JP2013254790A - Base substrate, method of manufacturing the same, electronic device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base substrate which is capable of enhancing airtightness of a space for storing an electronic component, with a simple configuration.SOLUTION: A base substrate (1) according to the present invention includes: a substrate (10) having a through hole (16) and main surfaces (12a, 12b) on which protrusions (14, 15) are provided so as to surround the opening of the through hole (16) in a plan view; a through electrode (24) provided in the through hole (16); and metal layers (2, 4) which cover the protrusions (14, 15) provided on the main surfaces (12a, 12b) and are electrically connected to the through electrode (24).

Description

本発明は、ベース基板およびその製造方法、電子デバイス、並びに電子機器に関する。   The present invention relates to a base substrate, a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic apparatus.

電子デバイスとして、例えば、圧電振動素子等の電子部品と、電子部品が搭載されるベース基板と、蓋体と、を含んで構成されている圧電デバイスが知られている。圧電振動素子等の電子部品は、ベース基板および蓋体によって囲まれる空間に気密に封止されている。そのため、このような電子デバイスでは、空間に収容された電子部品と、この空間の外にある外部装置とを電気的に接続するための配線（電極）が設けられる。   As an electronic device, for example, a piezoelectric device configured to include an electronic component such as a piezoelectric vibration element, a base substrate on which the electronic component is mounted, and a lid is known. Electronic components such as piezoelectric vibration elements are hermetically sealed in a space surrounded by the base substrate and the lid. Therefore, in such an electronic device, wiring (electrode) for electrically connecting an electronic component housed in the space and an external device outside the space is provided.

例えば、特許文献１には、電子部品を収容する空間の気密性を高めるために、基体に設けられた第１の貫通孔と水晶素板に設けられた第２の貫通孔とが、互いに開口部が重ならない位置に設けられ、第１の貫通孔内に設けられた配線および第２の貫通孔内に設けられた配線によって、水晶振動素子が外部接続用電極端子に接続され、第１の貫通孔は蓋体に設けられた金属膜で封止された構造の電子デバイスが開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses that a first through hole provided in a base and a second through hole provided in a quartz base plate are opened to each other in order to improve the airtightness of a space for accommodating an electronic component. The crystal resonator element is connected to the external connection electrode terminal by the wiring provided in the first through hole and the wiring provided in the second through hole. An electronic device having a structure in which a through hole is sealed with a metal film provided in a lid is disclosed.

特開２０１０−１４７８２４号公報JP 2010-147824 A

しかしながら、特許文献１の電子デバイスでは、第１の貫通孔の開口部と第２の貫通孔の開口部とが重ならないように基体と水晶素板を積層し、かつ、貫通孔間に配線を引き回さなければならない。そのため、構造が複雑になってしまうという問題がある。   However, in the electronic device of Patent Document 1, the base and the quartz base plate are laminated so that the opening of the first through hole and the opening of the second through hole do not overlap, and wiring is provided between the through holes. Must be routed. Therefore, there is a problem that the structure becomes complicated.

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、簡易な構成で、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができるベース基板およびその製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記ベース基板を含む電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。   One of the objects according to some aspects of the present invention is to provide a base substrate and a method for manufacturing the same that can improve the airtightness of a space that accommodates an electronic component with a simple configuration. Another object of some aspects of the present invention is to provide an electronic device and an electronic apparatus including the base substrate.

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

［適用例１］
本適用例に係るベース基板は、
貫通孔と、平面視で前記貫通孔の開口部を囲むように凸部が設けられている主面とを有する基板と、
前記貫通孔内に設けられている貫通電極と、
前記凸部を覆っていて、前記貫通電極と電気的に接続している金属層と、
を含む。 [Application Example 1]
The base substrate according to this application example is
A substrate having a through hole and a main surface provided with a convex portion so as to surround the opening of the through hole in plan view;
A through electrode provided in the through hole;
A metal layer covering the convex portion and electrically connected to the through electrode;
including.

このようなベース基板によれば、貫通電極に接続している金属層が凸部を覆っているため、リークの経路となる金属層と基板との界面において、基板に凸部がない場合と比べて、リークの経路を長くすることができる。これにより、金属層と基板との界面からのリークを抑制することができ、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。さら
に、このようなベース基板によれば、金属層が凸部を覆うように設けられた簡易な構成で、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。 According to such a base substrate, since the metal layer connected to the through electrode covers the convex portion, compared with the case where the substrate does not have the convex portion at the interface between the metal layer and the substrate serving as a leakage path. Thus, the leak path can be lengthened. Thereby, the leak from the interface of a metal layer and a board | substrate can be suppressed, and the airtightness of the space which accommodates an electronic component can be improved. Furthermore, according to such a base substrate, the airtightness of the space for accommodating the electronic component can be enhanced with a simple configuration in which the metal layer is provided so as to cover the convex portion.

［適用例２］
本適用例に係るベース基板において、
前記主面には、平面視で前記開口部を囲むように凹部も設けられていてもよい。 [Application Example 2]
In the base substrate according to this application example,
The main surface may be provided with a recess so as to surround the opening in plan view.

このようなベース基板によれば、電子部品を収容する空間の気密性をより高めることができる。   According to such a base substrate, it is possible to further improve the airtightness of the space for accommodating the electronic component.

［適用例３］
本適用例に係るベース基板において、
前記凸部または前記凹部が、平面視で前記開口部を囲むように環状に繋がっていてもよい。 [Application Example 3]
In the base substrate according to this application example,
The said convex part or the said recessed part may be connected cyclically | annularly so that the said opening part may be enclosed by planar view.

このようなベース基板によれば、電子部品を収容する空間の気密性をより高めることができる。   According to such a base substrate, it is possible to further improve the airtightness of the space for accommodating the electronic component.

［適用例４］
本適用例に係るベース基板において、
前記基板は、単層のセラミック基板であってもよい。 [Application Example 4]
In the base substrate according to this application example,
The substrate may be a single layer ceramic substrate.

このような電子デバイスの製造方法によれば、基板がセラミック基板であるため、例えば、エネルギービームをセラミック基板に照射することで、容易に、貫通孔を囲むように凸部を形成することができる。したがって、製造工程を簡略化することができる。また、多層のセラミック基板と比べて、装置の低背化、小型化を図ることができる。   According to such a method for manufacturing an electronic device, since the substrate is a ceramic substrate, for example, by projecting the energy beam to the ceramic substrate, the convex portion can be easily formed so as to surround the through hole. . Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, the apparatus can be reduced in profile and size as compared with a multilayer ceramic substrate.

［適用例５］
本適用例に係るベース基板において、
前記貫通電極は、金属を含む樹脂であってもよい。 [Application Example 5]
In the base substrate according to this application example,
The through electrode may be a resin containing a metal.

このようなベース基板によれば、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。   According to such a base substrate, the airtightness of the space for accommodating the electronic component can be improved.

［適用例６］
本適用例に係る電子デバイスは、
本適用例に係るベース基板と、
前記ベース基板に搭載されている電子部品と、
を含む。 [Application Example 6]
The electronic device according to this application example is
A base substrate according to this application example;
Electronic components mounted on the base substrate;
including.

このような電子デバイスによれば、本適用例に係るベース基板を含むため、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。   According to such an electronic device, since the base substrate according to this application example is included, the airtightness of the space that houses the electronic component can be improved.

［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る電子デバイスを含む。 [Application Example 7]
The electronic device according to this application example is
The electronic device which concerns on this application example is included.

このような電子機器によれば、本適用例に係る電子デバイスを含むため、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。   According to such an electronic apparatus, since the electronic device according to this application example is included, the airtightness of the space that houses the electronic component can be improved.

［適用例８］
本適用例に係るベース基板の製造方法は、
セラミック基板を準備する工程と、
前記セラミック基板にエネルギービームを照射して、前記セラミック基板を貫通する貫通孔を形成し、かつ、前記セラミック基板の主面に前記貫通孔を囲むように凸部を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極を配置する工程と、
前記貫通電極と電気的に接続し、前記凸部を覆うように金属層を形成する工程と、
を含む。 [Application Example 8]
The base substrate manufacturing method according to this application example is as follows:
Preparing a ceramic substrate;
Irradiating the ceramic substrate with an energy beam to form a through hole penetrating the ceramic substrate, and forming a convex portion on the main surface of the ceramic substrate so as to surround the through hole;
Placing a through electrode in the through hole;
Electrically connecting with the through electrode and forming a metal layer so as to cover the convex part;
including.

このようなベース基板の製造方法によれば、貫通孔と凸部を同時に形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。したがって、電子部品を収容する空間の気密性を高めることが可能なベース基板を、簡易な工程で製造することができる。   According to such a method for manufacturing a base substrate, the through hole and the convex portion can be formed at the same time, so that the manufacturing process can be simplified. Therefore, the base substrate capable of improving the airtightness of the space for accommodating the electronic component can be manufactured by a simple process.

