工程と、
を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。 Preparing a first substrate having a plurality of cavities surrounded by a partition, and a flat plate-like second substrate;
Determining the height variation of the partition;
Calculating the coating height of the low melting point glass containing the gap material from the height variation of the partition;
Applying the low melting point glass to the partition;
Placing and bonding the first substrate and the second substrate in an overlapping manner;
A method for manufacturing a package, comprising:
前記隔壁の高さばらつきを求める工程と、
前記隔壁の前記高さばらつきからギャップ材を含有する低融点ガラスの塗布高さを算出する工程と、
前記低融点ガラスを前記隔壁に塗布する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを重ねて配置して接合する工程と、
前記接合する工程よりも前に、前記キャビティ内の底面と、前記第2の基板と、のいずれか一方に電子部品を配置する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 Preparing a first substrate having a plurality of cavities surrounded by a partition, and a flat plate-like second substrate;
Determining the height variation of the partition;
Calculating the coating height of the low melting point glass containing the gap material from the height variation of the partition;
Applying the low melting point glass to the partition;
Placing and bonding the first substrate and the second substrate in an overlapping manner;
A method for manufacturing an electronic device, comprising: placing an electronic component on one of the bottom surface in the cavity and the second substrate before the joining step.
一つの前記キャビティを囲んでいる前記隔壁の第1の高低差と、隣り合う2つの前記キャビティに挟まれている前記隔壁の第2の高低差とを測定し、
前記第1の高低差をと前記第2の高低差とから前記高さばらつきを求めることを特徴とする請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。 In the step of determining the height variation of the partition wall,
Measuring a first height difference of the partition wall surrounding one of the cavities and a second height difference of the partition wall sandwiched between two adjacent cavities;
3. The method of manufacturing an electronic device according to claim 2, wherein the height variation is obtained from the first height difference and the second height difference.
前記第1の基板の複数個所の前記隔壁の高さばらつきを求め、
複数の前記高低差の最大値を前記高さばらつきとすることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスの製造方法。 In the step of determining the height variation of the partition wall,
Obtaining height variations of the partition walls at a plurality of locations of the first substrate,
4. The method of manufacturing an electronic device according to claim 3, wherein a plurality of maximum height differences are defined as the height variation.
前記高さばらつきに前記低融点ガラスに含有する前記ギャップ材の高さを加えた値をT1としたとき、
前記塗布高さがT1以上、前記T1に10μm加えた値T2以下の範囲にあることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。 In the step of calculating the coating height of the low melting point glass,
When T1 is a value obtained by adding the height of the gap material contained in the low melting point glass to the height variation,
5. The method of manufacturing an electronic device according to claim 2, wherein the coating height is in a range of T <b> 1 or more and T <b> 2 or less of T <b> 2.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016042535A (en) * | 2014-08-18 | 2016-03-31 | 積水化学工業株式会社 | Electronic component device and bonding material for ceramic package |
JP7444233B2 (en) | 2019-01-31 | 2024-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | Method of manufacturing a vibration device |
-
2012
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