本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing the electronic device according to the embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the electronic device according to the embodiment. 本実施形態に係るベース基板の凸部および貫通孔を模式的に示す図。The figure which shows typically the convex part and through-hole of a base substrate which concern on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。6 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of an electronic device according to the embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態の第１変形例に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the electronic device which concerns on the 1st modification of this embodiment. 本実施形態の第１変形例に係るベース基板の凸部および貫通孔を模式的に示す図。The figure which shows typically the convex part and through-hole of a base substrate which concern on the 1st modification of this embodiment. 本実施形態の第２変形例に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the electronic device which concerns on the 2nd modification of this embodiment. 本実施形態の第２変形例に係るベース基板の凸部および貫通孔を模式的に示す図。The figure which shows typically the convex part and through-hole of a base substrate which concern on the 2nd modification of this embodiment. 本実施形態の第２変形例に係るベース基板の凸部および貫通孔の変形例を模式的に示す図。The figure which shows typically the modification of the convex part and through-hole of a base substrate which concern on the 2nd modification of this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す図。1 is a diagram schematically illustrating an electronic apparatus according to an embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. In addition, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

１． 電子デバイス
まず、本実施形態に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る電子デバイス１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る電子デバイス１００を模式的に示す断面図である。なお、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。また、図１では、便宜上、蓋体３０およびろう材３６の図示を省略している。 1. Electronic Device First, an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view schematically showing an electronic device 100 according to this embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the electronic device 100 according to the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. Moreover, in FIG. 1, illustration of the cover body 30 and the brazing material 36 is omitted for convenience.

電子デバイス１００は、図１および図２に示すように、本実施形態に係るベース基板１と、蓋体３０と、電子部品４０と、を含んで構成されている。ベース基板１は、セラミッ
ク基板１０と、搭載電極２０と、実装電極２２と、貫通電極２４と、接合部２６と、を含んで構成されている。ベース基板１は、電子部品４０を実装するための基板である。ベース基板１は、電子部品４０を収容するためのパッケージを構成することができる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device 100 includes a base substrate 1 according to the present embodiment, a lid 30, and an electronic component 40. The base substrate 1 includes a ceramic substrate 10, a mounting electrode 20, a mounting electrode 22, a through electrode 24, and a joint portion 26. The base substrate 1 is a substrate for mounting the electronic component 40. The base substrate 1 can constitute a package for housing the electronic component 40.

セラミック基板１０は、例えば、単層である。これにより、多層のセラミック基板と比べて、装置の低背化、小型化を図ることができる。なお、セラミック基板１０は、単層のセラミック基板が積層された多層構造であってもよい。セラミック基板１０の材質は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒素珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＸｒＯ３）、コージライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ・５ＳｉＯ２）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）や、これらの物質に他の物質が添加されたセラミック基板である。また、セラミック基板１０は、セラミックグリーンシートを複数枚積層して成形した後、焼成した焼結体であってもよい。 The ceramic substrate 10 is, for example, a single layer. Thereby, compared with a multilayer ceramic substrate, the apparatus can be reduced in height and size. The ceramic substrate 10 may have a multilayer structure in which single-layer ceramic substrates are stacked. The material of the ceramic substrate 10 is, for example, alumina (Al 2 O 3 ), silicon silicon (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), sapphire (Al 2 O 3 ), zirconia (XrO 3 ), cordierite (2MgO 2Al 2 O · 5SiO 2 ), yttria (Y 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), steatite (MgO · SiO 2 ), and other materials It is a ceramic substrate to which a substance is added. The ceramic substrate 10 may be a sintered body that is formed by laminating and forming a plurality of ceramic green sheets.

セラミック基板１０の主面１２ａ（図示の例では上面）には、貫通孔１６を囲む凹凸が設けられている。図示の例では、セラミック基板１０の主面１２ａに設けられた第１凸部１４によって、主面１２ａに凹凸が設けられている。また、同様に、セラミック基板１０の他方の主面１２ｂ（図示の例では下面）には、貫通孔１６を囲む凹凸が設けられている。図示の例では、セラミック基板１０の主面１２ｂに設けられた第２凸部１５によって、主面１２ｂに凹凸が設けられている。なお、図示はしないが、凸部１４，１５は、セラミック基板１０の一方の主面にのみ形成されてもよい。第１凸部１４は、図１に示すように、セラミック基板１０の主面１２ａに２つ設けられている。同様に、第２凸部１５は、セラミック基板１０の主面１２ｂに２つ設けられている。   The main surface 12a (upper surface in the illustrated example) of the ceramic substrate 10 is provided with unevenness surrounding the through hole 16. In the illustrated example, the main surface 12 a is provided with irregularities by the first convex portion 14 provided on the main surface 12 a of the ceramic substrate 10. Similarly, the other main surface 12 b (lower surface in the illustrated example) of the ceramic substrate 10 is provided with irregularities surrounding the through hole 16. In the illustrated example, the main surface 12 b is provided with unevenness by the second convex portion 15 provided on the main surface 12 b of the ceramic substrate 10. Although not shown, the protrusions 14 and 15 may be formed only on one main surface of the ceramic substrate 10. As shown in FIG. 1, two first convex portions 14 are provided on the main surface 12 a of the ceramic substrate 10. Similarly, two second convex portions 15 are provided on the main surface 12 b of the ceramic substrate 10.

図３（Ａ）は、第１凸部１４および貫通孔１６を模式的に示す平面図である。図３（Ｂ）は、凸部１４，１５および貫通孔１６を模式的に示す断面図であり、図３（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。凸部１４，１５は、セラミック基板１０の主面１２ａ，１２ｂから突出している部分である。凸部１４，１５は、平面視において（セラミック基板１０の厚さ方向から見て）、貫通孔１６の開口部を囲むように設けられている。図示の例では、凸部１４，１５は、平面視において、環状に繋がっており、貫通孔１６の開口部の周囲を完全に囲んでいる。凸部１４，１５は、貫通孔１６の開口部を規定している。凸部１４，１５は、例えば、セラミック基板にエネルギービームを照射して、該セラミック基板の一部を溶融させることで形成される。そのため、凸部１４，１５は、セラミック基板１０と一体に設けられている。また、凸部１４，１５は、セラミックグリーンシートに凸部に相当する材料を塗布し、その後焼成することにより形成されてもよい。凸部１４，１５の高さＨは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。第１凸部１４の高さＨと、第２凸部１５の高さＨとは、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。第１凸部１４の高さＨによって、電子部品４０とセラミック基板１０の主面１２ａとの間隔を決めることができる。   FIG. 3A is a plan view schematically showing the first convex portion 14 and the through hole 16. FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing the convex portions 14 and 15 and the through hole 16, and is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. The convex portions 14 and 15 are portions that protrude from the main surfaces 12 a and 12 b of the ceramic substrate 10. The convex portions 14 and 15 are provided so as to surround the opening portion of the through hole 16 in a plan view (as viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 10). In the illustrated example, the convex portions 14 and 15 are annularly connected in a plan view and completely surround the opening portion of the through hole 16. The convex portions 14 and 15 define the opening of the through hole 16. The convex portions 14 and 15 are formed, for example, by irradiating the ceramic substrate with an energy beam and melting a part of the ceramic substrate. Therefore, the convex portions 14 and 15 are provided integrally with the ceramic substrate 10. Moreover, the convex parts 14 and 15 may be formed by apply | coating the material corresponded to a convex part to a ceramic green sheet, and baking it after that. The height H of the convex portions 14 and 15 is, for example, 5 μm or more and 20 μm or less. The height H of the first convex portion 14 and the height H of the second convex portion 15 may be the same or different from each other. The distance between the electronic component 40 and the main surface 12a of the ceramic substrate 10 can be determined by the height H of the first protrusion 14.

図２に示すように、第１凸部１４は、搭載電極２０で覆われている。図示の例では、第１凸部１４は、搭載電極２０を構成する第１金属層２および第２金属層４で覆われている。第１凸部１４の表面は、金属層２，４によって完全に覆われており、露出していない。第２凸部１５は、実装電極２２で覆われている。図示の例では、第２凸部１５は、実装電極２２を構成する第１金属層２および第２金属層４で覆われている。第２凸部１５の表面は、金属層２，４によって完全に覆われており、露出していない。   As shown in FIG. 2, the first convex portion 14 is covered with the mounting electrode 20. In the illustrated example, the first convex portion 14 is covered with the first metal layer 2 and the second metal layer 4 constituting the mounting electrode 20. The surface of the first convex portion 14 is completely covered with the metal layers 2 and 4 and is not exposed. The second convex portion 15 is covered with the mounting electrode 22. In the illustrated example, the second convex portion 15 is covered with the first metal layer 2 and the second metal layer 4 constituting the mounting electrode 22. The surface of the second convex portion 15 is completely covered with the metal layers 2 and 4 and is not exposed.

セラミック基板１０には、貫通孔１６が設けられている。図示の例では、貫通孔１６は、２つ設けられている。貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ａ側から見て、凸部１４に囲まれている。図示の例では、貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ａ
側から見て、凸部１４で閉じられた領域に形成されている。また、貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側から見て、凸部１５に囲まれている。図示の例では、貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側から見て、凸部１５で閉じられた領域に形成されている。貫通孔１６内には、貫通電極２４が設けられている。貫通孔１６は、セラミック基板１０の一方の主面１２ａ側から他方の主面１２ｂ側まで延在している。貫通孔１６は、セラミック基板１０の内面１２ｃおよび凸部１４の側面１４ｃによって規定されている。貫通孔１６の形状は、例えば、円柱状である。貫通孔１６は、一方の主面１２ａ側の開口部から他方の主面１２ｂ側の開口部に向かうにしたがって径が小さくなるテーパー形状を有していてもよい。 A through hole 16 is provided in the ceramic substrate 10. In the illustrated example, two through holes 16 are provided. The through hole 16 is surrounded by the convex portion 14 when viewed from the main surface 12 a side of the ceramic substrate 10. In the illustrated example, the through hole 16 has a main surface 12 a of the ceramic substrate 10.
It is formed in a region closed by the convex portion 14 when viewed from the side. Further, the through hole 16 is surrounded by the convex portion 15 when viewed from the main surface 12 b side of the ceramic substrate 10. In the illustrated example, the through-hole 16 is formed in a region closed by the convex portion 15 when viewed from the main surface 12 b side of the ceramic substrate 10. A through electrode 24 is provided in the through hole 16. The through hole 16 extends from one main surface 12a side of the ceramic substrate 10 to the other main surface 12b side. The through hole 16 is defined by the inner surface 12 c of the ceramic substrate 10 and the side surface 14 c of the convex portion 14. The shape of the through hole 16 is, for example, a cylindrical shape. The through-hole 16 may have a tapered shape whose diameter decreases from the opening on the one main surface 12a side toward the opening on the other main surface 12b side.

セラミック基板１０の一方の主面１２ａには、搭載電極２０、および接合部２６が設けられている。セラミック基板１０の他方の主面１２ｂには、実装電極２２が設けられている。ベース基板１は、蓋体３０とともに、電子部品４０を収容するためのパッケージを構成している。   On one main surface 12 a of the ceramic substrate 10, a mounting electrode 20 and a joint portion 26 are provided. A mounting electrode 22 is provided on the other main surface 12 b of the ceramic substrate 10. The base substrate 1 constitutes a package for housing the electronic component 40 together with the lid 30.

搭載電極２０は、セラミック基板１０の主面１２ａに、第１凸部１４を覆うように設けられている。図示の例では、搭載電極２０は、第１凸部１４の表面、貫通電極２４上、主面１２ａにわたって形成されている。搭載電極２０は、貫通電極２４に接続している。搭載電極２０は、図示の例では２つ設けられている。搭載電極２０は、セラミック基板１０上に設けられている第１金属層２と、第１金属層２上に設けられている第２金属層４と、を含んで構成されている。第１金属層２の材質は、例えば、チタンとタングステンの合金、または、クロムである。第２金属層４の材質は、例えば、銅である。なお、金属層２、４の材質は、これに限定されない。また、搭載電極２０は、単層であってもよいし、３層以上の金属層からなる多層構造であってもよい。また、搭載電極２０は、銀ペースト等の金属を含む樹脂であってもよい。搭載電極２０上には、接着剤５０を介して、電子部品４０が接合されている。搭載電極２０は、導電性の接着剤５０を介して電子部品４０のマウント電極４８に電気的に接続している。搭載電極２０は、電子部品４０を搭載するための電極である。   The mounting electrode 20 is provided on the main surface 12 a of the ceramic substrate 10 so as to cover the first convex portion 14. In the illustrated example, the mounting electrode 20 is formed across the surface of the first convex portion 14, the through electrode 24, and the main surface 12 a. The mounting electrode 20 is connected to the through electrode 24. Two mounting electrodes 20 are provided in the illustrated example. The mounting electrode 20 includes a first metal layer 2 provided on the ceramic substrate 10 and a second metal layer 4 provided on the first metal layer 2. The material of the first metal layer 2 is, for example, an alloy of titanium and tungsten, or chromium. The material of the second metal layer 4 is, for example, copper. The material of the metal layers 2 and 4 is not limited to this. Further, the mounting electrode 20 may be a single layer or a multilayer structure including three or more metal layers. The mounting electrode 20 may be a resin containing a metal such as a silver paste. An electronic component 40 is bonded onto the mounting electrode 20 via an adhesive 50. The mounting electrode 20 is electrically connected to the mount electrode 48 of the electronic component 40 through the conductive adhesive 50. The mounting electrode 20 is an electrode for mounting the electronic component 40.

実装電極２２は、セラミック基板１０の主面１２ｂに、第２凸部１５を覆うように設けられている。図示の例では、実装電極２２は、第２凸部１５の表面、貫通電極２４上、主面１２ａにわたって形成されている。実装電極２２は、貫通電極２４に接続している。実装電極２２は、２つ設けられている。実装電極２２は、貫通電極２４を介して、搭載電極２０に電気的に接続している。実装電極２２は、外部の装置（図示せず）に実装される際に用いられる外部端子として機能することができる。実装電極２２は、搭載電極２０と同様に、第１金属層２と、第２金属層４と、を含んで構成されている。実装電極２２は、上述した搭載電極２０と同様に構成されている。搭載電極２０および実装電極２２の厚さは、例えば、１０μｍ以上１５μｍ以下である。   The mounting electrode 22 is provided on the main surface 12 b of the ceramic substrate 10 so as to cover the second convex portion 15. In the illustrated example, the mounting electrode 22 is formed over the surface of the second convex portion 15, the through electrode 24, and the main surface 12 a. The mounting electrode 22 is connected to the through electrode 24. Two mounting electrodes 22 are provided. The mounting electrode 22 is electrically connected to the mounting electrode 20 through the through electrode 24. The mounting electrode 22 can function as an external terminal used when mounted on an external device (not shown). Similar to the mounting electrode 20, the mounting electrode 22 includes the first metal layer 2 and the second metal layer 4. The mounting electrode 22 is configured in the same manner as the mounting electrode 20 described above. The thicknesses of the mounting electrode 20 and the mounting electrode 22 are, for example, 10 μm or more and 15 μm or less.

貫通電極２４は、貫通孔１６内に設けられている。貫通電極２４は、２つ設けられている。貫通電極２４は、搭載電極２０と実装電極２２とを電気的に接続している。貫通電極２４は、搭載電極２０および実装電極２２と同様に、第１金属層２と、第２金属層４と、を含んで構成されている。なお、貫通電極２４は、単層であってもよいし、３層以上の金属層からなる多層構造であってもよい。また、貫通電極２４は、銀ペースト等の金属を含む樹脂であってもよい。   The through electrode 24 is provided in the through hole 16. Two penetration electrodes 24 are provided. The through electrode 24 electrically connects the mounting electrode 20 and the mounting electrode 22. The through electrode 24 includes the first metal layer 2 and the second metal layer 4, similarly to the mounting electrode 20 and the mounting electrode 22. The through electrode 24 may be a single layer or a multilayer structure including three or more metal layers. The through electrode 24 may be a resin containing a metal such as a silver paste.

搭載電極２０、実装電極２２、および貫通電極２４は、空間３４を気密に封止するための封止部としても機能している。具体的には、搭載電極２０、実装電極２２、および貫通電極２４は、貫通孔１６を気密に封止して、貫通孔１６からのリークを防ぐ機能を有している。搭載電極２０、実装電極２２、および貫通電極２４は、一体に設けられている。そ
のため、搭載電極２０と貫通電極２４との間、および貫通電極２４と実装電極２２との間には界面（繋ぎ目）がない。したがって、空間３４の気密性を高めることができる。なお、搭載電極２０、実装電極２２、および貫通電極２４は、一体に設けられていなくてもよい。 The mounting electrode 20, the mounting electrode 22, and the through electrode 24 also function as a sealing portion for sealing the space 34 in an airtight manner. Specifically, the mounting electrode 20, the mounting electrode 22, and the through electrode 24 have a function of hermetically sealing the through hole 16 and preventing leakage from the through hole 16. The mounting electrode 20, the mounting electrode 22, and the through electrode 24 are integrally provided. Therefore, there are no interfaces (joints) between the mounting electrode 20 and the through electrode 24 and between the through electrode 24 and the mounting electrode 22. Therefore, the airtightness of the space 34 can be improved. Note that the mounting electrode 20, the mounting electrode 22, and the through electrode 24 may not be provided integrally.

接合部２６は、セラミック基板１０の主面１２ａに設けられている。接合部２６は、図１に示すように、平面視において、電子部品４０を囲むように設けられている。接合部２６は、蓋体３０とセラミック基板１０とを接合するための部材である。接合部２６は、搭載電極２０と同様に、第１金属層２と、第２金属層４と、を含んで構成されている。接合部２６は、上述した搭載電極２０と同様に構成されている。   The joint portion 26 is provided on the main surface 12 a of the ceramic substrate 10. As shown in FIG. 1, the joint portion 26 is provided so as to surround the electronic component 40 in a plan view. The joining portion 26 is a member for joining the lid 30 and the ceramic substrate 10. The joint portion 26 is configured to include the first metal layer 2 and the second metal layer 4, similarly to the mounting electrode 20. The joint portion 26 is configured in the same manner as the mounting electrode 20 described above.

蓋体３０は、全周につば部３２が設けられたキャップ状（容器状）の形状を有しており、その内側の空間３４に、電子部品４０を収容することができる。蓋体３０は、ベース基板１とともに、電子部品４０を気密に封止するパッケージとして機能している。つば部３２は、ろう材３６および接合部２６を介して、セラミック基板１０に接合されている。蓋体３０の材質は、例えば、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼などの金属である。   The lid body 30 has a cap shape (container shape) in which a collar portion 32 is provided on the entire circumference, and the electronic component 40 can be accommodated in a space 34 inside thereof. The lid 30 functions as a package that hermetically seals the electronic component 40 together with the base substrate 1. The collar portion 32 is bonded to the ceramic substrate 10 via the brazing material 36 and the bonding portion 26. The material of the lid 30 is, for example, a metal such as Kovar, 42 alloy, stainless steel.

なお、ここでは、蓋体３０がキャップ状（容器状）の形状を有しており、その内側の空間３４に電子部品４０を収容している場合について説明したが、セラミック基板１０が窪み部を有しており、この窪み部に電子部品４０が収容されてもよい。この場合、蓋体３０の形状は、平板状であってもよい。   Here, the case where the lid body 30 has a cap shape (container shape) and the electronic component 40 is accommodated in the space 34 inside the lid body 30 has been described. However, the ceramic substrate 10 has a hollow portion. And the electronic component 40 may be accommodated in the recess. In this case, the shape of the lid 30 may be a flat plate shape.

ろう材３６は、蓋体３０を、接合部２６に固定（接合）することができる。ろう材３６は、少なくとも蓋体３０のつば部３２と接合部２６との間に設けられている。図示の例では、ろう材３６は、蓋体３０のつば部３２および蓋体３０の内面に設けられている。ろう材３６としては、例えば、銀ろう、ニッケルろう等を用いることができる。   The brazing material 36 can fix (join) the lid 30 to the joining portion 26. The brazing material 36 is provided at least between the flange portion 32 of the lid body 30 and the joint portion 26. In the illustrated example, the brazing material 36 is provided on the flange portion 32 of the lid body 30 and the inner surface of the lid body 30. As the brazing material 36, for example, silver brazing, nickel brazing or the like can be used.

電子部品４０は、ベース基板１に搭載されている。電子部品４０は、接着剤５０によって、第１凸部１４上の搭載電極２０に接合されている。電子部品４０は、一方側の端部が固定されて、他方側の端部は固定されていない。すなわち、電子部品４０は、片持ちで実装されている。電子部品４０は、ベース基板１および蓋体３０で囲まれる空間３４に収容されている。例えば、空間３４は減圧状態または窒素等の不活性気体に満たされた状態であり、電子部品４０は、減圧状態または窒素等の不活性気体に満たされた状態で動作する。なお、電子部品４０の形態としては、例えば、ジャイロセンサー、加速度センサー、振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、などの各種の電子部品を挙げることができる。   The electronic component 40 is mounted on the base substrate 1. The electronic component 40 is bonded to the mounting electrode 20 on the first convex portion 14 with an adhesive 50. As for the electronic component 40, the edge part of one side is fixed, and the edge part of the other side is not fixed. That is, the electronic component 40 is mounted in a cantilever manner. The electronic component 40 is accommodated in a space 34 surrounded by the base substrate 1 and the lid 30. For example, the space 34 is in a decompressed state or a state filled with an inert gas such as nitrogen, and the electronic component 40 operates in a decompressed state or a state filled with an inert gas such as nitrogen. Examples of the form of the electronic component 40 include various electronic components such as a gyro sensor, an acceleration sensor, a vibrator, and a SAW (surface acoustic wave) element.

以下では、電子部品４０が、振動子である場合について説明する。電子部品４０は、圧電振動片４２と、励振電極４４ａ，４４ｂと、接続電極４６と、マウント電極４８と、を含んで構成されている。   Below, the case where the electronic component 40 is a vibrator | oscillator is demonstrated. The electronic component 40 includes a piezoelectric vibrating piece 42, excitation electrodes 44 a and 44 b, a connection electrode 46, and a mount electrode 48.

圧電振動片４２は、例えば、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板等の水晶基板からなる。圧電振動片４２は、図２に示すように、メサ構造を有している。これにより、圧電振動片４２は、高いエネルギー閉じ込め効果を有することができる。   The piezoelectric vibrating piece 42 is made of a quartz substrate such as an AT cut quartz substrate or a BT cut quartz substrate. The piezoelectric vibrating piece 42 has a mesa structure as shown in FIG. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 42 can have a high energy confinement effect.

第１励振電極４４ａは、圧電振動片４２の一方の主面（励振面、図示の例では上面）に設けられている。第２励振電極４４ｂは、圧電振動片４２の他方の主面（励振面、図示の例では下面）に設けられている。励振電極４４ａ，４４ｂの各々は、接続電極４６を介して、マウント電極４８に接続している。励振電極４４ａ，４４ｂは、圧電振動片４２に電圧を印加することができる。   The first excitation electrode 44 a is provided on one main surface (excitation surface, upper surface in the illustrated example) of the piezoelectric vibrating piece 42. The second excitation electrode 44 b is provided on the other main surface (excitation surface, lower surface in the illustrated example) of the piezoelectric vibrating piece 42. Each of the excitation electrodes 44 a and 44 b is connected to the mount electrode 48 via the connection electrode 46. The excitation electrodes 44 a and 44 b can apply a voltage to the piezoelectric vibrating piece 42.

接着剤５０は、電子部品４０をベース基板１に固定（接合）することができる。図示の例では、接着剤５０は、電子部品４０のマウント電極４８と、搭載電極２０と、を接合している。接着剤５０としては、導電性の接着剤を用いることができる。具体的には、接着剤５０としては、例えば、銀ペーストを用いることができる。   The adhesive 50 can fix (join) the electronic component 40 to the base substrate 1. In the illustrated example, the adhesive 50 joins the mount electrode 48 of the electronic component 40 and the mounting electrode 20. As the adhesive 50, a conductive adhesive can be used. Specifically, as the adhesive 50, for example, a silver paste can be used.

ベース基板１および電子デバイス１００によれば、例えば、以下の特徴を有する。   For example, the base substrate 1 and the electronic device 100 have the following characteristics.

ベース基板１は、貫通孔１６と、平面視で貫通孔１６の開口部を囲むように凸部１４，５が設けられている主面１２ａ，１２ｂを有するセラミック基板１０と、貫通孔１６内に設けられている貫通電極２４と、凸部１４，１５を覆っていて、貫通電極２４と電気的に接続している金属層２，４と、を含む。ここで、金属層２とセラミック基板１０との界面は、リークパス（リークの経路）となり、電子部品４０を収容する空間３４の真空度を低下させる場合がある。ベース基板１では、金属層２が、セラミック基板１０の凸部１４，１５を覆うように設けられているため、セラミック基板１０に凸部１４，１５がない場合と比べて、このリーク経路を長くすることができる。これにより、金属層２とセラミック基板１０との界面からのリークを抑制することができ、真空度の低下を抑制することができる。したがって、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を高めることができる。   The base substrate 1 has a through-hole 16, a ceramic substrate 10 having main surfaces 12 a and 12 b provided with convex portions 14 and 5 so as to surround the opening of the through-hole 16 in plan view, and the through-hole 16. The through electrode 24 provided and the metal layers 2 and 4 that cover the convex portions 14 and 15 and are electrically connected to the through electrode 24 are included. Here, the interface between the metal layer 2 and the ceramic substrate 10 becomes a leak path (leak path), and the degree of vacuum of the space 34 in which the electronic component 40 is accommodated may be lowered. In the base substrate 1, since the metal layer 2 is provided so as to cover the convex portions 14 and 15 of the ceramic substrate 10, this leak path is made longer than when the ceramic substrate 10 does not have the convex portions 14 and 15. can do. Thereby, the leak from the interface of the metal layer 2 and the ceramic substrate 10 can be suppressed, and the fall of a vacuum degree can be suppressed. Therefore, the airtightness of the space 34 that houses the electronic component 40 can be enhanced.

さらに、ベース基板１では、上述のように、凸部１４，１５を形成することにより凹凸を形成することができ、この凹凸を金属層２，４で覆うことにより、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を高めることができる。このように、ベース基板１では、簡易な構成で、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を高めることができる。また、貫通孔を長くしたり、金属層の面積を大きくしたりすることなく、リークの経路を長くすることができるため、基板の厚さや表面積によらず、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。したがって、ベース基板１によれば、設計の自由度が高い。   Furthermore, in the base substrate 1, as described above, the projections 14 and 15 can be formed to form irregularities, and by covering these irregularities with the metal layers 2 and 4, a space for accommodating the electronic component 40. The airtightness of 34 can be improved. Thus, in the base substrate 1, the airtightness of the space 34 that accommodates the electronic component 40 can be improved with a simple configuration. In addition, the leak path can be lengthened without increasing the length of the through-hole or increasing the area of the metal layer, so the airtightness of the space that accommodates electronic components regardless of the thickness or surface area of the substrate Can be increased. Therefore, the base substrate 1 has a high degree of design freedom.

ベース基板１では、さらに、金属層２，４が、凸部１４，１５を覆っているため、セラミック基板１１０から凸部１４，１５が脱落することを防ぐことができる。   In the base substrate 1, since the metal layers 2 and 4 further cover the convex portions 14 and 15, the convex portions 14 and 15 can be prevented from falling off from the ceramic substrate 110.

ベース基板１では、セラミック基板１０に設けられている凹凸は、セラミック基板１０と一体の凸部１４，１５によって設けられている。すなわち、凸部１４，１５とセラミック基板１０との間には界面（繋ぎ目）がない。例えば、凸部１４，１５とセラミック基板１０が一体に設けられていない場合、凸部１４，１５とセラミック基板１０の界面がリークパスとなり、電子部品４０を収容する空間３４の真空度を低下させる場合がある。ベース基板１によれば、凸部１４，１５とセラミック基板１０とが一体に設けられているため、このような問題が生じない。したがって、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を、より高めることができる。   In the base substrate 1, the unevenness provided on the ceramic substrate 10 is provided by the convex portions 14 and 15 integrated with the ceramic substrate 10. That is, there is no interface (joint) between the convex portions 14 and 15 and the ceramic substrate 10. For example, when the convex portions 14 and 15 and the ceramic substrate 10 are not integrally provided, the interface between the convex portions 14 and 15 and the ceramic substrate 10 becomes a leak path, and the degree of vacuum of the space 34 that houses the electronic component 40 is reduced. There is. According to the base substrate 1, since the convex parts 14 and 15 and the ceramic substrate 10 are provided integrally, such a problem does not occur. Therefore, the airtightness of the space 34 that houses the electronic component 40 can be further enhanced.

ベース基板１では、セラミック基板１０に設けられている凹凸は、貫通孔１６を囲む環状の凸部１４によって設けられている、これにより、簡易な構成で、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を高めることができる。   In the base substrate 1, the unevenness provided in the ceramic substrate 10 is provided by an annular protrusion 14 surrounding the through hole 16, whereby the airtightness of the space 34 that houses the electronic component 40 with a simple configuration. Can increase the sex.

ベース基板１によれば、セラミック基板１０は、単層であるため、多層のセラミック基板と比べて、装置の低背化、小型化を図ることができる。さらに、工程を少なくでき、材料も少なくできる。また、層間のリークがなく、気密性を高めることができる。   According to the base substrate 1, since the ceramic substrate 10 is a single layer, the apparatus can be reduced in profile and size as compared with a multilayer ceramic substrate. Furthermore, the number of processes can be reduced and the amount of materials can be reduced. Further, there is no leakage between layers, and the airtightness can be improved.

２． 電子デバイスの製造方法
次に、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。また、図５〜図８は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す図で
ある。 2. Next, a method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the electronic device according to the present embodiment. 5 to 8 are diagrams schematically showing the manufacturing process of the electronic device according to the present embodiment.

図４に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程は、ベース基板１を形成する工程（Ｓ１０〜Ｓ１３）と、ベース基板１に電子部品４０を搭載する工程（Ｓ１４）と、ベース基板１と蓋体３０とを接合する工程（Ｓ１５）と、を含む。ベース基板１を形成する工程は、セラミック基板１１０を準備する工程（Ｓ１０）と、セラミック基板１１０にエネルギービームを照射して、貫通孔１６および貫通孔１６を囲むように凸部１４，１５を形成する工程（Ｓ１１）と、貫通電極２４を配置する工程（Ｓ１２）と、凸部１４，１５を覆うように金属層２，４（搭載電極２０および実装電極２２）を形成する工程（Ｓ１３）と、を含む。以下、各工程について詳細に説明する。   As shown in FIG. 4, the manufacturing process of the electronic device according to the present embodiment includes a process of forming the base substrate 1 (S10 to S13), a process of mounting the electronic component 40 on the base substrate 1 (S14), Joining the substrate 1 and the lid 30 (S15). The step of forming the base substrate 1 includes the step of preparing the ceramic substrate 110 (S10), and irradiating the ceramic substrate 110 with an energy beam to form the through holes 16 and the convex portions 14 and 15 so as to surround the through holes 16. A step (S11), a step (S12) for disposing the through electrode 24, a step (S13) for forming the metal layers 2 and 4 (the mounting electrode 20 and the mounting electrode 22) so as to cover the convex portions 14 and 15; ,including. Hereinafter, each step will be described in detail.

図５に示すように、セラミック基板１１０を準備する（Ｓ１０）。セラミック基板１１０は、平板状であり、図示の例では、単層である。セラミック基板１１０は、セラミックウエハーである。例えば、以下に示す製造工程において、セラミック基板１１０に複数のベース基板（電子デバイス）を形成してもよい。なお、ここでは、セラミックウエハーであるセラミック基板１１０を用いてベース基板（電子デバイス）を製造する場合について説明するが、予め個片化されたセラミック基板１０を用いてベース基板（電子デバイス）を製造してもよい。   As shown in FIG. 5, a ceramic substrate 110 is prepared (S10). The ceramic substrate 110 has a flat plate shape, and is a single layer in the illustrated example. The ceramic substrate 110 is a ceramic wafer. For example, a plurality of base substrates (electronic devices) may be formed on the ceramic substrate 110 in the manufacturing process described below. Here, a case where a base substrate (electronic device) is manufactured using a ceramic substrate 110 that is a ceramic wafer will be described. However, a base substrate (electronic device) is manufactured using a ceramic substrate 10 that has been separated into pieces. May be.

次に、セラミック基板１１０にエネルギービームＢを照射して、セラミック基板１１０の一方の主面１２ａに第１凸部１４を形成し、セラミック基板１１０の他方の主面１２ｂに第２凸部１５を形成し、セラミック基板１１０を貫通する貫通孔１６を形成する（Ｓ１１）。エネルギービームＢは、例えば、ＹＡＧレーザー等から出射されるレーザービームや、電子ビーム等である。このようなエネルギービームＢをセラミック基板１１０に照射することにより、セラミック基板１１０の一部が溶融して、凸部１４，１５および貫通孔１６が同時に形成される。この凸部１４，１５によって、セラミック基板１１０の主面１２ａ，１２ｂに、貫通孔１６を囲む凹凸が形成される。凸部１４，１５は、セラミック基板１１０の溶融物が固まったものである。エネルギービームＢの照射条件やスキャンの条件を調整することで、凸部１４，１５および貫通孔１６の形状や大きさを容易に制御することができる。例えば、セラミック基板１１０にレーザービームＢを照射することにより、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、セラミック基板１１０に貫通孔１６を囲む環状の凸部１４，１５が形成される。また、図示はしないが、エネルギービームＢの照射条件を調整して、セラミック基板１１０の一方の主面にのみ、凸部を形成してもよい。   Next, the ceramic substrate 110 is irradiated with the energy beam B, the first convex portion 14 is formed on one main surface 12a of the ceramic substrate 110, and the second convex portion 15 is formed on the other main surface 12b of the ceramic substrate 110. Then, the through hole 16 penetrating the ceramic substrate 110 is formed (S11). The energy beam B is, for example, a laser beam emitted from a YAG laser or the like, an electron beam, or the like. By irradiating the ceramic substrate 110 with such an energy beam B, a part of the ceramic substrate 110 is melted, and the convex portions 14 and 15 and the through holes 16 are formed simultaneously. By the convex portions 14 and 15, irregularities surrounding the through hole 16 are formed on the main surfaces 12 a and 12 b of the ceramic substrate 110. The convex portions 14 and 15 are obtained by solidifying the melt of the ceramic substrate 110. By adjusting the irradiation condition of the energy beam B and the scanning condition, the shape and size of the convex portions 14 and 15 and the through hole 16 can be easily controlled. For example, by irradiating the ceramic substrate 110 with the laser beam B, as shown in FIGS. 3A and 3B, the annular protrusions 14 and 15 surrounding the through hole 16 are formed in the ceramic substrate 110. The In addition, although not illustrated, the projecting portion may be formed only on one main surface of the ceramic substrate 110 by adjusting the irradiation condition of the energy beam B.

次に、セラミック基板１１０にエネルギービームＢを照射して、セラミック基板１１０の主面１２ａにチップ分離用の溝部１８を形成する。溝部１８は、セラミック基板１１０を劈開するためのスクライブラインとして機能する。   Next, the energy beam B is irradiated to the ceramic substrate 110 to form a groove 18 for chip separation on the main surface 12 a of the ceramic substrate 110. The groove 18 functions as a scribe line for cleaving the ceramic substrate 110.

図６に示すように、貫通孔１６内に貫通電極２４を配置する工程Ｓ１２と、凸部１４，１５を覆う金属層２，４（搭載電極２０および実装電極２２）を形成する工程Ｓ１３とを行う。なお、本実施形態では、工程Ｓ１２と工程Ｓ１３とは同じ工程で行われる。具体的には、セラミック基板１１０の主面１２ａ，１２ｂおよび貫通孔１６内に、金属層２，４を形成することで、セラミック基板１１０の一方の主面１２ａに搭載電極２０および接合部２６を形成し、セラミック基板１１０の他方の主面１２ｂに実装電極２２を形成し、貫通孔１６内に貫通電極２４を形成する。第１金属層２は、例えば、スパッタ法により形成される。第２金属層４は、例えば、めっき法により形成される。金属層２，４からなる電極２０，２２，２４および接合部２６は、例えば、セミアディティブ法で形成される。これにより、搭載電極２０、実装電極２２、貫通電極２４、および接合部２６を同時に形成することができ、搭載電極２０、実装電極２２、貫通電極２４は、一体に形成される。   As shown in FIG. 6, a step S12 for disposing the through electrode 24 in the through hole 16 and a step S13 for forming the metal layers 2 and 4 (the mounting electrode 20 and the mounting electrode 22) covering the convex portions 14 and 15 are performed. Do. In the present embodiment, step S12 and step S13 are performed in the same step. Specifically, the metal layers 2 and 4 are formed in the main surfaces 12 a and 12 b and the through holes 16 of the ceramic substrate 110, so that the mounting electrode 20 and the joint portion 26 are formed on one main surface 12 a of the ceramic substrate 110. Then, the mounting electrode 22 is formed on the other main surface 12 b of the ceramic substrate 110, and the through electrode 24 is formed in the through hole 16. The first metal layer 2 is formed by sputtering, for example. The second metal layer 4 is formed by, for example, a plating method. The electrodes 20, 22, 24 made of the metal layers 2, 4 and the joint portion 26 are formed by, for example, a semi-additive method. Thereby, the mounting electrode 20, the mounting electrode 22, the through electrode 24, and the joint portion 26 can be formed simultaneously, and the mounting electrode 20, the mounting electrode 22, and the through electrode 24 are integrally formed.

なお、搭載電極２０、実装電極２２、貫通電極２４、および接合部２６は、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成されてもよい。なお、ここでは、貫通電極２４を形成する工程Ｓ１２と、凸部１４を覆う金属層２，４を形成する工程Ｓ１３を同じ工程で行ったが、別の工程で行ってもよい。例えば、貫通電極２４を配置した（Ｓ１２）後に、凸部１４を覆う金属層２，４（搭載電極、実装電極）を形成してもよい（Ｓ１３）。   Note that the mounting electrode 20, the mounting electrode 22, the through electrode 24, and the bonding portion 26 may be formed by a sputtering method, a CVD method, or the like. Here, the step S12 for forming the through electrode 24 and the step S13 for forming the metal layers 2 and 4 covering the convex portion 14 are performed in the same step, but may be performed in different steps. For example, after the through electrode 24 is disposed (S12), the metal layers 2 and 4 (mounting electrode and mounting electrode) covering the convex portion 14 may be formed (S13).

以上の工程により、ベース基板１を製造することができる。   The base substrate 1 can be manufactured through the above steps.

図７に示すように、電子部品４０をベース基板１に搭載する（Ｓ１４）。具体的には、まず、搭載電極２０上に接着剤５０を塗布する。次に、電子部品４０を搭載電極２０に押し付けて、搭載電極２０と電子部品４０のマウント電極４８とを、接着剤５０を介して接合する。   As shown in FIG. 7, the electronic component 40 is mounted on the base substrate 1 (S14). Specifically, first, the adhesive 50 is applied on the mounting electrode 20. Next, the electronic component 40 is pressed against the mounting electrode 20, and the mounting electrode 20 and the mount electrode 48 of the electronic component 40 are joined via the adhesive 50.

図８に示すように、セラミック基板１１０に蓋体３０を接合して、ベース基板１と蓋体３０とに囲まれた空間３４に電子部品４０を収容する（Ｓ１５）。具体的には、まず、例えば蓋体３０の母材であるコバールの一方の面の全面にろう材３６（銀ろう）、他方の面にニッケル（図示せず）が形成されたクラッド材を、絞り加工することで蓋体３０を凹形状に加工する。次に、蓋体３０を、ろう材３６を介して、接合部２６上に配置する。次に、例えば、エネルギービームを蓋体３０に照射することにより、ろう材３６を加熱溶融させて接合部２６に接合させる。以上の工程により、電子部品４０を空間３４に収容することができる。本工程を減圧雰囲気で行うことにより、空間３４を減圧状態にすることができる。   As shown in FIG. 8, the lid 30 is joined to the ceramic substrate 110, and the electronic component 40 is accommodated in the space 34 surrounded by the base substrate 1 and the lid 30 (S15). Specifically, first, for example, a clad material in which brazing material 36 (silver brazing) is formed on the entire surface of one side of Kovar, which is the base material of the lid 30, and nickel (not shown) is formed on the other surface, The lid 30 is processed into a concave shape by drawing. Next, the lid body 30 is disposed on the joint portion 26 via the brazing material 36. Next, for example, by irradiating the lid 30 with an energy beam, the brazing material 36 is heated and melted and joined to the joining portion 26. Through the above steps, the electronic component 40 can be accommodated in the space 34. By performing this step in a reduced pressure atmosphere, the space 34 can be brought into a reduced pressure state.

図１および図２に示すように、セラミック基板１１０からベース基板１（電子デバイス１００）を切り出す。具体的には、セラミック基板１１０を、溝部１８に沿って劈開させて、ベース基板１（電子デバイス１００）を切り出す。   As shown in FIGS. 1 and 2, the base substrate 1 (electronic device 100) is cut out from the ceramic substrate 110. Specifically, the ceramic substrate 110 is cleaved along the groove 18 to cut out the base substrate 1 (electronic device 100).

以上の工程により、電子デバイス１００を製造することができる。   Through the above steps, the electronic device 100 can be manufactured.

本実施形態に係るベース基板１の製造方法および電子デバイス１００の製造方法によれば、例えば、以下の特徴を有する。   The method for manufacturing the base substrate 1 and the method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment have, for example, the following characteristics.

本実施形態に係るベース基板１の製造方法では、セラミック基板１１０にエネルギービームＢを照射して、セラミック基板１１０を貫通する貫通孔１６を形成し、かつ、セラミック基板１１０の主面１２ａ，１２ｂに、貫通孔１６を囲むように凸部１４，１５を形成する工程Ｓ１１と、貫通電極２４に接続し、凸部１４，１５を覆う金属層２，４を形成する工程Ｓ１３と、を含む。このように、貫通孔１６の形成と、凸部１４，１５の形成とを、同時に行うことができるため、製造工程を簡略化することができる。したがって、電子部品４０を収容する空間３４の気密性を高めることが可能なベース基板１を、簡易な工程で製造することができる。   In the method for manufacturing the base substrate 1 according to the present embodiment, the ceramic substrate 110 is irradiated with the energy beam B to form the through holes 16 penetrating the ceramic substrate 110, and the main surfaces 12 a and 12 b of the ceramic substrate 110 are formed. Step S11 for forming the convex portions 14 and 15 so as to surround the through hole 16 and Step S13 for forming the metal layers 2 and 4 connected to the through electrode 24 and covering the convex portions 14 and 15 are included. Thus, since the formation of the through hole 16 and the formation of the convex portions 14 and 15 can be performed simultaneously, the manufacturing process can be simplified. Therefore, the base substrate 1 capable of improving the airtightness of the space 34 that accommodates the electronic component 40 can be manufactured by a simple process.

さらに、例えば、エネルギービームＢで凸部１４，１５を形成するため、機械的な動作を伴わずにエネルギービームＢをスキャンすることにより凸部１４，１５を形成することができる。したがって、位置精度がよく、短時間で凸部１４，１５を形成することができる。   Furthermore, for example, since the convex portions 14 and 15 are formed by the energy beam B, the convex portions 14 and 15 can be formed by scanning the energy beam B without mechanical operation. Therefore, the position accuracy is good, and the convex portions 14 and 15 can be formed in a short time.

さらに、本実施形態では、エネルギービームＢで凸部１４，１５を形成するため、焼成後のセラミック基板１１０を用いることができる。例えば、セラミックグリーンシートに凸部に相当する部分を塗布し、その後焼成することによりベース基板を形成した場合、焼成時の収縮があるため、凸部１４，１５の位置精度を高めることができない。本実施形態
では、焼成後のセラミック基板１１０を用いることができるため、凸部１４，１５の位置精度を高めることができる。 Furthermore, in this embodiment, since the convex parts 14 and 15 are formed by the energy beam B, the fired ceramic substrate 110 can be used. For example, when a base substrate is formed by applying a portion corresponding to a convex portion to a ceramic green sheet and then firing, the positional accuracy of the convex portions 14 and 15 cannot be increased due to shrinkage during firing. In the present embodiment, since the fired ceramic substrate 110 can be used, the positional accuracy of the convex portions 14 and 15 can be increased.

本実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法では、上述のように、簡易な工程で、精度よく電子部品４０を搭載することができるため、例えば、１枚のセラミック基板１１０に複数の電子デバイス１００を同時に形成する場合に、特に有効である。   In the method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment, as described above, the electronic component 40 can be accurately mounted by a simple process. For example, a plurality of electronic devices 100 are mounted on one ceramic substrate 110. This is particularly effective when forming the films simultaneously.

３． 変形例
３．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図９は、本実施形態の第１変形例に係る電子デバイス２００を模式的に示す断面図である。図１０（Ａ）は、第１凸部１４および貫通孔１６を模式的に示す平面図である。図１０（Ｂ）は、凸部１４，１５および貫通孔１６を模式的に示す断面図であり、図１０（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。以下、電子デバイス２００において、上述した電子デバイス１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。 3. Modification 3.1. First Modification Next, an electronic device according to a first modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an electronic device 200 according to a first modification of the present embodiment. FIG. 10A is a plan view schematically showing the first convex portion 14 and the through hole 16. FIG. 10B is a cross-sectional view schematically showing the convex portions 14 and 15 and the through hole 16, and is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. Hereinafter, in the electronic device 200, members having the same functions as the constituent members of the electronic device 100 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

電子デバイス２００では、図９および図１０に示すように、貫通孔１６の開口部は、セラミック基板１０の主面１２ａ側からみて、２つの第１凸部１４に囲まれている。同様に、貫通孔１６の開口部は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側からみて、２つの第２凸部１５に囲まれている。   In the electronic device 200, as shown in FIGS. 9 and 10, the opening of the through hole 16 is surrounded by the two first protrusions 14 when viewed from the main surface 12 a side of the ceramic substrate 10. Similarly, the opening of the through hole 16 is surrounded by the two second protrusions 15 when viewed from the main surface 12 b side of the ceramic substrate 10.

具体的には、貫通孔１６は、図１０（Ａ）に示すように、セラミック基板１０の主面１２ａ側からみて、環状の第１凸部１４ａに囲まれており、第１凸部１４ａは、環状の第１凸部１４ｂに囲まれている。すなわち、貫通孔１６は、２つの凸部１４ａ，１４ｂで２重に囲まれている。凸部１４ａ，１４ｂは、図示の例では、同心円状に設けられている。凸部１４ａ，１４ｂによって、セラミック基板１０の主面１２ａに貫通孔１６を囲む凹凸が設けられる。図９に示すように、凸部１４ａ，１４ｂは、搭載電極２０を構成する第３金属層８によって覆われている。第３金属層８は、単層であってもよいし、２層以上の金属層からなる多層構造であってもよい。また、第３金属層８は、銀ペースト等の金属を含む樹脂であってもよい。第３金属層８は、例えば、めっき法により形成される。   Specifically, as shown in FIG. 10A, the through-hole 16 is surrounded by an annular first convex portion 14a when viewed from the main surface 12a side of the ceramic substrate 10, and the first convex portion 14a is The first convex portion 14b is surrounded by an annular shape. That is, the through-hole 16 is doubly surrounded by the two convex portions 14a and 14b. The convex portions 14a and 14b are provided concentrically in the illustrated example. The protrusions 14 a and 14 b provide the main surface 12 a of the ceramic substrate 10 with unevenness surrounding the through hole 16. As shown in FIG. 9, the convex portions 14 a and 14 b are covered with the third metal layer 8 constituting the mounting electrode 20. The third metal layer 8 may be a single layer or a multilayer structure composed of two or more metal layers. The third metal layer 8 may be a resin containing a metal such as a silver paste. The third metal layer 8 is formed by, for example, a plating method.

同様に、貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側からみて、環状の第２凸部１５ａに囲まれており、第２凸部１５ａは、環状の第２凸部１５ｂに囲まれている。すなわち、貫通孔１６は、２つの凸部１５ａ，１５ｂで２重に囲まれている。凸部１５ａ，１５ｂは、図示の例では、同心円状に設けられている。凸部１５ａ，１５ｂによって、セラミック基板１０の主面１２ｂに貫通孔１６を囲む凹凸が設けられる。凸部１５ａ，１５ｂは、実装電極２２を構成する第３金属層８によって覆われている。凸部１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂは、例えば、セラミック基板１０にエネルギービームを照射することにより形成される。   Similarly, the through hole 16 is surrounded by the annular second convex portion 15a when viewed from the main surface 12b side of the ceramic substrate 10, and the second convex portion 15a is surrounded by the annular second convex portion 15b. Yes. That is, the through hole 16 is doubly surrounded by the two convex portions 15a and 15b. The convex portions 15a and 15b are provided concentrically in the illustrated example. The protrusions 15 a and 15 b provide the main surface 12 b of the ceramic substrate 10 with unevenness surrounding the through hole 16. The convex portions 15 a and 15 b are covered with the third metal layer 8 constituting the mounting electrode 22. The convex portions 14a, 14b, 15a, and 15b are formed, for example, by irradiating the ceramic substrate 10 with an energy beam.

電子デバイス２００では、図９に示すように、電子部品４０が、接着剤２２０を介して、セラミック基板１０の主面１２ａに固定されており、搭載電極２０と電子部品４０とが、配線ワイヤー２１０を介して電気的に接続されている。   In the electronic device 200, as shown in FIG. 9, the electronic component 40 is fixed to the main surface 12 a of the ceramic substrate 10 via an adhesive 220, and the mounting electrode 20 and the electronic component 40 are connected to the wiring wire 210. It is electrically connected via.

電子デバイス２００によれば、貫通孔１６が、平面視で凸部１４ａ，１４ｂ（または凸部１５ａ，１５ｂ）で２重に囲まれているため、よりリーク経路を長くすることができる。したがって、第３金属層８とセラミック基板１０との界面からのリークを抑制することができ、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。   According to the electronic device 200, since the through-hole 16 is doubly surrounded by the convex portions 14a and 14b (or the convex portions 15a and 15b) in a plan view, the leak path can be made longer. Therefore, leakage from the interface between the third metal layer 8 and the ceramic substrate 10 can be suppressed, and the airtightness of the space that houses the electronic component can be improved.

３．２． 第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の第２変形例に係る電子デバイス３００を模式的に示す断面図である。図１２（Ａ）は、第１凸部１４および貫通孔１６を模式的に示す平面図である。図１２（Ｂ）は、凸部１４，１５および貫通孔１６を模式的に示す断面図であり、図１２（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。以下、電子デバイス３００において、上述した電子デバイス１００，２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。 3.2. Second Modification Next, an electronic device according to a second modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing an electronic device 300 according to a second modification of the present embodiment. FIG. 12A is a plan view schematically showing the first convex portion 14 and the through hole 16. FIG. 12B is a cross-sectional view schematically showing the convex portions 14 and 15 and the through hole 16, and is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. Hereinafter, in the electronic device 300, members having the same functions as the constituent members of the electronic devices 100 and 200 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

電子デバイス３００では、図１１および図１２に示すように、貫通孔１６の開口部は、セラミック基板１０の主面１２ａ側からみて、第１凸部１４と第１凹部３１０に囲まれている。同様に、貫通孔１６の開口部は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側からみて、第２凸部１５と第２凹部３２０に囲まれている。   In the electronic device 300, as shown in FIGS. 11 and 12, the opening of the through hole 16 is surrounded by the first convex portion 14 and the first concave portion 310 when viewed from the main surface 12 a side of the ceramic substrate 10. Similarly, the opening of the through hole 16 is surrounded by the second convex portion 15 and the second concave portion 320 when viewed from the main surface 12 b side of the ceramic substrate 10.

具体的には、貫通孔１６は、図１２（Ａ）に示すように、セラミック基板１０の主面１２ａ側からみて、環状の第１凸部１４によって囲まれており、第１凸部１４は、環状の第１凹部３１０に囲まれている。すなわち、貫通孔１６は、第１凸部１４および第１凹部３１０で２重に囲まれている。第１凸部１４と第１凹部３１０とは、図示の例では、同心円状に設けられている。第１凸部１４および第１凹部３１０によって、セラミック基板１０の主面１２ａに貫通孔１６を囲む凹凸が設けられる。図１１に示すように、第１凸部１４および第１凹部３１０は、搭載電極２０を構成する第３金属層８によって覆われている。   Specifically, as shown in FIG. 12A, the through-hole 16 is surrounded by an annular first convex portion 14 when viewed from the main surface 12a side of the ceramic substrate 10, and the first convex portion 14 is The first recess 310 is surrounded by an annular shape. That is, the through-hole 16 is doubly surrounded by the first convex portion 14 and the first concave portion 310. The first convex portion 14 and the first concave portion 310 are provided concentrically in the illustrated example. The first convex portion 14 and the first concave portion 310 provide the main surface 12 a of the ceramic substrate 10 with irregularities surrounding the through hole 16. As shown in FIG. 11, the first convex portion 14 and the first concave portion 310 are covered with the third metal layer 8 constituting the mounting electrode 20.

同様に、貫通孔１６は、セラミック基板１０の主面１２ｂ側からみて、環状の第２凸部１５に囲まれており、第２凸部１５は、環状の第２凹部３２０に囲まれている。すなわち、貫通孔１６は、第２凸部１５および第２凹部３２０で２重に囲まれている。第２凸部１５と第２凹部３２０とは、図示の例では、同心円状に設けられている。第２凸部１５および第２凹部３２０によって、セラミック基板１０の主面１２ｂに貫通孔１６を囲む凹凸が設けられる。図１１に示すように、第２凸部１５および第２凹部３２０は、実装電極２２を構成する第３金属層８によって覆われている。第１凹部３１０および第２凹部３２０は、例えば、セラミック基板１０にエネルギービームを照射して、セラミック基板１０の一部を溶融させることにより形成される。第１凹部３１０および第２凹部３２０の深さＤは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。   Similarly, the through-hole 16 is surrounded by the annular second convex portion 15 when viewed from the main surface 12 b side of the ceramic substrate 10, and the second convex portion 15 is surrounded by the annular second concave portion 320. . That is, the through-hole 16 is doubly surrounded by the second convex portion 15 and the second concave portion 320. The 2nd convex part 15 and the 2nd recessed part 320 are provided in concentric form in the example of illustration. By the second convex portion 15 and the second concave portion 320, the main surface 12b of the ceramic substrate 10 is provided with irregularities surrounding the through hole 16. As shown in FIG. 11, the second convex portion 15 and the second concave portion 320 are covered with the third metal layer 8 constituting the mounting electrode 22. The first recess 310 and the second recess 320 are formed, for example, by irradiating the ceramic substrate 10 with an energy beam and melting a part of the ceramic substrate 10. The depth D of the first recess 310 and the second recess 320 is, for example, not less than 5 μm and not more than 20 μm.

電子デバイス３００によれば、貫通孔１６が、平面視で凸部１４および凹部３１０（または凸部１５および凹部３２０）で２重に囲まれているため、よりリーク経路を長くすることができる。したがって、第３金属層８とセラミック基板１０との界面からのリークを抑制することができ、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる。   According to the electronic device 300, since the through hole 16 is doubly surrounded by the convex portion 14 and the concave portion 310 (or the convex portion 15 and the concave portion 320) in a plan view, the leak path can be made longer. Therefore, leakage from the interface between the third metal layer 8 and the ceramic substrate 10 can be suppressed, and the airtightness of the space that houses the electronic component can be improved.

なお、電子デバイス３００では、環状の凸部１４，１５および環状の凹部３１０，３２０が設けられていたが、凸部１４，１５および凹部３１０，３２０の形状はこれに限定されない。図１３は、第１凸部１４および第１凹部３１０の変形例を模式的に示す平面図である。第１凸部１４は、貫通孔１６の周囲に不連続に設けられており、貫通孔１６の周囲を完全に囲んでいない。同様に、第１凹部３１０は、貫通孔１６の周囲に不連続に設けられており、貫通孔１６の周囲を完全に囲んでいない。このような場合でも、上述した電子デバイス３００と同様の効果を奏することができる。   In the electronic device 300, the annular convex portions 14 and 15 and the annular concave portions 310 and 320 are provided. However, the shapes of the convex portions 14 and 15 and the concave portions 310 and 320 are not limited thereto. FIG. 13 is a plan view schematically showing a modification of the first convex portion 14 and the first concave portion 310. The first convex portion 14 is provided discontinuously around the through hole 16 and does not completely surround the through hole 16. Similarly, the first recess 310 is provided discontinuously around the through hole 16 and does not completely surround the through hole 16. Even in such a case, the same effects as those of the electronic device 300 described above can be obtained.

３．３． 第３変形例
次に、第３変形例について説明する。 3.3. Third Modification Next, a third modification will be described.

電子デバイス１００の例では、ベース基板１が、セラミック基板１０を含んで構成され
ている場合について説明したが、本変形例では、ベース基板１は、セラミック基板１０にかえて、ガラス基板やシリコン基板などのセラミックス以外の材質の基板を含んで構成されていることができる。 In the example of the electronic device 100, the case where the base substrate 1 is configured to include the ceramic substrate 10 has been described. However, in the present modification, the base substrate 1 is replaced with the ceramic substrate 10 instead of a glass substrate or a silicon substrate. It is possible to include a substrate made of a material other than ceramics.

４． 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイスを含む。以下では、本発明に係る電子デバイスとして、電子デバイス１００を含む電子機器について、説明する。 4). Next, an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. The electronic apparatus according to the present embodiment includes the electronic device according to the present invention. Below, the electronic device containing the electronic device 100 is demonstrated as an electronic device which concerns on this invention.

図１４は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を模式的に示す斜視図である。   FIG. 14 is a perspective view schematically showing a mobile phone (including PHS) 1200 as the electronic apparatus according to the present embodiment.

図１４に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。   As shown in FIG. 14, the cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display unit 1208 is disposed between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .

このような携帯電話機１２００には、電子デバイス１００が内蔵されている。   Such a cellular phone 1200 incorporates the electronic device 100.

図１５は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的に示す斜視図である。なお、図１４には、外部機器との接続についても簡易的に示している。   FIG. 15 is a perspective view schematically showing a digital still camera 1300 as an electronic apparatus according to the present embodiment. Note that FIG. 14 also shows a simple connection with an external device.

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。   Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。   A display unit 1310 is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD. The display unit 1310 displays an object as an electronic image. Functions as a viewfinder.

また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。   A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the drawing) of the case 1302.

撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。   When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.

また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイス１００が内蔵されている。   Such a digital still camera 1300 incorporates the electronic device 100.

図１６（Ａ）は、本実施形態に係る電子機器として、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉ
ｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）１４００を模式的に示す図である。図１６（Ｂ）は、本実施形態に係る電子機器として、時計１５００を模式的に示す斜視図である。図１６（Ｃ）は、本実施形態に係る電子機器として、ゲーム機器１６００を模式的に示す平面図である。 FIG. 16A illustrates a GPS (Global Posi) as an electronic apparatus according to this embodiment.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a (conditioning system) 1400; FIG. 16B is a perspective view schematically showing a timepiece 1500 as the electronic apparatus according to this embodiment. FIG. 16C is a plan view schematically showing a game device 1600 as the electronic device according to the present embodiment.

電子デバイス１００は、図１６に示すＧＰＳ１４００、時計１５００、ゲーム機器１６００に搭載されている。   The electronic device 100 is mounted on the GPS 1400, the clock 1500, and the game machine 1600 shown in FIG.

電子デバイス１００は、図１４〜図１６に示すように、様々な電子機器に搭載することができ、電子デバイス１００は、基準周波数発生機能、フィルタ機能、圧力センサー、温度センサー、加速度センサー等のセンサー機能としての役割を果たす。   14 to 16, the electronic device 100 can be mounted on various electronic devices. The electronic device 100 is a sensor such as a reference frequency generation function, a filter function, a pressure sensor, a temperature sensor, and an acceleration sensor. Serves as a function.

以上のような電子機器１２００，１３００，１４００，１５００，１６００は、電子部品を収容する空間の気密性を高めることができる電子デバイスを有することができるため、高い信頼性を有することができる。   The electronic devices 1200, 1300, 1400, 1500, and 1600 as described above can have an electronic device that can improve the airtightness of the space that houses the electronic components, and thus can have high reliability.

なお、上記電子デバイス１００を備えた電子機器は、上記した電子機器１２００，１３００，１４００，１５００，１６００の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。   In addition to the above-described electronic devices 1200, 1300, 1400, 1500, and 1600, the electronic device including the electronic device 100 includes, for example, an ink jet ejection device (for example, an ink jet printer), a personal computer, a television, and a video camera. , Video tape recorders, various navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, word processors, workstations, videophones, TV monitors for crime prevention, electronic binoculars, POS terminals, medical equipment (eg electronic Thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measuring instruments, instruments (eg, vehicles, aircraft, rockets, ship instruments), robots, Posture control of human body, flight simulator It can be applied etc..

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

１…ベース基板、２…第１金属層、４…第２金属層、８…第３金属層、１０…セラミック基板、１２ａ，１２ｂ…主面、１２ｃ…内面、１４…第１凸部、１４ｃ…側面、１５…第２凸部、１６…貫通孔、１８…溝部、２０…搭載電極、２２…実装電極、２４…貫通電極、２６…接合部、３０…蓋体、３２…つば部、３６…ろう材、４０…電子部品、４２…圧電振動片、４４ａ…第１励振電極、４４ｂ…第２励振電極、４６…接続電極、４８…マウント電極、５０…接着剤、１００…電子デバイス、１１０…セラミック基板、２００…電子デバイス、２１０…配線ワイヤー、２２０…接着剤、３００…電子デバイス、３１０…第１凹部、３２０…第２凹部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１４００…ＧＰＳ、１５００…時計、１６００…ゲーム機器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base substrate, 2 ... 1st metal layer, 4 ... 2nd metal layer, 8 ... 3rd metal layer, 10 ... Ceramic substrate, 12a, 12b ... Main surface, 12c ... Inner surface, 14 ... 1st convex part, 14c DESCRIPTION OF SYMBOLS: Side surface, 15 ... 2nd convex part, 16 ... Through-hole, 18 ... Groove part, 20 ... Mounting electrode, 22 ... Mounting electrode, 24 ... Through electrode, 26 ... Joint part, 30 ... Lid, 32 ... Collar part, 36 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Brazing material, 40 ... Electronic component, 42 ... Piezoelectric vibrating piece, 44a ... First excitation electrode, 44b ... Second excitation electrode, 46 ... Connection electrode, 48 ... Mount electrode, 50 ... Adhesive, 100 ... Electronic device, 110 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Ceramic substrate, 200 ... Electronic device, 210 ... Wiring wire, 220 ... Adhesive, 300 ... Electronic device, 310 ... 1st recessed part, 320 ... 2nd recessed part, 1200 ... Mobile phone, 1202 ... Operation button, 1204 ... Earpiece 1206: Mouthpiece DESCRIPTION OF SYMBOLS 1208 ... Display part, 1300 ... Digital still camera, 1302 ... Case, 1304 ... Light receiving unit, 1306 ... Shutter button, 1308 ... Memory, 1310 ... Display part, 1312 ... Video signal output terminal, 1314 ... Input / output terminal, 1430 ... Television Monitor, 1440 ... Personal computer, 1400 ... GPS, 1500 ... Clock, 1600 ... Game equipment

Claims (8)

貫通孔と、平面視で前記貫通孔の開口部を囲むように凸部が設けられている主面とを有する基板と、
前記貫通孔内に設けられている貫通電極と、
前記凸部を覆っていて、前記貫通電極と電気的に接続している金属層と、
を含むことを特徴とするベース基板。 A substrate having a through hole and a main surface provided with a convex portion so as to surround the opening of the through hole in plan view;
A through electrode provided in the through hole;
A metal layer covering the convex portion and electrically connected to the through electrode;
A base substrate comprising: 前記主面には、平面視で前記開口部を囲むように凹部も設けられていることを特徴とする請求項１に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 1, wherein the main surface is provided with a recess so as to surround the opening in a plan view. 前記凸部または前記凹部が、平面視で前記開口部を囲むように環状に繋がっていることを特徴とする請求項１または２に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 1, wherein the convex portion or the concave portion is connected in an annular shape so as to surround the opening in a plan view. 前記基板は、単層のセラミック基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 1, wherein the substrate is a single-layer ceramic substrate. 前記貫通電極は、金属を含む樹脂であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか1項に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 1, wherein the through electrode is a resin containing a metal. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のベース基板と、
前記ベース基板に搭載されている電子部品と、
を含むことを特徴とする電子デバイス。 A base substrate according to any one of claims 1 to 5,
Electronic components mounted on the base substrate;
An electronic device comprising: 請求項６に記載の電子デバイスを含む、電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to claim 6. セラミック基板を準備する工程と、
前記セラミック基板にエネルギービームを照射して、前記セラミック基板を貫通する貫通孔を形成し、かつ、前記セラミック基板の主面に前記貫通孔を囲むように凸部を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極を配置する工程と、
前記貫通電極と電気的に接続し、前記凸部を覆うように金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。 Preparing a ceramic substrate;
Irradiating the ceramic substrate with an energy beam to form a through hole penetrating the ceramic substrate, and forming a convex portion on the main surface of the ceramic substrate so as to surround the through hole;
Placing a through electrode in the through hole;
Electrically connecting with the through electrode and forming a metal layer so as to cover the convex part;
A method for manufacturing a base substrate, comprising:
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